Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе Fe, Ni, In, Sn тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.21, кандидат химических наук Мячина, Татьяна Анатольевна

• Мячина, Татьяна Анатольевна
• кандидат химических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат химических наук Мячина, Татьяна Анатольевна

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Свойства и способы получения тонкопленочных гетероструктур на основе Fe, Ni, In, Sn, и их оксидов

1.1. Основные физико-химические свойства железа, никеля, индия и олова

1.2. Окисление металлов и сплавов. Законы роста оксидных пленок

1.3. Особенности оксидирования железа, никеля, индия и олова

1.4. Взаимодействия в системах Fe-Ni-О и In-Sn-О

1.5. Тонкие пленки. Синтез, свойства и структура тонких пленок

Глава 2. Основные экспериментальные методики

2.1. Магнетронный способ осаждения пленок

2.2. Методика приготовления составной мишени

2.3. Оксидирование тонких пленок в печи резистивного нагрева

2.4. Оксидирование при пониженном давлении кислорода

2.5. Характеристика эллипсометрического метода

2.6. Установка для окисления с автоматической эллипсометрией

2.7. Методики исследования состава и структуры пленок

2.8. Расчет спектров оптического поглощения и энергии оптических переходов

Глава 3. Оксидирование тонких пленок железа, никеля, индия и олова

3.1. Термическое оксидирование тонких пленок железа в потоке кислорода при атмосферном давлении

3.2. Особенности оксидирования тонких пленок никеля

3.3. Оксидирование тонкопленочного индия в установке автоматической эллипсометрии

3.4. Особенности оксидирования тонких пленок олова

Глава 4. Оксидирование тонкопленочных твердых растворов железа с никелем

4.1. Кинетика оксидирование тонких пленок Fe-Ni

4.2. Фазовый состав окисленных пленок Fe-Ni

4.3. Аномальные свойства железо-никелевых пленок

4.4. Физико-химическая модель возникновения особых свойств тонких пленок твердых растворов железо-никель

Глава 5. Оксидирование тонкопленочных гетероструктур, содержащих индий и олово

5.1. Исследование термического оксидирования тонкопленочных структур In/Sn и Sn/In при атмосферном давлении в потоке кислорода

5.2. Изучение влияния вакуумного отжига на формирование тонких пленок, содержащих индий, олово и их оксиды

5.3. Эволюция фазового состава окисленных пленок In-Sn

5.4. Особенности оптических свойств сформированных ITO-структур

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе Fe, Ni, In, Sn»

Железо и никель являются одними из основных конструкционных материалов, и знание механизма их оксидирования дает возможность управления коррозионными свойствами тонких металлических пленок за счет введения малых добавок второго металла. Сложные оксиды на основе индия и олова обладают высокой проводимостью и прозрачностью, механической твердостью и химической инертностью, благодаря чему находят широкое применение в онтоэлектронных и фотогальванических устройствах, планарных дисплеях, солнечных элементах и биологических системах, используются как плоско-панельные дисплеи, термозащиты и электроды. Данные о механизме формирования этих структур позволяют установить корреляцию между методом получения и оптическими и электрическими свойствами пленок.

Актуальность темы диссертационной работы обусловлена возможностью получения веществ с заранее заданными свойствами благодаря установлению корреляции между условиями синтеза, структурой и свойствами соединений, что является одной из важнейших задач современной химии. В данной работе в качестве объекта исследования выбраны тонконленочные гетероструктуры на основе Fe, Ni, In, Sn. Актуальность данного выбора определяется повышенным интересом к композитным материалам, в том числе и тонкопленочным, как со стороны фундаментальной науки, так и с точки зрения современной планарной технологии. В современной химии твердого тела особое место занимают исследования бинарных разбавленных тонкопленочных твердых растворы на основе металлов.

Исследование процесса оксидирования полупроводников и металлов интенсивно изучается в последнее время из-за высокой востребованности и актуальности применения таких оксидов. Тонкопленочные оксиды металлов и полупроводников широко используются в таких перспективных областях, как микро- и наноэлектроника; тонкие слои являются основой любой современной технологии в производстве интегральных схем. Однако, не смотря на значительный интерес к данным объектам, до сих пор остается ряд невыясненных вопросов. Не всегда ясно, каков механизм реального процесса, и какой поток частиц определяет формирование оксида. Особенность тонкопленочного состояния практически во всех известных случаях коренным образом изменяет характеристики процесса.

