Роль винтовой дислокационной составляющей в пластической релаксации полупроводниковых гетеросистем: Анализ процесса и моделирование тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Колесников, Алексей Викторович

• Колесников, Алексей Викторович
• кандидат физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Колесников, Алексей Викторович

Введение.

ГЛАВА 1. Основные взаимодействия между дислокациями несоответствия (обзор литературы).

1.1. Геометрия систем скольжения и влияние симметрии границы

раздела (001) на введение дислокаций несоответствия.

1.2. Протекание реакций между пронизывающими дислокациями при введении ДН и в процессе дальнейшего роста пленки.

1.3. Реакции между дислокацией несоответствия и пересекающей ее подвижной пронизывающей дислокацией.

1.4. Источники возникновения дислокаций несоответствия. Накапливание дислокаций несоответствия с идентичным вектором Бюргерса. ф 1.5. Влияние винтовой дислокационной составляющей на взаимодействия ДН. Критический анализ литературных данных.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Роль винтовой дислокационной составляющей в пластической релаксации полупроводниковых гетеросистем: Анализ процесса и моделирование»

Для полупроводниковых эпитаксиальных систем распространенным вариантом релаксации механических напряжений является введение дислокаций несоответствия (ДН) в границу раздела. Для гетеросистем с кристаллической решеткой типа алмаза и сфалерита наибольшее распространение получили границы раздела (001) и (111). Обычно в эти границы вводятся ДН, для которых угол между вектором Бюргерса и линией дислокации составляет 60°. Поскольку доля винтовой компоненты вектора значительна (50%), то необходимо тщательно изучить ее влияния на протекание процесса релаксации и на структуру дислокационной сетки, формируемой вблизи границы раздела.

Для плоского скопления винтовых дислокаций, расположенного в объеме однородного неограниченного кристалла, в теоретической монографии [1] показано, что вдали от плоскости их залегания формируется поле однородных сдвиговых (или сжимающе-растягивающих) напряжений. При удалении от данной плоскости на величину, превышающую среднее расстояние между соседними дислокациями в семействе, величина указанных напряжений постоянна. На основе данных [1] для полупроводниковых систем показано [2], что семейство одноименных ДН, содержащих винтовую составляющую, формирует в объеме эпитаксиальной пленки дальнодействующие сдвиговые напряжения (ДСН), которые не компенсируют какие-либо напряжения псевдоморфной пленки и в силу этого факта являются избыточными, т.е. при достижении определенного уровня ДСН вызывают протекание соответствующих релаксационных процессов. Поэтому разработка корректной теоретической модели процесса пластической релаксации невозможна без учета винтовой дислокационной составляющей.

Возможным путем уменьшения плотности неподвижных ПД может стать управление процессом релаксации. Это позволит уменьшить число ПД, например, за счет протекания междислокационных реакций. В последнее время появился ряд работ, в которых продемонстрировано воздействие на процессы введения ДН в гетерограницу с целью накапливания дислокаций определенного типа [3], однако влияние винтовой дислокационной составляющей на протекание данного процесса не проанализировано. В то же время в работе [4] установлено, что накапливание ДН одного типа приводит к формированию поля дальнодействующих сдвиговых напряжений (ДСН) в эпитаксиальной пленке.

Как известно из основополагающих работ [1, 5, 6], существуют лево- и правовинтовые дислокации. Тип винтовой составляющей относится к фундаментальным признакам дислокаций, однако его влияние на протекание релаксационного процесса в целом, а также на такие частные вопросы, как взаимодействие между ПД и дислокациями несоответствия в мировой литературе практически не исследовано. Это влияние может приводить к изменению структуры пленки, например, к увеличению плотности пронизывающих дислокаций, что обусловливает актуальность предлагаемой диссертационной работы.

Целью настоящей диссертации является установление влияния винтовой составляющей дислокаций несоответствия на эволюцию напряженного состояния, связанную с протеканием пластической релаксации эпитаксиальной пленки, а также на структурное состояние гетеросистемы, в том числе и на формирование прорастающих дислокаций.

