Формирование тонкопленочных оксидосодержащих гетероструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Ховив, Дмитрий Александрович

• Ховив, Дмитрий Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ховив, Дмитрий Александрович

Введение.

Глава 1. СВОЙСТВА И СПОСОБЫ СИНТЕЗА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ И, NB, IN, SN, И ИХ ОКСИДОВ

1.1 Окисление металлов и сплавов. Законы роста оксидных пленок.

1.2 Особенности оксидирования индия и олова.

1.3 Оксидирование титана.

1.4 Оксидирование тонких пленок титана.

1.5 Оксидирование ниобия.

1.6 Взаимодействия в системе In-Sn-О.

1.7 Оксидирование двухкомпонетных гетероструктур на основе олова и индия.

1.8 Влияние оптического излучения на оксидирование титана.

1.9 Тонкие пленки. Синтез, свойства и структура тонких пленок.

1.10 Выводы. Цель и задачи.

Глава 2. МЕТОДИКИ ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1 Получение тонких пленок методом магнетронного напыления.

2.2 Оксидирование тонких пленок в печи резистивного нагрева.

2.3 Оксидирование при фотонном нагреве подложек.

2.4 Лазерно-термическое окисление тонких пленок.

2.5 Методики исследования состава и структуры пленок.

2.5.1 Эллипсометрическоий метод.

2.5.2 Рентгено-фазовый анализ.

2.5.3 Методика XANES (X-ray absorption near edge structure).

2.6. Методика рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.

Глава 3. ОКСИДИРОВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ТИТАНА, НИОБИЯ И ИХ ОКСИДОВ

3.1 Термическое и лазерно-термическое окисление тонких пленок титана.

3.2 Термическое окисление тонких пленок на основе титана и ниобия.

3.2.1. Методика получения серий образцов.

3.2.2. Серия 1.

3.2.2. Серия 2.

Глава 4. ПОЛУЧЕНИЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР, СОДЕРЖАЩИХ ИНДИЙ И ОЛОВО И ИХ ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ

СПЕКТРОСКОПИИ И ДИФРАКТОМЕТРИИ

4.1. Методика получения серий образцов.

4.2. Исследования гетероструктур с помощью дифрактометрии и РФЭС.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование тонкопленочных оксидосодержащих гетероструктур»

Актуальность работы. Установление зависимостей между условиями синтеза, структурой, последовательностью межфазных границ и свойствами получаемых тонкопленочных оксидосодержащих гетсроструктур - одна из главных задач физики конденсированного состояния. В данной работе в качестве объектов исследования были выбраны тонкие пленки на основе металлов и их оксидов титана, ниобия, индия и олова на подложке из монокристаллического кремния. Наиболее значимым свойством подобных структур является то, что в зависимости от последовательности межфазных границ и условий синтеза на базе одних и тех же материалов возможно формирование диэлектрических, полупроводниковых и оптоэлектронных материалов. Для формирования пленок с заданными свойствами необходимо установить связь их состава и структуры с условиями синтеза. Поэтому на первый план выдвигается изучение фазовых превращений, изменения кристаллической структуры и поверхностной морфологии пленок, происходящих при их термообработке. Варьируя условия синтеза, можно изменять в требуемом направлении состав и свойства получаемых пленок. Наряду с весьма значимыми перспективами использования тонкопленочных гетсроструктур, полученных при оксидировании сложных композиций на основе металлических слоев и их оксидов, механизм их формирования далеко не всегда ясен.

Исследование процесса формирования сложных гетероструктур интенсивно изучается в последнее время из-за высокой востребованности и применения таких материалов. Тонкопленочные оксиды металлов и полупроводников широко используются в таких перспективных областях, как микро- и наноэлектроника; тонкие слои являются основой любой современной технологии в производстве интегральных схем. Однако, не смотря на значительный интерес к данным объектам, до сих пор остается ряд невыясненных вопросов. Особенность тонкопленочного состояния практически во всех известных случаях коренным образом изменяет характеристики процесса.

С этих точек зрения, актуальность предлагаемого исследования выглядит достаточно обосновано.

Цель работы: синтез тонкопленочных гетероструктур сложного состава на основе Тл, №>, 1п, Бп и их оксидов. Изучение механизмов формирования, фазового состава, субструктуры и электронных свойств синтезированных объектов.

