Разработка технологии получения слоев политетрафторэтилена химическим осаждением из газовой фазы тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Уваров, Андрей Анатольевич

• Уваров, Андрей Анатольевич
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Уваров, Андрей Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Литературный обзор.

1.1 Диэлектрики с низким значением диэлектрической проницаемости.

1.2 Основные свойства политетрафторэтилена.

1.3 Способы создания покрытий ПТФЭ.

1.4 ХОГФ слоев ПТФЭ с разложением окиси гексафторпропилена на накаленной нити.

1.5 Постановка задачи исследований.

ГЛАВА 2. Методика и техника эксперимента.

2.1 Описание созданного экспериментального технологического оборудования.

2.2 Методика проведения эксперимента.

2.3 Методы анализа свойств полученных слоев ПТФЭ.

2.4 Метод масс-спектрометрического исследования степени превращения реагента.

2.5 Метод математического моделирования характера течения газа в реакторе с массивом накаленных нитей.

ГЛАВА 3. Исследование влияния основных технологических параметров процесса осаждения на степень превращения реагента.

3.1 Влияние длительности работы накаленных нитей.

3.2 Исследование влияния температуры накаленных нитей.

3.3 Исследование влияния давления в реакторе.

3.4 Исследование влияния расхода реагента.

ГЛАВА 4. Влияние основных технологических параметров процесса осаждения на скорость и строение получаемых слоев ПТФЭ.

4.1 Влияние времени службы элементов реактора на скорость осаждения.

4.2 Исследование влияния температуры накаленных нитей.

4.3 Исследование влияния давления в реакторе.

4.4 Исследование влияния расхода газа.

ГЛАВА 5. Разработка прототипа промышленной технологической установки для получения слоев ПТФЭ химическим осаждением из газовой фазы.

5.1 Разработка концепции прототипа технологической промышленной установки.

5.2 Разработка конструкции держателя обрабатываемых изделий

5.3 Источник химически активных частиц.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка технологии получения слоев политетрафторэтилена химическим осаждением из газовой фазы»

В последние годы в микроэлектронной технике наблюдается значительное увеличение интереса к созданию тонких диэлектрических покрытий, характеризующихся низким значением диэлектрической проницаемости, малыми диэлектрическими потерями и сравнительно высокой температурной стабильностью.

Проблема создания конформных однородных покрытий на изделиях сложной (произвольной) формы приобрела особую актуальность. К таким изделиям можно отнести как микроэлектронные устройства с высоким аспектным соотношением рельефа, приборы микро- и наносистемной техники, так и различное медицинское оборудование (хирургический инструмент, стенты, головки зондов и т.д.).

Одним из наиболее перспективных материалов, обладающим уникальным комплексом физико-химических свойств, является политетрафторэтилен (ПТФЭ, фторопласт-4, Teflon®). К основным достоинствам ПТФЭ относятся низкие значения диэлектрической проницаемости (1,9-2,1) и тангенса угла потерь (-10"4) в широком диапазоне радиочастот, температурная стабильность (до 400°С), химическая пассивность, экстремально низкий коэффициент трения и ярко выраженная гидрофобность. Это и предопределило интерес к развитию технологий формирования слоев ПТФЭ микронных и субмикронных толщин.

Традиционные методы, а также ряд разработанных альтернативных, не позволяют добиться формирования тонких конформных слоев ПТФЭ на поверхностях сложной формы, либо по причине принципиальной невозможности создания покрытий субмикронных толщин, либо вследствие того, что процесс осаждения характеризуется неудовлетворительной конформностью, не позволяющей формировать покрытия в канавках, углублениях и т.д.

