Синтез пленок карбида кремния из газовой фазы метилсилана тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Карами, Юсеф

• Карами, Юсеф
• кандидат химических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат химических наук Карами, Юсеф

1 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1 .Кристаллический карбид кремния.

1.1.1. Состав, структура, физические свойства

1.1.2.Химические свойства.

1.1.3.Получени е.

1.1 АПрименение.

1.2.Аморфный карбид кремния.

1.3.Получение карбида кремния химическим осаждением из газовой фазы.

1.3.1 .Общая характеристика метода.

1.3.2.Термодинамический анализ.

1.3.3.Синтез пленок в системе 81—С—С1—Н.

1.3.4.Синтез пленок в системе 81—С—Н.

1.3.5 .Выращивание эпитаксиальных монокристаллических слоев.

2 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

2.1 .Установка для синтеза пленок карбида кремния методом химического осаждения из газовой фазы.

2.2.Подложк и.

2.3.Исходный реагент (метилсилан).

2.4.Физические свойства реакционной смеси и ее компонентов (расчет).

2.4.1.Критические параметры метилсилана.

2.4.2.Параметры потенциала Леннард-Джонса реагента и газа-разбавителя.

2.4.3.Средняя длина свободного пробега молекул.

2.4.4.Вязкост ь.

2.4.5.Коэффициент диффузии.

2.5.Параметры процесса синтеза (измерение, расчет).

2.5.1.Геометрические параметры реакционной системы.

2.5.2.Расход реагента и газа-разбавителя.

2.5.3.Мольное отношение газ-разбавитель: реагент.

2.5.4.Объемный расход газа в реакторе.

2.5.5.Линейная скорость потока.

2.5.6.Время контакта.

2.5.6.Мольная доля реагента.

2.5.8.Парциальное давление реагента и газа-разбавителя

2.5.9.Скорость роста твердой фазы.

2.5.10.Толщина пленок.

2.5.11.Степень превращения в газовой фазе.

2.5.12.Влияние химической реакции на расходы и концентрации.

2.5.13. Давление.

2.6.Критерии, характеризующие массо- и теплоперенос в реакторе (расчет).

2.6.1 .Критерий Кнудсена.

2.6.2.Критерий Рейнольдса.

2.6.3.Критерий Пекле (продольный).

2.6.4.Температурный режим.

2.6.5.Макрокинетический режим.

3 .КИНЕТИКА ПИРОЛИЗА МЕТИЛСИЛАНА

ОБРАЗОВАНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ

3.1 .Критический переход между режимами роста пленок и образования дисперсных частиц в объеме 3.2.Кинетика реакции в режиме роста пленок.

4 СОСТАВ, СТРУКТУРА, СВОЙСТВА ПОЛУЧЕННЫХ ПЛЕНОК

4.1 .Рентгенофотоэлектронная спектроскопия.

4.2.Рентгеновская дифракция.

4.3 .ИК-спектроскопия поглощения.

4.4.КР-спектроскопия.

4.5.Оптическая спектроскопия в видимой области.

4.6.ИК-спектроскопия отражения.

4.7.Сканирующая электронная микроскопия.

4.8 .Электропроводность.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез пленок карбида кремния из газовой фазы метилсилана»

Покрытия и пленки карбида кремния защитного, износостойкого и электронного применения характеризуются высокой термо- и химической стойкостью, твердостью, высокой для керамики теплопроводностью, сочетаемостью с углеродными материалами (конструкционными - графитами, уг-леволокнами; функционального назначения - такими, как алмазные пленки) благодаря совместимости по химической природе и близости коэффициентов термического расширения, барьерным свойствам - низкого коэффициента диффузии атомов углерода в SiC [1, 2]. Карбид кремния — широкозонный полупроводник с высокой подвижностью электронов и высоким пробойным напряжением, обладающий фоточувствительностью, что обуславливает его применение для высокотемпературных, силовых, ВЧ- электронных приборов, в оптоэлектронике. Синтез пленок различного состава и структуры от аморфного гидрированного карбида переменного состава a-Si ixCx:H до монокристаллических эпитаксиальных (кубический (ß) ЗС-SiC, гексагональные (а) политипы 4Н-, 6Н- и др.) позволяет регулировать ширину запрещенной зоны, электропроводность и др. свойства. [3, 4]. Среди различных методов получения большое значение, вследствие своей универсальности, имеют термически активированные химические реакции образования карбида кремния из газообразных реагентов (Chemical Vapor Deposition — CVD), поскольку позволяют синтезировать не только пленочные структуры, но и покрытия на зернистых материалах [5]; заращивать карбидокремниевой матрицей поры внутри твердых тел или образованные упаковкой дисперсных частиц, волокон, слоев (Chemical Vapor Infiltration — CVI), т.е. получать композиционные материалы [6]. Использование метилсилана в качестве исходного реагента для получения карбида кремния методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) CH3SiH3 - SiC + ЗН2 6 дает ряд преимуществ по сравнению с традиционными способами, в которых используются галоидные кремнийорганические соединения, чаще всего — метилтрихлорсилан (см. раздел. 1.3.3)

