Электропроводность тонких диэлектрических пленок с нанокристаллами кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Аржанникова, София Андреевна

• Аржанникова, София Андреевна
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Аржанникова, София Андреевна

Список условных обозначений и сокращений.

Содержание.

Введение.

Научная новизна работы.

Практическая значимость работы.

Положения, выносимые на защиту.

Глава I. Формирование и свойства нанокристаллов кремния.

§1.1. Методы формирования нанокристаллических включений кремния.

§ 1.2. Зародышеобразование в аморфном кремнии.

§ 1.3. Методы расчета электронного спектра нанокристаллов.

§ 1.4. Оптические и электрические свойства диэлектрических пленок, содержащих кластеры кремния.

Глава II. Методики измерений и подготовка образцов.

§ 2.1. Методика измерений проводимости, дифференциальной емкости и проводимости высокоомных пленок.

§ 2.2. Метод комбинационного рассеяния света применительно к нанокристаллическим включениям.

§ 2.3. Методика измерений спектров фотолюминесценции.

§ 2.4. Методика радиационно-термических обработок, подготовки образцов и их описание.

Глава III. Формирование нанокристаллов в пленках аморфного гидрогенизированного кремния при радиационно-термических обработках и их свойства.

§ 3.1. Исследование формирования нанокристаллов кремния и анализ их размеров, формы, концентрации.

§ 3.2. Анализ электронного спектра нанокристаллов.

§ 3.3. Исследование механизмов транспорта заряда в пленках аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния.

§ 3.4. Активация мелкой примеси в пленках аморфного кремния.

§ 3.5. Активация мелкой примеси в кристаллическом кремнии и создание мелких р-п переходов.

Глава IV. Свойства пленок нитрида кремния с нанокластерами кремния.

§ 4.1. Оптические свойства пленок нитридов, обогащенных кремнием.

§ 4.2. Проводимость лазерно обработанных образцов.

§ 4.3. Расчетный электронный спектр нанокристаллов кремния в нитриде кремния.

Глава V. Емкость и проводимость оксида кремния с кремниевыми включениями.

§ 5.1. Энергетический спектр нанокристаллов кремния в ЭЮг.

§ 5.2. Влияние кулоновской блокады на проводимость слоя оксида кремния с нанокристаллами кремния в МДП-структуре.

§ 5.3. Исследование вклада локализованных состояний на проводимость оксида кремния и емкость МДП-структур.

Основные результаты.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электропроводность тонких диэлектрических пленок с нанокристаллами кремния»

В настоящее время в области полупроводников проявляется повышенный интерес к структурам, содержащим нанокристаллические включения. Основой для фундаментального научного интереса является возможность создания нанообъектов с размерами около нескольких нанометров. Группа атомов в кластерной или кристаллической форме может проявлять квантовые свойства, обусловленные ограничением в пространстве волновых функций квазичастиц в твердом теле. Поскольку понятие квазичастиц оправдало себя для описания кристаллических полупроводников и других твердых тел, то рассмотрение их квантовой локализации в пределах наночастиц определенной структуры имеет существенное значение для дальнейшего продвижения научных моделей. Нанокристаллы и нанокластеры представляют собой как бы макро-атомы, в которых энергетический спектр определяется квантованием не элементарных частиц, а многочастичных взаимодействий, адекватно описывающих объемные свойства совершенных кристаллов. Модели, основанные на таком подходе, отличаются большей простотой формулировок, возможностью решения уравнений и сопоставления с экспериментом. Расчеты энергетического спектра с учетом взаимодействия атомов и элементарных частиц крайне сложны, не поддаются точному формулированию, основываются на промежуточных моделях строения атомов и молекул и требуют долгих компьютерных расчетов. Как правило, такие расчеты ограничены применением для размеров наночастиц менее Ihm, что зачастую не позволяет сопоставить результаты с экспериментальными данными.

Электрические свойства полупроводниковых нанообъеьсгов в диэлектриках представляют научный интерес с точки зрения модификации свойств среды, по сути создания новых материалов на основе хорошо известных. Также, весьма актуальным представляется изучение свойств отдельных нанокластеров и нанокристаллов в диэлектриках, поскольку наночастицы электрически изолированы друг от друга. Таким образом, изучение наночастиц в диэлектриках имеет фундаментальное научное значение.