Одной из наиболее перспективных технологий создания покрытий с требуемыми свойствами является метод химического осаждения из газовой фазы

ХОГФ) слоев ПТФЭ, основанный на разложении при пониженном давлении окиси гексафторпропилена на массиве накаленных нитей. К достоинствам данной технологии относятся сравнительная простота управления процессом осаждения, чистота получаемых слоев, высокое совершенство молекулярной структуры полимера, низкие температуры подложек. В связи с тем, что газообразный реагент находится при пониженном давлении, существует 4 возможность осаждения покрытий на изделия произвольной формы. Однако физико-химическая сущность процессов, протекающих при проведении ХОГФ слоев ГТГФЭ, а также характер влияния технологических параметров процесса осаждения на строение и свойства получаемых слоев изучены недостаточно. Совершенно не исследованы особенности течения газа в реакторах ХОГФ с установленным массивом накаленных нитей.

Цель работы состояла в изучении физико-химических закономерностей процесса ХОГФ слоев ПТФЭ и математическом моделировании структуры потоков газа в экспериментальном реакторе ХОГФ, а также на этой основе разработка концепции прототипа промышленной технологической установки, включая конструирование источника химически активных частиц и держателя обрабатываемых изделий.

В связи с этим в ходе выполнения работы было необходимо решить следующие задачи:

- Создать экспериментальное технологическое оборудование для проведения процесса ХОГФ ПТФЭ при пониженном давлении с разложением окиси гексафторпропилена при помощи массива накаленных вольфрамовых нитей и подтвердить возможность получения тонких слоев ПТФЭ.

- Определить степень превращения окиси гексафторпропилена в реакторе ХОГФ при осаждении и выяснить ее зависимость от основных технологических параметров процесса осаждения.

- Определить влияние основных технологических параметров процесса осаждения на скорость получения слоев ПТФЭ и их строение.

- Исследовать структуру химических связей и диапазон молекулярных масс сформированных слоев ПТФЭ.

- Применяя современные методики вычислительной гидродинамики выявить влияние технологических параметров процесса осаждения на структуру газовых потоков в реакторе ХОГФ с массивом накаленных нитей.

На основе полученных данных разработать концепцию и ряд узлов прототипа промышленной установки для получения слоев ПТФЭ методом ХОГФ.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Результаты изучения состава реакционной газовой фазы методом времяпролетной масс-спектрометрии показали, что степень превращения реагента увеличивается с температурой нитей и достигает наибольших (около 90%) значений при температурах выше 800°С. Установлено, что степень превращения зависит от времени работы нитей в активной среде и стабилизируется через 1-6 часов в зависимости от их температуры. Степень превращения реагента увеличивается в 5 раз при увеличении давления в интервале 7,5-35 Па, и вдвое уменьшается с увеличением расхода реагента в диапазоне 8-33 мл/мин.

2. На основе результатов исследования влияния основных технологических параметров процесса ХОГФ на его скорость показано, что, наиболее вероятно, процесс разложения окиси гексафторпропилена происходит в результате многофотонного поглощения квантов ИК диапазона, излучаемых раскаленными нитями. Скорость процесса осаждения определяется скоростью образования СБ2 радикалов в реакционной газовой фазе. В области давлений в реакторе выше 45 Па происходит гомогенное образование порошкообразных полимерных частиц, сопровождающееся падением скорости осаждения.

3. Результаты изучения морфологии осажденных слоев свидетельствуют об уменьшении размера зерен от 100 до 50 нм с ростом температуры накаленных нитей в интервале 900-950°С, что определяется высокой концентрацией СР2 радикалов вблизи поверхности подложки и созданием при высоких температурах благоприятных условий для преимущественного образования мелких зерен. При низких температурах (до 795°С) на поверхности образуются длинные полимерные цепи, что обуславливает формирование гладких слоев, на поверхности которых зерна не проявляются.

4. Результаты определения молекулярной массы полученных слоев ПТФЭ методом ионно-циклотронной масс-спектрометрии свидетельствуют о том, что наиболее интенсивные сигналы от фрагментов молекул ПТФЭ лежали в диапазоне массовых чисел 880-2480 Дальтон, при этом диапазон сигналов простирался вплоть до значений около 4000 Дальтон.

5. На основе результатов численного моделирования газогидродинамических условий в зоне осаждения с массивом накаленных нитей выявлен характер влияния структуры газовых потоков на степень превращения реагента и время доставки радикалов к поверхности подложки.

