Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Барановский, Максим Владимирович

• Барановский, Максим Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Барановский, Максим Владимирович

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение

1. Неразрушающие методы анализа полупроводниковых

гетероструктур (обзор литературы)

1.1. Нитрид галлия и гетероструктуры на его основе

1.2. Адмиттансные методы исследования полупроводниковых гетероструктур

1.3. Оптические и фотоэлектрические методы исследования гетероструктур

2. Экспериментальная установка и методика исследований

2.1. Измерение адмиттанса полупроводниковых гетероструктур

2.2. Исследования фотоэлектрических характеристик гетероструктур 1пОаМЛЗаК

2.3. Исследуемые образцы

3. Адмиттанс гетероструктур 1пОаЫ/СаК с множественными квантовыми ямами

3.1. Исследование вольт-фарадных характеристик

3.2. Статическая теория барьерной емкости

3.3. Динамическая теория адмиттанса полупроводниковых

барьерных структур

4. Фотоэлектрические характеристики гетероструктур 1пОаК/ОаЫ

с множественными квантовыми ямами

4.1. Экспериментальные исследования фототока

4.2. Теория фототока в структурах с квантовыми ямами

4.3. Разработка методики экспресс-анализа гетероструктур 1п0а]Ч/0аЫ с множественными квантовыми ямами

Заключение

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы

Гетероструктуры 1гЮаМ/ОаМ с множественными квантовыми ямами (МКЯ) в настоящее время широко используются в качестве активной области светодио-дов, а также полупроводниковых лазеров, излучающих в сине-зеленой области спектра. Их свойства во многом определяют параметры производимых приборов. К ним относятся спектр излучения, мощность и эффективность. Производство ге-тероструктур 1пСаЫ/СаК связано с преодолением ряда технологических трудностей, таких как создание эпитаксиальной структуры на чужеродных подложках (нитрид галлия на сапфире), а также рост слоев ОаК и 1пОаИ, сильно рассогласованных по периоду кристаллической решетки. Это отражается на качестве создаваемых структур, что в свою очередь влияет и на параметры приборов.

В этой связи исследование и диагностика квантово-размерных структур 1пОа1ЧЛлаК в последнее время становится особенно актуальным и востребованным направлением. Помимо заинтересованности производителей в повышении эффективности излучателей, данное направление представляет также определенный научный интерес. Он обусловлен тем, что к настоящему моменту не существует ясного представления о многих физических процессах в активной области излучающих структур, в частности, о механизмах транспорта носителей заряда и механизмах их излучательной и безызлучательной рекомбинации.

Диагностические методы, применяемые для исследования квантово-размерных структур, должны обладать высоким пространственным разрешением для обеспечения возможности анализа электрофизических свойств отдельных слоев. Но не менее важным требованием является неразрушающий характер внешнего воздействия на диагностируемый объект. Это позволяет проводить различные исследования на одном образце, тем самым получая наиболее полную информацию о его структуре, свойствах и механизмах тех или иных процессов.

В области неразрушающей диагностики полупроводниковых наногетеро-структур свою эффективность доказал метод вольт-фарадного профилирования. В рамках настоящей диссертационной работы проводятся исследования как вольт-фарадных, так и фотоэлектрических характеристик гетероструктур InGaN/GaN с МТСЯ. Результатом этих исследований явилась разработка нового неразрушающе-го фотоэлектрического метода диагностики таких структур, основанного на исследовании зависимости фототока от обратного напряжения. По сравнению с вольт-фарадным профилированием, данный метод обладает большим быстродействием и более высокой чувствительностью. Всё вышесказанное подчеркивает актуальность темы диссертационной работы.

Цель работы заключалась в исследовании фотоэлектрических явлений в гетероструктурах ТпОаМАЗаК с множественными квантовыми ямами и разработка нового неразрушающего фотоэлектрического метода их диагностики. Для достижения данной цели решались следующие задачи:

1. Разработка и создание автоматизированной установки, позволяющей измерять адмиттанс и фототок в полупроводниковых гетероструктурах в широком диапазоне температур, частот и обратных смещений.

2. Разработка программного обеспечения для автоматизации процесса измерений характеристик гетероструктур, обработки экспериментальных данных и расчета параметров исследуемых образцов.

3. Исследование зависимостей дифференциальных емкости и проводимости от прикладываемого обратного смещения в структурах 1пОа1Ч/ОаК с МКЯ.

4. Развитие динамической теории адмиттанса полупроводниковых барьерных структур с квантовыми ямами, основанной на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассона.

5. Исследование фототока в гетероструктурах 1пОаЫ/ОаК с МКЯ и его зависимости от прикладываемого обратного напряжения при различных температурах и длинах волн оптического возбуждения.

6. Развитие теории фототока в полупроводниковых барьерных структурах, содержащих одиночные н множественные квантовые ямы.

7. Разработка методики экспресс-контроля качества гетероструктур 1пСа1Ч/СаН с множественными квантовыми ямами по их фотоэлектрическим характеристикам.

Научная новизна работы

1. Впервые развита микроскопическая динамическая теория адмиттанса барьера Шоттки с квантовой ямой, основанная на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассона.

2. В рамках данной теории впервые описана зависимость дифференциальной проводимости от прикладываемого обратного смещения. Показано, что экспериментально наблюдаемые ступеньки в данной зависимости обусловлены соответствующими особенностями барьерной емкости.

3. Экспериментально обнаружено, что зависимость фототока от обратного напряжения в структурах 1пОа1Ч/ОаК с множественными квантовыми ямами имеет ступенчатый характер. Показано, что ступеньки в фототоке обусловлены последовательным прохождением границы области объемного заряда р-п-перехода через квантовые ямы.

