Исследование условий получения и реальной структуры кристаллов группы шеелита, выращенных методом Чохральского тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 25.00.05, кандидат геолого-минералогических наук Денисов, Алексей Викторович

• Денисов, Алексей Викторович
• кандидат геолого-минералогических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат геолого-минералогических наук Денисов, Алексей Викторович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Физико-химические особенности минералов группы шеелита. 10 1.1.1 Кристаллохимические характеристики РЪМо04 и

1.1.2. Фазовые диаграммы РЪО - W03 и РЬО - Мо

1.1.3. Основные физические свойства

1.1.4. Аку cm о оптические свойства

1.1.5. Сциптилляционные свойства

1.2. Синтез шихты РЬМо04 и PbW

1.3. Выращивание кристаллов из расплава методом Чохральского

1.4. Факторы, определяющие форму фронта роста кристаллов

1.4.1. Теплоотвод через кристалл

1.4.2. Гидродинамика расплава

1.4.3. Взаимодействие тепловой и вынуэюденной конвекции и их влияние на форму фронта роста

1.5. Термические напряжения в кристаллах

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1.Выращивание кристаллов

2.1.1. Синтез шихты

2.1.2. Выращивание кристаллов методом Чохральского

2.1.3. Изучение факторов, влияющих на форму фронта роста

2.2. Методы исследования исходных материалов и выращенных кристаллов 63 2.2.1 .Рентгеновские дифрактометрические исследования

2.2.2. Терморептгеновское исследование процесса синтеза шихты.

2.2.3. Спектроскопия поглощения

2.2.4. Исследование оптических аномалий и расчет внутренних напряжений.

ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТОВ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

3.1. Образование днсвинцового молибдата в ходе синтеза шихты п выращивания кристаллов молибдата свинца

3.1.1. Исследование полноты синтеза шихты РЬМо

3.1.2. Терморентгенографическое исследование фазовых превращений при твердофазном синтезе РЪМо

3.1.3. Образование второй фазы в кристалле

3.2. Морфология монокристаллов РЬМо04 и PbW04, выращиваемых по методу Чохральского

3.2.1. Изучение влияния тепловых и гидродинамических условий на форму фронта роста РЬМоО

3.2.2. Исследование морфологической устойчивости межфазной границы «кристалл-расплав» у кристаллов

РЬМоС>4 и PbW04 при больших скоростях вращения

3.2.3. Управление формой фронта кристаллизации через лучистый теплообмен

3.2.4. Возможный механизм искривления цилиндрической части кристаллов РЬМоС>

3.3. Дефектность кристаллов РЬМо04 (PbW04)

3.3.1. Аномальная двуосность и термопластические напряжения в кристаллах РЪМо04, выращиваемых методом Чохральского.

3.3.2. Блочпостъ кристаллов РЪМоО

3.3.3. Газовые включения в кристаллах РЬМо

ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование условий получения и реальной структуры кристаллов группы шеелита, выращенных методом Чохральского»

Монокристаллы молибдата и вольфрамата свинца, относящиеся к группе шеелита, имеют большое практическое применение. Оба эти кристалла обладают высокими акустооптическими свойствами, хотя из-за лучшей технологичности широкое практическое использование получил только молибдат свинца. Монокристаллы вольфрамата свинца благодаря высокой плотности, высокому быстродействию и достаточно высокой радиационной стойкости являются исключительно перспективным сцинтилляционным материалом нового поколения высокотехнологичных устройств, в которых требуется применение компактных сцинтилляторов.

В природе крупные и совершенные кристаллы молибдата и вольфрамата свинца (вульфенита и штольцита) не встречаются, их можно найти только в виде небольших кристаллов в скарнах, грейзенах и в кварцевых прожилках. Поэтому со второй половины 20 - го века их начали выращивать различными методами: гидротермальным, методами Бриджмена и Чохральского, причем метод Чохральского применяется наиболее часто, так как имеет ряд преимуществ: гомогенизация расплава в процессе выращивания, возможность управления тепловыми характеристиками процесса, эффективное оттеснение примеси при росте кристалла, малая плотность дислокаций на единицу объема кристалла

Получение качественных кристаллов молибдата и вольфрамата свинца наталкивается на ряд проблем.

При выращивании этих кристаллов в них возникают дефекты, являющиеся центрами рассеяния лазерного излучения. Предполагается, что они обусловлены наличием в кристаллах микроскопических частиц примесной фазы дисвинцового молибдата РЬ2Мо05 (дисвинцового вольфрамата Pb2W05), которые могут образовываться как на стадии синтеза шихты, так и на стадии роста кристалла.