Для достижения поставленных целей были сформулированы и решены следующие задачи: Формирование тонких металлических слоев магнетронным методом напыления. Синтез гетероструктур, содержащих сложные оксиды, с помощью термического, лазерно-термического отжигов в атмосфере кислорода и фотонного отжига в вакууме. Изучение кинетики формирования плоскослоистых оксидных гетероструктур с помощью рентгенофазового анализа и эллипсометрического метода. Установление влияния последовательности межфазных границ при формировании двухслойной гетероструктуры титан - ниобий на их фазовый состав. Синтез и изучение методом рентгенофазового анализа и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии плоскослоистой гетероструктуры, содержащей 1п, 8п и их оксиды на подложке из монокристаллического кремния. Определение механизмов формирования сложных оксидов гетероструктур на основе ТьЫЬ, 1п-8п.

Научная новизна диссертационной работы заключается в том, что впервые с помощью магнетронного метода напыления сформированы сложные гетероструктуры, содержащие оксиды титана, ниобия, индия и олова, толщиной от 14 нм до 1 мкм, характеризующиеся высокой степенью однородности, на подложках 81(100) диаметром до 76 мм.

• Впервые продемонстрирован эффект «лазерного ускорения» и «лазерного торможения» роста оксидной пленки титана при воздействии лазерного излучения среднего ИК - диапазона.

• Впервые изучен процесс твердофазного взаимодействия металлического ниобия с оксидами титана и металлического титана с оксидами ниобия в ультратонких слоях в условиях высокого вакуума при фотонном воздействии.

• Впервые синтезированы сложные гетероструктуры на основе оксидов титана и ниобия, содержащие сложный оксид ТП\ГЬ04.

• Предложен механизм формирования "ПЫЬО^ заключающийся во взаимодействии металлического 1ЧЬ с ультратонкой пленкой монооксида.

• Впервые получены оксиды индия-олова (1ТО) в тонкопленочном состоянии на подложке из монокристаллического кремния путем окисления послойно напыленных металлов в печи резистивного нагрева в атмосфере кислорода с последующим фотонным отжигом в вакууме.

• Предложены доказательства механизма формирования 1ТО -структуры путем взаимодействия оксида индия 1п20з с оловом путем встраивания атомов Бп в решетку 1п20з с образованием мостиковых связей индий-кислород-олово (¡п-О-Бп) на основе химсдвигов РФЭС.

Практическая значимость полученных в диссертационной работе результатов определяется тем, что все синтезированные структуры могут быть использованы в качестве элементов структур функциональной электроники, в том числе при разработках технологий сенсоров различного назначения, солнечных элементов, защитных покрытий, а также оптических элементов, просветляющих и оптически активных покрытий.

Результаты работы могут быть рекомендованы к использованию при разработках современных технологий и изделий функциональной электроники на основе ультратонких оксидных покрытий па Воронежском 6 заводе полупроводниковых приборов и Научно-исследовательском институте полупроводникового машиностроения. Результаты диссертационного исследования также могут быть использованы при подготовке и чтении специальных курсов по физике конденсированного состояния, современному материаловедению, физической электронике и нанондустрии.

На защиту выносятся следующие положения:

Лазерное излучение среднего ИК диапазона при средней плотности мощности 15 Вт/см приводит к росту скорости формирования оксидной пленки титана на начальной стадии окисления, что обусловлено стимулированием потока ионов титана к внешней границе раздела. При достижении определенной толщины оксидной пленки происходит снижение скорости роста, за счет десорбции кислорода с поверхности оксида.

Последовательность напыления металлических слоев при термическом отжиге и последующем фотонном облучении в вакууме двухслойной структуры на основе пары металлов титан - ниобий и их оксидов определяет механизм формирования и состав гетерофазной пленочной структуры за счет твердофазного взаимодействия металла с соответствующим оксидом: в случае структуры КЬ/ТЮ/81(100) пленка в основном состоит из сложного оксида ТП^ЬСХь в случае структуры Т1/№)205/81(100) пленка содержит только оксиды соответствующих металлов.

При фотонном отжиге в вакууме гетероструктуры, содержащей металлы 1п,8п и их оксиды на подложке монокристаллического кремния, преобладающей фазой является 1ТО структура: (1п1)888по,12)Оз- Механизм формирования определяется твердофазным взаимодействием олова с оксидом индия за счет внедрения атомов олова в решетку 1П2О3.

