Совершенство структуры и свойства пленок оксида цинка, получаемых ионным распылением тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Исмаилов, Абубакар Магомедович

• Исмаилов, Абубакар Магомедович
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Исмаилов, Абубакар Магомедович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. Литературный обзор.

1.1. Общая характеристика оксида цинка.

1.2. Методы получения ориентированных и монокристаллических слоев и пленок ZnO.

1.3. Зависимость структурного совершенства и свойств пленок ZnO от условий получения.

1.4. Методы получения ориентированных слоев и пленок на неориентирующих подложках.

1.5. Особенности кристаллизации оксида цинка и постановка задачи.

ГЛАВА II. Методика эксперимента.

2.1. Описание установки для получения пленок ZnO магнетронным методом.

2.2. Методика подготовки подложек и изготовления мишеней ZnO.

2.3. Оценка совершенства структуры и определение ориентации пленок ZnO методом дифракции быстрых электронов

ГЛАВА III. Одноосная эпитаксия оксида цинка на поверхности аморфной структуры. Условия и механизм формирования одноосно-эпитаксиальных и эпитаксиаль-ных пленок ZnO.

3.1. Зависимость совершенства структуры пленок ZnO на аморфной поверхности от условий получения.

3.2. Одноосная эпитаксия оксида цинка на аморфной поверхности.

3.3. Механизм формирования пленки ZnO одноосно-эпитаксиальной структуры.

3.4. Особенности роста эпитаксиальных пленок ZnO на подложках из монокристаллического сапфира.

Выводы.

ГЛАВА IV. Зависимость электрических и оптических свойств пленок оксида цинка от условий получения.

4.1. Свойства межзеренных границ в ZnO.

4.2. Зависимость удельного сопротивления пленок ZnO от условий получения.

4.3. Зависимость фотоэлектрических свойств пленок ZnO от условий получения.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Совершенство структуры и свойства пленок оксида цинка, получаемых ионным распылением»

Актуальность темы. Монокристаллы и тонкие пленки оксида цинка обладают уникальными физико-химическими свойствами: анизотропная кристаллическая структура, нестехиометрический состав соединения, полупроводниковые свойства при большой ширине запрещенной зоны, люминесцентные свойства, фотопроводимость, фотовольтаические и фотохимические свойства, высокая отражательная способность в видимой области спектра и сильное поглощение в ультрафиолетовой области спектра, каталитическая активность, лазерный и электрооптический эффект, сильный пьезо- и пиро-эффект, низкий коэффициент линейного расширения и т.д. Благодаря такому разнообразию свойств он нашел широкое применение в микро-, опто-, аку-стоэлектронике, космической технике, производстве люминофоров, катализаторов, детекторов газов и др. Среди пьезополупроводниковых материалов, используемых в настоящее время в акустоэлектронике, лучшим является оксид цинка, поскольку он обладает высоким значением коэффициента электромеханической связи (наивысшее значение среди известных пьезополу-проводников К=0,41 для продольной волны), который определяет эффективность преобразования электромагнитной энергии в упругую, и обратно. Во многих фундаментальных исследованиях оксид цинка стал "модельным" материалом, позволяющим разобраться в различных явлениях физики и химии твердого тела, его поверхности.

К проблеме синтеза монокристаллов и монокристаллических слоев и пленок ZnO исследователи подходили исходя из опыта кристаллизации других соединений. Однако такой подход не приводил к решению проблемы: удавалось получать и исследовать свойства лишь небольших кристаллов и пленок ZnO, полученных в слабо контролируемых условиях.

В работе [19] теоретическими и экспериментальными исследованиями установлено, что известные трудности получения ZnO в монокристаллическом состоянии с воспроизводимыми свойствами обусловлены анизотропией его структуры. Показано, что для ZnO стехиометрического состава более естественно нахождение в поликристаллическом состоянии и для реализации монокристаллического состояния требуется уменьшение величины потенциала взаимодействия между подслоями ионов цинка и кислорода двойных слоев его структуры, параллельных плоскости базиса. Такая цель в этой работе достигнута введением в растущий кристалл донорной примеси для частичной компенсации электростатических полей взаимодействия подслоев ионов цинка и кислорода. Для выполнения данного условия суммарная кон

Л 1 Л центрация доноров в растущем ZnO должна быть не меньше 2-10 м" .

Большое количество публикаций посвящено получению пленок ZnO методами ионного распыления (диодным, триодным, магнетронным). В основном усилия технологов были направлены на получение высокоомных пленок ZnO как можно с меньшим углом разориентации кристаллитов в пленке, поскольку с уменьшением этого параметра возрастает коэффициент электромеханической связи. Из анализа литературных данных следует:

- Интервал температуры подложки высокоориентированного роста пленок у разных авторов меняется в широких пределах (200-400 °С), минимальное значение угла разориентации кристаллитов равно 1,5°.

- Ухудшение структурного совершенства пленок с ростом скорости осаждения. Максимальная скорость в магнетронной системе не превышает 2,5 нм/с для гекстурированных пленок и 0,3 нм/с - для эпи-таксиальных.

- Противоречивость результатов разных авторов о зависимости структуры от условий получения и не однозначное их объяснение.

Данные факты явно указывают на еще недостаточное понимание всех процессов, происходящих в катодных распылительных системах, включая процессы формирования структуры самих пленок ZnO.

