Спектроскопия зеркального отражения и рассеяния мягкого рентгеновского излучения поверхностями твердых тел тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Филатова, Елена Олеговна

• Филатова, Елена Олеговна
• доктор физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Филатова, Елена Олеговна

Введение

ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РЕНТГЕНОВСКОЙ

РЕФЛЕКТОМЕТРИИ.

1.1. Основные закономерности отражения рентгеновского излучения от идеальной поверхности твердых тел (Френелевское приближение).

1.2. Отражение и рассеяние рентгеновских лучей реальными поверхностями.

ГЛАВА II. ТЕХНИКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1 Спектрометр ультрамягкого рентгеновского излучения

РСМ-500.

2.1.1. Конструкция и характеристики.

2.1.2. Методика проведения эксперимента.

2.2. UHV- рефлектометр.

2.3. MOGOTEX.

2.4. Характеристика образцов.

ГЛАВА III. РАСЧЕТ АБСОЛЮТНЫХ ЗНАЧЕНИЙ ОПТИЧЕСКИХ ПОСТОЯННЫХ НА ОСНОВЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ СПЕКТРОВ ОТРАЖЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ Si02.

3.1. Угловые и спектральные зависимости коэффициента отражения в широком интервале энергий 60 - 3000 эВ.

3.2. Расчет оптических постоянных из угловых зависимостей коэффициента отражения.

3.3. Расчет спектральных зависимостей оптических постоянных. Влияние экстраполяции спектра в высокоэнергетической области на абсолютные значения оптических постоянных.

3.4. Результаты и выводы.

ГЛАВА IV. СПЕКТРЫ ОТРАЖЕНИЯ КРЕМНИЯ И ЕГО СОЕДИНЕНИЙ.

4.1 Спектры отражения и оптические постоянные кремния и его соединений

4.1.1. БьЭЮз с толщиной диоксида 1,9 нм.

4.1.2. Монокристаллический карбид кремния а-81С. * ^

4.1.3. Аморфный нитрид кремния 8131Ч4. 1 ^

4.2. Квазимолекулярные особенности формирования спектров поглощения.

4.3. Влияние совершенства кристаллической структуры на спектры отражения.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Спектроскопия зеркального отражения и рассеяния мягкого рентгеновского излучения поверхностями твердых тел»

Ультрамягкое рентгеновское излучение занимает в шкале электромагнитных волн область спектра примерно от 1,5 нм до 100 нм. До конца 50-х годов эта промежуточная между рентгеновским и ультрафиолетовым излучением область спектра оставалась практически неизученной. Низкая техника эксперимента создавала большие экспериментальные трудности, которые тормозили развитие ультрамягкой рентгеновской спектроскопии, обладающей солидными преимуществами по сравнению с коротковолновой рентгеновской спектроскопией при изучении электронной структуры твердого тела. Исследования в этом спектральном диапазоне позволяют достичь максимального физического разрешения спектров (определяемого энергетической шириной остовных уровней), а при исследовании твердых тел - максимальной поверхностной чувствительности из-за сильного поглощения ультрамягкого рентгеновского излучения в веществе.

Основы ультрамягкой рентгеновской спектроскопии были заложены А. П. Лукирским в Ленинградском государственном университете в конце 50-х - начале 60-х годов. Именно тогда появились первые работы под его руководством по отражению, вызванные необходимостью создания фильтрующих отражателей, позволяющих устранить одну из основных трудностей при изучении рентгеновских длинноволновых спектров, связанную с наложением излучения, отраженного решеткой в разных порядках дифракции. Эти работы стали началом активных исследований спектральных и угловых зависимостей коэффициента отражения различных веществ и покрытий в широком спектральном диапазоне. Их результаты позволили выбрать наиболее эффективные отражательные элементы оптики спектральных приборов. Следует отметить, что потребности оптики мягкого рентгеновского излучения и в настоящее время являются движущей силой большого числа теоретических и экспериментальных исследований.

Несколько позже была показана применимость формул Френеля в области мягкого рентгеновского излучения и реализован способ расчета спектральных зависимостей коэффициента поглощения на основе экспериментальных спектров отражения решением уравнений Крамерса-Кронига [24]. Показано, что различные способы экстраполяции экспериментального спектра отражения (в коротковолновую и длинноволновую области энергии) сильно влияют на абсолютные значения рассчитываемых величин, при этом положения экстремумов в рассчитанной зависимости коэффициента поглощения /и(Е) не изменяются при любом способе экстраполяции.

Усиление внимания к спектроскопии отражения было обусловлено широкими возможностями использования за рубежом источников синхро-тронного излучения, позволяющими исследовать отражение в широких спектральных интервалах. При этом спектроскопия отражения развивалась в основном в двух направлениях: как метод, позволяющий определять оптические постоянные вещества преимущественно на основе угловых зависимостей коэффициента отражения при фиксированных значениях энергий [89, 95, 142, 143], и как метод, позволяющий изучать статистические свойства поверхностей [65, 73, 96, 103]. Развитие обоих направлений стимулировалось прежде всего разработкой новых оптических элементов нормального падения: многослойных зеркал, а также прозрачных дифракционных элементов - френелевских пластинок, пропускающих решеток.

Анализ тонкой структуры спектров отражения вблизи порогов ионизации обычно не проводился. Вместе с тем отдельные исследования [5, 24] показывали, что тонкая структура спектров отражения вблизи порогов ионизации внутренних уровней, несущая (более сложным образом) информацию об энергетическом распределении плотности состояний зоны проводимости, очень чувствительна как к сорту атомов, расположенных в поверхностном слое исследуемого образца, так и к химическому состоянию атомов.

Определенную роль в развитии спектроскопии отражения сыграло бурное развитие микроэлектроники, выделившей круг полупроводниковых материалов (монокристаллы кремния, карбида кремния и т.д.) и технологий (процесс окисления поверхности, эпитаксиальный рост пленок и т.д.), которые невозможно было изучать с использованием традиционной абсорбционной спектроскопии. Использование спектроскопии квантового выхода внешнего рентгеновского фотоэффекта было также ограничено, поскольку этот метод не позволяет определять абсолютные значения оптических постоянных (в частности, коэффициентов поглощения) материалов, необходимые для создания рентгеновских зеркал и фильтров, широко используемых в космических исследованиях, при изучении плазмы и в других областях науки. Необходим был неразрушающий поверхностно чувствительный метод, позволяющий получать абсолютные значения оптических постоянных, изучать электронную структуру и атомное строение поверхностных областей твердых тел - отражателей, в том числе монокристаллов, с учетом реального строения морфологии поверхности. С точки зрения фундаментальных представлений взаимодействия электромагнитного излучения с поверхностью твердых тел и имеющихся экспериментальных работ именно метод ультрамягкой рентгеновской рефлектомет-рии позволяет решать выше поставленные задачи, выделяясь, таким образом, в самостоятельный метод семейства методов спектроскопии неглубоких остовных уровней атомов.

