Создание системы управления полупроводниковой накачкой активных элементов твердотельных лазеров и повышение ее эффективности тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.01, кандидат технических наук Познышев, Александр Николаевич

• Познышев, Александр Николаевич
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Познышев, Александр Николаевич

Введение

Глава 1. Системный анализ проблемы создания высокоэффективных систем оптической накачки

1.1. Анализ условий создания системы управления термостабилизации полупроводниковой лазерной матрицы

1.2. Анализ режимов и схем управления оптической накачкой активных элементов твердотельных лазерных систем

1.3. Обобщенная системная блочно-модульная модель термостабилизированной матрицы

Выводы по главе

Глава 2. Теоретическое обоснование построения системы термостабилизации полупроводниковой лазерной матрицы

2.1. Математическая модель системы термостабилизации матрицы лазерных диодов на основе термоохлаждающих модулей

2.2. Структурные модели элементов системы управления полупроводниковой накачкой лазерных систем

2.3. Математическая модель радиатора

2.4. Модель системы управления термостабилизацией

Выводы по главе

Глава 3. Установка для исследования процессов тепловой стабилизации матрицы лазерных диодов

3.1. Стенд для отработки систем управления матрицы лазерных 59 диодов

3.2. Система силового электропитания матрицы лазерных диодов

Выводы по главе

Глава 4. Исследование и практическая отработка системы термостабилизации матрицы лазерных диодов на основе термоэлектрического охлаждающего модуля

4.1. Характеристика экспериментальных исследований.

4.2. Моделирование системы термостабилизации.

4.3. Моделирование МЛД в критических условиях эксплуатации.

4.4. Исследование системы тепловой стабилизации матрицы при использовании пористого кремния в теплоотводящих слоях

4.5. Система стабилизации на основе форсированного отбора тепла

4.6. Термостабилизированная система широкого применения с полупроводниковой накачкой .^

Выводы по главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Создание системы управления полупроводниковой накачкой активных элементов твердотельных лазеров и повышение ее эффективности»

Твердотельные лазеры принадлежат к одной из наиболее динамично развивающихся областей высоких технологий, основанных на лазерной физике. Основными путями совершенствования их технических характеристик являются повышение их эффективности, увеличение энергосъема с единицы объема и снижение массогабаритных характеристик.

Особый интерес представляют твердотельные лазеры с диодной накачкой: опыт работы по эксплуатации таких лазеров позволяет утверждать, что они обладают большими преимуществами по сравнению с твердотельными лазерами с ламповой накачкой. Диодная оптическая накачка позволяет:

• обеспечить продолжительную работу лазеров в импульсно-периодическом режиме с сохранением качества излучения за счет снижения уровня теплового воздействия при накачке активного элемента;

• многократно повысить коэффициент полезного действия (КПД) лазерного излучения за счет практически полного совпадения спектральной полосы излучения полупроводникового лазерного диода с полосой поглощения активного элемента твердотельного лазера;

• существенно улучшить массогабаритные характеристики лазеров;

• использовать низковольтные источники электропитания для обеспечения работы твердотельного лазера.

Для существенного улучшения характеристик твердотельных лазерных систем необходимо повышение удельной мощности оптической накачки, что в свою очередь требует создания эффективных систем управления температурным режимом полупроводниковых матриц оптической накачки. Для увеличения потока мощности оптической накачки твердотельного лазера необходимо использовать двухмерные излучающие структуры, объединенные в линейки или решетки (матрицы). Для этого необходимо создание полупроводниковых матриц с плотностью импульсной мощности излучения не менее

1000 Вт/см2 , при обеспечении совершенного регулирования теплового режима полупроводниковых линеек и жестких ограничений импульсного питания матрицы. Отсюда следует, что необходимо совместно совершенствовать несколько разнородных процессов и соответствующих составляющих лазерного комплекса; для решения таких задач адекватной методологической основой является системный подход.

Формированию научных основ создания лазеров посвящены работы Ландау Л.Д., Прохорова A.M., Басова Н.Г., американского физика Таунс Ч., польского физика Пекара А.Г. , построению твердотельных лазерных систем на современной элементной базе посвещены работы Барейка Б.Ф, A.A., Ад-ливанкина A.C., Аполлонова В.В. [1,5,11, 12, 28, 50, 51, 52, 54 - 57, 80,86, 92, 102, 107,109]. Значительный объём исследований в области создания систем полупроводниковой накачки содержатся в работах Александрова А.Г., Вай-нера А.Л., в области построения специальных систем питания масштабные исследования проведённы учёными Микаеляном А.Д., Исаевым С.И., Дружининым Г.В.[2, 7, 14, 15, 16, 22, 23, 23, 33,42, 51, 63, 66, 81, 89, 99,101,110,111]. Методы системного анализа изложенны в работах Анфила-това B.C., Волковой В.Н., Емельянова A.A., Клира A.A., Кострова A.B., Пе-регудова Ф.И., Тарасенко Ф.П. [3,31,47,46,48,53.] позволяют построить оптимальную систему оптической полупроводниковой накачки твердотельных комплексов. Вместе с тем, в настоящее время многие вопросы еще не разрешены.

