Исследование процесса термической диссоциации нитрида галлия при воздействии инфракрасного лазерного излучения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Вирко Максим Викторович
Вирко Максим Викторович
кандидат наук
2018
- Специальность ВАК РФ01.04.10
- Количество страниц 197
Оглавление диссертации кандидат наук Вирко Максим Викторович
Введение
Глава 1 Подложки для эпитаксиального выращивания пленок нитрида галлия и полупроводниковых структур на его основе
1.1 Сапфир
1.2 Карбид кремния
1.3 Кремний
1.4 Арсенид галлия
1.5 Нитрид галлия
1.6 Выводы к главе
Глава 2 Методы отделения пленок нитрида галлия
2.1 Технология управляемого скола SmartCut™
2.2 Laser Lift-Off
2.3 Химические методы отделения
2.4 Тонкопленочные методы отделения
2.5 Выводы к главе
Глава 3 Взаимодействие инфракрасного излучения с пленками нитрида галлия
3.1 Взаимодействие оптического излучения с веществом
3.2 Макроскопическая теория Максвелла
3.3 Поглощение света в полупроводниках
3.4 Особенности зонной структуры нитрида галлия
3.5 Влияние степени легирования на поглощение света в нитриде галлия
3.6 Поглощение света с длиной волны 10.6 мкм в пленке нитрида галллия
3.7 Поглощение света с длиной волны 10.6 мкм в сапфире
3.8 Динамика температурного нагрева GaN на интерфейсах GaN/сапфир и п-GaN/n+-GaN при воздействии лазерного излучения с длиной волны 10.6 мкм
3.8.1 Распределение температуры в структуре «-GaN/Al2Oз при импульсном облучении ИК лазером
3.8.1.1 Распределение температуры вдоль лазерного луча: зависимость от плотности мощности лазерного излучения
3.8.1.2 Влияние длительности лазерного импульса и диаметра лазерного пятна на толщину слоя и-GaN, нагретого до температуры диссоциации, величину и положение температурного максимума
3.8.1.3 Влияние толщины пленки и-GaN на толщину слоя и-GaN, нагретого до температуры диссоциации, величину и положение температурного максимума
3.8.2 Распределение температуры в структуре «-GaN/«+-GaN/Al2Oз при импульсном облучении ИК лазером
3.8.2.1 Распределение температуры вдоль лазерного луча: зависимость от плотности мощности лазерного излучения
3.8.2.2 Влияние длительности лазерного импульса и диаметра лазерного пятна на толщину слоя GaN, нагретого до температуры диссоциации, величину и положение температурного максимума
3.8.2.3 Влияние толщины пленки и+-GaN на толщину слоя и-GaN, нагретого до температуры диссоциации, величину и положение температурного максимума
3.9 Сравнение результатов температурного нагрева в структурах n-GaN/Al2Oз
и n-GaN/n+-GaN/Al2Oз при импульсном облучении ИК лазером
3.10 Выводы к главе
Глава 4 Лазерная установка для отделения тонких пленок
4.1 Постановка задачи
4.2 Автоматизация установки
4.3 Наносекундный импульсный CO2-лазер
4.4 Оптическая система
4.4.1 Регулировка энергии лазерного излучения наносекундного импульсного С02-лазера
4.4.2 Делитель лазерного излучения
4.4.3 Система машинного зрения
4.4.4 Фокусирующая линза
4.5 Анализатор энергии лазерного излучения
4.6 Моторизированный трехкоординатный столик
4.7 Система крепления образца на трехкоординатном столике
4.8 Настройка оптической системы
4.9 Выводы к главе
Глава 5 Определение параметров облучения пленок и GaN структур
5.1 Экспериментальное определение пороговой плотности мощности лазерного облучения
5.2 Методика определения глубины нагрева материала
5.3 Влияние диаметра пятна лазера на процесс лазерного отделения
5.4 Влияние расположения полостей на процесс лазерного отделения
5.5 Влияние количества проходов на качество лазерного облучения
5.6 Облучение пленок GaN большой площади инфракрасным лазерным излучением
5.7 Влияние структурных особенностей, облучаемых образцов, на процесс лазерного отделения
5.8 Исследование облученных пленок
5.9 Выводы к главе
Глава 6 Отделение и исследование пленок GaN и структур на их основе
6.1 Процесс отделения облученных участков пленок и приборных GaN структур
6.2 Исследование слаболегированных пленок n-GaN отделенных от сапфировых подложек наносекундным С02-лазером
6.2.1 Образцы и методика проведения эксперимента
6.2.2 Отделенные пленки GaN и сапфировые подложки
6.3 Исследование слаболегированных пленок n-GaN отделенных от сильнолегированных слоев n+-GaN наносекундным С02-лазером
6.3.1 Образцы и методика проведения эксперимента
6.3.2 Отделенные пленки n-GaN и слои n+-GaN
6.4 Изготовление вертикального диода Шоттки на основе пленок, отделенных наносекундным С02-лазером
6.5 Выводы к главе
Глава 7 Отделение фемтосекундным лазером светодиодных пленок на основе GaN и их исследование
7.1 Поглощение лазерного излучения с фемтосекундной длительностью
импульсов
7.2 Установка на основе фемтосекундного лазера
7.3 Исследование облученных светодиодных пленок
7.4 Исследование вертикальных светодиодных структур на основе GaN отделенных от слоя GaN фемтосекундным титан-сапфировым лазером
7.4.1 Образцы и методика проведения эксперимента
7.4.2 Отделенные светодиодные пленки и слои и+-GaN
7.5 Выводы к главе
Заключение
Список литературы
Введение
Перспективы применения нитрида галлия (GaN) для развития современной полупроводниковой промышленности трудно переоценить. Уникальные свойства GaN — высокая радиационная, термическая и химическая стойкость в сочетании с высокой теплопроводностью и высоким пробивным напряжением, позволяют создавать высокоэффективные и надежные приборы с параметрами, практически недостижимыми для традиционных материалов. Элементы силовой и СВЧ электроники на GaN уже сейчас превосходят аналогичные структуры на основе кремния по техническим и эксплуатационным параметрам.
Кроме этого, нитрид галлия, в отличие от кремния и карбида кремния, — прямозонное полупроводниковое соединение типа AзB5, которое образует соединения с алюминием (Al), бором (Б) и индием (М). В результате появляется возможность варьировать ширину запрещенной зоны в твердых растворах на основе GaN в диапазоне от AlN до (6.0 - 0.7 эВ) и получать слои с различными составом и свойствами. Все более востребованными становятся такие структуры, выращенные на подложках из GaN, поскольку они имеют низкую плотность дислокаций [1, 2].
В настоящее время из-за сложностей в реализации совершенных структур на основе GaN область его применения ограничивается, в основном, в качестве материала для высокоэффективных светодиодов в широком диапазоне длин волн. Тем не менее, использование GaN даже в качестве материала для производства светодиодов означает замену традиционных источников освещения на более надежные, экономичные, компактные осветительные приборы с предустановленным в процессе производства спектром светового излучения. Также на основе GaN разработаны инжекционные лазеры синего и фиолетового диапазонов длин волн.
Применение GaN имеет преимущество в той области приложений, где максимальные значения мощности на единицу площади и надежность безотказной работы в жестких эксплуатационных условиях на традиционной базе
практически недостижимы. Сегодня известны примеры реализации силовой и СВЧ электроники (HEMT [3], MESFET [4], диоды Шоттки [5]) на основе GaN. Исследования экспериментальных приборов на основе GaN показали, что характеристики устройств существенно превышают их аналоги на арсениде галлия (GaAs) и карбиде кремния (SiC) по надежности и быстродействию [6].
Наиболее распространенным материалом подложки для гетороэпитаксии GaN является сапфир (Al2O3) в виду его низкой стоимости. Однако, во-первых, выращивание приборных структур на подложках из инородных материалов приводит к возникновению большой плотности дислокаций в кристаллах GaN (> 106 см-2) [7-13]. Во-вторых, Al2O3 - изолятор, поэтому все приборные структуры, выращенные на сапфире, имеют планарную компоновку. При такой компоновке все контакты к приборной структуре выполняются на рабочей стороне прибора. В результате чего, реализуемая приборная структура имеет сложную конструкцию, а занимаемая прибором площадь значительна. При этом из-за планарной компоновки приборной структуры в активную область прибора неравномерно инжектируются носители заряда, то есть фактически работает малая часть активной области структуры [14-18]. Также малое значение теплопроводности сапфировой подложки по сравнению с GaN [19-21] ограничивает эксплуатационные характеристики приборов из-за перегрева и деградации структуры на границе GaN/подложка [22-25]. В результате чего, приборные структуры на основе GaN, выращенные на сапфировых подложках, имеют рабочие характеристики ниже теоретически возможных для гомоэпитаксиальных структур GaN-on-GaN.
Одним из путей решений этой проблемы является технология Flip-Chip. Суть Flip-Chip технологии заключается в том, что выращенная приборная структура переносится ростовой поверхностью на электропроводящую подложку с коэффициентом теплопроводности большим, чем ростовая подложка. После чего ростовая подложка либо сполировывается [26-28], либо полностью отделяется от приборной структуры с помощью метода отделения с
использованием ультрафиолетового лазерного излучения - Laser Lift-Off [29]. Использование данной технологии приводит к улучшению рабочих характеристик приборной структуры за счет обеспечения лучшего теплоотвода через теплопроводящую подложку и, в случае удаления сапфировой подложки, дополнительного теплоотвода со стороны, с которой она была удалена. Также для светодиодов актуальным является возможность вывода света через обратную сторону приборной структуры. Однако, всех вышеперечисленных проблем полностью это не решает. Во-первых, разводка контактов также выполняется на одной стороне приборной структуры, что приводит к неравномерной инжекции носителей заряда в рабочую область прибора и снижению рабочих характеристик приборной структуры. Во-вторых, удаление сапфировой подложки с помощью метода лазерного отделения приводит к нарушению качества границы приборной структуры смежной с сапфировой подложкой. В результате чего, в производственный процесс дополнительно включают ряд технологических этапов, связанных с полировкой нарушенного слоя, что усложняет производство и увеличивает стоимость устройств.
Вышеперечисленные ограничения можно решить, если выращивать пленки и GaN структуры непосредственно на подложках из GaN [30-32]. При реализации такой процедуры отпадает необходимость в использовании буферных слоев и появляется возможность отойти от планарной компоновки приборной структуры с переходом к производству вертикальных приборных GaN структур. Привлекательность вертикальной компоновки приборной структуры объясняется возможностью пропускания тока через всю активную область структуры, а разводка контактов на обеих сторонах позволяет уменьшить площадь, занимаемую структурой [33-35].
На сегодняшний день известны примеры производства объемных кристаллов GaN с малым числом структурных дефектов [36-40], однако в таких кристаллах пока еще велика концентрация кислорода. Кроме того, их стоимость из-за сложностей производства и малой распространенности технологии высока.
Однако, дорогой объемный кристалл GaN может быть использован в качестве исходной материнской подложки в методе клонирования GaN подложек [41]. Суть метода состоит в выращивании любой полупроводниковой структуры на основе качественной и дорогой GaN подложки. Затем структура срезается лучом лазера методом скрытого лазерного слайсинга - Laser Stealth Slicing (LSS) [42], в котором луч фокусируется в объеме кристалла, под выращенной структурой, и сканируя лучом, отделяет активную приборную структуру от GaN подложки. Затем отделенная структура переносится на дешевую, хорошо проводящую тепло подложку, а слегка утонченная подложка опять полируется, на ней наращивается новая структура и цикл повторяется. Цикличное «наращивание-отделение-наращивание» на объемном кристалле GaN эпитаксиальной приборной структуры и составляет суть метода клонирования. Данное решение позволит многократно использовать дорогой кристалл, что значительно удешевит производство полупроводниковых приборов на основе GaN.
Ключевым моментом технологии клонирования является лазерное отделение полупроводниковых структур от ростовой подложки. Поэтому перед нами стояла задача экспериментального исследования несколько методов лазерного отделения приборных слоев, которые были предложены в работах [41, 42, A1-A3].
