Методы сканирующей зондовой микроскопии в исследовании поверхностных наноструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Еремченко, Максим Дмитриевич

• Еремченко, Максим Дмитриевич
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Еремченко, Максим Дмитриевич

Введение

Глава I. Современное состояние и проблемы зондовой микроскопии

1.1. Устройство и основные типы конструкций сканирующих зондовых микроскопов

1.1.1. Основные типы виброзащиты

1.1.2. Конструкции устройства сближения зонда и образца

1.1.3. Основные типы устройств сканирования

1.1.4. Системы регистрации сигнала

1.2. Анализ применяющихся в зондовой микроскопии режимов работы

1.2.1. Режимы работы туннельного микроскопа

1.2.2. Основные режимы, применяющиеся в атомно-силовой микроскопии

1.3. Некоторые результаты исследований поверхности методами зондовой микроскопии

1.3.1. Обзор работ в области туннельной микроскопии

1.3.2. Обзор результатов применения атомно-силовой микроскопии

Глава II. Разработка конструкции механической части зондового микроскопа

2.1. Особенности конструкции и оценки шумовых характеристик микроскопа

2.2. Конструкция механической части микроскопа

2.3. Исследование характеристик микроскопа на основе тестовых экспериментов

2.3.1. Измерения силы давления кантилевера на исследуемую поверхность

2.3.2. Измерения собственных частот колебаний механической части прибора

2.3.3. Изображения тестовых поверхностей

2.4. Математическая модель фазового контраста в тэппинг моде атомно-силовой микроскопии

Глава III. Исследования полупроводниковых объектов методами зондовой микроскопии

3.1. Исследования структуры сверхрешёток GaAlAs/GaAs

3.2. Исследования поверхностных гетероструктур GaAs/InGaAs

Глава IV. Результаты применения зондовой микроскопи в исследованиях молекулярных поверхностных структур

4.1. Исследования молекулярных кластеров фуллеренов Сбо

4.2. Исследования молекулярных монослоёв фуллеренов Сбо

Глава V. Результаты применения зондовой микроскопии для исследования биомолекулярных объектов

5.1. Исследования формы адсорбированных молекул ДНК

5.2. Применение зондовой микроскопии для регистрации и исследования структуры вирусов

5.2.1. Исследования структуры парвовируса методами туннельной микроскопии

5.2.2. Применение методов атомно-силовой микроскопии для регистрации вирусов

Заключение

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Методы сканирующей зондовой микроскопии в исследовании поверхностных наноструктур»

Введение.

Сканирующие зондовые микроскопы (СЗМ) были изобретены в начале 80-х годов исследовательской группой под руководством Г. Биннига и Г. Рорера. В 1982 году изготовлен сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) [1,2], а спустя несколько лет эта же группа предложила и реализовала конструкцию сканирующего атомно-силового микроскопа (АСМ) [3]. Метод исследования основан на применении специальных зондов, сканирующих исследуемую поверхность и взаимодействующих с ней.

В туннельном микроскопе [4,5] электропроводная игла подводится к поверхности на столь малое расстояние (~1 нм), что при наличии разности потенциалов (-0,1 В) между электродами возникает туннельный ток. Так как величина туннельного тока экспоненциально зависит от расстояния между электродами, то, измеряя изменение туннельного тока при сканировании, можно получать информацию о рельефе поверхности. При этом разрешение по вертикали достигает сотых долей нанометра и ограничивается уровнем шумов в системе и

п то

минимальным регистрируемым током (обычно 10" - 10" А). Разрешение по горизонтали определяется радиусом кривизны острия зонда, и может достигать атомарного, то есть десятых долей нанометра. Таким образом, туннельная микроскопия позволяет исследовать поверхности электропроводных материалов с атомарным разрешением.

В атомно-силовом микроскопе в качестве зонда используется кантилевер -специальная игла на гибкой пластине. Остриё такого зонда, взаимодействуя с атомами исследуемого образца, отклоняется, регистрация этого отклонения при сканировании формирует карту рельефа поверхности. Разрешение по вертикали, как и в случае туннельного микроскопа, определяется уровнем шумов в системе и чувствительностью системы регистрации отклонения зонда и достигает десятых долей нанометра при оптической системе регистрации изгиба кантилевера. Разрешение в плоскости образца определяется радиусом кривизны острия иглы, лежащем в диапазоне от 5 до 50 нм для различных моделей стандартных зондов. В лабораторных условиях изготавливаются острия с радиусом кривизны менее нанометра, при использовании таких зондов может быть достигнуто атомарное разрешение [6]. Сила взаимодействия кантилевера с поверхностью образца определяется в основном силами Ван-дер-Ваальса и, в зависимости от коэффициента упругости гибкого элемента зонда, лежит в пределах от 10"4 до 10"9 Н. При применении специальных методик (например, при работе в жидкостной ячейке [7] (см. п. 2.3)) сила взаимодействия может быть снижена до ~10"12 Н. При таких величинах воздействия зонда на образец не происходит разрушения исследуемых поверхностных объектов. Таким образом, атомно-силовая микроскопия позволяет исследовать рельеф поверхности твёрдых тел без нарушения её структуры с разрешением до десятых долей нанометра.

В настоящее время развито несколько специальных методик, расширяющих область применения зондовых микроскопов, детально эти методики будут рассмотрены далее. Кроме того, на базе туннельных и атомно-силовых микроскопов в последние годы созданы новые типы зондовых приборов, например, сканирующий оптический микроскоп ближнего поля [8], различные типы сканирующих

микроскопов с магнитными или электростатическими зондами [9,10], двухзондовые туннельные микроскопы [И], туннельные микроскопы с электрохимической ячейкой [12] и другие. Рассмотрение этих приборов выходит за рамки данной работы. Термин сканирующий зондовый микроскоп в данной работе будет использоваться в узком смысле комбинации сканирующих туннельного и атомно-силового микроскопов.

В последние годы зондовый микроскоп стал не уникальной лабораторной техникой, а прибором, широко используемым в различных областях науки и техники. Существует большое количество конструкций, адаптированных для решения различных задач узкого профиля. Около тридцати фирм и более сотни исследовательских групп в мире изготавливают специализированные модели зондовых микроскопов, позволяющие исследовать поверхности в различных средах в широком диапазоне внешних условий. Созданы микроскопы, работающие в высоком вакууме [13,14], при низких температурах [15], при высоких температурах [16] и в жидких средах [17]. Широкие возможности сделали этот метод необходимым при исследовании субмикронных и нанометровых объектов в микроэлектронной технологии, в биологии и в других областях.

