1.5 мкм иттербий-эрбиевые лазеры с диодной накачкой - элементная база и генерационные возможности тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.21, доктор физико-математических наук Сверчков, Сергей Евгеньевич

• Сверчков, Сергей Евгеньевич
• доктор физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Сверчков, Сергей Евгеньевич

1. Состояние науки и техники полуторамикронных эрбиевых лазеров к моменту начала настоящей работы.

2. Постановка задач, структура диссертации.

Часть I. Иттербий-эрбиевые активные материалы для различных типов лазеров с диодной накачкой.

Глава 1.1. Концентрированное иттербий-эрбиевое лазерное стекло.

Введение

§1.1.1. Поиск состава и его основные физико-химические свойства.

§1.1.2. Особенности накопления и релаксации энергии инверсной населенности в концентрированных иттербий-эрбиевых стеклах.

1. Зависимости населенности верхнего лазерного уровня ионов эрбия от плотности энергии импульсной накачки.

2. Кинетики релаксации населенности уровня 4113/2 Ег3+ при высоких плотностях возбуждения.

§1.1.3. Генерационные исследования концентрированного лазерного стекла при накачке неодимовыми (Х~1.06 мкм) лазерами.

Глава 1.2. Высокопрочное иттербий-эрбиевое лазерное стекло. 62 Введение.

§1.2.1. Поиск состава стекла.

§1.2.2. Физико-химические свойства разрабатываемого стекла.

§1.2.3. Спектрально — кинетические особенности высокопрочного стекла.

§1.2.4. Лазеры на высокопрочном иттербий-эрбиевом стекле (ламповая накачка).

Глава 1.3. Кристаллическая активная среда для 1.5 мкм лазеров - оксиборат кальция-гадолиния Сс1Са40(В0з)з с иттербием и эрбием.

Введение

§1.3.1. Выращивание кристаллов

§1.3.2. Особенности спектроскопии и переноса энергии электронного возбуждения в Yb,Er:GdCOB.

Выводы из Части I.

Часть П. Поиск и исследование пассивных модуляторов добротности для 1.5 мкм спектральной области.

Введение.

§11.1.1. Пассивная модуляция добротности лазеров на ^ эрбиевом стекле при помощи германиевого зеркала.

§ II.1.2. Лазеры на эрбиевом стекле с пассивной модуляцией добротности эрбий-содержащим элементом.

§ П. 1.3. Новая эффективная просветляющаяся среда для модуляции добротности лазеров на эрбиевом стекле (А.=1.54 мкм) - кристаллы легированной кобальтом магний-алюминиевои шпинели (MgAl204:Co2+).

§ II.1.4. Возможности использования кристаллов MgAl204:Co2+ ^ для модуляции добротности лазеров на переходе 4F3/2->4Ii3/ ионов Nd3+.

§11.5. Особенности выращенных различными способами кристаллов алюмомагниевой шпинели, легированной кобальтом.

Выводы из Части II.

Часть III. 1.5 мкм диодно-накачиваемые лазеры на разработанных материалах.

Введение.

Глава Ш.1. Лазеры с импульсной поперечной накачкой линейками лазерных диодов.

Введение.

§ Ш.1.1. Генерационные испытания нового концентрированного Yb-Er стекла в лазере с импульсной поперечной накачкой двумя линейками лазерных диодов. Режим свободной генерации.

§ IH.1.2. Миниатюрный лазер на концентрированном Yb-Er стекле с накачкой единственной 100 Вт диодной линейкой и с активной модуляцией добротности затвором на нарушенном полном внутреннем отражении (НПВО-затвором).

§ III. 1.3. Мощный и высокоэффективный лазер на концентрированном Yb-Er стекле с накачкой тремя диодными линейками с активной модуляцией добротности затвором на нарушенном полном внутреннем отражении.

Глава Ш.2. Микролазеры на иттербий-эрбиевых средах с непрерывной продольной диодной накачкой.

Введение.

§111.2.1. Микролазер на концентрированном стекле с продольной диодной накачкой

§111.2.2. Модуляция добротности непрерывно-накачиваемых микролазеров на Yb-Er стеклах при помощи затворов на нарушенном полном внутреннем отражении.

§111.2.3. Пассивная модуляция добротности диодно-накачиваемых микролазеров на Yb-Er стекле кристаллами легированной кобальтом шпинели.

§111.2.4. Микрочип - лазер на высокопрочном иттербий-эрбиевом стекле.

§111.2.5. Лазеры на кристаллах GdCOB:Yb,Er.

Заключительные выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «1.5 мкм иттербий-эрбиевые лазеры с диодной накачкой - элементная база и генерационные возможности»

1. Состояние науки и техники 1.5 мкм эрбиевых лазеров к моменту начала настоящей работы.

Известно, что спектральная область -1.5 - 1.6 мкм привлекает разработчиков различных лазерных приборов по целому ряду причин. Прежде всего это - относительная безопасность излучения для зрения: допустимая в полуторамикронной области плотность энергии, облучающей роговицу глаза, на 5 порядков превышает соответствующие значения для видимой и ближайшей ИК областей спектра. Такая особенность связана с подходящим (десятки см"1) коэффициентом поглощения полуторамикроннного излучения водой, содержащейся в прозрачных тканях глаза, и связанной с этим невозможностью поражения чувствительной сетчатой оболочки глаза. Эта же особенность делает полуторамикронные лазеры привлекательными для ряда хирургических применений, где требуется «деликатная» коагуляция малых объемов биологических тканей. В то же время земная атмосфера, несмотря на наличие в ней воды в виде паров, вполне прозрачна в полуторамикронной области, которая, таким образом, оказывается весьма удобной для работы лазерных локаторов и дальномеров. Кроме того, с указанным спектральным диапазоном совпадают области максимальной прозрачности кварцевых световодов, использующихся в волоконных линиях связи и максимальной чувствительности распространенных неохлаждаемых фото приемников — германиевых и InGaAs фотодиодов.

В полуторамикронной области спектра могут излучать лазерные источники различного типа. Перечислим наиболее распространенные:

He-Ne лазеры, достаточно громоздкие и маломощные. Работают в непрерывном режиме с невысоким КПД, но с высоким пространственным и спектральным качеством излучения. лазерные диоды - недорогие, высокоэффективные малогабаритные источники, способные работать как в импульсном, так и в непрерывном режимах. Однако выходная мощность одиночных диодов ограничена единицами ватт. Из-за этого обстоятельства, а также из-за невозможности накопления энергии инверсной населенности, этот тип лазеров не способен формировать короткие мощные импульсы в режимах модуляции добротности и усиления внешнего сигнала.

ВКР - генераторы на ряде кристаллических материалов (напр. калий-гадолиниевом вольфрамате KGW) и на сжатых газах (метан, дейтерий), преобразующие в полуторамикронную область излучение неодимовых 1.34 мкм и 1.06 мкм лазеров. К этой же группе можно отнести используемые иногда для получения излучения в полуторамикронной области спектра параметрические генераторы света. В отличие от вышеперечисленных типов лазеров ВКР - и ПГС — генераторы способны формировать мощные короткие импульсы излучения, необходимые, например, для импульсной лазерной дальнометрии. Недостатком такого рода устройств является относительная сложность, а в случае ВКР-генераторов на сжатых газах - и громоздкость их оптической схемы [1], [2], [3], [4], [5], [6], [7], [8].

- Лазеры на самоограниченном переходе 3F4 —>-3Н4 ионов Тш3+[9], [10], [11], [12], [13], [14], [15]. Такие лазеры не получили пока большого практического распространения. Из особенностей этих лазеров следует отметить, что для осуществления в них непрерывного режима генерации требуются те или иные меры по преодолению самоограничения. Для этого в лазерный материал или вводится селективный тушитель люминесценции нижнего лазерного уровня (например, ионы или обеднение населенности нижнего лазерного уровня осуществляется при накачке по ап-конверсионному механизму через ионы Yb3+ , или устраивается каскадная генерация.

