Процессы самоорганизации при формировании пористых и поверхностных фаз в кристаллических полупроводниках при приложении внешних воздействий тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор наук Мынбаева Марина Гелиевна

• Мынбаева Марина Гелиевна
• доктор наук
• 2020

Оглавление диссертации доктор наук Мынбаева Марина Гелиевна

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1 Процессы самоорганизации при формировании пористых структур в широкозонных полупроводниковых материалах ^С, GaN)

§1.1 Методы получения упорядоченных объёмных пористых структур в пластинах SiC

и ОаК

§1.1.1 Выбор состава электролита

§1.1.2 Анодизация SiC в электролитах различного состава в режиме постоянного

тока

§1.1.3 Оценка химического состава и концентрации введенных химических примесей

при анодизации SiC во фторсодержащих электролитах

§1.2 Упорядоченные пористые структуры в пластинах SiC

§1.2.1 Получение пористого Б1С с различными типами пористой

структуры

§1.2.2 Формирование трех типов структуры стехиометрического пористого Б1С как

проявление самоорганизации в двухфазной системе

§1.3 Пористые структуры в GaN

§1.4 Вакансионно-диффузионная модель образования пор в условиях анодизации

полупроводниковых материалов

§1.5 Мониторинг процесса анодизации

§1.6 Электрические свойства пористых структур на примере Б1С

§1.7 Пример практического применения метода анодизации: новый подход к экспресс-

характеризации монокристаллического Б1С

§1.8 Основные полученные результаты

§1.9 Выводы по главе

Глава 2 Получение на основе пористых 81С, GaN и пластин монокристаллического

81 низкоразмерных и иерархических структур

§2.1 Самоорганизованные процессы эволюции структуры пористого карбида кремния в

условиях внешних воздействий

§2.2 Модификация структуры пористого Б1С в условиях воздействия плазмы

§2.3 Иерархические объёмные структуры, созданные на основе монокристаллических БЮ и Б1, как перспективные материалы для клеточной и тканевой

биоинженерии

§2.3.1 Термическое разложение карбида кремния

§2.3.1.1 Термодеструкция карбида кремния

§2.3.1.2 Выбор методов характеризации

§2.3.1.3 Отжиги образцов пористого карбида кремния

§2.4 Трехмерные материало-конструкции (scaffolds) с покрытием из двумерных

углеродных структур, полученные на основе пористого SiC

§2.5 Формирование тестовых структур для исследований электрофизических свойств

графеновых слоев на подложке карбида кремния

§2.6 Получение самоорганизованных поверхностных структур на основе пластин монокристаллического кремния в условиях высокочастотного индукционного нагрева... 82 §2.7 Основные полученные результаты

§2.8 Выводы по главе

Глава 3 Особенности протекания диффузионных процессов в кристаллической

матрице пористых широкозонных полупроводников

§3.1 Высокотемпературная диффузии ванадия и эрбия в пористом SiC

§3.2 Создание полуизолирующих слоев карбида кремния низкотемпературной диффузией ванадия на основе пластин SiC со слоями ПКК из источников, нанесенных

на их поверхность

§3.3 Создание полуизолирующих слоев карбида кремния на основе пластин SiC со

слоями ПКК, легированными собственными дефектами

§3.4 Пористые структуры карбида кремния как макеты для изучения свойств интерфейса в структуре SiC/SiO2 — базового элемента силовой карбидкремниевой

электроники

§3.5 Легирование пластин SiC эрбием из жидкого раствора-источника, нанесенного на

их поверхность

§3.6 Автолегирование эпитаксиальных слоев GaN из подложки SiC со слоями ПКК

§3.7 Основные полученные результаты

§3.8 Выводы по главе

Приложение к Главе

Глава 4 Контроль дефектности и напряженно-деформированного состояния в эпитаксиальных слоях широкозонных полупроводников, основанный на реализации самоорганизованных процессов коллективного взаимодействия

структурных дефектов

§4.1 Эпитаксиальные методы получения нитрида галлия

§4.2 Структурированные ГФЭ МОС подложки GaN/Al2O3. Контроль плотности

проникающих дислокаций

§4.2.1 Анализ дефектной структуры в образце ГФЭ МОС GaN/Al2O3 с заглублённой

неупорядоченной колонной структурой

§4.2.2 Анализ дефектной структуры в образце ГФЭ МОС GaN/Al2Oз с колонной

структурой с квадратным порядком расположения колонн

§4.2.3 Анализ дефектной структуры в образце ГФЭ МОС GaN/Al2O3 с колонной

структурой с гексагональным порядком расположения колонн

§4.2.4 Определение плотности проникающих дислокаций в слоях ХГЭ ОаК, выращенных на подложках ГФЭ МОС GaN/Al2O3 с заглубленными

структурированными слоями

§4.3 Выращивание толстых ХГЭ слоев ОаК Самоподдерживаемые процессы

релаксации ростовых напряжений

§4.4 Самоподдерживаемые процессы снижения плотности проникающих дислокаций в эпитаксиальных слоях ОаК и Б1С кремния на наноструктурированных

подложках

§4.4.1 Гетероэпитаксия GaN на наноструктурированных подложках SiC

§4.4.2 Коллективные эффекты в системе точечных и линейных структурных дефектов в условиях гомоэпитаксии широкозонных полупроводников на

наноструктурированных подложках

§4.4.2.1 Гомоэпитаксия Б1С на наноструктурированных подложках

§4.4.2.1 Гомоэпитаксия ОаК на наноструктурированных подложках

§4.5 Основные полученные результаты

§4.6 Выводы по главе

Глава 5 Процессы самоорганизации при росте GaN на керамической подложке

§5.1 Установка хлорид-гидридной газофазной эпитаксии и процессы осаждения

§5.2 Свойства объёмного ОаК, выращенного на керамических подложках BN

§5.2.1 Исследование стехиометрии полученного материала

§5.2.2 Изучение структурных и оптических свойств

§5.3 Механизм роста объёмного ОаК на керамических подложках В^ Принцип

эволюционного отбора

§5.4 Исследования структуры материала пластин объемного ОаК, выращенного на

керамических подложках БК

§5.4.1 Исследования методом просвечивающей электронной микроскопии

§5.4.2 Структурный анализ дефектов упаковки в материале пластин объёмного GaN с

использованием преобразования Фурье

§5.4.3 Рентгенофазовый анализ структуры материала

§5.4.4 Спектроскопия комбинационного рассеяния света

§5.5 Особенности нуклеации и роста ОаК на керамической подложке

§5.6 Участие жидкой фазы в формировании текстурированного GaN

§5.6.1 Смачивание поверхностей расплавами жидких металлов

§5.6.2 Рост полупроводниковых материалов по механизму «пар-жидкость-кристалл» 201 §5.6.3 Особенности роста материала пластин GaN на керамической подложке из БК

большой площади

§5.6.4 Механизм формирования поликристаллического ОаК на периферийной части

керамической подложки

§5.6.5 Механизм формирования высокоориентированной текстуры ОаК на

керамической подложке

§5.7 Необычные эмиссионные свойства текстурированного ОаК с высокой плотностью

дефектов упаковки

§5.8 Основные полученные результаты

§5.9 Выводы по главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список сокращений

Список научных работ, опубликованных по теме диссертации

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Процессы самоорганизации при формировании пористых и поверхностных фаз в кристаллических полупроводниках при приложении внешних воздействий»

ВВЕДЕНИЕ Актуальность темы исследования

Одной из актуальных задач физики конденсированного состояния является изучение самоорганизованных структурных изменений в твердых телах, под которыми следует понимать пространственное упорядочение субструктур под влиянием внутренних факторов или стимулирующих внешних воздействий.

Для обеспечения требуемых свойств материалов, используемых при создании современных твердотельных приборов и устройств, применяются различные методы обработки кристаллических твёрдых тел, включая электрохимические методы травления и осаждения, отжиги, ионно-плазменную обработку и т. п. Зачастую эти методы направлены на количественное изменение тех или иных параметров материалов, однако не преследуют цели изменения их функционального назначения. В случаях, когда те же традиционные процедуры применяются к тем же материалам, но находящимся в метастабильном состоянии, определяемом, например, наличием преднамеренно сформированных пористых фаз в их объёме, или поверхностных фаз, они проявляют себя как внешние воздействия, приводящие к самоорганизации в системе субструктур, входящих в такие твердофазные системы.

Существенную роль в процессах самоорганизации играют структурные дефекты различного уровня: собственные (точечные) дефекты или трехмерные, такие, как поры и трещины. Изучение поведения конденсированных систем при удалении от термодинамического равновесия представляет не только научный, но и практический интерес, поскольку открывает принципиально новые возможности как для улучшения функциональных свойств существующих материалов, так и для создания материалов с новыми функциональными свойствами. Особый класс твердотельных двухфазных систем представляют пористые материалы, получаемые в результате электрохимической обработки (анодизации) полупроводников. Функциональные свойства пористых структур определяются размерно-геометрическими характеристиками — объёмом порового пространства и геометрией пор, а также свойствами кристаллической матрицы. В настоящее время наиболее изученным является пористый кремний, который уже применяется в современных сенсорных и мембранных устройствах, в наноэлектронике, фотонике и биоинженерии. Пористые материалы на основе бинарных полупроводниковых соединений, например, карбида кремния (Б1С) и нитрида галлия (ОаК), пока не нашли такого широкого практического использования. Причина этого отчасти заключается в недостатке знаний о механизмах формирования и эволюции их структуры при внешнем воздействии и в отсутствии прогностических оценок стабильности их свойств в условиях конкретных применений, а главным образом - в отсутствии методик формирования

пористых материалов на основе монокристаллов с размерами, актуальными для практических разработок.

Важно, что пористые материалы и материалы с самоорганизованной субструктурой демонстрируют свойства, которые могут быть использованы на практике. Например, применение пластин SiC и GaN со сформированными в их объёме пористыми субструктурами в качестве подложек-«темплейтов» позволяет существенно снизить дефектность выращиваемых на них гетеро- и гомоэпитаксиальных слоёв GaN и SiС за счёт эффективного взаимодействия между дефектами (дислокациями), изначально присутствовавшими в монокристаллическом объёме подложек, и преднамеренно введёнными порами. Другое практически важное направление использования пористых самоорганизованных субструктур относится к биоинженерии. Например, на основе пористого SiC и монокристаллического кремния возможно получение иерархической (т.е. упорядоченной на нескольких структурных уровнях) структуры, представляющей собой трехмерные каркасы из карбида кремния с двумерным графеновым покрытием, или самоорганизованные кремниевые структуры, покрытые слоем углерода. Применение таких твердотельных объектов перспективно в области биомедицинских технологий.

Вышесказанное обуславливает актуальность исследования методов получения пористых SiC и GaN и других материалов с самоорганизованной субструктурой, а также всестороннего изучения их физических свойств.

Целью работы являлось определение закономерностей формирования упорядоченных пористых материалов и структур пониженной размерности на основе Б1С, ОаК и в условиях электрохимической обработки (анодизации) и приложения внешних воздействий, а также определение механизмов формирования самоотделяющихся пластин объемного GaN большой площади, выращенных хлорид-гидридным методом с участием жидкой фазы (расплава галлия), самоорганизующейся на поверхности подложки из нитридной керамики (В^.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи исследования: 1. Проанализировать механизмы формирования слоев пористых материалов с самоорганизованной структурой на основе кристаллических GaN и SiC. Определить термодинамические границы стабильности структуры и фазового состава полученных пористых материалов в условиях внешних воздействий. На основе установленных закономерностей получения упорядоченных пористых структур разработать практические методики получения материалов с различными геометриями порового пространства и кристаллического каркаса, а также определить условия для получения углеродных структур пониженной размерности на основе пористого карбида кремния и монокристаллов кремния при приложении внешних воздействий.

2. Определить механизмы диффузии примесей в пористом карбиде кремния и механизмы огрубления его структуры под действием температур диффузионных отжигов для установления оптимальных условий проведения легирования его монокристаллического каркаса. Провести расчёты, учитывающие вклад процессов диффузии и кластеризации вакансий при образовании пористых структур и при проведении диффузии примесей Ег, Si, Mg и V в условиях огрубления пористой структуры SiC. Исследовать взаимосвязь изменений объемной морфологии и значений коэффициентов диффузии примесей в пористой среде бинарного соединения.

3. Определить свойства пористых структур, создаваемых в объёме пластин SiC, GaN/Al2Oз и GaN, позволяющие использовать их в качестве структурных элементов подложек для проведения улучшенной гомо- и гетероэпитаксии карбида кремния и нитрида галлия.

4. Определить механизмы формирования самоотделяющихся пластин объемного GaN большой площади, выращенных хлорид-гидридным методом с использованием альтернативной подложки из В^

В ходе решения поставленных задач была достигнута цель диссертационного

исследования и были заложены основы нового научного направления «Пористые

широкозонные полупроводниковые материалы с самоорганизованной структурой».

Научная новизна полученных результатов состоит в следующем:

1. Впервые получены пористые структуры ОаК на основе гетероэпитаксиальных слоёв и пластин квазиобъёмного нитрида галлия и впервые продемонстрирована возможность создания пористых структур на основе пластин SiC большой площади диаметром 2 дюйма, сохраняющих стехиометрический состав, полупроводниковые свойства и оптическую ширину запрещённой исходного материала.

2. Впервые показано, что нанопористые структуры в Б1С и ОаК являются первичными и формируются в результате направленного роста нанопор от поверхности образца в его объем с участием вакансионно-диффузионного механизма. Формирование всех прочих наблюдаемых в эксперименте структур обусловлено вторичными процессами огрубления структуры посредством коалесценции первичных пор.

3. Впервые получены иерархические каркасные структуры из монокристаллического карбида кремния с графеновым покрытием.

4. Получены оригинальные результаты, позволившие дополнить имевшиеся на момент проведения исследований представления о фундаментальных механизмах диффузии в пористых материалах.

5. Впервые показано, что механизмы диффузии примесей в карбиде кремния с пористой структурой при низкой (1100-1400 0С) и высокой (1700-2200 0С) температурах

диффузионного отжига принципиально различаются. В случае пониженных температур наблюдается ускоренный поверхностный характер диффузии, определяемый наличием ускоренных диффузионных путей: внутренних свободных поверхностей структуры. При высоких температурах диффузии, определяющих высокую степень огрубления пористой структуры, пористый материал не имеет преимуществ перед кристаллическим SiC для диффузионного легирования.

6. Продемонстрировано достижение эффекта самоорганизованного структурирования поверхности пластин монокристаллического кремния в условиях высокочастотного нагрева в вакууме.

7. Впервые выявлен механизм аннигиляции дислокаций в нанопоровом пространстве в условиях гомоэпитаксии нитрида галлия на подложке из квазиобъёмного ОаК с пористыми слоями.

8. Впервые получены пластины кристаллического нитрида галлия большой площади и миллиметровой толщины без использования традиционного подложечного материала. Полученный материал представляет собой высокоориентированную текстуру и сохраняет все важнейшие фундаментальные физико-химические свойства ОаК Дефектная структура текстурированного материала обладает свойствами оптически активной среды с уникальными эмиссионными свойствами.

Практическая значимость результатов работы состоит в следующем:

Разработана технология создания пористых Б1С и ОаК с сохранением политипа и стехиометрии исходного материала и показана возможность управления морфологией пористых Б1С и ОаК при приложении к ним внешних воздействий. На основе изучения особенностей формирования пористых структур в Б1С предложена новая методика характеризации монокристаллических слитков, которая может быть использована для экспресс-диагностики качества объёмных кристаллов SiC.

Показано, что использование подложек со сформированными в их объёме пористыми слоями позволяет реализовать при гетероэпитаксии перераспределение механических напряжений несоответствия между эпитаксиальными слоями и подложкой, а в случае гомоэпитаксии - исключить дислокации подложки из числа источников дефектов в наращиваемых эпитаксиальных слоях. В случае гомоэпитаксии ОаК было достигнуто снижение

5 2

плотности проникающих дислокаций до уровня менее чем 10 см- , характерного для лучших образцов квазиобъемных пластин и объемных кристаллов ОаК

Изучены механизмы диффузии примесей в пористом Б1С. Показано, что создание пористой структуры в широкозонных полупроводниках позволяет существенно снизить энергетические затраты (температуру диффузии) на получение материалов с заданными

электрическими свойствами. Полученные представления о механизмах диффузии в пористом

БЮ позволили реализовать несколько оригинальных, не имевших аналогов на момент

проведения исследований, методов легирования БЮ и ОаК. В результате диффузионного

легирования пористого SiC ванадием (V) и кремнием (Б1) был получен полуизолирующий

12 11

материал с удельным сопротивлением до 10 Омсм и 10 Омсм соответственно; такой материал востребован в технологиях электронных приборов, работающих в условиях сильных электрических полей и высоких частот. Предложена эффективная методика легирования Б1С эрбием (Ег) из жидкофазного источника, нанесённого на поверхность предварительно сформированных в Б1С пористых структур, перспективная для создания источников инфракрасного (ИК) излучения с высокой температурной стабильностью. Предложена методика получения эпитаксиальных слоёв ОаК ^-типа проводимости автолегированием магнием (М§) из подложек пористого БЮ в процессе эпитаксиального роста.

