Синтез и магнитные свойства сложных халькогенидов хрома тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.21, доктор химических наук Аминов, Тельман Газизович

• Аминов, Тельман Газизович
• доктор химических наук
• 2002

Оглавление диссертации доктор химических наук Аминов, Тельман Газизович

1. НЕКОТОРЫЕ АСПЕКТЫ ФИЗИКО-ХИМИИ МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ - ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ХРОМОВЫХ ШПИНЕЛЕЙ

1.1. Кристаллохимия шпинелей.

1.2. Магнитные кластеры в полупроводниковых магнетиках.

1.3. Спиновые стекла в магнитных материалах.

1.4. Основные физические свойства и электронная структура халькогенидных шпинелей.

1.5. Физико-химические свойства халькогенидных шпинелей АСГ2Х4 - Сс1, Си; Х- 8е, 8).

2. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ

Синтез образцов. Химический анализ. Измерение магнитных, электрических, оптических и магнитооптических свойств. Получение нейтронограмм, электронно-микроскопических снимков, спектров ЯГР и ЯМР.

3. ФЕРРОМАГНИТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК С(1Сг28е4 -ПЕРСПЕКТИВЫЙ МАТЕРИАЛ СПИНОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

3.1. Получение монокристаллов Сс1Сг28е4 из растворов в расплаве: разработка физико-химических основ выращивания, рост, легирование и аттестация кристаллов.

Введение. Исследование диаграмм типа «С(1Сг28е4-растворитель». Тройная взаимная система ЗС(18е + 2СгС1з = СггЗез + ЗСдСЬ. Вьфащивание монокристаллов Сс1Сг28е4. Аттестация кристаллов. Легирование кристаллов С(1Сг28е4. Рентгено дифракционное исследование С<1Сг28е4.

3.2. Изучение физико-химических свойств С(1Сг28е4, нового магнитного материала, — термодинамических, полупроводниковых, магнитных, оптических.

Давление пара над С(1Сг28е4. Электрические свойства монокристаллов С<1Сг28е4. Примесное поглощение света в СёСг28е4. Магнитные свойства СёСг28е4. Магнитные кластеры в С(1Сг28е4.

3.3. Изучение магнитооптических свойств кристаллов СдСг28е4 и разработка на их основе магнитоуправляемых устройств.

Магнитооптические свойства CdCr2Se4. Магнитоуправляемый транспарант на основе С<1Сг28е4. Магнитоуправляемый полосовой ИК фильтр на основе С(1Сг28е4.

4. НОВЫЕ МАГНИТОАКТИВНЫЕ ФАЗЫ - ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ НА ОСНОВЕ ФЕРРОМАГНИТНОЙ ШПИНЕЛИ Сс1Сг28е

4.1. Синтез, валентное распределение, магнитные и электрические свойства твердых растворов Си1.хСихСг28е4.

Введение. Синтез и рентгенографическое изучение С(11.хСихСг28е4. Электронные конфигурации ионов меди в С(11.хСихСг28е4. Магнитные кластеры и электрические свойства в системе Сд1.хСихСг28е4. Особенности магнитных свойств системы Сс11.хСихСг28е4 в районе точки Кюри.

4.2. Синтез, область гомогенности, катионное распределение, магнитные, электрические и оптические свойства твердых растворов С(1Сг28е4<1п>.

Введение. Синтез, область гомогенности и катионное распределение в твердых растворах Сс1Сг28е4<1п>. Определение методом ЯМ? катионного распределения в поли- и монокристаллах С(1Сг28е4<1п>.' Магнитные свойства и спин-стекольное состояние в твердых растворах С(1СТ2-х1т8е4 и Сё1.у1пуСг28е4. Гигантское магнитосопротивление в кристаллах С(1Сг28е4<1п>. Переход металл-полупроводник. Оптические и магнитооптические свойства монокристаллов СаСг28е4<1п>.

4.3. Нейтронографическое исследование магнитной структуры твердых растворов на основе халькогенидных шпинелей АСГ2Х4 (ул-Сс1,2п,Ре;А-8е,8).

Магнитные фазовые переходы в шпинельных твердых растворах "'*С(11х2пхСг28е4. Состояние спинового стекла в твердых растворах С(И.х2гкСг28е4. Обсуждение результатов. Катионное распределение и магнитные структуры в твердых растворах 2п1.хРехСг28е4 и гп1.хРехСг284.

5. СИНТЕЗ И ИССЛЕДОВАНИЕ НОВЫХ МАГНИТОАКТИВНЫХ ФАЗ В СИСТЕМЕ Си-Сг-8Ь-Х

5.1. Синтез, структура и магнитные свойства новых магнитоактивных фаз в системах Си-Сг-8 и Сг-8Ь-Х.

Разрезы Си8-Сг28з, 8Ь28з-Сг28з и 8Ь28ез-Сг28ез. Структура Сг8ЬХз. Магнитные свойства СгЗЬХз.

5.2. Разработка физико-химических основ выращивания монокристаллов высокотемпературный ферромагнитной шпинели

СиСг284.

Введение. Разрезы СиСг284-8Ь28з, СиСг284-С<1С12 и СиСг284-СиВг. Выращивание монокристаллов СиСг284 из растворов в расплаве 8Ь28з, СйСЪ и СиВг, а также из расплава смесей сульфидов меди и хрома с хлорным хромом.

5.3. Синтез, область гомогенности, катионное и валентное Стр. распределение, магнитные и электрические свойства новых магнитоактивных фаз - твердых растворов СиСг284<8Ь>.

Введение. Синтез и область гомогенности в твердых растворах СиСг2.х8Ьх84> Си1.у8ЬуСг284 и СиСг284.г8Ь2. Исследование электронных состояний катионов в Си02х8Ьх84 методами ГР-спектроскопии и ядерного магнитного резонанса. Магнитные и электрические свойства СиСг2-х8Ьх84, Ш.у8ЬуСг284 и СиСг284-28Ь2. Обсуждение результатов.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез и магнитные свойства сложных халькогенидов хрома»

Синтезированные впервые в середине шестидесятых годов полупроводники, обладающие ферромагнитным упорядочением -халькогениды европия, хромовые халькогенидные шпинели - сразу привлекли к себе пристальное внимание исследователей. Это внимание было обусловлено тем, что сочетание в одном материале полупроводниковых и ферромагнитных свойств потенциально могло приводить к новым качественным особенностям их параметров и обеспечивать большое разнообразие перекрестных эффектов, что представляло несомненный интерес как для развития теории, так и для различных приложений. Первые эксперименты подтвердили обоснованность таких предположений и показали, что ряд полупроводниковых параметров в этих материалах сильно зависит от степени магнитного упорядочения, а ферромагнитные свойства могут зависеть от концентрации свободных носителей [18, 20, 173].

Теоретический анализ сильной связи электронной и магнитной подсистем привел к предсказанию ряда новых явлений, таких как сдвиг температуры Кюри и изменение величины магнитной проницаемости вследствие влияния носителей заряда, образование автолокализованных ферронных состояний, расслоение магнетика на области с различным значением параметра порядка, изменение ширины запрещенной зоны и энергии залегания примесных уровней и др. [32, 373-374]. Для интерпретации наблюдаемых эффектов, которые присущи лишь магнитным полупроводникам, направленного поиска новых физических явлений и выяснения возможностей практического использования данных материалов прежде всего требовалась разработка научных основ их получения в виде поли- и монокристаллов заданного составаА всестороннее исследование свойств и достоверное определение параметров этих соединений.

К началу данной работы более детально был изучен первый класс магнитных полупроводников - монохалькогениды и монооксид европия. Они обладают точками Кюри Тс ниже азотных температур. Самую высокую температуру магнитного упорядочения имеет окись европия ЕиО - 69,5 К. Другой класс магнитных полупроводников - хромовые халькогенидные шпинели АСГ2Х4 - несмотря на значительное число публикций оставался изученным явно недостаточно. Причина этого, в значительной мере, была связана с их новизной и сравнительно сложной технологией, а также особенностями физико-химии, свойственной этим соединениям (инконгруэнтное плавление, наличие значительной дефектности, неоднозначность катионного распределения, переменная валентность, структурное упорядочение и др.). Так, транспортные свойства наиболее типичного представителя халькохромитов -соединения Сс1Сг28е4, легированного примесью п- типа, - были исследованы лишь на поликристаллических горячепрессованных образцах в ограниченной области температур (выше 77 К) и магнитных полей (до 20 кЭ) и полученным результатам не было дано однозначного объяснения.

В то же время среди магнитных полупроводников халькогенидныё хромовые шпинели остаются одними из наиболее перспективных для практических применений и удобными в работе, так как они обладают более высокими, по сравнению с другими ферромагнитными полупроводниками, температурами магнитного упорядочения и, кроме того, существует возможность получения этих материалов как п-, так и р-типа. Практический интерес к ферромагнитным полупроводникам, в основном, обусловлен возможностью управления в широких пределах их электрическими и оптическими свойствами путем изменения температуры или магнитного поля, а намагниченностью - с помощью неравновесных носителей, инжектированных освещением или электрическим полем.

В настоящей диссертационной работе созданы физико-химические основы выращивания монокристаллов халькогенидных шпинелей АСГ2Х4 (А=СЛ, Си; Х = 8, 8е), проведено широкое комплексное изучение их структурных, магнитных, электрических, оптических и других свойств, а также твердых растворов данного класса магнитных материалов как на поли- так и на монокристаллических образцах с целью определения основных физико-химических параметров этих соединений, выяснения степени влияния нестехиометрии и магнитного упорядочения на их свойства, а также выявления закономерностей и исследования присущих данным шпинелям новых эффектов.

Актуальность исследования продиктована настоятельной потребностью электронной техники в новых функциональных магнитных полупроводниковых материалах. Решение данной задачи потребовало разработки научных основ синтеза новых магнитоактивных фаз, включая изучение соответствующих диаграмм состояния, а также проведения систематических исследований с целью выявления взаимосвязи между составом, структурой и электронным строением, с одной стороны, и магнитными, полупроводниковыми, оптическими и другими свойствами исследуемых веществ, с другой стороны, что представляет непосредственный интерес для физической химии твердого тела.

Отметим, что ферромагнитные полупроводники АВ2Х4 обладают не только суммой полезных магнитных и полупроводниковых свойств, характерных, соответственно, для ферритов и обычных полупроводников, но и взаимодействием этих свойств. Это взаимодействие между носителями тока и магнитными ионами, объясняемое 5-<Л-обменной моделью Вонсовского, является основой для принципиально новых практических применений ферромагнитных полупроводников в современной электронной технике.

Например, в ферритовой электронике существенный интерес представляет возможность создания приборов для генерации и усиления СВЧ мощности, основанных на принципе лй?-обменного или черенковского взаимодействия носителей тока с магнонами [375]. При таких взаимодействиях генерация магнонов осуществляется за счет передачи энергии от дрейфующих носителей тока системе магнонов. При черепковском взаимодействии это имеет место при условии, когда дрейфовая скорость носителей тока превышает фазовую скорость спиновых волн. Возбуждение магнонов дрейфующими носителями тока при 5:-(А-обменном взаимодействии возможно при любой их скорости. Проведены первые опыты по обнаружению электрон-магнонного взаимодействия в ферромагнитном полупроводнике С(1Сг28е4 [10]. Существенным для надежного наблюдения электрон-магнонного взаимодействия при СВЧ остаются высокая подвижность носителей тока и малое затухание спиновых волн.

На основе магнитных полупроводников могут быть созданы принципиально новые устройства магнитоэлектроники, использующие обменное взаимодействие между локализованными спинами и носителями заряда, которое приводит к специфическим явлениям, не наблюдаемым ни в магнитных диэлектриках, ни в немагнитных полупроводниках, например, к гигантским магнитопоглощению или магнитосопротивлению. Гигантские эффекты магнитосопротивления позволяют применять эти материалы в качестве датчиков магнитного поля, а обнаруженный в данной работе низкотемпературный переход металл-полупроводник может быть использован при конструировании переключателей тока и болометрах. В зависимости от состава (стехиометрии, уровня легирования) электросопротивление некоторых магнитных полупроводников может изменяться в диапазоне от значений, присущих диэлектрику, до металла.

Одним из характерных свойств магнитных полупроводников является гигантское фарадеевское вращение в широком «окне прозрачности» в ИК области спектра. Отношение этого вращения к коэффициенту поглощения представляет собой магнитооптическую добротность - основной параметр, определяющий пригодность материала для магнитооптических устройств. Магнитные полупроводники позволяют не только существенно расширить спектральный диапазон прикладной магнитооптики, но и создать принципиально новые магнитоуправляемые оптоэлектронные устройства.

Так, высокие параметры магнитных полупроводников в видимом диапазоне позволяют им конкурировать с ферритами - традиционными магнитооптическими материалами. Длинноволновая граница «окна прозрачности» для хромовых халькогенидных шпинелей лежит при 20 мкм, что существенно шире, чем у ферритов, фононное поглощение которых начинается примерно с 7 мкм. Несмотря на то, что некоторые характеристики устройств на магнитных полупроводниках (например, модуляторов для неодимого лазера 1,06 мкм) превосходят аналогичные характеристики для ферритов [376], предпочтение все же отдается ферритам, работающим, в отличие от магнитных полупроводников, при комнатной температуре. Однако, в среднем ИК диапазоне магнитные полупроводники находятся вне конкуренции, поскольку в этой области спектра являются единственными прозрачными магнитооптическими материалами. Для работы устройств на их основе требуется охлаждение магнитных полупроводников до температуры жидкого азота или ниже. Стыковка их с такими же охлаждаемыми фотоприемниками, большие оптические эффекты, возникающие при приложении магнитного поля, служат основой для конструирования с использованием магнитных полупроводников широкого спектра магнитоуправляемых устройств для различных целей и потребностей практики и условий эксплуатации.