Твердотельные лазеры на переходе - 4Ii5/2 ионов Ег3+ в различных диэлектрических материалах (прежде всего в стеклах). На настоящее время эрбиевые лазеры являются наиболее распространенными источниками полуторамикронного лазерного излучения. Как всякие твердотельные лазеры, их отличает простота, достаточная компактность и возможность масштабирования. Также их преимуществом является большое (до 7-8 мс) время жизни верхнего лазерного уровня. Большое время жизни легко позволяет осуществлять накопление энергии инверсной населенности в лазерной среде для ее последующего излучения в виде коротких мощных импульсов (режимы модуляции добротности и усиления импульсного излучения), что требуется в преобладающем большинстве применений.

Однако поскольку нижним лазерным уровнем является основное состояние, для возникновения инверсии на указанном переходе необходимо возбудить около половины ионов эрбия. Такой высокий требуемый уровень возбуждения вкупе с ограниченной мощностью источников оптической накачки приводят к ограничению концентраций эрбия в лазерной среде. Невысокие (обычно порядка нескольких десятых весового процента) концентрации эрбия делают невозможной эффективную прямую оптическую накачку при небольших габаритах активных элементов лазеров. В волоконной технике (где эрбиевые лазеры и усилители получили большое распространение) эта проблема может быть решена за счет большой длины активного волокна. Предметом же настоящей работы являются лазеры на малогабаритных объемных элементах. В этом случае проблема может быть решена введением в активную среду достаточного количества сенсибилизаторов, поглощающих излучение накачки и безызлучательным образом передающих ее к лазерным ионам. Для ионов эрбия эффективными сенсибилизаторами являются ионы иттербия Yb3+, которые имеют единственную, но сильную (особенно при высокой концентрации Yb3+) полосу поглощения в области -0.9-1 мкм.

Схема энергетических уровней и процессов трансформации энергии в системе ионов Yb3+-Er3+ приведена на Рис. В.1.

Сенсибилизация люминесценции эрбия ионами иттербия осуществляется за счет миграционно-ускоренного безызлучательного переноса энергии электронного возбуждения с ионов иттербия (уровень F5/2 ) на уровень 41п/2 ионов эрбия.

Необходимым условием эффективного заселения верхнего лазерного уровня I13/2 ионов

Ег3+ в итгербий-эрбиевой лазерной среде является возможно более быстрая релаксация возбуждений с уровня 41ц/2 на верхний лазерный уровень л\\ж • В противном случае, если релаксация на верхний лазерный уровень недостаточно быстра, паразитные процессы обратного переноса энергии ( с уровня 1ц/2

Ег3+ назад к ионам иттербия) и кумуляции (переноса энергии с ионов иттербия к ранее возбужденным ионам эрбия, в частности по схемам Yb ( F5/2 - F7/2 ) -» Ег3+( 4113я - F9/2) и Yb3+ (2F5/2 -2F7/2 ) -> Er3+( 4I11/2 -2Hu/2), см. Рис. B.l), могут приводить к резкому снижению эффективности заселения верхнего лазерного уровня, и даже к полной невозможности достижения инверсии на рассматриваемом лазерном переходе [16]. Другим, более очевидным, требованием к эффективной итгербий-эрбиевой лазерной среде является высокий, близкий к единице, квантовый выход люминесценции на лазерном переходе или, другими

Рис В.1. Схема уровней и процессов трансформации энергии в иттербий-эрбиевых лазерных средах.

1. - оптическая накачка;

2, 3 - прямой и обратный безызлучательный перенос возбуждений между ионами иттербия и эрбия;

4 - ап-конверсионные (кумулятивные) процессы;

5 - многофононная релаксация;

6 - генерирующий переход. словами, близость времени затухания полуторамикронной люминесценции эрбия к радиационному времени лазерного перехода (типичное значение которого в оксидных матрицах - 7+8 мс). Впервые 1.5 мкм генерацию ионов эрбия в Yb3+ -Ег3+ среде (в силикатном стекле) получили в 1965 г. Снитцер и Вудкок [15]. Вскоре после получения эффекта генерации в силикатном стекле, в 1969 г. Снитцером же было предложено использовать для этой цели фосфатное стекло [23]. Стекла на фосфатной основе до настоящего времени остаются практически единственным материалом, используемым в итгербий-эрбиевых лазерах. Это объясняется тем, что свойства фосфатного стекла хорошо согласуются с указанными выше спектрально-кинетическими требованиями. Несмотря на это, весьма длительное время после пионерских работ Снитцера эффективность итгербий-эрбиевых стеклянных лазеров оставалась весьма низкой, порядка 0,1%. Только в 1980-х гг., в большой мере благодаря работам отечественных исследователей (прежде всего в ИРЭ АН СССР и ГОИ), было достигнуто глубокое понимание механизмов трансформации энергии в итгербий-эрбиеых стеклах, предложен способ накачки итгербий-эрбиевых стекол неодимовыми (А^1,06 мкм ) лазерами, а затем найден эффективный второй сенсибилизатор для итгербий-эрбиевых стекол — ионы трехвалентного хрома. В результате КПД эрбиевых лазеров с ламповой накачкой был повышен до вполне удовлетворительных для практических нужд значений (в отдельных случаях до 3 % и даже выше) [24], [25].

Основной недостаток стекла по сравнению с кристаллами как лазерной среды — низкая теплопроводность и, как следствие, легкость теплового разрушения. Легкость теплового разрушения ограничивает среднюю мощность генерации лазеров на эрбиевых стеклах типичным значением в 0.3+0.5 Вт на погонный сантиметр длины активного элемента.

Поиск же кристаллических сред, одновременно обладающих двумя вышеуказанными спектрально-кинетическими свойствами, оказался достаточно нетривиальной задачей. Несмотря на значительные успехи ряда поисковых работ [17], [18], [19], [20], [21] [22], можно утверждать, что технологичных кристаллических материалов, одновременно и в полной мере удовлетворяющих этим двум спектрально-кинетическим требованиям, не известно до сих пор. (Более подробный обзор ситуации содержится в посвященной этой проблеме главе 1.3.) Отсутствие сколько-нибудь эффективных кристаллических лазерных сред, излучающих в области 1.5 мкм, заставило исследователей заниматься поиском возможно более стойких к мощной накачке составов эрбиевых лазерных стекол , а также технологией упрочнения элементов из них. В этом направлении успех сопутствовал исследователям фирмы Kigre inc. (США), разработавшим иттербий-эрбиевое лазерное стекло марки QX-Er, на активном элементе длиной около 15 см из которого была достигнута при ламповой накачке средняя мощность генерации 20 Вт [26], а также исследователям из ИРЭ РАН, показавшим возможность достижения при ламповой накачке порога непрерывной генерации [59].

До сих пор речь шла в основном о «традиционных» твердотельных лазерах с накачкой газоразрядными лампами. Наблюдающийся же в последнее десятилетие быстрый прогресс в науке и технике твердотельных лазеров обусловлен несколькими факторами, важнейшим из которых представляется быстрый прогресс техники инжекционных полупроводниковых лазерных диодов. Лазерные диоды обладают чрезвычайно высоким КПД, достигающим 40-50%, но ограниченной пиковой мощностью при сложности масштабирования и, как правило, невысокими пространственными характеристиками излучения. Распространение лазерных диодов обусловило массовую тенденцию к созданию твердотельных лазеров с диодной накачкой. Такие лазерные системы обладают (по сравнению с лазерами, накачиваемыми газоразрядными лампами) намного более высоким КПД и меньшими габаритами, а также могут намного превосходить их по долговечности и стабильности параметров излучения.

