Рост и дефектообразование кристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Лебедев, Андрей Олегович

• Лебедев, Андрей Олегович
• доктор физико-математических наук
• 2013

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Лебедев, Андрей Олегович

Введение.

Часть 1. Теоретические аспекты.

Глава 1. Симметрийные ограничения в ростовых системах с множественным зарождением.

1.1. Введение.

1.2. Принципы симметрийного подхода (точечная симметрия).

1.3. Образование доменов при эпитаксии и синтаксии. Общее выражение.

1.4. Дефекты структур с множественным зарождением, вызванные различием симметрии слоя и подложки.

1.4.1. Симметрия грани кристалла.

1.4.2. Иерархия дефектов, вызванных различием в симметрии

1.5. Квазисимметрия грани общего положения.

1.6. О кластерном моделировании.

Глава 2. Метрика бикристалла.

2.1. Описание ориентационного соотношения в эпитаксиальной системе.

2.1.1. Об использовании индексов Миллера.

2.1.2. Матричная запись ориентационного соотношения.

2.1.3. Приведение ячеек сопрягаемых кристаллов к сопоставимому виду. Нормализация матрицы ориентационого соотношения.

2.2. Напряжения и деформации в гетероструктурах с некубическими компонентами при произвольной ориентации границы раздела.

2.2.1. Использование кристаллографических координат для представления тензоров.

2.2.2. Когерентные однослойные гетероструктуры.

2.2.3. Деформированное состояние в многослойных эпитаксиальных структурах: подход, основанный на алгебре линейных операторов.

2.3. Преодоление метрического несоответствия решеток.

2.3.1. Условия бездефектного сопряжения кристаллов.

2.3.2. Численная оценка частоты реализации условия бездефектного срастания кристаллов.

2.3.3. Выбор целевой функции при подборе составов и ориентаций границ раздела при проектировании гетерокомпозиций, включающих в себя некубические фазы

2.4. Методика экспериментального определения кристаллогеометрических параметров эпитаксиаль'ной системы.

2.4.1. Последовательность анализа состояния эпитаксиальной структуры.

2.4.2. Особенности эксперимента.

2.4.3. Методика обработки экспериментальных данных.

2.4.4. Особенности использования полихроматического метода Лауэ для определения ориентаций кристаллов и ориентационных соотношений эпитаксиальных структур в интерактивном режиме.

Глава 3. Примеры использования в реальных ростовых системах.

3.1. Классификация и интерпретация ориентационных соотношений в системе "нитриды А3В5 на сапфире".

3.1.1. Известные ориентационные соотношения.

3.1.2. Классификация ориентационных соотношений.

3.1.3. Симметрийные ограничения в рассматриваемой системе.

3.1.4. Попытки использования концепции решетки совпадающих узлов.

3.1.5. Монте-Карло моделирование эпитаксиального роста. Интерпретация азимутального соотношения.

3.1.6. Экспериментальные исследования ориентационных соотношений в эпитаксиальной системе "A1N на сапфире".

3.2. Симметрийные ограничения в эпитаксиальных системах и несостоятельность критерия "хорошего метрического соответствия".

3.2.1. Нитриды на сапфире.

3.2.2. Кремний на сапфире.

3.2.3. А3В5 на шпинели.

3.2.4. Обсуждение.

3.3. Интерпретация ориентационных соотношений в системе "нитрид галлия на шпинели".

3.3.1. О методике эпитаксиального роста.

3.3.2.Результаты исследований.

3.3.3. Симметрийные ограничения на ориентационные соотношения в системе.^

3.3.4. Литературные данные.

3.3.5. Заключительные замечания.

3.4. Бикристаллография неизовалентных гетероструктур с несингулярными границами раздела: на примере слоев GaN на LiGaCh.

3.4.1. Определение кристаллогеометрических характеристик гетероструктуры из экспериментальных данных.

3.4.2. Приближение когерентной границы раздела.

3.4.3. Сравнение с экспериментом.

3.5. Выбор оптимальных перовскитоподобных подложек для нанесения ВТСП-слоев.

3.5.1. Семейство LnGa03.

3.5.2. Другие перовскитоподобные подложки.

3.5.3. Заключительные замечания.

3.6. Разориентация эпитаксиального слоя и подложки. Сравнение теории и эксперимента.

Часть 2. Закономерности роста и дефектообразования карбида кремния.

Глава 4. Современный уровень исследований дефектной структуры карбида кремния.

4.1. Введение.

4.2. Дислокационная структура.

4.3. Микропоры.

4.4. Малоугловые доменные границы.

4.5. Дефекты упаковки.

4.6. Политипные включения и политипная стабильность.

4.7. Морфологические дефекты.

4.8. Выводы.

Глава 5. Политипные включения и их влияние на дефектную структуру слитка.

5.1. Образование доменов при синтаксическом срастании политипов карбида кремния.

5.1.1. Анализ экспериментально наблюдавшихся сростков.

5.1.2. Доменные границы в политипах 6Н и 4Н.

5.2. Включения политипа 15R.

5.2.1. Особенности эксперимента.

5.2.2. Результаты.

5.3. Заключительные замечания.

Глава 6. Дислокационная структура слитков.

6.1. Особенности эксперимента.

6.2. Морфология дефектной структуры слитков.

6.2.1. Ямки травления.

6.2.2. Линейные особенности.

6.2.3. Дефектная структура как функция размера пластин.

6.3. Заключительные замечания.

Глава 7. Включения углерода в слитках.

7.1. Особенности эксперимента.

7.2. Взаимодействие графитовой арматуры с газовой фазой.

7.3 .Графитизация при диффузионно-лимитированном массопереносе.

7.3.1. Оценка коэффициентов диффузии реагентов.

7.3.2. Начальная графитизация затравки.

7.3.3. Диффузия основных компонентов в ячейке.

7.4. Кинетические особенности.

7.5. Термодинамика взаимодействия газового потока со стенками тигля.

7.6. Потери кремния из ячейки. Графитизация источника поликристаллического карбида кремния.

7.7. Возникновение углеродных включений в слитке.

7.7.1. Механизм появления мелкодисперсного углерода в камере роста.

7.7.2. Механизм доставки углеродного порошка к поверхности роста.

7.7.3. Частицы углерода в температурном градиенте в инертном газе.

7.7.4. Частицы углерода в ростовой ячейке. Сила захвата.

Глава 8. Рост карбида кремния на гранях затравки, отличных от базисной ориентации.

8.1. Об индексации граней и направлений в карбиде кремния.

8.2. Рост на неполярных гранях карбида кремния.

8.2.1. Особенности эксперимента.

8.2.2. Результаты и обсуждение.

8.2.3. Характер ростовых дефектов упаковки.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Рост и дефектообразование кристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ»

Карбид кремния (Б ¡С) является одним из наиболее перспективных материалов для высокотемпературной, радиационно-стойкой, силовой и быстродействующей электроники, так как обладает уникальными физическими и электронными свойствами. К этим свойствам относятся: широкая запрещенная зона (примерно в три раза больше, чем у кремния), высокое критическое поле лавинного пробоя (приблизительно в 10 раз больше, чем у кремния), высокая насыщенная скорость дрейфа электронов (в 2,5 раза больше, чем в кремнии и арсениде галлия), высокая термическая стабильность, химическая инертность и т.д.

Карбид кремния существует в виде нескольких так называемых политипных модификаций, к настоящему времени число достоверно описанных политипных структур для карбида кремния достигает 200. Наиболее востребованный в электронике политип 4Н-8Ю имеет ширину запрещенной зоны 3.26 эВ при комнатной температуре, напряжение пробоя 2-3 МВ/см при 600В и высокие значения подвижностей носителей заряда. Электронные свойства, в сочетании с прекрасными теплопроводящими характеристиками позволяют использовать карбид кремния для создания приборов, работающих в силовой электронике, при значительно более высоких напряжениях и температурах по сравнению с прототипами из кремния и арсенида галлия.

В течение длительного времени карбид кремния оставался единственным известным политипным веществом. Как известно, политипизмом (одномерным полиморфизмом) называется явление, характерное для плотноупакованных структур и заключающееся в способности вещества кристаллизоваться в виде нескольких разновидностей (структурных форм), отличающихся последовательностью наложения одинаковых двумерных структурных фрагментов. Очевидно, что структуры политипов близки, первые координационные сферы у атомов в кристаллах одинаковы. Для всех политипных разновидностей кристаллов карбида кремния сохраняется взаимная тетраэдрическая координация атомов кремния и углерода, изменения наблюдаются лишь в третьей и более высоких координационных сферах.

Существует большое число концепций политипизма. Для объяснения эффекта возникновения политипов привлекаются представления об определяющей роли винтовых дислокаций [1], о росте политипов из различных атомных групп [2], эффекты колебательной энтропии [3], факторы эволюционной селекции [4] и др. Тем не менее до настоящего времени природа политипизма достоверно не установлена, что вызывает известные сложности при оценке влияния различных технологических параметров на рост слитков карбида кремния.

Устойчивый рост монополитипного объемного кристалла до сих пор достигнут только для двух политипов карбида кремния - 6Н и 4Н. В настоящее время указанный метод роста является основным промышленным методом выращивания карбида кремния, коммерчески доступными являются монокристаллические слитки карбида кремния двух указанных политипов большого размера (до 100 мм в диаметре). Их обычно выращивают, используя монокристаллические затравки с ориентациями (0001)81 и (0001) С для политипов 6Н и 4Н, соответственно.

Выращенные слитки, как правило, характеризуются развитой дефектной структурой, серьёзно ограничивающей возможности приборного использования материала и включающей в себя в первую очередь дислокации, микропоры, дефекты упаковки, политипные включения, малоугловые границы и т.д.

Политипы карбида кремния характеризуются весьма близкими условиями кристаллизации, что приводит к часто наблюдаемому явлению синтаксии политипов - совместного роста (чередующегося роста, прорастания) двух или трех политипов карбида кремния. Синтаксия политипов характеризуется появлением в матрице основного политипа так называемых политипных включений, приводящих к деградации свойств растущего слитка.

Все политипы БЮ принадлежат к одной из четырех пространственных групп - Р3т1, ЯЗш, Рбзтс и Р-43ш. Первые три пространственные группы относятся к гексагональной системе и описывают ромбоэдрические и гексагональные политипы карбида. Группа Р-43т описывает симметрию единственного кубического политипа карбида кремния - ЗС. Таким образом, в общем случае срастающиеся политипы могут отличаться друг от друга по точечной симметрии. Более того, как отмечалось выше, если в плоскости укладки все политипы имеют одинаковый параметр решетки, то в перпендикулярном направлении периоды решетки политипов также различны и кратны расстоянию между слоями. В общем случае синтаксический сросток характеризуется более высокой симметрией (так называемой симметрией бикристалла), чем симметрия составляющих его кристаллов. Адекватное описание причин политипного срастания, а также элементов дефектной структуры, возникающих в слитке в результате появления политипных включений, представляется весьма актуальной задачей.

Отметим, что в большинстве случаев синтаксия также может рассматриваться как чередующаяся блочная эпитаксия, а задача поиска дефектной структуры сростка - как частный случай гораздо более общей задачи поиска дефектной структуры эпитаксиального слоя в условиях, когда слой и подложка отличаются друг от друга по точечной и трансляционной симметрии.

Если вещества имеют близкие структуры и параметры решёток, образование границы раздела на ранних стадиях роста энергетически невыгодно, а нарастающий слой имеет параметры решетки, совпадающие с таковыми для подложки (так называемый эффект псевдоморфизма и, соответственно, псевдоморфное состояние эпитаксиального слоя или эпитаксиальной плёнки). С ростом толщины эпитаксиального слоя упругие напряжения в слое растут, и при некоторой толщине слоя его псевдоморфное состояние становится энергетически невыгодным, возникает сетка так называемых дислокаций несоответствия, и нарастает слой, характеризующийся собственной структурой и собственными параметрами решетки [5].

При описании эпитаксии всегда указывают взаимно параллельные плоскости и направления кристаллов слоя и затравки, обычно в плоскости сопряжения (так называемый закон срастания или ориентационное соотношение).

Для описания взаимного расположения атомов на границе раздела в случае кристаллов, различающихся по трансляционной симметрии, широко используют геометрическую модель двумерной решётки или сетки совпадающих узлов (РСУ), впервые использованную в теории зеренных границ. РСУ - это общая часть двух соседних кристаллов, образующаяся совпадающими узлами [6,7]. Она характеризуется величиной, равной обратной доле совпадающих узлов 2 в плоскости границы раздела.

Другая проблема связана с различием в симметрии структур слоя и подложки. На начальных стадиях процесса возникновения кристаллической структуры слоя, отличной от подложки, зародыши новой кристаллической фазы возникают независимо друг от друга. Их взаимное смещение и ориентация определяются только влиянием поверхности монокристаллической подложки. Поэтому, для априорного решения вопроса о том, возможен ли монокристаллический рост, необходимо понять, смогут ли зародыши, возникшие независимо на данной подложке с данной кристаллографической ориентацией, срастаться бездефектно, или коалесценция приведет к возникновению межфазных дефектов.

Отметим, что для политипов карбида кремния характерно существование тривиального ориентационного соотношения с одинаковым расположением кристаллографических осей (в гексагональной установке), с практически точной РСУ, причем в базисной плоскости - с 2 = 1.

Помимо структурно-геометрического соответствия двух кристаллов - слоя и затравки, для осуществления монокристаллического роста требуется выполнение ряда условий, характеризующих физико-химические параметры ростового процесса (необходимые давление, температура, пересыщение и другие условия кристаллизации), а для получения материала высокого структурного совершенства - подавление различных групп дефектов, возникающих в слитках в процессе роста. Кратко сформулируем наиболее актуальные аспекты проблемы.

За последние годы наметился существенный технологический прогресс, заключающийся в подавлении образования микропор (гигантских прорастающих дислокаций) -основного "device-killing" дефекта, характерного для пластин карбида, выращенного на затравках с ориентацией (0001). В то же время механизм образования и стабильности микропор в слитках карбида кремния до сих пор не вполне ясен, как не вполне ясно взаимодействие микропор с другими типами дефектов.

Как правило, дефектная структура слитка явным образом зависит от ориентации кристалла-затравки. Известно, например, что микропоры обычно развиваются в направлении [0001], при росте на базисной ориентации затравки. Возможности других ориентаций затравок, отличных от базисной, в настоящее время достоверно не известны. Разработанный недавно так называемый RAF-метод (будет подробно рассмотрен в главе 8), заключающийся в последовательном разращивании монокристалла карбида кремния в различных плотноупакованных направлениях (например, [0001]>—> [10 Т 0] —> [1120] —>[0001 ]), позволил полностью устранить микропоры и дефекты упаковки, а также значительно снизить плотность дислокаций. В то же время реализация данного метода для роста слитков большого диаметра затруднена.

Одной из главных проблем для создания высокоэффективных pin-диодов на основе карбида кремния является временная нестабильность этих приборов, обусловленная возникновением и быстрым развитием дефектов упаковки в активной области приборов. Механизм появления дефектов упаковки не вполне ясен, но, наиболее вероятно, связан с целым набором инициирующих условий и дефектов. По всей видимости, основными инициирующими дефектами являются базисные дислокации и/или изломы прорастающих краевых дислокаций, лежащие в базисной плоскости. Следует отметить, что механизм генерации дефектов упаковки связан со свойствами всего дислокационного ансамбля карбида кремния.

Плотности прорастающих дислокаций в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния

•Л С 1 составляют величину 5-10 - 10 см . Эти дефекты, наряду с микропорами, приводят к существенному увеличению токов утечки и снижению пробивных напряжений в биполярных диодах и диодах Шоттки на основе карбида кремния. Эффект наблюдается как для винтовых дислокаций, так и для краевых, в составе малоугловой границы. Интерпретация возможных механизмов появления и размножения прорастающих дислокаций представляется очень важной задачей.

Ведущие корпорации мира, производящие пластины промышленного карбида кремния, сталкиваются с проблемой растрескивания слитков на этапе охлаждения и последующей механической обработки. В этой связи весьма актуальной является задача оценки механизмов накопления и релаксации упругой энергии в слитках карбида.

Анализу причин, приводящих к появлению включений углерода в растущем слитке (так называемая графитизация слитка) в процессе выращивания монокристалла карбида кремния методом Л ЭТИ, посвящено большое число публикаций. Отмечается, как важно избежать появления включений углерода в затравке (или иначе - графитизации затравки) и растущем слитке, так как включения углерода, по всей видимости, инициируют возникновение ряда структурных дефектов. Влияние углеродных включений изучено недостаточно. Их возникновение обычно приписывают эффектам обуглероживания вследствие ухода кремния из ростовой ячейки. Причины появления углерода в растущих слитках достоверно не определены, как не выявлены и не обоснованы технические пути предупреждения этого явления.