Практически отсутствуют в литературе сообщения о фотоэлектрических свойствах пленок ZnO, хотя во многих работах сообщается о получении пленок с высоким удельным электрическим сопротивлением (р>1010 Ом-см).

Актуальной на сегодняшний день является одна из важнейших проблем кристаллизации: получение ориентированных (в том числе монокристаллических) пленок на неориентирующих подложках. В этом направлении наибольшее распространение получили различные варианты искусственной эпи-таксии. Наряду с этим предложены и другие подходы, которые отличаются способами обеспечения ориентации. Уровень разработанности у этих подходов различен: одни из них уже близки для реализации на практике, а другие могут рассматриваться лишь в плане отдаленной перспективы. Предложение нового подхода (метода) было бы ценным дополнением к известным методам, особенно, если он совместим с планарной технологией микроэлектроники.

Цель работы. Уменьшение величины потенциала взаимодействия между подслоями ионов цинка и кислорода в структуре ZnO можно обеспечить также непрерывной зарядкой растущей поверхности пленки (цинковой стороны) отрицательным зарядом. Данная работа посвящена реализации указанной возможности при получении пленок ZnO в магнетронной системе распыления. Известно, что диэлектрик (или изолированный проводник) помещенный в плазму заряжается отрицательно до определенного, так называемого, плавающего потенциала. С учетом сказанного выше конечной целью данной работы является разработка технологии получения высокоориентированных высокоомных пленок ZnO с учетом его структурной особенности и исследование их электрических и оптических свойств в зависимости от условий получения.

Выбор материала и объекта исследований. Оксид цинка среди соедине

О f\ ний группы А В является наиболее перспективным для изготовления элементов опто-и акустоэлектроники. На основе оксида цинка создаются источники и приемники света, пьезоэлектрические преобразователи, датчики и усилители акустических колебаний, устройства управления интенсивностью оптических пучков, оптические пленочные волноводы, системы записи и хранения информации. Очевидно, что наилучшим решением проблемы получения пленок ZnO с необходимыми свойствами является выбор технологии, обеспечивающей их получение по ходу осаждения. Отработка такой технологии обладала бы несомненным преимуществом для серийного производства приборов, в которых оптические, акустические, полупроводниковые компоненты сочетаются в единое целое, образуя модуль обработки сигналов сложной природы. Предельные возможности разрядных методов распыления для улучшения параметров пленок ZnO еще полностью не исчерпаны. Поэтому в качестве материала исследований был выбран оксид цинка, а объектом исследований - механизм влияния плавающего потенциала подложки на процессы формирования структуры, электрические и оптические свойства пленок ZnO, получаемых магнетронным распылением.

Научная новизна работы заключается в том, что впервые осуществлен процесс кристаллизации оксида цинка в магнетронной системе распыления с учетом кристаллохимической особенности его структуры. Экспериментально обоснована правомерность использования отрицательного потенциала Un, до которого заряжается подложка в системе в качестве технологического параметра, наиболее сильно определяющего совершенство структуры и свойства пленок. В ходе выполнения работы получены следующие результаты.

1. Впервые на аморфных подложках получены пленки ZnO с равным нулю углом аксиальной разориентации кристаллитов. Такой структуры пленки предложено называть одноосно-эпитаксиальными, дополняя классификацию ориентаций, предложенных Бауэром [51].

2. Установлено, что технологическими параметрами, наиболее сильно определяющими структурное совершенство пленок, являются отрицательный потенциал на подложке и ее температура. В координатной плоскости Tn-Un этих параметров определена двумерная область роста одноосно-эпитаксиальных пленок ZnO: Тп=500-700 °С; Un=9-12 В.

3. Предложены два метода реконструкции поверхности (0001)А1203. Получены эпитаксиальные пленки ZnO на реконструированной поверхности (0001)А1гОз и (112 0) А1203. При этом базисная плоскость (OOOl)ZnO растет параллельно поверхности подложки.

4. Впервые получены нелегированные фоточувствительные пленки ZnO (при освещенности В=100 Вт/м сопротивление образцов падает на 4-5 порядков без их дополнительной термообработки после получения).

Практическая и теоретическая значимость. Определены оптимальные технологические параметры осуществления процесса получения одноосно-эпитаксиальных и эпитаксиальных пленок ZnO, структура и свойства которых позволяют использовать их в различных приборах опто-и акустоэлек-троники, при создании фоторезисторов, пьезопреобразователей, оптических волноводов и т.д. Предложены два метода целенаправленной реконструкции поверхности монокристаллического сапфира, причем, при одном из них есть возможность выбора (подбора) параметров структуры поверхности на определенном этапе ее реконструкции. Данным способом реконструированную поверхность (0001)А1203 удается использовать в качестве подложки при получении эпитаксиальных пленок других полупроводниковых соединений.

Наш подход к кристаллизации вещества и установленные в работе закономерности формирования структуры пленок могут быть использованы в ионно-плазменных методах получения пленок других соединений. В первую очередь, это касается веществ с вюрцитной структурой, таких как BeO, GaN, A1N, InN и др., которые легко могут быть получены реактивным распылением соответствующих металлов, что подтверждено нами в процессе работы и в этом направлении.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Разработка технологии получения одноосно-эпитаксиальных пленок ZnO на аморфной поверхности с большими скоростями роста (до 7 нм-с"1).