Спектры рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии свидетельствуют о формировании 1ТО структуры, в результате чего наблюдаются противоположные по знаку химсдвиги АЕ(1п Зё5/2) = - 0,7 эВ и АЕ(8пЗа5/2)=+ 1,4 эВ.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Ховив, Дмитрий Александрович

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Влияние лазерного излучения среднего ИК-диапазона может приводить как к увеличению скорости роста оксидной пленки, так и к ее уменьшению в зависимости от ее толщины. В случае «лазерного ускорения» стимулирования потока ионов титана к внешней границе раздела оксид-кислород при толщине оксидной пленки менее 40 нм является определяющим процессов и приводит к увеличению скорости роста. В случае «лазерного торможения» десорбция кислорода с внешней границы раздела имеет определяющее значения за счет кинетических ограничений наложенных на пленку толщиной более 40 нм, что и приводит к снижению скорости роста.

2. Последовательность межфазных границ при термическом отжиге двухслойной структуры на основе титана, ниобия и их оксидов определяет механизм формирования конечной фазы тонкой пленки за счет твердофазного взаимодействия металла с соответствующим оксидом. Получение сложного оксида ТлМЮд возможно только при последовательности межфазных границ №>/ТЮ/81, т.к. в данном случае, согласно термодинамическим расчетам ЫЬ не может восстанавливать Т1 и вынужден взаимодействовать с монооксидом титан при данных условиях фотонного отжига в вакууме.

3. При фотонном отжиге в вакууме плоскослоистой структуры, содержащей 1п,8п и их оксиды на подложке из монокристаллического кремния, преобладающей фазой в тонкой пленке сложного оксида является 1ТО структура. Механизм формирования определяется твердофазным взаимодействием олова с оксидом индия, за счет внедрения атомов олова в решетку 1пгОз и образованием мостиковых связей 8п-0-1п.

4. Результаты фотоэлектронной спектроскопии свидетельствуют в пользу предложенного механизма формирования 1ТО структуры вследствии повторного спип-дублетного расщепления в спектре 8п 3<1 и химического сдвига в спектре 1п 3<1 в область меньших энергий.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ховив, Дмитрий Александрович, 2008 год

1. Гусев Е.П. Начальная стадия окисления металлов в модели решеточного газа / Е.П. Гусев, А.П. Попов // Поверхность. 1991. - №2. - С. 33-46.

2. Кубашевский О. Окисление металлов и сплавов / О.Кубашевский, Б.Гопкинс. Москва: Металлургия, 1965. - 428 с.

3. Кинетика взаимодействия кислорода с поверхностью. Образование и рост оксидной фазы на поверхности металла / Девятко Ю.Н. и др. // Поверхность. 1991.-№10.-С. 128-131.

4. Кинетика начальной стадии островкового роста оксидной фазы на поверхности металла / Борман В.Д. и др. // Поверхность. 1990. - №8. - С. 22-30.

5. Доильницына В.В. О закономерностях процесса окисления металлов / В.В. Доильницына // Металлы. 1999. - №5. - С. 27-32.

6. ОРМОНТ Б.Ф. СТРУКТУРЫ НЕОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ / Б.Ф. ОРМОНТ. МОСКВА, 1950. - С. 505.

7. ФЕДОРОВ П.И. ИНДИЙ / П.И. ФЕДОРОВ, Р.Х. АКЧУРИН. -МОСКВА, 2000. -С. 20-35.

8. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОКИСЛОВ: СПРАВОЧНИК / ПОД РЕД. Г.В. САМСОНОВ А. МОСКВА: МЕТАЛЛУРГИЯ, 1978. - 472 С.

9. Барабали О.М. Кристаллическая структура металлов и сплавов / О.М. Барабали, Ю.М. Коваль. Киев: Наукова Думка, 1986. - С. 526-530.

10. Крыжаковский Б.П. Характер нарушения стехиометрии и электропроводности моноокиси олова / Б.П. Крыжаковский, А.Я. Кузнецов // Журнал физической химии. 1961. - Т. XXXV, №1. - С. 80-83.

11. Хансен М. Структуры двойных сплавов: в 2-х т. / М. Хансен, К. Андерко; пер. с англ. П.К. Новика и др.; под ред. И.И. Новикова, И.Л. Рогельберга. Москва: Металлургия, 1962. - Т.2. - 609 с.

12. Спиваковский В.Б. Аналитическая химия олова. Серия: Аналитическая химия элементов / В.Б. Спиваковский. Москва: Наука, 1975. -250 с.