Из вышесказанного следуют актуальность и необходимость целенаправленных исследований в области совершенствования систем управления режимов полупроводниковой накачки лазерных комплексов; этим исследованиям посвящена настоящая диссертация.

Цель и задачи исследования. Целью диссертации являются совершенствование системы управления термостабилизированных лазерных матриц, разработка ее теоретических и методических основ, а также практических рекомендаций по осуществлению управления оптической накачкой активных элементов твердотельных лазеров при создании лазерных систем нового поколения.

Для достижения поставленной цели решаются следующие задачи.

1. Исследование условий построения высокоэффективного термоэлектрического стабилизатора матрицы полупроводниковых лазерных диодов на основе системного подхода.

2. Разработка комплекса структурных и математических моделей как элементов термоэлектрического стабилизатора матрицы лазерных диодов (МЛД), так и системы в целом и исследование процессов регулирования.

3. Формирование комплекса средств, для проведения экспериментальных исследований как основных элементов систем термостабилизации и сисг темы электропитания полупроводниковых матриц, так и комплексных системных исследований.

4. Исследование влияния параметров силового питания и тепловых процессов на выходные характеристики оптического излучения полупроводниковых лазерных матриц и практическая отработка систем электропитания и термостабилизации МЛД.

Научная новизна результатов работы, заключается в следующем.

1. Сформирована обобщенная системная блочно-модульная модель термо-стабилизированной матрицы, включающая в свой состав матрицу лазерных диодов, систему низковольтного электропитания и систему управления термостабилизацией МЛД.

2. Построена совокупность математических и структурных моделей элементов системы и системы в целом, обеспечивающая исследование и проектирование систем термостабилизации твердотельных лазеров.

3. Выявлены зависимости выходных характеристик системы полупроводниковой накачки от физических параметров, характеризующих режимы работы её элементов.

4. Предложен подход и обоснована возможность существенного повышения КПД создаваемых лазерных систем, что позволит отечественной промышленности создавать мощные малогабаритные твердотельные лазерные системы для использования в различных технологических процессах.

Таким образом, теоретическая значимость результатов работы состоит в том, что они вносят определенный вклад в развитие научно-методических основ повышения эффективности систем накачки лазерных комплексов полупроводниковыми лазерными диодами.

Практическая значимость работы заключается в том, что с использованием основных положений и результатов диссертационной работы при участии автора разработан и принят к использованию комплекс руководящих методических материалов по созданию эффективных систем управления полупроводниковой накачкой лазеров, а также сформирован комплекс средств, для экспериментальных исследований и отработки реальных систем. Это позволило перейти к практическому созданию матриц полупроводниковых лазерных диодов с удельной импульсной мощностью излучения не менее 700 Вт/см и созданию мощных отечественных лазерных систем с полупроводниковой накачкой.

Результаты работы могут непосредственно использоваться при подготовке специалистов, в научно-исследовательских работах в этой области и оказании консультационных услуг по данному профилю.

Апробация работы и использование ее результатов.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Первой Всероссийской научно-технической конференции (г.Радужный, 1996, ФГУП ГосНИИЛЦ РФ «Радуга»); Третьей Всероссийской отраслевой научно-технической конференции (г. Радужный, 2000, ФГУП ГосНИИЛЦ РФ «Радуга»); Четвертой Всероссийской отраслевой научно-технической конференции, (г. Радужный, 2002г, ФГУП ГосНИИЛЦ РФ «Радуга»), на Первой Всероссийской научно-технической конференции ( г. Владимир 2004г. ВлГУ) а также на заседаниях семинара кафедры автоматизации производственных процессов ВлГУ.

Результаты исследований, проведенных при работе над диссертацией, а также ее выводы и практические рекомендации являются основой тематических работ, проводимых под непосредственном руководством и при участии автора в ФГУП ГосНИИЛЦ РФ «Радуга» по НИР «Проводничок», НИР «Накопитель», НИР «Ювелир», ОКР «Микромодуль», а также нашли практическое применение при реализации конкретных технических и проектных решений по созданию специализированных лазерных систем, что подтверждается актами внедрения.

Теоретические положения и практические результаты диссертации вошли в содержание специальных дисциплин, читаемых для студентов по кафедре автоматизации производственных процессов ВлГУ.

