Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе Nb, In и их оксидов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.21, кандидат химических наук Дивакова, Наталья Александровна

• Дивакова, Наталья Александровна
• кандидат химических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат химических наук Дивакова, Наталья Александровна

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Физико-химические свойства и способы получения тонкопленочных гетероструктур на основе ниобия, индия и их оксидов

1.1. Основные физико-химические характеристики ниобия

1.2. Основные физико-химические характеристики индия

1.3. Окисление металлов и сплавов. Законы роста оксидных пленок

1.4. Описание оксидирования с позиций представлений о самоорганизации переходных слоев вблизи межфазных границ

1.5. Механизм оксидирования ниобия

1.6. Кинетические особенности оксидирования ниобия3 О

1.7. Оптические и газочувствительные свойства №

1.8. Механизм оксидирования индия

1.9. Взаимодействие в системе № - 1п

1.10. Диффузия кислорода в металлах

1.11. Краткая характеристика методов получения тонких пленок

1.12.Влияние дефектов и свободной поверхности на свойства металлов и сплавов. Роль дефектов атомно-кристаллического строения в формирование свойств металлов

ГЛАВА 2. Основные экспериментальные методики

2.1. Подготовка исходных подложек

2.2. Получение пленок ЫЬ-1п методом магнетронного напыления

2.3. Оксидирование тонких пленок в печи резистивного нагрева

2.4. Оксидирование при пониженном давлении кислорода

2.5. Характеристика эллипсометрического метода

2.6. Установка для окисления с автоматической эллипсометрией

2.7. Методики исследования состава и структуры пленок

2.8. Методики исследования оптических свойств

ГЛАВА 3. Оксидирование и свойства тонких пленок ниобия и индия

3.1. Кинетические особенности оксидирования пленок ниобия

3.2. Особенности оксидирование тонкопленочного индия в установке автоматической эллипсометрии

3.3. Эволюция фазового состава пленок ниобия при отжиге в потоке кислорода

3.4. Эволюция фазового состава пленок индия при отжиге в потоке кислорода

3.5. Электрофизические свойства оксида ниобия

ГЛАВА 4. Синтез тонкопленочных гетероструктур на основе ниобия, индия и их оксидов

4.1. Эволюция фазового состава пленок системы 1п/НЬ205/

4.2. Эволюция фазового состава пленок системы №>/1п20з

ГЛАВА 5. Оптические свойства тонкопленочных гетероструктур на основе индия, ниобия и их оксидов

5.1. Оптические свойства оксидных пленок ниобия и индия

5.2. Оптические свойства тонкопленочных структур с различным характером межфазных границ (1п/№>205 и НЬ/1п203)

ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе Nb, In и их оксидов»

Актуальность работы. Установление зависимости между условиями синтеза, составом, структурой и свойствами химических соединений является одной из важнейших задач неорганической химии. В настоящей работе в качестве исходного объекта исследования выбраны структуры, состоящие из тонких пленок ниобия, индия и их оксидов на поверхности монокристаллического кремния или плавленого кварца. Наиболее значимым свойством подобных структур является то, что в зависимости от конфигурации межфазных границ и условий синтеза на базе одних и тех же материалов возможно формирование диэлектрических, полупроводниковых, сегнетоэлектрических и оптоэлектронных материалов. Для формирования пленок с заданными свойствами необходимо установить связь их состава и структуры с условиями синтеза. Поэтому на первый план выдвигается изучение фазовых превращений, изменения кристаллической структуры и поверхностной морфологии пленок, происходящих при их термообработке. Варьируя условия синтеза, можно изменять в требуемом направлении состав и свойства получаемых пленок. Наряду с весьма значимыми перспективами использования тонкопленочных гетероструктур, полученных при оксидировании сложных композиций на основе металлических слоев и их оксидов, механизм их формирования далеко не всегда ясен. Так, в последние годы, активно развивается представление о роли процессов самоорганизации в переходных областях, локализованных на границах соседствующих фаз, которые в некоторых случаях могут определять рост тонких слоев на протяжении всего времени синтеза.