CHsSiCb = SiC + ЗНС1 либо смеси силана с углеводородом (см. раздел 1.3.4) S1H4 +С3Н8 = SiC + С2Н2 + 5Н2 Использование MC обеспечивает экологическую чистоту и безопасность процесса, поскольку исключаются агрессивные вредные хлорсодержащие вещества (CH3SiCl3, HCl) и метилсилан химически стоек при комнатной температуре (не самовозгорается на воздухе, как моносилан; не диспропорцио-нирует при длительном хранении, как полисиланы). Состав, структура и скорость роста твердого продукта, обозначенного в упрощенных схемах реакций как SiC, существенно зависит от состава исходной газовой смеси, в которую помимо исходных реагентов включают водород и/или инертный газ. Много-компонентность исходной газовой фазы затрудняют управление процессом в смысле обеспечения необходимых свойств твердого продукта реакции. Помимо прочего, использование метилсилана позволяет понизить температуру CVD—процесса, которая для других исходных реагентов в большинстве случаев превышает 1000 °С.

Кинетика химического осаждения карбида кремния на подложках из газовой фазы метилсилана ранее исследовалась в реакторах с холодными стенками в области низких давлений ( p(CH3SiH3) = 2,3.27 Па без разбавления [7]; р(МС) = 1,3 Па при разбавлении метилсилана водородом 1:100 [8]) — см. 1.2.4. Состав, структура и свойства пленок карбида кремния, полученных в этих условиях, изучались в работах [7, 9]. В целом объем литературных сведений по кинетике пиролиза метилсилана — роста пленок карбида кремния и характеристике образующихся пленок невелик. 7

Целью настоящей работы было изучение термического разложения ме-тилсилана в реакторе с горячими стенками в области относительно высоких давлений — общего (р) и парциального (рССН^П Ь)). (см. раздел 3.), а также исследование состава, структуры, свойств синтезированных пленок карбида кремния различными физико-химическими методами (спектроскопии, дифракции, микроскопии, электрофизических измерений (см. раздел 4.)). 8

1 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Карами, Юсеф

ВЫВОДЫ

В представленной работе методом химического осаждения из газовой фазы метилсилана осуществлен синтез пленок карбида кремния.

Реакцию термического разложения метилсилана в смеси с газом-разбавителем

СНзБШз = ЭЮ + ЗНг (36) проводили в трубчатом изотермическом вакуум- проточном реакторе с горячими стенками при общем давлении р~1 кПа.

Расчетом с использованием соответствующих критериев (Кнудсена, Рейнольдса, Пекле, Нуссельта, Тиле) определены режимы масса- и теплопе-реноса в реакторе: а), течение газа — вязкостное ламинарное идеального вытеснения; б), диффузия —молекулярная; в), температурный режим — изотермический (отсутствие градиента температуры газ/поверхность); г), макрокинетическая область — кинетическая (диффузионное торможение отсутствует, лимитирует скорость химической реакции).

1 .Установлена возможность протекания пиролиза метилсилана в двух режимах : роста пленок и образования порошка, при этом в ряду газов-разбавителей Н2 < Не< Аг характер перехода меняется от резкого (критического) для Н2 до плавного (размытого) для Аг.

2.Выявлены основные параметры процесса, определяющие режим разложения метилсилана (рост пленки на поверхности либо выпадение порошка в объеме) — парциальное давление реагента р(СН38Ш3) и температура Т. Анализ диаграмм состояния процесса "рсг (СН38Щ3) — Т" позволил выявить ряд закономерностей. Так, при варьировании диаметра реактора ё от 8 до 56 мм (времени контакта т соответственно от 0,004 до 0,2 с) характер зависимо

131 сти критического парциального давления pcr (CH^SiH^) от температуры, разграничивающей области роста пленок и порошкообразования, остается неизменным. Наблюдается линейное падение lg pcr(CH3SiH3) с ростом Т до 800 °С, при температуре выше 800°С pcr (CH3SiH3) перестает зависеть от Т.