Кроме того, необходимо отметить, что ведущие производители слитков и пластин карбида кремния в своих публикациях и патентах практически не раскрывают технологические аспекты процесса роста слитков карбида кремния в сублимационной системе, имеющие решающее значение для получения материала приборного качества. К таким вопросам относится ряд технологических аспектов процесса роста, в частности: инициализация процесса кристаллического роста, обеспечение однородного теплового контакта на границе раздела "затравка - держатель", техническая реализация подавления процессов инжекции частиц графита в растущий слиток, наконец, вопросы обеспечения политипной однородности растущего материала в процессе роста.

Целью работы является теоретическое и экспериментальное исследование закономерностей роста и образования основных групп дефектов в слитках карбида кремния, выращенных по методу ЛЭТИ (интерпретация и оптимизация дефектной структуры слитков, поиск и обоснование технических путей получения материала приборного качества).

Основные задачи. Для достижения этой цели были поставлены и решались следующие задачи:

1. Формулировка достоверного теоретического подхода, позволяющего адекватно решить проблему описания кристаллогеометрии бикристалла в рамках анизотропной теории упругости для произвольной ориентации границы раздела и интерпретировать дефектную структуру, возникающую в растущем слое вследствие симметрийного рассогласования кристаллов слоя и затравки или совместно растущих кристаллов, в условиях синтаксического сростка.

Иллюстрация возможностей разработанного подхода для анализа широкого спектра ростовых систем.

2. Применение разработанного подхода для оптимизации дефектной структуры растущих слитков 4H-SiC, при наличии паразитных политипных включений.

3. Интерпретация и оптимизация дислокационной структуры выращенных слитков. Выявление механизмов накопления и релаксации упругой энергии.

4. Определение механизма появления микрочастиц углерода в объеме газовой фазы ростовой ячейки, механизма их доставки в растущий слиток и их влияния на дефектную структуру слитка.

5. Определение возможностей модификации дефектной структуры слитков, выращенных по классическому методу ЛЭТИ, при использовании нетрадиционных кристаллографических ориентаций затравок, а также в рамках многостадийного RAF-процесса.

6. Определение ключевых аспектов и технических решений оптимизации процесса роста карбида кремния в сублимационной системе.

Актуальность представленной работы определяется как актуальностью рассмотренной ростовой системы, так и актуальностью решаемой для этой системы задач (минимизация упругой энергии системы, оптимизация дефектной структуры, выращивание слитков карбида кремния высокого структурного совершенства и т.д.).

Объекты и методы исследования. Объектами исследования служили как эпитаксиальные слои, так и слитки материалов, имеющие исключительно важное научное и практическое значение, такие как слитки карбида кремния политипа 4Н на собственных затравках, эпитаксиальные слои нитрида алюминия на подложках из лейкосапфира, эпитаксиальные слои нитрида галлия на подложках из LiGa02 и т.д.

Для решения поставленных задач использовались экспериментальные методы физики твердого тела, включая различные методики рентгеноструктурного анализа, дифракции медленных электронов, просвечивающей электронной микроскопии, в том числе высокого разрешения, рамановская спектроскопия, АСМ и т.д.

Научная новизна. Новизна развиваемого в первой части работы теоретического подхода заключается в получении фундаментальной информации о взаимосвязи симметрийного и метрического факторов в ростовых системах с некубическими и неизоморфными компонентами, а также в разработке физических моделей для описания возникающей в ростовых объектах дефектной структуры (концепция нового научного направления "Бикристаллография ростовых систем с неизоморфными компонентами").

Материалы диссертационной работы содержат ряд оригинальных концепций и подходов, имеющих признаки новизны:

1) Представлен алгоритм расчета равновесной геометрии гетероэпитаксиальной псевдоморфной системы в рамках линейной анизотропной теории упругости, действительный для любых симметрий сопрягаемых кристаллов и произвольной ориентации границы раздела (ГР), позволивший интерпретировать как эффект отклонения эпитаксиального слоя от ориентации подложки, так и эффект его триклинной дисторсии. Данный алгоритм обобщен на многослойные гетерокомпозиции, в том числе для неплоских развертываемых ГР, с граничными условиями типа "псевдоморфное сопряжение" или "температурные напряжения".

2) Сформулированы условия полного преодоления метрического несоответствия сопрягаемых решеток для кристаллов произвольных сингоний. Обоснован алгоритм, включающий выбор адекватной целевой функции, для подбора составов и ориентаций ГР при проектировании бездефектных гетерокомпозиций, включающих в себя некубические фазы. Эффективность развиваемого подхода проиллюстрирована на большом числе эпитаксиальных ростовых систем.

3) Определена и классифицирована структура ростовых доменов в слитках карбида кремния промышленных политипов 4Н и 6Н, возникающая вследствие нарушения симметрии матрицы при появлении и последующем исчезновении основных паразитных политипных включений (4Н, 6Н, 15R, ЗС).

4) Детализирован процесс роста слитков карбида кремния на неполярных гранях с ориентацией (ЮТО), определена и оптимизирована дефектная структура, возникающая в слитках, выращенных на данной ориентации затравки.

5) Модифицирован и реализован многостадийный процесс роста слитков карбида кремния, при последовательной смене ориентации затравочного кристалла, направленный на существенное улучшение структурного совершенства слитков карбида кремния политипа 4Н (модифицированный RAF - процесс).

6) Определены основные механизмы накопления упругой энергии в растущих слитках политипа 4Н и основные механизмы её релаксации в процессе роста и последующего охлаждения.

7) Проанализированы главные причины появления углеродных включений в выращенных слитках политипа 4Н, установлена инициирующая роль избытка кремния на фронте кристаллизации в процессе образования таких включений.

8) Проведена теоретическая интерпретация влияния скорости инициирующей откачки при проведении процесса роста на политипный состав выращиваемых слитков карбида кремния.

9) Сформулирована модифицированная кластерная модель возникновения основных политипов карбида кремния, позволившая объяснить большинство экспериментальных факторов, приводящих к нарушениям монополитипности растущих слитков 4Н-8Ю.

Практическая значимость.

1) Впервые в России синтезированы слитки карбида кремния политипа 4Н диаметром 2 и 3 дюйма со следующим содержанием основных дефектов: микропоры 5-^Ю см-3, дислокации 103—104 см-3. На пластинах, полученных из указанных слитков, сотрудниками СПбГЭТУ и ФТИРАН получены эпитаксиальные структуры карбида кремния, позволившие сформировать высоковольтные диоды Шоттки с пробивными напряжениями до 3,3 кВ.

2) Разработан оригинальный программный продукт, позволяющий проводить построение и перестроение (компьютерную доводку) картин Лауэ в режиме диалога с компьютером. Один из программных блоков, осуществляющий генерацию узлов обратной решётки и расчёт структурных амплитуд произвольного кристалла любой симметрии, был с успехом использован при моделировании и анализе дефектов упаковки в структуре карбида кремния.

Научные положения, выносимые на защиту:

1) Анализ экспериментальных данных по монокристаллическому росту в эпитаксиальных (синтаксиальных) системах с неизоморфными компонентами позволяет утверждать, что существенная априорная информация о состоянии таких ростовых систем может быть получена из соображений симметрии, при применении принципа Кюри к двумерным точечным группам симметрии, определяющим симметрию контактирующих граней кристаллов слоя и подложки. При этом критерий метрического соответствия на основе концепции РСУ не является необходимым.

2) В общем случае, если компоненты эпитаксиальной системы неизоморфны друг другу и не принадлежат к кубической сингонии, существуют такие соотношения метрик сопрягаемых кристаллов, при которых может быть достигнуто условие отсутствия топологических дефектов на границе раздела и сформирована геометрически согласованная гетероструктура.

3) Срастание доменов основного политипа карбида кремния после исчезновения политипного включения приводит к возникновению в монополитипной структуре строго определенного набора доменных стенок и протяженных дефектов. Синтаксия гексагональных политипов 4Н и 6Н является причиной возникновения небольшого числа дислокационных конфигураций по Франку и не ведёт к заметной деградации свойств слитка. Появление включений политипа 1511 приводит к заметному увеличению числа возможных доменных конфигураций и - как следствие - возникновению значительных концентраций дислокаций и микропор. Включения 15Я-политипа - основного паразитного политипа в матрицах политипов 4Н и 6Н, выращенных по методу ЛЭТИ, всегда носят поликристаллический характер, вследствие полицентричности зарождения.

4) Основным механизмом релаксации упругих напряжений в выращенных слитках с ориентацией (0001) является скольжение в превалирующей системе а/3 120 > {1100}^ вдоль направления движения фронта роста (так называемое "ламинарное" течение по Коттрелу). Указанный механизм имеет место на этапе охлаждения слитков и вызывается упругой энергией, накопленной вследствие жесткой фиксации в системе "слиток - держатель слитка" в процессе роста.

5) Проблема графитизации слитков карбида кремния не вызвана недостатком кремния в газовой фазе в рабочем пространстве ростовой ячейки, напротив, именно избыток кремния определяет две главные особенности роста: во-первых, рост происходит через слой, сильно обогащенный кремнием, во-вторых, взаимодействие избыточного кремния с графитовой арматурой приводит к её интенсивной коррозии и появлению в пространстве ростовой ячейки мелкодисперсного углерода.

6) Основной механизм появления углерода в растущих слитках карбида кремния -инжекция частиц со стенок тигля или с отработанного источника на фронт кристаллизации по механизму термофореза, а также силой увлечения стефановским потоком.

7) Дефектная структура слитков, выращенных на затравке с ориентацией (10-10) характеризуется отсутствием микропор, а также воспроизводимостью и накоплением дефектов упаковки по Франку с формульным типом (5,2).

8) Улучшенная дефектная структура слитков, выращенных с использованием модифицированного 11АР-процесса, характеризуется практически полным отсутствием периферийных малоугловых границ, а также значительным (3 порядка величины) снижением, по сравнению с исходным материалом, плотности микропор. Получены качественные образцы пластин карбида кремния политипа 4Н два дюйма в диаметре и более, характеризующиеся плотностью микропор 5-40 см"2 и базисных дислокаций 103-104 см .

9) Плотность микропор в слитках карбида кремния политипа 4Н не коррелирует с такими параметрами, как плотность дислокаций и значения полуширин дифракционных кривых, что является следствием существования нескольких принципиально различных механизмов образования микропор и дислокаций в слитках.

Апробация работы. Основные результаты работы апробированы на следующих представительных советских, российских и международных научных форумах (в хронологическом порядке):

1. Ш Всесоюзное совещание "Физика и технология широкозонных полупроводников".-Махачкала, 1986.

2. 7 Всесоюзная конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок,- Новосибирск, 1986.

3. 3 Республиканский семинар "Самоформирование. Теория и применение".- Вильнюс, 1987.

4. 8 Всесоюзная конференция "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом".- Минск, 1987.

5. 2 Всесоюзная конференция "Структура и электронные свойства границ зерен".- Воронеж, 1987.

6. 2 Всесоюзная конференция "Моделирование роста кристаллов",- Рига, 1987.

7. 7 Всесоюзная конференция по микроэлектронике.- Тбилиси, 1987.

8. Всесоюзное совещание "Пути совершенствования технологии материалов электронной техники".- Одесса, 1988.

9. VIII Всесоюзная конференция по методам роста и анализа высокочистых веществ.- Горький, 1988.

10. Twelfth European Crystallographic Meeting. - Moscow, 1989.

11. 1st International Conference of Epitaxial Crystal Growth. - Budapest, 1990.

12. Всесоюзный семинар "Физико-химические свойства многокомпонентных полупроводниковых систем. Эксперимент и моделирование." - Одесса-Новочеркасск, 1990.

13. Международная конференция "Научно-технический прогресс в металлургии легких металлов".- Л., 1991.

14. Конференция по электронным материалам.- Новосибирск, 1992.

15. 8 Всесоюзная конференция по росту кристаллов.- Харьков, 1992.

16. Материаловедение ВТСП/ Межгосударственная конференция, Харьков, Украина, 1993.

17. 1 Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, 1993.

18.4 Всероссийское совещание "Физика и технология широкозонных полупроводников", Махачкала, 1993.

19. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM'93.

20. Sixteenth Congress of the International Union of Crystallography, Beijing, China, 1993.

21. International Conference of Silicon Carbide, Ill-Nitrides and Related Materials, 1997, Stockholm, Sweden.

22. 4th International Conference on Intermolecular Interactions in Matter, Gdansk - Sobieszcwo, 1997.

23. Ill International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, 2000, Novgorod the Great.

24. International Conference on SiC and Related Materials ICSCRM2001, Tsukuba, Japan, 2001.

25. IV International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, 2002, Novgorod the Great.

26. 14th European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides & Silicon Carbide, 2003, Salzburg, Austria.

27. V International Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, 2004, Novgorod the Great.

28. 14th International Conference on Crystal Growth ICCG-14, 2004, Grenoble, France.

29. 15th International Conference on Crystal Growth ICCG-15, 2007, Salt Lake City, USA.

30. VI Международный семинар "Карбид кремния и родственные материалы" ISSCRM-2009, Великий Новгород, 2009.

31. 25 International Conference on defects in semiconductors, St.-Petersburg, Russia, 2009.

32. International Conference of Silicon Carbide and Related Materials, Nuremberg, 2009.

33. Всероссийская конференция с элементами научной школы для молодежи "Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника", 2009, Махачкала.

34. 16th International Conference on Crystal Growth ICCG-14, 2010, Beijing, China.

35. European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2012, St.-Petersburg, Russia Автор также неоднократно докладывал результаты исследований на конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ-ЛЭТИ (1986-2011 гг).

Публикации. Основное содержание диссертации отражено в 40 печатных работах, список которых приведен в Заключении.

Часть I Теоретические аспекты к,

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Лебедев, Андрей Олегович

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

Публикации в рецензируемых изданиях, рекомендованных ВАК

1. Ефимов А.Н., Лебедев А.О., Царегородцев A.M. Микрорентреноспектральный анализ в системе Ga-Al-N // Материалы оптоэлектронной техники. Л., 1985. С.6-10. (Известия ЛЭТИ. Вып.350).

2. Ефимов А.Н., Лебедев А.О., Царегородцев A.M. Особенности гетероэпитаксии твердых растворов нитрид алюминия - нитрид галлия на сапфире // Материалы и элементы оптоэлектроники. Л., 1986. С.24-32. (Известия ЛЭТИ. Вып.365).

3. Лебедев А.О. Эпитаксиальные слои нитрида алюминия для целей акустоэлектроники // Исследование полупроводников с широкой запрещенной зоной. Л., 1987. С.74-79. (Известия ЛЭТИ, Вып.380).

4. Эпитаксиальные гетероструктуры нитрид алюминия на кремнии / Н.И.Долотов, А.О.Лебедев, Ю.В.Мельник, А.М.Царегородцев // Материалы для фотоприемных и излучающих устройств. Л., 1990. С.44-49. (Известия ЛЭТИ, Вып.420).

5. Efimov A.N. and Lebedev А.О. Lattice metric match at heteroepitaxy: case of non-cubic crystals (Решеточное соответствие при эпитаксии: случай некубических кристаллов) // Superconductivity: physics, chemistry, technique. 1993.Vol.6, N 2. P.263-270.

6. Efimov A.N. and Lebedev A.O. Optimal Perovskite-Type Substrates for High-Temperature Superconductor Layers (Оптимальные перовскитоподобные подложки для слоев высокотемпературных сверхпроводников) // J.Superconductivity. 1993. Vol.6, N 5. P.317-320.

7. Ефимов А.Н., Лебедев А.О. О целевой функции при подборе составов и ориентаций границ раздела при проектировании гетерокомпозиций, включающих некубические фазы // Физика твёрдого тела. 1994. Т.36, N 3. С.595-604.

8. Лебедев А.О., Мельник Ю.В., Царегородцев A.M. Определение энергии активации процесса осаждения нитрида алюминия в хлоридно-гидридной системе // Журнал прикладной химии. 1994. Т.67, N 1. С.146-149.

9. Efimov A.N., Lebedev А.О. Symmetry constraints and epitaxial growth on non-isomorphic substrate (Симметрийные ограничения и эпитаксиальный рост на неизоморфной подложке) // Thin Solid Films. 1995. Vol.260, Iss.l. P.l 11-117.

10. Лебедев А.О., Пичугин И.Г., Долотов Н.И. Механизм процесса роста и структурные характеристики эпитаксиальных слоев нитрида галлия, полученных хлоридно-гидридным способом // Журнал прикладной химии. 1995. Т.68, вып.6. С.904-907.

11. Efimov A.N. and Lebedev А.О. Coherent heterostructures with non-cubic components: strains and stresses for arbitrary interface orientations. Theory and applications (Когерентные гетероструктуры с некубическими компонентами: деформации и напряжения для произвольных ориентаций границы раздела. Теория и применения) // Surface Science. 1995. Vol.344, iss.3. P.276-282.

12. Лебедев A.O. Индицирование лауэграмм и ориентирование монокристаллов с помощью картин Лауэ в режиме диалога с ЭВМ // Заводская лаборатория: диагностика материалов. 1998. N3. С. 16-20.

