Разработка эпитаксиальной технологии получения сульфида кадмия и свойства гетероструктуры CdS - ZnO тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Казимагомедов, Рустам Муртузалиевич

• Казимагомедов, Рустам Муртузалиевич
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Казимагомедов, Рустам Муртузалиевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Литературный обзор.

1.1. Общая характеристика оксида цинка.

1.2. Методы получения монокристаллических слоев и пленок ZnO на ориентирующих и не ориентирующих подложках.

1.3. Газотранспортный метод получения оксида цинка и анализ условий его восстановления водородом.

1.4. Физические явления в оксиде цинка и их влияние на его основные параметры.

1.5. Основные методы получения кристаллов и ориентированных пленок сернистого кадмия.

ГЛАВА 2. Описание установки, методики химического транспорта ZnO и CdS, подготовки поверхности подложек к их нанесению, изучения совершенства структуры и их некоторых свойств.

2.1. Описание установки для получения пленок ZnO и CdS методом химических транспортных реакций.

2.2. Исследование совершенства структуры и ориентации растущего слоя ZnO и CdS методом дифракции быстрых электронов

2.3. Методика подготовки и очистки поверхности подложек к нанесению ориентированных слоев и пленок ZnO и CdS.

2.4. Методика измерения электрических свойств пленок и слоев ZnO и CdS.

ГЛАВА 3. Термодинамика транспорта сульфида кадмия и получение его в атмосфере водорода.

3.1. Расчет изменения свободной энергии реакции восстановления сульфида кадмия водородом.

3.2. Зависимость константы равновесия реакции, парциальных давлений ее компонентов от температуры и общего давления в системе.

3.3. Определение относительного выхода кадмия в газовую фазу и его зависимости от условий осуществления реакции.

Выводы.

ГЛАВА 4. Закономерности роста и морфология эпитаксиальных пленок сульфида кадмия и некоторые свойство гетерост-руктуры CdS-ZnO.

4.1. Микроморфология и особенности роста эпитаксиальных пленок сульфида кадмия базисной ориентации.

Выводы.

4.2. Некоторые свойства гетероструктуры n-CdS-n-ZnO.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка эпитаксиальной технологии получения сульфида кадмия и свойства гетероструктуры CdS - ZnO»

Актуальность проблемы. На данном этапе развития физики полупроводников имеются достаточно результатов, на основании которых можно утверждать, что будущая техника должна быть многофункциональной и в ней наряду с другими активными материалами должны быть использованы широкозонные полупроводниковые соединения типа А~В , относящиеся к классу прямозонных полупроводников.

Поскольку известно, что научно-технический прогресс обеспечивается внедрением последних достижений фундаментальной науки в соответствующие отрасли современного производства, к примеру можно указать на темпы развития микроэлектроники, успех обеспечивается благодаря всестороннему исследованию физико-химических свойств кремния, электронных процессов в нем, разработки технологии его получения с необходимыми свойствами.

Однако в современной радиоэлектронной, вычислительной аппаратуре, созданной повышением интеграции и функциональной сложности традиционных микросхем, основная часть стоимости производства и отказов в работе приходится на долю традиционных активных элементов. С другой стороны, техника использующая традиционную логику (счет количества заданной порции электрического заряда) на базе элементов в кремнии, магнитной памяти и проводной связи между самыми элементами и исполнительной аппаратурой, близка к достижению своих предельных возможностей, как по быстродействию, так и по массе и габаритам. Поэтому радикальное решение данной проблемы, как показывают современные достижения физики и квантовой оптики, можно ожидать на основе использования оптоэлектронных и акустоэлектронных систем.

Опто- и акустоэлектронная техника, созданная путем синтеза передовых достижений физики, включая квантовую оптику, должна обладать «неограниченными» возможностями повышения рабочих частот приема, передачи и обработки информации.

2 6

Как показывает практика, в соединениях типа А В велика вероятность квантового выхода рекомбинационного излучения, кроме того, на их основе могут быть созданы р-n переходы, поскольку часть из них обладает п-типом проводимости, а другая часть — р-типом.

В настоящее время основные трудности реализации перспектив применения данных соединений в первую очередь связаны с отсутствием технологии синтеза их «чистых» и несамокомпенсированных кристаллов, эпитак-сиальных слоев и пленок, обладающих высоким совершенством структуры. л /г

Также известно, что для синтеза соединений типа А В не может быть использован опыт кристаллизации элементарных полупроводников (Si, Ge), соединений типа А3В5. И это подтверждено длительной научной практикой.

