Резонансные процессы фотостимулированного излучения пленок гидрогенизированного и фторированного нанокристаллического кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Миловзоров, Дмитрий Евгеньевич

• Миловзоров, Дмитрий Евгеньевич
• кандидат наук
• 0

Оглавление диссертации кандидат наук Миловзоров, Дмитрий Евгеньевич

1.14 Экспериментальное исследование образования кристаллов кремния

Глава 2 Оптические и структурные свойства нанокристаллического гидрогенизированного кремния

2.1 Методы исследования пленок кремния

2.2 Рамановская спектроскопия пленок нанокристаллического

гидрогенизированного кремния

2.3 Рамановские спектры и фононные моды в кремнии

2.4 Влияние электрического поля на Рамановские спектры пленок кремния осажденных на стеклянную подложку

2.5 Модель образования заряженного состояния на поверхности

2.6 Сравнение данных атомно-силовой микроскопии с данными

175

фотолюминесцентной спектроскопии и Рамановской спектроскопии

2.7 Роль травления в изготовлении пленок кремния со значительными фотолюминесцентными свойствами

2.8 Спектральные характеристики однородно ориентированных (111) пленок кремния при низких температурах менее 100°С и различной интенсивности травления пленки

2.9 Корреляция спектральных характеристик пленок кремния изготовленных при Т=300°С

2.10 Фотолюминесцентные свойства пленок нанокристаллического гидрогенизированного кремния

2.11 Размерная зависимость фотолюминесценции пленок нанокристаллического гидрогенизированного кремния

2.12 Влияние ВЧ разряда на спектральные характеристики

2.13 Спектры пропускания и поглощения пленок гидрогенизированного нанокристаллического кремния в видимом диапазоне

Глава 3 Квантовые свойства точечных дефектов и поверхностных состояний в пленке нанокристаллического кремния с ориентацией (111)

3.1 Лазерная спектроскопия пикосекундных импульсов для изучения кинетики рекомбинации носителей в кремнии

3.2 Спектры электронного парамагнитного резонанса в пленках нанокристаллического кремния

3.3 Формирование поверхностных состояний в кремнии

3.4 Проводимость нанокристаллического гидрогенизированного кремния

3.5 Вольт-амперные характеристики пленок кремния

3.6 Нелинейности возникающие в вольт-амперной характеристике пленки нанокристаллического кремния

3.7 Спектральная характеристика тока в пленке нанокристаллического гидрогенизированного кремния

Глава 4 Генерация второй отраженной гармоники во фторированных и оксидированных пленках кремния

4.1 Генерация второй гармоники поверхностью кремния (111)

4.2 Нелинейная поляризация пленки кремния

4.3 Тензор нелинейной восприимчивости %2

4.4. Спектры ГВГ гидрогенизированных нанокристаллических пленок кремния с примесями атомов кислорода и фтора

4.5 Нерезонансная ГВГ

4.6 Спектральные характеристики резонансной ГВГ пленки гидрогенизированного кремния (111) с размером нанокристаллов 8.45 нм, 9.7 нм, 12.1 нм и 16.1 нм

4.7 Морфология поверхности пленок кремния и резонансный отклик ГВГ

4.8 Спектральные характеристики резонансной ГВГ нанокристаллических пленок кремния содержащих кристаллы 24 нм и 27 нм

4.9 Резонансная генерация второй гармоники (ГВГ) пленками гидрогенизированного нанокристаллического кремния с примесными атомами фтора

4.10 Модель Ван дер Ваальсового взаимодействия в пленках кремния

4.11 Размерно-зависимый сигнал ГВГ для пленок кремния с размерами нанокристаллов в диапазоне от 7.5 нм до 27 нм

Глава 5 Возможности построения микро- и наноэлектронных приборов на основе пленок нанокристаллического кремния

5.1 Полевые транзисторные структуры на основе тонкопленочного нанокристаллического кремния

5.2 Устройства памяти на основе нанокристалличнеского кремния

5.2.1 Устройство памяти на основе тонкопленочного транзистора на основе оксидированного нанокристаллического кремния

5.2.2 Устройство памяти на А дефектах в нанокристаллическом кремнии (111)

5.3 Резонансный полупроводниковый прибор на основе квантовых биений

5.4 Фотостимулированные некогерентные процессы при воздействии лазерного излучения на цепочку двухуровненвых систем

5.5 Фторосиликаты для волоконной оптики

5.6 Нелинейно-оптический переключатель

5.7 Акустоэлектрооптический прибор для переключения мод в волоконном лазере

5.7.1 Моделирование процесса переключения мод в твердотельном лазере с помощью АОМ

5.7.2 Двухрезонаторный режим работы волоконно-оптического лазера

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы:

422

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Резонансные процессы фотостимулированного излучения пленок гидрогенизированного и фторированного нанокристаллического кремния»

ВВЕДЕНИЕ

Прогресс в области твердотельной электроники на кремнии в значительной мере стимулируется новыми материалами и физическими явлениями, имеющими размерную зависимость и квантовые свойства. Используемый в последние десятилетия микрокристаллический кремний, изготовленный на стекле, используется для производства тонкопленочных транзисторов, но уступает по своим характеристикам монокристаллическому кремнию, имеющему высокую подвижность

л

носителей (|хп~ 1500 см /Вс), и его запрещенная зона не отличается от кремния (1.12 эВ). Другой материал - аморфный гидрогенизированный кремний содержит большое количество точечных дефектов, которые имеют тенденцию генерироваться под действием света. Подвижность гидрогенизированного аморфного кремния не превышает 1 см /Вс, что создает трудности в использовании его для производства полевых ВЧ транзисторов. Ширина запрещенной зоны такого материала равна 1.78 эВ. Несомненно, что наноструктурная кристаллическая пленка, сочетающая свойства кристалла кремния с варьируемой шириной запрещенной зоны и сравнительно

Л

высокую подвижность (200-300 см / Вс) носителей в материале - оптимальное решение такой проблемы. Примеси кислорода и фтора создают в электронной структуре материала уровни, которые влияют на оптоэлектронные свойства материала. Поиск корреляций между структурными и электронными свойствами, и размерным эффектом нанокристаллов в пленке, возможен с помощью изучения резонансных фотостимулированных процессов в пленках кремния. Исследование оптических свойств нанокристаллов кремния проводились во многих исследовательских лабораториях. Несмотря на большое количество работ, эта проблема остается недостаточно изученной. Это связано с тем, что технология изготовления нанокристаллических пленок кремния несовершенна и их физические свойства зависят также и от точечных дефектов — квантово-размерных объектов,

которые исследовались ранее только в технологии получения чистого кристаллического кремния. Однако, этих исследований недостаточно при разработке тонкопленочных материалов для электронных приборов на основе нанокристаллических пленок содержащих кислород и фтор в качестве примесей. Поэтому существует необходимость изучения точечных дефектов в пленках нанокристаллического гидрогенизированного кремния образованных за счет внедрения атомов примесей, таких как кислород и фтор, анализ их всех спектральных характеристик, и сравнения их со структурными свойствами и химическим составом, при толщинах изготовленных пленок менее 1 мкм.

Соединения оксида кремния используются в волоконно-оптических системах связи. При их использовании на значительные расстояния (100-1000 км) возникают потери связанные с возникновением нелинейно-оптического преобразования частоты, смешения частоты. Поэтому исследования генерации второй гармоники отраженного излучения в пленках кремния изготовленных на стеклянной подложке позволят определить способы снижения потерь при передаче информации в световолоконных >• линиях связи.

Резонансные процессы фотостимулированного излучения пленок нанокристаллического кремния содержащих в химическом соединении примеси фтора и кислорода позволяют определить электронную структуру материала, корреляцию его оптических, структурных и химических свойств, изучить роль дефектов во фторированных и оксидированных пленках, а также разработать приборы оптоэлектроники основанные на оптических переходах, как прямых, так и непрямых, в запрещенной зоне кремния. Резонансный характер процессов взаимодействия излучения лазера с образованными диполями внутри пленки кремния имеющими собственные частоты позволяет увеличить на порядки величины квантовых эффективностей процессов, что в свою очередь повышает чувствительность методов дигностики и определение электронной структуры поверхности кремния.

Другим применением является разработка оптических лазерных систем для волоконно-оптической связи, позволяющих передавать информацию на далекие расстояния с высокой скоростью.

Целью диссертационной работы является изучение резонансных процессов фотостимулированного излучения оксидированных и фторированных нанокристаллических пленок кремния с превалирующей кристаллической фазой и средним размером кристаллов 10 нм для создания оптоэлектронных приборов. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1) Разработка технологии нанокристалических пленок кремния со средним размером кристалла менее 10 нм. Разработка технологии осаждения пленок гидрогенизированного кремния из газовой смеси силана, разбавленного водородом и тетрафторидом кремния.

2) Исследование механизма формирования полностью кристаллической пленки на стеклянной подложке при низких температурах (от 40°С до 350°С) подложки.

3) Теоретическое и экспериментальное изучение электрических характеристик пленок нанокристаллического кремния для создания приборов электроники и их диагностики. Исследование механизма формирования нанокристаллической пленки кремния со стабильными параметрами к внешним воздействиям, а именно, нагреванию, действию внешних электрических полей, химическому воздействию и лазерному излучению.

4) Проведение спектроскопических исследований корреляции структурных, химических и оптических свойств пленок нанокристаллического кремния с высоким содержанием кристаллической фазы.

5) Разработка теоретической модели резонансного фотостимулированного излучения цепочкой двухуровневых систем с резонансным обменом электронами при воздействии электромагнитного поля лазерного излучения.

6) Исследования влияния точечных дефектов на фотостимулированные процессы в пленках нанокристаллического кремния. Разработка теоретической модели точечного дефекта формирующегося на поверхности нанокристаллов в присутствии атома примеси - кислорода.

7) Проведение нелинейно-оптических спектральных исследований для определения электронной структуры поверхности и объема оксидированных и фторированных кристаллов кремния методом генерации второй гармоники в пленках наноструктурного кремния.

8) Разработка оптоэлектронных и электронных приборов на основе пленок нанокристаллического кремния, в частности, тонкопленочного полевого транзистора, устройства памяти, устройства записи информации, нелинейно-оптического переключателя, лазера.

