Исследование и модификация наноструктур с использованием токовых режимов зондовой микроскопии и литографии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Сагунова, Ирина Владимировна

• Сагунова, Ирина Владимировна
• кандидат технических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат технических наук Сагунова, Ирина Владимировна

Оглавление.

Введение.

Глава 1. Современное состояние сканирующей силовой микроскопии с проводящими кантилеверами.

1.1. Основные методы сканирующей зондовой микроскопии с проводящими кантилеверами и области их применения.

1.2. Особенности функционирования сканирующей электропроводящей микроскопии.

1.3. Особенности функционирования метода локального зондового окисления.

1.4. Конструктивно- технологические особенности создания проводящих кантилеверов.

Выводы по главе 1.

Глава 2. Техника экспериментов и особенности их проведения.

2.1. Методика исследования ВАХ системы: проводящий кантилевер-проводящая поверхность образца.

2.2. Методика проведения исследований в режиме электропроводящей микроскопии.

2.3. Методика проведения процесса локального зондового окисления.

Выводы по главе 2.

Глава 3. Исследование методов осаждения сверхтонких проводящих пленок и создание проводящих кантилеверов СЗМ на основе газофазной карбидизации вольфрама.

3.1. Исследование методов осаждения сверхтонких проводящих плёнок.

3.2. Определение долговременной стабильности сверхтонких аморфных и поликристаллических металлических пленок.

3.3. Разработка метода создания проводящих кантилеверов с покрытием на основе газофазной карбидизации вольфрама.

Выводы по главе 3.

Глава 4. Исследование метода локального зондового окисления сверхтонких проводящих пленок.

4.1. Разработка физико-химической модели процесса локального зондового окисления, учитывающей ограничение величины тока.

4.2. Исследование особенностей локального зондового окисления сверхтонких халькогенидных пленок, полученных методом молекулярного наслаивания.

4.3. Исследование влияния радиуса кривизны кантилеверов и смачиваемости проводящего покрытия на разрешающую способность метода локального зондового окисления.•.

4.4. Исследование влияния материала сверхтонких металлических пленок на кинетику процесса их локального зондового окисления.

Выводы по главе 4.

Глава 5. Исследования процессов и возможностей в сканирующей электропроводящей микроскопии.

5.1. Исследование влияния величины усилия прижатия зонда к образцу на вид ВАХ системы: проводящий кантилевер- проводящий образец.

5.2. Исследование на основе сканирующей электропроводящей микроскопии проводимости и геометрических параметров нанообъектов.

5.3. Исследование на основе сканирующей электропроводящей микроскопии дефектов в металлизации СБИС с топологическими нормами 0,09 мкм.

Выводы по главе 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование и модификация наноструктур с использованием токовых режимов зондовой микроскопии и литографии»

Актуальность.

Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ) широко используется в настоящее время для исследования свойств поверхности нанообъектов. Основными применяемыми её методами являются сканирующая туннельная микроскопия, атомно-силовая микроскопия (АСМ), микроскопия электростатических сил (МЭС), магнитно-силовая микроскопия.

С использованием АСМ и проводящих кантилеверов разработан метод модификации свойств поверхности потенциально окисляемых материалов — метод локального зондового окисления (ЛЗО). Метод обеспечивает возможность создания без использования дорогостоящего технологического оборудования ряда элементов наноэлектроники (квазиодномерные проводники, одноэлектронные транзисторы, нанорезисторы и т.д.). Однако, ряд существующих проблем, в частности: низкая его производительность, невысокое качество существующих в настоящее время проводящих кантилеверов сдерживают широкое применение данного метода.

Практический интерес для исследования проводящих нанообъектов, в том числе проводящих элементов наноэлектроники, представляет сканирующая электропроводящая микроскопия (СЭПМ), использующая режим АСМ в контактной моде и проводящий кантилевер, обеспечивающая проведение одновременного измерения топографии поверхности проводящих объектов и исследования картины растекания электрического тока на том же участке поверхности. Однако, несмотря на достоинства метода СЭПМ сведения о нем в литературе малочисленны, практически отсутствуют универсальные методики проведения на его основе измерений.

Поскольку методы ЛЗО и СЭПМ являются перспективными для исследования и модификации электрических свойств поверхности проводящих объектов с нанометровым разрешением, задача более детального их изучения является актуальной. проводящих объектов с нанометровым разрешением, задача более детального их изучения является актуальной.

Цель диссертационной работы - развитие метода локального зондового окисления и сканирующей электропроводящей микроскопии для создания и диагностики наноструктур.

Для достижения поставленной цели решались следующие научно-технические задачи:

1. Исследование особенностей методики проведения измерений в СЭПМ, методики оценки качества проводящих кантилеверов, методики локального зондового окисления проводящих объектов.

2. Подготовка образцов сверхтонких металлических и полупроводниковых пленок для последующего их локального зондового окисления.

