Разработка микроволновых керамических высокодобротных материалов с управляемыми свойствами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.09.02, кандидат технических наук Дамбис, Мария Карловна

• Дамбис, Мария Карловна
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Дамбис, Мария Карловна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ РЕЗОНАТОРОВ И МЕТОДЫ ИХ СИНТЕЗА.

1.1. МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ РЕЗОНАТОРОВ.

1.2. УПРАВЛЕНИЕ СВОЙСТВАМИ МИКРОВОЛНОВОЙ КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ ПОЛИТИТАНАТОВ БАРИЯ.

1.2.1. Замещение различными редкоземельными элементами бария и титана.

1.2.2. Замещение бария элементами второй группы.

1.2.3. Легирование висмутом.

1.2.4. Введение легирующих добавок сверхстехеометрии.

1.3. МЕТОДЫ СИНТЕЗА КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ.

1.4. ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ МИКРОВОЛНОВЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ С ВЫСОКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ

ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ.

ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.

ГЛАВА 2. РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ.

2.1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ.

2.2. МЕТОДЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ.

2.3. МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ.

ГЛАВА 3. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ОПЫТНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ.

3.1. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПЫТНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ.

3.2. ИССЛЕДОВАНИЕ МИКРОСТРУКТУРЫ МАТЕРИАЛОВ.

3.3. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ МИКРОВОЛНОВЫХ ПАРАМЕТРОВ

КЕРАМИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ.

3.4. ИЗМЕРЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ.

3.5. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ.

ГЛАВА 4. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ.

4.1. ПЛОТНОСТЬ СИНТЕЗИРОВАННЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ.

4.2. МИКРОСТРУКТУРА КЕРАМИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ.

4.3. КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ АНАЛИЗ ЭЛЕМЕНТОВ МОРФОЛОГИИ МИКРОСТРУКТУРЫ МАТЕРИАЛОВ.

4.4. МИКРОВОЛНОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ.

4.5. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ МАТЕРИАЛОВ НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ.

4.6. ПРОВОДИМОСТЬ КЕРАМИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка микроволновых керамических высокодобротных материалов с управляемыми свойствами»

В настоящее время в связи с прогрессом микроволновых коммуникаций возрастает потребность в новых термостабильных радиоматериалах с улучшенными характеристиками: высокой диэлектрической проницаемостью (от 30 и выше) и низкими диэлектрическими потерями. Такие материалы находят свое применение при производстве подложек СВЧ-микросхем и диэлектрических резонаторов, используемых в качестве колебательных систем различных функциональных устройств в частотных фильтрах, твердотельных генераторах, переключающих устройствах, параметрических усилителях, смесителях, умножителях, дискриминаторах, в качестве частотно-избирательных излучающих элементов антенн. Высокое значение диэлектрической проницаемости материала позволяет уменьшить объем диэлектрического w-*

Ч/Л , резонатора в (е) раз, что приводит к уменьшению массогабаритных показателей СВЧ-элементов.

Барийлантаноидные титанаты (БЛТ) - керамические диэлектрики на основе оксидов бария, титана и редкоземельных элементов (лантанидов) имеют высокое значение диэлектрической проницаемости в СВЧ-диапазоне и могут обладать хорошей термостабильностью и высокой добротностью (низкими диэлектрическими потерями). Следует отметить, что достоинствами керамических диэлектриков является более низкая себестоимость и высокая технологичность по сравнению с монокристаллами. Впервые об электрофизических свойствах БЛТ сообщалось Кайнцем Дж. в 1958 г. Позднее появился ряд работ Ненашевой Е.А., Трубициной О.Н., Картенко Н.Ф., Усова О.А. Мудролюбовой Л.П. , Варфоломеева М.Б., Бутко

В.И., Ильющенко J1.C. и др. посвященных разработке и исследованию барийлантаноидных титанатов.

Известные способы получения поликристаллических титаносодержащих диэлектриков с требуемыми микроволновыми характеристиками - это замещение различными элементами бария и титана в полититанатах бария, введение легирующих добавок в межкристаллитное пространство и варьирование температурой синтеза и других технологических параметров. Проблема заключается в том, что увеличение диэлектрической проницаемости часто приводит к повышению диэлектрических потерь в керамике и ухудшению температурной стабильности диэлектрических характеристик. Поэтому, несмотря на большое количество работ, посвященных изучению закономерностей при управлении микроволновыми свойствами диэлектриков, остается еще ряд вопросов о влиянии режимов технологии и варьирования состава керамики на микроструктуру материала, которая в свою очередь во многом определяет микроволновые характеристики диэлектрика.