Другой фактор, способствующий быстрому прогрессу твердотельных лазеров - создание новых лазерных материалов, как активных, так и пассивных (просветляющиеся среды на основе активированных ионами переходных металлов диэлектрических кристаллов, на основе полупроводниковых или активированных переходными металлами диэлектрических нанокристаллитов в стеклах; зеркала с полупроводниковым слоем , обеспечивающим переменный коэффициент отражения (SESAMs); элементы, использующие Керровскую нелинейность и другие материалы и устройства для получения импульсов короткой и сверхкороткой длительности).

В совокупности эти два фактора привели к появлению тенденции развития техники "полностью твердотельных" (т. е. состоящих только из твердотельных оптических элементов, в том числе в системе накачки) миниатюрных (т.е. преимущественно использующих пассивные методы управления генерацией) лазеров.

До сих пор наибольшее развитие эта тенденция получала в основном применительно к лазерам, излучающим в видимой и ближайшей ИК (~ 1 мкм ) области спектра.

Однако, в связи с появлением в последнее время доступных и эффективных InGaAs лазерных диодов, спектральная область излучения которых хорошо перекрывается с полосой поглощения иттербия, интерес к иттербий-эрбиевым лазерам также резко возрос. Это связано с широтой возможных применений таких диодно-накачиваемых лазеров благодаря их эффективности, безопасности для зрения, компактности и потенциальной (при массовом производстве) дешевизне. Как и в случае ,например, неодимовых лазеров, переход от ламповой к диодной накачке эрбиевых стекол позволил резко снизить габариты лазеров при одновременном резком повышении КПД и частоты следования импульсов. Кроме того, диодная накачка, в отличие от ламповой, легко позволяет осуществить непрерывный режим генерации. Однако существовавшие до настоящего времени материалы для 1.5 мкм иттербий-эрбиевых лазеров разрабатывались и оптимизировались в основном под накачку газоразрядными импульсными лампами. Осуществление же преимуществ лазеров с диодной накачкой требует создания специальных лазерных материалов, оптимизированных для различных режимов накачки лазерными диодами. Цели настоящей диссертации можно сформулировать как:

I. Создание нового поколения иттербий-эрбиевых лазерных сред (как стеклообразных, так и кристаллических), специально предназначенных для лазеров с диодной накачкой;

П. Поиск и исследование средств для пассивной модуляции добротности 1.5 мкм лазеров;

Ш. Создание лазеров с диодной накачкой на элементной базе из разработанных активных и пассивных материалов.

В следующем разделе Введения формулируется ряд конкретных требующих решения проблем в рассматриваемой области, производится постановка задач диссертации и излагается ее структура.

Заключение диссертации по теме «Лазерная физика», Сверчков, Сергей Евгеньевич

Выводы.

Разработана технология синтеза высокопрочного тугоплавкого алюмо-боро-фосфатного лазерного стекла (SELG) для полуторамикронных иттербий-эрбиевых микролазеров с продольной диодной накачкой.

Рис.П 1.5. Фото: внешний вид слитка синтезированного Yb-Er стекла. j

Заключение.

В настоящем параграфе описаны продольно-накачиваемые итгербий-эрбиевые микролазеры с новым пассивным модулятором добротности -кристаллами легированной кобальтом алюмомагниевой шпинели. В отличие от кристаллов LMA:Co2+, при использовании шпинели в резонатор не потребовалось вводить поляризующих элементов (введение поляризаторов неизбежно влечет за собой дополнительные оптические потери и увеличение длины резонатора). Это позволило поднять КПД и пиковую мощность микролазеров приблизительно вдвое по сравнению с данными работы [46]. Исследованы спектральный состав излучения и особенности кинетики генерации некоторых схем таких микролазеров.

Для дальнейшего повышения энергетических характеристик таких микролазеров (прежде всего средней выходной мощности) требуется создание специальных стеклообразных или кристаллических активных сред улучшенными термомеханическими свойствами (высокими механической прочностью, теплопроводностью и тугоплавкостью, пониженным термическим расширением). Лазерным экспериментам с такими средами и посвящены два следующих параграфа.

§111.2.4. Микрочип - лазер на высокопрочном иттербий-эрбиевом стекле.

В настоящем параграфе описываются генерационные эксперименты с разработанным (см. Главу1.2) новым высокопрочным иттербий-эрбиевым лазерным стеклом (SELG). Описывается оригинальная монолитная схема микрочип-лазера на этом стекле. В его конструкции пассивный модулятор добротности выполняет также функцию теплового радиатора. Приводятся результаты генерационных исследований этого лазера при диодной накачке и при накачке непрерывным лазером на ионах титана в сапфире.

Описываемые в этом параграфе эксперименты были проведены на образце стекла SELG с концентрацией эрбия 1x10 см' . Уровень обезвоживания стекла (остаточная концентрация ОН-групп) соответствовала коэффициенту поглощения 1.38 см"1 на длине волны 3.33 мкм. Люминесцентное время жизни ионов иттербия в этих условиях составило 24 мкс. Отсюда можно сделать вывод о высокой, >90%, квантовой эффективности переноса возбуждений к ионам эрбия, в том числе и при населенности верхнего лазерного уровня ~70V75%, характерном для режима модуляции добротности (см §1.1.2.).

Схема микрочип-лазера, использовавшегося в генерационных экспериментах, представлена на Рис.Ш.15.

Стеклянный активный элемент представлял собой плоскопараллельную (с отклонениями от параллельности не более нескольких угловых секунд) круглую (08 мм) пластинку толщиной 1 мм. Пассивный затвор микролазера представлял собой такую же плоскопараллельную пластинку из алюмомагниевой шпинели с кобальтом (размеры пластинки 08x0.7 мм; коэффициент поглощения на k=1.54 мкм - 1.5% на проход). Пластинки жестко соединялись друг с другом оптическим контактом - по поверхности соприкосновения и при помощи циан-акрилатного клея - по периметру. На наружные поверхности пластинок были нанесены отражающие (Х=1.54 мкм) покрытия: R=99.9% - на шпинель и R=96% - на стекло. Оба покрытия пропускали более 90% излучения накачки. Однопроходная накачка микрочип-лазера осуществлялась сквозь пластинку шпинели. Соприкасающиеся стороны активного и пассивного элементов никаких отражающих или просветляющих покрытий не имели. Такое конструктивное решение, между прочим, улучшило лучевую прочность поверхности соприкосновения.

1 Вт, 975 нм лазерный диод

Подложка Co2+:MgAl204 Yb-Er стекло

А,= 1.54мкм

3 мм

R=96% на1.54мкм; R-99% на 0.975 мкм

100% на 1.54 мкм; R<5% на 0.975 мкм

Рис.Ш.15. Схема монолитного неразъюстируемого микрочип-лазера у, на высокопрочном Yb-Er стекле SELG и Со" :MgAi204.

Высокая теплопроводность (13.8 Дж/°К-см-с) шпинели и близость ее коэффициента теплового расширения (~60х10"7 °К"1) к КТР стекла SELG (см. Таблицу 1.3) сделали возможным ее использование в данной конструкции в качестве теплового радиатора микролазера. Кроме того, жесткое соединение активного и пассивного элементов исключило необходимость их юстировки друг относительно друга и обеспечило стабильную работу микролазера в условиях механических вибраций. Генерационные исследования микролазера проводились как при накачке лазерным диодом (с волоконным выводом излучения), так и при накачке непрерывным ТкА120з- лазером. Оба типа источников накачки настраивались на длину волны максимума коэффициента поглощения ионов иттербия - 975 нм. При этом в стекле поглощалось около 80% падающего излучения накачки. При диодном возбуждении накачиваемая область имела круглое сечение поперечником 80+90 мкм. Титановый лазер в области малых накачек (<550 мВт) генерировал одномодовое (ТЕМоо) излучение, и накачиваемая область в лазерном стекле имела Гауссов у профиль с диаметром 80 мкм по (уровню Ve ). При более мощной накачке излучение Ti:Al203- лазера сменялось многомодовым, а диаметр накачиваемой области возрастал до ~110 мкм.

