Разработка технологических основ субмикронного профилирования поверхности подложек методом фокусированных ионных пучков для создания микро- и наноструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Коломийцев, Алексей Сергеевич

• Коломийцев, Алексей Сергеевич
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Коломийцев, Алексей Сергеевич

Введение.

Глава 1. Основные методы субмикронного профилирования поверхности подложек в нанотехнологии, особенности применения ионно-лучевых методов.

Методы субмикронного профилирования поверхности в нанотехнологии.

1.1.1. Оптическая литография.

1.1.2. Электронно-лучевая литография.

1.1.3. Нанопечатная литография.

1.1.4. Рентгеновская литография.

Литография с применением сканирующего зондового

1.1.5. микроскопа.

1.1.6. Метод фокусированных ионных пучков.

1.2. Основные физические эффекты, возникающие при взаимодействии ускоренных ионов с твердотельными подложками.

1.3. Субмикронное профилирование подложек методом ФИЛ в микро- и наноэлектронике.

1.3.1. Формирование областей с заданным уровнем шероховатости рельефа

1.3.2. Формирование структур с вертикальными стенками.

1.3.3. Формирование структур с размерами менее 100 нм.

Формирование массивов структур с высокой повторяемостью

1.3.4. 48 параметров.

1.3.5. Формирование структур сложного профиля.

Применение кластерного нанотехнологического оборудования для

1.4. формирования структур микро- и наносистемной техники методом 52 ФИП.

1.5. Выводы и постановка задачи.

Глава 2. Анализ параметров взаимодействия ионного пучка с подложкой

2.1. Расчет профилей имплантации ионов галлия в различные материалы

2.2. Расчет коэффициентов распыления различных материалов.

2.3. Оценка равномерности распределения интенсивности ионно-лучевого воздействия при травлении.

Модель расчета рельефа поверхности твердого тела при травлении

2.4. 72 ФИП.

Разработка программного обеспечения генерации растровых

2.5. шаблонов для безмасочного структурирования подложек методом 81 ФИП.

2.6. Выводы.

Глава 3. Исследование режимов субмикронного профилирования подложек методом ФИП.

Влияние тока, ускоряющего напряжения и времени воздействия в

3.1. 90 точке на геометрические параметры наноразмерных структур.

Разработка методики определения разрешающей способности ионно

3.2. 101 лучевого травления ФИП.

3.3. Исследование точности переноса рисунка шаблона на подложку.

3.4. Исследование влияния параметров ФИП на шероховатость поверхности обрабатываемой подложки.

3.5. Исследование влияния параметров ФИП на вертикальность стенок формируемых структур.

3.6. Исследование скорости травления полупроводниковых материалов цб

3.7. Исследование режимов формирования структур сложного профиля 119 3-8- Исследование модификации подложки ионами галлия в методе ФИП 123 3.9. Выводы.

Глава 4. Формирование приборов и структур наноэлектроники, микро- и наносистемной техники методом ФИП.

4.1. Формирование планарных элементов наноэлектроники на основе тонких пленок металла.

Формирование контрольных образцов для метрологического обеспечения нанотехнологий.

4.3. Модификация зондовых датчиков-кантилеверов АСМ для решения специализированных задач нанодиагностики.

4.4. Формирование микродисковых оптических резонаторов на структурах Si/Sii-xGex:Er.

4.5. Разработка технологических маршрутов изготовления экспериментальных образцов элементов наноэлектроники и наносистемной техники методом ионно-лучевого травления ФИП, на основе использования многофункционального сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9.

4.6. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка технологических основ субмикронного профилирования поверхности подложек методом фокусированных ионных пучков для создания микро- и наноструктур»

Актуальность диссертационной работы

На современном этапе развития электроники тенденции к микроминиатюризации элементов СБИС и повышения плотности их компоновки приводят к необходимости разработки новых методов формирования перспективной элементной базы радиоэлектронной аппаратуры. Одной из основных проблем при изготовлении функциональных элементов наноэлектроники, микро- и наносистемной техники является необходимость разработки и совершенствования методов субмикронного профилирования поверхности подложек, которые должны обеспечивать высокую точность и разрешающую способность изготовления элементов приборов с размерами менее 100 нм. Метод локального ионно-лучевого травления фокусированным ионным пучком (ФИЛ) является на сегодняшний день одним из наиболее перспективных методов субмикронного профилирования поверхности твердых тел.

Традиционные методы субмикронного профилирования, основанные на литографических процессах в сочетании с жидкостным или плазменным травлением, обладают рядом существенных недостатков, проявляющихся при формировании структур размером менее 100 нм. Это связано с дифракционными ограничениями процессов оптической литографии, эффектами близости, ограничениями используемых резистов и масок, а также эффектами подтравливания при использовании процессов химического и плазменного травления.