Основной целью работы является разработка методов получения информации о фундаментальных характеристиках электронного и атомного строения поверхностной области твердых тел - отражателей методами зеркальной рефлектометрии и рассеяния мягкого рентгеновского излучения. Основным способом достижения поставленной цели является изучение механизмов взаимодействия мягкого рентгеновского излучения в возможно более широком спектральном диапазоне, включающем пороги ионизации, с твердотельными отражателями различных типов и с различной морфологией поверхности: кристаллами различной симметрии, включая одноосные, аморфными твердыми телами и покрытиями, слабо и сильно шероховатыми поверхностями, в том числе контролируемыми независимыми методами.

Основными задачами работы, решение которых позволяет достичь намеченной цели, являются следующие:

- совершенствование методики эксперимента, обеспечивающей проведение рентгеноспектральных исследований вблизи порогов ионизации внутренних уровней с высоким энергетическим разрешением при варьировании углов скользящего падения в широких пределах, на спектрометре РСМ - 500 с использованием неполяризованного тормозного излучения рентгеновской трубки и поляризованного синхротронного излучения в широком спектральном диапазоне;

- изучение спектральных распределений коэффициента отражения в широком спектральном интервале, позволяющем с наибольшей точностью использовать дисперсионные соотношения для расчета оптических постоянных; нахождение и обоснование критерия выбора способа экстраполяции экспериментальных данных;

- изучение чувствительности спектральных распределений коэффициента отражения вблизи порогов ионизации внутренних уровней к сорту атомов и их химическому состоянию, а также к нарушениям кристаллической структуры;

- изучение роли пространственной дисперсии в рентгеновской области при взаимодействии электромагнитного излучения с анизотропными кристаллами;

- изучение угловых распределений ультрамягкого рентгеновского излучения, рассеянного поверхностями различного качества обработки, и установление корреляций характеристик рассеяния со статистическими свойствами реальных поверхностей и веществом отражателей для различных условий проведения эксперимента (в зависимости от угла скользящего падения излучения на отражатель и от его длины волны);

- изучение угловой зависимости глубины формирования отраженного излучения и оценка эффективности применения метода ультрамягкой рентгеновской спектроскопии отражения к исследованию различных систем и процессов, происходящих в приповерхностных слоях твердых тел; проверка достоверности полученных результатов.

Научная новизна работы во многом определяется актуальностью и новизной цели и решаемых задач исследования. Впервые на обширном материале изучены особенности процессов отражения и рассеяния ультрамягкого рентгеновского излучения в широком энергетическом диапазоне, с учетом реального микрорельефа и атомного строения отражающих поверхностей, дающие возможность для детального изучения механизмов этих процессов и их теоретического описания и позволяющие использовать спектроскопию отражения как метод неразрушающего послойного анализа электронного и атомного строения поверхностных слоев отражателей. Подавляющее большинство результатов работы получено впервые, в частности:

- на основе экспериментальных спектров отражения с использованием дисперсионного соотношения Крамерса-Кронига получено детальное распределение абсолютных значений оптических постоянных диоксида кремния в области энергий 60 - 3000 эВ, в том числе вблизи SiL2;3-, ОК- и SiK-порогов ионизации; развитие методик измерения абсолютных значений оптических постоянных вблизи порогов ионизации имеет большое значение для совершенствования теоретического описания процесса взаимодействия мягкого рентгеновского излучения с твердыми телами, имеющего в настоящее время, в основном, качественный характер;

- установлен критерий, согласно которому экспериментальный спектр отражения можно экстраполировать соотношением R(E) ~ из энергетической точки, определяемой соотношением < ^;

- обнаружена высокая чувствительность околопороговой тонкой структуры спектров отражения к сорту, химическому состоянию атомов, а также структурным нарушениям;

- обнаружена корреляция изменений тонкой структуры спектров отражения и поглощения, что обеспечивает возможность непосредственного анализа кривых отражения без промежуточного решения уравнения Крамерса-Кронига;

- проведено экспериментальное исследование процесса рассеяния от поверхностей разного качества в условиях полного внешнего отражения и вне их и показано существование влияния на процессы рассеяния и отражения величины радиусов корреляции высот шероховатостей и структурных нарушений, возникающих при технологической обработке в приповерхностных слоях отражателей;

- экспериментально доказано существование эффекта аномального рассеяния (эффекта Ионеды) в области ультрамягкого рентгеновского излучения; проанализированы факторы, влияющие на величину аномального рассеяния рентгеновских лучей;

- обнаружена и изучена ориентационная зависимость спектров отражения и рассеяния рентгеновских лучей в одноосном кристалле ВМгекс вблизи ВК - и 1ЧК - порогов ионизации в широком диапазоне углов скользящего падения с использованием я - поляризованного синхротронного излучения и неполяризованного излучения рентгеновской трубки;

- обнаружена ориентационная зависимость спектров поглощения, рассчитанных на основе измеренных спектров отражения, суть которой состоит в различной степени проявления переходов электронов в тт и *

2р2а2 - компонента) и сг(е (2рху) - компонента)- состояния в зависимости от ориентации кристалла, определяемой взаимным расположением вектора напряженности электрического поля падающей электромагнитной волны Е и кристаллографической оси с кристалла (Е\ | с или Е1с); показана возможность прослеживания роли каждого канала возбуждения в формировании тонкой структуры спектров поглощения;

- экспериментально доказана различная динамика формирования К - спектров поглощения вблизи порогов ионизации бора и азота, что хорошо согласуется с теоретическими расчетами;

- обнаружена высокая чувствительность тонкой структуры спектров отражения и рассчитанных на их основе спектров поглощения к электронно - ядерным (вибронным) состояниям системы, а также к релаксации электронной системы на появление дырки на внутреннем уровне;

- обнаружена высокая чувствительность абсолютных значений коэффициентов отражения к планарной анизотропии поверхности;

- экспериментально определена угловая зависимость глубины формирования отраженного пучка мягкого рентгеновского излучения;

- изучен ряд промышленно важных систем и процессов, демонстрирующий высокую эффективность применения ультрамягкой рентгеновской рефлектометрии для решения широкого круга фундаментальных и прикладных задач физики твердого тела.