Исследование процесса оксидирования полупроводников и металлов интенсивно изучается в последнее время из-за высокой востребованности и актуальности применения таких оксидов. Тонкопленочные оксиды металлов и полупроводников широко используются в таких перспективных областях, как 4 микро- и наноэлектроника; тонкие слои являются основой любой современной технологии в производстве интегральных схем. Однако, не смотря на значительный интерес к данным объектам, до сих пор остается ряд невыясненных вопросов. Особенность тонкопленочного состояния практически во всех известных случаях коренным образом изменяет характеристики процесса.

С этих точек зрения, актуальность предлагаемого исследования выглядит достаточно обосновано.

Цель работы: установление фундаментальной взаимосвязи между условиями синтеза, механизмом и свойствами сложных оксидных гетероструктур, сформированных на основе оксидов индия и ниобия.

Для достижения данных целей были сформулированы и решены следующие задачи: отработка методики нанесения ультратонких слоев индия и ниобия на подложки из монокристаллического кремния и плавленого кварца, позволяющей воспроизводимо формировать однородные и однофазные металлические пленки; разработка принципов твердофазного синтеза в вакууме и в атмосфере кислорода сложных оксидов, содержащих оксиды индия и оксиды ниобия; исследование кинетики и механизма оксидирования ультратонких слоев индия и ниобия; изучение механизма твердофазного взаимодействия индия с оксидом ниобия и ниобия с оксидом индия в условиях высокого вакуума при фотонном стимулировании; формирование сложных тонкопленочных оксидов на основе индия и ниобия при отжиге в атмосфере кислорода плоскослоистых структур с различной конфигурацией межфазных границ; исследования микроструктуры, фазового состава и оптических свойств сформированных гетероструктур на различных подложках.

Научная новизна диссертационной работы заключается в том, что впервые с помощью магнетронного способа напыления сформированы сложные гетероструктуры содержащие оксиды ниобия и индия, от 15 до 200 нм, характеризующиеся высокой степенью однородности на подложках диаметром до 75 мм. Впервые показан дискретный рост оксидной пленки на металлических пленках индия с применением автоматической эллипсометрии и измерениями ишШ в процессе оксидирования длительностью до 60 минут и температурном интервале 398 - 523 К. Впервые предложен механизм, интерпретирующий дискретный рост оксида на пленках индия, основанный на представлениях о насыщении ионами металла, выращенного оксидного слоя и дальнейшей его самоорганизации до стехиометрического 1п203. Впервые изучен процесс твердофазного взаимодействия металлического индия с оксидами ниобия и металлического ниобия с оксидами индия в ультратонких слоях в условиях высокого вакуума при фотонном воздействии. Впервые синтезированы сложные гетероструктуры на основе оксидов индия и ниобия, содержащие сложную структуру 1пЫЬ04. И предложен механизм их формирования, заключающийся во взаимодействии металла с ультратонкой пленкой оксида.

Практическая значимость полученных в диссертационной работе результатов определяется тем, что все синтезированные структуры могут быть использованы как основы структур функциональной электроники для разработки технологий сенсоров различного назначения, запоминающих устройств, а также оптоэлектронных устройств, оптических элементов, просветляющих и оптически активных покрытий.

Результаты работы могут быть рекомендованы к использованию при разработки современных технологий и изделий функциональной электроники на основе ультратонких оксидных покрытий на воронежском заводе полупроводниковых приборов, научно-исследовательском институте полупроводникового машиностроения. Результаты диссертационного исследования также могут быть использованы при подготовке и чтении специальных курсов по химии твердого тела, наноиндустрии, современного материаловедения и физической электроники.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Разработанная методика синтеза ультратонких пленок индия, ниобия и их оксидов на основе метода магнетронного напыления позволила воспроизводимо сформировать слои толщиной от 15 нм.

2. Механизм дискретного рост оксидных слоев на тонких пленках металлического индия, основанный на представлениях о пресыщении ионами металла, выращенного оксидного слоя и дальнейшей его самоорганизации до стехиометрического 1п20з.

3. Предложенный метод синтеза ультратонких оксидных пленок позволяет формировать гетероструктуры содержащие соединение 1п№>04, способные использоваться как элементы функциональной оптоэлектроники.

