Разработка и исследование микроканальных пластин с высоким пространственным разрешением для техники ночного видения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.02, кандидат технических наук Кесаев, Сергей Аврамович

• Кесаев, Сергей Аврамович
• кандидат технических наук
• 2002

Оглавление диссертации кандидат технических наук Кесаев, Сергей Аврамович

Введение.

1. Особенности и проблемы мелкоструктурных микроканальных пластин.

1Л. Конструктивно-технологические особенности МКП.

1.2. Условия и режимы применения МКП в составе ЭОП.

1.3. Требования к параметрам МКП.

2. Электронно-оптические и шумовые свойства МКП.

2.1. Особенности и характеристики электронного изображения МКП.

2.2. Шаговая модель усиления МКП и выводы из нее.

2.3. Шумовые характеристики МКП.

2.4. Работа МКП в режиме зарядового насыщения.

3. Пространственное разрешение МКП в составе ЭОП.

3.1. Разрешающая способность структуры МКП.

3.2. Разрешающая способность бипланарной электронно-оптической системы.

4. Конструктивно-технологические проблемы создания МКП. Исследования разрешающей способности.

4.1. Конструктивно-технологические проблемы создания МКП.

4.2. Исследование разрешающей способности мелкоструктурных

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование микроканальных пластин с высоким пространственным разрешением для техники ночного видения»

Актуальность темы. Микроканальные пластины (МКП) находят все возрастающее применение в науке, технике, производстве, информационных технологиях. Основное применение МКП связано с техникой ночного видения: электронно-оптическими преобразователями и усилителями изображений (ЭОП), где МКП выполняет функцию усиления электронных изображений, и приборами ночного видения (ПНВ) на ЭОП [1-12].

Основной параметр ПНВ - дальность действия - непосредственно зависит от пространственного разрешения ЭОП, а последнее, в конечном итоге, определяется МКП, структурой ее каналов.

В связи с этим высокую актуальность имеет проблема создания мелкоструктурных МКП с диаметром канала 5-6 мкм, шагом структуры не более 7-8 мкм, освоения их в производстве и внедрения в новые поколения ЭОП и ПНВ. При этом проблема заключается в том, чтобы мелкоструктурные МКП не только бы имели большее разрешение, но и обладали бы также всем комплексом свойств и параметров, требуемых для применения МКП в составе ЭОП новых поколений [13].

МКП - особо сложные изделия, а их технология представляет собой прецизионный процесс [10, 14-22]. Только несколько ведущих мировых фирм способны изготавливать высококачественные МКП, с требуемыми для техники ночного видения параметрами. При этом, как правило, диаметр каналов составляет не менее 9-10 мкм при толщине пластин 400-450 мкм.

Уменьшение диаметра каналов до 5-6 мкм ставит ряд сложных задач, которые должны быть решены в комплексе:

• создание механически прочной и формоустойчивой конструкции пластины с монолитным обрамлением при ее толщине 300 мкм или менее и толщине стенок каналов не более 1,2-1,5 мкм;

• обеспечение достаточного совершенства геометрической структуры каналов с исключением недопустимых структурных дефектов;

• обеспечение чистоты и оптимальности свойств рабочих поверхностей МКП, в частности, резистивно-эмиссионного слоя (РЭС) каналов;

• достижение электрических и электронно-оптических параметров МКП в соответствии с требованиями ЭОП;

• реализация высокого пространственного разрешения МКП в условиях ЭОП.

В связи с этим проблема разработки мелкоструктурных МКП для новейших ЭОП относится к классу весьма сложных, комплексных, многофакторных и многокритериальных физико-технологических проблем. Решение ее будет способствовать углублению знаний о физике, теоретических и практических основах технологии МКП.

Предмет исследований - мелкоструктурные МКП, их конструкция и технология, электрические и электронно-оптические параметры, пространственное разрешение МКП и влияющие на него физические, конструктивно-технологические и режимные факторы.

Цель диссертации состоит в решении проблемы создания и освоения отечественных мелкоструктурных МКП для техники ночного видения нового поколения.

Настоящая работа проводилась в связи с созданием и промышленным освоением мелкоструктурных МКП с диаметром каналов 5-6 мкм для ЭОП новейших 2+-3 поколений, используемых в технике ночного видения.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие основные задачи:

1. Провести теоретический анализ электронно-оптических свойств МКП, ее пространственного разрешения, теоретически и экспериментально исследовать влияние на разрешение МКП конструктивных, технологических и режимных факторов.

2. Рассмотреть и исследовать основные конструктивно-технологические проблемы создания мелкоструктурных МКП и определить оптимальные пути их решения.

3. Реализовать оптимальные конструкторские и технологические решения при создании и промышленном изготовлении МКП.

4. Оптимизировать и адаптировать свойства и параметры МКП применительно к условиям их применения в составе ЭОП применения.

Методы исследований. В работе использованы методы математического моделирования на ЭВМ, множественной оптимизации параметров и факторов МКП, физико-математические модели параметров МКП, физический и промышленный эксперимент, натурное моделирование, физико-техническая диагностика и неразрушающий контроль.

Методологическая основа исследований - системный подход, когда МКП и технологический процесс их изготовления представляют в виде систем, а решение проблем исследования и создания мелкоструктурных МКП основывается на методологии системного анализа [22]. Положения, выносимые на защиту:

1. Все основные свойства и параметры мелкоструктурных МКП есть функции:

• оптимальности конструкции и геометрической структуры каналов,

• чистоты и оптимальности резистивно-эмиссионного слоя каналов,

• идентичности свойств РЭС множества каналов МКП,

• режимов и условий работы МКП в составе ЭОП применения.

2. Создание и промышленное изготовление механически прочных и формоустойчивых мелкоструктурных МКП возможно на базе известного технологического метода изготовления МКП и серийных отечественных рабочих стекол. При этом требуется направленная совместная структурная и параметрическая оптимизация ряда ключевых операций технологического процесса с обязательным учетом закономерного изменения состава и свойств рабочих стекол в техпроцессе.

3. Разработанная конструкция и оптимизированная технология в целом обеспечивает комплекс электрических и электронно-оптических параметров МКП, требуемых для работы в ЭОП новейших поколений, включая электрическое усиление, чистота поля зрения (ЧПЗ), отсутствие автоэлектронных явлений в сильных электрических полях, пространственное разрешение, малое газоотделение и долговечность.