Публикации. Основные результаты исследований по теме диссертации опубликованы в 14 печатных научных работах, в том числе в 10 авторских свидетельствах и патентах на изобретения.

Заключение диссертации по теме «Системный анализ, управление и обработка информации (по отраслям)», Познышев, Александр Николаевич

Выводы по главе 4

В данной главе приведены результаты разнообразных экспериментальных исследований различных элементов твердотельного лазера с термоста-билизированной полупроводниковой накачкой, выполненных в рамках данной работы.

1. Исследования по созданию термостабилизированных матриц с автономной системой управления термостабилизации и параметрами токового импульса матрицы в блочно-модульном исполнении показывают, что возможно обеспечить вывод каждой матрицы, участвующей в оптической накачке, на уровень полосы поглощения активного элемента 808 ± 1 нм. Этот вывод основан на том, что отдельные термостабилизированные матрицы, собираемые в блоки, отличаются вершиной максимального интегрального спектра, в отдельных матрицах при одной и той же температуре активного слоя интегральные значения спектра излучения могут отличаться на величину до 4 нм. Это означает, что необходимо устанавливать температурный режим для каждой создаваемой МЛД. Поэтому каждая система полупроводниковой накачки создаваемая в блочно-модульном исполнении, должна иметь свой блок низковольтного питания и управления, выполненный на одной компактной плате с микропроцессорным управлением токовыми параметрами и процессом термостабилизации. Современная электронная промышленность позволяет создать компактные системы электропитания и управления ТОМ, расположенные на одной плате размерами 100x60 мм. Создание таких систем управления накачки активных сред твердотельных лазеров позволит обеспечить возможность дискретного наращивания мощности накачки при синхронной работе нескольких модулей. Блочно - модульное исполнение позволяет обеспечить работу каждого модуля системы полупроводниковой накачки при оптимальных значениях параметров (температура, амплитуда ток накачки). Блок-схема предлагаемой термостабили-зированной системы управления полупроводниковой накачки в блочно-модульном исполнении представлена в приложении П10

2. Использование пористого кремния в качестве теплоотводящего слоя активной области лазерной линейки длиной 1.6 мм. с наполнением сплавом Са978пЗ (ТПЛ==190С) и теплоотводящей пластины длиной 4мм с наполнением сплавом К 90Иа10 (Тпл=17.5°С), обеспечит пассивную термостабилизацию МЛД за время не более 1.2 с. Данный способ обеспечит выход матрицы на режим термостабилизации с первого импульса накачки. Применение данного метода пассивной термостабилизации позволит обеспечить эффективную оптическую накачку твердотельного лазера и создать малогабаритные лазерные системы, работающие в автономном режиме.

3. Дроссельную систему термостатирования можно рассматривать как дополнительную к термоэлектрической на основе ТОМ, применение данной системы позволит создать модель конструкции форсированных схем термостабилизации матриц с удельной мощностью лазерного излучения более 1000 вт\см , а также уменьшить время выхода МИД на заданный режим термостабилизации при высоких значениях температуры окружающего воздуха.

4. .Проведённые автором исследования на макете квантрона показали, что КПД преобразования энергии оптической накачки в энергию лазерного излучения в режиме свободной генерации составило 15.3%, что близко к расчётным значениям.[5, 8, 50, 17]

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Результаты теоретических и экспериментальных исследований, выполненных в рамках настоящей работы с целью создания компактной системы управления лазерной накачкой активных элементов твердотельного лазера, надежно работающей в режиме «охлаждение-нагрев», и малогабаритных систем электрического питания лазерных матриц, в совокупности представляют собой научно-методические основы создания и совершенствования таких систем. Они построены с использованием системного подхода и представляют собой обобщенную системную блочно-модульную модель термостабили-зированной матрицы и обобщенный двухуровневый системный алгоритм, позволяющие упорядочить исследование и проектирование как разнородных элементов, входящих в систему, так и системы в целом.

Обобщение результатов проведённых теоретических и экспериментальных исследований позволяют также сделать следующие выводы.

1. Показана возможность создания термостабилизированных матриц лазерных диодов с удельной импульсной мощностью лазерного излучения до 1000вт\см , при этом система термостабилизации должна обеспечить заданное время выхода МЛД на уровень заданного температурного режима.

- Разработан алгоритм работы системы обеспечивающий термостабилизацию МЛД.

2. Выявлено что использование пористого кремния в качестве теп-лоотводящего слоя активной области лазерной линейки позволяет обеспечить пассивную термостабилизацию МЛД за время не более 1.2 е.; Данный способ обеспечит выход матрицы на режим термостабилизации с первого импульса накачки. Его применение обеспечит эффективную оптическую накачку твердотельного лазера и создать малогабаритные лазерные системы работающие в автономном режиме.