13. Efimov A.N., Lebedev А.О., Tsaregorodtsev A.M. Bicrystallography of The Epitaxic Systems 'III—V Nitrides on Sapphire': Theory and Experiment (Бикристаллография эпитаксиальных систем о нитриды AN на сапфире": теория и эксперимент) // J.Appl.Cryst. 1998. Vol.31. 461-473.

14. Efimov A.N., Lebedev A.O., Tsaregorodtsev A.M. On the epitaxy of aluminum nitride on silicon substrates in a chloride-hydride process (Об эпитаксии нитрида алюминия на кремниевых подложках в хлоридно-гидридном процессе) // Technical Physics Letters. 1998. Vol.24, N10. P. 810-812.

15. • Stress and misoriented area formation under large silicon carbide boule growth (Происхождение напряжений и разориентированных областей при росте слитков карбида кремния большого диаметра) / A.S.Bakin, S.I.Dorozhkin, A.O.Lebedev, B.A.Kirillov, A.A.Ivanov, Yu.M.Tairov // J.Crystal Growth. 1999. Vol.198/199. P.1015-1018.

16. К вопросу о необычном азимутальном ориентационном соотношении в системе "нитрид галлия на шпинели" / А.Н.Ефимов, А.О.Лебедев, В.В.Лундин, А.С.Усиков // Кристаллография. 2000. Т.45, N 2. С.345-351.

17. Ефимов А.Н., Лебедев А.О. Кристаллография гетероструктур с сильно различающимися кристаллическими решетками компонентов и несингулярными границами раздела: пример GaN на LiGa02 // Кристаллография. 2002. Т.47, N1. С. 145-155.

18. Aluminum Nitride Bulk Crystals by Sublimation Method: Growth and X-Ray Characterization (Рост кристаллов нитрида алюминия сублимационным методом: рост и рентгеновские исследования) / S.I.Dorozhkin, А.О.Lebedev, A.Yu.Maximov, Yu.M.Tairov // Materials Science Forum. 2002. Vol.389-393. P.1453-1457.

19. Defect formation in silicon carbide large-scale ingots grown by sublimation technique (Образование дефектов в слитках карбида кремния большого диаметра, выращенных сублимационным методом) / D.D.Avrov, A.V.Bulatov, S.I.Dorozhkin, А.О.Lebedev, and Yu.M.Tairov // J.Crystal Growth. 2005. Vol.275, N1-2. P.e485-«489.

20. Образование доменов при синтаксическом срастании политипов карбида кремния / Д.Д.Авров, С.И.Дорожкин, А.О.Лебедев, Ю.М.Таиров // Физика и техника полупроводников. 2007. Том 41, вып. 12. С.1409-1413.

21. Lebedev А.О., Tairov Yu.M. Comments on "Growth of 4H-SIC on rhombohedral (01-14) plane seeds" (Комментарии к статье "Рост 4H-SiC затравках с ромбоэдрической ориентацией (01-14)") // J.Crystal Growth. 2008. Vol.310, N 10. Р.2688-2689.

22. О включениях углерода при выращивании слитков карбида кремния модифицированным методом Лэли / Д.Д.Авров, С.И.Дорожкин, Ю.М.Таиров, А.Ю.Фадеев, А.О.Лебедев // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2008. N 2. С.23-31.

23. Рост слитков карбида кремния политипа 4Н на затравках с плоскостью (10-10) / Д.Д.Авров, А.В.Булатов, С.И.Дорожкин, А.О.Лебедев, Ю.М.Таиров // Физика и техника полупроводников. 2008. Том 42, вып.12. С.1483-1487.

24. Об оптимизации структурного совершенства слитков карбида кремния политипа 4Н/ Д.Д.Авров, С.И.Дорожкин, А.О.Лебедев, Ю.М.Таиров, А.С.Трегубова, А.Ю.Фадеев // Физика и техника полупроводников. 2009. Том 43, вып.9. С. 1288-1294.

25. Инициирование монокристаллического роста при выращивании слитков карбида кремния модифицированным методом Лэли / Д.Д.Авров, А.В.Булатов, С.И.Дорожкин, А.О.Лебедев, Ю.М.Таиров // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2009. N 4. С.4-8.

26. О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипа 4Н / Д.Д.Авров, А.В.Булатов, С.И.Дорожкин, А.О.Лебедев, Ю.М.Таиров, А.Ю.Фадеев // Физика и техника полупроводников. 2011. Т.45, вып.З. С.289-294.

27. Defect structure of 4Н silicon carbide ingots (Дефектная структура слитков 4Н-политипа карбида кремния) / А.О.Lebedev, D.D.Avrov, A.V.Bulatov, S.I.Dorozhkin, Yu.M.Tairov, A.Yu.Fadeev // J.Crys.Growth. 2011. Vol.318, Iss. 1. P.394-396.

28. Фадеев А.О., Лебедев A.O., Таиров Ю.М. О росте монокристаллов карбида кремния политипа 4Н на затравках с плоскостью (11-22) // Физика и техника полупроводников. 2012. т.46, вып. 10. С. 1368-1373.

Монография

29. Ефимов А.Н., Лебедев А.О. Геометрические аспекты гетероэпитаксии // СПб: Изд-во СПбГЭТУ, 2012. 112 с.

Патенты и заявки

30. Ефимов А.Н., Лебедев А.О., Царегородцев A.M. Способ получения эпитаксиальных слоев нитридов металлов 3 группы // A.C. СССР N 1376635.

31. Ефимов А.Н., Лебедев А.О., Царегородцев A.M. Устройство для получения многослойных эпитаксиальных гетероструктур // A.C. СССР N 1443493.

32. Способ получения эпитаксиальных слоев нитридов металлов 3 группы / Н.И.Долотов,

A.О.Лебедев, Ю.В.Мельник, А.М.Царегородцев // A.C. СССР N 1762595.

33. Способ получения монокристаллического SiC / Д.Д.Авров, С.И.Дорожкин, А.О.Лебедев,

B.В.Лучинин, О.В.Посредник, Ю.М.Таиров, А.Ю.Фадеев // Патент РФ на изобретение N 2454491, опубл. 27.12.2011 г.

34. Способ получения монокристаллического SiC / Д.Д.Авров, С.И.Дорожкин, А.О.Лебедев, Ю.М.Таиров // Патент РФ на изобретение N 2433213, приоритет 12 октября 2010 года.

35. Способ получения монокристаллического SiC / Д.Д.Авров, С.И.Дорожкин, А.О.Лебедев,

B.В.Лучинин, О.В.Посредник, Ю.М.Таиров, А.Ю.Фадеев // Патент РФ на изобретение N 2405071, опубл. 27.11.2010 г.

Прочие публикации

36. Ефимов А.Н., Лебедев А.О. Кристаллогеометрические аспекты эпитаксии на неизоморфные подложки // ЛЭТИ им. В.И.Ульянова (Ленина). Л., 1988. 24 с. Депонировано ВИНИТИ г.Москва 15.07.88, N 5713-В88.

37. Лебедев А.О., Мельник Ю.В., Царегородцев A.M. Методы получения эпитаксиальных слоев нитрида алюминия // ЛЭТИ им. В.И.Ульянова (Ленина). Л., 1990. 53 с. Депонировано ВИНИТИ г.Москва 12.02.90, N 795-В90.

38. Lebedev А.О., Mel'nik Yu.V., Tsaregorodtsev A.M. Epitaxial growth of aluminum nitride on different substrates (Эпитаксиальный рост нитрида алюминия на различных подложках) // Proceedings of the 1st Intern.Conf.of Epitaxial Crystal Growth. Budapest, 1990. P. 116-118.

39. Структурная деградация слитков карбида кремния в процессе их выращивания модифицированным методом Лэли / Д.Д.Авров, А.В.Булатов, С.И.Дорожкин, А.О.Лебедев, Ю.М.Таиров, А.Ю.Фадеев // Карбид кремния и родственные материалы: докл. VI Международного семинара ISSCRM-2009. Великий Новгород. 2009. С.12-15.

40. О политипных включениях в слитках карбида кремния политипа 4Н / Д.Д.Авров,

C.И.Дорожкин, А.О.Лебедев, Ю.М.Таиров, А.Ю.Фадеев // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника: докл. Всеросс. конф. с элементами научной школы для молодежи. Ноябрь 2009 г./ Махачкала. 2009. С.29-36.

Заключение: основные результаты и выводы

1. Представленный теоретический подход позволяет утверждать, что для большинства актуальных ростовых систем, содержащих неизоморфные или некубические компоненты (синтаксия политипов карбида кремния, нитриды А^В^ на сапфире, кремний на сапфире, А3В5 на шпинели, ОаИ на шпинели, йаЫ на 1лОаС>2 и др.) существенная априорная информация о возможности монокристаллического роста, типе ориентационного соотношения и дефектной структуре эпитаксиального слоя может быть получена из соображений симметрии, на основе анализа принципа симметризации Кюри. Критерий метрического несоответствия (существование решетки совпадающих узлов РСУ на границе раздела ГР) не является необходимым для монокристаллического роста в таких системах.

2. Предложенный алгоритм расчета равновесной геометрии псевдоморфной гетероэпитаксиальной системы с некубическими компонентами при произвольной ориентации ГР позволяет адекватно описать состояние системы, эффекты триклинной дисторсии и разориентации кристаллов гетероэпитаксиальной пары, причем без привлечения концепции РСУ. Алгоритм может быть обобщен, с использованием формализма тензорной алгебры, метрических тензоров и матриц ОС, на случай многослойных гетероструктур, в том числе с неплоскими развертываемыми ГР, с граничными условиями, соответствующими псевдоморфному состоянию или температурным напряжениям.

3. Для гетерокомпозиций с некубическими и неизоморфными компонентами обоснована возможность создания геометрически согласованного сопряжения структур (без пограничных топологических дефектов). При изменении кристаллографической ориентации подложки задача минимизации упругих напряжений может быть решена теми же методами, что и для кубических кристаллов.

4. В слитках карбида кремния политипов 4Н и 6Н последовательное появление и вытеснение основных политипных включений (1511, 4Н, 6Н, ЗС) приводит, в условиях полицентричной нуклеации, к возникновению и развитию доменной структуры (до 18 и 12 антифазных доменов в матрицах политипов 6Н и 4Н, соответственно). Срастание эпитаксиальных доменов ведет к появлению строго определенного набора двойных и тройных доменных границ, инициируя возникновение "кустов" прорастающих дислокаций определенного вида. Развитый подход позволяет интерпретировать имеющиеся экспериментальные данные: взаимосвязь политипных включений и плотности микропор и дислокаций, поликристаллический характер 1511 включений, более выраженное негативное влияние включений 1511, нежели 6Н, на структурное совершенство слитков карбида кремния политипа 4Н.

5. Установлено, что основным механизмом релаксации упругих напряжений и деградации структуры в выращенных слитках с ориентацией (0001) является скольжение в основной системе скольжения для кристаллов с ГПУ - а/3 < 112 0 > {1100}, причем для кристаллов, выращенных на отклоненной грани, наблюдается так называемое "ламинарное" течение по Котгрелу, когда в кристалле присутствует одна превалирующая система скольжения - вдоль направления фронта роста слоя. Указанный механизм имеет место на этапе охлаждения слитков и вызывается упругой энергией, накопленной слитком вследствие жесткой фиксации в системе "слиток - держатель слитка" в процессе роста. Выявленная блочная структура соответствует границам наклона и связана с поворотом ростовых доменов относительно оси [0001] на угол 10-20".

6. Появление углеродных включений в слитках карбида кремния не связано с недостатком кремния в ростовой ячейке. Напротив, инициирующим фактором загрязнения слитков, выращенных при 2000-2100°С, включениями углерода является избыток кремнийсодержащих агентов вблизи фронта роста, приводящий к коррозии графитовой арматуры. Основным механизмом возникновения включений углерода является образование мелкодисперсного графита в ростовой ячейке вследствие как коррозии элементов графитовой арматуры, так и обуглероживания источника, с последующей инжекцией частиц в растущий слиток под действием сил термофореза и силы захвата стефановским потоком. Расчетный размер углеродных частиц витания в ростовой ячейке при типовых условиях роста составляет величину порядка сотен микрометров и совпадает с реально наблюдающимися размерами включений.

7. Затравки карбида кремния ориентации (ЮТО) могут быть использованы для разращивания слитков методом ЛЭТИ и получения образцов с нулевой плотностью микропор. Рост на ориентации

ЮТО) характеризуется воспроизводимостью дефектов упаковки, соответствующих формульному типу (5,2) в нотации Жданова (внутренний дефект по Франку), но может быть использован в многостадийном процессе выращивания с последовательной сменой ориентаций используемых затравок.

8. Модифицированный ИАР-процесс может быть реализован при последовательном использовании только затравок с ориентациями, принадлежащими к семейству плоскостей

1010}. Улучшенная дефектная структура выращенных слитков характеризуется практически полным отсутствием периферийных малоугловых границ, а также значительным (3 порядка величины) снижением, по сравнению с исходным материалом, плотности микропор. Нежелательным промежуточным результатом реализованного многоступенчатого процесса роста является значительное (до 70%) уменьшение площади используемых затравок. Повторное разращивание полученных затравок до коммерчески приемлемых размеров (до 2 дюймов в диаметре и более) приводит лишь к незначительному ухудшению дефектной структуры во вновь генерируемых периферических областях слитка. Получены качественные образцы пластин карбида кремния политипа 4Н диаметром 2 и 3 дюйма, характеризующиеся плотностью микропор 5-40 см"2 и базисных дислокаций 103-104 см .

9. Детализирована инициирующая откачка - наименее изученная стадия процесса сублимационного роста, соответствующая начальной нуклеации слоев карбида на затравке. Быстрое инициирование процесса роста может приводить к эффекту разделения газовой смеси (при откачке в молекулярном или промежуточном режимах), значительному изменению соотношения 81/С в объеме газовой фазы и снижению пересыщения основных газовых реагентов.

10. Неоднородный тепловой контакт затравки с графитовым держателем, наряду с инжекцией микрочастиц углерода на фронт роста, является основным источником дефектов, появляющихся в слитках на ранних стадиях роста. Предложенные технические решения позволили минимизировать (снизить на 2 порядка) возникающие в затравке напряжения и исключить инжекцию углерода в растущий слиток.

11. Экспериментально установлено, что плотность микропор в слитках карбида кремния политипа 4Н не коррелирует с такими параметрами, как плотность дислокаций и значения полуширин дифракционных кривых, что является следствием существования нескольких принципиально различных механизмов образования микропор и дислокаций в слитках.

12. Интерпретация существования наиболее распространенных политипных модификаций карбида кремния (6Н, 4Н, 1511, ЗС) может быть выполнена с использованием модифицированной кластерной концепции Рамсдела и Кона, учитывающей пространственное строение элементарных кластеров, на основе алгоритма одномерной кластерной сборки политипной цепи из элементарных димеров и тримеров.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Лебедев, Андрей Олегович, 2013 год

1. Frank F.C. The growth of carborundum; dislocation and polytypism // Phil.Mag. 1951. Vol.42. P.1014-1021.

2. Ramsdell L.S., Kohn J.A. Development in silicon carbide research //Acta Cryst. 1952. Vol.5, iss.2.P.215-224.

3. Jagodzinski H. Polytypism in SiC crystals // Acta Cryst. 1954. Vol.7. P.300.

4. Кальнин A.A., Лучинин В.В. Структурное программирование в микроэлектронике. Л.: ЛЭТИ, 1981. 100 с.

5. Тхорик Ю. А., Хазан Л. С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: Наукова думка, 1983.

6. Bollmann W. Crystal Defects and Crystalline Interfaces. New York: Springer Verlag, 1970.

7. Структура межкристаллитных и межфазных границ / В. М. Косевич, В. М. Иевлев, Л. С. Палатник, А. И. Федоренко. М.: Металлургия, 1980.

8. Portier R., Gratias D. Symmetry and Phase Transformation // J.Phys.Paris. 1982. Vol.43, C4. P. 17-34.

9. Kalonji G., Cahn J. W. Symmetry Constraints on the Orientation Dependence of Interfacial Properties: the Group of the Wulff Plot// J.Phys.Paris. 1982. Vol.43, Сб. P.25-32.

10. Janovec V. A symmetry approach to domain structures // Ferroelectrics. 1976. Vol.12. Iss.l. P.43-53.

11. Pond R. C., Vlachavas D. S. Bicrystallography // Proc.R.Soc.Lond.Ser.A. 1983. Vol.386. P.95-143.

12. Pond R. C., Gowers J. P., Joyce B. A. Surface structure and the origin of antisite domains in GaAs:Ge epitaxial films // Surf.Sci. 1985. Vol.152-153. Pt 2. P.l 191-1196.

13. Pond R. C. Crystallographic analysis of domain formation in epitaxial films // J.Crystal Growth. 1986. Vol.79. Iss.1-3. Pt.2. P.946-950.