4. Реализуемая в условиях ЭОП разрешающая способность МКП определяется физическими и конструктивными свойствами самой МКП, а также и режимами ее работы в составе ЭОП. Ключевой фактор разрешения МКП в составе ЭОП - энергетически-угловое распределение электронов на выходе каналов, которое определяется полем на выходе и основными влияющими факторами: напряжение и калибр МКП, режим работы МКП (линейный, насыщение), глубина и конфигурация контактного электрода на выходе каналов, структура и свойства РЭС каналов, напряженность поля в промежутке МКП-экран.

5. Для достижения рабочих разрешений более 50-60 пар лин./мм необходимо увеличение напряженности поля в промежутке МКП-экран до 10-12 кВ/мм. Это приводит к ужесточению требований к чистоте поверхности МКП с целью обеспечения электрической прочности в сильных электрических полях и исключения автоэлектронных явлений в промежутке.

6. Пространственные и временные шумы изображения существенно ограничивают разрешение системы. Пространственные шумы определяются степенью разброса усиления каналов МКП. Временные шумы определяются шумами входного изображения и фактором шума самой МКП. Преобладание влияния пространственных или временных шумов зависит от величины плотности входного электронного тока МКП. Рабочая разрешающая способность МКП в ЭОП при малых входных освещенностях (входной плотности тока МКП) существенно определяется шумовыми свойствами МКП. Для реализации высокого пространственного разрешения в рабочих условиях при низкой входной освещенности ЭОП мелкоструктурные МКП должны иметь минимальный фактор шума, что требует увеличения прозрачности входа и величины коэффициента вторичной электронной эмиссии стенок каналов при первом соударении электронов.

7. Физические шумы МКП резко уменьшаются, если МКП работает в режиме зарядового насыщения. Исследования показывают, что мелкоструктурные МКП принципиально могут быть введены в зарядовое насыщения в режимах и условиях работы в составе ЭОП.

8. Множество существенно влияющих физических, конструктивных, технологических и режимных факторов действуют на разрешение и другие параметры МКП корпоративно и (или) конкурентно. Это предопределяет принятие компромиссных решений, которые были найдены и реализованы в данной работе при разработке и промышленном освоении мелкоструктурных МКП.

Научная новизна:

1. Показано и подтверждено на практике, что предел разрешения геометрической структуры МКП отвечает выражению: Ne = 1000/h, причем для h = 6,5-9,5 мкм Na = 61-88 пар лин./мм.

2. Рассмотрена частотно-контрастная характеристика (ЧКХ) бипланарной электронно-оптической системы (БЭОС) промежутка МКП-экран и получено уточненное выражение коэффициента передачи контраста, учитывающее влияние параметров промежутка и начальных параметров влета электронов из каналов (энергия и угол влета) на разрешение системы.

3. Методом производящих функций рассмотрены модели шумовых процессов в МКП. Получено уточненное выражение для фактора шума МКП, учитывающее существенное влияние прозрачности входа и коэффициента вторичной электронной эмиссии при первом соударении электронов с поверхностью каналов.

4. Применительно к условиям работы МКП в составе ЭОП получено выражение для предела разрешения системы в условиях ограничения его временными шумами входного сигнала и МКП. Показано, что шумы входного электронного изображения и шумы МКП - определяющие факторы разрешения системы при достаточно низких плотностях входного

10 2 электронного потока (меньше 10" А/см ). Это требует увеличения чувствительности входного фотокатода ЭОП и минимизации фактора шума МКП.

5. Контраст изображения на экране, связанный с пространственными шумами МКП, должен быть меньше порогового контраста глаза, что требует минимизации вариации усиления каналов МКП путем снижения вариаций калибра каналов и оптимизации среднего калибра МКП в соответствии с рабочей областью напряжений на МКП. Средний калибр должен быть менее 50, что требует уменьшения толщины МКП до 250-300 мкм (при диаметре каналов 5-6 мкм). Последнее обостряет проблему механической прочности МКП.

6. Эксплуатация МКП в режиме токового насыщения приводит к изменению поля на выходе каналов, что влияет на угловое и энергетическое распределение электронов из канала и на разрешение системы. Наличие плохо проводящего кремнеземного слоя на поверхности каналов может ухудшить характеристики насыщения МКП, дополнительно исказить поле на выходе каналов.

7. Теоретически и экспериментально показана возможность и перспективность работы МКП в составе ЭОП в режиме зарядового насыщения.

8. Реализуемое в системе МКП-экран разрешение существенно зависит от глубины и конфигурации слоя контактного электрода на входе и выходе каналов МКП.

9. Величина напряженности однородного поля в промежутке МКП-экран должна оптимально соответствовать конструкции МКП, режиму и условиям ее работы.

10. Реализуемое разрешение при контроле его с помощью входной просвечивающей штриховой миры зависит от фазировки системы штрихов миры и муаровых эффектов, возникающих при наложении периодических структур (мира и система каналов МКП). Это приводит к анизотропии разрешения, в частности, его существенному увеличению в отдельных направлениях.

Практическая ценность работы. Результаты теоретических и экспериментальных работ использованы при проведении НИОКР и освоении промышленного производства отечественных мелкоструктурных МКП нового поколения в соответствии с федеральной президентской программой "Развитие электронной техники в России"

Реализация работы. Результаты работы внедрены в производство отечественных мелкоструктурных МКП типа МКПО 18-8, МКПО 18-6 и МКПО 18-5, которые впервые освоены в России во Владикавказским технологическим центром "Баспик", успешно применяются в современных ЭОП новых поколений, освоенных ФНГТЦ ОАО "НПО Геофизика-НВ" (г.Москва) и ОАО "Катод" (г.Новосибирск) и, в целом, соответствуют современному мировому техническому уровню.

Апробация работы. Основные положения и результаты работы были представлены и обсуждены на: научно-технических конференциях СКГТУ (1997-2000г.г.), первой российской конференции по МКП (Владикавказ, 1997г.), научно-технической конференции «Вакуумная электроника на Северном Кавказе (Нальчик, 2001г.), 12 научно-технической конференции

10

Пути развития телевизионных фотоэлектронных приборов и устройств на их основе» (Санкт-Петербург, 2001г.).

Публикации. По теме диссертации имеется 7 публикаций, в том числе 1 патент на изобретение.

Структура и объем диссертации. Работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы. Общий объем диссертации 153 страницы, в том числе 48 рисунков, 7 таблиц, список литературы из 150 наименований.

Заключение диссертации по теме «Вакуумная и плазменная электроника», Кесаев, Сергей Аврамович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В рамках проведенной диссертационной работы рассмотрены теоретические и практические вопросы создания и промышленного освоения мелкоструктурных МКП для техники ночного видения и ЭОП новейших 2+-3 поколений.