Из этого правила не является исключением и сульфид кадмия. Монокристаллы и тонкие пленки сульфида кадмия обладают уникальными физико-химическими свойствами: анизотропная кристаллическая структура, не-стехиометрический состав соединения, полупроводниковые свойства при большой ширине запрещенной зоны, люминесцентные свойства, фотопроводимость, фотовольтаические и фотохимические свойства, пьезо- и пироэф-фект, низкий коэффициент линейного расширения и т.д. Благодаря такому разнообразию свойств он нашел широкое применение в микро-, опто-, аку-стоэлектронике, и др. Среди пьезополупроводниковых материалов, используемых в настоящее время в акустоэлектронике, CdS широко используется. Во многих фундаментальных исследованиях сульфид кадмия и оксид цинка стали "модельными" материалами, позволяющими разобраться в различных явлениях физики и химии твердого тела, их поверхности.

Поэтому разработка метода получения гетероструктур типа CdS-ZnO и образцов с наиболее совершенной структуры и состава с воспроизводимыми физико-химическими свойствами является актуальной научно-технической проблемой.

В настоящей работе данная проблема нами решена на основе осуществления термохимической реакции восстановления ZnO и CdS водородом и транспорта их продуктов в зону кристаллизации. Путем анализа условий восстановления CdS водородом определены основные технологические параметры, позволяющие в контролируемых условиях осуществить формирование монокристаллической структуры получаемых образцов в виде кристаллов и эпитаксиальных слоев. Можно сказать, что в работе реализован самый распространенный вариант газофазной кристаллизации — метод прямого температурного градиента между зонами реактора, определяющий образование газовой фазы исходного вещества в одних температурных условиях и рост образцов этого же вещества в других условиях.

Выбор объекта исследований осуществлен исходя из научных и практических целей, поскольку ZnO и CdS обладают уникальным набором свойств.

Целью настоящей работы являлась разработка технологии получения гетероструктур на основе ZnO и монокристаллов и пленок CdS с учетом их структурных особенностей, исследование совершенства и ориентации относительно ориентации подложки, исследование электрических свойств в зависимости от условий получения образцов моно- и поликристаллической структуры.

Поставленная цель достигнута:

1. Расчетом основных параметров осуществления обратимой термохимической реакции восстановления сернистого кадмия водородом, созданием аппаратуры для его кристаллизации в контролируемых условиях.

2. Установлением механизма ориентированного зарождения и роста CdS на подложках различной ориентации и химической природы. Определением ориентаций роста и ориентационных соотношений для значительного количества систем типа подложка- ZnO, подложка- CdS, CdS - ZnO.

3. Изготовлением гетероетруктур CdS - ZnO и исследованием электрических свойств в зависимости от условий их получения, а также температурной зависимости данных свойств.

Научная новизна работы заключается:

1. В доказательстве того, что известные трудности кристаллизации ZnO и CdS обусловлены анизотропией их структуры и того, что необходимым условием формирования их монокристаллической структуры является уменьшение внутреннего потенциала между подслоями ионов цинка и кислорода, кадмия и серы их двойных слоев, параллельных плоскости базиса (0001). Методом абсолютных энтропий определены основные параметры осуществления обратимой окислительно-восстановительной реакции, позволяющей управлять стадиями зарождения и роста монокристаллического CdS в атмосфере водорода на подложках из диэлектриков и полупроводников. Также доказано и то, что эффективными методами снижения степени анизотропности структуры ZnO являются: введение в ее междоузлия сверхсте-хиометрического цинка, водорода в условиях образования комплексов типа (О-Н) и (V0 - Н), легирование растущих образцов трехвалентным металлом, обладающим в ZnO донорными свойствами и могущим быть в нем в состоянии замещения цинка;

2. В установлении возможности целенаправленного изменения природы и концентрации дефектов в структуре ZnO и CdS, как в процессе получения, так и последующей термообработки их в атмосфере водорода в интервале температур от 600 до 980 К;

3. В демонстрации того, что осуществлением реакции восстановления ZnO и CdS водородом можно управлять стадиями зарождения ориентированных зародышей на подложке известной ориентации и роста его в монокристаллическом виде ZnO в атмосфере влажного водорода со скоростью до 8 мкм/мин и в чистом водороде CdS до 4мкм/мин.

4. В реализации технологии изготовления гетероструктур типа CdS — ZnO и проведении систематических исследований их электрических, фотоэлектрических свойств. Демонстрации того, что основные характеристики таких структур тесно связаны как с технологическими условиями их изготовления, так и свойствами подложек в исходном состоянии.

Практическая ценность работы определяется совокупностью расчетных параметров условий получения монокристаллического ZnO и CdS с воспроизводимыми свойствами, аппаратурного исполнения метода, обработки практических приемов управления процессами зарождения ориентированных зародышей и их роста, определением ориентации и ориентационных соотношений для большого количества систем типа подложка - ZnO, подложка- CdS, CdS - ZnO, а также исследований электрических свойств моно- и поликристаллических пленок в зависимости от условий их получения.