3. Исследование дроссельной системы термостатирования можно рассматривать как дополнительную к термоэлектрической, показано что её применение позволит создать форсированные схемы термостабилизации матриц с удельной мощностью лазерного излучения более 1000вт\см , а также уменьшить время выхода МЛД на заданный режим термостабилизации при высоких значениях температуры окружающего воздуха.

4. На основании исследований, проведённых на основе системного подхода, обобщённого системного алгоритма и блочно - модульной системной модели в составе матрицы лазерных диодов, системы низковольтного питания и управления термостабилизацией МЛД показана возможность построения полупроводниковых систем накачки твердотельных лазеров с высоким КПД. Этот вывод основан на том, что выходными излучательными характеристиками каждой термостабилизированной матрицы, входящей в состав блока лазерной накачки, за счёт установления присущих данной матрице температурных и токовых значений, уровня и длительности импульса При этом выявлено, что возможно устанавливать с точностью ± Ihm. значения спектра лазерного излучения каждой отдельной матрицы, не только изменением температурного режима, но и изменением параметров силового электропитания матрицы.

5. На макете квантрона получено значение КПД преобразования энергии оптической накачки с полупроводниковыми матрицами, собранными в единый термостабилизированный блок, в энергию лазерного излучения в режиме свободной генерации, равное 15.3%. Хотя достигнутое значение отличается от данных приведённых в [14], это объясняется тем, что получено на микролазерах, в которых для оптической накачки использовалась только одна матрица, состоящая из двух линеек с близкими значениями длин волн 808-Г-809 нм, находящиеся в области «абсолютной» полосы поглощения активного элемента твердотельного лазера. Создание отечественных систем оптической накачки в блочно модульном исполнении с автономной системой управления термостабилизацией и параметрами токового импульса, каждой матрицы, обеспечит вывод каждой матрицы, участвующей в оптической накачке, на уровень полосы поглощения активного элемента 808 ± 1 нм. Это позволит повысить КПД лазерных систем до значений порядка 30% и обеспечит надёжную работу твердотельных лазеров с количеством импульсов порядка 109.

Таким образом, теоретические и прикладные результаты исследований изложенные в настоящей работе позволят:

• создать высокоэффективные системы оптической накачки твердотельных лазеров;

• целенаправленно использовать преимущества систем накачки активных сред полупроводниковыми лазерными диодами;

• перейти к практическому созданию систем оптической накачки, на основе матриц лазерных диодов собираемых в блоки, с удельной импульсной мощностью излучения матрицы свыше 1000 Вт/см , что позволит отечественной промышленности создать мощные малогабаритные твердотельные лазерные системы.

• создать новые мощные лазерные комплексы для различных областей промышленности с использованием только отечественной элементной базы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Познышев, Александр Николаевич, 2004 год

1. Адливанкин A.C., Безотосный В.В., Маркова Н.В., Микаелян Г.Т, Попов Ю.М., Порезанов С.Н. КПД инжекционных лазеров Квантовая электроника, 1996г. 974 с.

2. Александров А. Г. Тепловые нагрузки на элементы лазеров Квантовая . электроника, 1990г. № 17, с 1462

3. Анфилатов B.C., Емельянов A.A., Кукушкин A.A. Системный анализ в управлении. - М.: Финансы и статистика, 2002. - 368 с.

4. Аполлонов В.В., Кислов В.И. Прохоров А.М. Фазовая синхронизация матриц полупроводниковых лазерных диодов Квантовая электроника, 1996г. с 20, 1203

5. Аполлонов В.В., Державин С.И., Кузьминов В.В. и др. Системное влияние на излучательные характеристики полупроводниковых лазеров Квантовая электроника, 1997г. № 24, с 875.

6. Аполлонов В.В., Державин С.И., Кузьминов В.В. Основы создания драйверов Квантовая электроника 1998г.№ 25, с 265.

7. Аполлонов В.В., Державин С.И., Кузьминов В.В. Влияния термических процессов на полупроводниковые структуры - Квантовая электроника, 1998 г. № 25, с 355 .

8. Аполлонов В.В., Кислов В.И., Прохоров A.M., Экспериментальные значения параметров инжекционных лазеров Квантовая электроника, 1998 №23, с 1081 (1998).

9. Бабичев А.П., Бабушкина A.M. Физические величины - Справочник Энергоиздат, 1991г. 1232с.

10. Барейка Б.Ф., Данелюс Р.В. Основы создания полупроводниковых структур Квантовая электроника, 1982г.№ 9, с 3389 .

11. Басов Н.Г. Экспериментальные результаты твердотельных лазеров с полупроводниковой накачкой Квантовая электроника, 1987г. №14, с 1924 .