Показано и практически подтверждено, что МКП с диаметром каналов 6-7,5 мкм с необходимым уровнем параметров могут быть созданы на базе принятого технологического метода изготовления МКП, серийных отечественных рабочих стекол и найденных в ходе работы конструктивно-технологических решений. На основе проведенных исследований, разработки и освоения новой версии базовой технологии возможно и создание МКП с каналами 5 мкм для ЭОП 4 поколения. Более конкретно результаты и выводы исследований изложены ниже.

1. Рассмотрены конструктивно-технологические особенности современных МКП с монолитным обрамлением (МКПО). Показано, что все они имеют типовую конструкцию (МКВ и МО) и изготавливаются базовым технологическим методом удаления стеклянной жилы. Указаны основные факторы сложности МКП и ее технологии.

Показано, что переход к мелкоструктурным МКП приводит к необходимости уменьшения толщины пластины до 0,25-0,3 мм, что существенно обостряет проблемы механической прочности и формоустойчивости конструкции.

Подчеркивается, что в техпроцессе существенно меняются химический состав и свойства рабочих стекол, а рабочий резистивно-эмиссионный слой каналов формируется на протяжении всего техпроцесса.

Указывается, что мелкоструктурные МКП должны работать в условиях сильных электрических полей до 10-15 кВ/мм, что обостряет проблему чистоты торцевых поверхностей и входа-выхода каналов.

2. Проведен анализ условий и режимов применения МКП в составе

ЭОП 2+-3 поколения, исходя из которого рассмотрены и обоснованы требования к электрическим и электронно-оптическим параметрам МКП. Сопротивление МКП должно быть в пределах (0,5-2,5)-108 Ом, усиление в пределах 100-400 при напряжении на пластине 700-800 В. Это требует оптимизации физического калибра пластины на уровне 30-40. Однако для мелкоструктурных МКП это приводит к недопустимому уменьшению толщины пластины, что неприемлемо по конструктивным соображениям. В связи с этим ставится задача повышения структурной однородности системы каналов, снижения структурного шума, минимизации структурных дефектов, повышения чистоты рабочих поверхностей МКП. Это требуется и для обеспечения требуемой чистоты поля зрения электронного изображения МКП.

Для реализации разрешающей способности геометрической структуры каналов МКП требуется комплексная оптимизация системы МКП-экран: уменьшение ширины промежутка до 0,6-0,8 мм, повышения напряжения на промежутке до 6-7 кВ, повышения чистоты поверхности МКП и экрана для исключения автоэлектронных и пробойных явлений, оптимизация рабочего напряжения МКП, глубины запыления каналов на выходе слоем контактного электрода.

Величина структурного шума должна быть не более 1%. С уменьшением входной освещенности ЭОП существенно возрастает роль временных шумов входного сигнала и МКП. В связи с этим актуализируется задача всемерного снижения фактора шума МКП, что требует, прежде всего, исключения побочных шумов (автоэлектроника и ионная обратная связь в каналах), повышения чистоты поверхности каналов.

Рассмотрены эксплуатационные требования к МКП, которые должны обладать минимальным газосодержанием и газовыделением, необходимой токоустойчивостью для обеспечения долговечности микроканального ЭОП свыше 10000ч.

2. Проведен теоретический анализ электронно-оптических и шумовых свойства МКП. Рассмотрены особенности и характеристики электронного изображения МКП: дискретность, мозаичность, потери информации, связанные с ограниченной прозрачностью входа МКП и элементами изображения, которые меньше диаметра каналов, ухудшение четкости и контраста выходного изображения в связи с ЧКХ бипланарной электронно-оптической системы (БЭОС) МКП-экран, шумами выходного изображения при низком уровне входного электронного изображения и с учетом шумов МКП.

Рассмотрены вопросы визуальной регистрации контрастов выходного изображения и ограничения, связанные с человеческим зрением, пространственное разрешение системы и ограничивающее влияние структурного шума каналов МКП.

3. Проведен анализ уточненной шаговой модели усиления МКП и выводов из нее. Определены основные параметры усиления каналов и характер их влияния. Рассмотрена теория точности усиления по рабочему полю МКП и функция влияния параметров усиления. Определены и теоретически обоснованы требования к разбросу параметров усиления каналов.

Теоретически и экспериментально исследовано влияние калибрового фактора на усиление. Определено соотношение между оптимальным калибром и напряжением на МКП, соответствующее минимизации калибрового фактора. Исходя из этого, заданы обоснованные требования к толщине мелкоструктурных пластин.

4. Теоретически рассмотрены шумовые характеристики МКП. Определены основные факторы, влияющие на временные шумы МКП. Методом производящих функций получено выражение для фактора шума МКП, который, прежде всего, зависит от прозрачности входа и коэффициента вторичной электронной эмиссии при первом соударении.

Рассмотрено влияние временных шумов на пространственное разрешение МКП. Получено выражение, связывающее пространственной разрешающей способности с плотность входного тока, фактором шума МКП и коэффициентом передачи контраста системы МКП-экран. Показано, что

10 2 при плотности входного тока 1-10" А/см предел разрешения системы может быть порядка 75.

Экспериментально изучена зависимость разрешения системы МКП-экран от плотности входного тока МКП, из которого, в соответствии с теорией, следует, что разрешение существенно ограничивается временными шумами входного изображения при плотности входного тока (2-3)10"11 А/см2 и ниже.

Теоретически и экспериментально рассмотрена работа МКП в режиме зарядового насыщения, когда интенсивность временных флуктуации коэффициента усиления каналов резко снижается. Получены расчетные характеристики напряжения насыщения от диаметра каналов и калибра МКП, из которых следует, что мелкоструктурные МКП могут быть поставлены в режим зарядового насыщения в составе ЭОП. При этом напряжение насыщения составляет около 900 В при усилении около 104.

Показана перспективность эксплуатации мелкоструктурных МКП в режиме зарядового насыщения в условиях ЭОП, что приведет к снижению фактора шума, увеличения разрешения системы, в конечном итоге, увеличения дальности действия ПНВ на ЭОП.

5. Проведено теоретическое и экспериментальное исследование пространственного раз решения МКП.

На компьютерной модели рассмотрена разрешающая способость геометрической структуры каналов МКП и влияния на нее фазировки входного штрихового тест-обьекта (миры). Показано, что предел разрешения геометрической структуры каналов должен быть не менее величины Nn = 1000 / л/з h (пар лин./мм), что при шаге структуры каналов h = 11,5 мкм и 8 мкм дает соответственно 50 пар лин./мм и 72 пар лин./мм. На практике такой предел разрешения реализуется, если БЭОС МКП-экран и последующие элементы передающего тракта (экран, окуляр, глаз) имеют достаточный коэффициент передачи контраста на этой частоте. Этот вывод подтверждается результатами исследования разрешения МКПО 18-10, 18-8, 18-6 и 18-5, для которых в оптимальных условиях были получены соответственно значения разрешения 48-50 пар лин./мм, 56-60 пар лин./мм, 65-70 пар лин./мм и 80 пар лин./мм.