Кроме того, процессы формирования микроструктуры радиоэлектронных керамических материалов еще недостаточно изучены. Большинство существующих теоретических и математических моделей процессов рекристаллизации в основном разработаны для изучения формирования микроструктуры поликристаллических металлических материалов (сплавов).

Цель работы - разработка микроволновых высокодобротных керамических материалов с управляемыми свойствами.

Поставленные задачи для реализации намеченной цели следующие.

1. Теоретическое изучение методов управления микроволновыми свойствами радиоэлектронных керамик.

2. Создание математической модели рекристаллизации керамических материалов.

3. Синтез радиоэлектронных керамик на основе оксидов бария, титана и редкоземельных элементов с различными легирующими добавками.

4. Комплексное исследование электрофизических свойств синтезированных материалов, анализ их микроструктуры и сравнение с предложенной моделью.

Научная новизна.

В результате комплексного исследования синтезированных материалов расширена область знаний о влиянии технологических режимов синтеза и легирующих добавок оксидов висмута и магния и сернокислого марганца на микроволновые характеристики и микроструктуру керамик на основе оксидов бария, титана и редкоземельных элементов. Смоделирован процесс рекристаллизации керамического материала и получено удовлетворительное соответствие с микроструктурой экспериментально полученной керамики.

Практическая значимость. Результаты работы используются при подготовке выпускных работ бакалавров, дипломном проектировании, постановке лабораторных работ и чтении курса лекций «Керамические радиоэлектронные материалы» на кафедре физики и технологии электротехнических материалов и компонентов и автоматизации электротехнологических комплексов Московского энергетического института (Технического университета). Положения, выносимые на защиту.

1. Способ изготовления высокодобротных радиоэлектронных легированных титаносодержащих керамических материалов с диэлектрической проницаемостью от 50 до 71 в диапазоне частот 8+12 ГГц.

2. Математическая модель рекристаллизации керамических материалов.

3. Результаты комплексного исследования влияния технологических режимов синтеза и легирующих добавок сернокислого марганца, оксидов висмута и магния на диэлектрические характеристики в диапазоне ВЧ и СВЧ, плотность, проводимость и микроструктуру керамик на основе оксидов бария, титана и редкоземельных элементов. В первой главе диссертации приводится обзор керамических материалов, используемых для изготовления диэлектрических резонаторов, и способов управления их микроволновыми свойствами. Освещаются области применения диэлектрических резонаторов и микроволновых керамических материалов с высокой диэлектрической проницаемостью.

Во второй главе рассматриваются теоретические основы процесса рекристаллизации керамических материалов. Проведен краткий обзор методов математического моделирования формирования микроструктуры поликристаллических материалов. Приводится математическая модель эволюции микроструктуры методом Монте-Карло и графические картины рекристаллизации, полученные в результате моделирования.

В третьей главе описывается технология изготовления опытных керамических образцов и методики исследования их микроструктуры и электрофизических параметров.

В четвертой главе приводятся результаты исследования плотности, микроструктуры, диэлектрических характеристик в различных частотных диапазонах и электропроводности синтезированных керамических материалов. Также приведен количественный анализ элементов морфологии микроструктуры экспериментальных образцов и модели.

Работа выполнена в Государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Московский Энергетический Институт» (Технический университет) на кафедре «Физики электротехнических материалов и компонентов и автоматизации электротехнологических комплексов»

Заключение диссертации по теме «Электротехнические материалы и изделия», Дамбис, Мария Карловна

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенные в процессе работы исследования позволяют сделать следующие выводы.

1. Теоретически исследованы методы управления микроволновыми свойствами радиоэлектронных керамик.

2. Изучены методы моделирования рекристаллизации керамических материалов и предложена на основе метода Монте-Карло математическая модель рекристаллизации керамики в трехмерном пространстве.

3. Разработаны технологические режимы синтеза высокодобротных радиоэлектронных керамических материалов с диэлектрической проницаемостью от 50 до 71 в диапазоне частот 8-+12 ГГц следующих предложенных составов:

0.95BaO+0.05SrO)/Sm2O3/4.67TiO2 + к вес.% AST + п вес.% MnS04 т вес.% Bi203); AST- смесь оксидов А1203, Si02 и ТЮ2; l-^)Ba0+yMg0)/((l-z)Sm203+zLa203)/bTi02+ m вес.% Bi203 0.0003 п вес. %MnS04; k; = 0.5-й,y =0+0.04, z = 0*0.3, b = 4.67*5, m=0*5, и=0-И.