Достоверность и обоснованность результатов обеспечены получением информации о каждом изготовленном материале с использованием различных спектроскопических методов исследований, включая методы Рамановской спектроскопии, лазерной пикосекундной спектроскопии, рентгеновской дифрактометрии, фотолюминесценции, ИК Фурье спектроскопии, оптической спектрофотометрии, нелинейно-оптической спектроскопии, спектроскопии электронно-парамагнитного резонанса, а также данных полученных с использованием разных микроскопических методов, таких как оптическая микроскопия, атомно-силовая микроскопия и сканирующая электронная микроскопия, электрофизических измерений кривых Арениуса для проводимости, вольт-амперных и вольт-омных характеристик, спектральных характеристик тока, метода профилометрии, фотопроводимости, а также сопоставлением экспериментальных данных и поиском корреляций между оптическими, структурными и химическими свойствами материала для определения его электронной структуры. Также производилось сравнение полученных результатов с результатами других научных работ и теоретическими моделями.

Научная новизна.

1. Разработан неразрушающий экспрессный метод определения ширины запрещенной зоны поликристаллической пленки кремния с использованием лазерной пикосекундной спектроскопии. В качестве реперных точек использованы значения ширин запрещенных зон монокристаллического (£¿£=1.12 эВ) и аморфного кремния (£¿£=1.78 эВ).

2. Разработан способ измерения количества водородных связей в измерениях ИК Фурье-спектроскопии при измерении тонких пленок кремния содержащих водород, кислород и фтор, основанный на модели транспорта заряда, позволяющий оценить количества водородных связей в различных молекулярных соединениях в пленке, позволяющий определить концентрации водородных связей.

3. Впервые обнаружен эффект квантовой интерференции интенсивности излучения близко расположенных возбужденных уровней в пленках нанокристаллического кремния и поверхности кремния с ориентацией (111). На основе экспериментальных результатов проведена оценка ширин уровней и зазоров между уровнями: для пленки гидрогенизированного нанокристаллического кремния со средним размером нанокристаллов 9.7 нм ширина уровня составляет 7.2 мкэВ и промежуток 12 мкэВ, что отличается от монокристаллического кремния (111), у которого ширина уровня составляет 6 мкэВ при промежутке между уровнями 7.2 мкэВ, Предложена модель фотостимулированного резонансного взаимодействия с точечными дефектами (А центрами) в кремнии и квантовых биений уровней образованных за счет присутствия дефектов в пленке, которые появляются в запрещенной зоне кремния вблизи дна зоны проводимости.

4. Впервые обнаружен резонансный эффект генерации второй гармоники (ГВГ) излучения пленками гидрогенизированного наноструктурного кремния и тонкая

структура спектра генерации второй гармоники поверхности кремния с ориентацией (111) образованная за счет расщепления уровней в присутствии примесных атомов кислорода на поверхности, позволяющие объяснить электронную структуру тонкопленочного кремния вблизи дна зоны проводимости и вершины валентной зоны для ориентации кристаллического кремния (111).

5. Установлено, что спектр резонансной второй гармоники пленки фторированного нанокристаллического кремния содержал резонансные пики с энергиями 3.20 эВ что соответствует резонансному переходу Г25'~>Г15 в кремнии и 3.32 эВ, тогда как спектр второй гармоники пленки оксидированного нанокристаллического кремния содержал пики при значениях энергии 3.26 эВ, что соответствует дефектному уровню, образованному за счет внедрение атомов кислорода в кремний, и 3.36 эВ, что соответствует резонансному переходу в поверхности кремния (111) Ьз-->Ь] с энергией Е=3.40 эВ. и спин-орбитальному расщеплению уровней на краях зон равном 0.04 эВ. При резонансной и нерезонансной ГВГ, а также фотолюминесценции интенсивность сигнала для оксидированной пленки нанокристаллического кремния в 2 раза превосходила интенсивность сигналов с пленки фторированного нанокристаллического кремния. Исследован экспериментально процесс поглощения поляризованного излучения и порога разрушения пленки кремния.

6. Впервые обнаружен электроакустооптический эффект в нанокристаллических пленках кремния и поверхности кремния при Рамановском рассеянии лазерного излучения и приложенном электрическом внешнем поле напряженностью до 60 В/см, позволяющий разрабатывать приборы волоконно-оптических системах связи.

7. Установлено, что электрическое поле напряженностью до 60 В/см влияет на структурные свойства пленки кремния нанесенной на буферный слой оксида церия, также как и на пленки кремния, на поверхность которых нанесены атомы Pt методом магнетронного распыления, и пленки кремния, на поверхность которых был нанесен раствор хлорида родия. Экспериментально показана возможность управлением содержанием кристаллической фазы в пленке кремния с помощью приложенного электрического поля.

8. Показано, что при низкотемпературном синтезе нанокристаллической пленки кремния при использовании смеси газов силана, водорода и тетрафторида кремния при температурных режимах менее 100 °С, более 100 °С но менее 300 °С и более 300 °С преобладающая кристаллическая фаза с ориентацией нанокристаллов (111) может образовываться при низких температурах (менее 300 °С), а также что рост концентрации водорода в реакторе приводит к пассивированию разорванных связей и уменьшению размера нанокристаллов. Установлено, что снижение температуры подложки приводит к уменьшению размера нанокристаллов, а образованные пленки кремния в результате травления при использовании тетрафторида кремния имеют большую однородность, но могут содержать многоатомные молекулярные соединения, которые при более высоких температурах удаляются в результате десорбции. Впервые методом вакуумно-плазменного осаждения из газовой фазы получена кристаллическая пленка на стекле с высоким содержанием кристаллической фазы (более 80 %) и на порядок меньшей концентрацией примесей в кремнии, чем в пленках изготовленных традиционным методом плазмо-стимулированного осаждения кремния в вакууме с использованием силана, технология, изготовления которой использует наноструктурные свойства кремния, в частности отношение поверхность/объем при его кристаллизации.

9. Предложена модель лазера с оптической накачкой на пленках наноструктурированного кремния с оксидированным активным слоем кремния с ориентацией нанокристаллов (111) и дефектным уровнем А центра в запрещенной зоне кремния, позволяющая определить режимы генерации лазера. Полученные экспериментальные результаты для одного прохождения пленки лучом лазера накачки позволяют утверждать о возможности построения такого тонкопленочного лазера, в активном слое которого будет осуществляться накачка инверсной населенности уровней, как за счет поглощения излучения, так и за счет процесса диффузии носителей под действием электромагнитного поля лазерного излучения. Проведены расчеты режимов возникновения генерации под действием лазерного излучения при наличии дефектных уровней в запрещенной зоне кремния обусловленных внедрением атомов кислорода и фтора. Показано, что при определенных параметрах поля и структурных параметрах пленки кремния таких как размер нанокристаллов, доля нанокристаллической фазы, плотность кислородных связей может возникать режим генерации при оптических переходах с дефектных уровней в основное состояние.

Практическая значимость работы состоит в следующем:

1) Предложен новый материал - тонкопленочный нанокристаллический кремний и разработана технология его изготовления, основанная на сочетании высокого водородного разбавления силана с низкой температурой роста нанокристаллов и травлением осажденного материала, приводящего к повышению однородности пленки (патент РФ №2227343).

2) Разработана технология тонких (менее 100 нм) пленок кремния нанесенных на подложку стекла с малым содержанием точечных дефектов, заключающаяся в сочетании осаждения кремния из газовой фазы с высокой температурой подложки и высокой степени однородности пленки, которая изготавливалась

микроструктурированно, что обусловливало уменьшение в пленке точечных дефектов (патент РФ №2333567).

3) Разработан квантовый прибор высокой частоты на основе квантовых биений интенсивностей излучения с близко расположенных уровней вблизи дна зоны проводимости, которые, используя эффект квантовой интерференции интенсивности излучения с двух близко расположенных друг к другу уровней, позволяют осуществлять высокочастотные модуляции интенсивности излучения с частотой Ю10 Гц лазерного излучения с частотой 1014 Гц и осуществлять переключения его компонентов, (патенты РФ № 2226306, №2269182 и патент Южной Кореи ICR №061361) .

4) Разработано устройство памяти (патент №2402107) на основе нанокристаллической пленки кремния нанесенной на буферный слой оксида церия. Использование наноструктурного тонкого слоя кристаллического оксида церия обладающего такой же постоянной решетки, что и кремний, позволяет при наложении внешних электрических полей разрушать и восоздавать кристаллическую фазу, которая методом Рамановского рассеяния света может быть легко считываема и идентифицирована.

5) Определены технологические параметры образования стабильной наноструктурированной пленки кремния устойчивой к воздействию света, электрического поля и химических соединений, которая изготовлена при температурах роста менее 400°С, имеет низкую (на порядок величины) концентрацию примесей и дефектов.

6) Разработан технологический процесс изготовления полностью кристаллической пленки кремния с ориентацией (111) нанесенной на подложку стекла для изготовления тонкопленочных транзисторов, которая первоначально имеет наноструктурированные зерна кристаллов, растворенные в водороде, а также отношение размеров площади поверхности к объему нанокристалла, которое

позволяют реализовать однородный по поверхности пленки и монотонный рост кристаллической фазы,

7) Определены нелинейные характеристики В АХ в диапазоне 0-10 В пленок нанокристаллического кремния нанесенного на слой оксида церия пригодные для разработки варакторов, которые обусловлены существованием объемного заряда в пленке кремния и электродиффузией атомов кислорода в слое оксида церия.

8) Изучены спектральные характеристики пленок оксидированного кремния имеющих широкую полосу поглощения во всем видимом диапазоне позволяющем использовать материал для изготовления солнечных батарей в качестве рабочего слоя тандемной батареи, спектр поглощения которой увеличивается в сторону видимого света.

9) Разработана схема лазера на основе пленки нанокристаллического кремния для волоконно-оптической связи, позволяющая в тонкопленочном активном слое нанокристаллического кремния получить генерацию излучения на основной и второй гармонике при оптической накачке излучением лазера за счет квантовых процессов генерации когерентного излучения.

10) Предложена схема электроакустического переключателя излучения лазера основанная на использовании качестве активного элемента тонкой пленки нанокристаллического кремния, которая позволяет варьировать интенсивность рассеянного излучения в энергетическом зазоре в 1 мэВ при приложенном внешнем электрическом поле.

11) Разработаны схемы нелинейно-оптический переключателя и оптоэлектронного прибора для волоконной оптики на основе пленок оксидированного и фторированного кремния.