Научная и практическая ценность работы определяется тем, что разработанные методические приемы исследования тонкой структуры спектров отражения в области порогов ионизации внутренних оболочек атомов в твердых телах и расчета спектральных зависимостей оптических постоянных на основе экспериментальных спектров отражения увеличивают информативность метода ультрамягкой рентгеновской спектроскопии как метода исследования электронной структуры вещества. Проведенное детальное изучение процессов отражения и рассеяния ультрамягкого рентгеновского излучения от различных реальных поверхностей в условиях полного внешнего отражения и вне их продемонстрировало высокую эффективность использования спектроскопии отражения при изучении микрорельефа и атомной структуры поверхности и позволило расширить представления о фундаментальных процессах, сопровождающих взаимодействие электромагнитного излучения с поверхностями отражателей. Закономерности, выявленные при изучении влияния пространственной анизотропии кристаллов на процессы отражения и рассеяния рентгеновских лучей, будут способствовать дальнейшему развитию теоретических моделей, правильно описывающих механизм формирования ближней тонкой структуры в рентгеновских спектрах поглощения и связь тонкой структуры с электронной структурой твердых тел, а также развитию теории рассеяния от шероховатых поверхностей.

Обнаруженная высокая чувствительность околопороговой тонкой структуры спектров отражения к сорту атомов, расположенных в поверхностном слое отражателей, их химическому состоянию и координации атомов окружения, в сочетании с установленной зависимостью глубины формирования зеркально отраженного пучка от угла скользящего падения излучения на отражатель и учетом обнаруженной корреляции изменений тонкой структуры спектров отражения и поглощения позволяют использовать спектроскопию отражения в качестве метода фазового химического анализа, что является новым оригинальным направлением и существенно расширяет традиционные границы применения рентгеновской рефлекто-метрии.

Практическая ценность работы состоит также в установлении влияния различных технологий обработки поверхности на процессы рассеяния и отражения рентгеновских лучей. Экспериментально обнаруженная и доказанная значимость величины радиусов корреляции высот шероховатостей, толщины и характера нарушенного переходного слоя в процессе отражения и рассеяния рентгеновских лучей будут способствовать дальнейшему развитию рентгеновской оптики, в частности совершенствованию технологий изготовления сверхгладких поверхностей.

Достоверность полученных результатов гарантируется применением современных методов экспериментального исследования отражения и рассеяния ультрамягкого рентгеновского излучения, проведением измерений в беспрецедентно широком спектральном диапазоне, позволяющем многократно повысить точность вычисления оптических постоянных и т.д., использованием различных методик вычисления оптических постоянных, хорошей корреляцией абсолютных значений полученных данных в области нормальной дисперсии с табличными данными, а также применением современных моделей теоретического описания взаимодействия рентгеновского излучения с твердыми телами.

Положения, выносимые на защиту.

1. Спектральное распределение оптических постоянных диоксида кремния в области энергий 60-3000 эВ и методика их расчета по данным измеренных спектрально-угловых зависимостей зеркального отражения рентгеновского излучения.

2. Отражение как Б-поляризованного, так и неполяризованного рентгеновского излучения в области аномальной дисперсии одноосного кристалла В1Мгекс является анизотропным и проявляется в ориентационной зависимости спектров отражения и аномального рассеяния.

3. Эффект аномального рассеяния (эффект Ионеды) существует не только для слабо поглощающих отражателей, но и в области ультрамягкого рентгеновского излучения. Амплитуда рассеяния зависит от высот шероховатостей, их планарной статистики и от наличия и характеристик переходного слоя на поверхности отражателей.

4. Тонкая структура спектров отражения и рассчитанных спектров поглощения чувствительна к характеристикам атомной структуры ближнего и дальнего порядка поверхностных слоев отражателей, а так же к динамике их атомной и электронной подсистем.

5. Результаты измерения угловой зависимости глубины формирования отраженного луча для поверхности диоксида кремния в области

L2j3-nopora, свидетельствующие о существовании такой зависимости даже в области полного внешнего отражения.

6. Спектроскопия отражения мягкого рентгеновского излучения может эффективно использоваться для неразрушающего послойного анализа электронной структуры, фазового химического состава и особенностей атомного строения поверхностных слоев отражателей в диапазоне толщин от единиц до десятков нм.

Апробация работы.

Результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях, совещаниях и семинарах:

Всесоюзном семинаре "Микролитография" (Черноголовка, 1984);

II Всесоюзной конференции "Квантовая химия и спектроскопия твердого тела" (Свердловск, 1985);

X и ХУ Всесоюзных школах - семинарах "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь" (Одесса, 1986; Ивано-Франковск, 1989);

XIV и XV Всесоюзных совещаниях по рентгеновской и электронной спектроскопии (Иркутск, 1984; Ленинград, 1988);

III Всесоюзном совещании по межвузовской комплексной программе "Рентген" (Черновцы, 1989);

Всесоюзном совещании "Проблемы рентгеновской диагностики несовершенства кристаллов" (Цахкадзор, 1985);

IX Всесоюзной конференции по физике ВУФ - излучения (1991);

ХШ и XV Международных конференциях по рентгеновской спектроскопии "X -Ray and Inner - Shell Processes in Atoms, Molecules and Solids" (Лейпциг, Германия, 1984; Ноксвилл, США, 1990);

- 17

IX, X, XI и XII Международных конференциях по физике ВУФ -излучения (Гонолулу, Гавайи, 1989; Париж, Франция, 1992; Токио, Япония, 1995; Сан Франциско, США, 1998);

XIII, XIV и XV Европейских конференциях по физике поверхности ECOSS (Варвик, Швеция, 1991; Лейпциг, Германия, 1994; Лиль, Франция, 1995);

III Международной конференции "Surface X-ray and neutron scattering" (Москва, Россия, 1993);

VI Международной конференции ISSP "Frontiers in Synchrotron Radiation Spectroscopy" (Токио, Япония, 1997);

VIII и X Международных конференциях "X-ray Absorption Fine Structure - XAFS" (Берлин, Германия, 1994; Чикаго, США, 1998)

IX Международной конференции ISCFS "Science and Technologies of Thin Films and Surfaces" (Копенгаген, Дания, 1996)

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Филатова, Елена Олеговна

Основные результаты и выводы диссертационной работы следующие.

1. Впервые измерены спектры отражения одной и той же аморфной пленки диоксида кремния 8Ю2 толщиной 120 нм в широкой области энергий 60 - 3000 эВ и рассчитаны на их основе с учетом шероховатости поверхности распределения абсолютных значений оптических постоянных, включая тонкую структуру в областях 81Ь2 3-, ОК- и ЗЖ-порогов ионизации с использованием дисперсионного соотношения Крамерса-Кронига. Установлен критерий, согласно которому экспериментальный спектр отражения можно экстраполировать соотношением Я(Е) ~ Ел из энергетической точки, определяемой соотношением вс< в/1. Надежность полученных оптических постоянных гарантируется хорошим согласованием данных, полученных двумя независимыми методами расчета.