Основными задачами диссертации являются:

1. установление зависимости типа винтовых компонент вектора Бюргерса дислокаций несоответствия от ориентации границы раздела пленка-подложка при гетероэпитаксии материалов с решетками типа алмаза или сфалерита;

2. определение закономерностей формирования структурных дефектов и изменения механических напряжений в гетероэпитаксиальных пленках во взаимосвязи со знаком и величиной винтовой составляющей вектора Бюргерса дислокаций несоответствия;

3. развитие представлений о квазиравновесном процессе введения дислокаций несоответствия путем моделирования упругого состояния пленки;

4. проверка адекватности модельных расчетов путем сравнения расчетных и экспериментальных данных по релаксации напряжений несоответствия в гетеросистемах GeSi/Si и InGaAs/GaAs.

Научная новизна работы состоит в следующем.

1. Для сингулярных и вицинальных ориентаций срезов (001), (111) и (011) рассмотрены закономерности возникновения дальнодействующих сдвиговых напряжений и обусловленные их присутствием особенности трансформации кристаллической решетки алмаза или сфалерита в процессе пластической релаксации гетеросистем.

2. Для гетеросистем с указанными кристаллическими решетками изучено влияние ориентации границы раздела на тип винтовой составляющей ДН.

3. На основе исследования реакций между подвижными пронизывающими дислокациями и анализа напряженного состояния гетеросистемы с границей раздела (001) определены условия, способствующие минимизации накапливаемой упругой энергии.

Научная и практическая значимость диссертации.

Изучение влияния винтовой дислокационной составляющей на энергию и структурное состояние гетеросистемы позволило объяснить ряд экспериментальных данных по образованию фрагментарной структуры и трещин в эпитаксиальных пленках. На основе проведенного в диссертации анализа реакций между различными семействами дислокаций несоответствия сформулированы требования, выполнение которых будет способствовать решению проблемы уменьшения плотности пронизывающих дислокаций. Определены условия, при которых в гетеросистеме возможно возникновение дальнодействующего поля сдвиговых напряжений. Увеличение количества семейств ДН, принимающих участие в релаксации, позволяет избежать формирования поля ДСН, но может приводить к возрастанию плотности неподвижных пронизывающих дислокаций. На основе проведенного анализа показано, что тип винтовой составляющей ДН существенно влияет на протекание пластической релаксации напряжений несоответствия и может являться причиной накапливания неподвижных пронизывающих дислокаций в эпитаксиальных слоях. В мировой литературе для уменьшения числа неподвижных пронизывающих дислокаций предлагается формирование сетки ДН из двух взаимно перпендикулярных семейств с идентичным вектором Бюргерса [3]. В диссертации на основе анализа роли винтовой дислокационной составляющей показано, что при формировании такой сетки ДН уменьшение плотности неподвижных ПД имеет место только на начальной стадии процесса релаксации. Рассмотрены более корректные варианты дислокационных сеток.

В главе 1 на основе анализа литературных данных установлена взаимосвязь таких явлений, как плотность пронизывающих дислокаций и протекание реакций между вводимыми в гетеросистему дислокациями несоответствия. Показано, что уменьшения плотности неподвижных пронизывающих дислокаций можно достичь за счет уменьшения числа дислокационных семейств, участвующих в формировании дислокационной сетки. В случае границы раздела (001) минимальным числом дислокационных семейств является два. Показано, что распространенное в мировой литературе представление о том, что в оптимальном случае пластической релаксации все ДН границы раздела (001) должны иметь одинаковые векторы Бюргерса [5-10], не является убедительным. Такое представление получено без учета свойств винтовой дислокационной составляющей и сформулированы задачи диссертации по изучению этих свойств.

В главе 2 для всех возможных ориентаций гетеросистемы с кристаллической решеткой типа алмаза или сфалерита изучены трансформации типа винтовой составляющей дислокаций несоответствия из левого в правый или наоборот. ДН имеют вектора Бюргерса типа (а/2)<110> и плоскости скольжения - {111}. Ориентации гетеросистем представлены единичным стереографическим треугольником с вершинами [001], [111] и [110]. Для данного треугольника определены границы, при пересечении которых изменяется винтовая составляющая ДН. Установлено, что существует два вида данных границ. При пересечении границ 1-го вида становится равной нулю винтовая дислокационная компонента, а при пересечении границ 2-го вида обращается в нуль краевая компонента. Для введения семейств 60° ДН в границы раздела, имеющие сингулярные ориентаций (001), (111) и

110) определены условия возникновения полей дальнодействующих сдвиговых напряжений и условия их отсутствия. Для множества вицинальных ориентаций (001),

111) и (110) определены изменения критической толщины эпитаксиальной пленки в зависимости от величины угла отклонения у от строго сингулярной ориентации (0<у<10°). Установлены подмножества вицинальных ориентаций, для которых в квазиравновесных условиях поля дальнодействующих сдвиговых напряжений возникают или не возникают. Установлены вицинальные ориентации, для которых наблюдается анизотропия процесса релаксации, т.е. его зависимость от направления залегания дислокационных семейств.