14. Efimov A. N., Lebedev A. O. Optimal perovskite-type substrates for high-temperature superconductor layers // J.Supercond. 1993. Vol.6, Iss.5. P.317-320.

15. Нойберт Ф. Гетерополитипные композиции карбида кремния и источники света на их основе // Исследование и применение широкозонных полупроводников. Л., 1981. С.36-42 (Изв.ЛЭТИ. Вып.281).

16. Growth and properties of GaAs/AlGaAs on nonpolar substrates using molecular beam epitaxy / R. Fischer, W. T. Masselink, J. Klem, T. Henderson, Т. C. McGlinn, M. V. Klein, H. Morkoc // J.Appl.Phys. 1985. Vol.58, Iss.l. P.374-381.

17. Binder K., ed. The Monte Carlo Methods in Condensed Matter Physics // Topics in Applied Physics. Vol.71. Berlin: Springer Verlag. 1992.

18. Юшкин H. П., Шафрановский И. И., Янулов К. П. Законы симметрии в минералогии. Л.: Наука, 1987.

19. Кюри П. Избранные труды, ред. Н. Н. Андреева, Л. С. Сазонова М.-Л.: Наука, 1966.

20. Шубников А. В., Копцик В. А. Симметрия в науке и искусстве. М.: Наука, 1972.

21. Henry N. М. F., Lonsdale К. International Tables for X-Ray Crystallography: Symmetry Groups. Birmingham: The Kynoch Press, 1952. Vol.1. 558p.

22. Ефимов A.H., Лебедев А.О., Царегородцев A.M. Особенности эпитаксии на неизоморфные подложки // Тез.докл.УН Всесоюз.конф.по процессам роста и синтеза полупроводн. кристаллов и пленок. Новосибирск. 1986. С.24-25.

23. Ефимов А. Н. Состав и структура эпитаксиальных композиций "нитриды А3В5 на сапфире", Дисс.канд.техн.наук/ ЛЭТИ им.В.И.Ульянова (Ленина). Л., 1986. 143с.

24. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике. М.:Наука, 1984.

25. Ефимов А. Н. Дефекты гетероструктур, вызванные различием симметрий слоя и подложки // Кристаллография. 1997. Т.42, вып.З. С.509-513.

26. Metallic Phase with Long-Range Orientational Order and No Translational Symmetry / D. Shechtman, I. Blech, D. Gratias, and J. W. Cahn. // Phys. Rev. Lett. 1984. Vol.53, iss.20. P.1951-1953.

27. Илюшин Г.Д. Моделирование процессов самоорганизации в кристаллообразующих системах. М.:Едиториал УРСС, 2003.

28. Илюшин Г.Д., Демьянец Л.Н. Модель матричной сборки кристаллических структур // Сборник трудов Института Кристаллографии. Физика кристаллизации. М.: Наука, 2002. С.82-169.

29. Ilyushin G.D., Demianets L.N Crystal Structure formation of silicates in accordance with the mechanism of matrix assembly //19 European Crystallographic Meeting. Nancy, 2000. P.362.

30. Сиротин Ю. И., Шаскольская M. П. Основы кристаллофизики. М.: Наука, 1975.

31. Сокольников И. Тензорный анализ. М.: Наука, 1971.

32. Седов Л. И. Введение в механику сплошной среды. М.:Наука, 1962.

33. Григорьев Д. П., Жабин А. Г. Онтогения минералов. М.: Наука, 1975.

34. Efimov A. N., Lebedev А. О., Tsaregorodtsev А. М. Bicrystallography of the epitaxic system "III—V Nitrides on Sapphire": theory and experiment // J.Appl.Crystallogr. 1998. Vol.31. P.461-473.

35. Santoro A., Mighell A. D., Rodgers J. R. The determination of the relationship between derivative lattices // Acta Crystallogr.A 1980. Vol.36. P.796-800.

36. Bucksch R. A theory of sublattices and superlattices // J.Appl.Crystallogr. 1972. Vol.5. P.96-102.

37. Zur A., McGill Т. C. Lattice match: An application to heteroepitaxy // J.Appl.Phys. 1984. Vol.55, iss.2. P.378-386.

38. Efimov A. N., Lebedev A. O. Coherent heterostructures with non-cubic components: strains and stresses for arbitrary interface orientations — theory and applications // Surface Science. 1995. Vol.344, iss.3. P.276-282.

39. Ефимов A. H., Лебедев А. О. Бикристаллография неизовалентных гетероструктур с различными кристаллическими решетками компонентов и несингулярными границами раздела: пример GaN на LiGaC>2 // Кристаллография. 2002. Т.47, вып.1. С.145-155.

40. Indenbom V. L., Kaganer V. М. X-ray analysis of internal stresses in crystals I. general equations // Phys.Stat.Solidi(a). 1990. Vol.118, iss.l. P.71-84.

41. Хапачев Ю. П., Чуховский Ф. Н. Деформации и напряжения в многослойных эпитаксиальных кристаллических структурах. Рентгенодифракционные методы их определения // Кристаллография. 1989. Т.34, вып.З. С.776-800.

42. Auvray P., Baudet М., Regreny A. X-ray diffraction effects in Ga and A1 arsenide structures MBE-grown on slightly misoriented GaAs (001) substrates // J.Crystal Growth. 1989. Vol.95, iss.l—4. P.288-291.

43. Kuznetsov V. V., Sadowski W., Sorokin V. S. The coherent phase diagram of A^B^ ternary system// CrystRes.Technol. 1985. Vol.20, iss.10. P.1373-1380.

44. Hornstra J., Bartels W. J. Determination of the lattice constant of epitaxial layers of III-V compounds // J.Crystal Growth. 1978. Vol.44, iss.5. P.513-517.

45. Ефимов A. H., Лебедев А. О. Преодоление метрического несоответствия решеток при создании гетерокомпозиций: случай некубических кристаллов // Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1993. Т.6, №2. С.263-270.

46. Ландау Л. Д., Лифшиц М. Теория упругости. М.: Наука, 1987.

47. Рашевский П. К. Дифференциальная геометрия. М.: Наука, 1938.

48. Olsen G. Н. Interfacial lattice mismatch effects in III-V compound // J.Crystal Growth. 1975. Vol.31. P.223-239.

49. Bassons J.H., Booyens H. The effect of substrate delaxation on the introduction of misfit dislocations in misfitting epitaxial layers // Phisica Status Solidi A. 1981. Vol.64, iss.2. P.777-786.

50. Ефимов А. Н., Лебедев А. О. Кристаллогеометрические аспекты эпитаксии на неизоморфные подложки / ЛЭТИ им. В.И.Ульянова (Ленина). Л., 1988. 24 с. Деп. в ВИНИТИ, Москва, № 5713-В88.

51. Глейтер Г., Чалмерс Б. Большеугловые границы зерен. М.: Мир, 1975.

52. Строителев С. А. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников. Новосибирск: Наука, 1976.

53. Миркин Л.И. Рентгеноструктурный анализ. Индицирование рентгенограмм, М.: Наука, 1981.

54. Буренков Г.Н., Попов А.Н. Метод автоматического индицирования лауэграмм // Кристаллография. 1994. Т.39, N4. С.622-627.

55. Шереметьев И.А., Лютцау В.Г. Автоматизированная расшифровка нестандартных лауэграмм // Заводская лаборатория. 1986. Т.52, N4. С.41-^16.

56. Лебедев А. О. Индицирование лауэграмм и ориентирование монокристаллов с помощью картин Лауэ в режиме диалога с ЭВМ // Заводская лаборатория. 1998. Т.64, №3. С. 16-20.

57. Кузнецов А. В., Семилетов С. А., Чаплыгин Г. В. Ориентация нитрида галлия на сапфире // Рост кристаллов. Т.15. М.: Наука, 1986. С.14-24.

58. Growth anisotropy in the GaN/Al203 system / R. Madar, D. Michel, G. Jacob, M. Boulou //¿Crystal Growth. 1977. Vol.40, iss.2. P.239-252.

59. Defect ordering in epitaxial a-GaN(OOOl) / H. Z. Xiao, N.-E. Lee, R. C. Powell, Z. Ma, L. J. Chou, L. H. Allen, J. E. Green, A. Rockett // J.Appl.Phys. 1994. Vol.76, iss.12. P.8195-8197.

60. Heteroepitaxial wurtzite and zinc-blende structure GaN grown by reactive-ion molecular-beam epitaxy: Growth kinetics, microstructure, and properties / R. C. Powell, N.-E. Lee, Y.-W. Kim, J. E. Greene // J.Appl.Phys. 1993. Vol.73, iss.l. P.189-204.

61. Sano M., Aoki M. Epitaxial Growth of Undoped and Mg-Doped GaN // Jpn.J.Appl.Phys. 1976. Pt.l. Vol.15, №io. P. 1943-1950.

62. A crystallographic model of (00.1) aluminum nitride epitaxial thin film growth on (00.1) sapphire substrate / C. J. Sun, P. Kung, A. Saxler, H. Ohsato, K. Haritos, M. Razeghi // J.Appl.Phys. 1994. Vol.75, iss.8. P.3964-3967.

63. Vispute R. D., Hong Wu, Narayan J. High quality epitaxial aluminum nitride layers on sapphire by pulsed laser deposition // Appl.Phys.Lett. 1995. Vol.67, iss.l 1. P. 1549-1551.

64. Ефимов A. H., Лебедев А. О., Царегородцев A. M. Особенности гетероэпитаксии твердых растворов нитрид алюминия нитрид галлия на сапфире // Материалы и элементы оптоэлектроники. Л., 1986. С. 14-19 (Изв.ЛЭТИ. Вып. 365).

65. Structural properties of InN films grown on sapphire substrates by microwave-excited metalorganic vapor-phase epitaxy / Q. Guo, T. Yamamura, A. Yoshida, N. Itoh // J.Appl.Phys. 1994. Vol.75, iss.10. P.4927-4932.

66. Чаплыгин Г. В., Аксенова Jl. Л., Кузнецов А. В. Об эпитаксиальных соотношениях всистеме нитриды А^В^ на сапфире // Тезисы Всесоюзной конф. по росту кристаллов. Тбилиси, 1977. Т.1. С.110-111.

67. Lei Т., Ludwig К. F., Moustakas Т. D. Heteroepitaxy, polymorphism, and faulting in GaN thin films on silicon and sapphire substrates // J.Appl.Phys. 1993. Vol.74, iss.7. P.4430-4437.

68. Chemical vapor deposition of aluminum nitride films in the aluminum-bromide-ammonia-hydrogen system / Y. Pauleau, A. Bouteville, J.-J. Hantzperque, J.-C. Remy, A. Cachard // Bull.Soc.Chim.Fr. 1980. Vol.3-4, pt.l. P.127-132.

69. Microstructural characterization of a-GaN films grown on sapphire by organometallic vapor phase epitaxy / W. Qian, M. Skowronski, M. De Graef, K. Doverspike, L. B. Rowland, D. K. Gaskill // Appl.Phys.Lett. 1995. Vol.66, iss.10. P. 1252-1254.

70. Heteroepitaxy of gallium nitride on (0001), (10-12) and (10-10) sapphire surfaces / J. S. Hwang, A. V. Kuznetsov, S. S. Lee, H. S. Kim, J. G. Choi, P. J. Chong // J.Cryst.Growth. 1994. Vol.142, iss. 1—2. P.5-14.

71. Crystallography of epitaxial growth of wurtzite-type thin films on sapphire substrates / P. Kung, C. J. Sun, A. Saxler, H. Ohsato, M. Razegni // J.Appl.Phys. 1994. Vol.75, iss.9. P.4515^1519.

72. Growth kinetics, structure and surface morphology of AIN/01-AI2O3 epitaxial layers / F.

73. Bugge, A. N. Efimov, I. G. Pichugin, A. M. Tsaregorodtsev, M. A. Chernov // Crystal Res.Technol. 1987. Vol.22, iss.l. P.65-73.

74. Georgi Ch. On the origin of the (l-216)-orientation in epitaxial AIN layers on R-plane sapphire // Cryst.Res.Technol. 1987. Vol.22, iss.6. P.777-781.

75. Heteroepitaxy of AIN on 01-AI2O3 by electron cyclotron resonance plasma-assisted chemicalvapor deposition at low temperatures / W. Zhang, Y. Someno, M. Sasaki, T. Hirai // J.Cryst.Growth. 1993. Vol.132, iss. 1-2. P.337-340.

76. Chemical etching of sapphire / L. A. Marasina, V. V. Malinovsky, I. G. Pichugin, P. Prentky. // Cryst.Res.Technol. 1982. Vol.17, iss.3. P.365-371.

77. Efimov A. N., Lebedev A. O. Symmetry constraints and epitaxial growth on non-isomorphic substrate // Thin Solid Films. 1995. Vol.260, iss.l. P.l 11-117.

78. Лебедев А. О., Пичугин И. Г., Долотов Н. И. Механизм процесса роста и структурные характеристики эпитаксиальных слоев нитрида галлия, полученных хлоридно-гидридным способом //ЖПХ. 1995. Т.68, вып.6. С.904-907.

79. Binder К., Stauffer D. Applications of the Monte Carlo Method in Statistical Physics // Topics in Current Physics. Vol.36 / K.Binder, ed. by. New York: Springer. 1987. P. 1-36.

80. Groisman G., Parker J. R. Computer-assisted photometry using simulated annealing // Computers in Physics. 1993. Vol.7, №1. P.87-96.

81. Лебедев А. О., Мельник Ю. В., Царегородцев A. M. Определение энергии активации процесса осаждения нитрида алюминия в хлоридно-гидридной системе // ЖПХ. 1994. Т.67, вып. 1. С. 146-149.

82. Larssen P. A. Crystallographic match in epitaxy between silicon and sapphire // Acta Crystallographies 1966. Vol.20, pt 5. P.599-602.

83. Manasevit H. M. A survey of the heteroepitaxial growth of semiconductor films on insulating substrates // J.Crystal Growth. 1974. Vol.22, iss.2. P.125-148.

84. Wang С. C. Heteroepitaxial Growth and Characterization of Compound Semiconductors for Electronic Devices // Heteroepitaxial semiconductors for electronic devices / ed. by G.W.Cullen, C.C.Wang. New York Heidelberg - Berlin: Springer, 1978. P. 106-149.

85. Палатник Л. С., Папиров И. И. Ориентированная кристаллизация. М.: Металлургия, 1964.

86. Mixed-perovskite substrates for high-Tc superconductors / D. Mateika, H. Kohler, H. Laudan, E. Folkel // J.Cryst.Growth. 1991. Vol.109, iss.1-4. P.441^46.

87. Чаплыгин Г.В. Взаимная ориентация при эпитаксии // Extended Abstracts of VI Intern. Conf. Crystal Growth. Moscow, 1980. C.135.

88. High-quality GaN epitaxial layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (111) MgAl204 substrate / A. Kuramata, K. Horino, K. Domen, K. Shinohara, T. Tanahashi //

89. Appl.Phys.Lett. 1995. Vol.67, iss.17. P.2521-2523.

90. InGaN-GaN based light-emitting diodes over (111) spinel substrates / J. W. Yang, Q. Chen, C. J. Sun, B. Lim, M. Z. Anwar, M. Asif Khan, and H. Temkin // Appl.Phys.Lett. 1996. Vol.69, iss.3. P.369-371.

91. InGaN multi-quantum-well structure laser diodes grown on MgAl2Ü4 substrates / Sh.

92. Nakamura, M. Senoh, Sh. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto // Appl.Phys.Lett 1996. Vol.68, iss.15. P.2105-2107.

93. Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf nichtstöchiometrischem Spinell im System GaCl/NHß/He / A. Tempel, W. Seifert, J. Hammer, E. Butter // Kristall und Technik. 1975. Vol. 10,iss.7. P.747-758.

94. Novel symmetry in the growth of gallium nitride on magnesium aluminate substrates / T. George, E. Jacobson, W. T. Pike, P. Chang-Chien, M. A. Khan, J. W. Yang, S. Mahajan // Appl.Phys.Lett. 1996. Vol.68, iss.3. P.337-339.

95. Metalorganic chemical vapor deposition of monocrystalline GaN thin films on ß-LiGa02substrates / P. Kung, A. Saxler, X. Zhang, D. Walker, R. Lavado, M. Razeghi // Appl.Phys.Lett. 1996. Vol.69, iss.14. P.2116-2118.

96. Lattice parameters of gallium nitride / M. Leszczynski, T. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, K. Pakula, J. M. Baranowski, С. T. Foxon, T. S. Cheng // Appl.Phys.Lett. 1996. Vol.69, iss.l. P.73-75.

97. Schwarz R.B., Khachaturyan K., Weber E.R. Elastic moduli of gallium nitride // Appl.Phys.Lett. 1997. V.70, iss.9. P.l 122-1124.

98. Рентгеновские исследования структурного совершенства эпитаксиальных пленок PbS методом двухкристального спектрометра / JI. С. Палатник, М. Я. Фукс, О. Г. Алавердова, JL П. Шпаковская / Кристаллография. 1977. Т.22, вып.З. С.608-614.