Во всех случаях лазер генерировал устойчивый цуг импульсов длительностью 5±0.3 не. Генерация имела структуру основной (ТЕМоо) поперечной и нескольких (3+10) продольных мод. При этом, в отличие от экспериментов, описанных в предыдущем параграфе, амплитуда импульсов была стабильной - периодического ее изменения, подобного изображенному на Рис.Ш.14В, не наблюдалось. Пиковая мощность импульсов менялась в диапазоне 0.5+1.6 кВт в зависимости от источника накачки и его мощности. Максимальная пиковая мощность (1.6 кВт) была получена при использовании диодной накачки вблизи порога возникновения генерации.

На Рис.Ш.16 представлена средняя выходная мощность микролазера в зависимости от падающей мощности излучения накачки диодного и Ti:Al203- лазеров.

Максимальная средняя мощность генерации составила 150 мВт при диодной накачке и 180 мВт при накачке ТкА120з - лазером. Максимальные частоты следования гигантских импульсов в микролазере составили при этом 25 и 70 кГц соответственно. Никаких лучевых или термомеханических повреждений лазерного стекла, шпинели или оптических покрытий при работе лазера не наблюдалось. Дифференциальный КПД как с диодной накачкой, так и с накачкой Тг.А12Оз-лазером (при работе его в одномодовом режиме) достигал 15%.

Падение средней мощности генерации микрочип-лазера в узкой области накачек ТкА1203-лазера вблизи ~ 0.55 Вт связано с переключениями последнего из одномодового в многомодовый режим генерации.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Сверчков, Сергей Евгеньевич, 2005 год

1. Bruns D. G., Bruesselbach H. W., Stowall H. D., Rockwell D. A."Scalable visible Nd : YAG pumped Raman laser source"; 1.EE J. of Quantum Electron., v. QE-18, # 8, 1982, p. 1246-1252.

2. R.Stultz, D.Nieuwsma,E.Gregor "Eyesafe High Pulse Rate Laser Progress at Hughes". Proc. SPIE Int.Soc.Opt.Eng., v.1419, paper 08, 1991.

3. J.T.Murray, R.C.Powell, N. Peyghambarian et al.,"Generation of 1.5 im radiation through intracavity solid-state Raman shifting in Ba(N03)2 nonlinear crystals ", Opt. Lett. 20, p. 1017, 1995.

4. J.T.Murray, R.C.Powell, N. Peyghambarian, D.Smith, W.Austin"Eyesafe solid-state intracavity Raman laser" OSA Proc. On ASSL'95, v.24,p.267-269.

5. P.Zverev, T.Basiev, A.Prokhorov."Stimulated Raman Scattering in Raman Crystals." Optical Materials 11(1999), p.335-352.

6. Устименко А., Гулин А., "Лазеры на KGd(W04)2: Nd с длиной волны 1.538 цт на вынужденном колебательном рассеянии". Приборы и техника эксперимента, №3 , с.99-101, 1998.

7. Устименко А., Гулин А ., Нархова Г."Многоволновая генерация стоксовых компонент в лазерах с ВКР-самопреобразованием на кристаллах KGdCWO^Nd "Квантовая электроника, т.28, №9, с.825, 1998.

8. А.Иванюк,В.Сандуленко. "Внутрирезонаторное вьшужденное Рамановское рассеяние в неодимовом лазере на вольфрамате калия-гадолиния" Оптика и спектроскопия, т. 62(1987)с.569.

9. A.Braud,, М. Fromager, J.Doualan, S. Girard, R. Moncorge, M. Thuau, B. Ferrand, P. Thony. "Passive Q-switching and wavelength tunability of a diode pumped Tm:Yb:YLiF4 laser aroung 1.5pm" Optics Commun, v.183, # 1-4, pp. 175-179, (2000).

10. A.Braud, S.Girard, J.Doualan, R.Moncorge, "Spectroscopy and fluorescence dynamics of Tm,Tb and Tm,Eu doped LiYF4 single crystals for 1.5 xm laser operation", IEEE J.of quantum Electronics v.34, #11, pp.2246-2255(1998)

11. A.Dienung, P.Mobert, G.Huber. "Diode pumped continuous-wave, quasi-continuous-wave and Q-switched laser operation of Yb,Tm: LiYF4 at 1.5 and 2.3 цт." J. of Applied Physics, v.84, #11, pp. 5900-5904(1998).

12. F.Heine, V.Ostroumov, E.Heumann, T.Jensen, G.Huber." CW Yb,Tm: LiYF4 upconversion laser at 650 nm, 800 nm and 1500 nm", OSA TOPS v.24 Advanced Solid State Lasers 1995,pp.77-79.

13. Snitzer E., Woodcock R. "Yb3+- Er3+glass laser", Applied Physics Letters, v.6, #3, p. 45-46.

14. V.P.Gapontsev, S.Matitsin, A.Isineev, V.Kravchenko, "Erbium glass lasers and their applications, " Optics and Laser Technology, v. 14 , pp 189-196, Aug. 1982.

15. T.Schweizer, T. Jensen, E.Heumann, G.Huber. "Spectroscopic properties and diode pumped 1.6цт laser performance in Yb-codoped Er:Y2Al50i2 ". Optics Comm. 118, 557,(1995).

16. C.Li, R,Moncorge, J.Souriau, C.Borel, C.Wyon."Room-temperature CW laser action of Y2Si05: Yb,Er at 1.57 jim ". Opt. Commun. v. 107, pp. 61-64, 1994.

17. I.Sokolska, E.Heumann, S. Kuck, T.Lukasiewicz. Laser oscillations of Er:YV04 and Er,Yb, YV04 crystals in the spectral range around 1.6 pm. Appl.Phys. В 71, 893-896 (2000).

18. H.Giesber, J. Ballato, G. Chumanov, J. Kolis, M.Deineka. " Spectroscopic properties of Er and Eu doped acentric LaB03 and GdBCb. "J. of Applied Physics, v.93, #11. pp.8987-8994 (2003).

19. P.Burns, J.Dawes, P.Dekker, J.Piper, H.Jiang, J.Wang." CW diode-pumped microlaser operation at 1.5-1.6pm in Er,Yb:YCOB". IEEE Photonics Technology lett. V.14 #12 Dec. 2002, pp. 1677-1679.

20. Snitzer E., Woodcock R, Segre J. IEEE Journal of Quantum Electronics (digest of technical papers), 1968, v. QE-4, p.360.

21. Лунтер С., Мурзин А., Толстой М., Федоров Ю., Фромзель В. «Энергетические параметры лазеров на эрбиевых стеклах, сенсибилизированных иттербием и хромом» Квантовая электроника, т. И, №1,(1984), с.103-108.

22. А.Изынеев, П.Садовский «Новое высокоэффективное лазерное эрбиевое стекло ЛГС-ХМ для неохлаждаемых миниатюрных излучателей с высокой частотой повторения импульсов» Квантовая электроника т.24, №9 (1997), с. 791-795.

23. S. Jiang, S. Hamlin, J. Myers, D. Rhonehouse, M. Myers "High average power 1.54 jim Er-Yb doped phosphate glass laser", Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) 1996.

24. Денкер Б.И., Максимова Г.В., Осико B.B., Сверчков С.Е., Сверчков Ю.Е. «Новые способы пассивной модуляции добротности лазеров на эрбиевом стекле» Квантовая Электроника т. 17, № 8, с. 959 (1990 г.).