Проведен анализ муаровых искажений выходного изображения штриховой миры. Показано, что наличие муара при контроле разрешения не является основанием забракования, а, напротив, свидетельствует, что электронные изображения каналов на экране не перекрываются.

Теоретически исследована разрешающая способность бипланарной электронно-оптической системы. Для принятой модели (максвелловское распределение электронов по начальным энергиям и усеченное косинусоидальное по углам вылета из каналов) проведены расчеты ЧКХ БЭОС.

Получено уточненное выражение ЧКХ БЭОС, из которого следует, что наиболее существенный фактор, определяющий величину коэффициента передачи контраста - это угловое распределение вылетающих из каналов электронов. В связи с этим проведен теоретический анализ факторов, которые совместно влияют на угловое распределение выходящих электронов: характер неоднородного поля на выходе каналов, напряженность однородных полей в промежутке МКП-экран и в канале, величина заглубления контактного электрода на выходе каналов, режим работы каналов (линейный, токового насыщения), калибр МКП, эффективность вторичной эмиссии с контактного электрода. Совместная оптимизация этих факторов может обеспечить достаточный коэффициента передачи контраста БЭОС для достижения предела разрешения в ЭОП на уровне 70 пар лин./мм .

6. При разработке конструкции и технологии мелкоструктурных МКП были исследованы проблемы обеспечения механической прочности пластин, необходимого уровня электрических и электронно-опических параметров, минимизации структурного шума и повышения структурной однородности МКП.

Из проведенных исследований разброса диаметров каналов в пределах микроканальной соты (МКС) следует, что увеличение разброса происходит в основном на стадии вытяжки МЖС. В результате внедрения ряда технологических мероприятий разброс диаметров каналов по рабочему полю МКП был снижен до уровня (1-1,4)%, что вполне достаточно исключения влияния разброса диаметров каналов на предел разрешения МКП.

При решении задачи механической прочности и формоустойчивости (минимизация треска и прогиба пластин) мелкоструктурных МКП учитывалось закономерное изменение химического состава, вязкости и TKJIP рабочих стекол в техпроцессе МКП.

Основной фактор треска МКП на вытравливании жилы возникновение растягивающих напряжений в МО вследствие резкого уменьшения TKJIP МКВ. Изменение TKJIP связано с уменьшением доли щелочной составляющей материала стенки каналов при вытяжке МЖС и, особенно, при спекании микроканальных блоков Регулировкой процесса спекания микроканальных блоков этот фактор был в достаточной степени оптимизирован.

На термоводородном восстановлении TKJIP МКВ резко возрастает и становится больше TKJIP МО, следствием чего может быть прогиб пластин. В связи с этим режим спекания был отрегулирован и с точки зрения снижения вероятности прогиба пластин после восстановления. Кроме того, на восстановлении была отработана операция.термостабилизации структуры пластин. Все это позволило добиться оптимального результата: ограничение треска МКП на травлении жилы и минимизация прогиба пластин после восстановления.

Важно также, что операция термостабилизации в инертном газе выполняет одновременно функции глубокого обезгаживания МКП. Исследования показывают, что изготовленные по данной технологии МКП обладают повышенной (до 450°С) термостойкостью параметров и пониженным газовыделением. Это улучшает стабильность параметров МКП при работе в составе ЭОП, повышает долговечность ЭОП до 10000 часов.

Принятые технологические решения обеспечили также высокую чистоту поля зрения электронного изображения МКП (ни одной точки диаметром более 50 мкм по полю зрения, отсутствие разнояркости и сотовой структуры МКС в рабочих режимах), а также высокую стабильность (в пределах 1-3%) сопротивления и рабочего напряжения на хранении (сроком до 1 года).

7. С целью определения оптимальных условий работы МКПО 18-6 в составе ЭОП были проведены исследования реализуемой разрешающей способности МКП в системе МКП-экран. В частности, исследовано влияние таких факторов, как: напряжение на МКП и на промежутке МКП-экран, расстояние МКП-экран, увеличение окуляра, глубина и конфигурация контактного электрода на входе и выходе каналов. Показано, что для оптимальной регистрации больших разрешений необходимо повысить увеличение окуляра. С увеличение напряжения на МКП разрешение уменьшается в связи с увеличением энергии вылетающих из каналов электронов. Для радикального увеличения разрешения требуется уменьшить расстояние МКП-экран до 0,6 мм при напряжении 5000 В. Если при этом напряжение на МКП не превышает 700 В, то предел разрешения находится на уровне 60-63 пар лин./мм. Увеличение напряжения МКП-экран до 60007000В позволяет практически реализовать разрешающую способность геометрической структуры МКП.

8. Впервые разработанные мелкоструктурные МКПО 18-8 и 18-6

137 внедрены в производство и серийно поставляются в течение ряда лет отечественным изготовителям ЭОП 2+-3 поколений. Результаты применения этих МКП в составе ЭОП положительные. Образцы МКПО 18-8 были также испытаны в составе ЭОП 2+ поколения фирмой DEP (Нидерланды) с положительным результатом. Было отмечено, что эти пластины в целом соответствуют современному мировому уровню качества: в ЭОП с этими МКП был получен предел разрешения на уровне 56-64 пар лин./мм, ЧПЗ электронного изображения МКП отличная, хорошая стабильность коэффициента усиления при электронном обезгаживании, малая стрела прогиба пластин и пр.

Впервые решена задача создания и промышленного освоения отечественных мелкоструктурных МКП с каналами 6-7,5 мкм для ЭОП 2+-3 поколений, используемых в технике ночного видения. При этом резервы технологии в повышении технического уровня и качества МКП далеко не исчерпаны.

В настоящее время на основе исследований данной диссертационной работ, как и других работ в ВТЦ «Баспик» отрабатывается новая версия базовой технологии для создания и освоения МКП с каналами 5 мкм.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Кесаев, Сергей Аврамович, 2002 год

1. Берковский А.Г., Гаванин В. А., Зайдель И.Н. Вакуумные фотоэлектронные приборы. - М.: Радио и связь. 1988.

2. Шаген П. ЭОП с канальным электронным умножением // Достижения в технике передачи и воспроизведения изображений. М.: Мир. 1978. -Т.1.-С. 13-87.

3. Айбунд М.Р., Поленов Б.В. Вторично-электронные умножители открытого типа и их применение. М.: Энергоиздат. 1981.