4. Проведенный количественный анализ элементов морфологии микроструктуры экспериментальных керамических образцов и предложенной математической модели рекристаллизации показал удовлетворительное соответствие модели и эксперимента в приближении отсутствия крупных пор и конгломератов вторичной фазы в материале. Изучение микроструктуры в режиме катодолюминесценции показало наличие в некоторых материалах областей свечения размером от 1 до 25 мкм, одной из причин существования которых следует считать включения частично восстановленного рутила (ТЮ2), входящего в состав исходной шихты материала.

5. Исследовано влияние различных легирующих добавок и технологических режимов синтеза на диэлектрические характеристики в различных частотных диапазонах, плотность и электропроводность синтезированных керамических образцов.

Таким образом, разработан способ изготовления радиоэлектронных керамических материалов на основе оксидов бария, титана и редкоземельных элементов с различными легирующими добавками, обладающими диэлектрической проницаемостью от 50 до 71 и добротностью до 1800 в диапазоне частот 8-Я 2 ГГц.

Показано, что введение ионов марганца, висмута, магния и лантана в предложенных количествах способствует повышению диэлектрической проницаемости на СВЧ. Следует отметить, что при малых количествах вводимых оксидов висмута и магния добротность в большинстве случаев увеличивается.

В заключении автор считает приятным долгом выразить признательность своему научному руководителю за предложенную тему, рекомендацию необходимой литературы и другую неоценимую помощь. Особую благодарность хочется выразить к.т.н. доц. МЭИ Черкасову А.П. и вед. инж. МЭИ Долгову А.В. за постоянный интерес к работе и множество полезных дискуссий о результатах исследования. Автор благодарит м.н.с. инта кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН Артемова В.В. и к.ф.-м.н. доц. МЭИ Васильеву Н.Д. за содействие в микроструктурном анализе.

И еще выражается признательность сотрудникам Научно-исследовательского отдела МЭИ «Гиромагнитной радиоэлектроники» (к.т.н. с.н.с. Китайцеву А.А., с.н.с. Конкину В.А., инж. Шинкову А.А.) за консультации при СВЧ-измерениях и предоставление технической базы для исследования материалов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Дамбис, Мария Карловна, 2005 год

1. Ю.М. Безбородов, Т.Н. Нарытник, В.Б. Федоров Фильтры СВЧ на диэлектрических резонаторах. Киев: «Тэхника», 1989. 184 с.

2. Диэлектрические резонаторы / под. Ред. Ильченко М. Е. М.: «Радио и связь», 1989. 328 с.

3. Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. Основные свойства и применения в электронике. М.: «Радио и связь», 1989. 288 с.

4. Cheng-Liang Huang, Min-Hang Weng // J. Materials Science Letters, 43, 2000, 32-35.

5. Kainz J.// Berichten der Deutsche Keramische Gesellschaft. 1958. Bd. 55. N l.S. 69-77.

6. Бутко В.И. и др.// Физика твердого тела. 1984. Т. 26. № 10. С. 29512955.

7. Coors Ceramic Company. Catalogue. Материалы интернет-сайта www.coorsceramic.com.

8. Morgan Electro Ceramics Incorporation. Catalogue. Материалы интернет-сайта www.morganelectroceramics.com.

9. Wen-Yi Lin et. al. // J. Materials Science. 1999. V. 34. P. 3021-3025.

10. S.Solomon et.al.// J. Materials Science: Materials In Electronics. 2000. V.ll.P. 595-602.

11. J. H. Choi et. al. // J. Materials Letters. 2000. V. 44. P. 29-34.

12. Ping-Shou Cheng et. al. // J. Materials Science Letters. 200l.V. 20. P. 11691171.

13. R. Ratheesh et. al. // J. Materials Science Letters. 2000. V. 45. P. 279-285.

14. M. T. Sebastian // J. Materials Science: Materials In Electronics. 1999. V. 10. P. 475-478.

15. E. А. Ненашева и др. //Физика твердого тела. 1999.У.41(5).Р. 882-884.• 16. E. A. Nenasheva, N. F. Kartenko // J. European Ceramic Society. 2001. V.21. P. 2697-2701.