Применение метода ФИП позволяет устранить ограничения технологических процессов связанных с использованием резистов, масок и травителей. Возможности изменять параметры ФИП при ионно-лучевом травлении в широком диапазоне в сочетании с высоким пространственным разрешением метода позволяют варьировать режимы субмикронного профилирования в широких пределах для достижения необходимых геометрических параметров формируемых наноразмерных структур.

В настоящее время процессы формирования субмикронного профиля на поверхности твердых тел методом ионно-лучевого травления с помощью ФИП недостаточно изучены. Поэтому проведение этих исследований актуально для разработки технологических процессов формирования перспективной элементной базы наноэлектроники, микро- и наносистемной техники.

Цель и задачи диссертационной работы

Целью диссертационной работы является разработка и исследование технологических основ субмикронного профилирования поверхности подложек методом фокусированных ионных пучков для создания перспективной элементной базы наноэлектроники, микро- и наносистемной техники.

Для достижения данной цели были поставлены следующие задачи:

1. Анализ основных параметров фокусированного ионного пучка, определение закономерностей процессов модификации приповерхностного слоя подложки при воздействии ионов в методе ФИП;

2. Разработка математической модели расчета двумерной морфологии поверхности твердого тела при травлении фокусированным ионным пучком с учетом параметров пучка, режимов экспонирования, а также закономерностей взаимодействия ионов с подложкой;

3. Разработка методики и программных средств генерации растровых шаблонов для безмасочного структурирования подложек методом фокусированных ионных пучков с учетом параметров пучка, режимов экспонирования, а также закономерностей взаимодействия ионов с подложкой;

4. Исследование режимов субмикронного профилирования полупроводниковых подложек методом ФИП;

5. Разработка и исследование методик определения разрешающей способности и точности переноса топологического рисунка шаблона на подложку при субмикронном профилировании подложек методом ФИП;

6. Разработка технологических маршрутов формирования микро- и наноструктур перспективных элементов оптоэлектроники и наносистемной техники методом ФИП на основе использования многофункционального сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9.

Научная новизна работы:

1. Теоретически определены закономерности модификации приповерхностного слоя подложек 81, 8Ю, ОаАБ, БЮг и А1 при травлении фокусированным ионным пучком галлия с энергией 5-30 кэВ, которые позволяют разработать математические модели и методики субмикронного профилирования поверхности методом ФИП. Результаты расчетов подтверждены экспериментальными данными для 81.

2. Разработана математическая модель расчета двумерной морфологии поверхности твердого тела при травлении фокусированным ионным пучком с учетом неоднородности распределения интенсивности потока ионов в пучке, режимов экспонирования, особенностей взаимодействия ионов с подложкой, а также угловой зависимости коэффициента распыления, которая позволяет прогнозировать характеристики рельефа поверхности.

3. Разработан способ управления фокусированным ионным пучком за счет экспонирования по специализированным растровым шаблонам, учитывающим параметры ионного луча и формируемой структуры, который позволяет повысить точность переноса топологического рисунка.

4. Экспериментально установлены закономерности влияния режимов субмикронного профилирования поверхности полупроводниковых подложек ионно-лучевым травлением ФИП на морфологию поверхности с учетом параметров ионного пучка и режимов экспонирования.

Практическая значимость:

1. Определены режимы субмикронного профилирования поверхности кремния методом ФИП. Показано, что в диапазоне токов 1 пА - 7 нА определяющим фактором, влияющим на скорость латерального (19 - 32 нм) и нормального (42 - 92 нм/мс) травления, является ток ионного пучка. Установлено, что время воздействия ионного пучка в точке позволяет прецизионно управлять скоростью травления кремния по нормали.

2. Разработана методика определения разрешающей способности метода ФИП. Установлено, что основным параметром, влияющим на геометрические размеры формируемых структур, является ток ионного пучка. Показано, что при токе ионного пучка 1 пА минимальная ширина формируемой линии на кремнии составляет -15 нм.

3. Разработаны методики модификации зондовых датчиков-кантилеверов АСМ методом ФИП, которые позволяют формировать острия зондов радиусом до 5 нм, аспектным соотношением до 1:50 и углом конусности до 5° для специализированных задач нанодиагностики.

4. Разработано программное обеспечение генерации растровых шаблонов для безмасочного структурирования подложек с учетом параметров пучка, режимов экспонирования, а также закономерностей взаимодействия ионов с подложкой, позволяющее повысить точность переноса топологического рисунка при субмикронном профилировании методом ФИП.