Экспериментально определены оптимальные условия для получения графеновых покрытий на пластинах SiC с пористыми слоями. В результате на основе пористого Б1С получены структуры со сложной архитектурой, представляющие собой 3D-SiC каркас с двумерным графеновым покрытием. Также показано, что в условиях высокочастотных отжигов в углеродосодержащей атмосфере пластин монокристаллического кремния могут быть получены плотные массивы поверхностных микроструктур, покрытых слоем углерода. С учетом электропроводности, высокой коррозионной стойкости и биосовместимости SiC, и графена, полученные структуры перспективны для использования в качестве подложек для культивации клеток живых тканей и создания биосенсоров различного назначения.

Хлорид-гидридным методом получены пластины ОаК миллиметровой толщины с использованием керамической подложки БК. Электронные, теплофизические и механические свойства материала пластин соответствовали свойствам ОаК, получаемого традиционными методами эпитаксиального и объёмного роста. Показано, что в рассматриваемых условиях рост ОаК происходит с участием жидкой фазы (расплава металлического Оа). Отсутствие взаимодействия между жидкой фазой Оа и керамической поверхностью обеспечивало свободное разделение подложки и выращенного материала после окончания ростового процесса.

Показано, что пористые структуры, сохраняющие основные свойства исходных широкозонных полупроводниковых материалов, могут служить объектами, позволяющими выявлять и/или более детально изучать соответствие свойств материалов условиям их практических применений, — в частности, с помощью пористого SiC была определена природа дефектов, ответственных за деградацию рабочих характеристик карбидкремниевых приборов на основе структур «металл-оксид-полупроводник» (МОП).

Методы исследования, использованные в работе, включали теоретические (моделирование, анализ, синтез, обобщение) и экспериментальные. В частности, для анализа свойств и параметров синтезированных и исследованных материалов применялась микроскопия (оптическая, атомно-силовая (АСМ) и электронная просвечивающая (ПЭМ) и сканирующая (СЭМ)), структурные методы (рентгеновская топография и дифрактометрия (РД)), метод дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО), методы химического анализа (масс-спектроскопия вторичных ионов (ВИМС), оже-электронная спектроскопия (ОЭС), рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) и рентгеновский энергодисперсионный анализ (ЭДА)), методы исследования электрических свойств материалов (удельной проводимости, вольт-амперных (ВАХ) и вольт-фарадных (ВФХ) характеристик), оптические методы (исследование фотопроводимости, фото- (ФЛ) и микрокатодолюминесценции (МКЛ) и комбинационного (рамановского) рассеяния света (КРС)).

Объектами исследования в рамках данной работы являлись пластины, вырезанные из монокристаллов БЮ, и гомоэпитаксиальные слои карбида кремния, выращенные методом химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ), гомоэпитаксиальные слои нитрида галлия, выращенные методом газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений (ГФЭ МОС) на подложках из сапфира, гомо- и гетероэпитаксиальные слои нитрида галлия толщиной 1-900 мкм, выращенные методом хлорид-гидридной эпитаксии (ХГЭ) на подложках 0аК/А1203, GaN/SiC, SiC и ОаК, пористые структуры, полученные на основе этих материалов, а также пластины GaN, выращенные хлорид-гидридным методом на подложках БК

Основные положения, выносимые на защиту: Положение 1. В условиях анодизации монокристаллических SiC и GaN нанопористые структуры, образованные каналами пор с характерным диаметром до 50 нм, формируются в результате направленного роста нанопор от поверхности образца в его объем. Формирование всех прочих наблюдаемых пористых структур является следствием огрубления нанопористой структуры. Движущей силой процесса огрубления служит релаксация избытка свободной энергии, возникающего при формировании в кристаллической среде выделенного порового объёма.

Положение 2. Направленное использование механизмов формирования вторичных фаз (пор или жидких поверхностных фаз) в SiC и Si, действующих в условиях внешних и внутренних энергетических воздействий: температуры и внутренних механических напряжений, позволяет получить структуры с широким разнообразием морфологических форм, включая трёхмерные иерархические структуры SiC/графен и контролируемый периодический микрорельеф на поверхности пластин.

Положение 3. В пористом SiC механизмы диффузии примесей при низкой (1100-1400 0C) и высокой (1700-2200 0C) температурах отжига принципиально различаются. В случае пониженных температур наблюдается поверхностный характер диффузии, определяемый наличием ускоренных диффузионных путей — внутренних свободных поверхностей. Пористый материал не имеет преимуществ перед кристаллическим SiC в скорости диффузии при высоких температурах, определяющих существенную степень огрубления пористой структуры.

Положение 4. Использование пористых подложек для эпитаксии SiC и GaN открывает новые возможности для контроля над уровнем дефектности эпитаксиальных слоев. Коллективные взаимодействия точечных, линейных и объемных дефектов в пористом объёме снижают вероятность наследования эпитаксиальными слоями дислокаций, содержащихся в подложках. В результате такого взаимодействия плотность проникающих дислокаций может

4 2

быть снижена до двух порядков величины: в гомоэпитаксиальных слоях SiC и GaN до 10 см- ,

8 2

в гетероэпитаксиальных слоях GaN до 10 см- .

Положение 5. В условиях хлорид-гидридного процесса рост GaN, обладающего высокоориентированной текстурой, на поверхности керамической подложки BN происходит с участием жидкой фазы (расплава Ga). Полученный материал обладает основными физико-химическими свойствами GaN и особыми оптическими свойствами: естественные дефекты упаковки, возникающие при формировании текстурированного GaN, представляют собой самоорганизованные гетерополитипные наноструктуры, излучающие в ультрафиолетовом диапазоне.

Степень достоверности и апробация результатов

Достоверность результатов определяется использованием современного высокоточного оборудования для исследования параметров материалов, проверкой результатов экспериментов теоретическими оценками и моделированием, сопоставлением выявленных характеристик материалов с данными, представленными в литературе. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на 23-ем Международном симпозиуме по полупроводниковым соединениям, Санкт-Петербург, 1996; Первом всероссийском совещании «Нитрид галлия -структуры и приборы», Москва, 1997; Всероссийских конференциях «Нитриды галлия и алюминия - структуры и приборы»: 4-ой и 6-ой, Санкт-Петербург, 2005, 2008, и 9-ой, Москва, 2013; Material Research Society Fall Meetings, Boston, MA, USA, 1999, 2000 и 2002; International Conferences on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM), Research Triangle Park, NC, USA, 1999, Lyon, France, 2003, Sicily, Italy, 2015; European Conferences on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM), Kloster Banz, Germany, 2000, Linkoping, Sweden, 2002, Bologna, Italy, 2004, Barcelona, Spain, 2008, Saint-Petersburg, 2012; European Material Research Society Spring Meeting, Strasbourg, France, 2001 (E-MRS 2001); ONR Workshop on Amorphous and Porous Semiconductors,

New Founland, Canada, 2001; Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, CO, USA, 2001 (ICNS-4); 4-ом, 5-ом и 6-ом Международных Семинарах по Карбиду Кремния и Родственным Материалам (ISSCRM), Великий Новгород, 2002, 2004 и 2009; 27th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, Fuerigen, Switzerland, 2003 (W0CSDICE'03); 5th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Indexes Surfaces, Stuttgart, Germany, 2003 (ESPS-NIS'03), V Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 2006; 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides, St.-Petersburg, 2012, 5th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2018": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, Saint Petersburg, 2018, International Conference "Advanced Materials Week", St.-Petersburg, 2019, а также на семинарах в ФТИ им. А.Ф.Иоффе, ЛЭТИ им. В.И. Ульянова (Ленина), University of Tampa (Флорида, США), The Institute of Electronic Structure and Laser of the Foundation for Research and Technology-Hellas (Греция), и Университете ИТМО.

Личный вклад автора состоит в формулировке целей и задач исследования, экспериментальной проверке использованных моделей и проведённых расчётов, разработке и выполнении экспериментов, формулировании выводов исследования и предложений по практическому применению его результатов.

Публикации. Результаты диссертационной работы представлены в 62 публикациях в отечественных и зарубежных рецензируемых научных изданиях, рекомендованных ВАК для публикации научных результатов, а также в написанных в соавторстве 1 монографии и 3 главах в монографиях.

Структура и объем диссертации:

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения, и включает 121 рисунок, 12 таблиц и список литературы из 379 наименований. Общий объем диссертации составляет 262 страницы.

В первой главе рассмотрены разработанные автором методы и приведены результаты изготовления упорядоченных объёмных пористых структур в пластинах SiC и GaN. Проанализировано формирование трех типов структуры стехиометрического пористого карбида кремния как проявление самоорганизации в двухфазной системе. Рассмотрены пористые структуры в нитриде галлия. Предложена вакансионно-диффузионная модель образования пор в условиях анодизации полупроводниковых материалов. Рассмотрены электрические свойства полученных пористых структур и предложен пример практического применения метода анодизации, — новый подход к экспресс-характеризации монокристаллического SiC.

Во второй главе рассмотрены возможности направленного использования явлений самоорганизации для получения новых функциональных материалов на основе монокристаллического карбида кремния, нитрида галлия и кремния. Для этого проанализированы самоорганизованные процессы эволюции структуры пористого карбида кремния в условиях внешних воздействий. Рассмотрены иерархические объёмные структуры, созданные на основе монокристаллического карбида кремния и кремния, как перспективные материалы для клеточной и тканевой биоинженерии.

В третьей главе представлены результаты исследования особенностей протекания диффузионных процессов в кристаллической матрице пористых широкозонных полупроводников. Представлены данные по изучению высокотемпературной диффузии ванадия и эрбия в пористом БЮ, результаты создания полуизолирующих слоёв карбида кремния низкотемпературной диффузией ванадия, а также путем управления стехиометрией пористого SiC. Структуры на основе пористого SiC также рассмотрены как модельные объекты для изучения свойств интерфейса в структуре 8Ю/БЮ2 — базовом элементе силовой карбидкремниевой электроники. Также рассмотрено легирование пластин SiC эрбием из жидкого раствора-источника, нанесенного на их поверхность, и автолегирование эпитаксиальных слоев GaN из подложки SiC с пористыми слоями.

В четвертой главе рассматривается реализация методов управления дефектностью и напряженно-деформированным состоянием в эпитаксиальных слоях широкозонных полупроводников, основанная на принципах реализации самоорганизованных процессов коллективного взаимодействия структурных дефектов. Анализируются самоподдерживаемые процессы снижения плотности проникающих дислокаций в эпитаксиальных слоях нитрида галлия и карбида кремния на наноструктурированных подложках и коллективные эффекты в системе точечных и линейных структурных дефектов в условиях гомоэпитаксии широкозонных полупроводников на наноструктурированных подложках.

В пятой главе рассмотрены процессы самоорганизации при росте нитрида галлия на керамической подложке и детали получения кристаллического GaN в новом качестве -объёмных пластин GaN со структурой высокоориентированной текстуры, обладающей уникальными эмиссионными свойствами.

Глава 1 Процессы самоорганизации при формировании пористых структур в широкозонных полупроводниковых материалах (SiC, GaN)

§1.1 Методы получения упорядоченных объёмных пористых структур в пластинах SiC и

GaN

Пористые структуры в объёме монокристаллических полупроводниковых материалов SiC, GaN и GaN/SiC создавались методом их анодной обработки (анодизации) в разработанной автором электролитической ячейке. Конструкция ячейки предусматривала возможность проведения анодизации пластин диаметром от 37 мм (1,5 дюйма) до 75 мм (3 дюйма). Схема ячейки приведена на Рисунке 1.1(а). Образцы, размещённые на пьедестале с контактной площадкой, использовались в качестве анода. В качестве катода использовалась платиновая сетка с размером ячейки 100*100 мкм. При проведении экспериментов оба электрода погружались в ванну, заполненную раствором электролита. Внешние электрические выводы подключались к универсальному программируемому источнику питания KENWOOD PDS 1206. Специально разработанная программа позволяла наблюдать за изменением электрических параметров в электрохимической цепи и осуществлять контроль над ходом процесса анодизации. На Рисунке 1.1(б) показаны зависимости изменений электрических параметров ячейки, записанные в реальном времени.

Дополнительно, с целью контроля над изменением состояния поверхности обрабатываемых пластин в зависимости от условий анодизации, была использована промышленная электрохимическая ячейка фирмы Accent Semiconductor Technologies, Inc. [1], вид и схема которой представлены на Рисунке 1.2. Работа ячейки управлялась персональным компьютером (ПК), на котором было установлено программное обеспечение, позволяющее в ходе экспериментов записывать зависимости U(t) или I(t), где t - время процесса. Программа также позволяла реализовывать последовательное чередование процессов электролитической обработки материала и измерений вольт-фарадных (C(U)) характеристик (ВФХ) на барьере Шоттки, формирующемся на границе раздела электролит-полупроводник.

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Мынбаева Марина Гелиевна, 2020 год

Список литературы

[1] Accent Semiconductor Technologies Inc., 520 Clyde Avenue, Mountainview, CA 94943-2212(USA). Инструкция к установке электролитического профилирования PN4300PC, С. 53.

[2] Mynbaeva, M.G. On application of electrochemical capacitance-voltage profiling technique for n-type SiC / M. Mynbaeva, M. Kayambaki, K. Mynbaev, K. Zekentes // Semiconductor Science and Technology. - 2008. - Vol. 23, No. 7. - P. 075039.

[3] Stumper, J. X-ray photoemission spectroscopy analysis of Si(111) under photocurrent-doubling conditions / J. Stumper, H.J. Lewerenz, C. Pettenkofer // Physical Review B. - 1990. - Vol. 41, Is. 3. - P. 1592-1597.

[4] Peter, L.M. In situ characterization of the illuminated silicon-electrolyte interface by Fouriertransform infrared spectroscopy / L.M. Peter, D.J. Blackwood, S. Pons // Physical Review Letters. -1989. - Vol. 62, Is. 3. - P. 308-311.

[5] Mynbaeva, M. HVPE growth of GaN on porous SiC substrates / M. Mynbaeva, K.D. Mynbaev, D. Tsvetkov // Porous silicon carbide and gallium nitride: epitaxy, catalysis, and biotechnology applications. Eds. R.M. Feenstra, C.E.C. Wood. - London: John Wiley and Sons, 2008. - P. 171211. ISBN 978-0-470-51752-9.

[6] Shor, J.S. Direct observation of porous SiC formed by anodization in HF / J.S. Shor, I. Grimberg, B.-Z. Weiss, A.D. Kurtz // Applied Physics Letters. - 1993. -Vol. 62, Is. 22. - P. 2836-2838.

[7] Shor, J.S. Photoelectrochemical etching of n-type 6H-SiC / J.S. Shor, R.S. Okojie, A.D. Kurtz // Institute of Physics: Conference Series. - 1993. - Vol 137. - P. 523-526.

[8] Bellet, D. Studies of coherent and diffuse X-ray scattering by porous silicon / D. Bellet, G. Dolino, M. Ligeon, P. Blanc, M. Krisch // Journal of Applied Physics. - 1992. - Vol. 71, Is. 1. - P. 145-149.

[9] Schmelzer, J. Ostwald ripening in porous materials / J. Schmelzer, J. Möller, V.V. Slezov, I. Gutzow, R. Pascova // Quimica Nova. - 1998. - Vol. 21, No. 4. - P. 529-533.

[10] Thorntnon, K. Modelling the evolution of phase boundaries in solids at the meso- and nano-scales / K. Thornton, J. Ägreen, P.W. Woorhees // Acta Materialia. - 2003. - Vol. 51, Is. 19. - P. 5675-5710.

[11] Siegel, M. Evolution of material voids for highly anisotropic surface energy / M. Siegel, M.J. Miksis, P.W. Voorhees // Journal of the Mechanics and Physics of Solids. - 2004. - Vol. 52, Is. 6. -P. 1319-1353.

[12] Thorntnon, K. Large-scale simulations of Ostwald ripening in elastically stressed solids: I. Development of Microstructure / K. Thornton, N. Akaiwa, P.W. Voorhees // Acta Materialia. -2004. - Vol. 52, Is. 5. - P. 1365-1378.

[13] Seppälä, E.T. Onset of void coalescence during dynamic fracture of ductile metals / E.T. Seppälä, J. Belak, R E. Rudd // Physical Review Letters. - 2004. - Vol. 93, Is. 24. - P. 245503.