В главе 3 разработана теоретическая модель описания упругого состояния гетеросистемы при введении чисто краевых дислокаций несоответствия в границу раздела гетеросистемы. В развиваемой модели вычислению упругой энергии гетеросистемы предшествует суммирование тензоров напряжений различной природы: напряжений псевдоморфной пленки и поля напряжений присутствующих дислокаций несоответствий. Учитывается взаимодействие дислокаций несоответствия и влияние конечной толщины эпитаксиальной пленки. На примере моделирования введения ДН в границу раздела гетеросистемы Sio.75Geo.25 рассмотрены особенности релаксационного процесса.

В главе 4 представлено описание модели пластической релаксации и результаты численного моделирования. Для границы раздела (001) рассмотрены случаи введения как двух взаимно перпендикулярных семейств ДН, так и четырех семейств. Тщательное изучение последнего случая позволило впервые установить влияние винтовой дислокационной составляющей на энергию гетеросистемы при периодическом расположении двух семейств с различными типами винтовых составляющих. Представлено сравнение полученных расчетных зависимостей с экспериментальными результатами (как своими, так и данными других авторов).

На защиту выносятся следующие основные положения.

1. Модель упругого состояния гетеросистемы, согласующаяся с большинством экспериментальных данных, известных для системы GexSi\.x/Si(00J). Основные положения разработанной модели: учитывается тип винтовой составляющей ДН; суммирование тензоров напряжений различной природы предшествует вычислению упругой энергии гетеросистемы; учитывается взаимодействие дислокаций несоответствия и влияние конечной толщины эпитаксиальной пленки; предусмотрено рассмотрение упругого состояния при одновременном формировании ДН различных семейств.

2. Особенностью ДН, формируемых одной системой скольжения, является изменение типа винтовой компоненты на противоположный при изменении ориентации границы раздела. Это проявляется для границ раздела, расположенных по разные стороны от линии, которая представляет на гномостереографической проекции множество нормалей к срезам кристалла, содержащим направление <112>.

3. Явление накапливания неподвижных пронизывающих дислокаций имеет место при смене систем скольжения, обусловленной возникновением поля дальнодействующих сдвиговых напряжений. Величина ДСН, созданных системой 60° дислокаций несоответствия, для гетеросистемы Geo.25Sio.75/Si не может превышать следующих значений: в случае вицинальных ориентаций (001) - 5-108 Н/м2 (что составляет ~50 % от величины исходных напряжения несоответствия), а в случае вицинальных ориентаций (111) и (011) - 2-108 Н/м2.

4. Проявлением кристаллографических свойств границ раздела у гетеросистем с решеткой алмаза и сфалерита является существование двух типов их ориентаций. Это ориентации типа 1, когда в условиях квазиравновесного протекания релаксационного процесса повышена вероятность накапливания неподвижных пронизывающих дислокаций, но не возникают поля ДСН; и ориентации типа 2, когда возникают поля ДСН и понижена вероятность накапливания неподвижных пронизывающих дислокаций.

5. Результатом взаимодействия семейств 60° дислокаций несоответствия, вводимых в границу раздела (001), является следующее соотношение между упругими энергиями гетеросистемы. В случае сетки 60° дислокаций несоответствия из двух взаимно перпендикулярных семейств энергия выше, чем в случае сетки из 4 семейств, когда в каждом из направлений <110> вводится по 2 семейства 60° ДН с противоположными типами винтовых составляющих, которые чередуются так, что любые две соседние параллельные дислокации принадлежат различным семействам.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Колесников, Алексей Викторович

Основные выводы по диссертации.