Однако зондовые микроскопы с уникальными или рекордными характеристиками узкоспециализированы, трудны в эксплуатации и требуют большого количества дополнительного оборудования. Поэтому актуальными стали конструкции приборов, обладающих высокими эксплуатационными и техническими характеристиками при исследовании поверхности в атмосферных условиях. Невысокая цена и простота в управлении позволяют широко применять такие приборы для исследования различных типов поверхностных объектов.

Несмотря на большое количество предложенных конструкций зондовых микроскопов, лишь некоторые из них включают в себя не только туннельный, но и атомно-силовой микроскопы, в особенности, с наиболее простой в управлении оптической регистрацией отклонения зонда. До недавнего времени в мире было всего несколько конструкций зондовых микроскопов такого типа, подавляющее большинство их изготовлено компанией Digital Instruments (США), мировым лидером в данной области.

В нашей стране до недавнего времени не изготавливались приборы такого типа, а импортная техника дорога и не получила распространения. При этом предпочтительно, чтобы в распоряжении исследователя имелась возможность применять различные режимы как туннельной так и атомно-силовой микроскопии. В связи с тем, что использование туннельного микроскопа ограничивается в известной мере лишь проводящими объектами, область применения атомно-силовой микроскопии даже несколько шире. Сканирующая зондовая микроскопия находит применения в самых различных областях науки и техники: физико-химии поверхности и поверхностных структур, в полупроводниковой электронике и микроэлектронике, в исследованиях молекулярных структур и поверхностных покрытий, биомолекулярных и биологических объектов, причём нередко применение зондовой микроскопии позволяет получить уникальные результаты, которые либо невозможно, либо очень трудно получить другими методами. В связи с этим возникла задача разработки оригинальной конструкции универсального зондового микроскопа, работающего в атмосферных условиях.

Возможность применения туннельной и атомно-силовой микроскопии для решения различных задач определяется наличием не только прибора, но и специальных методик для исследования тех или иных объектов. Поскольку эта

техника находится ещё в процессе развития, пока не создан стандартный набор методик для широкого класса объектов, как, например, в электронной микроскопии. Поэтому для расширения области применения зондовой микроскопии актуально развитие методик и адаптация их для исследования различных типов объектов.

Целью диссертационной работы является разработка оптимальной конструкции механической части универсального сканирующего зондового микроскопа с высокими эксплуатационными характеристиками, а также развитие и совершенствование методов и методик исследования различных поверхностных объектов с помощью сканирующей зондовой микроскопии. В круг исследуемых задач входят:

- анализ факторов, определяющих эксплуатационные характеристики сканирующего зондового микроскопа, формулировка требований к механической части микроскопа и создание на их основе оптимальной конструкции универсального прибора, работающего в атмосферных условиях; оценка технических характеристик и возможностей разработанного микроскопа на основании тестовых экспериментов;

- выяснение механизмов контрастирования поверхностных объектов в различных режимах работы зондового микроскопа и исследование особенностей взаимодействия зонда атомно-силового микроскопа и исследуемой поверхности;

- создание и совершенствование комплексных методик зондовой микоскопии, позволяющих контрастировать изображения исследуемых структур и контролировать появление артефактов; применение и апробация этих методик при исследовании широкого класса поверхностных объектов - полупроводниковых гетероструктур, молекулярных слоёв и биологических объектов.

В первой главе диссертации описано современное состояние техники зондовой микроскопии, рассмотрены наиболее известные конструкции приборов и их основные режимы работы, приведены результаты некоторых экспериментов, демонстрирующих достигнутые к настоящему времени возможности зондовой микроскопии.

Во второй главе отражены работы, связанные с разработкой новой конструкции сканирующего зондового микроскопа. В первом параграфе сформулированы основные требования к прибору на основе рассмотрения достоинств и недостатков существующих конструкций зондовых микроскопов. Во втором параграфе проведены теоретические расчёты элементов механической части нового прибора, описана его конструкция. В третьем параграфе анализируются технические характеристики разработанного прибора на основе результатов тестовых экспериментов. В следующем параграфе предложена математическая модель взаимодействия зонда и образца, обосновывающая методику регистрации фазы, которая позволяет контрастировать изменение состава исследуемой поверхности в атомно-силовом режиме.

В третьей главе представлены разработанные комплексные методики зондовой микроскопии для анализа полупроводниковых структур в атмосферных условиях без химической пассивации поверхности, показана возможность выявления артефактов сравнением изображений, полученных в различных режимах работы прибора. Изложены результаты исследований сверхрешёток на основе арсенида галлия и квантовых точек на эпитаксиальных ОаАз подложках с применением этих методик, показаны возможности и преимущества метода при анализе подобных структур.

В четвёртой главе диссертации представлены методики зондовой микроскопии и результаты их применения для исследований молекулярных структур. В качестве модельного объекта рассмотрены молекулярные слои и кластеры фуллеренов с применением различных режимов туннельной и атомно-силовой микроскопии в атмосферных условиях.

В пятой главе рассмотрены экспериментальные данные, полученные при исследованиях морфологии биологических и биомолекулярных объектов - молекул ДНК и некоторых вирусов. Для визуализации этих объектов адаптировались различные методики зондовой микроскопии, показана принципиальная возможность применения данной техники для регистрации и исследования структуры биологических объектов.

В Заключении сформулированы выводы и основные результаты работы.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Еремченко, Максим Дмитриевич

Основные результаты проведённых экспериментов:

- показана принципиальная возможность исследования биомолекул и структуры вирусов методами сканирующей зондовой микроскопии;

- разработана методика применения режима сканирующей туннельной спектроскопии для исследования структуры вирусов и продемонстрированы её достоинства при исследовании структуры парвовируса;

- адаптированы методы атомно-силовой микроскопии и найдены условия их применимости для визуализации микробиологических объектов на твёрдой подложке;

- разработана методика атомно-силовой микроскопии для детектирования вирусов на клеточной мембране.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Целью данной работы было совершенствование аппаратуры и методов сканирующей зондовой микроскопии. В процессе работы был сконструирован зондовый микроскоп, разработаны методики исследования поверхности различных объектов в атмосферных условиях и проведены исследования широкого класса поверхностных структур нанометрового масштаба. Основные результаты представленной работы следующие:

- на основе анализа свойств зоядового микроскопа сформулированы критерии и требования к механической части прибора и разработана конструкция микроскопа, который не уступает зарубежным аналогам и позволяют исследовать различные поверхности;

- построенная модель взаимодействия зонда и образца в тэппинговом режиме позволила качественно обосновать метод фазового контраста;

- применение комплексных методик зондовой микроскопии позволило избежать появления артефактов при визуализаций поверхностных полупроводниковых гетероструктур типа сверхрешёток и квантовых точек на основе СаЛ8 в атмосферных условиях без проведения химической пассивации образца; проведённый анализ позволил установить причины контраста изображений;

