Разработка материалов и процессов для формирования системы металлизации СБИС субмикронного уровня тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Климовицкий, Анатолий Григорьевич

• Климовицкий, Анатолий Григорьевич
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Климовицкий, Анатолий Григорьевич

Введение.

1. Проблемы технологии формирования токоведущих слоёв металлизации субмикронной СБИС.

1.1. Система металлизации современной ИС.

1.1.1. Современные технологии формирования многоуровневой металлизации СБИС.

1.1.2. Барьерные материалы в современной ИС.

1.1.2.1. Пассивные диффузионно-барьерные слои.

1.1.2.2. Реактивные (расходуемые) диффузионные барьеры.

1.1.2.3. "Заполненные" диффузионные барьеры.

1.1.3. Стабильность тонкопленочного аморфного сплава.

1.1.4. Анализ деградации ДБС в составе многослойной твердофазной системы.

1.1.5. Критерии выбора материала диффузионно-барьерного слоя.

Заключения по разделу 1.1.

1.2. Формирование медного проводящего слоя в ИС субмикронного уровня.

1.2.1. Способы формирования медного проводящего слоя.

1.2.2. Температура плавления тонких плёнок.

1.2.3. Межфазная поверхностная энергия и краевые углы смачивания45 Заключения по разделу 1.2.

2. Методика проведения эксперимента, оборудование и материалы.

2.1. Методика нанесения металлических плёнок.

2.2. Методика термической обработки образцов.

2.3. Методы исследования образцов.

2.3.1. Исследование структуры плёнок.

2.3.2. Исследование элементного состава слоёв.

2.3.3. Исследование поверхности и скола образцов.

2.3.4. Расчёт изменения поверхностного сопротивления.

2.3.5. Анализ механических напряжений в многослойной структуре.

2.4. Подготовка тестовых образцов.

2.4.1. Образцы для ПЭМ.

2.4.2. Образцы для разработки технологии заполнения медью канавок с высоким аспектным соотношением.

2.5. Процесс электрохимического осаждения меди.

2.6. Реактивное ионное плазменное травление.

3. Разработка диффузионно-барьерного слоя для многоуровневой системы металлизации.

3.1. Критерии выбора материала ДБС для системы металлизации ИС.

3.2. Разработка ДБС для медной СМ.

3.2.1. Обоснование выбора сплава Ta-W-N для ДБС в составе медной СМ.

3.2.2. Исследование структуры сплава Ta-W-N.

3.2.3. Исследование стабильности медной системы металлизации с ДБС на основе сплава Ta-W-N.

3.2.4. Обоснование использования двухслойного ДБС для медной СМ.,.

3.2.5. Исследование стабильности медной системы металлизации с двухслойным ДБС.

3.2.6. Медная СМ с мелкозалегающим КС CoSi2.

3.3. Разработка ДБС для алюминиевой СМ.

3.3.1. Обоснование выбора сплава Ta-W-N для ДБС в составе СМ на основе алюминия.

3.3.2. Исследование влияния предварительного отжига ДБС на основе сплава Ta-W на его барьерные свойства для алюминиевой СМ.

3.3.3. Исследование влияния концентрации азота на барьерные свойства сплава Ta-W-N в составе алюминиевой СМ.

Заключения по разделам 3.1.-3.3.

3.4. Исследование механических свойств ДБС Ta-W-N.

3.4.1. Механические напряжения, привносимые слоями СМ.

3.4.2. Прочностные и адгезионные свойства сплава Ta-W-N.

Заключения по разделу 3.4.

3.5. Оптимизация процесса реактивного ионного травления ДБС на основе сплава Ta-W.

4. Разработка технологии формирования медного ПС для СМ с субмикронным рельефом.

Введение.

4.1. Изучение процесса плавления плёнки меди на поверхности сплава Ta-W-N.

Заключения по разделу 4.1.

4.2. Разработка процесса заполнения медью канавок субмикронного размера.