3. В режиме роста пленок сопоставлены опытные данные по скорости роста твердой фазы w и степени превращения х в газовой фазе. В исследуемом диапазоне температур 700.800 °С максимум распределения скорости роста пленки (w), по длине реактора (/) совпадал с серединой изотермической зоны. Рассчитанная по распределению w(i) степень превращения (х*) незначительно отличается от экспериментально найденного значения (х), что указывает на слабое протекание побочных — отличающихся от (36) реакций.

4. Из установленной экспериментально независимости степени превращения метилсилана х от парциального давления метилсилана р (CH3SLH3) найдено, что, согласно модели степенного кинетического закона в реакторе идеального вытеснения порядок реакции (36) по метилсилану первый.

5. Обнаружено увеличение скорости роста пленок (w) при увеличении парциального давления газа-разбавителя (водорода), когда парциальное давление реагента (метилсилан) остается постоянным. Наблюдаемый эффект объясняется тем, что л имитирующей стадией процесса роста SiC является мономолекулярный распад CH3SiH3 -» CH3S1H + Н2 в газовой фазе, активированный соударением с молекулой "инертной" примеси газа-разбавителя.

6. Методами спектроскопии (РФЭ-, ИК-, КР-, в видимой области длин волн) и рентгеновской дифракции установлено, что синтезированные при 700.800°С пленки представляют собой аморфный слабо гидрированный карбид кремния с небольшим отклонением от стехиометрического состава в сторону избытка кремния SiC ~ 1,2. 1,3. Атомная доля водорода [Н] < 1%, при этом обнаруживаются только Si—Н связи. Доля примесного кислорода [О] несколько процентов. Установлено также, что оптическая ширина запре

132 щенной зоны Её «1,8 эВ [113]. Морфология пленок, по данным электронной микроскопии, изотропная.

7. Перестройка структуры синтезируемого аморфного карбида кремния, происходящая при повышении температуры синтеза Т обнаруживает два аспекта: стабильности и лабильности. Заметных изменений в РФЭ- спектрах и КР- спектрах пленок при повышении Т не наблюдается, тогда как данные ПК- спектроскопии, рентгеновской дифракции и измерения электропроводности указывают на упорядочение структуры с ростом температуры осаждения. Очевидно, первая группа методов анализа характеризует структуру самого близкого порядка, которая не претерпевает изменений; тогда как вторая группа методов характеризует структуру большего масштаба (дальний, средний порядок, влияние окружения).

8. Пленки синтезированы нами в условиях "высоких" давлений (р « 1 кПа, р(СНз8гПз) « 40 Па), близких к границам перехода в режим образования порошка, в изотермическом реакторе с горячими стенками при достаточно низких значениях. Отношения реакционной поверхности к объему 8У порядка 10 см"1. При этом следует ожидать наиболее сильного влияния процессов в газовой фазе на характер осаждения пленок. Сравнение с данными [7, 8], полученными в условиях реакторов с холодными стенками при "низких"' давлениях (р<0,1 кПа, р(СН38гНЗ)<10 Па) показывает, что качественные закономерности кинетика роста и формирования структуры/состава карбида кремния в пределах режима роста пленок сохраняются теми же.

9. С точки зрения изучения механизма реакции выбор использованных в настоящей работе условий проведения процесса (изотермический реактор идеального вытеснения) предпочтителен, т.к. при этом параметры процесса определены наиболее однозначно, а моделирование исследования кинетики реакции осуществляется наиболее просто.

133

10. Ограничения, накладываемые на технологический процесс получения пленок (покрытий) ЭЮ метом химического осаждения из газовой фазы метилсилана, связаны с переходом в режим образования дисперсных частиц при повышении давления реагента; неравномерностью распределения скорости роста по реакционному пространству из-за многостадийности механизма гомогенно-гетерогенного процесса, протекающего с образованием промежуточных соединений в газовой фазе (помимо тривиального снижения концентрации реагента с увеличением степени его превращения); зависимостью скорости роста, состава и структуры пленок (несте-хиометричность, степень гидрированности, примеси, степень кристалличности) от условий осаждения (температура, давление и др.).

Рабочее давление определяется типом вакуумной системы, в первую очередь насосов. При использовании, как в данной работе, вращательных маслонаполненных насосов (средний или низкий вакуум) технологическому процессу получения пленок или покрытий карбида кремния в реакторах с горячими стенками соответствует температурный диапазон примерно 700.

800 °С, при этом достигается скорость роста к несколько мкм/ч. При более низких температурах скорость осаждения слишком мала, при более высоких температурах слишком велика неравномерность распределения скорости роста по реактору.

