Модифицирование дефектной структуры полупроводников низкоэнергетическими воздействиями тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Мынбаев, Карим Джафарович

• Мынбаев, Карим Джафарович
• доктор физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Мынбаев, Карим Джафарович

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1 Исследование дефектной структуры твердых растворов

Сс^ЩьдТе, легированных индием

§1.1 Легирование СсУ^.Де индием

§1.1.1 Эффективность легирования Сс1х

§1хТе индием

§1.1.2 Диффузионные процессы и растворимость индия

§ 1.2 Методика экспериментов

§1.2.1 Общая характеристика экспериментальных образцов

§1.2.2 Проведение отжигов

§1.2.3 Диффузионное легирование

§1.2.4 Анализ содержания индия

§1.2.5 Измерения электрических свойств

§1.3 Экспериментальные результаты и их обсуждение

§1.3.1 Диффузионное легирование СсУ^ .Де индием

§1.3.2 Модель изменения дефектной структуры СсЦНцьДе при легировании индием

§1.3.3 Профиль распределения индия

§ 1.3.4 Диффузия индия в эпитаксиальных слоях СсЦ^.Де

§1.3.5 Электрические свойства СсЦ^-Де, подвергнутого диффузионному легированию

§1.3.6 Дефектообразование в эпитаксиальных слоях СсУН^.Де при сильном легировании индием

§1.4 Выводы по главе

Глава 2 Модифицирование дефектной структуры вакансионно-легированного СсУ^-Де низкоэнергетической ионной обработкой

§2.1 Литературный обзор

§2.1.1 Конверсия типа проводимости при ионно-лучевом травлении СсУ^.Де

§2.1.2 Конверсия типа проводимости при плазменном травлении

С4Нё1.хТе

§2.1.3 Свойства подвергнутого низкоэнергетической ионной обработке

CdxHg,.xTe

§2.1.4 Механизмы конверсии типа проводимости при низкоэнергетической ионной обработке CdxHgixTe

§2.2 Методика экспериментов

§2.3 Экспериментальные результаты по низкоэнергетической ионной обработке эпитаксиальных слоев CdxHgi.xTe

§2.3.1 Эффект конверсии типа проводимости

§2.3.2 Электрические свойства эпитаксиальных слоев CdxHgi.xTe, подвергнутых низкоэнергетической ионной обработке

§2.3.3 Зависимость глубины конверсии от состава твердого раствора

§2.3.4 Низкоэнергетическая ионная обработка твердых растворов

CdHgZnTe и CdHgMnTe

§2.3.5 Плазменное травление твердых растворов CdxHgi-xTe

§2.4 Простая диффузионная модель конверсии типа проводимости и ее развитие

§2.5 Модель конверсии типа проводимости при низкоэнергетической ионной обработке CdxHgixTe

§2.5.1 Модель формирования диффузионного источника ртути

§2.5.2 Глубина конверсии

§2.5.3 Глубина конверсии в однородном по составу CdxHgi.xTe

§2.5.4 Особенности конверсии в эпитаксиальных структурах с широкозонным защитным слоем

§2.5.5 Влияние на глубину конверсии верхнего «+-слоя

§2.6 Концентрация электронов в конвертированных слоях

§2.7 Свойствар-п переходов, сформированных низкоэнергетической ионной обработкой в CdxHgi.xTe

§2.8 Выводы по главе

Глава 3 Низкоэнергетическая ионная обработка твердых растворов CdxHgi.xTe, легированных акцепторными примесями

§3.1 Легирование CdxHgixTe акцепторными примесями

§3.1.1 Легирование CdxHgixTe примесями I группы

§3.1.2 Легирование CdxHgi-xTe примесями V группы

§3.2 Низкоэнергетическая ионная обработка твердых растворов

CdxHgi„xTe, легированных акцепторными примесями

§3.3 Экспериментальные результаты по обработке CdxHgi.xTe, легированного акцепторными примесями, и их обсуждение

§3.3.1 Обработка монокристаллов Cd^Hgi^Te, легированных примесями I группы

§3.3.2 Обработка эпитаксиальных слоев CdxHgi.xTe, легированных примесями V группы

§3.4 Низкоэнергетическая ионная обработка легированных As эпитаксиальных структур CdxHgixTe, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией

3.4.1 Фотолюминесцентное исследование влияния отжигов на структуру слоев CdxHgi.xTe, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией

§3.4.2 Результаты обработки легированных As структур CdxHgi-Де

§3.5 Заключительные замечания по низкоэнергетической ионной обработке твердых растворов Cd^Hgi^Te

§3.6 Выводы по главе

Глава 4 Вакансионный механизм образования пор в широкозонных полупроводниках

§4.1 Пористые широкозонные полупроводники

§4.2 Методика экспериментов

§4.2.1 Получение пористого SiC и GaN

§4.2.2 Исследование пористого SiC и пористых структур GaN/SiC

§4.3 Экспериментальные результаты и их обсуждение

§4.3.1 Получение пористого карбида кремния

§4.3.2 Образование различных типов структур стехиометрического пористого карбида кремния

§4.4 Вакансионная модель образования пор в карбиде кремния

§4.5 Выводы по главе

Глава 5 Низкотемпературное диффузионное легирование карбида кремния

§5.1 Диффузия примесей в карбиде кремния

§5.2 Исследование поведения структуры пористого карбида кремния при отжигах

§5.3 Низкотемпературная диффузия ванадия в пористый карбид кремния

§5.4 Низкотемпературное диффузионное легирование пористого SiC кремнием

§5.5 Диффузия магния при автолегировании эпитаксиальных слоев

GaN, выращиваемых на подложках пористого SiC

§5.6 Высокотемпературная диффузия в пористом карбиде кремния

§5.7 Выводы по главе

Глава 6 Самоорганизация дефектной структуры под воздействием напряжений в гетероструктурах GaN/SiC с пористыми слоями

§6.1 Самоорганизация дефектной структуры под воздействием остаточных напряжений в анодизируемых гетероструктурах GaN/SiC

§6.1.1 Пористые гетероструктуры GaN/SiC

§6.1.2 Методика экспериментов

§6.1.3 Экспериментальные результаты и их обсуждение

§6.2 Фотопроводимость в пористых структурах GaN/SiC

§6.3 Самоорганизация дефектной структуры под воздействием напряжений несоответствия при выращивании эпитаксиальных слоев

GaN на подложках пористого SiC

§6.3.1 Выращивание эпитаксиальных слоев GaN на подложках пористого карбида кремния

§6.3.2 Структурные изменения в пористом SiC

§6.3.3 Дефектная структура слоев GaN, выращенных на подложках пористого SiC

§6.3.4 Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках пористого карбида кремния

§6.3.5 Электролюминесценция двойных гетероструктур

AlGaN/GaN, выращенных на подложках пористого карбида кремния

§6.4 Выводы по главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Модифицирование дефектной структуры полупроводников низкоэнергетическими воздействиями»

Актуальность темы

Создание материалов и структур с заданными свойствами является общей задачей материаловедения и, в частности, материаловедения полупроводников. Современные полупроводниковые технологии базируются на точных методах управления концентрациями дефектов и состояниями примесных атомов. Представляется, что новыми методами управления дефектами в полупроводниках должны стать низкоэнергетические методы, то есть методы, позволяющие получать желаемые свойства материала с существенно меньшими энергетическими затратами, чем те, что используются в сегодняшней технологии. При этом под низкой энергией следует понимать энергию воздействия в широком смысле слова, — будь то энергия частиц, используемых для радиационной обработки материала, или тепловая энергия, используемая для отжига собственных дефектов или диффузии примесей. Настоящая работа посвящена разработке физических основ модифицирования низкоэнергетическими воздействиями дефектной структуры двух классов полупроводниковых материалов, существенно различающихся по своим свойствам. К первому из них относятся узкозонные ртутьсодержащие полупроводники. Слабые химические связи в этих материалах определяют высокую концентрацию электрически активных собственных дефектов, существенно изменяющуюся даже при небольшом внешнем воздействии на кристалл. Для другого класса материалов, — широкозонных полупроводников, — наоборот, характерна чрезвычайно сильная химическая связь между атомами, что существенно ограничивает возможности управления электрофизическими свойствами этих материалов и, в частности, легирования.

Существующие точные методы управления дефектно-примесной структурой, часто называемые методами инженерии дефектов, в настоящее время хорошо развиты для кремния, остающегося основным материалом современной промышленной электроники. Быстрое развитие технологии других полупроводниковых материалов требует разработки аналогичного подхода и для них. Очевидно, что методы управления дефектной структурой, разработанные для кремния, не всегда применимы для других полупроводников. Так, энергия, передаваемая ртутьсодержащим узкозонным полупроводникам, обладающим низким порогом образования собственных дефектов, при использовании, например, ионной имплантации, часто оказывается избыточной в том смысле, что вызывает генерацию большого числа нежелательных точечных и протяженных дефектов, влияние которых на свойства кристалла маскирует «чистый» эффект легирования. В широкозонных полупроводниках, в свою очередь, процессы генерации дефектов, создания направленных потоков дефектов и примесей, а также стимулирование реакций в дефектно-примесной системе требуют «аномально» высоких, с точки зрения существующей промышленной технологии, энергий; в этом случае вероятно возникновение нежелательных побочных эффектов. Так, например, для БЮ и ваН диффузионное легирование или отжиг дефектов, в том числе, радиационных, обычно требуют применения столь высоких температур обработки (тепловой энергии), что при их использовании наблюдаются серьезные нарушения стехиометрии и десорбция примесей. В связи с этим разработка нового подхода к управлению дефектной структурой как узкозонных, так и широкозонных полупроводников, а именно, подхода, который позволил бы добиться получения требуемых свойств материалов при минимальных энергетических затратах, минимизировав побочные эффекты, является актуальной задачей.

Целью настоящей работы являлась разработка методов направленного модифицирования дефектной структуры ртутьсодержащих узкозонных, а также широкозонных (8Ю, ОаЫ) полупроводников низкоэнергетическими воздействиями, — для управления свойствами этих материалов, и построение моделей физических процессов, описывающих изменение этих свойств.

Оба класса полупроводниковых материалов в настоящее время находят широкое применение в технике. Первый из них, и, прежде всего, твердые растворы теллуридов кадмия-ртути, сохраняет свое положение одного из основных материалов инфракрасной (ИК) оптоэлектроники [1-3]. Соединения Ь^Те-СёТе образуют непрерывный ряд твердых растворов с шириной запрещенной зоны от -0.3 до 1.6 эВ. Это делает возможным не только изготовление на основе одного материала фотоприемников, перекрывающих спектральный диапазон от 1 до 14 мкм, но и формирование на одном полупроводниковом кристалле, за счет изменения состава, многоцветных ИК-детекторов. Уникальные физические свойства теллуридов кадмия-ртути, — малая эффективная масса носителей и низкая диэлектрическая проницаемость, — обеспечивают высокое быстродействие приемников излучения, создаваемых на этих материалах.

Широкозонные полупроводники, и, в частности, карбид кремния, перспективны для создания приборов силовой и высокочастотной полупроводниковой электроники. Значительные успехи в технологии карбида кремния позволили в последние десятилетия реализовать на основе этого материала многие типы полупроводниковых приборов, включая интегральные схемы [4-6]. Нитриды III группы, и, в частности, нитрид галлия, являются одними из самых востребованных материалов современной электроники и оптоэлектроники, и технология этих материалов развивается стремительными темпами [6,7].

Объектами исследования в настоящей работе являлись объемные монокристаллы и эпитаксиальные слои указанных полупроводниковых материалов, а также гетероструктуры на их основе. В частности, исследовались монокристаллы твердых растворов СфН§/.Де, а также эпитаксиальные слои и гетероструктуры на основе слоев СсУ^/.хТе различного состава (мольной доли СсГГе) х. Исследования модифицирования дефектной структуры в широкозонных полупроводниках проводились с использованием монокристаллов и гомоэпитаксиальных слоев БЮ, а также гетероэпитаксиальных слоев ОаК и гетероструктур ОаЫ/АЮа1М, выращенных на подложках Б ¡С.

Научная новизна работы обусловлена предложенными в ней новыми методами управления дефектной структурой узкозонных и широкозонных полупроводников, разработанными на основе полученных в ходе выполнения работы представлений о поведении дефектно-примесной системы в этих материалах при внешних воздействиях. В работе предложен новый подход к управлению свойствами данных полупроводников, — путем использования низкоэнергетических воздействий. Для твердых растворов СсУ^/.Де примером такого подхода является обработка этих материалов низкоэнергетическими ионами; этот метод находится в полном соответствии с современными ростовыми и постростовыми технологиями полупроводниковых материалов. В ходе разработки этого подхода получен ряд новых результатов, например: Впервые проведено комплексное исследование зависимости глубины конверсии типа проводимости в вакансионно-легированных твердых растворах р-СсУ^у.дТе, подвергаемых низкоэнергетической ионной обработке, от параметров материала (состав твердого раствора, концентрация нескомпенсированных акцепторов) и условий обработки; предложен и развит диффузионный механизм конверсии.

Впервые подробно исследована конверсия типа проводимости в примесно-легированном Сс1хН§/.хТе, подвергнутом низкоэнергетической ионной обработке, и установлены механизмы конверсии для материала, легированного примесями замещения в подрешетках металла и халькогена.

Впервые проведено прямое сравнение свойств электронно-дырочных переходов, созданных в СсУ^/.Де ионной имплантацией и низкоэнергетической ионной обработкой, и показано преимущество последней.

В работе также развит новый подход к управлению дефектно-примесной структурой широкозонных полупроводников БЮ и Оа1Ч, — путем использования созданной в них пористой структуры. Данный подход позволяет существенно расширить возможности направленного изменения электрических свойств этих материалов, обычно трудно поддающихся легированию. Пористая структура в БЮ и ваМ может быть получена путем анодизации этих соединений; сама анодизация, с учетом используемых режимов (плотностей тока), также является, по сути, низкоэнергетическим воздействием. Путем дальнейших низкоэнергетических воздействий на материал с пористой структурой, — например, низкотемпературными отжигом и диффузией примесей, — оказывается возможным эффективно управлять электрическими свойствами материала. Другой пример применения подобной структуры — это использование эффекта «податливости» пористого полупроводника, позволяющей перераспределять упругую энергию между эпитаксиальным слоем и пористой подложкой в процессе выращивания напряженной гетероструктуры. В целом среди оригинальных результатов, полученных в ходе разработки низкоэнергетических методов модифицирования свойств широкозонных полупроводников, можно отметить:

Построение модели образования пористой структуры в широкозонных полупроводниках, подвергаемых анодизации.