4.2.1. Исследование исходных тестовых структур; равномерность осаждения плёнок магнетронным методом.

4.2.2. Плавление медной плёнки на поверхности сплава Ta-W-N на тестовой структуре.

4.2.3. Заполнение медью узких канавок и контактных окон.

4.2.4. Электрохимическое дозаращивание канавок субмикронного размера медью.

Заключения по разделу 4.2.

Выводы по диссертационной работе.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка материалов и процессов для формирования системы металлизации СБИС субмикронного уровня»

Актуальность работы:

На всём протяжении развития микроэлектроники основной тенденцией было и остаётся снижение размеров элементов. Современная система металлизации (СМ) представляет собой сложную структуру, состоящую из слоёв различного функционального назначения и нескольких уровней (до 15) межсоединений. Развитие в этой области сопровождалось переходом материала межсоединений от А1 на Си, что было обусловлено стремлением к увеличению быстродействия приборов ИС и повышению их стабильности СМ в процессе эксплуатации. Эта замена потребовала коренного изменения в технологии формирования межсоединений и разработки технологии Damascene, которая основана на вытравливании в изолирующем материале канавок и их последующем заполнении медью. Высокое аспектное соотношение и малый размер углублений, которые необходимо заполнять медью, привели к необходимости использования новых методов осаждения, в частности электрохимического осаждения. На сегодняшний день начато освоение нанометровой области, и уже в ближайшем будущем существующая технология может столкнуться с проблемой беспустотного заполнения, которая связана с различием в скорости осаждения меди на поверхности и внутри углубления.

Другой проблемой перехода к медным межсоединениям в совокупности с тенденцией к уменьшению размеров является большая диффузионная подвижность Си в различных материалах. Это вынуждает окружать медные межсоединения со всех сторон диффузионно-барьерным слоем (ДБС). Поскольку уменьшение размеров пробора приводит к утонению ДБС, то проблема эффективного блокирования диффузии меди в другие слои и области ИС обостряется. В результате возникает необходимость поиска новых стабильных барьерных материалов. Проблемы с разработкой ДБС связаны с отсутствием научно-обоснованной методики выбора барьерного материала для конкретных практических задач. Анализ литературных данных указывает на то, что в большинстве случаев разработка материалов для ДБС велась чисто эмпирическим путём.

О недостаточной надёжности существующей технологии производства медной СМ говорит тот факт, что СБИС, выполненные по заказу Минобороны США, в настоящее время изготавливаются по технологическим нормам не менее

0.35 мкм с алюминиевой металлизацией [1], в то время как достигнутые технологические нормы с медными межсоединениями составляют 0,09 мкм.

В связи с вышеизложенным, разработка материалов и процессов для формирования системы металлизации СБИС субмикронного уровня является актуальной темой.

Цель работы:

Основной целью настоящей работы является разработка нового подхода к формированию межсоединений СБИС субмикронного размера. Исходя из этого, конкретные задачи данной работы состояли в следующем:

- Разработка и исследование нового процесса заполнения узких углублений субмикронного размера, упрощающего формирование ПС по технологии Damascene.

- Разработка и исследование нового стабильного в широком диапазоне температур ДБС для медной СМ.

Научная новизна диссертационной работы:

1) Предложены принципы построения стабильной многоуровневой СМ, в основе которых лежат критерии выбора материала для ДБС, совместимого по основным признакам с остальными слоями металлизации.

2) Произведен научно-обоснованный выбор нового барьерного материала Та-W-N. Изучены его электрофизические, механические и адгезионные свойства. Исследована стабильность ДБС Ta-W-N в составе различных многослойных систем. Показана высокая эффективность барьерных свойств предложенного материала.

3) Обнаружено снижение температуры плавления плёнок Си на поверхности сплава Ta-W-N в зависимости от их толщины. Установлено, что плавление сопровождается процессом изменения формы плёнки. Изучены стадии этого процесса и предложен описывающий его механизм.