В отличие от ферритов, которые применяются обычно в виде пленок, магнитные полупроводники как материалы для среднего ИК диапазона должны обладать достаточно большими толщинами. В связи с этим приобретает чрезвычайную актуальность вопрос о прозрачности материала. Известно, что величина коэффициента поглощения в «окне прозрачности» определяется чистотой и совершенством кристаллов Поэтому, в отсутствии высокоэффективной керамической технологии, в настоящее время возможность практического использования магнитных полупроводников в магнитооптических устройствах базируется на получении крупных и чистых монокристаллов этих материалов.

Разработка в данной работе физико-химических основ выращивания монокристаллов С<1Сг28е4 привела к получению высококачественных образцов, обладающих рекордной магнитооптической добротностью: максимальная величина 12р1/к, равная 300 град, достигнута при 15 К на кристалле с коэффициентом поглощения к = 0,5 см"А при Я = 13 мкм в поле Н= 430 Э. На основании результатов, подобных вышеприведенному, была показана возможность использования кристаллов С(1Сг28е4 для создания управляемых магнитооптических ИК устройств. Так, разработан способ изготовления и создан макет пространственно-временного модулятора света (транспаранта), играющего важную роль в системах оптической обработки информации благодаря способности формировать двумерную светоконтрастную картину с возможностью стирания и перезаписи путем подачи к транспаранту последовательности управляющих сигналов.

На основе монокристаллов Сс1Сг28е4 также создан магнитоуправляемый полосовой фильтр для фильтрации инфракрасного излучения среднего диапазона в виде узкой полосы полушириной 0,8 мкм при длине волны Лпшх = 3,7 мкм. Фильтр представляет собой систему скрещенных поляризатора и анализатора и помещенного между ними кристалла, к которому прикладывается управляющее магнитное поле. Максимальное пропускание фильтра может достигать 14% и значительно превосходить эту величину при нанесении просветяющего покрытия на магнитоактивный элемент. Быстродействие фильтра, определяемое процессами перемагничивания доменов, составляло 1 МГц. Фильтр одновременно мог служить магнитоуправляемым ослабителем излучения.

Одним из важных прикладных направлений инфракрасной спектроскопии является изучение природных ресурсов путем космического дистанционного зондирования, задачи которого варьируют от поиска полезных ископаемых до выявления глобальной динамики растительного покрова или оценки первичной продуктивности океана [377-378]. Реальный оптический диапазон практически лимитирован «окнами прозрачности» атмосферы. Так, на высоте 1$ км над уровнем моря [378] это - 0,95-1,05 мкм; 1,15-1,35 мкм; 1,5-1,8 мкм; 2,1-2,4 мкм; 3,3-4,2 мкм; 4,5-5,1 мкм; 8-13 мкм. Инфракрасное излучение с указанными длинами волн довольно легко проходит через атмосферу, причем в соответствии с законом Рэлея тем лучше, чем больше длина волны. С повышением высоты над уровнем моря прозрачность атмосферы для ИК излучения возрастает. На высотах выше 9-10 км ИК лучи распространяются уже практически без потерь. Цифры, приведенные выше, позволяют положительно оценивать перспективность ИК устройств на магнитных полупроводниках для использования в различных диапазонах длин волн в тех или иных атмосферных условиях.

Далее, в обстановке открытого космического пространства необходимы управляемые (электрическим или магнитным полем) устройства без использования механически перемещаемых узлов. Между тем, за исключением описания магнитооптических модуляторов и изоляторов для СОг лазера 10,6 мкм, в патентной и научной литературе практически отсутствуют сведения о магнитоуправляемых устройствах среднего ИК диапазона, где магнитные полупроводники являются единственными прозрачными магнитооптическими материалами.

Особенности электронной структуры магнитных полупроводников, как упоминалось, обусловлены взаимодействием магнитных моментов носителей тока и магнитных ионов этих соединений [1, 8]. Наиболее ярко влияние магнитной подсистемы на энергетический спектр и кинетические свойства носителей тока проявляется в эффекте температурного "красного сдвига" края поглощения, а также в наличии сильных аномалий на температурных зависимостях проводимости и магнитосопротивления в окрестностях температуры Кюри Тс. "Красный сдвиг" края оптического поглощения, наблюдаемый при понижении температуры в Сс1Сг28е4, проявляется в сильном смещении, начиная с некоторой температуры То >Тс, края поглощения в сторону меньших энергий. Величина сдвига для СёСг28е4 составляет 0,2 эВ [166], причем максимальная скорость сдвига наблюдается в окрестности Тс. Приложение внешнего магнитного поля в этой температурной области приводит к дополнительному красному сдвигу, тоже максимальному вблизи Тс.

В настоящее время большинство исследователей связывает испытывающий "красный сдвиг" край поглощения с межзонными переходами, а сам сдвиг - с уменьшением ширины запрещенной зоны при магнитном упорядочении. Поскольку сильные аномалии электрических свойств, вызванные магнитным упорядочением, наблюдаются только на образцах п-типа проводимости, был сделан вывод, что взаимодействие электронов с локализованными магнитными моментами значительно сильнее, чем взаимодействие дырок [167-170]. По этой причине уменьшение ширины запрещенной зоны связывают, в основном, с понижением дна зоны проводимости.

Задача о влиянии магнитного упорядочения на энергию зонных электронов рассматривалась в большинстве теоретических работ для двух предельных ситуаций: случаи узких {}¥ « АЗ) [8, 171] и широких (Ж»А8) [8, 172-173] зон. Здесь 1¥ - ширина зоны разрешенных энергий электрона, А -константа А-й?- обменного взаимодействия, 6" -спин магнитного иона (для СгАА в СдСггЗе 4 5 =3/2).

Энергетический спектр хромовых халькогенидных шпинелей может включать как широкие (5- и р-типа), так и узкие (А-типа) зоны разрешенных энергий, и применимость той или другой модели определяется взаимным расположением широких и узких зон. В том случае, когда низшей зоной проводимости является узкая -зона, движение электронов по кристаллу осуществляется посредством реакции перезарядки Сг + Сг -> Сг + Сг , при этом спин лишнего электрона жестко связан со спином иона, на котором он находится, в единый спин (8+1/2 при А > 0; 8-1/2 при А < 0),и переходы с одного иона на другой происходят без изменения проекции спинов электронов проводимости. Вследствие взаимодействия носителей тока с магнитными моментами -ионов решетки возникает зависимость ширины узкой зоны от состояния магнитной подсистемы и, следовательно, от температуры. Ширина узкой зоны максимальна при полном магнитном упорядочении (Т О К). С ростом температуры ширина зоны уменьшается, эффективная масса носителей возрастает, дно узкой зоны проводимости сдвигается вверх по энергии, причем величина сдвига в парамагнитной области составляет 60% от сдвига в ферромагнитной области [8].

В приближении широких зон (1¥»А8) считается, что спин данного электрона не успевает подстраиваться под ориентацию спина каждого магнитного иона и "чувствует" локальную намагниченность кристалла. В ферромагнитной фазе энергия взаимодействия с магнитной подсистемой различна для электронов со спинами параллельными и антипараллельными намагниченности, и это приводит к расщеплению зоны проводимости и валентной зоны на спиновые подзоны. В первом порядке теории возмущений величина спинового расщепления зоны при Т << Тс равна А8-М/Мо {А - обменный интеграл, 5 - локализованный спин, М и Мо - спонтанная намагниченность и намагниченность при Т О К) [172-173]. Увеличение расщепления при охлаждении, приводящее к понижению дна нижней спиновой подзоны, является причиной уменьшения ширины запрещенной зоны. При учете более высоких порядков теории возмущений величина спинового расщепления выражается через функции спиновой корреляции соседних магнитных ионов, что приводит к "красному сдвигу" дна зоны при Т >Тс.

Рассмотренные модели дают качественно подобные смещения дна зоны проводимости при изменении температуры. По этой причине и в связи с тем, что до настоящего времени надежно не установлен характер нижней зоны проводимости хромовых халькогенидных шпинелей, для интерпретации экспериментальных данных привлекаются обе модели. Отметим, что для использования в полупроводниковой электронике наиболее важны эффекты в широких 5- ир- зонах, где может наблюдаться сравнительно высокая подвижность, поэтому выяснение характера краев зоны проводимости и валентной зоны является одной из актуальных проблем.

Анализ экспериментальных данных говорит о том, что энергия оптических переходов между валентной зоной и нижней зоной проводимости в Сс1Сг28е4 зависит от степени магнитного упорядочения и значительно уменьшается при переходе кристалла в ферромагнитную фазу. В модели, используемой разными авторами для объяснения температурной зависимости края поглощения Сс1Сг28е4, фигурируют переходы, которые несут ответственность за край поглощения соединения в соответствующем интервале температур. Так, согласно некоторым исследователям, при температуре выше То « 200 К, т.е. до начала "красного сдвига", основной вклад в край поглощения обеспечивают переходы '*A2g лT¡g, Eg и ,,A2g '*T2g в ионе СР"", имеющие близкие энергии (/гу « 1,5 эВ). При температурах меньших То край поглощения соответствует межзонному переходу из /7-валентной зоны в 5 -зону проводимости, положение дна которой сильно зависит от степени магнитного упорядочения.

Энергетическое положение уровней собственных дефектов в С<1Сг28е4 выявлено в данной работе по полосам примесного поглощения, образующихся при термообработке кристаллов, при длинах волн больше края поглощения. Согласно теоретическим представлениям, принятым нами, валентная зона соединения формируется 4р-состояниями 8е, а пустая .у-подобная зона проводимости (С/) - состояниями (45' Сг + 55 Сё). При Т > 200 К немного ниже дна А'-зоны проводимости располагается "пучок" узких зон (Сд), образованных антисвязывающими орбиталями р-(1у - А(4/7 8е + Ъ(1у Сг), с минимумом энергии в точке X и максимумом - в точке Г. Ширина запрещенной зоны в точке Г при комнатной температуре составляет 1,29 эВ. С понижением температуры при Т < 200 К дно А*-зоны проводимости в точке Г опускается ниже положения р-<1у зоны. Так что, в отличие от Г > 200 К, ширина запрещенной зоны в точке Г при температурах, меньших 200 К, определяется переходами из валентной зоны в 5- зону проводимости. Переходы, не испытывающие "красного сдвига", вероятно, происходят в узкую р-<1у зону (С//). Акцепторные уровни Vcd лежат на 0,48 эВ выше потолка валентной зоны, а донорные уровни - ниже зоны С//на 0,41 эВ. То есть, собственные дефекты в запрещенной зоне СдСг28е4 образуют глубокие глубокие донорные и акцепторные состояния.

Полученная диаграмма уровней собственных дефектов для кристаллов Сс1Сг28е4, подвергнутых термообработке, согласуется с результатами измерений их электрических свойств. Так, оказалось, что необходимым условием существования аномалии электросопротивления вблизи температуры Кюри, равно как и «-типа проводимости в нелегированных и легированных индием и галлием кристаллах Сс1Сг28е4, является наличие в материале вакансий селена. В исследованном диапазоне 77-300 К аномальные температурные зависимости сопротивления п- Сс1Сг28е4 хорошо описываются моделью, согласно которой энергия ионизации донорного уровня уменьшается при снижении температуры пропорционально уменьшению энергии дна зоны проводимости с коэффициентом (1-у), где значение / зависит от глубины залегания донорного уровня. Было также обнаружено, что для легированных индием и галлием кристаллов СёСг28е4, а также нелегированных кристаллов Сс1Сг28е4, содержащих вакансии селена, характерно наличие гигантского отрицательного магнитосопротивления -уменьшения почти в сотню раз в магнитном поле вблизи точки Кюри величины максимума на кривой зависимости сопротивления от температуры. В ряде образцов С(1Сг28е4<1п> ниже 12 К было выявлено резкое (на 4,5 порядка) снижение сопротивления вследствие низкотемпературного перехода металл-полупроводник, имеющего кооперативный характер.

Многие свойства магнитных полупроводников объясняются тем, что энергия электрона минимальна при полном ферромагнитном упорядочении и повышается при его разрушении. Величину данного эффекта можно оценить, например, из того, что при подъеме температуры до точки Кюри Тс край поглощения в шпинелях Сс1Сг28е4 и Н§Сг28е4 сдвигается на 0,2 - 0,5 эВ, соответственно. Поэтому электроны проводимости стремятся установить и поддерживать ферромагнитное упорядочение. Конечно, при малых концентрациях они не могут повлиять на магнитное состояние кристалла в целом. Однако они могут локализоваться в определенной части этого кристалла и создать там настолько высокую степень ферромагнитного порядка, что их энергия за счет этого сильно понизится. Энергетическая выгодность автолокализации в ферромагнитной области была показана в [32] на примере электрона проводимости в антиферромагнитном полупроводнике.

Если же магнитный полупроводник сильно легирован (вырожден), то становятся возможными коллективные состояния такого рода, когда, к примеру, антиферромагнитный кристалл распадается на области с ферромагнитным и антиферромагнитным упорядочением, причем первые из них с избытком, а вторые - с недостатком электронов проводимости. В случае относительно низких концентраций носителей тока в антиферромагнитном полупроводнике ферромагнитная часть кристалла существует в виде отдельных сфер внутри антиферромагнитной матрицы.

А при более высоких концентрациях носителей, наоборот, антиферромагнитные сферы находятся внутри ферромагнитной матрицы.

Когда ферромагнитные сферы существуют в антиферромагнитной матрице, проводимость кристалла невелика, так как почти все электроны проводимости заперты в этих сферах. Проводимость должна резко возрасти при той критической концентрации носителей, когда ферромагнитная часть кристалла из многосвязной превращается в односвязную. Кроме того, при многосвязном варианте она должна резко возрасти при Г > Гс , а также во внешнем магнитном поле, устанавливающем ферромагнитное упорядочение в кристалле и тем делокализующем электроны, которые до того были заблокированы в ферромагнитных сферах.