99. К вопросу о необычном азимутальном ориентационном соотношении в системе "нитрид галлия на шпинели" / А.Н.Ефимов, А.О.Лебедев, В.В.Лундин, A.C.Усиков // Кристаллография. 2000. Т.45, N 2. С.345-351.

100. Структурное совершенство эпитаксиальных слоев GaN по данным рентгеновской дифракции / Р. Н. Кютт, В. В. Ратников, Г. Н. Мосина, М. П. Щеглов // ФТТ. 1999. Т.41, №1. С.30-37.

101. Фесенко Е. Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество. М.:Наука, 1972.

102. Young К.-Н., Chai В. Н. Т. High-Quality УВа2СизОу§ Thin Films Grown on SrLaAlÜ4001. and (1118) Substrates // Jpn.J.Appl.Phys. 1992. Pt 2. Vol.31, №4A. P.L402-L405.

103. Shannon R. D. Revised effective ionic radii and systematic studies of interatomic distances in halides and chalcogenides // Acta Cryst.A. 1976. Vol. 32, pt.5. P.751-767.

104. А.Н.Ефимов, А.О.Лебедев. В книге: Тезисы докладов конф. по электронным материалам, Новосибирск, 1992, с.296.104. (305)-SrTi03 as substrate for coherently tilted epitaxial YBa2Cu3Ox thin films /

105. W. A. M. Aarnink, E. M. С. M. Reuvekamp, M. A. J. Verhoeven, M. V. Pedyash, G. J. Gerritsma, A. van Silfhout, H. Rogalla, T. W. Ryan // Appl.Phys.Lett. 1992. Vol. 61, iss.5. P.607-609.

106. Leiberich A., Levkoff J. The crystal geometry of AlxGajxAs grown by MOCVD on offcut GaAs (100) substrates // J.Cryst.Growth. 1990. Vol.100, iss.3. P.330-342.

107. Nagai H. Structure of vapor deposited GaxInjxAs crystals // J.Appl.Phys. 1974. Vol.45, iss.9. P.3789-3794.

108. Igarashi O. Measurement of Misalignments between the 111. Axes of GaP Deposits and Si Substrates by X-ray Divergent Beam Method //JpnJ.Appl.Phys. 1976. Vol.15, N8. P.1435-1444.

109. Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах М.: Мир, 1969.

110. Commercial SiC device processing: Status and requirements with respect to SiC based power devices / M.Treu, R.Rupp, P.Blaschitz, J.Hilsenbeck // Superlattices and Microstructures. 2006. Vol.40, Iss.4-6. P.380-387.

111. Zverev I., Rupp R. MRS Symp.Proc. 2003. Vol.742, P.329 doi: 10.1557/PROC-742-K7.1.

112. Hong M.H., Samant A.V., Pirouz P. Stacking fault energy of 6H-SiC and 4H-SiC single crystals // Philosophical Magazine A. 2000. Vol.80, Iss.4. P.919-935.

113. Tairov Y.M., Tsvetkov V.F. Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystals // J.Crystal Growth. 1978. Vol.43, Iss.2. P.209-212.

114. Crystal growth of micropipe free 4H-SiC on 4H-SiC {0338} seed and high-purity semi-insulating 6H-SiC / H.Shiomi, H.Kinoshita, T.Furusho, T.Hayashi, M.Tajima, E.Higashi // J.Cryst.Growth. 2006. Vol.292, iss.2. P. 188-191.

115. Growth of 6H-SIC crystals along the 01І5. direction / Z.G.Herro, B.M.Epelbaum, M.Bickermann, C.Seitz, A.Magerl, A.Winnacker// J.Cryst.Growth. 2005. Vol.275, iss.3-4. P.496-503.

116. Growth of 4H-SiC on rhombohedral (oil4)plane seeds / J.Li, O.Filip, B.M.Epelbaum,

117. X.Xu, M.Bickermann, A.Winnacker//J.Cryst.Growth. 2007. Vol.308, iss.l. P.41^9.

118. Shishkin Y., Kordina O. Bulk growth of 6H-SiC on non-basal quasi-polar faces // J.Cryst.Growth. 2006. Vol.291, iss.2. P.317-319.

119. Polarity- and orientation-related defect distribution in 4H-SiC single crystals / H.J.Rost, M.Schmidbauer, D.Siche, R.Fornari // J.Cryst.Growth. 2006. Vol.290, iss.l. P.137-143.

120. Ultrahigh-quality silicon carbide single crystals / D.Nakamura, I.Gunjishima, S.Yamaguchi, T.Ito, A.Okamoto, H.Kondo, S.Onda, K.Takatori // Nature. 2004. Vol.430, N7003. P.1009-1011.

121. Epitaxial growth of silicon carbide layers by sublimation „sandwich method" (I) growth kinetics in vacuum / Yu.A.Vodakov, E.N.Mokhov, M.G.Ramm, A.D.Roenkov // Kristall und Technik. 1979. Vol.14, iss.6. P.729-740.

122. Masri P. Silicon carbide and silicon carbide-based structures: The physics of epitaxy // Surface Science Reports. 2002. Vol.48, iss.1^1. P.l-51.

123. Wagner G., Schulze D., Siche D. Vapour phase growth of epitaxial silicon carbide layers // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. 2003. Vol.47, iss.2-3. P.139-165.

124. Ж.Фридель Дислокации M.: Мир. 1967.

125. S.Amelinckx Dislocations in Particular Solids, ed. by F.R.N.Nabarro Amsterdam: North-Holland. 1979.

126. Identification of prismatic slip bands in 4H SiC boules grown by physical vapor transport / S.Ha, N.T.Nuhfer, G.S.Rohrer, M.De Graef, M.Skowronski // J.Electron.Mater. 2000. Vol.29, iss.7. P.L5-L8.

127. Koyama H., Wittry D.B., Kato T. Propagation of residual dislocations during silicon epitaxy // J.Appl.Phys. 1975. Vol.46, N7. P.2899-2902.

128. Shinohara M., Ito Т., Imamura Y. Generation and propagation of defects into molecular beam epitaxially grown GaAs from an underlying GaAs substrate // J.Appl.Phys. 1985. Vol.58, N9. P.3449-3455.

129. Direct observation of dislocations propagated from 4H-SiC substrate to epitaxial layer by X-ray topography / T.Ohno, H.Yamaguchi, S.Kuroda, K.Kojima, T.Suzuki, K.Arai // J.Crystal Growth. 2004. Vol.260, iss.1-2. P.209-216.

130. Origin of basal plane bending in hexagonal silicon carbide single crystals / J.W.Lee, M.Skowronski, E.K.Sanchez, G.Chung//J.Crystal Growth. 2008. Vol.310, iss.l8. P.4126-^131.

131. Zhuang D., Edgar J.H. Wet etching of GaN, A1N, and SiC: a review // Mater.Science and Engineering R. 2005. Vol.48, iss.l. P.1-46.

132. Defect reduction in sublimation grown SiC bulk crystals / E.Schmitt, T.Straubinger, M.Rasp, A.-D.Weber // Superlattices and Microstructures. 2006. Vol.40, iss.4-6. P.320-327.

133. Amelinckx S., Strumane G., Webb W.W. Dislocations in Silicon Carbide // J.Applied Physics. 1960. Vol.31, iss.8. P.1359-1370.

134. Wu P. Etching study of dislocations in heavily nitrogen doped SiC crystals // J.Crystal Growth. 2010. Vol.312, iss.8. P.l 193-1198.

135. Zhang Z., Gao Y., Sudarshan T. Delineating Structural Defects in Highly Doped n-Type 4H-SiC Substrates Using a Combination of Thermal Diffusion and Molten KOH Etching // Electrochem. Solid-State Lett. 2004. Vol.7, N11. P.G264-G265.

136. Sense determination of micropipes via grazing-incidence synchrotron white beam x-ray topography in 4H silicon carbide / Y.Chen, G.Dhanaraj, M.Dudley, E.K.Sanchez, M.F.McMillan // Applied Physics Letters. 2007. Vol.91, iss.7. 071917, 3 p.

137. Chen Y., Dudley M. Direct determination of dislocation sense of closed-core threading screw dislocations using synchrotron white beam x-ray topography in 4H silicon carbide // Applied Physics Letters. 2007. Vol.91, iss.14. 141918, 3 p.

138. Basal plane slip and formation of mixed-tilt boundaries in sublimation-grown hexagonal polytype silicon carbide single ciystals / S.Ha, M.Skowronski, W.M.Vetter, M.Dudley // J.Applied Physics. 2002. Vol.92, iss.2. P.778-785.

139. Samant A.V., Zhou W.L., Pirouz P. Effect of Test Temperature and Strain Rate on the Yield Stress of Monocrystalline 6H-SiC // Phys.Stat.Sol. A.1998. Vol.166, iss.l. P.155-169.

140. Samant A.V., Hong M.H., Pirouz P. The Relationship between Activation Parameters and Dislocation Glide in 4H-SiC Single Crystals // Phys.Stat.Sol. B. 2000. Vol.222, iss.l. P.75-93.

141. Skowronski M., Ha S. Degradation of hexagonal silicon-carbide-based bipolar devices //J.Appl.Phys. 2006. Vol.99, iss.l. 011101,24 p.

142. Pirouz P., Demenet J.L., Hong M.H. On transition temperatures in the plasticity and fracture of semiconductors // Philos.Mag. A. 2001. Vol.81, iss.5. P.1207-1227.

143. Marukawa K. A new method of burgers vector identification from electron microscope images // Philos.Mag. A. 1979. Vol.40, iss.3. P.303-312.

144. Nucleation of threading dislocations in sublimation grown silicon carbide / E.K.Sanchez, J.Q.Lee, M.De Graef, M.Skowronski, W.M.Vetter, M.Dudley // J.Appl.Phys. 2002. Vol.91, iss.3. P.l 143-1148.

145. The mechanism of micropipe nucleation at inclusions in silicon carbide / M.Dudley, X.R.Huang, W.Huang, A.Powell, S.Wang, P.Neudeck, M.Skowronski // Appl.Phys.Lett. 1999. Vol.75, iss.6. P.784-786.

146. Origin of domain structure in hexagonal silicon carbide boules grown by the physical vapor transport method / S.Ha, N.T.Nuhfer, G.S.Rohrer, M.De Graef, M.Skowronski // J.Crystal Growth. 2000. Vol.220, iss.3. P.308-315.

147. Tsuchida H., Kamata I., Nagano M. Investigation of defect formation in 4H-SiC epitaxial growth by X-ray topography and defect selective etching // J.Crystal Growth. 2007. Vol.306, iss.2. P.254-261.

148. Dislocation evolution in 4H-SiC epitaxial layers / H.Jacobson, J.Birth, R.Yakimova, M.Syvajarvi, J.P.Bergman, A.Ellison, T.Tuomi, E.Janzen//J.Appl.Phys. 2002. Vol.91, iss.10. P.6354-6360.

149. Influence of epitaxial growth and substrate-induced defects on the breakdown of 4H-SiC Schottky diodes / Q.Wahab, A.Ellison, A.Henry, E.Janzen, C.Hallin, J.Di Persio, R.Martinez // Appl.Phys.Lett. 2000. Vol.76, iss.l9. P.2725-2727.

150. Analysis of Structural Defects in the 4H-SiC Epilayers and their Influence on the Electrical Properties / S.Izumi, I.Kamata, T.Tawara, H.Fujisawa, H.Tsuchida // Materials Science Forum. 2004. Vol.457-^460. P.1085-1088.

151. Effects of Surface and Crystalline Defects on Reverse Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes / T.Katsuno, Y.Watanabe, H.Fujiwara, M.Konishi, T.Yamamoto, T.Endo // Jap.J.Appl.Phys. 2011. Vol.50, N4, iss.2. 04DP04, 4 p.

152. Material defects in 4H-silicon carbide diodes / U.Zimmermann, J.Osterman, D. Kuylenstierna, A.Hallen, A.O.Konstantinov, W.M.Vetter, M.Dudley // J.Appl.Physics. 2003. Vol.93, iss.l. P.611-618.

153. Characterization of 4H semi-insulating silicon carbide single crystals using electron beam induced current / P.G.Muzykov, R.Krishna, S.Das, T.Hayes, T.S.Sudarshan, K.C.Mandal // Materials Letters. 2011. Vol.65, N5. P.911-914.

154. Analysis of surface morphology at leakage current sources of 4H-SiC Schottky barrier diodes / T.Katsuno, Y.Watanabe, H.Fujiwara, M.Konishi, H.Naruoka, J.Morimoto, T.Morino, T.Endo //Appl.Phys.Lett. 2011. Vol.98, iss.22. 222111, 3 p.

155. Saitoh H., Kimoto T., Matsunami H. Origin of Leakage Current in SiC Schottky Barrier Diodes at High Temperature // Materials Science Forum. 2004. Vol.457-460. P.997-1000.

156. Morisette D.T., Cooper J.A., Jr. Impact of Material Defects on SiC Schottky Barrier Diodes // Materials Science Forum. 2002. Vol.389-393. P. 1133-1136.

157. Dislocation conversion in 4H silicon carbide epitaxy / S.Ha, P.Mieszkowski, M.Skowronski, L.B.Rowland // J.Crystal Growth. 2002. Vol.244, iss.3-4. P.257-266.

158. Song H., Rana T., Sudarshan T.S. Investigations of defect evolution and basal plane dislocation elimination in CVD epitaxial growth of silicon carbide on eutectic etched epilayers // J.Crystal Growth. 2011. Vol.320, iss.l. P.95-102.

159. The elastic constants of silicon carbide: A Brillouin-scattering study of 4H and 6H SiC single crystals / K.Kamitani, M.Grimsditch, J.C.Nipko, C.-K.Loong, M.Okada, I.Kimura // J.Appl.Phys. 1997. Vol.82, iss.6. P.3152-3154.

160. Investigation of character and spatial distribution of threading edge dislocations in 4H-SiC epilayers by high-resolution topography / I.Kamata, M.Nagano, H.Tsuchida, Yi.Chen, M.Dudley //J.Crystal Growth. 2009. Vol.311, iss.5. P. 1416-1422.

161. Zhang Z., Sudarshan N.S. Evolution of basal plane dislocations during 4H-silicon carbide homoepitaxy // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.87, iss.16. 161917, 3 p.

162. Formation of extended defects in 4H-SiC epitaxial growth and development of a fast growth technique / H.Tsuchida, M.Ito, I.Kamata, M.Nagano // Phys.Status Solidi B. 2009. Vol.246, iss.7. P.1553-1568.

163. Growth and Characterization of the 4H-SiC Epilayers on Substrates with Different OffCut Directions / H.Tsuchida, I.Kamata, S.Izumi, T.Tawara, K.Izumi // Mater.Sci.Forum. 2004. Vol.457-460. P.229-232.

164. Degradation in SiC Bipolar Devices: Sources and Consequences of Electrically Active Dislocations in SiC // H.Lendenmann, J.P.Bergman, F.Dahlquist, C.Hallin // Mater.Sci.Forum. 2003. Vol.433-436. P.901-906.

165. Ha S., Skowronski M., Lendenmann H. Nucleation sites of recombination-enhanced stacking fault formation in silicon carbide p-i-n diodes // J.Appl.Phys. 2004. Vol.96, iss.l. P.393-398.

166. Stacking Fault Formation Sites and Growth in Thick-Epi SiC PiN Diodes / R.E.Stahlbush, M.E.Twigg, K.G.Irvine, J.J.Sumakeris, T.P.Chow, P.A.Losee, L.Zhu, Y.Tang, W.Wang // Mater.Sci.Forum. 2004. Vol.457-460. P.533-536.

167. Pirouz P. On micropipes and nanopipes in SiC and GaN // Philos.Mag. A. 1998. Vol.78, iss.3. P.727-736.

168. Vetter W.M., Dudley M. Transmission electron microscopy studies of dislocations in physical-vapour-transport-grown silicon carbide // Philos.Mag. A. 2001. Vol. 81, iss. 12. P.2885-2902.

169. Partial Dislocations and Stacking Faults in 4H-SiC PiN Diodes / M.E.Twigg, R.E.Stahlbush, M.Fatemi, S.D.Arthur, J.B.Fedison, J.B.Tucker, S.Wang // Mater.Sci.Forum. 2004. Vol.457-460. P.537-542.

170. Doping-induced strain in N-doped 4H-SiC crystals / H.Jacobson, J.Birch, C.Hallin, A.Henry, R.Yakimova, T.Tuomi, E.Janzen, U.Lindefelt // Appl.Phys.Lett. 2003. Vol.82, iss.21. P.3689-3691.

171. Glide and multiplication of basal plane dislocations during 4HDSiC homoepitaxy / X.Zhang, M.Skowronski, K.X.Liu, R.E.Stahlbush, J.J.Sumakeris, M.J.Paisley, M.J.O'Loughlin // J.Appl.Phys. 2007. Vol.102, iss.9. 093520, 8 p.