4. Берковский А.Г. Электронные умножители // Итоги науки и техники. Серия "Электроника и ее применение". 1973. Т.5. - С.43-83.

5. Дмитриев В.Д., Лукьянов С.М. и др. Микроканальные пластины в экспериментальной физике (обзор) // Приборы и техника эксперимента. 1982. -№2. -С.7-18.

6. Брагин Б.Н., Меламид А.Е. Канальные электронные умножители и микроканальные пластины // Итоги науки и техники. Серия "Электроника и ее применение". 1977. Т.5. -С.102-133.

7. Брагин Б.И., Меламид А.Е. Микроканальные электронно-оптические преобразователи. // Итоги науки и техники., Сер. "Электроника и ее применение", Т.11, ВИНИТК, -М., 1979, -С.35

8. Соул Д. Электронно-оптическое фотографирование, пер. с англ. под ред. Базарова В.К. и Усольцева И.Ф., Военное изд. МО СССР.- М., 1972.

9. Роуз А. Зрение человека и электронное зрение, пер. с англ. под ред. А.А. Гиппиуса, Мир.-М., 1977.

10. Кулов С.К., Романов Г.П., Петровский Г.Т., Попов М.Н. Микроканальные пластины // Электронная промышленность. 1989. №3. -С. 13-17.

11. Manley В., Guest A., Holmshan R. Channel multiplier plate for imaging applications // Adv.Electr. and Electr. Phys. London. 1969. - V.28A. - P.471-486.

12. Lampton M. The microchannal image intensifiers // Sci. Amer. 1981. V.245, №5. - P.46-47.

13. Саттаров Д.К. Основы физики МКП, их параметры и применение // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М., 1983. -С.9-13.

14. Bulkwill J.T. Manufacturing techniques for microchannel plates and their application in night vision image intensifiers. Pros. 24th Semp. Art glassflowing. Southfield, Mich, 1979, Toledo, Onio, 1979, P.68-78.

15. Петровский Г.Т., Кулов С.К., Ягмуров В.Х., Канчиев З.И. О направлениях совершенствования конструкции и технологии МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., 1990. - С. 220224.

16. Петровский Г.Т., Саттаров Д.К., Канчиев З.И., Кутасов В.А. Основные принципы технологии МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., 1985. -41. - С.53-55.

17. Кулов С.К. Проблемы и пути совершенствования МКП // Электронные приборы и системы в промышленности: Тез. докл. Республ. науч. конф. -Владикавказ, 1994. -С.133-135.

18. Канчиев З.И., Кулов С.К., Кутасов В.А. и др. Новые направления технологии МКП // Оптический журнал. 1993. № 1. - С.64-69.

19. Кулов С.К. Микроканальные пластины.-Владикавказ, 2000.

20. Кулов С.К. Системные основы технологии МКП.-Владикавказ, 1999.

21. Вейнберг В.Б., Саттаров Д.К. Оптика световодов. JL: Машиностроение, 1977.

22. Кулов С.К. Технология микроканальных пластин. -4.2. Рабочие стекла МКПО.-Владикавказ, 2000.

23. Гречаник JI.A., Зайдель И.И., Иванова JI.H. и др. Восстанавливающиеся стекла и микроканальные пластины для рентгеновского усилителя яркости изображения // Оптико-механическая промышленность, 1973, -№ 1, С.41-44.

24. Гречаник JI.A., Терпогосова И.З., Кутепова Р.Х. Стекла для микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М, 1983, -С. 13-16.

25. Полухин В.Н., Лобанова Н.В., Тютиков A.M., Русан В.Г. Новые стекла для изготовления микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. Научно-технич. конф. М., 1983, - С. 1619.

26. Тютиков A.M., Тоисева М.Н., Полухин В.Н. и др. Исследование стекол для МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф., М., 1983, 41, С. 19-22.

27. Гречаник Л.А., Терпогосова И.З., Кутепова Р.Х. и др. Растворимые стекла новый материал для изготовления деталей приборов электронной техники. // Электронная техника, Сер. Материалы, Вып.6(205), 1985, С.32-35.

28. Гречаник Л.А., Терпогосова И.З., Козлевский С.Ф. и др. Изменение состава и свойств стекол в процессе изготовления микроканальных пластин // Электронная техника, Сер. Материалы, 1984, №12, С.45-49.

29. Татаринцев Б.В., Полухин В.Н. Дилатометрическое исследование процессов, происходящих при изготовлении МКП // Микроканальныепластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 1985, - 42, -С.34-36.

30. Гречаник J1.A. Разработка нового комплекта стекол для МКП в монолитном обрамлении // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., - 41. 1985. -С.43-44.

31. Полухин В.Н. К вопросу выбора стекла монолитного обрамления МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., 41. 1985. С. 63-65.

32. Алаев В .Я., Погодаев А.К. и др. Исследование пограничных явлений при спекании стекол, используемых для изготовления волоконных структур // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., 41. 1985. С.69.

33. Татаринцев Б.В., Шепурев С.Э. Разработка составов стекол для двуслойного монолитного обрамления микроканальных пластин // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., 1990. С.234.

34. Татаринцев Б.В., Алаев В.Я. Диффузия щелочных ионов и кислорода на границе спеченных щелочнобариевоборатного и щелочносвинцовосиликатного стекол // Физика и химия стекла. 1990. Т. 16, №2, С.228-233.

35. Петровский Г.Т., Канчиев З.И., Саттаров Д.К. и др. Исследование неоднородности и совместимости пар стекол для коммутационных волоконных световодов и волоконно-оптических элементов // Журнал прикладной химии., 1980, Т.31, №5, С.1210-1216.

36. Татаринцев Б.В. Диффузия на границе между сердцевиной и оболочкой при вытягивании стекловолокна // Физика и химия стекла., 1984, Т. 10, №4, С73-82.

37. Татаринцев Б.В., Полозок Н.В., Баранова И.О. Диффузия щелочных оксидов на границе между спеченными боратными и свинцовосиликатными стеклами // Физика и химия стекла, 1988, Т. 14, №5, С.691-698.

38. Степанов С.А., Подольская Т.М., Сорокина Т.Н. Исследование возможности снижения рабочего напряжения на МКП путем модификации состава стекла матрицы // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф., М., 1990, С.232.

39. Плетнева Н.И., Саттаров Д.К., Семенов Е.П. Микроканальные усилители яркости изображения // Оптико-механическая промышленность. 1976. -№ 1. -С.63-71.