4. Установлена взаимосвязь между условиями синтеза, конфигурацией межфазных границ и микроструктурой, фазовым составом и оптическими свойствами гетероструктур на основе ультратонких пленок сложных оксидов индия и ниобия

Заключение диссертации по теме «Химия твердого тела», Дивакова, Наталья Александровна

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Методом магнетронного напыления получены тонкие и ультратонкие пленки индия, ниобия и их оксидов на подложках из монокристаллического кремния и плавленого кварца, характеризующиеся высокой степенью однородности при размерах подложки до 76 мм в диаметре

2. Рост оксидного слоя на тонкой пленке металлического индия имеет дискретный характер, связанный с процессами накопления ионов индия до критического состояния и самоорганизацией достаточно протяженного оксида до стехиометрического 1п20з. В то время как кинетика оксидирования тонких пленок ниобия имеет монотонный характер и подчиняется линейно-параболическому закону. Разница в ходе протекания процессов оксидирования индия и ниобия объясняется разным температурным интервалом процесса окисления и существенной разницей коэффициентов диффузии ионов индия в 1пгОз и ниобия в КЬ205.

3. Механизм формирования сложных оксидосодержащих пленок определяется конфигурацией межфазных границ в исходных структурах. При взаимодействии индия с пленками №205 основную роль играет кристаллохимическое взаимодействие металла с кристаллической решеткой оксида. При этом формируется гомогенная пленка состава ТпЫЬОд. В результате получаем оксидосодержащую пленку сложного состава обладающую высоким коэффициентом прозрачности до 0,95, и Ее=4,1 эВ.

4. Формирование исследуемой гетероструктуры при взаимодействии ниобия и оксида индия происходит путем восстановления индия ниобием с последующим кристаллохимическим взаимодействием освободившегося индия с образовавшимся №>205 что приводит к образованию гетерофазной и неоднородной пленки с максимальным коэффициентом пропуск не более 0,9 и эффективной шириной запрещенной зоны 3,8 эВ.

5. Микроструктура, фазовый состав и оптические свойства гетероструктур на основе ультратонких пленок индия, ниобия и их оксидов определяются конфигурацией межфазных границ в исходных структурах и температурными условиями их синтеза.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Дивакова, Наталья Александровна, 2007 год

1. Захарова Г.В. Ниобий и его сплавы / Г.В. Захарова, И.А. Попов, Л.П. Жорова, Б.В. Федин. Москва, 1961. С. 196-199,125-129.

2. Ниобий и тантал / Сборник статей под ред. О.П. Колчина. Москва, 1960. С. 21,106-108.

3. Рипан Р. Неорганическая химия: В 2 т. / Р. Рипан, И. Четяну; Пер. с румынского И. Б. Берсукера и Н. И. Беличука; Под ред. В. И. Спицына и И. Д. Колли. М: Мир, 1971. - Т. 1. - 560 е.

4. Эмсли Джон Элементы / Дж. Эмсли; Пер. с англ. Е. А. Краснушкиной. -М.: Мир, 1993.-255 с.

5. Угай Я. А. Введение в химию полупроводников: Учебное пособие для вузов / Я. А. Угай. -М.: Высшая школа, 1975. 334 с.

6. Барабаш О.М. Структура и свойства металлов и сплавов / О.М.Барабаш, Ю.Н. Коваль. Киев, 1986. С. 465-466.

7. Исследование растворимости кислорода в ниобии / В.М. Орлов, Л.А. Федорова // Неорганические материалы. 1985. - № 5. - С. 202-205.

8. Физико-химические свойства окислов: Справочник / Под редакцией Г. В. Самсонова. М.: Металлургия, 1978. - 472 с.

9. Химизм и кинетика окисления возгонов электронно-лучевого переплава ниобия / В.М.Чумарев и др. // Металлы. 2003. - № 6.- С. 3-7.

10. Барабали О. М. Кристаллическая структура металлов и сплавов / О. М. Барабали, Ю. М. Коваль. Киев: Наукова Думка, 1986. - С. 526-530.

11. Хансен М. Структуры двойных сплавов: Справочник / М. Хансен, К. Андренко; Пер. с англ. П. К. Новика и др.; Под ред. И. И. Новикова и И. Л. Рогельберга. 2-е перераб. изд. в 2-х т. М.: Металлургия, 1962. -Т. 2. - 609 с.