- зарегистрированные особенности вольт-амперных характеристик молекул

Сбо, которые объяснены одноэлектронным туннелированием и эффектом

145 кулоновской блокады приложенного напряжения; получено молекулярное разрешение в режиме туннельной микроскопии и спектроскопии при исследовании молекулярных слоёв и кластеров фуллеренов в атмосферных условиях;

- проведённый сравнительный анализ структур, образуемых молекулами Сбо, их производными и их смеси с поверхностно-активным веществом при использовании метода Шефера для нанесения молекул на подложку позволил установить, что при перенесении слоя фуллеренов с поверхности воды на твёрдую подложку может происходить реструктуризация плёнки в кластеры, размеры которых зависят от свойств подложки;

- разработанная методика использования зонда атомно-сйлового микроскопа в качестве микроманипулятора для удаления плёнки с участков поверхности подложки позволяет измерять толщину плёнки и создавать поверхностные структуры;

- методы сканирующей атомно-силовой микроскопии, туннельной микроскопии и спектроскопии могут быть применены для визуализации и исследования структуры вирусов и молекул ДНК на твёрдой подложке в атмосферных условиях; разработанная методика позволяет детектировать вирусы на клеточной мембране.

Направление, в рамках которого выполнена диссертационная работа, предоставляет широкие возможности применения методов сканирующей зондовой микроскопии в исследованиях различных классов поверхностных объектов. Адаптация методик зондовой микроскопии позволяет ставить задачи внедрения их в области контроля поверхностных полупроводниковых структур. Особый интерес представляет развитие исследований биологических объектов методами зондовой микроскопии в жидкой среде.

Полученные результаты опубликованы в 20 печатных работах (12 статей, 1 патент и 7 кратких тезисов на конференциях) [29,30,108,118-123,134,137144,147,148], докладывались на 14 международных конференциях:

1. Международная конференция "Микроэлектроника и автоматика", Зеленоград, декабрь 1993.

2. Международная конференция по сканирующей туннельной микроскопии, 1993, Пекин, Китай. (International Conference on Scanning Tunneling Microscopy, 1993, Beijing, China.)

3. XXIX международный коллоквиум по спектроскопии, 27 августа - 1 сентября

1995, Лейпциг, Германия. (XXIX Colloquium Spectroscopicum International, Aug. 27-Sep. 1,1995, Leipzig, Germany.)

4. 7ая международная конференция по организованным молекулярным плёнкам, 10—15 сентября 1995, Анкона, Италия. (7th International Conference on Organized Molecular Films, Sep. 10-15,1995, Ancona, Italy.) j международный семинар специалистов по оценке и контролю составных полупроводниковых материалов и технологий, 12-15 мая 1996, Фрейбург, Германия. (3rd International Workshop on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies, May 12-15,1996, Freiburg, Germany.)

6. Международный симпозиум "Наноструктуры: физика и технология", 24-28 июня

1996, Санкт-Петербург, Россия. (International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". Jun. 24-28, 1996, St.Petersburg, Russia.)

7. 23ии международный симпозиум по составным полупроводникам, 23-27 сентября 1996. Санкт-Петербург, Россия. (23rd Intern. Symp. Compound Semiconductors. Sep. 23-27,1996, St.Petersburg, Russia.)

8. 7ой европейский семинар по металл органической газофазной эпитаксии и связанным технологиям, 8-11 июня, Берлин, Германия. (7th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques. Jun. 8-11,1997, Berlin, Germany.)

9. Международный симпозиум "Наноструктуры: физика и технология", 23-27 июня 1997, Санкт-Петербург, Россия. (International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". Jun. 23-27,1997, St.Petersburg, Russia.)

10. 8ая международная конференция по организованным молекулярным плёнкам, 24-29 августа 1997, Асиломар, США. (8th International Conference on Organized Molecular Films. Aug. 24-29, 1997, Asilomar, USA.)

11. Объединённая международная встреча Электрохимического общества и Международного общества электрохимии, 31 августа -5 сентября 1997, Париж, Франция. (Joint International Meeting the Electrochemical Society and the International Society of Electrochemistry. Aug. 31 - Sept. 5,1997, Paris, France.)

12. 7ая международная конференция по опознаванию дефектов и обработке изображений, 7-10 сентября 1997, Темплин, Германия. (International Conference Defect Recognition and Image Processing VII. Sept. 7-10,1997, Templin, Germany.)

13. 7ая европейская конференция по спектроскопии биологических молекул, 7-12 сентября 1997, Мадрвд, Испания. (7th European Conference on Spectroscopy of Biological Molecules. Sept. 7-12, 1997, Madrid, Spain.)

14. Международная конференция по новым антираковым веществам, 12-15 октября, 1997, Афины, Греция. (International Conference on New Anticancer Agents. Oct. 12-15, 1997, Athens, Greece.)

Сконструированный прибор демонстрировался на российских и международных выставках и отмечен золотой медалью с отличием на всемирной Брюссельской выставке изобретений в 1997 году.

Разработанный макет прибора испытан и изготавливается в фирме "НТ-МДТ" при НИИ физических проблем и в настоящее время используется в ряде исследовательских организаций.

В заключение выражаю благодарность моему научному руководителю проф. В. А. Федирко, а также проф. И.Р. Набиеву и д-ру Ф.Коллери за организацию работ с биологическими объектами, к.ф-м.н. В.Р. Новаку, С.Л. Воробьёвой, В.М. Данильцеву, О.И. Хрыкину, В.И. Шашкину, А.И. Янулю, И.А. Будашёву за приготовление образцов и проведение вспомогательных измерений, A.B. Беляеву и В.В. Жижимонтову за обсуждение результатов и помощь в работе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Еремченко, Максим Дмитриевич, 1998 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. G.Binnig, H.Rohrer, CkGerber and E.Weibel. Tunneling through a controllable vacuum gap. Appl. Phys. Lett. 40 (1982), 178.

2. G.Binnig, H.Rohrer et al. Surface studies by scanning tunneling microscopy. Phys. Rev, Lett. 49 (1982), N1,57.

3. G.Binnig, C.F.Quate and Ch.Gerber. The atomic force microscopy. Phys. Rev. Lett. 56 (1986), 930.

4. И.П.Ревокатова, А.П.Силин. Вакуумная туннельная микроскопия - новый метод изучения поверхности твёрдых тел. УФН, 142, №1 (1984), 159 - 162.

5. В.С.Эдельман. Развитие сканирующей туннельной микроскопии. УФН, 161, №3 (1991), 168- 170.

6. Y.Sugawara, M.Ohta, H.Ueyama and S.Morita, F.Osaka and S.Ohkouchi, M.Suzuki, S.Mishima. Atomic resolution imaging of InP(l 10) surface observed with ultrahigh vacuum atomic force microscope in noncontact mode. J. Vac, Sci. Technol, В 14(2), Mar/Apr (1996), 953 - 956.