3. Определение долговременной стабильности сверхтонких аморфных и поликристаллических металлических пленок.

4. Разработка метода формирования кантилеверов со сверхтонким проводящим покрытием, характеризующихся пониженным значением радиуса кривизны острия игл.

5. Уточнение физико-химической модели процесса локального зондового окисления проводящих объектов, учитывающей приборное ограничение величины протекающего электрического тока в системе проводящий кантилевер - проводящий объект.

6. Исследование особенностей процесса локального зондового окисления, исследование факторов, определяющих разрешающую способность метода.

7. Исследование влияния свойств потенциально окисляемых материалов на кинетику процесса их локального зондового окисления.

8. Проведение комплексного исследования процессов и возможностей в сканирующей электропроводящей микроскопии.

Научная новизна.

1. Предложена уточненная физико-химическая модель процесса локального зондового окисления проводящих образцов, учитывающая приборное ограничение значения протекающего тока в системе проводящий кантилевер — проводящий образец.

2. Выявлена корреляция толщины естественного оксида на поверхности сверхтонких металлических пленок с их структурой (аморфные и поликристаллические).

3. Выявлены особенности процесса локального зондового окисления сверхтонких халькогенидных пленок, полученных методом молекулярного наслаивания.

4. Разработан метод создания кантилевера со сверхтонким проводящим покрытием на основе газофазной карбидизации вольфрама.

5. Из анализа теоретического представления и результатов экспериментального исследования процесса локального зондового окисления г выявлены свойства металлов, определяющие кинетику процесса. Сформулированы условия для проведения процесса с повышенной скоростью выращивания оксида.

Практическая значимость работы и использование полученных результатов.

Разработанный метод создания проводящих кантилеверов, характеризующихся пониженным значением радиуса кривизны острия игл, внедрен в ЗАО «НТ-МДТ», ЗАО «Силикон-МДТ».

Результаты исследования метода процесса локального зондового окисления являются основой для корректировки моды «Нанолитография» изготовителями сканирующих зондовых микроскопов. Результаты работы использованы при выполнении научно-исследовательских работ в рамках ФЦП «Исследования и разработи по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы», ГК: №

2008-03-1.3-07-56-011, № 02.513.12.3049, № 2009-03-1.3-07-25-261, по заданию министерства науки и образования РФ: № 762-ГБ-53-Гр.ст.-ИЭМС.

Работа поддержана грантом Президента № 02.120.21.4097- НШ, грантом РФФИ № 06-08-81009-Бела.

Результаты работы внедрены в учебный процесс на кафедре интегральной электроники и микросистем МИЭТ и используются в курсе лекций «Процессы микро- и наноинтегральной технологии» и соответствующем лабораторном практикуме (учебный план ЭКТ факультета, 9 семестр), направление подготовки 210100.68 "Электроника и микроэлектроника", специальность 210104.65 "Микроэлектроника и твердотельная электроника".

Апробация результатов работы.

Основные результаты работы докладывались на следующих международных и всероссийских научных конференциях и семинарах: 12-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2005», Москва, 2005; 13 Международная школа-семинар "Новые информационные технологии", Москва, 2005; V Международная научно-техническая конференция "Электроника и информатика - 2005", Москва, 2005, Всероссийская конференция инновационных проектов аспирантов и студентов «Индустрия наносистем и материалы», Москва, 2005; Всероссийская конференция инновационных проектов аспирантов и студентов «Индустрия наносистем и материалы», Москва, 2006; Харьковская нанотехнологическая ассамблея-2007 «Наноструктурные материалы», Украина, Харьков, 2007; 9-я Международной конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, 2007; 15-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика -2008», Москва, 2008; Харьковская нанотехнологическая ассамблея -2008 «Нанотехнологии», Харьков, Украина, 2008; Международная научно-техническая конференция «Микроэлектроника и наноинженерия - 2008», Москва, 2008; X Международная конференция «Опто-,наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, 2008; 16-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2009», Москва, 2009; Всероссийская научно-техническая конференция «Нанотехнологии и наноматериалы: современное состояние и перспективы развития в условиях Волгоградской области», Волгоград, 2010; 17-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2010", Москва, 2010; Международная научно-техническая конференция «Проектирование систем на кристалле: тенденции развития и проблемы», МИЭТ, 2010.

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 16 работ, включая 4 статьи, в том числе 2 статьи в изданиях, входящих в перечень ВАК, 1 положительное решение по заявке на изобретение, 11 - в специализированном сборнике научных трудов, в материалах, сборниках научных трудов и тезисах докладов научно-технических конференций.

На защиту выносятся:

Физико-химическая модель процесса локального зондового окисления проводящих образцов, учитывающая приборное ограничение значения протекающего тока в системе проводящий кантилевер - проводящий образец.