1. Разработана теоретическая модель, описывающая упругое состояние гетеросистемы при формировании в границе раздела системы 60° ДН с учетом винтовых составляющих их векторов Бюргерса. Установлено, что тип винтовой дислокационной составляющей обусловливает возникновение дальнодействующих сдвиговых напряжений в эпитаксиальной пленке, оказывающих принципиальное влияние на релаксацию механических напряжений гетеросистемы при введении дислокаций несоответствия по механизму скольжения. Для гетеросистем, имеющих совпадающие упругие постоянные, но различные параметры несоответствия, отсутствуют общие участки зависимостей упругой остаточной деформации от толщины пленки е0ст (h) в отличие от классической релаксационной модели.

2. Для гетеросистем GexSi\.JSi с сингулярными и вицинальными границами раздела (001) в рамках разработанной модели рассчитаны равновесные напряженные состояния для случаев введения двух перпендикулярных семейств 60° ДН, имеющих как различные типы винтовых составляющих, когда возникают дальнодействующие сдвиговые напряжения (ДСН), так и одинаковые типы, когда ДСН отсутствуют. Во втором случае зависимость упругой остаточной деформации от толщины пленки соответствует более низким значениям упругой энергии гетеросистемы и находится в более близком согласии с экспериментальными данными.

3. Установлено, что в гетеросистеме с кристаллической решеткой алмаза и сфалерита одно и то же семейство ДН может иметь различные типы винтовых составляющих для различных границ раздела. Определены множества ориентаций границ раздел, вблизи которых происходит указанная смена типа составляющей. Данные ориентации содержат направление <112>, принадлежащее плоскости скольжения и перпендикулярное вектору Бюргерса рассматриваемого дислокационного семейства.

4. Рассчитаны предельные значения ДСН, созданные системой 60° дислокаций несоответствия, на примере гетеросистемы Geo.25Sio.75/Si: для вицинальных

8 2 ориентаций (001) они составляют 5-10 Н/м , что достигает -50 % величины исходных напряжения несоответствия в псевдоморфных пленках; для вицинальных о 7 ориентаций (111) и (011) предельная величина ДСН равна 210 Н/м .

5. Установлено, что для структур с решеткой алмаза или сфалерита существуют ориентации типа 1, когда повышена вероятность накапливания неподвижных пронизывающих дислокаций, но не возникают поля ДСН, и ориентации типа 2, когда на начальной стадии процесса вероятность возникновения неподвижных пронизывающих дислокаций минимальная, но формируется поле ДСН. Ориентации типа 2 представляют вицинальные границы раздела (001), полученные отклонением вокруг направления <100>, а ориентации типа 1 - остальное множество сингулярных и вицинальных границ раздела (001), (111) и (110).

6. Для вицинальных ориентаций (001), полученных поворотом вокруг направления типа <110> (ориентации типа 1), теоретически предсказана и обнаружена экспериментально анизотропия процесса пластической релаксации пленок для направлений [-110] и [110]. При введении ДН в квазиравновесных условиях поля дальнодействующих сдвиговых напряжений не возникают, однако повышена вероятность возникновения пронизывающих дислокаций.

7. Установлено, что для границ раздела пленка-подложка с ориентацией (001), содержащих сетку 60° дислокаций несоответствия, минимальная упругая энергия имеет место при введении в каждом из направлений <110> двух чередующихся параллельных семейств 60° ДН с противоположными типами винтовых составляющих. Дислокации чередующихся семейств должны располагаться группами, содержащими одинаковое число ДН, не превышающее 3.

Личный вклад автора и благодарности

Личный вклад автора в диссертационную работу определяется участием в общей формулировке и обосновании цели и задач исследований, выбором методов их решения, получении и трактовке экспериментальных результатов. Совокупность научных результатов, представленных в диссертации, получена под руководством д.ф.-м.н. Е.М. Труханова.

Лично автором получены следующее основные результаты:

1) расчеты энергии гетеросистемы и остаточных упругих деформаций, представленные в главах 3 и 4;

2) выполнена съемка рентгеновских топограмм, использованных для анализа расчетных данных, в частности топограмм (рис.4.11 и рис.4.12);

3) расчеты значений параллельных и перпендикулярных рентгеновских деформаций и съемки соответствующих кривых дифракционного отражения.

Гетероструктуры эпитаксиалъный GaAs / InGaAs / подложка GaAs (001) были созданы в результате сотрудничества с коллективом группы эпитаксии А3В5 лаборатории №16 (группа В.Преображенского). Электронно-микроскопические изображения структур получены А.К. Гутаковским.