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК
Разработка технологии послеростовой обработки приборов на основе широкозонных полупроводниковых материалов2007 год, кандидат технических наук Черных, Сергей Петрович
Механизмы формирования высокотемпературных слоев AlN и AlGaN в аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии2019 год, кандидат наук Майборода Иван Олегович
Разработка и исследование технологии формирования наноструктур на основе нитридов элементов III группы2011 год, кандидат технических наук Царик, Константин Анатольевич
Синтез III-N микро- и наноструктур методом МОГФЭ на подложках сапфира и кремния2014 год, кандидат наук Рожавская, Мария Михайловна
Разработка технологии лазерного разделения приборных пластин на кристаллы2007 год, кандидат технических наук Наумов, Александр Сергеевич
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование процесса термической диссоциации нитрида галлия при воздействии инфракрасного лазерного излучения»
Цель работы
Исследование физических процессов, происходящих при отделении тонких слоев GaN от ростовой подложки применительно к задаче разработки технологии клонирования подложек GaN.
Задачи
1. Разработать лазерную установку на основе инфракрасного лазера для отделения пленок и структур на основе GaN от ростовой подложки и отработать методику контроля и поддержания параметров лазерного облучения.
2. Экспериментально проверить идею использования различия коэффициентов поглощения инфракрасного излучения в слоях GaN с разной концентрацией свободных носителей заряда для отделения пленок и структур на основе GaN от подложки GaN.
3. Исследовать возможность нагрева сапфировой подложки для отделения от нее пленок и структур на основе GaN, используя факт сильного поглощения инфракрасного излучения по сравнению с GaN с малой концентрацией свободных носителей заряда.
4. Экспериментально проверить возможность отделения тонкого слоя GaN от ростовой подложки с помощью фемтосекундного лазера и сделать выводы о дальнейшем развитии работы.
5. Продемонстрировать отделение работоспособной вертикальной структуры диода Шоттки и светодиодной структуры от ростовой подложки.
Научная и практическая новизна
1. Сконструирована лазерная установка на основе инфракрасного CO2-лазера с длиной волны X = 10.6 мкм и длительностью лазерного импульса
= 60 нс для отделения структур на основе GaN от ростовой подложки.
2. Экспериментально проверена модель поглощения лазерного излучения инфракрасного диапазона свободными носителями заряда в эпитаксиальных пленках GaN и фононами в сапфировых подложках.
3. Проведено одномерное численное моделирование динамики нагрева структур и-GaN/Al2Oз и и-GaN/«+-GaN/Al2Oз лазерным излучением с длиной волны X = 10.6 мкм и длительностью лазерного импульса 1Р = 60 нс при облучении сквозь слабо поглощающую пленку и-GaN.
4. Определены условия, необходимые для успешного отделения пленки GaN от ростовой подложки GaN и сапфировой подложки, при фокусировке лазерного излучения сквозь пленку GaN.
5. На сконструированной лазерной установке выполнено облучение пленок ОаЫ и структур на его основе и выполнено их последующее отделение от ростовой подложки ОаЫ и от сапфировой подложки.
6. Предложен и экспериментально проверен метод отделения, основанный на эффекте нелинейного многофотонного поглощения лазерного излучения с длиной волны X = 1.03 мкм и длительностью лазерного импульса 1Р = 350 фс в эпитаксиальных пленках ОаК
7. На установке на основе инфракрасного титан-сапфирового лазера с длиной волны X = 1.03 мкм и длительностью лазерного импульса 1Р = 350 фс выполнено облучение участка светодиодной пленки на основе ОаЫ лазерным излучением, сфокусированным сквозь светодиодную пленку на заданной глубине. Выполнено отделение облученного участка пленки от объемного кристалла ОаК
8. Для демонстрации работоспособности методик отделения полученные свободные пленки и структуры на основе GaN были использованы для создания работоспособных образцов вертикальных полупроводниковых приборов.
Объекты и методы исследования
1. При исследовании взаимодействия лазерного излучения с ОаЫ полупроводниковые структуры были представлены МОСУО структурами п-ОаЫ/Л12О3 с толщиной пленки п-ОаЫ от 5 до 10 мкм и ИУРБ структурами п-ОаК/п+-ОаК/Л12О3 с толщиной пленок п-ОаЫ и п+-ОаК от 15 до 30 мкм. Толщина подложки сапфира была равна 300 мкм. Диаметр образцов — 2 дюйма (50.8 мм).
2. При отработке методики контроля и поддержания параметров лазерного облучения учитывались длина волны и энергия лазерного излучения, диаметр лазерного пятна и шаг облучения, структурные особенности пленок нитрида галлия.
3. Свободные пленки п-ОаЫ размером от 0.5 х 0.5 мм2 до 2 х 2 мм2, отделенные импульсным инфракрасным СО2-лазером с длиной волны X = 10.6 мкм.
4. Реализация тестового образца вертикальной структуры диода Шоттки, получена на основе свободных пленок и-GaN размером 1 х 1 мм2, отделенных импульсным инфракрасным С02-лазером с длиной волны X = 10.6 мкм и длительностью лазерного импульса 1Р = 60 нс.
5. Реализация вертикальных светодиодных структур, получена на основе пленок и-GaN размером 0.5 х 0.5 мм2, отделенных импульсным инфракрасным титан-сапфировым лазером с длиной волны X = 1.03 мкм и длительностью лазерного импульса 1р = 350 фс.
6. Информация о характеристиках полупроводниковых структур и приборов получена как в результате численных расчетов, так и экспериментов. Экспериментальные исследования были выполнены с помощью оптического микроскопа, установки для рентгеноструктурного анализа, сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии, катодолюминесценции и рамановской спектроскопии.
Основные положения, выносимые на защиту
1. Отделение тонких пленок нитрида галлия от объемных кристаллов нитрида галлия возможно за счет эффекта поглощения ИК излучения на свободных носителях заряда в слоях нитрида галлия при различии концентрации свободных электронов в подложке и отделяемой пленке.
2. Отделение слабо легированных слоев нитрида галлия и структур на его основе возможно за счет поглощения ИК излучения фононами в сапфировой подложке.
3. Пороговая плотность мощности излучения импульсного СО2-лазера, необходимая для отделения пленок и структур на основе GaN от подложек GaN, примерно в 2 раза меньше, чем плотность мощности, необходимая для отделения пленок и структур на основе GaN от сапфировых подложек.
4. Экспериментально показано, что эффект нелинейного многофотонного поглощения может быть использован для отделения слоев GaN заданной
толщины, путем фокусировки излучение фемтосекундного лазера в заданной точке объема прозрачного кристалла GaN.
Достоверность полученных результатов
Достоверность полученных результатов определяется использованием современных экспериментальных методик и методов расчета, воспроизводимостью результатов, согласием полученных результатов с существующими литературными данными в случаях, когда такое сопоставление возможно.
Апробация работы
Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на международных конференциях и семинарах:
• 1st International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (Россия, Санкт-Петербург, 2014);
• XII Российская Конференция по Физике Полупроводников (Россия, Звенигород, 2015);
• Международный форум «Микроэлектроника 2016» (Россия, Респ. Крым, Алушта, 2016);
• Результаты обсуждались на семинаре в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Россия, Санкт-Петербург, 2017).
Публикации автора
По материалам диссертации опубликовано 5 работ, из них 2 тезиса доклада и 3 статьи, входящие в "Перечень рецензируемых научных изданий, в которых должны быть опубликованы результаты диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук". Список опубликованных статей приводится в конце диссертации.
Личный вклад автора
Основные результаты, полученные в работе, получены непосредственно автором. Автор участвовал в создании, настройке и испытаниях лазерной установки по отделению тонких пленок и полупроводниковых ОаЫ структур. Выбор общего направления исследования, постановка рассматриваемых задач, обсуждение и обработка полученных результатов осуществлялись автором совместно с научным руководителем.
Структура и объем диссертации
Диссертация состоит из введения, 7 глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации 197 страниц, включая 70 рисунков и 4 таблицы. Список литературы включает 225 библиотечных названий и 3 публикации автора. Нумерация литературы сквозная. Нумерация рисунков многоуровневая (включает номер главы). Нумерация формул многоуровневая (включает номер пункта).
Содержание работы
Во введении к диссертационной работе сформулированы актуальность выбранной темы, поставлена цель диссертационной работы, оговорены задачи, решаемые в работе, отмечены научная новизна и практическая значимость полученных в работе результатов, перечислены объекты исследований, приведены положения, выносимые на защиту, отмечен вклад автора, а также кратко изложено содержание работы.
В первой главе проанализированы имеющиеся данные об основных подложках для эпитаксиального выращивания пленок нитрида галлия (ОаЫ) и полупроводниковых структур на его основе, таких как сапфир (Л12О3), карбид кремния (Б1С), кремний (Б1), арсенид галлия (ОаЛБ) и нитрида галлия (ОаК). Рассмотрены и проанализированы достоинства и недостатки гетеро- и гомоэпитаксии ОаК Кратко сформулированы основные этапы получения кристаллов нитрида галлия с использованием технологии их отделения от
ростовой подложки. Сформулирована задача, заключающаяся в возможности производить контролируемое отделение кристаллов GaN от любой ростовой подложки.
Во второй главе проведен анализ основных методов отделения пленок и полупроводниковых GaN структур от ростовых подложек, в основе которых лежит использование ионной имплантации, лазерного излучения, химического воздействия и промежуточных слоев пленок. Приведены их основные достоинства и недостатки, а также трудности, возникающие при их использовании.
В третьей главе изучены вопросы, связанные с взаимодействием инфракрасного лазерного излучения с пленками нитрида галлия. Рассмотрено влияние концентрации свободных носителей заряда на коэффициент поглощения энергии лазерного излучения с наносекундной длительностью импульса при облучении пленок и полупроводниковых структур на основе GaN. Проанализировано влияние фононов на коэффициент поглощения энергии лазерного излучения с наносекундной длительностью импульса в сапфировых подложках.
С помощью одномерного численного моделирования динамики нагрева в облучаемых структурах проанализировано влияние параметров лазерного излучения с длиной волны X = 10.6 мкм на процесс температурного нагрева пленок и полупроводниковых GaN структур при облучении сквозь пленку или полупроводниковую структуру. Проведены расчеты пороговых значений плотности мощности лазерного излучения, необходимых для термической диссоциации GaN. Исследовано влияние толщины облучаемых пленок GaN на процесс лазерного отделения пленок и структур на основе GaN.
В четвертой главе приведено описание основных конструктивных особенностей создания лазерной установки на основе наносекундного инфракрасного С02-лазера с длиной волны X = 10.6 мкм и длительностью лазерного импульса Ц = 60 нс для отделения тонких пленок и
полупроводниковых ОаЫ структур. Представлено описание основных компонентов лазерной установки и разработанного программного обеспечения, управляющего всеми ее узлами.
В пятой главе на сконструированной лазерной установке экспериментально определяются диапазоны вариации параметров лазерного излучения и полупроводниковых ОаЫ структур при помощи которых осуществляется их отделение при облучении сквозь пленку или полупроводниковую структуру. Влияние плотности мощности инфракрасного лазерного излучения и структурных особенностей пленок нитрида галлия на процесс их лазерного облучения выполнены экспериментально. Приводятся результаты взаимодействия лазерного луча наносекундного инфракрасного СО2-лазера с пленками и полупроводниковыми ОаЫ структурами.
В шестой главе анализируются результаты отделения от ростовой подложки облученных инфракрасным лазерным излучением с длиной волны X = 10.6 мкм участков пленок и полупроводниковых ОаЫ структур. Выполнены исследования отделенных участков пленок нитрида галлия и подложек после этапа отделения. На основе отделенных наносекундным инфракрасным СО2-лазером пленок нитрида галлия изготовлен тестовый образец вертикального диода Шоттки. Продемонстрирована работоспособность тестового образца вертикального диода Шоттки. Проведено измерение прямых и обратных ветвей воль-амперных характеристик вертикального диода Шоттки.
В Глава 7 рассмотрены вопросы, связанные с взаимодействием инфракрасного лазерного излучения большой плотности мощности с пленками нитрида галлия в их области прозрачности. Приведено описание фемтосекундной лазерной установки наших коллег из Японии на основе инфракрасного титан-сапфирового лазера с длиной волны X = 1.03 мкм и длительностью лазерного импульса 1Р = 350 фс, на которой по нашей просьбе были выполнены эксперименты по лазерному облучению полупроводниковых ОаЫ структур. Приводятся результаты взаимодействия лазерного луча фемтосекундного титан-
сапфирового лазера и светодиодной GaN структуры. Фемтосекундным титан-сапфировым лазером выполнено облучение вертикального голубого светодиода на основе GaN с его последующим отделением от ростовой подложки и переносом на медную подложку. Продемонстрирована работоспособность тестового образца вертикального светодиода.
В заключении сформулированы основные результаты диссертации.