2. Доказательство того, что отрицательный потенциал Un на подложке является технологическим параметром, оказывающим влияние на степень совершенства структуры пленок, как на начальном этапе формирования пленки, так и при последующем ее росте.

3. Установление области роста одноосно-эпитаксиальных пленок ZnO в плоскости технологических параметров Tn-Un: Тп=500-700 °С, Un=9-12 В.

4. Объяснение физического механизма формирования двумерной кристаллической решетки на начальном этапе роста пленки.

5. Установление причин отсутствия эпитаксии ZnO на чистой поверхности (0001)А1203 и разработка двух способов реконструкции этой поверхности в целях осуществления эпитаксии на ней. Осуществление процесса получения эпитаксиальных пленок ZnO базисной ориентации на поверхности (112 0)А12Оз и реконструированной поверхности (0001)А1203.

6. Получение фоточувствительных пленок ZnO и установление того, что эти свойства определяются межкристаллитной областью одноосно-эпитаксиальной структуры пленок.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на: Всероссийской конференции "Физика межфазных явлений и процессов взаимодействия потоков энергий с твердыми телами" (Нальчик, 1995, 1998); Международной конференции "Фазовые переходы и критические явления в конденсированных средах" (Махачкала, 1998); Всероссийской конференции по физической электронике "ФЭ-99" (Махачкала, 1999); Международной конференции, посвященной 275-летию РАН и 50-летию ДНЦ РАН (Махачкала, 1999); Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Екатеринбург, 1999); IX Национальной конференции по росту кри

10 сталлов (Москва, 2000); Ежегодных конференциях профессорско-преподавательского состава физического факультета Даггосуниверситета 1995-2000 гг.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 11 работ.

Структура и объем и диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 137 наименований. Общий объем составляет 134 страниц, включая 33 рисунка.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Исмаилов, Абубакар Магомедович

Выводы

1. На основе электронографического анализа дифракционных картин установлено, что область (в плоскости Tn-Un) одноосно-эпитаксиального роста пленок ZnO можно условно разделить на три подобласти: а) область со столбчатой формой кристаллитов и с меньшей протяженностью межкристал-литной границы (2-3 параметра решетки); б) область с пластинчатой формой кристаллитов и со значительной шириной межкристаллитной границы; в) большая область плавного перехода от столбчатой формы кристаллитов к пластинчатой. Поскольку в пленках ZnO отсутствуют межкристаллитные потенциальные барьеры, то для описания электрических и оптических свойств использована модель, которая основана на неоднородном проводнике, состоящем из последовательно соединенных однородных (электрически и структурно) областей высокой (кристаллиты) и низкой (межкристаллитная область) проводимости.

2. Межкристаллитные границы в пленке в области роста а) имеют протяженность 2-3 параметров решетки и перпендикулярны подложке. Носители заряда пересекая их перпендикулярно не испытывают заметного рассеяния, т.е. доминирующую роль в механизме проводимости играют не межкристаллитные границы, а внутрикристаллитные свойства ZnO. Удельное сопротивление в этой области, равное ~ 1 Ом-см, принимается за значение объемного удельного сопротивления кристаллита. В области б) сопротивление пленки определяется межкристаллитной областью (р=106 Ом-см). Вне области роста одноосно-эпитаксиальных пленок с увеличением угла аксиальной разориентации кристаллитов рост удельного сопротивления пленок продолжается.

3. Максимальной фоточувствительностью обладают пленки ZnO с пластинчатой формой кристаллитов (область б). С уменьшением межкристаллитного объема в общем объеме пленки фоточувствительность падает. Фоточувствительность падает также и при увеличении аксиальной разориентации кристаллитов, при котором более сильно искажена межкристаллитная область, хотя при этом сопротивление пленок, наоборот, возрастает. Исходя из этих фактов сделано заключение о том, что за фотоэлектрические свойства ответственна межкристаллитная область одноосно-эпитаксиальных пленок (но не поликристаллических !). Кристаллографически структуру межкристаллитной области представляется в виде семейства плоскостей (hkO), перпендикулярных подложке, которые и обеспечивают сопряжение между собой тоже перпендикулярных к подложке (осью С)

117 азимутально разориентированных кристаллитов в одноосно-эпитаксиальных пленках и азимутально ориентированных - в эпитаксиальных пленках. В последнем случае межкристаллитная область должна быть более упорядоченной для сохранения азимутальной ориентировки между кристаллитами.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Исходя из кристаллохимической особенности структуры ZnO, разработана воспроизводимая технология получения высокоомных одноосно-эпитаксиальных и эпитаксиальных пленок ZnO.

2. Впервые установлено, что плавающий потенциал на подложке Un, до которого она заряжается в системе, является технологическим параметром, от которого наиболее сильно зависит структурное совершенство пленок. Экспериментально установлено существенное влияние этого параметра как на начальную стадию формирования структуры пленки, так и на ее последующий рост.

3. Предложен физический механизм формирования двумерной кристаллической решетки на начальном этапе роста пленки. Зарядка поверхности электронами приводит к образованию на поверхности подложки двумерной системы, состоящей из отрицательных ионов кислорода. Каждый ион этой системы связан с поверхностью нормальной силой, а между самими ионами действуют тангенциальные силы, которые определяют их взаимную координацию. Таким образом возникает двумерно ориентированная решетка, являющаяся основой для кристаллизации следующих осаждающихся слоев.

