Разработка методов проектирования и моделирования интегральных сенсоров ускорения на основе туннельных наноструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Приступчик, Никита Константинович

• Приступчик, Никита Константинович
• кандидат технических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат технических наук Приступчик, Никита Константинович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Анализ современного состояния элементной базы МЭМС регистрации линейных ускорений.

1.1. Общие сведения.

1.2. Актюаторы.

1.3. Преобразователи перемещения.

1.4. Технологические аспекты.

1.5. Выводы.

ГЛАВА 2. Разработка • принципов построения и конструкций интегральных

МЭМС регистрации линейных ускорений на основе туннельных наноструктур.

2.1. Классификация туннельных контактов.

2.2. Элементы передачи движения в МЭМС.

2.3. Разработка конструкции ММА с горизонтальным расположением электродов преобразователя.

2.4. Разработка конструкции ММА с вертикальным расположением электродов преобразователя.

2.5. Разработка многоосевого ММА на основе туннельных наноструктур с горизонтальным расположением электродов.

2.6. Концепция произвольной ориентации осей чувствительности.

2.7. Технологические аспекты изготовления МЭМС с произвольной ориентацией осей чувствительности.

2.8. Многоосевой ММА на основе туннельных наноструктур с произвольной ориентацией осей чувствительности.

2.9. Выводы.

ГЛАВА 3. Разработка моделей и методов моделирования интегральных МЭМС регистрации линейных ускорений.

3.1. Обзор методов моделирования МЭМС.

3.2. Декомпозиция задачи моделирования туннельного преобразователя перемещения.

3.3. Разработка модели распределения потенциала в преобразователе перемещения.'.

3.4. Модель транспорта носителей заряда в наноразмерном преобразователе перемещения.

3.5. Разработка численного метода расчета коэффициента прозрачности потенциального барьера туннельного преобразователя перемещения.

3.6. Расчет основных характеристик преобразователя перемещения на основе туннельных наноструктур.

3.7. Разработка аналитических моделей элементов передачи движения.

3.8'. Разработка модели самосборки функциональных элементов ММА с произвольной ориентацией осей чувствительности.100'

3.9. Исследование механических характеристик интегрального-многоосевого

ММА с горизонтальным расположением электродов.

ЗЛО. Разработка модели электростатического взаимодействия ' между электродами туннельного преобразователя перемещения'.

3.11. Выводы.

ГЛАВА 4. Разработка методов и методик проектирования интегральных МЭМС регистрации линейных ускорений.

4.1. Обзор методов проектирования МЭМС.

4.2. Разработка обобщенной методики проектирования МЭМС.

4.3. Методика параметрического представления элемента передачи движения-многоосевого ММА с горизонтальным расположением электродов преобразователя перемещения.

4.4. Методика определения8 диапазона отклонений подвижного электрода под действием внешнего ускорения.

4.5. Методика проектирования двухосевого ММА.".

4.6. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка методов проектирования и моделирования интегральных сенсоров ускорения на основе туннельных наноструктур»

На основании анализа теоретических предпосылок и фундаментальных физических законов, лежащих в основе функционирования современной элементной базы микроэлектроники и микросистемной техники, представляется возможным утверждать, что прирост функциональной эффективности микросистем, а также повышение эффективности процесса разработки рассматриваемых устройств в целом обеспечивается, главным образом, посредством раскрытия потенциала их физико-топологических особенностей, что сопровождается дальнейшей миниатюризацией и, как следствие, переходом от элементной базы микроэлектроники и микросистемной техники к наноэлектронике и наноси-стемной технике [1, 2, 3]. Разумеется такой переход сопряжен с различными трудностями как технического (разработка перспективных конструкций, технологий изготовления, математических моделей, а также методик моделирования и проектирования), так и методологического (разработка новых принципов системной организации и подходов к решению технических задач) характера.

Настоящая работа, главным образом, посвящена решению узкоспециализированных задач технического характера, поэтому общеметодологическая сторона вопроса практически всегда остается без внимания. Вместе с тем, чтобы подчеркнуть важность идей, лежащих в основе современного подхода к рассматриваемым в последующих главах вопросам следует все же кратко остановиться на некоторых методологических предпосылках.

