Электронная структура и фазовый состав тонких пленок на основе углерода и кремния, определенные методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Шамин, Сергей Николаевич

• Шамин, Сергей Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Шамин, Сергей Николаевич

Список сокращений и условных обозначений

Введение

1 Информативность рентгеновских эмиссионных спектров

1.1 Интенсивность рентгеновских спектров и ее связь с плотностью электронных состояний

1.2 Вариация энергии возбуждающих электронов — возможность исследования состава и электронной структуры атомных слоев по глубине их залегания.

1.2.1 Распределение характеристического рентгеновского излучения по глубине.

1.2.2 Модель Яковица и Ньюбури.

1.2.3 Модель Брауна.

2 Атомная и электронная структура соединений углерода и кремния

2.1 Структурные формы углерода в конденсированном состоянии

2.1.1 Кристаллическая структура алмаза.

2.1.2 Кристаллическая структура графита.

2.1.3 Структура плёнок углерода

2.1.4 Расчеты зонной структуры алмаза, лонсдейлита, графита

2.2 Атомная и электронная структура кремния и его соединений

2.2.1 Особенности формирования рентгеновских эмиссионных 1/2,з-спектров

2.2.2 Особенности химической связи в силицидах и ее проявление в рентгеновских спектрах.

2.2.3 Барьеры Шоттки в интерфейсах "переходный металл - кремний"

3 Методика эксперимента

3.1 Рентгеновский спектрометр РСМ

3.2 Ультрамягкий рентгеновский спектрометр высокого энергетического и пространственного разрешения "Спектрозонд".

3.3 Устойчивость образцов к воздействию электронного пучка

3.4 Другие спектральные эксперименты

4 Рентгеновские эмиссионные спектры углеродных материалов

4.1 Особенности формирования рентгеновских эмиссионых С АЬ-спектров гетерофазных материалов на основе углерода.

4.2 Ориентационные зависимости С Яа-спектров.

4.2.1 Квазимонокристаллический графит.

4.2.2 Борированное углеродное волокно.

4.3 Влияние нейтронного облучения на электронную структуру графита и алмаза.'.

4.4 Рентгеновские эмиссионные С -КЬ-спектры углеродных алмазных и алмазоподобных пленок.

4.5 Определение типа электронной гибридизации в пленках CNo<x<o. по рентгеновским эмиссионным спектрам

5 Применение ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии для исследования интерфейсов на основе кремния

5.1 Si Зс£-состояния в рентгеновских эмиссионных Si /^з-спектрах 3d-силицидов.

5.2 Электронная структура, рентгеновские эмиссионные и фотоэлектронные спектры силицидов 4d- и 5с/-элементов.

5.3 Применение ультрамягкой рентгеновской эмиссионой спектроскопии для анализа профиля Fe-Si слоев, полученных имплантацией в кремний ионов Fe+

5.4 Взаимодействие кремния с иридием в системе Ir/Si.

5.5 Применение ультрамягкой рентгеновской спектроскопии для анализа многослойной структуры W/Si.

5.6 Структуры SÍO2/SÍ, облученные высокоэнергетическими электронами

5.7 Применение рентгеновских Si /^з-спектров для анализа слоев, полученных совместным распылением разнесённых в пространстве источников S1O2 и Si.

5.8 Рентгеноэмиссионное исследование структуры слоев Si:H, сформированных имплантацией ионов водорода с низкой энергией.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронная структура и фазовый состав тонких пленок на основе углерода и кремния, определенные методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии»

Ключевым фактором в разработке технологии получения новых функциональных материалов — сверхтвердых алмазоподобных пленок, полупроводниковых ге-тероструктур и др. — является знание особенностей их электронной структуры, химической связи и фазового состава границ раздела твердых тел (интерфейсов), устойчивости к радиации. Два элемента, являясь представителями четвертого периода в Периодической системе элементов, играют огромную роль в современном материаловедении: это кремний и углерод.

Основой современного электронного материаловедения является кремний. Именно соединения на основе кремния определяют практически всю современную технологию, являются исходными материалами для создания приборов микроэлектроники на основе барьерных слоев «полупроводник-металл» и «полупроводник-полупроводник». Интерес к исследованию углеродсодержащих соединений, обусловлен их уникальными физическими, химическими, механическими и другими свойствами. Кроме того, материалы на основе углерода — углеродные нанотруб-ки и графен — могут стать основой электроники будущего. Поэтому необходимы исследования локальной атомной и электронной структуры материалов на основе углерода и кремния, распределения фаз и элементов в тонких пленках и, в интерфейсных слоях.

Применение поверхностно-чувствительных методов для исследования электронной структуры, элементного и фазового состава интерфейсных слоев — фотоэлектронной и Оже-электронной спектроскопии — требует послойного удаления слоев за счет бомбардировки материала ионами инертного газа, приводящей, во многих случаях, к изменению фазового и структурного состояния его поверхности. В этом аспекте интерес представляет ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия — неразрушающий метод исследования, позволяющий определять локальную атомную и электронную структуру, особенности химической связи, структурное состояние материалов, и, при вариации энергии возбуждающих электронов, дающая информацию об элементном и фазовом составе интерфейсных и «скрытых» слоев — слоёв, закрытыми другими атомными слоями. Рентгеновский микроанализ при вариации энергии возбуждающих электронов довольно давно используется для анализа распределения элементов по глубине (см., например, [6]).

Однако из-за довольно плохого разрешения по глубине этот метод не выдерживает конкуренции с другими поверхностно-чувствительными методами — в частности, с методом обратного резерфордовского рассеяния. Ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия за счет высокого энергетического разрешения дает возможность исследования тонкой энергетической структуры материалов и, за счет этого, получать информацию об их фазовом и структурном состоянии, однако не позволяет изучать микрообъемы вещества. Рентгеновский ультрамягкий спектрометр-микроанализатор с дифракционной решеткой «Спектрозонд» позволил объединить достоинства ультрамягких рентгеновских спектрометров — возможность использования рентгеновского излучения с длинами волн до 50 нм при высоком энергетическом разрешении — и рентгеновских микроанализаторов, глав-нм достоинстовом которых является высокое пространственное разрешение.