25. Денкер Б.И., Максимова Г.В., Осико В.В., Сверчков С.Е., Сверчков Ю.Е. «Новые способы пассивной модуляции добротности лазеров на эрбиевом стекле» Препринт ИОФАН № 43, М.1990 г.

26. Денкер Б.И., Максимова Г.В., Осико В.В., Сверчков С.Е., Сверчков Ю.Е. «Лазеры на эрбиевом стекле с пассивной модуляцией добротности эрбий-содержащим элементом» Квантовая Электроника т. 18, № 7, с. 855-858(1991 г.).

27. Sparious К., Stultz R., Birnbaum D., Allik Т., Hutchinson J."Er:Ca5(P04)3F saturable absorber Q-switch for the Er glass laser at 1.53 Mm". Appl.Phys.Lett., v.62,2763-2765 (1993).

28. M. Camargo, R. Stultz, M. Burnbaum, "Passive Q-switching of the Erbium: Glass1.ser Using Er3+:CaF2", OSA Proc on Advanced Solid State Lasers, 1996.

29. R. Stultz, M. Camargo, S. Montgomery, M. Birnbaum, K. Spariosu,. "U44 :SrF2 Efficient Saturable Absorber Q-switch for the 1.54um Erbium:Glass Laser", Appl. Phys, Lett. 64(8) 948, 1994.

30. R. Stultz, M. Camargo, M. Birnbaum, "Passive Q-switch at 1.54 цт using divalent uranium ions in calcium fluoride" JA.ppl.Phys ,v.78, pp.2959-2961(1995).

31. RFluck, B.Brown, U.Keller, E.Gini, H.Melchior,"Passively Q-switched microchip lasers at 1.3 jxm and 1.5 fim" CLEO 1997 Technical digest.

32. R.Haring, RPaschotta, R.Fluck, E.Gini, H.Melchior, U.Keller. "Passively Q-switched microchip laser at 1.5цт" J.Opt.Soc.Am. B, v.18#12 (2001) pp.1805-1812.

33. R.Haring, RPaschotta, E.Gini, H.Melchior, U.Keller."Sub-nanosecond pulses from passively Q-switched microchip lasers at 1.53 цт" in Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO/VS) 1999 OS A Technical Digest series pp. 518-519.

34. RFluck, RHaring, RPaschotta,, E.Gini, H.Melchior, U.Keller"Eyesafe pulsed microchip laser using semiconductor saturable absorber mirrors" Appl. Phys. Lett, v.72, pp.3273-3275, (1998).

35. RFluck, E.Gini, H.Melchior, U.Keller. "Eyesafe pulsed microchip laser" Advanced Solid State Lasers'1998 Technical Digest pp.325-326

36. M. Camargo, R. Stultz, M. Birnbaum, M. Kokta, "Co2+:Y3Sc2Ga3Oi2 (YSGG)Passive Q-switch for Infrared Erbium Laser", IEEE Lasers and Electro-Optics Society, (LEOS) 2, 433, 1994.

37. M. Camargo, R. Stultz, M. Birnbaum "Divalent Uranium and Cobalt Saturable Absorbers Q-switches at 1.5цт", OSA Proc. on Advanced Solid State Lasers 1995 v.24, pp.460-464.

38. M. Birnbaum, M. Camargo, Lee S.,R. Stultz, M. Birnbaum."Co2+: ZnSe Saturable Absorber Q-switch for the 1.54 цт Er:Yb: Glass Laser" OSA TOPS 1997, vlO, p.148-151.

39. V.Philippov, A.Kiijanov, A.Starodumov. "CW pumped low-threshold erbium fiber laser passively Q-switched with Co : ZnSe crystaTAdvanced Solid State Lasers'2001 conference Technical Digest, p. 227-232.

40. P.Thony, B.Ferrand, E.Molva "1.55 micrometer passive Q-switched microchip laser" OSA TOPS v. 19 , pp. 150-154;

41. K.Yumashev, I.Denisov, N.Posnov, V.Mikhailov, R.Monkorge, D.Vivien, E.Ferrand, Y.Guyot."Nonlinear spectroscopy and passive Q-switch operation of a Co: LaMgAlnOi9 " J.Opt.Soc.Am., B, v.15, (1999).

42. R.Boiko, A.Okhrimchuk, A.Shestakov. Glass ceramics Co saturable absorber Q-switch for 1.3-1.6 цт spectral region OSA TOPS v. 19 ASSL'1998 p.185-188.

43. A.M. Malyarevich, I A. Denisov, Y.V. Volk, K.V. Yumashev, O.S. Dymshits, A.A. Zhilin "Nanosized glass ceramics with transition metal ions:nonlinear spectroscopy and possible laser applications." Journal of Alloys and Compounds, 341, #1-2,247-250(2002)

44. K.V. Yumashev, I.A. Denisov, N.N. Posnov, N.V. Kuleshov, R. Moncorge, " Excited state absorption and passive Q-switch performance of Co doped oxide ceramics" J. of Alloys and Compounds, v.341, #l-2(2002)pp. 366370.

45. B.Denker, B.Galagan, E.Godovikova, MMeilman, V.Osiko, S.Sverchkov, LKertesz. "The efficient saturable absorber for 1.54 цт Er glass lasers." OSA TOPS, Vol.26, Advanced Solid State Lasers, pp. 618-620, (1999).

46. H.Smith "Gemstones", London, Chapman and Hall 1972. (перевод: Г.Смит «Драгоценные камни» изд «Мир», М., 1980).

47. K.V. Yumashev, I.A. Denisov, N.N. Posnov, P.V. Prokoshin, V.P. Mikhailov, " Nonlinear absorption properties of Co: MgAl204 ciystal", Applied Physics B: Lasers and Optics , 70, #2, 179-184(2000).

48. B.Denker, B.Galagan, V.Osiko, S.Sverchkov. "Erbium and neodymium glass lasers passively Q-switched by cobalt-activated spinel crystals." OSA TOPS, Vol.34, Advanced Solid State Lasers, pp. 246-248, (2000).

49. Ruikun Wu, J.D.Myers, MJ.Myers, B.Denker, B.Galagan, S.Sverchkov, J.A.Hutchinson, W.Trussel. "Co:MgAl204 ciystal passive Q-switch performance at 1.34, 1.44 and 1.54 micron." OSA TOPS, Vol.34, Advanced Solid State Lasers, pp.254-256, (2000).

50. B.Denker, B.Galagan, V.Osiko, S.Sverchkov, G.Karlsson, FXaurell. "Comparison of cobalt activated spinel crystals grown by various methods as saturable absorbers for 1.3-1.6 jim lasers" OSA TOPS v. 83 Advanced Solid State Photonics' 2003, pp.216-219.

51. Алексеев H., Бышевская-Конопко Д., Воробьев И., Изынеев А., Садовский П. «Непрерывная генерация с А,=1.54 мкм на итгербий-эрбиевом стекле при ламповой накачке.» Квантовая Электроника, т.ЗЗ, №12, с. 1062-1064 (2003г).

52. Денкер Б., Осико В., Сверчков С., Сверчков Ю., Фефелов А., Хоменко С. «Высокоэффективные лазеры на эрбиевом стекле с модуляцией добротности затвором на нарушенном полном внутреннем отражении» Квантовая Электроника 1992г., №6, с.544-547.

53. P.Laporta, S.Taccheo, S.Longhi, O.Svelto, C.Svelto."Erbium-Ytterbium microlasers: optical properties and lasing characteristics. Optical Materials 11 (January 1999) 269-288.