Использование материалов в тонкопленочном состоянии позволяет получать однородные по составу образцы, существенно сократить время, затрачиваемое на их получение и существенно варьировать их физические и химические свойства при сравнительно небольших изменениях состава. Металлические пленки, напыленные на кремний магнетронным методом, характеризуются достаточной степенью чистоты, а также в этом случае снимаются все вопросы, связанные с качеством поверхности образца.

Целью данной работы является синтез гетероструктур, содержащих Fe, Ni, In, Sn; исследование формирования оксидных слоев на данных пленках; изучение гетерофазных взаимодействий в структурах на основе индия, олова и их оксидов; исследование физико-химических свойств формируемых пленок и установление корреляции между условиями их синтеза, структурой и свойствами.

Для достижения данных целей были поставлены и решены следующие задачи: исследование особенностей оксидирования тонких пленок железа, никеля, индия и олова в потоке кислорода при термическом нагреве; разработка методики магнетронного нанесения тонкопленочных структур Fe-Ni и In-Sn с использованием составной мишени на подложку из монокристаллического кремния; исследование кинетики формирования, фазового состава и физико-химических свойств оксидных слоев на поверхности тонких пленок железо-никель при различном содержании компонентов; изучение взаимодействий в структурах на основе индия, олова и их оксидов при термообработке в атмосфере кислорода и в вакууме; исследование зависимости физико-химических свойств сформированных пленок от условий их синтеза.

В данной работе впервые исследован процесс формирования оксидных слоев на поверхности поликристаллических пленок состава железо-никель и индий-олово на подложках из монокристаллического кремния при термооксидировании; установлена область концентраций пленок железо-никель, в которых данные твердые растворы проявляют «аномальные» свойства, заключающиеся в существовании локальных экстремумов на зависимостях состав-свойство, а также установлена корреляция между условиями синтеза тонких пленок индий-олово, структурой и их физико-химическими свойствами.

Заключение диссертации по теме «Химия твердого тела», Мячина, Татьяна Анатольевна

выводы

1. Определены оптимальные условия формирования пленок Fe-Ni и In-Sn, полученных на подложках монокристаллического кремния с использованием методики магнетронного напыления на постоянном токе, характеризующихся высокой степенью однородности и не требующие дополнительного гомогенизирующего отжига.

2. В области концентрации Fe - 99,35; Ni - 0,65 ат.% обнаружены локальные экстремумы на зависимостях состав-свойство, которые могут быть объяснены взаимодействием атомов примеси с собственными точечными дефектами и формированием малочастичных кластеров.

3. Выявлена зависимость между свойствами и структурой пленок, содержащих индий, олово и их оксиды, и параметрами синтеза данных гетероструктур, которая проявляется в изменении механизма формирования всей гетероструктуры в целом вследствие варьирования конфигурации межфазных границ.

4. Показано, что при температуре оксидирования 723 К в пленке состава In - 92,83; Sn - 7,17 ат.% начинают образовываться ITO-структуры в результате взаимодействия двух металлов, напыленных магнетронным способом на монокристаллический кремний при их совместном отжиге в потоке кислорода. Установлен механизм данного процесса, заключающийся в замещении атомов индия атомами олова в узлах кристаллической решетки 1п20з кубической модификации.

5. Методами адсорбционной спектроскопии в области края собственного поглощения установлено существование прямых разрешенных переходов с энергией, характерной для ITO-структур, что наряду с рентгеноструктурным анализом и данными электронной микроскопии подтверждает предложенный механизм их формирования.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании полученных в работе результатов разработана методика магнетронного напыления с использованием высокоэнергетичных ионов аргона, которая позволяет из составной мишени получать поликристаллические пленки железо-никель и индий-олово заданного состава, характеризующиеся высокой степенью однородности и не требующие дополнительного гомогонезирующего отжига. На зависимостях состав-свойство для тонких пленок разбавленных твердых растворов Fe-Ni обнаружены локальные экстремумы, которые связаны с взаимодействием атомов примеси с собственными точечными дефектами кристалла и формированием малочастичных кластеров.