40. Pollehn Н.К. Image Intensifieres // Арр. Optics A. Optical engineering. 1980. V.6.- P.342-393.

41. Fouassir M., Piaget C., Roaux E. Experimental and theoretical evacuations of 2nd and 3rd generation intensifiers viewing ranges // Photoelectric Imaging. -London. 1985. P. 9-12.

42. Тютиков A.M., Кравчук Г.С. Микроканальные усилители яркости и методы их исследования // Приборы и техника эксперимента. 19 . - №9. -С. 193-196.

43. Семенов Е.П. Электронно-оптические преобразователи и усилители яркости изображения // Оптико-механическая промышленность. 1987. -№ Ю. -С.48.

44. Кесаев С.А., Кулов С.К., Макаров Е.Н., Платов Э.А., Сланова И.Р. Технологические проблемы создания МКП с высоким пространственным разрешением // Труды СКГТУ, вып.7, ч.2. -Владикавказ, 2000. -С. 105-111.

45. Алкацева Т.Д., Кулов С.К. Влияние сопротивления каналов на сотовую структуру электронного изображения МКП // Электронные приборы и системы в промышленности: Тез. докл. Республ. науч. конф. -Владикавказ, 1994. С. 144-145.

46. Алкацева Т.Д., Кулов С.К., Попова В.А., Козырев Е.Н. и др. Обработка каналов МКП под действием электронной бомбардлировки // НТК, посвященная 50-летию НИС СКГМИ (тезисы докладов). -Орджоникидзе, 1988.-С.23.

47. Алкацева Т.Д., Кулов С.К. Требования к однородности каналов МКП с точки зрения исключения структурных шумов изображения // НТК, посвященная 60-летию НИС СКГТУ (сб.статей). -Владикавказ, 1999.-С.41-43.

48. Макаров Е.Н., Алкацева Т.Д., Кесаев С.А., Кулов С.К. Влияние калибра каналов на характеристики МКП // Труды СКГТУ, вып.7, ч.2.~ Владикавказ, 2000.-С.90-96.

49. Кесаев С.А., Кулов С.К., Макаров Е.Н., Платов Э.А., Сланова И.Р. Минимизация дефектов геометрической структуры МКП // Труды СКГТУ, вып.7, ч.2.-Владикавказ, 2000.-С.100-104.

50. Кулов С.К. Шумы микроканальных ЭОП. -Владикавказ, 2000.

51. Алкацева Т.Д., Гаврилов А.Ю., Кулов С.К., и др. Физика и поведение "сотовой структуры" электронного изображения МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., 1993. - С. 102-103.

52. Алкацева Т.Д., Кулов С.К., Сланова И.Р. и др. Сотовая структура электронного избражения МКП (аналитический отчет), Владикавказ, 1998.

53. Алкацева Т.Д., Кулов С.К., Кесаев С.А., Макаров Е.Н., Пергаменцев Ю.Л. Проблема сотовой структуры электронного изображения МКП // Микроканальные пластины (материалы научно-технических конференций), вып.1. -Владикавказ, 2002. -С. 110-115.

54. Кулов С.К., Кесаев С.А., Пергаменцев Ю.Л. Частотно-контрастная характеристика бипланарной электронно-оптической системы МКП-экран // Вакуумная электроника на Северном Кавказе, региональная конференция, тезисы докладов. -Нальчик, 2001. -С.26-27.

55. Кулов С.К., Кесаев С.А., Пергаменцев Ю.Л. Исследование разрешающей способности мелкоструктурных МКП //Вакуумная электроника на Северном Кавказе, региональная конференция, тезисы докладов. -Нальчик, 2001. -С.30-31.

56. Кулов С.К., Кесаев С.А., Пергаменцев Ю.Л. Влияние напряжения питания и входного тока на разрешающую способность мелкоструктурных МКП // Вакуумная электроника на Северном Кавказе, региональная конференция, тезисы докладов. -Нальчик, 2001. -С.31-32.

57. Кулов С.К., Кесаев С.А., Пергаменцев Ю.Л. Исследование разрешающей способности МКП с диаметром каналов 6 мкм // Микроканальные пластины (материалы научно-технических конференций), вып.1. -Владикавказ, 2002. -С.190-195.

58. Кулов С.К., Кесаев С.А., Пергаменцев Ю.Л. Влияние напряжения питания и входного тока на разрешающую способность мелкоструктурных МКП // Микроканальные пластины (материалы научно-технических конференций), вып. 1 .-Владикавказ, 2002. -С. 196200.

59. Кулов С.К., Кесаев С.А., Пергаменцев Ю.Л. Влияние пространственных и временных шумов на предел разрешения МКП // Микроканальные пластины (материалы научно-технических конференций), вып.1,-Владикавказ, 2002.-С.144-147.

60. Кулов С.К., Кесаев С.А., Пергаменцев Ю.Л. Разрешающая способность бипланарной электронно-оптической системы МКП // Микроканальные пластины (материалы научно-технических конференций), вып.1. -Владикавказ, 2002, -С. 153-165.

61. Кулов С.К., Кесаев С.А., Пергаменцев Ю.Л. Пространственное разрешение геометрической структуры МКП // Микроканальные пластины (материалы научно-технических конференций), вып.1,-Владикавказ, 2002.-С. 137-143.

62. Кулов С.К. Разрешение МКП. -Владикавказ, 2000.

63. Алкацева Т.Д., Кулов С.К., Попова В.А. Эффективность тренировки поверхности каналов МКП с помощью электронной бомбардировки // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч.конф.- М., 1990. -С.278.

64. Леонов Н.Б., Тютиков A.M. Снижение фактора шума микроканальных пластин // Оптико-механическая промышленность. 1983. № 2. - С. 1013.

65. Леонов Н.Б., Тютиков A.M., Единова И.А. Собственные шумы микроканальных пластин // Оптико-механическая промышленность. 1989.-№3.-С.9-11.

66. Леонов Н.Б., Тютиков A.M., Тоисева М.Н., Черезова Л.А. Исследование шумов микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 1983. - С.73-76.

67. Евдокимов В.Н., Тютиков A.M., Флегонтов Ю.А., Шиманская А. Влияние разброса координат падения электронов входного потока на усиление и фактор шума микроканального умножителя // Радиотехника и электроника. 1989. № 3. - С.601-605.

68. Трофимова JI.C., Саттаров Д.К., Конаева Г.Я. Электронно-оптические параметры МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 1983. - С.69-72.

69. Кравчук Г.С., Тютиков A.M., Леонов Н.Б. О возможных причинах формирования "сетки" на электронном изображении систем с МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., - 42. 1985. - С.25-26.

70. Трофимов Л.С., Дунаева Т.Н., Чебан Г.А. Сетка на электронном изображении МКП и ее связь с режимами работы пластины // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., - 42. 1985. -С.43-44.