Практическая ценность работы заключается в том, что:

1. Выявленные физико-химические закономерности процесса ХОГФ слоев ПТФЭ совместно с результатами математического моделирования структуры газовых потоков в реакторе являются основой для проектирования промышленного технологического оборудования.

2. Результаты масс-спектрометрических исследований состава реакционной газовой фазы позволяют выбрать сочетание технологических параметров процесса осаждения, обеспечивающее наиболее высокую эффективность использования реагента с целью увеличения рентабельности производства и снижения энергопотребления.

3. Выявленная связь между технологическими параметрами процесса осаждения и строением получаемых слоев ПТФЭ позволяет определить оптимальные условия осаждения, обеспечивающие формирование гладких и плотных слоев, характеризующихся хорошей адгезией к подложке.

4. Разработана концепция прототипа промышленной технологической установки получения слоев ПТФЭ химическим осаждением из газовой фазы. Разработаны держатель обрабатываемых изделий и источник химически активных частиц, использованные в созданном прототипе технологической установки.

На защиту выносятся:

1. Результаты экспериментальных исследований процесса ХОГФ слоев ПТФЭ, основанного на разложении окиси гексафторпропилена, и полученные представления об основных закономерностях процесса.

2. Результаты масс-спектрометрических исследований состава реакционной газовой фазы, позволившие выявить взаимосвязь между условиями осаждения и степенью превращения реагента.

3. Результаты численного моделирования газодинамических условий в реакторе с раскаленными нитями, позволившие совместно с результатами экспериментов по осаждению слоев определить характер влияния структуры потоков на степень превращения реагента.

4. Полученные данные о характере влияния технологических параметров процесса осаждения на строение и морфологию формируемых слоев ПТФЭ.

5. Концепция прототипа промышленной установки для получения слоев

ПТФЭ методом ХОГФ, включая конструкции источника химически активных частиц и держателя обрабатываемых изделий.

Апробация работы. Работа была апробирована при разработке прототипа промышленной установки ХОГФ покрытий ПТФЭ с разложением окиси гексафторпропилена в компании Nagata Seiki Со, Ltd, Япония, а также в ходе докладов на двух международных конференциях: The 2nd Finnish-Russian Innovation University, Scientific-Practical Conférence, Лаппеенранта, Финляндия, 2011 и 10A International Conférence on modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows, Томск, Россия, 2010. Результаты работы докладывались и обсуждались на семинарах кафедры «Физическая химия, микро- и нанотехнологии» Факультета технологии и исследования материалов СПбГГТУ.

Публикации. Результаты работы отражены в 3 опубликованных материалах и докладывались на двух международных конференциях, в том числе в 1 журнале из перечня ВАК. Список работ приведен в конце реферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, и списка цитируемой литературы. Полный объем диссертации составляет 133 страницы, включая 49 рисунков, 15 таблиц и список цитируемой литературы из 72 наименований.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Уваров, Андрей Анатольевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

- Результаты масе-спектрометрического исследования состава газовой фазы на выходе реактора свидетельствуют о том, что наибольшая степень превращения окиси гексафторпропилена (=90%) достигается при температурах нитей выше 800°С. Увеличение рабочего давления и снижение расхода реагента приводят к росту степени превращения. Установлено, что степень превращения меняется со временем работы накаленных нитей и стабилизируется через 1-6 часов в зависимости от их температуры.

- Результаты изучения влияния технологических параметров на скорость осаждения с большой вероятностью свидетельствуют о разложении реагента в результате многофотонного поглощения ИК-излучения и отсутствии каталитического воздействия вольфрама. Экспериментальные зависимости скорости осаждения от технологических параметров процесса, дополненные расчетом времени доставки СР2 радикалов от накаленных нитей до поверхности подложки, позволили заключить, что скорость осаждения определяется скоростью образования СР2 радикалов в реакционной газовой среде.

- На основе результатов математического моделирования структуры газового потока в реакторе было установлено, что часть реагента, зависящая от условий проведения процесса, вовлекается в формирование рециркуляционных вихрей в реакционной зоне, и за счет этого многократно проходит через область установки накаленных нитей, повышая вероятность фотоактивации.