В результате данной работы установлено, что физико-химические свойства тонких пленок на основе индия, олова и их оксидов определяются условиями синтеза: конфигурацией межфазных границ, длительностью и температурой отжига структур. Таким образом, изменяя параметры получения пленок, можно управлять их составом, структурой и свойствами. Обнаружено, что в результате совместного взаимодействия индия и олова (In - 92,83; Sn - 7,17 ат.%), напыленных магнетронным способом на монокристаллический кремний, с кислородом при их совместном отжиге при 723 К, образуются тонкопленочные ITO-структуры. Выяснен механизм данного процесса, заключающийся в замещении атомов индия атомами олова в узлах кристаллической решетки 1п20з кубической модификации. Проведенный в данной работе анализ результатов исследования оптических свойств синтезированых пленок показал высокий уровень совпадения с литературными данными для оптических свойств ITO-структур, что подтверждает сделанные нами ранее выводы о механизме формирования ITO-структур.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Мячина, Татьяна Анатольевна, 2006 год

1. Угай Я.А. Общая и неорганическая химия / Я.А. Угай. - Москва: Высшая школа, 1997. - 527 с.

2. Глинка H.JI. Общая химия / Н.Л. Глинка. Ленинград: Химия, 1982. - 720 с.

3. Степин Б.Д. Неорганическая химия / Б.Д. Степин, А.А. Цветков. -Москва: Высшая школа, 1994. 608 с.

4. Корнилов И.И. Никель и его сплавы / И.И. Корнилов. Москва: Издательство академии наук СССР, 1958. - 340 с.

5. Эмсли Дж. Элементы / Дж. Эмсли. Москва: Мир, 1993. - 256 с.

6. Третьяков Ю.Д. Химия и технология твердофазных материалов / Ю.Д. Третьяков, Х.А. Лепис. Москва: Изд-во Моск. Ун-та, 1985. - 256 с.

7. Перельман Ф.М. Кобальт и никель / Ф.М. Перельман, А.Я. Зворыкин. Москва: Наука, 1975.-215 с.

8. Фролов В.В. Химия / В.В. Фролов. Москва: Наука, 1975. - С. 402412.

9. Рипан Р. Неорганическая химия: в 2-х т. / Р. Рипан, И. Четяну; перевод с румынского И.Б. Берсукера, Н.И. Беличука; под ред. В.И. Спицына, И.Д. Колли. Москва: Мир, 1971.-Т. 1.-560 с.

10. Гусев Е.П. Начальная стадия окисления металлов в модели решеточного газа / Е.П. Гусев, А.П. Попов // Поверхность. 1991. - №2. - С. 33-46.

11. Кубашевский О. Окисление металлов и сплавов / О.Кубашевский, Б.Гопкинс. Москва: Металлургия, 1965. - 428 с.

12. Кинетика взаимодействия кислорода с поверхностью. Образование и рост оксидной фазы на поверхности металла / Девятко Ю.Н. и др. // Поверхность. 1991. - № 10. - С. 128-131.

13. Кинетика начальной стадии островкового роста оксидной фазы на поверхности металла / Борман В.Д. и др. // Поверхность. 1990. - №8. - С. 22-30.

14. Доильницына В.В. О закономерностях процесса окисления металлов / В.В. Доильницына // Металлы. 1999. - №5. - С. 27-32.

15. Семенова И.В. Коррозия и защита от коррозии / И.В. Семенова, Г.М.Флорианович, А.В. Хорошилов. Москва: ФИЗМАТЛИТ, 2002. - 336 с.

16. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности: в 2-х т. / К. Хауффе. Москва: ИИЛ. - Т.1,1962. - 416 е.; Т.2, 1963. - 276 с.

17. Лазарев В.Б. Химические и физические свойства простых оксидов металлов / В.Б. Лазарев, В.В. Соболев, И.С. Шаплыгин. Москва: Наука, 1983.-239 с.

18. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов / П. Кофстад. Москва: Мир, 1975.-400 с.

19. Нестехиометрические соединения / под ред. Л. Манделькорна. -Москва: Химия, 1971. 608 с.

20. Лыкасов А.А. Физико-химические свойства вюстита и его растворов / А.А. Лыкасов, К. Карел, А.Н. Мень. Свердловск : АН СССР Урал. Науч. Центр, 1987.-226 с.

21. Рао Ч.Н.Р. Новые направления в химии твердого тела: структура, свойства, реакционная способность и дизайн материалов / Ч.Н.Р. Рао, Дж. Гопалакришнан. Новосибирск: Наука, 1990. - 520 с.

22. Барабаш О.М. Структура и свойства металлов и сплавов: справочник / О.М. Барабаш, Ю.Н. Коваль. Киев: Наукова думка, 1986. - 238 с.