Метод создания кантилевера со сверхтонким проводящим покрытием на основе газофазной карбидизации вольфрама.

Полученная зависимость скорости роста оксида от характеристик окисляемого материала в процессе его локального зондового окисления.

Выявленная корреляция толщины естественного оксида на поверхности сверхтонких металлических пленок с их структурой.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, пяти глав с выводами, основных результатов и выводов по работе, списка использованных источников из 125 наименований и приложения. Основное содержание работы изложено на 134 страницах машинописного текста и содержит 92 рисунка и 4 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Сагунова, Ирина Владимировна

Основные результаты и выводы.

Показано, что при подготовке тонкопленочных образцов для исследования их локального зондового окисления наиболее приемлемыми являются импульсно-плазменный метод осаждения и метод молекулярного наслаивания, обеспечивающие формирование сплошных пленок толщиной от 2 нм.

Из результатов исследования импульсно-плазменного метода металлов: V, Nb, Та, Ti, TiN, W выявлено, что толщина пленок линейно зависит от количества импульсов осаждения, а из кинетики осаждения пленок сульфидов индия, кадмия, свинца молекулярным их наслаиванием определено, что имеет место линейная зависимость толщины пленок от количества циклов осаждения. Формирование пленок происходит послойно и за один цикл формируется один монослой.

Выявлена корреляция толщины естественного оксида на поверхности сверхтонких металлических пленок с их структурой (аморфные и поликристаллические). Показано, что аморфные пленки металлов обладают более долговременной стабильностью и являются предпочтительными для использования при проведении метода локального окисления для создания элементов наноэлектроники.

На основе разработанного способа формирования тонких пленок карбида вольфрама предложен метод создания кантилеверов со сверхтонким проводящим покрытием W2C, характеризующихся пониженным значением радиуса кривизны острия игл.

Предложена уточненная физико-химическая модель процесса локального зондового окисления проводящих образцов, учитывающая приборное ограничение значения протекающего тока в системе проводящий кантилевер — проводящий образец. Показано, что при исследовании низкоомных образцов с использованием высокопроводящих кантилеверов процесс локального зондового окисления может протекать в двухстадийном режиме (гальваностатический - потенциостатический).

Продемонстрирована принципиальная возможность локального зондового окисления сверхтонких халькогенидных пленок, полученных методом молекулярного наслаивания. Основные трудности, связанные с обеспечением воспроизводимости их локального зондового окисления, обусловленные значительным их удельным сопротивлением и развитым рельефом поверхности.

Результатами экспериментального исследования подтверждено, что разрешающая способность метода в значительной степени связана с величиной радиуса кривизны острия игл кантилевера. Имеет место прямо-пропорциональная зависимость разрешающей способности метода от радиуса кривизны острия игл. Выявлена корреляция смачиваемости материала проводящего покрытия кантилевера с разрешающей способностью метода локального зондового окисления.

Из анализа теоретического представления и результатов экспериментального исследования процесса локального зондового металлов выявлены их характеристики, определяющие кинетику процесса. Сформулированы условия для проведения процесса с повышенной скоростью выращивания оксида. Из исследованного ряда металлов Мэ, Тл, ТТЫ, Та, V, выявлено, что для проведения локального зондового окисления предпочтительным является ванадий, обеспечивающий максимальную скорость окисления, а, следовательно, повышенную производительность метода.

Показано, что на основе СЭПМ, обеспечивающей возможность одновременного получения топографического изображения исследуемой поверхности образца и картины растекания тока на том же участке, возможна в отличие от АСМ визуализация проводящих объектов с геометрическими размерами, гораздо меньшими, чем диаметр острия проводящего кантилевера, а так же определение их реальных размеров, определение величины их сопротивления.

Из экспериментальных результатов исследования с помощью СЭПМ известной тестовой структуры на основе нанопрофилированного алюминия для определения радиуса кривизны острия игл кантилеверов сканирующей силовой микроскопии уточнен её состав. По сути, данная структура представляет собой алюминиевое основание с массивом острых оксидных выступов.

Показано, что метод СЭПМ может быть эффективно использован для диагностики дефектов в металлизации ИС с нанометровыми размерами, включая 45 и 32 нм.

Список использованных сокращений.

АСМ - атомно-силовая микроскопия

ВАХ - вольтамперная характеристика

КСЕМ - контактная сканирующая емкостная микроскопия

ЛЗО - локальное зондовое окисление

МЗК - микроскопию электрического потенциала

МЭС - микроскопия электростатических сил

СЗМ - сканирующая зондовая микроскопия

СЭПМ - сканирующая электропроводящая микроскопия

ССМ - сканирующая силовая микроскопия

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Сагунова, Ирина Владимировна, 2010 год

1. Неволин В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике // М.: Техносфера. 2006. - С. 160.

2. Girard P. Electrostatic force microscopy: principles and some applications to semiconductors //Nanotechnology. 2001. № 12. - P. 485-490.