При выращивании кристаллов PbMo04 (PbWO^ из расплава методом Чохральского возникает проблема неустойчивости границы раздела «кристалл — расплав» и её перемещения под зеркало расплава, что обычно приводит к остаточным напряжениям в кристалле. Этот эффект связан прежде всего с высокой прозрачностью молибдата и вольфрамата свинца в ИК - области, благодаря чему происходит интенсивный радиационный теплоотвод от межфазной границы через кристалл. Влияние на форму межфазной поверхности «кристалл-расплав» оказывает также распределение температуры и потоков тепла во всей ростовой системе и гидродинамика расплава. Многочисленность и сложные взаимосвязи факторов, определяющих морфологию и устойчивость фронта роста, чрезвычайно затрудняют решение данной проблемы аналитически или с помощью моделирования, и требуется проведение экспериментальных исследований.

Чрезвычайно важной является также проблема внутренних напряжений, возникающих в кристаллах при их росте. Кристаллы, выращиваемые по методу Чохральского, практически всегда имеют высокие остаточные напряжения, приводящие к образованию пластических дефектов и трещин, что резко ухудшает качество кристаллов. По этому изучение связи внутренних V— г> '— напряжений в кристаллах с условиями выращивания представляет большой интерес, как с практической, так и с научной точки зрения. При этом роль эксперимента и здесь является определяющей, поскольку для реального процесса вытягивания кристалла надежный анализ внутренних напряжений на основании упрощенных моделей невозможен.

Целью работы является экспериментальное изучение влияния условий роста на морфологию и дефектность кристаллов молибдата и вольфрамата свинца, выращиваемых методом Чохральского.

Основные задачи работы:

1. Изучение образования включений примесной фазы и газовых включений.

2. Изучение влияния тепловых и гидродинамических условий роста на морфологию и устойчивость фронта роста и боковой поверхности кристаллов.

3. Разработка способа примесного подавления радиационного теплопереноса через кристаш^без^потери качества кристалла.

4. Исследование остаточных термопластических напряжений в кристаллах и связанных с ними деформационных дефектов.

Научная новизна н практическая значимость:

1. Впервые экспериментально установлена двукратная потеря устойчивости и инверсия фронта роста вследствие конкуренции свободной и вынужденной конвекции в процессе роста кристалла.

2. Обнаружено явление морфологического «скручивания» кристалла. Предложен механизм скручивания^ связанный с образованием гранных форм на межфазной границе за счет переохлаждени^ создаваемого свободной конвекцией в подкристальной области.

3. Установлено, что распределение остаточных термопластических^ напряжений кардинально отличается от такового для радиального теплоотвода,) что связано с интенсивным осевым радиационным переносом и низкой/ симметрией упругих свойств кристалла.

4. Показано, что при отсутствии однозначной связи остаточных напряжений со степенью прогиба в расплав фронта роста, потеря устойчивости фронта роста резко повышает внутренни^ напряжения и дефектность кристаллов.

5. Разработан метод подавления радиационного осевого теплопереноса через кристалл без потери оптических свойств кристалла, путем выращивания беспримесного кристалла на легированный затравочный кристалл, имеющий широкую область поглощения в ИК - диапазоне. Метод защищен патентом РФ № 2003 121249 от 09.07.2003.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Форма и степень выпуклости межфазной границы для прозрачных в ИК -области кристаллов молибдата и вольфрамата свинца определяется направлением потоков и соотношением интенсивностей естественной и вынужденной конвекции. При критических значениях Gr/Re2 фронт роста теряет морфологическую устойчивость, что приводит к двойной инверсии его формы на начальных этапах роста.

2. Легирование затравок примесью Рг3+, создающей поглощение в инфракрасной области, позволяет выращивать беспримесные кристаллы РЬМо04 и PbW04 большого диаметра при слабой выпуклости межфазной границы.

3. Развитие наклонных к оси роста граней призм на фронте роста кристаллов молибдата и вольфрамата свинца приводит к неустойчивости цилиндрической формы боковой поверхности кристаллов - морфологическому скручиванию. Интенсивность скручивания возрастает с увеличением площади граней и скорости вращения кристалла, а также при отклонении направления роста от кристаллографических осей.

4. Остаточные напряжения в кристаллах молибдата и вольфрамата свинца достигают 40 МРа, что превосходит предел их прочности. Корреляция напряжений с выпуклостью межфазной границы проявляется лишь в узком диапазоне условий. Уровень напряжений и неоднородность напряженного состояния определяются тепловыми условиями (аксиальный и радиальный градиенты температуры) и гидродинамикой в расплаве, а также направлением выращивания кристалла. Двукратная инверсия фронта роста приводит к резкому возрастанию напряжений и дефектности кристаллов.

Апробация работы.