4. В структурах ТпСаЫ/ОаЫ с МКЯ обнаружены области отрицательной дифференциальной проводимости. Они возникают при возбуждении светом с длиной волны, соответствующей краю оптического поглощения материала квантовых ям. Показано, что данное явление связано со сдвигом края собственного поглощения, обусловленного компенсацией пьезоэлектрического поля квантовых ям полем р-п-перехода.

Достоверность полученных результатов подтверждается сравнительным анализом экспериментальных данных, полученных методом вольт-фарадного профилирования и фотоэлектрическим методом, результатами теоретических расчетов, а также имеющимися литературными данными.

Научная и практическая значимость работы сводится к следующему:

1. Разработана автоматизированная установка, позволяющая исследовать адмиттанс и фотоэлектрические характеристики полупроводниковых квантово-размерных структур в области температур от 8 до 400 К, в диапазоне частот от 30 Гц до 1 МГц, при обратных смещениях до 60 В.

2. Разработано и зарегистрировано программное обеспечение для автоматизации процесса измерений характеристик полупроводниковых гетероструктур, обработки и анализа экспериментальных данных, расчета наблюдаемого профиля концентрации носителей заряда в гетероструктуре по вольт-фарадным характеристикам.

3. Развитая теория адмиттанса позволила описать множество явлений, наблюдаемых экспериментально, в частности, зависимость дифференциальной проводимости от обратного смещения в гетероструктурах с квантовыми ямами.

4. Обнаружены ранее неизвестные особенности в фотоэлектрических характеристиках гетероструктур ГпОаШЗаК с МКЯ: ступенчатый характер зависимости фототока от обратного смещения, области отрицательной дифференциальной проводимости. Исследование данных особеностей может использоваться для анализа свойств данных гетероструктур.

5. Предложен новый фотоэлектрический метод исследования гетероструктур 1пСа>1/ОаК с множественными квантовыми ямами, основанный на анализе зависимости фототока от приложенного обратного смещения.

6. Разработано и запатентовано устройство, реализующее экспресс-контроль качества полупроводниковых структур с квантовыми ямами путем измерения и последующего анализа их фотоэлектрических характеристик.

Положения, выносимые на защиту:

1. В барьерных структурах с квантовыми ямами ступенчатый характер зависимости дифференциальной проводимости от обратного смещения обусловлен соответствующими особенностями барьерной емкости.

2. В гетероструктурах 1пОаК/ОаК с квантовыми ямами зависимость фототока от обратного смещения имеет вид ступенек, что обусловлено расширением области объемного заряда и последовательным прохождением ее границы через квантовые ямы.

3. Эффект отрицательной дифференциальной фотопроводимости в структурах 1пОа>1/ОаМ с множественными квантовыми ямами обусловлен сдвигом края собственного поглощения материала квантовых ям вследствие компенсации внутреннего пьезоэлектрического поля полем р-п-перехода.

4. Исследование зависимости фототока от обратного смещения в гетероструктурах 1пОа1\ГЛЗаК с множественными квантовыми ямами позволяет определить расстояние между ямами, а также оценить качество гетероинтерфейсов.

Результаты работы были использованы при выполнении проектов № 2.1.1/2503 и 2.1.1/10269 «Развитие теории полупроводниковых наноструктур и разработка новых методов их диагностики» аналитической ведомственной целевой программы «Развитие научного потенциала высшей школы (2009-2011 г.)»; гос. контрактов № 8943р/14023 от 19.04.2011 и № 10482р/16907 от 08.06.2012 на выполнение НИОКР «Разработка автоматизированной установки для неразруша-ющего контроля качества полупроводниковых наногетероструктур» по программе «У.М.Н.И.К.» Фонда содействию развития малых форм предприятий в научно-технической сфере.

Апробация результатов работы. Полученные в работе результаты докладывались и обсуждались на следующих конференциях: 11-14 Всероссийских молодежных конференциях по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, СПб, 2009-2012 гг.; Российской молодежной конференции по физике и астрономии «Физика.СПб», СПб, 2012 г.; 12-й научной молодежной школе по твердотельной электронике «Физика и технология микро- и наносистем», СПб, 2009 г.; 62-66 научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ, СПб, 2009-2013.

Публикации: основные результаты исследований, изложенных в диссертации, опубликованы в 15 работах, среди которых 3 публикации в ведущих рецензируемых изданиях, рекомендованных в перечне ВАК, 1 патент на полезную модель, 3 свидетельства о государственной регистрации программ для ЭВМ, 1 публикация в журнале, не входящем в перечень ВАК, 7 публикаций в трудах научно-технических конференций (в т.ч. 5 всероссийских).

Структура диссертации: Диссертация состоит из введения, четырех глав (в сумме 12 параграфов) и заключения. Она изложена на 146 страницах машинописного текста, включает 71 рисунок, 2 таблицы, список литературы из 91 наименования.

1. НЕРАЗРУШАЮЩИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

1.1. Нитрид галлия и гетероструктуры на его основе

Нитриды галлия (GaN), индия (InN), алюминия (A1N) и их твердые растворы в настоящее время получили широкое распространение при создании различных устройств электронной техники, таких как светодиоды и лазеры сине-зеленого диапазона, ультрафиолетовые излучатели и фотоприемники, мощные высокотемпературные транзисторы. Это стало возможным благодаря таким свойствам полупроводниковых нитридов, как высокая термическая и радиационная стойкость, хорошая теплопроводность, высокая напряженность поля пробоя, а также прямой характер межзонных оптических переходов [1]. Остановимся подробнее на основных свойствах этих материалов.

Кристаллическая структура объемного нитрида галлия при нормальных условиях представляет структуру вюрцита [2, 3], которая изображена на рисунке 1.1 [4]. При специфических условиях роста возможно также образование нитрида галлия со структурой сфалерита или поваренной соли [5, 6]. К настоящему времени технология не позволяет получать качественные кристаллы нитрида галлия существенных размеров, которые могли бы использоваться для производства подложек. Поэтому на практике используются эпитаксиальные слои GaN, выращенные на подложках из других материалов [7].