12. Басов Н.Г. Активная среда твердотельных лазеров Квантовая электроника, 1984г. № 11,с 1275 .

13. Безотосный В.В., Булаев П.В., Горбылёв В.А., Залевский И.Д., Маркова Н.П., Попов Ю.М. Технология монтажа полупроводниковых структур Квантовая электроника- 1998г., №25 сЗОЗ.

14. Безотосный В.В., Коваль Ю.П., Н.В., Попов Ю.В., Грудень М.Н., Швейкин В.И. Предельные параметры полупрововодниковых структур Квантовая электроника, 1995г.№8 с 22.

15. Безотосный В.В., Кумыков Х.Х., Маркова Н.В. Тепловые режимы в полупроводниковых структурах - Квантовая электроника, 1996г., № 23, 775.

16. Безродный В.И., Кумыков Х.Х., Маркова Н.В. Предельные выходные параметры линеек и матриц лазерных диодов Квантовая электроника, 1987г.№ 6 с 24.

17. Безродный В.И., Карга П.В, Чанг Чен Де, Чанг Кви Лиин. Моделирование и экспериментальное изучение инжекционных лазеров спектрального диапазона 780- 808 нм с электронным сверх решёточными барьерами Квантовая электроника 1995г. №4 с 22 .

18. Безродный В.И., Понежа Е.А. Полимерная матрица и ёё свойства -Квантовая электроника, 1978г. № 5 с 68

19. Безродный В.И., Вовк Л.В. О.В., Тихонов Е.А.- Новый полимерный пассивный затвор для неодимовых лазеров Квантовая электроника, 1995г.№2с 22.

20. Быков В.Н., Зверев Г. М., Плешков A.A. Высокоэффективный минила-зер с импульсной поперечной полупроводниковой накачкой для безопасной лазерной дальнометрии Квантовая электроника 2002г.№3 с32.

21. Богатов А.П., Дракин А.Е., Медведев В.Р., Устинов A.B. Генерационные характеристики лазерных кристаллов Квантовая электрони-ка1998г., №25, с488.

22. Вайнер А.Л., Спокойный Ю.Е., Лукишер Э.М. Проектирование термоэлектрических микрохолодильников глубокого охлаждения для радиоэлектроники. «Вопросы радиоэлектроники. Сер. ТРТО», 1970г. №3.

23. Вайнер А.Л. , Сомкин М.Н.,Лукшер Э.М. Измерение термоэлектрической эффективности полупроводниковых материалов. «Измерительная техника», 1972г., №4.

24. Вайнер А. Л. Каскадные термоэлектрические источники холода М.: "Сов. радио", 1976г., 136 с.

25. Волкова В.Н., Денисов A.A. Основы теории систем и системного анализа. СПб.: СПбГТУ, 1999г. - 510 с.

26. Гагарский C.B., Галагин Б.И., Денкер Б.И., Корчагин A.A. Квантовая электроника, 2000г. № 1 с 30.

27. Гильдалевич В.Б., Вайнер А.Л. Температура горячего спая и минимальная площадь радиатора термобатареи. В кн.: Холодильная техника и технология , вып. 2. Киев, «Техника», 1966г.

28. Голубенцев A.A., Кузнецов A.C. 4-я Всесоюзная Конференция-Полупроводниковый лазер «Оптика лазеров». Л.: 1992г.

29. Громов A.A., Дюмакаев K.M., Прохоров А.М. Известия АН СССР, сер. Физика тепла, 1982г. №46, с1959 .

30. Дегтярев Ю.И. Системный анализ и исследование операций. М.: Высш.школа, 1996г. - 335 с.

31. Демчук М.И., Михайлов В.П., Прохоров A.M. Физические основы теплотехники Квантовая электроника 1983г. №10,1051с .

32. Дружинин Г.В. Надежность автоматизированных производственных систем. — М.: Энергоатомиздат, 1986. 419 с.

33. Дьяков Ю.Г., Куратов И.И., Мирошниченко Т.А. Обзоры по электротехнике, 1982г. cep.ll, № 6, 1482с, 71 .

34. Дьяков Ю.Г., Куратаев И.И., Мирошниченко Т.А. Обзоры по электронной технике, cep.ll, №6 ,1482с., 71с 1989г.

35. Дьяконов В.П., Круглов В.А. Математические пакеты расширения MATLAB. Специальный справочник. СПб.: Питер, 2001. - 480 с.

36. Елисеев П. Г., Микаелян Г. Т. Экспериментальные исследования полупроводниковой матрицы Квантовая электроника, № 22, 1995г., 22 с.

37. Загуменный А.И., Остроумов В.Г., Хубер Г. Оптические генераторы Квантовая электроника 1992г. №19,1149с.