Подобным теоретическим концепциям магнитных полупроводников, основанным на 8-(Л -обменной модели, посвящены работы Нагаева, Касуя, Яназе, Такеды, Кривоглаза и др. [32-3 5, 294]. Ими показано, что в магнитных полупроводниках с сильным внутризонным 8-(1 - обменным взаимодействием, в которых с понижением температуры происходит красный сдвиг края поглощения, реализуются особые магнитнопримесные состояния. Их отличительной чертой является то, что электронам доноров (или дыркам акцепторов), формирующим эти состояния, энергетически выгодно из-за выигрыша в энергии внутризонного - обмена локализоваться около примесей, создавая вокруг них микрообласти с ферромагнитным порядком. Указанные микрообласти в литературе имеют следующие названия: примесные ферроны, магнитные поляроны и т.д. Кроме того, в [379] показано, что в ферромагнитных полупроводниках с гигантским синим сдвигом края поглощения, в которых преобладает межзонный 8-(Л - обмен, возникают магнитнопримесные состояния другого типа: около примесей из-за выигрыша в энергии межзонного 8-ё- обмена электроны (или дырки) образуют микрообласти с разрушенным ферромагнитным порядком (антиферроны) и стабилизируют их своей локализацией в них.

Одна из задач данной работы заключалась в поиске, разработке научных основ и синтезе новых магнитно-полупроводниковых фаз, обладающих точками Кюри выше комнатной температуры, что несомненно приблизило бы их практическое использование в технике. Согласно теории это возможно осуществить путем введения примеси в антиферромагнитный полупроводник, например, в СиСг1,58Ьо,584, и тем самым создать в нем упомянутые выше ферромагнитные микрообласти. Вполне вероятно, что при достаточной концентрации этих микрообластей взаимодействия между ними типа обменных или диполь-дипольных могут обеспечить высокие точки Кюри материала. Наряду с практической значимостью задача создания магнитных полупроводников с Тс> 300 К тесно связана с развитием представлений о влиянии катионного и анионного замещений на свойства шпинелей, а также с экспериментальной проверкой выводов современной теории магнитных полупроводников. в халькогенидных хромовых шпинелях существуют самые разнообразные магнитные состояния: ферромагнитное, ферримагнитноеА антиферромагнитное и геликоидальное. С учетом характера шпинельной структуры следовало ожидать, что среди этих соединений и их твердых растворов могут также быть спиновые стекла. В данной работе такие спиновые стекла были получены и в ряде случаев обстоятельно исследованы. Большое разнообразие свойств у халькогенидных шпинелей, в том числе наличие среди них соединений с квазиметаллическим характером проводимости типа СиСг284, позволило синтезировать твердые растворы, в которых проводимость изменялась от полупроводниковой до металлической, а магнитное состояние - от спин-стекольного до ферромагнитного. Это обеспечило в рамках одной шпинельной системы возможность изучения концентрационных переходов «ферромагнетик -спиновое стеюю» и «металл - полупроводник», что может способствовать лучшему пониманию особенностей магнитных фазовых переходов, природы спин-стеклообразного состояния и роли обменного взаимодействия в магнитных полупроводниковых материалах.

Диссертация состоит из данного введения, основной части, включающей пять глав, заключения и выводов, содержащих наиболее важные результаты работы. Приведен список публикаций, в которых отражено содержание работы. Цитированная литература представлена общим списком в конце изложения. Рисунки и таблицы пронумерованы в последовательном порядке.

В первой главе, которая носит преимущественно обзорный характер, помимо кристаллохимии шпинелей, рассмотрены вопросы, связанные с образованием в полупроводниковых магнетиках магнитных кластеров и существованием в магнитных материалах спин-стеклообразного состояния. Представлены данные по основным физическим характеристикам и электронной структуре хромовых халькогенидных шпинелей, а также по физико-химическим свойствам соединений АСГ2Х4 {А - Сё, Си; Х- 8е, 8), как базовых объектов исследования.

Во второй главе, посвященной методикам проведения эксперимента, описаны условия синтеза и аттестация образцов с помощью рентгенофазового, дифференциально-термического и атомно-абсорбционного анализов; измерение магнитных, электрических, оптических и магнитооптических свойств; получение нейтронограмм, электронно-микроскопических снимков, спектров ЯГР и ЯМР.

В третьей главе представлены результаты исследования наиболее типичного ферромагнитного полупроводника - С<1Сг28е4, являющегося перспективным материалом спиновой электроники. Описано получение монокристаллов СйСгглел. из растворов в расплаве: разработка физико-химических основ выращивания, рост, легирование и аттестация кристаллов. Приведены данные по изучению физико-химических свойств

Сс1Сг28е4, как нового магнитного материала, - термодинамических, полупроводниковых, магнитных, оптических и магнитооптических, а также данные по разработке на основе СёСг28е4 магнитоуправляемых устройств: пространственно-временного модулятора света (транспаранта), играющего важную роль в системах оптической обработки информации, и полосового фильтра для фильтрации ИК-излучения в виде узкой полосы при длине волны 3,7 мкм. Представлена энергетическая схема уровней собственных дефектов (Гаа, Усы) в С<1Сг28е4, которая может служить основой для направленного формирования у материала требуемых свойств

В четвертой главе изложены результаты исследования новых магнитоактивных полупроводниковых фаз - твердых растворов на основе ферромагнитной шпинели Сс1Сг28е4, а именно: Сс1Сг28е4.х8х, Сс1Сг2.х1Пх8е4 и Сс11.хАхСг28е4, где А - Си, Ag, 1п, - путем установления в них связи магнитных, электрических и оптических свойств с составом, структурой, катионным распределением и электронными состояниями ионов, а также их изменением в зависимости от степени замещения. Приведены данные магнитного и нейтронографического исследования особенностей концентрационных магнитных переходов и динамики магнитных структур в твердых растворах, образованных ферро- или ферримагнитной шпинелью Сс1Сг28е4 или РеСг284, с одной стороны, и антиферромагнитной шпинелью 2пСг2Х4, с другой стороны, где в случае составов, отвечающих области промежуточных концентраций, обнаружены магнитно-неоднородные состояния, а также новые магнитные фазы типа спинового стекла.

В пятой главе описаны разработка физико-химических основ и выращивание монокристаллов высокотемпературный ферромагнитной шпинели СиСг284, представлены результаты по синтезу, исследованию структуры и магнитных свойств новых магнитоактивных фаз в системах Си-Сг-8 и Сг-8Ь-Х, в частности, новых полупроводниковых квази Ю ферромагнетиков Сг8ЬХз. В этой же главе приведены данные по исследованию магнитных и электрических свойств твердых растворов СиСг284<8Ь> во взаимосвязи с составом и валентным состоянием ионов, базируясь на которых предложен способ получения в рамках СиСг284<8Ь> новых ферромагнитных полупроводниковых материалов с точкой Кюри выше комнатной температуры, что может способствовать созданию' технических устройств на основе этих материалов.

Список литературы диссертационного исследования доктор химических наук Аминов, Тельман Газизович, 2002 год

1. Метфессель 3., Магтис Д. Магнитные полупроводники. - М.: Мир, 1972.-405 с.

2. Белов К.П., Третьяков Ю.Д., Гордеев И.В., Королева Л.И., Кеслер Я.А. Магнрггные полупроводники халькогенидные шпинели. - М.: МГУ, 1980. - 279 с.

3. Бляссе Ж. Кристаллохимия феррошпинелей. М.: Металлургия, 1968.- 184 с.

4. Бокий ГБ. Кристаллохимия. М.: МГУ, 1960. - 367 с.

5. Белов Н.В. Очерки по структурной минералогии. М.: Недра, 1976. -344 с.

6. Крупичка С. Физика ферритов и родственных им магнитных окислов. -М.: Мир, 1976, Т.1.-353 с.

7. Вонсовский СВ. Магнетизм. М.: Наука, 1971. - 1032 с.

8. Нагаев Э.Л. Физика магнигных полупроводников. М.: Наука, 1979. -431 с.

9. Белов К.П. Магнитные превращения. М.: Физматгиз, 1959. - 259 с.

10. Бамбуров В.Г, Борухович A.C., Самохвалов A.A. Введение в физико-химию ферромагнитных полупроводников. М.: Металлургия, 1988. -206 с.

11. Магнитные полупроводниковые шпинели типа CdCr2Se4. Под ред. СИ.Радауцана. Кишинев: Штиинца, 1978. - 149 с.

12. Никифоров К.Г, Радауцан СИ., Тэзлэван В.Е. Сульфохромит кадмия. Кишинев: Штиинца, 1981. - 126 с.

13. Цуркан В.В., Радауцан СИ., Тэзлэван В.Е. Магнитные полупроводники на основе селенохромита меди. Кишинев: Штиинца, 1984.- 118 с.

14. Урусов B.C. Энергетическая кристаллохимия. М.: Наука, 1975. -333 с.

15. Рандошкин В.В., Червоненкис А.Я. Прикладная магнитооптика. М.: Энергоатомиздат, 1990. - 320 с.

16. Вертхейм Г. Эффект Мессбауэра. М.: Мир, 1966. - 171 с.

17. Гуревич А.Г, Яковлев Ю.М., Карпович В.И., Винник М.А., Рубальская Э.В. Ферромагнитный полупроводник // ФТП. 1975. -Т.9, №1.-0.3-11.

18. Балкарей Ю.И., Бару В.Г, Голик Л.Л. Физические свойства и возможности применений магнитных полупроводников типа ЕиО и CdCr2Se4 // Микроэлектроника. 1976. - Т5, № 6. - С475-488.

19. Никитов В.А. Магнитные полупроводники и перспективы их использования в электронной технике // Зарубежная электронная техника. 1977. - № 12. - С2-35.

20. Яковлев Ю.М., Меркулов А.И. Магнигаые полупроводники для устройств функциональной электроники // Обзоры по электронной технике. 1983. - Сер.6, № 9. - С.3-99.

21. Verwey E.J.W., Heilmann E.L. Physical properties and cation arrangement of oxides with spinel structures // J.Chem.Phys. 1947. - Vol. 15, N2 4. -P174-180.

22. Гортер E.B. Намагниченность насыщения и кристаллохимия ферримагнитных окислов // Успехи физических наук. 1955. -Т.57, № 2-3. - С.279-346, С.435-483.

23. Hafher S. Metalloxyde mit spinelstructur // Schweiz Min.Petrogr.Mitt. -1960. Bd.40, № 3. - S.207-242.

24. Haas C. Phase transitions in crystals with the spinel structure // J.Phys.Chem.Solids. 1965. - Vol.26. - R1225-1232.

25. Сахненко В.П., Таланов B.M., Чечни Г.М. Возможные фазовые переходы и атомные смещения в кристаллах с пространственной группой 0\ и., mi. -25 с.- Деп. в ВИНИТИ № 638-82.

26. Grimes N.W. Off-centre ions in the spinel structure // Phil.Mag. 1972. -Vol.26, № 6.-R1217-1223.

27. Grimes N.W., CoUett A.J. Inteфretation of MgAli.xCrx04 IR-spectra // Phys.Stat.Sol. 1971. - Vol.B43. - R591-598.

28. Philipsbom H. Chalcogenide spinels and alternative structures // Z.Kristallogr. 1971. - Bd.l33. - S.464-472.

29. Hya П. Соотношение между расстояниями анион-катион и параметрами решетки // В кн. Химия твердого тела. -М.: Металлургия, 1972. С.49-75

30. Кеслер Я.А. Межатомные расстояния в оксидах, сульфидах и селенидах с плотнейшей упаковкой // Изв. АН СССР. Неорган.магериалы. 1993. - Т29, № 2. - С.165-173.

31. Кеслер Я.А., Третьяков Ю.Д., Гордеев И.В. Граничные условия существования оксо- и ' сульфошпинелей // Изв. АН СССР. Неорган.магериалы. 1977. - Т.13, № 3. - С.535-536.

32. Нагаев Э.Л. Ферромагнитные микрообласти в полупроводниковом антиферромагнегике //ЖЭТФ. 1968. - Т54, № 1. - С.228-238.

33. Нагаев Э.Л. Магнитополяронный ферромагнетизм // ФТТ. 1971. -Т13,№3.-С.891-893.

34. Yanase А., Kasuya Т. Mechanisms for the anomalous properties of Eu-chalcogenides alloys // J.Phys.Soc.Japan. 1968. - Vol.25, № 4. -R1025-1042.

35. Григин А.П., Нагаев Э.Л. Максимум сопротивления ферромагнитных проводников, вызванный рассеянием носителей на гигантских моментах магнитных кластеров // ЖЭТФ (Письма). 1972. - Т. 16, №7- С.438-441.

36. Ruderman М., Kittel С. Indirect exchange coupling in nuclear magnetic moments by conduction electrons // Phys.Rev. 1954. - Vol.96. -R99-102.

37. Kasuya T. A theory of metallic ferro- and antiferromagnetim on Zener s model // Progr.Theor.Phys. 1956. - Vol.16. - R45-47.

38. Yosida K. Magnetic properties of Cu-Mn alloys // Phys.Rev. 1957. -Vol. 106.-R893-898.

39. Пастур Л.А., Фиготин А.Л. Точно разрешимая модель спинового стекла // Физика низких температур. 1977. - Т.З, № 6. - С.778-787

40. Коренблит И.Я., Шендер Е Ф. Спиновые стекла и неэргодичность // Успехи физических наук. 1989. -Т157, № 2. - С.267-310.

41. Chowdhury D. Spin glasses and other frustrated systems Singapore, World Scient. Publ. Copte Lid., 1986.

42. Maletta H., Zinn W. Spin glasses.- In: Handbook on the physics and chemistry of rare earths // Ed. Gschneidner K.A. and Eyring, Elsevier Science Publishers B.V, North-Holland, 1989. Vol.12. - R214:356.

43. Гинзбург СЛ. Необратимые явления в спиновых стеклах. -М.: Наука,1989. 150 с.