Наиболее широкое распространение получили структуры, выращенные на сапфировых подложках [4, 8]. При этом рост может производиться на с-грани (0001) сапфира, на а-грани (1120), а также на подложках другой ориентации. Качество получаемых при этом эпитаксиальных слоев может существенно отличаться. Следует отметить, что в любом случае необходимо выращивание буферного слоя, поскольку рассогласование периодов кристаллических решеток нитрида галлия и сапфира очень велико (около 15 %). Эпитаксиальные слои нитрида гал-

лия относительно высокого качества могут быть получены при использовании в качестве буферного слоя нитрида алюминия [9], либо самого нитрида галлия [10].

Са^асе Ы-1асе

Substrate Substrate

Рисунок 1.1- Нитрид галлия в структуре вюрцита разных полярностей (ва, Ы) [4]

В качестве подложки для роста ваИ может использоваться также карбид кремния (81С) [4, 7]. Его преимуществами является малое рассогласование периодов кристаллических решеток (около 3,5 %), а также высокая проводимость (в отличие от сапфира, который является диэлектриком). Это позволяет выращивать структуры более высокого качества, а также облегчает создание контактов к структуре. Однако широкое использование данных структур ограничено высокой стоимостью подложек из карбида кремния. Известны работы по использованию в качестве подложек и других материалов (кремния, арсенида галлия и др.) [4, 7], однако подобные структуры используются реже.

Наиболее распространенной технологией роста эпитаксиальных слоев нитрида галлия, а также гетероструктур на его основе, является осаждение металлор-ганических соединений из газообразной фазы (в англоязычной литературе

Metalorganic chemical vapour deposition - MOCVD) [9, 10]. В качестве источника азота обычно используется газ аммоний, а в качестве источников галлия, индия и алюминия - триметилгаллий, триметилиндий и триметилалюминий. Осаждение происходит в две стадии. На первой стадии на подложку при низкой температуре осаждается тонкий буферный слой A1N [9] или GaN [10]. Далее производится отжиг, после чего при высокой температуре наносится основной эпитаксиальный слой GaN. Кроме того, обычно используется метод двух потоков, предложенный Накамурой [11]. Он заключается в том, что кроме основного потока газа-источника, движущегося параллельно подложке, в реактор поступает также дополнительный поток неактивного газа (водорода или азота), направленный перпендикулярно подложке. Дополнительный поток способствует лучшему контакту газа-реагента с подложкой, что существенно повышает качество выращиваемых эпитаксиальных слоев.

Возможен также рост нитридных структур по технологии молекулярно-пучковой эпитаксии (в англоязычной литературе Molecular beam epitaxy - МВЕ) [12, 13]. Данная технология позволяет получать гетероструктуры с резкими границами. Также, условия сверхвысокого вакуума в ростовых установках позволяют применять различные методы диагностики структур в процессе роста, например, дифракцию быстрых электронов [14]. Данная технология относительно редко используется в промышленном производстве гетероструктур InGaN/GaN из-за низкой скорости роста по сравнению с MOCVD, однако при росте структур А1-GaN/GaN технология МВЕ имеет преимущества [15].

На рисунке 1.2 изображены зонные структуры нитридов галлия, индия и алюминия в кристаллической структуре вюрцита [16]. Как видно, данные материалы являются прямозоннымп полупроводниками, максимум валентной зоны и минимум зоны проводимости находятся в точке Г зоны Бриллюэна. В таблице 1.1 приведены основные параметры полупроводниковых нитридов [17, 18].

Рисунок 1.2 - Зонная структура нитридов галлия (а), индия (б) и алюминия (в) [16]

Таблица 1.1. Параметры нитридов галлия, индия и алюминия

Параметр ваЫ 1пЫ АПМ

Ширина запрещенной зоны [17] Ея, эВ 3,43 0,64 6,14

Параметры кристаллической решетки [17] а0, А 3,189 3,533 3,112

Со, А 5,185 5,693 4,982

Диэлектрическая постоянная [17] 65/ ео 8,9 10,5 8,5

Эффективная масса электрона [17] т}[ / то 0,19 0,065 0,32

Ше1 / то 0,21 0,068 0,33

Эффективная масса легкой дырки [18] /и/л / то 0,259 0,471

Подвижность электрона [18] Це, СМ /В-С 1000 3200 135

Подвижность дырки [18] 2 |Д/„ см /В-с 30 14

Скорость насыщения электронов [17] см/с 2,5-107 2,5-107 1,4-107

Напряженность поля пробоя [17] Ръ, В/см 5-106

Спонтанная поляризация [17] Р50, Кл/м' -0,034 -0,042 -0,09

Ширина запрещенной зоны InN составляет 0,64 эВ, GaN - 3,43 эВ, A1N -6,14 эВ (при Т—300 К). Это позволяет создавать на основе твердых растворов полупроводниковых нитридов излучатели и фотоприемники, перекрывающие широкий спектральный диапазон: от ближнего инфракрасного до вакуумного ультрафиолета. Однако существенное рассогласование кристаллических решеток InN, GaN и AIN затрудняет создание бездефектных структур произвольного состава. На данный момент технология позволяет создавать светодиоды и лазеры, излучающие в диапазоне длин волн от зеленого света до ультрафиолета, а также в инфракрасной области спектра.

Для создания излучателей сине-зеленого диапазона выращиваются твердые растворы InGaN, причем доля индия определяет ширину запрещенной зоны и, соответственно, длину волны излучения. Чем больше содержание In, тем меньше ширина запрещенной зоны и больше длина волны. Из-за большого рассогласования кристаллических решеток GaN и InN (см. таблицу 1.1) создание твердых растворов с большим содержанием индия затруднено. Увеличение толщины слоя InGaN приводит к возрастанию механических напряжений, которые в определенный момент релаксируют, образуя дислокацию несоответствия [19, 20]. В свою очередь, образующиеся дислокации приводят к увеличению вероятности безыз-лучательной рекомбинации носителей заряда, снижая эффективность светодиода [21,22].