[14] Mynbaeva, M.G. Porous GaN / M.G. Mynbaeva, D.V. Tsvetkov // Institute of Physics: Conference Series. - 1997. - Vol. 155. - P. 365-367./ M.G. Mynbaeva, D.V. Tsvetkov // Institute of Physics: Conference Series. - 1997. - Vol. 155. - P. 365-367.

[15] Mynbaeva, M.G. Porous GaN/SiC templates for homoepitaxial growth: effect of the built-in stress on the formation of porous structures / M.G. Mynbaeva, K.D. Mynbaev, A. Sarua, M. Kuball // Semiconductor Science and Technology. - 2005. - Vol. 20, No. 1. - P. 50-55.

[16] Smith, R.L. Porous silicon formation mechanisms / R.L. Smith, S.D. Collins // Journal of Applied Physics. - 1992. - Vol. 71, Is. 8. - P. R1-R22.

[17] Foil, H. Formation and application of porous silicon / H. Foil, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse // Materials Science and Engineering - R Reports. - 2002. - Vol. 39, Is. 4. - P. 93-141.

[18] Chazalviel, J.-N. Electrochemical preparation of porous semiconductors: from phenomenology to understanding / J.-N. Chazalviel, R.B. Wehrspohn, F. Ozanam // Materials Science and Engineering B. - 2000. - Vols. 69-70. - P. 1-10.

[19] Компан, М.Е. Механизм первичной самоорганизации регулярной структуры пористого кремния / М.Е. Компан / Физика твердого тела. - 2003. - Т. 45, В. 5. - С. 902-906.

[20] Christophersen, M. A comparison of pores in silicon and pores in III-V compound materials / M. Christophersen, S. Langa, J. Carstensen, I.M. Tiginyanu, H. Foil // Physica Status Solidi A. - 2003. - Vol. 197, Is. 1. - P. 197-203.

[21] Foll, H. Porous III-V compound semiconductors: formation, properties, and comparison to silicon / H. Foll, J. Carstensen, M. Christophersen, S. Langa, I.M. Tiginyanu // Physica Status Solidi A. -2003. - Vol. 197, Is. 1. - P. 61-70.

[22] Маргвелашвили, И.Д. Формирование равновесной концентрации вакансий на поверхности двухкомпонентного упорядоченного (неионного) кристалла при скачкообразном изменении температуры / И.Г. Маргвелашвили, З.К. Саралидзе // Поверхность. - 1988. - Т. 8. - С. 107115.

[23] Gatewood, B.E. Thermal stresses. With application to airplanes, missiles, turbines and nuclear reactors / B.E. Gatewood. - New York: McGraw-Hill, 1957. -232 p.

[24] Проблемы теплообмена. Сб. статей под ред. ак. П.Л. Кириллова. - M.: Атомиздат, 1967. -215 c.

[25] Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. - New York, Chichester, Weinheim, Brisbane, Singapore, Toronto: John Wiley and Sons, 2001. - P. 95.

[26] Кукушкин, С.А. Начальные стадии хрупкого разрушения твердых тел / С.А. Кукушкин // Успехи механики. - 2003. - В. 2. - С. 21-43.

[27] Stark, J.P. Concentration of vacancies in a temperature gradient / J.P. Stark // Physical Review B.

- 1980. - Vol. 21, Is. 2. - P. 556-558.

[28] Гирка, А.И. Вакансионные дефекты в карбиде кремния / А.И. Гирка, Е.Н. Мохов // Физика твердого тела. - 1995. - Т. 37, B. 11. - С. 3374-3381.

[29] Мохов, Е.Н. / Проблемы управляемого получения легированных структур на основе карбида кремния / Е.Н. Мохов, Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина // Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. - Л.: Изд-во ЛИЯФ, 1980. - С. 136.

[30] Черемской, П.Г. Поры в твердом теле / П.Г. Черемской, В.В. Слезов, В.И. Бетехтин. - М.: Энергоатомиздат, 1990. - 376 с.

[31] Батенков, В.А. Электрохимия полупроводников / В.А. Батенков. - Барнаул: Изд-во Алтайского университет, 2002. - 162 с.

[32] Brander, R.W. The etching of a-silicon carbide / R.W. Brander, A.L. Boughey // British Journal of Applied Physics. - 1967. - Vol. 18. - P. 905-912.

[33] Soloviev, S. Structural and electrical characterization of porous silicon carbide formed in n-6H-SiC substrates / S. Soloviev, T. Das, T.S. Sudarshan // Electrochemical and Solid-State Letters. -2003. - Vol. 6, No. 2. - P. G22-G24.

[34] Иванов, П.А. Глубокие поверхностные состояния на интерфейсе SiC с собственным окислом / П.А. Иванов, К.И. Игнатьев, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова // Письма в Журнал технической физики. - 1997. - Т. 23, В.20. - С. 55-60.

[35] Ivanov, P.A. Noise spectroscopy of local surface levels in semiconductors / P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev // Semiconductor Science and Technology. - 2000. -Vol. 15, No. 2. - P. 164-168.

[36] Иванов, П.А. Исследование глубоких ловушек на интерфейсе SiO2/6H-SiC методом неравновесного эффекта поля / П.А. Иванов, Т.П. Самсонова, В.Н. Пантелеев, Д.Ю. Поляков // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т. 35, В. 4. - С. 482-488.

[37] Spear, W.E. Drift mobility techniques for the study of electrical transport properties in insulatings / W.E. Spear // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1969. - Vol. 1, Is. 3. - P. 197-214.

[38] Казакова, Л.П. Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом карбиде кремния / Л.П. Казакова, М.Г. Мынбаева, К.Д. Мынбаев // Физика и техника полупроводников. - 2004.

- Т. 38, В. 9. - С. 1118-1120.

[39] Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт, Э. Дэвис. - М.: Мир, 1982. - т. 2. - 658 с.

[40] Казакова, Л.П. Переходный ток, ограниченный пространственным зарядом, в пористом кремнии / Л.П. Казакова, А.А. Лебедев, Э.А. Лебедев // Физика и техника полупроводников.

- 1997. - Т. 31, В. 5. - С. 609-610.

[41] Аверкиев, Н.С. Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом кремнии / Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Н.Н. Смирнова // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т. 35, В. 5. - С. 609-611.

[42] Аверкиев, Н.С. Перенос носителей заряда в пористом кремнии / Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Н.Н. Смирнова // Физика и техника полупроводников. - 2002. - Т. 36, В. 3. - С. 355-359.

[43] Ламперт, М. Инжекционные токи в твердых телах / М. Ламперт, П. Марк. - М.: Мир, 1973. - 413 с.

[44] Silver, M. Transient space charge-limited currents in a-Si:H / M. Silver, E. Snow, D. Wesson, K. Okamoto, R. Konenkamp, M. Hermann // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1984. - Vol. 66, Nos. 1-2. - P. 237-242.

[45] Ivanov, P.A. Effective carrier concentration in porous silicon carbide / P.A. Ivanov, M.G. Mynbaeva, S.E. Saddow // Semiconductor Science and Technology. - 2004. - Vol. 19, No. 3. - P. 319-322.

[46] Мынбаева, М.Г. Фотоэлектрические свойства пористых гетероструктур GaN/SiC / М.Г. Мынбаева, А.А. Ситникова, К.Д. Мынбаев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, В. 10. - С. 1369-1372.

[47] Mynbaeva, M. Photoconductivity in porous GaN layers / M. Mynbaeva, N. Bazhenov, K. Mynbaev, V. Evstropov, S.E. Saddow, Y. Koshka, Y. Melnik // Physica Status Solidi B. - 2001. -Vol. 228, No. 2. - P. 589-592.

[48] Мынбаева, М.Г. Новый подход к экспресс-характеризации монокристаллического карбида кремния / М.Г. Мынбаева // Письма в Журнал технической физики. - 2010. - Т. 36, В. 2. - С. 70-76.

[49] Mynbaeva, M.G. An effective method of characterization of SiC substrates / M.G. Mynbaeva, A.A. Lebedev // Materials Science Forum. - 2009. - Vols. 615-617. - P. 279-282.

[50] Лучинин, В.В. Отечественный карбид кремния / В.В. Лучинин, Ю.М. Таиров // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2011. - № 6(92). - С. 3-26.

[51] Tairov, Yu.M. Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystals / Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov // Journal of Crystal Growth. - 1978. - Vol. 43, Is. 2. - P. 209-212.

[52] Bakin, A.S. State-of-the-art in defect control of bulk SiC / A.S. Bakin, S.I. Dorozhkin // 1998 High-Temperature Electronic Materials, Devices and Sensors Conference (IEEE Cat. No. 98EX132). 22-27 February 1998. San Diego, USA. - P. 2-13. ISBN: 0-7803-4437-5.

[53] Hansen, D.M. A Study of nitrogen incorporation in PVT growth of n+ 4H SiC / D.M. Hansen, G.Y. Chung, M.J. Loboda // Materials Science Forum. - 2006. - Vols. 527-529. - P. 59-62.

[54] Heindl, J. Micropipes: hollow tubes in silicon carbide / J. Heindl, H.P. Strunk, V.D. Heydemann, G. Pensl // Physica Status Solidi A. - 1997. - Vol. 162, Is. 1. - P. 251-262.

[55] Kanaya, M. Controlled sublimation growth of single crystalline 4H-SiC and 6H-SiC and identification of polytypes by x-ray diffraction / M. Kanaya, J. Takahashi, Y. Fujiwara, A. Moritani // Applied Physics Letters. - 1991. - Vol. 58, Is. 1. - P. 56-58.

[56] Augustine, G. Physical vapor transport growth and properties of SiC monocrystals of 4H polytype / G. Augustine, H.McD. Hobgood, V. Balakrishna, G. Dunne, R.H. Hopkins // Physica Status Solidi B. - 1997. - Vol. 202, Is. 1. - P. 137-148.

[57] Tairov, Yu.M. Progress in controlling the growth of polytypic crystals / Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov // Progress in Crystal Growth and Characterization. - 1983. - Vol. 7, Is. 4. - P. 111-162.

[58] Водаков, Ю.А. Влияние примесей на политипизм карбида кремния / Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, М.М. Аникин // Письма в Журнал технической физики. - 1979. - Т. 5, В. 6. - С. 367-370.

[59] Stein, R.A. Control of polytype formation by surface energy effects during the growth of SiC monocrystals by the sublimation method / R.A. Stein, P. Lanig // Journal of Crystal Growth. -1993. - Vol. 131, Is. 1-2. - P. 71-74.

[60] Ha, S. Origin of domain structure in hexagonal silicon carbide boules grown by the physical vapor transport method / S. Ha, N.T. Nuhfer, G.S. Rohrer, M. De Graef, M. Skowronski // Journal of Crystal Growth. - 2000. - Vol. 220, Is. 3. - P. 308-315.

[61] Dudley, M. The mechanism of micropipe nucleation at inclusions in silicon carbide / M. Dudley, X.R. Huang, W. Huang, A. Powell, S. Wang, P. Neudeck, M. Skowronski // Applied Physics Letters. - 1999. - Vol. 75, Is.6. - P. 784-786.

[62] Kohn, V.G. Study of micropipe structure in SiC by x-ray phase contrast imaging / V.G. Kohn, T.S. Argunova, J.H. Je // Applied Physics Letters. - 2007. - Vol. 91, Is. 17. - P. 171901.

[63] Dudley, M. Contribution of X-ray topography and high-resolution diffraction to the study of defects in SiC / M. Dudley, X.R. Huang, W.M. Vetter // Journal of Physics D: Applied Physics. -2003. - Vol. 36, No. 10A. - P. A30-A36.

[64] Grim, J.R. Transmission electron microscopy analysis of mechanical polishing-related damage in silicon carbide wafers / J.R. Grim, M. Benamara, M. Skowronski, W.J. Everson, V.D. Heydemann // Semiconductor Science and Technology. - 2006. - Vol. 21, No. 12. - P. 1709-1713.

[65] Ferrero, S. Defect characterization of 4H-SiC wafers for power electronic device applications / S. Ferrero, S. Porro, F. Giorgis, C.F. Pirri, P. Mandracci, C. Ricciardi, L. Scaltrito, C. Sgorlon, G. Richieri, L. Merlin // Journal of Physics: Condensed. Matter. - 2002. - Vol. 14, No. 48. - P. 1339713402.

[66] Higashi, E. Defect observation in SiC wafers by room-temperature photoluminescence mapping / E. Higashi, M. Tajima, N. Hoshino, T. Hayashi, H. Kinoshita, H. Shiomi, S. Matsumoto // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2006. - Vol. 9, Is. 1-3. - P. 53-57.

[67] Bishop, S.M. Polytype stability and microstructural characterization of silicon carbide epitaxial films grown on [11-20]- and [0001]-oriented silicon carbide substrates / S.M. Bishop, C.L. Reynolds, Z. Liliental-Weber, Y. Uprety, J. Zhu, D. Wang, M. Park, J.C. Molstad, D.E. Barnhardt, A. Shrivastava, T.S. Sudarshan, R.F. Davis // Journal of Electronic Materials. - 2007. - Vol. 36, No. 4. - P. 285-296.

[68] Nakashima, S. Raman imaging of semiconductor materials: characterization of static and dynamic properties / S. Nakashima // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2004. - Vol. 16, No. 2. - P. S25-S38.

[69] Nitani, S. Nondestructive analysis of crystal defects in 4H-SiC epilayer by devised electron-beam-induced current method / S. Nitani, T. Hatayama, K. Yamaguchi, H. Yano, Y. Uraoka, T. Fuyuki // Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. - 2005. - Vol. 44, No. 37-41. - P. L1271.

[70] Mitchel, W.C. Hopping conduction in heavily doped bulk «-type SiC / W.C. Mitchel, A.O. Evwaeaye, S R. Smith, M.D. Roth // Journal of Electronic Materials. - 1997. - Vol. 26, Is. 3. - P. 113-118.

[71] Matsuura, H. Characterization of intrinsic defects in high-purity high-resistivity ^-type 6H-SiC / H. Matsuura, H. Yanase, M. Takahashi // Japanese Journal of Applied Physics. - 2008. - Vol. 47, No. 9R. - P. 7052-7055.

[72] Spencer, M.G. Substrate and epitaxial issues for SiC power devices / M.G. Spencer, J. Palmour, C. Carter // IEEE Transactions on Electron Devices. - 2002. - Vol. 49, Is. 5. - P. 940-945.

[73] Porous Silicon: From Formation to Application: Formation and Properties, Volume One / Ed. G. Korotcenkov. - Boca Raton: CRC Press, Taylor and Francis Group, 2016. - 439 p. ISBN 1482264552, 9781482264555.

[74] Silicon Carbide: Materials, Devices and Applications / Eds. Z. Feng, J. Zhao, as a volume of the book series: Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, Editor in chief: M.O. Manasreh. - Taylor and Francis Engineering, 2003, p. 321-385.

[75] Nanocrystals and Quantum Dots of Group IV Semiconductors / Eds. T.V. Torchynska, Yu.V. Vorobiev. - New York: American Scientific Publishers, 2010. - PP. 253-273. ISBN 1-58883-154-X.

[76] Silicon Carbide Biotechnology: A Biocompatible Semiconductor for Advanced Biomedical Devices and Applications, Second edition / Ed. S.E. Saddow. - Amsterdam: Elsevier, 2016. - 378 p. ISBN-10: 0128029935, ISBN-13: 978-0128029930.

[77] Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride: Epitaxy, Catalysis, and Biotechnology Applications / Eds. R.M. Feenstra, C E C. Wood. - London: John Wiley and Sons, 2008. - P. 171-211. ISBN 9780-470-51752-9.

[78] Скороход, В.В. Развитие идей В.Я. Френкеля в современной реологической теории спекания / В.В. Скороход // Порошковая металлургия. - 1995. - №. 9/10. - С. 36-42.

[79] Слезов, В.В. Диффузионный распад твердых растворов / В.В. Слезов, В.В. Сагалович // Успехи физических наук. - 1987. - Т. 151, № 1. - С. 67-104.

[80] Остапчук, П.Н. Обобщенный формализм коалесценции в теории вакансионного распухания металлов / П.Н. Остапчук // Вопросы атомной науки и техники. - 2012. - № 2. - С. 9-15.

[81] Гегузин, Я.Е. Поверхностная энергия и процессы на поверхности твердых тел // Я.Е. Гегузин, Н.Н. Овчаренко // Успехи физических наук. - 1962. - Т. 76, № 2. - С. 283-328.

[82] Torchynska, T.V. Raman scattering investigation on porous SiC layers / T.V. Torchynska, M. Morales Rodriguez, A. Vivas Hernandez, G. Polupan, S. Ostapenko, M. Mynbaeva // Physica Status Solidi C. - 2005. - Vol. 2. No. 8. - P. 2962-2965.