7. P.K.Hansma and B.Drake. Atomic force microscope with optional replaceable fluid ceil. U.S. Patent N 4,935,694. June 19,1990.

8. L.ANagahara, H.Tokumoto. Scanning near-field optical microscopy/spectroscopy of thin organic films. J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), Mar/Apr (1996), 800 - 803.

9. T.Homma, Y.Kurokawa, T.Nakamura and T.Osaka. Magnetic force microscopy analysis of the micromagnetization mode of double-layered perpendicular magnetic recording media. J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), Mar/Apr (1996), 1184 - 1187.

10. M.Fujihira and H.Kawate. Structural study of Langmuir - Blodgett films by scanning surface potential microscopy. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 1604 - 1608.

11. H.Kawakatsu, T.Higuchi, H.Kougami, M.Kawai, M.Watanabe, Y.Hoshi and N.Nishioki. Comparison measurement in the hundred nanometer range with a crystalline lattice using a dual tunneling-unit scanning tunneling microscope. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 1681 - 1685.

12. P. Allongue and V.Bertagna, V.Kieling, H.Garischer. Probing by in situ scanning tunneling microscopy the influence of an organic additive on Si etching in NaOH. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 1539 - 1542.

13. T.Muller, T.Kasser, M.Labardi, M.Lux-Steiner, O.Marti, J.Mlynek and G.Krausch. Scanning force microscopy at highly oriented polycrystalline graphite and CuP2(100) surfaces in ultrahigh vacuum. J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), Mar/Apr (1996), 1296- 1301.

14. В.М.Свистунов, М.А.Белоголовский, А.И.Дьяченко. Вакуумная туннельная микроскопия и спектроскопия. УФН, 154, №1 (1988), 153 - 160.

15. R.Gaisch, R.Berndt and W.-D.Schneider. Internal structure of Сбо on Au(l 10) as observed by low-temperature scanning tunneling microscopy. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 2153 - 2155.

16. S.Olthoff and M.E. Welland. High-temperature scanning tunneling microscopy study of the Li/Si(l 11) surface. J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), Mar/Apr (1996), 1019 - 1023.

17. G.Y.Chen and R.J.Warack, P.I.Oden and T.Thundat. Transient response of tapping scanning force microscopy in liquids. J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), Маг/Apr (1996), 1313 - 1317.

18. Yu.Moiseev, V.I.Panov, S.V.Savinov and V.Yaminsky. Local probing instrumentation at Advanced Technologies Center: surface and force devices with tunneling sensor. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 1690 - 1693.

19. R.S.Howland. How to buy a scanning probe microscope. Copyright by Park Scientific Instruments, 1993.

20. S.C.Meepagala, F.Real, C.B.Reyes, A.Novoselskaya, Z.Rong and E.Wolf. Compact Scanning Tunneling microscope with easy-to-construct X-Z inertial sample translation. J. Vac. Sci. Technol. A 8(4), Jul/Aug (1990), 3555 - 3557.

21. А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов, В.А.Тимофеев и С.Я.Типисев. Пьезоэлектрическое устройство перемещения. Авторское свидетельство SU 1541741 Al, 1987.

22. X. Yao, L.Xu, L.Zhang, J.Hu, G.Ge, P.Gong, Y.Xu, S.Lu and M.Li. Piezoelectric sliding - pushing micropositioner in a scanning tunneling microscope. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 1646 - 1647.

23. В.В.Кислов, В.ИПанов, С.И.Васильев, И.Э.Невернов, С.Д.Алкперов, А.Г.Амельченко, А.А.Ксин и И.Ф.Балакирев. Пьезоэлектрический привод. Авторское свидетельство SU 1800575 Al, 1990.

24. L.N.Rapp. Electromechanical translation apparatus. US Patent N 4874979,1989.

25. B.Binnig and H.Rohrer. Scanning tunneling microscopy. Helvetica Physica Acta 55 (1982), 726 - 735.

26. G.Binnig and D.P.E.Smith. Single-tube three-dimensional scanner for tunneling microscopy. Rev. Sci. Instrum. 57 (1986), Aug., 1688.

27. Y.Miyazaki, Y.Koga. Scanning tunneling microscope installed in electron microscope. US Patent N4798989,1989.

28. V.B.Elings, J.A.Gurley. Positioning device for a scanning tunneling microscope. US Patent N4871938,1989.

29. В.А.Быков, А.В.Беляев, М.Д.Ерёмченко, В.В.Жижимонтов, А.В.Иконников, С.Ф.Кацур, В.В.Редченко, С.А.Саунин. Новый сканирующий туннельный микроскоп и его применение при исследовании молекулярных плёнок. Электронная промышленность. № 7-8 (1994), стр. 168 - 172.

30. А.В.Иконников, С.Ф.Кацур, М.Д.Ерёмченко, С.А.Саунин, С.А.Шикин, В.А.Быков. Сканирующий туннельный микроскоп и головка для него. Патент RU №2069056 С1.

31. G.K.Binnig. Atomic force microscope and method for imaging surfaces with atomic resolution. US Patent N4724318,1985.

32. N.M.Amer, G.Meyer. Atomic force microscopy. European patent application N 91112362.8, Publication N 0480136A1,1991.

33. D.Rugar, H. J.Mamin and P.Guethner. Improved fiber-optic interferometer for atomic force microscopy. Appl. Phys. Lett. 55 (1989), N 25,2588 - 2590.

34. M.Ohta, Y.Sugawara and S. Morita, H.Nagaoka, S.Mishima and T.Okada. Ultrahigh vacuum atomic force microscopy with cleaving mechanism. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 1705 - 1707.

35. T.Itoh and T.Suga. Scanning force microscope using a piezoelectric microcantilever. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 1581 - 1585.

36. R.Linnemann, T.Gotszalk, .W.Rangelow, P.Dumania and E.Oesterschulze. Atomic force microscopy and lateral force microscopy using piezoresistive cantilevers. J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), Mar/Apr (1996), 856 - 860.

37. Й.Живер. Туннельный переход в системе металл - изолятор - металл. В сборнике "Туннельные явления в твёрдых телах" под ред. В. И. Пере ля, "Мир", Москва, 1973.

38. L.Scandella, E.Meyer, L.Howard, R.Luthi andM.Guggisberg, J.Gobrecht, H.-J.Guntherodt. Friction forces on hydrogen passivated (110) silicon and silicon dioxide studied by scanning force microscopy. J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), Mar/Apr (1996), 1255 - 1258.

39. C.Ascoli, F.Dinelli, C.Frediani, D.Petracci and M.Salerno, M.Labardi, M.Allegrini and F.Fuso. Normal and lateral forces in scanning force microscopy. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 1642 - 1645.