71. Кулов С.К. Исследование факторов, определяющих разброс усиления каналов по полю МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., - 42. 1985. -С.68-70.

72. Журавлева Н.В. Анализ причин появления сетки и ее элементов в процессе производства МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 1983. - С.59-60.

73. Кулов С.К., Макаров Е.Н., Еремина А.Ф. и др. Физические причины и технологические факторы сотовой структуры и светлых пятен на электронном изображении МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз.,. науч. конф. М., 1990. - С.263-264.

74. Кулов С.К., Пашков В.М. , Попов М.Н. и др. Классификация и анализ причин дефектов электронного изображения МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 4.2, 1985, С.15-16.

75. Якобсон A.M. Оценка коэффициента умножения вторично-электронного умножителя с непрерывным динодом //Радиотехника и электроника. 1986. T.I 1., №10. - С. 1813-1825.

76. Кравчук Г.С., Петрова И.Р., Тютиков A.M. и др. Оптимизация параметров электронно-оптических систем с каналовым усилением яркости // Оптико-механическая промышленность. 1988. № 7. - С. 1920.

77. Guest A.J. A computer model of channal multiplier plate performance // Acta Electronics. 1971 .-V. 14,N? 1 .-P.79-98.

78. Adams J., Manley B.W. The mechanism of channel electron multiplication // IEEE Trans. Nucl. Science. 1966,- №5. P.88-99.

79. Eschard G., Manley B.W. Principle and characteristics of channel electron multipliers // Acta Electronics. 1971. V.I 4, №1.-P. 19-39.

80. Loty C. Saturation effects in channel electron multiplier // Acta Electronics. 1971.-V.I 4, -P. 107-119.

81. Soul P.B. Opnational properties of channel plate electron multipliers // Nuclear Instruments and Methods. 1971. V.97, № 3. - P.555-556.

82. Гаврилов А.Ю., Кулов C.K., Козырев E.H. Исследование влияния технологических и внешних факторов на вторично-электронную эффективность каналов МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., 1993.-С. 100-101.

83. Гаврилов А.Ю., Кулов С.К. Физическая модель вторичной электронной эмиссии резистивно-эмиссионного слоя каналов МКП // К 100-летию со дня рождения профессора Агеенкова В.Г.: Тез. докл. отчетной науч,-технич. конф СКГМИ. -Владикавказ, 1993.- С. 112.

84. Гаврилов А.Ю, Кулов С.К. Состояние поверхности и вторичная электронная эмиссия восстанавливающихся свинцово-силикатных стекол // Электронные приборы и системы в промышленности: Тез. докл. Республ. науч. конф. Владикавказ, 1994. - С. 131-133.

85. Гаврилов А.Ю., Кулов С.К., Козырев Е.Н. Вторичная электронная эмиссия стекол. МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., 1990. - С. 235-236.

86. Чуйко Г.А., Файнберг Е.А., Сиприков И.В., Гречаник JI.A. Вторичная электронная эмиссия восстановленных в водороде высокосвинцовых стекол с повышенной поверхностной проводимостью. // Известия АНСССР, серия физическая, 1964, Т.28, №9, С. 1516-1521.

87. Улько Ю.Н., Файнберг Е.А. Исследование стабильности вторично-эмиссионных характеристик восстановленных в водороде свинцовосодержащих стекол при их прогреве на воздухе и в вакууме // Электронная техника, серия X, 1966, вып. 4, С.51-57.

88. Улько Ю.Н., Файнберг Е.А. О влиянии термообработки свинцовосиликатных стекол в водороде на коэффициент вторичной электронной эмиссии // Неорганические материалы, 1998, Т.7, №2, С.345-347.

89. Улько Ю.Н., Файнберг Е.А. Исследование вторичной электронной эмиссии некоторых стекол // в кн. "Стеклообразное состояние", Ереван, 1970, С.186-189.

90. Улько Ю.Н. Влияние состава на вторичную электронную эмиссию стекол // Электронная техника, сер. Материалы, 1975, вып.1, С.87-94.

91. Authinarayanak A., Dudding R.W. Changes in secondary electron yield from reduced lead glass // Adv. Electr. And Electron Phys., 1976, V.40A, P.167-181.

92. Браздниченко X.H., Пронин В.И., Тютиков A.M. и др. Вторично-эмиссионная эффективность свинцовосиликатных стекол // Тез. докл. по ЭОС и эффективным фотоэмиттерам IV Всесоюз. симп. По ВЭЭ и ФЭЭ, Л., 1981, С.32-33.

93. Hill G.E. Secondary electron emission and compositional studies on channel plate glass surfaces. Adv.Electr. Electr. Phys., 1976, v. 40A, p. 153-165.

94. Blasek G., Shmidt H. Secondary Electron Emission of Reduced Lead Glass. -Experimentelle Technik der Physik, 1979, №1, p.65-69.

95. Тютиков A.M., Королев H.B., Тоисева M.H. и др. Исследование состава поверхностного слоя и коэффициента вторичной электронной эмиссии свинцово-силикатных стекол // Оптико-механическая промышленность. 1980, №4, С. 11-13.

96. Леонов Н.Б., Тютиков A.M. и др. Влияние структуры свинцово-силикатных стекол на коэффициент вторичной электронной эмиссии // Физика и химия стекла, 1984, Т. 10, № 5, С.686-690.

97. Леонов Н.Б., Волков А.С., Подольская Т.М. и др. Исследование связи вторично-эмиссионных параметров стекол со свойствами МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М.,Ч1, 1985, С.24.

98. Ю5.Симеонова Ю.М., Куртев И.С. О вторичной электронной эмиссии восстановленного свинцово-силикатного стекла // Доклады Болгарской академии наук, 1988, Т.41, №11, С.57-58.

99. Гусаров А.И., Машков В.А., Тютиков A.M. Об аддитивности вторичной электронной эмиссии свинцово-силикатных стекол // Физика и химия стекла, 1987, Т. 13, №1, С.34-38.

100. Леонов Н.Б., Волков А.С., Мурашов С.В. и др. Влияние структуры свинцовосиликатных етекоп на их коэффициент вторичной электронной эмиссии // Физика и химия стекала, 1988, Т. 14, №5, С.686-690.

101. Артамонов A.M., Елисеев С.А., Мулар О.Е. и др. Строение поверхности и механизм вторичной эмиссии восстановленных свинцово-силикатных стекол // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., -1990.-С.237.

102. Гусаров А.И., Машков В.А., Мурашов С.В. и др. Современные представления о механизме вторичной эмиссии кварца и стекол МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., 1990. - С.231.