Моно- и поликристаллической структуры слои и пленки ZnO, CdS могут быть успешно использованы для проведения научных исследований в области физики твердого тела и его поверхности, а также для изготовления преобразователей физических величин различного назначения.

Легированные пленки ZnO могут быть применены в качестве отражающих или поглощающих покрытий, пленочных световолноводов, а более толстые слои — для приготовления сцинтиляторов, позволяющих обеспечить

О 1 счет импульсов от 10 до 10 с" . "Чистая" поверхность ZnO является уникальным объектом для исследования адсорбции и сопровождающих ее различных физических явлений.

Пленки и структуры, изготовленные по данной технологии, используются в постановке учебного процесса на физическом факультете Даггосу-ниверситета.

Публикации. Результаты проведенных исследований по теме диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Казимагомедов P.M., Гарунов А.И., Рабаданов М.Р. Электрические и оптические свойства гетероструктуры на базе ZnO.Z/Вестник ДГУ, Сер. Ес-теств. Науки, Махачкала, 2002г. С 28.

2. Казимагомедов P.M., Гарунов А.И., Рабаданов М.Р. Зависимость интенсивности видимой люминесценции ZnO от совершенства его структуры и состава. // Материалы 3 Всероссийской конференции ФЭ — 2003. Махачкала, 2003г. С 258.

3. Казимагомедов P.M., Гарунов А.И., Рабаданов М.Р Электрические и оптические свойства гетероструктуры CdS — ZnO. //Сборник тезисов Девятой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых Красноярск, 2003.

4. Казимагомедов P.M., Рабаданов М.Р Изготовление и свойства гете-роструктур на основе оксида цинка. //Сборник тезисов Десятой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых Москва, 2004. С 181.

5. Казимагомедов P.M., Рабаданов М.Р Изготовление структур типа металл-ZnO и измерение их параметров. //Сборник тезисов Десятой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых Москва, 2004. С 182.

6. Казимагомедов P.M., Рабаданов М.Р., Рабаданов Р. А. Термодинамический анализ условий получения монокристаллических слоев и пленок CdS из газовой фазы // Тезисы докладов Международной конференции «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах». Махачкала, 2005. С .

7. Казимагомедов Р.М, Муслимов А.Э, Муслимов И.Э, Рабаданов Р.А. Получение и морфология плоскостей роста гетероэпитаксиальных и гомо-эпитаксиальных слоев теллурида кадмия //Вестник ДГУ, Сер. Естеств. Науки. Выпуск 4. Махачкала, 2005г. С 12.

8. Казимагомедов P.M., Рабаданов М.Р., Рабаданов Р. А., Магомедов И. М., Муслимов И. Э., Гарунов А. И. Метод повышения геометрической однородности и восстановления ориентирующей способности полированной поверхности кристаллов AI2O3. // Межвузовский сборник научных работ аспирантов (Естес. наук.) ДГПУ. Выпуск 3. Махачкала, 2006. С 75.

9. Казимагомедов P.M., Рабаданов М.Р., Рабаданов Р. А., Исмаилов А. М., Гарунов А. И. Зависимость совершенства структуры пленок ZnO на аморфной поверхности от условий получения // Межвузовский сборник научных работ аспирантов (Естес. наук.) ДГПУ. Выпуск 3. Махачкала, 2006. С 80.

10. Казимагомедов P.M., Казимагомедов И. М., Шапиев И., Рабаданов М.Р., Рабаданов Р. А., Магомедов И. М., Муслимов И. Э., Гарунов А. И. Термодинамические условия транспорта сульфида кадмия и получения его в монокристаллическом состоянии в атмосфере водорода // Межвузовский сборник научных работ аспирантов (Естес. наук.) ДГПУ. Выпуск 3. Махачкала, 2006. С 84.

11. Казимагомедов Р.М, Рабаданов.Р.А, Рабаданов М.Р, Казимагомедов И.М, Магомедов И.М, Шапиев И.М, Муслимов И.Э. Особенности роста пленок CdS на грани (0001)А1203 // Материалы 4 Всероссийской конференции ФЭ - 2006. Махачкала, 2006г. С.

12. Казимагомедов Р.М, Рабаданов.Р.А, Рабаданов М.Р, Казимагомедов И.М, Магомедов И.М, Шапиев И.М. Механизм формирования толщины монокристаллических пленок CdS и ZnS на подложках различных ориента-ций, получаемых в атмосфере водорода // Материалы 4 Всероссийской конференции ФЭ - 2006. Махачкала, 2006г. С.