4. Температура и потенциал подложки являются технологическими параметрами, которые определяют механизм формирования эпитаксиальных и одноосно-эпитаксиальных пленок ZnO. Определена область одноосно-эпитаксиального роста в плоскости этих параметров Tn-Un: Тп=500-700 °С, Un=9-12 В.

5. Предложены два способа реконструкции поверхности (ОСКЩАЬОз. При одном из них имеется возможность подбора параметров структуры поверхности на определенном этапе ее реконструкции, что позволяет использовать такую поверхность и для осаждения пленок других соединений. Осуществлено получение эпитаксиальных пленок ZnO на реконструированной поверхности (0(Ю1)А12Оз и на (112 0)А1203.

6. За исключением начального этапа зарождения, обусловленного монокристалличностью подложки, все особенности последующего роста и зависимости степени совершенства структуры эпитаксиальных пленок (переход текстура «-» монокристалл, тяжи дифракционных рефлексов) от условий получения аналогичны особенностям роста одноосно-эпитаксиальных пленок ZnO на аморфной поверхности. Эпитаксиальная область роста пленок ZnO совпадает с областью роста одноосно-эпитаксиальных пленок.

7. Скорость роста эпитаксиальных и одноосно-эпитаксиальных пленок доходит до 7 нм/с и ограничена тепловой мощностью, выдерживаемой мишенью: распыляемая мишень ZnO разрушается при больших токовых нагрузках.

8. Основываясь на электронографическом анализе дифракционных картин объем пленки можно разделить на объем связанный с кристаллитами, и на объем, связанный с межкристаллитной областью. Поскольку в пленках ZnO отсутствуют межкристаллитные потенциальные барьеры, то для описания электрических и оптических свойств использована модель, которая основана на неоднородном проводнике, состоящем из последовательно соединенных однородных (электрически и структурно) областей высокой (кристаллиты) и низкой (межкристаллитная область) проводимости.

9. Получены эпитаксиальные и одноосно-эпитаксиальные пленки: а) со столбчатой формой кристаллитов и меньшей протяженностью межкристаллитной границы; б) с пластинчатой формой кристаллитов и значительной долей межкристаллитной области. Удельное сопротивление в случае а), равное ~1 Ом-см, принимается за значение объемного удельного сопротивления кристаллитов. В случае б) сопротивление определяется межкристаллитной областью и равно 06 Ом •см.

10. Максимальной фоточувствительностью обладают пленки ZnO с пластинчатой формой кристаллитов (случай б). Фоточувствительность падает с уменьшением межкристаллитного объема и увеличением аксиальной разориентации кристаллитов. Исходя из этого сделано заключение о том, что фотоэлектрические свойства определяются межкристаллитной областью одноосно-эпитаксиальных и эпитаксиальных пленок ZnO.

Наш опыт работы показывает, что задача кристаллизации вещества должна быть решена с учетом кристаллохимической особенности ее структуры, а сам процесс осаждения должен быть проведен с максимальной активацией окислительно-восстановительных реакций на атомарно-молекулярном уровне. Данное заключение может быть полезным при планировании эксперимента по получению пленок, поскольку оптимальные условия для нанесения пленок определяются, как правило, эмпирически. В плазменных методах получения пленок, в первую очередь, следует обращать наибольшее внимание на плавающий потенциал подложки для возможного рассмотрения его как технологического параметра.

Получение пленок со структурой одноосной эпитаксии может представлять определенный интерес для более общей проблемы кристаллизации: ориентированный (в том числе и монокристаллический) рост пленок на не-ориентирующих подложках.

В научном аспекте интерес связан с тем, что предложенные нами механизмы могут проливать дополнительный свет на ряд фактов и явлений кристаллизации в целом. Мы не исключаем также возможность пересмотра некоторых известных представлений о начальных стадиях формирования пленки. В практическом аспекте одноосную эпитаксию следует рассматривать как новый технический метод дополнительно к известным другим методам управления процессами кристаллизации пленок на аморфных подложках, интерес к которым представляется, по меньшей мере, с трех точек зрения: в связи с расширением круга "подложечных" материалов; возможность комбинирования различных материалов (полупроводниковых, магнитных, пьезо- и сегнетоэлектрических и др.), служащих активными средами для так называемых функциональных схем в едином ("монолитном") исполнении; возможность удешевления производства микросхем и других устройств путем ис

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Исмаилов, Абубакар Магомедович, 2000 год

1. Кузьмина И.П., Никитенко В.Н. Окись цинка. Получение и оптические свойства. - М.: Наука, 1984. - 166 с.

2. Kleber W., Mlodoch R. Uber die Synthese von Zinkit-Einkristallen //Krist. und Techn. 1966. - Bd.l. - pp.249-259.

3. Герасимов Я.И., Крестовников А.А., Шахов A.C. Химическая термодинамика в цветной металлургии. М.: Энергия, 1960. - Т. 1. - 61 с.

4. Patey D.R. Mineral specimen N 121 zincite //Mine and quarry enginering. -1963. - Y.29. -pp.430-431.

5. Hirschwald W., Bonasewicz P., Ernst L. et al. Zinc oxide: Properties and behaviour of bulk, the solid (vacuum and solid) gas interface //Curr. Top. Mater. Sci. 1981. - V.7. -pp.143-482.

6. Heiland G., Mollwo E., Stockhmann E. Electronic processes in zinc oxide //Solid State Phys. 1959. - V.8. - pp.191-323.