Системы на основе углерода и кремния благоприятны для изучения их методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии. Во-первых, рентгеновские эмиссионные С Ка- (электронные переходы 2р —> и /^-спектры (электронные переходы ЗяЗс1 2р) отличаются высокой чувствительностью к изменениям в ближайшем окружении излучающих атомов, и, следовательно, имеется возможность с помощью этих спектров проводить фазовый анализ материалов и исследовать локальную атомную структуру. Во-вторых, характерная, толщина интерфейсных слоев составляет 20 - 200 нм. Этот диапазон может быть исследован на лабораторных рентгеновских спектрометрах с помощью ¿г.з-спектров при вариации энергии электронов от 2 до 10 кэВ. В-третьих, созданный при участии диссертанта уникальный ультрамягкий спектрометр-микроанализатор с дифракционной решеткой «Спектрозонд» дает возможность измерений рентгеновских спектров в микрообъеме вещества и при малых значениях токов прошедших через образец электронов (порядка десятков нА), что, в отличие от стандартных рентгеновских спектрометров с электронным возбуждением, позволяет проводить рентгеноспектральные исследования практически без повреждения образцов.

Нужно отметить, что в области применения ультрамягкой рентгеновской спектроскопии для анализа интерфейсов ведутся работы в исследовательских группах А. С. Шулакова (Санкт-Петербургский государственный университет) [7-15], Э. П. Домашевской и В. А. Терехова (Воронежский государственный университет) [16-18]. За рубежом метод ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии с вариацией энергии возбуждающих электронов развивали группы проф. Виха (Германия, Мюнхенский университет) [19], К. Боннелъ (С. ВоппеИе) — Университет Пьера и Марии Кюри, Париж, Франция [20]; М. Ивами (М. 1\уагш) — Университет г. Окаямы, Япония [21-23]. Более полный список работ, посвященных применению мягкой рентгеновской спектроскопии для изучения твердофазных- реакций в интерфейсах, можно найти в нашем обзоре [24]. Однако моделирование функции генерации излучения (методами Монте-Карло), успешное для энергий возбуждающих электронов более десятка кэВ, оказалось неподходящим для сравнительно низких энергий (менее 10 кэВ). Поэтому исследователи ограничивались, как правило, либо качественным анализом полученных результатов, либо упрощали функцию генерации излучения — предполагая ее постоянной от поверхности исследуемого материала до максимальной глубины проникновения в него электронов.

Целью работы является исследование особенностей электронной структуры и определение фазового состава тонких пленок на основе углерода и кремния методом улътрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии. Эта цель определила следующие задачи:

1) адаптацию ультрамягкого рентгеновского спектрометра-микроанализатора для получения рентгеновских эмиссионных спектров высокого энергетического разрешения и исследования электронной структуры материалов с его помощью;

2) разработку количественной неразрушающей методики послойного фазового анализа тонких пленок и границ раздела твердых тел с помощью ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии при вариации энергии возбуждающих электронов;

3) определение типа гибридизации электронных орбиталей атомов углерода в алмазоподобных пленках;

4) выявление роли Si З^-состояний в формировании валентных полос силицидов переходных 3d-, 4с/-, 5е?-элементов;

5) определение электронной структуры и фазового состава по глубине неоднородных тонких пленок и интерфейсов на основе кремния, подвергнутых термической обработке, бомбардировке ионами и высокоэнергетическими электронами.

Объекты исследования: углеродные алмазные пленки; алмазоподобные пленки CN* (0 < х < 0.5); силициды 3d-, 4d-, 5с/-элементов (MnSi, Mn5Si3, FeSi, FeSi2, CoSi, Co2Si, CoSi2, NiSi, Ni3Si, NiSi2, RuSi, RhSi, PdSi, IrSi3, Ir3Si5, OsSi, PtSi); монокристаллический кремний, подвергнутый имплантации ионами Fe+; тонкие пленки Ir/Si и мультислои W/Si после термообработки; пленки SÍO2/SÍ, облученные высокоэнергетическими электронами; композитная структура, полученная совместным распылением разнесённых в пространстве источников SÍO2 и Si; слои Si:H, сформированные имплантацией в кремний ионов водорода.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1) впервые выполнены исследования электронной структуры по ультрамягким рентгеновским эмиссионным спектрам высокого энергетического разрешения в микрообъемах большого числа неоднородных углеродных и кремниевых материалов, подвергнутых внешним воздействиям;

2) определен характер электронной гибридизации атомов углерода в алмазо-подобных плёнках СГ^ в зависимости от содержания азота;

3) предложена и экспериментально проверена модель расчета интенсивности ультрамягкого рентгеновского излучения для проведения неразрушающего исследования фазового и элементного состава материалов по глубине из рентгеновских эмиссионных спектров, измеренных при вариации энергии возбуждающих электронов;

4) предложен способ определения фазового состава и электронной структуры подповерхностных слоев занимающих определенный интервал глубин с помощью разности рентгеновских эмиссионных спектров, измеренных при разных значениях энергий возбуждающих электронов; 5) проведены исследования распределения по глубине фазового состава и электронной структуры в тонких плёнках и мультислоях на основе кремния;

6) показано, что Зс£-состояния во всех исследованных силицидах переходных элементов входят в валентную полосу и локализованы вблизи её вершины.

Практическая ценность работы. Результаты исследования состояния гибридизации углеродных атомов в углеродных тонких пленках, электронной структуры и и фазового состава по глубине кремниевых тонких пленок в зависимости от внешних воздействий, полученные методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии, могут быть использованы в институтах и организациях, занимающихся производством и исследованием полупроводниковых устройств и микросхем (в Институте полупроводников СО РАН, Физико-техническом институте РАН, ИФМ УрО РАН), институтах, занимающихся синтезом и исследованием новых материалов на основе углерода (Восточном научно-исследовательском угле-химическом институте (ФГУП ВУХИН), Челябинском государственном педагогическом университете), а также в институтах и университетах, использующих рентгеновскую спектроскопию с электронным возбуждением (в Санкт-Петербургском и Воронежском государственных университетах).

Соответствие диссертации Паспорту научной специальности

Содержание диссертации соответствует следующим пунктам Паспорта специальности 01.04.07 — физика конденсированного состояния: п. 1. Теоретическое и экспериментальное изучеиие физической природы свойств металлов и их сплавов, неорганических и органических соединений, диэлектриков и в том числе материалов световодов как в твердом, так и в аморфном состоянии в зависимости от их химического, изотопного состава, температуры и давления. п 3. Изучение экспериментального состояния конденсированных веществ (сильное сжатие, ударные воздействия, изменение гравитационных полей, низкие температуры), фазовых переходов в них и их фазовые диаграммы состояния. п. 6. Разработка экспериментальных методов изучения физических свойств и создание физических основ промышленной технологии получения материалов с определенными свойствами.