Существует много методов создания нанокристаллов в пленках. В случае диэлектрических пленок, таких как 81ЫХ, 8ЮХ, применяются различные радиационно-термические обработки при избыточном содержании кремния. В случае формирования нанокристаллов кремния в аморфном кремнии наиболее перспективным методом на данный момент является эксимерный лазерный отжиг. Создание нанокристаллов Б! в аморфной матрице имеет и практическое применение. Это связано с возможностью их использования в низкотемпературной технологии создания тонкопленочных транзисторов, где введенные в аморфную пленку нанокристаллы служат центрами кристаллизации при последующих радиационно-термических обработках. Поскольку технология изготовления тонкопленочных транзисторов является в настоящее время ключевой для развития области широкоформатной электроники и создания плоских экранов новых поколений, то тема диссертации обладает и практической актуальностью. Это также связано с возможностью создания на их основе, как оптоэлектронных приборов, так и приборов микро-, нано- электроники, работающих на основе квантовых явлений. Следует отметить, что кремний и в настоящее время является основным материалом микроэлектроники, поэтому создание кремниевых нанокристаллов в пленках а-81, диэлектриках 81>1Х, БЮЧ и изучение свойств таких структур является перспективным направлением с практической точки зрения.

Оптические свойства структур с нанокристаллами достаточно хорошо изучены. Электрофизические свойства нанокристаллических пленок пока изучены сравнительно мало, чему в основном и посвящена диссертация.

Целью диссертационной работы являлось изучение особенностей формирования кремниевых нанокристаллов в пленках БО4^. БЮ* и аморфного кремния, и исследование влияния нанокристаллов на электрофизические характеристики пленок.

Для достижения данной цели решались следующие задачи:

Получение свидетельств формирования нанокристаллов кремния в аморфной фазе кремния, кластеров кремния в пленках БЮХ и осуществление анализа их размера и фазового состава оптическими методами исследования.

Исследование влияния нанокристаллических включений кремния на электропроводность пленок аморфного кремния, ее температурную зависимость.

Анализ квантовых свойств нанокристаллов кремния, помещенных в более широкозонную матрицу, на основе решения уравнения Шредингера в приближении эффективной массы.

Поиск проявлений квантовых свойств нанокристаллов кремния, отражающихся на процессах электронного транспорта и процессах перезарядки электронных состояний в пленках 81>1х, БЮ*.

Научная новизна работы

Впервые проведено исследование электронных свойств пленок аморфного кремния с нанокристаллами кремния, формирующихся при наносекундном лазерном воздействии. Обнаружено, что для нанокристаллов кремния размером 2нм с повышением их концентрации в пленках аморфного кремния наблюдается изменение механизма электропроводности с изменением эффективной энергии активации с 0.7 эВ до 0.12-0.17 эВ.

На основе представления нанокристаллов кремния, как многозарядных центров, имеющих дискретный спектр энергий, осуществлен расчет температурной зависимости уровня Ферми в аморфных пленках кремния в зависимости от уровня их легирования. Расчет продемонстрировал закрепление уровня Ферми на разрешенных состояниях, локализованных в нанокристаллах, при понижении температуры.

Обнаружен переход примесей фосфора и бора в электрически активное состояние при наиосекундных лазерных обработках пленок аморфного кремния без плавления.

Выявлено существенное влияние наличия кластеров кремния в диэлектрике на дифференциальную емкость и проводимость МДП-структур в зависимости от частоты измерения, что связывается с обменом зарядом диэлектрической пленки с подложкой. Впервые наблюдалось резкое падение емкости до предела детектирования при освещении светом структур А1/811Мх/81.

При азотной температуре наблюдалась ступенеобразная вольт-амперная характеристика МДП-структур с нанокристаллами кремния, количественно описанная одноэлектронным туннелированием носителей заряда через квантовые уровни в нанокристаллах кремния.

Практическая значимость работы.

Нанокристаллы кремния, формирующиеся при наносекундном лазерном воздействии в пленках аморфного кремния, могут служить зародышами при получении поликремниевых слоев при дальнейших радиационно-термических обработках, что может быть использовано для создания тонкопленочных транзисторов.