16. Y. J. Wu and X.M. Chen // J. European Ceramic Society. 1999. V. 19. P. 1123-1126.

17. Noboru Ichinose, Hideyuki Amada // J. European Ceramic Society. 2001. V.21.P. 2751-2753.

18. A. Webhofer, A. Feltz //J. Materials Science Letters. 1999. V. 18. P. 719721.

19. Jeong Seog Kim et al.// J. Materials Science. 2000. V. 35. P. 1487-1494.

20. H. Ohsato, J. //European Ceramic Society. 2001. V.21. P. 2703-2711.

21. A. Silva et.al. //J. European Ceramic Society. 2000. V.20. P. 2727-2734.

22. Cheng-Liang Huang et. al. //J. Materials Science. 2000. V.35. P. 4901-4905.

23. Belous A. et al // J. of the European Ceramic Society. 2001. V.21. P. 27232730

24. Li Y., Chen M. //J. of the European Ceramic Society. 2002. V.22. P. 715719

25. Kim Т.Н. et al // ETRI Journal. 1996. V.18. N. 1-4. P. 15-27.

26. S. Nishigaki, Kato, Yano and R. Kamimura// American Ceramic Society Bull. 1987. V. 66(9). P. 1405-1410.

27. Belous A., Ovchar O. //J. Applied Physics. 2000. V.77-11. P.l707-1709.

28. Xu Y. et al //J. Materials Science: Materials In Electronics. 2002. V.13. P. 197-201.

29. M. Valant, D. Suvorov and D. Kolar // J. Materials Research. 1996. V.l 1-4. P. 928

30. Belous A., Ovchar O. // J. Appl. Physics. 2002. V.92-7. P. 3917-3922.

31. Chen X.M., Qin N., Li Y. //J. ofElectroceramics. 2002. V.9. P. 31-35.

32. Wada K., Kakimoto K., Ohsato H.// J. of the European Ceramic Society. * 2003. V. 23. P. 2535-2539.

33. Cheng C.C., Hsieh Т.Е., Lin I.N. // J. of the European Ceramic Society. 2004. V. 24. P. 1787-1790.

34. Kakimoto K., Ohsato H., Ota Y., Okawa T. // J. of the European Ceramic Society. 2004. V. 24. P. 1755-1760.

35. Yamada A., Utsumi Y., Watari H. //J. Appled Physics. 1991. V.30 (9B). P. 2350-2353.

36. Fucuda K. et. al. // Japanese J. of Applied Physics. 1993. V. 32. Pt. 1(4). P. 1712-1715.

37. J.S. Sun, C.C. Wei and L. Wu, J.// Materials Science. 1992.V. 27. P.5818.

38. C.C. Lee and P. Lin //J. Applied Physics. 1998. V.37. P. 779.

39. Wakino K., Minai K. and Tamura К.// J. American Ceramic Society. 1984. V.67. P. 278-281.

40. D. Kolar et. al. // proc. Ill EuroCeramics, edited by P. Duran and J. F. G. Fernandez, 2, 1993, 235 p.

41. Поляков A.A. Технология керамических радиоэлектронных материалов. М.: «Радио и связь», 1989. 200 с.

42. Shi-Fang Liu et. al. //J. Materials Science Letters. 1999. V. 38. P. 344-350.

43. Койков C.H., Цикин A.H. Электрическое старение твердых диэлектриков и надежность диэлектрических деталей. JL: «Энергия», 1968. 188 с.

44. Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков, М.: «Энергия». 1976. 336 с.

45. Электрические изоляторы/ под ред. Костюкова Н.С. М.: «Энергоатомиздат», 1984. 296 с.

46. Андрианов Н.Т., Лукин Е.С. Термическое старение керамики. М.: Металлургия. 1979. 100 с.

47. Аксенов А.А., Мудролюбова Л.П. // Электронная техника, сер. 5, Радиодетали и радиокомплекты, 1973, 17-21 с.

48. Отчет о НИР «Разработка и исследование высокодобротных диэлектрических материалов» / А.В. Долгов, Е.В. Пайвель, В.А. Филиков, А.П. Черкасов, М.:МЭИ, 1998, 31 с.

49. Cheng-Fu Yang, Shi-Hong Lo//J. Materials Science Letters. 1998. V.17. P. 1029-1032.

50. Berbenni V. et. al. //J. Termochimica Acta. 2001. V.374. P. 151-158.

51. Поплавко Ю.М. // Известия РАН, Серия физическая. 1996. № 10. С. 158-163.

52. Сергиенко П.Н., Беляев Б.А., Всерос. дистанционная НТК молод, ученых и студентов «Современные проблемы радиоэлектроники», 2001 г. Материалы интернет-сайта www.rtf.kgtu.runnet.ru.

53. Kaifez К., Guillon P., "Dielectric resonators", Artech House, Massachsettus, 1986.

54. Higuchi Y., Hiroshi T. //J. of the European Ceramic Society. 2003. V. 23. P. 2683-2688.56.1vanshin O.M., Shevchenko S.V., Vasiliev N.L., Semiatin S.L. // Acta Materialia. 2003. V. 51. P. 1019-1034.