На защиту выносятся следующие положения:

1) возможность изучения электронной структуры и фазового состава материалов в микрообъемах по ультрамягким рентгеновским спектрам;

2) методика количественного неразрушающего фазового анализа по глубине тонких пленок и границ раздела твердых тел по ультрамягким рентгеновским эмиссионным спектрам, полученным при вариации энергии возбуждающих электронов;

3) экспериментально обнаруженный переход от вр3- к ¿^-гибридизации в ал-мазоподобных пленках СКХ с ростом содержания азота;

4) участие Зо?-состояний в формировании валентных полос силицидов переходных ЗоЦ 4а!-, 5^-элементов;

5) результаты определения электронной структуры и фазового состава по глубине неоднородных тонких пленок и интерфейсов на основе кремния, подвергнутых внешним воздействиям (термообработке, бомбардировке ионами и высокоэнергетическими электронами), по рентгеновским эмиссионным спектрам.

Апробация работы. Полученные в диссертации результаты и выводы обсуждались на следующих конференциях и совещаниях: Международном конгрессе, посвященном 100-летию открытия рентгеновских лучей (Вюрцбург, 1995); 17-й Международной конференции "Рентгеновские лучи и внутриоболочечные процессы" (Гамбург, 1996); XV Научной школе-семинаре "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь" (Новоуральск, 1997); IV Двустороннем Российско-Германском симпозиуме "Физика и химия новых материалов" (Екатеринбург, 1999); XVII Всероссийской научной школе-семинаре "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь" (Екатеринбург, 1999); XVIII Всероссийской научной школе-семинаре "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь" (Воронеж, 2000); XIX Всероссийской научной школе-семинаре "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь" (Ижевск, 2007); Всероссийской конференции "Химия твердого тела и функциональные материалы" (Екатеринбург, 2008), Первом Международном семинаре "Физика низкоразмерных систем и поверхностей" (Ростов-на-Дону — п. Лоо, 2008). Кроме того, материалы диссертации были доложены на семинаре Института физики полупроводников СО РАН (2005).

Личный вклад автора. Автор принимал непосредственное участие в наладке, юстировке ультрамягкого рентгеновского спектрометра-микроанализатора "Спектрозонд" и его адаптации для получения ультрамягких рентгеновских эмиссионных спектров выского энергетического разрешения. Автор принимал участие в постановке задач исследований, интерпретации полученных результатов и написании статей. Измерения всех рентгеновских эмиссионных (С Ка, £2,з и N Ка) спектров, представленных в данной работе, проведены лично автором.

Достоверность полученных экспериментальных результатов обеспечивается использованием аттестованных образцов и экспериментальной техники — измерительных приборов и установок; воспроизводимостью результатов, полученных на различных образцах и при повторных исследованиях, совпадением измеренных автором спектров со спектрами, имеющимися в литературе; корреляцией результатов, полученных посредством метода рентгеновской спектроскопии, с данными, полученными другими методами: рентгеновской дифракции, обратного резерфор-довского рассеяния и др.; апробацией результатов на научных конференцией и публикациями в ведущих международных и всероссийских рецензируемых журналах.

Обоснованность выводов доказывается их внутренней непротиворечивостью и соответствием полученных результатов современным представлениям об электронной и атомной структуре и фазовых состояниях углеродных и кремниевых материалов.

Публикации. Материал, представленный в диссертации, опубликован в 12 статьях, список которых приводится в конце автореферата. Все статьи опубликованы в рецензируемых журналах, входящих в перечень ВАК.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, выводов и списка цитируемой литературы из 147 наименований. Она изложена на 130 страницах и включает 7 таблиц и 64 рисунка.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Шамин, Сергей Николаевич

Выводы

1. Проведена адаптация ультрамягкого рентгеновского спектрометра-микроанализатора для проведения фазового анализа тонкопленочных материалов по глубине и исследования электронной структуры в микрообъеме с помощью ультрамягких рентгеновских эмиссионных спектров высокого энергетического разрешения 0,3 эВ).

2. Разработана методика количественного неразрушающего послойного фазового анализа тонких пленок и границ раздела твердых тел по ультрамягким рентгеновским эмиссионным спектрам при вариации энергии возбуждающих электронов. Методика апробирована на кремниевых тонких пленках и муль-тислоях, подвергнутых внешним воздействиям, и полученные этим методикой результаты согласуются с данными других методов исследования.

3. Обнаружено, что углеродные алмазоподобные пленки, полученные методом химического осаждения из газовой фазы, характеризуются преимущественно 5р3-гибридизацией атомов углерода; в алмазоподобных пленках CNX при увеличении содержания азота от х = 0 до х = 0.5 осуществляется переход от sp3- к ¿^-гибридизации.

4. Получены рентгеновские эмиссионные Si 1/2,з-спектры высокого энергетического разрешения силицидов MnSi, Mn5SÍ3, FeSi, FeSi2, CoSi, C02SÍ, CoSi2, NiSi, Ni3Si, NiSi2, RuSi, RhSi, PdSi, IrSi, Ir3Si5, OsSi, PtSi. Показано, что Si 3(¿-состояния дают вклад в электронную структуру всех исследованных силицидов 3d, 4d, 5 (¿-элементов, гибридизованы с nd-состояниями атомов переходного элемента и находятся вблизи вершины валентной полосы.

5. С помощью рентгеновских эмиссионных спектров установлено распределение фазового состава по глубине в неоднородных тонких пленках и интерфейсах на основе кремния, подвергнутых внешним воздействиям: кремнии после имплантации ионов Fe+, многослойной структуре W/Si и тонких пленках Ir/Si после термообработки, кремнии после имплантации ионов водорода, пространственно-неоднородной системы Si-Si02.

Автор считает своим долгом выразить благодарность своему руководителю — доктору физ.-мат. наук Вадиму Ростиславовичу Галахову — за подержку и постоянное внимание к работе. Выражаю признательность и благодарность профессору, доктору физ.-мат. наук Эрнсту Загидовичу Курмаеву, доктору физ.-мат. наук Михаилу Аркадьевичу Коротину.

Дисертант благодарен своим соавторам — Ларисе Давыдовне Финкелыптейн, Владимиру Михайловичу Черкашенко, Виталию Евгеньевичу Долгих, Виктору Васильевичу Федоренко, Юрию Михайловичу Ярмошенко, Людмиле Васильевне Елохиной, Андрею Викторовичу Постникову, Наталье Александровне Овечкиной, Дмитрию Анатольевичу Зацепину и всем сотрудникам лаборатории рентгеновской спектроскопии ИФМ УрО РАН. Автор признателен всем другим сооавторам, как иностранным так и российским, предоставившим образцы для исследований, сделавших теоретические расчеты, проведших эксперименты, вошедшие в совместные публикации и внесшим большой вклад в обсуждение результатов.