40. M.Heuberger, G.Dietler and .Schlapbach. Mapping the local Young's modulus by analysis of the elastic deformations occurring in atomic force microscopy. Nanotechnology 5 (1994), 12 - 23.

41. Y.Martin, C.C.Williams andH.K.Wickramasinghe. Atomic force microscope-force

mapping and profiling on a sub 100-5 scale. I Appl. Phys. 61 (1987), N 10,4723 - 4729.

42. R.Luthi, E.Meyer, L.Howard, H.Haefke, D.Anselmetti, M.Dreier, M.Ruetschi, T.Bonner, R.M.Overmey, J.Frommer and H.-J.Guntherodt. Progress in noncontact dynamic force microscopy. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 1673 - 1676.

43. M.A.George, K.-T.Chen, W.E.Collins and A.Burger. Layered heavy metal iodides examined by atomic force microscopy, J, Vac, Sci, Technol, В 14(2), Маг/Apr (1996), 1096- 1104.

44. Q.Zhong, D.Innis, K.Kjoller, V.B.HIlings. Surf, Sci, 290 (1993), L 688.

45. А.А.Бухараев, Д.В.Овчинников, А.А.Бухараева. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии (обзор). Заводская лаборатория. №5, 1997,10 ~ 27.

46. J.Schneir, J.S.Villarubia, T.H.McWaid, V.W.Tsai and R.Dixon. Increasing the value of atomic force microscopy process metrology using a high-accuracy scanner, tip

characterization, and morphological image analysis. J. Vac. Sci. Technol. B 14(2), Mar/Apr (1996), 1540 - 1546,

47. S.Dongmo, M.Troyon and P. Vautrot, E.Delain, N. Bonnet. Blind restoration method of scanning tunneling and atomie force microscopy images. J. Vac. Sci. Technol. B 14(2), Mar/Apr (1996), 1552- 1556.

48. W.M.Heckl, G.Binnig, Domain walls on graphite mimic PNA Uitramicroscopy 42 -» 44 (1992), 1073 - 1078.

49. T.Endo, H.Yamada, T.Simomogi and T.Kino, N.Kusunoki, S.Morita. Observation of lattice defects using scanning tunneling microscopy/spectroscopy at low temperature. J. Vac. Sci, Technol. B 12(3), May/Jun (1994), 1652 - 1654,

50. J.T.Li, R.Berndt, R.Gaisch and W.-D.Schneider. Vicinal surfaces of Au(llO) and Ag(l 10) investigated by scanning tunneling microscopy. J. Vae. Sci. Technol. B 14(2), Mar/Apr (1996), 1149- 1152.

51. A.Cricenti and M.A.Scarselli, R.Paleari and AMosea. Sample preparation for scanning tunneling microscopy imaging of proteins: characterization of gold surfaces chemically modified with a disulfide reagent. J. Vac. Sci. Technol. B 12(3), May/Jun (1994), 1494 -1496.

52. S.L.Tang and A,J.McGhie, Imaging individual chaperonin and immunogobulin G molecules with scanning tunneling microscopy. Langmuir, N 12 (1996), 1088 - 1093.

53. HTanaka and T,Kawai, Distinct imaging of the nucleic acid bases on SrTiG3(100) surface by scanning tunneling microscopy. J. Vac. Sci. Technol. B 13(4), Jul/Aug (1995), 1411 - 1414.

54. H.D.GobeJ, J.K.H.Horber, Ch.Gerber, A.I.eitner and TW.Mansch. Molecular structures of lipid monolayers on ITQ glass and on Graphite imaged by an STM. Uitramicroscopy 42 - 44 (1992), 1260 = 1268.

55. R.Guckenberger, F.T.Arce, A.Hillebrand and T.Hartmann. Imaging of uncoated tobacco mosaic virus by scanning tunneling mieroscopy. J. Vac. Sei. Technol. B 12(3), May/Jun (1994), 1508- 1511.

56. V. A.Bykov and V.A.Fedirko. Scanning probe microscopy for biological object investigation. "Spectroscopy of Biological Molecules", ed. by J.C.Merlin, S.Turrell and J.P.Huvenne. Kliver Acad. Publ., Dordrecht/Boston/London, 1995, p. 471 - 472.

57. M.-C.Parker, M.C.Davies and S.J.B.Tendier. Hydrogen bonding molecules and their effect on scanning tunneling microscope image contrast of coyalently immobilized protein molecules. J. Vac. Sei. Technol. B 14(2), Mar/Apr (1996), 1432 - 1437.

58. P,-C,Zhang, CBai, Y.-J,Cheng, Y,Fang and Z,-H,Wang, X-T:tiuang: Topographical structure of pBR322 DNA studied by scanning tunneling microscope and atomic force microscope. J. Vac. Sei. Technol. B 12(3), May/Jun (1994), 1461 - 1464.

59. J.Rocca-Serra, J.Thimonier, J.-P.Chauvin and J.Barbet Scanning tunneling microscopy of the immunoglobulin super family. J. Vac. Sei. Technol. B 12(3), May/Jun (1994), 1490 - 1493,

60. K.M.Kreusel, J.R.Adair, and N.R. A.Beeley, M.C.Davies, D.E.Jackson, C.J.Roberts, S.J.B.Tendier and P.M.Williams. Conformational differences in two mutant hinge IgG4 antibodies observed by scanning tunneling microscopy. J. Vac. Sei. Technol. B 12(3), May/Jun (1994), 1517 - 1520.

61. T.Komura and M.Yoshimura, T.Yao. Atomic structure of the steps on Si(001) studied by scanning tunneling microscopy. J. Vac. Sei. Technol. B 14(2), Mar/Apr (1996), 906 -908.

62. F.Owman and P.Martensson. Scanning tunneling microscopy study of SiC(OOOl) surface reconstruction. J. Vac. Sei. Technol. B 14(2), Mar/Apr (1996), 933 - 937.

63. Ph.Bumas, M.Gu, C.Syrukh, A.Hallimapui and F.Salvan, J.K.Gimzewski. Nano.struetw-ing of porous, s¡ilie$n wtog. ВДешзев.ру. J- Yae. S.ci-Technol, В 12(3), May/Jun (1994), 2067 - 2069.

64. Y.Haga, S.Miwa and E.Mor-ita. Fine structure of the GaAs(QOl) surface. J. Yac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 2107 - 2110,

65. P.Moriarty, P.H.Beion and M.Henini, D.A. Wpplf. Islands,,, trimer, and chain formation on the Sh-terminated GaAs( 111 )B surface. J. Yac. Sci. Technpl. В 14(2), Mar/Apr (1996), 1024 - 1028.