3. Martin Y., Abraham D.W., Wickramasinghe H.K. High-resolution capacitance measurement and potentiometry by force microscopy // Appl. Phys. Lett. 1988. № 52. - С. 1103-1107.

4. Born A. and Wiesendanger R. Scanning capacitance microscope as a tool for the characterization of integrated circuits // Appl. Phys. Lett. 1998. A66. - C. 421-428.

5. Douheret O., Bonsels S. and Anand S. Determination of spatial resolution in atomic-force-microscopy-based electrical characterization techniques using quantum well structures // J. Vac. Sci. Technol. B. 2005. - V. 23. Issue 1. - P. 6165.

6. Nonnenmacher M., O'Boyle M.P., Wikramasinghe H.K. Keivin probe force microscopy // Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 58. - P. 2921 - 2923.

7. B. Stiller, P. Karageorgiev, et al., Scanning Kelvin microscopy as a tool for visualization of optically induced molecular switching in azobenzene self assembling films // Surf. Interface Anal. 2000. Vol. 30. - P. 549-551.

8. Миронов В.JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии// Мир. -2004.

9. Lemeshko S., Gavrilov S., Shevyakov V., Roschin V. and Solomatenko R. Investigation of tip-induced ultra thin Ti film oxidation kinetics // Nanotechnology. -2001. Vol. 12. №3.-P. 273-276.

10. Поляков В.В. Контактная сканирующая емкостная микроскопия болыперазмерных образцов // Научное приборостроение. 2009. № 19. С. 6266.12. www.ntmdt.ru

11. Рощин В.М., Чмырова О.Л., Лемешко С.В., Шевяков В.И. Изменение морфологии поверхности сверхтонких (до 7 нм) пленок вольфрама при термообработке // Оборонный комплекс научно-техническому прогрессу России. - 2000. №2. - С. 3-6.

12. Chernykh A., Vll'in. А. I., Kononenko О. V., Mikhailov G. М. Bi film growing for nanowire fabrication // Proceedings of the SPIE. 2004. - V. 5401. -P. 269-277.

13. Jung, Young Mee Gold Nanoparticle Assemblies on a Functionalized Surface Patterned by AFM Lithography // Journal of the Korean Physical Society. -2002. V. 40. № 4. P. 712-715.

14. Корнилов B.M., Лачинов A.H. К вопросу о модификации поверхности кремния при ее исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии // Физика и техника полупроводников. — 2003. Т. 37. — В. 3. — С. 323-327.

15. Golov E.F., Mikhailov G.M., Red'kin A.I., Fioshko A.M. Probe lithography on a-C:H films // J. Microelectrónica. 1998. № 2. - С. 97-102.

16. К. Matsumoto, S. Takahashi and all. Application of STM nanometer -size oxidation process to planar type MIM dioe // Jpn.J.Appl.Phys. 1995. - Vol. 34. -P. 1387-1390.

17. К. Matsumoto, М. Ishii and all. Room temperature operation of single electron transistor made by the scanning tunneling microscope nanooxidation process for the TiOx/TiO system. //Appl. Phys. Lett. 1996. - Vol. 68. - P. 34-36.

18. J. Shiracashi, K. Matsumoto, N. Miura and M. Konagai Single-electron transistor with Nb/Nb oxide system fabricated by atomic force microscope nanooxidation process // Jpn.J.Appl.Phys. 1997. - Vol. 36. - P. L1257-L1260.

19. Kazuhiko Matsumoto Application of scanning tunneling/atomic force microscope nanooxidation process to room temperature operated single electron transistor and other devices // Scanning Microscopy. 1998. - Vol. 12. № 1. - P. 61-69.

20. Pichon L., Rogel R. and Demami F. Fabrication of amorphous silicon nanoribbons by atomic force microscope tip-induced local oxidation for thin film device applications // Semicond. Sci. Technol. 2010. - Vol. 25. - P. 5-11.

21. Лемешко C.B., Шевяков В. И. Сканирующая электрически проводящая микроскопия в микроэлектронике. // Материалы НТК "Электроника и информатика XXI век". -М: МИЭТ. 2000. -С. 78-79

22. Нанотехнологии в электронике. Под ред. Ю.А. Чаплыгина // М.: Техносфера. - 2005. 448 С.

23. Нано- и микросистемная техника: от исследований к разработкам. Под ред. П.П. Мальцева. М.: Техносфера. - 2005. 592 С.

24. Михайлов Г.М., Черных А.В., Зондовая литография для изготовления эпитаксиальных металлических наноструктур // Всероссийская научно-техническая конференция "Микро- и нано-электроника 2001". Звенигород. -2001.-Т. 1.-С. 2-13.