Основные результаты, полученные в диссертации, докладывались и обсуждались на международных и национальных конференциях:

1-ой международной конференции молодых ученых по лазерной оптике (СПб, июнь 2000 г.); 9, 10 и 11 Национальной конференции по росту кристаллов (Москва, октябрь 2000, 2002, 2004 г.); Международной конференции «Кристаллогенезис и минералогия» (СПб, сентябрь 2001 г.); 15-ой Международной конференции "рентгенграфия и кристаллохимии минералов (СПб, сентябрь 2003 г.); Второй Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21 - века», посвященной памяти Шаскольской» (Москва, октябрь 2003 г.); 12-ая Международная летняя школа по росту кристаллов (Берлин, Германия, август 2004 г.); 14-ой Международной конференции по росту кристаллов (Гренобль, Франция, август 2004 г.); ». 7-м Международном симпозиуме «Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах» (Сочи, сентябрь 2004 г.); Международной научной конференции "Кинетика и механизм кристаллизации" (Иваново, октябрь 2004 г.).

По материалам диссертации опубликовано 18 печатных работы, в том числе 4 статьи и 14 тезисов докладов на международных и национальных конференциях, получен патент на изобретение.

Работа выполнялась на каф. кристаллографии геологического ф-та СПбГУ и в НИИ «Российском центре лазерной физики» при СПбГУ.

Благодарности.

Автор выражает глубокую благодарность своим руководителям проф., д.г.-м.н. Ю.О. Лунину и зав.отд. НИИЛИ, к.ф.-м.н. В.Т.Габриеляну. Благодарю за большую помощь О.С. Грунского. Я также благодарен И.А. Касаткину, Е.Н. Котельниковой, А.Г. Штукенбергу, JI.A. Пьянковой, П.В. Смирнову, А.В. Поволоцкому за оказанное содействие при работе с материалами диссертации, и Я.Г. Григорьеву за техническую помощь. Особо благодарю за моральную поддержку А.В. Денисову и В.В. Никанорова.

Заключение диссертации по теме «Минералогия, кристаллография», Денисов, Алексей Викторович

выводы

1. Качественная оценка степени завершенности реакции оксидов свинца и молибдена по дифрактограммам показала, что уже на первом этапе синтеза шихты (при 450 °С) образуется около 60% РЬМо04, на втором этапе (650 °С) получаем 100 %-й выход РЬМо04.

2. По данным терморентгенографии фазовые превращения при твердофазном синтезе шихты РЬМо04 осуществляются в следующей последовательности (конечная фаза выделена жирным шрифтом, а промежуточная фаза - курсивом). |

РЬО + Мо03 -> РЬМо04 + РЬО + Мо03 -> S

->РЬМо04+РЬ2Мо05 + РЬО+МоОэ-> РЬМо04 I

Терморентгенография подтверждает, что синтез РЬМо04 полностью завершается при температуре 650 °С.

3. В условиях преимущественного испарения оксида молибдена или вольфрама длительный процесс выращивания кристаллов приводит к неконтролируемому нарушению исходной стехиометрии с образованием избытка РЬО в расплаве и, в дальнейшем, в кристалле. Избыток оксида свинца в кристалле вызывает образование дисперсных выделений в нем второй фазы -дисвинцового молибдата или вольфрамата.

4. Относительная глубина опускания фронта роста кристаллов РЬМо04 под зеркало расплава определяется аксиальным градиентом температур над расплавом и радиальным градиентом температур в расплаве: чем меньше эти градиенты, тем меньше теплоотвод от кристалла и интенсивность свободной конвекции, что уменьшает выпуклость фронта в расплав.

5. Увеличение скорости вращения кристалла уменьшает прогиб межфазной границы за счет того, что потоки вынужденной конвекции оттесняют потоки свободной конвекции от центра тигля, в результате чего угол наклона этих потоков к поверхности расплава становится больше, а область переохлаждения под кристаллом уменьшается.

6. Тепловые и гидродинамические условия выращивания кристаллов определяют форму фронта роста кристалла через соотношение интенсивностей естественной и вынужденной конвекции и направление потоков естественной конвекции.

7. Условия, используемые для ликвидации прогиба в расплав фронта роста (высокая скорость вращения плюс донный подогрев), отвечают области неустойчивого роста кристалла. На протяжении процесса выращивания кристаллов РЬМо04 и PbW04 в этих условиях происходят неоднократные изменения (инверсии) формы межфазной границы. Отношение Gr/Re2, соответствующее инверсии границы, близко к 1. Для предотвращения инверсий рекомендуется выращивать кристаллы с постепенно увеличивающейся скоростью вращения кристалла. Инверсия фронта роста кристалла от вогнутого к выпуклому может приводить к образованию пустот в теле кристалла.

8. Примесь Рг3"1" создаёт в кристалле PbW04 область поглощения на длине волны X = 1500-1700 нм, что приводит к уменьшению радиационного теплоотвода через кристалл. С увеличением концентрации примеси Рг3"1" в расплаве и, соответственно, в кристалле форма фронта кристаллизации изменяется от конусовидной до почти плоской. Предложена методика выращивания кристаллов на легированный затравочный кристалл, применимая для кристаллов больших диаметров и дающая возможность нарастить цилиндрическую часть достаточно большой длины при небольшом прогибе межфазной границы.