Значительные успехи были достигнуты при использовании в качестве активной области излучателей квантовых ям - слоев InGaN нанометровой толщины [23]. В этом случае происходит псевдоморфный рост без образования дислокаций несоответствия [7]. Кроме того, в слое квантовой ямы имеет место неоднородное распределение индия [24], причем области, локально обогащенные индием, имеют минимум потенциальной энергии для носителей заряда. В таких кластерах происходит локализация носителей заряда, что снижает вероятность их движения к центрам безызлучательной рекомбинации и повышает эффективность излучателей [25].

При псевдоморфиом росте слои 1пваЫ имеют большие встроенные механические напряжения. Это приводит к появлению существенных пьезоэлектрических полей, величина которых может достигать единиц МВ/см [26]. Существует также спонтанная поляризация, которая направлена вдоль оси [0001]. Она несущественна в структурах 1пОа1ЧЛЗаМ, однако играет важную роль в гетерострукту-рах АЮаЫ/ваК [27]. Данные поля искажают профиль квантовой ямы, как показано на рисунке 1.3 [28]. В результате на энергетический спектр носителей заряда существенное влияние оказывает квантово-размерный эффект Штарка [29]. Кроме того, в сильных полях локализация электронов и дырок происходит в разных точках пространства, что снижает вероятность рекомбинации. Эти эффекты необходимо учитывать при расчете спектра излучения и эффективности светоизлучаю-щих структур.

-\"уШ1 р!ешс1ес(пс Г1с1<}

----р1е2ое-1ес4пс НеШ

Е

с

Е

V

Рисунок 1.3 - Искажение профиля квантовой ямы в пьезоэлектрическом поле [28]

Существуют и другие проблемы, снижающие эффективность светодиодов [30]. Одной из них является инжекция электронов через активный слой в р-область. Другими словами, происходит пролет электронов «над» квантовыми ямами непосредственно из п-области в р-область, в результате чего вероятность

их рекомбинации с дырками минимальна. Данная проблема решается созданием между активной областью и р-областыо слоя, блокирующего электроны [31]. В англоязычной литературе такой слой получил название Electron blocking layer -EBL. Как правило, данный слой выращивается из широкозонного материала AlGaN, который создает потенциальный барьер для электронов, движущихся в р-область. Высота барьера для дырок, движущихся из р-области, существенно меньше, поэтому они проникают сквозь него с высокой вероятностью.

Таким образом, на сегодняшний день полупроводниковые нитриды активно используются в электронной промышленности для создания приборов различного назначения. Как правило, подобные структуры выращиваются на сапфировых подложках с использованием буферных слоев. Основными технологиями роста являются осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы (MOCVD) и молекулярно-пучковая эпитаксия (МВЕ). Несмотря на то, что за последние 20 лет технология создания нитридных структур достигла больших успехов, всё еще остается ряд нерешенных проблем. Поэтому в последнее время всё большее внимание уделяется вопросам диагностики нитридных структур, и в частности гетероструктур InGaN/GaN, содержащих одиночные и множественные квантовые ямы.

1.2. Адмиттансные методы исследования полупроводниковых

гетероструктур

В последние годы особенно острой становится необходимость диагностики полупроводниковых структур, содержащих слои нанометровых размеров. Она обусловлена как стремлением к повышению эффективности выпускаемых приборов, так и научными интересами. В связи с этим возрастают требования к диагностическим методам, такие как высокое пространственное разрешение, возможность анализа электрофизических свойств различных слоев, оценки качества гете-рограниц. Однако не менее важным требованием является неразрушающий характер воздействия на исследуемый объект. Это позволяет проводить исследования различного характера на одних и тех же образцах, тем самым получая наиболее

полную информацию об их структуре, свойствах и механизмах тех или иных процессов. В области неразрушающей диагностики полупроводниковых наногетеро-структур свою эффективность доказали методы вольт-фарадного профилирования и спектроскопии адмиттанса [32]. Остановимся подробнее на физических основах и особенностях данных методов.

Метод вольт-фарадного профилирования (или С-К-профилирования, от англоязычного названия Capacitance-Voltage Profiling) применим для исследования барьерных структур, таких как барьер Шоттки, р-п-переход, структура металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структура). Важным свойством данных структур является наличие объемного заряда в области полупроводника вблизи контакта с другим материалом [33]. Изменение напряжения, прикладываемого к этим структурам, приводит к изменению объемного заряда, поэтому они могут быть охарактеризованы некоторой емкостью, которая получила название барьерной емкости.

Емкостные методы исследования полупроводников были разработаны достаточно давно [34, 35]. Изначально они использовались для определения профиля легирования полупроводников и анализа свойств глубоких примесей [35]. Однако их высокая чувствительность и разрешающая способность позволили в дальнейшем применить их также для анализа гетеропереходов [36, 37] и кванто-во-размерных структур [38, 39].