Повышение скорости роста и к. п. д. процесса осаждения БЮ из метилсилана, получение пленок кристаллической структуры могут быть достигнуты путем использования реакторов с холодными стенками, рециркуляции, более высокого вакуума.

134

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Карами, Юсеф, 2000 год

1. Самсонов Г.В., ЭпикА.П. Тугоплавкие покрытия. - М.: Металлургия, 1973. - 399 с.

2. Емяшев А.В. Газофазная металлургия тугоплавких соединений М.: Металлургия, 1987. -208 с.

3. Gmelin Handbook of Inorganic Chemistry . Si Suppl. Vol. B2. Silicon carbide. Part 1-Berlin etc: Spinger-Verlag, 1984.

4. Gmelin Handbook of Inorganic Chemistry . Si Suppl. Vol. B3. Silicon carbide. Part 2-Berlin ect: Spinger-Verlag, 1986.

5. Minato K., Fukuda K. Chemical vapor deposition of silicon carbide for coated fuel particles // J. Nucl. Mater. 1987. V. 149, N2. P.233-246.

6. Besmann T.M., McLaughlin J.C., Lin H.-T. Fabrication of ceramic composites: forced CVI//J. Nucl. Mater. 1995. V.219, P.31-35.

7. Johnson A.D., Perrin J., Mucha J.A., Ibbotson D.E. Kinetics of SiC CVD: Surface decomposition of silacyclobutane and methylsilane// J. Phys. Chem. 1993. V.97, N49. P. 12937-12948.

8. Ohshita Y. Reactants in SiC chemical vapor deposition using CH3SiH3 as a source gas//J. Cryst. Growth. 1995. V.147, N1/2 . P.lll-116.

9. Golecki F., Reidinger F., Marti J. Single-crystalline epitaxial cubic SiC films grown on (100) Si at 750°C by chemical vapor deposition// Appl. Phys. Lett. 1992. V.60, N14. P.1703-1705.

10. Химическая энциклопедия/Гл. ред. И.JI. Кнунянц. Т.2. -М: Сов. Энциклопедия, 1990. С. 519.

11. Косолапова Т.Я. Свойства, получение и применение тугоплавких соединений : Справочник / Под ред. Т.Я. Косолаповой. М.: Металлургия, 1986. -928 с.

12. Шевченко В.Я., Баринов С.М. Техническая керамика. М.: Наука, 1993.-187 с.

13. Арутюнов В.Л., Ежов А.А., Куцее С.В., Туманов В.А., Тютъкова Ю.Б. Методы получения и свойства карбида кремния. -М., 1991. -28с. -Деп. в ВИНИТИ 23.05.91, №2131-В91.

14. Электротермические процессы химической технологии/Под. ред. В.А. Ершова. -Л: Химия, 1984.

15. Гаршин А.П., Карлин В.В., Олейник Г.С., Островерхое В.И. Конструкционные карбидокремниевые материалы. Л.: Машиностртоение, 1975.-152 с

16. Елютин В.П., Павлов Ю.А. Высокотемпературные материалы. -М.: Металлургия, 1972. -264 с.

17. Saidov M.S., Shamuratov Kh.A., Kadyrov M.A. Study of growth condition of silicon carbide epitaxial layers//J. Cryst. Growth. 1988. V.87, N4. P.519-522.

18. Тарабанов A.C., Костиков В.И. Силицированный графит. -М.: Металлургия, 1977. 208 с.135

19. Цирлин A.M. Непрерывные неорганические волокна для композиционных материалов. М.: Металлургия, 1992. - 239 с.

20. Backer S.H., Spear W.E., Gibson R.A.G. Electronic and optical properties of a-Sii.xCx films prepared from a H2- diluted mixture of S1H4 and CH4 // Philos. Mag. B. 1990. V.62, N2. P.213-223.

21. Ruttensperger В., Krotz G., MullerG., Derst G., KalbitzerS. Crystalline-amorphous contrast formation in thermally crystallezed SiC//J. Non-Cryst. Solids. 1991. V.137/138. Ptl. P.635-638.

22. Windischmann H. Intrinsic stress and mechanical properties of hydrogenated silicon carbide produced by plasma-enhanced chemical vapor deposition //J. Vac. Sci. Thechnol. A. 1991. V.9, N4. P. 2459-2463.

23. Delia Mea G., Demichelis F., Pirri C.F., RavaP., Rigato V., Stapinski Т., Tresso E. Influence of hydrogen on the evolution of structural properties of amorphous silicon carbide//J. Non-Cryst. Solids. 1991. V.137&138. P.95-98.