4) Предложен новый подход к формированию медных межсоединений СБИС субмикронного уровня, основанный на изученном эффекте низкотемпературного плавления плёнки Си, сопровождающийся процессом изменения её формы. Обоснована необходимость и описаны требования к свойствам смачивающего слоя для реализации этого процесса.

Практическая ценность результатов работы состоит в следующем:

1) Разработаны критерии выбора, которые позволяют разрабатывать новые материалы диффузионно-барьерных слоёв.

2) Разработан новый универсальный стабильный ДБС состоящий из Ta-W-N, и показана возможность его использования в технологии изготовления СБИС.

3) Разработан новый стабильный ДБС Ta-W-N/TiN для СМ с медными межсоединениями и показана возможность его изготовления с использованием процесса самоформирования КС CoSi2

4) Разработан новый способ формирования медных межсоединений СБИС субмикронного уровня, использующий эффект низкотемпературного плавления тонких плёнок.

Научные положения, выносимые на защиту:

1) Критерии выбора диффузионно-барьерного материала.

2) Выбор состава и условий формирования сплава Ta-W-N для ДБС алюминиевой и медной СМ с использованием предложенных критериев.

3) Механизм процесса плавления тонкой плёнки меди на поверхности сплава Ta-W-N сопровождающийся её диспергированием на капли.

4) Подход к формированию медных межсоединений СБИС субмикронного уровня, основанный на эффекте низкотемпературного плавления плёнки Си на поверхности сплава Ta-W-N, сопровождающегося процессом изменения формы.

Апробация работы:

Результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

1) Восьмая всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2001" (Зеленоград, 18-19 апреля, 2001 г.).

2) Всероссийская научно-техническая конференция "Микро- и нано-электроника - 2001" с участием зарубежных учёных (г. Звенигород, пансионат "Липки", 1-5 октября, 2001 г.).

3) Первая всероссийская конференция молодых учёных по физическому материаловедению (г. Калуга, 4-7 октября, 2001г.).

4) Девятая всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2002" (г. Зеленоград, 18-19 апреля, 2002 г.).

5) IV Международная научно-техническая конференция "Электроника и информатика - 2002" (г. Зеленоград, 19-21 ноября, 2002 г.).

6) Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2003» (г. Москва, 18-19 апреля, 2003г.) (два доклада).

7) International Conference "Micro- and nanoelectronics - 2003" (Russia, Zvenigorod, October 6-10, 2003).

Всего по теме работы опубликовано 15 печатных работ и подано 2 заявки на патент, на одну из них к моменту рассылки автореферата получено положительное решение.

Структура и объём работы:

Диссертация состоит из введения, четырёх глав, основных выводов, библиографии, включающей 101 наименование, содержит 135 страниц, в том числе 46 рисунков и 6 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Климовицкий, Анатолий Григорьевич

ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЕ

1) На основе физико-химического анализа условий существования многослойной гетерогенной системы предложены принципы построения стабильной СМ, в основе которых лежит стабильный барьерный материал из сплава Ta-W-N, совместимый по основным признакам с остальными слоями металлизации, и новый способ формирования медных межсоединений СБИС субмикронного уровня, использующий эффект низкотемпературного плавления тонких плёнок.

2) На основе анализа причин деградации многослойных структур, содержащие различные ДБС, разработаны критерии выбора барьерных материалов, совместимых по основным физико-химическим признакам с другими слоями металлизации, позволяющие обеспечить высокую стабильность СМ в целом. Высокая стабильность достигается путём уменьшения движущей силы деградации многослойной структуры и увеличения кинетических ограничений её реализации.

3) Используя предложенные критерии, разработан барьерный сплав Ta3o-W4o-N3o. Проведено экспериментальное исследование его барьерных свойства в контакте с другими слоями СМ. Определён температурный диапазон его стабильного существования в контакте с медью до 875°С, в контакте с TiSi2 до 750°С, в контакте с Si02 до 875°С, в контакте с А1 до 610°С.