66. J.F.Zheng, D.F.Ogletree, J.Walker, M.Salmeron, E.R.Weber. Cross-sectional scanning tunneling microscopy of semiconductor vertical-emitting laser structure. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 2100 - 2103.

67. J.S.Ha, S.-B.Kim, S.-J.Park andE.-H.Lee. Surface morfology of (iffl^Sx-treated GaAs(lOO) investigated by scanning tunneling microscopy. Jpn, J. Appl. Phys. 34 (1995), 1123 - 1126.

68. p.Moriarty, В.МифЬу and G.Hughes. Seanning tunneling microscopy study of the ambient oxidation of passivated GaAs(lOO) surfaces. J. Vac. Sci. Technol. A 11(4), Jul/Aug (1993), 1099- 1105.

69.1.Tanaka, T.Kato, S.Ohkouchi and F.Osaka. Observation of multiquantum well structure in air using a scanning tunneling microscope. J. Vac. Sci. Technol. A 8(1), Jan/Feb (1990), 567 - 570.

70. В.К.Неволин. Основы туннельно-зондовой нанотехнологии. Учебное пособие. Москва, МГИЭТ (ТУ), 1996.

71. В.К.Неволин. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии. Электронная промышленность. 1993, №10, 8 - 15

72. В.К.Неволин. Нанотехнология в газовых средах с помощью туннельного микроскопа. Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. Вып. 1(135) (1990), 27 -29.

73. В.К.Неволин. Пластическая нанодеформация образцов в туннельном микроскопе. Письма в ЖТФ. 14 (1988), №16, 1458 - 1460.

74. A.W.Dunn, P.H.Beton and P.Moriarty. Сбо manipulation and cluster formation using a scanning tunneling microscope. J. Vac. Sci. Technol. В 14(3), May/Jun (1996), 1596 -1599.

75. C.R.K.Marrian and E.A.Dobisz. High-resolution lithography with a vacuum STM. Ultramicroscopy, 42 - 44 (1992), 1309 - 1316.

76. K.Matsumoto, M.Ishii and K.Segawa. Application of scanning tunneling microscopy nanofabrication process to single electron transistor. J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), Маг/Apr (1996), 1331 - 1335.

77. K.Kragler, E.Gunther, R.Leuschner, G.Falk and H.von Seggern, G.Saemann-Ischenko. Low-voltage electron-beam lithography with scanning tunneling microscopy in air: a new method for producing structures with high aspect ratios. J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), Mar/Apr (1996), 1327- 1330.

78. G.K.Binnig, R.M.Feenstra, R.T.Hodgson, H.Rohrer, J.M.Woodall. Narrow line width pattern fabrication. U.S. Patent N 4550257, 1985.

79. R.M.Overney, D.P.Leta and L.J.Fetters, Y.Liu, M.H.Rafailovich and J.Sokolov. Dewetting dynamic and nucleation of polymers observed by elastic and friction force microscopy. J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), Mar/Apr (1996), 1276 - 1279.

80. M.Labardi and M.Allegrini, E.Marchetti and P.Sgarzi. Scanning force microscopy of polyolefinic ribbers in homopolypropylene matrices. J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), Mar/Apr (1996), 1509- 1512.

81. D.Anselmetti, M.Dreier, R.Luthi, T.Richmond, E.Meyer, J,Frommer and H.-J.Guntherodt. Biological materials studied with dynamic force microscopy. J. Vac. Sci. Technol. B 12(3), May./Jun (1994), 1500 - 1503.

82. S.N.Magonov, M.-H. Whango. Surface analysis with STM and AFM. VCH Verlags gesellschalt mbH, 1996.

83. Z.Shao, J.Mou, D.M.Czaikowsky, J.Yang and J.-Y. Yuan. Biological atomic force microscopy: what is achieved and what is needed. Advances in Physics. 45 (1996), N1, 1-86.

84. H.G.Hansma. Atomic force microscopy of biomolecules. J. Vac. Sci. Technol. B 14(2), Mar/Apr (1996), 1390 - 1394.

85. Y.L. Lyubchenko and L.S.Shlyakhtenko. Visualization of supercoiled DNA with atomic force microscopy in situ. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 94 (1997), 496 - 501.

86. E.Droz, M.Taborelli and P.Descouts, T.N.C.Wells, R.C.Werlen. Covalent immobilization of immunoglobulins G and Fab fragments on gold substrates for scanning force microscopy imaging in liquids. J. Vac. Sci. Technol. B 14(2), Mar/Apr (1996), 1422 - 1426.

87. P.Hallet, L.Tskhovrebova, J.Trinick and G.Offer, M.J.Miles. Improvements in atomic force microscopy protocols for imaging fibrous proteins. J. Vac. Sci. Technol. B 14(2), Mar/Apr (1996), 1444 - 1448.

88. A.Ikai, K.Imai, K.Yoshimura and M.Tomitori, O.Nishikawa, R.Kokawa, M.Kobayashi and M. Yamamoto. Scanning tunneling microscopy/atomic force microscopy studies of bacteriophage T4 and its tail fibers. J. Vac. Sci. Technol. B 12(3), May/Jun (1994), 1478 -1481.

89. M.Fritz, M.Radmacher, N.Petersen, H.E.Gaub. Visualization and identification of intercellular structures by force modulation microscopy and drug induced degradation. J. Vac. Sci. Technol. B 12(3), May/Jun (1994), 1526 - 1529.

90. T.Shibata-Seki, W.Watanabe and J.Masai. Imaging of cells with atomic force microscopy operated at a "tapping" mode. J. Vac. Sci. Technol. B 12(3), May/Jun (1994), 1530 - 1534.

91. J.Mosbacher, W.Haberle, J.K.H.Horber. Studying membranes with scanning force microscopy and patch-clamp technique. J. Vac. Sci. Technol. B 14(2), Mar/Apr (1996), 1449 - 1452.

92. H.P.Lang, B.Erler, A.Rossberg, M.Piechotka andE.Kaldis, H.-J.Guntherodt. Layer-by-layer etching of Hgli films and crystals by scanning force microscopy. J. Vac. Sci. Technol. B 14(2), Mar/Apr (1996), 970 - 973.

93. D.O.Henderson, Y.S.Tung, R.Mu, A.Ueda and W.E.Collins, A.Burger and K.T.Chen, D.O.Frazier. Atomic force microscopy of mercury iodide crystal grows from porous media at room temperature. J. Vac. Sci. Technol. B 14(2), Mar/Apr (1996), 1083 - 1089.

94. C.C.Hsu, Y.C.Lu, J.B.Xu, T.K.S.Wong and I.H.Wilson. Spiral grows of GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy. J. Vac. Sci. Technol. B 12(3), May/Jun (1994), 21152117.