Первое исследование поведения пористой структуры в широкозонных полупроводниках (морфология, химический состав) при внешних воздействиях (отжиг, облучение низкоэнергетическими частицами, механические напряжения, возникающие при гетероэпитаксиальном росте на пористой подложке).

Проведенное впервые сравнительное исследование низко- (-1000 °С) и высокотемпературной (-2000 °С) диффузии в пористом БЮ, и разработка подходов к получению заданных свойств материалов с пористой структурой при диффузионном легировании.

Получение экспериментальных свидетельств о «податливости» пористого слоя, сформированного в подложках 81С, и определение механизмов снижения плотности дислокаций в гетероэпитаксиальных слоях ОаМ, выращиваемых на таких подложках.

Практическая значимость работы определяется тем, что по ее результатам предложены оригинальные методы направленного модифицирования свойств узкозонных и широкозонных полупроводников, актуальные для разработки приборов оптоэлектроники инфракрасного (СсУ^/.Де) и видимого и ультрафиолетового (ОаЖАЮаМ) диапазона, а также силовой (БЮ) и высокочастотной (ОаИ/АЮаМ) электроники. Так, в результате работы определены параметры процесса низкоэнергетической ионной обработки, позволяющие получать этим методом р~п переходы с заданными геометрическими и электрофизическими параметрами для создания фотодиодов инфракрасного диапазона на основе СсУ^/.Де. Показано, что метод низкоэнергетической ионной обработки является перспективным для создания новой технологии ИК-фоторезисторов на основе этого материала. Разработана технология создания р~п переходов на основе СёхН§/хТе, позволяющая получать многоэлементные фотоприемники с обратными токами, меньшими, чем у аналогичных диодов, созданных методом ионной имплантации. Что касается широкозонных полупроводников, то в результате развитых в работе представлений о вакансионном механизме образования пор в БЮ впервые разработана технология получения пористого карбида кремния с заданной морфологией пористого слоя при сохранении политипа и стехиометрии исходного материала; полученный таким образом пористый материал перспективен для применения в существующей карбид-кремниевой технологии. Разработана технология получения полуизолирующих слоев карбида кремния путем диффузионного легирования пористых слоев ЭЮ ванадием и кремнием. Показано, что использование подложек пористого БЮ делает возможным проведение контролируемого автолегирования выращиваемых на них эпитаксиальных слоев Оа]\[. Разработана технология выращивания гетероэпитаксиальных слоев Оа1ЧГ с пониженной плотностью дислокаций и на основании исследований оптических свойств этих слоев и многослойных структур на их основе показана перспективность полученных слоев для создания приборов оптоэлектроники.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав и заключения, изложенных на 212 страницах, и включает также 117 рисунков, 20 таблиц и список литературы из 453 наименований. Общий объем диссертации составляет 368 страниц.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Мынбаев, Карим Джафарович

Основные результаты и выводы работы можно сформулировать следующим образом:

1. Проведено исследование поведения дефектно-примесной структуры твердых растворов Сс1хН§/хТе в широком диапазоне составов (0.2<х<0.6) и уровней

1 £ -I Л легирования (10 -10 см"). Впервые экспериментально установлено, что при легировании СсЦ^-Ле индием и встраивании его атомов в металлическую подрешетку происходит замещение не только атомов ртути, но и кадмия. Показано, что снижение степени электрической активности индия по мере увеличения его концентрации обусловлено взаимодействием атомов индия с системой точечных дефектов и носителей заряда, приводящим к компенсации примесных атомов собственными дефектами акцепторной природы (вакансиями), генерируемыми при легировании. Эффект генерации вакансий имеет следствием установление концентрационной зависимости коэффициента диффузии индия, мигрирующего по вакансионному механизму.

2. Установлено, что низкоэнергетическая ионная обработка вакансионно- и примесно-легированных монокристаллов и эпитаксиальных слоев Сс^Щ/.Де р-типа проводимости с дозами 1016—1018 см"2 вызывает эффект конверсии типа проводимости, обусловленный взаимодействием генерируемых при обработке собственных дефектов (межузельных атомов ртути) с дефектно-примесной системой кристалла. Глубина конверсии определяется параметрами обработки и исходного кристалла.

3. Показано, что в вакансионно-легированных твердых растворах ¿ь-СсЦ^-Де конверсия происходит за счет аннигиляции генерируемых при низкоэнергетичной ионной обработке межузельных атомов ртути с ее вакансиями. Такой же процесс аннигиляции имеет место и в образцах СсЦ^.хТе исходного и-типа проводимости; при этом уникальный характер возникающих условий взаимодействия дефектов позволяет получать материал с рекордно низкой степенью компенсации за счет практически полного залечивания компенсирующих собственных дефектов акцепторной природы (вакансий ртути), недостижимого в условиях отжига кристаллов в ее парах.

4. Установлено, что в примесно-легированном СсЬЩ/.Де конверсия типа проводимости низкоэнергетической ионной обработкой происходит за счет взаимодействия генерируемых межузельных атомов с атомами примеси.

Характер этого взаимодействия определяется положением примесного атома в решетке. Так, в кристаллах, легированных примесями V группы (Ав, БЬ), замещающими атомы халькогена, атомы межузельной ртути образуют с примесными атомами донорные комплексы типа Щ*'ХТе (X = Аэ или БЬ). В кристаллах, легированных примесями I группы (Аи, Ag), замещающими атомы металла, атомы межузельной ртути выталкивают примесные атомы в междоузлия, где они становятся донорами.

5. Показано, что электрические свойства примесно-легированных твердых растворов Ссу-^/хТе, конвертированных из р- в «-тип, нестабильны и релаксируют при комнатной температуре. Релаксация связана с перестройкой дефектно-примесной системы, происходящей в условиях прекращения пересыщения кристалла атомами межузельной ртути. Релаксация при комнатной температуре не приводит к ре-конверсии типа проводимости обратно в />-тип, однако такая ре-конверсия возможна при изохронном отжиге конвертированного материала, при этом механизмы релаксации при комнатной температуре и при изохронном отжиге могут отличаться.

6. Показано, что низкоэнергетическая ионная обработка твердых растворов СсЦ^.Де является эффективным инструментом исследования дефектно-примесной структуры материала за счет имеющего место в ходе обработки избирательного взаимодействия отдельных дефектов, происходящего в сильно неравновесных условиях (гигантском пересыщении кристалла атомами межузельной ртути). Так, с использованием низкоэнергетической ионной обработки отожженных кристаллов СсУ^-Де показано, что генерация вакансий, происходящая во время отжига этих кристаллов, сопровождается генерацией атомов антиструктурного теллура, выступающих в роли компенсирующих центров. В эпитаксиальных слоях СсЦ^/.Д"е, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, низкоэнергетической ионной обработкой выявлено наличие собственных дефектов, рожденных на стадии роста и/или постростового отжига, присутствие которых до обработки не проявляется.

7. Установлено, что в пористом карбиде кремния, изготовленном анодизацией БЮ в условиях, сохраняющих стехиометрию и монокристаллическую структуру исходного материала, первичной пористой структурой, формирующейся непосредственно вследствие анодизации, является нанопористая структура с диаметром каналов пор в несколько десятков нанометров. Образование этой структуры происходит по вакансионно-диффузионному механизму. Формирование других типов структуры (микропористой, смешанного типа, и т.п.) происходит вследствие огрубления первичной пористой структуры.

8. Продемонстрировано, что пористая структура в широкозонных полупроводниках является эффективной средой для низкотемпературной (Т=1000-1200 °С, что на 500-1000 °С ниже обычной температуры диффузионного легирования БЮ) диффузии примесей и собственных дефектов. Это позволяет путем управления концентрацией дефектов и примесей получать материал с заданными электрическими свойствами при меньших энергетических затратах. Так, легированием пористого БЮ ванадием и изменением стехиометрии при отжиге материала с нанесенной на поверхность пленкой оксида кремния получен материал с полуизолирующими свойствами (удельным сопротивлением до 1012 Ом-см). Кроме того, показано, что пористая структура подложки БЮ позволяет осуществлять эффективное автолегирование выращиваемого на ней эпитаксиального слоя ОаК.

9. Показано, что при анодизации напряженных гетероструктур ОаТ^/БЮ характер формирования пористой структуры и ее тип определяется уровнем и знаком остаточных напряжений гетероструктуры.

10. Обнаружено, что пористые ваШ^С структуры обладают выраженной фоточувствительностью в диапазоне длин волн 365-440 нм, обусловленной эффектом фотомодуляции проводимости и показано, что данный эффект вызван возникновением поверхностных состояний на гетерогранице.

11. Установлено, что трансформация пористой структуры карбида кремния, происходящая в процессе выращивания напряженных гетероструктур ОаМ/БЮ, позволяет эффективно понижать упругую энергию гетероструктуры. Это создает условия для реализации альтернативного, по сравнению с генерацией дислокаций несоответствия, механизма релаксации напряжений в растущем эпитаксиальном слое, и позволяет выращивать гетерослои нитрида галлия с пониженной плотностью проникающих дислокаций. В таких слоях наблюдается снижение концентрации центров безызлучательной

326 рекомбинации, а примеси и дефекты проявляют большую оптическую активность по сравнению со слоями, выращенными на непористой подложке.

Таким образом, в работе выполнены фундаментальные исследования, в ходе которых разработана концепция модифицирования дефектной структуры узкозонных ртутьсодержащих и широкозонных полупроводников при помощи низкоэнергетических воздействий. Следует ожидать, что предложенный подход может быть с успехом развит и для других полупроводниковых материалов.

В заключение автор считает приятным долгом выразить благодарность своему научному консультанту, д.ф.-м.н., профессору, заслуженному деятелю науки и техники РФ, заведующему лабораторией ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН Владимиру Ивановичу Иванову-Омскому, и своим коллегам и соавторам: по работам, посвященным исследованию свойств и развитию технологии узкощелевых полупроводников, — д.ф.-м.н. И.И. Ижнину (НПО «Карат», Украина) и д.ф.-м.н. В.В. Богобоящему, и по работам в области физики и технологии широкозонных полупроводников, — к.ф.-м.н. М.Г. Мынбаевой (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН).

Список работ, опубликованных по теме диссертации

• Богобоящий В.В., Ижнин И.И., Поцяск М., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Конверсия типа проводимости при ионном травлении узкощелевых монокристаллов HgCdTe, легированных Аи и Ag // ФТП. 2007. Т. 41. В. 7. С. 826-831.

• Иванов-Омский В.И., Баженов H.JL, Мынбаев К.Д., Смирнов В.А., Варавин B.C., Бабенко А.А., Икусов Д.Г., Сидоров Г.Ю. Фотолюминесценция в области длин волн 1.5-1.8 мкм пленок HgCdTe, полученных молекулярно-пучковой эпитаксией // ПисьмаЖТФ. 2007. Т. 33. В. И. С. 45-51.

• Мынбаев К.Д., Мынбаева М.Г., Зубрилов А.С., Середова Н.В., Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе GaN, выращенных на подложках пористого SiC // Письма ЖТФ. 2007. Т. 33. В. 2. С. 74-79.

• Mynbaeva М., Sitnikova A., Tregubova A., Mynbaev К. HVPE GaN growth on porous SiC with closed surface porosity // J. Cryst. Growth. 2007. V. 303. No. 2. PP. 472-479.

• Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.Y., Vlasov A.P., Mynbaev K.D., Pociask M. Relaxation of electrical properties of epitaxial Cd^Hg/.^Te:As(Sb) layers converted into «-type by ion milling. // Proceed. SPIE. 2007. V. 6636. DOI: 10.1117/12.742604.

• Ivanov-Omskii V.I., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Smirnov V.A., Varavin V.S., Babenko A.A., Ikusov D.G., Sidorov G.Yu. Photoluminescence from MBE-grown HgCdTe films in the short infrared range // Proceed, of 15th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, June 25-29 2007. PP. 176-177.

• Мынбаева М.Г., Константинов O.B., Мынбаев К.Д., Романов А.Е., Ситникова А.А. Механизм релаксации напряжений несоответствия при эпитаксиальном росте GaN на пористом SiC // Письма ЖТФ. 2006. Т. 32. В. 23. С. 25-31.

• Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Pociask M., Vlasov A.P. Relaxation of electrical properties of «-type layers formed by ion milling in epitaxial HgCdTe doped with V-group acceptors // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. No. 8. PP. 1144-1149.

• Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I., Mynbaev K.D. The nature of the compositional dependence of p-n junction depth in ion-milled /?-HgCdTe // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. No. 2. PP. 116-123.

• Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Легирование эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе HgCdTe (Обзор) // ФТП. 2006. Т. 40. В. 1. С. 3-22.

• Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V., Kurbanov K.R., Mynbaev K.D., Ryabikov V.M. Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-Cd^Hg/.Де // Semicond. Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2005. V. 8. No. 1. PP. 52-58.

• Мынбаева М.Г., Бауман Д.А., Мынбаев К.Д. К вопросу о роли вакансий в образовании пор при анодизации SiC // ФТТ. 2005. Т. 47. В. 9. С. 1571-1577.

• Mynbaeva М., Lavrent'ev A., Kotousova I., Volkova A., Mynbaev К., Lebedev А. Current Limitations in Porous SiC Applications // Mater. Sci. Forum. 2005. Vols. 483-485. PP. 269-272.

• Mynbaeva M.G., Mynbaev K.D., Sarua A., Kuball M. Porous GaN/SiC Templates for Homoepitaxial Growth: Effect of the Built-in Stress on the Formation of Porous Structures // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. No. 1. PP. 50-55.

• Казакова Л.П., Мынбаева М.Г., Мынбаев К.Д. Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом карбиде кремния // ФТП. Т. 38. В. 9. С. 11181120.

• Mynbaev K.D., Ivanov-Omskii V.I. Modification of HgCdTe and related materials by ion-beam treatment // J. All. Compounds. 2004. V. 371. PP. 153-156.

• Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Модифицирование свойств HgCdTe низкоэнергетичными ионами (Обзор) // ФТП. 2003. Т. 37. В. 10. С. 1153-1178.

• Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Дефектообразование в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути при сильном легировании индием // Письма ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 15. С. 87-94.

• Mynbaeva M.G., Mynbaev K.D., Ivantsov V.A., Lavrent'ev A.A., Grayson B.A., Wolan J.T. Semi-insulating porous SiC substrates // Semicond. Sci. Technol. 2003. V. 18. No. 6. PP. 602-606.

• Mynbaeva M., Kuznetsov N., Lavrent'ev A., Mynbaev K., Wolan J.T., Grayson В., Ivantsov V., Syrkin A., Fomin A., Saddow S.E. Porous SiC: New Applications Through In- and Out- Dopant Diffusion // Mater. Sci. Forum. 2003. Vols. 433-436.

PP.657-660.

• Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Фомин А.В., Мынбаев К.Д., Лебедев А.А. Диффузия магния из подложек пористого карбида кремния при автолегировании эпитаксиальных слоев нитрида галлия // Письма ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 11. С. 72-78.

• Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Кузнецов Н.И., Кузнецов А.Н., Мынбаев К.Д., Лебедев А.А. Полуизолирующие слои карбида кремния, полученные диффузией ванадия в пористый SiC // ФТП. 2003. Т. 37. В. 5. С. 612-615.

• Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Смирнов В.А., Иванов-Омский В.И. Модифицирование свойств CdHgTe и ZnCdHgTe обработкой низкоэнергетичными ионами // Письма ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 22. С. 64-69.

• Mynbaeva М., Bazhenov N., Mynbaev К., Evstropov V., Saddow S.E., Koshka Y., Melnik Y. Photoconductivity in Porous GaN Layers // phys. stat. sol. (b). 2001. V. 228. No. 2. PP. 589-592.

• Mynbaeva M., Saddow S.E., Melnychuk G., Nikitina I., Scheglov M., Sitnikova A., Kuznetsov N., Mynbaev K., Dmitriev V. Chemical vapor deposition of 4H-SiC epitaxial layers on porous SiC substrates // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. No. 1. PP. 117-119.

• Mynbaeva M., Savkina N.S., Tregubova A.S., Sheglov M.P., Lebedev A.A., Zubrilov A., Titkov A., Kryganovski A., Mynbaev K., Seredova N., Tsvetkov D., Stepanov S., Cherenkov A., Kotousova I., Dmitriev V.A. Growth of SiC and GaN on Porous Buffer Layers // Mater. Sci. Forum. 2000. Vols. 338-342. PP. 225-228.

• Mynbaeva M., Titkov A., Kryzhanovski A., Ratnikov V., Mynbaev K., Laiho R., Huhtinen H., Dmitriev V.A. Structural characterization and strain relaxation in porous GaN layers // Appl. Phys. Lett. V. 76. No. 10. PP. 1113-1115.

• Mynbaeva M., Titkov A., Kryzhanovskii A., Zubrilov A., Ratnikov V., Davydov V., Kuznetsov N., Mynbaev K., Stepanov S., Cherenkov A., Kotousova I., Tsvetkov D., Dmitriev V. GaN and A1N layers grown by nano epitaxial overgrowth technique on porous substrates // Mat. Res. Soc. Symp. Proceed. 2000. V. 595. W2.7.1.

• Mynbaeva M., Titkov A., Kryzhanovski A., Kotousova I., Zubrilov A.S., Ratnikov V.V., Davydov V.Yu., Kuznetsov N.I., Mynbaev K., Tsvetkov D.V., Stepanov S., Cherenkov A., Dmitriev V.A. Strain relaxation in GaN layers grown on porous GaN sublayers // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1999. V. 4. Art. 14.

330

• Mynbaeva M.G., Melnik Yu.V., Kryganovskii A.K., Mynbaev K.D. Wet Chemical Etching of GaN in H3PO4 with A1 Ions // Electrochemical and Solid-State Letters. 1999. V. 2. No. 8. PP. 430-433.

• Ivanov-Omskii V.I., Mironov K.E., Mynbaev K.D. Hg/.xCdxTe doping by ion-beam treatment// Semicond. Sci. Technol. 1993. V. 8. No. 5. PP. 634-637.

• Баженов H.JI., Гасанов С.И., Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д., Темновые токи в р-п переходах, созданных ионно-лучевым травлением на кристаллах CdxHg7.xTe // ФТП. 1991. Т. 25. В. 12. С. 612-615.

• Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д., Богобоящий В.В. Изменение дефектной структуры Cd^Hg/.Де // ФТП. 1991. Т. 25. В. 8. С. 1423— 1428.

• Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д. Электрофизические свойства CdxHgi-xTe, подвергнутого ионно-лучевому травлению // ФТП. 1990. Т. 24. В. 12, С. 2222-2224.

• Миронов К.Е., Иванов-Омский В.И., Мынбаев К.Д. Диффузия индия в эпитаксиальных слоях CdxHg,.xTe // ФТП. 1990. Т. 24. В. 3. С. 582-585.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе предложены и развиты методы модифицирования дефектной структуры полупроводников при помощи низкоэнергетических воздействий. Низкоэнергетические методы управления собственными и примесными дефектами, и, как, следствие, свойствами материала, разработаны для узкозонных ртутьсодержащих (твердые растворы Cd.xHgi.xTe и родственные им материалы) и широкозонных (БЮ, ваИ) полупроводников. В случае узкозонных полупроводников наглядным примером такого метода стала обработка поверхности низкоэнергетическими (Е < 2 кэВ) ионами, позволяющая конвертировать тип проводимости как вакансионно-, так и примесно-легированного материала, и создавать электронно-дырочные переходы на заданной глубине. В широкозонных полупроводниках низкоэнергетические методы оказались эффективными при использовании возможностей, которые предоставляет созданная в этих материалах пористая структура; эта структура сама формируется в результате низкоэнергетического воздействия (анодизации). В работе показано, как полученная пористая структура может быть использована для создания материала с заданными электрическими свойствами (например, полуизолирующих подложек карбида кремния), автолегирования выращиваемых на пористых подложках эпитаксиальных слоев, или для выращивания гетероэпитаксиальных слоев нитрида галлия с пониженной плотностью проникающих дислокаций.

Можно заметить, что оба эффекта, на основе которых развиты методы модифицирования дефектной структуры, предложенные в настоящей работе (конверсия типа проводимости при ионном травлении узкозонных полупроводников и образование пористой структуры при анодизации кристалла полупроводника с целью электрополировки его поверхности) изначально рассматривались как нежелательные побочные явления. В обоих случаях, однако, исследования механизмов этих «побочных явлений» дали возможность использовать их для достижения положительного эффекта, и в частности, в данной работе, — для получения полупроводниковых материалов с заданными свойствами путем направленного модифицирования их дефектной структуры.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Мынбаев, Карим Джафарович, 2007 год

1. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона, В.Н. Овсюк, Г.Л.Курышев, Ю.Г.Сидоров и др. Новосибирск, Наука, 2001. 376 с.

2. Пономаренко В.П. Теллурид кадмия-ртути и новое поколение приборов инфракрасной фотоэлектроники // УФН. 2003. Т. 173. № 6. С. 649-665.

3. Rogalski A. HgCdTe infrared detector material: history, status and outlook // Rep. Prog. Phys. 2005. V. 68. No. 10. PP. 2267-2336.

4. Silicon Carbide: Materials, Properties and Devices. Ed. By Z.C. Feng and J.H. Zhao, vol. 20 in: Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, ser. ed. M.O. Manasreh. Taylor and Franics, NY, London, 2004.

5. Advances in Silicon Carbide: Processing and Applications. Ed. by S.E. Saddow and A. Agarwal. Semiconductor Materials and Devices Series. Artech House, Boston, London, 2004.218 р.

6. Ren F., Zolper J.C. Wide Energy Bandgap Electronic Devices. World Scientific, Singapore, 2003.

7. GaN Based Materials and Devices: Fabrication, Characterization and Performance. Ed. by M.S. Shur and R.F. Davis. Selected Topics in Electronics and Systems, Vol. 33. World Scientific, Singapore, 2004. 284 p.

8. Jones C.L., Quelch M.J., Joshey J.J. Effects of annealing on the electrical properties of Cd^Hg/.Де // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. No. 12. PP. 5080-5092.

9. Syllaios A.J., Williams M.J. Conductivity type conversion in (Hg,Cd)Te // J. Vac. Sci. Technol. A. 1982. V. 21. No. 1. PP. 201-204.

10. Destefanis G.L. Electrical doping of HgCdTe by ion implantation and heat treatment//J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. No. 1^1. PP. 700-722.

11. Shaw D. Diffusion mechanisms in II-VI materials // J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. No. 1-4. PP. 778-796.

12. Sharma B.L. Diffusion in II-VI compounds and their alloys // Defect and Diffusion Forum. 1989. V. 64/65. PP. 77-118.

13. Заитов Ф.А., Исаев Ф.К., Горшков A.B. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах. Баку, Азернешр, 1984.211 с.

14. Гавалешко Н.П., Горлей П.Н., Шендеровский В.А. Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства. Киев, Наукова Думка, 1984. 285 с.

15. Arias J.M., Chin S.H., Pasko J.G., DeWames R.E., Gertner E.R. Long and middle infrared photodiodes fabricated with Hg/.xCdxTe grown by molecular-beam epitaxy // J. Appl. Phys. 1989. V. 65. No. 4. PP. 1747-1753.

16. Falconer G.E., Parfley H.D., Blackmore G.W. Diffusion of arsenic in epitaxial Cd^Hg/.Де // J. Cryst. Growth. 1990. V. 100. No. 1. PP. 275-278.

17. Vydyanath H.R. Amphoteric behavior of group V dopants in (Hg,Cd)Te // Semicond. Sci. Technol. 1990. V. 5. No. 3. PP. 3213-3216.

18. Гаджиев 3.T., Гусейнов Д.И., Гусейнов Э.К. Диффузия платины в CdxHg/xTe // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках. Матер. II Всесоюзн. семинара. Павлодар, 1989. ч. II. С. 48-49.

19. Bubulac L.O. Dependence of junction formation on substrate in implanted HgCdTe //Appl. Phys. Lett. 1985. V. 46. No. 10. PP. 976-978.

20. Capper P. Extrinsic doping of CdxHg/xTe — a Review // Prog. Cryst. Growth Charact. 1989. V. 19. No. 4. PP. 295-337.

21. Иванов-Омский В.И., Ковалевская H.A., Курбанов.К.Р. Электрическая активность примесей в кристаллах CdxHg/xTe (0.2<х<0.3) // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы. Матер.У Всесоюзн. симпозиума. Львов, 1980. ч. II. С. 166-168.

22. Чернилевский И.К. Диффузия алюминия в CdxHg/.xTe. Матер. 10 конфер. молодых ученых Института проблем механики и математики. Львов, 1984. ч. 1. Депонир. ВИНИТИ № 7196-84. 1984 г.

23. Denisov I.A., Lakeenkov V.M., Jouravlev O.K. Physico-chemical properties of Ga and In dopants during liquid phase epitaxy of CdxHg/xTe // J. Electron. Mater. 1998. V. 27. No. 6. P. 648-650.

24. Murakami S., Okamoto Т., Maruyama K., Takigawa H. Iodine doping in mercury cadmium telluride (Hg/xCdxTe) grown by direct alloy growth using metalorganic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. No. 7. PP. 899-901.

25. Mitra P., Tyan Y.L., Schimert T.R., Case F.C. Donor doping in metalorganic chemical vapor deposition of HgCdTe using ethyl iodide // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. No. 2. PP. 195-197.

26. Benz II R.G., Conte-Matos A., Wagner B.K., Summers C.J. Ethyliodide «-type doping of Hg^xCdxTe (x=0.24) grown by metalorganic molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. No. 22. PP. 2836-2838.

27. Maxey C.D., Gale I.G., Clegg J.B., Whiffin P.A.C. Doping studies in MOVPE-grown CdjcHgi-Де // Semicond. Sci. Technol. 1993. V. 8. No. IS. PP. 183-196.

28. Mitra P., Case F.C., Reine M.B. Progress in MOVPE of HgCdTe for advanced infrared detectors // J. Electron. Mater. 1998. V. 27. No. 6. PP. 510-520.

29. Berding M.A. Equlibrium properties of indium and iodine in LWIR Hg/xCdxTe // J. Electron. Mater. 2000. V. 29. No. 6. PP. 664-668.

30. Goschenhofer F., Gerschiitz J., Pfeuffer-Jeschke A., Hellmig R., Becker C.R., Landwehr G. Investigation of iodine as a donor in MBE grown Hg/„xCdxTe // J. Electron. Mater. 1998. V. 27. No. 6. PP. 532-535.

31. Vydyanath H.R. Defects in Semiconducting Hg;.xCdxTe Alloys. II. Defect structure of indium-doped Hgo.gCdo aTe // J. Electrochem. Soc. 1981. V. 128. No. 12. PP. 26192625.

32. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. M., Мир, 1969. 654 с.

33. Boukerche М., Reno J., Sou I.K., Hsu С., Faurie J.P. Indium doping of HgCdTe layers during growth by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. No. 25. PP. 1733-1735.

34. Destefanis G.L. Indium ion implantation in Hgo.78Cdo.22Te/CdTe // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. V. 3. No. 1. PP. 171-175.

35. Горшков A.B., Заитов Ф.А., Асатурова И.С. Закалка точечных дефектов в CdxHg/.xTe // Матер.Всесоюзн.семинара «Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках». Павлодар, 1987. С. 38-42.

36. Горшков А.В. Точечные дефекты и примеси в CdxHg/.xTe // Высокочистые вещества. 1989. № 6. С. 207-214.

37. Елизаров А.И., Богобоящий В.В., Берченко Н.Н. О степени ионизации собственных дефектов в кристаллах CdxHg/.xTe в широком диапазоне температур // ФТП. 1990. Т. 24. В. 3. С. 446-450.

38. Shaw D. The chemical diffusion of In in Hg/xCdxTe // phys. stat. sol. (a). 1985. V. 89. No. l.PP. 173-183.

39. Баранова H.B., Томсон A.C., Артамонов Н.П., Ванюков A.B. Диффузия и структура дефектов в кристаллах CdxHg/xTe // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. Матер. 1976. Т. 12. № 12. С. 2142-2145.