12. Лазарев В. Б. Химические и физические свойсвтва простых оксидов металлов / В. Б. Лазарев, В. В. Соболев, И. С. Шаплыгин; Отв. редактор И. В. Тананаев. М.: Наука, 1983. - 239 с.

13. Репинский С. М. О самоорганизации межфазных границ кристаллических полупроводников / С. М. Репинский // Поверхность. -1995. -№7-8. -С. 12-19

14. Физическое металловедение: В 3 т. / Под ред. Р. Кана и П. Хаазена; Пер. с англ. под ред. О. В. Абрамова и др. 3-е изд., перераб. и доп. М.: Металлургия, 1987. - Т. 2. - 608 с.

15. Кукушкин С. А. Самоорганизация при зарождении многокомпонентных пленок / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // ФТТ. 1995. - Т. 37, № 7. -С. 2127-2132.

16. Кукушкин С. А. Кинетика зарождения однокомпонентных пленок из расплавов и растворов / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // ЖТФ. -1995. -Т.65, Вып.6. С.169-175.

17. Кубашевский О. Окисление металлов и сплавов / О. Кубашевский, Б. Гопкинс; Пер. с англ. В. А. Алексеева. 2-е изд. М: Металлургия, 1965. -428 с.

18. Хауффе К. Реакции в тведых телах и на их поверхности / К. Хауффе ; Пер. с немецкого А.Б.Шехтер. -М: Изд-во иностр. лит., 1963. Ч. 2. -с.275.

19. Synchrotron radiation photoemission study of the oxidation / P. De Padova, M. Fanfon, R. Larciprete et al. // Surface Science. 1994. - V. 313, Issue 3. - P. 379-391.

20. Oxidation of Nb thin films. Micro-Raman mappimg and X-ray diffraction studies / L. Sandalitti, L. Pepero, B. Allieri // Letters Of Material Research. -1998. V. 13, Issue 9. - P. 2457-2460.

21. Effect of deposition parameters on optical and mechanical properties of MF-and DC-sputtered Nb205 films / B. Hunsche et all. // Thin Solid Films. -2001.-Vol. 392.- P. 184-190.

22. Optical properties and mechanical stress in Si02/Nb205 multilayers / F. Richter et all. // Thin Solid Films. 2001. - Vol. 389. - P. 278-283.

23. Electrochromic properties of undoped and lithium doped Nb205 films prepared by the sol-gel method / P. R. Bueno et all. // Electrochimica Acta. -2001.-Vol. 46.-P. 2113-2118.

24. Optical and structural properties of dense Si02, Ta205 and Nb205 thin-films deposited by indirectly reactive sputtering technique / Yizhou Song et all. // Vacuum. 2000. - Vol. - 59. - P. 755-763.

25. Structural and chemical transformations induced by laser impact on ТЮ2 and Nb205 / T. Le Mercier et all. // Journal of Physics and Chemistry of Solids. -1997.-Vol. 58.-P. 679-684.

26. Characterization of niobium oxide electrochromic thin films prepared by reactive d.c. magnetron sputtering / K. Yoshimura et all. // Thin Solid Films. -1996. Vol. 281-282. - P. 235-238.

27. Optical and electrochemical characteristics of niobium oxide films prepared by sol-gel process and magnetron sputtering A comparison / Nilgun Ozer et all. // Solar Energy Materials and Solar Cells. 1996. - Vol. 40. - P. 285-296.

28. Орлов B.M. Влияние структуры подложки на свойства анодного окисла / В.М. Орлов, Т.Н. Рюнгенен, JI.A. Федорова. Петрозаводск, 1982. - С. 37.

29. Кофстад П. Отклонения от стехиометрии, диффузия и электроводность в простых окислах металлов / П. Кофстад; Пер. с англ. О, Е. Каширенинова; Под ред. Н. Н. Семенова. М.: Мир, 1975. - 396 с.

30. Koinuma H., Shimoyama J., Mizusaki J. et al. // Extended Abstracts 18th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. Tokyo, Japan. - 1986. - P. 763.

31. Левинский Ю. В. P-T-x-диаграммы состояния двойных металлических систем: Справочник: В 2 т. / Ю. В. Левинский. М.: Металлургия, 1990. -359 с.