Заключение

Проведенные в настоящей диссертации исследования позволили решить ряд конкретных задач по исследованию фазового состава и электронной структуры тонких пленок на основе кремния и углерода. Проведенными исследованиями показано, что метод рентгеновской спектроскопии может быть применен не только для традиционного исследования электронной структуры однородных объемных материалов, но и для фазового анализа двух- и многофазных тонкопленочных систем. Эта возможность базируется, как показано в работе, на высокой чувствительности рентгеновских эмиссионных С Ка- и 31 1/2)з-спектров к ближайшему окружению излучающих атомов (углерода и кремния, соответственно). Различие С ЛЪ-спектров для гибридизаций яр2- и зр3-типов позволило надежно аттестовать алмазоподобные пленки.

При участии диссертанта создан принципиально новый тип ультрамягкого рентгеновского спектрометра — "Спектрозонд", позволяющий исследовать химическую связь в микрообъёме вещества. Применение этого прибора позволило получить ультрамягкие рентгеновские эмиссионные ./^з-спектры высокого энергетического и пространственного разрешения. Малые токи через трубку (не более 1 мкА) обеспечили сохранность материала в процессе эксперимента (см. раздел 3.3 и таблицу 3.3 в нем).

На наш взгляд перспективным является разработанный и апробированный в ходе выполнения диссертационной работы метод ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с варьированием энергии возбуждающих электронов, позволяющий исследовать фазовые реакции в интерфейсах. Варьирование энергии возбуждающих электронов позволяет получить рентгеновский сигнал от атомных слоев, располагающихся на различных расстояниях от поверхности материала.

Основными методами экспериментального исследования границ раздела твердых тел являются методы фотоэлектронной и Оже-электронной спектроскопии. Для исследования распределения элементов по глубине необходимо применение ионного травления, разрушающего поверхность и меняющего состав поверхностного слоя. Метод ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с варьированием энергии возбуждающих электронов является неразрушающим и, как следует из наших исследований, хорошо зарекомендовал себя для целей фазового анализа "по глубине" материалов.

Имеется большое число методов, позволяющих восстановить атомный профиль — достаточно назвать метод обратного резерфордовского рассеяния. Точность восстановления атомного профиля, полученного методом рентгеновской спектроскопии, довольно низка и, вследствие этого, в определении атомного профиля рентгеноспектральный метод не выдерживает конкуренции с вышеназванным методом. Это привело, в свое время, к тому, что исследователи отказались использовать микроанализ для решения такого рода задач. Однако у метода рентгеновской эмиссионной спектроскопии в области мягких и ультрамягких длин волн есть преимущество, которое делает этот метод уникальным. Это возможность прямого анализа фаз и построение фазового профиля. Такой возможностью не обладают другие современные методы исследования поверхности. В частности, измерения методом обратного резерфордовского рассеяния для системы Ir/Si позволяют установить элементный состав слоев, но не могут определить, является ли слой гомогенным, т.е. состоящим из одной фазы, либо же представляет собой смесь разных фаз с суммарной концентрацией исследуемого элемента, совпадающего с концентрацией этого же элемента для какой-либо третьей фазы. Чувствительность рентгеновских С Ка- и Si £2,з-спектров углерода и кремния к химическому состоянию материалов позволило применить метод ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с варьированием энергии возбуждающих электронов для фазового анализа ряда представленных в настоящей работе интерфейсных, мультислоевых и других неоднофазных структур на основе кремния и углерода.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Шамин, Сергей Николаевич, 2010 год

1. Al. Kurmaev E.Z. and Shamin S.N. X-ray emission spectra of diamond films // Surface and Coating Technology. 1991. - V. 47. - P. 628-630.

2. A2. Kurmaev E.Z., Fedorenko V.V., Shamin S.N., Postnikov A.V., Wiech G., and Kim Y. Small-spot X-ray emission spectroscopy and its application for study of electronic structure and chemical bonding in solids // Phys. Scr. -1992. V. 41. -P. 288-292.

3. A4. Kurmaev E.Z., Shamin S.N., Kim Y. Crystallization of CVD carbon films on Si Substrates // Materials Letters. 1994. - V. 19. - P. 123-125.

4. A5. Kurmaev E.Z., Shamin S.N., Galakhov V.R., Wiech G., Majkova E., Ludy S. Characterization of W/Si multilayers by ultrasoft X-ray emission spectroscopy //J. Mater. Res. 1995. - V. 10- No. 4. - P. 907-911.

5. А9. Shamin S.N., Galakhov V.R., Kaschieva S., Dmitriev S.N., Belov A.G. Soft X-ray emission spectroscopy of SiC>2 structures irradiated with high-energy electrons // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2003. - V. 14. - P. 809811.

6. All. Галахов В.Р., Шамин С.Н. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия с вариацией энергии возбуждающих электронов как метод анализа тонких пленок и границ раздела твердых тел // Изв. РАН. Сер. физич. 2009 - Т. 73 -№ 7. - С. 951-954.

7. Robertson J. Electronic structure of amorphous semiconductors 11 Adv. Phys., 1983. V. 32,- P. 361-452.

8. Robertson J. Amorphous carbon // Adv. Phys .- 1986. V. 35. - P. 317-374.

9. Galli G., Martin R. M., Car R., and Parrinello M. Structural and Electronic Properties of Amorphous Carbon // Phys. Rev. Lett 1989. - V. 62. - P. 555558.

10. Kelires P.C. Structural properties and energetics of amorphous forms of carbon // Phys. Rev. В .- 1993. V. 47. - P. 1829-1839.

11. Alben R., Weaire D., Smith J. E., and Brodsky M. H. Vibrational properties of amorphous Si and Ge // Phys. Rev. В 1975. - V. 11. - P. 2271-2296.

12. Гоулдстейн Дж., Ньюбери Д., Эчлин П., Фиори Ч., Лифшин Э. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Книга 2 // Москва: "Мир". 1984. - 348 с.

13. Shulakov A. S. Application of ultra-soft X-ray emission spectroscopy for solid surfaces studies // Cryst. Res. Technol. 1988.- V. 23. - P. 835-838.