40. Баранова Н.В., Ванюков A.B., Томсон A.C. Диффузия и точечные дефекты в твердых растворах теллуридов кадмия и ртути // Свойства легированных полупроводников. М., Наука. 1977. С. 140-143.

41. Margolit S., Nemirovsky Y. Diffusion of indium in CdxHg/xTe // J. Electrochem. Soc. 1980. V. 127. No. 5. PP. 1406-1409.

42. Горшков A.B., Заитов Ф.А., Шаляпина Г.М., Шангин С.Б. Механизм миграции индия в Cd^Hg/.Де // ФТТ. 1983. Т. 26. В. 9. С. 2662-2666.

43. Горшков A.B., Заитов Ф.А., Шангин С.Б., Шаляпина Г.М., Асатурова И.С. Механизмы миграции компонентов и примесей в CdxHg/xTe // ФТТ. 1984. Т. 26.1. B. 11. С. 3233-3239.

44. Горшков A.B., Заитов Ф.А., Шангин С.Б., Шаляпина Г.М., Петров И.Н., Асатурова И.С. Диффузия компонентов и примесей в CdxHg/xTe (х=0.2) // ФТТ. 1984. Т. 26. В. 10. С. 2960-2966.

45. Богобоящий В.В., Гаврилюк Ю.Н., Елизаров А.И., Петряков В.А. Химическая диффузия индия в узкощелевых кристаллах CdxHg/xTe // Матер. Всесоюзн. семинара «Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках». Павлодар, 1987.1. C. 117-119.

46. Weck G., Wandel К. Diffusion and electrical activity of indium in (Hg,Cd)Te // J. Vac. Sei. Technol. A. 1994. V. 12. No. 6. PP. 3023-3032.

47. Mironov K.E., Ogorodnikov V.K., Rozymnyi V.D., Ivanov-Omskii V.l. Closed system LPE growth of Hg^CdJe // phys. stat. sol. (a). 1983. V. 78. No. 1. PP. 125127.

48. Konnikov S.G., Ogorodnikov V.K., Sydorchuk P.G. CdTe-CdxHgyxTe heterostructures // phys. stat. sol. (a). 1975. V. 27. No. 1. PP. 43^18.

49. Черепин B.T. Ионный микрозондовый анализ. Киев, Наукова думка, 1992, 343 с.

50. Конников С.Г., Сидоров А.Ф. Электронно-зондовые методы исследования полупроводниковых материалов. М., Энергия, 1978. 136 с.

51. Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М., Радио, 1990. 264 с.

52. Павлов Н.И. Измерение проводимости и холловской подвижности неоднородных полупроводниковых слоев произвольной формы // ФТП. 1970. Т. 4. В. 10. С. 1918-1921.

53. Blakemore J.S. Approximations for Fermi-Dirac integrals, especially the function F1/2 used to describe electron density in a semiconductor // Sol. St. Electron. 1982. V. 25. No. 11. PP. 1067-1076.

54. Hansen G.L., Schmit J.L., Casselman T.N. Energy gap versus alloy composition and temperature in Hg/^Cd^Te // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. No. 10. PP. 7909-7101.

55. Малык О.П., Берченко H.H. Ширина запрещенной зоны CdxHg/xTe при высокой температуре // Физ. электроника. Республ. межведомств, научн.-технич. сборник. 1989. В. 38. С. 72-76.

56. Курбанов К.Р., Богобоящий В.В. Получение и свойства совершенных монокристаллов «-Hgo.8Cdo.2Te, легированных индием// Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. Т. 1. № 3. С. 245-249.

57. Robinson H.G., Berding М.А., Hamilton W.J., Kosai К., DeLyon Т., Johnson W.B., Walker B.J. Enhanced diffusion and interdiffusion in HgCdTe from Fermi-level effects // J. Electron. Mater. 2000. V. 29. No. 6. PP. 657-663.

58. Zunger A. Practical doping principles // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. No. 1. PP. 57-59.

59. Hu S.M., Shmidt S. Interactions of sequential diffusion processes in semiconductors // J. Appl. Phys. 1968. V. 39. No. 9. PP. 4272-4283.

60. Hu S.M. General theory of impurity diffusion in semiconductors via vacancy mechanism // Phys.Rev. 1969. V. 180. No. 3. PP. 773-784.

61. Шоу Д. Атомная диффузия в полупроводниках М., Мир, 1975. 686 с.

62. Вирт И.С., Кемпник В.И., Цюцюра Д.И. Исследование ухудшения контактов In-Cdo.2Hgo.8Te // Изв. АН СССР. Неорган. Матер. 1986. Т. 22. В. 8. С. 1402-1403.

63. Pain G.N., McAllister Т. Mixed-valence self-compensation in indium-doped Cd^Hg/.Де// Semicond. Sci. Technol. 1992. V. 7. No. 1. PP. 231-232.

64. Венгель П.Ф., Томашик В.Н. Взаимодействие твердых растворов CdxHg/.xTe с индием // Изв. АН СССР. Неорган. Матер. 1990. Т. 26. № 2. С. 278-280.

65. Иванов-Омский В.И., Любин В.М., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д. Диффузия индия в твердых растворах CdxHg/xTe // Тезисы докладов Шестой Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. М„ Наука. 1988. С. 104-105.

66. Миронов К.Е., Иванов-Омский В.И., Мынбаев К.Д. Диффузия индия в эпитаксиальных слоях CdxHg;xTe // ФТП. 1990. Т. 24. В. 3. С. 582-585.

67. Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И., Дефектообразование в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути при сильном легировании индием // Письма ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 15. С. 87-94.

68. Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В .И., Легирование эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе HgCdTe // ФТП. 2006. Т. 40. В. 1. С. 3-22.

69. Иванов-Омский В.И., Любин В.М., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д. Диффузия индия в Cd^Hg^Te из халькогенидного стеклообразного полупроводника // Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках. Матер. Всесоюзн. семинара. Павлодар, 1987. С. 117-119.

70. Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д., Богобоящий В.В. Изменение дефектной структуры CdxHg/.xTe при легировании индием // ФТП. 1991. Т. 25. В. 8. С. 1423-1428.

71. Мынбаев К.Д. Дисс. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. СПб, ФТИ, 1991.

72. Fisher К. Method of ion etching Cd-Hg-Te semiconductors // U.S. Pat. 4.128.467. 1978.

73. Stahle C.M., Helms C.R. Ion sputter effects on HgTe, CdTe, and HgCdTe // J. Vac. Sci. Technol. A. 1992. V. 10. No. 5. PP. 3239-3245.

74. Stoltz A.J., Jaime-Vasquez M., Benson J.D., Varesi J.B. Martinka M. Examination of the effects of high-density plasmas on the surface of HgCdTe // J. Electron. Mater. 2006. V. 35. No. 6. PP. 1461-1464.

75. Wang C., Smith D.J., Tobin S., Parados Т., Zhao J., Chang Y., Sivanathan S. Understanding ion-milled damage in HgCdTe epilayers // J. Vac. Sci. Technol. A. 2006. V. 24. No. 4. PP. 995-1000.

76. Solzbach U., Richter H.J. Sputter cleaning and dry oxidation of CdTe, HgTe and Hg^CdJe surfaces // Surf. Science. 1980. V. 97. No. 1. PP. 191-205.

77. Srivastav V., Pal R., Vyas H.P. Overview of etching technologies used for HgCdTe // Opto-Electonics Review. 2005. V. 13. No. 3. PP. 197-211.

78. Elkind J.L. Ion mill damage in и-HgCdTe // J. Vac. Sci. Technol. B. 1992. V. 10. No. 4. PP. 1460-1465.

79. Blanchard C., Favre J., Barbot J.F., Desoyer J.C., Toulemonde M., Konczykowski M., Le Seoul D., Dessus J.L. Type conversion by high-energy particles in HgCdTe compounds // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 87. No. 7. PP. 3237-3242.

80. Wotherspoon J.T.M. Method of manufacturing a detector device // GB Pat. 2.095.898. 1982; U.S. Pat. 4.411.732. 1983.

81. Baker I.M. Infra-red radiation imaging devices and methods for their manufacture //U.S.Pat. 4.521.798. 1985.

82. Blackman M.V., Charlton D.E., Jenner M.D., Purdy D.R., Wotherspoon J.T.M., Elliott C.T., White A.M. Type conversion in CdxHg/.xTe by ion beam treatment // Electronic Letters. 1987. V. 23. No. 19. PP. 978-979.

83. Brogowski P., Mucha H., Piotrowski J. Modification of mercury cadmium telluride, mercury manganese tellurium and mercury zinc telluride by ion etching // phys. stat. sol. (a). 1989. V. 114. No. 1. PP. K37-K39.

84. Bahir G., Finkman E. Ion beam milling effect on electrical properties of Hg^CdJe // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. V. 7. No. 2. PP. 348-353.

85. Belas E., Hoshl P., Grill R., Franc J., Moravec P., Lischka K., Sitter H., Toth A. Deepp-n junction in Hgi^Cd^Te created by ion milling // Semicond. Sci. Technol. 1993. V. 8. No. 9. PP. 1695-1699.

86. Haakenaasen R., Colin Т., Steen H., Trosdahl-Iversen L. Electron beam induced current study of ion beam milling type conversion in molecular beam epitaxy vacancy-doped Cd*Hg;.;Te // J. Electron. Mater. 2000. V. 29. No. 6. PP. 849-852.

87. Haakenaasen R., Moen Т., Colin Т., Steen H., Trosdahl-Iversen L. Depth and lateral extension of ion milled junctions in Cd^Hg/.Де from electron beam induced current measurements // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. No. 1. PP. 427^132.

88. Двуреченский А.В., Ремесник В.Г., Рязанцев И.А., Талипов Н.Х. Инверсия типа проводимости слоев CdxHg/.xTe, подвергнутых плазменной обработке // ФТП. 1993. Т. 27. В. 1. С. 168-171.

89. Belas Е., Franc J., Toth A., Moravec P., Grill R., Sitter H., Hoschl P. Type conversion of ¿>-(HgCd)Te using H2/CH4 and Ar reactive ion etching // Semicond. Sci. Technol. 1996. V. 11. No. 7. PP. 1116-1120.

90. Siliquini J.F., Dell J.M., Musca C.A., Faraone L. Reactive ion etching induced n-type conversion in vacancy-doped p-type HgCdTe // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70. No. 25. PP. 3443-3445.

91. Siliquini J.F., Dell J.M., Musca C.A., Faraone L., Piotrowski J. Characterization of reactive-ion-etching-induced type-conversion in p-type HgCdTe using scanning laser microscopy//J. Cryst. Growth. 1998. V. 184/185. No. 1-4. PP. 1219-1222.

92. Dell J.M., Musca C.A., Faraone L., Nener B.D., Rais M.H., Antoszewski J. HgCdTe photovoltaic detectors fabricated using a new junction formation technology // Microelectron. Journ. 2000. V. 31. No. 7. PP. 545-551.

93. Savitsky V.G., Mansurov L.G., Fodchuk I.M., Izhnin I.I., Virt I., Lozynska M., Evdokimenko A.V. Pecularities of MCT ion etching in rf Hg glow discharge // Proceed. SPIE. 1999. V. 3725. PP. 299-303.

94. Brogowski P., Rutkowski J., Piotrowski J., Mucha H. Ion beam milling effect on surface properties of HgCdTe // Electron Technology. 1991. V. 24. No. 3/4. PP. 93-96.

95. Белас Э., Франц Я., Гриль Р., Тот А., Хешл П., Ситтер X., Моравец П., Лишка К. Диффузионные длины неосновных носителей тока на р-п переходе, полученном ионно-лучевым травлением в />-CdxHg/.xTe // Неорг. Матер. 1996. Т. 32. В. 8. С. 949-952.

96. Antoszewski J., Musca С.А., Dell J.M., Faraone L. Characterization of Hgo.7Cdo.3Te и-on-p-type structures obtained by reactive ion etching induced p-to-n conversion // J. Electron. Mater. 2000. V. 29. No. 6. PP. 837-840.

97. Nguen Т., Antoszewski J., Musca C.A., Redfern D.A., Dell J.M., Faraone L. Transport properties of reactive-ion-etching-induced p-to-n type converted layers in HgCdTe // J. Electron. Mater. 2002. V. 31. No. 7. PP. 652-659.

98. Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М., Наука, 1990. 688 с.

99. Lou L.F., Frye W.H. Hall effect and resistivity in liquid-phase-epitaxial layers of HgCdTe // J. Appl. Phys. 1984. V. 56. No. 8. PP. 2253-2267.

100. Rolland S., Granger R., Triboulet R. P-to-n conversion in Hg/.xZnxTe by ion beam milling effect // J. Cryst. Growth. 1992. V. 117. No. 1-4. PP. 208-212.

101. Андрухив A.M., Иванов-Омский В.И., Миронов K.E. Жидкофазная эпитаксия ZnCdHgTe и MnCdHgTe в закрытой системе // Письма ЖТФ. Т. 18. В. 13. С. 57-61.

102. Богобоящий В.В., Елизаров А.И., Иванов-Омский В.И., Петряков В. А. Влияние отклонения состава кристаллов CdxHg/.Де (х~0.2) от стехиометрического на скорость диффузии Hg // ФТП. 1987. Т. 21. В. 8. С. 14621464.

103. Schaake H.F., Tregilgas J.h., Beck J.D., Kinch M.A., Ghade B.E. The effect of low temperature annealing on defects, impurities, and electrical properties of (Hg,Cd)Te // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. V. 3. No. 1. PP. 143-149.

104. Смирнов Л.С. Атомные процессы в полупроводниковых кристаллах // ФТП. 2001. Т. 35. В. 9. С. 1029-1031.

105. Belas Е., Hoschl P., Grill R., Franc J., Moravec P., Lischka K., Sitter H., Toth A. Ultrafast diffusion of Hg in Hg/.xCdxTe (jt~0.21) // J. Cryst. Growth. 1994. V. 138. No. 1-4. PP.940-943.

106. Belas E., Grill R., Franc J., Toth A., Hoschl P., Sitter H., Moravec P. Determination of the migration energy of Hg interstitials in (HgCd)Te from ion milling experiments // J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. No. 1-4. PP. 1117-1122.

