Сверхвысоковакуумный сканирующий зондовый микроскоп совместимый с базовыми методами нанотехнологий тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.01, кандидат технических наук Поляков, Вячеслав Викторович

• Поляков, Вячеслав Викторович
• кандидат технических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат технических наук Поляков, Вячеслав Викторович

Введение.

Глава 1. Сканирующая зондовая микроскопия и ее применение в нанотехнологиях (обзор).

1.1. Методы сканирующей зондовой микроскопии.

1.1.1. Принцип работы сканирующего туннельного и атомно-силового микроскопов.

1.1.2. Исследование свойств полупроводников методами сканирующей зондовой микроскопии. Сканирующая емкостная микроскопия.

1.1.3. Литографические воздействия в СЗМ.

1.2. Совместное использование методов СЗМ и других базовых методов нанотехнологий.

1.3. Постановка задачи.

Глава 2. Метод компенсации паразитной емкости для реализации методики сканирующей емкостной микроскопии.

2.1. Трудности реализации методики СЕМ. Постановка задачи.

2.2. Известные способы реализации методики СЕМ и их анализ.

2.2.1 Электромеханические способы реализации методики СЕМ. Метод «третьей гармоники».

2.2.2. Метод модуляции паразитной емкости.

2.2.3. Балансные методы реализации методики СЕМ.

2.3. Зондовый датчик специальной конструкции и метод компенсации паразитной емкости.

2.4.Конструктивное исполнение устройства для реализации СЕМ.

2.5. Экспериментальные результаты и обсуждение.

2.6. Выводы.

Глава 3. Разработка конструктивных решений сверхвысоковакуумного сканирующего зондового микроскопа.

3.1. Устройство сверхвысоковакуумного СЗМ. Система сменных зондовых головок.

3.2. Разработка датчика изгибов кантилевера для сверхвысоковакуумного СЗМ.

3.2.1. Чувствительность и шумовые характеристики датчика изгибов кантилевера. Влияние угловой апертуры лазерной системы.

3.2.2. Организация системы слежения лазерным лучом за кантилевером в процессе сканирования. Оптическая схема системы регистрации.

3.2.3. Экспериментальное исследование характеристик системы регистрации.

3.3. Минимизация влияний внешних акустических и механических помех на работу сверхвысоковакуумного СЗМ.

3.4. Экспериментальное исследование характеристик сверхвысоковакуумного СЗМ.

3.5. Выводы.

Глава 4. Сверхвысоковакуумный XYZ координатный стол и апробация совместимости сверхвысоковакуумного СЗМ с базовыми методами нанотехнологий.

4.1. Постановка задачи. Анализ возможных решений.

4.2. Конструктивные особенности стола и исследование его характеристик.

4.3 Использование сверхвысоковакуумного СЗМ в составе нанотехнологических комплексов.

4.4. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Сверхвысоковакуумный сканирующий зондовый микроскоп совместимый с базовыми методами нанотехнологий»

Развитие нанотехнологий невозможно без развития методов создания, модификации и диагностики нанообъектов. Широкое распространение получили методы электронной микроскопии, сканирующей зондовой микроскопии, вторично-ионной масс-спектроскопии, оже-спектроскопии, а также методы, основанные на использовании фокусированных ионных пучков.

Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ) представляет собой мощный метод комплексного исследования свойств поверхности твердого тела с высоким пространственным разрешением. За прошедшие с момента появления первых приборов годы применение зондовых микроскопов позволило достичь уникальных научных результатов в различных областях физики, химии и биологии; развитие методов СЗМ послужило во многом движущей силой нанотехнологий. Современный сканирующий зондовый микроскоп - это прибор, интегрирующий в себе до пятидесяти различных методик исследования. Постоянно создаются новые конструкции приборов, специализированные для различных приложений.