14. Шулаков A.C., Степанов А.П. Глубина генерации ультрамягкого рентгеновского излучения в ЭЮг // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988.-№ 1. - С. 146-148.

15. Шулаков А.С. Ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия с варьированием энергии возбуждения. Автореф. дис. . доктора физ.-мат. наук. JL: ЛГУ. 1989.

16. Shulakov A. S. Surface oxidation of dilute AlMgSi alloys //J. Electron Spectr. Relat. Phen. 1993.- V. 62. - P. 351-358.

17. Шулаков А. С., Брайко А.П., Филатова E.O. Тезисы национальной конференции "Применение рентгеновского, синхротронного излучения, нейтронов и электронов для изучения материалов". 25-29 мая 1997 г., Дубна. С. 514.

18. Шулаков А. С., Брайко А.П. Рентгеноспектральное исследование деградации межфазовой границы Au/Si на воздухе // ФТТ. 1997. - Т. 39. № 11. - С. 2101-2105.

19. Шулаков А. С., Брайко А.П., Мороз Н.В., Фомичев В.А. Эффективность генерации рентгеновского Si Z/2,3 излучения электронным ударом в системе Si02/Si // ФТТ. 1998. - Т. 40. № 10. - С. 1932-1936.

20. Шулаков А. С., Букин Б.В. Зданчук Е.В., Тверьянович С.Ю. Рентгеновская эмиссионная спектроскопия твердых тел с разрешением по глубине: исследование нанослоев a-Si/Al/c-Si // Изв. РАН. Серия физич. 2008. - Т. 72. № 4. - С. 465-469.

21. Шулаков А.С., Тверьянович С.Ю., Цигулин О.В. Глубина формирования рентгеновских характеристических полос излучения в твердотельных мишенях // Физика твердого тела. 2010. - Т. 52. - Вып. 9. - С. 1824-1827.

22. Домашевская Э.П., Юраков Ю.А., Угай Я.А., Терехов В.А., Твердохлебо-ва Л.Я., Руденев В.В. Рентгеноспектральное исследование природы твердо. фазного взаимодействия между металлом и окислом кремния в структуре

23. Cr-Si02-Si // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1976. - № 11.- С. 2431-2433.

24. Домашевская Э.П., Юраков Ю.А., Кашкаров В.M. Твердофазное взаимодействие в тонкопленочной структуре Pt-Si(lll) по данным ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии и рентгеновской дифракции // Перспективные материалы. 1997. - №3. - С. 35-40.

25. Burghard W., Umeno M., Wiech G., Zahorowski W. X-ray spectroscopic study of carbon fibres and graphitic carbon //J. Phys.: Solid State Phys. 1983. - V. 16. - N. 21. - P. 4243-4258.

26. Bonnelle C. Contribution a l'etude des métaux de transition du premier groupe, du cuivre et de leurs oxydes par spectroscopie X dars le domaine de 13'à 22 А// Ann. Physique. 1966. - V. 1. - p. 439-481.

27. Nakamura H., Iwami M., Hirai M., Kusaka M., Akao F.,Watabe H.Valence-band electronic structure of NiSi2 and CoSi2: Evidence of the Si s electronic state at the Fermi edge // Phys. Rev. B. 1990. - V. 41. - P. 12092-12095.

28. Kurmaev E.Z., Galakhov V.R., Shamin S. N. Studies of solid interfaces using soft X-ray emission spectroscopy // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 1998. - V. 23. - P. 65-203.

29. Kirkpatrick P., Hare D.G. Depth distribution of origin characteristic X-rays from thick targets // Phys. Rev. 1934. - V. 46. - P. 831-836.

30. Рид С. Электронно-зондовый микроанализ // М., Мир. 1979. - 423 С.

31. Ни Y. and Pan Y. Method for the calculation of the chemical composition of a thin film by Monte Carlo simulation and electron probe microanalysis // X-Ray Spectrom. 2001. - V. 30. - P. 110-115.

32. Drouin D., Joly D., Tastet X, Aimez V., Gauvin R. CASINO V2.42 A. Fast and easy-to-use modeling tool for scanning electron microscopy and microanalysis users // Scanning. - 2007. - V. 29. - 92-101.

33. Gastaing R., Descamps J. Sur les bases physiques de l'analyse ponctuelle par spectrograhie X // J. Phys. Rad. 1955. - V. 16. - P. 304.

34. PhilibertJ. : Proc. 3rd Int. Conf, on X-ray Optics and Microanalysis (eds. H. H. Pattee, V. E. Coslett and A. Engstrom), New York: Academic. 1963.- P. 379.

35. Bishop H. E. The prospects for an improved absorption correction in electron probe microanalysis // J. Phys. D: Appl. Phys. -1974. V. 7. - P. 2009-2020.

36. Love G., Cox M. G. C., and Scott V. D.: A simple Monte Carlo method for simulating electron-solid interactions and its application to electron probe microanalysis // J. Phys. D: Appl. Phys. 1977. - V. 10.- P. 7-23.

37. Brown J. D., Parobek L. X-ray production as a function of depth for low electron energies // X-ray Spectrom. 1976 -V. 5. - P. 36-40.

38. Duncumb P. and Melford D. A. Proc. 4th Int. Conf. on X-ray Optics and Microanalysis (eds. R. Castaing, J. Descamps and J. Philibert), Paris: Herman.- 1966. P. 240.

39. Packwood R. H., . Brown J. D. A Gaussian expression to describe <p(pz) curves for quantitative electron probe microanalysis // X-Ray Spectrom. 1981. - V. 10.- P. 138-146.

40. Brown J. D. and Packwood R. H. Quantitative electron probe microanalysis using Gaussian (p(pz) curves // X-ray Spectrom. 1982. - V. 11. - P. 187- 193.

41. Crisp R. S. On the evaluation of absorption data from soft X-ray self-absorption measurements // J. Phys. F: Met. Phys. 1983. - V. 13. - P. 1325-1332.

42. Feldman S. F. Range of 1-10 keV electrons in solids // Phys. Rev. 1960. - V. 117. - P. 455-459.

43. Галахов В. P. Рентгеновская спектроскопия соединений переходных металлов и гетерогенных образований на их основе/ Диссертация . доктора физ.-мат. наук. Институт физики металлов УрО РАН. Екатеринбург.- 2001. -322 с.

44. Мельниченко В.М., Сладков A.M., Никулин Ю.Н. Строение полимерного углерода // Успехи химии 1982. - Т. 51- Вып.5. - С. 736-763.