13. Казимагомедов Р.М, Рабаданов.Р.А, Рабаданов М.Р, Казимагомедов И.М, Шапиев И.М. Механизм формирования толщины монокристаллических пленок CdS на подложках различных ориентаций, получаемых из газовой фазы// Журнал Естественные и технические науки, Сер. Естеств. Науки. Выпуск 4(36).Москва, 2008. С 26-27.

Кроме того, содержание исследований докладывалось и обсуждалось на: 9-й Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Красноярск. 2003), П-й Всероссийской конференции по физической электронике (Махачкала, 2003), 10-й Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Москва 2004), Ежегодных научных конференциях профессорско-преподавательского состава физического факультета Даггосуниверситета с 2001 по 2008 гг., научных семинарах кафедры физической электроники физического факультета ДГУ (2001-2008 гг.).

Личный вклад соискателя. Диссертационная работа представляет собой итог самостоятельной работы автора. Задачи исследования ставились руководителем. Он же принимал участие в выборе методов исследований, модернизации экспериментальной аппаратуры и обсуждении полученных результатов. В отдельных случаях автор работы прибегал и к помощи сотрудников лаборатории, в которой он выполнял работу.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и основных выводов (заключения). Содержание диссертации изложено на 137 страницах машинописного текста. Иллюстрационный материал включает 4 таблицы, 33 рисунков. Библиографический материал включает 117 наименований литературных источников.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Казимагомедов, Рустам Муртузалиевич

Выводы и рекомендации, имеющие частное научное значение, приведены в конце соответствующих глав данной работы. Наиболее общими, имеющими принципиальное значение, выводами считаем следующие:

1. Осуществлением обратимой реакции восстановления сернистого кадмия водородом могут быть получены кристаллы, пленки и слои монокристаллической структуры с воспроизводимыми от опыта к опыту свойствами со скоростью роста до 4 мкм/мин.

Требования, вытекающие из структуры монокристаллического CdS, могут быть максимально удовлетворены, осуществлением его кристаллизации в пределах температурной зоны тигля Т2 от 970 — 1030 К, температуры зоны подложки Т] от 860 до 980 к, перепада температуры между данными зонами реакций от 90 до 120 К и давлении водорода в системе р = (1,7 -1,8)Т05 Па.

2. Исследован механизм формирования монокристаллической структуры CdS на подложках различной природы и ориентаций. Для роста CdS на листочках слюды (мусковит, фторфлогонит) и гранях (0001) А1203 при Т] < 970 К характерен дислокационный механизм формирования толщины слоя. На гранях (1010), (1120),(10 11), (1012) А1203 толщина растущего слоя формируется по слоистому механизму роста. При этом призматические кристаллы CdS преимущественно растут в направлениях [0001].

Конечным результатом роста таких кристалликов является формирование ступеней роста. Геометрия и высота ступеней роста определяется величинами ДТ и Ti при фиксированном давлении водорода в системе р = (1,7 - 1,8)- 105 Па.

3. Наибольшей дефектностью обладает слой CdS, который граничит с подложкой. Для системы слюда — CdS толщина такого слоя составляет 0,8 мкм. Концентрация дислокаций несоответствия в таком слое ZnO оказывается в пределах от 109 до Ю10 м"2. Эффективная плотность дислокаций уменьшается с увеличением толщины пленок, что подтверждено нами снятием электронограмм на отражение, измерением зависимости подвижности электронов от толщины пленок и подвержением их газовому травлению."

Для значительного количества гетероэпитаксиальных систем типа подложка-пленка CdS определены ориентации роста, ориентационные соотношения и кристаллографические несоответствия методом дифракции быстрых электронов.

4. В структурах CdS-ZnO, изготовленных на монокристаллах и пленках CdS путем нанесения пленок ZnO при температуре 870 - 900 К, коэффициент выпрямления увеличивается с напряжением смещения и достигает значения 103 - 104 при V = 80 - 100 В. Прямые ветви ВАХ, снятые в интервале температур от 77 до 295 К, свидетельствуют о протекании через структуру ТОПЗ при монополярной инжекции носителей заряда. Оценены концентрации мелких электронных ловушек в пограничной области CdS и энергии их активации.

Большое последовательное сопротивление, протекание ТОПЗ, малое значение его емкости Со, и слабая зависимость С0, от VoGp указывают на наличие высокоомного промежуточного слоя толщины ~ 12 — 15 нм на границе раздела CdS-ZnO.

5. Фотовольтоический эффект на структурах CdS-ZnO не наблюдается. Отсутствия разделения фотогенерированных носителей контактным полем объясняется с рекомбинацией их в высокоомном слое и на граничных состояниях.

Прямосмещенные структуры CdS-ZnO можно использовать в режиме фоторезистора с интегральной фоточувствительностью 1мА/Вт-В (Т = 295 К, V = 40 В). При освещенности Е = 10 Вт/м2 кратность фотоответа составляет ~ З-Ю3 и растет с увеличением освещенности.