38. Зайдель А.Н., Прокофьев В.К., Райский С.М., Славный А.Н., Шрейдер Е.Я. Таблица спектральных линий. М.: Наука, 1997г., 7с.

39. Иващенко A.A. Сломенский Ю.Л. Оптика и спектроскопия, 1989г. №64, 653с.

40. Испытания радиоэлектронной, электонно-вычислительной аппаратуры и испытательное оборудование М.: "Радио и связь", 1987г., 270 с.

41. Исаев С.И., Кожинов И.А. Теория массообмена -Учебник для технических университетов и вузов 2-е издание , под редакцией Леонтьева А.И. Изд. МГТУ им. Н.Э. Баумана 1997г.

42. Каминский A.A. Лазерные кристаллы. М.: Наука, 1975г.

43. Карлов В.Н., Семёнов A.A. В сб. Электронная техника. Cep.ll. Лазерная техника и оптоэлектроника, 1991г.№3, 64с.

44. Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир, 1981г.

45. Клир Дж. Системология. Автоматизация решения системных задач. / пер. с англ. М.: Радио и связь, 1990г. - 284 с.

46. Костров А.В. Системный анализ и принятие решений. Владимир: ВлГТУ, 1995г.-68 с.

47. Костров А.В. Основы информационного менеджмента. М.: Финансы и статистика, 2004г. - 336 с.

48. Кошевский Е.И., Левчук Е.А. Лазерные среды - В сб. Электронная техника. Сер. 11. Лазерная техника и оптоэлектроника, №3 -4, 55 1993г.

49. Ландау Л.Д., Лифшиц. Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, 1982г.

50. Мезонов А. В., Соме Л. Н., Степанов А. И. Термооптика твердотельных лазеров. Л.: Машиностроение, 1986г.

51. Микаелян А.Д., Тер-Микаелян М.Л., Турков Ю.Г., Оптические квантовые генераторы. М.: Сов. радио, 1997г.

52. Перегудов Ф.И., Тарасенко Ф.П. Введение в системный анализ М.: Высш.школа, 1989. - 256 с.

53. А.с №4540312 Познышев А. Н., Большаков В. А., Куряпин А.И., Кру-жилин Ю.И. «Многоканальная лазерная установка», №23585; Заявл. 18.03.91; Опубл. 27.08.99г.

54. Познышев А. Н., Мальцев В. В. Многоканальный твердотельный усилитель // Лазерные системы: Третьей Всероссийской отраслевой научно-технической конференции,- Радужный 2000г.,85-88 с.

55. Познышев А. Н., Большаков В. А. Построение многоканальных лазерных систем // Лазерные системы: Тез. докл.- Первой Всероссийской на-уч.-техн. конф. Радужный 1996г.,. 125-129 с.

56. Познышев А. Н., Куфтерин В. А. Устройство оптической накачки // Лазерные системы: Тез. докл. Четвертой Всероссийской отраслевой научно-технической конф.- Радужный , 2002г . 44-45 с.

57. Пат. № (21)2002110473/28 Устройство оптической накачки / Познышев А. Н., Куфтерин В.А., № (011021) заявл. 19.04.02.; опубл 05.02.03.

58. A.c. №21096. Устройство фазовой коммутации / Познышев А. Н., Букин Г.В. Опубл. 29.10.03.

59. A.c. №281239 Устройство управления многоканальным устройством / Познышев А. Н., Букин Г. В. Опубл. 01.09.89.

60. A.c. №1335029 Устройство прерывания тока / Познышев А. Н., Савру-хин А. П. Опубл 01.05.87.

61. A.c. №1421170 Прерыватель тока / Познышев А. Н., Королев Б. К. Опубл. 01.05.86.

62. A.c. №23180 Система накачки многоканальных устройств / Познышев А. Н., Букин Г. В.Опубл. 03.02.88.

63. А.с №1396845 Прерыватель тока / Познышев А. Н., Саврухин А. П. Опубл. 15.01.88.

64. А.с № 164980 Накопитель энергии / Познышев А. Н., Кузьмин Ю. С. Опубл. 05.10.81.

65. А.с №2078167 Тепловое устройство / Познышев А. Н., Зюзин В. А. Опубл. 27.04.94.

66. А.с №147696 Прерыватель тока / Познышев А. Н., Саврухин А. П. Опубл. 01.08.98.

67. Саати Т. Принятие решений. Метод анализа иерархий / пер. с англ. -М.: Радио и связь, 1993г. 416 с.

68. Сузмацу Я.И., Катаока C.B., Енэдзава С.А. Основы оптоэлектроники. -М.: Мир, с 25-45 , 1986г.

69. Теоретические основы теплотехники.: Справочник (под общей редакцией В. А. Григорьева и др.) М.: Энергоатомиздат, 1988г. 560 с.