Благодарности
Выражаю глубокую признательность своему научному руководителю профессору Шретеру Юрию Георгиевичу за помощь в постановке задачи исследования, обсуждение спорных вопросов и человеческую поддержку. Выражаю признательность всему научному коллективу за помощь в работе и обсуждение теоретических и экспериментальных результатов.
Глава 1
Подложки для эпитаксиального выращивания пленок нитрида галлия и полупроводниковых структур на его основе
Под эпитаксией понимают направленный рост одного кристалла на поверхности другого. Эпитаксиальный рост в основном делится на два типа: гомоэпитаксия и гетероэпитаксия. Гомоэпитаксия подразумевает выращивание кристалла на подложке из того же материала и того же политипа - материнском кристалле. В случае гетероэпитаксии кристалл выращивается на подложке, представляющей собой другой материал или политип - гетероподложке.
В начале процесса эпитаксиального роста выращиваемый кристалл наследует кристаллическую структуру подложки. При гомоэпитаксии кристаллическая структура наращиваемого кристалла соответствует кристаллической структуре подложки до окончания процесса роста, а при гетероэпитаксии происходит переход от кристаллической структуры подложки к кристаллической структуре наращиваемого кристалла. В случае гомоэпитаксии дополнительных дефектов в наращиваемый кристалл не вносится, поэтому его кристаллическое совершенство высоко и зависит только от подложки и условий роста [43, 44]. При гетероэпитаксии кристаллическое совершенство наращиваемых пленок получается значительно ниже, чем при гомоэпитаксии. Это связано с тем, что при гетероэпитаксии из-за различия постоянных решеток и коэффициентов температурного расширения подложки и наращиваемого кристалла происходит образование дислокаций и встроенных механических напряжений [45-47]. Для уменьшения влияния рассогласования указанных выше параметров применяется поэтапный переход от материала подложки к материалу наращиваемого кристалла. Данный переход осуществляется с помощью
нанесения буферных слоев на подложку перед непосредственным выращиванием кристалла. Поэтому при гетероэпитаксии качество выращенного кристалла напрямую зависит от технологии подготовки буферных слоев [48, 49].
На сегодняшний день активно ведутся исследования в области гомоэпитаксии GaN на подложках из GaN (GaN-on-GaN) [50-52]. Однако, качественные коммерчески доступные подложки пригодные для гомоэпитаксии GaN имеют высокую стоимость. Поэтому эпитаксиальный рост GaN осуществляется посредством гетероэпитаксии на подложках из других материалов. Для получения качественных кристаллов GaN методом гетероэпитаксии важно правильно подобрать материал подложки. Обычно для гетероэпитаксии GaN используются подложки из сапфира, карбида кремния, кремния и арсенида галлия. Кратко рассмотрим основные типы ростовых подложек, используемых для эпитаксиального роста GaN [21, 53].
1.1 Сапфир
Подложки из сапфира являются одними из самых распространенных для гетероэпитаксии GaN. Эпитаксиальный рост GaN на сапфире методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии (HVPE - Hydride Vapour Phase Epitaxy) был впервые описан в работе Маруськи [54].
Основным преимуществом эпитаксиального выращивания GaN на сапфире является относительно низкая стоимость сапфировых подложек. При этом технология получения сапфировых подложек достаточно хорошо отработана, что позволяет получать сапфировые подложки разного диаметра и хорошего качества с конкретными параметрами под ту или иную задачу. Однако, у технологии роста GaN на сапфире есть недостатки, ухудшающие качество эпитаксиальных пленок GaN и характеристики конечного прибора.
Во-первых, рассогласование параметров решеток GaN (AGaN = 3.189 нм) и сапфира (Aapp = 4.758/л/э нм) достигает ~ 16 % [10, 55, 56]. Такая большая разница в постоянных решетки приводит к возникновению в пленке GaN
большого числа дислокаций (рис. 1.1). Плотность дислокаций в образцах GaN, выращенных на сапфировых подложках, составляет от 107 до 109 см-2 [57-60]. Для уменьшения плотности дислокаций можно увеличивать толщину наращиваемого GaN или же применять технологию эпитаксиального разращивания ELOG (epitaxial lateral overgrowth). Однако, стоимость выращенных таким методом кристаллов GaN резко повышается за счет трудного и времязатратного ростового процесса [60].
Рис. 1.1. Катодолюминесценция поверхности пленки GaN на сапфировой подложке. Темные точки - места выхода дислокаций.
Во-вторых, тепловые характеристики GaN и сапфира сильно отличаются. Так коэффициент теплового расширения GaN (3.17 ■ 10-6 К-1) меньше, чем у сапфира (5 ■ 10-6 К-1), поэтому в конце процесса роста при остывании в GaN появляются термонапряжения, которые носят сжимающий характер [9, 10, 11]. В итоге пленка GaN и сапфировая подложка при остывании до комнатной температуры изгибаются, а при резком охлаждение наблюдается растрескивание наращиваемой структуры (рис. 1.2).
В-третьих, высокомощные приборные ОаЫ структуры на основе сапфира имеют ограничения на максимальные рабочие токи [22-25]. Ограничение связано с тем, что из-за низкого коэффициента теплопроводности сапфира от приборной структуры отводится малое количество тепловой энергии, выделяющейся при ее работе. Поэтому приходится либо ограничивать максимальную рабочую мощность прибора, либо применять дополнительные меры по охлаждению приборной структуры, которые увеличивают ее стоимость и габариты.
Рис. 1.2. Изгиб и образование трещин при остывание пленки ОаК, выращенной методом гетероэпитаксии, от ростовой температуры Т1 до комнатной температуры Т2 << Т1.
В-четвертых, сапфир, в отличие от ОаЫ, не пропускает электрический ток. Поэтому при изготовление подобных приборных структур контакты размещаются на одной стороне (рис. 1.3, б). Данное ограничение приводит к необходимости проведения дополнительных технологических циклов изготовления приборной структуры для нанесения контактов. Таким образом, происходит как усложнение технологического процесса, так и усложнение конструкции приборной структуры, что увеличивает площадь, занимаемую каждым отдельным элементом. Следовательно, площадь подложки, используемая для производства приборов, расходуется менее эффективно, что отрицательно сказывается на конечной стоимости прибора. Также из-за одностороннего расположения контактов инжекция носителей заряда в рабочую область прибора происходит неравномерно (рис. 1.3). Поэтому фактически работает не весь прибор, а только его часть, что ухудшает его рабочие параметры [14-18]. Зачастую это приводит к
тому, что приходится вместо одного высокопроизводительного элемента использовать набор из таких элементов, которые в совокупности обеспечивают приемлемые рабочие характеристики.
Рис. 1.3. Вертикальная (а) и планарная (б) приборная структура на проводящей и не проводящей подложке соответственно. Прерывистыми стрелками отображен ток носителей. Х1 и Х2 - области протекания носителей заряда.
В-пятых, при изготовление сложных полупроводниковых структур важно точно контролировать концентрацию примесей в активной области приборной структуры. Однако, при гетероэпитаксии ОаЫ на сапфире имеет место неконтролируемое легирование кислородом, заимствуемым из подложки [61-63]. Нежелательное легирование приводит к возрастанию концентрации свободных носителей заряда (электронов), что может привести к отклонению рабочих характеристик прибора от заданных.
Таким образом, использование сапфировой подложки не позволяет достичь теоретически возможных характеристик ОаЫ приборов. Тем не менее, большинство полупроводниковых приборов на основе ОаЫ, от которых не требуются высокие рабочие характеристики, успешно производятся на сапфире.
1.2 Карбид кремния
Подложки из карбида кремния (SiC) широко используются для производства высокомощных приборов на основе GaN. В частности, компания Cree использует технологию роста GaN на SiC для производства мощных светодиодов [64]. Также на основе технологии GaN на SiC компания TriQuint производит СВЧ-транзисторы [65, 66].
Пленки и полупроводниковые GaN структуры, выращенные на подложках SiC, имеет некоторые преимущества по сравнению с их аналогами на сапфировых подложках.
Во-первых, рассогласование постоянных решетки GaN и SiC в ~ 3 раза меньше, чем с сапфиром [62]. Поэтому кристаллическое совершенство получаемого кристалла GaN выше. Во-вторых, так как теплопроводность SiC в ~ 15 раз выше по сравнению с сапфиром [67, 68], то полупроводниковые GaN структуры демонстрирует более высокие рабочие характеристики за счет увеличения рабочих токов без их перегрева. В-третьих, подложки из SiC доступны в двух вариантах - изоляторы и проводящие [69, 70]. Благодаря наличию проводящих SiC подложек представляется возможным создавать вертикальные структуры с равномерной инжекцией носителей заряда в активную область полупроводниковой структуры, что сильно уменьшает площадь, занимаемую структурой, и увеличивает ее КПД.
Однако, использование SiC имеет ряд проблем и технологических сложностей. Основным недостатком является относительно малая, по сравнению с сапфиром, развитость технологии получения качественных SiC кристаллов. Как следствие, конечная стоимость подложки SiC в разы превышает стоимость за сапфировую подложку. При этом максимальная высота рельефа поверхности (шероховатость) ростовой поверхности и плотность дислокаций в SiC подложках в ~ 10 раз выше, чем у сапфировых подложек. Поэтому помимо дислокаций, вносимых из-за относительно не большого рассогласования параметров решетки, в наращиваемом кристалле GaN появляются дополнительные дефекты [71, 72].
Также из-за того, что соотношение между коэффициентами теплового расширения SiC и GaN имеет обратный знак по сравнению со случаем роста на сапфировых подложках, растущий кристалл GaN имеет встроенное растягивающее напряжение. Данный факт значительно усложняет получение кристаллов GaN толщиной более единиц микрон, так как кристаллы большей толщины растрескиваются при остывании [73, 74].
Несмотря на вышеперечисленные недостатки большинство полупроводниковых приборов на основе GaN для гражданских и военных предприятий, от которых требуются высокие рабочие частоты и мощности, производятся на SiC подложках.
1.3 Кремний
Кремний в силу своей распространенности и изученности широко используется для производства различных полупроводниковых структур, которые на данный момент являются основой современной электроники. Из-за высокого кристаллического совершенства современных кристаллов Si его активно используют как подложку для получения различных полупроводниковых материалов, в частности, GaN. На Si подложках производятся транзисторы и светодиоды на основе GaN [21]. При этом приборы на основе GaN, выращенные на Si подложках, демонстрируют приемлемые рабочие характеристики [75, 76].
Тем не менее, кристаллы GaN выращенные на Si подложках значительно проигрывают в качестве кристаллам, полученным на сапфировых и SiC подложках. Это связано с тем, что Si обладает алмазоподобной решеткой, а GaN -вюрцит. Данное различие приводит к возникновению большой плотности дислокаций в наращиваемом кристалле GaN [77-79]. А значительное различие в коэффициентах теплового расширения приводит к возникновению сильных растягивающих напряжений при охлаждении. Данный факт приведет к тому, что получаемая пленка или полупроводниковая структура с большой долей вероятности будет содержать трещины [80, 81].
Однако, данное направление активно развивается, а технология роста GaN на Si активно совершенствуется.
1.4 Арсенид галлия
В отличие от подложек из сапфира, карбида кремния и кремния подложки из арсенида галлия (GaAs) являются более перспективными для получения качественных кристаллов GaN. Это связано с тем, что оба материала являются представителями группы A3B5, поэтому наращивание кристаллов GaN должно происходить без образования существенного количества ростовых дефектов. При этом температурные коэффициенты расширения данных материалов наиболее близки, поэтому вероятность образования трещин при остывании ниже, чем у кристаллов GaN, выращенных на подложках из сапфира, карбида кремния и кремния [11, 74, 80, 82].
Однако, сам GaAs имеет низкие значения термической, механической и химической стойкости. Это означает, что при росте GaN на GaAs подложках методом HVPE или осаждение металлорганических соединений из газовой фазы (MOCVD - metalorganic chemical vapour deposition). Так как данные методы роста требуют поддержания высокой температуры в ростовой камере (> 1173 К), а GaAs при температурах выше ~ 973 К активно разрушается [83-85].
Похожие диссертационные работы по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК
Управляемая перестройка поверхности кристаллических подложек для формирования эпитаксиальных наноструктур2018 год, доктор наук Муслимов Арсен Эмирбегович
Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки2011 год, доктор технических наук Мустафаев, Арслан Гасанович
Получение и исследование эпитаксиальных структур "полупроводник-фианит"2008 год, доктор технических наук Бузынин, Александр Николаевич
Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах2013 год, доктор физико-математических наук Бугров, Владислав Евгеньевич
Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений2008 год, кандидат физико-математических наук Заварин, Евгений Евгеньевич
Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Вирко Максим Викторович, 2018 год
Цитируемая литература
1. R. Steveson. Dialog semiconductor plans for GaN // Compound Semiconductor. — 2016. — Vol. 22, no. 6. — P. 16-19.
2. R. Steveson. Driving diversification in GaN device production // Compound Semiconductor. — Vol. 22, no. 7. — P. 22-28.