[83] Torchynska, T.V. Raman-scattering and structure investigations on porous SiC layers / T.V. Torchynska, A. Vivas Hernandez, A. Diaz Cano, S. Jiménez-Sandoval, S. Ostapenko, M. Mynbaeva // Journal of Applied Physics. - 2005. - Vol. 97. - P. 033507.

[84] Torchynska, T.V. Photoluminescence and Raman spectroscopy in porous SiC / T.V. Torchynska, A. Diaz Cano, S. Jiménez-Sandoval, M. Dubic, S. Ostapenko, M. Mynbaeva // Microelectronics Journal. - 2005. - Vol. 36, Nos. 3-6. - P. 536-538.

[85] Torchynska, T.V. Stimulation of excitonic and defect-related luminescence in porous SiC / T.V. Torchynska, A.D. Cano, M. Dubic, S. Ostapenko, M. Mynbaeva // Physica B: Condensed Matter. -2006. - Vol. 376. - P. 367-369.

[86] Rodriguez, M.M. Comparative investigation of optical and structural properties of porous SiC / M.M. Rodriguez, J.M. Rivas, A.D. Cano, T.V. Torchynska, J.P. Gomez, G.G. Gasga, S.J. Sandoval, M. Mynbaeva // Microelectronics Journal. - 2008. - Vol. 39, Is. 3-4. - P. 494-498. 34

[87] Rodriguez, M.M. Optical and structural properties of SiC nanocrystals / M.M. Rodriguez, A.D. Cano, T.V. Torchynska, J.P. Gomez, G.G. Gasga, G. Polupan, M. Mynbaeva // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. - 2008. - Vol. 19, Is. 8-9. - P. 682-686.

[88] Дубинко, В.И. Теория диффузионной эволюции ансамбля пор в кристаллах под облучением / В.И. Дубинко, П.Н. Остапчук, В.В. Слезов // Физика металлов и металловедение. - 1988. - Т. 65, № 1. - С. 32-43.

[89] Овчинников, В.В. Радиационно-динамические эффекты. Возможности формирования уникальных структурных состояний и свойств конденсированных сред / В.В. Овчинников // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, № 9. - С. 991-1001.

[90] Калиниченко, А.И. Упругие волны, возбуждаемые при ионной имплантации, и их влияние на процессы в облучаемом материале / А.И. Калиниченко, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. - 2005. - Т. 88, № 5. - С. 159-163.

[91] Черемской, П.Г. Поры в пленках / П.Г. Черемской, М.Я. Фукс, Л.С. Палатник. - М.: Энергоиздат, 1982. - 216 с.

[92] Devaty R.P. Optical characterization of silicon carbide polytypes / R.P. Devaty, W.J. Choyke // Physica Status Solidi A. - 1997. - Vol. 162, Is. 1. - P. 5-38.

[93] Matsumoto, T. Blue-green luminescence from porous silicon carbide / T. Matsumoto, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futagi, H. Mimura, Y. Kanemitsu // Applied Physics Letters. 1964. - Vol. 64, Is. 2. - P. 226-228.

[94] Jessensky, O. Microstructure and photoluminescence of electrochemically etched porous SiC / O. Jessensky, F. Muller, U. Gosele // Thin Solid Films. - 1997. - Vol. 297, Is. 1-2. - P. 224-228.

[95] Rittenhouse, T.L. Surface-state origin for the blueshifted emission in anodically etched porous silicon carbide / T.L. Rittenhouse, P.W. Bohn, T.K. Hossain, I. Adesida, J. Lindesay, A. Marcus // Journal of Applied Physics. - 2004. - Vol. 95, Is. 2. - P. 490-496.

[96] Кукушкин, С.А. Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2H и 4H карбида кремния / С.А. Кукушкин, А.В. Осипов // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, В. 3. - С. 422-425.

[97] Кукушкин, С.А. Пути политипных превращений в карбиде кремния / С.А. Кукушкин, А.В. Осипов // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, В. 8. - С. 1443-1447.

[98] Righi, M.C. Surface-induced stacking transition at SiC(0001) / M.C. Righi, C.A. Pignedoli, G. Borghi, R. Di Felice, C M. Bertoni, A. Catellani // Physical Review B. - 2002. - Vol. 66, Is. 4. - P. 045320.

[99] Canham, L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electro chemical and chemical dissolution of wafers / L.T. Canham. // Applied Physics Letters. - 1990. - Vol. 57, Is. 10. - P. 1046-1048.

[100] Hybertsen, M.S. Absorption and emission of light in nanoscale silicon structures / M.S. Hybertsen // Physical Review Letters. - 1994. - Vol. 72, Is. 10. - P. 1514-1517.

[101] Efros, Al.L. Band-edge exciton in quantum dots of semiconductors with a degenerate valence band: Dark and bright exciton states / Al.L. Efros, M. Rosen, M. Kuno, M. Nirmal, D.J. Norris, M. Bawendi // Physical Review B. - 1996. - Vol. 54, Is. 7. - P. 4843-4856.

[102] Askari, S. Ultra-Small photoluminescent silicon-carbide nanocrystals by atmospheric-pressure plasmas / S. Askari, A.U. Haq, M. Macias-Montero, I. Levchenko, F. Yu, W. Zhou, K. Ostrikov, P. Maguire, V. Svrcekg, D. Mariotti // Nanoscale. - 2016. - Vol. 8, Is. 39. - P. 17141-17149.

[103] Волова, Т.Г. Материалы для медицины, клеточной и тканевой инженерии: электрон. учеб. пособие [Электронный ресурс] / Т.Г. Волова, Е.И. Шишацкая, П.В. Миронов. - Красноярск: ИПК СФУ, 2009. - 1 электрон. опт. диск (DVD).

[104] Frewin, C.L. Silicon carbide materials for biomedical applications / C.L. Frewin, C. Coletti, J.J. Register, M. Nezafati, S. Thomas, S.E. Saddow // Chapter 7 in: Carbon for Sensing Devices. Eds. M.I. Shahzad, A. Tagliaferro. Spinger, 2015. - P. 153-207.

[105] McCullen, S.D. Nanofibrous composites for tissue engineering applications / S.D. McCullen, S. Ramaswamy, L.I. Clarke, R.E. Gorga // WIREs Nanomedicine and Nanobiotechnology. - 2009. -Vol. 1, Is. 4. - P. 369-390.

[106] Wang, Y. Graphene and graphene oxide: biofunctionalization and applications in biotechnology / Y. Wang, Z. Li, J. Wang, J. Li, Y. Lin // Trends in Biotechnology. - 2011. - Vol. 29, Is. 5. - P. 205-212.

[107] Ohta, T. Controlling the electronic structure of bilayer graphene / T. Ohta, A. Bostwick, T. Seyller., K. Horn, E. Rotenberg // Science. - 2006. - Vol. 313, Is. 5789. - P. 951-954.

[108] Virojanadara, C. Homogeneous large-area graphene layer growth on 6HSiC (0001) / C. Virojanadara, M. Syväjarvi, R. Yakimova, L.I. Johansson, A.A. Zakharov, T. Balasubramanian // Physical Review B. - 2008. - Vol. 78, Is. 24. - P. 245403.

[109] Hass, J. The growth and morphology of epitaxial multilayer graphene / J. Hass, W.A. Heer, E.H. Conrad // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2008. - Vol. 20, Is. 32. - P. 323202.

[110] Riedl, C. Structural and electronic properties of epitaxial graphene on SiC (0001): a review of growth, characterization, transfer doping and hydrogen intercalation / C. Riedl, C. Coletti, U. Starke // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2010. - Vol. 43, Is. 37. - P. 374009.

[111] Kageshima, H. Theoretical study of epitaxial graphene growth on SiC (0001) surfaces / H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, H. Yamaguchi // Applied Physics Express. - 2009. - Vol. 2, No. 6. - P. 065502.

[112] Emtsev, K.V. Towards wafer-size graphene layers by atmospheric pressure graphitization of silicon carbide / K.V. Emtsev, A. Bostwick, K. Horn, J. Jobst, G.L. Kellogg, L. Ley // Nature Materials. - 2009. - Vol. 8. - P. 203-207.

[113] Drowart, J. Thermodynamic study of SiC utilizing a mass spectrometer / J. Drowart, G. De Maria, M.G. Inghram // The Journal of Chemical Physics. - 1958. - Vol. 29, Is. 5. - P. 1015-1021.

[114] Lilov, S.K. Study of the equilibrium processes in the gas phase during silicon carbide sublimation / S.K. Lilov // Materials Science and Engineering. - 1993. - Vol. 21, Is. 1. - P. 65-69.

[115] Агеев, О.А. Карбид кремния: технология, свойства, применение / О.А. Агеев, А.Е. Беляе.в, Н.С. Болтовец, В.С. Киселев, Р.В. Конакова, А.А. Лебедев, В.В. Миленин, О.Б. Охрименко, В.В. Поляков, А.М. Светличный, Д.И. Чередниченко. - Харьков: «ИСМА», 2010. - 532 с.

[116] Tsukamoto, T. Structural analysis of the heat-treated 4H(6H)-SiC(0001)Si surface / T. Tsukamoto, M. Hiria, M. Kusaka, M. Iwami, T. Ozawa, T. Nagamura, T. Nakata // Surface Science. - 1997. - Vol. 371, Is. 2-3. - P. 316-320.

[117] Mynbaeva, M. Porous SiC — Prospective applications / M. Mynbaeva // Material Research Society Symposium Proceedings. - 2003. - Vol. 742. - P. 309-320.

[118] Мынбаева, М.Г. О высокотемпературном диффузионном легировании пористого SiC / М.Г. Мынбаева, Е.Н. Мохов, А.А. Лаврентьев, К.Д. Мынбаев // Письма в Журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, В. 17. - С. 13-19.

[119] Mynbaeva, M. Technological applications of porous SiC / M. Mynbaeva, K. Mynbaev // Chapter 8 in: Nanocrystals and Quantum Dots of Group IV Semiconductors. Eds. T.V. Torchynska, Yu.V. Vorobiev. - Stevenson Ranch: American Scientific Publishers, 2010. - P. 253-273.

[120] Mynbaeva, M. On current limitations in porous SiC applications / M. Mynbaeva, A. Lavrenfev, I. Kotousova, A. Volkova, K. Mynbaev, A. Lebedev // Material Science Forum. - 2005. - Vols. 483-485. - P. 269-272.

[121] Biscol, J. An X-ray study of carbon black / J. Biscol, B.E. Warren // Journal of Applied Physic. -1942. - Vol. 13, Is. 6. - P. 364-371.

[122] Шулепов, С.В. Физика углеграфитовых материалов / С.В. Шулепов. - Челябинск: Изд-во ЧГПУ, 1968. - 342 c.

[123] Fishbach, D.B. Chemistry and physics of carbon / D.B. Fishbach // Ed. P.L. Walker Jr. - New York: Marcel Dekker, 1971. P. 1.

[124] Teweldebrhan, D. Modification of graphene properties due to electron-beam irradiation / D. Teweldebrhan, A.A. Balandin // Applied Physics Letters. - 2009. - Vol. 94, Is. 1. - P. 013101.

[125] Pimenta, M.A. Studying disorder in graphite-based systems by Raman spectroscopy / M.A. Pimenta, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus, L.G. Cançado, A. Jorio, R. Saito // Physical Chemistry Chemical Physics. - 2007. - Vol. 9, Is. 11. - P. 1276-1290.

[126] Cançado, L.G. Measuring the absolute Raman cross section of nanographites as a function of laser energy and crystallite size / L.G. Cançado, A. Jorio, M.A Pimenta // Physical Review B. -2007. - Vol. 76, Is. 6. - P. 064304.

[127] Banhart, F. Structural defects in graphene / F. Banhart, J. Kotakoski, A.V. Krasheninnikov // ACS Nano. - 2011. -Vol. 5, No. 1. - P. 26-41.

[128] Sanyal, B. Molecular adsorption in graphene with divacancy defect / B. Sanyal, O. Eriksson, U. Jansson, H. Grennberg / Physical Review B. - 2009. - Vol. 79, Is. 11. - P. 113409.

[129] Qin, X. Interactions of ethanethiol with defective graphene: first-principle calculations / X. Qin, Q. Meng, W. Zhao // 2010 International Conference on Nanotechnology and Biosensors IPCBEE. -Vol. 2. - Singapore: IACSIT Press, 2011. - P. 80-84.

[130] Mynbaeva, M.G. Graphene-on-porous-silicon carbide structures / M.G. Mynbaeva, A.A Sitnikova, S.P. Lebedev, V.N. Petrov, D.A. Kirilenko, I.S. Kotousova, A.N. Smirnov, A.A. Lavrenfev // Materials Science Forum. - 2013. - Vols. 740-742. - P. 133-136.

[131] Mynbaeva, M.G. Graphene/silicon carbide-based scaffolds / M.G. Mynbaeva, A.A. Sitnikova, D A. Kirilenko, I S. Kotousova // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2012. - Vol. 45, Is. 33. -P. 335303.

[132] Лебедев, С.П. Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона / С.П. Лебедев, И.А. Елисеев, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, В.С. Левицкий, М.Г. Мынбаева, М.М. Кулагина, B. Hähnlein, J. Pezoldt, А. А. Лебедев // Письма в Журнал технической физики. - 2017. - Т. 43, В. 18. - С. 6472.

[133] Tedesco, J.L. Hall effect mobility of epitaxial graphene grown on silicon carbide / J.L. Tedesco, B.L. VanMill, R.L. Myers-Ward, J.M. McCrate, S.A. Kitt, P.M. Campbell, G.G. Jernigan, J.C. Culbertson, C.R. Eddy, D.K. Gaskill // Applied Physics Letters. - 2009. - Vol. 95, Is. 12. - P. 122102.

[134] Janseen, T.J.B.M. Precision comparison of the quantum Hall effect in graphene and gallium arsenide / T.J.B.M. Janssen, J.M. Williams, N.E. Fletcher, R. Goebel, A. Tzalenchuk, R. Yakimova, S. Lara-Avila, S. Kubatkin, V.I. Fal'ko // Metrologia. - 2012. - Vol. 49, No. 3. - P. 294-306.

[135] Морозов, С.В. Электронный транспорт в графене / С.В. Морозов, К.С. Новоселов, А.К. Гейм // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, В. 6. - С. 776-780.

[136] Мынбаева, М.Г. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме / М.Г. Мынбаева, С.П. Лебедев, А.А. Лаврентьев, К.Д. Мынбаев, А.А. Головатенко, А.А. Лебедев, В.И. Николаев // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, В. 3. - С. 350-353.

[137] Громов, Д.Г. Проявление гетерогенного механизма при плавлении малоразмерных систем / Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, В. 10. - С. 2012-2021.

[138] Громов, Д.Г. Кинетика процесса плавления-диспергирования тонких пленок меди / Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев, Р.М. Аммосов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, В. 1. - С. 172-178.

[139] Иевлев, В.М. Синтез наноструктурированных пленок SiC при импульсной фотонной обработке Si в углеродсодержащей среде / В.М. Иевлев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - № 10. - С. 48-53.

[140] Глазов, В.М. Жидкие полупроводники / В.М. Глазов, С.Н. Чижевская, Н.Н. Глаголева. -М.: Наука, 1967. - 244 с.

[141] Мынбаева, М.Г. Получение затравочных кристаллов улучшенного качества для роста объемного карбида кремния / М.Г. Мынбаева, П.Л. Абрамов, А.А. Лебедев, А.С. Трегубова, Д.П. Литвин, А.В. Васильев, Т.Ю. Чемекова, Ю.Н. Макаров // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, В. 6. - С. 847-851.

[142] Li, J.G. Reactive wetting in the liquid-silicon/solid-carbon system / J.G. Li, H. Hausner // Journal of American Ceramical Society. - 1996. - Vol. 79, No. 4. - P. 873-880.

[143] Сорокин, О.Ю. К вопросу о механизме взаимодействия углеродных материалов с кремнием (обзор) / О.Ю. Сорокин // Авиационные материалы и технологии. - 2015. - № 1. -С. 65-70.

[144] Гегузин, Я.Е. Капля / Я.Е. Гегузин. - М.: "Наука", 1977. - 160 с.

[145] Мынбаева, М.Г. Полуизолирующие слои карбида кремния, полученные диффузией ванадия в пористый SiC / М.Г. Мынбаева, А.А. Лаврентьев, Н.И. Кузнецов, А. Н. Кузнецов, К.Д. Мынбаев, А.А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, В. 5. - С. 612-615.