Разработанная технология нанокристаллического кремния для солнечных батарей награждена золотой медалью на Международном Салоне Инноваций и Инвестиций Министерства Образования и Науки Российской Федерации (г. Москва, ВВЦ 2009). ПУБЛИКАЦИИ:

Материалы исследований представленных в диссертации опубликованы в 95 научных публикаций: в том числе 33 статьи в научных реферируемых журналах и книгах, 36 публикация в материалах международных научных конференций и симпозиумах, 6 авторских свидетельств, 6 патентов РФ, 3 патента Южной Кореи. Личный вклад. Автору принадлежит постановка задач исследований, обоснование методов исследований, непосредственное выполнение почти всех экспериментов, всех расчетов, систематизация и анализ результатов. Автору принадлежат единолично также и все патенты на изобретения материалов и технологий представленных в этой работе.

АППРОБАЦИЯ РАБОТЫ:

Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались на следующих научных конференциях, симпозиумах и семинарах:У и VI всероссийские семинары «Нанодиагностика», Рязань 2012-2013 гг., IX Международная конференция «Кремний 2012» 9-13 июля 2012 г., Санкт-Петербург, "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" VIII Международная конференция, 2-5 июля 2012 г, Санкт-Петербург, «Технология нанокристаллического кремния для солнечных батарей», IX Московский международный салон инвестиций и инноваций, Москва, ВВЦ, 2009 г.; VIII Форум «Интеллектуальная собственность Восточного административного округа г. Москвы», г. Москва, 2009; Международная конференция по Нанонауке и Нанотехнологии ICONN 2008 Australia, г. Мельбурн; "Тонкопленочный транзистор на нанокристаллическом кремнии", 11й международный семинар, Российские технологии для индустрии, Нанотехнологии в электронике, энергетике, экологии и медицине, Физ. Тех. институт им. А.Ф. Иоффе,

20-23 Ноября 2007 г., Санкт-Петербург; конференция Кремний 2007, МИСИС, Москва; 5й Международный Симпозиум по Дисплеям (1МГО), Сеул, Южная Корея, 19 июля 2005 г.; Международная конференция "Тонкие пленки и наноструктуры" 7-10 Сентября 2004 г. Москва, МИРЭА; Международная конференция "Интерматик" 7-10 Сентября 2004 г. Москва, МИРЭА; Международная конференция по Микро- и наноэлектронике, Звенигород МО, 6-10 октября 2003 г.; 197-ая международная конференция Электрохимического общества Америки, Гонолулу, Гавайи, США, 22-29 октября 1999 г.; конференции общества прикладной физики Японии март 1998; конференция Университета г.Каназавы, 1999, г. Каназава, Япония; конференции общества прикладной физики Японии, Окинава 1998, Международный вакуумный конгресс Бирмингем, Великобритания, 1998; Международный корпоративный семинар японской государственной научно-исследовательской корпорации; февраль 1995, Токио, Япония; Международной конференции по взаимодействия ионных пучков с поверхностью твердого тела, г.Звенигород МО, 1994.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Миловзоров, Дмитрий Евгеньевич, 0 год

Список литературы:

1. Кристаллизация из газовой фазы, под.ред. д.ф.м.н. Н.Н. Шефталя, Мир, Москва, 1965, С.158-187.

2. Adams А.С., Dielectric and polysilicon film deposition / S.M. Sze // VLSI Technology, McGraw-Hill Book, New York, 1988. P.233-271.

3. Kakinuma H., Mohri M, Tsuruoka Т., Mechanism of low-temperature poly crystalline silicon growth from a SiF^SfflL}/^ plasma // Journal of Applied Physics. 1995.Vol.77.P. 646.

4. Milovzorov D., Inokuma Т., Kurata Y., Hasegawa S., Photo luminescent properties of polycrystalline silicon films prepared at low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition // Proceedings of Kanazawa University.1997. P.33.

5. Milovzorov D., Inokuma Т., Kurata Y., Hasegawa S., Relationship between structural and optical properties in polycrystalline silicon films prepared at low temperature by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Journal of the Electrochemical Society. 1998. Vol. 145. N 10. P.3615-3620.

6. Ali A., Milovzorov D., Inokuma Т., Kurata Y, Hasegawa S., Effect of the addition of SiF4 to the SiH4 feed gas for depositing of polycrystalline silicon films with photo luminescent properties // Proc. Appl. Phys. Soc. Jap. Conf., March 1998;

7. Milovzorov D., Inokuma Т., Kurata Y., Hasegawa S., Suzuki Т., Linear and nonlinear optical properties of silicon micro- and nanocrystallites / K.N. Drabovich, V. I. Emelyanova, V, A.Makarov // Fundamental Aspects of Laser-Matter Interaction and Physics of Low-Dimensional Structures, NY, 1999. Vol.3734. P. 323-331;

8. Milovzorov D., Inokuma Т., Kurata Y, Hasegawa S., Correlation between structural and optical properties of nanocrystal particles prepared at low temperature by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Nanostructured Materials. 1999. Vol.10. Iss.8.P.1301-1306.

9. Рост полупроводниковых кристаллов и пленок, часть 1, Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов, под. ред. JI.H. Александрова, Наука, Москва, 1984. С.35-53.

10. Шарафутдинов Р.Г., Скрынников А.В., Полисан А.А., Патент РФ №2100477, от 25.03. 1998.

11. Струнин В.К, Баранова JI.B., Худайбергенов Г.Ж., Способ нанесения аморфного кремния и устройство для его осуществления, Патент РФ №2165476 от 27.07.1999,

12. Иевлев В.М., Бугаков А.В., Ориентированная кристаллизация пленок, Воронеж, 1998, Издательство ВГУ, 216 с.

13. Миловзоров Д. Е., Тонкие пленки гидрогенизированного поликристаллического крения и технология их получения, № 2227343 RU 27 Ноября, 2001 г. Дата публикации в бюллетене РОСПАТЕНТА, 2004.04.20.

14. Milovzorov D., Polycrystalline Silicon for Semiconductor Devices / Kamil A. Valiev; Alexander A. Orlikovsky I I Micro- and Nanoelectronics 2003. 2004, C.212.

15. Milovzorov D., Suzuki T., Using the optical parametrical oscillator for spectroscopical measurements of composite thin films / В. O. Kobelsen, C. Clayes, P. Stallhofer, F. Tardif, J. Benton, T. Shaffner, D. Schroder, S. Kishino, P. Rai-Choudhury // Analytical and Diagnostic Techniques for Semiconductor Materials, Devices, and Processes, PV 99-16 and SPIE Vol. 3895. P. 464-471.

16. Wunschl. F., Citarela G., Kunst M, Optoelectronic properties of microcrystalline silicon films // Thin solid Films, -2002. -Vol. 403-404.-P.526-529. 17..Орвилл-Томас У, Сузуки С., Райли Г., Интенсивности инфракрасных полос и полярные свуойства молекул / А.Барнса и У.Орвилл-Томаса // Колебательная спектроскопия, Москва, Мир, 1981. С.194.

18. Lax M., Burstein Е., Infrared lattice absorption in ionic and homopolar crystals // Physical Review. 1955. Vol.97. N1. P.39-52.

19 . Langford A.A., Fleet M.L., Nelson B.P., Langford W.A., Maley N.6 Infrared absorption strength and hydrogen content of hydrogeneited amorphous silicon // Physical Review B. 1992. N23.Vol .45. P.13367-13377.

20. Singh A., Davis E.A. The SiOx:Hy thin film system II Optical bandgap behaviour://Journal ofNon-Crystalline Solids. 1990. Vol. 122. P.233-240.

21. Tsu D.S., Lucovsky G., Davidson B.N. , Effects of the nearest \neighbours and the alloy matrix in Si-H stretching vibrations in the amorphous SiC)r:H(0<r<2) alloy system // Physical Review B. 1989.Vol.40. P. 1795-1805.

22. He L., Wang D.M., Hasegawa, S., A study of plasma-deposited amorphous SiOx:H films using infrared spectroscopy // Journal of Non-Crystalline Solids. 2000. Vol.261. P. 67-71.

23. Sanderson R.T., Chemical bonds and bond energy, Academic Press, New York, 1976, P.80.

24. Milovzorov D., Defect engineering in nanocrystalline silicon // Proceedings of International Conference "Тонкие пленки и наноструктуры", 2004, Moscow, Part 1. P.179-181.

25. He L., Wang D.M., Hasegawa S., A study of plasma-deposited amorphous SiOx:H films using infrared spectroscopy // Journal of Non-Crystalline Solids. 2000. Vol.261. P.67-71.

26. Nelson R., Lide D., Jr., Maryott A., Selected values of electric dipole moments for molecules in the gas phase, Washington, D.C. National Bureau of Standards.1967. 51 pages -Режим доступа: www.nist.gov/data/nsrds/NSRDS-NBS-lO.pdf.-Закл.с эксрана.-Яз. англ.

27. Milovzorov D., Point Defects in Nanocrystalline Fluorinated Silicon Films // Journal of Materials Science and Engineering with Advanced Technology. 2010. Vol. 2.N.I.P. 41-59.

28. Schoolcraft T. A., Diehl A. M., Steel А. В., Garrison B. J., Molecular dynamics simulations of fluorine molecules interacting with a Si. 100.(231) surface at 1000 К //Journal of Vacuum Science & Technol. A. 1995. Vol. 13. No. 4. P. 1861-1866.

29. Chatterjee A., Iwasaki Т., Ebina Т., Structural And Energetic Changes of Si (100) Surface With Fluorine in Presence of Water - A Density Functional Study // International Journal of Molecular Science. 2001. Vol.2. P.40-56.

30. Gillespie, R., Robinson E. Bond Lengths in Covalent Fluorides // Inorganic Chemistry. 1992. Vol.31. P. 1960-1963.

31. Voronkov M., Tandura, S., Molecular and electronic structure of penta- and hexacoordinate silicon compounds in Structural chemistry of boron and silicon: Topics of Current. Chemistry. 1986. Vol.131. P.99.

32. Минкин В.И., Симкин Б.Я., Миняев P.M., Теория строения молекул, Ростов-на-Дону, 1997, 560 с.

33. King R.A., Mastrykov V., Schaefter H., The electron affinities of the silicon fluorides SiFn (n=l-5) // Journal of Chemical Physics. 1996. Vol.105. P. 6880-6886.

34. Milovzorov D., Memory cell with photoacoustic switching / Warren Y. Lai, Stanley Pau, O. Daniel Lopez // Nanofabrication: Technologies, Devices, and Applications, 2005, P.427-437.