45. Бакуль В.Н., Гинзбург Б.И., Мишнаевский Л.Л., Сагарда А.А., Чеповецкий И.Х. Синтетические алмазы в машиностроении // Наукова думка. Киев. -1976. -352 с.

46. Шулепов С.В. Физика углеграфитовых материалов // М.: Металургия. -1972. 254 с.

47. Фиалков А.С. Углеграфитовые материалы М.Энергия. 1979. - 319 с.

48. Курдюмов А.В., Пилянкевич А.Н. Фазовые превращения в углероде и нитриде бора Киев "Наукова думка". 1979. - 188 с.

49. Уббелоде А.Р., Лыоис Ф.А. Графит и его кристаллические соединения // М. Мир. 1965. - 256 с.

50. Вяткин G.E., Деев А.Н., Нагорный В.Г., Островский B.C., Сигарев А.С., Соккер Г.А. Ядерный графит // Атомиздат. 1967. - 297 с.

51. Jenkins G.M., Kawamura К. Structure of Glassy Carbon // Nature. 1971. - V. 231. - no. 4. - P. 175-176.

52. Никеров M.B., Бочвар Д.А., Станкевич И.В К вопросу об аллотропных модификациях углерода // Ж.С.Х.- 1982 г.- Т. 23 Вып. 1. - С. 177-179.

53. Никеров М.В., Бочвар Д.А., Станкевич И.В. Исследование электронного строения кисталлических модификаций углерода методами МО Л К АО. Электронный спектр кристалической модификации углерода С1(41) // Ж.С.Х. 1982. - Т. 23. - Вып.1.- С. 13-19.

54. Бассани Ф., Пастори Паравичини Дж. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах // М. Наука. 1982. - 391 с.

55. Salehpour M.R., Satpathy S. Comparison of electron Bands of hexagonal and cubic diamond // Phys. Rev. B. 1990. - V. 41. -no. 5. - P. 3048-3052.

56. Samuelson L., Batra I.P., Roetti C. A Comparission of Electronic Properties of Various Modifications of Graphite. // Solid. State. Commun. 1980. - V. 33. -№ 7. - P. 817-820.

57. Байтингер E.M. Электронная структура конденсированного углерода. Свердловск. Издательство Уральского университета. 1988. - 152 с.

58. Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов четвертого периода. М.: Металлургия. 1971. - 581 с.

59. Майзель А., Леонхард Г., Сарган Р. Рентгеновские спектры и химическая связь. Киев: "Наукова Думка". 1981. - 419 с.

60. Жураковский Е.А., Францевич И.Н. Рентгеновские спектры и электронная структура силицидов и германидов. Киев: "Наукова Думка". 1981. - 319 с.

61. Wiech G., Feldhutter Н.-О. Simunek A. Electronic structure of amorphous SiOx:H alloy films studied by ay emission spectroscopy: Si K, Si L, and О К emission bands // Phys. Rev. B. 1993. - V. 47. - P. 6981-6989.

62. Блохин M.A. Монастырский Л.М. Швейцер И.Г. Ультрадлинноволновые рентгеновские спектры кремния в силицидах титана, кобальта и никеля // ФММ. 1974. - Т. 37. - вып. 3. - С. 640-642.

63. Терехов В.А., Медведев Н.М., Тростянский С.Н., Домашевская Э.П. Плотность электронных состояний в поверхностных слоях кремния, имплантированного сурьмой, при термическом и оптическом отжигах // Поверхность. -1987. № 10. - С. 150-153.

64. Терехов В.А.,Домашевская Э.П. Локальные состояния в кристалличечких и амофных полупроводниках по данным ультрамягкой рентгеновской спектроскопии // Изв. АН СССР сер. физ. 1985. - Т. 49. - № 8. - С. 1531-1534.

65. Terekhov V.A. Investigations of Local States in Superconductors by USXES // Surfase investigation. 1998. - V. 13. - P. 579-586.

66. Brillson L.J. The structure and properties of metal-semiconductor interfaces // Surf. Sci. Rep. 1982 - V. 2. - P. 123-326.

67. Rubloff G.W. Microscopic properties and behavior of silicide interfaces // Surf. Sci. 1983 - V. 132. - P. 268-314.

68. Calandra C., Bisi O., Ottaviani G. Electronic properties on silicon-transition metal interface compounds // Surf. Sci. Rep. 1985 - V. 4. - P. 271-364.

69. Rossi G. d and / metal interface formation on silicon // Surf. Sci. Rep. 1987 -V. 7. - P. 1-101.

70. Weijs P. J. W., van Leuken H., de Groot R. A., Fuggle J. C., Reiter S., Wiech G., Buschow К. H. J. X-ray-emission studies of chemical bonding in transition-metal silicides // Phys. Rev. B. 1991. - V. 44. - P. 8195-8203.

71. Weijs P. J. W. Metal silicon interactions. The electronic structure of transition metal silicides as a basis for metal silicon interface studies // Ph. D. Thesis, University of Nijmegen, The Netherlands. 1991. — 125 p.

72. Лукирский А.П., Румш M.A., Смирнов Л.А. Рентгеновский монохроматор для ультрамягкого излучения с регистрацией абсолютного количества квантов // Оптика и спектр. 1960. - Т. 9 - Вып. 4.- С. 505-510.

73. Зимкина Т.М., Фомичев В.А. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия // Ленинград: Изд. ЛГУ. 1971. - 132 С.

74. Bearden J.A. X-Ray Wavelengths // Rev. Modern Phys. 1967. - V. 39. - P. 78-124.

75. Kozlenkov A.I., and Belov Yu.I. Electron microprobe determination of beryllium with use of diffraction grating monochromator // Microchimica Acta. 1982. -V. 78. - P. 159-167.

76. Kurmaev E.Z., Fedorenko V.V., Shamin S.N., Postnikov A.V., Wiech G.,and Kim Y. Small-spot X-ray emission spectroscopy and its application for study of electronic structure and chemical bonding in solids // Phys. Scr. 1992. - V. 41. P. 288-292.

77. Жураковский E.A., Зауличный Я.В. Квантовый выход рентгеновского фотоэффекта в области К-края поглощения углерода и К спектры эмиссии углерода в графите, лосдейлите и алмазе // ФТТ. -1985. Т. 27. - С. 3452.

78. Гусева М.Б. Бабаев В.Г. Никифорова Н.Н Савченко Н.Ф. Анализ и обработка картин электронной дифракции аморфного углерода // Поверхность (физика, химия, механика). 1984. - № 2. - С. 61-70.