44. Huang C.J. Some experimental aspects of spin glasses: a review // JMMM.- 1985.-Vol.51, № 1.-R1-74.

45. Mydosh J.A. The present experimental, situation in spin glasses // Lecture notes in physics. 1981. - Vol.149. - P.87-106.

46. Binder K., Young A. Spin glasses: experimental facts, theoretical concepts and open questions // Rev.Mod.Phys. 1986. - Vol.58, № 4. - R801-976.

47. Доценко B.C. Физика спин-стекольного состояния // Успехи физических наук. 1993. -Т. 163, № 6. - С.1-37.

48. Edwards S.F., Anderson RW. Theory of spin glasses // J.Phys.F: MetaLPhys. 1975. - Vol.5. - R965-974.

49. Maletta H., Felsch W., Tholens J.L. Spin glass behaviour in non-metallic system (Eu,Sr)S // ЛА1ММ. -1978. Vol.9. - R41-43.

50. Maletta H., Felsch W. Insulating spin glass system EuxSrLxS // Phys.Rev.B.- 1979. Vol.20, № 3. - R1245-1260.

51. Белов К.П., Королева Л.И., Цветкова H.A., Попов Ю.Ф., Гордеев И.В., Кеслер Я.А., Титов В.В., Кочаров А.Г Магнитное упорядочение типа «спинового стекла» в полупроводниковом тиошпинелиде Gao67Cr2S4 // ЖЭТФ (Письма). 1980. - Т31, в.2. - С96-99.

52. Королева Л.И., Нагаев Э.Л., Цветкова НА. Разрушение спинового стекла косвенным обменом через электроны проводимости в системе твердых растворов Gaa07Cr2S4 Cu2Cr2S4 // ЖЭТФ. - 1980. - Т.79, в.2(8). - С600-604.

53. Белов К.П., Королева Л.И., Цветкова Н.А., Гордеев И.В., Кеслер Я.А., Титов В.В. Спин-стеклообразное состояние в полупроводниковых шпинелях xCu2Cr2S4 (1-х)Сао,б7Сг284 (0< х< 0,4) // ФТТ - 1981. -Т23, № 8. - С.2477-2479.

54. Nagata S., Galazka R.R., Khattak G.D., Amarasekara CD., Furdyna J.K., and Keesom RH. Spin glass transition in a diluted frustrated lattice:Cdi.xMnxTe, Hgi.xMnxTe and Hg,.xMnxSe // Rhysica. 1981. - Vol.l07B. -R311-312.

55. Такзей Г.А., Сыч И.И., Меньшиков A.3., Теплых А.Е. Магнитные и нейтронографические исследования Fega-cNicCrig сплавов в области критической концентрации // ФММ. 1981. - Т.52, № 5. - С.960-965.

56. Меньшиков А.З., Сидоров СК., Теплых А.Е. Магнитное состояние FeNiCr сплавов вблизи критической концентрации // ФММ. 1978. -Т45, № 5. - С.949-957.

57. Neel L. Influence of thermal fluctuations on the magnetization of very fine ferromagnetic particles // CR.Acad.Sci. 1949. - Vol.228 - R664-666.

58. Koroleva L.I., Virovets T.V. Critical behaviour of semiconductor spin glasses (CuCr2Se4)x(Cuo,5Meo.5Cr2Se4)i-x (Me = In, Ga; 0<x<0,l) //Phys.Stat.Sol.(b). 1990. - Vol.157. -P.431-442.

59. Chalupa J. Scaling at the critical temperature of a spin glass /У SoLState Commun. 1977. - Vol,24, №. 6. - R429-431.

60. Suzuki M. Phenomenological theory of spin glasses and some rigorous results // Rrogr.Theor.Rhys. 1977. - Vol.58, №. 4. - R1151-1165.

61. Katsura S. Random т1х1ше of the Ising magnets in a magnetic field. Quenched site and bond problems. // Progr.TheorPhys. 1976. - Vol.55, №.4.-R1049-1063.

62. Canella V, Mydosh J. Magnetic ordering in gold-iron alloys // Rhys.Rev.B.- 1972. Vol.6. - R4220-4237.

63. Lohneysen H.V., Tholence J.L., Tournier R. Frequency dependence of the susceptibility maximum in a spin glass // J. de Physique. 1978. - Vol.39. -RC6-922-C6-924.

64. Malozemofi" A.R., Imry Y. Long-time cooling-rate dependence of spin glass freezing // Rhys.Rev.B. 1981. - Vol.24, № 1. - R489-492.

65. Chamberlin R.V, HardimanM., Turkevich L.A., Orbach R. H-T-phasQ diagram for spin glasses: An experimental study of Ag:Mn // Rhys.Rev.B.- 1982. Vol.25, № 11. - R6720-6729.

66. Guy C.N. The low field static susceptibility of spin glass Аио,9бРео,о4 // JPhys.R 1975. - Vol.5. - RL242-L246; Spin glasses in low fields: magnetic viscosity // J.Phys.R - 1978. - Vol.8, № 6. - R1309-1319.

67. Coly J.M.D., McGuire T.R., Tissier B. АтофЬои8 Dy-Cu: random spin freezing in the presence of strong local anisotropy // Rhys.Rev.B. 1981. -Vol.24, №3.-R1261-1273.

68. Svendlindh R, Granberg R, Nordblad R, Lundgren L., Chen H.S. Relaxation in spin glasses at weak magnetic fields // Rhys.Rev.B. 1987. -Vol.35, № 1.-P.268-273.

69. Lundgren L., Svendlindh P., Nord61ad P., Beckman O. Dynamics of the relaxation time spectrum in a CuMn spin glass // Phys.Rev.Lett. 1983. -Vol.51, № 10.-R911-914.

70. Alba М., Ocio М., Hamman J. Ageing process and response function in spin glasses: an analysis of the thermoremanent magnetization decay in Ag:Mn (26%) //Europhys.Lett. 1986. - Vol.2. ~ P.45-52.

71. Королева Л.И., Кузьминых А.И. Состояние спинового стекла и его подавление косвенным обменом через носители тока в системе твердых растворов хСиСг28е4 (l-x)Cuo,5Meo.5Cr2Se4 (Me=In, Ga) //ЖЭТФ. - 1983. -Т.84,№5. -С.1882-1895.

72. Королева Л.И., Вировец Т.В., Абрамович А.И., Кеслер Я.А. Новое полупроводниковое спиновое стекло Си2/зОе1/зСг284 // ФТТ. 1991. -Т.33,№ 5.- 1355-1362.

73. Alba М., Hamman J., Nogues М. Phase diagrams of two dilute insulating systems with competing interactions: CdCr2xIn2-2xS4 and ZnCr2xAl2.2xS4 //J.Phys.C: SoLState Phys. 1982. - Vol.15. -P5441-5454.

74. Nogues M., Saifi A., Hamedoun M., Dormán J.L., Malmanche A., Fiorani D., Viticoli S. Investigation on the magnetically diluted spinels CdCr2xIn22xS4 // J.Appl.Phys. 1982. - Vol.53, №11.- R7699-7701.

75. Alba M., Hamman J., Nogues M. Observation of a spin glass behaviour of the susceptebility in a dilute chromium spinel // Physica. 1981. -Vol.l07B.-R627-628.

76. Hamedoun M., Wiedemann A., Dormán J.L., Nogues M., Rossat-Mignot J. Magnetic structure and magnetic properties of the spinel solid solutions ZnCr2xA2-2XS4 (0,85<x<l) // J.Phys.C': Sol.St.Phys. 1986. - Vol.19. -R1783-1811.

77. Palacio P., Campo J., Sagredo V, Attolini G., Pelosi C. Spin glass behaviour in ZnLxMnxIn2S4 spinels // JMMM. 1995. - Vol. 140-144. -P2023-2024.

78. Абрамович А.И., Королева Л.И., Лукина Л.Н. Состояние спинового стекла и возвратное к состоянию спинового стекла поведение в сульфошпинелях железа с разбавленными А- и В-подрешетками // ФТТ. 1999. - T.4L № 1. т- С.84-90.

79. Miyako Y., Chikazawa S., Saito Т., Yuochunas YG. Nonlinear magnetization at the spin glass phase transition temperature // TPhys.SocJapan. 1979. - Vol.46. - R1951-1952

80. MalozemofF A.P., Imry Y, Barbara B. Futher studies of nonlinear susceptibihty of CdAl and MnCu spin glasses // J.Appl.Phys. 1982. -Vol.53, № 2.-P.7672-7674.

81. Been C.P., Livingston J.D.J. Supeфaramagnetism // J.Appl.Phys. 1959. -Suppl.30.-R120S-129S.

82. Tholence J.L. On the frequency dependence of the transition temperature in spin glasses // SoLState Commun. 1980. - Vol.35, № 2. - R113-117.

83. Dahlberg E.D., Hardiman M., Orbach R., Souletie J. High frequency ac susceptibility and ESR of spin-glass // Phys.Rev.Lett. 1979. - Vol.42, №6.-P.401-404.

84. Plumier R., Lotgering F.K., van Stapele R.P. Magnetic properties of Сио,51по,5Сг284 and some related compounds // J.Physique. 1971. -Vol.'Ci-32, suppl. au № 2-3. - R324-325.

85. Wilkinson C, Knapp B.M., Forsyth J.B. The magnetic structure of Cuo5Gao5Cr2S4. // J.Phys.C: Sol.St.Phys. 1976. - Vol.9, № 21. - R4021-4023.

86. Plumier R., Sougi M. Magnetic ordering in the normal spinel Cuo5no.5Cr2Se4 // SoLState Commun. 1989. - Vol.69, № 4. - R341-345.

87. Смирнов CF., Розанцев A.B., Кеслер Я.А., Гордеев И.В., Третьяков Ю.Д. Области существования твердых растворов Cui.xCoxCr2Se4 // Изв. АН СССР Неорган.магериалы. 1983. - Т19, № 6. - С.886-888.

88. Nauciel-Bloch M., Plumier R. Magnetic structwe in spinel B-site lattices with ordered diamagnetic ions at the A-sites // Solid State Commun. -1971. Vol.9, № 3. - P.223-226.

89. Plumier R., Sougi M., Lecompte M. Observation of an unusual short range magnetic ordering in spinel Cuo5lno,5Cr2S4 // Phys.Lett. 1977. - V0I.6OA, № 4. - R341-344.

90. Plumier R., Sougi M., Lecompte M. High magnetic field study of sulfiu" spinel Cuo.5lno,5Cr2S4 // Z.Phys.B-Condensed Matter. 1980. - Vol.40. -R227-231.'

91. Rhani M.K., Lehowitz J.L., Kalos M.H., Tsai C O. Monte-Karlo study of an ordering alloy on fee lattice // Rhys.Rev.Lett. 1979. - Vol.42, № 9. -R577-580.

92. Grest G.S., Ga61 E.G. Monte-Karlo study of an spin glass ordering on dilute fiiistrated lattices // Rhys.Rev.Lett. 1979. - Vol.43, № 16. -R1182-1187.

93. Abramovich A.I., Virovets T V, Koroleva L.I. Gigantic magnetoresistance in semiconductive spin glasses Cu2/3Gei/3Cr2S4 and Cuo,5lno,5Cr2Se4 // Phys.Lett. 1991. -,Vol.l53, № 4-5. - R248-250.

94. Maletta H. Magnetic ordering in EuxSri.xS, a diluted Heisenberg system with competing interactions // J.Appl.Phys. 1982. - Vol.53, № 3. -R2185-2190.

95. Wong P., v.Molnar S., Pastra T.T.M., Mydosh J.A., Yoshizava H., Shapiro S.M., Ito A. Coexistence of spin glass and antiferromagnetic orders in the Ising system Feo.ssMgoAsCb // Phys.Rev.Lett. 1985. - Vol.55. - R2043-2046.

96. Дерябин A.B., Казанцев B.K., Тьков A.B., Захаров И.В. Двойной температурный переход парамагнетизм-ферромагнетизм-спиновоестекло в сплавах ферромагнитных 3d- металлов с антиферромагнитными // ЖЭТФ. 1987. - Т.92. - С.1761-1769.

97. Mirebeau I., Jehanno G., Campbell I.F., Hippert F., Hennion В., Hennion M. Magnetic order and canting in a reentrant alloy studied by magnetization, Mossbauer and neutron scattering // JMMM. 1986. -VoI.54-57/-P.99-IOO.

98. Binder K., Kindle W., Staffer D. Phase diagrams and magnetic properties of diluted Ising and Heisenberg magnets with competing interactions // Z.Phys.B. 1979. - Vol.36. - R161-177.

99. Benyossef A., Boccara N. Phase diagrams of bond dilute Ising models // J.Phys.C: SoLState Rhys. 1982. - Vol.15. - R1381-1389.

100. Benyossef A., Boccara N. Stability of spin glass phases versus space dimensionality // Phys.Lett. 1981. - V0I.86A, № 3 - R181-182; J.Appl.Phys. - 1982. - Vol.53, № 3. - R2192-2193.

101. Sarbach S. Phase diagrams of random spin systems: 1.Mean-field theory. 2.Bhete approximation // J.Phys.C: SoLState Rhys. 1980. - Vol.13. -R5033-5070.

102. Неель Л. Магнитные свойства ферритов: ферримагнетизм и антиферромагнетизм // Ann. de Rhys. 1948. - Vol.3. - P. 137-198. // В сб. «Антиферромагнетизм». - М.: ИЛ, 1956. - С.56-84.

103. Shull C.G., Smart J.S. Detection of antiferromagnetism by neutron diffraction // Phys.Rev. 1949. - Vol.76, № 8. - R1256-1257.

104. Baltzer R.K., Lehmann H.W., Robbins M. Insulating ferromagnetic spinels // Rhys.Rev.Lett.'- 1965. Vol.15, № 11. - R493-495.