25. Гаврилов С.А., Лемешко С.В., Рощин В.М., Шевяков В.И. и др. Исследование особенностей процесса локального окисления пленок титана на основе сканирующей зондовой микроскопии// Известия вузов. Сер. Электроника. 2000. №3. - С. 27-33.

26. Ogatay S., Campbellz T.J. Parallelmolecular dynamics simulations for the oxidation of an aluminum nanocluster //J. Phys. Condens. Matter. 1998. № 10. -P. 11449-11458.

27. Rotole J.A., Sherwood P.M.A. X-ray photoelectron spectroscopic studies of the oxidation of aluminium by liquid water monitored in an anaerobic cell // J. Anal. Chem. 2001. № 369. P. 342-350.

28. Jen Fin Lin, Chih Kuang Tai, Shuan Li Lin. Theoretical and experimental studies for nano-oxidation of silicon wafer by ac atomic force microscopy // J. Appl. Phys. Lett. -2006. Vol. 99. - P. 054312-1 - 054312-11.

29. Агеев O.A., Алябьева Н.И., Коноплёв Б.Г. и др. Фотоактивация процессов формирования наноструктур методом локального анодного окисления плёнки титана // Известия вузов. Электроника. 2010. №2 (82). -С. 23-31.

30. Агеев О.А. Исследование процесса локального анодного окисления пленки титана при стимуляции ультрафиолетовым излучением // Материалы МНК «Тонкие пленки и наноструктуры», М.Изд-во МИРЭА. 2005. - Ч. 1. -С. 160-163.

31. Агеев О.А. Формирование наноразмерных структур в пленке титана методом фотонностимулированного локального анодного окисления // Материалы IV МНК «Молодые ученые-2006»,-М. Изд-во МИРЭА. 2006. -Т. 2. - С. 219-222.

32. Смирнов В.А. Формирование наноразмерных структур методом локального анодного окисления пленки титана // Матер, первой ежегодной научн. конф. студ. и аспир. базовых кафедр Южного научного центра РАН. Ростов-на-Дону, Изд-во: ЮНЦ РАН. 2005. - С. 268-269.

33. Lyding J.W. et al. Nanoscale patterning and oxidation of H-passivated Si(100) surfaces with an ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope // Appl. Phys. Lett. 1994. - Vol. 64. № 15. - P. 2010-2012.

34. Fontaine P.A., Dubois E. et al. Characterization of scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy-based techniques for nanolithography on hydrogen-passivated silicon // J. Appl. Phys. 1998. - V. 84. - P. 1776-1781.

35. Abadal G., Barniol N., et al. Field induced oxidation of silicon by SPM: study of the mechanism at negative sample voltage by STM, ESTM and AFM // J. Appl. Phys. Lett. 1998. A 66. - P. 791-795.

36. Dagata J.A. Modification of hydrogen-passivated silicon by a scanning tunneling microscope operating in air // J. Appl. Phys. Lett. 1990. -V. 56. - P. 2001-2003.

37. Te-Hua Fang Mechanisms of nanooxidation of Si(100) from atomic force microscopy // Microelect. J. 2004. № 35. - P. 701-707.

38. Булатов A. H., Неволин B.K. Анодное окисление тонких пленок алюминия в атомно-силовом микроскопе // Микросистемная техника. 2003. № И.-С. 42-44.

39. Davis Z.J., Abadal G., Hansena О., et al. AFM lithography of aluminum for fabrication of nanomechanical systems //Ultramicroscopy. 2003. - Vol. 97. - P. 467-472.

40. Lazzarino M., Padovani M., et al. Chemical composition of GaAs oxides grown by local anodic oxidation: a spatially resolved Auger study // Chem. Phys. Lett. 2005. - V. 402, - P. 155-159.

41. Okada Y., Amano S., Kawabe M. Nanoscale oxidation of GaAs-based semiconductors using atomic force microscope // J. Appl. Phys. 1998. - V. 83. № 4.-P. 1844-1847.

42. Workman R.K., Peterson C.A., Sarid D. Current-dependent growth of silicon nitride lines using a conducting tip AFM // Surface Science. 1999. № 423. - P. L277-L279.

43. Held R., Vancura Т., Heinzel T. et al. In-plane gates and nanostructures fabricated by direct oxidation of semiconductor heterostructures with an atomic force microscope // Appl. Phys. Lett., 1998. - V. 73. - № 2. - P. 262-264.

44. Бобринецкий И.И., Неволин B.K., Рощин B.M. Формирование наноконтактов методом локального анодного окисления в тонких аморфных титановых плёнках // Микро- и наноэлектроника-2001. Всеросс. научн.-технич. конф. Звенигород. 2001. - Том 2. - Р. 2-17.

45. Te-Hua Fang, Kuan-Te Wu Local oxidation characteristics on titanium nitride film by electrochemical nanolithography with carbon nanotube tip // Electroch. Comm. 2006. Vol. 8. -P. 173-178.