9. Увеличение переохлаждения в подкристальной области вызывает появление на фронте роста плоских участков, соответствующих граням призм. Неоднородное омывание расплавом клиновидного фронта роста при вращении кристалла приводит к неравномерному нарастанию материала и эффекту морфологического скручивания кристаллов.

10. Отсутствует однозначное соответствие степени выпуклости межфазной границы и уровня остаточных напряжений в кристалле, что опровергает существующее мнение. Такая корреляция может проявляться только в узком диапазоне условий. Тепловые условия и, соответственно, форма фронта роста влияют не столько на абсолютную величину напряжений, сколько на их неоднородность. Кристаллы, выращиваемые по оси X, имеют большие скалывающие напряжения, чем при росте по оси Z. Отжиг кристаллов после их выращивания в значительной степени снимает остаточные термопластические напряжения.

И. Блочность кристаллов РЬМо04 является результатом релаксации термоупругих напряжений во время роста кристаллов. Причиной образования крупных единичных блоков в конусной части кристалла является резкая смена знака напряжений, определяющая высокий градиент напряжений. Колебания температуры в ростовом узле вызывают дополнительные напряжения, приводящие к превышению суммарными напряжениями предела прочности и к растрескиванию кристаллов.

12. При выращивании кристаллов РЬМо04 без донного подогрева кристалл захватывает газовые включения. Границы участков, насыщенных включениями, имеют повышенные внутренние напряжения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат геолого-минералогических наук Денисов, Алексей Викторович, 2005 год

1. Авданин К.А., Смирнов В.А. Численный анализ процессов тепло- и массопереноса при выращивании массивных кристаллов из расплава // М.: Наука. Рост кристаллов. 1980. Т. 3. С. 191-197.

2. Агамалян Н.Р., Ваптанян Э.С. Исследование условий образования центров рассеяния и фотоактивных центров в кристаллах молибдата свинца // Доклады национльной академии наук Армении. 1995. Т. 95. № 2. С. 94-97.

3. Анненков А.Н., Костылев B.JI., Лигун В.Д., Коржик М.В. Массовое производство сцинтилляционного материала вольфромата свинца // Десятая Национальная конференция по росту кристаллов (НКРК 2002). Тезисы докладов. Москва. 24-29 ноября. 2002. С. 208.

4. Антонов П.И. Бахолдин С.И., Васильев М.Г. и др. Распределение температуры в прозрачных профилированных кристаллах // Известия Академии наук. Серия физическая. 1980. Т. 44. № 2. С. 269-275.

5. Атабаев С.Ч, Габриелян В.Т., Патурян С.В. и др. Исследование конвективного теплообмена при выращивании монокристаллов молибдата свинца // Препринт №291. Институт проблем механики АН СССР. Москва-Аштарак. 1987. Т. 43 С. 2.

6. Атабаев С.Ч, Габриелян В.Т., Патурян С.В., Простомолотов А.И. Экспериментальное и теоретическое исследование влияния гидродинамических процессов на форму фронта кристаллизации // Кристаллография. 1994. Т. 39. Вып. 1.С. 124- 134.

7. Беляев И.Н., Смолянинов Н.П. Тройная система Bi203 М0О3 - РЬО // Журн. неорган, химии. 1962. Т. 7. № 5. С. 1126 - 1131.

8. Беляевская JI. В. Зеликман А.Н., Кунев Д.К. и др. Исследование физико-химических основ и разработка технологии получения чистого Мо03 методом возгонки. Сб.: Тугоплавкие металлы. М.: Металлургия. 1968. С. 46 60.

9. Бетехтин Л.Г. Курс минералогии. М. 1956. 340 с.

10. Бурачас С.Ф., Тиман Б.Л., Бондаренко С.К., Кривошеин В.И., Мартынов В.П. Условия выращивания кристаллов германата висмута (Bi4Ge30i2) методом Чохральского // Кристаллография. 1994. Т. 39. № 3. С. 544-546.

11. Бурачас С.Ф., Колотий О.Д., Тиман Б.Л. Поведение мощности нагревателя в процессе роста оксидных криисталлов постоянного радиуса методом Чохральского // Кристаллография. 1998. Т. 43. № 5. С. 949-953.

12. Бурачас С.Ф., Тиман Б.Л., Бондарь В.Г., Горишний Ю.В., Кривошеин В.И. Влияние характера теплоотвода от кристалла на форму его боковой поверхности при выращивании германата висмута методом Чохральского // Кристаллография. 1990. Т. 35. № 1. С. 181-184.

13. Бухалова Г.А., Манаков В.М., Мальцев В.Т. Диаграмма состояния системы РЬО Мо03 // Журнал неорганической химии. 1971. Т. 16. № 3. С. 530 - 531.