Прежде всего, следует отметить доклад выдающегося физика Р. Ф. Фейн-мана, в котором сформулированы основные идеи миниатюризации технических систем и нанотехнологии, в частности, идеи каскадной самосборки. Бурное развитие микроэлектроники, а затем и микросистемной техники, явилось доказательством фундаментального характера изложенных концепций, нашедших широкое практическое применение [4]. Вместе с тем, анализ современных тенденций развития нанотехнологий позволяет с уверенностью сказать, что идеи Фей-нмана не утратили своей актуальности и в наши дни.

Теоретическая сторона вопроса о самосборке, поднятого Фейнманом, разрабатывалась выдающимся математиком Дж. фон Нейманом [5]. Его теория самовоспроизводящихся автоматов стала фундаментальной основой направления разработки наноассемблеров — машин, осуществляющих молекулярную^ сборку наносистем и, таким образом, реализующих концепцию построения технических систем «снизу вверх», которая на сегодняшний день является одной: из наиболее приоритетных задач нанотехнологии. Следует также отметить, что. теория фон Неймана представляет собой весьма абстрактное математическое построение, поэтому непосредственное ее применение к вопросам техники w технологии в известной степени сопряжено со значительными трудностями*. Вместе с тем, фундаментальные результаты теории самовоспроизводящихся автоматов могут служить обоснованием необходимости-применения,математического моделирования при решении технико-технологических задач; связанных с конструированием и изготовлением микро- и наносистем, как инструмента получения новых знаний.

Концепция междисциплинарного^подхода к'решению научных и-технических ' проблем впервые была изложена в работе выдающегося биолога JL фон Берталанфи [6]. В настоящее время-междисциплинарный подход является-одной из наиболее эффективных методологических концепций, позволяющей получать новые знания в некоторой области, благодаря использованию^ известных результатов из иных областей (не обязательно смежных). В микросистемной технике междисциплинарные исследования являются неотъемлемой/частью разработки микросистемы,, вследствие разноплановости решаемых задач-.

Следует также отметить ряд работ отечественных авторов. В' работе Ж. И. Алферова представлен обзор исторического развития полупроводниковых наноразмерных гетероструктур — основы современной1 наноэлектроники. Ж. И. Алферов обращает внимание на определяющую роль процессов самоорганизации, которые в настоящее время недостаточно хорошо исследованы и немогут быть в полной мере использованы для построения функционально законченных устройств [7]. Помимо полупроводниковых материалов весьма перспективным видится использование в качестве строительного материала для микро- и наносистем углеродных наноструктур, которые впервые были исследованы Л. В. Радушкевичем и В. М. Лукьяновичем [8].

В настоящее время компоненты микросистемной техники широко применяются во многих отраслях народного хозяйства [2, 3, 9, 10]. Из всего многообразия микросистем следует выделить устройства предназначенные для решения задачи анализа траектории, параметров движения и динамических характеристик подвижного объекта. Данный класс представлен микромеханическими компонентами инерциальных навигационных систем — микромеханическими гироскопами и акселерометрами [9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16]. Применение микромеханических систем регистрации линейных ускорений в составе специализированных диагностических комплексов способствует значительному повышению эффективности решения поставленных задач в полном соответствии с рассмотренными ранее фундаментальными методологическими предпосылками.

Тенденция к миниатюризации технических устройств, реализуемых методами групповой обработки, приводит к необходимости учитывать особенности протекания физических процессов, проявляющиеся при переходе к линейным масштабам порядка единиц нанометров. Таким образом, представляется возможным говорить о микроэлектромеханических системах (МЭМС), содержащих наноразмерные функциональные элементы, как об элементах наносистем-ной техники в первом приближении.

Следует отметить, что для решения ряда задач (например, обеспечение безопасности пассажира автомобиля) экстремальная миниатюризация измерительных МЭМС по разным причинам не требуется, тогда как для других (медицина, робототехника, бионика) высоконадежные МЭМС, содержащие наноразмерные функциональные элементы, востребованы уже сегодня.

Разработка конструкций, а также методов моделирования и проектирования микро - и наномеханических компонентов измерительных систем требует, помимо поиска новых конструктивных решений, глубокого изучения особенностей физических процессов, протекающих в наносистемах, а также технологических аспектов изготовления микро - и наноструктур, поскольку именно междисциплинарный характер исследований, выполняемых в процессе разработки наносистем, открывает перспективы развития как самой наносистемной техники, так и смежных областей научного знания.