13. Рипап Р. Неорганическая химия: в 2-х т. / Р. Рипан, И. Четяну; перевод с румынского И.Б. Берсукера, Н.И. Беличука; под ред. В.И. Спицына, И.Д. Колли. Москва: Мир, 1971. - Т. 1. - 560 с.

14. Лазарев В.Б. Электропроводность окисных систем и пленочных структур / В.Б. Лазарев, В.Г. Красов, И.С. Шаплыгин; под ред. Н.М. Жаворонкова. Москва: Наука, 1979. - 168 с.

15. Kofstad P.J. Oxidation of the titanium in temperature rang 800-1200 °C / P.J. Kofstad // J. Less-Common Metals. 1961. - V.3. N 1. - P. 89-97.

16. Архаров В.И. Рентгенографическое исследование высокотемпературного окисления титана и его сплавов / В.И. Архаров, Г.П. Лучкин // Труды инст. физики металлов Урал. фил. АН СССР. 1955. - Вып. 16.-С. 101-116.

17. Войтович Р.Ф. Высокотемпературное окисление титана и его сплавов / Р.Ф. Войтович, Е.И. Головко. Киев: Наукова думка, 1984. - 255 с.

18. Лайнер Д.И. Изучение структуры титановой окалины в процессе ее образования / Д.И. Лайнер, М.И. Ципин // Металловедение и обработка цветных металлов. 1961. - Вып. 20. - С.42-64.

19. Hukman J.W. The oxidation of the titanium at high temperatures / J.W. Hukman, F.A. Gulbransen // Anal. Chem. 1948. - V. 20. N 2. - P. 158-171.

20. Jenkins A.F. A furthee study of the oxidation of titanium at high temperatures / A.F. Jenkins // J. Int. Metals. 1956. - V. 84. N 2. - P. 1-9.

21. Юраков Ю.А., Рябцев C.B., Чувенкова O.A., Домашевская Э.П. , Кашкаров В.М., Турищев С.Ю., Кущев С.Б., Канныкин С.В. Образование окислов в нанослоях олова // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004. - Т.6, №4. С. 415-421.

22. Kofstad P.J. Investigation of oxidation mechanism of titanium / P.J. Kofstad, P.B. Anderson, O.J. Krudtaa // Acta Chem. Scand. 1956. - V. 12. N 2. -P. 239-266.

23. Лайнер Д.И. Кинетика окисления и структура окалины на титане / Д.И. Лайнер, М.И. Ципин, A.C. Бай // Физика металлов и металловедение. -1963.-Т.16.-С. 225-231.

24. Anderson S. Phase analyses studies on the titanium-oxigen system / S. Anderson, В. Gollen// Acta Chem. Scand. 1957.-V.ll. N 6.-P. 1641-1652.

25. Erlich P. Phasenverhalthisse und magnetisches Verhalten in System Titan-Sauerstoff / P. Erlich // Z. Electrochem B. 1939. -V45. N 5. - S. 362-370.

26. Kinna W. Uber die oxydation von Titan / W. Kinna, W. Knorr // Z.Metallik. 1956. - V.47. N 8. - S.594-598.

27. Ревякин A.B. К вопросу о кинетике окисления титана / A.B. Ревякин // Титан и его сплавы. 1962. - Вып.8. - С. 175-190.

28. Реакции в твердых телах и на их поверхности / К. Хоффе. М.: Изд-во иностр. лит. - 1963. - 2 т.

29. Anderson S. Phase analyses studies on the Ti-0 system / S. Anderson //Acta Chem. Scand. 1959.-V.31. N 3.-P. 415-419.

30. Томашов H.Д. Метод снятия тонких оксидных пленок с поверхности титана и их исследование / Н.Д. Томашов, P.M. Альтовский, М.Я Кушнерев//Зав. лаб. I960.-№.26.ТЗ.- С.298-301.

31. Томашов Н.Д. Исследование структуры пассивных окисных пленок на поверхности титана / Н.Д. Томашов, P.M. Альтовский, М.Я Кушнерев // Докл. АН СССР. 1961. - Т. 141. - С. 913-916.

32. Барсукова Л.В. Термическое и лазерно-термическое окисление титана в интервале температур 773-973 °К / Л.В. Барсукова, A.M. Ховив, В.З. Анохин // Неорганические материалы. 1992. - Т.28. - С.1019-1021.