35. Pauling L., Wilson E.B., Quantum Mechanics with Application to Chemistry, 1985, Dover, NY, P.272.

36. Autkins P.W., Molecular quantum mechanics, second edition, Oxford, New York, 1992, P.235.

ЪП.Ьапоо M., Allan G., A cluster plus effective tight-binding study of SiOx systems // Solid State Communications. 1978. Vol.28. P. 733-739.

38. Byun K. , Lee W., Water absorption characteristics of fluorinated silicon oxide films deposited by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapour deposition using SiH4, SiF4 and 02 // Thin solid films. 2000.Vol. 376. P. 26-31.

39. Milovzorov D., Nonlinear Optoelectronic Devices Based on Nanocrystalline Silicon Films: Acoustoelectrical Switchers for Optical Modes, Nonlinear Optical Switchers and Lasers / Y.Masuda //Nanocrystals, 201 l.INTECH, Austria, P. 474.

40. Wang, J., Zou, В., El-Sayed, M., Comparison between the polarized Fouriertransform infrared spectra of aged porous silicon and amorphous silicon dioxide films on Si(100) surface // Journal of Molecular Structure. 1999.Vol.508. P.87-96.

41. Chabal, Y, Ragnhavachari, K, Zhang, X, Garfunkel, E., Silanone on Si (100): intermediate for initial silicon oxidation // Physical Review B. 2002. Vol.66. P.161315-1-4.

42. King, R., Mastrykov, V., Schaefter, H., The electron affinities of the silicon fluorides SiFn (n=l-5j //Journal of Chemical Physics. 1996. Vol.105. P.6880-6886.

43. Corbett, J., Watkins, G., Chrenko, R., McDonalds, R., Defects in Irradiated Silicon: Infrared Absorption of the Si- A center // Physical Review. 1961.Vol.121. N4. P. 1015-1022

44. Corbett, J., Watkins, G., McDonalds, R., New oxygen infrared bands in annealed irradiated silicon, Physical Review. 1964. Vol.135. N5A. P.A1381-A1385.

45. Kolasinski K., Surface Science: foundation of catalysis and nanoscience, John Wiley & Sons, London, P.230-238.

46. Боровинский JI.А., Воронцова Р.П., К атомистической теории образования зародышей на активных центрах подложки, В книге Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников, Новосибирск, Наука, 1981, 231 с.

47. Donnelly Т. W., Anisotropic etching ofSi02 in low-frequency CF4/O2 and NF/Ar plasmas //Journal of Applied Physics. 1984.Vol.55.P. 246.

48. Sato K., Nakagawa Y.,.Ikeda H,.Zaima S, Yasuda K, A study on the local bonding structures bof oxidized Si(l 11) surfaces I I Thin Solid Films. 2000. Vol.369. P.277-280.

49. Zhang X., Chabal Y., Christman S., Chaban Т., Garfunkel E., Oxidation of H-covered flat and viocinal Si(lll)-lXl surfaces // Journal of Vacuum science and Technology A. 2001. Vol. 19. Iss.4. P. 1725-1729.

50. Hofer U., Nonlinear optical investigations of the dynamics of hydrogen interaction with silicon // Applied Physics A. 1996. Vol.63. P. 533-547. ; M.Durr, JJ.Hofer, Dissociative adsorption of molecular hydrogen on silicon surface // Surface Science Reports. 2006. Vol.61. P.465-526.

51. Hofer U., Puschman A., Coulman D.,.Umbach E Adsorption of molecular oxygen on Si(lll) // Surface Science. 1989. Vol.211/212. P.948-958.

52. Matsuda A., Microcrystalline Silicon: Growth and Device Application // Journal of Non-Crystalline Solids. 2004. Vol 338-340. P. 1-12.

53..Carrier E, Stratis J., Buchanan D., Passivation and depassivation of silicon dangling bonds at the Si/Si02 interface by atomic hydrogen, // Applied physics Letters. 1993. Vol.63. Iss.l 1. P. 1510-1512.

54. Chen W., Xiang K., Pandey R., Pernitz V., Calculations of linear and nonlinear optical properties of H-Silsequioxanes // Journal of Physical Chemistry B. 2000.Vol.104. P. 6737-6742.

55. Cullity B.D., Elements X-ray diffraction, Addison-Wesley, Reading, 1978, P.102.

56. Matsuda A. Formation kinetics and control of microcrystallite in pc-Si:H from glow discharge plasma //Journal of non-Crystalline Solids. 1983.Vol.59-60. P. 767774.

57. Fujihara H., Kondo M., Matsuda A., Nucleation mechanism of microcrystalline silicon from the amorphous silicon// Journal of Non-crystalline Solids. 2004. Vol.338-340. P.97-101.

58. Conrads H...Schmidt M, Plasma generation and plasma sources // Plasma Sources Science and Technology. 2000.Vol.9. P.441-454.

59. Tanaka K, Recent progress in microcrystalline semiconductor thin films // Proceedings of MRS. 1997. Vol .452. P.3-16.

60. Lukovsky G., Tsu D., Plasma-enhanced chemical vapor deposition: Differences between direct and remote plasma excitation // Journal of Vacuum Science and Technology A. 1987. Vol. 5. Iss.4. P.2231-2238.

61. Milovzorov D., Low temperature silicon films synthesis //High Purity Silicon 12, ed. By E.Simoen, P.Stallhofer, C.Mazure, C.Clayes, R.Falster, ECS Transactions. 2012. V.50. N5. P.71-80.

62.Han Y.P, HF vapor etching and cleaning of silicon wafer surfaces, Massachusets Institute of Technology, 1999, Thesis of PhD in Chemical Engineering, P.67.

63. Han Y.P., HF vapor etching and cleaning of silicon wafer surfaces, Massachusets Institute of Technology, 1999, Thesis of PhD in Chemical Engineering, P.84.

64.Flamm D, Mechanisms of silicon etching in fluorine and chlorine containing plasmas // Pure & Applied Chemistry. 1990.Vol.62. N9. P.1709-1720.

65. M. Kulkarni, H. Erk, Acid-Based etching of silicon wafers: mass-transfer and kinetic effects //Journal of Electrochemical Society,- 2000. -Vol.147. -P.176-188.

66. Witvrouw A., Du Bois, В., De Moor, P., Verbist, A., Van Hoof, C., Bender, H., Baert, C., A comparison between wet HF etching and vapor HF etching for sacrificial oxide removal, in Micromachining and microfabrication process technology VI, ed. by J.Karam, J.Yasatis, SPIE Vol.130. -Режим доступа: http://dx.doi.Org/10.l 117/12.396423, свободный. -Закл. с экрана. -Яз.англ.

67. K.W. Kolasinski, The mechanism of silicon etching in fluoride solutions // Physical Chemistry & Chemical Physics. 2003. Vol.5. P.1270-1278.

68. K.W. Kolasinski, Etching of silicon in fluoride solutions // Surface Science. 2009. Vol.603. P.1904-1911.

69. R. Outemzabet, et al., Origin of the anisotropy in the anodic dissolution of silicon//Journal of Electrochemical Society. 2006. Vol.153. P.108-116.

70. T. Wong, J. Wu, Effect of silicon tetrachloride concentration on nanocrystalline silicon films growth // Thin Solid Films. 2003. Vol.437. P. 45-50.

71. DonnellyT. W., D. L. Flamm, W. C. Dautremont-Smith, D. J. Werder Anisotropic etching of Si02 in low-frequency CF4/O2 and NF3/Ar plasmas. // Journal of Applied Physics. 1984. Vol.55. P. 242-252.

72. D.Milovzorov, Defect engineering and control in nanocrystalline silicon / Cor Clayes, M.Watanabe, R.Falster, P.Stallhofer // High Purity Silicon VIII,ed. 2004, P.226-233.

73. P. Wu, D. Lin, Growth mode in Si(100) epitaxy by low temperature chemical vapor deposition// Physical Review В. 1998. Vol.57. N19. P. 12421-12427.

74. G. Allan, C. Delerue, M. Lanoo, Theory of optical properties of polysilanes: Comparison with porous silicon // Physical Review B. 1993. Vol.48. N11. P. 79517959.

75. Emin D., Energy Spectrum of an Electron in a Periodic Deformable Lattice, Physical Review. 1972.Vol.28. N10, P.604-607.

76. Karttunen A.J., Linnolahti M., Pakkanen M., Icosahedral polysilane nanostructures // Journal of Physical Chemistry C. 2007.Vol. 11 l.P.2545-2547-a; Jones R.O., Clare D.W.,.Jennings P.J, Si-H clusters, defects, and hydrogeneited silicon // Physical Review B. 2001.Vol. 64.P. 125203-6.

77. Ali A.M., Inokuma Т., Kurata Y., Hasegawa S., Effects of addition of SiF4 during growth of nanocrystalline films at 100°C plasma-enhanced chemical vapor deposition //Japaneese Journal of Applied Physics. 1999.Vol.38.P. 6047-6053.

78. Wang N., Tang Y., Zhang Y.,.Lee C, Lee S., Nucleation and growth of Si nanowires from silicon oxide // Physical Review B. 1998. Vol. 58. N24. P.R16022-16026.

79. Bisaro K.Magarino, J., Proust, N., Zellama, K. Structure and crystal growth of atmospheric and low-pressure chemical vapor-deposited silicon films // Journal of Applied Physics. 1986. Vol.59.N4. P. 1167-1178.

80. Kakinuma H., Mohri M.,Sakamoto M., Tsuruoka Т., Structural properties of polycrystalline silicon films prepared by plasma chemical vapor deposition// Journal of Applied Physics. 1991.Vol.70. N12. P.7374-7381.

81. Drozd B. , Washburn J.,A new technique for observing the amorphous to crystalline transaction in thin surface layers on silicon wafers // Journal of Applied Physics. 1980. Vol.51. N8.P.4106-4110.

82. Sigmon T.W. Recrystallization of Ion Implanted Amorphous and Heavily Damaged Semiconductors // IEEE Transactions Nuclear Science. 1981.Vol. 28. Iss.2. P. 1767-1770.

83. Drozd B. , Washburn J. Some observations on the amorphous to crystalline transformation in silicon// Journal of Applied Physics. 1982. Vol.53.Nl.P.397-403.