3. Mishra, U. K. AlGaN/GaN HEMTs: An overview of device operation and applications / U. K. Mishra, P. Parikh, Y. Wu // Proceedings of the IEEE. — 2002. — Vol. 90. — P. 1022-1031.
4. Alur, S. Fabrication of AlGaN/GaN MESFET and It's Applications in Biosensing: Ph.D. thesis / Auburn University. — 2010.
5. Cao, Y. High-voltage vertical GaN Schottky diode enabled by low-carbon metal-organic chemical vapor deposition growth / Y. Cao, R. Chu, R. Li, M. Chen, R. Chang, B. Hughes // Applied Physics Letters. — 2016. — Vol. 108. — P. 062103.
6. Волков, В.В. Полевые транзисторы на основе гетероструктур AlGaN/GaN, полученных методом молекулярно пучковой эпитаксии / В.В. Волков, В.П. Иванова, Ю.С. Кузьмичев et al. // Письма в ЖТФ. — 2004. — Vol. 30. — P. 63-67.
7. Etzkorn, E.V. Cracking of GaN films / E.V. Etzkorn, D.R. Clarke // Journal of Applied Physics. — 2016. — Vol. 89, no. 2. — P. 1025-1034.
8. Lucznik, B. Deposition of thick GaN layers by HVPE on the pressure grown GaN substrates / B. Lucznik, B. Pastuszka, I. Grzegory et al. // Journal of Crystal Growth. — 2005. — Vol. 281, no. 1. — P. 38-46.
9. Qian, W. Structural defects and their relationship to nucleation of GaN thin films / W. Qian, M. Skowronski, G.R. Rohrer // Material Research Society Symposium Proceedings. — 1996. — Vol. 423. — P. 475-486.
10. Kukushkin, S.A. Substrates for epitaxy of gallium nitride: new materials and techniques / S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, V.N. Bessolov, B.K. Medvedev, V.K. Nevolin, K.A. Tcarik // Reviews on advanced materials science. — 2008. — Vol. 17. — 1-32.
11. Doerner, M.F. Stresses and deformation processes in thin films on substrates / M.F. Doerner, W.D. Nix // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. — 1988. — Vol. 14, no. 3. — P. 225-268.
12. Ager, J.W. Stress gradients in heteroepitaxial gallium nitride films / J.W. Ager, G. Conti, L.T. Romano, C. Kisielowski // Materials Research Society Symposium Proceedings. — 1998. — Vol. 482, no. 1. — P. 769-774.
13. Широкозонные полупроводники / Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков,
B.Г. Сидоров. — СПб, Наука, 2001.
14. Berger, H.H. / Models for contacts to planar devices / H.H. Berger // Solid-Stare Electronics. — 1972. — Vol. 15. — P. 145-158.
15. Bezzeccheri, E. Comparative modeling of vertical and planar organic phototransistors with 2D drift-diffusion simulations / E. Bezzeccheri, S. Colasanti, A. Falco, R. Liguori, A. Rubino, P. Lugli // AIP Conference Proceedings. — 2016.
— Vol. 1736. — P. 020084.
16. Zhou, L. Vertical injection thin-film AlGaN/AlGaN multiple-quantum-well deep ultraviolet light-emitting diodes / L. Zhou, J. E. Epler, M. R. Krames, W.Goetz, M.Gherasimova, Z. Ren, J. Han, M. Kneissl, N. M. Johnson // Applied Physics Letters. — 2006. — Vol. 89. — 241113.
17. Kumar, S. Optimization of n-electrode pattern for p-side down vertical InGaN/GaN blue light emitting diodes / S. Kumar, S. Singh, A. K. Lunia, S. Pal,
C. Dhanavantri. // Physica Status Solidi (a). — 2014. — Vol. 211, no. 9. — P. 2134-2141.
18. Wang, Q. Current crowding in two-dimensional black-phosphorus field-effect transistors / Q. Wang, X. Tao, L. Yang, Y. Gu. // Applied Physics Letters. — 2016.
— Vol. 108. — P. 103109.
19. Park, K. Thermal resistance optimization of GaN/substrate stacks considering thermal boundary resistance and temperature-dependent thermal conductivity / K. Park, C. Bayram // Applied Physics Letters. — 2016. — Vol. 109. — P. 151904.
20. Han, M. Effect of curved graphene oxide in a GaN light-emitting-diode for improving heat dissipation with a patterned sapphire substrate / M. Han, N. Han, E.J. Jung, B.D. Ryu, K.B. Ko, T. viet Cuong, H. Kim, J.K. Kim, C.-H. Hong // Semiconductor Science Technology. — 2016. — Vol. 31. — P. 085010.
21. Liu, L. Substrates for gallium nitride epitaxy / L. Liu, J.H. Edgar // Materials Science and Engineering: R: Reports. — 2002. — Vol. 37, no. 3. — P. 61-127.
22. Ikeda, M. High-power GaN-based semiconductor lasers / M. Ikeda, T. Mizuno, M. Takeya et al. // Physica Status Solidi (c). — 2004. — Vol. 1, no. 6. — P. 14611467.
23. Kozodoy, P. Electrical characterization of GaN p-n junctions with and without threading dislocations / P. Kozodoy, J.P. Ibbetson, H. Marchand et al. // Applied Physics Letters. — 1998. — Vol. 73, no. 7. — P. 975-977.
24. Zhang, A.P. Correlation of device performance and defects in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors / A.P. Zhang, L.B. Rowland, E.B. Kaminsky et al. // Journal of Electronic Materials. — 2002. — Vol. 32, no. 5. — P. 388-394.
25. Mion, C. Accurate dependence of gallium nitride thermal conductivity on dislocation density / C. Mion, J. F. Muth, E. A. Preble, D. Hanser. // Applied Physics Letters. — 2006. — Vol. 89, no. 9. — P. 092123.
26. Sun, J. Thermal Management of AlGaN-GaN HFETs on Sapphire Using Flip-Chip Bonding with Epoxy Underfill / J. Sun, H. Fatima, A. Koudymov, A. Chitnis, X. Hu, H.-M Wang, J. Zhang, G. Simin, J. Yang, A. Khan. IEEE Electron Device Letters. — 2003. — Vol. 24, no. 6. — P. 375-377.
27. Lee, T.-X. Light extraction analysis of GaN-based light-emitting diodes with surface texture and/or patterned substrate / T.-X. Lee, K.-F. Gao, W.-T. Chien, C.-C. Sun // Optics Express. — 2007. — Vol. 15, no. 11. — P. 6670-6676.
28. Horng, R.-H. High performance GaN-based flip-chip LEDs with different electrode patterns / R.-H. Horng, S.-H. Chuang, C.-H. Tien, S.-C. Lin, D.-S. Wuu // IEEE Electron Device Letters. — 2014. — Vol. 22, no. S3. — P. A941-A946.
29. Lin, H.-T. White thin-film flip-chip LEDs with uniform color temperature using laser lift-off and conformal phosphor coating technologies / H.-T. Lin, C.-H. Tien, C.-P. Hsu, R.-H. Horng // Optics Express. — 2014. — Vol. 22, no. 6. — P. 3164631653.
30. Oka, T. Over 10 A Operation with Switching Characteristics of 1.2 kV-Class Vertical GaN Trench MOSFETs on a Bulk GaN Substrate / T. Oka, T. Ina, Y. Ueno, J. Nishii // 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, Prague, Czech Republic. — 2016. — P. 459.
31. Chang, S. Enhanced Responsivity of GaN Metal-Semiconductor-Metal (MSM) Photodetectors on GaN Substrate / S. Chang, M. Chang, Y. Yang // IEEE Photonics Journal. — 2017. — Vol. 9, no. 2. — P. 6801707.
32. Chirag, G. In Situ Oxide, GaN Interlayer-Based Vertical Trench MOSFET (OG-FET) on Bulk GaN substrates / G. Chirag, L. Cory, C. Silvia H., A. Anchal, L. Junquian, E. Yuuki, K. Stacia, M. Umesh K // IEEE Electron Device Letters. — 2017. — Vol. 38, no. 3. — P. 353.
33. Perez-Tomas, A. Analysis of the AlGaN/GaN vertical bulk current on Si, sapphire, and free-standing GaN substrates / A. Perez-Tomas, A. Fontsere, J. Llobet, M. Placidi, S. Rennesson, N. Baron, S. Chenot, J. C. Moreno, Y. Cordier // Journal of Applied Physics. — 2013. — Vol. 113. — P. 174501.
34. Yeluri, R. Design, fabrication, and performance analysis of GaN vertical electron transistors with a buried p/n junction / R. Yeluri, J. Lu, C.A. Hurni, D.A. Browne, S. Chowdhury, S. Keller, J.S. Speck, U.K. Mishra // Applied Physics Letters. — 2015. — Vol. 106, no. 18. — P. 183502.
35. Kizilyalli, I.C. Vertical Power p-n Diodes Based on Bulk GaN / I.C. Kizilyalli, A.P. Edwards, O. Aktas, T. Prunty, D. Bour. IEEE Transactions on Electron Devices. — 2015. — Vol. 62, no. 2. — P. 414-422.
36. Fujikura, H. Recent progress of high-quality GaN substrates by HVPE method / H. Fujikura, T. Yoshida, M. Shibata, Y. Otoki // Proceedings of SPIE, San Francisco, California, United States. — 2017. — Vol. 10104. — P. 1010403.
37. Liu, N. HVPE homoepitaxial growth of high quality bulk GaN using acid wet etching method and its mechanism analysis / N. Liu, Y. Cheng, J. Wu, X. Li, T. Yu, H. Xiong, W. Li, J. Chen, G. Zhang // Journal of Crystal Growth. — 2016. — Vol. 454. no. 59 — P. 59-63.
38. Li, Z.-Y. The opportunity for bulk GaN power device — Technology and application / Z.-Y. Li // 2016 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application, Taiwan. — 2016. — P. 107.
39. Letts, E. Reduction of crack density in ammonothermal bulk GaN growth // E. Letts, D. Key, T. Hashimoto. Journal of Crystal Growth. — 2016. — Vol. 456. — P. 27-32.
40. Process for the manufacture of a doped iii-n bulk crystal and a free-standing iii-n substrate, and doped iii-n bulk crystal and free-standing iii-n substrate as such / F. Scholz, P. Bruckner, F. Habel, G. Leibiger // US Patent Application. — 2016. — № US20140151716.
41. Способ изготовления полупроводниковых приборных структур, основанный на клонировании исходных подложек (варианты) / Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, А.В. Миронов // Патент РФ. — 2015. — №2546858
42. Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры / Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, А.В. Миронов // Патент РФ. — 2012. — № 2469433
43. Ponce, F. A. Determination of lattice polarity for growth of GaN bulk single crystals and epitaxial layers / F.A. Ponce, D.P. Bour, W.T. Young, M. Saunders, J.W. Steeds // Applied Physics Letters. — 1996. — Vol. 69, no. 3. — P. 337-339.
44. Grandjean, N. GaN/AlGaN quantum wells for UV emission: heteroepitaxy versus homoepitaxy / N. Grandjean, J. Massies, I. Grzegory, S. Porowski // Semiconductor Science and Technology. — 2001. — Vol. 16. — P. 358.
45. Lei, T. Heteroepitaxy, polymorphism, and faulting in GaN thin films on silicon and sapphire substrates / T. Lei, K. F. Ludwig, T. D. Moustakas // Journal of Applied Physics. — 1993. — Vol. 74, no. 7. — P. 4430-4437.
46. Hiramatsu, K. Relaxation Mechanism of Thermal Stresses in the Heterostructure of GaN Grown on Sapphire by Vapor Phase Epitaxy / K. Hiramatsu, T. Detchprohm, I. Akasaki // Japanese Journal of Applied Physics. — 1993. — Vol. 32. — P. 1528.
47. Kisielowski, C. Strain-related phenomena in GaN thin films / C. Kisielowski, J. Kruger, S. Ruvimov, T. Suski, J.W. Ager III, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E.R. Weber // Physical Review (b). — 1996. — Vol. 54, no. 24. — P. 17745-17753.
48. Nakamura, S. GaN Growth Using GaN Buffer Layer / S. Nakamura // Japanese Journal of Applied Physics. — 1991. — Vol. 30, no. 10A. — P. L1705-L1707.