46. Gregor M., Plecenik A., et al. Preparation of variable-thickness MgB2 thin film bridges by AFM nanolithography // Phys. C. 2006. - Vol. 435. - P. 82-86.

47. R.J.M. Vullers, et al. Titanium nanostructures made by local oxidation with the atomic force microscope // Appl. Surf. Scien. 1999. - Vol. 154-155. - P. 584588.

48. Vaccaro P. O., S. Sakata Nano-oxidation of vanadium thin flms using atomic force microscopy // J. Mater.Scien.Lett. 1998. - Vol. 17. - P. 1941-1943.

49. Schmidt Т., Martel R., et al. Current-induced local oxidation of metal films: Mechanism and quantum-size effects // Appl. Phys. Lett. 1998. - V. 73. - P. 2173-2175.

50. Kohmoto S., Nakamura H., et al. Site-controlled self- organization of individual InAs quantum dots by scanning tunneling probe- assisted nanolithography // Appl. Phys. Lett., 1999. V. 75. - P. 3488 - 3490.

51. Обухов И.А. О возможности применения СТМ — АСМ литографий для создания новых типов квантовых приборов // Микросистемная техника. -2003. № 6. С. 34-37.

52. Richter S., Cahen D., et al. Fabrication of sub-cm bipolar transistor structures by scanning probe microscopy // Appl. Phys. Lett. — 1998. V. 73. - P. 1868-1870.

53. Minne S.C., Soh H.T., et al. Fabrication of 0.1 um metal oxide semiconductor field-effect transistors with the atomic force microscope // Appl. Phys. Lett. 1995. - V. 66. - P. 703-705.

54. Campbell P.M., Snow E.S. et al. Fabrication of nanometer-scale side-gated silicon field effect transistors with an atomic force microscope // Appl. Phys. Lett., 1995.-V. 66.-P. 1388-1390.

55. Matsumoto K., Ishii M., et al. Room temperature operation of a single electron transistor made by the scanning tunneling microscope nanooxidation process for the TiOx/Ti system // .Appl Phys. Lett. 1996. - V. 68. - P. 34-36.

56. Goldberger J., Hochbaum A. I., et al. Silicon vertically integrated nanowire field effect transistors //NanoLett., 2006. - V. 6. - P. 973-977.

57. Matsumoto K., Gotoh Y., et al. Metal-Based Room-Temperature Operating Single Electron Devices Using Scanning Probe Oxidation.// Jpn. J. Appl. Phys.-1999. -.V. 38. P. 477-479.

58. Dutta A., Lee S.P., et al. Silicon Based Single Electron Memory Using Multi-Tunnel Junction Fabricated by Electron Beam Direct Writing // Appl. Phys. Lett., 1999. V. 75. - P. 1422-1424.

59. Luscher S., Fuhrer A., et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. - V. 75. - P. 24522454.

60. Sasa S., Ikeda T., et al. Coulomb blockade observed in InAs/AlGaSb nanostructures produced by an atomic force microscope oxidation process // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. - P. 480-482.

61. Matsuzaki Y., Yuasa К., et al. Nanofabrication of heavily doped p-type GaAs and n-type InGaP by atomic force microscope based surface oxidation process // J. Crys. Gr. 1999. - V. 201/202. - P. 656-659.

62. Ishii M., Matsumoto K. // Ext. Abs. of 1995-th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. Osaka. 1995. - P. 953-955.

63. Umezu I., Yoshida T., et al. Nano-oxidation of an amorphous silicon surface with an atomic force microscope // J. Non-Cryst. Solids, 2002. - V.1090. - P. 299302.

64. Д. В. Соколов Нанооксидирование и нанотравление n-InO.53GaO.43As с помощью АСМ // Научное приборостроение. 2001. - Т. 11. - № 1. - С. 1521.

65. Legrand В. and Stievenard D. Nanooxidation of silicon with an atomic force microscope: A pulsed voltage technique //Appl. Phys. Lett. 1999. - V. 74. - P. 4049-4051.

66. Wilder K., Quate C., et al. Noncontact nanolithography using the atomic force microscope // Appl. Phys. Lett., 1998. - V. 73. - P. 2527-2529. .

67. Ishii M., Matsumoto K. Control of Current in 2DEG Channel by Oxide Wire Formed Using AFM//J. Appl. Phys.-1995. Vol.34.-P. 1329-1331. ,

68. Дряхлушин В.Ф., Востоков H.B., Климов А.Ю., Рогов B.B., Шашкин В.И. Разработка методов C3JI для создания нанометровых элементов. Микроэлектроника нано- и микросистемная техника. Сб. ст. под ред. П.П. Мальцева. М., Техносфера, 2005 592 с.

69. Бобринецкий И.И., Неволин В.К., Рощин В.М., Снисаренко Э.Л. Формирование наноконтактов при локальном оксидировании титановых плёнок // Микросистемная техника. 2001. - № 11. - С. 42-45.