Заключение

В данной диссертации теоретическими и экспериментальными исследованиями установлено, что известные трудности в получении CdS в монокристаллическом состоянии с воспроизводимыми физическими свойствами обусловлены анизотропией его структуры. Известная практика изучения сульфида кадмия, можно сказать, состоит из предложенных методов синтеза его кристаллов, монокристаллических слоев и пленок. На основе анализа ранее выполненных исследований нельзя было сказать, что таким-то методом можно осуществить формирование монокристаллической структуры, обладающей воспроизводимыми электрическими, оптическими и пьезоэлектрическими свойствами. Как теперь нам представляется, такого типа трудности легко решаются при осуществлении управляемой обратимой термохимической реакции восстановления CdS водородом и такой процесс должен сопровождаться частичной компенсацией электростатических полей взаимодействия подслоев ионов кадмия и серы его двойных слоев, параллельных базисной плоскости (0001).

В условиях соблюдения стехиометрического состава формирование монокристаллической структуры будет сопровождаться не уменьшением свободной энергии кристалла, а ее возрастанием за счет электростатистического взаимодействия подслоев структуры кристалла. Энергию электростатического взаимодействия двойных слоев CdS можно довести до минимума путем осуществления обратимой реакции, позволяющей ввести в состав растущего кристалла донорные примеси. Как мы теперь знаем, такими примесями в CdS могут быть: сверхстехиометрический кадмий в междоузлиях, растворенный водород, галлий в состоянии замещения кадмия в решетке CdS. При этом суммарная концентрация доноров в растущем CdS должна

21 3 быть больше ~ 2-10 м" . В таком случае не возникает необходимости в генерации границ фаз, т.е. в пределах отдельных кристалликов, отделенных друг от друга внутренними и внешними границами фаз, а также разориентации одного кристаллика относительно других кристалликов с целью уменьшения энергии растущего кристалла до минимального значения.

Приведенные в работе результаты по получению пленок на слюде, гранях (111) Ge, GaAs и (0001) А12Оз, а также результаты по исследованию пленок, полученных в различных условиях, показывают, что осуществление реакции восстановления порошка CdS в водороде, могут быть получены образцы CdS совершенной монокристаллической структуры, их свойства можно изменять по ходу получения изменением общего давления водорода в системе, температур зоны тигля и подложки, введением в исходный порошок CdS донорной примеси и т.п.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Казимагомедов, Рустам Муртузалиевич, 2008 год

1. Кузьмина И.П., Никитенко В.П. Окись цинка. Получение и оптические свойства. - М.:Наука,1984-166с.

2. Hirschwald W.,Bonasewicz P., Ernst L. et al. Zinc oxide: Properties and behaviour of the bolk, the solid (vacuum and solid) gas interface Curr. Top. Mo-ter. Sci., 1981, vol.7, p.143-482.

3. Вест А. Химия твердого тела. Теория и приложения. 4.2./Под ред. акад. Ю.Д. Третьякова. -М.: Мир. 1998. 336с

4. Kleber W., Miodoch R. Uber die Synthese von Zinkit Einkristallen. - Krist. undTechn., 1966, Bd. 1, S.249-259.

5. Шаскольская М.П. Кристаллография. M.: Высш шк. 1976. С. 164-167.

6. Hirschwald W., Bonasewicz P., Ernst L. et al. Zinc oxide: Properties and behaviour of bulk, the solid (vacuum and solid) gas interface //Curr. Top. Mater. Sci. 1981. - V.7. -pp.143-482.

7. Heiland G., Molhvo E., Stockhmann E. Electronic processes in zinc oxide //Solid State Phys. 1959. - V.8. - pp.191-323.ry r

8. Георгобиани A.H. Широкозонные полупроводники А В и перспективы их применения //Успехи физ. наук. 1974. - Т.113. - С.129-155.

9. Краткая химическая энциклопедия. -М.: Сов энциклопедия. 1967. Т.5. 866 с.

10. Ю.Коффедат П. Отклонение от стехиометрии, диффузии и электропроводность в простых окислах металлов. -М.: Мир. 1995. 199 с.

11. И.Казимагомедов P.M., Гарунов А.И., Рабаданов М.Р. Зависимость интенсивности видимой люминесценции ZnO от совершенства его структуры и состава. // В сб.: Материалы III Всероссийской конференции по физической электронике. Махачкала, 2003. С 258-259.

12. Mollwo E., Z. Angew. Die Wirking von Walsertoff und die Leitfahigkeit und Luministent von Zinkoxyd cristallen //Ztchr. Phys. 1954. Bd.6. P. 257

13. Данлеп У. Введение в физику полупроводников. М : ИЛ. 1954.266. 430 с.