2. Проведено систематическое изучение влияния химического состояния поглощающего атома и совершенства кристаллической структуры на спектры отражения и поглощения. Обнаружена высокая чувствительность околопороговой тонкой структуры спектров отражения к сорту, химическому состоянию атомов, а также к структурным нарушениям в приповерхностной области отражателей. Обнаруженная корреляция изменений тонкой структуры спектров отражения и поглощения обеспечивает возможность непосредственного анализа кривых отражения без промежуточного решения уравнения Крамерса-Кронига.

3. Впервые проведено детальное исследование процесса рассеяния ультрамягкого рентгеновского излучения от различных поверхностей как в условиях полного внешнего отражения, так и вне его. Экспериментально доказано существование сильной зависимости характеристик отражения и рассеяния ультрамягкого рентгеновского излучения от статистики высот шероховатостей и толщины нарушенного переходного слоя. По данным спектральных зависимостей коэффициентов отражения и характеру рассеяния излучения в области аномальной дисперсии вблизи Ь2;3- края поглощения кремния в кварце установлено, что при одинаковых высотах шероховатостей различные технологические обработки могут приводить к возникновению шероховатостей, существенно различающихся по радиусам корреляции, и по толщинам нарушенных переходных слоев.

4. Экспериментально доказано существование эффекта аномального рассеяния (эффекта Ионеды) в области ультрамягкого рентгеновского излучения и зависимости его величины от величины коэффициента поглощения материала отражателя и характеристик микрорельефа поверхности.

5. Впервые проведено систематическое экспериментальное исследование влияния пространственной анизотропии одноосного кристалла ВИгекс на отражение и рассеяние рентгеновских лучей в широком диапазоне углов скользящего падения и энергий, включая ВК- и 1ЧК-пороги ионизации, с использованием 5 - поляризованного синхротронного излучения и неполяризованного излучения рентгеновской трубки. Полученные результаты указывают на существование ориентационной зависимости спектров отражения и рассеяния в околопороговой области. Предположено, что механизм этой зависимости состоит в различной степени проявления перем » ходов 15 электронов в 7г{1р2а2 - компонента) и сг(е (2р ) - компонента)состояния зоны проводимости кристалла в зависимости от его ориентации, определяемой взаимным расположением вектора напряженности электрического поля падающей электромагнитной волны Е и кристаллографической оси с кристалла (Е11 с или Е±с).

6. Анализ ориентационных зависимостей рассчитанных спектров поглощения показал возможность прослеживания роли каждого канала возбуждения в формировании тонкой структуры. Экспериментально доказана теоретически предсказанная различная динамика формирования К-спектров поглощения вблизи порогов ионизации бора и азота: формирование ВК- спектра поглощения локализовано в кластере , в то время как для интерпретации 1ЧК- спектра поглощения необходим выбор расширенного кластера ВК3В6Ы3, включающего первые три координационные сферы вокруг поглощающего атома. Совместное рассмотрение ВК- и 1\ГК-рассчитанных спектров поглощения указывает на то, что 2р2 состояния азота доминируют в л взаимодействии атомов бора и азота в плоских сетках (вдоль слоев), в то время как состояния бора остаются атомоподобны-ми. Анализ ориентационных зависимостей измеренных ВК-спектров отражения и рассчитанных спектров поглощения продемонстрировал высокую чувствительность тонкой структуры спектров к электронно - ядерным (вибронным) состояниям системы, а также к релаксации электронной системы на появление дырки на внутреннем уровне.

7. Экспериментально определена угловая зависимость глубины формирования отраженного пучка мягкого рентгеновского излучения от угла скользящего падения как в области полного внешнего отражения, так и вне ее для диоксида кремния, и дано качественное объяснение ее вида.

8. Изучен ряд промышленно важных систем и процессов, демонстрирующий высокую эффективность применения ультрамягкой рентгеновской рефлектометрии для решения широкого круга фундаментальных и прикладных задач физики твердого тела.

9. Совокупность полученных данных и использованных методических приемов формирует базу для применения рентгеновской рефлекто

-357метрии в качестве метода неразрушающего послойного анализа химиче ского фазового состава, электронной структуры и атомного строения по верхностных слоев отражателей.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Филатова, Елена Олеговна, 2000 год

1. Новожилов Ю.В., Яппа Ю.А. Электродинамика. - М., Наука, 1978,351 с

2. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М., Наука, 1973, 720 с

3. Агранович В.М., Гинзбург В.Л. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. М., Наука, 1979, 432 с

4. Израилева Л.К., Боровский И.Б. Изв. АН СССР, сер.физ., 1978 36438

5. Weber W.M. Physica, 1962 28 689

6. Мишетт А. Оптика мягкого рентгеновского излучения. М., Мир, 1989,351 с

7. Савинов Е.П., Ляховская И.И., Ершов O.A., Ковалева Э.А. Опт. и спектр. 1969 27 342

8. Блохин М.А. Физика рентгеновских лучей. М., ГИТ Л, 1953,455 с

9. Зеркальная рентгеновская оптика. Под общ. Ред. А.В.Виноградова. Л., Машиностроение, 1989, 463 с

10. Бете Т., Солпитер Э. Квантовая механика атомов с одним и двумя электронами. М., ГИФМЛ, 1960, 562 с

11. Фано У., Купер Дж. Спектральные распределения сил осцилляторов в атомах. М., Наука, 1972, 200 с

12. Амусья М.Я. Атомный фотоэффект. М., Наука, 1987, 272 с

13. Берестецкий В.Б., Лифшиц Е.М., Питаевский Л.П. Квантовая электродинамика. М., Наука, 1980

14. Виноградов A.B., Пустовалов В.В., Шевелько В.П. ЖЭТФ, 1972 63 477

15. Виноградов A.B., Толстихин О.И. К теории оптических констант в вакуумном ультрафиолетовом и мягком рентгеновском диапазонах. Препринт 139, Москва, 1989, Физический ин-т им. П.Н. Лебедева

16. Джеймс Р. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. М., ИЛ, 1950, 572 с