7. Георгобиани A.H. Широкозонные полупроводники А В и перспективы их применения //Успехи физ. наук. 1974. - Т. 113. - С. 129-155.

8. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969. - 654 с.

9. Никитенко В.А. Оптические свойства монокристаллов окиси цинка, полученных различными методами газотранспортных реакций: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. М.: МИСиС, 1975. - 18 с.

10. Димова-Алякова Д.И. Электрофизические свойства пленок окиси цинка, полученных разными методами. Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. М.: МИСиС, 1974.-21 с.

11. Brown Н.Е. Zinc oxide: Properties and applications. N. Y.: Pergamon press, 1976.-112 p.

12. Hutson A.R. Hall effect of doped zinc oxide single crystals //Phys. Rev. -1957. -V. 108. -pp.222-230.

13. Garrett C.G.B. The electron as a chemical entity //Adv. Electron, and Electron. Phys. 1961. - V.14. -pp.1-35.

14. Bogner G. Messungen Der Electrschen Leitfahigkeit und des Halleffects An ZnO-Kristallen und Ihre Deutung durch Storbander //J. Phys.Chem. Solids. -1961. V.19. -pp.235-250.

15. Рябова JI.A., Савицкая Я.С., Шефталь P.H. Получение ориентированных пленок окиси цинка //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1968. - Т.4. - С.602-603.

16. Димова-Алякова Д.И., Малов М.М., Дмитриев В.А. и др. Электрофизические свойства пленок окиси цинка, полученных окислением слоев цинка и селенида цинка //Тр. МЭИ, вып. 192: Электроника и радиотехника. 1974. - С.78-84.

17. Шпилькин АД., Магомедов З.А., Семилетов С.А. Гиперзвуковые преобразователи на основе пленок ZnO, полученных окислением селенида цинка //Изв. АН СССР. Сер.: Неорг. матер. 1981. - Т.17, №6. - С.1004-1007.

18. Георгобиани А.Н., Бутхузи Т.В., Зада-Улы и др. Оптические свойства диэлектрических слоев оксида цинка //Неорган, материалы. 1993. -Т.29, №10.-С.1404-1407.

19. Рабаданов Р.А. Получение, реальная структура, некоторые объемные и поверхностные свойства монокристаллического оксида цинка. Дис. . докт. физ.-мат. наук. Махачкала, 1997. - 358 с.

20. Lehmann H.W., Widmer R. Preffered Orientation in RF-sputtered ZnOFilms //Jap. J. Appl. Phys. 1974. - V.13, supp.2, part.l.-pp.741-744.

21. Chubachi N., Minakata M., Kikuchi J. Physical Structure of DC Diode Sputtered ZnO Films and Its Influence on the Electromechanical Coupling Factors //Jap. J. Appl. Phys. 1974. - V.13, supp.2, part.l. - pp.737-740.

22. Жуков С.П., Киндяк В.В., Демченко А.И. Получение и свойства высокоориентированных пьезоэлектрических пленок оксида цинка на подложках из плавленного кварца //Неорган, материалы. 1994. - Т.ЗО, №5. -С.710-712.

23. В.И. Бунарев, Б.Ф. Мочалов, Н.Н. Стрельцова и др. Экспериментальное исследование структурных свойств пленок ZnO, полученных магнетрон-ным методом//Электронная техника. 1981. - №5(29). - С.35-38.

24. К. Tominaga, S. Iwamura, I. Fujita et al. Influence of Bombardment by Energetic Atoms on c-Axis Orientation of ZnO Films //Jap. J. Appl. Phys. -1982. V.21, №7. - pp.999-1002.

25. Лютович A.C. Ионно-активированная кристаллизация пленок. Ташкент, 1982.-148 с.

26. Гранкин И.М., Кальная Г.И., Гришина Н.М. Высокоориентированные пленки оксида цинка //Неорганические материалы. 1982. Т.18, №5. — С.820-824.

27. Miura М. Crystallographic Character of ZnO Thin Films Formed at Low Sputtering Gas Pressure //Jap. J. Appl. Phys. 1982. - V.21, №2. - pp.264-271.

28. Дьяконова Н.И., Евдосеева И.А., Тихонов C.K., Хабаров С.Э. О структурных и пьезоэлектрических свойствах пленок окиси цинка //Письма в ЖТФ. 1989. - Т. 15, вып.6. - С.11 -15.

29. Yamazaki О., MitsuyuT., Wasa К. ZnO Thin-film SAW Devices //IEEE Trans. Son. Ultrason. 1980. - V.SU-27, №6. - pp.352-352.

30. Paradis E.L., Shuskus A.J. RF sputtered Epitaxial ZnO Films on Sapphire for Integrated Optics//Thin Solid Films. 1976. - V.38. -pp.131-141.

31. Шермегор Т.Д., Стрельцова H.H. Пленочные пьезоэлектрики. М.: Радио и связь, 1986. - 137 с.

32. Мочалов Б.Ф., Стрельцова Н.Н., Шермегор Т.Д. Получение пьезоэлектрических пленок ZnO методами ионно-плазменного распыления //Электронная техника, сер.6. 1979. - №11(136). - С.126-128.

33. Wasa К., Hayakawa S. Spesial Features of Thin Compound Films Prepared by Magnetron Sputtering //Surface Science. 1979. - Y.86. - pp.300-307.