70. Calleja M and Garcia // Appl. Phys. Lett. 2000. - V. 76. - P. 3427-3431.

71. Y. Matsuzaki, Sh. Hasui, et al. Improvement in aspect ratio of P-GaAs oxide fabricated by AFM based nanolithography using pulsed voltage // Jpn. J. Appl. Phys. - 2001. - Vol. 40. - P. 4325-4327.

72. Sukjong Bae, Cheolsu Han, et al. Atomic force microscope anodization lithography using pulsed bias voltage synchronized with resonance frequency of cantilever // Nanotechn. 2005. Vol. 16. - P. 2082-2085.

73. Snow E. S. and Campbell P. M. Fabrication of Si nanostructures with an atomic force microscopy// Appl. Phys. Lett., 1994. - V. 64. - P. 1932-1936.

74. H. Kuramochi, F. P'erez-Murano, J. A. Dagata et al. Faradaic current detection during anodic oxidation of the H-passivated p-Si(OOl) surface with controlled relative humidity // Nanotechnology. 2004. - Vol. 15. - P. 297-302.

75. Shevyakov V., Lemeshko S., Roschin V. Conductive SPM probes of base Ti or W refractory compounds // Nanotechnology. — 1998. № 9. - P. 352-355.

76. Лемешко С.В. Универсальные проводящие покрытия на основе сверхтонких пленок тугоплавких соединений Ti и W для кантиливеров сканирующих зондовых микроскопов // Сб. докл. научн.-техн. конф. "Микроэлектроника и информатика 98".- М: МИЭТ. 1998. - С. 47.

77. Лемешко С.В., Шевяков В.И. Проводящие зонды сканирующих зондовых микроскопов на основе тугоплавких соединений Ti и W // Матер. Всеросс. совещания "Зондовая микроскопия 98". Нижний Новгород. - 1998. - С.138-143.

78. Gavrilov S. A., Lemeshko S.V., Shevyakov V. I., Roschin V.M. The studying of the self-aligned nanometer scale palladium clusters on silicon formation process. // Nanotechnology. 1999. N 10. - P. 1-4.

79. Рощин B.M., Чмырова О.Л., Шевяков В.И., Лемешко С.В. Удельное сопротивление сверхтонких пленок карбида вольфрама // Тез. док. Всеросс. НТК «Новые материалы и технологии 98»,-М: МАТИ. - 1998. - С.266-267.

80. Быков В.А. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии и нанотехнологии // Микросистемная техника. -2000. № 1. С. 21-33.

81. Binnig G. Atomic Force Microscope and Method for imaging Surfaces with Atomic Resolution // -1986 US Patent № 4. V. 724. - P. 318.

82. Rugar D. and Hansma P., Atomic force microscopy // Phys. Today, 1990. -V. 43 (10). P. 23-30.

83. McClelland G. M., et al. Atomic force microscopy: general principles and a new implementation // Rev. Prog. Quant. Nondestr. Eval. 1987. - V. 6B, - P. 1307-1314.

84. Albrecht T. R., Grutter P., et al. Frequency modulation detection using higher cantilevers for enhanced force microscope sensitivity // J. Appl. Phys. 1991. -V. 69. - P. 668-673.

85. Akamine S., Barrett R. C. and Quate C. F. Improved atomic force microscopy images using cantilevers with sharp tips // Appl. Phys. Lett., 1990. -V. 57.-P. 316-318.

86. Wolter O., Bayer T. and Greschner J. Micromachined silicon sensors for scanning force microscopy // J. Vac. Sci. Technol., 1991. - V. A 9. - P. 13531357.

87. Калябина H.A. Влияние технологических факторов на интенсивность электромиграции в межсоединениях интегральных схем // Обзоры по электронной технике. 1986. - Сер. 2. - В. 18. - С. 10-12.

88. Елецкий А.В. Механические свойства углеродных наноструктур и материалов на их основе // Успехи физических наук. — 2007. Т. 177. - № 3. -С. 233-274.

89. Томишко М.М., Алексеев A.M., и др. Зонды для сканирующих туннельных микроскопов на основе углеродных нанотрубок // Нанотехника. 2006. - № 1.-С. 15-17.

90. Eunjeong L. An integrated system of microcantilever arrays with carbon nanotube tips for imaging, sensing, and 3D nanomanipulation: Design and control // Sens, and Actuat. A. 2007. -V. 134. - P. 286-295.

91. Pasquini A., Picotto G.B., Pisani M. STM carbon nanotube tips fabrication for critical dimension measurements // Sensors and Actuators A., 2005. - V. 123— 124.-P. 655-659.

92. Рощин B.M., Зубрилина А.В. Электрофизические свойства тонкопленочной системы вольфрам-углерод // Межв. НТК

93. Микроэлектроника и информатика», тез. док., ч. 1, М.:МИЭТ. 1997. - С. 90.