14. Быличкина Т.И., Солева Л.И., Победимская Е.А. и др. Кристаллическая структура Ва молибдата и Ва - вольфрамата // Кристаллография. 1970. Т. 15. № 1.С. 165-167.

15. Вольфрамовые месторождения. Ред. Барабанова. СПбГУ. 1995. Т. 1. 329 с.

16. Габриелян В.Т., Грунский О. С., Денисов А.В. Устройство для выращивания кристаллов. Патент РФ № 2003 121249. Приоритет от 09.07.2003.

17. Габриелян В.Т., Грунский О.С., Денисов А.В., Касаткин И.А. Морфология монокристаллов вульфенита (РЬМо04), выращиваемых по методу Чохральского //Вестник Санкт-Петербургского университета. 2002. Сер. 7. Вып. 4 (31). С. 3-9.

18. Габриелян В.Т., Клудзин В.В., Кулаков С.В., Разживин Б.П. Упругие и фотоупругие свойства кристаллов молибдата свинца. // ФТТ. 1975. Т.17. Вып. 2. С. 603.

19. Габриелян В.Т., Клудзин, В.В. Кулаков С.В., Разживин Б.П. Упругие и фотоупругие свойства кристаллов класса 4/ш // Препринт ИФИ АН Арм. ССР -77-53. Ереван. 1977.17 С.

20. Давыдченко А.Г., Нефедов В.А., Полянский Е.В., Шабалтай А.А. // Тезисы докладов 6 международной конференции по росту кристаллов. Москва. 1980. Т. 2. С. 221.

21. Демьянец JI.H. Гарашина JI.C., Литвинов Б.Н. Кристаллизация вульфенита (РЬМо04) в гидротермальных условиях. // Ж. Кристаллография. 1963. № 5. С. 800-803

22. Денисов А.В., Грунский О.С., Касаткин И.А. Возможный механизм искривления цилиндрической части кристаллов РЬМоС>4 // Сборник материалов Международной конференции «Кристаллогенезис и минералогия». СПб. 17-21 сентября. 2001.С. 90-91.

23. Денисов А.В., Соловьев Т.В. Исследование блочной структуры кристаллов РЬМоС>4 поляризационно-оптическими методами // 10-ая Национальнаяконференция по росту кристаллов (НКРК 2002). Тезисы докладов. Москва. 24-29 ноября. 2002. С. 207.

24. Дэна Дж.Д., Дэна Э.С. и др. Система минералогии. М. Иностранная литература. Т. 2. 1954. С. 543-545.

25. Зобнина А.Н., Копейкин С.И., Кисляков И.П. Исследование взаимодействия молибденового ангидрида с окислами свинца, кадмия и цинка в твёрдой фазе // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1972. Т. 8. № 12. С. 2149-2152.

26. Иванов И. А., Бульканов А. М. Исследование влияния угла разращивания конуса кристаллов на величину инверсного диаметра. Десятая Национальная конференция по росту кристаллов (НКРК 2002) // Тезисы докладов. Москва. 2429 ноября. 2002. С. 160.

27. Инденбом B.JL, Никитенко В.И. Исследование напряжений в полупроводниках с помощью электронно-оптического преобразователя // В сб.: Напряжения и дислокации в полупроводниках. Ред.: Классен-Неклюдова М.В. М.: Изд-во ВИНИТИ. 1962. С. 8-33.

28. Инденбом B.JI., Освенский В.Б. Теоретические и экспериментальные исследования возникновения напряжений и дислокаций при росте кристаллов. М., Наука. Т. 13. 1980. С. 240-251.

29. Казенас Е.К., Чижиков Д.М. Давление и состав пара над окислами химических элементов. М., Наука. 1976. 345 с.

30. Каминский А.А. Лазерные кристаллы // Москва. «Наука». 1975. 256 с.

31. Карамышева А.И., Коток JI.A., Квичко JI.A., Ицкович Р.Н. Исследование процесса получения молибдата свинца // Сб.: Монокристаллы и техника. -Харьков: ВНИИМ, 1973. Вып. 2 (9). С. 194-199.

32. Кононюк И.Ф., Шнып В.А., Борисюк М.И. Кинетика и механизм образования молибдата свинца. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1969. Т.5. № 8. С. 1422-1425.

33. Куандыков JI.JL, Бахолдин С.И. Моделирование перераспределения термоупругих напряжений в профилированных кристаллах // Ж. Кристаллография. 2004. Т. 49. № 2. С. 218-223.

34. Кунев Д.К., Беляевская Л. В. Зеликман А.Н. Системы СаМо04 Мо03, Мо03 - РЬМо04 и Мо03 - Z11M0O4 // Журнал неорганической химии. 1966. Т. 11. №8. С. 1989- 1991.

35. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М. Изд-во «Мир». 1974. 540 с.

36. Мокиевский В.А. Морфология кристаллов. Л. Изд-во «Недра». 1983. 295 с.

37. Никитенко В.И., Инденбом В.Л. Сопоставление напряжений и дислокаций в кристалле германия // В сб.: Напряжения и дислокации в полупроводниках. Ред.: М.В. Классен-Неклюдова М.: Изд-во ВИНИТИ, 1962. С. 34-42.

38. Порай-Кошиц М.А., Автомян Л.О. Кристаллохимия и стереохимия координационных соединений молибдена. М.: Наука. 1974. С. 38-43.

39. Ткаченко Е.В., Фёдорова Л.М., Габриелян В.Т., Никогосян Н.С., Баженова Л.Т. Условия и механизм твердофазного синтеза молибдата свинца. Журнал неорганической химии. 1980. Т. 25. Вып. 6. С. 1443-1448.

40. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции. М.: Химия, 1978. 360 с.

41. Утида Н. Материалы и методы акустооптического отклонения // Труды интститута инженеров электроники и радиофизики (ТИИЭР). 1973. Т.8. С.21-42.

42. Федорова J1.M. Физико-химия твердофазного синтеза молибдатов и вольфраматов свинца. Диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук. Свердловск. 1983. 221 с.

43. Филатов С.К. Высокотемпературная кристаллохимия. СПб: Недра. 1990. 288 с.

44. Функциональные материалы для науки и техники. Сборник статей. Под ред. В.П. Семиноженко. Харьков: «Институт монокристаллов». 2001. С. 91-100.

45. Чередов В.Н. Дефекты в синтетических кристаллах флюорита. СПб.: Наука, 1993.112 с.

46. Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С., Кузнецов В.А., Демьянец Л.Н., Лобачев А.Н. Современная кристаллография. Т 3. М.: Наука, 1980. 408 с.

47. Янушкевич Т.М. Исследование фазовых диаграмм систем М0О3 MeO (Me - Be, Mg, Са, Sr, Ва, Pb, Cd, Zn, Cu, Ni, Co). Диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук. Свердловск, 1973. 262 с.

48. Antonov P.I., Bakholdin S.I., Tropp Е.А., Yuferev V.S. An experimental and theoretical study of temperature distribution in sapphire crystals grown from the melt by Stepanov's method//Journal of Crystal Growth. Vol. 50. 1980. P. 62-68.

49. Baccaro S., Bonacek P., Borgia B. Influence of La3+ doping on Radiation Hardness and thermoluminescence characteristics of PbW04 // Phys. Stat. Sol. 1997. Vol. A160. R5.

50. Baccaro S., Bonacek P., Cecila A et al. Radiation damage and thermoluminescence of Gd doped PbW04 // Phys. Stat. Sol. 1997. Vol. (a) A164. R9.

51. Bo Gong, Dinzhong Shen, Guoho Ren et al. Crystal growth and optical anisotropy of Y:PbW04 by modified Bridgman metod // Journal of Crystal Growth. Vol. 235. 2002. P. 320-326.

52. Bonner W.A., Zydzik G.J. Growth of single lead molybdate for acousto-optic applications // Journal of Crystal Growth. Vol. 7. 1970. P. 65-68.

53. Brandle C.D. Flow transitions in Czochralski oxide melts // Journal of Crystal Growth. Vol. 57. 1982. P. 65-70.

54. Brandon S., Derby J.J. Internal radiative transport in the vertical Bridgman growth of semitransparent crystals // Journal of Crystal Growth. Vol. 110. 1991. P. 481-500.

55. Brice J.C. and Whiffin P.A.C. Changes in fluid flow during Czochralski growth // Journal of Crystal Growth. Vol. 38. 1977. P. 245- 248.

56. Burachas S., Martynov V., Ryzhikov V. et al. Peculiarities of growing PbW04 scintillator crystals for application in high energy physics // Journal of Crystal Growth. Vol. 186. 1998. P. 175-180.

57. Carruthers J.R. Flow transitions and interface shapes in the Czochralski growth of oxide crystals // Journal of Crystal Growth. Vol. 36. 1976. P. 212-214

58. Chang L.Y. Phase relions in system PbO W03 // J. Amer. Ceram. Soc. 1971. Vol. 54. № 7. P 357-358.

59. Cockayne B. Develporments in melt-grown oxide crystals // Journal of Crystal Growth. Vol. 3, 4. 1968. P. 60-70.

60. Cockayne В., Chesswas M., Born P.J., Filby J.D. The Morphology and Vertically Pulled MgAl204 Single Crystals // Journal of Materials Science. Vol. 4. 1969. P. 236241.

61. Cockayne В., Chesswas M., Gasson D.B. Facetting and Optical Perfection in Czochralski Grown Garnets and Ruby // Journal of Materale Science. Vol. 4. 1969. P. 450-456.