34. Hickernell F.S. Low loss zinc oxide optical waveguides on amorphus substrates //Topical Meeting on Integr. and Guided Wave Optics. Nevada, 1980.-WB6.-pp.l-4.

35. Аникин В.И., Зайцев C.B., Корольков В.И., Шевцов В.М. В кн.: Интегральная оптика. Физические основы. Приложения. Новосибирск: Наука, 1986. -С.52-58.

36. Аникин В.И., Шевцов В.М. Структура субмикронных поликристаллических пленок ZnO, выращенных на неориентирующих подложках //Письма в ЭТФ. 1989. - Т.15, вып.З. - С.1-5.

37. Shiosaki Т., Ohnishi S., Kawabata A. Optical Properties of Single Crystalline ZnO Films Smoothly Chemical-vapour Deposited on Intermediately Sputtered Thin ZnO Film on Sapphire //J. Appl. Phys. 1979. - V.50, №5. -pp.3113-3117.

38. Гиваргизов Е.И. Искусственная эпитаксия перспективная технология элементной базы микроэлектроники. -М.: Наука, 1988. - 176 с.

39. Гиваргизов Е.И., Лиманов А.Б. Искусственная эпитаксия: новые факты и новые механизмы//Сб. "Рост кристаллов". М.: Наука, 1986.-Т.15. - С.5-13.

40. Александров Л.Н. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники. -Новосибирск: Наука, 1977. -248 с.

41. Rasmanis Е. Thin film p-n junction silicon devices //Semicond. Products and Sol. St. Technol. 1963. - V.6, № 7. -pp.30-33.

42. Kwisera P., Reif R. Solid phase epitaxial recrystallization of thin polysilicon films amorphized by silicon ion implantation //Appl. Phys. Lett. 1982. -V.41, №4. -pp.379-381.

43. Рабаданов P.А., Рабаданов M.P., Исмаилов A.M., Темиров A.T. Особенности кристаллизации оксида цинка // Материалы Всероссийской конференции по физической электронике. Махачкала: 1999. - С.214-216.

44. Рабаданов Р.А., Исмаилов A.M. Стимулирование эпитаксиального роста тонких пленок электронным облучением //Физика межфазных явлений ипроцессов взаимодействия потоков энергий с твердыми телами Тез. докл Всерос конф я Нальчик С. 116-117.

45. В АЛабунов Н Щанилович А (Уксусов В Минайчев Современные магнетронные распылительные устройства //Зарубежная электронная техника я я Вып я С

46. Данилин Б С Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок я М Энергоатомиздат я с

47. Миркин JI И Справочник прентгеноструктурному анализу поликристаллов я М Физматгиз я с

48. Горелик С С Расторгуев JI СЫаков Ю А Рентгенографический и электронографический анализ я М Металлургия я с

49. Эндрюс К Дайсон ДСиоун С Электронограммы и их интерпретация я М Мир я с

50. Хирш П Хови А Пэшли Д Уэлан М Электронная микроскопия тонких кристаллов я М Мир я с

51. Рабаданов Р А Рабаданов М Р Исмаилов А М Алиев И Ш 3 А Влияние условий термообработки и природы металла на процесс формирования и свойства структуры типа Me-ZnO //Вестник ДГУ Естественные науки я Махачкала ИПЦ ДГУ я нып я С

52. Рабаданов Р А Рабаданов М Р Исмаилов А М Ал^бд^йаеШ X М Механизм и условия формирования омического контакта монокристаллическому оксиду цинка Вестник ДГУ Естественные науки я Махачкала ИПЦ ДГУ я вып я С

53. Павлов JI П Методы измерения параметров полупроводниковых материалов я М Высшая школа я с

54. Бауэр Э. Рост ориентированных пленок на аморфных поверхностях.- В кн.: Монокристаллические пленки. /Пер. с англ, под ред. З.Г. Пинскера. -М.: Мир, 1966. С.58-90.

55. Исмаилов A.M., Рабаданов М.Р., Рабаданов Р.А. Одноосная эпитаксия оксида цинка на аморфной поверхности // Тезисы докладов Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых. -Томск: 1999.-С. 234-235.

56. Александров JI.H. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1985. - 224 с.

57. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Высшая школа, 1987. - С.65-83.

58. Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С., Куцнецов В.А., Демья-нец JI.H., Лобачев А.Н. Современная кристаллография. М.: Наука, 1980.-Т.3.-407 с.

59. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974. 540 с.

60. Технология тонких пленок /Справоч. изд. Под ред Л. Майссела. М.: Советское радио, 1977. - С.12-176.

61. Физика тонких пленок /Под ред Г. Хасса. М.: Мир, 1967. - Т.1. -С.224-274.

62. Осаждение из газовой фазы /Пер. с англ. Под ред. К. Пауэлла. М.: Атомиздат, 1970. - С.471.

63. Воронцов В.В. Структура поверхности кристалла в модели Косселя. В кн.: Рост кристаллов. - М.: Наука, 1974. - Т. 10. - С.7-25.

64. Боровинский JI.A. К теории скорости образования двумерных зародышей на грани гомеополярного кристалла, содержащего микроскопические нарушения однородности. В кн.: Рост кристаллов. - М.: Наука, 1974.-Т.10.-С.35-47.

65. Шефталь Р.Н., Боровинский JI.A. Кристаллизация эпитаксиальных пленок методом вакуумной конденсации В кн.: Рост кристаллов. - М.: Наука, 1974. - Т.10. - С.62-70.