14. Нарои-Сабо Н. Неорганическая кристаллохимия. -Будапешт: АН Венгрии. 1969. С. 259-274.

15. Mariano A.N., Наппетап R.E. Crystallographic polarity of ZnO crystals // J. App. Phys. 1963. V. 34. № 2. P.364-388.

16. Третьяков Ю.Д Химия нестеохиометрических веществ. М.: МГУ. 1974. 70 с.

17. Hahn Е.Е., Russell B.R., Miller P. Н., Phys. Rev., 75, 1631 (1949).

18. Moeda K. Some characteristics of Zinc oxide phosphors // Bull. Chem. Soc: Jap. 1960. №4. P. 456-460.

19. Физико-химические свойства полупроводниковых соединений (справочник). М.: Наука. 1979. С. 49-50.2e.Tomas D.G. Lander Y.Y. Hydrogen as a donor in Zinc Oxide // J. Chem. Phys. 1956. V. 25. P. 1136-1132.

20. Иванов Г. А., Савицкая Я. С. О зависимости свойств монокристаллов окиси кадмия и окиси цинка от условий их выращивания из газовой фазы. — В кн.: Рост кристаллов. -М.: Наука. 1972. Т.9. С. 239-242.

21. Andress В. Uder die Lumineszenz und Absorption von ZnO-Kristallen // Ztsch. Phys. 1962. Bd. 170, № 1. S. 1-21.

22. HauffeK., Engell H.J., Z. Electrochem., 56, 366 (1952).

23. Рябова JJ.А., Савицкая Я.С., Шефталъ Р.Н. Получение ориентированных пленок окиси цинка //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1968. - Т.4. -С.602-603.

24. ЪХ.Реми Г. Курс неорганической химии. Под ред. А.В. Новоселовой. -М.: Мир. 1966. Т.2 467с.

25. Тимофеева В.А. Условия выращивания кристаллов AI2O3, ZnO, Са2Оз в кн.: Рост кристаллов. М.: Наука 1966. Т.6. С. 86-92.

26. ЪЪ.Дгшова-Алякова Д.И., Малое М.М., Дмитриев В.А. и др. Электрофизические свойства пленок окиси цинка, полученных окислением слоев цинка и селенида цинка //Тр. МЭИ, вып. 192: Электроника и радиотехника. 1974. -С.78-84.

27. ЪА.Шпилъкин А.Д., Магомедов З.А., Семилетов С.А. Гиперзвуковые преобразователи на основе пленок ZnO, полученных окислением селенида цинка //Изв. АН СССР. Сер.: Неорг. матер. 1981. - Т. 17, №6. - С.1004-1007.

28. Георгобиани А.Н., Бутхузи Т.В., Зада-Улы и др. Оптические свойства диэлектрических слоев оксида цинка //Неорган, материалы. — 1993. Т.29, №10. — С.1404-1407.

29. Ъв.Ьектапп H.W., Widmer R. Preffered Orientation in RF-sputtered ZnOFilms //Jap. J. Appl. Phys. 1974. - V.13, supp.2, part. 1. - pp.741-744.

30. Chubachi N., Minakata M., Kikuchi J. Physical Structure of DC Diode Sputtered ZnO Films and Its Influence on the Electromechanical Coupling Factors //Jap. J. Appl. Phys. 1974. - V.13, supp.2, part.l. -pp.737-740.

31. Жуков С.П., Киндяк В.В., Демченко А.И. Получение и свойства высокоориентированных пьезоэлектрических пленок оксида цинка на подложках из плавленного кварца //Неорган, материалы. 1994. - Т.30, №5. -С.710-712.

32. Ъ9.Бунарев В.И., Мочалов Б.Ф., Стрельцова Н.Н. и др. Экспериментальное исследование структурных свойств пленок ZnO, полученных магнетронным методом //Электронная техника. 1981. -№5(29). - С.35-38. ;

33. Гранкин И.М., Кальная Г.И., Гришина Н.М. Высокоориентированные пленки оксида цинка //Неорганические материалы. 1982. — Т. 18, №5. -С.820-824.

34. Yamazaki О., MitsuyuT., Wasa К. ZnO Thin-film SAW Devices //IEEE Trans. Son. Ultrason. 1980. - V.SU-27, №6. -pp.352-352.

35. Paradis E.L., Shuskus A.J. RF sputtered Epitaxial ZnO Films on Sapphire for Integrated Optics //Thin Solid Films. 1976. - V.38. -pp.131-141.

36. Шермегор Т.Д., Стрельцова H.H. Пленочные пьезоэлектрики. М.: Радио и связь, 1986. - 137 с.