Аппаратурное объединение методов сканирующей зондовой микроскопии с другими базовыми методами нанотехнологий дает уникальные возможности, связанные с созданием и отработкой процессов изготовления, исследованием свойств нано- и микроэлектромеханических систем, наноэлектронных элементов, других нанообъектов, в то время как развитие специализированных методик зондовой микроскопии, позволяет расширить спектр исследуемых характеристик наноструктур.

Целью работы является создание сверхвысоковакуумного сканирующего зондового микроскопа, совместимого с базовыми методами нанотехнологий.

Для достижения цели решались следующие задачи: 1) Разработка и апробация методики, сканирующей емкостной микроскопии.

2) Разработка конструктивных решений сверхвысоковакуумного сканирующего зондового микроскопа, способного исследовать свойства и осуществлять модификацию поверхности в любой области подложки диаметром вплоть до 100 мм.

3) Разработка оптического датчика изгибов кантилевера для сверхвысоковакуумного сканирующего зондового микроскопа, а также анализ зависимости чувствительности и шумовых характеристик датчика от величины угловой апертуры лазерной системы датчика.

4) Разработка сверхвысоковакуумного XYZ координатного стола, обеспечивающего субмикронную точность позиционирования, а также апробация совместимости разработанного зондового микроскопа с базовыми методами нанотехнологий.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1) Впервые предложен зондовый датчик со встроенным конденсатором для сканирующей емкостной микроскопии.

2) Предложен оригинальный метод компенсации паразитной емкости для реализации методики сканирующей емкостной микроскопии, позволяющий обеспечить применимость методики на болынеразмерных образцах с развитым рельефом.

3) Впервые проанализировано влияние угловой апертуры лазерной системы датчика изгибов кантилевера атомно-силового микроскопа на чувствительность и уровень,шумов датчика, а также предложена методика оптимизации угловой апертуры.

4) Впервые разработан- сканирующий зондовый микроскоп, совместимый с базовыми методами нанотехнологий, позволяющий исследовать свойства и осуществлять модификацию поверхности 100-мм подложки- в любой ее точке в условиях сверхвысокого вакуума (при давлениях ~ Ю*10 Торр).

Практическая значимость работы заключается в следующем:

1) Результаты, полученные в работе, являются научно-технической основой для производства ЗАО «Нанотехнология МДТ» модулей сканирующей зондовой микроскопии для нанотехнологических комплексов Нанофаб 100.

2) На основе результатов, полученных при разработке методики контактной сканирующей емкостной микроскопии, создано и поставлено в серийное-производство ЗАО «Нанотехнология МДТ» изделие AU030, реализующее методику на сканирующих зондовых микроскопах «Интегра» и «Солвер».

3) Разработанный сверхвысоковакуумный XYZ координатный стол поставлен в серийное производство ЗАО «Нанотехнология МДТ» и применяется в составе различных модулей нанотехнологических комплексов Нанофаб 100, а также может быть применен как отдельное устройство при решени задач, требующих прецизионного перемещения образцов линейным размером до 100 мм в условиях вплоть до сверхвысоковакуумных.

Работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы.

В первой главе работы дан краткий обзор методов сканирующей зондовой микроскопии. Глава завершается постановкой задач диссертационного исследования.

Во второй главе работы описывается разработка методики сканирующей емкостной микроскопии (СЕМ), как специализированной СЗМ-методики, применение которой для характеризации пространственного распределения концентраций носителей в полупроводниковых* структурах представляет большой- интерес. Обсуждаются-* физические принципы CEMj существующие способы реализации методики и проводится их анализ, затем описывается предложенные зондовый датчик для. СЕМ со встроенным конденсатором и метод компенсации паразитной емкости, приводятся экспериментальные результаты.

В третьей главе работы описывается разработка конструктивных решений сверхвысоковакуумного СЗМ. Даны сведения об устройстве микроскопа в целом, детально описана разработанная система смены зондовых головок. Для разработки датчика изгибов кантилевера предложена методика оптимизации угловой апертуры лазерной системы датчика, затем представлена оптическая схема датчика изгибов и исследованы его шумовые характеристики. Описаны системы вибро- и акустоизоляции прибора. Приводятся результаты экспериментального исследования характеристик разработанного СЗМ и их сравнение с характеристиками систем известных производителей.