66. Зенгуил Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1990. - С. 126-130.

67. Радиофизическая электроника /Под. ред. Н.А. Капцова. М.: Изд-во МГУ, 1960. - С.356-407.

68. Ворончев Т.А., Соболев В.Д. Физические основы электровакуумной техники. М.: Высшая школа, 1967. - С.298-347.

69. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, 1980.-488 с.

70. Волькенштейн Ф.Ф. Электронная теория катализа на полупроводниках.- М.: Физматгиз, 1960. С. 16-46.

71. Лопаткин А.А. Теоретические основы физической адсорбции. М.: Изд-во МГУ, 1983.-344 с.

72. Зандберг Э.Я., Ионов Н.И. Поверхностная ионизация. М.: Наука, 1969.- С.11-41.

73. Кузнецов Г. Д. Кристаллизация из газовой фазы при ионном воздействии на поверхность. В кн.: Рост кристаллов. -М.: Наука, 1986. - Т. 15. - С.24-42.

74. Люто ич А.С. Ионна-молекулярная эпитаксия.- В кн.: Рост кристалла . -М.: Наука, 1983. С.34-42.

75. Бабае В.Г., Гусе а М.Б. Адсорбция пара металла присутст ии ионного облучения //Из . АН СССР. Сер. физ. 1973. - Т.37, №12. -С.2596-2601.

76. Плеши це Н.В. Катодное распыление. М.: Атомиздат, 1968. - 344 с.

77. Технология тонких пленок //Спра оч. изд. М.: Со етское радио, 1977. - 662 с.

78. Распыление под дейст ием бомбардира ки частицами(Пад ред. Р. Бе-риша, К. Виттмака. М.: Мир, 1998. - ып.З. - 551 с.

79. К. Tominaga, S. Iwamura, Y. Shintani et al. Energy Analysis of High-energy Neutral Atoms in the Sputtering of ZnO and ВаТЮз //Jap. J. Appl. Phys. -1982. V.21, №5. - pp.688-695.

80. Molnar В., Flood J.J., Francombe M.H. //J. Appl. Phys. 1964. - V.35. -p.3554.

81. Елисее A.E., Калинкин И.П. Синтез эпитаксиальных полупро одникоых пленок на осно е катодно-плазменного испарения. -В кн.: Рост и легиро ание полупро однико ых кристалла и пленок. Но осибирск: Наука, 1977.-ч.2.-С. 167-171.

82. Багмут А.Г., Косе ич В.М.,Николайчук Г.П. Структурные и фазо ые пре ращения пленках, осажденных зоне оздейст ия лазерной плазмы на подложку. В кн.: Рост кристалло . - М.: Наука, 1988. -Т.17. -С.5-17.

83. Быка ский Ю.А.,Дудолада А.Г., Ко але Л.К1£озленко В.П.,Ли-тинская Л.И. Структура слое образо анных из низкотемпературной импульсной плазмы //По ерхность. 1985. - №8. - С.74-76.

84. Ахсахалян А.Д., Гапоно С.В., Лучин В.И. О неустойчи ости испаренияуело иях интенси ного поглощения плазмой лазерного излучения //Из . АН СССР. Сер. физ. 1985. - Т.49, № 4. - С. 776-778.

85. Chopra K.L. //J. Appl. Phys. 1966. - V.37. - p.2249.

86. Коробов O.E., Маслов B.H., Нечаев B.B. //Мат. IV Всесоюз. совещ. по росту кристаллов. Ереван, 1972. - С. 161-163.

87. Фрисер Р.Г. Прямое преобразование тепловой энергии в электрическую и топливные элементы. М., 1969. - С.81-86.

88. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Процессы конденсации тонких пленок //Успехи физических наук. 1998. - Т.168, №10. - С.1083-1116.

89. Шефталь Р.Н. Процессы эпитаксиального роста монокристаллических пленок. В кн.: Рост кристаллов. - М.: Наука, 1974. - Т.10. - С.48-61.

90. Finch G.J., Quarrell A.D. //Proc. roy. Soc. 1933. - V.41. - p.398.

91. FinchGJ., Quarrell A.D.//Proc. roy. Soc.- 1934.-V.46.-p.l48.

92. Шаихов Д.А., Рабаданов P.A., Семилетов C.A., Эфендиев А.З. Зависимость электрических свойств эпитаксиальных пленок ZnO от условий выращивания и ориентации подложки //Микроэлектроника. 1978. -Т.7, вып.З. - С.271-273.

93. Данков П.Д. //Тр. второй конф. по коррозии металлов. М.: Металлургия, 1943.-Т.2.-С.12.

94. Ван-дер-Мерве Дж. X. Несоответствие кристаллических решеток и силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложками. В кн.: Монокристаллические пленки. - М.: Мир, 1966. -С. 172-201.

95. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. - 319 с.

96. Дамаск А., Дине Дж. Точечные дефекты в кристаллах. М.: Мир, 1966. -234 с.

97. Кузнецов А.В., Семилетов С.А., Чаплыгин Г.В. Ориентация нитрида галлия на сапфире. В кн.: Рост кристаллов. - М.: Наука, 1986. - Т.15. -С. 14-24.

98. Джелул Абделкадер. Закономерности формирования реальной структуры монокристаллических слоев оксида цинка и их некоторые свойства: Дис. . канд. физ.-мат. наук. Махачкала, 1989. - 164 с.