172. Dislocation nucleation in 4H silicon carbide epitaxy / S.Ha, H.J.Chung, N.T.Nuhfer, M.Skowronski//J.Crystal Growth. 2004. Vol.262, iss. 1-4. P. 130-138.

173. Influence of growth conditions on basal plane dislocation in 4H-SiC epitaxial layer / T.Ohno, H.Yamaguchi, S.Kuroda, K.Kojima, T.Suzuki, K.Arai // J.Crystal Growth. 2004. Vol.271, iss.1-2. P. 1-7.

174. Chen W., Capano M.A. Growth and characterization of 4H-SiC epilayers on substrates with different off-cut angles // J.Appl.Phys. 2005. Vol.98, iss.l 1. 114907, 6 p.

175. Basal plane dislocation reduction in 4H-SiC epitaxy by growth interruptions / R.E.Stahlbush, B.L.VanMil, R.L.Myers-Ward, K.-K.Lew, D.K.Gaskill, C.R.Eddy, Jr // Appl.Phys.Lett. 2009. Vol.94, iss.4. 041916, 3 p.

176. Zhang Z., Moulton E., Sudarshan T.S. Mechanism of eliminating basal plane dislocations in SiC thin films by epitaxy on an etched substrate // Appl.Phys.Lett. 2006. Vol.89, iss.8. 081910,3 p.

177. Zhang Z., Sudarshan T.S. Basal plane dislocation-free epitaxy of silicon carbide // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.87, iss.15. 151913, 3 p.

178. Topographic study of dislocation structure in hexagonal SiC single crystals with low dislocation density / D.Nakamura, S.Yamaguchi, I.Gunjishima, Y.Hirose, T.Kimoto // J.Cryst.Growth. 2007. Vol.304, iss.l.P. 57-63.

179. Neudec P.G., Powell J.A. Performance limiting micropipe defects in silicon carbide wafers // IEEE Electron Device Lett. 1994. Vol.15, iss.2. P.63-65.

180. Study of avalanche breakdown and impact ionization in 4H silicon carbide / A.O.Konstantinov, Q.Wahab, N.Nordell, U.Lindefelt // J.Electron.Mater. 1998. Vol.27, N4. P.335-341.

181. Effect of defects on electrical properties of 4H-SiC Schottky diodes / M.Ben Karoui, R.Gharbi, N.Alzaied, M.Fathallah, E.Tresso, L.Scaltrito, S.Ferrero // Mater.Sci.Engineer. C. 2008. Vol.28, iss.5-6. P.799-804.

182. Micropipes: Hollow Tubes in Silicon Carbide / J.Heindl, H.P.Strunk, V.D.Heydemann, G.Pensl // Phys.Stat.Solidi A. 1997. Vol.162, iss.l. P.251-262.

183. Hexagonal voids and the formation of micropipes during SiC sublimation growth / T.A.Kuhr, E.K.Sanchez, M.Skowronski, W.M.Vetter, M.Dudley // J.Appl.Phys. 2001. Vol.89, iss.8. P.4625-4630.

184. SiC Seeded Boule Growth / V.Tsvetkov, R.Glass, D.Henshall, D.Asbury, C.H.Carter, Jr //Mater.Sci.Forum. 1998. Vol.264-268. P.3-8.

185. Balakrishna V., Augustine G., Hopkins R.H. MRS Symp.Proc. 1999. Vol.572. P.245 doi: 10.1557/PROC-572-245.

186. Analysis on defect generation during the SiC bulk growth process / D.Hofmann, E.Schmitt, M.Bickermann, M.Kolbl, P.J.Wellmann, A.Winnacker // Mater.Sci.Eng. B. 1999. Vol.6162. P.48-53.

187. Model for micropipe formation in 6H-SiC single crystal by sublimation method / J.Liu, J.Gao, J.Cheng, J.Yang, G.Qiao // Materials Letters. 2005. Vol.59, iss.l8. P.2374-2377.

188. Growth of SiC substrates / A.Powell, J.Jenny, S.Muller, H.McD.Hobgood, V.Tsvetkov, R.Lenoard, C.Carter, Jr. // Intern.J.of High Speed Electronics and Systems. 2006. Vol.16, N3.P.751-778.

189. Stein R.A. Formation of macrodefects in SiC // Physica B: Condensed Matter. 1993. Vol.185, iss.1-4. P. 211-216.

190. Frank F.C. Capillary Equilibria of Dislocated Crystals // Acta Crystallogr. 1951. Vol.4, iss.6. P.497-501.

191. Vetter W.M., Dudley M. Micropipes and the closure of axial screw dislocation cores in silicon carbide crystals // J.Appl.Phys. 2004. Vol.96, iss.l. P.348-353.

192. Golightly J.P. Hollow screw dislocation cores in silicon carbide // Z.Kristallogr. 1969. Vol.130, iss. 1—6. P.310-313.

193. Sunagawa I., Bennema P. Observations of the influence of stress fields on the shape of growth and dissolution spirals // J.Cryst.Growth. 1981. Vol.53, iss.3. P.490-504.

194. Tanaka H., Uemura Y., Inomata J. Observations of holes around dislocation core in SiC crystal //J.Cryst.Growth. 1981. Vol.53, iss.3. P.630-632.

195. Van der Hoek B., van der Eerden J.P., Bennema P. Some methods for the quantitative estimation of crystal growth parameters from observed step patterns // J.Cryst.Growth. 1982. Vol.56, iss.l. P.108-124.

196. Krishna P., Jiang S.-S., Lang A.R. An optical and X-ray topographic study of giant screw dislocations in silicon carbide // J.Cryst.Growth. 1985. Vol.71, iss.l. P.41-56.

197. J.Giocondi, G.S.Rohrer, M.Skowronski, V.Balakrishna, G.Augustine, H.M.Hobgood, R.H.Hopkins MRS Symposium Proceedings. 1996. Vol.423. P.539 doi:10.1557/PROC-423-539.

198. Quantitative analysis of screw dislocations in 6H-SiC single crystals / M.Dudley, W.Si, S.Wang, C.Carter, Jr, R.Glass, V.Tsvetkov // Nuovo Cimento Soc.Ital.Fis. D. 1997. Vol.19, iss.2^1. P.153-164.

199. Formation of micropipes in SiC under kinetic aspects / J.Heindl, W.Dorsch, R.Eckstein, D.Hofmann, T.Marek, St.G.Muller, H.P.Strunk, A.Winnacker // J.Cryst.Growth. 1997. Vol.179, iss.3-4. P.510-514.

200. Van der Hoek B., Van der Eerden J.P., Bennema P. Thermodynamical stability conditions for the occurrence of hollow cores caused by stress of line and planar defects // J.Crystal Growth. 1982. Vol.56, iss.3. P.621-632.

201. Liu G.-Z., Van der Eerden J.P., Bennema P. The opening and closing of a hollow dislocation core: A Monte Carlo simulation // J.Crystal Growth. 1982. Vol.58, iss.l. P. 152-162.

202. Srolovitz D.J., Safran S.A. Capillary equilibria of surfaces intersected by dislocations // Philos.Mag. A. 1985. Vol.52, iss.6. P.793-800.

203. Physical Vapor Transport Growth and Properties of SiC Monocrystals of 4H Polytype / G.Augustine, H.McD.Hobgood, V.Balakrishna, G.Dunne, R.H.Hopkins // Phys.Stat.Solidi B. 1997. Vol.202, iss.l. P.137-148.

204. Dislocations as a source of micropipe development in the growth of silicon carbide / D.I.Cherednichenko, Y.I.Khlebnikov, I.I.Khlebnikov, R.V.Drachev, T.S.Sudarshan // J.Appl.Phys. 2001. Vol.89, iss.7. P. 4139^141.

205. Ma X. Superscrew dislocations in silicon carbide: Dissociation, aggregation, and formation // J.Appl.Phys. 2006. Vol.99, iss.6. 063513, 6 p.

206. X-ray "magnifying" imaging investigation of giant Burgers vector micropipe-dislocations in 4H-SiC / J.Hartwig, J.Baruchel, H.Kuhn, X.-R.Huang, M.Dudley, E.Pernot // Nuclear Instr. and Methods in Physics Research B. 2003. Vol.200. P.323-328.

207. Superscrew dislocation contrast on synchrotron white-beam topographs: an accurate description of the direct dislocation image / X.R.Huang, M.Dudley, W.M.Vetter, W.Huang, W.Si, C.H.Carter, Jr. // J.Appl.Crystallogr. 1999. Vol.32, iss.3. P.516-524.

208. Baronnet A. Sur les origines des dislocations vis et des spirales de croissance dans les micas // J.Crystal Growth. 1973. Vol.19, iss.3. P. 193-198.

209. Layer morphology and growth mechanisms in barium ferrites / G.Turner, B.Stewart, T.Baird, R.D.Peacock, A.G.Cairns-Smith // J.Crystal Growth. 1996. Vol.158, iss.3. P.276-283.

210. Mahajan S. Origins of micropipes in SiC crystals / Appl.Phys.Lett. 2002. Vol.80, iss.23. P.4321—4323.

211. Ma X. A method to determine superscrew dislocation structure in silicon carbide / Mater.Sci.Engineer. B. 2006. Vol.129, iss.1-3. P.216-221.

212. Schulze N., Barrett D.L., Pensl G. Near-equilibrium growth of micropipe-free 6H-SiC single crystals by physical vapor transport // Appl.Phys.Lett. 1998. Vol.72, iss.l3. P.1632-1634.

213. Effect of growth condition on micropipe filling of 4H-SiC epitaxial layer / K.Kojima, S.Nishizawa, S.Kuroda, H.Okumura, K.Arai // J.Cryst.Growth. 2005. Vol.275, iss.1-2. P.e549-e554.

214. Structural Transformation of Screw Dislocations via Thick 4H-SiC Epitaxial Growth / I.Kamata, H.Tsuchida, T.Jikimoto, K.Izumi // Japan.J.Appl.Phys. 2000. Vol.39, N12A. P.6496-6500.

215. Morphological features related to micropipe closing in 4H-SiC / R.Yakimova, N.Vouroutzis, M.Syvajarvi, J.Stoemenos // J.Appl.Phys. 2005. Vol.98, iss.3. 034905, 6 p.

216. Nakamura S., Kimoto T., Matsunami H. Effect of C/Si Ratio on Spiral Growth on 6H-SiC (0001) // Jap.J.Appl.Phys., pt 2. 2003. Vol.42, N7B. P.L846-L848.

217. Influence of 4H-SiC Growth Conditions on Micropipe Dissociation / I.Kamata, H.Tsuchida, T.Jikimoto, K.Izumi // Jap.J.Appl.Phys., pt 2. 2002. Vol.41, N10B. P.LI 137-L1139.

218. Micropipe-free silicon carbide and related method of manufacture / C.Basceri, C.Balkas, Y.Khlebnikov, I.Khlebnikov, H.McD. Hobgood, M.N.Silan, C.H.Carter, Jr., V.Balakrishna, R.T.Leonard, A.R.Powell // EP 2264223. 2010.

219. Structural macro-defects in 6H-SiC wafers / R.C.Glass, L.O.Kjellberg, V.F.Tsvetkov, J.E.Sundgren, E.Janzen // J.Crystal Growth. 1993. Vol.132, iss.3-4. P.504-512.

220. Evolution and structure of low-angle grain boundaries in 6H-SiC single crystals grown by sublimation method / Y.Gao, X.Hu, X.Chen, X.Xu, Y.Peng, S.Song, M.Jiang // J.Crystal Growth. 2010. Vol.312, iss.20. P.2909-2913.

221. Wu P., Yoganathan M., Zwieback I. Defect evolution during growth of SiC crystals // J.Crystal Growth. 2008. Vol.310, iss.7-9. P.1804-1809.

222. Behavior of Basal Plane Dislocations and Low Angle Grain Boundary Formation in Hexagonal Silicon Carbide / Y.Chen, G.Dhanaraj, W.Vetter, R.Ma, M.Dudley // Mater.Sci.Forum. 2007. Vol.556-557. P.231-234.

223. Structural properties of subgrain boundaries in bulk SiC crystals / M.Katsuno, N.Ohtani, T.Aigo, T.Fujimoto, H.Tsuge, H.Yashiro, M.Kanaya // J.Crystal Growth. 2000. Vol.216, iss.1-4. P.256-262.

224. Cubic polytype inclusions in 4H-SiC / H.Iwata, U.Lindefelt, S.Oberg, P.R.Briddon // J.Appl.Phys. 2003. Vol.93, iss.3. P.1577-1585.

225. Miao M.S., Limpijumnong S., Lambrecht W.L. Stacking fault band structure in 4H-SiC and its impact on electronic devices // Appl.Phys.Lett. 2001. Vol.79, iss.26. P.4360^1362.

226. Iwata H. Stacking Faults in Silicon Carbide // Ph D thesis, Linkoping universitet. 2003.

227. Ab initio study of 3C inclusions and stacking fault-stacking fault interactions in 6H-SiC / H.Iwata, U.Lindefelt, S.Oberg, P.R.Briddon // J.Appl.Phys. 2003. Vol.94, iss.8. P.4972-4979.

228. Quantum well behavior of single stacking fault 3C inclusions in 4H-SiC p-i-n diodes studied by ballistic electron emission microscopy / K.-B.Park, J.P.Pelz, J.Grim, M.Skowronski // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.87, iss.23. 232103, 3 p.

229. Новиков И.И. Дефекты кристаллического строения металлов. М.: Металлургия. 1975.

230. Theoretical Calculation of Stacking Fault Energies in Silicon Carbide / H.Iwata, U.Lindefelt, S.Oberg, P.R.Briddon// Mater.Sci.Forum. 2002. Vol.389-393. P.439-442.

231. Feng G., Suda J., Kimoto T. Characterization of major in-grown stacking faults in 4H-SiC epilayers // Physica B. 2009. Vol.404, iss.23-24. P.4745^1748.

232. Nitrogen doping and multiplicity of stacking faults in SiC / P.Pirouz, M.Zhang, H.McD.Hobgood, M.Lancin, J.Douin, B.Pichaud // Phil.Mag. 2006. Vol.86, iss.29-31. P.4685^1697.

233. Structure of recombination-induced stacking faults in high-voltage SiC p-n junctions / J.Q.Liu, M.Skowronski, C.Hallin, R.Soderholm, H.Lendenmann // Appl.Phys.Lett. 2002. Vol.80, iss.5. P.749-751.

234. Alexander H. Dislocations in Solids, Vol.7 ed.by F.R.N.Nabarro, Amsterdam: Elsevier, 1986. P. 114-234.

235. Structure and motion of basal dislocations in silicon carbide / A.T.Blumenau, C.J.Fall, R.Jones, S.Oberg, T.Frauenheim, P.R.Briddon//Phys.Rev. B. 2003. Vol.68, iss.17. 174108, 14 p.

236. Defects in plastically deformed 6H SiC single crystals studied by transmission electron microscopy / K.Maeda, K.Suzuki, S.Fujita, M.Ichihara, S.Hyodo // Phylos.Mag. A. 1988. Vol.57, iss.4. P.573-592.

237. Basal plane partial dislocations in silicon carbide / A.T.Blumenau, R.Jones, S.Oberg, P.R.Briddon, T.Frauenheim // Physica B. 2003. Vol.340-342. P. 160-164.

238. Electron-beam-induced current study of stacking faults and partial dislocations in 4H-SiC Schottky diode / B.Chen, J.Chen, T.Sekiguchi, T.Ohyanagi, H.Matsuhata, A.Kinoshita, H.Okumura, F.Fabbri // Appl.Phys.Lett. 2008. Vol.93, iss.3. 033514, 3 p.

239. Sublimation growth of 6H- and 4H-SiC single crystals in the lloo. and [1120] directions / J.Takahashi, N.Ohtani, M.Katsuno, S.Shinoyama // J.Crystal Growth. 1997. Vol.181, iss.3. P.229-240.

240. Feng G., Suda J., KimotoT. Characterization of stacking faults in 4H-SiC epilayers by room-temperature microphotoluminescence mapping // Appl.Phys.Lett. 2008. Vol.92, iss.22. 221906, 3 p.

241. Feng G., Suda J., KimotoT. Triple Shockley type stacking faults in 4H-SiC epilayers // Appl.Phys.Lett. 2009. Vol.94, iss.9. 091910, 3 p.

242. Cathodoluminescence study of the properties of stacking faults in 4H-SiC homoepitaxial layers / S.Maximenko, J.A.Freitas, Jr., P.B.Klein, A.Shrivastava, T.S.Sudarshan // Appl.Phys.Lett. 2009. Vol.94, iss.9. 092101, 3 p.

243. Structural analysis and reduction of in-grown stacking faults in 4H-SiC epilayers / S.Izumi, H.Tsuchida, I.Kamata, T.Tawara// Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.86, iss.20. 202108, 3 p.