Таким образом, разработка и исследование принципов построения, конструкций, методов моделирования и проектирования компонентов микро- и наносистемной техники в целом и разработка интегральных МЭМС, обеспечивающих решение задачи анализа траектории, параметров движения и динамических характеристик подвижных объектов является актуальной проблемой.

Для решения задачи анализа траектории, параметров движения и динамических характеристик подвижных объектов возникает потребность в регистрации линейных ускорений по трем взаимно перпендикулярным осям. В настоящее время известны два различных подхода к решению этой задачи с использованием МЭМС регистрации линейных ускорений.

Существует возможность восстановления полной информации о параметрах движения объекта путем обработки результатов измерения, поступающих от нескольких дискретных сенсорных устройств, каждое из которых обладает лишь одной осью чувствительности. Соответствующим образом размещенные и ориентированные относительно осей симметрии исследуемого объекта такие устройства обеспечивают решение указанной задачи. Следует отметить, что в общем случае измерительный комплекс, построенный на основе дискретных сенсорных устройств, может быть весьма громоздким, что не всегда допустимо. Технология формирования с использованием операций микросборки позволяет улучшить массо-габаритные показатели посредством размещения необходимого числа одноосевых микросенсоров на общей основе. Вместе с тем, указанный метод требует прецизионных операций позиционирования и инсталляции микросистем, что снижает процент выхода годных изделий и увеличивает их стоимость

Другая возможность заключается в формировании необходимого числа многоосевых сенсоров, а также систем обработки информации в едином технологическом процессе с использованием групповых методов обработки. Таким образом, измерительный комплекс, оснащенный, при необходимости, цифровым интерфейсом, может быть выполнен в виде интегральной микросхемы, поэтому в целом указанная возможность решения рассматриваемой задачи представляется более перспективной.

Следует отметить, что применяемая в настоящее время планарная технология формирования микромеханических акселерометров на основе жертвенных слоев накладывает серьезные ограничения на возможные композиции функциональных элементов, предназначенных, в частности, для передачи движения, и приводит к обособлению оси чувствительности перпендикулярной плоскости подложки. В этой связи разработка конструкций микромеханических систем, обеспечивающих одинаковую чувствительность по трем взаимно перпендикулярным осям, представляет собой актуальную конструкторскую задачу.

Поскольку на данном этапе развития соответствующих направлений изготовление наноразмерных устройств регистрации линейных ускорений, в полной мере реализующих концепцию построения «снизу вверх», представляется затруднительным, приоритетным направлением в настоящей работе принята концепция построения- «сверху вниз», не исключающая, впрочем, применения наг норазмерных функциональных элементов и отдельных операций самоорганизации.

Целью диссертационной работы является разработка принципов построения, конструкций, методов моделирования и проектирования интегральных сенсоров ускорения на основе туннельных наноструктур, способствующих решению проблем повышения эффективности анализа траектории, параметров-движения и динамических характеристик подвижных объектов.

При выполнении данной диссертационной работы получены следующие научные результаты:

- разработаны принципы построения интегральных микромеханических сенсоров линейных ускорений, содержащих наноразмерные преобразователи перемещения на основе туннельного эффекта, с горизонтальным и вертикальным расположением электродов преобразователя;

- разработаны принципы, построения интегральных микромеханических сенсоров линейных ускорений, содержащих наноразмерные преобразова- ' тели перемещения на основе туннельного эффекта, с произвольной- ориг ентацией оси чувствительности;

- разработаны модели и методы моделирования преобразователей перемещения на основе туннельных наноструктур, отличающиеся тем, что форма потенциального барьера может быть задана параметрически с учетом конфигурации электродов, а также корреляционного взаимодействия между электронами, а коэффициент прозрачности рассчитан численно для потенциального барьера произвольной формы;

- разработаны аналитические модели элементов передачи движения в МЭМС регистрации линейных ускорений на основе туннельных наноструктур, отличающиеся тем, что позволяют рассчитать конфигурацию электродов наноразмерных преобразователей перемещения на основе туннельного эффекта в зависимости от приложенной внешней силы;

- разработана аналитическая модель управляемой .самоорганизации функциональных элементов МЭМС на основе наноразмерных механически напряженных слоев GaAs/InAs.