4) Изучено изменение электрического сопротивления сплава Ta-W-N в зависимости от содержания азота и температуры изотермического отжига в вакууме. Показано, что увеличение содержания азота приводит к росту сопротивления сплава от 70 до 250 мкОмсм. Проведение термического отжига при температуре до 875°С сплава состава Ta3o-W4o-N3o приводит к возрастанию удельного сопротивления ~25%.

5) Исследован процесс реактивного ионного травления в фтор- и хлорсодержащей плазме. Определён состав травителя, и оптимизированы параметры процесса с учётом получения наибольшей скорости и селективности травления по отношению к Si02 и А1.

6) Проведена оценка механических напряжений в многослойных структурах SOG/Al(Cu)/Ta-W-N/TiSi2/Si и SOG/Al(Cu)/TiN/TiSi2/Si, где в качестве ДБС использовался TiN и Ta-W-N. Путём качественного сравнения показано, что сплав

Ta-W-N привносит меньшие механические напряжения. Поэтому, в совокупности с другими его положительными свойствами, использование сплава Ta-W-N для ДБС предпочтительнее.

7) Обнаружено снижение температуры плавления для плёнки Си на поверхности сплава Ta-W-N в зависимости от её толщины. Предложен механизм, описывающий этот процесс. Показано, что такой процесс обусловлен тремя одновременно протекающими процессами: плавление, оптимизация формы и кристаллизация. Научно обоснован вид функции, к которой адекватно аппроксимируются экспериментальные данные.

8) Теоретически обоснована и экспериментально продемонстрирована возможность использования процесса низкотемпературного плавления, сопровождающегося оптимизацией формы медной плёнки, для заполнения узких отверстий и канавок субмикронного размера, который может быть использован для формирования медных межсоединений по технологии Damascene. Обоснована необходимость и описаны требования к свойствам смачивающего слоя для его осуществления.

9) Предложен новый метод изготовления СМ, включающий использование процесса самоформирования КС CoSi2 и ДБС TiN из плёнки сплава Ti-Co-N с последующим формированием ДБС Ta-W-N и медных межсоединений, используя низкотемпературное плавление тонких плёнок.

В заключение автор выражает искреннюю благодарность профессору кафедры МПТЭ д.т.н. Громову Д.Г. за плодотворные консультации и постоянную помощь в работе. Кроме того, признателен за активное участие в обсуждении работы и ценные рекомендации д.т.н. проф. Гаврилову С.А.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Климовицкий, Анатолий Григорьевич, 2004 год

1. Жорес Алферов. О состоянии и перспективах развитиях полупроводниковой электроники в России. -Доклад в Государственной Думе ФС РФ, 20.05.2004. http://www.cnews.ru/newcom/index.shtml72004/05/31/159471.

2. International Technology Roadmap for Semiconductors 2003. http://public.itrs.net/

3. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. -М.:Мир, 1986, -176 с.

4. Достанко А.П., Баранов В.В., Шаталов В.В. Пленочные токопроводящие системы СБИС. -Минск: Выш. шк., 1989. 238 с.

5. Под ред. Сорокина И. Н. Технология электронных компонентов -М.: МИЭТ, 1999, 100 с.

6. Junji Imahori, Takeo Oku, Masanori Murakami. -Thin Solid Films, 1997, v. 301, pp. 142-148.

7. M. Uekubo, T. Oku, K. Nii, M. Murakami, K. Takahiro, S. Yam. aguchi, T. Nakano and T. Ohta. -Thin Solid Films, 1996, v. 286, p. 170.