244. Tsuchida H., Kamata I., Nagano M. Formation of basal plane Frank-type faults in 4H-SiC epitaxial growth // J.Crystal Growth. 2008. Vol.310, iss.4. P.757-765.

245. Characterization of in-grown stacking faults in 4H-SiC (0001) epitaxial layers and its impacts on high-voltage Schottky barrier diodes / H.Fujiwara, T.Kimoto, T.Tojo, H.Matsunami // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.87, iss.5. 051912, 3 p.

246. Observation of stacking faults formed during homoepitaxial growth of p-type 4H-SiC / H.K.Song, J.H.Moon, H.J.Kim, M.Mehregany // Appl.Phys.Lett. 2009. Vol.94, iss.l 1. 112109, 3 p.

247. Structural and electronic characterization of (2,33) bar-shaped stacking fault in 4H-SiC epitaxial layers / M.Camarda, A.Canino, A.La Magna, F.La Via, G.Feng, T.Kimoto, M.Aoki, H.Kawanowa//Appl.Phys.Lett. 2011. Vol.98, iss.5. 051915, 3 p.

248. Galeckas A., Linnros J., Pirouz P. Recombination-enhanced extension of stacking faults in 4H-SiC p-i-n diodes under forward bias // Appl.Phys.Lett. 2002. Vol.81, iss.5. P.883-886.

249. Core structure and properties of partial dislocations in silicon carbide p-i-n diodes / S.Ha, M.Benamara, M.Skowronski, H.Lendenmann // Appl.Phys.Lett. 2003. Vol.83, iss.24.P.4957-4959.

250. Maximenko S.I., Pirouz P., Sudarshan T.S. Investigation of the electrical activity of partial dislocations in SiC p-i-n diodes // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.87, iss.3. 033503, 3 p.

251. Maximenko S.I., Sudarshan T.S. Stacking fault nucleation sites in diffused 4H-SiC p-i-n diodes // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.97, iss.7. 074501, 3 p.

252. Konstantinov A.O., Bleichner H. Bright-line defect formation in silicon carbide injection diodes // Appl.Phys.Lett. 1997. Vol.71, iss.25. P.3700-3702.

253. Structural instability of 4H-SiC polytype induced by n-type doping / J.Q.Liu, H.J.Chung, T.Kuhr, Q.Li, M.Skowronski // Appl.Phys.Lett. 2002. Vol.80, iss.12. P.2111-2113.

254. Stacking fault formation in SiC p-i-n diodes of (11-20) orientation / S.Ha, K.Hu, M.Skowronski, J.J.Sumakeris, M.J.Paisley, M.K.Das//Appl.Phys.Lett. 2004. Vol.84, iss.25. P.5267-5269.

255. Maeda K., Takeuchi S. in Dislocations in Solids, ed. by F.R.N.Nabarro and M.S.Duesbery, Amsterdam: North-Holland. 1996. Chap.10. P.443-504.

256. Differences in emission spectra of Si- and C-core partial dislocations / K.X.Liu, R.E.Stahlbush, S.I.Maximenko, J.D.Caldwell // Appl.Phys.Lett. 2007. Vol.90, iss.15. 153503, 3 p.

257. Long Term Operation of 4.5kV PiN and 2.5kV JBS Diodes / H.Lendenmann, F.Dahlquist, N.Johansson, R.Soderholm, P.A.Nilsson, J.P.Bergman, P.Skytt // Mater.Sci.Forum. 2001. Vol.353-356. P.727-730.

258. Approaches to Stabilizing the Forward Voltage of Bipolar SiC Devices / J.J.Sumakeris, M.Das, H.McD.Hobgood, S.G.Muller, M.J.Paisley, S.Ha, M.Skowronsky, J.W.Palmour, C.H.Carter, Jr. // Mater.Sci.Forum. 2004. Vol.457-460. P.l 113-1116.

259. Pirouz P., Yang J.W. Polytypic transformations in SiC: the role of TEM // Ultramicroscopy. 1993. Vol.51, iss.1-4. P.189-214.

260. Recombination-enhanced defect motion in forward-biased 4H-SiC p-n diodes / M.Skowronski, J.Q.Liu, W.M.Vetter, M.Dudley, C.Hallin, H.Lendenmann // J.Appl.Phys. 2002. Vol.92, iss.8. P.4699-4704.

261. Properties and origins of different stacking faults that cause degradation in SiC PiN diodes / H.Jacobson, J.P.Bergman, C.Hallin, E.Janzen, T.Tuomi, H.Lendenmann // J.Appl.Phys. 2004. Vol.95, iss.3. P.1485-1488.

262. Observations of the influence of threading dislocations on the recombination enhanced partial dislocation glide in 4H-silicon carbide epitaxial layers / Y.Chen, M.Dudley, K.X.Liu, R.E.Stahlbush // Appl.Phys.Lett. 2007. Vol.90, iss.l7. 171930, 3 p.

263. Formation and properties of stacking faults in nitrogen-doped 4H-SiC / K.Irmscher, M.Albrecht, M.Rossberg, H.-J.Rost, D.Siche, G.Wagner // Physica B. 2006. Vol.376-377. P.338-341.

264. Structural and electrical studies of partial dislocations and stacking faults in (11-20)-oriented 4H-SiC / L.Ottaviani, H.Idrissi, P.Hidalgo, M.Lancin, B.Pichaud // Phys.Stat.Sol.(c). 2005. Vol.2, iss.6. P. 1792-1796.

265. Miao M.S., Lambrecht W.R.L. Stacking Faults and 3C Quantum Wells in Hexagonal SiC Polytypes // Materials Science Forum. 2006. Vol.527-529. P.351-354.

266. Lambrecht W.R.L., Miao M.S. Electronic driving force for stacking fault expansion in 4H-SiC // Phys.Rev. B. 2006. Vol.73, iss.15. 155312, 6 p.

267. Lindefelt U., Iwata H. in Recent Major Advances in SiC, ed. by W.J.Choyke, H.Matsunami, G.Pensl Berlin: Springer. 2003. P. 1-28.

268. Study of Shockley partial dislocation mobility in highly N-doped 4H-SiC by cantilever bending / H.Idrissi, G.Regula, M.Lancin, J.Douin, B.Pichaud // Physica Status Solidi (c). 1998. Vol.2, iss.6. P. 1998-2003.

269. Effect of charge on the movement of dislocations in SiC / T.A.G.Eberlein, R.Jones, A.T.Blumenau, S.Oberg, P.R.Briddon // Appl.Phys.Lett. 2006. Vol.88, iss.8. 082113, 3 p.

270. Effect of vapor composition on polytype homogeneity of epitaxial silicon carbide /

271. A.O.Konstantinov, C.Hallin, O.Kordina, E.Janzen // J.Appl.Phys. 1996. Vol.80, iss.10. P.5704-5712.

272. Temperature induced polytype conversion in cubic silicon carbide studied by Raman spectroscopy / R.Pusche, M.Hundhausen, L.Ley, K.Semmelroth, F.Schmid, G.Pensl, H.Nagasawa // J.Appl.Phys. 2004. Vol.96, iss.10. P.5569-5575.

273. Multi-analytical study of syntactic coalescence of polytypes in a 6H-SiC sample / G.Agrosi, G.Tempesta, G.C.Capitani, E.Scandale, D.Siche // J.Crystal Growth. 2009. Vol.311, iss.23-24. P.4784—4790.

274. Dislocation processes during SiC bulk crystal growth / N.Ohtani, M.Katsuno, H.Tsuge, T.Fujimoto, M.Nakabayashi, H.Yashiro, M.Sawamura, T.Aigo, T.Hoshino // Microelectron.Eng. 2006. Vol.83, iss.l. P.142-145.

275. Macrodefect Generation in SiC Single Crystals Caused by Polytype Changes / H.J.Rost, J.Doerschel, D.Schulz, D.Siche, J.Wollweber// Mater.Sci.Forum. 2002. Vol.389-393. P.67-70.

276. R.Yakimova, T.Iakimov, M.Syvajari, H.Jacobsson, P.Raback, A.Vehanen, E.Janzen MRS Symp.Proc . 1999. Vol.572. P.265 doi:10.1557/PROC-572-265.

277. The Nucleation of Polytype Inclusions during the Sublimation Growth of 6H and 4H Silicon Carbide / E.Sanchez, A.Kopec, S.Poplawski, R.Ware, S.Holmes, S.Wang, A.Timmerman // Mater.Sci.Forum. 2002. Vol.389-393. P.71-74.

278. Evolution of domain walls in 6H- and 4H-SiC single crystals / D.Siche, H.-J.Rost, J.Doerschel, D.Schulz, J.Wollweber // J.Crystal Growth. 2002. Vol.237-239, pt. 2. P.l 187-1191.

279. Stein R.A., Lanig P. Control of polytype formation by surface energy effects during the growth of SiC monocrystals by the sublimation method // J.Crystal Growth. 1993. Vol.131, iss. 1-2. P.71-74.

280. Defects in sublimation-grown SiC bulk crystals / R.Madar, E.Pernot, M.Anikin, M.Pons //J.Phys.: Condens.Matter. 2002. Vol.14, N48. P. 13009-13018.

281. Polytype formation in silicon carbide single crystals / X.-B.Li, E.-W. Shi, Z.-Z.Chen,

282. B.Xiao // Diamond and Related Materials. 2007. Vol.16, iss.3. P.654-657.

283. Nakashima S., Harima H. Raman Investigation of SiC Polytypes // Phys.Stat.Solidi(a). 1997. Vol.162, iss.l. P.39-64.

284. Controllable 6H-SiC to 4H-SiC polytype transformation during PVT growth / E.Y.Tupitsyn, A.Arulchakkaravarthi, R.V.Drachev, T.S.Sudarshan // J.Crys.Growth. 2007. Vol.299, iss.l. P.70-76.

285. Controlled sublimation growth of single crystalline 4H-SiC and 6H-SiC and identification of polytypes by X-ray diffraction / M.Kanaya, J.Takahashi, Yu.Fujiwara, A.Moritani // Appl.Phys.Lett. 1991. Vol.58, iss.l. P.56-58.

286. Polytype stability in seeded sublimation growth of 4H-SiC boules / R.Yakimova, M.Syvajarvi, T.Iakimov, H.Jacobson, R.Raback, A.Vehanen, E.Janzen // J.Crys.Growth. 2000. Vol.217, iss.3. P.255-262.

287. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. Progress in controlling the growth of polytypic crystals // Progr.Crystal Growth Charact. 1983. Vol.4, iss.1^1. P.l 11-162.

288. Fissel A. Thermodynamic considerations of the epitaxial growth of SiC polytypes // J.Crys.Growth. 2000. Vol.212, iss.l. P.438-450.

289. Polytype stability and defects in differently doped bulk SiC / E.Schmitt, T.Straubinger, M.Rasp, M.Vogel, A.Wohlfart // J.Crys.Growth. 2008. Vol.310, iss.5. P.966-970.

290. Yakimova R., Syvajarvi M., Janzen E. Wetting Properties and Interfacial Energies in Liquid Phase Growth of a-SiC // Mater.Sci.Forum. 1998. Vol.264-268. P.159-162.

291. Matsunami H., Kimoto T. Step-controlled epitaxial growth of SiC: High quality homoepitaxy // Mater.Sci.Eng. R. 1997. Vol.20, iss.3. P.125-166.

292. Extended study of the step-bunching mechanism during the homoepitaxial growth of SiC / M.Camarda, A.La Magna, A.Severino, F.La Via // Thin Solid Films. 2010. Vol.518, iss.6. P.S159-S161.

293. Kimoto T., Itoh A., Matsunami H. Step bunching in chemical vapor deposition of 6H-and 4H-SiC on vicinal SiC(0001) faces // J.Appl.Phys. 1995. Vol.66, iss.26. P.3645-3647.

294. Step formation on hydrogen-etched 6H-SiC{0 0 0 1} surfaces / S.Nie, C.D.Lee, R.M.Feenstra, Y.Ke, R.P.Devaty, W.J.Choyke, C.K.Inoki, T.S.Kuan, G.Gu // Surf.Sci. 2008. Vol.602, iss.l7. P.2936-2942.

295. Step bunching mechanism in chemical vapor deposition of 6H- and 4H-SiC{0001} / T.Kimoto, A.Itoh, H.Matsunami, T.Okano // J.Appl.Phys. 1997. Vol.81, iss.8. P.3494-3501.

296. Ehrlich G., Hudda F.G. Atomic View of Surface Self□ Diffusion: Tungsten on Tungsten //J.Chem.Phys. 1966. Vol.44, iss.3. P.1039-1049.

297. Schwoebel R.L., Shipsey E.J. Step Motion on Crystal Surfaces // J.Appl.Phys. 1966. Vol.37, iss.10. P.3682-3686.

298. Evolution of macrosteps on 6H-SiC(0001): Impurity-induced morphological instability of step trains / N.Ohtani, M.Katsuno, J.Takahashi, H.Yashiro, M.Kanaya // Phys.Rev. B. 1999. Vol.59, iss.7. P.4592-4595.

299. Study of 4H- and 6H-SiC films grown on off-oriented (0 0 0 1) SiC substrates / V.Papaioannou, J.Stoemenos, L. Di Cioccio, D.David, C.Pudda // J.Crys.Growth. 1998. Vol.194, iss.3-4. P.342-352.

300. Vicinal and on-axis surfaces of 6H-SiC(0001) thin films observed by scanning tunneling microscopy / S.Tanaka, R.S.Kern, R.F.Davis, J.F.Wendelken, J.Xu // Surf.Sci. 1996. Vol.350, iss.1-3. P.247-253.

301. Heine V., Cheng C., Needs R.J. The Preference of Silicon Carbide for Growth in the Metastable Cubic Form // J.Amer.Ceram.Soc. 1991. Vol.74, iss.10. P.2630-2633.

302. Terrace growth and polytype development in epitaxial p-SiC films on a-SiC (6H and 15R) substrates / F.R.Chien, S.R.Nutt, W.S.Yoo, T.Kimoto, H.Matsunami // J.Mater.Res. 1994. Vol.9, iss.4. P.940-954.

303. Stout P.J. Modeling surface kinetics and morphology during 3C, 2H, 4H, and 6H-SiC (111) step-flow growth//J. Vac.Sci.Technol. A. 1998. Vol.16, iss.6. P.3314-3327.

304. Frisch T., Verga A. Kinetic Step Bunching Instability during Surface Growth // Phys.Rev.Lett. 2005. Vol.94, iss.22. 226102, 4 p.

305. Heuell P., Kulakov M.A., Bullemer B. Stepped morphology on 4H and 15R silicon carbide: modelling by a random walk // Surf.Sci. 1995. Vol.331-333, pt.B. P.965-970.

306. Borovikov V., Zangwill A. Step bunching of vicinal 6H-SiC{0001} surfaces // Phys.Rev. B. 2009. Vol.79, iss.24. 245413, 9 p.

307. Surface-induced stacking transition at SiC(0001) / M.C.Righi, C.A.Pignedoli, G.Borghi, R.Di Felica, C.M.Bertoni, A.Catellani // Phys.Rev. B. 2002. Vol.66, iss.4. 045320, 7 p.

308. Pechman R.J., Wang X.-S., Weaver J.H. Interactions of Br with Si(lll)-7x7: Chemisorption, step retreat, and terrace etching // Phys.Rev. B. 1995. Vol.52, iss.15. P.11412-11423.

309. Preparation of atomically flat surfaces on silicon carbide using hydrogen etching / V.Ramachandran, M.F.Brady, A.R.Smith, R.M.Feenstra, D.W.Greve // J.Electron.Mater. 1998. Vol.27, N4. P.308-312.

310. Observation of polytype stability in different-impurities-doped 6H-SiC crystals / S.Lin, Z.Chen, X.Feng, Y.Yang, L.Li, Z.Wang, P.Pan, J.Wan, H.Wang, Y.Ba, Y.Ma, Q.Li // Diamond and Related Materials. 2011. Vol.20, iss.4. P.516-519.

311. Site-Competition Epitaxy for Controlled Doping of CVD Silicon Carbide / D.J.Larkin, P.G.Neudeck, J.A.Powell, L.G.Matus // Inst.Phys.Conf.Ser. 1994. Vol.137. P.51-54.

312. Tennenhouse G.J., Mangels J.A. The interaction of nitrogen with carbon in furnaces operating at high pressures and temperatures // J.Mater.Sci.Lett. 1982. Vol.1, N7. P.282-284.

313. On the Early Stages of Sublimation Growth of 4H-SiC Using 8° Off-Oriented Substrates / D.Schulz, M.Lechner, H.-J,Rost, D.Siche, J.Wollweber // Mater.Sci.Forum. 2003. Vol.433-436. P. 17-20.

314. Influence of nitrogen doping on the properties of 4H-SiC single crystals grown by physical vapor transport / H.-J.Rost, J.Doerschel, K.Irmscher, D.Schulz, D.Siche // J.Crys.Growth. 2003. Vol.257, iss.1-2. P.75-83.