[146] Мынбаева, М.Г. Диффузия магния из подложек пористого карбида кремния при автолегировании эпитаксиальных слоев нитрида галлия / М.Г. Мынбаева, А.А. Лаврентье.в, А.В. Фомин, К.Д. Мынбаев, А.А. Лебедев // Письма в Журнал технической физики. - 2003. -Т. 29, В. 11. - С. 72-78.

[147] Mynbaeva, M.G. Analysis of erbium and vanadium diffusion in porous silicon carbide / M.G. Mynbaeva, E.L. Pankratov, E.N. Mokhov, K.D. Mynbaev // Advances in Condensed Matter Physics. - 2012. - Vol. 2012. - P. 439617.

[148] Soloviev, S.I. Processing porous SiC: diffusion, oxidation, contact formation / S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan. In: Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride: Epitaxy, Сatalysis, and Biotechnology Applications / Eds. R.M. Feenstra, C E C. Wood. - London: John Wiley and Sons, 2008. - P. 31.

[149] Мохов, Е.Н. Проблемы управляемого получения легированных структур на основе карбида кремния / Е.Н. Мохов, Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина // Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников, Л.: Изд-во ЛИЯФ, 1980. - С. 136.

[150] Vodakov, Yu.A. Point defects in silicon carbide / Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov // Institute of Physics: Conference Series. - 1994. - No. 137. - P. 197-200.

[151] Мынбаева, М.Г. Диффузия в пористом карбиде кремния / Е.Л. Панкратов, Е.Н. Мохов, М.Г. Мынбаева, К.Д. Мынбаев // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, В. 5. - С. 885-891.

[152] Kitayama, M. The Wulff shape of alumina: I, modeling the kinetics of morphological evolution / M. Kitayama, T. Narushima, W.C. Carter, R.M. Cannon, A.M. Glaeser // Journal of American Ceramic Society. - 2000. - Vol. 83, Is. 10. - P. 2531-2581.

[153] Готра, З.Ю. Технология микроэлектронных устройств / З.Ю. Готра. - М.: Радио и связь, 1991. - 528 с.

[154] Зорин, Е.И. Ионное легирование полупроводников / Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум. - М.: Энергия, 1975. - 130 с.

[155] Ryssel, H. Ion implantation / H. Ryssel, I. Ruge. - Stuttgart: "B.G. Teubner", 1978. - 360 p.

[156] Bai, J. Porous SiC for HT chemical sensing devices: an assessment of its thermal stability / J. Bai, G. Dhanaraj, P. Gouma, M. Dudley, M. Mynbaeva // Material Science Forum. - 2004. - Vols. 457-460. - P. 1479-1482.

[157] Соколов, Ю.Д. Об определении динамических усилий в шахтных подъемных канатах / Ю.Д. Соколов // Прикладная механика. - 1955. - Т. 1, № 1. - С. 23-35.

[158] Pankratov, E.L. Redistribution of dopant during microwave annealing of a multilayer structure for production p-n junction / E.L. Pankratov // Journal of Applied Physics. - 2008. - Vol. 103, Is. 6. - P. 064320.

[159] Pankratov, E.L. Dynamics of 5-dopant redistribution during heterostructure growth / E.L. Pankratov // The European Physical Journal B. - 2007. - Vol. 57, No. 3. - P. 251-256.

[160] Pankratov, E.L. Analysis of redistribution of radiation defects taking into account diffusion and several secondary processes / E.L. Pankratov // Modern Physics Letters B. - 2008. - Vol. 22, No. 28. - P. 2779-2791.

[161] Reshanov, S.A. Photoconductivity of semi-insulating SiC: <V, Al> / S.A. Reshanov, V.P. Rastegaev // Diamond and Related Materials. - 2001. - Vol. 10, Is. 11. - P. 2035-2038.

[162] Mandal, K.C. Characterization of semi-insulating 4H silicon carbide for radiation detectors / K.C. Mandal, R.M. Krishna, P.G. Muzykov, S. Das, T.S. Sudarshan // IEEE Transactions on Nuclear Science. - 2011. - Vol. 58, No. 4. - P. 1992-1999.

[163] Hobgood, H.McD. Semi-insulating 6H-SiC grown by physical vapor transport / H.McD. Hobgood, R.C. Glass, G. Augustine, R.H. Hopkins, J. Jenny, M. Skowronski, W.C. Mitchel, M. Roth // Applied Physics Letters. - 1995. -Vol. 66, Is. 11. - P. 1364-1366.

[164] Reshanov, S.A. Growth and high temperature performance of semi-insulating silicon carbide / S.A. Reshanov // Diamond and Related Materials. - 2000. - Vol. 9, Is. 3-6. - P. 480-482.

[165] Sudarshan, T.S. High field/high temperature performance of semi-insulating silicon carbide / T.S. Sudarshan, G. Gradinaru, G. Korony, S.A. Gradinaru, W. Mitchel // Diamond and Related Materials. - 1997. - Vol. 6, Is. 10. - P. 1392-1395.

[166] Лебедев, А.А. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремня / А.А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 1999. - Т. 33, В. 2. - С. 129-155.

[167] Kimoto, T. Formation of semi-insulating 6H-SiC layers by vanadium ion implantations / T. Kimoto, T. Nakajima, H. Matsunami, T. Nakata, M. Inoue // Applied Physics Letters. - 1996. -Vol. 69, Is. 8. - P. 1113-1115.

[168] Edwards, A. Compensation implants in 6H-SiC / A. Edwards, D.N. Dwight, M.V. Rao, M.C. Ridgway, G. Kelner, N. Papanicolau // Journal of Applied Physics. - 1997. - Vol. 82, Is. 9. - P. 4223-4227.

[169] Dmitriev V.A. SiC fabrication technology: growth and doping / V.A. Dmitriev, M.G. Spencer // Chapter 2 in: SiC Materials and Devices. Ed. Y.S. Park. Semiconductors and Semimetals. - Vol. 52. - New York: Academic Press, 1998. - P. 21-75.

[170] Bickermann, M. Incorporation of boron and vanadium during PVT growth of 6H-SiC crystals / M. Bickermann, B.M. Epelbaum, D. Hofmann, T.L. Straubinger, R. Weingartner, A. Winnacker // Journal of Crystal Growth. - 2001. - Vol. 233, Is. 1-2. - P. 211-218.

[171] Ellison, A. HTCVD growth of semi-insulating 4H-SiC crystals with low defect density / A. Ellison, B. Magnusson, C. Hemmingson, W. Magnusson, T. Iakimov, L. Storasta, A. Henry, N. Henelius, E. Janzen // Material Research Society Symposium Proceedings. - 2001. - Vol. 640, P. H1.2.1-H1.2.4.

[172] Гирка, А.И. Вакансионные дефекты в карбиде кремния / А.И. Гирка, Е.Н. Мохов // Физика твердого тела. - 1995. - Т. 37, В. 11. - С. 3374-3381.

[173] Wang, C. Formation energies, abundances, and the electronic structure of native defects in cubic SiC / C. Wang, J. Bernholc, R.F. Davis // Physical Review B. - 1988. - Vol. 38, Is. 17. - P. 1275212755.

[174] Muller, St.G. High quality SiC substrates for semiconductor devices: from research to industrial production / S.G. Müller, M F. Brady, W.H. Brixius, G. Fechko, R.C. Glass, D. Henshall, H. McD. Hobgood, JR. Jenny, R.T. Leonard, D P. Malta, A.R. Powell, V.F. Tsvetkov, S T. Allen, J.W. Palmour, C.H. Carter Jr. // Material Science Forum. - 2002. - Vol. 389-393. - P. 23-28.

[175] von Bardeleben, H.J. EPR studies of interface defects in и-type 6H-SiC/SiO2 using porous SiC / H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, M. Mynbaeva, S.E. Saddow // Materials Science Forum. - 2003. - Vols. 433-436. - P. 495-498.

[176] Poindexter, E.H. Electronic traps and Pb centers at the Si/SiO2 interface: Band-gap energy distribution / E.H. Poindexter, G.J. Gerardi, M.-E. Rueckel, P.J. Caplan // Journal of Applied Physics. - 1984. - Vol. 56, Is. 10. - P. 2844-2849.

[177] Chang, S T. Amphoteric defects at the Si-SiO2 interface / S T. Chang, J.K. Wu, S.A. Lyon // Applied Physics Letters. - 1986. - Vol. 48, Is. 10. - P. 662-664.

[178] Johnson, N.M. Pressure dependence of the Pb center at the (111) Si/SiO2 interface / N.M. Johnson, W. Shan, P.Y. Yu // Physical Review B. - 1989. - Vol. 39, Is. 5. - P. 3431-3434.

[179] Grimmeiss, H.G. Optical and electrical studies of interface traps in the Si/SiO2 system by modified junction space-charge techniques / H.G. Grimmeiss, W.R. Buchwald, E.H. Poindexter, P.J. Caplan, M. Harmatz, G.J. Gerardi, D.J. Keeble, N.M. Johnson // Physical Review B. - 1989. -Vol. 39, Is. 8. - P. 5175-5185.

[180] Rieger, P.H. Electron spin resonance: analysis and interpretation / P.H. Rieger. - Cambridge: oyal Society of Chemistry (RSC) Publishing, 2009. - 173 p.

[181] Afanas'ev, V.V. Electronic properties of SiO2SiC interfaces / V.V. Afanas'ev // Microelectronic Engineering. - 1999. - Vol. 48, Is. 1-4. - P. 241-248.

[182] Sakurai, T. SiC/SiO2 interface states observed by x-ray photoelectron spectroscopy measurements under bias / T. Sakurai, E.A. de Vasconcelos, T. Katsube, Y. Nishioka, H. Kobayashi // Applied Physics Letters. - 2001. - Vol. 78, Is. 1. - P. 96-98.

[183] Birkhahnand, R. Green emission from Er-doped GaN grown by molecular beam epitaxy on Si substrates / R. Birkhahnand, A.J. Steckl // Applied Physics Letters. - 1998. - Vol. 73, Is. 15. - P. 2143-2145.

[184] McHargue, C.J. Ion implantation effects in silicon carbide / C.J. McHargue, J.M. Williams // Nuclear Instruments and Methods in Physics Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. - 1993. - Vol. 80/81, Part 2. - P. 889-894.

[185] Yoo, W.S. Solid-state phase transformation in cubic silicon carbide / W.S. Yoo, H. Matsunami // Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. - 1991. - Vol. 3, No. 3. - P. 545-553.

3+

[186] Glukhanyuk, V. Site selective studies of Er emission centres in Er-implanted 6H-SiC / V. Glukhanyuk, A. Kozanecki // Applied Physics Letters. - 2006. - Vol. 89, Is. 21. - P. 211114.

[187] Baranov, P.G. Electron paramagnetic resonance of erbium in bulk silicon carbide crystals / P.G. Baranov, I V. Ilyin, E.N. Mokhov // Solid State Communications. - 1997. - Vol. 103, Is. 5. - P. 291-295.

[188] Koshka, Y. Spin-on doping of porous SiC with Er / Y. Koshka, Y. Song, J. Walker, S.E. Saddow, M. Mynbaeva // Materials Science Forum. - 2004. - Vols. 457-460. - P. 763-766.

[189] Mynbaeva, M. Porous SiC: New applications through in- and out- dopant diffusion / M. Mynbaeva, N. Kuznetsov, A. Lavrent'ev, K. Mynbaev, J.T. Wolan, B. Grayson, V. Ivantsov, A. Syrkin, A. Fomin, S.E. Saddow // Materials Science Forum. - 2003. - Vols. 433-436. - P. 657660.

[190] Pan, C.J. The doping of GaN with Mg diffusion / C.J. Pan, G.C. Chi // Solid-State Electronics. 1999. - Vol. 43, Is. 3. - P. 621-623.

[191] Sheu, J.K. The doping process and dopant characteristics of GaN / J.K. Sheu, G.C. Chi // Journal of Physics: Condensed Matter. - 2002. - Vol. 14, No. 22. - R657-R702.

[192] Бугров, В.Е. Физические основы оптимизации свойств светодиодных материалов / В.Е. Бугров, М.Г. Мынбаева, К.Д. Мынбаев, В.И. Николаев, М.А. Одноблюдов, А.Е. Романов. -СПб: Университет ИТМО, 2016. - 159 с. ISBN 978-5-7577-0548-4.

[193] Amano, H. P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI) / H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki // Japanese Journal of Applied Physics. Part. 2. - 1989. - Vol. 28, No. 12. - P. L2112-L2114.

[194] Nakamura, S. Thermal annealing effects on p-type Mg-doped GaN films / S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, N. Iwasa // Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. - 1992. - Vol. 31, No. 2B. - P. L139-L142.

[195] Nakamura, S. InxGa1-xN/InyGa1-yN superlattices grown on GaN films / S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa // Journal of Applied Physics. - 1993. - Vol. 74, Is. 6. - P. 3911-3915.

[196] Nakamura, S. Candela-class high-brightness InGaN/AlGaN double-heterostructure blue-light-emitting diodes / S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh // Applied Physics Letters. - 1994. - Vol. 64, Is. 13. - P. 1687-1689.

[197] Nakamura, S. High-brightness InGaN/AlGaN double heterostructure blue-green light-emitting diodes / S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh // Journal of Applied Physics. - 1994. - Vol. 76, Is. 12.

- P. 8189-8191.

[198] Nakamura, S. Superbright green InGaN SQW structure LEDs / S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mukai // Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. - 1995. -Vol. 34, No. 10B. - P. L1332-L1335.

[199] Nakamura, S. et al. InGaN-based multi-quantum-well structure laser diodes / S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto // Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. - 1996. - Vol. 35, No. 1B. - P. L74-L76.

[200] Khan, M.A. Metal semiconductor field effect transistor based on single crystal GaN / M.A. Khan, T.N. Kuznia, A.R. Bhattaraia // Applied Physics Letters. - 1993. -Vol. 62, Is.15. - P. 17861787.

[201] Khan, M.A. High electron mobility transistors based on a GaN-AlxGa1-xN heterojunction / M.A. Khan, A.R. Bhattarai, T.N. Kuznia, D.T. Olson // Applied Physics Letters. - 1993. - Vol. 63, Is. 9.

- P. 1213-1214.

[202] Nakamura, S. InGaN multi-quantum-well-structure laser diodes with cleaved mirror cavity facets / S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto // Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. - 1996. - Vol. 35, No. 2B. - P. L217-L219.

[203] Yoshida S. Improvements on the electrical and luminescent properties of reactive molecular beam epitaxially grown GaN films by using AlN-coated sapphire substrates / S. Yoshida, S. Misawa, S. Gonda // Applied Physics Letters. - 1983. - Vol. 42, Is. 5. - P. 427-429.

[204] Amano, H. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer / H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, Y. Toyoda // Applied Physics Letters. - 1986. -Vol. 48, Is. 5. - P. 353-355.

[205] Nakamura, S. GaN growth using GaN buffer layer / S. Nakamura // Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. - 1991. - Vol. 30, No. 10A. - P. L1705-L1707.

[206] Nakamura, S. In situ monitoring and Hall measurements of GaN grown with GaN buffer layers / S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh // Journal of Applied Physics. - 1992. - Vol. 71, No. 11. - P. 5543-5549.

[207] Gibart, P. Metal organic vapour phase epitaxy of GaN and lateral overgrowth / P. Gibart // Reports on Progress in Physics. - 2004. - Vol. 67, No. 5. - P. 667-715.

[208] Beaumont, B. Epitaxial lateral overgrowth of GaN / B. Beaumont, P. Vennegues, P. Gibart. // Physica Status Solidi B. - 2001. - Vol. 227. - Is. 1. - P.1-43.

[209] Nam, O. Lateral epitaxy of low defect density GaN layers via organometallic vapor phase epitaxy / O. Nam, M.D. Bremser, T.S. Zheleva, R.F. Davis // Applied Physics Letters. - 1997. -Vol. 71, Is. 18. - P.2638-2640.

[210] Vennegues, P. Reduction mechanisms for defect densities in GaN using one- or two-step epitaxial lateral overgrowth methods, P. Vennegues, B. Beaumont, V. Bousquet // Journal of Applied Physics. - 2000. -Vol. 87, Is. 9. - P. 4175-4181.

[211] Gradecak, S. Bending of dislocations in GaN during epitaxial lateral overgrowth / S. Gradecak, P. Stadelmann, V. Wagner, M. Ilegems // Applied Physics Letters. - 2004. - Vol. 85, Is. 20. - P. 4648-4650.

[212] Linthicum, K.J. Process routes for low defect-density GaN on various substrates employing pendeo-epitaxial growth techniques / K.J. Linthicum, T. Gehrke, D.B. Thomson, K.M. Tracy, E.P. Carlson, TP. Smith, T.S. Zheleva, C.A. Zorman, M. Mehregany, R.F. Davis // MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. - 1999. - Vol. 4, Is. S1. - P. 477-483.