Практическая значимость полученных результатов состоит в том, что на основе предложенных принципов построения и анализа результатов моделирования разработаны:

- методики проектирования многоосевых микроэлектромеханических систем регистрации линейных ускорений, содержащих наноразмерные преобразователи перемещения на основе туннельного эффекта и обеспечивающих одинаковую чувствительность по трем осям;

- конструкции интегральных одно- и многоосевых микромеханических акселерометров на основе туннельного эффекта (защищены патентами I

Российской Федерации);

- программные средства численного моделирования наноразмерных преобразователей перемещения на основе туннельного эффекта, основанные на численном решении стационарного уравнения Шредингера;

- технологические маршруты изготовления интегральных МЭМС регистрации линейных ускорений на основе туннельных наноструктур. Основные результаты диссертации получены автором при выполнении научно-исследовательских работ №№ 13058, 13059, 13050, 13051 (базовое финансирование), 13462, 13464, 13065, 13009, 13060 (научно-технические программы Министерства образования и науки РФ) в период с 2004 г. по 2010 г.

Результаты диссертационной работы использованы в научных исследованиях и разработках КЦСИиНТ ФГУ РНЦ «Курчатовский институт» (г. Москва), кафедры конструирования электронных средств и НОЦ «Нанотехнологии» Технологического института ФГОУ ВПО «Южный федеральный университет» в г. Таганроге, а также внедрены в учебный процесс подготовки студентов Технологического института ФГОУ ВПО «Южный федеральный университет» в г. Таганроге.

Основные результаты работы обсуждались и были одобрены на следующих научных конференциях:

- LI научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТРТУ (г. Таганрог, 2005);

- I, II и III ежегодных научных конференциях студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН (г. Ростов-на-Дону, 2005, 2006, 2007);

- VIII и IX всероссийской научной конференции студентов и аспирантов техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления (г. Таганрог, 2006, 2008);

- XIII, XIV Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника; и информатика" (Москва, 2006,2007); - X международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (ПЭМ - 2006) (Дивноморское, 2006);

- Международной научно-технической конференции "Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения" (INTERMATIG — 2008) (Москва, 2008); . ,

- X и XI Международной конференции "Опто-, наноэлектроника, нанотех-нологии и микросистемы" (Ульяновск, 2008);

- XI научной молодёжной школе по твердотельной электронике "Нанотех-нологии; наноматериалы, нанодиагностика'' (Санкт-Петербург, 2008);

- X конференции молодых ученых. «Навигация и управление движением» (Санкт-Петербург, 20,08); ■ v: .

- Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника и . наноинженерия - 2008» (Москва, 2008);

- Всероссийской молодежной школе-семинаре "Нанотехнологии и инновации" (НАНО—2009) (г. Таганрог, 2009);

- The Second International; Competition of Scientific Papers in Nanotechnology for Young Researchers (Moscow, 2009).

По теме исследований опубликовано 26 печатных работ, в том числе 4Г научных статьи, из которых 2 статьи в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, получены 2 патента РФ.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту: - принципы построения и конструкции интегральных сенсоров ускорения на основе туннельных наноструктур;

- модели и методика моделирования наноразмерных преобразователей перемещения на основе туннельного эффекта;

- модели и методика моделирования динамических характеристик элементов передачи движения интегральных сенсоров ускорения на основе туннельных наноструктур;

- методика проектирования интегральных сенсоров ускорения на основе туннельных наноструктур.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Приступчик, Никита Константинович

4.6. Выводы

Полученные результаты позволяют сделать следующие выводы:

- разработанные методики позволяют определить параметры МЭМС регистрации линейных ускорений на основе туннельных наноструктур с использованием разработанных моделей функциональных элементов;

- достоверность предложенных методик проектирования основывается на достоверности моделей, используемых на соответствующих этапах;

- разработанные методики не затрагивают вопросов, связанных с технологией изготовления конструкций МЭМС и схем обработки выходных сигналов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Диссертационная работа посвящена разработке принципов построения, конструкций, методов моделирования и проектирования интегральных сенсоров ускорения на основе туннельных наноструктур, способствующих решению проблем повышения эффективности анализа траектории, параметров движения и динамических характеристик подвижных объектов.