8. T. Oku, E. Kawakami, M. Uekubo, K. Takahiro, S. Yamaguchi and M. Murakami. -Appl. Surf. Sci., 1996, v. 99, p. 265.

9. M.H. Tsai, S.C. Sun, C.E. Tsai, S.H. Chuang and H.T. Chiu. -J. Appl. Phys., 1996, v. 79, p. 6932.

10. Stavrev M, Fischer D, Praessler F, Wenzel C, Drescher K. -J Vac. Sci. Technol A, 1999, v. 17, p. 993.

11. Kaloyeros AE, Chen X, Stark T, Mumar K, Seo S-C, Peterson GC, Frisch HL, Arkles B, Sullivan. -J. Electrochem Soc, 1999, v. 146, p. 170.

12. E. Kolawa, J.S. Chen, J.S. Reid, P.J. Pokela and M. -A. Nicolet, J. Appl. Phys., 1991, v. 70, p. 1369.

13. Kohn, M. Eizenberg, Y. Shacham-Diamand, B. Israel, Y. Sverdlov. -microelectronic Engineering, 2001, v. 55, pp. 297-303.

14. S.-Q. Wang, I.J. Raaijmakers, B.J. Burrow, S. Suthar, S. Redkar and K.-B. Kim. -J. Appl. Phys., 1990, v. 68, p. 5176.

15. T. Iijima, Y. Shimooka and K. Suguro. -Trans. Inst. Electron. Inform. Comm. Eng., J78-C-UII, 1995, p. 266.

16. L. Le Brizoual, S. Guilet, G. Lemperiere, A. Granier, N. Coulon, M. Lancin, G. Turban. -Microelectronic Engineering, 2000, v. 50, pp. 509-513.

17. S. Riedel, S.E. Schulz, J. Baumann, M. Rennau, T. Gessner. -Microelectronic Engineering, 2001, v. 55, pp. 213-218.

18. J.S. Reid, E. Kolawa, R.P. Ruiz and M.-A. Nicolet. -Thin Solid. Films, 1993, v. 236, pp.319.

19. Cheng-Li Lin, Shaw-Ru Ku, Mao-Chieh Chen. -Jpn. J. Appl. Phys., 2001, v. 40 pp. 4181-4186.

20. D. Fischer , T. Scherg , J.G. Bauer , H.-J. Schulze , C. Wenzel. -Microelectronic Engineering, 2000, v. 50, pp. 459 464.

21. M.-A. Nicolet, P.J. Pokela, C.-K. Kwok, E. Kolawa, S.Raud. -Appl. Surf. Sci., 1991, v. 53, pp. 364-372.

22. E. Kolawa, X. Sun, J.S. Chen, M.-A. Nicolet and R. Ruiz. -Thin. Solid Films, 1993, v. 236, p. 301.

23. A.-M. Dutron, E.Blanquet, C. Bernard, A.Bachli, R.Madar. -Appl. Surf. Science, 1995, v. 91, pp. 277-284.

24. M.-A. Nicolet-Thin Solid Films, 1978, v. 52, pp. 415-443.

25. C.W. Nelson. Proceedings of the International Symposium on Hybrid Microelectronic (International Society of Hybrid Microelectronics). -Montgomery, Dallas, TX, 1969, p. 413.

26. J.P. Lu, W.Y. Hsu, Q.Z. Hong et al. Thermal stability of Al/barrier/TiSix multilayer structures. -Thin Solid Films, 1998, v. 320, pp. 20-25.

27. Sproul WD, Rothstein R. -Thin Solid Films, 1985, v. 60, p. 257.

28. Olowolafe J.O., Li Jian, Colgan F.G. -Appl. Phys. Lett., 1991, v. 58, № 5, pp. 469471.

29. I. Suni, M. Maenpaa, M.-A. Nicolet. -J. Electrochem. Soc., 1983, v. 130, pp. 12151218.

30. B.O. Johansson, J.-E. Sundgren, U. Helmersson, M.K. Hibbs. -Appl. Phys. Lett., 1984, v. 44, pp. 670-672.

31. F.T.J. Smith. -J. Appl. Phys., 1970, v. 41, pp. 4227-4231.

32. R. Nowak, S. Marino. -Mater. Sci. Eng., 1995, v. A 202, pp. 226-237.

33. R. Nowak, C.L. Li, Evaluation of HfN thin films considered as diffusion barriers in the Al/HfN/Si system. -Thin Solid Films, 1997, v. 305, pp. 297-303.