315. Polytype stability in nitrogen-doped PVT—grown 2"—4H-SiC crystals / H.-J.Rost, J.Doerschel, K.Irmscher, M.Rossberg, D.Schulz, D.Siche // J.Crys.Growth. 2005. Vol.275, iss.1-2. P.e451-e454.

316. Domain formation during syntaxy of polytypes of silicon carbide / D.D.Avrov, S.I.Dorozhkin, A.O.Lebedev, Yu.M.Tairov // Semiconductors. 2007. Vol.41, iss.12. P.1389-1393.

317. Micropipes and polytypism as a source of lateral inhomogeneities in SiC substrates / S.G.Muller, R.Eckstein, D.Hofmann, E.Schmitt, W.Schoierer, A.Winnacker, W.Dorsch, H.P.Strunk // Mater. Science and Engineer. B. 1997. Vol.44, iss.1-3. P.392-394.

318. Growth of Micropipe-Free Single Crystal Silicon Carbide (SiC) Ingots Via Physical Vapor Transport (PVT) / C.Basceri, I.Khlebnikov, Y.Khlebnikov, P.Muzykov, M.Sharma, G.Stratiy, M.Silan and C.Balkas // Mater.Sci.Forum. 2006. Vol.527-529. P.39-42.

319. Controlled Growth of Bulk 15R-SiC Single Crystals by the Modified Lely Method / N.Shulze, D.Barrett, M.Weidner, G.Pensl // Mater.Sci.Forum. 2000. Vol.338-342. P.l 11-114.

320. Crystal Growth of 15R-SiC and Various Polytype Substrates / T.Nishiguchi, T.Shimizu, M.Sasaki, S.Nishino // Mater.Sci.Forum. 2001. Vol.353-356. P.69-72.

321. Polytype Control in 6H-SiC Grown via Sublimation Method / X.Li, S.Jiang, X.Hu, J.Dong, J.Li, X.Chen, L.Wang, X.Xu, M.Jiang // Mater.Sci.Forum. 2006. Vol.527-529. P.95-98.

322. Study of SiC polytype heterojunctions / E.E.Eshun, M.G.Spencer, J.Griffin, P.Zhou, G.L.Harris // Mater.Sci.Eng. B. 2003. Vol.98, iss.l. P.65-69.

323. Lebedev A.A. Heteroj unctions and superlattices based on silicon carbide // Semicond.Sci.Technol. 2006. Vol.21, N6. P.R17-R34.

324. Grasza K., Tymicki E. Application of 6H to 4H Polytype Conversion to Effective Reduction of Micropipes in 4H SiC Crystals // Mater.Sci.Forum. 2007. Vol.600-603. P.31-34.

325. Bakin A.S., Dorozhkin S.I. State- of-the-art in Defect Control of Bulk SiC // Proc.1998 High Temperature Electronic Materials, Devices and Sensors Conference(San Diego, USA). 1998. P.2-13.

326. Investigation on small growth pits in 4H silicon carbide epilayers / X.Ma, H.Chang, Q.Zhang, T.Sudarshan // J.Crystal Growth. 2005. Vol.279, iss.3^. P.425-^32.

327. Crystallographic defects under device-killing surface faults in a homoepitaxially grown film of SiC / T.Okada, T.Kimoto, K.Yamai, H.Matsunami, F.Inoko // Mater.Sci.Eng. A. 2003. Vol.361, iss.1-2. P.67-74.

328. Photoluminescence and Electroluminescence Imaging of Carrot Defect in 4H-SiC Epitaxy / K.X.Liu, R.E.Stahlbush, M.E.Twigg, J.D.Caldwell, E.R.Glazer, K.D.Hobart, F.J.Kub // J.Electron.Mater. 2007. Vol.36, N4. P. 297-306.

329. Kimoto T., Miyamoto N., Matsunami H. Performance limiting surface defects in SiC epitaxial p-n junction diodes // IEEE Trans.Electron.Devices. 1999. Vol.46, iss.3. P.471^177.

330. Characterization of the carrot defect in 4H-SiC epitaxial layers / J.Hassan, A.Henry, P.J.McNally, J.P.Bergman // J.Crystal Growth. 2010. Vol.312, iss.l 1. P. 1828-1837.

331. Structure of the carrot defect in 4H-SiC epitaxial layers / M.Benamara, X.Zhang, M.Skowronski, P.Ruterana, G.Nouet, J.J.Sumakeris, M.J.Paisley, M.J.O'Loughlin // Appl.Phys.Lett. 2005. Vol.86, iss.2. 021905, 3 p.

332. Cross-sectional structure of carrot defects in 4H-SiC epilayers / X.Zhang, S.Ha, M.Benamara, M.Skowronski, M.J.O'Loughlin, J.J.Sumakeris // Appl.Phys.Lett. 2004. Vol.85, iss.22. P.5209-5211.

333. O'Loughlin M.J., Sumakeris S.S. Reduction of carrot defects in silicon carbide epitaxy // US Patent 7,230,274 B2 (2007).

334. Das H., Melnychuk G., Koshka Y. Triangular defects in the low-temperature halo-carbon homoepitaxial growth of 4H-SiC // J.Crystal Growth. 2010. Vol.312, iss.12-13. P.1912-1919.

335. Low-temperature homoepitaxial growth of 4H-SiC with CH3C1 and SiC14 precursors / S.Kotamraju, B.Krishnan, G.Melnychuk, Y.Koshka//J.Crystal Growth. 2010. Vol.312, iss.5. P.645-650.

336. Investigations of 3C-SiC inclusions in 4H-SiC epilayers on 4H-SiC single crystals / W.Si, M.Dudley, H.S.Kong, J.Sumakeris, C.Carter // J.Electron.Mater. 1997. Vol.26, N3. P.151-159.

337. Study of triangular defects and inverted pyramids in 4H-SiC 4° off-cut (0 0 0 1) Si face epilayers / A.Shrivastava, P.Muzykov, J.D.Caldwell, T.S.Sudarshan // J.Crystal Growth. 2008. Vol.310, iss.20. P.4443—4450.

338. Berechman R.A., Skowronski M., Zhang Q. Electrical and structural investigation of triangular defects in 4H-SiC junction barrier Schottky devices // J.Appl.Phys. 2009. Vol.105, iss.7. 074513, 7 p.

339. Epitaxial Growth of High-Quality 4H-SiC Carbon-Face by Low-Pressure Hot-Wall Chemical Vapor Deposition / K.Kojima, T.Suzuki, S.Kuroda, J.Nishio, K.Arai // Jap.J.Appl.Phys. 2003. Vol.42, Part 2, N6B. P.L637-L639.

340. Miyanagi Т., Nishino S. Hot-Wall CVD Growth of 4H-SiC Using Si2Cl6+C3H8+H2 System // Mater.Sci.Forum. 2001. Vol.389-393. P.199-202.

341. Kimoto Т., Matsunami H. Surface kinetics of adatoms in vapor phase epitaxial growth of SiC on 6H-SiC{0001} vicinal surfaces // J.Appl.Phys. 1994. Vol.75, iss.2. P.850-859.

342. The origin of 3C polytype inclusions in epitaxial layers of silicon carbide grown by chemical vapour deposition / C.Hallin, A.O.Konstantinov, B.Pecz, O.Kordina, E.Janzen // Diamond and Related Materials. 1997. Vol.6, iss.10. P. 1297-1300.

343. Kelly J. F., Fisher G. R., Barnes P. Correlation between layer thickness and periodicity of long polytypes in silicon carbide // Mater.Res.Bull. 2005. Vol.40, iss.2. P.249-255.

344. Гасилова E. Б. Исследование кристаллов карбида кремния полихроматическим методом // Труды института кристаллографии. 1956. Вып. 12. С.41-58.

345. Рост слитков карбида кремния политипа 4Н на затравках с плоскостью (10-10) / Д.Д.Авров, А.В.Булатов, С.И.Дорожкин, А.О.Лебедев, Ю.М.Таиров // ФТП. 2008. Т.42, вып.12. С.1483-1487.

346. Об оптимизации структурного совершенства слитков карбида кремния политипа 4Н / Д. Д. Авров, С. И. Дорожкин, А. О. Лебедев, Ю. М. Таиров, А. С. Трегубова, А. Ю. Фадеев // ФТП. 2009. Т.43, №9. С. 1288-1294.

347. Anisotropy of dissolution and defect revealing on SiC surfaces / M.Syvajarvi, R.Yakimova, A.-L.Hylen, E.Janzen//J.Phys.: Condens.Matter. 1999. Vol.11. 10041.

348. An analysis of seed graphitization for sublimation growth of SiC bulk crystal / H.Li, X.L.Chen, D.Q.Ni, X.Wu // Diamond and Related Materials. 2004. Vol.13, iss.l. P.151-156.

349. Effects of graphitization degree of crucible on SiC single crystal growth process / J.Liu, J.Gao, J.Cheng, J.Yang, G.Qiao // Diamond and Related Materials. 2006. Vol.15, iss.l. P. 117-120.

350. Investigation of mass transport during PVT growth of SiC by 13C labeling of source material / Z.H.Herro, P.J.Wellmann, R.Pusche, M.Hundhausen, L.Ley, M.Maier, P.Masri, A.Winnacker // J.Crystal Growth. 2003. Vol.258, iss.3-4. P.261-267.

351. M.M.Anikin, R.Madar, A.Rouault, I.Garcon, L. Di Cioccio, J.L.Robert, J.Camassel, J.M.Bluet // InstPhys.Conf.Series: Silicon Carbide and Related Materials 1995. 1996. Vol.142. P.33-36.

352. Karpov S.Yu., Makarov Yu.N., Ramm M.S. Simulation of Sublimation Growth of SiC Single Crystals // Phys.Stat.Sol. B. 1997. Vol.202, iss.l. P.201-220.

353. Use of Ta-Container for Sublimation Growth and Doping of SiC Bulk Crystals and Epitaxial Layers / Yu.A.Vodakov, A.D.Roenkov, M.G.Ramm, E.N.Mokhov, Yu.N.Makarov // Phys.Stat.Solidi B. 1997. Vol.202, iss.l. P. 177-200.

354. Варгафтик Н.Б. Справочник по теплофизическим свойствам газов и жидкостей, М.: Наука, 1972.

355. Integrated process modeling and experimental validation of silicon carbide sublimation growth/ R.-H.Ma, H.Zhang, S.Ha, M.Skowronski // J.Crystal Growth. 2003. Vol.252, iss.4. P.523-537.

356. Франк-Каменецкий Д.А. Диффузия и теплопередача в химической кинетике, М.: Наука, 1987.

357. Thermophoresis of particles in a heated boundary layer // L.Talbot, R.K.Cheng, R.W.Schefer, D.R.Willis // J.Fluid Mech. 1980. Vol.101, N4. P.737-758.

358. Грошковский Я. Техника высокого вакуума. M.: Мир, 1975.

359. Nakamura D. Reduction of Dislocations in the Bulk Growth of SiC Crystals // Materials Science Forum. 2006. Vol.527-529. P.3-8.

360. Growth and Characterization of High-Quality 6H-SiC (0115) Bulk Crystals / O.Filip, B.M.Epelbaum, M.Bickermann, A.Winnacker // Material Science Forum. 2007. Vol.556-557. P.l7-20.

361. Defect formation in silicon carbide large-scale ingots grown by sublimation technique / D.D.Avrov, A.V.Bulatov, S.I.Dorozhkin, A.O.Lebedev, Yu.M.Tairov // J.Cryst.Growth. 2005. Vol.275, iss.l—2. P.e485-e489.

362. Lele S., Prasad В., Anantharaman T.R. X-ray diffraction from double hexagonal close-packed crystals with deformation stacking fault // Acta Cryst.A. 1969. Vol.25. P.471-475.

363. Kasper J.S., Lonsdale K., ed. International Tables for X-Ray Crystallography, Vol.2: Mathematical Tables. Birmingham: The Kynoch Press, 1952.

364. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. General principles of growing large-size single crystals of various silicon carbide polytypes // J.Crystal Growth. 1981. Vol.52, Part 1. P. 146-150.

365. Method for growing single crystal silicon carbide / Yu.A.Vodakov, E.N.Mokhov, M.G.Ramm, A.D.Roenkov, Yu.N.Makarov, S.Yu.Karpov, M.S.Ramm, L.I.Temkin // US20020083890 (2002).

366. Niobium crucible fabrication and treatment / Yu.A.Vodakov, E.N.Mokhov, M.G.Ramm, A.D.Roenkov, Yu.N.Makarov, S.Yu.Karpov, M.S.Ramm, L.I.Temkin // US20020059902 (2002).

367. О включениях углерода при выращивании слитков карбида кремния модифицированным методом Лэли / Д.Д.Авров, С.И.Дорожкин, Ю.М.Таиров, А.Ю.Фадеев, А.О.Лебедев // Известия вузов. Электроника. 2008. N2. С.23-31.

368. ГОСТ 2409-95. Огнеупоры. Метод определения кажущейся плотности, открытой и общей пористости, водопоглощения.

369. Грег С., Синг К. Адсорбция. Удельная поверхность. Пористость, М.: Мир, 1970.

370. Абрамович Б.Г., Гольдштейн В.Л. Интенсификация теплообмена излучением с помощью покрытий, М.: Энергия, 1977.

371. Stability Criteria for 4H-SiC Bulk Growth / T.L.Straubinger, M.Bickermann, D.Hofmann, R.Weingartner, P.J.Wellmann, A.Winnacker // Mater.Sci.Forum. 2001. Vol.353-356. P.25-28.

372. Silicon carbide single crystal ingot, producing method thereof and method for mounting seed crystal for growing silicon carbide single crystal /N. Otani, M. Katsuno, T.Fujimoto, T. Aigo, H. Yashiro // Patent JP2002308697 (2002).

373. Method of and device for producing silicon carbide single crystal / Нага K., Futatsuyama K., Onda S., Hirose F., Oguri H„ Sugiyama N. // Patent JP 2001114598 (A) (2001).

374. Production of silicon carbide single crystals / Y. Kito, К. Нага, T. Hanazawa, N. Kamiya // Patent JP11268994 (A) (1999).

375. One hundred millimeter single crystal silicon carbide wafer / H.M.Hobgood, J.R.Jenny, D.P.Malta, V.F. Tsvetkoff, C.H.Carter, R.T.Leonard, G.J.Fechko // Patent US 7,323,051 (2008).

376. Способ получения монокристаллического SiC / Д.Д.Авров, С.И.Дорожкин, А.О.Лебедев, Ю.М.Таиров // Патент РФ 2433213 (2010).

377. Hidemi О., Fusao H. Apparatus and method for producing silicon carbide single crystal // Patent JP 2000264795 (2000).

378. Tsvetkov V.F., Malta D.P. Method and apparatus for the production of silicon carbide crystals //Patent W02006124103 (2006).

379. Kondo H., Matsui M., Hirose F. Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal // Patent JP2007320794 (2007).

380. Graphite crucible for growing silicon carbide single crystal and apparatus for producing silicon carbide single crystal / H.Tsuge, N.Otani, M.Katsuno, T.Fujimoto, M.Nakabayashi // Patent JP2008115033 (2008).

381. Davis R.F., Carter C.H., Hunter C.E. Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide // Patent US4866005 (1989).

382. Способ получения монокристаллического SiC / Д.Д.Авров, С.И.Дорожкин, А.О.Лебедев, В.В.Лучинин, О.В.Посредник, Ю.М.Таиров, А.Ю.Фадеев // Патент РФ 2405071 (2009).

383. Ab initio study of the physical properties of binary SimCn (m+n<5) nanoclusters / P.S.Yadav, R.K.Yadav, S.Agrawal, B.K.Agrawal // J.Phys.: Condens.Matter. 2006. Vol.18, iss.31. 7085.

384. Ab Initio Studies of the Surface Reaction of Si2C and SiC2 with Si on the 4H-SiC (0001) Surface / H.Yamaguchi, Y.Sakiyama, E.Makino, S.Onda, Y.Matsumoto // Mater.Sci.Forum. 2006. Vol.527-529. P.235-238.

385. Jepps N.W., Page T.F. 9R-HREM observations of a new silicon carbide polytype // J.Amer.Ceram.Soc. 1980. Vol.63, iss.1-2. P.102-103.

386. Jepps N.W., Smith D.J., Page T.F. The direct identification of stacking sequences in silicon carbide polytypes by high-resolution electron microscopy // Acta Crystallogr. A. 1979. Vol.35, part 6. P.916-923.

387. Кабанов B.A., Зубов В.П., Семчиков Ю.Д. Комплексно-радикальная полимеризация, М.: Химия, 1987.

388. The (OOOl)-surface of 6H-SiC: morphology, composition and structure / U.Starke, Ch.Bram, P.-R.Steiner, W.Hartner, L.Hammer, K.Heinz, K.Muller // Appl.Surf.Sci. 1995. Vol.89, iss.2. P.175-185.

389. Глушко В.П., ред. Термодинамические свойства индивидуальных веществ, в 4х томах, М.: Наука, 1978.