105. Baltzer RK., Wojtowicz R.J., Robbins M., Lopatin E. Exchange interactions in ferromagnetic chromium chacogenide spinels // Phys.Rev. -1966. Vol.151, № 2. - R367-377.

106. Wojtowicz RJ., Baltzer P.K., Robbins M. Magnetic and crystallographic properties of the system CdCr2Se4xS4^x // JLPhysLChemLSolidsL 1967. -Vol.28. -R2423-2427.

107. Dwight K., Menyuk N, Magnetic interactions and spiral ground state in spinels, with applications to ZnCr2Se4 // Phys.Rev. 1967. - Vol. 163, № 2. -P.43 5-443.

108. Dwight K., Menyuk N. Analisys of distant neighhour interactions in cubic spinels // XAppLPhys. 1968. - Vol.39, № 2. - R660-661.

109. Ro66ins M. Magnetic properties of chromium chalcogenide spinels // Geochimica et Cosmochimica Acta. 1975. - Vol.39. - P.883-888.

110. Motida K., Miyahara S. On the exchange interaction between Ci^* 's in sulphides and selenides // J.Phys.SocJapan. 1970. - Vol.29. - P.515-517.

111. Kubiak S., Zarek W., Drzazga Z., Krok J., Chelkowski A. Magnetic properties of the chalcogenide spinels CdCr2S4, CdCr2Se4, HgCr2S4, HgCr2Se4 // Acta Phys.Polonica. 1974. - Vol.A45, № 6. - R819-825.

112. Plumier R Etude par diffraction de neutrons de Pantiferromagnetisme helicoidal du spinelle ZnCr2Se4 en presence d'un champ magnétique // J.de Physique. 1966. - Toriie 27. - R213-219.

113. Kanamori J. Superexchange interaction and symmetry properties of electron orbitals // J.Phys.Chem.Solids. 1959. - Vol.10. - R87-98.

114. Anderson RW. Theory of magnetic exchange: exchange in insulators and semiconductors //Solid State Rhys. 1963. - Vol.14. - R99-203.

115. Menyuk N., Dwight K., Wold A. Magnetic properties of MnCr2S4 // J.Appl.Phys. 1965. - Vol.36. - R1988-1991.

116. Baltzer RK., Robbins M., Wojtowicz P.J. Magnetic properties of the systems HgCr2S4 CdCr2S4 and ZnCr2Se4 -CdCr2Se4 // J.Appl.Phys. -1967. - Vol.38, № 3. - P.953-954.

117. Spender M.R., Morrish A.H. Static magnetization studies on the family of compounds Cdi-xFexCr2S4 // Can.J.Phys. 1971. - Vol.49. - R2659-2670.

118. Goodenough J.B. Descriptions of outer d electrons in thiospinels // J.Phys.Chem.Solids. 1969. - Vol.30. - R261-280.

119. Hustings J.M., Corliss L.M. Magnetic structure and metamagnetism of HgCr2S4 W J.Phys.Chem.Solids. 1968. - Vol.29. - R9-14.

120. Plumier R.J. Neutron diffraction study of helimagnetic spinel ZnCr2Se4 // J.Appl.Rhys. 1966. - Vol.37, № 3. - R964-965.

121. Lotgering F.K. On the antiferromagnetism of ZnCr2Se4 // Solid State Comm. 1965. - Vol.3. - R347-349.

122. Gi6art P., Dormann J.-L., Pellerin Y. Magnetic properties of FeCr2S4 and Cocr2S4//Phys.Stat.Sol. 1969. - Vol.36. -R187-194.

123. Gibart P., Robbins M., Lambrecht VG. New ferrimagnetic spinel compositions in the system MCr2S4-xSex, where M= Fe, Co, Mn // J.Phys.Chem.Solids. 1973. - Vol.34. - R1363-1368.

124. Denis J., Allain Y, Plumier R. Magnetic behaviour of MnCr2S4 in high magnetic fields //J.Appl.Phys. 1970. - Vol.41, № 3. -R1091-1093.

125. Mejai M., Nogues M. Magnetic structure of substituted MnCr2S4 // JMMM. 1980. - Vol. 15-18. - R487-489.

126. Lotgering F.K. Perromagnetism in spinels: CuCr2S4 and CuCr2Ste4 // Solid State Comm. 1964. - Vol.2, № 2. - R55-56.

127. Lotgering F.K., van Stapele R.P. Magnetic and electrical properties of copper containing sulphides and selenides with spinel structure // Solid State Comm. 1967. - Vol.5, № 2. - R143-146.

128. Lotgering F.K., van Stapele R.P. Magnetic properties and electrical conduction of copper containing sulpho- and selenospinels // J.AppLPhys. 1968. - Vol.39, № 2. - R417-423.

129. Goodenough J.B. Tetrahedral-site copper in chalcogenide spinels // Solid State Comm. 1967. - Vol.5, № 8. - R577-580.

130. Goodenough J.D. Description of outer d electrons in thiospinels //J.Phys.Chem.Solids. 1969. - Vol.30, № 2. - R261-280.

131. Kanomata T., Ido H: Effect of pressure on Curie temperature of chalcogenide spinels СиСг2Х4 (X=S,Se,Te) // J.Phys.Soc Jap. 1970. -Vol.29, № 2.-R332-335.

132. Гуденаф Д. Магнетизм и химическая связь. М.: Металлургия, 1968. -325 с

133. Colominas С. Neutron-diffraction investigation of CuCr2Se4 and СиСг2Те4 // Rhys.Rev. 1967! - yol.153, № 2. - R558-560.

134. Robbins M., Lehmann H.W., White J.G. // Neutron diffraction and electrical transport properties of CuCr2Se4 // J.Phys.Chem.Sol. 1967. -Vol.28, № 6.-R897-902.

135. Ковтун H.M., Калинников B.T., Шемяков A.A., Прокопенко В.К., Бабицына А.А. Об одном механизме фазового перехода из ферромагнитного в ферримагнипгное состояние // Письма в ЖЭТФ. -1977.-Т.25,В.З.-С.162-164.

136. Овчинников С.Г. Переменная валентность в халькогенидных хромовых шпинелях // ФТТ. 1979. - Т.21, № 10. - С.2994-3002.

137. Вальков В.В., Овчинников С.Г. Фазовый переход с изменением валентности в халькогенидных хромовых шпинелях // ФТТ. 1980. -Т.22, № 11.-0.3418-3425.

138. Figiel П., Kukucz J., Bom6ic А. NMR investigation of CuCr2Se4,xSex spinels//JMMM. 1980. - Vol.15-18. -R701-702.

139. Robbins М., Menth А., Miksovsky M.A., Sherwood R.C. Magnetic and crystallographic evidence for localization to delocalization of V d-electron levels in CuCr2.xVxS4 spinels // J.Phys.Chem.Sol. 1970. - Vol.31. -R 423-430.

140. Colombet R, Tremblet M., Danot M. Magnetic properties of the diluted B-spinels CuyC!M^2-yS4 (MA = Sn, Ti) // Rhys.Stat.Sol.(a). 1982. -Vol.72.-R105- 116.

141. Robbins M., Baltzer R.K., Lopatin E. Ferromagnetic halo-chalcogenide spinels (СиСг2Хз¥) and some properties of the systems СиСг28езВг-CuCr2Se4 СиСг2Тез1- СиСг2Те4 // J.Appl.Rhys. 1968. - Vol.39, № 2. -R662-664.

142. Sleight A.W., Jarret H.S. Preparation and properties of some copper chromium chalcogenides with the spinel structure // J.Phys.Chem.Sol. -1968.-Vol.29.-R868-870.

143. Цуркан B.B., Веселаго В.Г., Бабицына A.A., Тэзлэван B.E., Радиан СИ., Калинников В.Т. Температура фазового ; перехода парамагнетик-ферромагнетик в системе СиуСг28е4.хВгх // ФТТ. 1978. -Т.20,№9.-С.2863-2864.

144. Белов К.П., Третьяков Ю.Д., Гордеев И.В., Королева Л.И., Педько A.B., Смирновская Е.И., Алферов В.А., Саксонов Ю.Г Магнитные свойства халькогенидных хромитов меди // ФТТ. 1972. - Т. 14. -С2155-2157.

145. Miyatani К., Minematsu К., Wada Y., Okamoto R, Kato К., Baltzer RK. Magnetic and electrical properties of the CuCr2Se4.xBrx // J.Appl.Rhys. -1970. Vol.41, Xo 3. - R1085.

146. Miyatani K., Wada Y., Okamoto F. Magnetic properties of single crystal chalcogenide spinels; CuCr2X3Y (X=S, Se, Те; Y=C1, Br, I) systems // J.Phys.SocJapan. 1968. - Vol.25, № 2. - R369-372.

147. Yamashita O., Yamauchi H., Yamaguchi Y, Watanabe H. Magnetic properties of the system CuCr2Se4-xYx (Y=C1, Br) // J.Rhys.Soc Jap. -1979. Vol.47, № 2. - R.450-457.

148. Kanomata T, Shirakawa K., Kaneko T. Effect of pressure on Curie temperature of СиСг28е4.хВгх // J.Phys.Soc Jap. 1983. - Vol.52, № 4. -R1387-1393.

149. Payer A., Schmalz M., Paulus W, Schollhom R., Schlögl R., Ritter С Formation of Силлз clusters: structure, bonding, and topotactic reactivity of chalcogen spinels Cui±yCr2Se3Br // J.Sol.St.Chem. 1992. - Vol.98. -R71-81.

150. Yamashita O., Yamaguchi Y, Nakatani I., Watanabe H., Masumoto K. Polarized neutron diffraction study of CuCr2Se4 single crystal // J.Phys.SocJap. 1979. - Vol.46, № 4. - R1145-1152.

151. Iton H., Motida K. The magnetic moment distribution in CuCr2Se4 obtained by polarized neutron diffraction can be also explained on thebasis of Goodenough's model // J.Phys.Soc.Jap. 1980. - Vol.48, m 4. P.1380-1381.

152. Horikawa J.I., Hamajima T., Ogata P., Kambara T., Gondaira K.I. The spin polarized electronic band structure of chromium spinels: 1. CuCr2Se4 // J.Phys.C: Sol.State Phys. 1982. - Vol.15. - R2613-2623.

153. Siberchicot B. Electronic and magnetic properties of copper-containing sulfospinel: A Pirst-principles study //IEEE Trans.Magn. 1993. - Vol.29, №6.-P. 3249-3251.

154. Kanomata T., Ido H. Exchange strictions of chalcogen spinels СиСг2Х4 (X=S, Se, Te) // J.Phys.Soc Jap. 1974. - Vol.36, № 5. - P.1322-1324.

155. Валиев Л.М., Керимов И.Г., Бабаев C.X., Намазов З.М. Электрические свойства СиСг2Х4 (X=S, Se, Те) // Изв.АН Аз.ССР, сер.физ.-тех.и маг.наук. 1973. - № 3. - 44-49.

156. Королева Л.И., Шалимова М.А. Магнитные и транспортные свойства двойных и тройных твердых растворов халькошпинелей СиСг284, СиСг28е4, СиСг2Те4 // ФТТ 1979. - Т21, № 2. - С.449-455. .

157. Harbeke G., Pinch H. Magnetoabsorption in single crystal semiconducting ferromagnetic spinels // Phys.Rev.Lett. 1966. - Vol.7, № 21. - R1090-1092.

158. Lehmann H.W., Harbeke G. Semiconducting and optical properties of ferromagnetic CdCr2S4 and CdCr2Se4 // J.Appl.Phys. 1967. - Vol.38, №3.-P.946.

159. Haas C, van Run A.M.J.G., Bongers PR, Albers W. The magnetoresistance of n-type CdCr2Se4 // Solide St.Commun. 1967. -Vol.5,№8.-R657-661.

160. Lehmann H.W. Semiconducting properties of ferromagnetic CdCr2Se4 // Phys.Rev. 1967. - Vol.163, № 2. - R488-496.

161. Bongers P.P., Haas C, van Run A.M.J.G., Zanmarchi G. Magnetoresistance in chalcogenide spinels // J.Appl.Phys. 1969:-Vol.40,№3.-R958-9A3. .

162. Hone D., Lederer P., Héritier M. Impurity induced magnetic coupling in narrow 6and semiconductors // J.Physic/ 1975. -Vol.36. - R1249-1259.

163. Haas C. Spin-disorder scattering and magnetoresistance of magnetic semiconductors // Phys.Rev 1968. - Vol.168, № 2. - P.531-538.

164. Haas C. Magnetic semiconductors // ORG Critical Review Solid St.Sci. -1970.-Vol.1.-P.47-98.

165. Haas C. Spin-disorder scattering and band structure of the ferromagnetic chalcogenide spinel // JBM J.Res.Develop. 1970. - Vol.14, № 3. -R282-288.

166. Berger S., Ekstrom L. Optical properties of single crystal films // Phys.Rev.Lett. 1969. - Vol.23, № 26. - R1499-1503.

167. Wittekoek S., Bongers RF. Magneto-optical investigation of the hand edge of CdCr2S4 and related аЬ80ф11оп measurements on Cr-doped CdIn2S4 // JBM J.Res.Develop. 1970. - Vol. 14, № 3 - R312-314.

168. Голик Л.Л., Григорович СМ., Елинсон М.И., Кунькова З.Э., Украинский Ю.М. Поглощение и эффект Фарадея в пленках CdCr2Se4 // ФТТ. 1977. - Т. 19, № 2. - С629-631.

169. Овчинников СГ, Эдельман И.О., Дустмурадов Г Энергетическая структура и магнитооптические эффекты в CdCr2Se4 // ФТТ. 1977. -Т.21,№ 10.-С2927-2934.

170. Берсукер И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений. Л.:Химия, 1976. - 349 с.

171. Lehmann H.W., Robbins М Electrical transport properties of the insulating ferromagnetic spinels CdCr2S4 and CdCr2Se4 // J.Appl.Phys. -1966.- Vol.37, № 3. -R1389-1390.