70. Теория тепломассообмена: Учебник / С. И. Исаев, И. А. Кожинов, В. И. Кофанов и др.; Под ред. Леонтьева А. И. 2-е изд. - М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 1997г. - 683 с.

71. Тер-Микирчтычев В.В. Автореферат канд. диссертации. М.: МИФИ, 1994.

72. Бабичев А.П., Бабушкина Н.А., Братковский A.M. и др. Под ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. Физические величины. Справочник /М.: Энергоатомиздат, 1991. - 1232 с.

73. Шарлей С.Ф. Теплотехнический эксперимент ЖПС, 13, 730 (1970).

74. Bach R.J, Freitas B.L, Mundingez D.I, Vanlue D., IEEEJ Guantum Electron, 28, 992, 1992r.

75. Barry N. P., Hyde S. C. W., Mellish R L., French P. M. W., Taylor J. R., Poel C. J. van der and Valster A. All-solid-state femtosecond diode-pumped Cr:LiSAF regenerative amplifier. Electronics Letters, 30, pp. 1761-1762 (1994r).

76. Beach R.J. "Optimization of quasi-three level end pumped Q-switched lasers," IEEE J. Quan. Elect, 31, 1995, pp. 1606-13.

77. Beach R. J. "CW theory of quasi-three level end-pumped laser oscillators," Opt. Comm., 123,1995, pp.385-93.

78. Beach R.J. "Theory and optimization of lens ducts," Appl. Opt., 35, 1996, pp. 2005-15.

79. Beach R.J., Emanuel M.A., Freitas B.L., Skidmore j.A., Carlson N.W., Benett W.J., Solarz R.W. "Applications of microlens-conditioned laser diode arrays," SPIE Proceedings, 2383, 1995, pp.283-97.

80. Beernink K.J., Thornton R.L., Anderson G.B., Emanuel M.A. "Si diffusion and intermixing in AlGaAs/GaAs structures using buried impurity sources." Appl. Phys. Lett., 66(19), 1995, pp.2522-4.

81. CEA. Leti. OPTRONIQUE: DE LA RECHERCHE A LTNDUSTRIE. Informations: LETI/Department Optronique CEA/Grenoble-17, rue des Martyrs. F-38054 GRENOBLE Cedex 9.

82. Comaskey B.B., Moran B.D., Albrecht G.F., Beach R.J. "Characterization of the heat loading of Nd-doped YAG, YOS, YLF, and GGG excited at diode pumping wavelengths." IEEE J. Quan. Elect., 31(7), 1995, pp.1261-4.

83. Deri R.J., Emanuel M.A. "Consistent formula for the refractive index of AlxGa^As below the band edge." J. Appl. Phys., 77(9) 1995, pp.4667-7.

84. Deri R.J., Emanuel M.A., Patterson F.G., Dijaili S.P., et al. "Polarization-insensitive wavelength filters by birefringence compensation of vertical couplers." Appl. Phys. Lett, 68(8),1996, pp. 1037-9.

85. Emanuel N. W, Carlson and J. A. Skidmore "High-Efficiency AlGaAs-based Laser Diode at 808 nm with Large Transverse Spot Size Solid-State Lasers," IEEE. Photon. Technol. Lett., 8, 1291 (1996).

86. French R P., Mellish J. R. Taylor, P. J. Delfyett and L. T. Florez: 'All-solidstate diode-pumped modelocked Cr.LiSAF laser', Electronics Letters, 29, pp. 1262-1263 (1993)

87. P. M. W. French R. Mellish, J. R. Taylor P. J. Delfyett and L. T. Florez: 'Mode-locked all-solid-state diode-pumped Cr:LiSAF laser', Optics Letters, 18, pp. 1934-1936 (1993)

88. Hamilton C.E., Beach, R.J., Sutton S.B. Furu L.H., et al. "1-W average power levels and tunability from a diode-pumped 2.94 micron Er:YAG oscillator." Opt. Lett, 19(20), 1994, pp. 1627-9.

89. Honea E.C., Beach, R.J., Sutton, S.B., Speth, J.A., Mitchell, S.C., Skidmore, J.A., Emanuel, M.A., Payne, S.A. "115 W Tm:YAG diode-pumped solidstate laser," IEEE J. Quan. Elect., 33(9), 1997, pp. 1592-600.

90. Hyde N. P, Barry B.R. Mellish A. R., Jones B.P. M. W. French J. R., Taylor C. J. van der Poel and A. Valster: 'Argon-ion-pumped and diode-pumped all-solid-state femtosecond Cr:LiSrAlF6 regenerative amplifiers', Optics Letters, 20, pp. 160-162(1995)

91. Kopf U.D., Keller M. A., Emanuel R. J., Beach J. A., Skidmore F.A., "A 1.1-W CW Cr:LiSAF laser pumped by a 1-cm diode-array," Optics Lett., 22, 99 (1997).