Четвертая глава работы посвящена разработке сверхвысоковакуумного XYZ координатного стола для сверхвысоковакуумного СЗМ. Описывается постановка задачи и анализируются возможные пути ее решения. Затем представлена конструкция разработанного координатного стола и результаты исследования его характеристик. Приведены примеры использования координатного стола для совместного применения разработанного микроскопа с системами, реализующими другие методы нанотехнологий.

В заключительной части работы перечислены основные результаты, которые нашли отражение в положениях, выносимых на защиту.

На защиту выносятся следующие положения:

1) Применение зондового датчика со встроенным конденсатором при измерениях с использованием методики сканирующей емкостной микроскопии позволяет значительно уменьшить влияние изменений паразитной емкости в процессе сканирования на получаемые результаты.

2) Применение метода, компенсации паразитной емкости для реализации методики сканирующей емкостной микроскопии позволяет исследовать пространственные распределения концентраций носителей в полупроводниках в диапазоне от 1015 см*3 до 1020 см"3 в том числе на болыперазмерных образцах с развитым рельефом с существенно меньшим уровнем шумов по емкости, чем при использовании известных подходов.

Оптимизация угловой апертуры лазерной системы датчика изгибов кантилевера атомно-силового микроскопа позволяет при прочих равных условиях понизить шумы датчика с 0.04-0.05 нм до 0.02 нм в полосе 10-1000 Гц.

Предложенные конструктивные решения сканирующего зондового микроскопа позволяют исследовать и модифицировать поверхность подложки диаметром вплоть до 100 мм в любой ее точке в условиях сверхвысокого вакуума (при давлениях ~ Ю"10Торр). Конструктивные решения сверхвысоковакуумного XYZ координатного стола позволяют прецизионно перемещать подложку диаметром вплоть до 100 мм с точностью позиционирования 0.3 мкм, обеспечивая совместимость разработанного зондового микроскопа с другими локальными методами модификации и исследования поверхности.

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы экспериментальной физики», Поляков, Вячеслав Викторович

Основные результаты работы могут быть сформулированы следующим образом:

1. Впервые предложен зондовый датчик со встроенным конденсатором для сканирующей емкостной микроскопии.

2. Предложен метод компенсации паразитной емкости для реализации методики сканирующей емкостной микроскопии, применение которого позволяет исследовать пространственные распределения концентраций носителей в полупроводниках в диапазоне от 1015 см"3 до Ю20 см"3 в том числе на болыперазмерных образцах с развитым рельефом. Уровень шумов по емкости при этом существенно меньше, чем при использовании известных подходов. Создано и поставлено в серийное производство ЗАО «Нанотехнология МДТ» устройство AU030, реализующее данную методику на сканирующих зондовых микроскопах «Интегра» и «Солвер».

3. Предложен метод оптимизации угловой апертуры лазерной системы датчика изгибов атомно-силового микроскопа. Показано, что применение метода позволяет при прочих равных условиях понизить шумы датчика с 0.040.05 нм до 0.02 нм в полосе 10-1000 Гц.

4. Впервые разработан свервысоковакуумный сканирующий зондовый микроскоп, позволяющий исследовать свойства и осуществлять модификацию поверхности пластины диаметром до 100 мм в любой ее области в условиях сверхвысокого вакуума (при давлениях ~ Ю-10 Торр). Разработанный микроскоп используется в составе нанотехнологических комплексов Нанофаб 100.

5. Разработан сверхвысоковакуумный XYZ координатный стол, позволяющий осуществлять позиционирование пластин диаметром вплоть до 100 мм с абсолютной точностью позиционирования 0.3 мкм. Показана возможность с использованием разработанного координатного стола исследовать с помощью сверхвысоковакуумного сканирующего зондового микроскопа структуры, полученные с применением методов фокусированных ионных пучков.