Свою искреннюю признательность автор выражает Е.М. Труханову без помощи, которого диссертация вряд ли была написана.

Автору приятно выразить признательность моим соавторам, без взаимодействия с которыми отсутствовало бы большинство результатов. Автор выражает признательность А.П. Василенко, Л.В. Соколову, О.П. Пчелякову, М.А. Ревенко, А.И. Никифорову, А.К. Гутаковскому, С.И. Романову, С.Г. Никитенко, А.С. Дерябину.

Автор выражает благодарность всему коллективу отдела № 1 за поддержку и помощь в работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Материалы диссертации были представлены на 18 Российских и Международных конференциях. Эти материалы опубликованы в следующих сборниках тезисов и трудов конференций [94-115].

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Колесников, Алексей Викторович, 2003 год

1. Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. - 599с.

2. Труханов Е.М. "Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка". Докторская диссертация, Новосибирск (2002).

3. Watson G.P., Ast D.G., Anderson T.J., Pathangey В. The barrier to misfit dislocation glide in continuous, strained, epitaxial layers on patterned substrates. J. Appl. Phys., 1993. - v.75, № 5.-p. 3103.

4. Труханов Е.М. Влияние типа дислокаций несоответствия на энергию и структуру толстых эпитаксиальных пленок Поверхность, 1995. -N 2. - стр.13.

5. А. Келли, Г. Гровс. Кристаллография и дефекты в кристаллах. М.: Мир, 1974.-c.234.

6. Ж. Фридель. Дислокации. М.: Мир, 1967. - 643 с.

7. F.K. LeGoues, B.S. Meyerson, J,F. Morar, P.D. Kirchner. Mechanism and conditions for anomalous strain relaxation in graded thin films and superlattices. J. Appl. Phys. 71 (1992).-p.4230.

8. R.E. Romanov, W. Pompe, S. Mathis, G.E. Beltz, J.S. Speck. "Threading dislocation reduction in strained layers". J. Appl. Phys. (1999). - v.85, №1. - p.182.

9. A.E. Romanov, W. Pompe, G.E. Beltz, J.S. Speck. "An approach to threading dislocation 'reaction kinetics'". Appl. Phys. lett. (1996). - v.69, №22. - p.3342.

10. J.S. Speck, M.A. Brewer, G.E. Beltz, R.E. Romanov, W. Pompe. Scaling laws for the reduction of threading dislocation densities in homogeneous buffer layers. J. Appl. Phys. (1996) - v.80 (7). - p.3808.

11. Legoues F. K., Powell A., Iyer S.S. Relaxation of SiGe thin-films grown on Si/Si02 substrates. J. Appl. Phys. 1994. - v.75, №11.- p.7240.

12. J.W. Matthews. The observation of dislocations to accomodate the misfit between crystals with different lattice parameters. Phil. Mag., 1961.-v.6.-N71. - p. 1347.

13. Matthews J. W. Defects associated with accomodation of misfit between crystals.-J. Vac. Sci. Technol., 1975.-v.12.-Nl. p.126.

14. Г. Мильвидский, Г. Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия, 1985. - 159 с.

15. А. Тхорик, JI. С. Хазан. Пластические деформации и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев, 1983. - 304 с.

16. С. Амелинкс. Методы прямого наблюдения дислокаций. М: Мир, (1968). -275 с.

17. E.A.Fitzgerald. Dislocations in Strained-Layer Epitaxy: Theory, Experiment, and Applications. Materials Sci. Reports 1991. - v.7. -N3. - p.87-142.

18. Bullelieuwma C.W.T., Vandenhoudt D.E.W., Henz J., Onda N., Vonkanel H. Investigation of the defect structure of thin single-crystalline CoSi2 (B) films on Si(lll) by transmission electron-microscopy. J. Appl. Phys., 1993, v. 73, № 7, p. 3220-3236

19. Smith D.J., Tsen S.C.Y., Chen Y.P., Sivananthan S., Posthill J.B. Growth and characterization of heteroepitaxial CdTe and ZnTe on Ge(001) buffer layers. Appl. Phys. Lett. 1996. - v. 69, № 14. -p.2086.

20. Lalande G., Guelton N., Cossement D., Saintjacques R.G., Dodelet J.P. Optimum growth-conditions for the epitaxy of GaAs on Ge by close-spaced vapor transport. -Canadian J. Physics, 1994. v. 72, № 5-6. - p. 225.