92. Marshall L. K, Smith R. J., Beach M. A., Emanuel K. I., Schaffers J.A. Skidmore A.A., Payne S.A., and B. H. T. Chai, "Diode-pumped ytterbiumdoped Sr5(P04)3F laser performance," IEEE J. Quan. Elect., 32, 650-656 (1996).

93. MASTERS OF LASER TECHNOLOGY CILAS Route de Noray, 91460 Marcoussis France.

94. Mawst L.D., Bhattachazya A.A., Botes A.J., Garbuzov D. Z., Fang A.F., AppL, Phys Letts, 1996.

95. Mellish N.P. Barry S. C., Hyde R. W, Jones P. M. French, J. R. Taylor C. J.,van der Poel and A. Valster: 'Diode-pumped Cr.LiSAF all-solid-state femtosecond oscillator and regenerative amplifier', Optics Letters, 20, pp. 2312-2314(1995)

96. Mellish P.M.,French J. R., Taylor P. J., Delfyett and L. T. Florez: 'All-solidstate femtosecond diode-pumped Cr.LiSAF laser', Electronics Letters, 30, pp. 223-224 (1994)

97. Mroziew B., Bugajski M., Phisics Semicomds Lasers. Warszawa, PWN, 1991.

98. Payne S. A., Beach R. J., Bibeau C. A. Ebbers M. A., Emanuel E. C.,Honea C. D., Marshall R. H., Page K. I. Schaffers J. A. "Diode arrays, ciystals, and thermal management for solid state lasers," IEEE J. Sel. Top. Quan. Elect, 3(1), 1997, pp.71-81.

99. Ram A.G. Charma Equilibrium in Lithium Sulfur System// J. Electrochemical Soc.: Electrochemical Science and Technology, 1972, U. 119, № 11, pp. 1439-1443.

100. Shelpuk B., Crouthamel M.S. Thermoelectric Refrigeration Appl.- «Paper ASME» ,1969, № 10

101. Simons R.E., Estimating Parallel Plate-Fin Heat Sink Thermal Resistance. Electronics Cooling, Vol. 9, No. 1, 2003. http://www.electronics-cooling.com.

102. Simons R.E., Estimating Parallel Plate-Fin Heat Sink Pressure Drop. Elec-tronicsCooling, Vol. 9, No. 2, 2003. http://www.electronics-cooling.com.

103. Skidmore J. A., Beach R. J, Emanuel M. A., Freitas B. L., Benett W. J, Carlson N. W., and. Solarz R. W, "New Diode Wavelengths for Pumping Solid-State Lasers," SPIE '95 Symposium on Laser Diodes and Applications, 2382, 106 (1995).

104. Skidmore J. A, Beach R. J,Emanuel M. A, Freitas B. L, Bennett W. J., Carlson N. W., and. Solarz R. W, "New Diode-Laser Wavelengths for Pumping Solid-State Lasers," LEOS '94, Boston MA (October, 1994).

105. Skidmore J. A., Emanuel M. A,. Beach R. J, Bennett W. J, Freitas B. L, Carlson N. W., and Solarz R. W„ "High-Power CW 690 nm AlGalnP LaserDiode Arrays," Appl. Phys. Lett, 66, 1163 (1995).

106. Skidmore J. A., Emanuel M. A., Beach R. J., Bennett W. J., Freitas B. L., Carlson N. W., and Solarz R. W., "High-Power CW Operaration of AlGalnP Laser-Diode Array at 640 nm," IEEE. Photon. Technol. Lett, 7, 133 (1995r).

107. SOLID STATE LASERS B.M. Industries Product Catalog. Imp. MM.-0164104646-RCS MelunB 316806009-Printedjuly 1996r.

108. THOMSON-CSF SPECIFIQUES. Route Departmental 128-BP 46 91401 ORSAY CEDEX-FRANCE.

109. Ure Roland W. -The theory of materials for thermoelectric and thermoelectric devices. -«Proc. IEEE», 1963,v 51, №5.

110. Wolfe R. T Thermoelectric power of bismuth-antimony alloys ft low temperature - « Pull Am Phys Soc» 1961 v 29№ 7.

111. Zory P.S., Emanuel M.A. "Characterization of thin p-clad InGaAs single-quantum-well lasers." IEEE Phot. Tech. Lett., 7(7), 1995, pp.718-20.

112. Zory P.S., Emanuel M.A. "Contact reflectivity effects on thin p-clad InGaAs single quantum-well lasers." IEEE Phot. Tech. Lett., 6(12), 1994r, pp. 91427.

113. Internet: http: //WWW. Thermoform. Com.