33. Барсукова J1.B. Физико-химическая модель термического и лазерио-химического оксидирования титана: ис. .канд. хим. наук / Л.В. Барсукова. Воронеж, 1990. - 131 с.

34. Назаренко И.Н. Физико-химическая модель оксидирования полупроводников и металлов: монография / И.Н. Назаренко. Воронеж : Изд-во Воронеж, гос. технол. акад., 1997. - 73 с.

35. Kofstad P.J. High-temperature oxidation of titanium / P.J. Kofstad // J. Less-Common Metals. 1967. - V. 12. N 6. - P. 449-464.

36. Лайнер Д.И. Окисление титана и его сплавов / Лайнер Д.И. и др.. М.: Металлургия, 1970. - 317с.

37. Угай А .Я. Общая и неорганическая химия / А.Я. Угай. Москва, 2000. С. 426.

38. Ниобий и тантал / Сборник статей под ред. О.П. Колчина. -Москва, 1960. С. 21,106-108.

39. Барабаш О.М. Структура и свойства металлов и сплавов / О.М.Барабаш, Ю.Н. Коваль. Киев, 1986. С. 465-466.

40. Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов / П. Кофстад. Москва, 1969. - С. 60-61,190-191,201-202, 254-262.

41. Исследование растворимости кислорода в ниобии / В.М. Орлов, Л.А. Федорова//Неорганические материалы. 1985. - № 5. - С. 202-205.

42. Кукушкин С. А. Самоорганизация при зарождении многокомпонентных пленок / С.А. Кукушкин, А.В. Осипов // ФТТ. 1995. -N7. Т. 37.-С. 2127-2132.

43. EFFECT OF SUBSTRATE TEMPERATURE ON ELECTRICAL, STRUCTURAL, OPTICAL AND CATHODOLUMINESCENT PROPERTIES OF IN203-SN THIN FILMS PREPARED BY SPRAY PYROLYSIS / A.EL. HICHOU ET ALL. // THIN SOLID FILMS.- 2004. V. 458. - P. 263-268.

44. BREWER S.H. CALCULATION OF THE ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF INDIUM TIN OXIDE BY DENSITY

45. FUNCTIONAL THEORY / S.H. BREWER, S. FRANZEN // CHEMICAL PHYSICS. 2004. - V. 300. - P. 285-293.

46. Electrical and optical characteristics of ITO films by pulsed laser deposition using a 10 wt. % Sn02-doped 1п20з ceramic target / S.H. Kim et all. // Thin Solid Films. 2005. - V. 475. - P. 262-266.

47. Ховив A.M. Лазерное оксидирование проводящих твердых тел: дис. . д-ра физ.-мат. наук. / A.M. Ховив. Воронеж, 1990. - 246 с.

48. Карлов Н.В. Лазерная термохимия. / Н.В. Карлов, Н.А. Кириченко, Б.С. Лукьянчук. -М.: ЦентрКом. 1994. С. 199.

49. Барсукова Л.В. Термическое и лазерно-термическое окисление титана в интервале температур 773-973 °К / Л.В. Барсукова, A.M. Ховив, В.З. Анохин // Неорганические материалы. 1992. - Т.28. - С.1019-1021.

50. Нуприенок И. С. Исследование окисления пленок титана в зависимости от длины волны падающего УФ-облучения / И.С. Нуприенок, А.Н. Шибко // Ж. неорган, химии. 1996. - Т. 41. № 1. - С. 37-38.

51. Чапланов A.M. Влияние лазерного облучения на кинетику окисления пленок титана при термической обработке / A.M. Чапланов, А.Н. Шибко //Квантовая электроника. 1993. - Т. 20. № 2. - С. 191-193.

52. Ховив A. M. Особенности кинетики окисления кремния при воздействии лазерного излучения среднего ИК-диапазона / A.M. Ховив, И.Н. Назаренко, С.И. Дубов // Ж. физ. химии. 1995. - Т.69. № 4. - С. 756 - 760.

53. Ховив А. М. Влияние лазерного излучения среднего ИК-диапазона на формирование гетероструктуры «кремний оксид кремния» / A.M. Ховив и др. // Неорган, материалы. - Т.41. № 2. - С. 276 - 277.

54. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур / А.В. Раков. М.: Сов. радио, 1975. - 92 с.

55. Руководство к практическому применению преобразований Лапласа / Г. Деч. -М.: Наука, 1965. 288 с.