34. C.Y. Ting. -J. Vac. Sci. Technol., 1982, v. 21, pp. 14-18.

35. Tomi Laurila. Tantalum-based diffusion barriers for copper metallization. -Helsinki University of Technology Department of Electrical and Communications Engineering Laboratory of Electronics Production Technology, Espoo 2001, p. 58.

36. Груздин П. Л.-ДАН СССР, 1951, т. 80, №1, 115-119 стр.

37. С.Е. Ramberg, Е. Blanquet, М. Pons, С. Bernard, R. Madar. -Microelectronic Engineering, 2000, v. 50, pp. 357-368.

38. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. -М.: Металлургия, 1988, 574 стр.

39. W.J. Ward, К.М. Carroll. -J. Electrochem. Soc., 1982, v. 129 № 1, pp. 227-229.

40. Warren F. Mcarthur, Ken M. Ring, Karen L. Kavanagh. Cu diffusion and structural degradation of amorphous metal silicon nitride barriers for ulsi interconnects. -Final Report 1997-98 for MICRO Project #97-078 Industrial Sponsor(s): Sputtered Films Inc.

41. Физический энциклопедический словарь. Под ред. A.M. Прохорова -М.: «Советская энциклопедия», 1984, стр. 4-8, 944 стр.

42. Е. Kolawa, J.M. Molarius, C.W. Nieh, M.-A. Nicolet. -J. Vac. Sci. Tech., 1990, v. A 8, p. 3006.

43. M.-A. Nicolet. -App. Surf. Sci., 1995, v. 91, pp. 269-276.

44. J.S. Reid, E. Kolawa, M.-A. Nicolet. -J. Mater. Res., 1992, v. 7, № 9, pp. 24242428.

45. J.S. Reid, X. Sun, E. Kolawa, M.-A. Nicolet. -IEEE Electron. Device Lett, 1994, v. 15, №8, pp. 298-300.

46. Кекало И.Б. Аморфные магнитные материалы, часть I. -М.: Учеба, МИСиС, 2001,279 стр.

47. Зинер К. Роль энтропии в стабилизации фаз. В кн.: -Устойчивость фаз в металлах и сплавах. // Сборник статей под ред. Каменейкой Д.С. -М.: Мир, 1970, 408 стр.

48. Громов Д.Г. Материалы и процессы формирования многослойной металлизации кремниевых СБИС. // Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. -М: МИЭТ, 2002г.

49. Климовицкий А.Г., Громов Д.Г., Евдокимов B.JL, Личманов И.О., Мочалов А.И., Сулимин А.Д. Материалы для металлизации кремниевых СБИС. -М.: Электронная промышленность, 2002, №1, 60-66 стр.

50. Сейдман Л.А. Реактивное нанесение в вакууме слоев нитрида титана и применение их в системах контактной металлизации полупроводниковых приборов // Обзоры по ЭТ. Сер.2. Полупроводниковые приборы. Вып. 6 (1366), 1988.

51. Шебзухов А. А. Поверхностная сегрегация в разбавленных металлических растворах. Поверхность. Физика, химия, механика. -1983, №8, 13-22 стр.

52. Свойства элементов. Справочник. Под ред. Г.В.Самсонова. -М.: Металлургия, 1976, ч. 1, Физические свойства, 599 стр. Ч. 2, Химические свойства, -383 стр.

53. Верятин У.Д., Маширев В.П., Рябцев Н.Г., Тарасов В.И., Рогозкин Б.Д., Коробов И.В. Термодинамические свойства неорганических веществ. Справочник. // Под ред. А.П.Зефирова. -М.: Атомиздат, 1965, 460 стр.

54. Wagman D.D., Evans W.H., Parker V.B. The NBS tables of chemical thermodynamic properties. -National Bureau of Standards, Washington DC, 1982.