Рассмотрим для начала область объемного заряда барьера Шоттки и зависимость его емкости от внешнего напряжения. Вблизи границы полупроводника при его контакте с металлом может образовываться слой, обогащенный или обедненный носителями заряда. Это зависит от соотношения работ выхода материалов, а также от типа проводимости полупроводника. Нас интересует случай образования обеденного слоя, поскольку при этом существует потенциальный барьер, препятствующий свободному движению носителей заряда через интерфейс - барьер Шоттки. Рассмотрим в качестве примера контакт полупроводника «-типа с металлом, причем работа выхода полупроводника Ф^ меньше работы выхода металла Ф^. При этом поток свободных электронов, движущихся из полупровод-

ника в металл, будет больше потока электронов, движущихся в обратном направлении. Это приведет к тому, что концентрация свободных электронов в приповерхностной области полупроводника будет уменьшаться, и их заряд перестанет компенсировать положительный заряд неподвижных ионизованных доноров. Образующийся объемный заряд создаст электрическое поле, которое будет препятствовать движению электронов в металл. Процесс перезарядки будет продолжаться до тех пор, пока потоки электронов в обоих направлениях не скомпенсируют друг друга. При этом энергия Ферми Ер во всей структуре будет одинаковой, а разность потенциалов между полупроводником и металлом фд. станет равной разности работ выхода материалов, отнесенной к абсолютной величине заряда электрона е:

т

Ф* --•

е

Отметим, что для рассматриваемого случая Ф^ - > 0, поэтому контактная разность потенциалов ф£ положительна, т.е. потенциал полупроводника выше потенциала металла.

На рисунке 1.4 изображена энергетическая диаграмма барьера Шоттки (а) и распределение концентраций электронов и доноров (б). Обозначения на рисунке: - энергия сродства к электрону для полупроводника, Е^ - энергия дна зоны проводимости, Еу - энергия потолка валентной зоны, Ф^ - высота барьера Шоттки, х^ - граница области объемного заряда, Ир - полная концентрация доноров,

Ир - концентрация ионизованных доноров, п - концентрация свободных электронов. Связь ширины области объемного заряда с внешним напряжением можно найти из решения уравнения Пуассона:

,9

etс2 ££о

где ф(*) - электростатический потенциал в данной точке х, 8 - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника, Sq - электрическая постоянная,

р(х) - объемная плотность заряда в точке х, которая может быть определена (в пренебрежении наличием дырок) выражением:

Ф

м

а)

Ф/

Доноры

Ме

N

в

п

N

О-

111 л-.|м*. [

+ 4- + + + + + + + +

I

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Барановский, Максим Владимирович

Основные результаты настоящей диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Разработана автоматизированная установка для исследования адмиттанса и фотоэлектрических характеристик полупроводниковых наногетероструктур в широком диапазоне температур и частот. В среде Lab VIEW разработано программное обеспечение для автоматизации процесса измерений, обработки экспериментальных данных, расчета концентрационных профилей носителей заряда.

2. Исследованы дифференциальные емкость и проводимость гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в диапазоне частот от 1 кГц до 1 МГц, в области температур от 10 до 300 К. На вольт-фарадных характеристиках наблюдались ярко выраженные плато, обусловленные последовательным опустошением квантовых ям при расширении области объемного заряда р-п-перехода.

3. Проанализированы профили концентрации носителей заряда в гетерострук-турах InGaN/GaN, рассчитанные по вольт-фарадным характеристикам. Ярко выраженные концентрационные пики соответствовали электронам, локализованным в квантовых ямах InGaN. Определены расстояния между ямами, оценено качество гетероинтерфейсов.

4. На основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона развита динамическая теория адмиттанса барьера Шоттки, содержащего квантовые ямы. В рамках данной теории впервые рассчитана зависимость дифференциальной проводимости структур с квантовыми ямами от обратного напряжения.

5. Показано, что экспериментально наблюдаемые ступеньки в зависимости дифференциальной проводимости структур с квантовыми ямами от обратного смещения обусловлены соответствующими особенностями барьерной емкости.

6. Исследованы зависимости фототока от обратного напряжения в структурах InGaN/GaN с МКЯ в диапазоне длин волн от 400 до 520 нм в области температур от 10 до 300 К. Обнаружено, что данная зависимость имеет ступенчатый характер, что обусловлено последовательным прохождением границы области объемного заряда через квантовые ямы.

7. Впервые обнаружено, что в структурах 1гЮаМ/Оа]Ч с квантовыми ямами при оптическом возбуждении вблизи края собственного поглощения материала квантовых ям при определенных обратных смещениях возникает эффект отрицательной дифференциальной проводимости. Показано, что данное явление обусловлено сдвигом края собственного поглощения вследствие компенсации внутреннего пьезоэлектрического поля квантовых ям полем р-п-перехода.

8. Показано, что ступеньки в зависимости фототока от обратного смещения наиболее ярко выражены при комнатной температуре. В области низких температур данные особенности размываются. Это связано со снижением вероятности теплового выброса из квантовых ям носителей заряда, генерируемых светом.

9. Развита теория фототока в полупроводниковых барьерных структурах с квантовыми ямами. Результаты расчетов, выполненных в рамках данной теории, хорошо согласуются с экспериментальными данными.

10. Предложен новый неразрушающий экспресс-метод диагностики гетеро-структур 1пОаМЛЗаМ с множественными квантовыми ямами, основанный на анализе их фотоэлектрических характеристик.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Барановский, Максим Владимирович, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А. Нитрид галлия - перспективный материал электронной техники. Ч. 1. Фундаментальные свойства нитрида галлия. Материаловедение. 1999. № 9. С. 41.

2. R. Dingle, D.D. Sell, S.E. Stokowski, and M. Ilegems. Absorption, reflectance, and luminescence of GaN epitaxial layers. Phys. Rev. В 4, 1211 (1971).

3. В. Monemar. Fundamental energy gap of GaN from photoluminescence excitation spectra. Phys. Rev. В 10, 676 (1974).

4. О. Ambacher. Growth and applications of group IH-nitrides. J. Phys. D: Appl. Phys. 31,2653 (1998).

5. A. Munoz and K. Kunc. High-pressure phase of gallium nitride. Phys. Rev. В 44, 10372(1991).

6. Т. Lei, T.D. Moustakas, R.J. Graham, Y. He, and S. J. Berkowitz. Epitaxial growth and characterization of zincblende gallium nitride on (001) silicon. J. Appl. Phys. 71,4933 (1992).

7. S.C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten. IH-nitrides: growth, characterization, and properties. J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).