49. Murakami, H. Impact of crystallization manner of the buffer layer on the crystalline quality of GaN epitaxial layers on GaAs (111) A substrate / H. Murakami, N. Kawaguchi, Y. Kangawa et al. // Journal of Crystal Growth. — 2005. — Vol. 275, no. 1. — P. e1149-e1154.
50. Hughes, W.C. Molecular beam epitaxy growth and properties of GaN films on GaN/SiC substrates / W.C. Hughes, W.H. Rowland Jr., M.A.L. Johnson, S. Fujita, J.W. Cook Jr., J. F. Schetzina, J. Ren, J. A. Edmond // Journal of Vacuum Science & Technology B. — 1995. — Vol. 13. — P. 1571-1577.
51. Hsu, J.W.P. Direct imaging of reverse-bias leakage through pure screw dislocations in GaN films grown by molecular beam epitaxy on GaN templates / J.W.P. Hsu, M.J. Manfra, R.J. Molnar, B. Heying, J. S. Speck // Applied Physics Letters. — 2002. — Vol. 81, no. 1. — P. 79-81.
52. Nomoto, K. GaN-on-GaN p-n power diodes with 3.48 kV and 0.95 mQ-cm2: A record high figure-of-merit of 12.8 GW/cm2 / K. Nomoto, Z. Hu, B. Song, M. Zhu, M. Qi, R. Yan, V. Protasenko, E. Imhoff, J. Kuo, N. Kaneda, T. Mishima, T. Nakamura, D. Jena, Huili Grace Xing // Electron Devices Meeting (IEDM), 2015 IEEE International Conference, Hilton Washington, Washington DC, USA. — 2015. — P. 9.7.1-9.7.4.
53. Jain, S.C. III-nitrides: Growth, characterization, and properties / S.C. Jain, M. Willander, J. Narayan, R.V. Overstraeten // Journal of Applied Physics. — 2000. — Vol. 87, no. 3. — P. 965-1006.
54. Maruska, H. The Preparation and Properties of Vapor-Deposited Single-Crystal GaN / H. Maruska, J. Tietjen // Applied Physics Letters. — 1969. — Vol. 15, no. 10. — P. 327-329.
55. Yoshida, S. Improvements on the electrical and luminescent properties of reactive molecular beam epitaxially grown GaN films by using AIN-coated sapphire
substrates / S. Yoshida, S. Misawa, S. Gonda // Applied Physics Letters. — 1983. — Vol. 42. — P. 427-429.
56. Kozawa, T. Thermal stress in GaN epitaxial layers grown on sapphire substrates / T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, H. Nagase, N. Koide et al. // Journal of Applied Physics. — 1995. — Vol. 77. — P. 4389-4392.
57. Iwaya, M. Reduction of Etch Pit Density in Organometallic Vapor Phase Epitaxy-Grown GaN on Sapphire by Insertion of a Low-Temperature-Deposited Buffer Layer between High-Temperature-Grown GaN / M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki // Japanese Journal of Applied Physics. — 1998. — Vol. 37. — L316-318.
58. Vaudo, R.P. GaN Boule Growth: A Pathway to GaN Wafers with Improved Material Quality / R.P. Vaudo, X. Xu, C. Loria et al. // Physica Status Solidi (a). — 2002. — Vol. 194, no. 2. — P. 494-497.
59. Sakai, A. Defect structure in selectively grown GaN films with low threading dislocation density / A. Sakai, H. Sunakawa, A. Usui // Applied Physics Letters. — 1997. — Vol. 71, no. 16. — P. 2259-2261.
60. Gibart, P. Metal organic vapour phase epitaxy of GaN and lateral overgrowth / P. Gibart // Reports on Progress in Physics. — 2004. — Vol. 67. — P. 667-715.
61. Sun, C.J. Comparison of the physical properties of GaN thin films deposited on (0001) and (0112) sapphire substrates / C.J. Sun, M. Razeghi // Applied Physics Letters. — 1993. — Vol. 63. — P. 973.
62. Popovici, G. Impurity Contamination of GaN Epitaxial Films From the Sapphire, SiC and ZnO Substrates / G. Popovici, W. Kim, A. Botchkarev, H. Tang, J. Solomon, H. Morkog // Materials Research Society Symposium Proceedings. — 1997. — Vol. 468. — P. 3-6.
63. Tang, H. Growth kinetics and electronic properties of unintentionally doped semi-insulating GaN on SiC and high-resistivity GaN on sapphire grown by ammonia molecular-beam epitaxy / H. Tang, Z. Q. Fang, S. Rolfe, J. A. Bardwell, S. Raymond // Journal of Applied Physics. — 2010. — Vol. 107. — P. 103701.
64. Kong, H.-S. Status of GaN/SiC-based LEDs and their application in solid state lighting / H.-S. Kong, J. Ibbetson, J. Edmond // Phys. Status Solidi (c). — 2014. — Vol. 11, no. 3-4. — P. 621-623.
65. Pengelly, R.S. A Review of GaN on SiC High Electron-Mobility Power Transistors and MMICs / R.S. Pengelly, S.M. Wood, J.W. Milligan, S.T. Sheppard, W.L. Pribble // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. — 2012. — Vol. 60, no. 6. — P. 1764-1783.
66. Rodriguez, M. High-frequency PWM buck converters using GaN-on-SiC HEMTs / M. Rodriguez, Y. Zhang, D. Maksimovic // IEEE Transactions on Power Electronics. — 2014. — Vol. 29, no. 5. — P. 2462-2473.
67. Yan, Z. Graphene quilts for thermal management of high-power GaN transistors / Z. Yan, G. Liu, J.M. Khan, A.A. Balandin // Nature Communications. — 2012. — Vol. 3. — P. 827.
68. Millan, J. A survey of wide bandgap power semiconductor devices / J. Millan, P. Godignon, X. Perpina, A. Perez-Tomas, J. Rebollo // IEEE Transactions on Power Electronics. — 2014. — Vol. 29, no. 5. — P. 2155-2163.
69. Конакова, Р.В. Сравнительные характеристики спектров комбинационного рассеяния света пленок графена на проводящих и полуизолирующих подложках 6H-SiC / Р.В. Конакова, А.Ф. Коломыс, О.Б. Охрименко, В.В. Стрельчук, Е.Ю. Волков, М.Н. Григорьев, А.М. Светличный, О.Б. Спиридонов // Физика и техника полупроводников. — 2013. — т. 47, вып. 6. — с. 802-804.
70. Morkog, H. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies / H. Morkog, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns // Journal of Applied Physics. — 1994. — Vol. 76. — P. 1363-1398.
71. Smith, D.J. Characterization of structural defects in wurtzite GaN grown on 6H SiC using plasma-enhanced molecular beam epitaxy / D.J. Smith, D. Chandrasekhar, B. Sverdlov, A. Botchkarev, A. Salvador, H. Morkog. Applied Physics Letters. — 1995. — Vol. 67, no. 13. — P. 1830-1832.
72. Chien, F.R. Growth defects in GaN films on 6H-SiC substrates / F.R. Chien, X. J. Ning, S. Stemmer, P. Pirouz, M.D. Bremser, R.F. Davis. // Applied Physics Letters. — 1996. — Vol. 68. — P. 2678.
73. Sun, X.Y. Defect reduction mechanisms in the nanoheteroepitaxy of GaN on SiC / X.Y. Sun, R. Bommena, D. Burckel, A. Frauenglass, M.N. Fairchild, S.R.J. Brueck, G.A. Garrett, M. Wraback, S.D. Hersee // Journal of Applied Physics. — 2004. — Vol. 95. — P. 1450-1454.
74. Zhao, D.G. Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si (111), 6H-SiC (0001), and c-plane sapphire / D.G. Zhao, S.J. Xu, M.H. Xie, S.Y. Tong, H. Yang // Applied Physics Letters. — 2003. — Vol. 83, no. 4. — P. 677679.
75. Zhang, B. Research progress in ZnO single-crystal: growth, scientific understanding, and device applications / B. Zhang, Y. Liu // Chinese Science Bulletin — 2014. — Vol. 59, no. 12. — P. 1251-1275.
76. Schulz, O. Wafer curvature, temperature inhomogeneity, plastic deformation and their impact on the properties of GaN on silicon power and opto-electronic structures / O. Schulz, A. Dadgar, J. Hennig, O. Krumm, S. Fritze, J. Blasing, H. Witte, A. Diez, A. Krost // Physica Status Solidi (c). — 2014. — Vol. 11, no. 3-4. — P. 397-400.
77. Zang, K.Y. Nanoscale lateral epitaxial overgrowth of GaN on Si (111) / K.Y. Zang, Y.D. Wang, S.J. Chua, L.S. Wang // Applied Physics Letters. — 2005. — Vol. 87, no. 19. — P. 193106.
78. Lester, S.D. High dislocation densities in high efficiency GaN-based light-emitting diodes / S.D. Lester, F.A. Ponce, M.G. Craford, D.A. Steigerwald // Applied Physics Letters. — 1996. — Vol. 66, no. 10. — P. 1249-1251.
79. Contreras, O. Dislocation annihilation by silicon delta-doping in GaN epitaxy on Si / O. Contreras, F.A. Ponce, J. Christen, A. Dadgar, A. Krost. // Applied Physics Letters. — 2002. — Vol. 81, no. 12. — P. 4712-4714.
80. Zamir, S. Reduction of cracks in GaN films grown on Si-on-insulator by lateral confined epitaxy / S. Zamir, B. Meyler, J. Salzman // Applied Physics Letters. — 2001. — Vol. 78. — P. 288.
81. Marchand, H. Metalorganic chemical vapor deposition of GaN on Si (111): Stress control and application to field-effect transistors / H. Marchand, L. Zhao, N. Zhang, B. Moran, R. Coffie, U.K. Mishra, J. S. Speck, S.P. DenBaars, J.A. Freitas // Journal of Applied Physics. — 2001. — Vol. 89, no. 12. — P. 7846-7851.
82. Jasinski, J. Microstructure of GaAs/GaN interfaces produced by direct wafer fusion / J. Jasinski, Z. Liliental-Weber, S. Estrada, E. Hu // Applied Physics Letters. — 2002. — Vol. 81, no. 17. — P. 3152-3154.
83. Kobayashi, N. Substrate temperature dependence of GaAs, GaInAs, and GaAlAs growth rates in metalorganic molecular beam epitaxy / N. Kobayashi, J.L. Benchimol, F. Alexandre, Y. Gao // Applied Physics Letters. — 1987. — Vol. 51. — P. 1907-1909.
84. SpringThorpe, A.J. Measurement of GaAs surface oxide desorption temperatures / A.J. SpringThorpe, S.J. Ingrey, B. Emmerstorfer, P. Mandeville, W.T. Moore // Applied Physics Letters. — 1987. — Vol. 50. — P. 77-79.
85. Guan, Y. Enhanced Incorporation of P into Tensile-Strained GaAs1-yPy Layers Grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy at Very Low Temperatures / Y. Guan, K. Forghani, K.L. Schulte, S. Babcock, L. Mawst, T.F. Kuechb // ECS Journal of Solid State Science and Technology. — 2016. — Vol. 5, no. 3. — P. 183-189.
86. Hu, S. Amorphous TiO2 coatings stabilize Si, GaAs, and GaP photoanodes for efficient water oxidation / S. Hu, M.R. Shaner, J.A. Beardslee, M. Lichterman, B.S. Brunschwig, N.S. Lewis // Science. — 2014. — Vol. 344, no. 6187. — P. 1005-1009.
87. Adlkofer, K. Stable Surface Coating of Gallium Arsenide with Octadecylthiol Monolayers / K. Adlkofer, M. Tanaka // Langmuir. — 2001. — Vol. 17, no. 14. — P. 4267-4273.
88. Cherns, D. The analysis of nanopipes and inversion domains in GaN thin films / D. Cherns, W.T. Young, M.A. Saunders, F.A. Ponce, S. Nakamura // Microscopy of Semiconducting Materials. — 1997. — Vol. 157. — P. 187-190.
89. Rosner, S.J. Correlation of cathodoluminescence inhomogeneity with microstructural defects in epitaxial GaN grown by metalorganic chemical-vapor deposition / S.J. Rosner, S.E. Carr, M.J. Ludowise, G. Girolami, H.I. Erikson // Applied Physics Letters. — 1997. — Vol. 70. — P. 420-422.
90. Sigiura, L. Dislocation motion in GaN light-emitting devices and its effect on device lifetime / L. Sigiura // Journal of Applied Physics. — 1997. — Vol. 81. — P. 1633-1638.