В целом, разработан сверхвысоковакуумный сканирующий зондовый микроскоп, совместимый с базовыми методами нанотехнологий.

Благодарности

Прежде всего, мне хочется выразить свою благодарность моему научному руководителю, генеральному директору ЗАО «Нанотехнология МДТ», доктору технических наук Виктору Александровичу Быкову.

Я хотел бы поблагодарить директоров компании «Нанотехнология МДТ» Андрея Викторовича Быкова и Владимира Валерьевича Котова, а также моих коллег Игоря Вениаминовича Мягкова, Геннадия Антоновича Трегубова, Михаила Евгеньевича Алексеева, Валерия Николаевича Рябоконя и Валентина Валентиновича Атепалихина за помощь и поддержку в работе.

Список использованных сокращений

АСМ - атомно-силовой микроскоп ВИМС - вторично-ионная масс-спектроскопия ИЛО - импульсное лазерное осаждение МДП - металл-диэлектрик-полупроводник МЛЭ - молекулярно-лучевая эпитакси я МСМ — магнитно-силовая микроскопия НТК - нанотехнологический комплекс ПЗС - прибор с зарядовой связью СВЧ — сверхвысокая частота СЕМ - сканирующая емкостная микроскопия СЗМ - сканирующий зондовый микроскоп СКО - среднеквадратичное отклонение СТМ - сканирующий туннельный микроскоп ТМН - турбо-молекулярный насос ФИЛ - фокусированный ионный пучок ЭСМ - электро-силовая микроскопия

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Поляков, Вячеслав Викторович, 2009 год

1. Young, R. Field emission ultramicrometer / R. Young // Rev. Sci. 1.strum. - 1966 -37-275.

2. Young, R. Observation of Metal-Vacuum-Metal Tunneling, Field Emission, and the Transition Region / R. Yong, J. Ward, F. Scire // Phys. Rev. Lett. 1971 - 27 -922-924.

3. Young, R. The Topografiner: An Instrument for Measuring Surface Microtopography / R. Yong, J. Ward, F. Scire // Rev. Sci. Instrum. 1972 - 43 -999.

4. Быков, B.A. Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей : дис. . д-ра. техн. наук : защищена 13.09.2000 : утв. 12.01.2001 /В.А. Быков. -М., 2000. 393 с.

5. Binnig, G. Scanning Tunneling Microscope / G. Binnig, H. Rohrer // US Patent 4,343,993-1980.

6. Binnig, G. Atomic Force Microscope / G. Binning, C.F. Quate, Ch. Gerber // Phys. Rev. Lett. 1985 - 56 - 930-933.

7. Binnig, G. Atomic force microscope and method for imaging surfaces with atomic resolution / G. Binnig // US Patent 4,724,318 1986.

8. Wadas, A. Theoretical approach to magnetic force microscopy / A. Wadas, P. Grutter // Phys. Rev. В 1989 - 39 - 12013-12017.

9. Saenz, J.J. Observation of magnetic forces by the atomic force microscope / J.J Saenz, N. Garcia, P. Grutter et. al. // J. Appl. Phys. 1987 - 62 - 4293.

10. Giessibl, F.J. Theory for an electrostatic imaging mechanism allowing atomic resolution of ionic crystals by atomic force microscopy / F.J. Giessibl // Phys. Rev. B- 1992-45- 13815-13818.

11. Hartmann, U. Itermolecular and surface forces in noncontact scanning force microscopy / U. Hartmann // Ultramicroscopy 1992 - 42-44(1) - 59-65.

12. Durig, U. Observation of metallic adhesion using the scanning tunneling microscope / U. Durig, O. Zuger, D.W. Pohl // Phys. Rev. Lett. 1990 - 65 - 349352.

13. Mizes, H.A. Submicrin probe of polymer adhesion with atomic force microscopy: Dependence on topography and material inhomogeneities / H.A. Mizes, K.-G. Loh, R.J.D. Miller et. al. // Appl. Phys. Lett. 1991 - 59 - 2901.