84. Чернов А., Гиваргизов E., Багдасаров X..,Образование кристаллов в книге // Современная кристаллография, Москва, Наука, 1978,Т.З.

85..Тимофеева В.А, Рост кристаллов из растворов и расплавов, Москва, Наука, 1978, 267 с.

86. Лукомский Ю.Я., Гамбург Ю.Д., Физико-химические основы электрохимии, издательский дом «Интеллект», Долгопрудный, 2008, -424 е.;

Тимофеева В.А., Рост кристаллов из растворов и расплавов, Москва, Наука, 1978, с.121.

87. Mandal N.P., Dey S., Agarwal S., Study of Nanocrystalline Silicon with Atomic Force Microscopy // Proceedings of MRS, Boston, USA, December 2002; Mandal N.P., Dey S., Agarwal S., Influence of surface treatments on nanocrystalline silicon //Thin Solid Films. 2004. Vol.451-452. P.375-378.

88. Park Y, Rhee S., Effect of hydrogen plasma precleaning on the removal of interfacial amorphous layer in the chemical vapor deposition of microcrystalline silicon films on silicon oxide surface // Applied Physics Letters. 1996. Vol.68.N16. P. 2219-2221.

89. Moniruzzaman S., Inokuma Т., Kurata Y., Takenaka S., Hasegawa S., Structural of poly crystalline silicon films deposited at low temperature by plasma CVD on substrates exposed to different plasmas // Thin Solid Films. 1999. Vol.37.P. 27-31.

90. Yu K, Zhu Z., Wang W., Chen S.,.Li Q, Chen Q.,.Lu W, Zi J., Patterned uniformly oriented silicon nanocrystalline films and efficient field emission characteristics // Solid State Communications. 2004. Vol.l29.P. 555-558.

91. Келли А., Гровс Г., Кристаллография и дефекты в кристаллах, М., Мир, 1974, 496 е..

92. Tong Q., Gosele U., Semiconductor wafer bonding, Science and Technology, The Electrochemical Society Series, John Willey & Sons Inc., 1999. P.297.

93. Fujiwara H., Kondo M., Matsuda A., Nucleation mechanism of microcrystalline silicon from the amorphous phase // Journal of Noncrystalline Solids. 2004. Vol.338-340. P. 97-101.

94. Milovzorov D.., Kim KB, Lisachenko M., Seo J.W., Lee К Y, Chung H.K, Microcrystalline Silicon for Thin Film Transistor // Proceedings of the 5th International Meeting on Information Display (IMID), Seoul, 2005. Vol..II. P.1320-1322.

95. Kanemitsu Y., Slow decay dynamics of visible luminescence in porous silicon: Hopping of carriers confined on a shell region on nanometer-size Si crystallites // Physical Review B. 1993. Vol.48. N16. P. 12357-12360.

96. Pollak F.,.Rubloff G, Piezo-optical evidence for a transitions at the 3.4 eV optical structure of silicon // Physical Review Letters. 1972. Vol.29. N12. P. 789792.

97. Teiss W., Optical properties of porous silicon // Surface Science Reports. 1997. Vol.29. P. 91-192.

98. Prokes S., Carlos W. Oxygen defect center red room temperature photoluminescence from freshly etched and oxidized porous silicon // Journal of Applied Physics. 1995. Vol. 78. N 4. P. 2671-2674; Prokes S„ Carlos W., Glembocki O., Defect-based model for room-temperature visible photoluminescence in porous silicon//Physical Review B. 1994.Vol. 50. N23. P. 17093-17096.

99. Ostapenko S., SavchukA., Nowak G., Lagovski J., Hoff ^.Enhancement of room-temperature photoluminescence in thin-film polycrystalline silicon produced by low power laser annealing // Applied Physics Letters. 1995. Vol. 67. N20. P.2942-2944.

100. Campbell I.H.,.Fauchet P.M, The effects of microcrystal size and shape on the phonon Raman of crystalline semiconductors // Solid State Communications. 1986. Vol. 58. P.739-741.

101. Yu P., Cardona M, Fundamentals of semiconductors, Physics and Materials Properties, Springer, Berlin. 1996. P.207.

102. Milovzorov D. , Chigarev N.. Laser spectroscopy methods for nondestructive analysis of thin films / C.L. Claeys, P. Rai-Choudhury, M. Watanabe, P. Stallhofer and H.J. Dawson // High Purity Silicon VI. 2000. PV 2000-17. P. 596-605.

103. Hart T., Agarwall R., Lax B. Temperature dependence of Raman scattering in silicon//Physical Review B. 1970.Vol.l. Iss.2. P.638-642.

104. Jian Z, Junhui J., Cunyi X., The Raman and infrared spectra depend on oxidation in nanometer silicon powder // Japaneese Journal of Applied Physics. 1999.Vol.38. P. 3548.

105. Brunetto N., Amato G., A new line shape analysis of Raman emission in porous silicon//Thin Solid Films. 1997. Vol.297. P. 122.

106. Ratcklif K., in Multivariate Analysis, ed. by P. Krishnaiah, North-Holland, Amsterdam, 1980. P.593.

107. Milovzorov D., Suzuki Т., Size-dependent second-harmonic generation by nanocrystals prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Proceedings of International Conference of Applied Physics Society of Japan, Okinawa. 1998. P.390.

108. Richter H., Wang Z, Ley L., The one phonon Raman spectrum in microcrystalline silicon // Solid State Communications. 1981.Vol. 39. P.625.

109. Tsu D.S., Lucovsky G., Davidson B.N. Efects of the nearest neighbors and the alloy matrix on SiH stretching vibrations in the amorphous SiOr:H (0<r<2) alloy system // Physical Review B. 1989.Vol.40. P. 1795; F. Pollak, R.Tsu, Raman characterization of semiconductor revisited // Proceedings of SPIE, Spectroscopic Characterization Technique for Semiconductor Technology. 1983. Vol.452. P. 2643.

110. Milovzorov D., Acoustoelectric effect in microcrystalline and nanocrystalline silicon films prepared by CVD at low and high deposition temperatures // Journal of Physics. 2012.Vol.l. N2. P.38-49.

111. Tsu R., Gonzalez-Hernandez J., Chao S.S., Lee S.C., Тапака К., Critical volume fraction of crystallinity for conductivity percolation in phosphorus-doped Si: F: H alloys // Applied Physics :Letters. 1982.Vol.40. P.534.

112. Veprek S., Sarott F.A., Iqbal Z, Effect of grain boundaries on the Raman spectra, optical absorption, and elastic light scattering in nanometer-sized crystalline silicon // Physical Review B. 1987, Vol.36. P. 3344.

113. Глезер A.M., Пермякова И.Е., Нанокристаллы, закаленные из расплава, М., Физматлит, 2012, С. 149.

114. Loechelt G.H., Cave N.G., Menendez J., Measuring the tensor nature of stress in silicon using polarized off-axis Raman spectroscopy // Applied Physics Letters, 1995. Vol.66. N26. P. 3639-3941.

115. Klemens P.G. , Anharmonic decay of optical phonons // Physical Review, -1966, Vol.148, P.845-848; Temple P., Hathaway C.E., Multiphonon Raman Spectrum of Silicon, Physical Review B. 1972. Vol. 7. P. 3685-3697.

116. Singh R., Prakash S., Shukla N., Prasad R., Sample dependence of the structural, vibrational, and electronic properties of a-Si:H: A density-functional-based tight-binding study // Physical Review B. 2004 . Vol.70. P. 115213.

117. Alben R., Weaire D., Smith J.E., Brodsky M.H., Vibrational properties of amorphous Si and Ge // Physical Review B. 1975. Vol.11.P. 2271- 2296.

118. Lengsfeld P., Nickel N.H., Gensel C., Fuhs W., Stress in undoped and doped laser crystallized poly-Si // Journal of Applied Physics.2002. Vol.91.P. 9128-9135.

119. Sasaki H., Hayashi S., Kim S., Yamamoto K, Raman depolarization ratio of small silicon particles // Sol.State Communications. 1987.Vol.61. P. 671-677.

120. Ралдугин В.И., Физикохимия поверхности, Долгопрудный, Издательский дом «Интеллект», 2011, 568 с.

121. Вихров С.П., Алпатов А.В., Обработка АСМ изображений поверхности наноматериалов методом 2D фрактально-флуктуационного го анализа // Труды V Всероссийской школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур», Рязань. 2012.Том II. С.15.

122..Израелешвили Дж, Межмолекулярные и поверхностные силы, Мир, Москва, 2011, 456 с.

123. Хаусдорф Ф., Теория множеств, Москва, 2011, ЛКИ, 304 с.

124. Ландау Л., Лифшиц Е., Электродинамика сплошных сред, Москва, Наука, 1982. 664 с.

125. Milovzorov D., Field-effect on crystal phase of silicon in Si/Ce02 /Si02 structure // Journal of Nanomaterials, Hindawi. 2008, Article ID 712985. Режим доступа: downloads.hindawi.com/journals/jnm/2008/712985.pdf - Закл. с экрана. -Яз.англ.

126. Davidson S., Steslicka М, Basic theory of surface states, Oxford Science Publications. 1992. P. 189

127. Zakurdaev I., Milovzorov D., Ionization of sputtered atoms by resonant laser light near a surface // Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters. 1992. Vol.55. P.262-265.

128. Мшовзоров Д., Дюбуа А., Ионизация атомов на поверхности при лазерно-стимулированной вторичной ионной эмиссии // Радиотехника и Электроника. 1993. N 8.С.1518-1525.

129. Закурдаев И., Мшовзоров Д., Шишлаков В., Вторичная ионная эмиссия с поверхности металла, усиленная резонансным лазерным излучением // Письма в Журнал Технической Физики. 1992.Том 18.Вып. З.С. 3-9.

130. Мшовзоров Д., Фотостимулированное резонансное туннелирование электронов в квантовых ямах с двумя уровнями // Письма в Журнал Технической Физики. 1996. Том 22. Вып.21.С.74-78.

131. Milovzorov D., Quantum logical elements for computing based on polycrystalline silicon / Diana L. Huffaker; Pallab Bhattacharya // Photonics and nanostructures, Quantum Dots, Nanoparticles, and Nanoclusters. 2004. Vol.5361. P.108-116. Режим доступа: http://dx.doi.org/10.1117/12.523642. -Закл. с экрана.-Яз.англ.