5. Разработаны технологические маршруты формирования микро- и наноструктур перспективных элементов оптоэлектроники и наносистемной техники методом ФИП на основе использования многофункционального сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК

Положения, выносимые на защиту;

1. Математическая модель расчета двумерной морфологии поверхности твердого тела при травлении фокусированным ионным пучком с учетом неоднородности распределения интенсивности потока ионов в пучке, режимов экспонирования, особенностей взаимодействия ионов с подложкой, а также угловой зависимости коэффициента распыления, которая позволяет прогнозировать характеристики рельефа поверхности после травления фокусированным ионным пучком.

2. Закономерности влияния режимов субмикронного профилирования поверхности полупроводниковых подложек методом ФИП на морфологию поверхности с учетом параметров ионного пучка и режимов экспонирования.

3. Способ управления фокусированным ионным пучком за счет экспонирования по специализированным растровым шаблонам, учитывающим параметры ионного луча и формируемой структуры, который позволяет повысить точность переноса топологического рисунка.

4. Методика определения разрешающей способности метода ФИП, которая позволяет оценить минимальные размеры формируемых структур с учетом значений тока ионного пучка.

5. Методики модификации зондовых датчиков-кантилеверов АСМ методом ФИП, которые позволяют формировать острия зондов радиусом до 5 нм, аспектным соотношением до 1:50 и углом конусности до 5° для специализированных задач нанодиагностики.

Реализация результатов работы

Диссертационная работа выполнялась в соответствии с планом госбюджетных научно-исследовательских работ кафедры ТМ и НА и НОЦ «Нанотехнологии» в 2008 - 2011 гг.: «Проведение поисковых научно-исследовательских работ в области микро- и наноструктур на основе оксидных, органических и биологических материалов, разработка технологии их получения для развития перспективной сенсорики, основанной на новых физических принципах в центре коллективного пользования научным оборудованием «Высокие технологии»» в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы» (внутр. № 13013); «Исследования и разработка технологических процедур для производства элементов изделий микро- и наноэлектронной техники на основе использования сверхвысоковакуумной технологической автоматизированной платформы кластерного типа» (внутр. № 13309); «Разработка технологии и изготовление опытных образцов масок для глубокой рентгеновской литографии» (внутр. № 13308).

Результаты диссертационной работы внедрены в НИЦ «Курчатовский институт» (г. Москва), на промышленном предприятии ЗАО «Нанотехнологии - МДТ» (г. Москва), в Институте физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород), в ФГУ «Ростовский ЦСМ» (г. Ростов-на-Дону), а также в учебный процесс на кафедре ТМиНА ТТИ ЮФУ.

Апробация работы

Основные научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на различных международных и всероссийских научных конференциях и семинарах, в частности: Международный конкурс научных работ молодых ученых в области нанотехнологий. Международный форум по нанотехнологиям (г. Москва, 2009, 2010), Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (г. Черноголовка, 2009, 2010), Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» (г. Нижний Новгород, 2009, 2011), Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2010», (г. Нижний Новгород, 2010), Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (г. Кисловодск, 2008, 2009), Международная научно-техническая конференция «Микроэлектроника и наноинженерия - 2008» (г. Москва, 2008), VII 17-й Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2010» (г. Москва, 2010),

Третья Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых I ученых по направлению «Наноинженерия», «Наноинженерия-2010» (г. Калуга, 2010), Ежегодная научная конференция студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН (г. Ростов-на-Дону, 20082011), Международная научно-техническая конференция и молодежная I школа-семинар «Нанотехнологии-2010», (пос. Дивноморское, 2010).

I , Результаты работы отмечены дипломами ряда конференций и конкурсов научных работ: Международного конкурса научных работ молодых ученых в области нанотехнологий (г. Москва, 2009, 2010), Конференции Южного научного центра РАН (г. Ростов-на-Дону, 2010), IX Всероссийской научной конференции студентов и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» (г. Таганрог, 2008).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 39 печатных работ, из них 5 работ опубликовано в журналах, входящих в Перечень ВАК. В ВНИИТЦ зарегистрировано 3 отчета по НИР. Получен патент РФ на полезную модель

Й(Г 88187, приоритет от 15.06.2009 г.

I]

Структура и объем диссертации

I! Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка цитируемой литературы и приложений.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Коломийцев, Алексей Сергеевич

4.6 Выводы

По результатам 4 главы можно сделать следующие выводы:

1. Сформированы структуры перспективных планарных элементов наноэлектроники на основе структур Si/SiCVTi ионно-лучевым травлением ФИП. Показано, что при ширине квазиодномерного канала проводимости менее 10 нм структура имеет асимметричную В АХ.

2. Разработаны конструкции и методики формирования и изготовлены методом ФИП контрольный образец нанометрового диапазона для межлабораторных сличений и экспериментальных образец меры высоты рельефа поверхности для метрологического обеспечения измерений в нанотехнологии.