Научная новизна диссертационной работы отражена в следующих основных результатах:

- разработаны принципы построения интегральных микромеханических сенсоров линейных ускорений, содержащих наноразмерные преобразователи перемещения на основе туннельного эффекта, с горизонтальным и вертикальным расположением электродов преобразователя, а также принципы построения многоосевых МЭМС регистрации линейных ускорений с произвольной ориентацией осей чувствительности;

- разработаны модели и методы моделирования преобразователей перемещения на основе туннельных наноструктур, отличающиеся тем, что форма потенциального барьера может быть задана параметрически с учетом конфигурации электродов, а также корреляционного взаимодействия между электронами, а коэффициент прозрачности рассчитан численно для потенциального барьера произвольной формы;

- разработаны аналитические модели элементов передачи движения в МЭМС регистрации линейных ускорений на основе туннельных наноструктур, отличающиеся тем, что позволяют рассчитать конфигурацию электродов наноразмерных преобразователей перемещения на основе туннельного эффекта в зависимости от приложенной внешней силы;

- разработана аналитическая модель управляемой самоорганизации функциональных элементов МЭМС на основе наноразмерных механически напряженных слоев GaAs/InAs.

Практическая ценность полученных результатов состоит в том, что на основе предложенных принципов построения и анализа результатов моделирования разработаны:

- методика проектирования многоосевых микроэлектромеханических систем регистрации линейных ускорений, содержащих наноразмерные преобразователи перемещения на основе туннельного эффекта и обеспечивающих одинаковую чувствительность по трем осям;

- конструкции интегральных одно- и многоосевых микромеханических акселерометров на основе туннельного эффекта (защищены патентами Российской Федерации);

- программные средства численного моделирования наноразмерных преобразователей перемещения, основанные на численном решении стационарного уравнения Шредингера;

- технологические маршруты изготовления интегральных МЭМС регистрации линейных ускорений на основе туннельных наноструктур. Диссертационная работа выполнена на кафедре конструирования электронных средств Технологического института ФГОУ ВПО «Южный федеральный университет» в г. Таганроге.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Приступчик, Никита Константинович, 2010 год

1. Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридичин В. А. Основы наноэлектроники: Учеб. пособие. —2-е изд., испр. и доп. —Новосибирск: Изд. НГТУ, 2000. — 496 с.

2. Лучинин В. В., Таиров Ю. М. Индустрия наносистем. Основные понятия и направления развития //Вестник молодых ученых 8'2003. Серия: неограническая химия и материалы Г2003. с. 4—12

3. Лучинин В. В. Введение в наноиндустрию // Нано- и микросистемная техника. — 2005, №5, с. 2—9

4. Фейнман Р. Ф. Внизу полным-полно места: приглашение в новый мир физики //Рос. хим. ж. (Ж. Рос. хим. об-ва им. Д.И. Менделеева). 2002. т. XLVI. №5. С.4 — 6.

5. Дж. фон Нейман, Теория самовоспроизводящихся автоматов. — М.: Изд. «Мир», 1971.

6. L. von Bertalanffy, General System Theory—A Critical Review, «General Systems», vol. VII, 1962, p. 1—20. Перевод H.C. Юлиной

7. Алферов Ж. И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур //Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №1

8. Радушкевич Л. В., Лукьянович В. М. О структуре углерода, образующегося при термическом разложении окиси углерода на железном контакте. //ЖФХ, 26, 88 (1952)

9. Климов Д. М. , Васильев А. А., Лучинин В. В., Мальцев П. П. Перспективы развития микросистемной техники в XXI веке. // Микросистемная техника. — 1999. — № 1.

10. Погалов А. И., Тимошенков В. П., Тимошенков С. П., Чаплыгин Ю. А. Разработка микрогироскопов на основе многослойных структур кремния и стекла // Микросистемная техника 1999 - №1.- С. 36-41.

11. Тимошенков С. П. Элементы микроэлектромеханических систем, реализуемых на составных структурах // Микросистемная техника.— 2002 — №4.— С. 3-6.

12. Мальцев П. П., Никифоров А. Ю., Телец В. А. Интегрированные технологии микросистемной техники // Микросистемная техника 2001- №11 — С. 22-24.

13. Тимошенков В. П., Тимошенков С. П., Миндеев А. А. Разработка конструкции микрогироскопа на основе КНИ-технологии // Известия вузов. Электроника 1999-№6 - С.46-50.

14. Евстифеев М. И., УнтиловА. А. Конструкции подвесов микромеханических гироскопов // Материалы докладов VI конференции молодых ученых «Навигация и управление движением».- СПб.: ГНЦ РФ ЦНИИ «Электроприбор», 2005.— 324 с.

15. Золотов Ю. Н., Тимошенков С. П., Шелепин Н. А. Применение комплексных методов проектирования в процессе разработки интегральных преобразователей механических величин // Нано- и микросистемная техника —2007.-№3.-С. 4-10.