37. Мочалов Б. Ф., Стрельцова Н.Н., Шермегор Т.Д. Получение пьезоэлектрических пленок ZnO методами ионно-плазменного распыления //Электронная техника, сер.6. 1979. - №11(136). - С.126-128.

38. АЭ.Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич А.В. Эпитаксиальные пленки соединений А2В6. -Ленинград: ЛГУ. 1978. 310 с.

39. Hickernell F.S. Low loss zinc oxide optical waveguides on amorphus substrates //Topical Meeting on Integr. and Guided Wave Optics. Nevada, 1980. -WB6.-pp.l-4.

40. Драпак И.Т. Выращивание монокристаллов и пленок окиси цинка. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1980. Т. 16. С. 362-384.

41. Аникин В.И., Зайцев С.В., Корольков В.И., Шевцов В.М. В кн.: Интегральная оптика. Физические основы. Приложения. Новосибирск: Наука, 1986. - С.52-58.

42. Аникин В.И., Шевцов В.М. Структура субмикронных поликристаллических пленок ZnO, выращенных на неориентирующих подложках //Письма в ЭТФ. 1989. - Т. 15, вып.З. — С. 1-5.

43. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов.-М.: 1961. С. 371-374.

44. Рабаданов Р.А., Семилетов С.А. Магомедов З.А. Структура и свойства монокристаллических слоев окиси цинка. // ФТТ. 1970. Т.12. С. 1431-1436.

45. Рабаданов Р.А., Семилетов С.А. Микроморфология и особенности роста эпитаксиальных пленок окиси цинка на слюде. // Кристаллография, 1971. Т. 16. С. 1012-1017.

46. Shiosaki Т., Ohnishi S., Kawabata A. Optical Properties of Single Crystalline ZnO Films Smoothly Chemical-vapour Deposited on Intermediately Sputtered Thin ZnO Film on Sapphire //J. Appl. Phys. 1979. - V.50, №5. - pp.31133117.

47. Гиваргизов Е.И., Лиманов А.Б. Искусственная эпитаксия: новые факты и новые механизмы //Сб. "Рост кристаллов". -М.: Наука, 1986. — Т.15. С.5-13.

48. Александров J1.H. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники. — Новосибирск: Наука, 1977. 248 с.

49. Rasmanis Е. Thin film p-n junction silicon devices //Semicond. Products and Sol. St. Technol. 1963. - V.6, № 7. -pp.30-33.

50. Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. -М.: Высш. шк. 1970. С. 459-462.

51. Рабаданов Р.А. Получение и исследование эпитаксиальных пленок окиси цинка. Диссерт. На соиск. учен. ст. канд. физ-мат. наук Институт кристаллографии имни А.В. Шубникова. -М.: 1972. 186с.

52. Леонова В. Ф. Термодинамика. -М.: Высш. шк. 1968. 158с.

53. Невъянцева P.P., Кидиячов Б.И., Строителев С. А., Пасъко П.Т. Исследование кристаллизации цинка из газовой фазы — В кн. Механизм и кинетика кристаллизации. Минск.: Наука и техника, 1969. С. 123-132.

54. Ккдичов Б.И., Кутузов A.M., Пасъко П.Т. Термодинамический анализ процесса синтеза кристаллов цинкита из газовой фазы в системе ZnO — НС1 Н20. В кн.: Физика и химия сложных полупроводников. Кишинев.: Штиинца. 1975. С. 108-115.

55. Heiland G. , Kustman Р and Prister Н. Polorc Eigenschoften von Zincoxyd kristallen // Ztsch. Phys. 1963. V. 176. P. 483 497.

56. Краткая химическая энциклопедия. -M.: Сов энциклопедия. 1967. Т.5. 866 с.

57. Корапетъянц А.А. Химическая термодинамика. -М.: Химия. 1975. 584с.1в.Свелин Р.А. Термодинамика твердого состояния. Пер. с англ. -М.: Мета-лургия. 1968. 316с.

58. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ (Справочник). -М.: Наука. 1939. С. 45.1%.Казимагомедов P.M., Гарунов А.И., Рабаданов М.Р. Электрические и оптические свойства гетероструктуры на базе ZnO .//Be стник ДГУ. Науки. 2002. С 28-.

59. Mariano A. N., Hanneman R.E. Crystallographic polarity of ZnO crytstals // J. Appe. Phys. 1963. V. 34. N 2. P. 364 388.

60. Лотт К. Изменение в структуре дефектов в результате прессования и последующего отжига таблеток соединений А В // Тр. Таллин. Политехи, ин-та. 1972. N323. С. 1132.

61. ЪХ.МаккейК. Водородные соединения металлов. -М.: 1968. 244с.