24. Fishman G.S., Petuskey W.T. Thermodynamic analysis and kinetics of chemical vapor deposition of SiC from Si-C-Cl-H gas systems// J. Am. Ceram. Soc. 1985. V.68, N4. P.185-190.

25. KingonA.I., Lutz L.J., Davis RF. Thermodynamic calculations for the chemical vapor deposition of silicon carbide// J. Am. Ceram. Soc. 1983. V.66, N8.1. P. 558-566.

26. Внуков С.П., Кугучин A.E., Аникин Б.А. Осаждение кремния и карбида кремния из метилтрихлорсилана при 1000°С// Химическая физика. 1992. T.l 1, №10. С.1391-1394.

27. YeheskelJ., Daniel M.S. Codeposition of free silicon during CVD of silicon carbide//J. Am. Ceram. Soc. 1995. V.78, N1. P.229-232.

28. Льоис Дж.Т. Расчеты химического равновесия в системе C-Cl-H-Si//Карбид кремния / Под ред. Г. Хениша, Р. Роя. -М.: 1972. С.310-319.

29. Иванова Л.М., Казарян Г.А., Плетюшкин А.А. Получение карбида кремния термическим разложением паров метилхлорсиланов// Неорганические материалы. 1966. Т.2, №2. С.223-228.

30. Иванова Л.М., Плетюшкин А.А. Кинетика образования p-SiC из газовой фазы//Неорганические материалы. 1967. Т.З, №10. С.1817-1822.

31. Иванова Л.М., Плетюшкин А.А. Химическое разложение паров метилтри хлорсилана//Неорганические материалы. 1968. Т.4, № 7. С.1089-1093.

32. Емяшев А.В., Лахоткин Ю.В., ЛисовскаяЛ.В. Физико-химические закономерности осаждения карбида кремния из газовой фазы// Углеродные конструкционные материалы -М.: Металлургия, 1984. С.65-70.136

33. Федосеев Д.В., Дорохович В.П., Лаврентьев А.В., Задорожный О.И., Варшавская И.Г. Кинетика роста кристаллов карбида кремния// Неорганические материалы. 1976. Т.12, №10. С.1796-1799.

34. БатовД.В., Иванов JI.С., Пегое B.C., Петров В.И., Степович М.А., Филиппов М.Н. Получение и электронно-зондовые исследования структуры SiC, осажденного из газовой фазы на различные типы подложек// Поверхность. 1998. Т.1. С. 26-32.

35. Jonas S., Paluszkiewicz С., Plak W.S., Sadowski W. Composition of the gas phase during deposition of SiC layers from reaktive mixture CH3SiCl3+Ar+H2// J Mol. Struct. 1995. V.349, P.73-76.

36. Choi В .J., Kim D.R. Growth of silicon carbide by chemical vapor deposition // J. Mater. Sci. Letters. 1991. Y.10, P.860-862.

37. Besmann T.M., Sheldon B.W., Moss T.S. Ill, KasterM.D. Deplation effects of silicon carbide deposition from methyltrichlorsilane// J. Am. Ceram. Soc. 1992. V.75, N10. P.2899-2903.

38. Murooka K.-L, Higashikawa I., Gomie Y. Growth rate and deposition process of silicon carbide film by low-pressure chemical vapor deposition// J. Cryst. Growth. 1996. V.169, P.485-490.

39. Loumagne F., Langlais F., Naslain R. Experimental kinetic study of the chemical vapor deposition of SiC-based ceramics from CH3SiCl3/H2 gas precursor// J. Cryst. Growth. 1995.V. 155, N3/4. P.198-204.

40. Loumagne F., Langlais F., Naslain R. Reactional mechanisms of the chemical vapor deposition of SiC-based ceramics from CH3SiCl3 / H2 gas precursor// J. Cryst. Growth. 1995. V.155, N3/4. P.205-213.

41. Loumagne F., Langlais F., Naslain R, Schamm S., Dorignac D., Sevely J. Physicochemical properties of SiC-based ceramics deposited by low pressure chemical vapor deposition from CH3SiCCl3-H2// Thin Solid Films. 1995. V.254, N1/2. P.75-82.

42. Lespiaux D., Langlais F. Chemisorption on P-SiC and amorphous SiC>2 during CVD of silicon carbide from the Si-C-H-Cl system. Correlations with the nucleation process//Thin Solid Films.l995.V.265, N1. P.40-51.