17. Andre J.-M. and Maquet A., Barchewitz. Phys. Rev. В. 1982 255671

18. Henke B.L. American Inst, of Phys., Section IV Atomic Scattering Coefficients and Calculations, 1981, 146

19. Henke B.L., Gullikson E.M. and Davis J.C. At. Data Nucl. Data Tables. 1993 54 1

20. Алавердов В.И., Подоляк E.P. Опт. и спектр. 1982 53 1113

21. Каплан И.Г, Маркин А.П. ДАН. 1975 223 1172

22. Косарев Е.А., Подоляк Е.Р. Опт. и спектр. 1984 56 643

23. Vedrinskii R.V., Kraizman V.L., Novakovich A.A., Machavariani V.Sh. J. Phys. Condens. Matter. 1992 4 6155

24. Ершов O.A. Отражение ультрамягкого рентгеновского излучения и связь коэффициента отражения с коэффициентом поглощения. Дис. канд. физ.-мат. наук, Л., ЛГУ, 1966

25. Томбулиан Д.Г. Экспериментальные методы спектроскопии рентгеновских лучей и спектры полос валентных электронов легких элементов. Сб. Рентгеновские лучи. М., ИЛ, 1960, 468 с

26. Зимкина Т.М., Фомичев В.А. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия. Л., ЛГУ, 1971, 130 с

27. Майзель А., Леонхард Г., Сарган Р. Рентгеновские спектры и химическая связь. Киев, Наукова думка, 1981, 420 с

28. Никифоров И .Я, Блохин М.А. Изв. АН СССР, 1963 27 314

29. Немошкаленко В.В., Антонов В.Н. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Зонная теория металлов. Киев, Наукова думка, 1985, 404 с

30. Немошкаленко В.В., Алешин В.Г. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектрскопии. Киев, Наукова думка, 1974, 380 с

31. Ведринский Р.В. Метод рассеянных волн в теории рентгеновских и электронных спектров. Дис. докт. физ.-мат. наук. Свердловск, 1980

32. Виноградов А.С. Резонансы формы в ближней тонкой структуре ультрамягких рентгеновских спектров поглощения молекул и твердых тел. Дис. докт. физ.-мат. наук. Л., ЛГУ, 1987

33. Павлычев А.А., Виноградов А.С., Кондратьева И.В. ФТТ, 1986 28 2881

34. Басс Ф.Г., Фукс И.М. Рассеяние волн на статистически неровной поверхности. М., Наука, 1984

35. Beckmann P. and Spizzichino A. The Scattering of Electromagnetic Waves From Rough Surfaces, Pergamon, New York, 1863

36. Bennett H.E. and Porteus J.O. J. Opt. Soc. Am. 1961 51 123

37. Porteus J.O. J. Opt. Soc. Am. 1963 53 1394

38. Hogrefe H., Kunz C. Appl. Opt. 1987 26 2851

39. Elson J.M. Phys. Rev. 1984 B30 5460

40. Hogrefe H. Speculare und diffuse Reflexion von weicher Rontgenotrahlung an optiochen Oderflachen. Dissertation zur Erlangang des

41. Doktorgrades, des Fachbereichs Physik der Universität Hamburg, Hamburg, 1985

42. Брытов И. А., Грудский А .Я., Слемзин В. А. О влиянии шероховатости поверхности зеркала на рассеяние ультрамягкого рентгеновского излучения. Краткие сообщения по физике. 1980, №5, 16

43. De Körte P.A.J., Laine R. Appl. Opt. 1979 18 236

44. Roos A., Bergkvist M., and Ribbing C.G. Appl. Opt. 1988 27 4660

45. Zombeck V., Brauninger H., Ondrusch A. et al. Proc. SPIE. 1981 315 174

46. Hasinger G. Die Streuung von Röntgenstrahlen an Polirten Oberflachen. München: Max-Plank-Institut fur Physik und Astrophysik, 1980, 65c.

47. Herring R.H. J.Appl. Opt. 1984 23 11546

48. Aschenbach В., Brauninger H., Hasinger G et al. Proc. SPIE. 1980 257 223

49. Birken H.G., Kunz C., Wolf R. Physica Scripta. 1990 41 385

50. Смирнов JI.A. Опт. и спектр. 1977 43 вып.З, 567

51. Смирнов JI.A., Сотникова Т.Д., Коган Ю.И. Опт. и спектр. 1985 58 400

52. Смирнов JI.A., Сотникова Т.Д., Анохин Б.С., Тайбин Б.З. Опт. и спектр. 1979 46 593

53. Schiffer R. Appl. Opt. 1987 26 704

54. Kretschmann E.Z. Physik. 1969 227 412

55. Kroger E. and Kretschmann E.Z. Physik. 1970 237 412

56. Yark W. and Kunz С. Nucl. Instr. and Meth. 1986 A246 320

57. Sinha S.K., Sirota E.B., Garoff S., Stanley H.B. Phys. Rev. B. 1986 38 №4, 2297 1988

58. Андреев A.B. Рентгеновская оптика поверхности. УФН, 1985 145 вып. 1, 113

59. Андронов A.A. Собрание трудов. Москва, АН СССР, 1956,5.12

60. Виноградов A.B., Зорев H.H., Кожевников И.В., Якушкин И.Г. ЖЭТФ. 1985 89 2124

61. Виноградов A.B., Зорев H.H., Кожевников И.В. и др. Об особенностях диффузного рассеяния при отражении рентгеновского излучения. Препринт ФИАН. 1986, №316, 31с

62. Виноградов A.B., Зорев H.H., Кожевников И.В. и др. ЖЭТФ. 1988 94 203

63. Артюков И.А., Кожевников И.В. Препринт ФИАН. 1988, №213,46с

64. Виноградов A.B., Кожевников И.В. Труды ФИАН. 1989 196 1

65. Карабеков А.Ю., Кожевников И.В. Рассеяние рентгеновского излучения шероховатой пленкой. Препринт ФИАН, 1993, №6, 47с

66. Асадчиков В.Е., Андреев В.В., Виноградов A.B., Карабеков А.Ю., Кожевников И.В., Кривоносов Ю.С., Постнов A.A., Сагитов С.И. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1998 7 17

67. Yoneda Y. Phys. Rev. 1963 131 2010

68. Guentert O.J. J. Appl. Phys. 1963 36 1361

69. Ровинский Б.М., Синайский B.M., Сиденко В.И. ФТТ. 1972 14409

70. Киселева К.В., Турьянский А.Г. Краткие сообщения по физике. 1977, №8, 25

71. Киселева К.В., Турьянский А.Г. Препринт ФИАН. 1979, №34

72. Виноградов А.В., Зорев Н.Н, ДАН. 1986 286 1377

73. Пааш Г., Хитшольд М. Поверхности твердых тел. Достижения электронной теории металлов. Под ред. Цише. М.: Мир, 1984, т.2

74. Borisova S.S., Mikhailov I.F., Kozhevnikov I.V., Vinogradov A.V. Opt. & Acoustical Review. 1991 1 183

75. Асадчиков B.E., Букреева И.Н., Виноградов A.B., Кожевников И.В., Осташев В.И., Сагитов С.И. Квантовая электроника. 1997 24 845