54. E.Tangui, S Formont, J-P. Pocolle "Compact eye-safe rangefinder " Thomson CSF Laboratoire Central de Recherches, Domain de Corbeville. www.sciences.univ-nantes.fr/perso/tanguy/articles/ODIMAP97.html

55. T. Itoh, T. Taira, T.Kobayashi."Q-switching and mode selection of coupled cavity Er,Yb:glass lasers". Jpn. J. Appl. Phys., v.36, pp.L206-L208 (1997).

56. Денкер Б.И. «Концентрированные неодимовые стекла», диссертация на соискание ученой степени доктора физ-мат наук, Институт общей физики АН СССР, Москва, 1984 г.

57. A.Lukashev, S.Sverchkov, V.Solovyev, B.Denker, V.Engovatov, P.Pashinin. "Laser damage on skin by 1540 nm Er-glass laser exposure" Lasers in the Life Sciences, v.7(4) pp207-226.

58. Максимова Г.В., Сверчков C.E., Сверчков Ю.Е. «Генерационные исследования нового иттербий-эрбиевого лазерного стекла, накачиваемого неодимовыми лазерами» Квантовая электроника т. 18, № 12(1991 г.), с. 1437-1438.

59. Максимова Г.В., Сверчков С.Е., Сверчков Ю.Е. «Генерационные исследования нового иттербий-эрбиевого лазерного стекла для накачки неодимовыми лазерами» Препринт ИОФАН №46, М., 1990г.

60. Sverchkov YuJDenker В., Maximova G., Osiko V., Sverchkov S."Lasing parameters of GPI erbium glasses" Solid State Lasers III, Proc. SPEE 1627, pp 37-41(1992).

61. B.Denker, S.Sverchkov."Modem tendencies in glass lasers" in "Trends in laser development, application and technologies" eds: A.Czitrovski, I.Kertesz. Technoorg-Linda Ltd. Co., Budapest, 1997, pp.24-40.

62. Denker В., Konijaev V., Nikolski M., Osiko V., Sverchkov S. "Concentrated glass for microchip lasers.", OSA TOPS v. 10, Advanced Solid State Lasers 1997, pp. 473-475.

63. B.Denker, B.Galagan, V.Osiko, S.Sverchkov. "Peculiarities of energy storage and relaxation in Yb-Er glasses with enhanced Er content", Advanced Solid State Lasers'2001 Technical Digest, pp.389-394.

64. B.Denker, B.Galagan, V.Osiko, S.Sverchkov "Materials and components for miniature diode-pumped 1.5 |яп erbium glass lasers", Laser Physics, v. 12, #4, 2002, pp. 104-108.

65. Садовский П.И. «Каналы потерь энергии в стеклообразных активных средах, активированных системой хром-иттербий-эрбий». Кандидатская диссертация. Московский физико-технический институт, Институт радиотехники и электроники АН СССР. Москва, 1987 г.

66. И.Л. Воробьев, В.П.Галонцев, А.К.Громов, А.А.Изынеев, П.И. Садовский. «Новые активные среды для эрбиевых минилазеров диапазона 1.5 мкм.» Тезисы Всесоюзной конференции «Оптика лазеров -1987»Ленинград, 1987 г., стр. 242

67. Minakov A.'Thermal contact conductance in advanced AC calorimetry". Thermochimica Acta 345 (2000),pp.3-12.

68. Minakov A., Bugoslavsky Yu., Schick C. "Dynamic heat capacity measurements in advanced AC calorimetry", Thermochimica acta, 342 (1999) pp.7-18.

69. Minakov A., Bugoslavsky Yu., Schick C. "Improvement of AC calorimetry for simultaneous measurement of heat capacity and thermal conductivity.", Thermochimica acta, 317 (1998) pp.l 17-131.

70. Zuberiko D.A., Noginov M.A., Smirnov V.A., Shcherbakov I.A. OSA Trends in Optics and Photonics Series, 10, ASSL, 482 (Washington, OSA, 1997).

71. Алексеев H.E., Гапонцев В.П., Жаботинский M.E., Кравченко,

72. В .Б.,Рудницкий Ю.П. Лазерные фосфатные стекла. (М., Наука, 1980).

73. Gapontsev V.P.,Matitsin S.M., Iseneev А.А. Opt. Commun., 46. 226 (1983).

74. Сверчков C.E., Сверчков Ю.Е. Препринт ИОФАН №273. Нелинейное прыжковое тушение люминесценции примесных центров в твердых телах. (М.,1987).

75. G.Karlsson, F.Laurell, J.Tellefsen, B.Denker, B.Galagan, V.Osiko, S.Sverchkov. "Development and characterization of Yb-Er laser glass for high average power laser diode pumping" Appl.Phys. B(2002) v.75, ppl-6.

76. G.Karlsson, F.Laurell, J.Tellefsen, B.Denker, B.Galagan, V.Osiko, S.Sverchkov. "Development and characterization of Yb-Er laser glass for high average power laser diode pumping.OSA TOPS ASSL 2002r v.68, pp. 232-235.

77. B.Denker, B.Galagan, V.Osiko, S.Sverchkov. "Glass for high average power diode pumped Yb-Er lasers International Quantum Electronics Conference'2002 (IQEC-LAT)Technical digest, p. 101 QSuRl.

78. B.Denker, B.Galagan, G.Karlsson, F. Laurell, V.Osiko, S.Sverchkov, J.Tellefsen. «Optimization of materials for diode-pumped 1.5 цт erbium glass micro-lasers.»CLEO/EQEC '03 Conference Technical Digest, June 22-27 2003, Munich, Germany.

79. S. Jiang, J. Myers, D. Rhonehouse, M. Myers, R. Belford, S. Hamlin, "Laser and Thermal Performance of a New Erbium Doped Phosphate Laser Glass," SPEE Vol. 2138, Longer-Wavelength Lasers and Applications, 1994.

80. S. Jiang, J. Myers, R- Wu, G. Bishop, D. Rhonehouse, M. Myers, S. Hamlin, Chemical Strengthened Er3+, Nd3+ Doped Phosphate Laser Glasses, SPEE Vol. 2379, 1995.

81. Бышевская-Конопко JI., Воробьев И., Изынеев А., Садовский П., Сергеев С. «Оптимизация параметров накачки импульсно-периодического эрбиевого лазера» Квантовая электроника , т 31, № 10, с. 861-863,2001 г.

82. Роусон Г., «Неорганические стеклообразующие системы» пер. с английского. Изд. «Мир», 1970.

83. Галаган Б.Данилейко Ю., Денкер Б.,Осико В., Сверчков С., «Характер температурной зависимости КПД генерации эрбиевых лазерных стекол и механизм влияния сенсибилизаторов на него» Квантовая электроника, т 25, №4, с.324-326. (1998)

84. Denker В., Galagan В., Sverchkov S. "Temperature efficiency variations of erbium glass lasers" OSA TOPS v. 19, Advanced Solid State Lasers 1998, pp.469-471.

85. P.Burns, J.Dawes, P.Dekker, J.Piper, H.Jiang, J.Wang." 250 mW continuous-wave output from Er,Yb: YCOB laser at 1.5 цт". Advanced Solid State Photonics technical digest, 2003, pp.8-12.

86. Yi Lu, Zushhu Hu, Zhoubin Lin, Guofu Wang. "Growth and spectroscopic properties of Er/Yb:LaCa40(B03)3 crystals." L. of Crystal Growth 249 (2003)159-162.

87. P.Burns, J.Dawes, Pu Wang, J.Piper, H.Zhang, Li Zhu, Xianlin Meng. "Energy transfer and investigations into laser performance in Er,Yb: YCOB crystals at 1.5-1.6 цт." OSA TOPS v.50, ASSL.2001, pp.218-224.