14. Vatel, O. Kelvin probe force microscopy for potential distribution measurement of semiconductor devices / O. Vatel, M. Tanimoto // J. Appl. Phys. 1995 -11 -2358.

15. Henning, A.K. Two-dimensional surface dopant profiling in silicon using Kelvin probe microscopy / A.K. Henning, T. Hochwitz, J. Slinkman et. al. // J. Appl. Phys. -1995-77- 1888.

16. Matey, J.R. Scanning capacitance microscopy / J.R. Matey, J. Blanc // J. Appl. Phys.-1985-57-1437.

17. Martin, Y. Hihg-resolution capacitance measurement and potentiometry by force microscopy / Y. Martin, D.W. Abraham, H. K. Wickramasinghe // Appl. Phys. Lett. -1988-52- 1103.

18. Hosaka, S. Observation of natural oxide growth on dilicon facets using an atomic force microscope with current measurement / S. Hosaka, H. Koyanagi, S. Hosoki, A. Hiraiwa // J. Appl. Phys. 1992 - 72 - 688.

19. Xu, Q. Resolution and contrast in near-field photocurrent imaging of defects on semiconductors / Q. Xu, M.H. Gray, J.W.P. Hsu // J. Appl. Phys.

20. McCord, M.A. Lithography with the scanning tunneling microscope / M.A. McCord, R.F.W. Pease // J. Vac. Sci. Technol. В 1986 - 4(1) - 86-88.

21. Saulys, D.S. Electron-beam-induced patterned deposition of allylcyclopentadienyl palladium using scanning tunneling microscopy / D.S. Saulys, A. Ermakov, E.L. Garfunkel et. al. // J. Appl. Phys. 1994 - 76 - 7639.

22. Baba, M. Nanostructure fabrication by scanning tunneling microscope / M. Baba, S. Matsui // Jpn. J. Appl. Phys. 1990 - 29 - 2854-2857.

23. Majumdar, A. Nanometer-scale lithography using the atomic force microscope / A. Majumdar, P.I. Oden, J.P. Carrejo et.al. // Appl. Phys. Lett. 1992 - 61 - 2293.

24. Wendel, M. Nanolithography with an atomic force microscope for integrated fabrication of quantum electronic devices / M. Wendel, S. Kuhn S., H. Lorenz et.al. // Appl. Phys. Lett. 1994 - 65 - 1775.

25. Неволин, B.K. Зондовые нанотехнологии в электронике / В.К. Неволин. -М.: Техносфера, 2005 152 с.

26. Миронов, В. Основы сканирующей зондовой микроскопии / В. Миронов. -М.: Техносфера, 2004. 144 с.

27. Рыков, С.А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур / С.А. Рыков. Санкт-Петербург: Наука, 2001. -51 с.

28. Бахтизин, Р.З. Физические основы сканирующей зондовой микроскопии / Р.З. Бахтизин, P.P. Галлямов. Уфа: РИО БашГУ, 2003. - 82 с.

29. Sarid, D. Scanning force microscopy / D. Sarid. New York : Oxford university press, 1994.-263 c.

30. Brushan, B. Handbook of Nanotechnology / B. Brushan, ed. Springer, 2003. -1222 c.

31. Martin, Y. Atomic force microscope force mapping and profiling on a sub 100-A scale / Y. Martin, C.C. Williams, H.K. Wickramasinghe // J. Appl. Phys. -1987-61-4723.

32. Durig, U. Experimental observation of forces acting during scanning tunneling microscopy / U. Durig, J.K. Gimzewski, D.W. Pohl // Phys. Lett. Rev. 1986 - 57 -2403-2406.

33. Zerweck, U. Accuracy and resolution limits of Kelvin probe force microscopy / U. Zerweck et. al. // Phys. Rev. В 2005 - 71 - 125424.

34. Burke, S.A. Determination of the local contact potential difference of PTCDA on NaCl: a comparison of techniques / S.A. Burke et. al. // Nanotechnology 2009 -20-264012 (8 pp).