32. Куликов И. С. Термодинамика оксидов / И. С. Куликов. М.: Металлургия, 1986.-358с.

33. Houston J. Е. / J. Е. Houston, Е. Е. Kohnke // J. Appl. Phys., 1965. -V. 36. -P. 3931.

34. Швалев В. О. / В. О. Швалев, В. Г. Теплов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. - № 1. - С. 98.

35. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер; Пер. с англ. В. П. Зломанова, Под ред. О. М. Порлторака. М.: Мир, 1969. - 654 с.

36. Properties of Nb205 films prepared by DC and MF reactive sputtering / M. Ruske, G. Brauer, J. Pistner et al. // Thin Solid Films. 1999. - V. 351. -P. 146- 150.

37. Полупроводниковые сенсоры для контроля состава газовых сред / Н. П. Максимович, Д. Е. Дышель, Л. Е. Еремина и др. //Журнал аналитической химии. -1990. Вып. 7.

38. Synthesis of pure and loaded powders of W03 for Nb205 detection through thick film technology / M. Bio et all. // Sensors and Actuators B: Chemical. -2004. Vol. 103.-№ 1. - P. 102-106.

39. Jayatissa Ahalapitiya H. Annealing effect on the formation of nanocrystals in thermally evaporated tungsten oxide thin films // Ahalapitiya H. Jayatissa,

40. Shih-Te Cheng and Tarun Gupta // Materials Scienceand Engineering B. -2004. V. 109. - № 1-3. - P. 269-275.

41. The structure and electrical conductivity of vacuum-annealed Nb205 thin films / M. Gillet et all. // Thin Solid Films. 2004. - Vol. 467. - № 1-2. - P. 239246.

42. Sol-gel electrochromic W03 coatings on glass / A. Patra et all. // Materials Letters. 2004. - V. 58. - № 6. - P. 1059-1063.

43. Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов / П. Кофстад. -Москва, 1968.-С. 302-313.

44. Левинский Ю.В. Диаграммы состояния металлов с газами / Ю.В. Левинский. Москва, 1975. - С. 231-239.

45. Федоров П.И. Индий / П.И. Федоров, Р.Х. Акчурин. Москва, 2000. -С. 20-35.

46. Sangaletti L., Depero L.E, Allieri В. Oxidation of In thin films. Micro-Raman mapping and X-ray diffraction studies // J. of Materials Research. 1998. V. 13. Issue 9. P. 2457-2460.

47. Pao Ч.Н. Новые направления в химии твердого тела / Ч.Н. Рао, Дж. Ропалакришан. Москва, 1990. - С. 238,299.

48. Нестехиометричкские соединения / под. Ред. Л. Манделькорна. Москва, 1971.-С. 112-133.

49. Гаврелюк А.И. Структурные изменения при электрохромном и фотохромном процессах в трехокиси вольфрама / А.И. Гаврелюк, В.Г. Прохватилов, Ф.А. Чудновский // ФТТ. 1982. - Т. 24. - № 4. - С. 982-991.

50. Gillet М. Structure of tungsten oxide nanoclusters / M. Gillet, K. Maiek, E. Gillet. // Surface Science. 2004. - Vol. 566-568. - Part 1. - P. 383-389.

51. Кубашевский О. Окисление металлов и сплавов / О. Кубашевский, Б. Гопкинс. Москва, 1965.-С. 376.

52. Brewer L. Prediction of transition metal phase diagrams / L. Brewer. // J. of Nuclear Materials. 1974. - Vol. 51. - P. 2-11.

53. Characterization and crystalline Structures of Tungsten Thin Films / M. Gasgnier et all. //Phys. Stat. Sol. (a). 1983. - V. 79. - P. 531-542.

54. Назаренко И. H. Решение обратной задачи эллипсометрии для слоя с изменяющимся по толщине комплексным показателем преломления / И. Н. Назаренко, Д. JI. Дорофеев // Вестник ВГУ: Сер. Химия-Биология. -2001.-№1,-С. 164-169.

55. Назаренко И.Н. Физико-химическая модель оксидирования полупроводников и металлов. Воронеж, гос. технол. акад. Воронеж. 1997. 73 с.