3. Разработаны методики модификации острия зондовых датчиков-кантилеверов АСМ методом ФИП для специализированных задач нанодиагностики. Показано, что разработанные методики позволяют формировать острия зондов радиусом до 5 нм, аспектным соотношением до 1:50 и углом конусности до 5°.

4. Экспериментально сформированы структуры микродисковых резонаторов на основе светоизлучающих гетероструктур Si/Si ¡.xGex:Er методом ФИП, которые позволяют достичь усиления фотолюминесценции структуры в 2,2 раза.

5. Разработаны технологические маршруты формирования структур экспериментальных образцов элементов наноэлектроники и наносистемной техники методом ФИП на основе использования многофункционального сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9.

Заключение

В результате проведенной работы были получены следующие основные результаты:

1. Теоретически определены закономерности модификации приповерхностного слоя подложек при травлении фокусированным ионным пучком галлия.

2. Разработана математическая модель расчета двумерной морфологии поверхности твердого тела при травлении фокусированным ионным пучком с учетом неоднородности распределения интенсивности потока ионов в пучке, режимов экспонирования, особенностей взаимодействия ионов с подложкой, а также угловой зависимости коэффициента распыления.

3. Разработаны способ управления фокусированным ионным пучком и программное обеспечение генерации растровых шаблонов для безмасочного структурирования подложек с учетом параметров пучка, режимов экспонирования, а также закономерностей взаимодействия ионов с подложкой.

4. Исследованы режимы субмикронного профилирования кремния методом ФИЛ. Выявлены закономерности влияния тока ионного пучка, ускоряющего напряжения пучка, времени стояния пучка в точке и количества проходов пучка на геометрические характеристики формируемых наноразмерных структур.

5. Разработаны и исследованы методики определения разрешающей способности метода ФИЛ и точности переноса топологического рисунка шаблона на подложку при субмикронном профилировании подложек методом ФИЛ.

6. Разработаны методики модификации зондовых датчиков-кантилеверов АСМ методом ФИЛ для специализированных задач нанодиагностики.

7. Сформированы структуры микродисковых резонаторов на основе светоизлучающих гетероструктур Si/Si j.xGex:Er методом ФИП, которые позволяют достичь усиления фотолюминесценции структуры в 2,2 раза.

8. Разработаны технологические маршруты формирования микро- и наноструктур перспективных элементов оптоэлектроники и наносистемной техники методом ФИП на основе использования многофункционального сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК

9.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Коломийцев, Алексей Сергеевич, 2011 год

1. Зи С. Технология СБИС: в 2-х книгах / под ред. С. Зи. М: Мир, 1986.404 с.

2. Bhushan В. Springer Handbook of Nanotechnology (3rd edition) / ed. by Bharat Bhushan. New York: Springer, 2010. 1964 p.

3. Мальцев П.П. Нано- и микросистемная техника. От исследований к разработкам. М: Техносфера, 2005. 592 с.

4. Heibert J.N. Handbook of VLSI microlithography. Principles, technology, and applications. New York: Noyes Publications, 2001. 1024 p.

5. Сейсян Р.П. ЭУФ-нанолитография как средство производства СБИС и инструмент нанотехнологий // Нано- и микросистемная техника. 2006. №2. С. 2-22.

6. Bruus Н. Introduction to nanotechnology. Lyngby: Department of Micro and Nanotechnology, 2004. 105 p. f.

7. Microlithography: science and technology (2nd. ed.)/ ed. by K. Suzuki, B. W. Smith . New York: CRC Press, 2007. 846 p.

8. Franssila S. Introduction to microfabrication. New Jersey: Wiley, 2004.422 p.

9. Брюэр Дж.Р., Гринич Д.С., Херриот Д.Р. и др. Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронных приборов / под ред. Дж.Р. Брюэра. М.: Радио и связь, 1984. 336 с.

10. Синдо Д. Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия / Д. Синдо, Т. Оикава. М.: Техносфера, 2006. 253 с.

11. Dubonos S.V., Knyazev М.А., Svintsov A.A., Zaitsev S.I. Current density and exposure sequence effect in electron lithography // Proc. SPIE. 2006. Vol. 6260. P. 9-17.

12. Chang Т., Mankos M., Lee K.Y., Muray L.P. Multiple electron-beam lithography // Microelectronic Engineering. 2001. № 57-58. P. 117-135.

13. Fuse Т., Kotsugi Т., Takeya К., Kinoshita H., Parker N.W. Development of multibeam electron beam direct writing system using third-order imaging technique // Japanese Journal of Applied Physics. 2009. №48. P. 01-05.

14. Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. М: Физматлит, 2005. 416 с.