[213] Zheleva, T. Pendeo-epitaxy - a new approach for lateral growth of gallium nitride films / T. Zheleva, S. Smith, D. Thomson // Journal of Electronic Materials. - 1999. - Vol. 28, Is. 4. - P. L5-L8.

[214] Chen, Y.S. Threading dislocation evolution in patterned GaN nanocolumn growth and coalescence overgrowth / Y.S. Chen, W.Y. Shiao, T.Y. Tang, W.M. Chang, C.H. Liao, C.H. Lin, K.C. Shen, C.C. Yang, M.C. Hsu, J.H. Yeh, T.C. Hsu // Journal of Applied Physics. - 2009. - Vol. 106, Is. 2. - P. 023251.

[215] Colby, R. Dislocation filtering in GaN nanostructures / R. Colby, Z. Liang, I.H. Wildeson, D.A. Ewoldt, T.D. Sands, R.E. Garcia, E.A. Stach // Nano Letters. - 2010. - Vol. 10, Is. 5. - P.1568-1573.

[216] Chiu, C.H. Nanoscale epitaxial lateral overgrowth of GaN-based light-emitting diodes on a SiO2 nanorod-array patterned sapphire template / C.H. Chiu, H.H. Yen, C.L. Chao, Z.Y. Li, Peichen Yu, H C. Kuo, T.C. Lu, S.C. Wang, K.M. Lau, S.J. Cheng // Applied Physics Letters. - 2008. -Vol. 93, Is. 8. - P. 081108.

[217] Lee, Y.J. Enhancing the output power of GaN-based LEDs grown on wet-etched patterned sapphire substrates / Y.J. Lee, J.M. Hwang, T.C. Hsu, M.H. Hsieh, M.J. Jou, B.J. Lee, T.C. Lu, H.C. Kuo, S.C. Wang // IEEE Photonics Technology Letters. - 2006. -Vol. 18, Is. 10. - P. 11521154.

[218] Chang, S.J. Nitride-based LEDs fabricated on patterned sapphire substrates / S.J. Chang, Y.C. Lin, Y.K. Su, C.S. Chang, T.C. Wen, S.C. Shei, J.C.Ke, C.W. Kuo, S.C. Chen, C.H. Liu // SolidState Electronics. - 2003. - Vol. 47, Is. 9. - P. 1539-1542.

[219] Yamada, M. InGaN-based near-ultraviolet and blue-light-emitting diodes with high external quantum efficiency using a patterned sapphire substrate and a mesh electrode / M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano, T. Mukai // Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. - 2002. -Vol. 41, No. 12B. - P. L1431-L1433.

[220] Martinez-Criado, G. Free-standing GaN grown on epitaxial lateral overgrown GaN substrates / G. Martinez-Criado, M. Kuball, M. Benyoucef, A. Sarua, E. Frayssinet, B. Beaumont, P. Gibart, C R. Miskys, M. Stutzmann // Journal of Crystal Growth. - 2003. -Vol. 255, Is. 3-4. - P.277-281.

[221] Dai, J.J. Enhanced the light extraction efficiency of an InGaN light emitting diodes with an embedded rhombus-like air-void structure / J.J. Dai, C.F. Lin, G.M. Wang, M.S. Lin // Applied Physics Express. - 2010. - Vol. 3. - P. 071002.

[222] Park, E.H. Air-voids embedded high efficiency InGaN-light emitting diode / E.H. Park, J. Jang, S. Gupta, I. Ferguson, C.H. Kim, S.K. Jeon, J.S. Park // Applied Physics Letters. - 2008. -Vol. 93, Is. 19. - P.191103.

[223] Lin, C.F. InGaN-based light-emitting diodes with a cone-shaped sidewall structure fabricated through a crystallographic wet etching process / C.F. Lin, C.M. Lin, C.C. Yang, W.K. Wang, Y.C. Huang, J.A. Chen, R.H. Horn // Electrochemical and Solid-State Letters. - 2009. - Vol. 12, Is 7. -P. H233- H237.

[224] Lin, N.M. GaN-based LEDs with air voids prepared by one-step MOCVD growth / N.M. Lin, S.J. Chang, S.C. Shei, ,W.C. Lai, Y.Y. Yang, W.C. Lin, H.M. Lo // Journal of Light Wave Technology. - 2011. - Vol. 29, Is. 18. - P. 2831-2835.

[225] Kaneko, T. Significant enhancement of light extraction from light emitting diodes with reverse-tapered microholes / T. Kaneko, K. Horino, H. Yamamoto, H. Ito, A. Kuramata // Journal of Light & Visual Environment. - 2008. - Vol. 32, Is. 2. - P.124-128.

[226] Torma, P.T. An investigation of structural properties of GaN films grown on patterned sapphire substrates by MOVPE / P.T. Torma, M. Ali, O. Svensk, S. Sintonen, P. Kostamo, M. Sopanen, H. Lipsanen, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov // Physica B - Condensed Matter . - 2009. - Vol. 404, Is. 23-24. - P. 4911-4915.

[227] Chen, Y.S. Threading dislocation evolution in patterned GaN nanocolumn growth and coalescence overgrowth / Y.S. Chen, W.Y. Shiao, T.Y. Tang, W.M. Chang, C.H. Liao, C.H. Lin, K.C. Shen, C.C. Yang, M.C. Hsu, J.H. Yeh, T.C. Hsu // Journal of Applied Physics. - 2009. - Vol. 106, Is. 2. - P. 023251.

[228] Ali, M. Void shape control in GaN re-grown on hexagonally patterned, mask-less GaN / M. Ali, A.E. Romanov, S. Suihkonen, O. Svensk, P.T. Torma, M. Sopanen, H. Lipsanen, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov // Journal of Crystal Growth. - 2011. - Vol. 315, No. 1. - P. 188-191.

[229] Bougrov, V.E. High quality GaN substrates for modern LED technology / V.E. Bougrov, A.R. Kovsh, M.A. Odnoblyudov, A.E. Romanov // LED Professional Review. - 2010. - Is. 18. - P. 4249.

[230] Ali, M. Enhancement of near-UV GaN LED light extraction efficiency by GaN/sapphire template patterning / M. Ali, O. Svensk, L. Riuttanen, M. Kruse, S. Suihkonen, A.E. Romanov, P.T. Törmä, M. Sopanen, H. Lipsanen, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov // Semiconductor Science and Technology. - 2012. - Vol. 27, No. 8. - P. 082002.

[231] Nikolaev, V.I. Effect of nano-column properties on self-separation of thick GaN layers grown by HVPE / V.I. Nikolaev, A.A. Golovatenko, M.G. Mynbaeva, I P. Nikitina, N.V. Seredova, A.I. Pechnikov, V.E. Bougrov, M.A. Odnoblyudov // Physica Status Solidi С. - 2014. - Vol. 11, Nos. 34. - P. 502-504.

[232] Mathis, S.K. Modeling of threading dislocation reduction in growing GaN Layers / S.K. Mathis, A.E. Romanov, L.F. Chen // Journal of Crystal Growth. -2001. -Vol. 231, Is. 2. - P. 371-390.

[233] Mynbaeva, M.G. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern / M.G. Mynbaeva, A.V. Kremleva, D.A. Kirilenko, A.A. Sitnikova, A.I. Pechnikov, K.D. Mynbaev, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, H. Lipsanen, A.E. Romanov // Journal of Crystal Growth. - 2016. - Vol. 445. - P. 30-36.

[234] Аргунова, Т.С. Предотвращение растрескивания кристаллов AIN на подложках SiC путем испарения подложек / Т.С. Аргунова, М.Ю. Гуткин, Е.Н. Мохов, О.П. Казарова, J.H. Lim, М П. Щеглов // Физика твердого тела. -2015. - Т. 57, В. 12. - С. 2400-2404.

[235] Mokhov, E. Specific features of sublimation growth of bulk AlN crystals on SiC wafers / E. Mokhov, I. Izmaylova, O. Kazarova, A. Wolfson, S. Nagalyuk, D. Litvin, A. Vasiliev, H. Helava, Yu. Makarov // Physica Status Solidi C. - 2013. - Vol. 10, Is. 3. - P. 445-448.

[236] Karpinski, J. Equilibrium pressure of N2 over GaN and high pressure solution growth of GaN / J. Karpinski, J. Jun, S. Porowski S. // Journal of Crystal Growth. - 1984. - Vol. 66, Is. 1. - P. 1-10.

[237] Porowski, S. Bulk and homoepitaxial GaN-growth and characterization / S. Porowski // Journal of Crystal Growth. - 1998. - Vols. 189-190. - P. 153-158.

[238] Baranov, P.G. Current status of GaN crystal growth by sublimation sandwich technique / P.G. Barabov, E.N. Mokhov, A.O. Ostroumov, M.G. Ramm, M.S. Ramm, V.V. Ratnikov, A.D. Roenkov, Yu.A. Vodakov, A.A. Wolfson, G.V. Saparin, S.Yu. Karpov, D.V. Zimina, Yu.N. Makarov, H. Juergensen // MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. -1998. - Vol. 3. - P. e50.

[239] Shin, H. High temperature nucleation and growth of GaN crystals from the vapor phase / H. Shin, D.B. Thomson, R. Schlesser // Journal of Crystal Growth. - 2002. - Vol. 241. - P. 404-415.

[240] Mynbaeva, M.G. On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates / M.G. Mynbaeva, A.A. Sitnikova, A.N. Smirnov, K.D. Mynbaev, H. Lipsanen, A.V. Kremleva, D.A. Bauman, V.E. Bougrov, A.E. Romanov // Materials Physics and Mechanics. - 2020. - Vol. 44, No. 1. - P. 1-7.

[241] Мынбаева, М.Г. Получение толстых слоев нитрида галлия методом многостадийного роста на подложках с колонной структурой / М.Г. Мынбаева, Д.А. Кириленко, А.А. Ситникова, А.В. Кремлева, К.Д. Мынбаев, В.И. Николаев, М.А. Одноблюдов, Х. Липсанен, В.Е. Бугров, А.Е. Романов // Вестник информационных технологий, механики и оптики. -2016. - Т. 16, В. 6. - С. 1048-1055.

[242] Freitas Jr, J.A. Thick homoepitaxial GaN with low carrier concentration for high blocking voltage / J.A. Freitas Jr., M.A. Mastro, E.A. Imhoff, M.J. Tadjer, C.R. Eddy Jr., F.J. Kub // Journal of Crystal Growth. - 2010. - Vol. 312, Is. 18. - P. 2616-2619.

[243] Gu, H. Study of optical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE / H. Gu, G. Ren, T. Zhou, F. Tian, Y. Xu, Y. Zhang, M. Wang, Z. Zhang, D. Cai, J. Wang, K. Xu, // Journal of Alloys and Compounds. - 2016. - Vol. 674. - P. 218-222.

[244] Glaeser, A.M. Model studies of Rayleigh instabilities via microdesigned interfaces / A.M. Glaeser // Interface Science. - 2001. - Vol. 9. - P. 65-82.

[245] Joshi, C. Phase field modeling of Rayleigh instabilities in the solid-state / C. Joshi, T.A Abinandanan, A. Choudhury // Acta Materialia. - 2016. - Vol. 109. - P. 286-291.

[246] Etzkorn, E.V. Cracking of GaN films / E.V. Etzkorn, D.R. Clarke // Journal of Applied Physics. - 2001. - Vol. 89, Is. 2. - P. 1025-1034.

[247] Гуткин, М.Ю. Упругое поведение винтовой дислокации в стенке полой нанотрубки / М.Ю. Гуткин, А.Г. Шейнерман // Физика твердого тела. - 2007.- Т. 49, В. 9. - С. 1595-1602.

[248] Гуткин, М.Ю. Динамика проникающих дислокаций в пористых гетероэпитаксиальных пленках GaN / М.Ю. Гуткин, Е.А. Ржавцев // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, В. 12. - С. 2370-2376.

[249] Chen, C. Vacancy-assisted core transformation and mobility modulation of a-type edge dislocations in wurtzite GaN / C. Chen, F. Meng, H. Chen, P. Ou, G. Lan, B. Li, Q. Qiu, J. Song // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2019. - Vol. 52, No. 49. - P. 495301.

[250] Röder, C. Raman spectroscopic characterization of epitaxially grown GaN on sapphire / C. Röder, F. Lipski, F. Habel, G. Leibiger, M. Abendroth, C. Himcinschi, J. Kortus // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2013. - Vol. 46, No. 28. - P. 285302.

[251] Davydov, V.E. Raman and photoluminescence studies of biaxial strain in GaN epitaxial layers grown on 6H-SiC / V.Yu. Davydov, N.S. Averkiev, I.N. Goncharuk, D.K. Nelson, I.P. Nikitina, A.S. Polkovnikov, A.N. Smirnov, M.A. Jacobson, O.K. Semchinova // Journal of Applied Physics.

- 1997. - Vol. 82, Is. 10. - P. 5097-5102.

[252] Emtsev, V.V. Point defects in gamma-irradiated и-GaN / V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, V.V. Kozlovskii, V.V. Lundin, D.S. Poloskin, A.N. Smirnov, N.M. Shmidt, A.S. Usikov, J. Aderhold, H. Klausing, D. Mistele, T. Rotter, J. Stemmer, O. Semchinova, J. Graul // Semiconductor Science and Technology. - 2000. - Vol. 15, No. 1. - P. 73-78.

[253] Molnar, R.J. Electron transport mechanism in gallium nitride / R.J. Molnar, T. Lei, T.D. Moustakas // Applied Physics Letters. - 1993. - Vol. 62, Is. 1. - P. 72-74.

[254] Юнович, А.Э. Дивакансии азота - возможная причина желтой полосы в спектрах люминесценции нитрида галлия / А.Э. Юнович // Физика и техника полупроводников. -1998. - Т. 32, В 10. - С. 1181-1183.

[255] Monemar, B. Recombination of free and bound excitons in GaN / B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A.A. Toropov, T.V. Shubina, T. Malinauskas, A. Usui // Physica Status Solidi B. - 2008.

- Vol. 245, Is. 9. - P. 1723-1740.

[256] Reshchikov, M.A. Luminescence properties of defects in GaN / M.A. Reshchikov, H. Morkoc / // Journal of Applied Physics. - 2005. - Vol. 97, Is. 6. - P. 061301.

[257] Reshchikov, M.A. Defect-related luminescence in undoped GaN grown by HVPE / M. Reshchikov, A. Usikov, H. Helava, Yu. Makarov // Journal of Electronic Materials. - 2015. - Vol. 44, Is. 5. - P. 1281-1286.

[258] Lo, Y.H. New approach to grow pseudomorphic structures over the critical layer thickness / Y.H. Lo // Applied Physics Letters. - 1991. - Vol. 59, Is. 18. - P. 2311-2313.

[259] Romanov, S.I. GeSi films with reduced dislocation density grown by molecular beam epitaxy on compliant substrates based on porous silicon / S.I. Romanov, V.I. Mashanov, L.V. Sokolov, A. Gutakovskii, O.P. Pchelyakov // Applied Physics Letters. - 1999. - Vol. 75, No. 26. - P. 41184120.

[260] Romanov, A.E. Relaxation enhancing interlayers (REIs) in threading dislocation reduction / A.E. Romanov, J.S. Speck // Journal of Electronic Materials. - 2000. - Vol. 29, Is. 7. - P. 901-905.

[261] Mynbaeva, M. Structural characterization and strain relaxation in porous GaN layers / M. Mynbaeva, A. Titkov, A. Kryzhanovski, V. Ratnikov, K. Mynbaev, R.Laiho, H. Huhtinen, V.A. Dmitriev // Applied Physics Letters. - 2000. - Vol. 76, No. 9. - PP. 1113-1115.

[262] Mynbaeva, M. Strain relaxation in GaN layers grown on porous GaN sublayers / M. Mynbaeva, A. Titkov, A. Kryzhanovski, I. Kotousova, A.S. Zubrilov, V.V. Ratnikov, V.Yu. Davydov, N.I. Kuznetsov, K. Mynbaev, D.V. Tsvetkov, S. Stepanov, A. Cherenkov, V.A. Dmitriev // MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. - 1999. - Vol. 4. - P. 14.

[263] Zhang, Y. Gallium nitride vertical power devices on foreign substrates: a review and outlook / Y. Zhang, A. Dadgar, T. Palacios // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2018. - Vol. 51, No. 27. - P. 273001.

[264] Hiramatsu, K. Relaxation mechanism of thermal stresses in the heterostructure of GaN grown on sapphire by vapor-phase epitaxy / K. Hiramatsu, T. Detchprohm, I. Akasaki // Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. - 1993. - Vol. 32, No. 4. - P. 1528-1533.