- На основе изучения состава полученных слоев методами абсорбционной ИК-спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии было показано, что слои преимущественно (на =90%) состоят из -СРг- звеньев цепи ГГГФЭ. Методом ионно-циклотронной масс-спектрометрии было определено, что диапазон молекулярных масс полученного ПТФЭ простирался вплоть до =4000 Дальтон.

- На основе результатов исследования физико-химических особенностей процесса, была разработана концепция прототипа и конструкции держателя обрабатываемых изделий и источника химически активных частиц узлов промышленной установки получения слоев ГГГФЭ, обеспечивающей высокую степень однородности распределения толщины слоев по площади подложек.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Уваров, Андрей Анатольевич, 2011 год

1. Intl. Roadmap Comm. and Technol. Work. Groups. 2009 Электронный ресурс. // International technology roadmap for semiconductors. Режим доступа: http ://www. itrs .net, свободный Яз. англ. Дата обращения: 23.08.2011.

2. Лебедев И.В. Техника и приборы СВЧ. Под. ред. академика Н. Д. Девяткова. Учебник для студентов вузов. М.: «Высш. школа» — 1970. — 426 с.

3. Маех К., Baklanov М. R., Shamiryan D. et al. Low dielectric constant materials for microelectronics // J. Appl. Phys. — 2003. — Vol. 93, no. 11. — P. 8793-8841.

4. Handbook on semiconductor manufacturing technology / Y. Nishi, R. Doerning. Marcel Dekker Inc, N.Y., USA, — 2000. — 35 p.

5. Yoo W.S., Swope R., Sparks В., Mordo D. Comparison of C2F6 and FASi-4 as fluorine dopant sources in plasma enhanced chemical vapor deposition fluorinated silica glass films // J. Mater. Res. —1997.—Vol. 12,—P. 70-74.

6. Grill A., Patel V. Low dielectric constant films prepared by chemical vapor deposition from tetramethylsilane II J. Appl. Phys. —1999,—Vol. 85, no. 6. —P. 3314-3319.

7. Han L.M., Pan J.S., Chen S.M et al. Characterization of carbon-doped Si02 low к thin films: preparation by plasma-enhanced chemical vapor deposition from tetramethylsilane // J. Electrochem. Soc. —2001. —Vol. 148, no. 7. —P. F148-153

8. Mills M.E., Townsend P., Castillo D., Martin S., Achen A. Benzocyclobutene (DVS-BCB) polymer as an interlayer dielectric (ILD) material IIMicroelect. Eng. —1997. —Vol. 33, no. 14. —P. 327334.

9. Townsend P.H., Martin S.J., Godschalx J., Romer D.R., Smith D.W., et al. SiLK polymer coating with low-dielectric constant and high thermal stability for ULSI interlayer dielectric // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. —1997. —Vol. 476. —P. 9-16.

10. Dabral S., Van Etten J., Zhang X., Apblett C., Yang G.-R. Stress in thermally annealed parylene films II J. Elect. Mater. —1992. —Vol. 21, no. 10. —P. 989-994.

11. Rosenmayer C.T., Bartz J.W., Hammes J. Adhesion and dielectric strength of ultralow-dielectric constant PTFE thin films II Mater. Res. Soc. Symp. Proc. —1997. —Vol. 476. —P. 231-239.

12. Gao Y., Wang L., Zhang D., Duan L. et al. Bright single-active layer small-molecular organic light-emitting diodes with a polytetrafluoroethylene barrier // Appl. Phys. Lett. —2003. —Vol. 82, no. 2. —P. 155-158.

13. Rapisarda M., Simeone D., Fortunato G et al. Pentacene thin film transistors with (polytetrafluoroethylene) PTFE-like encapsulation layer // Organic Electronics. —2011. —Vol. 12, no. 1,—P. 119-124.

14. Scharnberg M., Zaporojtchenko V., Adelung R. et al. Tuning the threshold voltage of organic field-effect transistors by an electret encapsulating layer II Appl. Phys. Lett. —2007. —Vol. 90, no. 1. —P. 013501-013502.