43. Takeuchi Т., EgashiraY., OsawaT., Komiyama H. A kinetic of the chemical vapor deposition of carbide from dichlorodimethylsilane precursors // J. Electro-chem. Soc. 1998. V.145, N4. P.1277-1284.

44. Tago Т., KawaseM., Yoshihara Y., Hashimoto K. Growth kinetics of chemical vapor deposition of p-SiC from(CH3)2SiCl / Ar // J. Electrochem. Soc. 1998. V.145, N7. P.2516-2522.137

45. Moller H., Legner W., Krotz G. A new radiation heated for inch LPCVD system for p-SiC heteroepitaxy// Inter, conf. on silicon carbide, Ill-nitrides and related materials. 1997. Abstracts. P. 123-124.

46. Neudorfl P.S., Lown E.M., SafarikL, JodhanA., Strausz O.P. Mechanism of the gas-phase thermolysis of monomethysilane// J. Am. Chem. Soc. 1987. V.109, N19. P.5780-5789.

47. Davidson I.M.T., RingM.A. Primary processes in the low-pressure pyrolysis of methylsilane // J.Chem.Soc., Faraday Trans. I. 1980. V.76, N7. P.1520-1525.

48. Stinespring C.D., Wormhoudt J.C. Gas phase kinetics analysis and implications for silicon carbide chemical vapor deposition // J. Cryst. Growth. 1988. V.87, N4. P.481-493.

49. Herlin N., lefevre M., PealatM., Perrin J. Investigation of the chemical vapor deposition of silicon carbide from tetramethylsilane by in situ temperature and gas composition measurements// J. Phys. Chem. 1992. V.96, N17. P. 7063-7072.

50. Seo Y.H., Nahm K.S., Suh E.K., Lee H.J., Hwang Y.G. Growth mechanism of 3C-SiC(l 11) film on Si using tetramethylsilane by rapid thermal chemical vapor deposition//J. Vac. Sci. Technol. A. 1997. V.15, N4. P.2226-2233.

51. Kleps /., Caccavale F., Brusatin G., Angelescu A., Armelao L. LPCVD silicon carbide and silicon carbonitride films using liquid single precursors// Vacuum. 1995. V.46, N8/10. P.979-981.

52. IoshidaA., Yamada /., Nakamura T., Ionezu H. Hydrogenated amorphous Si-C alloy prepared by chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 1988. V.164. P.213-216.

53. Matsunami H. Progress in epitaxial growth of SiC// Physica B. 1993. V.l 85, N1/4. P.65-74.

54. Addamiano A., Klein P.H. Chemically-formed buffer layers for growth of cubic silicon carbide single crystals//J. Cryst. Growth. 1984. V.70, N1/2. P.291-294.

55. Addamiano A., Sprague J.A., JBuffer-layer" technique for the growth of single-crystal SiC on Si //Appl. Phys. Lett. 1984. V.44, N5. P. 525-527.

56. Nishino S., Suhara H., Matsunami H. Epitaxial growth and electric characteristics of cubic SiC on silicon// J. Appl. Phys. 1987. V.61, N10. P.4889-4893.

57. Suzuki A., Furukawa K., Higashigaki I., Harada S., Nakajima S., Inogushi T. Epitaxial growth of p-SiC single crystals by successive two-step CVD // J. Cryst. Growth. 1984. V.70, N1/2. P.287-290.

58. Kunstmann Th., VeprekS. Heteroepitaxy of p-SiC from methyltrichlorsilane and methyltribromosilane on Si(100) without a carbon buffer layer// Appl. Phys. Lett. 1995. V.67, N21. P.3126-3128.138

59. Steckl A.J., Yuan С., Li J.P., LobodaM.J. Growth of crystalline 3C-SiC on Si at reduced temperatures by chemical vapor deposition from silacyclobutane // Appl. Phys.Lett.1993. V.63, N24. P.3347-3349.

60. Konstantinov A.O., Hallin C., Kordina O. Jansen E. Effect of vapor composition on polytype homogeneity of epitaxial silicon carbide// J. Appl. Phys. 1996. V.80, N10. P.5704-5712.

61. Kordina O., Hallin C., Henry A., VehanenA., Jansen E. High temperature chemical vapor deposition of SiC//Appl. Phys. Lett. 1996. V.68, N10. P.1456-1458.

62. Feng Z.C., Rohatgi A., Tin C.C., Ни R., Wee A.T.S., Se K.P. Structural, optical and surface science studies of 4H-SiC epilayers grown by low-pressure CVD // J. Electron. Mater. 1996.V.25, N5. P.917-923.