132. Milovzorov D.E., Ali А. М, Inokuma Т., Kurata Y., Suzuki Т. , Hasegawa S. Optical properties of silicon nanocrystallites in polycrystalline silicon films prepared at low temperature by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 2001. Vol. 382. Iss.l&2, P. 47-55.

133. Kanemitsu Y., Photoluminescence spectrum and dynamics in oxidized silicon nanocrystalls //Physical ReviewB.1996.Vol.53. N20. P. 13515-13519.

134. Kanemitsu Y.,Okamoto S., Resonantly excited photoluminescence from porous silicon:Effects of surface oxidation on resonant luminescence spectra // Physical Review B. 1997. Vol.56. N4. P. R1696-R1700.

135. Блохинцев Д.И., Основы квантовой механики, Наука, Москва, 1976, 664 с.

136. Yu P., Cardona М., Fundamentals of semiconductors, Springer, 1996, Berlin, 617 p.

137. Watkins G.D. , Corbet J.W., Defects in Irradiated Silicon I: Electron Spin Resonance of the Si-A Center // Physical Review. 1961. Vol.121. P.1001-1014.

138. Efros A. L., Efros A. L.Interband absorption of light i8n a semiconductor sphere // Soviet Physics of Semiconductors. 1982.Vol.16. P. 772.

139. Milovzorov D., Defect engineering and control in nanocrystalline silicon / Cor Clayes, M.Watanabe, R.Falster, P.Stallhofer // High Purity Silicon VIII. 2004. P.226-233.

140. Cannas M., Point Defects in Amorphous Si02: Optical Activity in the Visible, UV and Vacuum-UV Spectral Regions, PhD Thesis, Physics, 1998, University of Palermo, 145 p.

141. Milovzorov D., Nanocrystalline silicon for memory cells // Proceedings of International Conference "HHTepMaTHK-2004", Moscow, 2004,Part 1. P. 176-184.

142. Salh R., Defects Related luminescence silicon dioxide network / Sukumar Basu, // Crystalline Silicon- Properties and Uses, InTech, Chapter 8, 344 p.

143. Matsumoto T., Wright O. B., Futagi T., Mimura H., Kanemitsu Y T., Ultrafast electronic relaxation processes in porous silicon // Journal of Non-Crystal. Solids, 1993. Vol. 164-166. P. 953.

144. Delerue C., Allan G., Lannoo M., Theoretical aspects of the luminescence of porous silicon // Physical Review B, 1993.Vol. 45. P. 11024-11034.

145. Efros A., Behren J., Bouren T., Zacharia M,, Chimowits E., Fauschet P., Quantum confinement in nanoscale silicon: the correlation of size with bandgap and luminescence // Solid State Communications. 1998. Vol.195, Iss.5. P. 317-322.

146. Lannoo V., Delerue C., Allan G., Martin E., Theory of the physical properties of Si nanocrystals // Proceedings of Material research Society. 1995. Vol.358.P.13-23.

147. Zhang S., Yeh C., Zunger A., Electronic structure of semiconductor quantum films //PhysicalReviewB. 1994. Vol. 48. Iss.15 . P. 11204-11220.

148. Kanemitsu Y, Okamoto S., Photoluminescence vechanism of silicon quantum dots and wells // Proceedings of Materials Research Society. 1997. Vol.452, P. 195200.

149. Tauc J., Grigorovici R, Vancu A., Optical properties and electronic structure of amorphous germanium //Physica Status Solidi. 1966.Vol. 15. P.627.

150. Allan G., Delerue C., Lannoo M., Nature of luminescent surface states of semiconductor nanocrystallites // Physical Review Letters. 1996. Vol.78, Iss.16, .P.2961-2964.

151. Delerue C., Lannoo M., Allan G., Martin E., Theoretical descriptions of porous silicon// Thin Solid Films. 1995. Vol.255. P.27-34.

152. Lnokuma T., Wakayama Y., Muramoto T., Aoki R., Kurata Y., Hasegawa S., Optical properties of Si clusters and Si nanocrystallites in high-tenperature annealed SiOx films // Journal of Applied Physics. 1998.Vol.83,Iss.4. P. 2228-2234.

153. Matsumoto T., Belogorokhov A., Belogorokhova L., Matsumoto Y., Zhukov E., The effect of deuterium on the optical properties of free-standing porous silicon layers // Nanotechnology. 2000. Vol.11. P. 340-347.

154..Li P, Sattler K., Generation and structural analysis of silicon nanoparticles, Proceedings of Material Research Society. 1995. Vol.358. P. 122-126.

155. Camata R., Atwater H., Vahala K., Flagan R., Size classification of silicon nanocrystals //Applied Physics Letters. 1996. Vol.6, Iss.22, P. 3162-3164.

156. Hybertsen M.S., Needels M. First-principlesanalysis of electronic states in silicon nanoscale quantum wires // Physical Review B. 1993. Vol. 48. P. 4608.

157. Sato K., Nakagawa Y, Ikeda H., Zaima S., Yasuda Y., A study of the local bonding structures of oxidized Si(lll) surfaces // Thin Solid Films, 2000. Vol.369. P.277-280.

158. Zhu F., Kohara H.,.Fuyuki T, Matsunami H., Structural and optical properties of polycrystalline silicon films deposited by the plasma enhanced chemical vapor deposition method // Japaneese Journal of Applied Physics. 1996. Vol.35. P.3321-3326.

159. Zhu F., Singh J., On the optical design of thin film amorphous silicon solar cells // Solar Energy Mater. &Solar Cells.1993. Vol.31. P.119, J.Berning and P.Berning, Thin film calculations using the IBM650 electronic calculator//Journal of Optical Society of America. 1960. Vol.50. P. 813.

160. Smith Z.E., Wagner S., Band tails, Entropy, and equilibrium Defects in Hydrogeneited Amorphous Silicon, Physical Review Letters.1987.Yol.59. N6. P688-691.

161. Чигарев Н.И., Высокочувствительная пикосекундная оптоакустическая и поляризационная спектроскопия конденсированных сред, Дисс. ...канд. физико-математических наук, Москва, МГУ, 1998. С.86-91.

162. Богомолов Л.Д., Лазукин В.Н., Чепелева И. В., Электронный парамагитный резонанс в кремнии и германии // Успехи физических наук. 1964.Том LXXXIII. Вып.З.С. 433-502.

163. Тапака К., Maruyama Е., Shimada Т., Okamoto Н, Sato Т., Amorphous silicon, John Wiley & Sons, 1999, New York, 264 pages.

164. Song E., Kim E., Lee Y., Hwang Y, Fully relaxed point defects in crystalline silicon//Physical Review B. 1993.Vol. 48.N3.P. 1486-1489;

165. Antonelly A., Kaxiras E., Chadi D. Vacancy in silicon revisited: structure and pressure effects // Physical Review Letters. 1998. Vol. 81. N10. P. 2088-2091;

166. Voronkov V., Falster R, Intrinsic point defects and impurities in silicon crystal growth//Journal of Electrochemical Society. 2002.Vol.l49.Iss.3. P.G167-G174.

167. Uren M., Statis J.H., Cartier E., Conductance measurements on Pb centers at the (111) Si/Si02 interface // Journal of Applied Physics. 1996. Vol.80. Iss.7. P. 3915-3921.

168. Богомолов Л. Д., Лазукин В.И., Чепелева И.В., Электронный парамагнитный резонанс в кремнии и германии // Успехи Физических Наук. 1964. Т.ЗЗ, Вып.З, С.433-502.

169. Astakhov A. et al., Paramagnetic centers in amorphous and microcrystalline silicon irradiated with 2 MeV electrons // Atomic Science and Technology. 2007. N2, P.39-42.

170. Shimazaki M. Show Y., Iwase M., Izumi Т., Ichinobe Т., Nozaki S., Morizaki H., Correlation between light emission and dangling bonds in porous silicon // Applied Surface Science. 1996.Vol.92. P.617-620.

171. Umeda Т., Isoya J., Ohshima Т., Onoda S., Morishita N., Okonogi K., Shiratake S., Fluorine-vacancy defects in fluorine-implanted silicon studied by electron paramagnetic resonance // Applied Physics Letters.2010. Vol.97. P.041911.

172. Hofer U., Time-resolved coherent spectroscopy of surface states // Applied Physics B: Lasers and Optics, 1999,Vol. 68. N 3. P.383-392; Marks, M„ Schwalb, С. H., Schubert, K., Gtidde, J., Hofer, U., Quantum-beat spectroscopy of image-potential resonances // Physical Review B. Vol. 84, Iss. 24. id. 245402.

173. Milovzorov D., Electronic structure of nanocrystalline silicon and oxidized silicon surfaces // Electrochemical and Solid State Letters. 2001, Vol.4, Iss.7,P. G61-63, ().

174. Nayfeh M.H., Rigakis N., Yamani Z, Photoexcitation of Si-Si surface states in nanocrystallites. //Physical Review B. 1997.Vol.56, N4. P. 2079-2083.

175. Erginsoy C., On the mechanism of impurity band conduction in semiconductors // Letter to the editor, Physical Review. 1950. P. 1104-1105.

176. Watkins G., The lattice vacancy in silicon / S. Pantelides // Deep centers in semiconductors, Gordon and Breach Science Publishers, 1992. Chapter 3.P.152.

177. Емцев B.B., Машковец T.B., Примеси и точечные дефекты в полупроводниках, Москва, Радио и Связь, 1981. 248 с.

178. Kahan V.D., High frequency hopping transport in solids and dielectric transparency in compensated semiconductors // Journal Experimental and Theoretical Physics. 2000. Vol.117.P. 452-456.

179. Schroeder D., Semiconductort material and device characterization, John Wiley & Sons, New York, 2006, 800 p.

180. Matsumoto Т., Wright О. В., Futagi Т., Mimura H, Kanemitsu K.Ultrafast electronic relaxation processes in porous silicon // Journal of Non-Crystalline Solids. 1993.Vol. 164-166. P.953.

181. Голъданский В.И., Трахтенберг Л.И., Флеров В.Н, Туннельные явления в физике и химии, 1986, Москва, 291 с.

182. Dobaczewski L., Anderson O., Rubaldo L., Markevich P., Peaker A.R., Bonde Nielsen K., Saddle point for oxygen reorientation in the vicinity of a silicon vacancy // Physical Review B. 2003.Vol.67. P. 195204-8.

183. Hasegawa H, Spin-lattice relaxation of shallow donor states in Ge and Si through a direct phonon process // Physical Review. 1960.Vol.118. P. 1523.