79. Kuroda.H. Akamatu. Н. Studies on the graphitization II. Sub-structure and crystallite growth of carbon black // Bull. Chem. Soc. Japan. 1959. - V. 32. -no. 2. - P. 142-149.

80. Kurmaev E.Z., Shamin S.N., Kolobova K.M., and Shulepov S.V. X-ray emission spectra of carbon materials // Carbon. 1985. - V. 24 - No 3. - P. 249-253.

81. Beyreuther Chr., Hierl. R., Wiech. G. Zur Electronenstruktur von Graphit und Bornitrid // Berichte der Bunsen-Gesellschaft fur physikalische Chemie. 1975. - Bd. 79. - № 11. - P. 1081-1085.

82. Николаенко В.А., Гордеев В.Г., Банеева М.И. Расширение и сжатие алмаза под воздействием облучения и отжига при разных давлениях // Сверхтвердые материалы. 1983. - № 3. - С. 15-19.

83. Карасов В. Ю., Шамин С. Н., Николаенко В. А., Курмаев Э. 3., Шулепов С. В. Изучение валентной зоны алмазов, облученных нейтронами, методом рентгеновской спектроскопии // ФТТ. 1984. - Т. 26. - Вып. 9. - С. 28732874.

84. Е. Z. Kurmaev, S. N. Shamin. X-ray emission spectra of diamond films // Surface and Coatings Technology. 1991. - V. 47. - P. 628-630.

85. Wipply P.V. Electron spin resonance in neutron-irradiated diamond // Canad. J. Phys. 1972. - V. 50. - P. 803-812.

86. Буйлов Л.Л., Алексеенко А.Е., Ботеев А.А., Спицын Б.В. Некоторые закономерности роста слоев алмаза из активируемой газовой фазы // ДАН СССР.- 1986. Т. 287. - № 4. С. 888-891.

87. Kurmaev E.Z., Shamin S.N., Kim Y. Crystalization of CVD carbon films on Si substrates // Materials Letters, 1994. V. 19. P. 123-125.

88. Robertson J., O'Reilly E.P. Electronic and atomic structure of amorhous carbon // Phys. Rev. В. V. 35. - No 6. - P. 2946-2957.

89. Тананаев И.В., Федоров В.Б., Попов В.Т., Моисеев Ю.А. Образование мета-стабильного дисперсного углеродного продукта в процессе пиролиза углеводородов // ДАН СССР. 1986. - Т. 287. - № 4. - С. 888.

90. Kurmaev E.Z., Moewes A., Winarski R.P., Shamin S.N., Ederer D.L., Feng J.L., .Turner S.S. Characterization of CNX films by X-ray emission measurements //

91. Thin Solid Films. 2002.- V. 402. - P. 60-64.

92. Liu A. Y., CohenM. I. Prediction of New Low Compressibility Solids / / Science-1989.- V. 245.- 841-843.

93. Kleinsorge B. , Ferrari A. C., Robertson, W. Milne I., WaidmannS., Hearne S. Bonding regimes of nitrogen in amorphous carbon // Diamond Relat. Mater. -2000. V. 9. - P. 643-648.

94. Hellgren N., Johansson M.P., Broitman E., Sandstrom P., Hultman L., Sundgren J.E. Role of nitrogen in the formation of hard and elastic CNX thin films by reactive magnetron sputtering // Phys. Rev. B. 1999. - V. 59. - P. 5162-5169.

95. Marton D., Boyd K. J., Al-Bayati A. H., Todorov S.S., Rabalais J.W. Carbon nitride deposited using energetic species: A two-phase system // Phys. Rev. Lett.- 1994. V. 73. - P. 118-121.

96. Merel P., Tobal M., Chaker M. Phase segregation in pulsed laser deposited carbon nitride thin films // Diamond Relat. Mater. 2003. - V. 12. - P. 1075-1078.

97. Prawer S., Nugent K. W., Lifshitz Y., Lempert G. D., Grossman E., Kulik J., AvigalL, KalishR. Systematic variation of the Raman spectra of DLC films as a function of sp2 : sp3 composition // Diamond Relat. Mater. 1996. - V. 5. - P. 433-438.

98. Ferrari С., Robertson J. Interpretation of Raman spectra of disordered and amorphous carbon // Phys. Rev. B. 2000. - V. 61. - P. 14095-14107.

99. Ferrari C., Robertson J. Resonant Raman spectroscopy of disordered, amorphous, and diamondlike carbon // Phys. Rev. B. 2001. - V. 64. - P. 075414-07526 .

100. Ferrari C. Determination of bonding in diamond-like carbon by Raman spectroscopy // Diamond Relat. Mater. 2002. - V. 11. - P. 1053-1061.

101. Polo M. C., Andujar J. L., Hart A., Robertson J., Milne W. I. Preparation of tetrahedral amorphous carbon films by filtered cathodic vacuum arc deposition // Diamond Relat. Mater. 2000. - V. 9. - P. 663-667.

102. Ferrari A. C., Rodil S. E., Robertson J. Interpretation of infrared and Raman spectra of amorphous carbon nitrides // Phys. Rev. B. 2003. - V. 67. P. 155306155325.

103. Izumi H., Kaneyoshi Т., Ishihara Т., Yoshioka H., Matsui H., Motoyama M., Muramatsu Y. X-ray emission and absorption spectra of carbon nitride films prepared by laser ablation // X-Ray Spectrometry. 1999. V. 28. - P. 509-514.

104. Hellgren H., Guo J., Sathe C., Agui A., Nordgren J., Luo Y., Agren H., Sundrgren J.-E. Nitrogen bonding structure in carbon nitride thin films studied by soft X-ray spectroscopy // Appl. Phys. Lett. 2001. - V. 79. - P. 4348-4350.

105. Галахов В.Р., Шамин С.Н. "Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия с вариацией энергии возбуждающих электронов как метод анализа тонких пленок и границ раздела твердых тел // Изв. РАН. Сер. физич. 2009. - Т. 73- № 7. С. 951-954.

106. Zahorowski W., Simflnek A., Wiech G., Soldner К., Knauf R., and Saemann-Ischenko G. Bond in amorphous Nb^-rSi^ studied by X-ray emission and X-ray photoelectron spectroscopy // Journal de Physique. 1987. - V. 48. - N. 12. -P. C91025-C91028.

107. Simünek A., Wiech G. Analisis of local structure in SiN^H alloy films in terms of X-ray emission spectroscopy // J. Non-Cryst. Sol. 1993. - V.164-166. - P. 1077-1080.