62. Малое М.М., Кутепова В.П. Оптические свойства порошков окиси цинка //ЖПС. 1979. Т. 30. С. 124-136.

63. S3.Рид Р., Шервуд Т. Свойства газов и жидкостей. 2-е издание. -JL: Химия. 1977. 408с.

64. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. -JL: Наука 1972. С. 21-25.8Ъ.Бутхузи Т.В., Георгобиани А.Н., Зада-Улы и др. Люминесценция монокристаллических слоев оксида цинка //Тр. физ. Инст-та им. П. Н. Лебедева. 1987. Т. 182, С.140-187.

65. Полупроводники. Под ред. Н.Б. Хеннея. М.: ИЛ. 1962. 667с.

66. Технология тонких пленок. Справочник. Под ред. Л.Майссела, Р. Глэнга. Перевод с английского. М.: Советское радио. 1977.Т. 1. С 96, 116.

67. Сангвал К. Травление кристалов. Теория, эксперимент, применение. Пер. с англ. -М.: Мир. 1990. 492с.

68. Технология тонких пленок. Справочник. Под ред. Л.Майссела, Р. Глэнга. Перевод с английского. М.: Советское радио. 1977.Т. 2. С 132.

69. Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам. Под ред. Шалимовой К. В. М.\ Высшая школа. 1968. С 136.

70. Магомедов З.А. Получение и исследование текстурированных пленок CdS. Канд.дис. Институт кристаллографии АН СССР -М.: 1968.

71. P. Н. Wendland, J. Opt. Soc. Am., 52, 581 (1962), Русский перевод «Напыленные пленки CdS».

72. Семшетов С. А., Кристаллография, 1,304 (1956).

73. Шалимова К. В., Андрушко А. Ф., Дмитриев В. А., Павлов Л. П., Кристаллография, 8, 618 (1963); 9, 340 (1964).

74. Исмаклов А. М Совершенство структуры и свойства пленок оксида цинка, получаемых ионным распылением. Дисерт. На соиск. учен. ст. канд. физмат. наук —Дагестанский государственный университет имни. В. И. Ленина Max.: 2002. 86с.

75. Корякин Ю.В., Ангелов И.И. Чистые химические вещества. Руководство по приготовлению неорганических реактивов и препаратов в лабораторных условиях. М.: Химия. 1974. С. 400-401.

76. Reisman A., Berkenblit В., Chan S.A., Angillo J. The epitaxial of ZnO on sapphire AgAl spinel using the varor phase reaction of ZnO and — H20. // J. Ele-tron mater. 1973. Vol 2. №2 P. 177-189.

77. Физико-химические свойства полупроводниковых соединений (справочник). М.: Наука. 1979. С. 49-50.

78. Казгшагомедов P.M., Рабаданов М.Р Изготовление структур типа ме-талл-ZnO и измерение их параметров. // В сб тезисы докладов X Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых Москва, 2004. С 182.

79. Казгшагомедов P.M., Гарунов А.И., Рабаданов М.Р Электрические и оптические свойства гетероструктуры CdS ZnO. // В сб тезисы докладов IX Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых Красноярск, 2003. С

80. Казгшагомедов P.M., Рабаданов М.Р Изготовление и свойства гетеро-структур на основе оксида цинка. //В сб тезисы докладов X Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых Москва, 2004. С 181.

81. Венер Р. Термохимические расчеты. М.: ИЛ. 1950. 470с.

82. Чернов А. А. Процессы кристаллизации (Современная кристаллография). М.: Наука. 1980. Т. 3. С. 8-232.9 Л

83. Физика и химия соединений А В / Пер. с англ. Под. ред. проф. С. А. Медведева. М.: Мир. 1970. 626 с.

84. Лейерзон М. С. Синтетическая слюда. М.: 1963. 177 с.

85. Семшетов С. А. Структура и физические свойства тонких пленок некоторых полупроводников. Дис. док. физ. мат. наук. ИК АН СССР. М.: 1969. 360 с.

86. Калинкин И. П., Алесковский В. Б., Симашкевич А. В. Эпитаксиальные пленки соединений А2В6. Ленинград: ЛГУ. 1978. 310 с.

87. Рабаданов Р. А., Семилетов С. А., Багомедова А. М. Свойства монокристаллических слоев ZnO // Кристаллография. 1974. Т. 19. N 4. С. 850 853.

88. Шефер Г. Химические транспортные реакципи. -М.: ИЛ. -1964. 170с.

89. Ламперт М., Марк П. Инжекционные точки в твердых телах. М.: Мир. 1973.416 с.

90. Сенокосов Э. А., Усатый А. Н. Монокристаллические пленочные гетеропереходы ZnTe CdTe // ФТП. 1978. Т. 12. N5. С. 973 - 977.