94. Рощин В.М., Сагунова И.В., Силибин М.В., Шевяков В.И. Способ формирования тонких пленок карбида вольфрама. Положительное решение по заявке на изобретение № 2009135890 от 20.05.2010.

95. Парута С.И., Попов А.Д., Рудаков Г.А., Сагунова И.В. Выбор проводящих кантилеверов для электропроводящей микроскопии // В. сб. матер, конф. «Индустрия наносистем и метериалы». Москва. — 2006. С. 178180.

96. Puurunen R.L. Surface chemistry of atomic layer deposition: a case of study for the trimethylaluminum water process //J. of App. Phys. 20056. -VVol. 97. -P.121301-121356

97. Черняев B.H. Импульсный генератор металлической плазмы для получения пленок // Э.Т. Сер.7 ТОПО. -1980. Вып. 3 (100). -С. 8-11.

98. Nicolau, Y.F. Solution deposition of thin solid compound films by a successive ionic-layer adsorption and reaction process // Appl. Surf. Sei. 1985. -V. 22/23.-P. 1061.

99. Галушков А.И., Годовицын И.В., Сауров A.H., Краснобородько С.Ю. Исследование сложнопрофильных микрообъектов методами атомной силовой микроскопии // Известия вузов. Электроника. 2007. - № 1, - С.83 -85.

100. Бутуханов B.JL, Верхотуров А.Д., Лебухова Н.В., Институт материаловедения Хабаровского научного центра ДВО РАН патент РФ № 1717539, МПК: С01В31/34

101. Киффер Р., Бензовский Ф. Твердые материалы. М. Металлургия. — 1968. 384 С.

102. Н.Т.Кузнецов, В.Г. Севастьянов, Е.П. и др. Способ получения высокодисперсных тугоплавких карбидов для покрытий и композитов на их основе // Патент РФ № 2333888, приоритет от 06.04.2007, опубликован 20.09.2008, 7 с. № 2333888 (2008.09.20)

103. Белов А.Н., Гаврилов С.А., Сагунова И.В., Шевяков В.И. Кинетика локального зондового окисления сверхтонких пленок металлов V, Nb, Та, Ti, TiN, W // Известия вузов. Сер. Электроника. 2010. - № 3. - С. 13-19.

104. Белов А.Н., Гаврилов С.А., Сагунова И.В., Шевяков В.И. Kinetic of local oxidation of ultrathin metal films of V, Nb, Ta, Ti, TiN, W // Semiconductors. -2010. -№ 13.-P. 1709-1713.

105. Кондратьев A.B., Сагунова И.В., Влияние конструктивных параметров кантилеверов на эффективность метода сканирующей электропроводящей микроскопии // В. сб. тез. докл. 12-й Всеросс. Мезвузовск. НТК студент, и аспир. МИЭТ. 2005. - С. 24.

106. Краснобородько С.Ю., Сагунова И.В., Тихомиров A.A. Анализ возможностей и основных проблем процесса локального зондового окисления для задач наноэлектроники // В. сб. тез. докл. V Междунар. НТК. «Электроника и информатика 2005». МИЭТ. - 2005. - С. 30.

107. Сагунова И.В., Сбитнев К.И. Исследование процесса локального зондового окисления сверхтонких металлических пленок. // В. сб. тез. докл. 15 Междунар. н научн. техн. конф. «Микроэлектроника и информатика -2008». МИЭТ. 2008. - С. 22.

108. Сагунова И.В., Шевяков В.И. Физика и техника сканирующей электропроводящей микроскопии // В сб. матер. Всероссийск. НТК «Нанотехнологии и наноматериалы: современное состояние и перспективы развития». Волгоград. — 2010. С. 128.

109. Юнг JI. Анодные оксидные пленки. // JI. Энергия. -1967. 232 с.

110. Белов А.Н., Гаврилов С.А., Сагунова И.В., Тихомиров A.A., Чаплыгин Ю.А., Шевяков В.И. Тестовая структура для определения радиуса кривизны микромеханических зондов сканирующей силовой микроскопии // Российские нанотехнологии. 2010. - №5-6. - С. 95- 98.

111. Villarubia J.S. Algorithms for Scanned Probe Microscope Image Simulation, Surface Reconstruction, and Tip Estimation. // J. Res. Natl.Inst. Stand. Technol. 1997. - V. 102. - P. 425 - 448.

112. Bykov V., Gologanov A., Shevyakov V. // Test structure for SPM tip shape deconvolution. Appl. Phys. 1998. - V.66. - P. 499-502

113. Белов A.H., Гаврилов С.А., Орлов И.Ю., Тихомиров А.А., Шевяков В.И. Тестовая структура для оценки радиуса кривизны острия иглы кантилевера сканирующей зондовой микроскопии. Патент на изобретение № 2335735.