63. Коленко E.A. Технология лабораторного эксперимента: Справочник. -СПб: Политехника, 1994. -С.608.

64. Физко-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник /Под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева. М.: Наука, 1979. -339с.

65. Андрианов К.А. Методы элементоорганической химии. Кремний/ Под ред. А.Н. Несмеянова, К.А. Кочешкова. М.: Наука, 1968,- 700 с.

66. Tannenbaum S., Кауе S., Lewenz G. F. Synthesis and properties of some alkyl-silanes//J. Am. Chem. Soc. 1953. V.75, N.15/16, P. 3753-3757.

67. Алексееве П.Г., Арутюкое Б.А., Поварнин П.И. Теплофизические свойства кремнийорганических соединений: Справочник. -М.: Энергоатомиздат, 1993. -240 с.

68. Шервуд Т., Пигфорд Р., Уилки Ч. Массопередача. -М.: Химия, 1982. С.54.

69. Рид Р., Праусниц Дж. Шервуд Т. Свойства газов и жидкостей. Л.: Химия, 1982. - 592 с.

70. Фролов Е.С, МинайчевВ.Е., Александрова А.Т. Вакуумная техника: Справочник / Под ред. Е.С. Фролова, В.Е. Минайчива М.: Машиностроение, 1992. 480 с.

71. Морачевский А.Г., Сладкое И.Б. Физико-химические свойства молекулярных неорганических соединений (Экспериментальные данные и методы расчета). СПб: Химия, 1996. - 312 с.

72. ПипкоА.И. Основы вакуумной техники -М.: Энергоиздат., 1981.

73. Кафаров В.В., Михайлов Г.В. Введение в инженерные расчеты реакторов с неподвижным слоем катализатора. М.: МХТИ им. Э.И. Менделеева, 1969. -158 с.

74. Kymenoe A.M. Общая химическая технология. М.: Высш. шк., 1990. -520 с.

75. Ромашов П.Г., Фролов В.Ф., Флисюк О.М., Курочкина М.И. Методы расчета процессов и аппаратов химической технологии. СПб: Химия, 1993.- 496 с.

76. Михеев М.А., Михеев И.М. Основы теплопередачи. М.: Энергия, 1977.- 343 с.139

77. Франк-Каменецкий Д. А. Диффузия и теплопередача в химической кинетике. М.: Наука, 1987. - 502 с.

78. Кондратьев В.Н., Никитин Е.Е. Химические процессы в газах. М.: Наука, 1981. -264с.

79. Hicks S.E., Fitzgerald A.G., Baker S.H. The structural, chemical and compositional nature of amorphous silicon carbide films// Philos. Mag. B. 1990. V.62, N2. P.193-212.

80. Handbook of x-ray photoelectron spectroscopy/J.M. Moulder, W.F. Stickle, P.E. Sobol, K.D. Bomben. Ed. By J. Chasten.-Minnesota: Perkin-Elmer Corp., 1992.

81. Delplancke M.P., Powers J.M., Vandentop G.J., Somorjai G.A. Preparation of SixCyHz films from methyl- siiane by plasma-enhanced chemical vapor deposition// Thin Solid Films. 1991. V.202, N2. P.289-298.

82. Demichelis F., Pirri C.F., Tresso E. Degree of crystallinity and electrical transport properties of microcrystalline silicon carbide alloys 11 Philos. Mag. 1993. V.67, N3. P.331-346.

83. Choi W.K., Loo F.L. Effects of hydrogen and rf power on the structural and electrical properties of rf sputtered hydrogenated amorphous silicon carbide films //J. Appl. Phys. 1996. V.80, N3. P.1911-1616.

84. Раков А.В. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур. М.: Сов. радио, 1975. - 176 с.

85. Копылов А.А., Холодилов А.Н. Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол// Физика и техника полупроводников. 1997. Т.31, №4. С.556-558.

86. Балагуров Л.А., Дроздов Ю.А., Карпова НЮ и др. Оптические свойства и структура химических связей a-SiХСХ:Н//Физика твердого тела. 1989. Т.31, №10. С.231-236.

87. Kim D.S., Lee Y.H. Room-temperature deposition of a-SiC:H thin films by ionassisted plasma-enhanced CVD // Thin Solid Films.1996. V.283. P.109-118.

88. Choi W.K., Chan Y.M., Ling C.H., Lee Y. Structural properties of amorphous silicon carbide films by plasma-enhanced chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 1995. V.77, N2. P.827-832.