88. Qing Ye, Bruce H.T.Chai."Crystal growth of YCa40(B03)3 and its orientation." J. of Crystal Growth 197(1999) pp. 228-235.

89. Xueyuan Hou, Yuming Sun, Yufel Li, Shihua Xu, Enquan Liu, Shujin Zhang, Zhenxiang Cheng, Huanghu Chen, Zongshu Shao."Laser characteristics of Cr:Nd:GdCOB self-frequency-doubling crystal." Optics and laser Technology 32(2000) 135-138.

90. R. Wu, J. Myers, M. Myers, B. Denker, B. Galagan, S. Sverchkov, J.Hutchinson, W. Trussel, "Co2+:MgAl204 Crystal Passive Q-switch Performance at 1.34, 1.44 and 1.54um", Photonics West, LASE '99, SPIE Proceedings p.48, Conference 3929, 2000.

91. R. Wu, J. Myers, M. Myers, B. Denker, B. Galagan, S. Sverchkov, J.Hutchinson, W. Trussel, "Co2+:MgAl204 Crystal Passive Q-switch Performance at 1.34, 1.44 and 1.54um", OSA Advanced Solid-State Laser Conference, ASSL, 2000.

92. B. Denker, B. Galagan,V.Osiko, S. Sverchkov, G. Karlsson, F.Laurell. "Comparison of cobalt-activated spinel crystals grown by various methods as saturable absorbers for 1.3-1.6pm lasers"OSA TOPS, Advanced Solid State Photonics'2003, v. 83, pp.216-219.

93. Carmichael C., Simpson G., "Generation of giant pulses using a semiconducting mirror", Nature, v 202, #4934, p.787 (1964).

94. Birnbaum M., Stocker T."giant pulse laser operation with semiconducting mirrors", IEEE J. of Quantum Electronics , v.2, # 7, 1966, pp. 184-185.

95. Елисеев П., Манько М., «Использование полупроводникового зеркала для модуляции добротности ОКГ». Журнал прикладной спектроскопии, 1966 г., т.36, № 12, с. 2215.

96. Sooy S., Geller М., Bortfeld D., "Switching of semiconductor reflectivity by a giant pulse laser." Applied Phys. Lett., v.5, #8, pp.54-56 (1964).

97. Birnbaum M.,"Modulation of the reflectivity of semiconductors" /J/ Applied Physics, v.36, pp. 657-658 (1965).

98. Birnbaum M., Stocker Т.,"Laser operation with liquid semiconductor mirror" IEEE J of Quantum Electronics, 1966, v.2, #9,pp. 632-635.

99. Szabo A., Erickson L. "Self Q-switching of ruby lasers at 77°K." IEEE J. of Quantum Electronics , v.4,#10, 1968, p.692.

100. R. Wu, S. Jiang, M. Myers, J. Myers, S. Hamlin, High Repetition Rate Passive Q-switched EnGlass Laser Using LT2:CaF2 Saturable Absorber, SPIE, Vol. 2379,Solid-State Lasers and Nonlinear Crystals, 1995.

101. Y. Jiang, R. Wu, D. Rhonehouse, M. Myers, J. Myers,В leaching and Q-Switching of U:CaF2at 1.54um, (A Saturable Absorber for an EnGlass Eye-Safe Laser), SPIE, Photonics East Conference Proc., 1995.

102. Y Jiang, D. Rhonehouse, R. Wu, M. Myers, J. Myers, S.Hamlin, "Spectral Bleaching and 1535 nm Q-Switching of Uranium Glass", OSA Proc. on Advanced Solid-State Lasers, 1995. pp.440-444.

103. Y. Jiang, D. Rhonehouse, R. Wu, M. Myers, J. Myers, Spectra and 1.54umBleaching of Uranium Glasses, XVII International Congress on Glass, Beijing, 1995.

104. R. Stultz, M. Camargo, M. Birnbaum, "Divalent Uranium and Cobalt Saturable Absorber Q-Switches at 1.54цт", OSA Proc. on Advanced Solid-State Lasers, 1995.

105. R. Stultz, M. Camargo, S. Montgomery, M. Birnbaum, K. Spariosu, "U44 :SrF2 Efficient Saturable Absorber Q-switch for the 1,54um Erbium:Glass Laser", Appl. Phys, Lett. 64(8) 948, 1994.

106. R. Stultz, M. Camargo, M.Lawer, D.Rockafellow, M. Birnbaum,"Diode pumped Er,Yb glass mini-transmitter" Advanced Solid State Lasers'98 Technical Digest, paper AWC4, p 330-331.

107. R. Wu, S.Hamlin, J.Hutchinson, L.Marshall."Laser diode pumped,passively Q-switched erbium:glass laser" OSA TOPS v.10, Advanced Solid State Lasers 1997, pp. 145-147.

108. Podlipensky A., Sherbitsky V., Mikhailov V., Kuleshov N. "Passive Q-switching of Er:glass laser with Cr : ZnSe and Co : ZnSe saturable absorbers". OSA TOPS v. 34, ASSL'2000, Pp. 249-253.

109. A.Malarevich, LDenisov, N.Posnov, P.Prokoshin, K.Yumashev, A.Lipovskii "PbS(Se) -doped glasses as passive Q-switches for 1.5 pm Er:glass and 2.1 pm Ho:YAG lasers." OSA TOPS v. 34, Advanced Solid State Lasers'2000, pp.225-228.

110. Zolotovskaya S., Yumashev K., Kuleshov N, Sandulenko A. "Passive Q-switching of diode pumped Er:glass laser with V3+ :YAG saturable absorber". Advanced Solid State Photonics'2004 Technical Digest, paper TuB3.

111. R Wu, Т. Chen, J.D. Myers, M.J. Myers, С. Hardy, "Multi-Pulses Behavior in a Erbium Glass laser Q Switched by Cobalt Spinel", AeroSense 2003, SPIE Vol. 5086, Laser Radar Technology and Applications VIII, Orlando, Florida, April 21-25, 2003

112. Denker В., Kertesz I., Kiijanov A., Kroo N., Maljutin A., Osiko V., Sverchkov S., Sverchkov Ju. "Repetitively pulsed Nd glass slab lasers". IEEE J. of Quantum Electronics , v.QE-25, 1989, pp. 1979-1980.

113. T.Allik и J.A.Hutchinson Diode array pumped Er,Yb:phosphate glass laser. Appl.Phys.Lett. v.60(12), 23 March 1992, pp 1424-1426

114. Ruikun Wu, J.D.Myers, S.J.Hamlin. Comparative results of diode pumped Er glass lasers Q-switched with BBO Pockel's cell andf FTIR methods. Optical Society of America Trends in Optics and Photonics Series , v. 10, p.159-161 (1997).

115. R.Wu., J.Myers, M.Myers, T.Wisnewski "50Hz diode pumped Er:glass eye-safe laser." OSA TOPS v 26 Advanced Solid State Lasers 1999 pp. 336-340.

116. V. Boutchenkov, I.Kuchma, A.Levoshkin, A.Mak, A.Petrov, G Hollemann. " High efficiency diode pumped Q-switched Er glass laser"Optics Commun. v. 177, #l-6,pp.383-388, (2000)

117. A.Levoshkin, AJPetrov, J.Montagne. "High efficiency diode pumped Q-switched Er glass laser "Optics Commun. v.l85,#4-6(2000).pp3 99-405

118. B.Denker, A.Korchagin, V. Osiko, S.Sverchkov, T.Allik, J.Hutchinson "Diode pumped and FTIR Q-switched laser performance of novel Yb-Er glass". OSA Proceedings on Advanced Solid State Lasers, 1994, v 20, pp.148-150.

119. Georgiou E., Musset O., Boquillon J-P., Denker В., Sverchkov S. "50 mJ/30ns FTIR Q-switched diode pumped Er:Yb:glass 1.54 pm laser", Opt Commun. V.198, #1-3, pp 147-153.(2001).