15. Пул Ч. Нанотехнологии / Ч. Пул, Ф. Оуэне. М: Техносфера, 2007.376 с.

16. Clivia М., Sottomayor Т. Alternative lithography: Unleashing the potentials of nanotechnology / M. Clivia. Plenum Publishing Corporation, 2004. 425 p.

17. Dauksher W.J., Le N.V., Ainley E.S., Nordquist K.J., Gehoski K.A., Young S.R., Baker J.H., Convey D., Mangat P.S. Nano-imprint lithography: Templates, imprinting and wafer pattern transfer // Microelectronic Engineering. 2006. №83. P. 929-932.

18. Haaffner M., Heeren A., Fleischer M., Kern D.P., Schmidt G., Molenkamp L.W. Simple high resolution nanoimprint-lithography // Microelectronic Engineering. 2007. №84. P. 937-939.

19. Hsueh C., Lee S., Lin H., Chenc L., Wang W. Analyses of mechanical failure in nanoimprint processes // Materials Science and Engineering A. 2006. №433. P. 316-322.

20. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М: Радио и связь, 1991. 528 с.

21. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Е. Введение в микроэлектронику. М: Мир, 1988. 320 с.

22. Microfabrication and Nanomanufacturing / ed. by M. Jackson. NewYork: CRC Press, 2006. 388 p.

23. Неволин, B.K. Зондовые нанотехнологии в электронике. М.: Техносфера, 2006. 160 с.

24. Асеев A.JI. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / A.JI. Асеев. Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004. 368 с.

25. Чаплыгин Ю.А. Нанотехнологии в электронике: сб. ст. / под ред. Ю.А. Чаплыгина. М.: Техносфера, 2005. 448 с.

26. Обухов, И.А. О возможности применения СТМ-АСМ литографии для создания новых типов квантовых приборов // Микросистемная техника. 2003. №6. С. 34-37.

27. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Светличный A.M., Смирнов В.А. Исследование режимов фотонностимулированной зондовой нанолитографии методом локального анодного окисления пленки титана // Нано- и микросистемная техника. 2008. №1. С. 1-3.

28. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Светличный A.M., Смирнов В.А. Зондовая фотонно-стимулированная нанолитография структур на основе пленки титана // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 6. С. 403-408.

29. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Смирнов В.А. и др. Фотоактивация процессов формирования наноструктур методом локального анодного окисления пленки титана // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. №2 (82). С. 23-30.

30. Лучинин В.В. Нанотехнологии: физика, процессы, диагностика, приборы / под ред. В.В. Лучинина, Ю.М. Таирова. М: Физматлит, 2006. 552 с.

31. Giannuzzi L.A., Stevie F.A. Introdution to focused ion beams: instrumentation, theory, techniques and practice. New York: Springer, 2004. 357 p.

32. Zhou W., Wang Z. Scanning microscopy for nanotechnology. New York: Springer, 2006. 522 p.

33. Yao N., Wang Z. Handbook of microscopy for nanotechnology. New York: Kluwer academic publishers, 2005. 743 p.

34. Handbook of charged particle optics (2nd ed.) / ed. by J. Orloff. New York: CRC Press, 2009. 688 p.

35. Reyntjens S., Puers R. A review of focused ion beam applications in microsystem technology // Journal of micromechanics and microengineering. 2001. №11. P. 287-300.

36. Кузнецова M.A., Лучинин B.B., Савенко А.Ю. Физико-технологические основы применения наноразмерной ионно-лучевой технологии при создании изделий микро- и наносистемной техники // Нано-и микросистемная техника. 2009. №8. С. 24-32.

37. Purcell S.T., Binh V.T., Thevenard P. Atomic-size metal ion sources: principles and use // Nanotechnology. 2001. №12. P. 168—172.

38. Yao M., Ohmasa Y. Study of liquid metals as a basis for nanoscience // Journal of physics: condensed matter. 2008. №20. P. 1-6.

39. Сихарулидзе Г.Г. Механизм ионизации в жидкометаллическом ионном источнике. Источник для тугоплавких металлов // Журнал технической физики. 1997. Т. 67. № 11. С. 82-87.

40. Volkert С.A., Minor A.M. Focused ion beam, microscopy and micromachining // Mrs bulletin. 2007. Vol. 32. P. 389-399.

41. Warren J. Moberly C., Adams D.P., Aziz M.J., Hobler G., Schenkel T. Fundamentals of focused ion beam. Nanostructural processing: below, at, and above the surface // Mrs bulletin. 2007. Vol. 32. P. 424-432.