Активация примесей бора и фосфора в аморфном и кристаллическом кремнии при лазерном ультрафиолетовом воздействии позволяет формировать контакты и мелкие р-п переходы с глубиной легирования от 20нм до 400нм, равно как и управлять проводимостью пленок.

Экспериментальные результаты и их теоретическое описание, касающиеся одноэлектронного транспорта через квантовые состояния нанокристаллов кремния в диэлектрике МДП-структур, имеют перспективы быть использованными при создании одноэлектронных транзисторов и прецизионных электрометров на их основе.

Положения, выносимые на защиту.

При импульсном лазерном воздействии ультрафиолетового излучения в пленках аморфного кремния формируются нанокристаллы кремния, происходит активация мелкой примеси и повышается электропроводность.

При наносекундной лазерной обработке атомы бора переходят в электрически активное, узельное состояние в кремнии без плавления и перераспределения, и формируются легированные слои р-типа малой толщины.

Обогащение диэлектрических пленок (811чГх, 8ЮХ) кремнием в форме кластеров и нанокристаллов увеличивает их проводимость, что приводит к возможности обмена зарядом с подложкой и проявляется в существенной вариации дифференциальных емкости и проводимости в сравнении с классическими МДП-структурами.

Одноэлектронная зарядка нанокристалла кремния, стоящего в проводящей цепочке состояний в оксиде кремния блокирует рост тока, что приводит к ступенеобразной вольт-амперной характеристике МДП-структуры, проявляющейся при азотной температуре.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Аржанникова, София Андреевна

Основные результаты.

Показано, что в результате наносекундных лазерных обработок в аморфной пленке кремния без её плавления происходит образование нанокристаллических включений кремния с размерами 2-10 нм в зависимости от плотности энергии воздействия.

Увеличение проводимости облученных фосфором пленок аморфного кремния более чем на 3 порядка в результате ультрафиолетового лазерного воздействия свидетельствует о переходе атомов фосфора в электрически активное, узельное состояние.

Уровень Ферми в аморфном кремнии с нанокристаллами равного размера стремится к одному из дискретных уровней энергии нанокристалла в зависимости от степени легирования пленки, что продемонстрировано посредством решения уравнения электронейтральности с учетом модели многозарядного центра.

Ультрафиолетовое лазерное воздействие с плотностью энергии до 240мДж/см2 приводит к переходу бора в электрически активное, узельное состояние в кремнии без плавления, что подтверждено увеличением интенсивности КРС на локальных колебания бора, данными ВИМС, а также наблюдением вольтфарадной и вольтамперных характеристик диодного типа для мелкого р-п перехода с глубиной 20нм.

Обогащение кластерами кремния слоев нитрида и оксида кремния приводит к существенному отклонению емкости МДП структур в режиме обогащения от расчетной емкости диэлектрика, что интерпретируется как обмен зарядом с диэлектрическим слоем. В зависимости от частоты наблюдалось как увеличение емкости, так и уменьшение, что предположительно связывается со временем обмена зарядом по отношению к периоду измерения.

При освещении МДП структур с кластерами кремния в нитриде кремния обнаружено резкое падение дифференциальной емкости до предела детектирования в выделенных областях по напряжению, что объясняется изменением протекания тока в диэлектрик по состояниям цепочек проводимости за счет изменения зарядового состояния центров их составляющих.

При азотной температуре обнаружена ступенеобразная вольт-амперная характеристика МДП-структуры с нанокристаллами кремния в диэлектрике, что объяснено кулоновским блокированием транспорта по цепочке состояний в диэлектрике за счет одноэлекгронной зарядки нанокристалла кремния, входящего в эту цепочку проводимости.

Заключение.

В работе исследована электропроводность структур, содержащих нанокристаллы и кластеры кремния в диэлектрических пленках. Определено влияние введения нанокристаллов на проводимость пленок аморфного гидрогенизированного кремния и на положение уровня Ферми. Обнаружен эффект активации примеси в пленках a-Si:H импульсными лазерными обработками. Изучен транспорт заряда в МДП-структурах, пленки SiNx, SiOx которых содержали нанокластеры кремния. Исследованы их емкостные и вольт-амперные характеристики.