91. Yamane, H. Preparation of GaN Single Crystals Using a Na Flux / H. Yamane, M. Shimada, S.J. Clarke, F.J. DiSalvo // Chemistry of Materials. — 1997. — Vol. 9, no. 2. — P. 413-416.
92. Dwilinski, R. GaN sythesis by Ammonothermal Method / R. Dwilinski, A. Wysmolek, J. Baranowski et al. // Acta Physica Polonica (a). — 1995. — Vol. 88, no. 5. — P. 833-836.
93. Ehrentraut Dirk, Meissner Elke, Bockowski Michal. Technology of gallium nitride crystal growth. — Springer, 2010. — Vol. 133.
94. Krames, M. Light emitting diodes: GaN-on-GaN platform removes cost/performance tradeoffs in LED lighting / M. Krames // Laser Focus World. — 2013. — Vol. 49, no. 9. — P. 37.
95. Ehrentraut, D. High Quality, Low Cost Ammonothermal Bulk GaN Substrates / D. Ehrentraut, R.T. Pakalapati, D.S. Kamber, W. Jiang, D.W. Pocius, B.C. Downey, M. McLaurin, M.P. D'Evelyn // Japanese Journal of Applied Physics. — 2013. — Vol. 52. — P. 08JA01.
96. Di Cioccio, L. Silicon carbide on insulator formation using the Smart Cut process / L. Di Cioccio, Y. Letiec, F. Letertre, C. Jaussaud, M. Bruel // Electronics Letters.
— 1996. — Vol. 32, no. 12. — P. 1144.
97. Feng, X.-Q. Mechanics of Smart-Cut technology / X.-Q. Feng, Y. Huang // International Journal of Solids and Structures. — 2004. — Vol. 41. — P. 42994320.
98. Maleville, C. Smart-Cut technology: From 300 mm ultrathin SOI production to advanced engineered substrates / C. Maleville, C. Mazure // Solid-State Electronics. — 2004. — Vol. 48, no. 6. — P. 1055.
99. Moriceau, H. Smart Cut™: Review on an attractive process for innovative substrate elaboration / H. Moriceau, F. Mazen, C. Braley, F. Rieutord, A. Tauzin, C. Deguet // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research (b). — 2012.
— Vol. 277. — P. 84-92.
100. Di Cioccio, L. Wafer Level 3D Stacking using Smart CutTM and Metal-Metal Direct Bonding Technology / L. Di Cioccio, I. Radu, F. Baudin, A. Mounier, T Lacave, V. Delaye, B. Imbert, NChevalier, D. Mariolle, S Thieffry, F. Mazen, G. Gaudin, T Signamarcheix // ECS Transactions. — 2012. — Vol. 50, no. 7. — P. 169-175.
101. Widiez, J. SOI-type Bonded Structures for Advanced Technology Nodes / J. Widiez, J-M. Hartmann, F. Mazen, S. Sollier, C. Veytizoub, Y. Bogumilowicz et al. // ECS Transactions. — 2014. — Vol. 64, no. 5. — P. 35-48.
102. Meyer, R. Study of high-temperature Smart Cut™: Application to silicon-on-sapphire films and to thin foils of single crystal silicon / R. Meyer, O. Kononchuck, H. Moriceau, M. Lemiti, M. Bruel // Solid State Electronics. — 2016. — Vol. 115, Part B. — P. 225-231.
103. Chang, Y. GaAs-on-insulator fabricated via ion-cut in epitaxial GaAs/Ge substrate / Y. Chang, D. Chen, Z. Di, M. Zhang, W. Yu, Xi Wang // 2014 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Guilin, China. — 2014.
104. Gassenq, A. 1.9% bi-axial tensile strain in thick germanium suspended membranes fabricated in optical germanium-on-insulator substrates for laser applications / A. Gassenq, K. Guilloy, G. Osvaldo Dias, N. Pauc, D. Rouchon et al. // Applied Physics Letters. — 2015. — Vol. 107. — P. 191904.
105. Yang, R. Smart-cut 6H-silicon carbide (SiC) microdisk torsional resonators with sensitive photon radiation detection / R. Yang, K. Ladhane, Z. Wang, J. Lee, D. J. Young, P. X.-L. Feng // 2014 IEEE 27th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems, San Francisco, CA, USA. — 2014. — P. 793.
106. Cardenas, J. Optical nonlinearities in high-confinement silicon carbide waveguides / J. Cardenas, M. Yu, Y. Okawachi, C. B. Poitras, R. K. W. Lau, A. Dutt, A. L.
Gaeta, Michal Lipson // Optics Letters. — 2015. — Vol. 40, no. 17. — P. 41384141.
107. Kim, M. Transferrable single crystalline 4H-SiC nanomembranes / M. Kim, J.-H. Seo, D. Zhao, S.-C. Liu, K. Kim, K. Lim, W Zhou, E. Waks, Z. Ma // Journal of Materials Chemistry C. — 2017. — Vol. 5. — P. 264.
108. Li, B. S. Structures and optical properties of H2+-implanted GaN epi-layers / B. S. Li, Z. G. Wang // Journal of Physics D: Applied Physics. — 2015. — Vol. 48. — P. 225101.
109. Iwinska, M. HVPE-GaN growth on GaN-based Advanced Substrates by Smart Cut™ / M. Iwinska, M. Amilusik, M. Fijalkowski, T. Sochacki, B. Lucznik el al. // Journal of Crystal Growth. — 2016. — Vol. 456, no. 5. — P. 73-79.
110. Im, K.-S. Fabrication of normally-off GaN nanowire gate-all-around FET with top-down approach / K.-S. Im, C.-H. Won, S. Vodapally, R. Caulmilone, S. Cristoloveanu, Y.-T. Kim, J.-H. Lee // Applied Physics Letters. — 2016. — Vol. 109. — P. 143106.
111. Kelly, M.K. Optical Process for Liftoff of Group III-Nitride Films / M.K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, R. Handschuh, M. Stutzmann // Physica Status Solidi (a).
— 1997. — Vol. 159, no. 1. — P. R3-R4.
112. Wong, W.S. Damage-free separation of GaN thin films from sapphire substrates / W.S. Wong, T. Sands, N.W. Cheung // Applied Physics Letters. — 1998. — Vol. 72, no. 5. — P. 599-601.
113. Peng, W.C. Enhanced performance of an InGaN-GaN light-emitting diode by roughening the undoped-GaN surface and applying a mirror coating to the sapphire substrate / W.C. Peng, Y.C.S. Wu // Applied Physics Letters. — 2006. — Vol. 88.
— P. 181117.
114. Aoshima, H. Laser lift-off of AlN/sapphire for UV light-emitting diodes / H. Aoshima, K. Takeda, K. Takehara, S. Ito, M. Mori et al. // Physica Status Solidi (c). — 2012. — Vol. 9, no. 3-4. — P. 753-756.
115. Mendes, M. Advanced Laser Lift-Off in the Manufacturing of LEDs / M. Mendes, C. Porneala, X. Song, M. Hannon, R. Sarrafi et al. // 2015 Conference on Lasers and Electro-Optics, San Jose, CA, USA. — 2015.
116. Do, Y. H. Preparation on transparent flexible piezoelectric energy harvester based on PZT films by laser lift-off process / Y. H. Do, W. S. Jung, M. G. Kang, C. Y. Kanga, S. J. Yoon // Sensors and Actuators (a). — 2013. — Vol. 200. — P. 51-55.
117. Noh, M.-S. Self-powered Flexible Touch Sensors based on PZT Thin Films using Laser Lift-Off / M.-S. Noh, S. Kim, D.-K. Hwang, C.-Y. Kang // Sensors and Actuators (a): Physical. — 2017. — Vol. 261. — P. 288-294.
118. Rogers, D. J. Comparison of Chemical and Laser Lift-off for the Transfer of InGaN-based p-i-n Junctions from Sapphire to Glass Substrates / D. J. Rogers, P. Bove, F. H. Teherani, K. Pantzas, T. Moudakir et al. // SPIE Conference Proceedings. — 2013. — Vol. 8626. — P. 862611.
119. Chang, T.-M. Laser Lift-Off Mechanisms of GaN Epi-Layer Grown on Pattern Sapphire Substrate / T.-M. Chang, H.-K. Fang, C. Liao, W.-Y. Hsu, Y.-C. S Wu // ECS Journal of Solid State Science and Technology. — 2015. — Vol. 4, no. 2. — P. R20-R22.
120. Ambacher, O. Sub-bandgap absorption of gallium nitride determined by Photothermal Deflection Spectroscopy / O. Ambacher, W. Reiger, P. Ansmann, H. Angerer, T.D. Moustakas, M. Stutzmann // Solid State Communications — 1996. — Vol. 97. — P. 365-370.
121. Wong, W.S. Structural and optical quality of GaN/metal/Si heterostructures fabricated by excimer laser lift-off / W.S. Wong, Y. Cho, E.R. Weber, T. Sands,
K.M. Yu, J. Kruger, A.B. Wengrow, N.W. Cheung // Applied Physics Letters. — 1999. — Vol. 75. — P. 1887-1889.
122. Chen, W.H. Study of the structural damage in the (0001) GaN epilayer processed by laser lift-off techniques / W.H. Chen, X.N. Kang, X.D. Hu, R. Lee, Y.J. Wang, T.J. Yu, Z.J. Yang, G.Y. Zhang // Applied Physics Letters. — 2007. — Vol. 91, no. 12. — P. 121114.
123. Wu, Y.S. Effects of laser sources on the reverse-bias leakages of laser lift-off GaN-based light-emitting diodes / Y.S. Wu, J.-H. Cheng, W.C. Peng, H. Ouyang // Applied Physics Letters. — 2007. — Vol. 90. — P. 251110.
124. Chen, M. Effect of Laser Pulse Width on the Laser Lift-off Process of GaN Films / M. Chen, J.Y. Zhang, X.Q. Lu, L.Y. Ying, B.P. Zhang // Chinese Physics Letters
— 2013. — Vol. 30, no. 1. — P. 014203.
125. Park, J. Doping selective lateral electrochemical etching of GaN for chemical liftoff / J. Park, K.M. Song, S.-R. Jeon, J.H. Baek, S.-W. Ryu // Applied Physics Letters. — 2009. — Vol. 94, no. 22. — P. 221907.
126. Stonas, A.R. Development of selective lateral photoelectrochemical etching of InGaN/GaN for lift-off applications / A.R. Stonas, T. Margalith, S.P. DenBaars, L.A. Coldren, E.L. Hu // Applied Physics Letters. — 2001. — Vol. 78. — P. 1945-1947.
127. Demeester, P. Epitaxial lift-off and its applications / P. Demeester, I. Pollentier, P. De Dobbelaere, C. Brys, P. Van Daele // Semiconductor Science and Technology.
— 1993. — Vol. 8. — P. 1124-1135.
128. Gautier, S. Structural and compositional characterization of MOVPE GaN thin films transferred from sapphire to glass substrates using chemical lift-off and room temperature direct wafer bonding and GaN wafer scale MOVPE growth on ZnO-buffered sapphire / S. Gautier, T. Moudakir, G. Patriarche, D.J. Rogers, V.E.
Sandana, F. Hosseini Teherani, P. Bove, Y.El Gmili, K. Pantzas, Suresh Sundaram, D.Troadec, P.L. Voss, M. Razeghi, A. Ougazzaden // Journal of Crystal Growth.
— 2013. — Vol. 370. — P. 63-67.
129. van Geelen, A. Epitaxial Lift-Off GaAs Solar Cell From a Reusable GaAs Substrate / A. van Geelen, P.R. Hageman, G.J. Bauhuis, P.C. van Rijsingen, P. Schmidt, L.J. Giling // Materials Science and Engineering. — 1997. — Vol. B45.
— P. 162-171.
130. Horng, R.-H. Chemical lift-off process for nitride LEDs from an Eco-GaN template using an AlN/strip-patterned-SiO2 sacrificial layer/ R.-H. Horng, H.-H. Hsueh, S.-L. Ou, C.-T. Tsai, T.-Y. Tsai, D.-S. Wuu // Physica Status Solidi (a). — 2017. — Vol. 214, no. 3. — P. 1600657.
131. Kang, J.-H. Transparent, Flexible Piezoelectric Nanogenerator Based on GaN Membrane Using Electrochemical Lift-Off / J.-H. Kang, D. K. Jeong, S.-W. Ryu // ACS Applied Materials & Interfaces. — 2017. — vo. 9, no. 12. — P. 1063710642.