42. Schmuki P., Virtanen S. Electrochemistry at the nanoscale. New York: Springer, 2009. 471 p.

43. Nanofabrication: fundamentals and applications / ed. by A. Tseng. New Jersey: World Scientific, 2008. 583 p.

44. Boxleitner W., Hobler G. FIB SIM dynamic Monte Carlo simulation of compositional and topography changes caused by focused ion beam milling // Nuclear instruments and methods in physics research B. 2001. № 180. P. 125-129.

45. Platzgummer E., Loeschner H., Gross G. Projection mask-less patterning (PMLP) for the fabrication of leading-edge complex masks and nanoimprint templates // SPIE BACUS News. 2008. Vol. 24. Iss. 3. P. 1-9.

46. Lalev G., Dimov S., Kettle J., van Delft F., Minev R. A CAD/CAM approach for layer-based FIB processing // Proceedings of the 4M Conference, Borovetz. 2007. P. 81-84.

47. Hung N., Fu Y., Ali M. Focused ion beam machining of silicon // Journal of Materials Processing Technology. 2002. № 127. P. 256-260.

48. Tseng A. Recent developments in micromilling using focused ion beam technology // Journal of micromechanics and microengineering. 2004. № 14. P. R15-R34.

49. Wilhelmi O. Nanofabrication and rapid prototyping with DualBeam ( instruments // FEI Company application note. 2007. 12 p. Electronic resource. URL: www.fei.com. (access date: 10.04.2011).

50. Hayles M., Dufek M. Nova NanoLab. User manual // FEI Company. 2007. 362 p. Electronic resource. URL: www.fei.com. (access date: 11.02.2011).

51. Lee H., Han J., Min В., Lee S. Geometric compensation of focused ion beam machining using image processing // Applied physics express. 2008. №1. P. 1-3.

52. Аброян И.А., Андронов A.H., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М: Высшая школа, 1984. 320 с.

53. МОП СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / под ред. П. Антонетти. М: Радио и связь, 1988. 496 с.

54. Комаров Ф.Ф., Новиков А.П., Ширяев С.Ю. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. Минск: Университетское, 1990. 320 с.

55. Nastasi M., Mayer J., Hirvonen J. Ion-solid interactions: fundamentals and applications. Cambridge: Cambridge University Press, 1996. 540 p.

56. Rajsiri S., Kempshall B., Schwarz S., Giannuzzi L. FIB damage in silicon: amorphization or redeposition? // Microscopy and microanalysis. 2002. №8. (Suppl. 2). P. 50-51.

57. Giannuzzi L. Evidence for a critical amorphization thickness limit of Ga+ ion bombardment in Si // Microscopy and microanalysis. 2005. №11. (suppl 2). P. 822-828.

58. Fu Y., Bryan N., Shing O., Hung N. Influence of the redeposition effect for focused ion beam 3D micromachining in silicon // International Journal of Advance Manufacturing Technology. 2000. №16. P. 877-880.

59. Averback R., Ghaly M. A model for surface damage in ion-irradiated solids // J. Appl. Phys. 1994. №76 (3908). P. 3.

60. Dhar S., Davis R., Feldman L. A novel technique for the fabrication of nanostructures on silicon carbide using amorphization and oxidation // Nanotechnology. 2006. №17. P. 4514-4518.

61. Henry M., Shearn M., Chhim B., Scherer A. Ga+ beam lithography for nanoscale silicon reactive ion etching // Nanotechnology. 2010. №2 (1245303). P. 1-8.

62. Fu Y., Bryan N., Shing O., Wyan H. Influence analysis of dwell time on focused ion beam micromachining in Silicon // Sensors and Actuators. 2000. №79 (03). P. 230-234.

63. Wu S., Liu C., Hsueh Т., Chung H., Wang C., Wang C. Anomalous formation of InGaN/GaN multiple-quantum-well nanopillar arrays by focused ion beam milling //Nanotechnology. 2007. №18 (445301). P. 1-6.

64. Wu S., Liu C. Direct writing of Si island arrays by focused ion beam milling//Nanotechnology. 2005. №16. P. 2507 -2511.

65. Wu S., Huang Y., Hsueh Т., Liu C. Fabrication of nanopillars comprised of InGaN/GaN multiple quantum wells by focused ion beam milling // Japanese Journal of Applied Physics. 2008. Vol. 47. №6. P. 4906-4908.

66. Buatier de Mongeot F., Valbusa U. Applications of metal surfaces nanostructured by ion beam sputtering // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. №21 (224022). P. 1-17.

67. Xie D., Ngoi В., Fu Y.3 Ong A., Lim B. Etching characteristics of TiNi thin film by focused ion beam // Applied Surface Science. 2004. №225. P. 54-58.