[265] Waltereit, P. Influence of AlN nucleation layers on growth mode and strain relief of GaN grown on 6H-SiC(0001) / P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, M. Ramsteiner, M. Reiche, M. Qi, K. H. Ploog // Applied Physics Letters. - 1999. - Vol. 74, Is. 24. - P. 3660-3662.

[266] Sverdlov, B.N. Formation of threading defects in GaN wurtzite films grown on nonisomorphic substrates / B.N. Sverdlov, G.A. Martin, H. Morkoç, D.J. Smith // Applied Physics Letters. - 1995. - Vol. 67, Is. 14. - P. 2063-2065.

[267] Мынбаева, М.Г. Механизм релаксации напряжений несоответствия при эпитаксиальном росте GaN на пористом SiC / М.Г. Мынбаева, О.В. Константинов, К.Д. Мынбаев, А.Е. Романов, А.А. Ситникова // Письма в Журнал технической физики. - 2006. - Т. 32, В. 23. - С. 25-31.

[268] Morkoç, H. Comprehensive characterization of hydride VPE grown GaN layers and templates / H. Morkoç // Material Science and Engineering R. - 2001. - Vol. 33, Is. 5-6. - P. 135-207.

[269] Мынбаева, М. Дефектная структура эпитаксиальных слоев GaN, выращенных хлорид-гидридным методом на пористом буфере SiC с сохраненным «скин-слоем» / М. Мынбаева, А. Ситникова, А. Трегубова, М. Заморянская, О Ледяев, К. Мынбаев // Тезисы докладов 4-й

Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы». СПб. - 2005. - С. 82.

[270] Вакуленко, А.А. Кинетика хрупкого разрушения упругих тел / А.А. Вакуленко, С.А. Кукушкин // Физика твердого тела. - 1998. - Т. 40, В. 7. - С. 1259-1263.

[271] Бетехтин, В.И. Эволюция микроскопических трещин и пор в нагруженных твердых телах / В.И. Бетехтин, А.Г. Кадомцев // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, В. 5. - С. 801-807.

[272] Кукушкин, С.А. Эволюция морфологии микропоры в хрупком твердом теле под действием внешней механической нагрузки / С.А. Кукушкин, С.В. Кузьмичев // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, В. 8. - С. 1390-1394.

[273] Mynbaeva, M. HVPE GaN growth on porous SiC with closed surface porosity / M. Mynbaeva,

A. Sitnikova, A. Tregubova, K. Mynbaev // Journal of Crystal Growth. - 2007. - Vol. 303, Is. 2. -P. 472-479.

[274] Lei, T. Heteroepitaxy, polymorphism, and faulting tin GaN thin films on silicon and sapphire substrates / T. Lei, K.F. Ludwig Jr., T.D. Moustakas // Journal of Applied Physics. - 1993. -Vol. 74, Is. 7. - P. 4430-4437.

[275] Romano, L.T. Structure of GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy / L.T. Romano,

B.S. Krusor, R.J. Molnar // Applied Physics Letters. - 1997. - Vol. 71, Is. 16. - P. 2283-2285.

[276] Николин, Б.И. Многослойные структуры и политипизм в металлических сплавах / Б.И. Николин. - Киев: Наукова думка, 1984. - 240 с.

[277] Мынбаев, К.Д. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе GaN, выращенных на подложках пористого SiC / К.Д. Мынбаев, М.Г. Мынбаева, А.С. Зубрилов, Н.В. Середова // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, В. 2. - С. 74-79.

[278] Reshchikov, M.A. Analysis of the temperature and excitation intensity dependencies of photoluminescence in undoped GaN films / M.A. Reshchikov, R.Y. Korotkov // Physical Review B. - 2001. - Vol. 64, Is. 11. - P. 115205.

[279] Karpov, S.Yu. Dislocation effect on light emission efficiency in gallium nitride / S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov // Applied Physics Letters. - 2002. - Vol. 81, Is. 25. - P. 4721-4723.

[280] Yonenaga, I. Photoluminescence properties of GaN with dislocations induced by plastic deformation / I. Yonenaga, H. Makino, S. Itoh, T. Goto // Journal of Electronic Materials. - 2006. -Vol 35, No.4. - P. 717-721.

[281] Мильвидский, М.Г. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников / М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. - М.: Металлургия, 1985.-160 с.

[282] Takeya, M. Degradation in AlGaInN lasers / M. Takeya, T. Mizuno, T. Sasaki // Physica Status Solidi C. - 2003. - Vol. 0, Is. 7. - P. 2292-2295.

[283] Bliss, D.F. True bulk GaN substrates for high efficiency devices // D.F. Bliss, B. Wang, M. Mann // 2011 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO), Washington, DC, USA, Optical Society of America. - 2011. - AWA.4.

[284] Li, L. Recent progress of SiC power devices and applications // L. Li, C. Li, Y. Cao, F. Wang // IEEE Transactions on Electrical and Electronic Engineering. - 2013. - Vol. 8, Is. 5. - P. 515-521.

[285] Alves, L.F.S. SIC power devices in power electronics: An overview / L.F.S. Alves, R.C.M. Gomes, P. Lefranc, R.D.A. Pegado, P.O. Jeannin, B.A. Luciano // 2017 Brazilian Power Electronics Conference (COBEP-2017). - Juiz de Fora. - 2017. - P. 1-8. doi: 10.1109/TOBEP.2017.8257396.

[286] Таиров, Ю.М. Технология полупроводниковых и диэлектрических приборов: учебник для вузов / Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков. - Санкт-Петербург: Лань, 2002. - 423 с.

[287] Авров, Д.Д. Об оптимизации структурного совершенства слитков карбида кремния политипа 4Н / Д.Д. Авров, С.И. Дорожкин, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров, А.С. Трегубова, А.Ю. Фадеев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т.43, В. 9. - С. 1288-1294.

[288] Авров, Д.Д. О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипа 4H / Д.Д. Авров, А.В. Булатов, С.И. Дорожкин, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров, А.Ю. Фадеев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, В. 3. - С. 289-294.

[289] Okada, T. Crystallographic defects under surface morphological defects of 4H-SiC homoepitaxial films / T. Okada, T. Kimoto, K. Yamai, H. Matsunami, F. Inoko // Materials Science Forum. - 2004. - Vols. 457-460. - Parts 1-2. - P. 521-524.

[290] Springer Handbook of Crystal Growth / G. Dhanaraj, K. Byrappa, V. Prasad, M. Dudley (Eds.) -Berlin Heidelberg: Springer-Verlag. Springer Science & Business Media, 2010. - P. 1818.

[291] Mynbaeva, M. Chemical vapor deposition of 4H-SiC epitaxial layers on porous SiC substrates / M. Mynbaeva, S.E. Saddow, G. Melnychuk, I. Nikitina, M. Scheglov, A. Sitnikova, N. Kuznetsov, K. Mynbaev, V. Dmitriev // Applied Physics Letters. - 2001. - Vol. 78, Is. 1. - P. 117-119.

[292] Saddow, S.E. Growth of SiC epitaxial layers on porous surfaces of varying porosity / S.E. Saddow, M. Mynbaeva, M.C.D. Smith, A.N. Smirnov, V. Dmitriev // Applied Surface Science. -2001. - Vol. 184, Nos. 1-4. - P. 72-78.

[293] Mynbaeva, M. Growth of SiC and GaN on porous buffer layers / M. Mynbaeva, N.S. Savkina, A.S. Tregubova, M.P. Sheglov, A.A. Lebedev, A. Zubrilov, A. Titkov, A. Kryganovski, K. Mynbaev, N. Seredova, D. Tsvetkov, S. Stepanov, A. Cherenkov, I. Kotousova, V.A. Dmitriev / Materials Science Forum. - 2000. - Vols. 338-342. - P. 225-228.

[294] Saddow, S.E. Porous SiC technology / S.E. Saddow, M. Mynbaeva, M. MacMillan // Silicon carbide: materials, devices and applications. Eds. Z. Feng, J. Zhao. Series: Optoelectronic properties of semiconductors and superlattices. Ed. M.O. Manasreh. - Taylor and Francis Engineering, 2003. - PP. 321-385. ISBN 978-1591690238.

[295] Кон, В.Г. Особенности фазово-контрастных изображений микротрубок в SiC в белом пучке синхротронного излучения / В.Г. Кон, Т.С. Аргунова, J.H. Je // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2011. - № 1. - С. 5-10.

[296] Raghothamachar, B. Characterization of porous SiC substrates and of the epilayer structures grown on them / B. Raghothamachar, J. Bai, W.M. Vetter, P. Gouma, M. Dudley, M. Mynbaeva, M.T. Smith, S.E. Saddow // Material Research Society Symposium Proceedings. - 2003. - Vol. 742. - P. 109-114.

[297] Saddow, S.E. Structural characterization of SiC epitaxial layers grown on porous SiC substrates / S.E. Saddow, G. Melnychuk, M. Mynbaeva, I. Nikitina, W.M. Vetter, L. Jin, M. Dudley, M. Shamsuzzoha, V. Dmitriev, C.E.C. Wood // Material Research Society Symposium Proceedings. -2001. - Vol. 640. - P. H.2.7.1-H2.7.6.

[298] Saddow, S.E. SiC defect density reduction by epitaxy on porous surfaces / S.E. Saddow, M. Mynbaeva, W.J. Choyke, R.P. Devaty, Song Bai, G. Melnychuk, Y. Koshka, V. Dmitriev, C.E.C. Wood // Materials Science Forum. - 2001. - Vols. 353-356. - P. 115-118.

[299] Mynbaeva, M. Porous SiC substrate materials for high-quality epitaxial and bulk growth / M. Mynbaeva, N. Savkina, A. Zubrilov, N. Seredova, M. Scheglov, A. Titkov, A. Tregubova, A. Lebedev, A. Kryzhanovski, I. Kotousova, V. Dmitriev // Material Research Society Symposium Proceedings. - 2000. - Vol. 587. - P. O8.6.1-O.8.6.5.

[300] Kuznetsov, N.I. Electrical characterization of Schottky diodes fabricated on SiC epitaxial layers grown on porous SiC substrates / N.I. Kuznetsov, M.G. Mynbaeva, G. Melnychuk, V.A. Dmitriev, S.E. Saddow // Applied Surface Science. - 2001. - Vol. 184, Nos. 1-4. - P. 483-486.

[301] Syrkin, A. 4H-SiC power schottky diodes. On the way to solve the size limiting issues / A. Syrkin, V. Dmitriev, V. Soukhoveev, M. Mynbaeva, R. Kakanakov, C. Hallin, E. Janzen // Materials Science Forum. - 2004. - Vols. 457-460. - P. 985-988.

[302] Liliental-Weber, Z. Formation mechanism of nanotubes in GaN / Z. Liliental-Weber, Y. Chen, S. Ruvimov, J. Washburn // Physical Review Letters. - 1998. - Vol. 79, Is. 15. - P. 2835-2837.

[303] Hawkridge, M.E. Oxygen segregation to dislocations in GaN / M.E. Hawkridge, D. Cherns // Applied Physics Letters. - 2005. - Vol. 87, Is. 22. - P. 221903.

[304] Arslan, I. Role of oxygen at screw dislocations in GaN / I. Arslan, N.D. Browning // Physical Review Letters. - 2003. - Vol. 91, Is. 16. - P. 165501.

[305] Lee, K. Dislocation density of GaN grown by hydride vapor phase epitaxy / K. Lee, K. Auh // MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. -2001. - Vol. 6. - P. e9.

[306] Mynbaeva, M.G. HVPE homo-epitaxial growth of GaN on porous substrates / M.G. Mynbaeva, A.E. Nikolaev, A.A. Sitnikova, K.D. Mynbaev // CrystEngComm. - 2013. - Vol. 15, No. 18. - P. 3640-3646.

[307] Mynbaeva, M. Self-organized defect control during GaN homoepitaxial growth on nanostructured substrates / M. Mynbaeva, A. Sitnikova, A. Nikolaev, K. Vinogradova, K. Mynbaev, V. Nikolaev // Physica Status Solidi C. - 2013. - Vol. 10, No. 3. - P. 366-368.

[308] Гегузин, Я£. Диффузионная зона / Я.Е. Гегузин. - M.: Наука, 1978. - С. 24.

[309] Большов, Л.А. О неустойчивости движения дислокации в пересыщенном вакансиями кристалле / Л.А. Большов, М.С. Вещунов, Л.В. Матвеев // Атомная энергия. - 1991. - Т. 70, В. 5. - С. 335-339.

[310] Li, G. GaN-based light-emitting diodes on various substrates: a critical review / G. Li, W. Wang, W. Yang, Y. Lin, H. Wang, Z. Lin, S. Zhou // Reports on Progress in Physics. - 2016. - Vol. 79, No. 5. - P. 056501.

[311] Li, T. Growth behavior of ammonothermal GaN crystals grown on non-polar and semi-polar HVPE GaN seeds / T. Li, G. Ren, X. Su, J. Yao, Z. Yan, X. Gao, K. Xu // CrystEngComm. - 2019.

- Vol. 21, Is. 33. - P. 4774-4879.

[312] Inoue, T. Pressure-controlled solution growth of bulk GaN crystals under high pressure / T. Inoue, Y. Seki, O. Oda, S. Kurai, Y. Yamada, T. Taguchi // Physica Status Solidi B. - 2001. - Vol. 223, Is. 1. - P. 15-27.

[313] Mori, Y. Recent progress of Na-flux method for GaN crystal growth / Y. Mori, M. Imanishi, K. Murakami, M. Yoshimura // Japanese Journal of Applied Physics. - 2019. - Vol. 58, No. SC. - P. SC0803.

[314] Dwilinski, R. AMMONO method of GaN and AlN production / R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L. Sierzputowski, J.M. Baranowski, M. Kaminska // Diamond and Related Materials. -1998. - Vol. 7, Is. 9. - P. 1348-1350.

[315] Ketchum, D.R. Crystal growth of gallium nitride in supercritical ammonia / D.R. Ketchum, J.W. Kolis // Journal of Crystal Growth. - 2001. - Vol. 222, Is. 3. - P.431-434.

[316] Callahan, M. GaN single crystals grown on HVPE seeds in alkaline supercritical ammonia / M. Callahan, B.-G. Wang, K. Rakes, D. Bliss, L. Bouthillette, M. Suscavage, S.-Q. Wang // Journal of Materials Science. - 2006. - Vol. 41, Is. 5. - P. 1399-1407.

[317] Lan, Y.C. Syntheses and structure of nanocrystalline gallium nitride obtained from ammonothermal method using lithium metal as mineralizator / Y.C. Lan, X.L. Chen, Y.P. Xu, Y. Cao, F. Huang // Material Research Bulletin. - 2000. - Vol. 25, No. 14-15. - P. 2325-2330.

[318] Yoshikawa, A. Crystal growth of GaN by ammonothermal mehod / А. Yoshikawa, E. Ohshima, T. Fukuda H. Tsuji, K. Oshima // Journal of Crystal Growth. - 2004. - Vol. 260, Is. 1-2. - P. 67-72.

[319] Hashimoto, T. Ammonothermal growth of GaN on an over-1-inch seed crystal / T. Hashimoto, K. Fujito, M. Saito, J.S. Speck, S. Nakamura // Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. - 2005.

- Vol. 44, No. 50-52. - P. L1570-L1572.

[320] Kelly, K. Optical process for liftoff of Group III-nitride films / K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, R. Handschuh, M. Stutzmann // Physica Status Solidi A. - 1997. - Vol. 159, Is. 1. - P. R3-R4.

[321] Singh, I. Enhancement of wafer bow of free-standing GaN substrates due to high dose hydrogen implantation: Implication for GaN layer transfer applications / I. Singh, S.H. Radu, G. Bruederl, C. Eichler, V. Haerle, U. Gosele, S.H. Christiansen // Semiconductor Science and Technology. - 2007. - Vol. 22, Is. 4. - P. 418-421.

[322] Tong, Q.-Y. Thickness considerations in silicon wafer direct bonding / Q.-Y. Tong, U. Gosele // Journal of Electrochemical Society. - 1995. - Vol. 142, No. 11. - P. 3975-3979.

[323] Christiansen, S.H. Wafer direct bonding: from advanced substrate engineering to future applications in micro and nanoelectronics / S.H. Christiansen, R. Singh, U. Gosele // Proceedings of the IEEE. - 2006. - Vol. 94, Is. 12. - P. 2060-2106.

[324] Tan, C.S. Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology, and Applications / Ed. C.S. Tan // ECS Transactions (Cancun: Curran Associates, 2018). - Vol. 86, No. 05. - 248 p.

[325] Васильев, А. Новое поколение полупроводниковых материалов и приборов: через GaN к алмазу / А. Васильев, В. Данилин, Т. Жукова // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. -2007. - № 4. - С. 68-76.