15. Alf M. E., Asatekin A., Barr M. C. et al. Chemical Vapor Deposition of Conformal, Functional, and Responsive Polymer Films II Adv. Mater. —2010. —Vol. 12, no. 18. —P. 1993-2027.

16. Паншин Ю. А., Малкевич С. Г., Дунаевская Ц. С. Фторопласты // JL, «Химия», 1978.

17. Iezzi, R. A. Modern Fluoropolymers: high performance polymers for diverse applicatons / под. ред. J. Scheirs // John Wiley & Sons, 1997

18. Drobny J. G. Technology of fluoropolymers // CRC Press, second edition, 2008.

19. McKeen L. W. Fluorinated coatings: definitive user's guide and databook / Под ред. L. W. McKeen // FL: William Andrew, Inc., 2006.

20. Starov V. Wetting and spreading dynamics / V. Starov, M. Velarde, C. Radke //Surfactant science. —2007.—'Vol. 138,—P. 211.

21. Williams D. F. Biomaterials and tissue engineering in reconstructive surgery // Sadhana. —2003. — Vol. 28, no. 3-4, —P. 563-574

22. Mattox D. M. Handbook of Physical Vapor Deposition / NJ.: Noyes Publications. —1998. —P. 31.

23. Pratt I. Some characteristics of sputtered polytetrafluoroethylene films // Thin Sold Films. —1972. —Vol. 10, no. 1.—P. 151-154

24. QuarantaF., Valentini A., Favia P., Lamendola R., dAgostino R. Ionbeam sputtering deposition of fluoropolymer thin films // Appl. Phys. Lett. —1993. —Vol. 63, no. 1. —P. 10-11.

25. Biederman H., Bilkova P., Jezek J. et al. RF magnetron sputtering of polymers // J. Non-Crys. Solids. —1997. —Vol. 212. —P. 44-49.

26. Qi H. J., Wang D., Ma Z. L. et al. Molecular structure and hydrophobicity of polymeric fluorocarbon films deposited on PET substrates // J. Appl. Polymer. Sci. —2002. —Vol. 85, no. 9. —P. 18451850.

27. Biederman H., Zeuner M., Zalman J. RF magnetron sputtering of polytetrafluoroethylene under various conditions // Thin Solid Films. —2001. —Vol. 392, no. 2. —P. 208-213.

28. Wang W.-C. Ultrathin Fluoropolymer Films Deposited on a Polyimide (Kapton®) Surface by RF Magnetron Sputtering of Poly(tetrafluoroethylene) // Plasma Proc. Polym. —2007. —Vol. 4, no. 1. —P. 88-97.

29. Oya Т., Kusano E. Characterization of organic polymer thin films deposited by RF magnetron sputtering // Vacuum. —2008. —Vol. 83, no. 3. —P. 564-568.

30. Katoh Т., Zhang Y. Deposition of Teflon-polymer thin films by synchrotron radiation photodecomposition II Appl. Surf. Sci. —1999. —Vol. 138-139. —P. 165-168.

31. Nagaia H., Inayoshia M., Horia M., Gotoa Т., Hiramatsu M. On the mechanism of polytetrafluoroethylene ablation using synchrotron radiation-induced photochemical process // Appl. Surf. Sci. —2001. —Vol. 138, no. 3-4. —P. 284-289.

32. Yoshida A., Matsumoto E., Yamada H. et al. Microfabrication of high quality polytetrafluoroethylene films by synchrotron radiation // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B. — 2003,—Vol. 199,—P. 370-374.

33. Blanchet G. В., Shah S. I. Deposition of polytetrafluoroethylene films by laser ablation // Appl. Phys. Lett. —1993. —Vol. 62, no. 9. —P. 1026-1028.

34. Blanchet G. В., Fincher C. R., Jackson C. L. et al. Laser Ablation and the Production of Polymer Films // Science. —1993. —Vol. 262, no. 5134,—P. 719-721.