55. Miedema A.R., Boom R., De Boer F.R. On the heat of formation of solid alloys -J. Less-Common Metals, 1975, pp. 283-298.

56. G. Steinlesberger, M. Engelhardt, G. Schindler, J. Kretz, W. Steinhogl, E. Bertagnolli. Processing technology for the investigation of sub-50 nm copper damascene interconnects. -Solid-State Electronics, 2003, v. 47, pp. 1237-1241.

57. Helneder H., Korner H., Mitchell A., Schwerd M., Seidel U. Comparison of copper damascene and aluminum RIE metallization in BICMOS technology. -Microelectronic Engineering, 2001, v.55, pp. 257-268.

58. M.J. Shaw, et al. 'Seedless' Electrochemical Deposition of Copper on PVD-W2N Liner Materials for ULSI Devices -Journal of Electronic Materials, December 2001, p. 1602.

59. AH Eftekhari. I mproving Cu metallization of Si by electrodeposition under centrifugal fields. -Microelectronic Engineering, 2003, v. 69, pp. 17-25.

60. Pascal Doppelt. Copper CVD precursors and processes for advanced metallization (Invited lecture). -Microelectronic Engineering, 1997, v. 37/38, pp. 89-95.

61. D. Bollmann, R. Merkel, A. Klumpp. Conformal copper deposition in deep trenches. -Microelectronic Engineering, 1997, v. 37/38, pp. 105-110.

62. Y. Morand. Copper metallization for advanced 1С: requirements and technological solutions. -Microelectronic Engineering, 2000, v. 50, pp. 391^101.

63. M. Proust, F. Judong, J.M. Gilet, L. Liauzu, R. Madar. CVD and PVD copper integration for dual damascene metallization in a 0.18 mm process. -Microelectronic Engineering, 2001, v. 55, pp. 269-275.

64. Stickney В., Nguyen В., Basol В., Uzoh C., Talieh H. Topography reduction for copper damascene interconnects. -Solid State Technology, 2003, № 8, pp. 49-54.

65. Kondo S., Sakuma N., Homma Y., Goto Y., Ohashi N., Yama guchi H., Owada N. Abrasive-free polishing for copper damascene interconnection. -J. Electrochem. Soc., 2000, v. 147, №10 pp. 3907-3913.

66. Lebrecht von Trotha et al. Advanced MEMS fabrication using CMP. -Semiconductor International, 2004, v. 8, №1.

67. T. Du et al. Chemical mechanical polishing of nickel for application in MEMS devices. -Microelectronic Engineering, August 2004, Volume 75, Issue 2, pp. 234-241.

68. Zeidler D., Stavreva Z., Plotner M., Dresher K., The interaction between different barrier metals and the copper surface during the chemical-mechanical polishing. -Microelectronic Engineering, 1997, v. 37/38, pp. 237-243.

69. Комник Ю.Ф. Физика металлических пленок. -М.: Атомиздат, 1979.

70. Гладких Н.Т. и др. Диаграммы состояния тугоплавких ОЦК-металлов в тонких плёнках: В кн.: -Нитевидные кристаллы и неферромагнитные плёнки. -Воронеж: Изд. ВПИ, 1970, ч. 2, 122 стр.

71. Denbigh P.N., Marcus R.B. Structure of very thin tantalum and molybdenum films. -J. Appl. Phys., 1966, v.37, p. 4325.

72. Бублик А.И., Пинес Б.Я. Фазовый переход при изменении толщины в тонких металлических плёнках. ДАН СССР, 1952, т.87, 907 стр.

73. Платник J1.C. Комник Ю.Ф. Исследование температуры плавления тонких конденсированных слоев Sn и Bi ФММ, 1960, т.9, 374 стр.

74. Wronski C.R.M. The size dependence of the melting point of small particles of tin. -Brit. J. Appl. Phys, 1967, v. 18, p. 1731.