[326] Kobayashi, Y. Layered boron nitride as a release layer for mechanical transfer of GaN-based devices / Y. Kobayashi, K. Kumakura, T. Akasaki, T. Makimoto // Nature. - 2012. - Vol. 484. —P. 223-227.

[327] Ralchenko, V. CVD Diamond films for SOI technologies / V. Ralchenko, T. Galkina, A. Klokov, A. Sharkov, S. ChernookV. Martovitsky // Science and technology of semiconductor-on-isolator structures and devices operating in a harsh environment Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop. Eds. D. Flandre, A.N. Nazarov, P.L.F. Hemment. NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry. Vol. 185. Dordrecht/Boston/London: Kluver Academic Publishers, 2005. - P. 77-84.

[328] Trejo, M. Progress towards III-nitrides HEMTs on free-standing diamond substrates for thermal management / M. Trejo, G.H. Jessen, K.D. Chabak, J.K. Gillespie, A. Crespo, M. Kossler, V. Trimble, D. Langley, E.R. Heller, B. Claflin, D.E. Walker, B. Poling, R. Gilbert, G.D. Via, J. Hoelscher, J. Roussos, F. Ejeckam, J. Zimmer // Physica Status Solidi A. - 2011. - Vol. 208, Is. 2. -P. 439-444.

[329] Via G.D. Wafer-scale GaN HEMT performance enhancement by diamond substrate integration / G.D. Via, J.G. Felbinger, J. Blevins, K. Chabak, G. Jessen, J. Gillespie, R. Fitch, A. Crespo, K. Sutherlin, B. Poling, S. Tetlak, R. Gilbert, T. Cooper, R. Baranyai, J.W. Pomeroy, M. Kuball, J.J. Maurer, A. Bar-Cohen // Physica Status Solidi C. - 2014. - Vol. 11, Is. 3-4. - P. 871-874.

[330] Chabak K D. Full-wafer characterization of AlGaN/GaN HEMTs on free-standing CVD diamond substrates / K.D. Chabak, J.K. Gillespie, V. Miller, A. Crespo, J. Roussos, M. Trejo, D.E. Walker, G.D. Via, G.H. Jessen, J. Wasserbauer, F. Faili, D.I. Babic, D. Francis, F. Ejeckam // IEEE Electron Device Letters. - 2010. - Vol. 31, No. 2. - P. 99-101.

[331] Zimmer, J.W. Advances in large diameter GaN on diamond substrates / J.W. Zimmer, G. Chandler // Proceedings of CS MANTECH Conference, April 14-17, 2008, Chicago, Illinois, USA. - P. 9.2.1-9.2.4.

[332] Cho, J. Improved thermal interfaces of GaN-diamond composite substrates for HEMT applications / J. Cho, Z. Li, E. Bozorg-Grayeli, T. Kodama, D. Francis, F. Ejeckam, F. Faili, M. Asheghi, K.E. Goodson // IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. - 2013. - Vol. 3, No. 1. - P. 79-85.

[333] Cheng, Z. Interfacial thermal conductance across room-temperature-bonded GaN/diamond interfaces for GaN-on-diamond devices / Z. Cheng, F. Mu, L. Yates, T. Suga, S. Graham // ACS Applied Materials and Interfaces. - 2020. - Vol. 12, No. 7. - P. 8376-8384.

[334] Tsai, M.L. High-voltage thin-film GaN LEDs fabricated on ceramic substrates: the alleviated droop effect / M.L. Tsai, J.H. Liao, J.H. Yeh, T.C. Hsu, S.J. Hon, T.Y. Chung, K.Y. Lai // Optics Express. - 2013. - Vol. 21, Is. 22. - P. 27102-27110.

[335] Felbinger, J.G. Comparison of GaN HEMTs on diamond and SiC substrates / J.G. Felbinger, M.V.S. Chandra, Y. Sun, L.F. Eastman, J. Wasserbauer, F. Faili, D. Babic, D. Francis, F. Ejeckam // IEEE Electron Devices Letters. - 2007. - Vol. 28, Is. 11. - P. 948-950.

[336] Chen, D.S. Quantum light sources from semiconductor / D.S. Chen, W.B. Gao // Journal of Semiconductors. - 2019. - Vol. 40, Is. 7. - P. 070301.

[337] Lähnemann, J. Luminescence associated with stacking faults in GaN / J. Lähnemann, U. Jahn, O. Brandt, T. Flissikowski, P. Dogan, H.T. Grahn // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2014. -Vol. 47, No. 42. - P. 423001.

[338] Segala, A.S. Surface chemistry and transport effects in GaN hydride vapor phase epitaxy / A.S. Segala, A.V. Kondratyeva, S.Yu. Karpov, D. Martin, V. Wagner, M. Ilege // Journal of Crystal Growth. - 2004. - Vol. 270, Is. 3-4. - P. 384-395.

[339] Мынбаева, М.Г. Пластины кристаллического GaN большой площади / М.Г. Мынбаева, А.И. Печников, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко, А.А. Лаврентьев, Е.В. Иванова, В.И. Николаев // Письма в Журнал технической физики. - 2015. - Т. 41, В. 5. - С. 84-90.

[340] Sichel, E.K. Thermal conductivity of GaN, 25-360 K / E.K. Sichel, J.I. Pankove // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1977. - Vol. 38, Is. 3. - P. 330.

[341] Drory, M.D. Hardness and fracture toughness of bulk single crystal gallium nitride / M.D. Drory, J.W. Ager III, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski // Applied Physics Letters. - 1996. - Vol. 69, Is. 26. - P. 4044-4046.

[342] Leszczynski, M. Lattice parameters of gallium nitride / M. Leszczynski, H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, K. Pakula, J.M. Baranowski, C.T. Foxon, T.S. Cheng // Applied Physics Letters. - 1996. - Vol. 69, Is. 3. - P. 73-75.

[343] van der Drift, A. Evolutionary selection, a principle governing growth orientation in vapour-deposited layers / A. van der Drift // Philips Research Reports. - 1967. - Vol. 22. - P. 267-288.

[344] Wild, Ch. Texture formation in polycrystalline diamond films / Ch. Wild, N. Herres, P. Koidl // Journal of Applied Physics. - 1990. - Vol. 68, Is. 3. - P. 973-978.

[345] Yoo, H. Understanding luminescence properties of grain boundaries in GaN thin films and their atomistic origin / H. Yoo, S. Yoon, K. Chung, S.H. Kang, Y.K. Kwon, G.C. Yi, M. Kim // Applied Physics Letters. - 2018. - Vol. 112, Is. 13. - P. 131901.

[346] Drum, C.M. Intersecting faults on basal and prismatic planes in aluminum nitride / C.M. Drum // Philosophical Magazine. - 1965. - Vol. 11, Is. 110. - P. 331-334.

[347] Кириленко, Д.А. Анализ дефектов упаковки в нитриде галлия с использованием преобразования Фурье высокоразрешающих изображений / Д.А. Кириленко, А.В. Кремлева,

A.А. Ситникова, А.В. Кремлева, М.Г. Мынбаева, В.И. Николаев // Письма в Журнал технической физики. - 2014. - Т. 40, В. 24. - С. 60-68.

[348] Dermeneva, M. Application of XRD methods for the pilot studies of new functional materials for photonics / M. Dermeneva, D. Muravijova, M. Mynbaeva, V. Bougrov, M. Yagovkina // Journal of Physics: Conference Series. - 2018. - Vol. 1124. - P. 081008.

[349] Melnik, Yu.V. Physical Properties of Bulk GaN Crystals Grown by HVPE / Yu.V. Melnik, K.V. Vassilevski, I.P. Nikitina, A.I. Babanin, V.Yu. Davydov, V.A. Dmitriev // MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. - 1997. - Vol. 2, - P. e39.

[350] Мынбаева, М.Г. Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках / М.Г. Мынбаева, А.И. Печников, А.Н. Смирнов, Д.А. Кириленко, С.Ч. Рауфов, А.А. Ситникова, М.А. Одноблюдов,

B.Е. Бугров, К.Д. Мынбаев, В.И. Николаев, А.Е. Романов // Физика и механика материалов. -2016. - Т. 29, № 1. - С. 24-31.

[351] Porowski, S. Bulk and homoepitaxial GaN-growth and characterisation / S. Porowski // Journal of Crystal Growth. - 1998. - Vols. 189-190. - P. 153-158.

[352] Kramer, R.K. Effect of microtextured surface topography on the wetting behavior of eutectic gallium-indium alloys / R.K. Kramer, J.W. Boley, H.A. Stone, J.C. Weaver, R.J. Wood // Langmuir. - 2014. - Vol. 30, No. 2. - P. 533-539.

[353] Aguila, D. In situ SEM solidification study of Ga and e-GaIn: a characterization technique for monitoring the microstructural evolution of liquid metals: BS Thesis in Materials Engineering / Jeremy Geovann Del Aguila. - California Polytechnic State University. San Luis Obispo, 2018. -28 p. URL https://digitalcommons.calpoly.edu/matesp/189.

[354] Polkowski, W. Wetting Behavior and Reactivity of Molten Silicon with h-BN Substrate at Ultrahigh Temperatures up to 1750°0C / W. Polkowski, N. Sobczak, R. Nowak, A. Kudyba, G. Bruzda, A. Polkowska, M. Homa, P. Turalska, M. Tangstad, J. Safarian, E. Moosavi-Khoonsari, A. Datas // Journal of Materials Engineering and Performance. - 2018. - Vol. 27, Is. 10. - P. 50405053.

[355] Vu, T.V. Direct numerical study of a molten metal drop solidifying on a cold plate with different wettability / T.V. Vu, C.T. Nguyen, D.T. Khanh // Metals. - 2018. - Vol. 8, Is. 1. - P. 47.

[356] Vu, T.V. Fully resolved simulations of drop solidification under forced convection / T.V. Vu // International Journal of Heat and Mass Transfer. - 2018. - Vol. 122. - P. 252-263.

[357] Cutinho, J. Tuning surface texture of liquid metal particles by exploiting material metastability: MS Thesis / Joel Cuthinho. - Iowa State University, 2017. - 59 p. URL https://doi.org/10.31274/etd-180810-5747.

[358] Cutinho, J. Autonomous thermal-oxidative composition Inversion and texture tuning of liquid metal surfaces / J. Cutinho, B.S. Chang, S. Oyola-Reynoso, J. Chen, S.S. Akhter, I.D. Tevis, N.J. Bello, A. Martin, M.C. Foster, M M. Thuo // ACS Nano. - 2018. - Vol. 12, Is. 5. - P. 4744-4753.

[359] Kim, T. Soft and deformable sensors based on liquid metals / T. Kim, D.-M. Kim, B.J. Lee, J. Lee / Sensors. - 2019. - Vol. 19, Is. 19. - P. 4250.

[360] Ren, Y. Advances in liquid metal-enabled flexible and wearable sensors / Y. Ren, X. Sun, J. Liu // Micromachines. - 2020. - Vol. 11, Is. 2. - P. 200.

[361] Eustathopoulos, N. Wetting by liquid metals - application in materials processing: the contribution of the Grenoble group / N. Eustathopoulos // Metals. - 2015. - Vol. 5, Is. 1. - P. 350370.

[362] Eustathopoulos, N. Wettability at high temperatures / Eds. N. Eustathopoulos, B. Drevet, M.G. Nicholas // Pergamon Materials Series, Volume 3. Pergamon, 1999. - 419 p.

[363] Zoltai, L. Prediction of wettability between liquid metals and covalent ceramics [Электронный ресурс] / L. Zoltai // Anyagok Vilaga. - 2001. - Vol. 2. - No. 3. - Режим доступа: http://anyagokvilaga.hu/tartalom/2001/jul/zoltai.htm.

[364] Gerlach, J.V. Epitaxial GaN films by hyperthermal ion-beam nitridation of Ga droplets / J.W. Gerlach, T. Ivanov, L. Neumann, Th. Hoche, D. Hirsch, B. Rauschenbach // Journal of Applied Physics. - 2012. - Vol. 111, Is. 11. - P. 113521.

[365] Ferro, G. Low temperature homoepitaxy of GaN structures by vapor liquid solid transport / G. Ferro, A. Jaud, L. Auvray, A. Kahouli, T. Abi-Tannous, S. Linas, C. Brylinski // Journal of Crystal Growth. - 2017. -Vol. 467. - P. 18-28.

[366] Onuma, A. Uniform growth of SiC single crystal thin films via a metal-Si alloy flux by vapour-liquid-solid pulsed laser deposition: the possible existence of a precursor liquid flux film / A. Onuma, S. Maruyama, T. Mitani, T. Kato, H. Okumura, Y. Matsumoto // CrystEngComm. - 2016. - Vol. 18, Is. 1. - P. 143-148.

[367] Selsabil, S. Very high sustainable forward current densities on 4H-SiC p-n junctions formed by VLS localized epitaxy of heavily Al-doped p++ emitters / S. Selsabil, L. Lalouat, M. Lazar, D. Carole, C. Brylinski, F. Jomard, D. Planson, G. Ferro, C. Raynaud // Materials Science Forum. -2017. - Vol. 897. - P. 63-66.

[368] Sidorenko, A. GaN nucleation on (0001)-sapphire via ion-induced nitridation of gallium / A. Sidorenko, H. Peisert, H. Neumann, T. Chassé // Applied Surface Science. - 2006. - Vol. 252, Is. 21. - P. 7671-7677.

[369] Sidorenko, A. GaN nucleation on 6H-SiC(0001)-(V3*V3) R30°:Ga and c-sapphire via ion-induced nitridation of gallium: Wetting layers / A. Sidorenko, H. Peisert, H. Neumann, T. Chassé // Surface Science. - 2007. - Vol. 601, Is. 18. - P. 4521-4525.

[370] Gurioli, M. Droplet epitaxy of semiconductor nanostructures for quantum photonic devices / M. Gurioli, Z. Wang, A. Rastelli, T. Kuroda, S. Sanguinetti // Nature Materials. - 2019. - Vol. 18. - P. 799-810.

[371] Karpov, S.Y. Modeling study of hydride vapor phase epitaxy of GaN / S.Y. Karpov, D.V. Zimina, Y.N. Makarov, B. Beaumont, G. Nataf, P. Gibart, M. Heuken, H. Jurgensen, A. Krishnan // Physica Status Solidi A. - 1999. - Vol. 176, Is. 1. - P. 439-442.

[372] Li, H. Self-oriented growth of GaN films on molten gallium / H. Li, H. Chandrasekaran, M. Sunkara, R. Collazo, Z. Sitar, M. Stukowski, K. Rajan // MRS Symposium Proceedings. - 2004. -Vol. 831. - P. E11.34.

[373] Lee, C.D. In surface segregation in M-plane (In,Ga)N/GaN multiple quantum well structures / C.D. Lee, R.M. Feenstra, J.E. Northrup, L. Lymperakis, J. Neugebauer // Applied Physics Letters. -2003. - Vol. 83, Is. 25. - P. 1793-1795.

[374] Brandt, O. Ga adsorption and desorption kinetics on m-plane GaN / O. Brandt, Y.J. Sun, L. Daweritz, K.H. Ploog // Physical Review B. - 2004. - Vol. 69, Is. 16. - P. 165326.

[375] Lim, C.B. Gallium kinetics on m-plane GaN / C.B. Lim, A. Ajay, E. Monroy // Applied Physics Letters. - 2017. - Vol. 111, Is. 2. - P. 022101.

[376] Shao, J. Surface morphology evolution of m-plane (11-00)GaN during molecular beam epitaxy growth: Impact of Ga/N ratio, miscut direction, and growth temperature / J. Shao, L. Tang, C.

Edmunds, G. Gardner, O. Malis, M. Manfra // Journal of Applied Physics. - 2013. - Vol. 114, Is. 2. - P. 023508.

[377] Lymperakis, L. Large anisotropic adatom kinetics on nonpolar GaN surfaces: consequences for surface morphologies and nanowire growth / L. Lymperakis, J. Neugebauer // Physical Revew B. -2009. - Vol. 79, Is. 24. - P. 241308(R).

[378] Rebane, Y.T. Stacking faults as quantum wells for excitons in wurtzite GaN / Y.T. Rebane, Y.G. Shreter, M. Albrecht // Physica Status Solidi A. - 1997. - Vol. 164, Is. 1. - P. 141-144.

[379] Мынбаева, М.Г. Светоизлучающие р-n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3 / М.Г. Мынбаева, А.И. Печников, Ш.Ш. Шарофидинов, В.Е. Бугров, К.Д. Мынбаев, С.И. Степанов, М.А. Одноблюдов, В.И. Николаев, А.Е. Романов // Физика и механика материалов. - 2015. - Т. 22, В. 1. - С. 30-38.