35. Ueno Y., Fujii Т., Kannari F. Deposition of fluoropollymer thin films by vacuum-ultraviolet laser ablation II Appl. Phys. Lett. —1994. —Vol. 65, no. 11. —P. 1370-1373.

36. Schwodiauer R., Heitz J., Arenholz E. Pulsed-laser-deposited and plasma-polymerized polytetrafluoroethylene (PTFE)-like thin films: A comparative study on PTFE-specific properties // J. Polymer. Sci. B. —1999. —Vol. 37, no. 16. —P. 2115-2125.

37. Li S.T., Arenholz E., Heitz J., Bauerle D. Pulsed laser deposition of crystalline Teflon (PTFE) films И Appl. Surf. Sci. —1998. —Vol. 125, no. 1. —P. 17-22.

38. Womack M., Vendan M., Molian P. Femtosecond pulsed laser ablation and deposition of thin films of polytetrafluoroethylene II Appl. Surf. Sci. —2004. —Vol. 221, no. —P. 99-109.

39. Kuper S., Stuke M. Ablation of polytetrafluoroethylene (Teflon) with femtosecond UV excimer laser pulses II Appl. Phys. Lett. —1989. —Vol. 54, no. 1, —P. 4-6.

40. Kanashima Т., Maidac O., Kohma N. et al. Preparation of fluorocarbon thin film deposited by soft X-ray ablation and its electrical characteristics and thermal stability // Appl. Surf. Sci. —2006. — Vol. 252, no. 22. —P. 7774-7780.

41. Jones A. C. Chemical Vapour Deposition: Precursors, Processes and Applications / под ред. Jones A. C., Hitchman M. L. // RCS Publishing, Cambridge, UK, 2009.

42. H. Yasuda. Plasma Polymerization //Academic Press, Orlando, 1985.

43. D'Agostino R., Cramarossa F., Fracassis F., Iluzzi F. Plasma Deposition Treatment, and Etching of Polymers / под ред. by R. D'Agostino // Academic Press, San Diego, 1990. P. 95-162.

44. Bell A. T. The Mechanism and kinetics of plasma polymerization // Top. Curr. Chem. —1980. — Vol. 94. —P.43-68.

45. Kay E., Coburn J., Dilks A. Plasma chemistry of fluorocarbons as related to plasma etching and plasma polymerization // Top. Curr. Chem. —Vol. 94. —P. 1-42.

46. Dilks A., Kays E. Plasma polymerization of ethylene and the series of fluoroethylenes: plasma effluent mass spectrometry and ESCA studies // Macromolecules. —1981. —Vol. 14. —P. 855-862.

47. Iriyama Y., Yasuda H. Fundamental aspect and behavior of saturated fluorocarbons in glow discharge in absence of potential source of hydrogen // J. Polym. Sci., Part A: Polym. Chem. —1992. —Vol.30, no. 8,—P. 1731-1739.

48. Nakajima K., Bell А. Т., Shen M., Millard M.M. Plasma polymerization of tetrafluoroethylene // J. Appl. Polym. Sci. —1979. —Vol. 23, no. 9. —P. 2627-2637.

49. Morozoff N., Yasuda H., Brandt E.S., Reilley C.N. Plasma polymerization of tetrafluoroethylene. I. Inductive radio frequency discharge // J. Appl. Polym. Sci. —1979. —Vol. 23, no. 4. —P. 10031011.

50. Sugimoto I., Characterization of a fluoropolymer thin film synthesized in a photoexcited radio-frequency plasma // Macromolecules. —1991. —Vol. 24, no. 7. —P. 1480-1486.

51. Liua D., Gua J., Feng Z. et al. Comparison of fluorocarbon film deposition by pulsed/continuous wave and downstream radio frequency plasmas // Vacuum. —2010. —Vol. 85, no. 2. —P. 253-262.

52. Savage C.R., Timmons R.B., Lin J.W. Spectroscopic Characterization of Films Obtained in Pulsed Radio-Frequency Plasma Discharges of Fluorocarbon Monomers II Adv. Chem. Ser. —1993. —Vol. 236. —P. 745-768.