Работа выполнена в лаборатории №23 ИФП СО РАН под научным руководством к.ф.-м.н. М.Д Ефремова, являвшегося основным соавтором работ по теме диссертации, осуществлявшего научное руководство на всех этапах выполнения работы, при выборе тематики, постановке задачи, анализе полученных результатов и подготовке публикаций, за что автор выражает ему глубокую признательность.

Автор признателен всем сотрудникам лаборатории №23 за создание творческой атмосферы. Особую благодарность автор хотел бы выразить коллегам по работе:

A.B. Вишнякову за помощь в проведении измерений вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик.

Г.Н. Камаеву за помощь в подготовке образцов и обсуждении результатов.

B.А. Володину и Д.В. Марину за проведение измерений фотолюминесценции, комбинационного рассеяния света и спектров пропускания.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Аржанникова, София Андреевна, 2008 год

1. P.P. Ray, P. Chaudhuri, P. Chatterjee. Hydrogenated amorphous silicon films with low defect density prepared by argon dilution: application to solar cells. Thin Solid Films, vol. 403-404, pp. 275-279, 2002.

2. O.A. Голикова, E.B. Богданова, У.С. Бабаходжаев. Кристаллизация пленок аморфного гидрированного кремния, осажденного при различных условиях. ФТП, т. 36, вып. 10, стр. 1259-1262, 2002.

3. G. Kawachi, Т. Aoyama, A. Mimura, N. Konishi. Application of Ion Doping and Excimer Laser Annealing to Fabrication of Low-Temperature Polycrystalline Si Thin-Film Transistors. Jpn. J. Appl. Phys., vol. 33, part 1, N 4A, pp. 2092-2099, 1994.

4. А.Г. Смирнов, B.A. Высоцкий, B.C. Грабко, B.A. Осика, А.Б. Усенок. Высокоинформативные ЖК экраны с активной матрицей адресации.- Науч. тех. сборник обзоров «Зарубежная электронная техника», вып. 4, стр. 3-43, 1989.

5. A.Hadjadj, A.Beorchia, P. Roca i Cabarrocas, L. Boufendi. Temperature improvement of the optical and electrical properties of hydrogenated nanostructured silicon thin films. -Thin Solid Films, vol. 403-404, pp. 139-143, 2002.

6. F. Plais, P. Legagneux, C. Reita, O. Huet, F. Petinot, D. Pribat, B. Godard, M. Stehle, E. Fogarassy. Low temperature polysilicon TFTs: a comparison of solid phase and laser crystallization. Microelectronic Engineering, vol. 28, pp. 443-446, 1995.

7. M. Bonnel, N. Duhamel, M. Guendouz, L. Haji, B. Loisel, P. Ruault. Poly-Si Thin Film Transistors Fabricated with Rapid Thermal Annealed Silicon Films. Jpn. J. Appl. Phys., vol. 30, N 1 IB, pp. L1924-L1926, 1991.

8. G. Groos, M. Stutzmann. Si-nanostructures made by laser-annealing. Journal of Non-Crystalline Solids, vol. 227-230, pp. 938-942, 1998.

9. V.V.Bolotov, M.D.Efremov, V.A.Volodin, L.N.Fedina, E.A.Lipatnikov. Eximer laser and RTA stimulation of solid phase nucleation and crystallization in amorphous silicon films on glass substrates. J.Phys.: Condens. Matter. 8, pp. 273-286, 1996.

10. V.V.Bolotov, M.D.Efremov, V.A.Volodin, L.I.Fedina, A.A.Gutakovckij. Raman and HREM observation of oriented silicon nanocrystals inside amorphous silicon films on glass substrates. Sol. Stat Phen. V.57/58, 1997, p. 507-512.

11. M.D. Efremov, V.V. Bolotov, Y.A. Volodin, A.V. Vishnyakov, O.K. Shabanova, S.A. Kochubei, L.I. Fedina, D.I. Bragin. Oriented silicon films of glass substrate for device applications.- Sol. St. Phenomena, vol. 69-70, pp. 557-561, 1999.

12. Т. Shimizu-Iwayama, К. Fujita, S. Nakao, К. Saitoh, R. Fujita, N. Itoh. Visible photoluminescence in Si+ -implantation silica glass. J. Appl. Phys., vol. 75, pp. 77797783, 1994.