35. Nony, L. On the relevance of the atomic-scale contact potential difference by amplitude-modulation and frequency-modulation Kelvin probe force microscopy / L. Nony et. al. // Nanotechnology 2009 - 264014 (10 pp).

36. De Wolf, P. Status and review of two-dimensional carrier and dopant profiling using scanning probe microscopy / P. De Wolf et. al. // J. Vac. Sci Technol. В -2000- 18(1) -361-367.

37. Duhayon, N. Assessing the performance of two-dimensional dopant profiling techniques /N. Duhayon et. al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2004 - 22(1) - 385-393.

38. Muralt, P. GaAspn junction studied by scanning tunneling potentiometry / P. Muralt // Appl. Phys. Lett. 1986 - 49 - 1441.

39. Yu, E. Nanoscale characterization of semiconductor materials and devices using scanning probe techniques / E. Yu // Materials Science and Engineering 1996 -R17- 147-206.

40. Hochwitz, T. Imaging integrated circuit dopant profiles with the force-based scanning Kelvin probe microscope / T. Hochwitz, A.K. Henning, C. Levey et. al. // J. Vac. Sci.Technol. В 1996 - 14(1) - 440-446.

41. Shafai, C. Deliniation of semiconductor doping by scanning resistance microscopy / C. Shafai, D.J. Thimson, M. Simard-Normandin et. al. // Appl. Phys. Lett. 1994 - 64 - 342.

42. Williams, C.C. Scanning capacitance microscopy on a 25 nm scale /

43. C.C. Williams, W.P. Hough, S.A. Rishton // Appl. Phys. Lett. 1989 - 55 - 203.

44. Williams, C.C. Lateral dopant profiling with 200 nm resolution by scanning capacitance microscopy / C.C. Williams, J. Slinkman, W.P. Hough,

45. H.K. Wickramasinghe II Appl. Phys. Lett. 1989 - 55 - 1662.

46. Nakagiri, N. Application of scanning capacitance microscopy to semiconductor devices / N. Nakagiri, T. Yamamoto, H. Sugimura et. al. // Nanotechnology 1997 - 8 — A32-A37.

47. Kimura, K. Two-dimensional dopant profiling by scanning capacitance microscopy / K. Kimura, K. Kobayashi, H. Yamada, K. Matsushige // Applied Surface Science 2003 - 210 - 93-98.

48. Bom, A. Scanning capacitance microscopy as a tool for the characterization of integrated circuits / A. Born, R. Wiesendanger // Applied Physics A Materials Science & Processing 1998 - 66 - S421-S426.

49. Yang, J. Experimental investigation of interface states and photovoltaic effects on the scanning capacitance microscopy measurement for p-n junction dopant profiling / J. Yang et. al. // Appl. Phys. Lett. 2005 - 86 - 182101.

50. Tran, T. Quantative two-dimensional carrier profiling of a 400 nm complementary metal-oxide-semiconductor device by Schottky scanning capacitance microscopy / T. Tran et. al. // J. Appl. Phys. 2000 - 88(11) -6752-6757.

51. Giannazo, F. Dopant profile measurements in ion implanted 6H-SiC by scanning capacitance microscopy / F. Giannazo et. al. // Applied Surface Science 2001 -184- 183-189.

52. Giannazzo, F. Experimental aspects and modeling for quantitative measurements in scanning capacitance microscopy / F. Giannazzo, D. Goghero, V. Raineri //

53. J. Vac. Sci. Technol. В 2004 - 22(5) - 2391-2397.

54. Giannazzo, F. Simulation of scanning capacitance microscopy measurements on ultranarrow doping profiles in silicon / F. Giannazzo et. al. // J. Vac. Sci. Technol. -2004-22(1)-394-398.

55. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1 / С. Зи. М. : Мир, 1984. -455 с:

56. Павлов, Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов / Л.П. Павлов. М.: Высшая школа, 1987. - 239 с.