184. Roth L.M.g factor and donor spin-lattice relaxation for electrons in germanium and silicon // Physical Review. 1960.Vol.l 18. P. 1534.

185. Powell M. J., Deane S.C., Improved defect-pool model for charged defects in amorphous silicon//Physical Review B. 1993. Vol.48. P. 10815-10826.

186. ShengJ. Li, Semiconductor Physical Electronics, Springer, 2006, 689 p.

187. Tanaka К., Maruyama E., Shimada Т., Okamoto H., Sato Т., Amorphous silicon, John Willey & Sons, Chichester, UK, 1999. 270 p.

188. Shimazaki M., Show, Y., Iwase, Т., Ichinobe,T., Nosaki, S., Morisaki, H. Correlation between light emission and dangling bonds in porous silicon //Applied Surface Science. 1996.Vol.92.P. 617-620.

189. Crowler В., Title F., Brodsky M., Ptetit G. ESR and optical absorption studies of ion-implanted silicon // Applied Physics. Letters. 1970. Vol.16. P. 205.

190. Caplan P., Pointdexter E., Deal В., Razouk R. II Applied Physics Letters. 1979. Vol.50.P.5847.

191. Tang M., Colombo L., Zhu J., Diaz /".Intrinsic point defects in crystalline silicon : Tight-binding molecular dynamics studies of self-diffusioninterstitial-vacancy recombination and formation volumes // Physical Review B.1997.Vol.55. N21 .P. 14279-14289.

192. Миловзоров Д.Е., Тонкопленочный нанокристаллический кремний (111) для солнечной энергетики и электроники // Наноиндустрия. 20 Ю.Том 3. С.52-60.

193. Zhang L., Leisure R, The E'g and triplet-state centers in x-irradiated high-purity amorphous SiC>2 11 Journal of Applied Physics. 1996.Vol.80.Iss. 7. P.3744-3749.

194. Devine R., Warren W,, Xu J., Wilson I., Pallet P., Leray J., Oxygen gettering and oxide degradation during annealing of Si/Si02/Si structures // Journal of Applied Physics. 1995.Vol.77.Iss. 1.P.177. (Fig.2).

195. Xu, G. Burton, Neumark D., Photoelectron spectroscopy of Si„H2 (n=2-4) anions // Journal of Chemical Physics. 1998. Vol.108. P.7645.

196. Stewart G.W., Sun J., Matrix perturbation theory, Academic Press, San Diego, 1990, P.182-218.

197. Queeney К. Т., Weldon M.K., Chang J.P., Chabal Y.J., Gurevich A.B., Sapieta J., Opila R.L.J/ Journal of Applied Physics. 2000.Vol.87.P. 1322-1330.

198. S.Davidson and M.Steslicka, Basic theory of surface states, Oxford science publications, 1992, 223 p.

199. Hansson G. , Uhrberg R., Photoelectron spectroscopy of surface states on semiconductor surface // Surface Science Reports. 1988. Vol.9.P. 197-292.

200. Tohmon R., Shimogaichi Y., Tsuta Y., Munekuni S., Ohki Y., Наша Y., Nagasawa K., Triplet-state defect in high-purity glass // Physical Review B. 1990.Vol.41.N10. P.7258-7260.

201. Закурдаев И.,Миловзоров Д., Ионизация распыленных атомов резонансным лазерным излучением около поверхности //14 Международн. Конф. по когерентной и нелинейной оптике, Ленинград. 1991.Том 1 . С.127-128.

202. Закурдаев И.,Миловзоров Д., Ионизация атомов на поверхности лазерным излучением // Тез.докл.И Межд. конф. по взаимодействии частиц с твердым телом, Звенигород. 1994.Том 1.С.76.

203. Newns D.M. Self-consistent model of hydrogen chemisorption // Physical Review. 1969. Vol.l78.P.l 123-1135.

204.. Kawai R, Liu K.C., Newns D.M., Burnett K. A proposed absorption spectroscopy for studying energy levels of atoms in collision with surfaces // Surface Science, 1987.Vol. 183.P.161-179.

205. R.Brako, D.M.Newns, Charge exchange in atom-surface scattering: thermal versus quantum mechanical non-adiabadicity // Surface Science. 1981.Vol. 108. P.253-270.

206. Milovzorov D., Dyubua A., Ionization of atoms on the surface during laser-stimulated secondary ion emission // Journal of Communication Technology and Electronics. 1993.Vol. 38. P. 34.

207. Street R., Transient conductivity and photoconductivity in a-Si:H // Physical Review B.1985.Vol.32.N6. P.3910-3920.

208. Han D., Yu G., Lorentzen P., Lin J., Habuchi H., Wang Q., Optical and electronic properties of microcrystalline silicon as a function of microcrystallinity // Journal of Applied Physics. 2000.Vol 87. N4. P. 1882-1888.

209. Nickel N., Jonson N., Van de Wille C., Hydrogen-induced metastable changes in the electrical conductivity of polycrystalline silicon // Physical Review Letters. 1994. Vol.72.N21.P. 3393-3396.

210. Brugeman R., Rohan M., Rosch M., Normal and inverted Myer-Neldel rule in hot-wire CVD deposited nanocrystalline silicon // Physica Status Solidi A, Applied Research. 1998. Vol.166, Iss.2, P.R11-R12.

211. Veprek S., Iqbal Z, Kuhne R, Capezzuto P., Sarrott F., Gimzewski J., Properties of microcrystalline silicon: IV. Electrical conductivity, electron spin resonance and the effect of gas adsorption // Journal of Physics C: Solid State Physics. 1983.Vol. 16.P. 6241 -6262.

212. Hadjadj A., Beorchia A., Cabarrocas P.,.Boufendi L, Temperature improvement of the optical and electrical properties of hydrogeneited nanostructured silicon thin films // Thin Solid Films. 2002.Vol. 403-404. P.39-43.

213. J.Werner, M. Peisl, Exponential band tails in polycrystalline semiconductor films//Physical Review B. 1985.Vol.31, N10.P. 6881-6883.

214. Бонч-Бруееич B.JI., Калашников С.Г., Физика полупроводников, Наука, 1990, 688с.

215. Staebler D.L., Wronski C.R., Optically induced conductivity changes in discharge-produced hydrogenated amorphous silicon // Journal of Applied Physics. 1980.Vol. 51 .P.3262-3268.

216. Hasegawa S., Narikata S., Kurata Y., ESR and electrical properties of P-doped microcrystalline Si // Philosophical Magazine B. 1983.Vol.48.P.431-447.

217. Veprek S., Iqbal Z, Kuhne R., Sarott K, Gimzewski K., Properties of microcrystalline silicon: IV. Electrical conductivity, electron spin resonance and effect of gas adsorption // Journal of Physics: C, Solid State Physics. 1983.Vol. 16. P.6241-6262..

218. Rashke M., Bratu P., Hofer U., Optical second-harmonic investigations of the isothermal desorption of SiO from the Si(100) and Si(lll) surfaces // Surface Science. 1998.Vol. 410. P.351-361.

219. Uchiyama T., Tsukada M., Atomic and electronic structures of oxygen-adsorbed Si(001) surfaces // Physical Review B. 1996. Vol.53. P.7917.

220. Nickel N.H., Johnson N.M., Van de Walle C.G., Hydrogen-induced metastable changes in the electrical conductivity of polycrystalline silicon // Physical Review Letters. 1994.Vol.72. P.3393-3396.

221. Madenach A., Werner J., Noise spectroscopy of silicon grain boundaries, // Physical Review B. 1988. Vol.38.P. -13150-13162.

222. Milovzorov D., Suzuki T., Size-dependent second harmonic generation of nanocrystals prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Applied Physics Letters. 1999, Vol. 75.P. 4103-4105.

223. Milovzorov D., Optical nonlinear switches based on nanocrystalline silicon / David A. Huckridge; Reinhard R. Ebert // Electro-Optical and Infrared Systems: Technology and Applications IV, Editors, 2007. Vol. 6737-44. P. 15.

224. Suzuki 7!, Kogo S., Tsukakoshi M., Aono M. Thermally enhanced second-harmonic generation from Si(l 11) -7x7 and «1x1» // Physical Review B. 1999.Vol. 59. N19. P. 12305-12308.

225..Mayer C,.Lupke G, Emmerichs U., Wolter K, Kurz H., Bjorkman C.H., Lukovsky G., Electronic Transitions at Si(lll)/Si02 and Si(l 1 l)/Si3N4 Interfaces

Studied by Optical Second-Harmonic Spectroscopy // Physical Review Letters. 1995.Vol. 74.N15. P.3001-3004.

226. Daum W., Krause H.J., Reichel U., Ibach К, Identification of Strained Silicon Layers at Si-Si02 Interfaces and Clean Si Surfaces by Nonlinear Optical Spectroscopy// Physical Review Letters. 1993. Vol.71, P.1234-1237. 227..Erley G, Daum W., Silicon interband transitions observed at Si(100)-Si02 interfaces // Physical Review B. 1998.Vol.58.N.4.P. R1734-R1737;

228. Cavanagh M., Power J., McJilp J., Munder H., Berger M., Optical second-harmonic generation studies of the structure of porous silicon surfaces // Thin Solid Films. 1995. Vol. 255, N1-2, -P. 146-148.

229. Pedersen K, Morgen P., Dispersion of optical second harmonic generation from Si(l 11) (7x7) // Physical Review B.1995.Vol.52. N4. P. R2277-R2280.

230. Pedersen K, Morgen P., Optical second harmonic generation spectroscopy on Si(l 11) 7x7 // Surface Science. 1997.Vol. 377-379. P. 393-397.

231. McGilp J.F., A review of optical second-harmonic and sum-frequency generation at surface and interfaces // Journal of Physics D.1996. Vol.29.P.1812-1821.

232. Suzuki T.,. Milovzorov D.E, Kogo S., Tsukakoshi M., Aono M., Surface second-harmonic generation spectra of Si (lll)-7x7 in the 1.0-1.7-eV fundamental photon energy // Applied Physics B.1999. Vol.68. P. 623-627.

233..Heinz T.F, in Nonlinear Surface Electromagnetic Phenomena, edited H.E.

Ponath and G.I. Stegeman, North Holland, Amsterdam, 1991. P.353-416.

234..Шен И.Р, Принципы нелинейной оптики, Москва, Наука, 1989, 560 с.