132. Gautier, S. Structural and compositional characterization of MOVPE GaN thin films transferred from sapphire to glass substrates using chemical lift-off and room temperature direct wafer bonding and GaN wafer scale MOVPE growth on ZnO-buffered sapphire / S. Gautier, T. Moudakir, G. Patriarche, D.J. Rogers, V.E. Sandana et al. // Journal of Crystal Growth. — 2013. — Vol. 370. — P. 63-67.
133. Pantzas, K. Chemical lift-off and direct wafer bonding of GaN/InGaN P-I-N structures grown on ZnO/ K. Pantzas, D.J. Rogers, P. Bove, V.E. Sandana, F.H. Teherani et al. // Journal of Crystal Growth. — 2016. — Vol. 435. — P. 105-109.
134. Алтахов, А.С. Буферные слои аморфного углерода для отделения свободных пленок нитрида галлия / А.С. Алтахов, Р.И. Горбунов, Л.А. Кашарина, Ф.Е. Латышев, В.А. Тарала, Ю.Г. Шретер // Письма в ЖТФ. — 2016. — т. 42, вып. 21. — с. 32-38.
135. Chung, K. Transferable GaN Layers Grown on ZnO-Coated Graphene Layers for Optoelectronic Devices / K. Chung, C.-H. Lee, G.-C. Yi // Science. — 2010. — Vol. 330. — P. 655-657.
136. Chung, K. High-quality GaN films grown on chemical vapor-deposited graphene films / K. Chung, S.I. Park, H. Baek, J.-S. Chung, G.-C. Yi // NPG Asia Materials. — 2012. — Vol. 4. — P. e24.
137. Kim, J. Principle of direct van der Waals epitaxy of single-crystalline films on epitaxial graphene / J. Kim, C. Bayram, H. Park, C.-W. Cheng, C. Dimitrakopoulos, J.A. Ott, K.B. Reuter, S.W. Bedell, D.K. Sadana // Nature Communications. — 2014. — Vol. 5, no. 4836. — P. 1-7.
138. Ayari, T. Wafer-scale controlled exfoliation of metal organic vapor phase epitaxy grown InGaN/GaN multi quantum well structures using low-tack two-dimensional layered h-BN / T. Ayari, S. Sundaram, X. Li et al. // Applied Physics Letters. — 2016. — Vol. 108. — P. 171106.
139. Yoshida, T. Fabrication of 3-in GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy using void-assisted separation method / T. Yoshida, Y. Oshima, T. Eri, K. Ikeda, S. Yamamoto, K. Watanabe, M. Shibata, T. Mishima // Journal of Crystal Growth. — 2008. — Vol. 310, no. 1. — P. 5-7.
140. Suo, Z. Steady-state cracking in brittle substrates beneath adherent films / Z. Suo, J.W. Hutchinson // International Journal of Solids and Structures. — 1988. — Vol. 25, no. 11. — P. 1337-1353.
141. Bedell, W. Kerf-less removal of Si, Ge, and III-V layers by controlled spalling to enable low-cost PV technologies / W. Bedell, D. Shahrjerdi, B. Hekmatshoartabari, K. Fogel, P. Lauro, N. Sosa, D. Sadana // Journal of Photovoltaics, IEEE Electronic Devices Society. — 2012. — Vol. 2. — P. 2141-2147.
142. Bedell, S.W. Layer transfer by controlled spalling// S.W. Bedell, K. Fogel, P. Lauro, D. Shahrjerdi, J. A. Ott, D.K. Sadana / Journal of Physics D: Applied Physics. — 2013. — Vol. 46. — P. 152002.
143. Bedell, S.W. Layer transfer of bulk gallium nitride by controlled spalling // S.W. Bedell, P. Lauro, J. A. Ott, K. Fogel, D.K. Sadana / Journal of Applied Physics. — 2017. — Vol. 122. — P. 025103.
144. Ельяшевич, М. А. Эйнштейна коэффициенты. — Москва, «Советская энциклопедия», 1998. — т. 5.
145. Maiman, T.H. Stimulated Optical Radiation in Ruby / T.H. Maiman // Nature. — 1960. — Vol. 187, no. 4736. — P. 493-494.
146. А. Левин // Популярная механика. — Independent Media Sanoma Magazines, 2006. — т. 5, вып. 43.
147. Javan, A. Population Inversion and Continuous Optical Maser Oscillation in a Gas Discharge Containing a He-Ne Mixture / A. Javan, W.R. Bennett, D.R. Herriott // Physical Review Letters. — 1961. — Vol. 63. — P. 106-110.
148. А. Левин // Популярная механика. — Independent Media Sanoma Magazines, 2006. — т. 6, вып. 44.
149. Голенищев-Кутузов, А.В. Лазерная генерация акустических волн на периодической доменной структуре в ниобате лития / А.В. Голенищев-Кутузов, В.А. Голенищев-Кутузов, Р.И. Калимуллин // Акустический журнал. — 2000. — т. 46, вып. 3. — с. 336-339.
150. Петров, Ю.В. Лазерная генерация волн Лэмба в ферромагнитной металлической пластине / Ю.В. Петров, С.Ю. Гуревич // Вестник ЮУрГУ. Серия Математика. Механика. Физика. — 2009. — т. 22, вып. 1. — с. 84-86.
151. Голубев, Е.В. Лазерная генерация поверхностных акустических волн в ферромагнитном металле / Е.В. Голубев, С.Ю. Гуревич, Ю.В. Петров // Физика металлов и металловедение. — 2004. — т. 97, вып. 2. — с. 8.
152. Ready, J.F. Effects of High-Power Laser Radiation. — New York, Academic Press, 1971.
153. Ельяшевич, М.А. Разрушение металлов под действием излучения оптического квантового генератора // Отчет Института физики АН БССР. — Минск, Институт физики АН БССР, 1963. — №КЭ-14. — с. 248-260.
154. Анисимов, С.И. Действие излучения большой мощности на металлы / С.И. Анисимов, Я.А. Имас, Г.С. Романов, Ю.В. Ходыко // Физико-математическая литература. — ред. А М Бонч-Бруевича, М А Ельяшевича, Москва, Наука, 1970.
155. Любов, Б.Я. Процессы теплопереноса при фазовых превращениях под действием интенсивных потоков энергии / Б.Я. Любов, Э.Н. Соболь // ИФЖ. — 1983. — т. 45, вып. 4. — с. 670-686.
156. Sobol, E.N. Phase Transformations and Ablation in Laser-Treated Solids. — New York, Wiley, 1995.
157. Анисимов, С.И. Действие мощных световых потоков на металлы / С.И. Анисимов, А.М. Бонч-Бруевич, М.А. Ельяшевич, Я.А. Имас, H.A. Павленко, Г.С. Романов // ЖТФ. — 1966. — т. 36. — с. 1273-1284.
158. Либенсон, М.Н. Взаимодействие лазерного излучения с веществом ч. I / М.Н. Либенсон, Е.Б. Яковлев, Г.Д. Шандыбина. — под ред. В.П. Вейко, СПб, СПб ГУ ИТМО, 2008.
159. Либенсон, М.Н. Взаимодействие лазерного излучения с веществом ч. II / М.Н. Либенсон, Е.Б. Яковлев, Г.Д. Шандыбина. — под ред. В.П. Вейко, СПб, СПб ГУ ИТМО, 2014.
160. Ландсберг, Г.С. Оптика. — 5 изд. — Москва, Физматлит, 1976.
161. Степанов, Н. С. Интерференция волн. Физическая энциклопедия в 5 т. — под ред. А.М. Прохорова, Москва, Советская энциклопедия (тт. 1—2); Большая Российская энциклопедия (тт. 3—5), 1988—1999.
162. Горелик, Г. С. Колебания и волны. — под ред. Е.Б. Кузнецова, Москва, Физматгиз, 1959.
163. Muth, J.F. Absorption coefficient, energy gap, exciton binding energy, and recombination lifetime of GaN obtained from transmission measurements / J.F. Muth, J.H. Lee, I.K. Shmagin, R.M. Kolbas, H.C. Casey, Jr., B.P. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars // Applied Physics Letters. — 1997. — Vol. 71, no. 18. — P. 2572-2574.
164. Bloom, S. Band structure and reflectivity of GaN / S. Bloom, G. Harbeke, E. Meier, I.B. Ortenburger // Physica Status Solidi (b). — 1974. — Vol. 66. — P. 161-168.
165. Suzuki, M. First-principles calculations of effective-mass parameters of AlN and GaN / M. Suzuki, T. Uenoyama, A. Yanase // Physical Review (b). — 1995. — Vol. 52, no. 11. — P. 8132-8139.
166. Adachi, S. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors // Kluwer Academic Publishers, Boston, 1999). — p. 175.
167. Уханов, Ю. И. Оптические свойства полупроводников // Москва, Наука, 1977.
168. Harima, H. Properties of GaN and related compounds studied by means of Raman scattering / H. Harima // Journal of Physics: Condensed Matter. 2002. — Vol. 14. — P. R967-R993.
169. Oshima, Y. Properties of Ge-doped, high-quality bulk GaN crystals fabricated by hydride vapor phase epitaxy / Y. Oshima, T. Yoshida, K. Watanabe, T. Mishima // Journal of Crystal Growth. — 2010. — Vol. 312. — P. 3569-3573.
170. Richter, E. N-type doping of HVPE-grown GaN using dichlorosilane / E. Richter, Ch. Hennig, U. Zeimer, L. Wang, M. Weyers, G. Trankle // Physica Status Solidi (a). — 2006. — Vol. 203, no. 7. — P. 1658-1662.
171. Fox, M. Optical Properties of Solids // New York, Oxford University Press, 2 edition, 2010. — ch. 1.4. — P. 10.
172. Whitson, M.E. Handbook of the infrared optical properties of A12O3, carbon, MgO and ZrO2 // California, Aerospace Corporation, 1975. — ch. I-1. — P. I-6.
173. Haglund, R.F. Handbook of Handbook of Lasers and Optics // Springer, Dordrecht Heidelberg, London, New York, 2012, 2 ed. — ch. 5.8. — p. 330.
174. Wang, T. Experimental and numerical investigation on GaN/AhO3 laser lift-off technique / T. Wang, F. Yuan, X. Guo, G.D. Shen, Z.Z. Cui // Thin Solid Films. — 2007. — Vol. 515. — P. 3854-3857.
175. Морозова, Е.Ю. Лазерное разрушение на границе раздела двухслойной системы / Е.Ю. Морозова, В.М. Лисицын, В.П. Ципилев, А.Н. Яковлев // Известия Томского политехнического университета. — 2013. — т. 323, вып. 2. — с. 173-177.
176. Tavernier, P.R. Mechanics of laser-assisted debonding of films / P.R. Tavernier, D.R. Clarke // Journal of Applied Physics. — 2001. — Vol. 89, no. 3. — P. 15271536.
177. Bougrov, V.E. Properties of Advanced Semiconductor materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe / V.E. Bougrov, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, A.S. Zubrilov // New York, Wiley, 2001. — p. 22.
178. Voronenkov, V.V. Two modes of HVPE growth of GaN and related macrodefects / V.V. Voronenkov, N.I. Bochkareva, R.I. Gorbunov, P.E. Latyshev, Y.S. Lelikov, Y.T. Rebane, A.I. Tsyuk, A.S. Zubrilov, U.W. Popp, M. Strafela, H.P. Strunk, Y.G. Shreter // Physica Status Solidi (c). — 2013. — Vol. 10, no. 3. — P. 468471.
179. Yunlian, Q. Electron beam welding, laser beam welding and gas tungsten arc welding of titanium sheet / Q. Yunlian, D. Ju, H. Quan, Z. Liying // Materials Science and Engineering. — 2000. — Vol. A280. — P. 177-181.
180. Franco, A. Modelling for Predicting Seam Geometry in Laser Beam Welding of Stainless Steel / A. Franco, L Romoli, A Musacchio // International Journal of Thermal Sciences. — 2014. — Vol. 79. — P. 194-205.
181. Gropp, A. Laser beam cutting / A. Gropp, J. Hutfless, S. Schuberth, M. Geiger // Optical and Quantum Electronics. — 1995. — Vol. 27. — P. 1257-1271.
182. Huang, R.K. Direct diode lasers for industrial sheet metal cutting and welding / R.K. Huang, B. Chann, P. Tayebati // IEEE 2014 Photonics Conference (IPC), San Diego, CA, USA, IEEE, 2014. — P. 232-233.
183. Jackson, M.J. Laser micro-drilling of tool steel using Nd:YAG lasers / M.J. Jackson, W. O'Neill // Journal of Materials Processing Technology. — 2003. — Vol. 142. — P. 517-525.