172. Larsen P.K., Voermans A.B. Origin of the conductivity minimum and the negative magnetoresistance in n-type sulpho-spinels // JLPhysLChemLSolidsL- 1973. Vol.34, № 4. -R645-650.

173. Hayashi K., Tsushima T. Transport phenomena in CdixInxCr2Se4 // IEEE Trans.Magn. 1972. - Vol.8, № 3. - R276-281.

174. Amith A., Gunsalus G.L. Unique behaviow of Seebeck coefficient in «-type CdCr2Se4 // XAppLPhys. 1969.- Vol.40, № 3. - R1020-1022.

175. Amith A., Friedmann L.R. Mixed-conduction model for charge transport in n-type CdCr2Se4 //PhysLRevL 1970 - Vol.B2, № 2. -R434-445.

176. Treitinger L., Pink H., Gobel H. Influence of Se-deficiency on the properties of In-doped CdCr2Se4 single crystals // JLPhysLChemLSolidsL -1978. Vol.39, № 2. - R149-153.

177. Голик Л.Л., Новиков Л.Н., Аминов Т.Г, Жегалина В.А. Влияние вакансий селена на температурные зависимости сопротивления и магнитосопротивления CdCr2Se4 // ФТТ 1977. - Т19, № 9. - С.1823-1825.

178. Новиков Л.Н., Голик Л.Л., Аминов Т.Г, Жегалина В.А. Связь аномалий проводимости с «красным сдвигом» края поглощения в CdCr2Se4 «-типа // ФТТ 1979. - Т21, № Ю. - СЗ143-3146.

179. Merkulov A.I., Radautsan S.I., Tezlevan VE. The effect of the degree of doping on magneto-electrical properties of n- CdCr2Se4 // Rhys. Stat. Sol(6).- 1978. Vol.87, № 2. - RK141-K144.

180. Белов К.П., Королева Л.И., Баторова СД. Зонная структура и аномалии фотопроводимости, электросопротивления и магнитосопротивления халькогенидного соединения CdixGaxCT2Se4 // ЖЭТФ. 1976. - Т70, В.1. - С141-148.

181. Goldstein L., Gibart P., Selmi A. Transport properties of the ferromagnetic semiconductor HgCr2Se4 // J.Appl.Phys. 1978. - Vol.49, № 3. - R1417-1478.

182. Lehmann H.W., Emmenegger P.P. Crystal growth, semiconducting and optical properties of ferromagnetic HgCr2Se4 // Sol.St.Commun. 1969. -Vol.7, № 14.-P.965-96.8.

183. Kodama K., Nimi T, Electrical properties of CdCr2Se4. 1. p-type Ag-doped single crystals // Jap.J.Appl.Phys. 1980. - Vol.19, № 2. - R307-315.

184. Kodama K., Doi S., Matsumura T, Nimi T. Electrical properties of CdCr2Se4. 2. «-type In-doped single crystals // Jap.J.Appl.Phys. 1980. -Vol.19, № 2.-P.317-324.

185. Continho-Filho M.D., Balberg I. New evidence for a narrow conduction band in CdCr2Se4 //J.Appl.Phys. 1979. - Vol.50, № 3, part 2. - P.1920-1922.

186. Байрамов А.И., Гуревич А.Г, Эмирян Л.М., Парфенова H.H. Влияние вакансий селена на ферромагнитный резонанс в кристаллах CdCr2Se4, легированных серебром // ФТТ. 1977. - Т.19, № 9. - С.1668-1671.

187. Arai Т., Wakaki М., Anari S., Kudo К., Satoh Т., Tsushima Т. Magnetoahsorption in single-crystal HgCr2Se4 // J.Phys.Soc.Jap. 1973. -Vol.34, № 1.-P.68-73.

188. Busch G., Magyar В., Wächter P. Optical аб80фиоп of some ferro- and antiferromagnetic spinels containing CK4'^ ions // Phys.Lett. 1966. -Vol.23, № 7.-P.438-440.

189. Bongers P.P., Zanmarchi G. Infrared аб80ф11оп spectrum and Faraday rotation of ferromagnetic CdCr2Se4 // Sol.St.Commun. 1968. - Vol.6, №5.-P.291-294.

190. Ahrenkiel R.K., Moser R, Camall E., Martin Т., Pearhnan D., Lyu S.L., Cobum T, Lee Т.Н. Hot-pressed CdCr2S4: an efficient magneto-optic material // Appl.Phys.Lett. 1971. - Vol.18, № 5. - R171-173.

191. Jacobs S.D., Teegarden K.J., Ahrenkiel R.K. Faraday rotation optical isolator for 10,6 pm radiation // AppLOptics. 1974. - Vol.13, № 10. -R2313-2316.

192. Lehmann H.W., Harbeke G. Anómalos absoфtion-edge shift in the metamagnetic temperature range of HgCr2S4 // Phys.Rev.(B). 1970. -Vol.l,№l.-R319-326.

193. Lehmann H.W., Нагбеке О., Pinch Н. Optical transition between spin-polarized bands in magnetic chromium spinels // J.Physique. 1971. -T32,Col.Cl,Suppl.2-3. - C1-932-C1933.

194. White A.M. Theory of magnetically assisted indirect transitions in magnetic semiconductors // Phys.Rev.Lett. 1969. - Vol.23, № 15. -R858-860.

195. Wittekoek S., Bongers P.F. Observation of Q^MM absorption bands in CdIn2S4(Cr) and the consequences for the interpretation of the absoфtion edge of CdCr2S4 // Sol.St.Commun. 1969. - Vol.7, № 23. - P.1719-1722.

196. Нагбеке G., Lehmann H.W. Optical transitions and band structure model for cadmium chromium chalcogenides // Sol.St.Commun. 1970. - Vol.8, № 16.-P.1281-1285.

197. Ерухимов М.Ш., Эдельман И.О. Энергия электронных термов ионов Сг в магнитном полупроводнике CdCr2Se4. Красноярск, 1980. -28 с.(Препринт/Институт физики СО. - 147Ф).

198. Ерухимов М.Ш., Овчинников С.Г. Электронный спектр и поглощение света в магнитных полупроводниках // ФТТ. 1979. - Т.21, № 2. -С.351-358.

199. Ерухимов М.Ш. Влияние s-d(f)- гибридизации на поглощение света в примесных магнитных полупроводниках // ФТТ. 1980. - Т.22, № 6. -С.1660-1665.

200. Kambara Т., Oguchi Т., Gondaira K.I. Electronic band structure of semiconducting ferromagnetic spinels CdCr2S4 and CdCr2Se4 // J.Phys.C: Solid St.Phys. 1980. - Vol.13, № 8. - R1493-1511.

201. Barvik I. Energy band stractmre of magnetic semiconductor CdCr2Se4 in atomic sphere approximation // Czech.J.Phys. 1983. - В Vol.33, № 3. -P331-340.

202. Oguchi Т., Kambara Т., Gondaira K.I. Self-consistent electronic structures of magnetic semiconductors by a discrete variational Xa calculation.

203. Ferromagnetic spinels CdCr2S4 and CdCr2Se4 // Phys.Rev.B. 1980. -Vol.22, № 2.-P.872-879.

204. Oguchi T, Kambara Т., Gondaira K.I. Self-consistent electronic 81гис1ще8 of magnetic semiconductors by a discrete variational Xa calculation.

205. HgCr2Se4 // Phys.Rev.B. 1981. - Vol.24, № 6. - R3441-3444.

206. Barraclough K.G.,Meyer A. The CdSe-Cr2Se3 system and the formation of the ferromagnetic semiconducting spinel CdCr2Se4 // J.Cryst.Growth. -1973.-Vol.20.-P.212-216.

207. Kiyosava T, Masumoto K. P-T-phase diagram for ferromagnetic semiconducting CdCr2Se4 // J.Phys.Chem.Solids. 1977. - Vol.38. -R609-616.

208. Третьяков Ю.Д., Гордеев И.В., Алферов B.A., Саксонов Ю.Г Отклонение от стехиометрии халькогенидных хромитов со структурой шпинели // Изв. АН СССР. Неорган.материалы. 1972. -Т.8, № 12.-0.2215-2216

209. Вельский Н.К., Очертянова Л.И. Определение отклонений от стехиометрического состава кристаллов CdCr2Se4 атомно-абсорбционным методом // Журн.аналит.химии. 1980. - Т.35, В.З. -С.604-606.

210. Вельский Н.К., Очертянова Л.И., Жегалина В.А., Калинников В.Т. Область гомогенности ферромагнитного полупроводника CdCr2Se4 // Изв. АН СССР. Неорган.магериалы. 1984. - Т.20, № 5. - 0.762764.

211. Шабунина ГГ., Лужная Н.П., Калинников В.Т. Исследование взаимодействия в системе CdSe-Cr2Se3-Se // Журнал неорган, химии. -1981.-Т.26, №2.-0.476-481.

212. Вельский Н.К., Очертянова Л.И., Жегалина В.А. Атомно-абсорбционное определение давления пара над селенидом и селенохромитом кадмия // Изв. АН СССР. Неорган.магериалы. 1986. -Т.22, №2.-0.211-214.

213. Третьяков Ю.Д. Термодинамика ферритов.- Л.: Химия, 1967, 302 с.

214. Третьяков Ю.Д. Химия нестехиометрических окислов. Ы.: Изд-во Моск. ун-та, 1974. - С.364.

215. Нагаев Э.Л. Магнитные квазимолекулы в ферромагнитных полупроводниках // ФТТ 1969. - Т.П, т 12. - С.3438-3447.

216. Самохвалов А.А., Арбузова Т.Н., Симонова М.И., Фальковская Л.Д. Магнитные примесные состояния в Eui.xGdxO // ФТТ. 1973. - Т. 15, № 12.-0.3690-3692;

217. Pinch H.L., Berger S.B. The effects of non-stoichiometry on the magnetic properties of cadmium chromium chalcogenide spinels // J.Phys.Chem.Solids. 1968. - Vol.29, № 5. - R2091-2099.

218. Плещев В.Г., Герасимов А.Ф., Конев В.Н. Зависимость электрических свойств хромохалькогенидов кадмия от содержания халькогена в газовой фазе в интервале 500-700 °С II Изв. АН СССР Неорган.магериалы. 1975. - Т.П, № 4. - С.752-753.

219. Плещев В.Г, Конев В.Н., Герасимов А.Ф. Электрические и магнитные свойства CdCr2S4 и CdCr2!Se4 с различной степенью дефектности Свердловск, 1974. - 8 с. - Деп. в ВИНИТИ № 194-75.

220. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности, т.1. -М.: Изд-во иностр. лит., 1963. -415 с.

221. Чеботин В.Н. Физическая химия твердого тела. М.: Химия, 1982. -320 с.

222. Лужная Н.П., Шабунина ГГ., Калинников В.Т., Аминов Т.Г Тройная взаимная система 3CdSe + 2СгС1з = СггЗез + ЗСёСЬ // Журнал неорган, химии. 198L - Т2б, № 4. - С.1075-1080.

223. А.С. 476780 СССР. Способ получения монокристаллов тройных халькогенидных шпинелей. / Калинников В.Т., Аминов Т.Г, Вигилева Е.С., Шабунина ГГ, Зачагская А.В. 26 ноября 1973 г.

224. Philipsbora Н. Growth of single crystals of cadmium chromium selenide by liquid transport with platinum catalyst. // J.Appl.Phys. 1967. - Vol.38, №3.-P.955-956.

225. Philipshom H. Crystals growth and characterization of chromium sulfo-and seleno-spinels // J.Cryst.Growth. 1971. - Vol.9. - R296-304.

226. Shick L.K., von Neida A.R. Single crystals growA of CoCrS4 and FeCr2S4 . // J.CiystGrowth. 1969. - Vol.5. - R313-314.

227. Larson G.H., Sleight A.W. FMR studies of Ag-doped CdCr2Se4 // Phys.Lett. . 1968. - Vol.28A, № 3. - R203-204.

228. Kolowos I., Knobloch A., Sieler J. Darstellung von CdCr2Se4-Einkristallen dшch chemische transportreaktionen im system CdCr2Se4/CrCl3/Se // KristTechnik. 1974. - Vol.9, № 2. - R157-159.

229. Masumoto K., Nakatani I., Umemura H. Growth by vapor-liquid transport method and some properties of ferromagnetic semiconductor CdCr2S4 of single crystals // Japan.Bull.Electrotechn.Lab. 1975. - Vol.39, >fo 6. -R595-600.

230. Nakada I., Ojima M. The growth pattern on vapor grown FeCr2S4 single crystals // Japan.J.Appl.Phys. 1972. - Vol.11. - R1585.

231. Очертянова Л.И. Нестехиометрия и свойства ферромагнитного полупроводника тетраселенида дихрома-кадмия. Москва, 1986. -154 с. - Канд. дисс. в.ИОНХ РАН.

232. Шабунина ГГ., Аминов Т.Г. Исследование взаимодействия в системе Cu-Cr-S // Журн.неорган.химии. 1994. - Т39, № 9. - С. 1575-1579.

233. Белов К.П., Третьяков Ю.Д., Гордеев И.В., Королева Л.И., Педько А.В., Алферов В.А. Ферромагнитные халькогенидные шпинели // Ферримагнегизм. М.: МГУ, 1975. - С. 19-59.

234. Препаративные методы в химии твердого тела / Под ред. П.Хагенмюллера. М.: Мир, 1976. - 616 с.

235. Elwell D., Scheel H.J. Crystal growth from high-temperatwe solutions -Academic Press, 1975. 634 p.

236. Pinch H.L., Ekstrom L. Vapor-Phase Growth of Magnetic Semiconducting Spinels // RCA Rev. 1970. - R692-700.

237. Супруненко П.А., Кальная Г.И., Мурашко Н.И., Оболончик В.А. Магнитная восприимчивость тройных халькогенидов хрома // Изв. АН СССР Неорган.магериалы. 1974. - Т10, № 6. - С.1142-1144.