8. A.M. Царегородцев, A.H. Ефимов. Эпитаксиальные слои твердых растворов нитрид галлия - нитрид алюминия: получение и исследование структурных характеристик. Письма в ЖТФ, 22, 86 (1996).

9. Н. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an A1N buffer layer. Appl. Phys. Lett. 48,353 (1986).

10. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh. In situ monitoring and Hall measurements of GaN grown with GaN buffer layers. J. Appl. Phys. 71, 5543 (1992).

11. S. Nakamura, Y. Harada, and M. Seno. Novel metalorganic chemical vapor deposition system for GaN growth. Appl. Phys. Lett. 58, 2021 (1991).

12. M. Mesrine, N. Grandjean, and J. Massies. Efficiency ofNH3 as nitrogen source for GaN molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett. 72, 350 (1998).

13. А.М.Мизеров, В.Н.Жмерик, В.К.Кайбышев, Т.А.Комиссарова, С.А.Масалов, С.В.Иванов. Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN (0001) и GaN (000-1) при использовании различных способов активации азота. ФТП43, 1096 (2009).

14. N. Grandjean and J. Massies. GaN and AlxGai_xN molecular beam epitaxy monitored by reflection high-energy electron diffraction. Appl. Phys. Lett. 71, 1816 (1997).

15. В.Н.Жмерик, А.М.Мизеров, Т.В.Шубина, А.В.Сахаров, А.А.Ситникова, П.С.Копьев, С.В.Иванов, Е.В.Луценко, А.В.Данильчик, Н.В.Ржеуцкий, Г.П.Яблонский. Квантово-размерные гетероструктуры на основе AlGaN для светодиодов глубокого ультрафиолетового диапазона, полученные методом субмонослойной дискретной молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. ФТП 42, 1452 (2008).

16. N.E. Christensen, I. Gorczyca. Optical and structural properties of III-V nitrides underpressure. Phys. Rev. В 50, 4397 (1994).

17. Junqiao Wu. When group-Ill nitrides go infrared: New properties and perspectives. J. Appl. Phys. 106,011101 (2009).

18. S.J. Pearton, J.C. Zolper, RJ. Shul, and F. Ren. GaN: Processing, defects, and devices. J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).

19. H.B. Фомин, Д.В. Шанцев. Возникновение дислокации несоответствия на интерфейсе подложки и слоя твердого раствора конечной толщины. ФТТ 38, 76 (1996).

20. В.П. Мацокин. Релаксация напряжений с образованием дислокаций и трещин при формировании контакта между разнородными кристаллами. ФТТ 35, 2455 (1993).

21. S.Yu. Karpov and Yu.N. Makarov. Dislocation effect on light emission efficiency in gallium nitride. Appl. Phys. Lett. 81, 4721 (2002).

22. Sun-Kyun Lee, Hyun Soo Lim, Jang-Ho Lee, Ho-Sang Kwack, Hyun Kyong Cho, Ho-Ki Kwon, and Myeong Seok Oh. Correlation between defect properties

and internal quantum efficiency in blue-emitting InGaN based light emitting diodes. J. Appl. Phys. Ill, 103115 (2012).

23. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura. Spontaneous emission of localized excitons in InGaN single and multiquantum well structures. Appl. Phys. Lett. 69,4188(1996).

24. Shih-Wei Feng, Tsung-Yi Tang, Yen-Cheng Lu, Shi-Jiun Liu, En-Chiang Lin,

C.C. Yang, Kung-Jen Ma, Ching-Hsing Shen, L.C. Chen, K.H. Kim, J.Y. Lin, and H.X. Jiang. Cluster size and composition variations in yellow and red light-emitting InGaN thin films upon thermal annealing. J. Appl. Phys. 95, 5388 (2004).

25. K.P. O'Donnell, R.W. Martin, and P.G. Middleton. Origin of Luminescence from InGaN Diodes. Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).

26. I.H. Brown, I.A. Pope, P.M. Smowton, P. Blood, J.D. Thomson, W.W. Chow,

D.P. Bour, and M. Kneissl. Determination of the piezoelectric field in InGaN quantum wells. Appl. Phys. Lett. 86, 131108 (2005).

27. O. Ambacher, J. Smart, J.R. Shealy, N.G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W.J. Schaff, L.F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck. Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N- and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures. J. Appl. Phys. 85,3222 (1999).

28. P. Kiesel, F. Renner, M. Kneissl, N.M. Johnson, and G.H. Dohler. Electroabsorp-tion spectroscopy - direct determination of the strong piezoelectric field in InGaN/GaN heterostructure diodes. Phys. Stat. Sol. (a) 188, 131 (2001).

29. Tetsuya Takeuchi, Christian Wetzel, Shigeo Yamaguchi, Hiromitsu Sakai, Hiro-shi Amano, Isamu Akasaki, Yawara Kaneko, Shigeru Nakagawa, Yoshifumi Yamaoka, and Norihide Yamada. Determination of piezoelectric fields in strained GalnN quantum wells using the quantum-confined Stark effect. Appl. Phys. Lett. 73, 1691 (1998).

30. Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, А.С. Зубрилов, Ю.С. Ле-ликов, Ф.Е. Латышев, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. Механизм падения эффективности GaN-светодиодов ростом тока. ФТП 44, 822 (2010).

31. Gh. Alahyarizadeh, Z. Hassan, and F. K. Yam. Improvement of the performance characteristics of deep violet InGaN multi-quantum-well laser diodes using step-graded electron blocking layers and a delta barrier. J. Appl. Phys. 113, 123108 (2013).

32. Зубков В.И.. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса. СПб.: ООО «Техномедиа» / Изд-во «Элмор», 2007. 220 с.

33. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. под ред. А.Ф. Трутко. М., «Энергия», 1973. 656 с.