23. Эллиот Р.П. Структуры двойных сплавов: в 2-х т. / Р.П. Эллиот. -Москва: Металлургия, 1970. Т.2. - 238 с.

24. Колобов Н.А. Диффузия и окисление полупроводников / Н.А. Колобов, М.М. Самохвалов. Москва: Металлургия, 1975. - 428 с.

25. Enhahced oxidation of nickel in atomic oxiden / S.A. Pasporov et all. // J. Alloys and Compounds. 1995. - № 1. - P. 5-9.

26. Inverstigation of oxidation of Ni thin films deposited on glass sudstrates / W. Yonggand et all. // Proc. 17 th. Int. Congr. Glass, Beijing. 1995. - V.4. - P. 85-90.

27. Свиташева C.H. Спектральные зависимости оптических констант тонких пленок никеля и его силицидов. Эллипсометрия: теория, методы, приложения / С.Н. Свиташева, В.А. Усова, В.А. Колосанов, Р.А. Соколов Новосибирск: Наука. Сиб. отд., 1991. С. 223-227.

28. Точицкий Е.Ф. Исследование механизма формирования дефектов кристаллической решетки в электролитических пленках никеля на меди / Е.Ф. Точицкий//Металлы.- 1998. -№1.-С. 116-120.

29. Ховив В.Н. Оксидирование тонких пленок твердых растворов медь-никель / В.Н. Ховив, Е.Н. Удодова // Труды молодых ученых ВГУ. 2000. -Вып.2.-С. 119-121.

30. Ховив В.Н. Оксидирование тонких пленок твердых растворов медь-никель / В.Н. Ховив, Е.Г. Гончаров, Е.Н. Удодова // Конденсированные среды и межфазные границы.-2001. -Т.З, №2. С. 161-163.

31. Оксидирование тонких пленок никеля и твердых растворов медь-никель / В.Н. Ховив и др. // Поверхность. 2002. - №3. - С. 11-16.

32. Ховив В.Н. Особенности оксидирования тонкопленочного никеля в структуре Ni/Si02/Si / В.Н. Ховив, Е.Г. Гончаров, Н.К. Монакова // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. - Т.1, №4. - С. 321323.

33. Ормонт Б.Ф. Структуры неорганических веществ / Б.Ф. Ормонт. -Москва, 1950.-С. 505.

34. Федоров П.И. Индий / П.И. Федоров, Р.Х. Акчурин. Москва, 2000. -С. 20-35.

35. Физико-химические свойства окислов: справочник / под ред. Г.В. Самсонова. Москва: Металлургия, 1978. - 472 с.

36. Барабали О.М. Кристаллическая структура металлов и сплавов / О.М. Барабали, Ю.М. Коваль. Киев: Наукова Думка, 1986. - С. 526-530.

37. Крыжаковский Б.П. Характер нарушения стехиометрии и электропроводности моноокиси олова / Б.П. Крыжаковский, А.Я. Кузнецов // Журнал физической химии. 1961. - Т. XXXV, №1. - С. 80-83.

38. Хансен М. Структуры двойных сплавов: в 2-х т. / М. Хансен, К. Андерко; пер. с англ. П.К. Новика и др.; под ред. И.И. Новикова, И.Л. Рогельберга. Москва: Металлургия, 1962. - Т.2. - 609 с.

39. Спиваковский В.Б. Аналитическая химия олова. Серия: Аналитическая химия элементов / В.Б. Спиваковский. Москва: Наука, 1975. -250 с.

40. Лазарев В.Б. Электропроводность окисных систем и пленочных структур / В.Б. Лазарев, В.Г. Красов, И.С. Шаплыгин; под ред. Н.М. Жаворонкова. Москва: Наука, 1979. - 168 с.

41. Кубашевски О. Диаграммы состояния двойных систем на основе железа: справочник/ О. Кубашевски. Москва: Металлургия, 1985. - 184 с.

42. Васильев М.А. Атомная структура и состав монослоев поверхностной области сплава FeNi3 (111) / М.А. Васильев, A.M. Бобырь, С.Д. Городецкий // Поверхность. 1991. - №11. - С. 52-60.

43. Effect of substrate temperature on electrical, structural, optical and cathodoluminescent properties of ^Оз-Бп thin films prepared by spray pyrolysis / A.E1. Hichou et all. // Thin Solid Films. 2004. - V. 458. - P. 263-268.