238. Lutz H.D., Lovasz С, Bertram К.Н., Sreckovic М., Brinker U. Growing of heavy-metal chalcogenide single crystals 6y chemical transport with aluminium chloride // Monatfiir Chemie. .1970. - Bd.lOl. - S.519-522.

239. Miyatani К., Minematsu К., Wada Y., Okamoto R, Kato K., Baltzer RK. Magnetic and electrical properties of СиСг28е4-хВгх and CuCr2Se4-xGlx // J.Rhys.Chem.Sol. 1971. - Vol.32. -R 1429-1434.

240. Радауцан СИ., Молодян И.П., Коваль Л .С, Кузьменко ГС Выращивание кристаллов магнитных полупроводников // Физика и химия сложных полупроводников. Кишинев: Штиинца, 1975. -С158-169.

241. КОСТЮК Я.И., Жуков Э.Г, Аминов Т.Г, Юрин Н.М., Шаханов Н.М., Калинников В.Т. Получение и свойства монокристаллов тиохромита меди // Изв. АН CCCR Неорган.магериалы. 1984. - Т.20, № 2. -С343-345.

242. Черницына М.Л., Калинников В.Т., Бабицына А.А., Емельянова Т.А. Исследование взаимодействия СиСг28е4 с некоторыми солями // Журн.неорган.химии. 1978. - Т.23, Nol. - С77-80

243. Бабицьша А.А., Емельянова Т.А., Черницьша М.Л., Калинников В.Т. Синтез монокристаллов СиСг2 8е4 // Журн.неорган.химии. г 1978. -Т.23,№1.-С.267-268.

244. Volkov V V, Van Tendeloo G., Van Landuyt J., Amelinckx 8., Busheva E.V,Aminov T.G., 81iabmiina G.G., Novotortsev V.M. HREM Image Analisys up to 8tructwe Determination of 8ЬСг8ез: A new ID Fenromagnet // J.8olid 8tate Chem. 1997. - Vol.132. - R257-266.

245. Odink D. A., Carteaux V., Payen C, Ouvrard. G. Synthesis and structure of Сг8Ь8ез: a pseudo-one-dimentional ferromagnet // Chem.Mater. 1993. -VolL5L-PL237-240L

246. Colombet P., Danot M. Spin-glass behaviow of the Си2хСг2х8п2-2х84 spinels: an antferromagnetic finsrated lattice for x < 0,5 // Solid State Commun. 1983. - Vol.45. - № 4. - R311-314.

247. Engelsman F.M.R., Wiegers G.A., Jellinek P., Van Laar B. Crystal structures and magnetic structwes of some metal(I) chromium(in) sulfides and selenides // J.Solid State Chem. 1973. - Vol.6. - R574-582.

248. Камышева B.K., Витинг Л.М., Гордеев И.В., Третьяков Ю.Д. Диаграммы плавкости систем хлоридный расплав-халькохромит кадмия М., 1975. - Деп. в ВИНИТИ № 840-75.

249. Kuse D. Influence of magnetic ordering on the Faraday effect in CdCr2Se4 // IBM J.Res.Development. 1970. - Vol.14. - R315-317.

250. Алиханян A.C, Стеблевский A.B., Калинников В.Т, Аминов Т.Г, Лазарев В.Б., Гринберг Я.Х., Горгораки В.И. Масс-спекгрометрическое исследование испарения CdCr28e4 // Изв. АН СССР Неорган.магериалы. 1977. - Т13, № 7. - С.1194-1197.

251. Wada J., Ametani К. Thermal stabihties of some magnetic chromium chalcogenides with spinel and hexagonal structwes // Thermochim.acta. -1971. Vol.2.-№ 3.-P.237-243.

252. Жегалина В.А., Аракелян З.С., Калинников В.Т., Гринберг Я.Х. Р-Т-х- фазовая диаграмма и отклонение от стехиометрии в СггЗсз // Журн.неорган.химии. 1980. - Т.25, № 10. - С.2807-2810.

253. Новоселова А.В., Пашинкин А.С. Давление пара летучих халькогенидов металлов. М.: Наука, 1978. - 110 с.

254. Илларионов В.В., Лапина Л.М. Ассоциационные состояния селена в газовой фазе //Докл. АН СССР. 1957. - Т.114, № 5. - С .1021-1023.

255. Григорович СМ., Новоселова А.В., Украинский Ю.М. Термическая устойчивость халькогенидов трехвалентного хрома // Изв. АН СССР. Неорган.магериалы. 1975. - Т11, № 12. - С2125-2128.

256. Белов К.П., Королева Л.И., Баторова С Д. Зонная структура и аномалии фогороводимости, электросопротивления и магнитосопротивления халькогенидного соединения CdixGaxCT2Se4 // ЖЭТФ. 1976. - Т70, № 1. - С.141-148.

257. Hlidek Р., Zvara М., Prosser V., ChiterrickeT S. Magnetooptical effects in the impurity spectral region of CdCr2Se4 // J.de Phys. 1980. - Vol.41. -Coll. C5, suppl. au n.6. - P.C5-335-C5-337.

258. Lee Т.Н. Infrared reflectance of CdCr2Se4 and CdCr2S4 // J.Appl.Phys. -1972. Vol.42. -R1441-1442.

259. Мошняга В. Т., Анзин В.Б., Голант К. М., Тарасов В.И., Юрин И.М. Исследование спектров поглощения в магнитном полупроводнике CdCr2Se4. Москва, 1982. - 29 с.(Препринт/АН СССР, ФИ; № 191).

260. Treitinger L., Brendecke Н. Impurity band in indoped CdCr2Se4 observed in the spectral dependence of the photoconductivity // Mat.Res.Bull. -1977.-Vol. 12,№10.-R1021-1025.

261. Новиков Л. Н., Голик Л. Л., Аминов Т. Г., Жегалина В. А. Фотоэлектрические свойства CdCr2Se4 //ФТТ 1980. - Т.22, №10. -С3032-3039.

262. Эмирян Л. М., Гуревич А. Г, Шукюров А. С, Бержанский В. Н. Особенности ферромагнитного резонанса в магнитном полупроводнике HgCr2Se4 // ФТТ 1981. - Т23, №10. - С.2916-2922.

263. Myatatani К., Okamoto Р., Baltzer R К., Osaka S., Ока Т. Optical properties of impurity levels in CdCr2Se4 and CdCT2S4 // 17AIR Annu. Conf «Magn. and Magn. Mat.». Chicago, Ш, N.Y. 1972. - Vol.5, Part 1.- R285-289.

264. Ауслендер М.И., Бебенин Н.Г, Особенности зонной структуры и поглощения вблизи края ф)шдаментальной полосы в ферромагнитных полупроводниках CdCr2Se4 и HgCr2Se4 // ФТТ. 1988. - ТЗО, №4. -С.945-950.

265. Голант К.М., Махоткин В.Е., Веселаго В.Г. Об определении точки Кюри ферромагнетиков по температурной зависимости динамической магнитной проницаемости // ФТТ. 1975. - Т. 17, №8. - С2279-2281.

266. Rushbrooke G.S., Wood RJ. On the Curie points and high temperature susceptihilities of Heisenherg model ferromagnetics // Mol.Rhys. 1958. -Vol. l,№3.-R.257-283.

267. Wojtowicz R.J., Joseph R.I. High-temperature susceptibility of Heisenberg ferromagnets having first- and second-neighbour interactions // Rhys.Rev. 1964. - Vol.135. - RA1314-A1317.

268. Srivastava VC. Pressure dependence of ferromagnetic phase transitions of chromium chalcogenide spinels // J.Appl.Rhys. 1969. - Vol.40, № 3. -R1017-1019.

269. Дэн A., Нефф, Атхале P.A., Ли C.X. Двумерные пространственные модуляторы света: Методический обзор // ТИИЭР. 1990. - .Т.78, № 5. -С.29-57

270. Балбашов A.M., Червоненкис А.Я. Магнитные материалы для микроэлектроники. М.: Энергия, 1979. - 217 с.

271. Балбашов A.M., Комлев А.А., Микаэлян А.Л., Столяров А.К., Червоненкис А.Я. Управляемые транспаранты на магнрггных кристаллах // Квантовая электроника. 1977. - Т.4, № 9. - 0.19331943

272. А.с. 982090 СССР. Магнитооптический транспарант. / Медников А.М., Петров А.А., Попков А.Ф., Сотогач В.Т., Клин В.П., Нам Б.П.

273. А.с. 299465 СССР. Магнитооптический транспарант. / Лошкарева Н.Н., Сухоруков Ю.П., Самохвалов А.А., Аминов Т.Г. 01 августа 1989 г

274. Червоненкис А.Я., Балбашов A.M. «Цветные» домены в эпитаксиальных плецАках Bi-содержащих гранатов // ФТТ. 1976. -Т18, №4.-0.1106-1108.

275. Лошкарева Н.Н., Сухоруков Ю.П., Самохвалов А.А., Шувалов В.А., Карташев Е.В., Чеботаев Н.М., Наумов СВ., Аминов Т.Г. Магнитоуправляемый полосовой ИК фильтр // Письма в ЖТФ. 1992. -Т18, №23.-0.10-13.

276. Lotgering F.K. Mixed crystals 6etween binary sulphides or selenides with spinel structwe // J.PhysLChem.SolidsL 1968. - Vol.29. - R699-709.

277. Ametani K. Composition of single crystals of chromium chalcogenide spinels grown by chemical vapor transport // BuU.Chem.Soc.JapL 1976. -Vol.49, № 2.-P.450-456.

278. Белов К.П., Третьяков Ю.Д., Гордеев И.В., Королева Л.И., Педько А.В., Багорова С.Д., Алферов В.А., Саксонов Ю.Г., Шалимова М.А. Магнитные свойства халькогенидных шпинелей CdLxCuxCr2S4, CdCr2Se4-y FeCr2S4-Y// ФТТ 1973. - Т15, № 10. - С.3106-3108.

279. Гольдшмидт В.М. Кристаллохимия. Л.: ОНТИ, 1937. - 62 с.

280. Krok-Kowalski J., Rej Н., Gron Т., Warczewski J., Mydlarz Т., Okonska-Kozlowska I. Influence of the su6stitution of Cu ions for Cd ions on the crystallographic and magnetic properties of Cdi.xCuxCr2Se4 spinels // JMMM. 1994. - Vol.137. - R329-338.

281. Бабицына A.A., Калинников B.T., Ковтун H.M., Прокопенко B.K., Шемяков А.А. Природа электропроводности меднохромовых халькогенидных шпинелей // ФТТ. 1981. - Т.23, В.8. - С.2444-2446.

282. Кривоглаз М.А. Состояние носителей тока в магнитных полупроводниках // Успехи физических наук. 1972. -Т. 106, № 2. -С.360-364.

283. Von Molnar S., Methfessel S. Giant negative magnetoresistance in fen-omagnetic Eui.xGdxSe// J.Appl.Phys. 1967. - Vol.38, >f0 3. - R959-964.

284. Yanase A. Magnetic pelaron in the paramagnetic semiconductor // Intem.J.Magnetism. 1972. - Vol.2, № 3. - R99-115.

285. Белов К.П., Королева Л.И., Баторова С.Д., Калинников В.Т., Аминов Т.Г., Шабунина ГГ. Электрические и магнитные свойства монокристаллов CdCr2Se4, легированных индием // Письма в ЖЭТФ.- 1975. Т.22, № 5. - С.304-307.

286. Меркулов А.И., Радауцан СИ., Тэзлэван В.И. Особенности электропроводности монокристаллов CdCr2Se4 при замещении кадмия индием // ФТТ 1981. - Т23, № 6. - С1795-1800.

287. Медведева З.С Халькогениды элементов Ш Б подгруппы периодической систещАы. М.: Наука, 1968. - 216 с.

288. Rodrigues-Carvajal J.L. Recent Advances in Magnetic 81гис1ще Determination 6y Neutron Powder Diffraction // Rhysica B. 1993. -Vol.192, № 1.-R55-69.

289. Takahashi Т., MinematsuK., Miyatani K. Single Crystal GrovsA and Some Properties of Hgi.xInxCr2Se4 // J.Phys.Chem.Solids. 1971. - Vol.32, № 5. -R1007-1013.

290. Berger S.B., Budnick J.I., Burch T. Systematics of the hyperfíne and exchange interactions in the chromium chalcogenide spinels // Phys.Rev. -1969. Vol.179, № 2. - R272-274.

291. Gilleo M.A. Superexchange interaction in ferrimagnetic garnets and spinels wich contain randomly incomplete linkage // J.Phys.Chem.Solids.- I960.-Vol. 13,№ 1.-R33-39.

292. Doroshev YD., Klochan V.A., Kovtun N.M., Seleznev V.N. The effect of dipole and anisotropic hyperfine fields on NMR of "Fe in lithimn ferrite Lio5Fe2504 // Phys.status.Solids. 1972. - Vol.9. - P.679-689.

293. Абеляшев Г.Н., Бержансьсий B.H., Федотов Ю.В. Магнитная гетерогенность ферромагнитных полупроводников на основе CdCr2Se4 // Письма в ЖЭТФ. 1987. - Т45, № 1. - С.34-37.

294. Абеляшев Г.Н., Бержанский В.Н., Федотов Ю.В. ЯМР ядер "Сг в шпинели CdCr2Se4 , легированной индием // ФТТ. 1986. - Т.28, № 8. - С.2548-2550.

295. Мотг П., Дэвис С. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. 368 с.

296. Бассани Ф., Пастори Паравиччини Дж. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. М.: Наука, 1982. 392 с.

297. Batlogg В. et al. Presswe dependent optical absorption edge shift and compressibility of CdCr2Se4 single crystals // Solid St.Commmi. 1978. -Vol.28, № 7.-P.567-570.