34. Н.К. Gummel and D.L. Scharfetter. Depletion-layer capacitance of p+n step junctions. J. Appl. Phys. 38, 2148 (1967).

35. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. Изд-во «Наука», Ленингр. отд., Л., 1972. 104 с.

36. Н. Kroemer, Wu-Yi Chien, J.S. Harris, and D.D. Edwall. Measurement of isotype heterojunction barriers by C-V profiling. Appl. Phys. Lett. 36,295 (1980).

37. В.И. Зубков, M.A. Мельник, A.B. Соломонов. О емкостном профилировании вблизи изотипного гетероперехода. ФТП 32, 61 (1998).

38. В.И. Зубков. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGai_ xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции. ФТП 41, 331 (2007).

39. М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А,Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин. Емкостная спектроскопия глубоких состояний в InAs/GaAs-гетероструктурах с квантовыми точками. ФТП 33, 184 (1999).

40. D.V. Lang. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors. J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974).

41. D.L. Losee. Admittance spectroscopy of impurity levels in Schottky barriers. J. Appl. Phys. 46, 2204(1975).

42. G. Vincent, D. Bois, and P. Pinard. Conductance and capacitance studies in GaP Schottky barriers. J. Appl. Phys. 46, 5173 (1975).

43. N.D. Nguyen, M. Germain, M. Schmeits, B. Schineller and M. Heuken. Thermal admittance spectroscopy of Mg-doped GaN Schottky diodes. J. Appl. Phys. 90, 985 (2001).

44. C.R. Moon, Byung-Doo Choe, S.D. Kwon, H.K. Shin, and H. Lim. Electron distribution and capacitance-voltage characteristics of n-doped quantum wells. J. Appl. Phys. 84, 2673 (1998).

45. O.A. Солтанович, H.M. Шмидт, Е.Б. Якимов. Частотные и температурные зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами. ФТП 45, 226 (2011).

46. А.Н. Петровская, В.И. Зубков. Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 К. ФТП 43, 1368 (2009).

47. V.I. Zubkov, С.М.А. Kapteyn, A.V. Solomonov and D. Bimberg. Voltage-capacitance and admittance investigations of electron states in self-organized InAs/GaAs quantum dots. J. Phys.: Condens. Matter 17, 2435 (2005).

48. П.Н. Брунков, C.O. Усов, Ю.Г. Мусихин, A.E. Жуков, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, С.Г. Конников, Т.К. Расулова. Определение профиля распределения концентрации носителей заряда в слабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs. ФТП 38,469 (2004).

49. В.И. Зубков. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона. ФТП 40, 1236 (2006).

50. S.D. Singh, V.K. Dixit, S.K. Khamari, R. Kumar, A.K. Srivastava, T. Ganguli, and S.M. Oak. Conduction band offset and quantum states probed by capacitance measurements for InP/GaAs type-II ultrathin quantum wells. J. Appl. Phys. 109, 073702 (2011).

51. V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, and E.O. Tsvelev. Determination of band offsets in strained InxGai.xAs/GaAs quantum wells by capacitance-voltage

profiling and Schrodinger-Poisson self-consistent simulation. Phys. Rev. В 70, 075312 (2004).

52. В.И. Зубков, M.A. Мельник, A.B. Соломонов, A.H. Пихтин, Ф. Бугге. Определение величины разрыва валентной зоны и ее температурной зависимости в изотопных гетеропереходах p-A^Ga^As/p-A^Ga^ As из C-F-измерений. ФТП 33, 940(1999).

53. О.В. Кучерова, В.И. Зубков, А.В. Соломонов, Д.В. Давыдов. Наблюдение локализованных центров с аномальным поведением в светоизлучающих гетер о структур ах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN. ФТП 44, 352 (2010).

54. A. Sellai, P. Kruszewski, A. Mesli, A.R. Peaker, М. Missous. Electrical characteristics of InAs self-assembled quantum dots embedded in GaAs using admittance spectroscopy. J. Nanophoton. 6, 063502 (2012).

55. M. Geller, A. Marent, E. Stock, D. Bimberg, V.I. Zubkov, I.S. Shulgunova, and A.V. Solomonov. Hole capture into self-organized InGaAs quantum dots. Appl. Phys. Lett. 89, 232105 (2006).

56. Пихтин A.H. Квантовая и оптическая электроника: Учебник. М.: «Абрис», 2012. 656 с.

57. Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов. М.: «Наука», 1965.448 с.

58. К.Г. Золина, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетеро-структур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами. ФТП 31, 1055 (1997).

59. Martin F. Schubert, Qi Dai, Jiuru Xu, Jong Kyu Kim, and E. Fred Schubert. Electroluminescence induced by photoluminescence excitation in GalnN/GaN light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett. 95, 191105 (2009).

60. Menkovich E.A., Tarasov S.A., Lamkin I.A. Luminescence of nanostructures based on semiconductor nitrides. Func. Mat. 19, 233 (2012).

61. Павлов JI.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: «Высшая школа», 1987. 239 с.

62. С.О. Усов, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, Н.Н. Леденцов. Фотолюминесценция локализованных экситонов в квантовых точках InGaN. ФТП 42, 187 (2008).

63. B.C. Сизов, В.В. Неплох, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, A.M. Минтаиров, J.L. Merz. Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN. ФТП 44, 1615 (2010).

64. R.J. Kaplar, S.R. Kurtz, D.D. Koleske, and A.J. Fisher. Electroreflectance studies of Stark shifts and polarization-induced electric fields in InGaN/GaN single quantum wells. J. Appl. Phys. 95, 4905 (2004).

65. A.H. Пихтин, О.С. Комков, К.В. Базаров. Влияние внешнего электрического поля на вероятность оптических переходов в квантовых ямах InGaAs/GaAs. ФТП 40, 608 (2006).

66. А.Н. Пихтин, М.Т. Тодоров. Фотоотражение арсенида галлия. ФТП 27, 1139 (1993).