56. Теория теплопроводности / A.B. Лыков. М.: Высшая школа, 1967.-599 с.

57. Свиташова С. II. Исследование процесса образования пленки естественного оксида на поверхности меди методом эллипсометрии / С.Н. Свиташова, Р.И. Любинская, Л.Л. Свиташов // Поверхность. 1976. - №11. -С. 80-85.

58. Ховив А. М. Кинетика термического окисления меди в атмосфере осушенного кислорода / A.M. Ховив, Л.А. Малевская // Неорган, материалы. 1995. - Т.31. №7. - С. 1076-1077.

59. Спичкин Ю.В. О механизме восстановления тонких оксидных слоев меди / Ю.В. Спичкин, Е.С. Воронцов // Изв. вузов. Цветная металлургия. 1977. - №4. - С. 130-131.

60. Спичкин Ю.В. Химическая устойчивость оксидных пленок на массивных и вакуумно конденсированных образцах никеля и меди / Ю.В. Спичкин, Е.С. Воронцов // Ж. прикл. химии. 1980. - Т. 53. №3. - С.510 -513.

61. Забродская В.Ф. Явление химической индукции в сопряженных реакциях окисления меди / В.Ф. Забродская, Е.С. Воронцов // Кинетика и катализ. 1977. - Т.18. №6. - С.2612 - 2617.

62. Немошкаленко В. А. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии / В.А. Немошкаленко, В.Г. Алешин // Наукова думка. 1974. - Киев. - С. 376.

63. Зимкина Т.М. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия / Т.М. Зимкина, В.А. Фомичев // Изд-во ЛГУ. 1971. - Ленинград. - С. 132.

64. Fedoseenko S.I. Development and present status of the Russian -German soft X-ray beamline at BESSY II. S.I. Fedoseenko, I.E. Iossifov, S.A. Gorovikov et. al. // Nucí. Instr. And Meth. in Phys. Res. A. 2001. - №. 470. P. 84-88.

65. Фелдман JI. Основы анализа поверхности и тонких плёнок / Л. Фелдман, Д. Майер // Изд-во Мир. 1989. - Москва. - С. 344.

66. Методы исследования атомной структуры и субструктуры материалов, В.М. Иевлев, А.Т. Косилов, Ю.К. Ковнеристый, А.И. Лебедев, Э.П. Домашевская и др., Учебное пособие, Воронеж: ВГТУ, 2001, 446 стр.

67. Прибытков Д.М. Лазерно-стимулированное оксидирование тонкопленочного титана / Д.М. Прибытков, H.A. Дивакова, Д.А. Ховив // Цветные металлы. Б.м. -2005. № 9. С. 30-32.

68. Ховив A.M. Синхротронные исследования лазерно-термически окисленных тонких пленок титана / Д.М. Прибытков, Д.А. Ховив, Э.П. Домашевская // Известия РАН. Сер.: физическая. Москва, 2008 - т.72. - №4. - С. 542-546

69. Прибытков Д.М. Лазерно-термическое окисление тонких пленок титана / Д.М. Прибытков, Д.А. Ховив // Поверхность. 2005. - №5. - С. 85 -88

70. Логачева В.А. Особенности пленок вольфроматов индия, полученных методом послойного напыления / Г.С. Григорян, A.M. Солодуха, Д.А. Ховив, М.В. Марчуков, A.M. Ховив // Неорганические материалы. -Москва, 2008. т.44. - №3. - С. 366-371

71. Ховив Д.А. Лазерно-термическое окисление тонких пленок титана / Д.М. Прибытков // НКРК-2004 XI Национальная конференция по росту кристаллов, Москва, 13-17 дек. 2004 г. : тез. докл. — Б.м., 2004 .— С. 450

72. Прибытков Д.М. Лазерно-термическое окисление тонких пленок титана / Д.А. Ховив // Рост монокристаллов и тепломассоперенос 1С8С-2005, Обнинск, Россия, 25-30 сент. 2005 г.: 6-я международ, конф. : сб. тр. — Обнинск, 2005 .— Т. 1. С. 150-153 .— 0,3 п.л.

73. Домашевская Э.П. Синхротронные исследования тонких оксидных пленок И / Ховив Д.А. // Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь : XIX Всерос. науч. шк.-семинар, 19-22 марта 2007 г., Ижевск .— Ижевск, 2007 .— С. 156 .— 0,1 п.л.