76. Asadchikov V.E., Duparre A., Jakobs S., Karabekov A.Yu., Kozhevnikov I.V. and Krivonosov Yu.S. Appl. Opt. 1999 38 №4

77. Asadchikov V.E., Duparre A., Kozhevnikov I.V., Krivonosov Yu.S., Sagitov S.I. Proc. SPIE. 1999 3738

78. Kozhevnikov I.V., Asadchikov V.E., Duparre A., Gilev O.N., Havronin N.F., Krivonosov Yu.S., Ostashev V.I., Steinert J. Proc. SPIE. 1999 3739

79. Bukreeva I.N., Asadchikov V.E., Gilw O.N., Havronin N.A., Kozhevnikov I.V., Krivonosov Yu.S., Ostashev V.I., Sagitov S.I. Proc. SPIE. 1999 3739

80. Sandstrom A.E. Z. Phys. 1930 65 632

81. Rose M.E., Shapiro M.M. Phys. Rev. 1948 74 1853

82. Parratt L.G., Hempstead C.F. and Jossem E.L. Phys. Rev. 1957 1051228

83. Ершов О.А., Брытов И.А., Лупирский А.П. Опт. и спектр. 1967 22 вып. 1, 127

84. Hendrik R.W. J. Opt. Soc. Amer. 1957 47 165

85. Ершов О.А. Опт. и спектр. 1967 22 468

86. Лукирский А.П., Савинов Е.П., Ершов О.А., Шепелев Ю.Ф. Опт. и спектр. 1964 16 310

87. Комптон А., Алиссон С. Рентгеновские лучи. Теория и эксперимент. Пер. с англ. -JI; М, Гостехиздат, 1941, 670с.

88. Ершов O.A., Брытов И.А. Опт. и спектр. 1967 22 вып.2, 305

89. Yanagihara М., Niwano М., Koide Т., Sato S., Miyahara Т., Iguchi Y., Yamaguchi S., Sasaki T. Appl. Optics. 1986 25 №24

90. Windt D.L., Cash W.C., Scott J.M., Arendt P., Newnam В., Fisher R.F., Swartzlander A.B., Takacs P.Z., Pinneo J.M. Appl. Optics 1988 27 №2, 279

91. Савинов Е.П., Ляховская И.И., Ершов O.A., Ковалева Э.А. Опт. и спектр. 1969 27 вып.2, 342

92. Tousey R. J. Opt. Soc. Am. 1959 29 235

93. Field G.R., Murphy E. Appl. Opt. 1971 10 1402

94. Bevington P.R. Data Reduction and Error Analysis for the Physical Sciences, McGraw-Hill, New York, 1969

95. Lampton M., Margon В., Bowyer S. Astrophys. J. 1976 208 177

96. Windt D.L., Cash W.C., Scott J.M., Arendt P., Newnam В., Fisher R.F., Swartzlander A.B. Appl. Opt. 1988 27

97. Wolf R., Birken H.G. and Kunz С. Appl. Opt. 1992 31 7313

98. Parrati L.G. Phys. Rev. 1954 95 359

99. Segmuller A. Thin Solid Films. 1973 18 287

100. Lee P. Opt. Commun. 1982 42 195

101. Underwood J.H., Barbee T.W. Jr., Appl.Opt. 1981 20 3027

102. Marmoret R. And Andre J.M. Appl. Optics. 1983 22 17

103. Vinogradov A.V. and Zeldovich B.Y. Appl. Opt. 1977 16 89

104. Andre J.M., Sammar А., Вас S., Onahabi M., Idir M., Soullie G., Barchewitz R. J. Phys. Ill France. 1994 4 1659

105. Ершов О.А., Чернова С.И. Опт. и спектр. 1969 26 вып.З, 597

106. Toll J.S. Phys. Rev. 1956 104 1760

107. Hagemann H.J., Clucher R. and Nielson V. Preprint DESY 41-73/10, 1

108. Stern F., Solid State Physics 1963 15 ed. Seitz F. and Turnbull D. (London, Academic)

109. Young R.H. J. Opt. Soc. Am. 1977 67 520

110. Plaskett J. J. Chem. Phys. 1963 38 612

111. Лукирский А.П., Брытов И.А., Комяк Н.И. Сб. Аппаратура и методы рентгеновского анализа. Вып. 2, СКБ РА, 4

112. Лукирский А.П., Савинов Е.П. Опт. и спект. 1963 14 295

113. Ершов О.А., Брытов И.А., Лукирский А.П. Опт. и спектр. 1967 22 127

114. Лукирский А.П., Савинов Е.П., Ершов О.А., Жукова И.И., Фомичев В.А. Опт. и спектр. 1965 19 вып. 3, 425

115. Лукирский А.П. Развитие методов ультрамягкой рентгеновской спектроскопии и исследования различных спектров. Дис. докт. физ.-мат. наук. Л., ЛГУ, 1964

116. Савинов Е.П., Лукирский А.П. Опт. и спектр. 1967 23 вып.2,303

117. Лукирский А.П., Савинов Е.П., Брытов И. А. и др. Изв. АИ СССР. 1964 28 №5, 866

118. Bearden J.A. US Atomic Energy Comission, Oax Ridge. Tennessee, 1964

119. Dannhoser G., Wiech G. Phys. Lett. A. 1971 35 №3, 208

120. Брытов И.А., Грудский А.Я., Оболенский E.A., Панов А.Ф. ПТЭ 1979, №6, 125

121. Hogrefe H., Giesenberg D., Haelbich R-P and Kunz C. Nucl. Instrum. Methods. 1983 208 415

122. Jark W., Haelbich R-P, Hogrefe H. and Kunz C. Nucl. Instrum. Methods. 1983 209 315

123. Jark W. and Kunz C. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1986 A246 320

124. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. Под ред. Бургера Р., Донована Р., М., Мир, 1969, 451с.

125. Химическое газофазное осаждение тугоплавких неорганических материалов. Сб. статей, JL, ГИПХ, 1975, 100 с.