108. Wiech G., Langer H., Lepa U., Simünek A. Si K-, Si L-and С K-emission bands and electronic structure of amorphous Sii-^C—x alloys //J. Non-Cryst. Sol. -1993. V.164-166. - P. 1023-1026.

109. Поут Дж., Ту К., Мейер Дж. Тонкие пленки Взаимная дифузия и реакции // М.: Мир. 1982. 576 с.

110. Любов Б.Я. Диффузионные процессы в неоднородных твердых средах // М.: Наука. 1981. - 295 с.

111. Pettifor D. G., Podloucky R. The structures of binary compounds: II. Theory of the pd-bonded AB compounds // J . Phys. C: Solid State Phys. 1986. - V. 19.- P. 315-330.

112. Simünek A., Polcik M., Wiech G. Si K, Si L, and Cr К X-ray valence-band studies of bonding in chromium silicides: Experiment and theory // Phys. Rev. B. 1995.- V. 52. P. 11865-11871.

113. Jia. J. J., Callcott T. A., Asfaw A., Carlisle J. A., Terminello L. J., Ederer D. L., Himpsel F. J., Perera R. С. C. Occupied electronic states of CaSi2 and CaSi: Soft-X-ray-fluorescence spectroscopy // Phys. Rev. B. 1995. - V. 52. - P. 49044909.

114. Speier W., Kumar L., Sarma D. D., de Groot R. A., Fuggle J. C. The electronic structure of 4d and 5d silicides // J. Phys.: Condens. Matter. 1989. - V. 1. -P. 9117-9129.

115. Дидык В.В., Захаров А.И., Кривицкий В.П., Нармонев А.Г., Сенкевич А., Юпко JI.M. Рентгеновские фотоэлектронные спектры силицидов рутения, родия и палладия // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1982. - Т. 46. - С. 802806.

116. Grunthaner P. J., Grunthaner F. J., Madhukar A. Chemical bonding and charge redistribution: Valence band and core level correlations for the Ni/Si, Pd/Si, and Pt/Si systems // J. Vac. Sci. TechnoL 1982. - V. 20. - P. 680-683.

117. Wittmer M., Oelhafen P., Tu K. N. Electronic structure of iridium silicides // Phys. Rev. B. 1986. - V. 33. - P. 5391-5400.

118. Yeh J. J., Lindau I. Atomic subshell photoionization cross sections and asymmetry parameters: 1 < Z < 103 // Atomic Data and Nucl. Data Tables. -1985. V. 32. - P. 1-155.

119. Geller S. and Wood E.A. The crystal structure of rhodium silicide, RhSi // Acta Cryst. 1954. - V. 7. - P. 441-443.

120. Phisterer H. and Schubert K. Neue Phasen von MnP(B31) Тур // Z. Metallkunde. 1950. - B. 41. - S. 358-356.

121. Weaver J. H., Franciosi A., Moruzzi V. L. Bonding in metal disilicides CaSi2 through NiSi2: Experiment and theory // Phys. Rev. B. 1984. - V. 29. - P. 3293-3302.

122. Pettifor D., Podloucky R. The structures of binary compounds. II. Theory of the pd-bonded AB compounds // J. Phys. C: Solid State Phys. 1986. - V. 19. - P. 315-330.

123. Engstrom I.,Lindsten T.,Zdansky T. The Crystal Structure of the Iridium Silicide Ir3Si5 // Acta Chem. Scand. A. 1987. - V. 41. - P. 237-242.

124. Nakamura H., Hirai M., Kusaka M., Ivami M. and Watabe H. Soft X-ray spectroscopic analysis of Ni-silicides //J. Phys. Soc. Jpn. -1992- V. 61. P. 616-620.

125. Castaing R. Electron probe microanalysis. // Adv. Electron. Electron Phys. -1960. V. 13. P. 317-386.

126. Д.А. Зацепин, E.C. Яненкова, Э.З. Курмаев, B.M. Черкашенко, С.Н. Ша-мин, С.О. Чолах. Эффект больших доз в рентгеновских эмиссионных спектрах кремния, имплантированного ионами железа // Физика твёрдого тела. 2006. - Т. 48. - С. 204-209.

127. Galakhov V.R., Kurmaev E.Z., Shamin S.N., Elokhina L.V., Yarmoshenko Yu.M., Bukharaev A.A. Analysis of the depth profile of Fe-Si buried layers in Fe+-implanted Si wafer by soft X-ray emission spectroscopy // Appl. Surf. Sci. -1993. V. 72. - P. 73-77.

128. Kurmaev E.Z., Shamin S.N., Galakhov V.R., Wiech G., Majkova E., Luby S. Characterization of W/Si multilayers by ultrasoft X-ray emission spectroscopy // J. Mater.Res. 1995. - V. 10. - N. 4. - P. 907-911.

129. Wiech G. and Zopf. E. In: Band structure spectroscopy of metals and alloys, Fabian D.J and Watson L.M. Eds., Academic Press, London. 1973. - P. 173190.

130. Kurmaev E.Z. and Wiech G., X-ray emission spectra and electronic structure of amorphous silicon // J. Non-Cryst. Solids. 1985. - V. 70. - P. 187-198.

131. Brunei M., Enzo S., Jergel M., Luby S., Majkova E., Vavra I. Structural characterization and thermal stability of W/Si multilayers // J. Mater.Res. -1993. V. 8. - P. 2600-2607.

132. Shamin S.N., Galakhov V.R., Kaschieva S., Dmitriev S. N. Belov A. G. Soft X-ray emission spectroscopy of Si02/Si structures irradiated with high-energyelectrons // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2003. -V. 14. - P. 809-811.

133. Edelberg E., Bergh S., Naone R., Hall M., Aydil E. S., Luminescence from plasma deposited silicon film // J. Appl. Phys. 1997. - V. 81. - P. 2410-2417.

134. Hausner R. M., Jensen N., Bergman R. В., Rau U., Werner J. H. Heterojunctions for polycrystalline silicon solar cells // Sol. St. Phenomena. 1999. - V. 67-68. -P. 571-576.

135. Collins R. W., Yacobi B. G., Jones К. M., Tsuo Y. S. Structural studies of hydrogen-bombarded silicon using ellipsometry and transmission electron microscopy // J. Vac. Sci. Technol. -1986. A4. - P. 153-158.

136. Antonova I. V., Popov V. P., Gutakovsky A. K., Zhuravlev K. S., Spesivtsev E. V., Morosov I. I. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, ed. V.S. Borisenko, Wold Scientific. 1999. P. 55.