99. Рубин и сапфир. М.: Наука, 1974. - 236 с.

100. Семилетов С.А., Кузнецов Г.Ф., Багамадова A.M. и др. Ориентация пленок окиси цинка на сапфире //Кристаллография, 1978. Т.23, вып.2. - С.357-361.

101. Рабаданов Р.А. Получение и исследование эпитаксиальных пленок окиси цинка: Дис. . канд. физ.-мат. наук. -М., 1972. 183 с.

102. Пангаров Н.А. Ориентация кристаллитов при электроосаждении металлов. В кн.: Рост кристаллов. -М.: Наука, 1974. - Т.10. - С.71-97.

103. Варма А. Рост кристаллов и дислокации /Пер. с анг. З.И. Жмуровой. Под ред. Н.Н. Шефталя. М.: изд-во Иностранной литературы, 1958. -216 с.

104. Александров Л.Н. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1985. - 225 с.

105. Александров Л.Н. Получение эпитаксиальных пленок полупроводников методом перекристаллизации при импульсном нагреве. В кн.: Рост полупроводниковых кристаллов и пленок. - Новосибирск: Наука, 1984. -ч.2. - С.35-52.

106. Сокол А.А., Косевич В.М., Маринчев А.Р. Рост кристаллов в пленочных системах с аморфной составляющей при твердофазных реакциях. В кн.: Рост кристаллов. -М.: Наука, 1989.-Т. 17.-С. 103-117.

107. Популярная библиотека химических элементов. М.: Наука, 1983. -С. 179-190.

108. Физико-химические свойства окислов /Справ, изд. М.: Металлургия, 1978.-471 с.

109. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки. Физика и применение /Под ред. JI. Казмерски. Пер с англ. М.: Мир, 1983. - 304с.

110. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение /Под ред. Г. Харбеке. Пер. с англ. М.: Мир, 1989. - 341 с.

111. Аморфные и поликристаллические полупроводники /Пер. с нем. М.В. Акуленок. Под ред. В. Хейванга. М.: Мир, 1987. 160 с.

112. Айнцингер Р. Развитие физических моделей варисторов на основе ZnO. В кн.: Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение /Под ред. Г. Харбеке. Пер. с англ. -М.: Мир, 1989. -С.315-338.

113. Рабаданов Р.А., Семилетов С.А., Багамадова A.M. Электрические свойства эпитаксиальных и поликристаллических пленок ZnO //Кристаллография. 1974. - Т. 19, вып.4. - С. 850-853.

114. Казмерски J1. Электрические свойства поликристаллических полупроводниковых тонких пленок. В кн.: Тонкие поликристаллические и аморфные пленки. Физика и применение /Под ред. JI. Казмерски. Пер с англ. -М.: Мир, 1983. - С.67-143.

115. Бурре А. Атомная структура межзеренных границ. В кн.: Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение /Под ред. Г. Харбеке. Пер. с англ. - М.: Мир, 1989. - С.17-35.

116. Понд Р. Геометрия протяженных граничных дефектов в полупроводниках. В кн.: Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение /Под ред. Г. Харбеке. Пер. с англ. - М.: Мир, 1989. -С.49-76.

117. Гамбург Ю.Д. Электрохимическая кристаллизация металлов и сплавов.- М.: изд-во "Янус-К", 1997. -С.339-358.

118. Рабаданов P.P., Рабаданов М.Р., Исмаилов A.M. Особенности в формировании монокристаллической структуры оксида цинка // Тезисы докладов IX национальной конференции по росту кристаллов. Москва: 2000. -С. 624.

119. Харбеке Г. Оптические свойства поликристаллических пленок кремния. В кн.: Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение /Под ред. Г. Харбеке. Пер. с англ. -М.: Мир, 1989. - С.223-243.

120. Volger //J. Phys. Rev. 1950. - V.9.-p.1023.

121. Физика и химия соединений А2В6 /Под ред. С.А. Медведева. Пер. с англ.- М.: Мир, 1970.-624 с.

122. Гренишин С.Г. Электрофотографический процесс. М.: Наука, 1970. -С.9-86.

123. Абрамова Б.А. Исследование влияния условия получения и обработки поверхности пленок ZnO на их адсорбционные и фотоэлектрические свойства: Дис. . канд. физ.- мат. наук. Махачкала, 1984. - 166 с.

124. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра /Под ред. В.И. Стафеева. -М.: Радио и связь. 1984. 216 с.

125. Ибрагимов В.Ю., Рубинов В.М. Фоторезистивные свойства аморфных и поликристаллических пленок широкозонных полупроводников. Ташкент: изд-во "ФАН", 1991. - С.139.

126. Гайдялись В.И., Маркевич Н.Н., Монтримас Э.А. Физические процессы в электрофотографических слоях. Вильнюс, 1968. - 367 с.

127. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1971.-С.375.

128. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990.-С.685.

129. Рыбкин С.М. Рекомбинация в полупроводниках. В кн.: Полупроводники в науке и технике. - М.: изд-во АН СССР, 1958. - С.463-515.134

130. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. - 235 с.

131. Пуцейко Е.К. //Докл. акад. наук СССР. 1953 - Т.91. - С. 1071.

132. Бьюб Ф. Фотопроводимость твердых тел. М.: Мир, 1962. - 430 с.