57. Yau, S.-T. Nanofabrication with a scanning tunneling microscope / S.-T. Yau, D. Saltz, A. Wriekat et. al. // J. Appl. Phys. 1991 - 69 - 2970.

58. Bruckl, H: Low energy electron-beam decomposition of metalorganic precursors with a scanning tunneling microscope at ambient atmosphere / H. Bruckl, J. Kretz, H.W. Koops, G. Reiss // J. Vac. Sci. Technol. В 1999 - 17(4) - 1350-1353.

59. Reyntjens, S. A review of focused ion beam applications in microsystem technology / S. Reyntjens, R. Puers // J. Micromech. Microeng. 2001 - 11287.300.

60. Daniel, J.H. A microaccelerometer structure fabricated in silicon-on-insulator using a focused ion beam process / J.H. Daniel, D.F. Moore // Sensors Actuators A -1999 73 201.

61. Brugger, J. Silicon micro/nanoelectromechanical device fabrication based on focused ion beam surface modification and KOH etching / J. Brugger et. al. // Microelectron. Eng. 1997 - 35 - 401.

62. Reyntjens, S. Focused ion beam induced deposition: fabrication of three-dimensional microstructures and Young's modulus of deposited material /

63. S. Reyntjens, R. Puers // J. Micromech. Microeng. 2000 - 10 - 181-188.

64. ElShimy, H. Fabrication of FIB-CVD nanotemperature sensor probe for local temperature sensing in water environments / H. ElShimy et. al. // Journal of Robotics and Mechatronics 2007 - 19(5) - 512-513.

65. Агеев, О.А. Исследование режимов технологии фокусированных ионных пучков и сканирующей зондовой микроскопии для анализа параметров* полупроводниковых структур ИМС / О.А. Агеев, А.С. Еоломийцев,

66. О.И. Ильин, А.А. Федотов // Химия твёрдого тела и современные микро и нанотехнологии. VIII Международная конференция. Кисловодск -Ставрополь: СевКавГТУ, 2008.

67. Gianuzzi, L.A. Introduction to focused ion beams / L.A. Gianuzzi, ed. -Springer, 2005. -357 c.

68. Volkert, C.A. Focused ion beam microscopy and micromachining / C.A. Volkert, A.M. Minor // 2007 MRS Bulletin - 32 - 389-395.

69. Nelbert, J.N. Handbook of VLSI microlithography / J;N. Nelbert, ed1. William Andrew PubUshing/Noyes, 2001.- 1086 c:

70. Cheng, J. Mg-Ga-liquid metabion source for implantation doping of GaN-/ J. Cheng, A.J. Steckl // J. Vac. Sci. Technol. В.-2001 19(6)-2551-2554.

71. Persaud, A. Single ion implantation with scanning probe alignment / A. Persaud et. al. // J. Vac. Sci. Technol. В 2004 - 22(6) - 2992-2994.

72. Stahl, U. Atomic force microscope using piezoresistive cantilevers and combined with a scanning electron microscope / U. Stahl, C.W. Yuan, A.L. Lozanne, M. Tortonese // Appl. Phys. Lett. 1994 - 65 - 2878.

73. Large sample SPM электронный ресурс. / Omicron Vakuumphysik GMBH -Электрон, дан. 1998 - Режим доступа:http.7/omicron.de/products/spm/largesamples/large sample spm/media/large samp le spm l.pdf, свободный. -Загл. с экрана.

74. Large sample beam defl. AFM электронный ресурс. / Omicron Vakuumphysik GMBH Электрон, дан. - Режим доступа:http://omicron.de/index2.html7/products/spm/large samples/largesample beam de fl afm/index.html~Omicron, свободный. Загл. с экрана.

75. Lee, D.T. Instrumentation for direct, low frequency scanning capacitance microscopy, and analysis of position dependent stray capacitance / D.T. Lee, J.P. Pelz, B. Bhushan // Rev. Sci. Instrum. 2002 - 73 - 3525.