95. N.Umeda, K.Makino, T.Takahashi and A.Takayanagi. Charge deposition and imaging on a fluoride thin film using the scanning force microscope. J. Vac. Sci. Technol. B 12(3), May/Jun (1994), 1600 - 1603.

96. M.Lohndorf, A.Wadas and R.Wiesendanger, H.W.van Kesteren. Domain structure of Co/Pt multilayers studied by magnetic force microscopy. J. Vac. Sci. Technol. B 14(2), Mar/Apr (1996), 1214 - 1216.

97. J.Garnaes, T.Bjornholm, J.A.N.Zasadzinski. Nanoscale lithography onLangmuir -Blodgett films of behinic acid. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 1839 -1842.

98. M.Fujihira and H.Takano. Atomic force microscopy and friction force microscopy of Langmuir - Blodgett films for microlithography. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 1860- 1865.

99. J.Hu, R.W.Carpick and M.Salmeron, X.Xiao. Imaging and manipulation of nanometer-size liquid droplets by scanning polarization force microscopy. J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), Mar/Apr (1996), 1341 - 1343.

100. K. Yano, R.Kuroda, Y.Shimada, S.Shido, M.Kyogaku, H.Matsuda, K.Takimoto, K.Eguchi and T.Nakagiri. Information storage using conductance change of Langmuir -Blodgett film and atomic force microscope/scanning tunneling microscope. J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), Mar/Apr (1996), 1353 - 1355.

101. Ф.Крауфорд. Волны. Берклеевский курс физики, том III, «Наука», Москва, 1976.

102. Л.Д.Ландау и Е.М.Лифшиц. Теория упругости. «Наука», Москва, 1965.

103. Химическая энциклопедия, Издательство "Советская энциклопедия", Москва, 1988.

104. L.Vazquez, J.A.Martin-Gago, F.Comin and S.Ferrer. Scanning tunneling microscopy observation of the initial stages of growth of carbon films grown by pulsed laser vaporization of graphite. Ultramicroscopy 42 - 44 (1992), 616 - 623.

105. R.Coratger, AChahboum, V.Sivel, F.Ajustron and J.Beauvillain. Scanning tunneling microscopy of the damage induced ion bombardment on a graphite surface. Ultramicroscopy 42 - 44 (1992), 653 - 659.

106. T.Endo, H.Yamada, T.Sumomogi, K.Kuwahara, S.Morita and T.Kino. Atomic-resolution images of structural defects on microcrystalline graphite. Ultramicroscopy 42 -44 (1992), 674 - 678.

107. Н.Н.Боголюбов, Ю.М.Митропольский. Асимптотические методы в теории нелинейных колебаний. ФМ, «Наука», 1974, с. 503.

108. В.А.Федирко, М.Д.Ерёмченко. Математическая модель амплитудного и фазового контраста в тэппинговом режиме атомно-силовой микроскопии. В кн. «Фундаментальные физико-математические проблемы и моделирование технико-технологических систем.», Тем. сб. МММ РАН и МГТУ «Станкин». Изд. МГТУ «Станкин», 1998,205 - 209.

109. V.J.Vitukhin, I.V.Zakurdaev and A.I.Rudenko. Scannong tunneling microscopy of GaAs surfaces under ambient condition. Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of the International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St.Petersburg, Russia. June 26 - 30,1995), p. 416 - 419.

110. O.J.Glembocki, E.S.Snow, C.R.K.Marrian, S.M.Prokes andD.S.Katzer. Nanoscale photovoltaic imaging using the scanning tunneling microscope. Ultramicroscopy 42 - 44 (1992), 764-770.

111. J.A.Dagata, W.Tseng, J.Bennett, J.Schneir andH.H.Harary. Imaging of passivated ПТ-V semiconductor surfaces by scanning tunneling microscope operating in air. Ultramicroscopy 42 - 44 (1992), 1288 - 1294.

112. S.Muller, J.L.Weyher, R.Dian, W. Jantz. Progress in the layer thikness determination of AlGaAs/GaAs heterostructures using selective etching and AFM imaging of the (110) cleavage planes. Material Science & Engineering B44 (1997), 96 - 100.

113. М.Н.Дроздов, В.М.Данильцев, Н.Н.Салащенко, Н.И.Полушкин, О.И.Хрыкин, В.И.Шашкин. Послойный Оже-аналнз сверхвысокого разрешения: проблема минимизации аппаратурных погрешностей. Письма в ЖТФ, 21 (1995), N 18,1 - 7.

114. G.Attolini, E.Chimenti, C.Pelosi, P.P.Lottici, R.Carles. Surface morphology and Raman scattering in GaAs/InAs(l 11) heterostructures grown by MOVPE. Material Science & Engineering B44 (1997), 155 - 159.

115. J.Johansson, N.Carlsson and W.Seifert. Manipulation of size and density of QDs in Stranski-Krastanow grows. Workshop booklet 7th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, Berlin, June 8-11,1997, E6.

116. M.Geiger, A.Ruf, F.Adler, H.Schweizer, F.Scholz. Self-organization of InP quantum dots on (100) GaP. Workshop booklet 7th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, Berlin, June 8-11,1997, E8.

117. N.Carlsson, L.Samuelson and W.Seifert. Surface coverage dependent photoluminescence of self-assembled InAs/InP quantum dot structures. Workshop booklet 7th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, Berlin, June 8-11, 1997, G12.

118. V.A.Fedirko, M.D.Eremtchenko, V.M.Daniltzev, O.I.Khrykin and V.I.Shashkin. A3B5 structures characterization by scanning probe microscopy. Compound semiconductors 1996. Edited by M.S.Shur and R.ASuris. Inst. Phys. Conf. Ser. No 155: Chapt. 12, IOP Publishing, 949 - 952.

119. V.A.Fedirko, V.A.Bykov, M.D.Eremtchenko, V.I.Shashkin and V.M.Daniltzev. Characterization of GaAs/AlGaAs MOCVD superlattice by STM/AFM technique. Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of the International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St.Petersburg, Russia. June 24 - 28,1996), p. 381 -384.

120. V.A.Fedirko, M.D.Eremtchenko, O.I.Khrykin and V.I.Shashkin. Atomic force microscopy of A3B5 heterostructure drops. Proceedings of the International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St.Petersburg, Russia. June 23 - 27,1997), p. 256 - 258.

121. V.A.Fedirko, M.D.Eremtchenko. Scanning probe microscopy of GaAs/AlGaAs superlattices. Material Science & Engineering B44 (1997), 110 - 112.

122. V.A.Fedirko, M.D.Eremtchenko, O.I.Khrykin and V.I.Shashkin. Characterization of A3B5 epitaxial nanostructures by AFM. Workshop booklet 7th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, Berlin, June 8-11, 1997, G2.