120. Georgiou E., Musset O., Boquillon J-P."High efficiency and high output pulse energy performance of a diode pumped Er,Yb glass 1.54 |лп laser" Applied Physics B, v 70,#6, pp.755-762 (2000).

121. E. Georgiou, H. Crete, O. Musset, J.P. Boquillon, "High Performance, Diode-Pumped Q-switched Er: Yb:Glass Laser with FTIR Shutter", CLEO/Europe-IQEC Sept. 2000

122. Georgiou E., Musset O., Boquillon J-P. "Free-running and Q-switched operation of a transwersely diode pumped Er:Yb glass 1.54 цт laser with high pulse energy and efficiency " OSA TOPS v 34 Advanced Solid State Lasers 2000, pp. 194-200.

123. Georgiou E., Musset O., Boquillon J-P."l.2 J long pulse diode pumped 1.54 цт Yb:Er glass laser", OSA TOPS v 79 Advanced Solid State Lasers 2002,

124. T.Danger, G.Huber, B.Denker, B.Galagan, S.Sverchkov. "Diode Pumped Continious -Wave Laser around 1.54 jxm using Yb-Er Doped Silico-Boro-Phosphate Glass", CLEO'98 Technical Digest.

125. G.Karlsson, V.Pasiskevichius, F.Laurell, J.A.Tellefsen, B.Denker, B.Galagan, V.Osiko. S.Sverchkov, "Diode-pumped Ег-Yb : glass laser passively Q switched by useof Co' : MgAl204 as a saturable absorber, " Appl. Opt. v.39, #33, pp.6188-6192, Nov.2000.

126. G.Karlsson, V.Pasiskevichius, F.Laurell, J.A.Tellefsen, B.Denker, B.Galagan, V.Osiko. S.Sverchkov "Co :MgAl204 crystal as saturable absorber in diode pumped Q-switched Er-Yb glass laser", Advanced Solid State Lasers'2001 Technical Digest, pp.34-36.

127. B.Denker, B.Galagan, G.Karlsson, F. Laurell,

128. V.Osiko,V.Pasiskevichus, S.Sverchkov, J.Tellefsen. "Passively Q-switched154 pm Yb-Er glass microchip lasers." CLEO/EQEC Europe '03 Conference Technical Digest, 22-27 June 2003, Munich, Germany.

129. Heumann E.Ledig M., Ehrt D., Seeber W., Duczynski E., Heude M-J., Huber G. "CW laser action in double sensitized fluoroaluminate glass at room temperature" Appl.Phys. Lett., 1988, S2, #4,pp.255-256

130. Espie D., Hanna D., Kaser A., Shepherd D., "CW operation of Nd:YAG pumped Yb-Er phosphate glass laser at 1.54 micrometers." Opt.Comm. 1988, v.69, #2, pp.153-155.

131. P. Laporta, S. DeSilverstri, V. Magni, O. Svelto, «Diode-Pumped CW Bulk Er:Yb:Glass Laser», Optics Letters, Vol. 16, No. 24, Dec. 1991.

132. S.Tacceo, P.Laporta, O.Svelto. Linearly polarized, single frequency, widely tunable Er,Yb bulk laser around 1550 nm wavelength" Appl.Phys.Lett, v.69 (21) 1996, pp. 3128-3130

133. P.Thony, E.Molva"l .55 pm- wavelength CW microchip laser" OSA TOPS on Advanced Solid State Lasers '96, v.l, pp.296-300.

134. P. Laporta, S.Taccheo, S.Longhi, O.Svelto, S.Svelto."Erbium -Ytterbium microlasers: optical properties and lasing characteristics", Optical Materials 11(1999) pp.269-288.

135. P.Thony, MJBergeon, E.Molva, P.Besesty."1.55pm microchip laser for range finding".CLEO'96 Technical Digest.

136. G.Karlsson, V.Pasiskevicius, F.Laurell, J.Tellefsen."Q-switching of an Yb-Er glass microchip laser using an acousto-optic modulator. Opt.Comm., v. 217, pp. 317-324 (2003).

137. PodlipenskiiY A., Yumashev K., Kuleshov N., Kretschmann H., Huber G.'Tassive Q-switching of 1.44pm and 1.34 pm with a V:YAG saturable absorber" Applied Physics BrLasers and optics, v.76, #3, pp.245-247(2003).

138. S.Taccheo, P.Laporta, O.Svelto"Linearly polarized, single frequency, widely tunable Er:Yb bulk laser around 1550 nm wavelength" Appl.Phys.Lett. v.69, pp.3128-3130(1996)

139. R. Wu, S. Hamlin, M. Myers, J. Myers, J. Hutchinson, L. Marshall, 1.2J High Energy Diode Pumped 1535nm Er3+, Yb3+:Glass Laser, Conference on Lasers and Electro-Optics Europe '96, (CLEO/Europe) 1996.

140. F.Laurell, V.Pasiskevichius, B.Galagan, G.Karlsson,, B.Denker, S.Sverchkov,"Q-switched laser". Patent appl., ref # US-2018304 (2001).

141. B.Denker,G.Maximova, V.Osiko, A.Prokhorov, S.Sverchkov, Yu.Sverchkov, Z.Horvath "Passive Q-switching of eyesafe erbium glass lasers", SPIE International Symposium on High Power Lasers, paper 141906, Jan 1991, LA.

142. B.Denker,G.V.Maksimova, V.V.Osiko, S.E.Sverchkov, Yu.E.Sverchkov. " Effective passive Q-switched erbium glass lasers", International conference "Advanced Solid State lasers" 1991 technical digest, Hilton head, USA, p.204-205

143. B.Denker,G.V.Maksimova, V. V.Osiko, A.M.Prokhorov, S.E.Sverchkov, Yu.E.Sverchkov, Z.Gy.Horvath, "Q-switched erbium glass lasers for laser plasma creation", International conference "Lasers'91", 1991 Munchen, Germany. Abstracts, p. 109

144. Yu.E.Sverchkov, В.Denker,G. V.Maximo va, V.V.Osiko, S.E.Sverchkov "basing parameters of GPI erbium glasses", Solid State Lasers 1П, Gregory J.Quarles, Editor, Proc. SPEE 1627, 37-41 (1992)

145. S.E.Sverchkov, B.Denker, V.V.Osiko, Yu.E.Sverchkov, A.P Fefelov, S.I.Khomenko, "Effective eyesafe frustrated total internal reflection Q-switched erbium lasers", Solid State Laser Ш, Gregory J.Quarles, Editor, Proc. SPEE 1627,42-45 (1992)

146. B.Denker, V.Engovatov, A.Lukashev, V.Osiko, P.Pashinin, S.Sverchkov, V.Soloviev, "Damage of skin by 1540 nm laser radiation" Ecology of Cities, Technical Digest, June 1998, Rhodes, Greece

147. B.Denker, B.Galagan, S.Sverchkov," Temperature efficiency variations of erbium glass lasers", OSA TOPS v. 19, ASSL 98, pp.469471, 1998

148. B.Denker, B.Galagan, L.Ivleva, V.Osiko, S.Sverchkov. "Active and passive materials for diode-pumped 1.5pm Ytterbium-Erbium lasers'TJS-Russia Partnership Workshop CELO'2004, St.Petersburg, June 7-11, 2004, paper III-22.

149. Denker, B.Galagan, L. Ivleva, V.Osiko , S.Sverchkov, I.Voronina, J.Hellstrom, G.Karlsson, F.Laurell "Passive Q-Switching at 1.54 mm of a Er-Yb:GdCa40(B03)3 Laser with a Co :MgAl204 Saturable Absorber". ASSP'05 technical digest.