13. А.Ф. Лейер, JI.H. Сафронов, Г.А. Качурин. Моделирование формирования нанопреципитатов в Si02, содержащем избыточный кремний. ФТП, том 33, вып. 4, стр. 389-394, 1999.

14. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, В.А. Володин, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, М.-О. Ruault. О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев S1O2, имплантированных ионами Si. ФТП, том 36, вып. 6, стр. 685-689, 2002.

15. С. Spinella, S. Lombardo, F. Priolo. Crystal grain nucleation in amorphous silicon. -J. Appl. Phys., vol. 84, N 10, pp. 5383-5414, 1998.

16. Я.Б. Зельдович. К теории образования новой фазы. ЖЭТФ 12 (11/12), стр. 525, 1942.

17. D. Kashchiev. Solution of the non-steady state problem in nucleation kinetics. -Surface Science, vol. 14, pp. 209-220, 1969.

18. C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo. Theoretical aspects of the luminescence of porous silicon. Phys. Rev. B, vol. 48, N15, pp. 11024-11036, 1993.

19. C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan. Excitonic and quasiparticle gaps in Si nanocrystals. Phys. Rev. Lett., vol. 84, pp. 2457-2460, 2000.

20. A. Zunger, L.-W. Wang. Theory of silicon nanocrystals. Applied Surface Science, vol. 102, pp. 350-359, 1996.

21. B. Delley, E.F. Steigmeier. Size dependence of band gaps in silicon nanostructures. -Appl. Phys. Lett., vol. 67, N 16, pp. 2370-2372, 1995.

22. D. Babic, R. Tsu, R.F. Greene. Ground-state energies of one- and two-electron silicon dots in an amorphous silicon dioxide matrix. Phys. Rev. B, vol. 45, N 24, pp. 1415014155, 1992.

23. B.A. Бурдов. Зависимость ширины оптической щели кремниевых квантовых точек от их размера. ФТП, том 36, вып. 10, стр. 1233-1236, 2002.

24. Г.А.Качурин, И.Е.Тысченко, В.Скорупа, Р.А.Янков, К.С.Журавлев, Н.А.Паздников, В.А.Володин, А.К.Гутаковский, А.Ф.Лейер. Фотолюминисценция слоев Si02 имплантированных ионами Si+ и отоженных в импульсном режиме. -ФТП, том 31, №6, стр. 730-734, 1997.

25. L.T. Canham. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers. Appl. Phys. Lett., vol. 57, pp. 1046-1048, 1990.

26. X. Zhao, S. Nomura, Y. Aoyagi, Т. Sugano. Formation and electronic states of Si nanocrystallites in amorphous Si. Journal of Non-Crystalline Solids, vol. 198-200, pp. 847-852, 1996.

27. F. Guang-Sheng, Y. Wei, L. She-Qiang, H. Hai-Hong, P. Ying-Cai, H. Li. Nanocrystalline silicon films prepared by laser-induced crystallization. Chinese Physics Soc., vol. 12, N 1, pp. 75-78, 2003.

28. Q.-Y. Ye, R. Tsu, E.H. Nicollian. Resonant tunneling via microcrystalline-silicon quantum confinement. Phys. Rev. B, vol.44, N 4, pp. 1806-1811, 1991.

29. R. Tsu. Phenomena in silicon nanostructure devices. Appl. Phys. A, vol. 71, pp. 391-402,2000.

30. Y. Inoue, A. Tanaka, M Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. Single-electron tunneling through Si nanocrystals dispersed in phosphosilicate glass thin films. J. Appl. Phys., vol. 86, N 6, pp. 3199-3203, 1999.

31. A. Tilke, L. Pescini, R.H. Lorenz, J.K. Kotthaus. Single-electron tunneling in silicon nanostructures. Appl. Phys. A, vol. 71, pp. 357-365, 2000.

32. S. Tiwari, J.A. Wahl, H. Silva, F. Rana, J.J. Welser. Small silicon memories: confinement, single-electron, and interface state considerations. Appl. Phys. A, vol. 71, pp. 403-414, 2000.

33. J. Shi, L. Wu, X. Huang, J. Liu, Z. Ma, W. Li, X. Li, J. Xu, D. Wu, A. Li, K. Chen. Electron and hole charging effect of nanocrystalline silicon in double-oxide barrier structure. Solid State Com., vol. 123. pp. 437-440, 2002.