68. Heaney P., Vicenzi Е., Giannuzzi L., Livi К. Focused ion beam milling: A method of site-specific sample extraction for microanalysis of Earth and planetary materials // American Mineralogist. 2001. Vol. 86. P. 1094-1099.

69. Mayer J., Giannuzzi L., Kamino Т., Michael J. ТЕМ sample preparation and FIB-induced damage // Mrs Bulletin. 2007. Vol. 32. P. 400-407.

70. Prewett P., Heard P. Repair of opaque defects in photomasks using focused ion beams // J. Phys. D: Appl. Phys. 1987. №20. P. 1207-1209.

71. Hartley F., Khan C., Neogie J. Fast prototyping of high-aspect ratio, high-resolution X-ray masks by gas-assisted focused ion beam // Microsystem Technologies. 2001. Vol. 9. № 6-7. P. 409-412.

72. Song I., Peter Y., Meunier M. Smoothing dry-etched microstructure sidewalls using focused ion beam milling for optical applications // J. Micromech. Microeng. 2007. №17. P. 1593-1597.

73. Kim J., Kwak K.5 Kim J., Kang B. Fabrication of photonic quantum ring laser using chemically assisted ion beam etching // J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. №19(4). P. 1334-1338.

74. Kiefer T., Favier F., Vazquez-Mena O., Villanueva G., Brugger J. A single nanotrench in a palladium microwire for hydrogen detection // Nanotechnology. 2008. №19 (125502). P. 1-9.

75. Chaganti K., Salakhutdinov I., Avrutsky I., Auner G. Sub-micron grating fabrication on hafnium oxide thin-film waveguides with focused ion beam milling // Optics express. 2006. Vol. 14. №4. P. 1505-1511.

76. Takai M., Jarupoonphol W., Ochiai C., Yavas O., Park Y. Processing of vacuum microelectronic devices by focused ion and electron beams // Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2003. №76. P. 1007-1012.

77. Li H., Kang D., Blamire M., Huck W. Focused ion beam fabrication of silicon print masters //Nanotechnology. 2003. №14. P. 220-223.

78. Okada M.s Nakamatsu K., Kanda K., Haruyama Y., Kometani R., Kaito T., Matsui S. Examination of focused-ion-beam repair resolution for UV-nanoimprint templates // Japanese Journal of Applied Physics. 2008. Vol. 47. № 6. P. 5160-5163.

79. Cryan M., Hill M., Cortaberria Sanz D., Ivanov P. Focused ion beam-based fabrication of nanostructured photonic devices // Journal of selected topics in quantum electronics. 2005. Vol. 11. №6. P. 1266-1277.

80. Tormen M., Carpentiero A., Ferrari E., Cojoc D. Novel fabrication method for three-dimensional nanostructuring: an application to micro-optics // Nanotechnology. 2007. №18 (385301). P. 1-4.

81. Герасименко H.H., Чамов A.A., Медетов H.A., Ханин В.А. Особенности формирования рельефа при травлении кремния фокусированным ионным пучком // Письма в ЖТФ. 2010. Т.36. вып. 21. С. 38-45.

82. Wilhelmi О., Reyntjens S., Mitterbauer С., Roussel L., Stokes D., Hubert D. Rapid prototyping of nanostructured materials with a focused ion beam // Japanese Journal of Applied Physics. 2008. Vol. 47. № 6. P. 5010-5014.

83. Nellen P., Callegari V., Bronnimann R. FIB-milling of photonic structures and sputtering simulation // Microelectronic Engineering. 2006. №83. P. 1805-1808.

84. Атепалихин B.B., Быков B.A., Быков A.B., Поляков В.В. Нанотехнологические комплексы и их применение в наноэлектронике // Материалы XI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород. 2007. Т. 2. С. 505-506.

85. Ziegler F. SRIM 2008 Instruction Manual // Electronic resource. URL: www.srim.org. (access date: 16.01.2011).

86. Yong-wen Т., Yu-min S., Peng Z., Cheng-yu W., Hai Y. Monte Carlo simulation for the sputtering yield of SisN4 thin film milled by focused ion beams //Optoelectronics letters. 2008. Vol. 4. №4. P. 273-275.

87. Volkert C.A., Minor A.M. Focused ion beam microscopy and micromachining// MRS bulletin. 2007. Vol. 32. P. 389-399.

88. Ali M., Hung W., Yongqi F. A review of focused ion beam sputtering // International journal of precision engineering and manufacturing. 2005. Vol. 11. №1. P. 157-170.

89. Stomeo T., Visimberga G., Todaro M.T. Rapid prototyping of two-dimensional photonic crystal devices by a dual beam focused ion beam system // Microelectronic Engineering. 2005. №78-79. P. 417-421.