126. Palik E.D. (ed) Handbook of Optical Constants Of Solids. Orlando, FL: Academic, 1985

127. Каллуэй Д. Теория энергетической зонной структуры. М., Мир, 1969, 20 с

128. Ершов О.А., Бурцева В.М., Опт. и спектр., 1970 28 вып1, 167

129. Виноградов А.С., Филатова Е.О., Зимкина Т.М. ФТТ, 1983 25 №4, 1120

130. Bearden J.A. Rev. Mod. Phys., 1967 39 №1, 78

131. Гольцман Ф.М. Физический эксперимент и статистические выводы. Л.: ЛГУ, 1982

132. Fano V., Cooper J., Rev. Mod. Phys., 1968 40 441.

133. Филатова E.O., Виноградов A.C., Зимкина T.M., Сорокин И.А. ФТТ, 1985 27 №4, 991

134. Ершов О.А., Бурцева В.М. Оптика и спектроскопия, 1969 28 № 1, 167

135. Ершов O.A., Чернова С.И. Оптика и спектроскопия, 1969 26 № 4, 597

136. Brown F.С., Bachrach R.Z., Skibowski М. Phys. Rev. 1977 В 154781

137. Lagarde P. and Flank A.M., J. Phys. (Paris), 1986 47 1389

138. Bart F., Jollet F., Durand J.P. and Douillard L. Phys. Status Solidi, 1993 В 176 163

139. Li D., Bancroft G.M., Kasrai M., Fleet V.E., Feng X.H., Tan K.H., Yang B.X. Solid State Commun. 1993 87 613

140. Фомичев В.А., Зимкина T.M., Виноградов A.C., Евдокимов A.M. Ж. структурной химии. 1970 11 676

141. Виноградов A.C., Зимкина Т.М. Опт. и спектр. 1971 31 685

142. Barchewitz R., Cremonese-Visicato М., Onori G. J. Phys. С: Solid State Phys. 1978 11 4439

143. Windt L. Appl. Optics. 1991 30 №1, 15

144. Yanagihara M., Jianlin C., Yamamoto M., Namioka T. Rev.Sci.Instrum. 1989 60 7, 2030

145. Жукова И. И., Фомичев В.А., Виноградов A.C., Зимкина Т.М. ФТТ. 1968 10 1383

146. Добролеж С.А., Зубкова С.М., Кравец В.А., Смушкевич В.З., Толныго К.Б., Францевич И.Н. Карбид кремния. УССР, Киев, ГИТЛ, 1963, 315 с

147. Wiebke G. Ber. Deutsch. Ker. Ges. 1960 37 5, 219

148. Brown F.С., Bachrach R.Z., Skibovski M. Phys. Rev. В. 1989 45 N10, 4781

149. Butscher W., Friedrich H., Rabe Р., Schwarz W.H.E., Sonntag В. Chem. Phys. Lett., 1979 64 360

150. Friedrich H., Pittel В., Rabe Р., Schwarz W.H.E., Sonntag В. J. Phys. B, 1980 13 25

151. Павлычев A.A. Структура рентгеновских возбужденных состояний в октаэдрических и тетраэдрических молекулах и комплексах и в ионных кристаллах. Канд. дис. физ.-мат. наук, JL, ЛГУ, 1980, 163 с

152. Павлычев A.A., Виноградов A.C., Зимкина Т.М., Онопко Д.Е., Сцарган Р. Опт. и спектр. 1980 48 192

153. Павлычев A.A., Виноградов A.C., Зимкина Т.М. Опт. и спектр. 1982 52 №1,231

154. Павлычев A.A., Виноградов A.C., Зимкина Т.М., Онопко Д.Е. Опт. и спектр. 1982 52 №3, 506

155. Bearden J.A., Burr A.F. Rev. Mod. Phys., 1967 39

156. Баринский P.JI., Нефедов В.И. Рентгеноспектральное определение заряда атомов в молекулах. М., Наука, 1966, 246 с

157. Friedrich Н. Diplomarbeit Universität, Hamburg, 1976

158. Papaconstantopoulos D.A., Klein B.M. Sol. St. Commun. 1980 34 №7,511

159. Li D., Bancroft G.M., Kasrai M., Fleet M.E., Feng X.H, Tan K.H., Yang B.X. Solid State Commun. 1993 87 613

160. Брытов И.А., Ромащенко Ю.В. ФТТ. 1978 20 в.З, 664

161. Порай-Кошиц Е.А. Физика и химия стекла. 1977 3 №4, 292

162. Силинь А.Р., Трухин H.A. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02, Рига, "Зинатне", 1985,244с.

163. Силинь А.Р., Спуя Л.Н., Лапенене А.Н. В кн. Физика и химия стеклообразующих систем. Рига, 1977, вып.5, 93

164. Берсукер И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений. Химия, Л, 1976, 349с.

165. Tanaka Isao, Kawai Jun and Adachi Hirohiko Phys. Rev. B. 1995 52 №16, 1173

166. Wyckoff R.G. Crystal Structures., 2nd ed. (Interscience, New York,1864)

167. Павлычев A.A., Барри А. ФТТ. 1990 32 №1, 127

168. Вайнштейн Б.К., Фридкин B.M., Инденбом В.JI. Современная крсталлография. 2 Наука, Москва, 355 с.

169. Шаскольская М.П. Кристаллография. Москва, Высшая школа, 1976, 390с.

170. Прянишников В.П. Система кремнезема. Л., 1971

171. Бацанов С.С. Ж. Структ. Химии. 1970 11 156.