75. Coombes C.J. The melting of small particles of lead and indium. -J. Phys. F: Metal Phys., 1972, v. 2. p. 441.

76. Гладких H.T. и др. Понижение температуры плавления тонких плёнок висмута на различных подложках. В кн.: -Поверхностная диффузия и растекание. -М.: Наука, 1969, 222 стр.

77. Кабардин О.Ф. Физика. Справочные материалы. -М.: Просвещение, 1991, 367 стр.

78. Сивухин Д.В. Термодинамика и молекулярная физика. -М.: Наука, 1990, 592 стр.

79. Захаров Н.П., Багдасарян А.В. Механические явления в интегральных структурах. -М.: Радио и связь, 1992, 144 стр.

80. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. 409 стр.

81. Мочалов А.И., Пугачевич В.П. Материалы и методы создания слабопроникающих термостабильных контактов кремниевых ИС. -Физико-химические процессы микроэлектронной технологии. Сб.науч.тр. М.: МИЭТ. 1993, 65-97 стр.

82. Касенов Б.К., Алдабергенов М.К., Пашинкин А.С. Термодинамические методы в химии и металлургии. -Алма-Ата: Учебно-научно-производственная внедренческая фирма «Айдын», 1994.

83. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. -М.: Металлургиздат, 1962, т. 1 ит. 2.

84. Larry Kaufman, Р.Е.А. Turchi, Weiming Huang, Zi-Kui Liu. Thermodynamics of The Cr-Ta-W System by Combining the Ab Initio and CALPHAD Methods. -Calphad, 2001, v. 25, №3, pp. 419-433.

85. Громов Д.Г. Физико-химические процессы формирования многослойной структуры при твердофазном взаимодействии тонких пленок сплавов переходных металлов с кремнием -Известия вузов: Электроника, № 1-2, 1999, 17-30 стр.

86. Gromov D.G., Mochalov A.I., Pugachevich V.P., Sorokin I.N. Interaction between binary alloy thin films and silicon substrate: the conditions of bilayer formation and the effect of additional component -Appl. Phys. A, 2000, v. 70, pp. 333-340.

87. Плазменная технология в производстве СБИС. Пер. с англ. Под ред. Айнспрука Н.Г. и Брауна Д.М. -М.: Мир, 1987.-470с.

88. Z. Zhang, М. Zhao, Q. Juang. Melting temperatures of semiconductor nanocrystals in the mesoscopic size range. -Semicond. Sci. Technol. 2001, v. 16, pp. 33-35.

89. Goldstein A.N., Ether C.M., Alivisatos A.P. -Science, 1992, v.256, p. 1425.

90. Shi F.G. -J. Mater. Res., 1994, v.9, 1307.

91. N.V. Rozhanskii, V.O. Lifshits, A.G. Akimov. ТЕМ study of the growth of Pd2Si islands from Pd-Ta films on Si. -Philosophical Magazine A, 1992, vol. 66, № 2, pp. 307318.

92. Палатник Л.С., Сорокин В.К. Материаловедение в микроэлектронике. -М.: Энергия, 1978, 280 стр.1. УТВЕРЖДАЮ1. Директор

93. Федерального государственного унитарногой

94. Акт об использовании результатов диссертационной работы Климовицкого А.Г.

95. УТВЕРЖДАЮ Заместитель ген. Директора по HP, и завод «Микрон»1. П.С. Приходько2004г.1. МП

96. Акт об апробации результатов диссертационной работы Климовицкого А.Г.

97. Разработка материалов и процессов для формирования системы металлизации СБИС субмикронного уровня»

98. Акт об использовании в учебной работе результатов диссертационной работы «Разработка материалов и процессов для формирования системы металлизации СБИС субмикронного уровня» Климовицкого А.Г.

99. В курсе лекций «Технология интегральных микросхем» использован аналитический и экспериментальный материал, касающийся стабильности системы металлизации и технологии изготовления межсоединений СБИС.