16. Распопов В. Я. Микромеханические приборы: Учебное пособие для ВУЗов. — М.: Изд-во: Машиностроение, 2007. — 400 с.

17. Онлайн-версия БСЭ (3-е издание) http://sIovari.yandex.ru/dict/bse

18. Механцев Е. Б., Лысенко И. Е. Физические основы микросистемной техники. Учебное пособие.— Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2004.— 54 с.

19. Лысенко И. Е. Проектирование сенсорных и актюаторных элементов микросистемной техники.— Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2005.— 103 с.

20. Navid Yazdi, Farrokh Ayazi, and Khalil Najafi. Micromachined Inertial Sensors. Proceedings of the IEEE. — Vol. 86. — No. 8, August 1998. —pp. 1640—1659.

21. Veljlco Milanovic', Lance Doherty, Dana A. Teasdale, Siavash Parsa, Kristofer S. J. Pister. Micromachining Technology for Lateral Field Emission Devices // IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 48, No. 1, Jannuary 2001.

22. Lance Doherthy, Dana A. Teasdale, Siavash Parsa, Kristopher S J. Pister. Micromachining technology for lateral field emission devices: IEEE Transactions on electron devices. — Vol.48, №1, January 2001.

23. Lance Doherthy, Dana A. Teasdale, Chen Zhang, Siavash Parsa, Kristopher S J. Pister. Application of micromachining technology to lateral field emission devices: IEEE Transactions on electron devices. — Vol.51, №4, March 2003.

24. Татаренко H. И., Кравченко В. Ф. Автоэмиссионные наноструктуры и приборы на их основе: — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. — 192 с.

25. Edward Boyden, Osamah El Rifai, Brian Hubert, Maurice Karpman, Dave Roberts A High-Performance Tunneling Accelerometer // Term Project 6.777, Introduction to Microelectromechanical Systems , Spring 1999, Prof. Stephen D. Senturia.

26. Продукция NT MDT. Сканирующие зондовые микроскопы. // http://ru.ntmdt.ru/Products/Scanning Probe Microscopes/product listl.html

27. Ehrfeld W, Hessl V., Lowe H., Schulz Ch., Weber L. Material of LIGA technology // Microsystem Technologies.— 1999.— No5.— pp. 105-112.

28. Ritzhaupt-Kleissl H.-J., Bauer W., Gunther E., Laubersheimer J., Haubelt J. Development of ceramic microstructures // Microsystem Technologies 1996-No2.— pp. 130-134.

29. Knitter R., Gunther E., Odemer C., Maciejewski U. Ceramic microstructures and potential application // Microsystem Technologies.— 1996.— No2.pp.135-138.

30. Koester D. A., MahadevanR., Hardy В., Markus К. W. MUMPs design handbook. Revision 5.0. URL: http://www.memsrus.com.

31. Sun W., Li W. J., Xu Y. A MUMPs angular-position and angular-speed sensor with off-chip wireless transmission // Microsystem Technologies.— 2001.pp.63-70.

32. Sandia National Laboratories. URL: http://www.sandia.gov.

33. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике/ Отв. Редактор A. JI. Асеев. — Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004. — 368 с.

34. Kurt Е. Petersen Silicon as a Mechanical Material // PROCEEDINGS OF THE IEEE, VOL. 70, NO. 5, MAY 1982 , pp. 420 — 457.38. Патент РФ №228982239. Патент РФ №2298191

35. A. Y. Cho and J. R. Arthur Jr., "Molecular beam epitaxy," Prog. Solid State Chem., vol. 10, pp. 157—192, 1975

36. Strain induced semiconductor nanotubes: from formation process to device applications//!. Phys. D: Appl. Phys. 41 (2008) 193001 (12pp)

37. Киселев В. Ф., Козлов С. Н., Зотеев А. В. Основы физики поверхности твердого тела. — М.: Изд-во Московского университета. Физический факультет МГУ, 1999. — 284 с.

38. Валиев К. А., Раков А.В. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике. — М.: Радио и связь, 1984. — 352 с.

39. Fowler R. Н., Nordheim L. W. Electron emission in intense electric fields // Proc. Roy. Soc. London A. — 1928. — V. 119. — pp. 173-181.