107. Belas E., Grill R., Franc J., Moravec P., Varghova R., Hoschl P., Sitter H., Toth A.L. Dynamics of native point defects in H2 and Ar plasma-etched narrow gap (HgCd)Te // J. Cryst. Growth. 2001. V. 224. No. 1-2. PP. 52-58

108. Belas E., Grill R., Franc J., Sitter H., Moravec P., Hoschl P., Toth A.L. Formation and propagation ofp-n junction in /?-(HgCd)Te caused by dry etching // J. Electron. Mater. 2002. V. 31. No. 7. PP. 738-742.

109. White J.M., Pal R., Dell J.M., Musca C.A., Antoszewski J., Faraone L., Burke P. P-io-n conversion mechanisms for HgCdTe exposed to H2/CH4 plasmas // J. Electron. Mater. 2001. V. 30. No. 6. PP. 762-767.

110. Shaw D., Capper P. Conductivity type conversion in Hg/-xCdxTe // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2000. V. 11. No. 2. PP. 169-177.

111. Ivanov-Omskii V.I., Mironov K.E., Mynbaev K.D. Hg/xCdxTe doping by ion beam treatment // Semicond. Sci. Technol. 1993. V. 8. No. 5. PP. 634-637.

112. Богобоящий B.B., Ижнин И.И. Механизм конверсии типа проводимости при бомбардировке кристаллов />-CdxHg/xTe ионами малых энергий // Изв. ВУЗов. Сер. Физика. 2000. Т. 43. В. 8. С. 16-25.

113. Богобоящий В.В., Елизаров А.И., Иванов-Омский В.И., Петренко В.П., Петряков В.А. Кинетика приведения кристаллов CdxHg/xTe в равновесие с парами ртути // ФТП. 1985. Т. 19. В. 5. С. 819-824.

114. Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Модифицирование свойств HgCdTe низкоэнергетичными ионами // ФТП. 2003. Т. 37. В. 10. С. 1153-1178.

115. Baker I.M., Махеу C.D. Summary of HgCdTe 2D array technology in the UK // J. Electron. Mater. 2001. V. 30. No. 6. PP. 682-689.

116. Lunn M.A., Dobson P.S. Ion beam milling of Cdo.2Hgo.8Te // J. Cryst. Growth. 1985. V. 72. No. 2. PP. 379-384.

117. Bogoboyashchyy V.V., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Sizov F.F., Yaravin V.S., Yudenkov Y.A. Properties of MBE CdxHg,.xTe/GaAs structures modified by ion-beam milling // phys. stat. sol. (c). 2004. V. 1. No. 2. PP. 355-359.

118. Богобоящий B.B., Власов А.П., Ижнин И.И. Механизм конверсии типа проводимости в легированном мышьяком /?-CdxHg/.xTe при ионно-лучевом травлении // Изв. вузов. Сер. «Физика». 2001. Т. 44. № 1. С. 50-59.

119. Богобоящий В.В., Ижнин И.И. Механизм образования источника диффузии ртути в /)-Hg/.xCdxTe при ионно-лучевом травлении // Прикладная физика. 2003. В. 6. С. 120-125.

120. Келли Р. Столкновительные, тепловые и электронные процессы ионного распыления. В кн.: «Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы». М.: Мир, 1980. С. 194-235.

121. Beck W.A., Anderson J.R. Determination of electric transport properties using a novel magnetic-field-dependent Hall technique // J. Appl. Phys. 1987. V. 62. No. 2. PP. 541-554.

122. Богобоящий В.В. Концентрационная зависимость энергии ионизации вакансий ртути в кристаллах узкощелевого Hg/xCdxTe // Конденсированные среды и межфазные границы. 2001. Т. 3. № 1. С. 28-33.

123. Bogoboyashchyy V.V., Kurbanov K.R. Reaction constants for main cationic native defects in narrow-gap Hg/xCdxTe crystals // J. Alloys Compounds. 2004. V. 371. No. 1-2. PP. 97-99.

124. Berding M.A., van Schilfgaarde M., Sher A. First-principles calculation of native defect densities in Hg0.gCd0.2Te // Phys. Rev. B. 1994. V. 1. No. 3. PP. 1519-1534.

125. Holander-Gleixner S., Robinson H.G., Helms C.R. Derivation of an analytical model to calculate junction depth in HgCdTe photodiodes // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. No 3. PP. 1299-1304.

126. Bogoboyashchiy V. Interconsistent band structure of narrow-gap Hg/„xCdxTe alloys obtained with taking into account far band influence // Proceed. SPIE. 1997. V. 3486. PP. 325-335.

127. Moritani A., Taniguchi K., Hamaguchi C., Nakai J. Electroreflectance study of Сс№&*Те // J. Phys. Soc. Jap. 1973. Vol. 34. No. 1. PP. 79-88.

128. Bogoboyashchyy V.V. Density of heavy hole states of Hgy.xCdxTe in an isotropic nonparabolic approximation by exact measurements of electron concentration // Semicond. Physics, Quant. Electr. & Optoelectronics. 2001. V. 4. No. 4. PP. 273-277.

129. Shin C.K., Spicer W.E., Furdina J.K. Photoemission studies of core level shifts in HgCdTe, CdMnTe and HgZnTe // J. Vac. Sci. Technol. A. 1987. V. 5. No. 5. PP 30313034.

130. Hui P.M., Ehrenreich H., Johnson N.F. A possible resolution of the valence-band offset controversy in HgTe/CdTe superlattice // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. V. 7. No. 2. PP. 424-426.

131. Kim L.S., Perkowicz S., Wu O.K., Schulman J.N. Far-infrared band and characterization measurements in HgTe-CdTe superlattice // Semicond. Sci. Technol. 1990. V. 5. No. 3S. PP. S107-S110.

132. Хирт Дж., Лоте И., Теория дислокаций. М., Атомиздат, 1972. 599 с.

133. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Киев, Наукова думка, 1975.

134. Izhnin I.I., Izhnin A.I., Kurbanov K.R., Prytuljak В.В. P-to-n ion-beam milling conversion in specially doped CdxHg/.xTe // Proceed. SPIE. 1997. V. 3182. PP. 383387.

135. Finkman E., Nemirovsky Y. Electrical properties of shallow levels in ¿»-type HgCdTe 11 J. Appl. Phys. 1986. V. 59. No. 4. PP. 1205-1211.

136. Hoerstel W., Klimakow A., Kramer R. Influence of deep level intrinsic defects on the carrier transport inp~type Hg;xCdxTe // J. Cryst. Growth. 1990. V. 101. No. 1-4. PP. 854-858.

137. Tyan Y.L., Schimert T.R., Claiborne L.T. Analysis of excess carrier lifetime inp~ type HgCdTe using a three-level Shockley-Read model // J. Vac. Sci. Technol. B. 1992. V. 10. No. 4. PP. 1560-1568.

138. Berding M.A., Sher A., van Schilfgaarde M. Defect modeling studies in HgCdTe and CdTe // J. Electron. Mater. 1995. V. 24. No. 9. PP. 1127-1135.

139. Chu M., Terterian S., Wang P.C.C., Mesropian S., Gurgenian H.K., Pan D.-S. Au-doped HgCdTe for infrared detectors and focal plane arrays // Proceed. SPIE. 2001. V. 4454. PP.116-123.

140. Williams B.L., Robinson H.G., Helms C.R. Mercury interstitial generation in ion implanted mercury cadmium telluride // J. Electron. Mater. 1998. V. 27. No. 6. PP. 583— 588.

141. Aquirre M.H., Сапера H., Walsoe de Reca N. Transmission electron microscopy of the induced damage by argon implantation in (111) HgCdTe at room temperature // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. No. 10. PP. 5745-5748.

142. Варавин B.C., Дворецкий C.A., Михайлов H.H., Сидоров Ю.Г. Донорные дефекты в эпитаксиальных слоях HgCdTe, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией // Автометрия. 2001. № 3. С 9-19.

143. Zandian М., Chen А.С., Edwall D.D., Pasko J.G., Arias J.M. ¿»-type arsenic doping of Hg/xCdxTe by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. No. 19. PP. 2815-2817.

144. DeWames R.E., Williams G.M., Pasko J.G., Vandervyck A.H.B. Current generation mechanisms in small band gap HgCdTe /»-«junctions fabricated by ion implantation // J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. No. 1-4. PP. 849-858.

145. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов. Кн.2. М., Мир, 1984. 456 с.

146. Nemirovsky Y., Rozenfeld D., Adar R., Kornfeld A. Tunneling and dark currents in HgCdTe photodiodes // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. V. 7. No. 2. PP. 528-553.

147. DeWames R.E., Pasko J.G., Yao E.S., Vandervyck A.H.B., Williams G.M. Dark current generation mechanisms and spectral noise current in long-wavelength infrared photodiodes // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. V. 6. No. 4. PP. 2655-2663.

148. Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д., Гаврилюк Ю.Н., Ижнин И.И. Перестройка дефектно-примесной структуры CdxHgixTe при ионно-лучевом травлении // Тезисы докл. XII Всесоюзн. конф. по физике полупроводников. Часть 2. Киев, 1990. С. 205.

149. Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д. Электрофизические свойства CdxHg/.xTe, подвергнутого ионно-лучевому травлению // ФТП. 1990. Т. 24. В. 12. С. 2222-2224.

150. Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Смирнов В.А., Иванов-Омский В.И. Модифицирование свойств CdxHg/.xTe и Zn^CdyHg/.^Te обработкой низкоэнергетичными ионами // Письма ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 22. С. 64-69.

151. Mynbaev К. D., Ivanov-Omskii V.I. Modification of HgCdTe and related materials by ion-beam treatment // J. Alloys Сотр. 2004. V. 371. No. 1-2. PP. 153156.

152. Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I., Mynbaev K.D. The nature of the compositional dependence of p-n junction depth in ion-milled ¿»-HgCdTe // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. No. 2. PP. 116-123.

153. Баженов H.JI., Гасанов С.И., Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д. Темновые токи в р-п переходах, созданных ионно-лучевым травлением на кристаллах CdxHg;.xTe // ФТП. 1991. Т. 25. В. 12. С. 2196-2200.

154. Vydyanath H.R. Lattice defects in semiconducting Hg/xCdxTe alloys. I. Defect structure of undoped and copper doped Hgo.8Cdo.2Te // J. Electrochem. Soc. 1981. V. 128. No. 12. PP. 2609-2619.

155. Johnson E.S., Schmit J.L. Doping properties of selected impurities in HgyxCdxTe // J. Electron. Mater. 1977. V. 6. No. 1. PP. 25-38.

156. Андриевский А.И., Теодорович A.C., Шнейдер А.Д. Диффузия Си и Au в Cd^Hg^Te // ФТП. 1973. Т. 7. В. 8. С. 1659-1661.

157. Богобоящий В.В., Елизаров А.И., Петряков В.А., Стафеев В.И., Северцев В.Н. Исследование диффузии меди в монокристаллах CdxHg/xTe // ФТП. 1987. Т. 21. В. 8. С. 1469-1471.

158. Богобоящий В.В. Энергия ионизации меди в кристаллах Hgo.8Cdo.2Te при слабом и промежуточном легировании // ФТП. 2000. Т. 34. В. 8. С. 955-961.

159. Schaake H.F., Tregiglas J.H., Beck J.D., Kinch M.A. Observation of a new gettering mechanism in (Hg,Cd)Te // Sol. State Comm. 1984. V. 50. No. 2. PP. 133-136.

160. Tregilgas J., Gnade B. Surface segregation of impurities induced by photon absorption in CdTe and (Hg,Cd)Te // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. V. 3. No. 1. PP. 156-159.

161. Lyubomirsky I., Lyakhovitskaya V., Guillemoles J.F., Riess I., Triboulet R., Cahen D. Evidence for electrically stable p/n junction, formed by Ag doping of (Hg,Cd)Te // J. Cryst. Growth. 1996. V. 161. No. 1-4. PP. 90-93.

162. Capper P., Roberts J.A., Kenworthy I., Jones C.L., Gosney J.G., Ard C.K., Coates W.G. Influence of stoichiometry on the electrical activity of impurities in Hg/^Cd^Te // J. Appl. Phys. 1988. V. 64. No. 11. PP. 6227-6233.

163. Jones C.L., Capper P., Quelch J.T., Brown M. The properties of gold in Bridgman grown CdxHg/.,Te // J. Ciyst. Growth. 1983. V. 64. No. 3. PP. 417-432.

164. Temofonte T.A., Noreika A.J., Bevan M.J., Emtage P.R., Seiler C.F., Mitra P. Low-level extrinsic doping for p- and n-type (100) HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. V. 7. No. 2. PP. 440-444.

165. Brown M., Willoughby A.F.W. Diffusion in CdxHg/.xTe and related materials 11 J. Cryst. Growth. 1982. V. 59. No. 1-2. PP. 27-39.

166. Горшков A.B., Заитов Ф.А., Шангин С.Б. Диффузия компонентов и примесей в Cdo.2Hgo.sTe // Матер. VI Всесоюзн. симп. «Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы». Львов, 1983. С. 62-63.

167. Schaake H.F., Tregilgas J.H., Beck J.D. Kinch M.A., Gnade B.A. The effect of low-temperature annealing on defects, impurities and electrical properties of (Hg,Cd)Te // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. V. 3. No. 1. PP. 143-149.

168. Berding M.A., Van Schilfgaarde M., Sher A. Behavior of p-type dopants in HgCdTe // J. Electron. Mater. 1997. V. 26. No. 6. PP. 625-627.

169. Бовина Л.А., Стафеев В.И. Узкозонные твердые растворы (CdHg)Te // Физика соединений AnBVI. М., Наука, 1986. С. 246-281.

170. Selamet Y., Ciani A., Grein С.Н., Sivananthan S. Extrinsic p-type doping and analysis of HgCdTe grown by molecular beam epitaxy // Proceed. SPIE. 2002. V. 4795. PP. 8-16.

171. Ciani A.J., Ogut S., Batra I.P., Sivananthan S. Diffusion of gold and native defects in mercury cadmium telluride // J. Electron. Mater. 2005. V. 34. No. 6. PP. 868872.

172. Ciani A.J., Ogut S., Batra I.P. Concentration of native and gold defects in HgCdTe from first principles calculations // J. Electron. Mater. 2004. V. 33. No. 6. PP. 737-741.

173. Selamet Y., Zhou Y.D., Zhao J., Chang Y., Becker C.R., Ashokan R„ Grein C.H., Sivananthan S. HgTe/HgCdTe superlattices grown on CdTe/Si by molecular beam epitaxy for infrared detection // J. Electron. Mater. 2004. V. 33. No. 6. PP. 503-508.