172. Davies В.М., Bassoni F., Brown F.C. and Olson C.G. Phys. Rev. 1981 B24 №6, 3537

173. Brown F.C., Bachrach R.Z., Skibowski M. Phys. Rev. В., 1976 13 №6, 2633

174. Barth J., Kunz C, Zimkina T.M. DESY-SR. 1980, 11

175. Leapman R.D., Silcox J. Phys. Rev. Lett. 1979 42 №20, 1361

176. Vedrinskii R.V., Wraizman V.L., Novakovich A.A., Machavariani V. Sh. J. Phys.: Condens. Matter., 1992 4 6155

177. Hoffman R.D., Doll G.L., Eklund P.C. Phys. Rev. B. 1984 30 №10,6051

178. Joyner D.J., Hercules D.M. J. Chem. Phys. 1980 72 №2, 1095

179. Пахмансон M.C., Смирнов В.П. ФТТ, 1971 13 №3, 905

180. Пахмансон М.С., Смирнов В.П. ФТТ, 1971 13 №8, 3288

181. Doni E., Pastori Parravicini G. Nuovo Cimento, 1969 64B 117

182. Robertson J. Phys. Rev. В. 1984 29 №4, 2131

183. Xu Y.-N., Ching W.Y. J. Phys.: Condens. Matter, 1991 44 7787

184. Cattellani A., Pasternack M., Baidereschi A., Freeman A. J. Phys. Rev. В., 1987 36 6105

185. Park К.Т., Terakura К. and Hamada N. J. Phys. C.: Solid State Phys., 1987 20 1241

186. Franke R., Bender S., Hormes J., Pavlychev A.A., Fominych N.G., Chemical Physics, 1997 216 243

187. Tegeler E., Kosueh N, Wiech G., Falssler A. DESY-SR., 1978, 11

188. Franke R., Bender S. and Hormes J., Freseniws J. Anal. Chem., 1996 345 874

189. Fomichev V.A. and Rumsh M.A. J. Phys. Chem. Solids, 1968 291015

190. Barth J., Kunz С. and Zimkina T.M. Solid State Commun. 1980 36453

191. Shimada H., Matsubayashi N. and Imamura M. J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom., 1996 79 211

192. Виноградов A.C., Некипенов C.B., Павлычев A.A. ФТТ, 1991 33 №3, 896

193. Li D., Bancroff G.M. and Fleet M.E. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1996, 79 71

194. Кребс Г. Основы кристаллохимии неорганических соединений. М.: Мир, 1971

195. Hosoi J., Oikawa Т., Inoue М., Matsui Y., Endo Т. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 1982 27 243

196. Leapmen R.D., Fejes P.L. and Silcox J. Phys. Rev. В., 1983 282361

197. Павлычев A.A, Виноградов A.C., Степанов А.П., Шулаков A.C. Опт. и спектр., 1993 75 вып.З, 555

198. Ishiguro Е., Iwata S., Suzuki Y., Mikuni A. And Sasaki J. Phys. Rev. B, 1982 15 1841

199. Nekipelov S.V., Akimov V.N., Vinogradov A.S. Sov. Solid State Phys. 1988 30 3647

200. Nekipelov S.V., Akimov V.N., Vinogradov A.S. Sov. Solid State Phys. 1991 33 663

201. Franke R., Bender St. and Hormes J. Physica B, 1995 208/209 293

202. Pavlychev A.A., Franke R., Bender St. and Hormes J. J. Phys.: Condens. Matter. 1998 10 2181

203. Cheung T.T.P. Phys. Rev. B. 1985 31 N8, 4792

204. Painter G.S. and Ellis D.E. Phys. Rev.B. 1980 1 4747

205. Hamrim K. et al, Phys. Scripta. 1970, 1, 277

206. Hendrickson D.M., Hollander J.M. Inorg. Chem. 1969 8 2642

207. Franke R., Bender St. and Hormes J. Fresenius J. Anal. Chem. 1996 345 874

208. Эйхенвальд Ф.Ф. ЖРФХО. 1909 41 131

209. Ахманов С.А. и др. УФН. 1985 147 675

210. Appleton B.R. and Celer G.K. (Eds.) Laser and electron beam interaction with solids. New York, 1982

211. Eberhardt W., Kalkoffen G., Kunz С., Aspnes D., Cardona M. Phys. St. Sol. (b). 1978 88 N1, 135

212. Зорин Е.И., Павлов П.В., Тетельбаум Д.И. Ионное легирование полупроводников. М., 1975, 128с.

213. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М., 1973, 296 с.

214. Вопросы радиационной технологии. Под ред. Л.С.Смирнова. Новосибирск, 1980, 294 с.

215. Александров О.В., Гавриков Г.А. ПТЭ. 1982, N3, 207

216. Смирнов И.Н. ДАН СССР. 1975 225 N3, 621

217. Домашевская Э.П., Терехов В.А., Медведев Н.М., Тростян-ский С.Н. В кн. "Фундаментальные вопросы ионной имплантации", Алма-Ата, Наука, Каз.ССР, 1987 с. 181-199

218. Filatova Е.О., Stepanov А.Р., Blessing С., Friedrich J., Barchewitz R., Andre J.-M., Le Guern F., Вас S. and Troussel D. J. Phys.: Condens. Matter.1995 7 2731

219. Филатова E.O., Степанов А.И., Лукьянов В.А. Оптика и спектр.1996 81 №3,458

220. Filatova Е.О., Lukyanov V.A., Blessing С., Friedrich J. J. Electron Spectroscopy &. Related Phenomena 1996 79 63

221. Filatova E.O., Lukyanov V.A., Barchewitz R, Andre J.-M., Idir M. and Stemmler Ph. J. Phys.: Condens. Matter. 1999 11 3355

222. Filatova E.O., Blessing C., Friedrich J. Annual Report 1993, DESY, 209

223. Благовещенская Т.А., Филатова E.O. Письма в ЖТФ. 1991 1714

224. Филатова Е.О., Благовещенская Т.А. Письма в ЖЭТФ. 1990 521005

225. Филатова Е.О., Благовещенская Т.А. ФТТ.1991 33 2320

226. Filatova Е.О., Blagoveshcenskaya Т.А. J. X-ray Scin. & Tech. 1992 3 204

227. FilatovaE.O. SPIE. X-ray Optics and Surface Science. 1995 2453

228. Филатова E.O., Благовещенская T.A., Кожахметов C.K. ФТТ, 1990, 32 1551

229. Filatova E.O., Pavlychev A.A., Blessing С., Friedrich J., Physica В, 1995 208 & 209 417

230. Filatova E.O., Blagoveshchenskaya T.A. J. of X-Ray Science and Technology, 1993 4 1

231. Филатова E.O., Шулаков A.C., Лукьянов В.А. ФТТ. 1998 401360

232. FilatovaE.O., Shulakov A.S.J. Col. & Interface Sein. 1995 169 361

233. Филатова Е.О., Сагитов С.И., Благовещенская Т.А., Кожахметов С.К., Преображенский А.Б. Письма в ЖЭТФ. 1992 18 16

234. Шулаков A.C., Филатова Е.О., Степанов А.П., Кожахметов С.К. ФТТ. 1990 32 2895

235. Филатова Е.О., Кожахметов С.К., Виноградов A.C., Благовещенская Т.А. ФТП. 1990 24 1216

236. Филатова Е.О., Благовещенская Т.А., Кожахметов С.К., Шулаков A.C., Алавердов В.И. Электронная техника, сер.2, Полупроводниковые приборы. 1991, вып.З, 212

237. FilatovaE.O., Shulakov A.S. SPIE. X-ray Optics and Surface Science. 1995 2453 122

238. Заключительный отчет по НИР НИИ физики ЛГУ/ Рук. Е.О. Филатова. NTP 01870026242, инв.02890050312. Л., 1989, 53 с.

239. Заключительный отчет по НИР НИИ физики ЛГУ/ Рук. Е.О. Филатова. NTP 01910048360, инв.02010048047. Л., 1991, 55 с.- 374

240. Боричев В.П., Виноградов A.C., Смирнов И.Н., Филатова Е.О Утенкова О.В., Щукин Г.А. // A.c. N 3717778/25, приоритет от 2.04.84 класс: 01 N23/20.