123. V.A.Fedirko, M.D.Eremtchenko, V.M.Daniltzev, O.I.Khrykin and V.I.Shashkin. Nanostructures imaging by AFM/STM. Defect recognition and image processind in semiconductors 1997. Edited by J.Donecker and I.Rechenberg. Inst. Phys. Conf. Ser. No 160, IOP Publishing, 13 - 16.

124. W.Kratschmer, L.D.Lamb, K.Fostiropoulos and D.R.Huffman. Solid Ceo: a new form of carbon. Nature 347 (1990), 354 - 358.

125. S.Ravaine, C.Mingotaud, P.Delhaes. Langmuir - Blodgett films of C6o derivatives. Thin Solid Films 284-285 (1996), 76 - 79.

126. D.Zhu, C.Zhu, Y.Xu, C.Long, Y.Liu, M.Han, Y. Yao, X.Xia. Langmuir - Blodgett films of fullerene derivatives. Thin Solid Films, 284-285 (1996) ,102 - 105.

127. D.M.Guldi, Y.Tian and J.H.Fendler, H.Hungerbuhler, K.-D.Asmus. Stable monolayers and Langmuir - Blodgett films of functionalized fullerenes. J. Phys. Chem. 99, N50 (1995), 17673 - 17676.

128. D.M.Chen, H.Xu, W.N.Creager and P.Burnett. Formation of crystalline islands of C6o

on Si(lll). J. Vac. Sci. Technol. B 12(3), May/Jun (1994), 1910 - 1913.

164

129. D.Klyachko and D.Chen. Growth of a incommensurate Gso lattice on Ge(100) 2x1. J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), Mar/Apr (1996), 974 - 978.

130. E.I.Altaian and R.J.Colton. Interaction of C6o with Au(l 11) 23хл/3 reconstruction. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 1906 - 1909.

131. Yu.Moiseev, V.Nikanorov, R.Yusupov, V.Khanin. The electric properties of thin molecular films of ionexchanged polymer: STM/STS investigation. Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of the International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St.Petersburg, Russia. June 24 - 28, 1996), p. 389.

132.1 . Langmuir, V.J.Schaefer, Activities of urease and pepsin monolayers. J. Amer. Chem. Soc. 60 (1938), 1351 - 1360.

133. J.Y.Wang, D.Vaknin and R.AUphaus. Fullerene films and ffllerene - dodecylamine adduct monolayers at air - water interfaces studied by neitron and X - ray reflection. Thin Solid Films. 242 (1994), 40 - 44.

134. V.R.Novak, M.D.Eremtchenko and S.L.Vorob'eva. Langmuir films of fullerene and fullerene - indopane derivative. The 8th International Conference on Organized Molecular Films. California USA, Aug. 24-29,1997, Abstract and program booklet 4P-19.

135. И.О.Кулик, Р.И.Шехтер. Кинетические эффекты дискретности заряда в гранулированных средах. ЖЭТФ, 62 (1975), N 2, 623 - 640.

136. E.S.Soldatov, V.V.Khanin, A.S.Trifonov, D.E.Presnov, S.A.Iakovenko and G.B.Khornutov, C.P.Gubin, V.V.Kolesov. Single-electron transistor based on a single cluster molecule at room temperature. Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 64 (1996), N 7, 510 -514.

137. V.A.Fedirko, V.A.Bykov, M.D.Eremchenko. Scanning tunneling microscopic investigation of fullerene monolayers. Fresenius J. Anal. Chem. 355 (1996), 707 - 709.

138. V.A.Fedirko, M.D.Eremtchenko, V.R.Novak, S.L.Vorob'eva. Scanning probe microscopy of fullerene monolayers. Recent Advances in Chemistry and Physics of Fullerenes and Related Materials. Volume 4, (1997), 680 - 686.

139. V.R.Novak, M.D.Eremtchenko, S.L.Vorob'eva. Langmuir films of fullerene -indopane derivative. Molecular Materials, 1998, в печати.

140. V.A.Bykov, V.V.Redchenko, M.D.Eremchenko, V.K.Tvanov, l.V.Mjagkov. STM -images and spectroscopy of Langmuir - Blodgett (LB) films of fullerene. International conference on Scanning Tunneling Microscopy (abstracts). Beijing, China, 1993,196.

141. V.A.Bykov, V.V.Redchenko, S.A.Schikin, M.D.Eremchenko, V.R.Novak, l.V.Mjagkov. STM - investigations of Langmuir - Blodgett (LB) films of charge transfer complexes as perspective materials for nanotechnology. International conference on scanning tunneling microscopy (abstracts). Beijing, China, 1993, 197.

142. В.А.Быков, М.Д.Еремченко, А.В.Иконников, С.Н.Кацур, В.В.Редченко, С.А.Саунин. Новый сканирующий туннельный микроскоп и программное обеспечение к нему. Международная конференция "Микроэлектроника и автоматика" (тезисы докладов). Москва, Зеленоград, 1993, 106.

143. V.A.Bykov, A.V.Beliaev, M.D.Eremchenko, V.R.Novak, V.V.Zhizhimontov, S.F.Katsour, S.A.Saunin, S.L.Vorobiova. SPM investigation and modification of fullerene surfactant derivation LB-films. Supplement to the abstract book of 7th International Conference on Organized Molecular Films. Numana, Italy, Sep. 10 - 15, 1995, 22.

144. V.A.Bykov, A.V.Beliaev, M.D.Eremchenko, V.R.Novak, V.V.Zhizhimontov, S.F.Katsour, S.A.Saunin. SPM investigation and modification of conductive LB-films. Supplement to the abstract book of 7th International Conference on Organized Molecular Films. Numana, Italy, Sep. 10- 15, 1995, 23.

145. Биологический энциклопедический словарь, Москва, Научное издательство "Большая российская энциклопедия, 1995.

146. А.Мосса, R.Paleari and P.Arosio, A.Cricenti, M.A.Scarselli, R.Generosi and S.Selci, E.Rovida. Direct observation of human liver ferritin by scanning tunneling microscopy. J. Vac. Sci. Technol. В 12(3), May/Jun (1994), 1486 - 1489.

147. V. A.Fedirko, M.D.Eremtchenko, P.Collery, I.R.Nabiev. Imaging of cell membrane by scanning probe microscopy. In the annex to the book: "Spectroscopy of biological molecules: modern trends", ed. by P.Carmona, R.Navarro and A.Hernanz. Universidad Nacional de Educación a Distancia, Madrid, Spain, 1997, 109 - 110.

148. V. A.Fedirko, M.D.Eremtchenko and P.Collery, I.Nabiev, A.I.Yanul. Scanning probe microscopy imaging of DNA structure modification. Abstracts of the international conference on new anticancer agents. Athens, Greece, Oct. 12-15,1997. Anticancer Research 17 (1997), 4077 - 4078.