53. Kennedy R. C., Levy J. B. The pyrolysis of hexafluoropropylene oxide // J. Fluorine Chem. —1976. —Vol. 7, no. 1-3. —P. 101-114.

54. Brahms DL, Dailey WP. Fluorinated Carbenes // Chem. Rev. —1996. —Vol. 96, no. 5. —P. 1585— 1632.

55. Millauer H., Schwertfeger W., Siegemund G. Hexafluoropropene Oxide A Key Compound In Fluorine Chemistry I/Angew. Chem., —1985, —Vol. 24, no. 3. —P. 161-179.

56. Limb S. J., Labelle С. В., Gleason К. K. et al. Growth of fluorocarbon polymer thin films with high CF2 fractions and low dangling bond concentrations by thermal chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. —1996, —Vol. 68, no. 20. —P. 2810-2813.

57. Lau К. K. S., Caulfleld J. A., Gleason К. K. Structure and Morphology of Fluorocarbon Films Grown by Hot Filament Chemical Vapor Deposition // Chem. Mater. —2000. —Vol. 12, no. 10. — P. 3032-3037.

58. Lau К. K. S. and Gleason К. K. Thermal Annealing of Fluorocarbon Films Grown by Hot Filament Chemical Vapor Deposition // J. Phys. Chem. B. — 2001. —Vol. 105, no. 12,—P. 2303-2307.

59. Liu D., Martin I. Т., Fisher E. R. CF2 surface reactivity during hot filament and plasma-enhanced chemical vapor deposition of fluorocarbon films // Chem. Phys. Lett. —2006. —Vol. 430, no. 1-3. —P. 113-116.

60. Rastogi A.C., Desu S.B. Thermal chemical vapor deposition of fluorocarbon polymer thin films in a hot filament reactor // Polymer. —2005. —Vol. 46, no. 10. —P. 3440-3451.

61. Zhou J., Ohno T. R., Wolden C. A. High-temperature stability of nichrome in reactive environments II J. Vac.Sci.Tech. A. —2003. —Vol. 21, no. 3. —P. 756-761.

62. Zhou J., Overmeyer A., Wolden C. A. Evaluating the contribution of both catalytic and thermal chemistry in hot-wire chemical vapor deposition // Proc. Electrochem. Soc. —2001. —Vol. 3, —P. 92-99.

63. Alf M. E., Asatekin A., Barr M. C., Baxamusa S. H. et al. Chemical Vapor Deposition of Conformal, Functional, and Responsive Polymer Films I/Adv. Mater. —2010. —Vol. 22, no. 18. — P. 19932027.

64. Розанов JI. H. Вакуумная техника: Учеб. для вузов по спец. «Вакуумная техника» 2-е изд. -М.: Высш. шк. 1990.

65. Шенин Е.П., Вакуумные технологии: учебное пособие Долгопрудный: Издательский дом интеллект, 2009.

66. DuPont HFPO. Properties, usage, storage and handling / DuPont. Режим доступа: http://www2.dupont.com/FluoroIntermediates/en US/assets/downloads/k05132.pdf, свободный -Яз. англ. Дата обращения: 23.08.2011.

67. Кнунянц И. Л. Химическая энциклопедия: в 5 тт. — Москва: Советская энциклопедия, 1988. — Т. 1. —С. 58. —623 с.

68. Купцов А.Х., Жижин Г.Н. Фурье-КР и Фурье-ИК спектры полимеров. Справочник. М.: Физматлит, 2001.

69. Beamson G., Briggs D. High resolution XPS of Organic Polymers. The Scienta ESCA 300 Database / John Wiley and Sons, 1992.

70. Marshall A. G. et al. Fourier transform ion cyclotron resonance: state of the art // Eur. J. Mass. Spectrom. —2007,—Vol. 13, no. 1,—P. 57-59.

71. Mamyrin B. A. Time-of-flight mass spectrometry (concepts, achievements, and prospects) // Int. J. Mass Spectrom. —2001. —Vol. 206, no. 3. — P. 251-266.