55. Nicolic Z.C. //J. of Materials Science. 1999. V.34. P. 783-794.

56. Sivakumar S. et al. // Ceramics International. 2001. V. 27. P. 63-71.

57. Lou C., Player M.A. // J. of Physics D: Applied Physics. 2001. V.34. P. 1286-1292.

58. Liu Y., Bauldin Т., Penelle R.// Scripta Materialia. 1996. V.34-11. P. 16791683.

59. Janssens K.G.F.// Modeling Simulations Materials Science Engineering. 2003. V.ll.P. 157-171.

60. Fan D., Chen L.-Q. // Acta Materialia. 1997. V.45-2. P. 611-622.

61. Fan D., Chen L.-Q., Geng Ch. // Acta Materialia. 1997. V.45-3. P. 11151126.

62. Krill C.E., Chen L.-Q. II Acta Materialia. 2002. V.50. P. 3057-3073.

63. Гулд X., Тобочник Я. Компьютерное моделирование в физике: в 2-х томах, том 2. М.: «Мир», 1990. 400 с.

64. Stavans J. // Rep. Progress Physics. 1993. V. 56. P. 733.

65. Hassold G.N., Holm E. // Computer Physics. 1993. 1993. V. 7. P. 97.

66. Anderson M.P., Srolovitz D.J., Grest G.S., Sahni P.S.// Acta Metallurgica. 1984. V.32-5. P. 783-791.

67. Anderson M.P., Srolovitz D.J., Grest G.S., Sahni P.S.// Acta Metallurgica. 1984. V.32-5. P. 792-802.

68. Ono N, Kimura K., Watanabe T. // Acta Materialia. 1999. V.47-3. P. 10071017.

69. Альес М.Ю., Варнавский А.И., Копысов С.П.// Инженерно-физический журнал. 1999. Т. 72-1. С. 66-70.

70. Dudek M.R., Gouyet J.F., Kolb М. // Surface Science. 1998. V. 401. P. 220226.

71. Mehnert K., Klimanek P. //Scripta Materialia. 1996. V. 35-6. P. 699-704.

72. Cleri F. // Physica A. 2000. V. 282. P. 339-354.

73. Bauldin Т., Paillard P., Penelle R.// Scripta Materialia. 1997. V. 36-7. P. 789-79479.

74. Tikare V., Cawley J.D. // Acta Materialia. 1998. V.46-4. P. 1333-1342.

75. Tikare V., Cawley J.D.// Acta Materialia. 1998. V.46-4. P. 1343-1356.

76. Zhang D., Weng G., Gong S., Zhou D.// Materials Science and Engineering B. 2003. V. 99. P. 428-432.

77. Gao G., Thomson R.G., Patterson B.R. // Acta Materialia. 1997. V.45-9. P. 3653-3658.0

78. Xiaoyan S., Guoquan L. // Scripta Materialia. 1998. V. 38-11. P. 1691-1696.

79. Yu Q., Esche K.// Materials Letters. 2003. V. 57. P. 4622-4626.

80. Xiaoyan S., Guoquan L., Nanju G. // Scripta Materialia. 2003. V.43. P. 355359.

81. Miodownik M., Godfrey A.W., Holm E.A., Hughes D.A.// Acta Materialia. 1999. V.47-9. P. 2661-2668.

82. Кингери У.Д. Введение в керамику. М, Стройиздат. 1964, 536 с.

83. Гоулдстейн Дж. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ: в 2-х книгах, книга 1. М.: «Мир», 1984, 303 с.

84. Практическая растровая электронная микроскопия/ под ред. Гоулдстейна Дж., Яковиц X. М.: «Мир», 1978, 657 с.

85. Yacoby B.G., Holt D.B. Cathodoluminescence microscopy of inorganic solids. N.Y.: "Plenum Press", 1990, 259 p.

86. Ф. Тишер Техника измерений на сверхвысоких частотах, М., Физматгиз, 1963, 368 с.

87. Agilent Е499/А RF Impedance/Material Analyzer/ Operation Manual, Japan: Agilent technologies. 2003. 467 p.

88. Тераомметр E6-13. Техническое описание инструкции по эксплуатации. 1978. 36 с.

89. Ling Z., Leach С.//J. of Materials Science. 1999. V.34. P. 6133-6135.

90. Машкович М.Д. Электрические свойства неорганических диэлектриков в диапазоне СВЧ. М.: «Советское радио», 1969. 240 с.

91. Богородицкий Н.П., Фридберг И.Д. Электрофизические основы высокочастотной керамики. M.-JI., ГЭИ. 1958. 192 с.

92. Окадзаки К. Полупроводники на основе титаната бария. М.: Энергоиздат. 1982. 320 с.