174. Kinch M.A., Chandra D., Schaake H.F., Shih H.-D., Aqariden F. Arsenic-doped mid-wavelength infrared HgCdTe photodiodes // J. Electron. Mater. 2004. V. 33. No. 6. PP. 590-595.

175. Uedono A., Ozaki K., Ebe H., Moriya T., Tanigawa S., Yamamoto K., Miyamoto Y. A study of native defects in Ag-doped HgCdTe by positron annihilation // Jpn. J. Appl. Phys. Part. 1. 1997. V. 36. No. 11. PP. 6661-6667.

176. Nishino H., Ozaki K., Tanaka M., Saito T., Ebe H., Miyamoto Y. Acceptor-level related Shockley-Read-Hall centers in ^-HgCdTe // J. Cryst. Growth. 2000. V. 214215. PP. 275-279.

177. Johnson E.S., Schmidt J.L. Doping properties of selected impurities in Hgy.^CdJe // J. Electron. Mater. 1977. V. 6. No. 1. PP. 25-38.

178. Capper P. A. A review of impurity behaviour in bulk and epitaxial HgyxCdxTe // J. Vac. Sci. Technol. B. 1991. V. 9. No. 3. PP. 1666-1681.

179. Shin S.H., Arias J.M., Zandian M., Pasko J.G., Bubulac L.O., De Wames R.E. Annealing effect on /Муре carrier concentration in low-temperature processed arsenic-doped HgCdTe // J. Electron. Mater. 1993. V. 22. No. 8. PP. 1039-1047.

180. Shin S.H., Arias J.M., Zandian M., Pasko J.G., Bubulac L.O., deWames R.E. Enhanced arsenic diffusion and activation in HgCdTe // J. Electron. Mater. 1995. Vol. 24. No. 5. PP. 609-613.

181. Vydyanath H.R., Lichtman S.L., Sivananthan S., Wijewarnasuriya P.S., Faurie J.P. Annealing experiments in heavily arsenic doped (Hg,Cd)Te // J. Electron. Mater. 1995. V. 24. No. 5. PP. 625-634.

182. Plissard S., Giusti G., Polge В., Ballet P., Million A., Biquard X., Molva E. Barnes J.P., Holliger P. Extended X-ray absorption fine structure study of arsenic in HgCdTe//J. Electron. Mater. 2007. V. 36. DOI: 10.1007/sl 1664-007-0133-5.

183. Duan H., Chen X., Huang Y, Lu W. Microscopic origin of electrical compensation in arsenic-doped HgCdTe by molecular beam epitaxy:density functional study // J. Electron. Mater. 2007. V. 36. DOI: 10.1007/sl 1664-007-0123-7.

184. Bubulac L.O. Diffusion of As and Sb in HgCdTe // J. Cryst. Growth. 1992. V. 123. No. 3-4. PP. 555-566.

185. Горшков A.B., Заитов Ф.А., Шаляпина Г.М., Шангин С.Б. Диффузия фосфора и сурьмы в Cdo.2Hgo.8Te // Неорг. Материалы. 1984. Т. 20. № 8. С. 1331— 1333.

186. Shaw D. The diffusion of arsenic in Cd0.2Hg0.sTe // Semicond. Sci. Technol. 1994. V. 9. No. 9. PP. 1729-1732.

187. Vlasov A., Bogoboyashchyy V.V., Bonchyk 0., Barcz A. High temperature arsenic doping of CdHgTe epitaxial layers // Cryst. Res. Technol. 2004. V. 39. No. 1. PP. 11-22.

188. Aqariden F., Shih H.D., Kinch M.A., Schaake H.F. Electrical properties of low-arsenic-doped HgCdTe grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. No. 22. PP. 3481-3483.

189. Wijewarnasuriya P.S., Sivananthan S. Arsenic incorporation in HgCdTe grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. No. 14. PP. 1694-1696.

190. Boieriu P., Chen Y., Nathan V. Low-temperature activation of As in Hg/xCdxTe(211) grown on Si by molecular beam epitaxy // J. Electron. Mater. 2002. V. 31. No. 31. No. 7. PP. 694-698.

191. Berding M.A., Sher A., Van Schilfgaarde M., Chen A.C., Arias J. Modeling of arsenic activation in HgCdTe // J. Electron. Mater. 1998. V. 27. No. 6. PP. 605-609.

192. Edwall D.D., Piquette E., Ellsworth J., Arias J., Swartz C.H., Bai L., Tomkins R.P., Giles N.C., Myers Т.Н., Berding M. Molecular beam epitaxy growth of high-quality arsenic-doped HgCdTe // J. Electron. Mater. 2004. V. 33. No. 6. PP. 752-756.

193. Berding M.A., Sher A. Amphoteric behavior of arsenic in HgCdTe // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. No. 5. PP. 685-687.

194. Schaake H.F. Kinetics of activation of group V impurities in Hg;-xCdxTe alloys 11 J. Appl. Phys. 2000. V. 88. No. 4. PP. 1765-1770.

195. Schaake H.F. On the kinetics of the activation of arsenic as a /»-type dopant in Hgy-^CdJe // J. Electron. Mater. 2001. V. 30. No. 6. PP. 789-793.

196. Chandra D., Schaake H.F., Kinch M.A., Aqariden F., Wan C.F., Weirauch D.F., Shih H.D. Activation of arsenic as an acceptor in Hg/xCdxTe under equilibrium conditions // J. Electron. Mater. 2002. V. 31. No. 7. PP. 715-719.

197. Almeida L.A. Doping of molecular beam epitaxy HgCdTe using an arsenic cracker source (As2) // J. Electron. Mater. 2002. V. 31. No. 7. PP. 660-663.

198. Selamet Y., Grein C.H., Lee T.S., Sivananthan S. Electrical properties of in situ As doped Hg/xCdxTe epilayers grown by molecular beam epitaxy // J. Vac. Sci. Technol. В. V. 2001. 19. No. 4. PP. 1488-1491.

199. Lee T.S., Garland J., Grein C.H., Sumstine M., Jandeska A., Selamet Y., Sivananthan S. Correlation of arsenic incorporation and its electrical activation in MBE HgCdTe // J. Electron. Mater. 2000. V. 29. No. 6. PP. 869-872.

200. Grein C.H., Garland J.W., Sivananthan S., Wijewarnasuriya P.S., Aqariden F., Fuchs M. Arsenic incorporation in MBE grown Hg;.xCdxTe // J. Electron. Mater. 1999. V. 28. No. 6. PP. 789-792.

201. Mitra P., Case F.C., Reine M.B., Starr R., Weiler M.H. Doping in MOVPE of HgCdTe: orientation effects and growth of high performance IR photodiodes // J. Cryst. Growth. 1997. V. 170. No. 1-4. PP. 542-548.

202. Chen A.C., Zandian M., Edwall D.D., De Wames R.E., Wijewarnasuriya P.S., Arias J.M., Sivananthan S., Berding M., Sher A. MBE growth and characterization of in situ arsenic doped HgCdTe // J. Electron. Mater. 1998. V. 27. No. 6. PP. 595-599.

203. Sivananthan S., Wijewarnasuriya P.S., Aqariden F., Vydyanath H.R., Zandian M., Edwall D.D., Arias J.M. Behavior of p-type dopants in Hgo.8Cdo.2Te // J. Electron. Mater. 1997. V. 26. No. 6. PP. 625-628.

204. Shi X.H., Rujirawat S., Ashokan R., Grein C.H., Sivananthan S. Ionization energy of acceptors in As-doped HgCdTe grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. No. 5. PP. 638-640.

205. Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds. EMIS Data Reviews Series, No. 10. Ed. P. Capper. INSPEC, London, 1994. P. 246.

206. Krishnamurthy S., Casselman T.N. A detailed calculation of the auger lifetime in p-type HgCdTe // J. Electron. Mater. V. 29. No. 6. PP. 828-831.

207. Lopes V.C., Syllaios A.J., Chen M.C. Minority carrier lifetime in mercury cadmium telluride // Semicond. Sci. Technol. 1993. V. 8. No. 6S. PP. 824-841.

208. Shaw D., Capper P. Activation kinetics of the As acceptor in HgCdTe // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2007. V. 18. DOI: 10.1007/sl0854-007-9269-6.

209. Schaake D., Chandra D, Kinch M.A., Aqariden F., Shih H.D. Arsenic acceptor-donor transformation in HgCdTe // J. Electron. Mater. 2007. V. 36. DOI: 10.1007/sl 1664-007-0151-9.

210. Богобоящий В.В., Власов А.П., Ижнин И.И. Механизм конверсии типа проводимости в легированном мышьяком /?-CdxHg/xTe при ионно-лучевом травлении // Изв. ВУЗов Сер. «Физика». 2001. Т. 44. №. 1. С. 50-59.

211. Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.Y., Izhnin 1.1., Vlasov A.P. Defect structure rebuilding by ion beam milling of As and Sb doped jt?-CdxHg/.xTe // phys. stat. sol. (b). 2002. Vol. 229. No. 1. PP. 279-282.

212. Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V., Vlasov A.P., Izhnin I.I., Ilyina Yu.S. Type conductivity conversion in As, Sb doped p-CdxHg/xTe under ion beam milling // Surface and Coatings Technol. 2002. V. 158/159C. PP. 732-736.

213. Belas E., Bogoboyashchii V.V., Grill R„ Izhnin I.I., Vlasov A.P., Yudenkov V.A. Time relaxation of points defects in p- and «-(HgCd)Te after ion beam milling // J. Electron. Mater. 2003. V. 32. No. 7. PP. 698-702.

214. Bogoboyashchyy V.V., Elizarov A.I., Izhnin I.I. Conversion of conductivity type in Cu-doped Hgo.8Cdo.2Te crystals under ion beam milling // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. No. 8. PP. 726-732.

215. Lou L. Frye W. Hall effect and resistivity in liquid-phase-epitaxial layers of HgCdTe // J. Appl. Phys. 1984. V. 56. No. 8. PP. 2253-2267.

216. Богобоящий В.В. О механизмах рассеяния дырок в кристаллах p-Hgo.sCdo.2Te при низких температурах // ФТП. 2002. Т. 36. В. 12. С. 1418-1426.

217. Vlasov A., Pysarevsky V., Storchun O., Shevchenko A., Bonchyk A., Pokhmurska

218. H., Barch A., Swiantek Z. Controlled arsenic diffusion in epitaxial CdxHg/.xTe layers in evaporation-condensation-diffusion process // Thin Solid Films. 2002. V. 403-404. No.1.PP. 144-147.

219. Savitsky V.G., Storchun O.P. Preparation of Hg/.xCdxTe (0.1<x<0.5) epitaxial laers by two-stage evaparation-condensation-diffusion method // Thin Solid Films. 1998. V. 317.No. l.PP. 105-107.

220. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин B.C., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сабинина И.В. Молекулярно-лучевая эпитакеия твердых растворов кадмий-ртуть-теллур на "альтернативных" подложках // ФТП. 2001. Т. 35. В. 9. С. 10921101.

221. Баженов H.JL, Иванов-Омский В.И., Ижнин А.И., Смирнов В.А. Квантовый выход люминесценции в твердых растворах CdxHg/.xTe (0.4<г<0.74) // ФТП. 1991. Т. 25. В. 6. С. 1103-1106.

222. Ivanov-Omskii V.I., Petroff I.A., Pogorletskii V.M., Smirnov V.A., Tomm I.W., Herman K.H. Infrared photoluminescence in />-Hg/-xCdxTe (0.23<x<l) in magnetic fields up to 6T // Sol. Stat. Comm. 1990. V. 76. No. 9. PP. 1159-1164.

223. Lusson A., Fuchs F., Mairfang J. Systematic photoluminescence study of CdxHgy-xTe alloys in a wide composition range // J. Cryst. Growth. 1990. V. 101. No. 1-4. PP.673-677.

224. Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Легирование эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе HgCdTe // ФТП. 2006. Т. 40. В. 1. С. 3-22.

225. Capper P., Shaw D. Arsenic activation in epitaxial Hg/-xCdxTe (MCT) // Proceed. SPIE. 2007. V. 6294. PP. 62940M1-12.

226. Богобоящий B.B., Ижнин И.И., Сизов Ф.Ф., Юденков В.О. Релаксация электрических параметров структур, сформированных ионным травлением в узкощелевом CdxHg/xTe // Доклады НАН Украины. 2004. № 4. С. 70-75.

227. Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V., Sizov F.F. Electrical characteristics relaxation of ion milled MCT layers // Proceed. SPIE. 2005. V. 5881. PP. 58810U1-58810U11.

228. Васильев A.B., Баранов А.И. Дефектно-примесные реакции в полупроводниках. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2001. 256 с.

229. Bubulac L.O. Defects, diffusion and activation in ion implanted HgCdTe // J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. No. 1-^. PP. 723-734.

230. Bubulac L.O., Tennant W.E. Role of Hg injunction formation in ion-implanted HgCdTe // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. No. 5. PP. 356-358.

231. Destefanis G, Chamonal J.P. Large improvements in HgCdTe photovoltaic detector performances at LETI // J. Electron. Mater. 1993. V. 22. No. 8. PP. 1027-1032.

232. Hastings M.P., Maxey C.D., Matthews B.E., Metcalfe N.E., Capper P., Jones C.L., Gale I.G. Electron beam induced current assessment of doped and diffused junctions in epitaxial CdxHg/-xTe // J. Cryst. Growth. 1994. V. 138. No. 1-4. PP. 917923.

233. Chandra D., Schaake H.F., Aqauriden F., Teherani Т., Kinch M.A., Dreiske P.D., Weirauch D.F., Shin H.D. p to n conversion in SWIR mercury cadmium telluride with ion milling // J. Electron. Mater. 2006. V. 35. No. 6. PP. 1470-1473.

234. Богобоящий B.B., Ижнин И.И., Поцяск M., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Конверсия типа проводимости при ионном травлении узкощелевых монокристаллов HgCdTe, легированных Аи и Ag // ФТП. 2007. Т. 41. В. 7. С. 826831.

235. Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V., Vlasov А.Р., Mynbaev K.D., Pociask M., Relaxation of electrical properties of epitaxial CdxHg/.xTe: As(Sb) layers converted into и-type by ion milling // Proc. SPIE 2007. V. 6636. DOI: 10.1117/12.742604.