40. Блохинцев Д. И. Основы квантовой механики, учеб. пособие, издание пятое, переработанное и дополненное. — М.: Главная редакция физико-математической литературы изд-ва "Наука", 1976. — 648 с.

41. Флюгге 3. Задачи по квантовой механике. Пер. с англ. Т.2. Изд.2 2008. — 344 с.

42. Флюгге 3. Задачи по квантовой механике. Пер. с англ. Т.2. Изд.2 2008. —320 с.

43. Фреман Н., Фреман П. У. ВКБ приближение - М.: Изд-во Мир, 1967. — 166 с.

44. Ландау Л. Д. и Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Том 3. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. — М.: Изд-во Наука. Гл. ред. физ-мат. лит., 1989.—768 с.

45. Razavy, Mohsen. Quantum Theory of tunnelling. World Scientific. ISBN 981238-019-1

46. ХартриД. Расчеты атомных структур. — М.: Изд-во иностр. Лит-ры., I960.— 272 с.

47. Суканава С. Квантовая теория рассеяния. Пер. с яп. — М.: Изд-во Мир, 1979,—271 с.

48. Бабиков В. В. Метод фазовых функций в квантовой механике // Успехи физических наук, Т. 92, вып. 1, 1967, с. 3—26.

49. Рындин Е. А. Методы решения задач математической физики: Учеб. Пособие для вузов. — Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2004. — 119 с.

50. Александров А. В., Потапов В.Д., Державин Б.П. Сопротивление материалов: Учеб. для вузов. — М.: Высш. шк., 1995. — 560 с.

51. Зозуля В.В., Мартыненко А.В., Лукин А.Н. Механика материалов : — Харьков: Изд-во Национ. ун-та внутр. дел, 2001. — 404 с.

52. Каплун А.Б., Морозов Е.М., Олферьева М.А. ANSYS в руках инженера: Практическое руководство: — М.: Едиториал УРСС, 2003. — 272 с.

53. Басов К. A. ANSYS в примерах и задачах: М.: КомпьютерПресс, 2002. — 224 с.

54. Выгодский М. Я. Справочник по элементарной математике. — М.: ACT Астрель, 2006. — 509с.

55. Кухлинг К. Справочник по физике. 2-е изд. — М.: Мир, 1985. — 520 с.

56. Ляпунов А. М. Общая задача об устойчивости движения.— М.: Гос. изд-во техн.-теоретич. лит-ры, 1950. — 473 с.

57. Блехман И. И. Вибрационная механика. — М.: Физматлит, 1994. — 400 с.

58. Тамм И. Е. Основы теории электричества. — 10-е изд., испр. — М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1989. — 504 с.

59. Матвеевский В. Р. Проектирование технических систем: Учебное пособие.—М.: МГИЭМ, 2003. — 103 с.

60. Круглов Г. Е. Аналитическое проектирование механических систем: Учебное пособие / Самар. гос. аэрокосм. ун-т. Самара, 2001. — 132 с.

61. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МАРШРУТЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МЭМС РЕГИСТРАЦИИ ЛИНЕЙНЫХ УСКОРЕНИЙ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНЫХ НАНОСТРУКТУР

62. На рис. П1.1 — П1.7 представлены топология и основные операции технологического маршрута изготовления многоосевого ММА с горизонтальным расположением электродов.пг1. Гб"

63. Рис. П1.1 Топология многоосевого ММА с горизонтальным расположением электродов1. А-А Б-Б1. В-В

64. Рис. П1.2 Первая литография, формирование элементов первого структурного слоя, выращивание жертвенного слоя диэлектрика (Si02), планаризация1. А-А1. Б-Б1. В-В

65. Рис. П1.3 Вторая литография, формирование элементов второго структурного слоя, выращивание жертвенного слоя диэлектрика (SiCb), планаризация1. А-А1. Б-Б1. В-В

66. Рис. П1.4 Третья литография, формирование элементов третьего структурного слоя, выращивание жертвенного слоя диэлектрика (SiC^), планаризация1. А-А Б-Б1. В-В

67. Рис. П1.5 Четвертая литография, формирование элементов четвертого структурного слоя, выращивание жертвенного слоя диэлектрика (SiCb) ,планаризация1. А-А1. Б-Б В-В

68. Рис. П1.6 Пятая литография, формирование элементов пятогоструктурного слоя1.Z.1. Б-Б В-В

69. Рис. П1.7 Травление жертвенных слоев (SiCb), формирование полости в подложке