90. Kim H., Hobler G., Lugstein A. Simulation of ion beam induced micro/nano fabrication // J. Micromech. Microeng. 2007. Vol. 17. P. 1178-1183.

91. Tseng A., Insua I., Park J., Chen C. Milling yield estimation in focused ion beam milling of two-layer substrates // J. Micromech. Microeng. 2005. №15. P. 20-28.

92. Ali M., Hung W. Surface roughness of sputtered silicon surface modeling // Materials and manufacturing processes. 2001. Vol. 16. № 3. P. 297313.

93. Kim H., Hobler G., Steiger A., Lugstein A., Bertagnolli E. Full three-dimensional simulation of focused ion beam micro/nanofabrication // Nanotechnology. 2007. №18 (245303). P. 1-8.

94. Kalyanasundaram N., Freund J., Johnson H. A multiscale crater function model for ion-induced pattern formation in silicon // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. №21 (224018). P. 1-9.

95. Birkgan S.E., Bachurin V.I., Rudy A. S., Smirnov V. K. Modelling of surface topography development during ion sputtering of solids // Radiation effects & defects in solids. 2004. Vol. 00. P. 1-10.

96. Ishitani T., Yaguchi T. Cross-sectional sample preparation by focused ion beam: a review of ion-sample interaction // Microscopy research and technique. 1996. № 35. P. 320-333.

97. Kubena R.L., Ward J.W. Current density profiles for a Ga+ ion microprobe and their lithographic implications // Appl. Phys. Lett. 1987. № 51. P. 1-3.

98. Han J., Lee H., Min В., Lee S. Prediction of nanopattern topography using two-dimensional focused ion beam milling with beam irradiation intervals // Microelectronic Engineering. 2010. №87. P. 1-9.

99. Айнспрук, H. Плазменная технология в производстве СБИС / под ред. Н. Айнспрука, Д. Брауна. М: Мир, 1987. 465 с.

100. Lee H., Han J., Min В., Lee S. Geometric compensation of focused ion beam machining using image processing // Applied physics express. 2008. №1. P. 127002-1 -127002-3.

101. Bischoff L., Teichert J., Heera V. Focused ion beam sputtering investigations on SiC // Applied surface science. 2001. № 184. P. 372-376.

102. Li W., Lalev G., Dimov S., Zhao H., Pham D. A study of fused silica micro/nano patterning by focused-ion-beam // Applied surface science. 2007. №253. P. 3608-3614.

103. Gierak J., Bourhis E., Merrat M. Exploration of the ultimate patterning potential achievable with focused ion beams // Microelectronic engineering. 2005. № 78-79. P. 266-278.

104. Yongqi Fu, Ngoi Kok Investigation of aspect ratio of hole drilling from micro to nanoscale via focused ion beam fine milling // Innovation in Manufacturing Systems and Technology (IMST). 2005. № 01. P. 1-5.

105. Munoz-Garcia J., Cuerno R., Castro M. Coupling of morphology to surface transport in ion-beam-irradiated surfaces: normal incidence and rotating targets // J. Phys.: condens. Matter. 2009. № 21 (224020). P. 1-12.

106. Черняев В.Н., Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. М., 1987. 358 с.

107. Кравченко А.Ф., Овсюк В.Н. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности. Новосибирск: Изд-во Новосиб. ун-та, 2004. 448 с.

108. Борисенко В.Е., Ворьбьева А.И., Уткина Е.А. Наноэлектроника / под ред. В.Е. Борисенко. М.: Бином. Лаборатория знаний, 2009. 223 с.

109. Ю.А. Новиков, A.B. Раков, П.А. Тодуа Нанотехнология и нанометрология // Труды института общей физики им. A.M. Прохорова. 2006. Т. 62. С. 3-13.

110. Окрепилов, В.В. Стандартизация и метрология в нанотехнологиях. Спб.: Наука, 2008. 260 с.

111. Каталог аксессуаров компании «Нанотехнология-МДТ» электронный ресурс. URL: http://www.ntmdt.ru (дата обращения 1.03.2011).

112. Menozzi С., Calabri L., Facci Р., Pingue P., Dinelli F., Baschieri P. Focused ion beam as tool for atomic force microscope (AFM) probes sculpturing // Journal of Physics: Conference Series. 2008. №126. P. 1-4.

113. XV Международного симпозиума «Нано физика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 14-18 марта 2011. С. 533-534.

114. Xia J.S., Tominaga R., Usami N., Iwamoto S. Resonant photoluminescence from Ge self-assembled dots in optical microcavities // Journal of crystal growth. 2009. №311. P. 883-887.

115. Быков В.А. Разработка и освоение производства приборов и оборудования для нанотехнологии // Российские нанотехнологии. 2007. Т. 2. № 1-2. С. 32-36.