62. Coquin G.A., Pinnow D.A., Warner A.W. Physical properties of lead molybdate relevant to acousto-optic device applications // J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42(6). P. 2162-2168.

63. Denisov A., Beletsky S., Gabrielyan V., Grunsky O., Gukasov A. Crystal growth and defect structure of PbMo04 // First International Conference for Young Scientists on Laser Optics (LOYS 2000). St. Petersburg. June 26-30. 2000. P. 50.

64. Denisov A.V., Gabrielyan V.T., Punin Ju.O., Grunsky O.S., Sennova N.A. Inversion of the form of phase boundary and the dependent strains in PbW04 crystals, grown by Czochralski technique // Journal of Crystal Growth. 2005.

65. Devries RaC., Fleisher J. E. Phase equilibria and crystal growth in the systems Pb0-PbCr04 PbOPbMo04, Pb0-PbCr04 - Pb0-PbW04 and Pb0-PbCr04 -Pb0-PbS04 // Mat. Res. Bull. 1970. Vol. 5. P. 87-100.

66. Eissa M.A., Elmasry M.A.A., Youns S.S. The Pb02-Pb-Mo03 System in air // Thermochimica Acta. 1996. Vol. 288. P. 169-178.

67. Esashi S., Namikata T. Crystal growth and optical properties of lead molybdate for acousto-optic light deflector // Fujitsu Sci. Techn. J. 1972. Vol. 8. № 4. P. 211-232.

68. Gabrielyan V.T., Feodorova L.M., Tkachenko Ye.V., Neiman A.Ya., Nikogosyan N.S. Crystal Growth and Physico-Chemical Properties of Lead Molybdate in the Homogeneity Region // Journal Crystal Research and Technol. 1986. Vol. 21(4). P. 439-448.

69. Jaeder F.M., Germs H.G. Uber die binaren Systeme der Sylfate, Chromate, Molybdate und Wolframate des Bleies // Z. anorg. allg. Chem. 1921. Bd. 119. S. 145173.

70. Jander W. Systeme der Pb03 M0O3 und Pb03 - W03 // Z. anorg. allg. Chem. 1928. Bd. 174. S. 11-23.

71. Jordan A.S., Von Neida A.R., Caruso R. The theory and practice of dislocation reduction in GaAs and InP // Journal of Crystal Growth. Vol. 70. 1984. P. 555-573.

72. Kim D., Yang H., Chang K. , Park H., Lee M., Lee J., Song Y., Cho Y., Lee S. Effects of pre-anneal treatment on the optical characteristics of lead tungstate single crystal // Journal of Crystal Growth. Vol. 226.2001. P. 117-122.

73. Kobayashi M., Hagino Т., Tsukada Т., Hozawa M. Effect of internal radiative heat transfer on interface inversion in Czochralski crystal growth of oxides // Journal of Crystal Growth. Vol. 235. 2002. P. 258-270.

74. Kobayashi N. Computational simulation of the melt flow during Czochralski growth // Journal of Crystal Growth. 1978. Vol. 43. P. 357-363.

75. Kobayashi N. Effect of fluid flow on the formation of gas bubbles in oxide crystals grown by the Czochralski method // Journal of Crystal Growth. Vol. 54. 1981. P. 414-416.

76. Kobayshi M., Ischii M., Harada K. et al. Scintillation and phosphorescence of PbW04 crystals // Nucl. Instrum. and Methods. 1996. A 373. P. 333-346.

77. Kobayshi M., Usuki Y., Ishii M., et al. Improvement in transmission and decay time of PbW04 scintillating crystals by La doping // Nucl. Instrum. and Methods. 1997. A 399. P. 261-268.

78. Kobayshi M., Usuki Y., Ishii M., et al. Improvement of radiation hardness of PbW04 scintillatting crystals by La doping // Nucl. Instrum. and Methods. 1998. A 404. P. 149-156.

79. Kvapil Ji., Kvapil Jo., Manek В., Perner В., Autrata R., Schauer P. Czochralski growth of YAG:Ce in a reducing protective atmosphere // Journal of Crystal Growth Vol. 52. 1981.542-545.

80. Leciejewicz J. A. Neutron crystallographie investigation of lead molybdenum oxide, PbMo04 // Zeitschrift fuer Kristallographie, Kristallgeometrie, Kristallphysik, Kristallchemie. Bd. 121. 1965. S. 158-164.

81. Lim L.C., Tan L.K., Zeng H.C. Bubble formation in Czochralski-grown lead molybdate crystals // Journal of Crystal Growth. Vol. 167. 1996. P. 686-692.

82. Loiacono G.M., Balascio J.F., Bonner R., Savage A. Crystal growth and characterization of lead molybdate // Journal of Crystal Growth. Vol. 21. 1974. P. 111.