236. Ижнин И.И., Богобоящий B.B., Власов А.П., Мынбаев К.Д., Поцяск М. Релаксация электрических свойств эпитаксиальных слоев CdxHg/.xTe:As(Sb), конвертированных в «-тип ионным травлением // Прикладная физика. 2007. В. 4. (в печати).

237. Turner D. Electropolishing Silicon in Hydrofluoric Acid Solutions // J. Electrochem. Soc. 1958. V. 105. No. 7. PP. 402-408.

238. Watanabe Y., Arita Y., Yokoyama T., Igarashi Y. Formation and properties of porous silicon and its applications // J. Electrochem. Soc. 1975. V. 122. No. 10. PP. 1351-1355.

239. Smith R.L., Collins S.D. Porous silicon formation mechanisms // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. No. 8. PP. R1-R22.

240. Chazalviel J.-N., Wehrspohn R.B., Ozanam F. Electrochemical preparation of porous semiconductors: from phenomenology to understanding // Mater. Sci. Engineering. 2000. V. B69-B70. PP. 1-10.

241. Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. No. 10. PP. 1046-1048.

242. Sailor M.J., Heinrich J.L., Lauerhaas J.M Luminescent Porous Silicon: Synthesis, Chemistry and Applications. In: Semiconductor Nanoclusters: Physical, Chemical and catalytic Aspects // Studies in Surf. Sci. and Catalysis. 1997. V. 103. PP. 209-235.

243. Foil H., Carstensen J., Frey S. Porous and nanoporous semiconductors and emerging applications // J. Nanomater. 2006. V. 2006. Art. ID 91635. PP. 1-10.

244. Shor J.S., Grimberg I., Weiss B.-Z., Kurtz A.D. Direct observation of porous SiC formed by anodization in HF // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. No. 22. PP. 2836-2838.

245. Shor J.S., Okojie R.S., Kurtz A.D. Photoelectrochemical etching of «-type 6H-SiC // Inst. Phys. Conf. Ser. 1993. No. 137. PP. 523-526.

246. Konstantinov A.O., Harris C.I., Janzen E. Electrical properties and formation mechanism of porous silicon carbide // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. No. 21. PP. 26992701.

247. Lagemaat J., Plakman M., Vanmaekelbergh D., Kelly J.J. Enhancement of the light-to-current conversion efficiency in an «-SiC/solution diode by porous etching // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. No. 15. PP. 2246-2248.

248. Shin W., Ishida K., Seo W.-S., Suzuki Y., Koumoto K. Luminescence from anodized microcrystalline silicon carbide // Inst. Phys. Conf. Ser. 1995. No. 142. PP. 1071-1074.

249. Jessensky О., Muller F., Gosele U. Microstructure and photoluminescence of electrochemically etched porous SiC // Thin Solid Films. 1997. V. 297. No. 1-2. PP. 224-228.

250. Zangooie S., Persson P.O.A., Hilfiker J.N., Hultman L., Arwin H., Wahab Q. Microstructural, optical and electronic investigation of anodized 4H-SiC // Mater. Sci. Forum. 2000. V. 338-348. PP. 537-540.

251. Zangooie S., Persson P.O.A., Hilfiker J.N., Hultman L., Arwin H. Microstructural and infrared optical properties of electrochemically etched highly doped 4H-SiC // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. No. 12. PP. 8497-8503.

252. Zangooie S., Arwin H. Porous anodic 4H-SiC: thickness dependent anisotropy in pore propagation and ellipsometric characterization // phys. stat. sol. (a). 2000. V. 182. No. 1. PP. 213-216.

253. Danishevskii A.M, Zamoryanskaya M.V., Sitnikova A.A., Shuman V.B., Suvorova А. А. ТЕМ and cathodoluminescence studies of porous SiC // Semicond. Sci. Technol. 1998. V. 13. No. 10. PP. 1111-1116.

254. Sorokin L.M., Hutchinson J.L., Sloan J., Mosina G.N., SavkinaN.S., Shuman V.B., Lebedev А.А. ТЕМ (XHREM) and EDX studies of 6H-SiC porous layer as a substrate for subsequent homoepitaxial growth // Mater. Sci. Forum. 2002. V. 389-393. PP.271-274.

255. Данишевский A.M., Шуман В.Б., Рогачев А.Ю., Иванов П.А. Исследование пористого карбида кремния методами колебательной и люминесцентной спектроскопии // ФТП. 1995. Т. 29. В. 12. С. 2122-2132.

256. Данишевский A.M., Шуман В.Б., Рогачев А.Ю., Гук Е.Г., Иванов П.А., Мальцев А.А. О возникновении кристаллитов (З-фазы в пористых слоях карбида кремния // ФТП. 1996. Т. 30. В. 6. С. 1064-1068.

257. Данишевский A.M., Шуман В.Б., Гук Е.Г., Рогачев А.Ю. Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках // ФТП. 1997. Т. 31. В. 4. С. 420-424.

258. Cullis A.G., Canham L.T., Calcott P.D.J. The structural and luminescence properties of porous silicon // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. No. 3. PP. 909-965.

259. Matsumoto Т., Takahashi J., Tamaki Т., Futagi Т., Mimura H., Kanemitsu Y. Blue-green luminescence from porous silicon carbide // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. No. 2. PP. 226-228.

260. Konstantinov A.O., Henry A., Harris C., Janzen E. Photoluminescence studies of porous silicon carbide // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. No. 17. PP. 2250-2252.

261. Konstantinov A.O., Harris C.I., Henry A., Janzen E. Fabrication and properties of high-resistivity porous silicon carbide for SiC power device passivation // Mater. Sei. Engineering. 1995. V. B29. No. 1-3. PP. 114-117.

262. Лебедев A.A., Лебедев A.A., Рудь Ю.В. Спектры фотолюминесценции пористого я-SiC // Письма ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 3. С. 64-67.

263. Агекян В.Ф., Лебедев A.A., Лебедев A.A., Рудь Ю.В., Степанов Ю.А. Фотолюминесценция анодизированного карбида кремния // ФТП. 1997. Т. 31. В. 2. С. 251-253.

264. Fan J.Y., Wu X.L., Chu P.K. Low-dimensional SiC nanostruetures: Fabrication, luminescence, and electrical properties // Progr. Mater. Sei. 2006. V. 51. No. 8. PP. 983-1031.

265. Mynbaeva M.G., Tsvetkov D.V. Porous GaN // Inst. Phys. Conf. Ser. 1997. V. 155. PP. 365-367.

266. Mynbaeva M., Titkov A., Kryzhanovski A., Ratnikov V., Mynbaev K., Laiho R., Huhtinen R., Dmitriev V.A. Structural characterization and strain relaxation in porous GaN layers // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. No. 9. PP. 1113-1115.

267. Schmelzer J., Möller J., Slezov V.V., Gutzow I., Pascova R. Ostwald ripening in porous materials // QuimicaNova. 1998. V. 21. No. 4. PP. 529-533.

268. Thornton K., Ägren J., Voorhees P.W. Modeling the evolution of phase boundaries in solids at the meso- and nano-scales // Acta Mater. 2003. V. 51. PP. 5675-5710.

269. Thornton K., Akaiwa N., Voorhees P.W. Large-scale simulations of Ostwald ripening in elastically stressed solids. II. Coarsening kinetics and particle size distribution // Acta Mater. 2004. V. 52. No. 5. PP. 1365-1378.

270. Siegel M., Miksis M.J., Voorhees P.W. Evolution of material voids for highly anisotropic surface energy // J. Mech. Phys. Sol. 2004. V. 52. No. 6. PP. 1319-1353.

271. Seppälä E.T., Belak J., Rudd R.E. Onset of void coalescence during dynamic fracture of ductile metals // Phys. Rev. Lett. 2004. V. 93. No. 24. Art. 245503.

272. Черемской П.Г., Слезов B.B., Бетехтин В.И. Поры в твердом теле. М.: Энергоатомиздат, 1990. 376 с.

273. Foil Н., Christophersen М., Carstensen J., Hasse G. Formation and application of porous silicon // Mat. Sei. Eng. 2002. V. R39. No. 4. PP. 93-141.

274. Christophersen M., Langa S., Carstensen J., Tiginyanu I.M., Foil H. A comparison of pores in silicon and pores in III-V compound materials // phys. stat. sol. (a). 2003. V. 197. No. 1. PP. 197-203.

275. Foil H., Carstensen J., Christophersen M., Langa S., Tiginyanu I.M. Porous III-V compound semiconductors: formation, properties, and comparison to silicon // phys. stat. sol. (a). 2003. V. 197. No. 1. PP. 61-70.

276. Компан M.E. Механизм первичной самоорганиизации регулярной структуры пористого кремния // ФТТ. 2003. Т. 45. В. 5. С. 902-906.

277. Бондаренко В.П., Дорофеев A.M., Табулина JI.B. Анодное травление и влияние высокотемпературного отжига на удельную поверхность пористого кремния//Поверхность. 1985. Т. 10 В. 1. С. 64-69.

278. Corbett J.W., Shereshevskii D.I., Verner I.V. Changes in the creation of point defects related to the formation of porous silicon // phys. stat. sol. (a). 1995. V. 147. No. 1. PP. 81-90.

279. Маргвелашвили И.Г., Саралидзе З.К. Формирование равновесной концентрации вакансий на поверхности двухкомпонентного упорядоченного (неионного) кристалла при скачкообразном изменении температуры // Поверхность. 1989. № 8. С. 107-115.

280. В.Е. Gatewood. Thermal Stresses. McGraw-Hill, N.-Y. (1957).

281. Проблемы теплообмена. Сб. статей под ред. П.Л. Кириллова. Атомиздат, М. (1967).

282. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, A1N, InN, BN, SiC, SiGe. Ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur. John Wiley and Sons, N.-Y., Chichester, Weinheim, Brisbane, Singapore, Toronto (2001). p. 95.

283. Кукушкин С.А. Начальные стадии хрупкого разрушения твердых тел // Усп. механики. 2003. № 2. С. 21-^4.

284. Stark J.P. Concentration of vacancies in a temperature gradient // Phys. Rev. B. 1980. V. 21. No. 2. PP. 556-558.

285. Гирка А.И., Мохов E.H. Вакансионные дефекты в карбиде кремния // ФТТ. 1995. Т. 37. В. 11. С. 3374-3381.

286. Мохов Е.Н, Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. Проблемы управляемого получения легированных структур на базе карбида кремния. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., Изд-во ЛИЯФ, 1980). С.136-149.

287. Mynbaeva M., Kayambaki M., Mynbaev К., Zekentes К. On application of electrochemical capacitance-voltage profiling technique for «-type SiC (in press).

288. Shishkin Y., Choyke W.J., Devaty R.P. Photoelectrochemical etching of «-type 4H silicon carbide // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. No. 4. PP. 2311-2322.

289. Sagar A., Lee C.D., Feenstra R.M., Inoki C.K., Kuan T.S. Morphology and effects of hydrogen etching on porous SiC // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. No. 7. PP. 4070-4074.

290. Мынбаева М.Г., Бауман Д.А., Мынбаев К.Д. К вопросу о роли вакансий в образовании пор при анодизадии SiC // ФТТ. 2005. Т. 47. В. 9. С. 1571-1577.

291. Vodakov Yu.A., Mokhov E.N. Diffusion and solubility of impurities in silicon carbide // Silicon Carbide-1973. South Carolina, Univ. Press, 1974. PP. 508-520.

292. Gao Y., Soloviev S.I., Sudarshan S. Investigation of boron diffusion in 6H-SiC // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. No. 5. PP. 905-907.

293. Gao Y., Soloviev S.I., Sudarshan S., Tin C.C. Selective doping of 4H-SiC by codiffusion of aluminum and boron // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. No. 11. PP. 56475651.

294. Usov I.O., Suvorova A. A., Kudriavtsev Y.A., Suvorov A.V. Diffusion of boron in 6H and 4H SiC coimplanted with boron and nitrogen ions // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. No. 9. PP. 4960-4964.

295. Rao M.V., Gardner J.A., Chi P.H., Holland O.W., Kelner G., Kretchmer J, Ghezzo M. Phosphorus and boron implantation in 6H-SiC // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. No. 10. PP. 6635-6641.

296. Henkel Т., Tanaka Y., Kobayashi N., Tanoue H., Hishita S. Diffusion of implanted beryllium in silicon carbide studied by secondary ion mass spectrometry // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. No. 2. PP. 231-233.

297. Мохов E.H., Горнушкина Е.Д., Дидик В.А., Козловский B.B. Диффузия фосфора в карбиде кремния // ФТТ. 1992. Т. 34. В. 6. С. 1957-1959.

298. Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г. Особенности диффузии бора в карбиде кремния // ФТП. 1980. Т. 14. В. 2. С. 377-379.

299. Водаков Ю.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г. Междоузельная диффузия В и Be в SiC //Неорганич. Материалы. 1983. Т. 20. В. 7. С. 1086-1088.

300. Rurali R., Hernández Е., Godignon Р., Rebollo J., Ordejón P. First-principles studies of the diffusion of В impurities and vacancies in SiC // Phys. Rev. B. 2004. V.69. P. 125203.

301. Bockstedte M., Mattausch A., Pankratov O. Different roles of carbon and silicon interstitials in the interstitial-mediated boron diffusion in SiC // Phys. Rev. B. 2004. V.70. P.115203.

302. Rauls E., Frauenheim Th., Gali A., Deák P. Theoretical study of vacancy diffusion and vacancy-assisted clustering of antisites in SiC // Phys. Rev. B. 2003. V. 68. P. 155208.

303. Bagraev N., Bouravleuv A., Gippius A., Klyachkin L., Malyarenko A. Low temperature impurity diffusion into large-band-gap semiconductors // Defect Diffusion Forum. 2001. V. 194. No. 1. PP. 679-684.

304. Bracht H., Stolwijk N.A., Laube M., Pensl G. Diffusion of boron in silicon carbide: evidence for the kick-out mechanism // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. No. 20. PP. 3188-3190.

305. Janson M.S., Linnarsson M.K., Hallen A., Svensson B.G., Nordell N., Bleichner H. Transient enhanced diffusion of implanted boron in 4H-silicon carbide // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. No. 11. PP. 1434-1436.