56. An ellipsometric study of W thin films deposited on Si / A.G. Deineka et all. //Thin Solid Films. 1999. - V. 339. - P. 216-219.

57. Лазарев В.Б. Химические и физические свойства простых оксидов / В.Б. Лазарев, В.В. Соболев, И.С. Шаплыгин. Москва, 1983. - С. 203-207.

58. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов / П. Кофстад. Москва, 1975. - С. 227-229.

59. Deb S.K. Optical and photoelectric properties and colour centers in thin films of tungusten oxide / S.K. Deb // Phil. Mag. 1973. - V. 27. - № 4. - P. 801822.

60. Nakamura A. Fundamental adsorption edge of evaporated amorphous W03 films / A. Nakamura, S. Yamada // J. Appl. Phys. 1981. - V. 24. - № 1. - P. 55-59.

61. Miyake K. Electrical and optical properties of reactively sputtered tungsten oxide films / Miyake K., Kaneko H., Teramoto Y. // J. Appl. Phys. 1982. - V. 53. - № 3. - P. 1511-1515.

62. Репинский C.M. О самоорганизации межфазных границ кристаллических полупроводников//Поверхность. 1995.№ 7-8.С.12-19.

63. Кукушкин С.А. Самоорганизация при зарождении многокомпонентных пленок //ФТТ. 1995. Т. 37. № 7. С. 2127-2132.

64. Кукушкин С. А. Кинетика зарождения однокомпонентных пленок из расплавов и растворов // ЖТФ. 1995. Т. 65. Вып. 6. С. 169-175.

65. Physical and structural characterization of tungsten oxide thin films for Nb205 gas detection / D. Manno et all. // Thin Solid Films. 1998. - Vol. 324. - P. 44-51.

66. Мень A.H. Физико-химические свойства нестехиометрических окислов / А.Н. Мень, Ю.П. Воробьев, Г.И. Чуфарова. Ленинград, 1973. - С. 57-59.

67. Ю.Д. Третьяков Химия нестехиометрических окислов / Ю.Д. Третьяков. -Москва, 1974. С. 334-335.

68. Rozati S.M. Transparent conductive Sn-doped indium oxide thin films deposited by spray pyrolysis technique / S.M. Rozati, T. Ganj // Renewable Energy.-2004.-V. 29.-№ 10.-P. 1671-1676.

69. Electrical and optical characteristics of thin films by pulsed laser deposition In203 ceramic target / S.H. Kim et all. // Thin Solid Films. 2005. - V. 475. -№1-2. -P. 262-266

70. Effect of substrate temperature on electrical, structural, optical and cathodoluminescent properties of In203-Sn thin films prepared by spray pyrolysis / A. El Hichou et all. // Thin Solid Films. 2004. - V. 458. -№1-2.-P. 263-268.

71. Куцнецова C.A. Полупроводниковые пленки на основе In203 / С.А. Куцнецова, В.В. Козик // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. - Т. 4. - № 1. - С. 32-34.

72. Фролов В.В. Химия / В.В. Фролов. Москва, 1975. - С. 402-412.

73. Угай Я.А. Неорганическая химия / Я.А. Угай. Москва, 1989. - С. 156167.

74. Данилин Б.С. Магнетронные распылительные системы / Б.С. Данилин, В.К. Сырчин. Москва: Изд-во Радио и связь, 1982. - 72 с.

75. Назаренко И. Н. Решение обратной задачи эллипсометрии для слоя с изменяющимся по толщине комплексным показателем преломления / И. Н. Назаренко, Д. JI. Дорофеев // Вестник ВГУ: Сер. Химия-Биология. -2001.-№1,-С. 164-169.

76. Ормонт Б.Ф. Структуры неорганических веществ / Б.Ф. Ормонт. -Москва, 1950.-С. 505.

77. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников / Ю.И. Уханов. Москва: Изд-во Наука, 1977. - 130 с. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников / Ю.И. Уханов. - Москва: Изд-во Наука, 1977. - 130 с.

78. Jenko М. High-resolution AES analysis and imaging of In203 oxidized surface using field emission auger microprobe / M. Jenko, B. Erjavec, M. Milun // Vacuum. -2003.-V. 71.-№ 1-2.-P. 19-25.