34. M. Liu, Z. Wang, Y. He, X. Jiang. Resonant tunneling through nano-size quantum dots embedded in amorphous tissues. Microelectronic Engineering, vol. 51-51, pp. 119126, 2000.

35. D.V. Averin, A.N. Korotkov, K.K. Likharev. Theory of single-electron of quantum wells and dots. Phys. Rev. B, vol. 44, N12, pp. 6199-6211, 1991.

36. O.A. Голикова, M.M. Казаиии. Пленки аморфного гидрированного кремния с повышенной фоточувствительностью. ФТП, том 33, N 1, стр. 110-113, 1999.

37. О. А. Голикова, М.М. Казанин, А.Н. Кузнецов, Е.В. Богданова. Наноструктурированные пленки a-Si:H, полученные методом разложения силаиа в магнетронной камере.- ФТП, том 34, N 9, стр. 1125-1129, 2000.

38. О.А. Голикова. Фотопроводимость пленок наноструктурированного гидрированного кремния. ФТП, том 36, N 6, стр. 730-733, 2002.

39. T.Sameshima, S.Usui. Pulsed laser-induced amorphization of silicon films. J. Appl. Phys., vol. 70, pp. 1281-1289, 1991.

40. Л.Д. Ландау, E.M. Лифшиц. Теоретическая физика, т. 3, Квантовая механика. -Москва, «Наука», 1974 г.

41. А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников. Москва, «Мир», 1991 г.

42. Рассеяние света в твердых телах: проблемы прикладной физики / под редакцией М.Кардоны. Москва, «Мир», 1979.

43. R. Beserman, Yu.L. Khait, A. Chack, R. Weil, W. Beyer. Comparison between the crystallization processes by laser and furnace annealing of pure and doped a-Si:H. Journal of Non-Crystalline Solids, v.299-302, pp. 736-740, 2002.

44. Y.Kanzawa, M.Fujii, S.Hayashi, K.Yamamoto. Preparation and Raman study of B-doped Si microcrystals. Material Science and Engineering, v. A217/218, pp. 155-158, 1996.

45. F. Cerdeira, T.A. Fjeldly and M. Cardona. Raman study of the interaction between localized vibrations and electronic excitations in boron-doped silicon. Phys. Rev. B, vol. 9, pp. 4344-4350, 1974.

46. M.Stutzmann. Hydrogen passivation of boron acceptors in silicon: Raman studies. -Phys. Rev. B, vol. 35, 5921-5924, 1987.

47. M. Chandrasekhar, H.R. Chandrasekhar, M. Grimsditch. Study of the localized vibrations of boron in heavily doped Si. Phys. Rev. B, vol. 22, pp. 4825-4833, 1980.

48. М.Д. Ефремов, В.А. Володин, Д.В. Марин, С.А. Аржанникова, Г.Н. Камаев, С.А. Кочубей, A.A. Попов. Вариация края поглощения света в пленках SiNx с кластерами кремния. ФТП, том 42, вып. 2, стр. 202-207, 2008.

49. D.E. Aspnes. Optical Properties of Thin Films. Thin Solid Films, vol.89, pp. 249262, 1982.

50. Л.Д. Ландау, E.M. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред. Москва, «Наука», 1982.

51. F. Alvarez, А.А. Valladares. First-principles simulations of atomic networks and optical properties of amorphous SiN* alloys. Phys. Rev. B, vol. 68, pp. 205203-205213, 2003.

52. B.H. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск, «Наука», 1984.

53. V. A. Volodin, М. D. Efremov, V. A. Gritsenko, S. A. Kochubei. Raman study of silicon nanocrystals formed in SiN* films by excimer laser or thermal annealing. Appl. Phys. Lett., v. 73, N 9, pp. 1212-1214, 1998.

54. B. Delley, E.F. Steigmeier. Quantum confinement in Si nanocrystals. Phys. Rev. B, vol. 47, N3, pp. 1397-1400, 1993.

55. M. Hirao, T. Uda, Y. Murayama. First principle calculation of energetic spectrum for Si-nanocrystals. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., vol. 283, pp. 425-428, 1993.