103. ПО.Шахмин А.Д., Подольская Т.М., Сорокина Т.Н. и др. Вторичная электронная эмиссия и электронная структура свинцовосиликатных стекол // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф, М., 1993, С.112.

104. Кулов С.К., Кесаев С.А. Расчет фактора шума МКП методом производящих функций // Микроканальные пластины (материалы научно-технических конференций), вып.1. -Владикавказ. 2002.-С.201-206.

105. Яноши JI. Теория и практика обработки результатов измерений, пер. с англ.,, -М.: Мир, 1968.

106. Fraser G.W. The Gain Characteristics of MCP for X-Ray photon counting // IEEE Tr. on Nucl. Science. 1983. V.NS-30. №1. C. 455-460.

107. Родионов И. Д., Тремсин А.С., Рембеза А.И., Райкунов Г. А. Математическая модель КЧД на МКП- ВЦММ РАН, М., 1992.

108. Кулов С.К., Кесаев С.А. О работе МКП в режиме зарядового насыщения // Микроканальные пластины (материалы научно-технических конференций), вып.1.-Владикавказ, 2002. -С. 175-181.

109. Кулов С.К., Вторичная электронная эмиссия восстановленных свинцовосиликатных стекол. -Владикавказ, 2000.

110. Саттаров Д.К., Печорская К.П., Канаева Г.Я. и др. Методы контроля стеклянных матриц МКП // Волоконная оптика, вып.З, т.2, -М.: ВИМИ, 1975,61-74.

111. Лисица, М.П., Бережинский Л.И., Валах М.Я. Волоконная оптика.-Киев: Наукова Думка, 1968.

112. Зиновьев А.Л., Филипов Л.И. Введение в теорию сигналов и цепей. -М.: ВШ, 1968.

113. Барб Д., Кэман С. Редукция пространственной частоты и ЧКХ многоэлементных фотоприемников, в кн. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения, пер. с англ., М.: Мир, 1979.

114. Валюс Н.А. Растровая оптика.-М.: ГИТТЛ, 1949.

115. Басяева Л.И., Плетнева Н.И., Семенов Е.П. ЧКХ ЭОС с микроканальным каскадом усиления // ОМП. 1972.-№1, 8-11.

116. Сень Ю.В., Леонов Н.Б., Кравчук Г.С., Тютиков A.M., Флегонтов Ю.А. Методика измерения ЧКХ ЭОС // ОМП, 1983,-№11, 4-6.

117. Гусельников B.C. Разрешающая способность ЭОС, образованной плоскопараллельным электростатическим полем// Труды конф. по электронной техн., 111 Всесоюзная НТК по ЭЛП и ФЭУ, 1969, т.4, 137142.

118. Семенов Е.П. Зависимость разрешающей способности иммерсионных электростатических линз от величины напряженности электрического поля у фотокатода // РиЭ, 1968, №2, 334-339.

119. Косида, Хособути. Энергетические спектры электронов, вылетающих из микроканальной пластины // Приборы для научных исследований (пер. с англ.) 1985. №7. - С.23-26.

120. Косида. Влияние конструкции выходного электрода на энергетический спектр электронов, вылетающих из МКП // Приборы для научных исследований (пер. с англ.). 1986. № 3, -С.30-34.

121. Тютиков A.M., Цой Л.Б. Распределение электронов, выходящих из микроканальных пластин, по энергиям и направлениям// Оптико-механическая промышленность. 1976.- № 2. С.20.

122. Бронштейн И.М., Евдокимов А.В., Стожаров В.М., Тютиков A.M. Дифференциальные вторично-эмиссионные характеристики микроканальных пластин // Радиотехника и электроника. 1979. Т.24, №4. - С.871-874.

123. Евдокимов В.Н., Кудря А.А., Тютиков A.M. и др. О распределении плотности тока в изображении канала мультидина // Радиотехника и электроника. 1984,- Т.2, №2.- С.390.

124. Петровский Г.Т., Саттаров Д.К., Державин С.В. Изменение параметров МКП при термоводородном восстановлении // Микроканальныепластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 1983, С. 103105.

125. Канчиев З.И., Татаринцев, Б.В. Дилатометрические исследования процессов восстановления и термостабилизации МКП // Волоконная оптика: Сб. тезисов научн. конфер., 1993, С. 122-123.

126. Кулов С.К., Кесаев С.А., Макаров Е.Н., Попугаев Б.Г.,. Пути снижения газовыделения и повышения термовакуумной устойчивости МКП // Вакуумная электроника на Северном Кавказе, региональная конференция, тезисы докладов. -Нальчик, 2001. -С.27-28.

127. Кулов С.К. Газосодержание и газовыделение МКП. -Владикавказ: СКГТУ, 2000.

128. Технические условия АБ 37-88 на МКП 10-34.

129. Техническое задание на ОКР "Горизонт", 28.06.1991.

130. Техническое задание на ОКР "Уровень", 26.01.1993.

131. Техническое задание на ОКР "Микро", 26.10.1995.

132. Техническое задание на ОКР "Мираж-1", 12.2.1996.

133. Техническое задание на ОКР "Маска-2Б", 15.2.1999.

134. Техническое задание на ОКР "Лава-1", 27.4.2000.

135. Microhannel Plate Specification for 25 mm Image Intenifer, Doc.№ 47A0005, 51298, 600C00849 (Ni-Tec), 600C00340 (Varian), 600C00763 (Galileo), 9.2.1985.

136. Техническая спецификация на МКПО H33SE диаметром 32,7 мм, диаметром каналов 12 мкм, углом наклона каналов 11°, Philips, Doc: H33SE.590, 15.06. 1990.

137. Техническая спецификация на МКПО L25 диаметром 24,8 мм, диаметром каналов 10 мкм, Philips, Doc: L25.590, 23.02.1990.

138. Техническая спецификация на МКПО-18, DEP, 120-0152АО, 1995.

139. Техническая спецификация на МКПО-18 диаметром каналов 10 мкм, Galileo, 28719, 4900033, Rev. G 1/8/93.153

140. Техническая спецификация на МКПО-18, диаметром каналов 10 мкм, Proxitronic, 1В009168, 1994.

141. Ni-Tec 18 mm and 25 mm MCP SPECIFICATIONS, 1995

142. Пат. 2187166 РФ, МПК 7 Н 01 J 9/02, С23 С 14/24. Способ изготовления микроканальной пластины / С.К. Кулов, Ю.Л. Пергаменцев, С.А. Кесаев, Э.А. Платов. Заявлено 15.08.2000; Опубл. 10.08.2002, Бюл. 22.