72. Окись гексафторпропилена. Масс-спектр / National Institute of Standards and Technology, USA. Режим доступа: http://webbook.nist.gov/cgi/cbook.cgi. свободный Яз. Англ. Дата обращения: 23.11.2011.

73. Safonov A. I. Mass spectrometry of pyrolysis products of hexafluoropropylene oxide during adiabatic expansion of a supersonic jet II J. Appl. Mech.Tech. —Phys. 2011. —Vol. 52, no. 3, — P.496-500,

74. Kleijn С et al. Multi-scale modeling of chemical vapor deposition processes for thin film technology // J. Cryst. Growth. 2007. - 303. - P. 362-380.

75. Wendt, J. Computational Fluid Dynamics: An Introduction / Под ред. J. F. Wendt // Springer. -2009. -332 p.

76. DuPont HFC-134a. Properties, Usage, Storage, and Handling DuPont. Режим доступа: http://www2.dupont.com/Refrigerants/en US/assets/downloads, свободный Яз. англ. Дата обращения: 23.08.2011.

77. Thermodynamic properties of HFC-134a Электронный ресурс. / DuPont. Режим доступа: http://www2.dupont.com/Refrigerants/en US/assets/downloads, свободный Яз. англ. Дата обращения: 23.08.2011.

78. Излучательные свойства твердых материалов. Справочник. Под общей редакцией А. Е. Шейндлина. М.: «Энергия», 1974

79. Modest М. F. Radiative heat transfer // Elsevier science, USA. 2003

80. Dunyakhin V.A., Timofeev V.V., Zhitnev Yu.N. Multiphoton dissociation of C3F60 // Russian Chemical Bulletin.—1995.—Vol. 43, no. 11, —P. 1816-1821.

81. Куричева О. В., Дуняхин В. А., Тимофеев В. В., Житнев Ю. Н. Особенности превращения C3F60 при ИК-лазерном облучении в присутствии кислорода // Вестн. Моск. Ун-та. —2000. —Сер. 2,—т. 41,—№3,—С. 157-159.

82. Calvo S., Basterretxea F.J., Sanchez Rayo M.N. Pulsed supersonic expansions of CF2 studied by diode laser spectroscopy // Chem. Phys. Lett. —2005, —Vol. 402, no. 4-6. — P. 455^59.

83. Martinez L. E., Leighton J. L., Carsten D. H. Jacobsen, E. N. Highly Enantioselective Ring Opening of Epoxides Catalyzed by (salen)Cr(III)Complexes //Am. Chem. Soc. —1995. —Vol. 117, no. 21. —P. 5897-5898.

84. Yasuoka H., Yoshida M., Sugita K. et al. Fabrication of PTFE thin films by dual catalytic chemical vapor deposition method // Thin Solid Films. —2008. Vol. 516, no. 5. — P. 687-690.

85. Takachi M., Yasuoka H., Ohdaira K. A novel patterning technique using super-hydrophobic PTFE thin films by Cat-CVD method // Thin Solid Films. —2009. —Vol. 517, no. 12. — P. 3622-3624.

86. Lau К. K. S., Claufield J. A., Gleason К. K. Structure and Morphology of Fluorocarbon Films Grown By Hot-wire Chemical Vapor Deposition // Chem. Mater. — 2000, —Vol. 12, no. 10. — P. 3032-3037.

87. Stepanov S. Absolute number density and kinetic analysis of CF, CF2 and C2F4 molecules in pulsed CF4/H2 RF plasmas. PhD Thesis / Ernst Moritz Arndt University, Greifswald, Germany, 26.04.2010, 160 p.

88. Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy (A reference book of standard spectra for identification and interpretation of XPS data) / J. F. Molder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, K. D. Bomben // Physical Electronics, Inc. USA, 1995.

89. Fotiadis D. I., Boekholt M., Jensen K. F., Richter W. Flow and heat transfer in CVD reactors: Comparison of Raman temperature measurements and finite element model predictions // J. Cryst. Growth. —1990. —Vol. 100, no. 3. — P. 577-599.