76. Pelz, J. P. Method for measuring mn-scale tip-sample capacitance / J.P. Pelz, D.T. Lee, B. Brushan // US Patent Application Publication, US 2005/0077915 Al.

77. Arakawa, H. Spatially resolved measurements of the capacitance by scanning tunneling microscope combined with a capacitance bridge / H. Arakawa,

78. R. Nishitani // J. Vac. Sci. Technol. В 2001 - 19 - 1150-1153.

79. Goddenhenrich, T. Force microscope with capacitance displacement detection / T. Goddenhenrich, H. Lemke, U. Hartmann, C. Heiden // J. Vac. Sci. Technol. A -1990-8(1)-383-387.

80. Neubauer, G. Force microscopy with a bidirectional capacitance sensor /

81. G. Neubauer, S. Cohen, G. McClelland et al. //Rev. Sci. Instrum. 1990 - 61 -2296.

82. Rugar, D. Improved fiber-optic interferometer for atomic force microscopy / D. Rugar, H.J. Mamin, P. Guethner // Appl. Phys. Lett. 1989 - 55 - 2588.

83. Schonenberger, C. A differential interferometer for force microscopy / C. Schonenberger, S.F. Alvarado // Rev. Sci. Instrum. 1989 - 60 - 3131.

84. Amer, N. Atomic force microscopy / N. Amer, G. Meyer // US Patent 5,144,833 1990.

85. Meyer, G. Novel optical approach to atomic force microscopy / G. Meyer, N.M. Amer // Appl. Phys. Lett. 1988 - 53 - 2400.

86. Fukuma, T. Development of low noise cantilever deflection sensor for multienvironment frequency-modulation atomic force microscopy// T. Fukuma, M. Kimura, K. Kobayashi et al. // Rev. Sci. Instrum. 2005 - 76 - 053704.

87. Бауков, B.B. Применение диафрагмирования для снижения шумов в оптической системе регистрации атомно-силового микроскопа / В.В. Бауков, А.В. Беляев, В.В. Жижимонтов, В.А. Быков // ПЖТФ 2007 - Т. 33 вып. 13 -с. 40.

88. Albrecht, T.R. Frequency modulation detection using high-Q cantilevers for enhanced force microscope sensitivity / T.R. Albrecht, P. Grutter, D. Home,

89. D. Rugar // J. Appl. Phys. 1991 - 69 - 668.

90. Беляев, А.В. Сканирующий зондовый микроскоп с системой автоматического слежения за кантилевером / А.В. Беляев, В.В. Жижимонтов, В .А. Быков, С.А. Саунин // Патент RU 2227333 приоритет от 13.08.2002 -Опубл. 20.04.2004 - бюл. №11.

91. Лавриненко, В.В. Пьезоэлектрические двигатели /В.В. Лавриненко, И.А. Карташев, B.C. Вишневский. М. : Энергия, 1980. - 112 с.

92. Williams, W. Piezoelectric motor / W. Williams, W. Brown // US Patent 2,439,499 1942.

93. Spanner, K. Survey of the various operating principles of ultrasonic piezomotors / K. Spanner // White Paper for Actuator 2006.

94. May, W.G. Piezoelectric electromechanical translation apparatus / W.G. May // US Patent 3,902,084 1975.

95. Henshaw, J.R. Encoder with reference marks / J.R. Henshaw, M. Homer, D.R. McMurtry // EU Patent, Publication number W003079555 (A2) 2003.

96. Gier, L. Displacement sensor / L. Gier, B. Nauheim // US Patent 6,311,512 -1998.

97. Мягков, И.В. Инерционный шаговый двигатель / И.В. Мягков, Д.Ю. Соколов // Патент RU 2347300 приоритет от 04.05.2006 - Опубл. 20.02.2009 Бюл. № 5.

98. Быков, В.А. Нанотехнологический комплекс / В.А. Быков // Патент RU 2308782 приоритет от 06.05.2006 - Опубл. 20.10.2007 - бюл. №29.