298. Кунькова З.Э. Оптические и магнитооптические свойства магнитных полупроводников АСГ2Х4 (А- Cd, Hg; Х- Se, S) / Автореф.дис.канд.физ.-маг.наук. М.: ИРЭ АН СССР, 1985. - 21 с.

299. Север Г.Н. Аномальный фотомагнитоэлектрический эффект в ферромагнитном полупроводнике CdCr2Se4 // ФТП. 1983. - Т. 17, №8.-С.1505-1507.

300. Голик Л.Л., Григорович СМ., Елинсон М.И., Кунькова З.Э., Украинский Ю.М. Поглощение и эффект Фарадея в пленках CdCr2Se4 // ФТТ 1977. - Т19, № 2. - С.629-631.

301. Taniguchi М., Kato Y., Narita S. Thermoeflectance spectra of CdCr2Se4 in the vicinity of the Curie temperatwe // Sohd St.Conunun. 1975. -Vol.16, № 2.-P.261-264.

302. Stoyanov S.G., Iliev M.N., Stoyanova SP. Magnetic-order-induced band splitting in the thermomodulation spectra in the ferromagnetic semiconductor CdCr2Se4 // Phys.Stat.Sol.(a). 1975. - Vol.30, № 1. -P133-140.

303. Минаков A.A., Филатов A.B. Магнитная структура полупроводника ZnxCdi.xCr2Se4 и влияние на нее легирования при критических концентрациях х II Тезисы II семинара по аморфному магнетизму. -Красноярск, 1980. 0.129.

304. Мягков А.В., Минаков А.А., Рудов СГ. Исследование восприимчивости спиновых стекол системы ZnxCdi.xCr2Se4 с кубической магнитокристалической анизотропией Москва, 1983. -43 с. (Препринт/АН СССР, ФИ; № 224).

305. Мягков А.В., Минаков А.А., Рудов СГ Исследование магнитной вязкости и восприимчивости спиновых стекол системы ZnxCdi.xCr2Se4 // Тезисы ХУ1 Всес. конф. по физике магнитных явлений. Тула, 1983.-С.29-30.

306. Мягков А.В., Минаков А.А. Исследование спиновых стекол системы ZnxCdi.xCr2Se4// Труды ИОФАН. 1986. - ТЗ. - С.143-149.

307. Plmnier R.J., Longi M. Mise en evidence par diffraction des neutrons d'un terme d'ectande 6icuadratic dans l'helimagneticue Ago,5lno.5Cr2S4.// Solid State Communs. 1971. - Vol.9. - P.413-416.

308. Knapp B. M., Sinclair P., Wilkinson С. A method for indexing neutron powder diffraction peaks from spiral spin antiferromagnets // J.Appl.Cryst. -Vol. 1974.-R370-372.

309. Дзялошинский И.Е. О характере фазовых переходов в геликоидальное или синусоидальное состояние магнетиков // ЖЭТФ. 1977. - Т.72. -С.1930-1937.

310. Plumier R., Lecomte M., Miedan-Gros A., Sougi M. Observation of a first order macro- to microdomains transition in helimagnetic normal spinel ZnCr2Se4 // Phys. Lett. A. 1975. - Vol.55, № 4. - R239-241.

311. Kleinberger R., Kouchkovsky R. de. Etude radiocristallographique a basse temperature du spinelle ZnCr2Se4 // C.R.Acad.Sci. (France). ,- 1966. -Vol.262, № 9.-P.628-630.

312. Siratori K. Magnetic resonance of ZnCr2Se4 with screw spin structure // J.Phys.Soc.Japan. 1971. - Vol.30, № 3. - R709-719.

313. Kawanishi S., Tasaki A., Siratori K. Anisofropy in ZnCr2Se4: Mn // J.Phys.SocJapan. 1978. - Vol.45, № 1. - R80-85.

314. Akimitsu J., Siratori K., Shirane G., lizumi M., Watanabe T. Neufron scattering study of ZnCr2Se4 with screw spin structure // J.Phys.SocJapan.- 1978. Vol.44, № 1. - R172-180.

315. Watanabe T. Elecfrical resistivity and Hall effect of ZnCr2Se4 //J.Phys.Soc.Japan. 1974. - Vol.37, № 1. -R140-144.

316. Plumier R.J. Confribution a Tetude des interaction magnétiques dans quelques spinelles ferri et antiferromagnetiques normaux étudies par diffraction des neufrons. P.: Theses, 1966. 140 p.

317. Siratori K., Sakurai F.A Effect of Mn impurites on the screw structure of ZnCr2Se4 // J.Phys.Soc.Japan. 1975. - Vol.38, № 3. - R701-709.

318. Новик Ю. 3., Озеров P. П., Хеннинг К. Структурная нейтронография.- М. : Атомиздаг, 1979, Т1. 439 с.

319. Walstedt R.W., Walker L.R. Monte Carlo simulation of a spin-glass transition // Phys.Rev.Lett. 1981. - Vol.47, № 22. - R1624-1627.

320. Soukouhs СМ., Grest O.S., Levin К. A6sence of irreversibility in isofropic Heisenberg spin-glasses: Anisofropy effects // Phys.Rev.Lett. -1983. Vol.50, № 1.-R80-83.

321. Levy P.M., Mordan-Pond C, Pert A. Origin of anisofropy in fransition metal spin glass alloys // J.Appl.Phys. 1982.- Vol.53, № 3. - R2168-2173.

322. Hamedoun M., Zerhouni A., Rachadi A., Slimani M., Benyoussef A. Exchange integrals and magnetic properties of mixed chromium spinelsystems: Zni.xAxCr2X4 (A=Cd, Hg and X=S, Se) // Phys.Stat.Sol.(b). -1995.-Vol. 192.-P.159-165.

323. Hamedoun M., Hourmatallah A., Zerhouni A., Benzakour N., Belayachi A., Nogues M. Critical 6ehaviour and critical exponents in ZnxCdi.xCr2Se4 compounds (0,35<x<0,45) // Phys.Stat.SoL(6). 1997. - Vol.203. - R521-528.

324. Benzakour N., Hamedoun M., Houssa M., Hourmatallah A., Mahjoubi F. Critical properties of the magnetically disordered B-spinel hehaviour and critical exponents in ZnxCdi.xCr2Se4 (0,35<x<0,58) // Phys.Stat.Sol.(b). -1999. Vol.212. - R335-342.

325. Afif K., Benyoussef A., Hamedoun M., Hourmatallah A. Phase diagram of ZnCr2pAl2.2pS4 and Zni.pCdpCr2Se4// Phys.Stat.Sol.(a). 1999. - Vol.171. -P571-575.

326. Stanley H.E. Introduction to Phase Transition and Critical Phenomena. -Oxford.: Oxford University Press, 1971. 331 p.

327. Collins M.F. Magnetic Critical Scattering. Oxford.: Oxford .University Press, 1989.-296 p.

328. Коваленко A.A., Нагаев Э.Л. Магнетосопротивление невырожденных ферромагнйггных полупроводников // ФТТ 1979. - Т.21, № 4. -С.1075-1079.

329. Физико-химические свойства .полупроводниковых вепдеств. Сгфавочник. М.: Наука, 1979. - 339 с.

330. Шпинель B.C. Резонанс гайма-лучей в кристаллах. М.: Наука, 1969. - 408 с.

331. Riedel Е., Dutzman Т. Mossbauer-untersuchungen an Thiospinellen П. Das System Zno.75Feo,25Cr2(SLxSex)4.//Mater.Res.BulL 1980. - Vol.15. -P.1409-1418.

332. Садыхов P.3., Валиев Л.М., Гусейнов Д.А., Исмаилов А.О. Переход антиферромагнетизм ферромагнетизм в системе Fei.xZnxCr2S4 // ФТТ - 1984. - Т26, № 4. - С.1206-1208.

333. Wiedenmann А., Hamedoun М., Rossat-Mignod J. Short-range ordering in the spin glass system ZnCr2xAl2.2xS4// J.Phys.C:Solid State Phys. 1985. -Vol. 18.-P.2549-2561.

334. Калинин B.A., Осиенко M.C., Ольшанский A.B. и др. Флоренсовит -новый минерал группы линеита // ЗВМО. 1989. - Вып.1. - С.729-732.

335. Третьяков Ю.Д., Саксонов Ю.Г., Алферов В.А., Гордеев И.В. Синтез халькогенхромитов с частичным гомо- или гетеровалентным замещением халькогена // Изв. АН СССР. Неорган.материалы. 1975. -Т11,№ 11.-С.2064-2065.

336. Шаскольская М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1984. -391с.

337. Sheldrick G.M. Program for the Refinement of Crystal 81гис1ше8. -Germany, University of Gottingen, 1993.

338. Chojnacki K. Elements of the Chemical and Physical Crystallography. -Warsaw: PWN, 1973.

339. Dulac J., Dшif A. Etude de deux antimoniates Spinells // C.R.Acad.Sci. -1960. Vol.251, № 5. - R747-750.

340. Bayer G. Double Oxides of Antimony Pentoxide with Spinel Structure // Naturwissenschaften. 1961. - В. 4^ № 2. - R46-47.

341. Casado P. Garcia, Rasines I. Preparation and crystallographic investigation of the spinel series: Mn+2sCr2-3sSbs04 (0,05 < s < 0,30) // Polyhedron. -Vol.4, №3.-R517-520.

342. Wintenberger M., Andre G. Magnetic Struc^e of the Mineral Berthierite FeSb2S4//PhysicaB. 1989. - Vol.156-157. - P.315-317.

343. Шелимова Л.Е., Томашик B.H., Грьщив В.Н. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении. Системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Р6. М.: Наука, 1991. - 368с.

344. Алиев О.М., Максудова ТФ., Самсонова Н.Д. и др. Синтез и свойства соединений типа АВ2Х4, АВ4Х7 и А3В4Х9 // Изв. АН СССР Неорган.материалы. 1986. - Т.22, № 1. - С.29-33.

345. Самохвалов A.A., Арбузова Т.И., Бабушкин B.C., Гижевский Б.А., Лошкарева H.H., Симонова М.И., Чеботаев Н.М. Ферримагнитный полупроводник Сио.5рео.5Сг284 с температурой Кюри, выше комнатной // ФТТ 1980. - Т.22, № 1. - С.250-252.

346. Бабицына A.A., Емельянова ТА. Диаграмма состояния CuSbSe2 -Сг28е2 // Журн.неорган.химии. 1987. - Т32, №2. - С.539-540.

347. Прокопенко В.К., Прохоренко Ю.И., Шемяков A.A., Мещикова Т.К., Губская Г.Ф., Калинников В.Т. Валентные состояния ионов в твердых растворах CuCr2(i.x)V2xS4//Изв. АН СССР. Неорган.материалы. 1982. -Т18, №4.-0.630-632.

348. Warczewski J., Kusz J., Filimonov D.S., Kessler Ya.A., Koroleva L.I., Mikheev M.G., Odintsov A.G., Aminov Т.О., Busheva E.V., ShabuninaG.G. // New antiferromagnetic semiconductor CuCri,5860,584 // JMMM. -1997. Vol.175. - P.299-303.

349. Чеботаев H.M., Арбузова Т.И., Самохвалов A.A. Повышение температуры Кюри в приконтактном слое структуры ферромагнитный полупроводник металл // ФТТ. - 1990. - Т.32, № 8. - С.2460-2462.

350. Королева Л.И. Антиферронные состояния носителей заряда в ферромагнитных полупроводниках СиСг284-х8ех (0,5 < х < 1) с точками Кюри выше комнатной температуры // ЖЭТФ. 1994. -Т. 106,№1.-С.280-296.

351. Белов К.П., Вировец Т.В., Королева Л.И., Машаев М.Х. Фазовый переход спиновое стекло дальний магнитный порядок в полупроводниковых шпинелях CuCr 1,5+0,5x860,5-0.5x84 {х = 0,34 и 0,4) // Письма в ЖЭТФ. - 1996. - Т64, № 4. -'С.265-269.

352. Уайт Р. Квантовая теория магнетизма. М.: Мир, 1988. 303 с.

353. Марук СВ., Садыков Р.А., Аминов Т.Г., Америкова Е.В., Руднев А.В. Влияние ионов 86 на магнитные свойства шпинели СиСг2 84 // Фогомагнегизм (Труды ИОФАН, т.44). М.: Наука, 1993. - 0.173176.

354. Аминов Т.Г., Евдокимов В.Б. Установка для измерения магнитных свойств // Ж.физ.химии. 1966. -Т40, № 12. - С.3103-3105.

355. Аминов Т.Г., Евдокимов В.Б. Лекоторые вопросы методики магнитных измерений // Ж.физ.химии. 1967. -Т.41, № 2. - С.506-509.

356. Бердышев А.А. Ферромагнитные полупроводники, в которых обменная связь осуществляется через электроны проводимости // ФТТ 1966. - Т8. - С1382-1389

357. Rys Р. Influence of ferromagnetic ordering of ion spins on conducting electrons // Phys.Kondens.Materie. 1967. - Vol.6, № 1. - R105-125.

358. Стиль M., Вюрал Б. Взаимодействие волн в плазме твердого тела. -М.: Атомиздат, 1973. л 291 С.

359. Jacobs 8.D. Faraday rotation, optical isolation and modulation at 10,6 ц using hot-pressed cdcr28e4 and cdcr284 // J.Electronic materials. 1975. - Vol.4,№2.-P.223-241.

360. Гоутц А.Ф.Х., Уэллмэн Дж.Б., Барнс УЛ. Дистанщюнное зондирование Земли в оптическом диапазоне волн // ТИИЭР. 1985. -Т73, № 6. - С7-29.

361. Козелкин В.В., Усольцев И.Ф. Основы инфракрасной техники. М.: Машиностроение, 1985. - 264 с.

362. Нагаев Э.Л. Ферромагнитные полупроводники с гигантским синим сдвигом края поглощения // ЖЭТФ (Письма). 1977. - Т.25, № 2- С87-90.