235. Nayfeh М.Н., Rigakis N., Yamani Z. Photoexitation of Si-Si surface states in nanocrystallites // Physical Review B. 1997. Vol.56, N4. P. 2079-2083.

236. Brust D., Electronic Spectra of Crystalline Germanium and Silicon // Physical Review. 1964. Vol.134, P. A1337-A1353.

237. Schmidt U., Christensen N.E., Cardona M., Relativistic band structure of Si, Ge and SiGe: Inversion symmetry effects // Physical Review B. 1990.Vol.41. N9, P.5919-5030;

238. Коротеев, Н.И Шумай И.Л., Физика мощного лазерного излучения, Москва, Наука, 1991, 312 с.

239. Лахно В.Д., Кластеры в физике, химии, биологии, Ижевск, НИЦ «Регулярная и стохастическая динамика», 256 с.

240. Milovzorov D., Optical nonlinear switches based on nanocrystalline silicon: Part II / David L. Andrews; Jean-Michel Nunzi; Andreas Ostendorf // Nanophotonics II, 2008.Vol. 6988. P. 69881G.

241 .Lupke G,.Bottomley D.J,.M.van Driel H, Second and Third Harmonic Generation from Cubic Centyrosymmetric Crystals with vicinal surfaces: Phenomenological theory and experiments // Journal of Optical Society of America B. 1994.Vol.ll.Nl. P. 33

242. Клышко Д.Н., Фотоны и нелинейная оптика, Москва, Наука, 1980, 256 с.

243. Peng H.J., Adles E.J., Wang J.F.T., Aspnes D.E., Relative bulk and interface contributions to optical second-harmonic generation in silicon // Physical Review B. 2005. Vol.75.P. 205203.

244. Cheng W., Xiang K., Pandey R., Pernitz U., Calculations of linear and nonlinear optical properties of H-silsesquioxanes // Journal of Physical Chemistry Вю 2000.Vol.104 .P. 6737-6742.

245. Cao G, Nanostructures and Nanomaterials, Synthesis, Properties and Applications, Imperial College Press, London, 2004, 433 p.

246. Dobaczewsky L., Andersen O., Rubaldo L., Goscinski K., Markevich V.P., . Peaker R., Bonde Nielsen K, Saddle point for oxygen reorientation in the vicinity of a silicon vacancy // Physical Review B. 2003.Vol.67.P. 195204.

247. Queeney K.T.,. Weldon M.K, Chang J.P.,.Chabal Y.J, Gurevich A.V., SapietaJ., Opila R.L., Infrared spectroscopic analysis of the Si/Si02 interface structure of thermally oxidized silicon // Journal of Applied Physics. 2000. V.87. N3. P.1322-1330.

248. Allen G., Delerue C.,.Lannoo M, Theory of optical properties of polysilanes // Physical Review B.1993.Vol.48.Nl 1, P. 7951-7959.

249. Takagahara Т., Takeda К, Excitonoc exchange splitting and Stokes shift in Si nanocrystals and Si clusters // Physical Review B. 1996.Vol.53. N8. P. R4205-R4208.

250. Lin S.H., Radiationless transitions, 1980, Academic Press, 421 p.

251. Ахманов С.А., Емельянов В.И., Коротеев Н.И., Семиногов В.И. II Успехи Физических Наук. 1985.Том147.С. 675.

252.Hirao М, First-principles calculation of the optical properties of nanocrystalline silicon // Proceedings of Material Research Society Symposium. 1995.Vol. 358. P.3-12.

253. Verdeyen J. Т., Laser electronics, Princeton-Hall International Inc. 1995, 790 p.

254. Ахманов С.А.,.Дьяков Ю.Е, Чиркин А.С., Статистическая радиофизика и оптика, Москва, Наука, 1981, 640 с.

255..Закурдаев И.В, Миловзоров Д.Е., Ионизация распыленных атомов резонансным лазерным излучением около поверхности // Письма в ЖЭТФ. 1992. Том 55, вып.5, С.265-267.

256. Handboock of Mathematical Functions, ed. By M. Abramovitz and I. Stegun, Dover Publications Inc., New York, 1972.

257. Antonelly A., Kaxiras E., Chadi £>., Vacancy in Silicon Revisited: Structure and Pressure Effects II Physical Review Letters. 1998.Vol. 81. N10. P. 2088-2091.

258. Dresselhaus G., Dresselhaus M., Fourier expansion for the electronic energy bands in silicon and germanium // Physical Review .1967.Vol.160. N7.P. 649-678.

259. Winkler R., Spin-orbit Coupling Effects in Two-Dimensional Electron and Hole Systems, Springer, 2003. P.27.

260. Feuer P, Electronic States in Crystals under Large Over-All Perturbations // Physics Review. 1952.Vol.88.N1, P. 92-100.

261. Климов В.В., Наноплазмоника, Москва, 2010, 480 с.

262. Фано У., Физика атомов и молекул, Москва, 1980, 656 с.

263. Бараш Ю.С., Ван дер Ваальса силы, Москва, 1988, 344 с.

264. Milovzorov D., Inokuma, Т.. Kurata Y, Hasegawa S., Suzuki Т., Linear and nonlinear optical properties of silicon micro- and nanocrystallites / K.N. Drabovich,

V. I. Emelyanova, V. A.Makarov // Fundamental Aspects of Laser-Matter Interaction and Physics of Low-Dimensional Structures, NY1999, Vol.3734 P.323-331.

265. Stoner, Phys.Review, 1945.Vol.36 .P. 803.

266. Maxwell Garnett J.C., Colours the metal glasses and in metallic films // Philosophical Magazine. 1904.Vol.CCIII, P.385-421.

267. Milovzorov D.E., Thin Film Transistor I I Korean Patent N 061361 KR, Korea.

268. Shur M., Hack M., Physics of amorphous silicon based alloy field-effect transistors // Journal of Applied Physics, 1984. Vol.55. P. 3831-3842.

269. Миловзоров Д.Е., Газовый сенсор на основе пленки нанокристалического кремния // Тезисы конференции Кремний 2007, Москва, МИСИС, С. 196-197.

270. Миловзоров Д.Е., Устройство памяти на основе тонкопленочной структуре кремния на стекле // патент РФ № 2402107 сентябрь 2010. Дата публикации в бюллетене РОСПАТЕНТА 2010.10.20.

271. Миловзоров ДЕ., Накопление заряда структурой кремний-оксид кремния // Тезисы конференции Кремний 2007, Москва, МИСИС, С.198-199.

272. Park G.,.Han S, Hwang Т.,.Shin H, A nano-structure memory with silicon on insulator edge channel and nanodot // Japaneese Journal of Applied Physics. 1998.Vol.37, P. 7190-7192.

273. Huang S., Banerjee S., Tung R., Oda S., Electron trapping, storing, and emission in nanocrystalline Si dots by capacitance-voltage and conductance-voltage measurements // Journal of Applied Physics.2003.Vol.93.P.576-581.

274. Миловзоров Д. E., Устройство памяти на основе нанокристаллического кремния // Труды V Всероссийской школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 2012, Рязань, Том.2, С.95-102.

275. Миловзоров Д.Е., Резонансный полупроводниковый прибор на основе квантовых биений // патент РФ №2269182 RU от 23 февраля, 2003.

276. Аллен Э., Эберли Дж., Оптический резонанс и двухуровневые системы, М„ Мир, 1978,219 с.

277. Livas J., Conditioning squeezes the best out of signals // Lightwave Europe, October 2002, P. 18-20.

278. Flourine-doped core boast radiation resistance of single-mode fiber // Laser Focus World, -Режим доступа: http://www.laserfocusworld.com/articles/363489.-Закл.с экрана-Язык английский.

279. Milovzorov D.E., Optical nonlinear switches based on nanocrystalline silicon / David A. Huckridge; Reinhard R. Ebert, Editors // Electro-Optical and Infrared Systems: Technology and Applications IV, Vol. 6737-44. 2007. P. 15.

280. Klein, W., Cook, В., Unified approach to ultrasonic light diffraction // IEEE Transaction. 1967.SU-14. N3 P.123134..

281. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2006. Vol. 910; Subcontract Report NREL/SR-520-41866 July 2007.

282. Hecht J., The key to success is high efficiency in solar cells // Laser Focus World, 2009. N3. P.39.

283. Мосс Т., Фотопроводимость, Москва, Наука, 1967, 155 с.

284. Бонч-Бруевич В.Л. , Калашников С.Г. , Физика полупроводников, Москва, Наука, 1990, 688 с.

285. Миловзоров Д. Е., Солнечная батарея на основе нанокристаллического кремния // Труды V Всероссийской школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 2012, Том.2, Рязань, С.90-94.

286. Миловзоров Д. Е., Резонансный оптический прибор на основе квантовых биений // Труды VI Всероссийской школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 2013, Том.1, Рязань, РГРТУ, С.157-163.

287. Миловзоров Д. Е., Акустоэлектрооптический прибор для переключения мод в волоконном лазере // Труды VI Всероссийской школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 2013, Том.1, Рязань, РГРТУ, С.164-173.

288. Galiev G., Kaminskii V., Milovzorov D., Velikhovskii L. Mokerov V, Molecular beam epitaxy growth of a planar p-n junction on a (111)A GaAs substrate using the

amphoteric property of silicon dopant // Semiconductor Science & Technology. 2002. Vol 17. P. 120-123.

289. Ali A., Milovzorov D., Inokuma Т., Kurata K, Hasegawa S. Effect of the addition of SiF4 to the SiH4 feed gas for depositing of polycrystalline silicon films with photoluminescent properties", Proc. Appl. Phys. Soc. Jap. Conf., March 1998.

290. Lifshitz N.. Luryi S., Enhanced channel mobility polysilicon thin film transistors // IEEE Electronic devices letters. 1984. Vol. 15. N8. P.274-276.

291. Carius R., Finger F., Backhausen U., Lyusberg M., Hapke P.,Houben L., Overhot H. Electronic properties of microcrystalline silicon // Proceedings of Materials Reserch Society. 1997. Vol.467. P.283-294.

292. Д.И. Блохинцев, Основы квантовой механики, Наука, Москва, 1976, 664 С.

293 P. Forsh, D. Zhigunov, L. Osminkina, V. Timoshenko, P.Kashkarov, Strong anisotropy of lateral electric transport in (110) porous silicon films, Physica Status Solidi C, 2005. Vol.2. P. 3404-3406.