44. Brewer S.H. Calculation of the electronic and optical properties of indium tin oxide by density functional theory / S.H. Brewer, S. Franzen II Chemical Physics. 2004. - V. 300. - P. 285-293.

45. Electrical and optical characteristics of 1TO films by pulsed laser deposition using a 10 wt. % SnCVdoped ln203 ceramic target / S.H. Kim et all. // Thin Solid Films. 2005. - V. 475. - P. 262-266.

46. Казаков В.Г. Тонкие магнитные пленки / В.Г. Казаков // Соросовский образовательный журнал. Физика. 1997. -№1. - С. 107-114.

47. Минайчев В.Е. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники: в 10-ти т. / В.Е. Минайчев. Москва: Высшая школа, 1989. - Т.6: Нанесение пленок в вакууме. - 110 с.

48. Данилин Б.С. Магнетронные распылительные системы / Б.С. Данилин, В.К. Сырчин. Москва: Радио и связь, 1982. - 72 с.

49. Праттон М. Тонкие ферромагнитные пленки / М. Праттон. -Ленинград: Судостроение, 1967. 268 с.

50. Пилянкевич А.Н. О механизме образования пленок, получаемых реакционным ионно-плазменным осаждением / А.Н. Пилянкевич, В.Ю. Куликовский, Л.Р. Шагинян//Поверхность.- 1991.-№12.-С. 24-28.

51. Палатник Л.С. Механизмы образования и структура конденсированных пленок / Л.С. Палатник, М.Я. Фукс, В.М. Косевич. -Москва: Наука, 1972.-320 с.

52. Колбасников П.Г. О роли вакансий в формировании свойств металлов / И.Г. Колбасников // Металлы. 1998. - №6. - С. 80-90.

53. Фельдман Э.П. Кинетика сегрегации примесей на поверхностях раздела в твердых телах / Э.П. Фельдман, В.М. Юрченко // Поверхность. -1990.-№12.-С. 138-147.

54. Беляев И.В. Обобщенный коэффициент распределения многокомпонентных сплавов твердых растворов / И.В. Беляев // Металлы. -1998.-№2.-С. 106-108.

55. Девятко Ю.Н. Влияние свободной поверхности на распределение точечных дефектов в металле / Ю.Н. Девятко, О.В. Тапинская // Поверхность. 1991.-№12.-С. 92-97.

56. Пшеницын В.И. Эллиисометрия в физико-химических исследованиях / В.И. Пшеницын, М.И. Абаев, Н.Ю. Лызлов. Ленинград: Химия, 1986.-152 с.

57. Назаренко И.Н. Решение обратной задачи эллипсометрии для слоя с изменяющимся по толщине комплексным показателем преломления /

58. И.Н. Назаренко, ДЛ. Дорофеев // Вестник ВГУ, сер. Химия-Биология. -2001.-№1.-С. 137-143.

59. Урывский Ю.И. Современные проблемы эллипсометрии / Ю.И. Урывский и др.. Новосибирск: Наука, 1980. - 171 с.

60. Краткий справочник физико-химических величин / сост. Н.М. Барон и др.; под ред. К.П. Мищенко. Москва: Химия, 1995. - 158 с.

61. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции / Ю.Д. Третьяков. -Москва: Химия, 1978. С. 40-41.

62. Ветрова Е.Н. Эволюция фазового состава в оксидных пленках железа при термооксидировании / Е.Н. Ветрова// Конденсированные среды и межфазные границы. 2003. - Т. 5, №3. - С. 303-305.

63. Термическое оксидирование тонких пленок железа / Е.Н. Ветрова и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2003. - Т.5, №2. -С. 221-224.

64. Назаренко И.Н. Физико-химическая модель оксидирования полупроводников и металлов: монография / И.Н. Назаренко. Воронеж: Воронеж, гос. технолог, акад., 1997. - 73 с.

65. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Самоорганизация при зарождении многокомпонентных пленок / С.А. Кукушкин, А.В. Осипов // Физика твердого тела. 1995. - Т.37, №7. - С. 2127-2132.

66. Особенности свойств тонких пленок разбавленных твердых растворов на основе железа и никеля / Ю.П. Афиногенов и др. // Вестник Воронежского университета. Серия: Химия, биология. 2004. - №1. - С. 1115.