184. Jiao, L.S. Influence of substrate heating on hole geometry and spatter area in femtosecond laser drilling of silicon / L.S. Jiao, S.K. Moon, E.Y.K. Ng, H.Y. Zheng, H.S. Son // Applied Physics Letters. — 2014. — Vol. 104. — P. 181902.
185. Chen, F. / F. Chen, J.R. Vazquez de Aldana // Laser Photonics Review. — 2014. — Vol. 8, no. 2. — P. 1-26.
186. Eaton, S.M. Femtosecond laser micromachining for the realization of fully integrated photonic and microfluidic devices / S.M. Eaton, R. Osellame, R.
Ramponi // Integrated Optics: Devices, Materials, and Technologies XIX, San Francisco, California, United States, Proceedings of SPIE, 2015. — Vol. 9365. — P. 936515-1.
187. Xing, Y. Effect of femtosecond laser pretreatment on wear resistance of A^Os/TiC ceramic tools in dry cutting / Y. Xing, J. Deng, K. Zhang, G. Zhang, H. Gao // International Journal of Refractory Metals and Hard Materials. — 2014. — Vol. 43. — P. 291-301.
188. Kim, K.-R. High-precision and ultrafast UV laser system for next-generation flexible PCB drilling / K.-R. Kim, J.-H. Cho, N.-Y. Lee, H.-J. Kim, S.-H. Cho, H.-J. Park, B. Choi // Journal of Manufacturing Systems. — 2016. — Vol. 38. — P. 107-113.
189. Rodrigues, G.C. Direct Diode Lasers for Industrial Laser Cutting: A Performance Comparison with Conventional Fiber and CO2 Technologies / G.C. Rodrigues, H. Vanhove, J.R. Duflou // Physics Procedia. — 2014. — Vol. 56. — P. 901-908.
190. Rodrigues, G.C. Theoretical and experimental aspects of laser cutting with a direct diode laser / G.C. Rodrigues, J. Pencinovsky, M. Cuypers, J.R. Duflou // Optics and Lasers in Engineering. — 2014. — Vol. 61. — P. 31-38.
191. Cheng, J. A review of ultrafast laser materials micro-machining / J. Cheng, C.-S. Liu, S. Shang, D. Liu, W. Perrie, G. Dearden, K. Watkins // Optics and Laser Technology. — 2013. — Vol. 46. — P. 88-102.
192. Pawlak, R. Microstructures of semiconductor and ceramic materials made by ablation of single mode fiber laser - Quality and dimensions limit / R. Pawlak, M. Tomczyk, M. Walczak, J. Mizeraczyk, M. Tanski, K. Garasz // Microelectronic Engineering. — 2016. — Vol. 151. — P. 47-52.
193. Lennikov, V. Microstructure and transport properties of Bi-2212prepared by CO2 laser line scanning / V. Lennikov, B. Ozkurt, L.A. Angurel, A. Sotelo, B. Ozcelik,
G.F. de la Fuente // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism — 2013. — Vol. 26. — P. 947-952.
194. Tsuchiya, H. Laser beam scanning system for irradiation in an external quadrangular form for soldering of quad flat package IC / H. Tsuchiya, T. Homma // Optical Review. — 2015. — Vol. 22, no. 1. — P. 1-8.
195. Leyder, S. Non-linear absorption of focused femtosecond laser pulses at 1.3 ^m inside silicon: Independence on doping concentration / S. Leyder, D. Grojo, P. Delaporte, W. Marine, M. Sentis, O. Uteza // Applied Surface Science. — 2013. — Vol. 278. — P. 13-18.
196. Turon-Vinas, M. Fracture toughness of zirconia from a shallow notch produced by ultra-short pulsed laser ablatio / M. Turon-Vinas, M. Anglada // Journal of the European Ceramic Society. — 2014. — Vol. 34. — P. 3865-3870.
197. Яворский, Б.М. Анализ поляризованного света. Эллиптическая и круговая поляризация света. Справочник по физике / Б.М. Яворский, А.А. Детлаф // Москва, Наука, 4-е изд., 940 с., 1968.
198. Матвеев, А.Н. Оптика: учебное пособие для студентов физических специальностей вузов / А.Н. Матвеев // Москва, Высшая школа, 1985.
199. Emtsev, V.V. Point defects in y-irradiated n-GaN / V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, V.V. Kozlovskii, V.V. Lundin, D.S. Poloskin, A.N. Smirnov, N.M. Shmidt, A.S. Usikov, J. Aderhold, H. Klausing. D. Mistele, T. Rotter, J. Stemmer, O. Semchinova, J. Graul // Semiconductor Science and Technology. — 2000. — Vol. 15, no. 1. — P. 73-78.
200. Lim, C. Sub-micron surface patterning by laser irradiation through microlens arrays / C. Lim, M. Hong, Y. Lin, G. Chen, A.S. Kumar, M. Rahman, L. Tan, J. Fuh, G. Lim // Journal of Materials Processing Technology. — 2007. — Vol. 192193. — P. 328-333.
201. Berger, J. Multiple-beam laser patterning on aluminum oxide, zirconium oxide, and hydroxyapatite ceramic materials using a microlens array / J. Berger, T. Roch, N. Pistillo, A.F. Lasagni // Journal of Laser Applications. — 2016. — Vol. 28. — P. 04200.
202. Kondo, T. Femtosecond laser interference technique with diffractive beam splitter for fabrication of three-dimensional photonic crystals / T. Kondo, S. Matsuo, S. Juodkazis, H. Misawa // Applied Physics Letters. — 2001. — Vol. 79. — P. 725727.
203. Kuroiwa, Y. Arbitrary micropatterning method in femtosecond laser microprocessing using diffractive optical elements / Y. Kuroiwa, N. Takeshima, Y. Narita, S. Tanaka, K. Hirao // Optics Express. — 2004. — Vol. 12, no. 9. — P. 1908.
204. Matsuo, S. Femtosecond laser microfabrication of periodic structures using a microlens array / S. Matsuo, S. Juodkazis, H. Misawa // Applied Physics (a). — 2005. — Vol. 80. — P. 683-685.
205. Rung, S. Laser Thin Film Ablation with Multiple Beams and Tailored Beam Profiles / S. Rung, C. Bischoff, E. Jager, U. Umhofer, R. Hellmann // Proceedings of SPIE. — 2014. — Vol. 8967. — P. 89670P.
206. Ghantasala, M.K. Patterning, electroplating and removal of SU-8 moulds by excimer laser micromachining / M.K. Ghantasala, J.P. Hayes, E.C. Harvey, D.K. Sood // Journal of Micromechanics and Microengineering. — 2001. — Vol. 11. — P. 133-139.
207. Voronenkov, V. Thick GaN Films Grown on Patterned Sapphire Substrates / V. Voronenkov, R. Gorbunov, A. Tsyuk, P. Latyshev, Y. Lelikov, Y. Rebane, A. Zubrilov, N. Bochkareva, Y. Shreter // ECS Transactions. — 2011. — Vol. 35, no. 6. — P. 91.
208. Freund L. Benjamin, Suresh Subra. Thin film materials: stress, defect formation and surface evolution. - Cambridge University Press, 2003.
209. Finot, M. Large deformation and geometric instability of substrates with thin-film deposits / M. Finot, I.A. Blech, S. Suresh, H. Fujimoto // Journal of Applied Physics. - 1997. - Vol. 81, no. 8. - P. 3457-3464.
210. Deng, H. Plasma-assisted polishing of gallium nitride to obtain a pit-free and atomically flat surface / H. Deng, K. Endo, K. Yamamura // CIRP Annals -Manufacturing Technology. — 2015. — Vol. 64, no 1. — P. 531-534.
211. Gong, H. Investigation on the surface characterization of Ga-faced GaN after chemical-mechanical polishing / H. Gong, G. Pan, Y. Zhou, X. Shi, C. Zou, S. Zhang // Applied Surface Science. — 2015. — Vol. 338. — P. 85-91.
212. Lucznik, B. Growth of Bulk GaN Crystals by HVPE on Single Crystalline GaN Seeds / B. Lucznik, B. Pastuszka, G. Kamler, I. Grzegory, S. Porowski // Technology of Gallium Nitride Crystal Growth / Ed. By Dirk Ehrentraut, Elke Meissner, Michal Bockowski. — Springer Berlin Heidelberg, 2010. — Vol. 133 of Springer Series in Materials Science. — P. 61-78.
213. Puligadda, R. High-Performance Temporary Adhesives for Wafer Bonding Applications / R. Puligadda, S. Pillalamarri, W. Hong, C. Brubaker, M. Wimplinger, S. Pargfrieder // Materials Research Society Symposium Proceedings. — 2007. — Vol. 970. — 0970-Y04-09.
214. Zhang, X. Application of piezoresistive stress sensors in ultra thin device handling and characterization / X. Zhang, A. Kumar, Q.X. Zhang, Y.Y. Ong, S.W. Ho, C.H. Khong, V. Kripesh, J.H. Lau, D.-L. Kwong, V. Sundaram, R.R. Tummula, G. Meyer-Berg // Sensors and Actuators A: Physical. — 2009. — Vol. 156. — P. 2-7.
215. Delmdahl, R. Large-Area Laser-Lift-Off Processing in Microelectronics / R. Delmdahl, R. Patzel, J. Brune // Physics Procedia. — 2013. — Vol. 41. — P. 241248.
216. Su, X.J. Shock-induced brittle cracking in HVPE-GaN processed by laser lift-off techniques / X.J. Su, K. Xu, Y. Xu, G.Q. Ren, J.C. Zhang, J.F. Wang, H. Yang // Journal of Physics D: Applied Physics. — 2013. — Vol. 46, no. 20. — P. 205103.
217. Davydov, V.Yu. Raman and photoluminescence studies of biaxial strain in GaN epitaxial layers grown on 6H-SiC / V.Yu. Davydov, N.S. Averkiev, I.N. Goncharuk, D.K. Nelson, I.P. Nikitina, A.S. Polkovnikov, A.N. Smirnov, M.A. Jacobson, O.K. Semchinova // Journal of Applied Physics. — 1997. — Vol. 82, no. 10. — P. 5097-5102.
218. Davydov, V.Yu. Phonon dispersion and Raman scattering in hexagonal GaN and AlN / V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evarestov // Physical Review B: Condensed Matter. — 1998. — Vol. 58, no. 19. — P. 1289912907.
219. Przhevalskii, N. Thermodynamic properties of group-III nitrides and related species / N. Przhevalskii, S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov // MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. — 1998. — Vol. 3. — e30.
220. Tanaka, N. 50 A vertical GaN Schottky barrier diode on a free-standing GaN substrate with blocking voltage of 790 V / N. Tanaka, K. Hasegawa, K. Yasunishi, N. Murakami, T. Oka // Applied Physics Express. — 2015. — Vol. 8. — P. 071001.
221. Ueno, M. Fast Recovery Performance of Vertical GaN Schottky Barrier Diodes on Low-Dislocation-Density GaN Substrates / M. Ueno, S. Yoshimoto, K. Ishihara, M. Okada, K. Sumiyoshi, H. Hirano, F. Mitsuhashi, Y. Yoshizumi, T. Ishizuka, M.
Kiyama // Proc. 26th IEEE ISPSD Conference, Waikoloa, USA, 2014. — p. 309312.
222. Hwang, D.J. Liquid-assisted femtosecond laser drilling of straight and three-dimensional microchannels in glass / D.J. Hwang, T.Y. Choi, C.P. Grigoropoulos // Applied Physics (a). — 2004. — Vol. 79, no. 3. — P. 605-612.
223. Zhao, X. Femtosecond laser drilling of high-aspect ratio microchannels in glass / X. Zhao, Y.C. Shin // Applied Physics (a). — 2011. — Vol. 104, no. 2. — P. 713719.
224. Jiang, L.J. Femtosecond laser direct writing in transparent materials based on nonlinear absorption / L.J. Jiang, S. Maruo, R. Osellame, W. Xiong, J.H. Campbell, Y.Fe. Lu. // MRS Bulletin. — 2016. —Vol. 41, no. 12. — P. 975-983.
225. Zayarny, D.A. Nonlinear Absorption Mechanisms during Femtosecond Laser Surface Ablation of Silica Glass / D.A. Zayarny, A.A. Ionin, S.I. Kudryashov, I.N. Saraeva, E.D. Startseva, R.A. Khmelnitskii // JETP Letters. — 2016. — Vol. 103, no. 5. — P. 309-312.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.