21. Frigeri C., Brinciotti A., Ritchie D.M. "Growth of InGaAs/GaAs on Offcut Substrates by MOVPE Influence on Macrosteps and Dislocations Formation". CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, 1998. - v. 33, N. 3. -p.375.

22. Chou-WC Yang-CS Chu-AHM Yeh-AJ Ro-CS Lan-WH Tu-SL Tu-RC Chou-SC Su-YK "Optical-Properties of Znsel-xSx Epilayers Grown on Misoriented GaAs Substrates". J. Appl. Phys., 1998. - v. 84, N. 4. - p.2245.

23. R. Beanland. Dislocation multiplication mechanisms in low misfit strained epitaxial layers.-J. Appl. Phys. (1995).-v.7, №12,- p.l.

24. Горохов Е.Б., Носков А.Г., Стенин С.И., Труханов Е.М. "Напряженное состояние и дефекты кристаллического строения в системах полупроводник-аморфная диэлектрическая пленока". Микроэлектроника (1983). - № 12(3). - с.200.

25. В.Т. Рид. Дислокации в кристаллах. Металлургиздат, М. (1957). 280 с.

26. Е.М. Trukhanov, Е.В. Gorokhov S.I. Stenin. Specific Features of the Dislocation Structure of Germanium in the System Ge-Si02. Phys. Stat. Sol. (a) (1976). - v.33. -p. 435.

27. W.T. Read. Dislocations in crystals. McGraw-Hill Publ. Company LTD, New-York-London-Toronto, 1953.

28. Frank F.C., Van der Merve J.H. One-dimensional dislocation. II Misfitting monolayers and oriented overgrowth. Proc. Roy. Soc., Ser. A, 1949. - v. 198. -N1053,- p.216.

29. H. Strunk, W. Hagen, E. Bauser, Appl. Phys. 18 (1979) 67.

30. W. Hagen, H. Strunk. "A New Type of Source Generating Misfit Dislocations" Appl. Phys., 1978.-v. 17,- p.85-87.

31. A. Lefebvre, C.Herbeaux, С. Bouillet, J. Dr Persino, Phil. Mag. Lett. 63 (1991) 23.

32. K.W. Shwarz. Simulation of dislocations on the mesoscopic scale. I. Methods and examples. J. Appl. Phys. - v.85 (1999). - p.108.

33. B. Beanland. Multiplication of misfit dislocations in epitaxial layers. J. Appl. Phys. -v.72 (1992). - p.4031.

34. F.K. LeGoues. Phys. Review Lett. v.12, N.6 p.876-879 (1994). "Self-Aligned Sources for Dislocation Nucleation: The Key to Low Threading Dislocation Densities in Compositionally Graded Thin Films Grown at Low Temperature".

35. Труханов E.M. Анализ природы фрагментарной структуры в гетероэпитаксиальных пленках. — Поверхность, 1995. — N2 стр.22-27.

36. V.T. Gillard, W.D. Nix, L.B. Freund. "Role of dislocation blocking in limiting strain relaxation in heteroepitaxial films". J Appl. Phys. v.76, N.l 1, p.7280-7287 (1994).

37. С.Д. Борисова, И.И. Наумов Топологическая особенность в средних напряжениях и деформациях, индуцированными плоскими дислокационными скоплениями. Известия ВУЗов, Физика, т.42, №4, стр.53-60 (1999).

38. Дж. Эшелби. Континуальная теория дислокаций. М.: ИЛ, 1963. - 248 с.

39. Физическая мезомеханика и компьетерное конструирование материалов: В 2-х т./Под ред. В.Е. Панина.-Новосибирск: Наука, 1995.- 298 и 320 с.