79. Данилин Б.С. Магнетронные распылительные системы / Б.С. Данилин,

80. В.К. Сырчин; Под. ред. Б.С. Данилина. М.: Радио и связь, 1982. -72 с.

81. Колбасников Н.Г. О роли вакансий в формировании свойств металлов /

82. Н.Г. Колбасников //Металлы. 1998. - №6. - С. 80-90.

83. Колобов H.A. Диффузия и окисление полупроводников / H.A. Колобов, М.М Самохвалов; Под. ред. H.A. Колобова. // М.: Металлургия, 1975. -456 с.

84. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. /Под ред. Р.Бургера и Р. Донована. // М.: Мир, 1969. 452 с.

85. Ховив A.M. Лазерный метод формирования оксидных пленок на поверхности проводящих твердых тел / A.M. Ховив. Воронеж: Изд-во ВГАУ, 1997.-82с.

86. Кинетика взаимодействия кислорода с поверхностью. Образование и рост оксидной фазы на поверхности металла / Ю.Н. Девятко, C.B. Рогожкин, В.Н. Тронин и др. //Поверхность. 1991. - №10. - С. 128-131.

87. Гусев Е.П. Начальная стадия окисления металлов в модели решеточного газа /Е.П. Гусев, А.П. Попов // Поверхность. 1991. - №2. - С. 33-46.

88. Доильницына В.В. О закономерностях процесса окисления металлов / В.В.

89. Доильницына //Металлы. 1999. - №5. - С. 27-32.

90. Лазарев В.Б., Химические и физические свойства простых оксидовметаллов / В.Б. Лазарев, В.В. Соболев, И.С. Шаплыгин; Под ред. В.Б. Лазарева. М.: Наука, 1983. - 239 с.

91. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводностьв простых окислах металлов / П. Кофстад. // М.: Мир, 1975. 400 с.91. . A.M. Захарова; Под ред. И.И. Новикова, И.Л. Рогельберга М.:

92. Металлургия, 1970. Т. 2. - 472с.

93. Носков М.М. Оптические и магнетооптические свойства металлов / М.М

94. Носков. Свердловск: Изд-воУНЦ АН ССР, 1981.-220 с.

95. Temperature stability of sputtered niobium-oxide films / S. Ventaraj et all. //

96. Journal of Applied Phisics. 2002. - Vol. 91. - P. 4863 - 4871.

97. Тутов E.A. Метод высокочастотных вольт-фарадных характеристик висследованиях сенсорных гетероструктур / Е.А.Тутов, Е.Н.Бормонтов //Полупроводниковые гетероструктуры: сб. науч. тр. / Воронеж, гос. технол. акад. Воронеж, 2005. - С. 81-95.

98. Прибытков Д.М. Лазерно-стимулированное оксидированиетонкопленочного титана / Д.М. Прибытков, Н.А. Дивакова, Д.А. Ховив // Цветные металлы. Б.м. 2005. № 9. -С. 30-32.

99. Логачева В.А. Формирование пленок оксида ниобия намонокристаллическом кремнии / В.А. Логачева, H.A. Дивакова, Ю.А. Тихонова, Э.А. Долгополова, A.M. Ховив // Неорганические материалы. -2007.-Т. 43. №11. -С. 1-6.

100. Дивакова H.A. Кристаллизация пленок оксида ниобия Nb205 // H.A.

101. Дивакова, В.А. Логачева, Ю.А. Тихонова // Материалы III Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах (ФАГРАН-2002)». г. Воронеж. -2002.-С. 521-522.

102. Дивакова H.A. Эволюция фазового состава оксидных пленок ниобия притермооксидировании на монокристаллическом кремнии / H.A. Дивакова,

103. B.А. Логачева, Ю.А. Тихонова // Материалы Всероссийской школы-конференции «Современные проблемы в микро- и нанотехнологии». г. Ставрополь. 2006. - С. 16-17.

104. Дивакова H.A. Механизм оксидирования тонких пленок ниобия. / H.A.

105. Дивакова, В.А. Логачева, A.M. Ховив // Тезисы XI Международной научной конференции «Физика и технология получения тонких пленок», г. Ивано-Франковск. 2007. - С. 84-85.