89. Dimova-Malinovska M. D., Sendova-Vassileva M., Kamenova M., Tzenov N., Tzolov M. On the origin of the visible luminescence from porous silicon// Vacuum. 1996. V.47, N9. P.l 133-1138.

90. Lin.S-Y. Vibrational local modes of a-Sii.xCx:H alloys and variation of local modes in different local environments// J. Appl. Phys. 1996. V.80, N3. P.1399-1404.140

91. Goehlert К., Irmer G., Michalowcky L. Monecke J. Polytype analysis of SiC powder by Raman spectroscopy //J. Mol. Struct. 1990. V.219. P.135-140.

92. Vassilev L., Toneva A. Raman scattering from hydrogenated amorphous silicon obtained by homogeneous chemical vapor deposition // Philos. Mag. B. 1996. V.74, N3. P.269-274.

93. Kanzawa Y, Hayashi S., Yamamoto K. Raman spectroscopy of Si-rich S1O2 films: possibility of Si cluster formation // J. Phys: Condens. Matter. 1996. V.8, N26 .P.4823-4835.

94. Choi W.K., Loo F.L., Ling C.H. Structural and electrical studies of radio frequency sputtered hydrogenated amorphous silicon carbide films//!. Appl. Phys. 1995. V.78, N12. P.7289-7294.

95. Tzolov M.B., Tzenov N.V., Dimova-Malinovska D.l. Influence of the alloying on the vibrational properties of amorphous silicon in the frequency range 200-450 cm"1: Raman studies // J. Apll. Phys. 1993. V.74, N4. P.2731-2735.

96. Hobert H., Dunken H., Menzel R., Bachmann Т., Wesch IV. Infratred and Raman spectroscopy of particle-beam induced damage of silicon carbide //J. Non-Cryst. Solids. 1997. V.220, N2/3. P. 187-194.

97. Комраков Б.М., Шапочкин Б.А. Измерение параметров оптических покрытий. М.: Машиностроение, 1986. - 132 с.

98. Метфессель С. Тонкие пленки, их изготовление и измерение. М.: Гос-энергоиздат, 1963. - 272 с.

99. Беннет Х.Е., Беяяет Дж.М. Прецизионные измерения в оптике тонких пленок // Физика тонких пленок. Под ред. Г. Хасса, Р.Э. Туна. -М.: Мир. Т.4. 1970. С. 56.

100. Хевенс О. С. Измерение оптических констант тонких пленок// Физика тонких пленок/ Под ред. Г. Хасса, Р.Э. Туна. М.: Мир, 1967. Т.2, С. 136185.

101. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. -М.: Мир, 1974. С.263.

102. Park Y.J, Park Y. W.,Chun J.S. The bond structures and properties of chemically vapor deposited amorphous SiC// Thin Solid Films. 1988. V.166. P.367-374.

103. MacMillan M.F., Devaty., Choyky W.J. Goldstein D.R., Spanier J.E.,Kurtz A.D. Infrared refractance of thick p-type porous SiC layer// J. Appl. Phys. 1996. V.80, N4. P.2412-2419.

104. Данишевскж A.M., Шуман В.Б., Рогачев А.Ю., Иванов П.А. Исследование пористого карбида кремния методами колебательной и люминесцентной спектроскопии// Физика и техника полупроводников. 1995. Т.29, №12. С.2122-2132.

105. Данишевский A.M., Шуман В.Б., ГукЕТ., Рогачев А.Ю. Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремневых подложках// Физика и техника полупроводников. 1997. Т.31, №4. С. 420424.

106. Cros В., Gat E., Saurel J.M. Characterization of elastic properties of amorphous silicon carbide thin films by acoustic microscopy // J. Non-Cryst. Solds.1997. V.209, N3. P.273-282.

107. Demichelis F.t Crovini G., Pirri C.F., Tresso E. Infrared vibrational spectra of hydrogenated amorphous and microcrystalline silicon carbide alloys I I Philos. Mag. B. 1993. V.68, N3. P.329-340.

108. Chen Y.L., Wang C., Lucovsky G., Maker D.M., Nemanich R.J. Transmission electron microscopy and vibration spectroscopy studies of undoped and doped Si:H and Si,C:H films// J. Vac. Sci. Technol. A. 1992. V.10, N4. P.874-880.

109. Абызов A.M., Карами Ю. Исследование оптических свойств пленок карбида кремния полученного химическим осаждением из газовой фазы // Сборник тезисов докладов II научно-технической конференции аспирантов СпбТИ (ТУ). Ч.-1. -СПб: Изд-во СПбТИ, 1999. С.42.