67. Komkov O.S., Glinskii G.F., Pikhtin A.N., Ramgolam Y.K. Excitonic effects and Franz-Keldysh oscillations in photoreflectance of ultrapure GaAs epilayers. Phys. Stat. Sol. (a) 206, 842 (2009).

68. O.C. Комков, A.H. Пихтин, Ю.В. Жиляев, Л.М. Фёдоров. Определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистых эпитаксиальных слоях GaAs методом фотоотражения. Письма в ЖТФ 34, 81 (2008).

69. L. Tarricone, С. Arena, A. Parisini, and F. Genova. Photovoltage and photocur-rent spectroscopy of p+in+ GaAs/AlGaAs quantum well heterostructures. J. Appl. Phys. 72,3578(1992).

70. И.А. Карпович, В.Я. Алешкин, А.В. Аншон, H.B. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой. ФТП 26, 1886 (1992).

71. И.А. Карпович, Д.О. Филатов. Диагностика гетер о структур с квантовыми ямами методом спектроскопии конденсаторной фотоэдс. ФТП 30, 1745 (1996).

72. Д.С. Сизов, B.C. Сизов, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, Н.Н. Леденцов. Исследование электронного спектра структур с квантовыми точками InGaN с помощью спектроскопии фототока. ФТП 39, 1350 (2005).

73. G. Franssen, P. Perlin, and Т. Suski. Photocurrent spectroscopy as a tool for determining piezoelectric fields in InxGai„xN/GaN multiple quantum well light emitting diodes. Phys. Rev. В 69, 045310 (2004).

74. В.Л. Альперович, H.T. Мошегов, А.С. Терехов, В.А. Ткаченко, О.А. Ткачен-ко, А.И. Торопов, А.С. Ярошевич. Резонансы фототока в короткопериодных сверхрешетках AlAs/GaAs в электрическом поле. ФТТ 41, 159 (1999).

75. Барановский М. В., Глинский Г. Ф. Исследование полупроводниковых гете-роструктур мето-дом вольт-фарадного профилирования . Тез. докл. 12-й научной молодежной школы «Физика и технология микро- и наносистем», г. Санкт-Петербург, 2009. С. 28.

76. Барановский М. В., Глинский Г. Ф. Исследование вольт-фарадных характеристик полупро-водниковых гетер о структур и разработка автоматизированной установки для неразрушающего контроля их качества. Тез. докл. 11-й всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, г. Санкт-Петербург, 2009 г. С. 74 (2009).

77. М.В. Барановский, Г.Ф. Глинский. Автоматизированная установка для неразрушающего контроля качества полупроводниковых наногетероструктур. Тез. докл. 12-й Всерос. молод, конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 2010 г., с. 105.

78. М.В. Барановский, Г.Ф. Глинский. Автоматизированная установка для исследования адмиттанса полупроводниковых наногетероструктур. Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 4/2012, с. 3 (2012).

79. М.В. Барановский, Г.Ф. Глинский. Расчет профиля концентрации носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2011617125, 13.09.2011 г.

80. M.B. Барановский, Г.Ф. Глинский. Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых наногетероструктур InGaN/GaN. Тез. докл. 13-й Всерос. молод, конф. по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 2011 г., с. 34.

81. М.В. Барановский, Г.Ф. Глинский. Комплексная диагностика полупроводниковых наноструктур. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2011617779, 6.10.2011 г.

82. С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин. Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN/GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами. ФТП 37, 1131 (2003).

83. О.В. Кучерова, В.И. Зубков, Е.О. Цвелев, И.Н. Яковлев, A.B. Соломонов. Неразрушающая диагностика наногетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN методом спектроскопии адмиттанса. Зав. Лаб. Диаг. 76, 24 (2010).

84. Барановский М.В., Глинский Г.Ф. Исследование фотоэлектрических явлений в наногетеро-структурах InGaN/GaN. 65-я научно-техническая конференция профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ «ЛЭТИ»: Сборник докладов студентов, аспирантов и молодых ученых. Санкт-Петербург, 2012. С. 47 (2012).

85. Барановский М.В., Глинский Г.Ф., Миронова М.С. Фотоэлектрический метод диагностики гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами. ФТП 47, 60 (2013).

86. Барановский М.В., Глинский Г.Ф. Экспресс-диагностика светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN фотоэлектрическим методом. Письма в ЖТФ39, С. 22-28(2013).

87. Барановский М.В., Глинский Г.Ф. Диагностика InGaN/GaN наноструктур с множественными квантовыми ямами.Петербургский журнал электроники. 2012. №2(71). С. 27-40.

88. Барановский М. В., Глинский Г. Ф. Диагностика гетероструктур 1пОа1Ч/ОаК с множественными квантовыми ямами фотоэлектрическим методом . Тез. докл. 14-й всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. С. 52 (2012).

89. Барановский М. В., Глинский Г. Ф. Фотопроводимость 1пОа1Ч/Оа]Ч гетероструктур с множественными квантовыми ямами. Тез. докл. Российской молодежной конференции по физике и астрономии «ФизикА.СПб», г. Санкт-Петербург, 2012 г, С. 146 (2012).

90. Глинский Г.Ф., Барановский М.В. Устройство контроля качества полупроводниковых квантово-размерных структур: пат. 117714 Рос. Федерация: МПК8 Н01Ь21/66, вОШ 27/00, 21/00; заявитель и патентообладатель СПбГЭТУ.-№2011150325/28; заявл. 09.12.2011; опубл. 27.06.2012. - 8 с.

91. Барановский М.В., Глинский Г.Ф. Экспресс-диагностика светодиодных структур: Свид-во о регистра-ции программы для ЭВМ. Рос. Федерация; заявитель и правообладатель СПбГЭТУ. - № 2011617126; выд. 13.09.2011.