40. E.M.Trukhanov, A.V.Kolesnicov, G.A.Lubas. "Long-range stress field of misfit dislocations and possibility of perfect epitaxy for semiconductor films". Inst. Phys. Conf. Ser. No 155: Chapter 3, p. 299-302, IOP Publishing Ltd, (1997);

41. E.M. Trukhanov and A.V. Kolesnikov. "Film Quality Effects Associated with Formation of Misfit Dislocations at Semiconductor Interfaces". Applied Surface Science Volumes 123/124, pp. 669-673, (1998);

42. Е.М. Trukhanov, К.В. Fritzler, G.A. Lyubas and A.V. Kolesnikov. "Evolution of Film Stress with Accumulation of Misfit Dislocations at Semiconductor Interfaces" Applied Surface Science Volumes 123/124, pp. 664-668, (1998);

43. L.I.Datsenko, A.N.Gureev, N.F.Korotkevich, et al., Thin Solid Films 1 (1971) p.117

44. V. N. Vasilevskaya, N. N. Soldatenko and Yu.A. Tkhorik, Thin Solid Films 7 (1971) p. 127.

45. Miki, H. Tokumoto, T. Sakamoto. Scanning Tunneling Microscopy of Anisotropic Monoatomic Steps on a Vicinal Si(001)-2xl Surface Jap. J. Appl. Phys., 1989. -vol.28. -N 9. -p.1483—1485.

46. V.I. Vdovin, Phys. Stat. Sol. 171 (1998) 239.

47. Yu.G.Sidorov, V.S.Varavin, S.A.Dvoretskii, V.I.Liberman, N.N.Mikhailov, I.V.Sabinina, M.V.Yakushev Growth of and Defect Formation in CdHgTe Films During Molecular-Beam Epitaxy. In the book "Growth of Crystals" New York, 1996.-v.20. - p.35-46.

48. A.K. Гутаковский, О.П. Пчеляков, С.И. Стенин. О возможности управления типом дислокаций несоответствия при гетероэпитаксии. Кристаллография 1980.-t.25.-c. 806-814.

49. A. Trampert, Е. Tournie, К.Н. Ploog. J. Appl. Phys. v.66, №17, p.2265-2267 (1995). "Novel plastic strain-relaxation mode in highly mismatched III-V layers induced by two-dimensional epitaxial growth".

50. S.I. Molina, G. Aragon, A.-K. Petford-Long, R. Garcia. Ultramicroscopy v.40, p.370-375 (1992). "High-resolution electron microscopy study of ALMBE InAs grown on (001) GaAs substrates".

51. Ван-дер-Мерве Дж. X. Несоответствие кристаллических решеток и силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложками. В кн. "Монокристаллические пленки", М.: Мир, 1966. - с. 172-201.

52. С.П. Тимошенко, Дж. Гудьер. "Теория упругости". Наука: М. с.576 (1975).

53. A. Rockett, C.J. Kiely. "Energetics of misfit- and threading- dislocation arrays in heteroepitaxial films". Physical Review B, v.44, №3, p.1154-1162 (1991).

54. Matthews J.W., Blakeslee A.E.J., Mader S. "Use of misfit strain to remove dislocations from epitaxial thin film". Thin Solid Films, 1976, v. 33, p. 253-266

55. Халл. Введение в дислокации. М. Атомиздат, 1968, 280 с.

56. Вайнштейн Б.К. и др. Современная кристаллография. М.: Наука, 1979, т. 2. 306 с

57. Trukhanov Е.М., Stenin S.I. Equilibrium dislocation configurations in heterostructures. Phys. Stat. Sol.(a), 1981, v.66, p. 591-596.

58. В.И. Владимиров, М.Ю. Гуткин, A.E. Романов. "Влияние свободной поверхности на равновесное напряженное состояние в гетероэпитаксиальных системах". Поверхность, № 6, с.46-51 (1988).

59. People R., Bean J.С. Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for GeSi/Si strained-layer heterostructures. Appl. Phys. Lett., 1985, v. 47, p. 322-324

60. J.R. Willis, S.C. Jain, R. Bullough. Phil. Mag. A. v.62, №1, p.l 15-129 (1990). "The energy of an array of dislocations: implications for strain relaxation in semiconductor heterostructures".

61. A. Atkinson, S.C. Jain. J. Appl. Phys. v.12, №6, p.2242-2248 (1992). "The energy of finite systems of misfit dislocations in epitaxial strained layers".

62. D.C. Houghton et al. J Appl. Phys. v.67,N.4, p. -1862 (1990).

63. D.C. Houghton. J Appl. Phys. v.'70, p. 2136 (1991).

64. L.B. Freund. Mater. Sci. Rep. v.7, p.87 (1991).

65. A. Fischer and H. Richter. Appl Phys. Lett, v.60, N.10, p.1218-1220 (1994). "On plastic flow and work hardening in strained layer heterostructures".