83. Miller D.C., Valentino A.J., Shick L.K. The effect of melt flow phenomena on the perfection of czochralski grown gadolinium gallium garnet // Journal of Crystal Growth. Vol. 44. 1978. P. 121-134.

84. Miyazaki N. Development of a thermal stress analysis system for anisotropic single crystal growth // Journal of Crystal Growth. Vol. 236. 2002. P. 455-465.

85. Miyazawa S. Fluid-flow effect on gas-bubble entrapment in Czochralski-grown oxide crystals // Journal of Crystal Growth. Vol. 49. 1980. P. 515-521.

86. Namikata Т., Esashi S. Etch configuration and the sign of Z-axis of lead molybdate single crystals // J. Appl. Phys., Japan. 1972. Vol. 11. P.772-773.

87. Nihtianova D.D., Shumov D.P., Angelova S.S., Dimitriev Ya.B., Petrov L.L. Investigation of PbjMoOg crystal growth in РЬО-МоОз system // Journal of Crystal Growth. 179. 1997. P. 161-167.

88. Novak R.E., Metzi R., Dribeen A., Berkman S., Patterson D.L. The production of EFG sapphire ribbon for heteroepitaxial silicon substrates // Journal of Crystal Growth. Vol. 50. 1980. P. 143-150.

89. Peizhi Yang, Jingying Liao, Bingfu Shen, Peifa Shao, Haihong Ni, Zhiwen Yin. Growth of large-size crystal of PbW04 de vertical Bridgman method with multi-crucibles // Journal of Crystal Growth. Vol. 236. 2002. C. 589-595.

90. Perner В., Kvapil J., Kvapil Jos. Czech. J. Phys. В 23. 1973. P. 1091-1095.

91. Pfeifer E., Rudolf P. Investigations of the Crystal Growth of PbMo04 by the Czochralski Method // Crystal Research and Technol. 1990. Vol. 25. P. 3-9.

92. Pinnow D.A., Van Uitert L.G., Warner A.W., Bonner W.A. Lead molyddate: a melt growth with a high figureof merit for acousto-optic device application // J. Appl. Phys. 1969. Vol. 15(3). P. 83-86.

93. Pinnow D.A.Guide lings for the selection of acoustooptic materials // IEEE. J. Quantum Electron. QE-5. 1970. P. 223-238.

94. Plakhov G. F, Pobedimskaya E.A., Simonov M.A., Belov N.V. The crystal structure ofPb W 04 // Kristallografiya. Vol. 15. 1970. P. 1067-1068.

95. Richter P W, Kruger G. J., Pistorius C.W.F.T. PbW04-III (a high-pressure form) // Acta Crystallographies B32. 1976. P. 928-929

96. Takagi K., Fukazawa Т., Ishii M. Inversion of the direction of the solid-liquid interface on the Czochralski growth of GGG crystals // Journal of Crystal Growth. Vol. 32. 1976. P. 89-94.

97. Takano S., Esashi S., Mori K., Namikata T. Growth of high-quality single crystals of lead molybdate // Journal of Crystal Growth. Vol. 24/25. 1974. P. 437-440.

98. Tsukada Т., Kakinoki K., Hozawa M., Imaishi N., Effect of internal radiation within crystal and melt on Czochralski crystal growth of oxide // International Journal of Heat Mass transfer. Vol. 38. 1995. P. 2707-2714.

99. Tsukada Т., Kakinoki K., Hozawa M., Imaishi N., Shimamura K., Fukuda T. Numerical and experimental studies on crack formation in LiNb03 single crystal // Journal of Crystal Growth. Vol. 180. 1997. P. 543-550.

100. Vesselinov I. Relation between the structure of wulfenite, PbMo04, as an example of scheelite type structure, and the morphology of its crystals // J. Crystal Growth. 1971. Vol. 10. P. 45-55.

101. Xiao Q. and Derby J.J. Heat transfer and interface inversion during the Czochralski growth of yttrium aluminum garnet and gadolinium garnet // Journal of Crystal Growth. Vol. 139. 1994. P. 147-157.

102. Xiao Q. and Derby J.J. The Role of Internal Radiation and Melt Convection in Czochralski Oxide Growth: Deep Interfaces, Interface Inversion, and Spiraling // Journal of Crystal Growth. Vol. 128. 1993. P. 188-194.

103. Zeng H.C., Lim L.C., Kumagi H., Hirano M. Effect of ambient water on crystal morphology and coloration of lead molybdate // Journal of Crystal Growth. Vol. 171. 1997. P. 493-500.

104. Zhu R. Radiation damage in scintillating crystals // Inorganic Scintillators and Their Applications. Proc. of the Intern. Conference "SCINT 97" / Ed. by Y. Zhiwen et al. Shanghai. China. 1997. P. 73-90.