67. Тсрмооксидирование тонких пленок твердых растворов системы Fe-Ni / Е.Н. Ветрова и др. // Неорганические материалы. 2004. - Т.40, №11. С. 1-5.

68. Мячина Т.А. Исследование процессов оксидирования разбавленных тонкопленочных твердых растворов Fe-Ni / Т.А. Мячина, A.M. Ховив // Поверхность. 2005. - №11. - С. 81 -84.

69. Мячина Т.А. Исследование процессов оксидирования разбавленных тонкопленочных твердых растворов Fe-Ni / Т.А. Мячина // Материалы XI Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2004), г. Москва. 2004. - С. 399.

70. Мячина Т.А. Оксидирование тонкопленочных разбавленных твердых растворов Fe-Ni / Т.А. Мячина, В.Н. Ховив, Е.Г. Гончаров // Материалы VI Международной конференции «Рост монокристаллов и теиломассоперснос (ICSC-2005)», г. Обнинск. 2005. - С. 287-292.

71. Влияние вакуумного отжига на фазовый состав 1етероструктур In/SnO/Si и In/SnOi/Si / A.M. Ховив и др. // Неорганические материалы. -2006.-Т. 42,№2.-С. 143-146.

72. Фазовые превращения в тонкопленочных гетероструктурах на основе In, Sn и их оксидов / A.M. Ховив и др. // Материалы VI

73. Международной конференции «Рост монокристаллов и тепломассоперенос (ICSC-2005)», г. Обнинск. -2005. С. 119-129.

74. Optical properties of epitaxial Sn-doped indium oxide films / B. Vengalis et all. // Proceedings of the SPIE The International Society for Optical Engineering. - 2001. - V. 4318. - P. 284-289.

75. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников / Ю.И. Уханов. Москва: Наука, 1977. - 130 с.

76. Rozati S.M. Transparent conductive Sn-doped indium oxide thin films deposited by spray pyrolysis technique / S.M. Rozati, T. Ganj // Renewable Energy. 2004. - V. 29, № 10. - P. 1671-1676.

77. Characterization of indium tin oxide film and practical 1TO film by electron microscopy / T. Nakao et all. // Thin Solid Films. 2000. - V. 370, № 1-2.-P. 155-162.

78. Qiao Z. Thickness dependence of In203:Sn film growth / Z. Qiao, R. Latz, D. Mergel. // Thin Solid Films. 2004. - V. 466, № 1-2. - P. 250-258.

79. Investigation of oxygen diffusion in epitaxial In203:Sn films by in situ resistivity measurements / V. Lisauskas et all. // Lithuanian Journal of Physics. -2002.-V. 42, № 1.-P. 47-51.

80. Chung J.H. Effect of low energy ion beam on optical and electrical characteristics of dual ion beam sputtered Sn02 thin films / J.H. Chung, Y.-S. Choe, D.-S. Kim // Thin Solid Films. 1999. - V. 349. - P. 126-129.

81. Comparison of the electrical and optical properties for Sn02:Sb films deposited on polyimide and glass substrates / J. Ma ct all. // Applied Surface Science. 2003. - V. 214, № 1-4. - P. 208-213.

82. Degradation of tin-doped indium-oxide film in hydrogen and argon plasma / R. Banerjee et all. // Journal of Applied Physics. 1987. - V. 62, № 3. -P. 912-916.

83. Surface modification of indium tin oxide by plasma treatment: an effective method to improve the efficiency, brightness, and reliability of organic light emitting devices / C.C. Wu et all. // Applied Physics Letters. 1997. - V. 70, № 11.-P. 1348-1350.

84. Fan J.C.C. X-ray photoemission spectroscopy studies of Sn-doped indium-oxide films / J.C.C. Fan, J.B. Goodenough // Journal of Applied Physics. -1977. V. 48, № 8. - P. 3524-3531.

85. Effects of postannealing in ozone environment on opto-clectrical properties of Sn-doped ln203 thin films / N. Mori et all. // Thin Solid Films. -2002.- V. 411,№ l.-P. 6-11.

86. Preparation of indium tin oxide films and doped tin oxide films by an ultrasonic spray CVD process / Z. B. Zhou et all. // Applied Surface Science. -2001. V. 172, № 3-4. - P. 245-252.

87. Electrical and optical properties of thin films consisting of tin-doped indium oxide nanoparticles / J. Ederth et all. // Phys. Rev. 2003. - V. 68, № 155410.-P. 10.