66. A. Fischer, H. Kuhne and H. Richter. Phys. Review Lett, v.73, N.20, p.2712-2714 (1994). "New Approach in Equilibrium Theory for Strained Layer Relaxation".

67. A. Fischer, H. Kuhne, M. Eichler, F. Hollander, and H. Richter. Phys. Review В v.54, N.12, p.8761-8768 (1996). "Strain and surface phenomena in SiGe structures".

68. Фридель Ж. Дислокации. M. Мир, 1967, 222 с.

69. J. Dundurs, in Mathematical Theory of Dislocations, edited by T. Mura (ASME, New York, 1969.

70. J. Kui, W.A. Jesser. "Misfit dislocation generation mechanisms in InGaAs/GaAs heterostructures". J. Appl. Phys. v.76 N.12, p.7829-7831 (1994).

71. P. Feichtinger, B. Poust, M.S. Goorsky, D. Oster, J. Chambers, J. Moreland. "Misfit dislocation interactions in low mismatch p/p+ Si". J. Phys. D: Appl. Phys. v.34, p.A128-A132 (2001).

72. K.W. Schwarz and J. Tersoff. Appl. Phys. Lett, v.69 N.9, p. 1220-1222 (1996). "Interaction of threading and misfit dislocations in a strained epitaxial layer".

73. Mamor M., Nur O., Karlsteen M., Willander M., Auret F.D. Fermi-level pinning and Schottky barrier heights on epitaxially grown fully strained and partially relaxed n-type SiGe layers. J. Appl. Phys. 1999. - v.86 - p.6890.

74. Kasper E., Hersog H.J. Elastic strain and misfit dislocation density in SiGe films on Si substrates. Thin Solid Films, 1975, v. 44, N 3, p. 357-370.

75. Kasper E. Group-IV strained-layer systems. Semiconductor Interfaces at the Sub-^ Nanometer Scale. Advanced Science Institutes Series, Series E, Applied Sciences,

76. Series NATO, 1993, v. 243, p. 161-171

77. A.V. Kolesnikov, A.P. Vasilenko, E.M. Trukhanov, A.K. Gutakovsky. "Stress relaxation by generation of L—shape misfit dislocations in (001) heterostractures with

78. S diamond and sphalerite lattices" Applied Surface Science, Vol. 166/1-4, pp. 57-60,2000);

79. А.А. Федоров, Е.М. Труханов "Исследование искажений кристаллической решетки в эпитаксиальных наноструктурах" Поверхность, № 9, с.72-77, (2000);

80. А.P. Vasilenko, A.V. Kolesnikov, S.G. Nikitenko, A.A. Fedorov, L.V. Sokolov, A.I. Nikiforov, E.M. Trukhanov. " X—ray film interferometer as an instrument for semiconductor heterostructure investigation". Nuclear Instruments and Methods in

81. Physics Research A v.470, p. 110-113 (2001).

82. Е.М. Trukhanov, A.V. Kolesnikov, G.A. Lyubas. "Effect Of Crystallographic Orientation Of The Interface On The Growth Of Perfect Epitaxial Layers Of Semiconductors". Growth of Crystals, Vol. 21, p. 57-66, (2002).

83. A.A. Fedorov, M.A. Revenko, E.M. Trukhanov, S.I. Romanov, A.A. Karanovich, V.V. Kirienko, M.A. Lamin, A.K. Gutakovskii, O.P. Pchelyakov, L.V. Sokolov. "Growth And Structure Of Si Epilayers On Porous Si". Growth of Crystals, Vol. 21, p. 37-43, (2002).

84. E.M. Trukhanov and A.V. Kolesnikov. Film Quality Effects Associated with Formation of Misfit Dislocations at Semiconductor Interfaces. BOOK of 6th Intern. Conf. on the Formation of Semiconductor Interfaces, Cardiff, UK (1997) p. Th P156.

85. Е.М. Trukhanov, A.V. Kolesnikov, А.Р. Vasilenko, L.V. Sokolov A.A. Fedorov, O.P. Pchelyakov, A.I. Nikiforov, S.I. Romanov "Characterisation of heterostructures with

86. X-ray film interferometer" Abstract book of International Joint Conference on Si Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si, September 13-17, 1999), Miyagi, Japan, p. Pl-20 (1999).