306. Usov I.O., Suvorova A.A., Sokolov V.V., Kudriavtsev Y.A., Suvorov A.V. Transient enhanced diffusion of aluminum in SiC during high temperature ion implantation // J. Appl. Phys. 1999. V. 86. No. 11. PP. 6039-6042.

307. Soloviev S., Khlebnikov I., Sudarshan T.S., Gao Y. Diffusion into Porous SiC // Abstract Book of Workshop on Challenges in Porous and Amorphous Wide Gap Semiconductors. Newfoundland, Canada, 2001. P. 9.

308. Бачериков Ю.Ю., Конакова P.B., Литвин O.C., Охрименко О.Б., Светличный

309. A.M., Московченко М.М. Морфологические и оптические свойства слоев пористого карбида кремния, легированного титаном // Письма ЖТФ. 2006. Т. 32.1. B. 4. С. 6-10.

310. Dzhafarov T.D., Can В. The diffusion redistribution of hydrogen and oxygen in porous silicon films // J. Mater. Sci. Lett. 2000. V. 19. No. 4. PP. 287-289.

311. Andsager D., Hetrick J.M., Hilliard J., Nayfeh M.H. Diffusion of copper in porous silicon // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. No. 9. PP. 4399-4402.

312. Астрова E.B, Ворнков В.Б., Грехов И.В., Нащекин A.B., Ткаченко А.Г. Глубокое диффузионное легирование макропористого кремния // Письма ЖТФ.1999. Т. 25. В. 23. С. 72-79.

313. Berezhkovskii A.M., Zitserman V.Yu., Shvartsman S.Y. Effective diffusivity in periodic porous materials // J. Chem Phys. 2003. V. 119. No. 14. PP. 6991-6993.

314. Muller G., Brendel K. Simulated annealing of porous silicon // phys. stat. sol. (a).2000. V. 182. P. 313-318.

315. Скороход B.B. Развитие идей Я.И. Френкеля в современной реологической теории спекания // Порошковая металлургия. 1995. № 9-10. С. 36-43.

316. Herring С. Effect of change of scale on sintering phenomena // J. Appl. Phys. 1950. V. 21. PP. 301-303.

317. Бойко Ю.И., Кайзер В., Петцов Г., Фриш А. Теория и технология процессов спекания, термической и термохимической обработки // Порошковая металлургия. 1993. № 5. С. 29-32.

318. Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. М.: Наука, 1979. 344 с.

319. Drowart J., De Maria G., Inghram M.G. Thermodynamic study of SiC utilizing a mass spectrometer // J. Chem. Phys. 1958. V. 41. No. 5. PP. 1015-1023.

320. Vodakov Yu. A., Mokhov E.N. Point defects in silicon carbide // Inst. Phys. Conf. Ser. 1994. No. 137. Ch. 3. PP. 197-206.

321. Hobgood H.McD., Glass R.C., Augustine G., Hopkins R.H., Jenny J., Skowronski M., Mitchel W.C., Roth M. Semi-insulating 6H-SiC grown by physical vapor transport //Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. No. 11. PP. 1364-1366.

322. Reshanov S.A. Growth and high-temperature performance of semi-insulating silicon carbide // Diamond and Related Materials. 2000. V. 9. PP. 480-482.

323. Sudarshan T.S., Gradinaru G., Korony G., Gradinaru S.A., Mitchel W. High field/high temperature performance of semi-insulating silicon carbide // Diamond and Related Materials. 1997. V. 6. No. 10. PP. 1392-1395.

324. Лебедев А. А. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния // ФТП. 1999. Т. 33. В. 2. С. 129-155.

325. Reshanov S.A., Rastegaev V.P. Photoconductivity of semi-insulating SiC:<V,Al> // Diamond and Related Materials. 2001. V. 10. No. 11. PP. 2035-2038.

326. Kimoto T., Nakajima T., Matsunami H., Nakata T., Inoue M. Formation of semi-insulating 6H-SiC layers by vanadium ion implantation // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. No. 8. PP. 1113-1115.

327. Edwards A., Dwight D.N., Rao M.V., Ridgway M.C., Kelner G., Papanicolau N. Compensation implants in 6H-SiC // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. No. 9. PP. 4223-4227.

328. Bickermann M., Epelbaum B.M., Hofmann D., Straubinger T.L., Weingartner R., Winnacker A. Incorporation of boron and vanadium during PVT growth of 6H-SiC crystals // J. Cryst. Growth. 2001. V. 233. No. 1-2. PP. 211-218.

329. Ellison A., Magnusson B., Hemmingson C., Magnusson W., Iakimov T., Storasta L., Henry A., Henelius N., Janzen E. HTCVD growth of semi-insulating 4H-SiC crystals with low defect density // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2001. V. 640. P. H1.2.1-H1.2.11.

330. Mitchell W.C., Mitchell W.D., Landis G„ Smith H.E., Lee W., Zvanut M.E. Vanadium donor and acceptor levels in semi-insulating 4H- and 6H-SiC // J. Appl. Phys. 2007. V. 101. No. 1. Art. 013707.

331. Zheng Z., Tressler R.E., Spear K.E. Oxidation of single-crystal silicon carbide // J. Electrochem. Soc. 1990. V. 137. No. 3. PP. 854-858.

332. Chang K.C., Nuhfer N.T., Porter L.M., Wahab Q. High-carbon concentrations at the silicon dioxide-silicon carbide interface identified by electron energy loss spectroscopy // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. No. 14. PP. 2186-2188.

333. Wang C., Bernholc J., Davis R.F. Formation energies, abundances and the electronic structure of native defects in cubic SiC // Phys. Rev. B. 1988. V. 38. No. 17. PP. 12752-12755.

334. Son N.T., Hai P.N., Janzen E. Silicon antisite in 4H SiC // Phys. Rev. Lett. 2001. V. 87. No. 4. Art. 045502.

335. Jerier P., Dutartre D. Boron autodoping in single-wafer of silicon at reduced pressure // J. Electrochem. Soc. 1999. V. 146. No. 1. PP. 331-335.

336. Nordell N., Schöner A., Rottner К, Persson P.O.Ä, Wahab Q., Hultman L., Linnarsson M.K., Olsson E. Boron implantation and epitaxial regrowth studies of 6H SiC //J. Electron. Mater. 1998. V. 27. No. 7. PP. 833-837.

337. Torvik J.T., Leksono M.W., Pankove J.I., Heinlein С., Grepstad J.K., Magee C. Interfacial effects during GaN growth on 6H-SiC // J. Electron. Mater. 1999. V. 28. No. 3. PP. 234-239.

338. Sheu J.K., Chi G.C. The doping process and dopant characteristics of GaN // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. V. 14. No. 22. PP. R657-R702.

339. Scott M.B., Scofield J.D., Yeo Y.K., Hengehold R.L. Deep level defect study of ion implanted (Ar, Mg, Cr) «-type 6H-SiC by deep level transient spectroscopy // Mater. Sei. Forum. 1998. V. 264-268. PP. 549-552.

340. Handy E.M., Rao M.V., Jones K.A., Derenge M.A., Chi P.H., Vispute R.D., Venkatesan Т., PapanicolauN.A., Mittereder J. Effectiveness of A1N encapsulant in annealing ion-implanted SiC // J. Appl. Phys. 1999. V. 86. No. 2. PP. 746-751.

341. Горелик C.C., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М., 1988. 574 с.

342. Pan С. J., Chi G.C. The doping of GaN with Mg diffusion // Sol.-State Electronics. 1999. V. 43. No. 3. PP. 621-623.

343. Бабунц P.A., Ветров B.A., Ильин И.В., Мохов E.H., Романов Н.Г., Храмцов В.А., Баранов П.Г. Свойства люминесценции эрбия в объемных кристаллах карбида кремния // ФТП. 2000. Т. 42. В. 5. С. 809-815.

344. Koshka Y, Song Y., Walker J., Saddow S.E., Mynbaeva M. Spin-on doping of porous SiC with Er // Mater. Sei. Forum. 2004. V. 457-460. PP. 763-766.

345. Mynbaeva M., Lavrent'ev A., Kotousova I., Volkova A., Mynbaev K., Lebedev

346. A. On current limitations in porous SiC applications // Mater. Sei. Forum. 2005. V. 483-485. PP. 269-272.

347. Mynbaeva M., Kuznetsov N., Lavrent'ev A., Mynbaev K., Wolan J.T., Grayson

348. B., Ivantsov V., Syrkin A., Fomin A., Saddow S.E. Porous SiC: new applications through in- and out- dopant diffusion // Mater. Sei. Forum. 2003. V. 433-436. PP. 657660.

349. Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Кузнецов Н.И., Кузнецов А.Н., Мынбаев К.Д., Лебедев А.А. Полуизолирующие слои карбида кремния, полученные диффузией ванадия в пористый SiC // ФТП. 2003. Т. 37. В. 5. С. 612-615.

350. Mynbaeva M.G., Mynbaev K.D., Ivantsov V.A., Lavrent'ev A.A., Grayson B.A., Wolan J.T. Semi-insulating porous SiC substrates // Semicond. Sci. Technol. 2003. V. 18. No. 6. PP. 602-606.

351. Мынбаева М.Г., Лаврентьев A.A., Фомин A.B., Мынбаев К.Д., Лебедев А.А. Диффузия магния из подложек пористого карбида кремния при автолегировании эпитаксиальных слоев нитрида галлия // Письма ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 11. С. 7278.

352. Luryi S., Suhir Е. New approach to the high quality epitaxial growth of lattice-mismatched materials // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 49. No. 3. PP. 140-142.

353. Konaka S., Tabe M., Sakai T. A new silicon-on-insulator structure using a silicon molecular beam epitaxial growth on porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1982. V. 41. No. l.PP. 86-88.

354. Kao Y., Wang K., Wu В., Lin Т., Nien C., Jamieson D., Bai G. Molecular beam epitaxial growth of CoSi2 on porous Si // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. No. 22. PP. 1809-1811.

355. Levchenko V.I., Postnova L.I., Bondarenko V.P., Vorozov N.N., Yakovtseva V.A., Dolgyi L.N. Heteroepitaxy of PbS on porous silicon // Thin Solid Films. 1999. V. 348. No. 1-2. PP. 141-144.

356. Lee J.W., Paek H.S., Yoo J.B., Kim J.H., Kum D.W. Low temperature buffer growth to improve hydride vapor phase epitaxy of GaN // Mater. Sci. Engineer. B. 1999. V. 59. No. 1-3. PP. 12-15.

357. Мамутин B.B., Улин В.П., Третьяков B.B., Иванов С.В., Конников С.Г., Копьев П.С. Получение кубического GaN молекулярно-пучковой эпитаксией на подложках пористого GaAs // Письма ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 1. С. 3-9.

358. Kang T.W., Park S.H., Kim T.W. Improvement of the crystallinity of GaN epitaxial layers grown on porous Si (100) layers by using a two-step method // J. Mater. Res. 2000. V. 15. No. 12. PP. 2602-2605.

359. Liang J., Hong S.K., Kouklin N., Beresford R., Xu J.M. Nanoheteroepitaxy of GaN on a nanopore array Si surface // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. No. 9. PP. 17521754.

360. Kusakabe K., Kikuchi A., Kishino K. Overgrowth of GaN layer on GaN nano-columns by RF-molecular beam epitaxy // J. Cryst. Growth. 2002. V. 237-239. Part 2. PP. 988-992.

361. Mynbaeva M., Saddow S.E., Melnychuk G., Nikitina I., Scheglov M., Sitnikova A., Kuznetsov N., Mynbaev K., Dmitriev V. Chemical vapor deposition of 4H-SiC epitaxial layers on porous SiC substrates // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. No. 1. PP. 117-119.

362. Melnik Yu., Vassilevski K, Nikitina I., Babanin A., Davydov V., Dmitriev V.A. Physical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1997. V. 2. Art. 39.

363. Reshchikov M.A., Могкоф H. Luminescence properties of defects in GaN // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. No. 6. Art. 061301.

364. Lysenko V., Barbier D., Champagnon B. Stress relaxation effect in porous 3C-SiC/Si heterostructure by micro-Raman spectroscopy // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. No. 15. PP. 2366-2368.

365. Takemoto K., Nakamura Y., Nittono O. Microstructure and crystallinity of «-type porous silicon // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. Part 1. No. 12A. PP. 6432-6436.

366. Kukushkin S.A. Nucleation of pores in brittle solids under load // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. No. 3. Art. 033503.

367. Mynbaeva M. Porous SiC: prospective applications // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2003. V. 742. P. 303-319.

368. Улин В.П., Конников С.Г. Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах АШВУ // ФТП. 2007. Т. 41. В. 7. С. 854-866.

369. Parkhutik V. Self-organization of pores in SiC/Si composite structures // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. No. 9. PP. 4647-4651.

370. Ott N., Nerding M., Müller G, Brendel R., Strunk H.P. Evolution of the microstructure during annealing of porous silicon multilayers // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. No. 2. PP. 497-503.

371. Mynbaeva M.G., Mynbaev K.D., Sarna A., Kuball M. Porous GaN/SiC templates for homoepitaxial growth: effect of the built-in stress on the formation of porous structures // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. No. 1. PP. 50-55.

372. Вавилов B.C., Эфимиу П.К., Зардас Дж.Е. Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа AIIIBV // УФН. 1999. Т. 169. № 2. С. 209-212.

373. Chung S.J., Cha О.Н., Kim Y.S., Hong C.-H, Lee H.J., Jeong M.S., White J.O., Suh E.-K. Yellow luminescence and persistent photoconductivity of undoped «-type GaN // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. No. 10. PP. 5454-5459.

374. Reddy C.V., Balakrishnan K., Okumura H., Yoshida S. The origin of persistent photoconductivity and its relationship with yellow luminescence in molecular-beam-epitaxy-grown undoped GaN // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. No. 2. P. 244-246.

375. Garrido J.A., Monroy E., Izpura I., Munos E. Photoconductive gain modeling of GaN photodetectors // Semicond. Sci. Technol. 1998. V. 13. No. 6. PP. 563-568.

376. Muñoz E., Monroy E., Garrido J.A., Izpura I., Sánchez F.J., Sánchez-Garcia M.A., Calleja E., Beaumont В., Gibart P. Photoconductor gain mechanisms in GaN ultraviolet detectors // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. No. 7. PP. 870-872.

377. Monroy E., Calle F., Muñoz E., Omnes F., Beaumont В., Gibart P. Visible-blindness in photoconductive and photovoltaic AlGaN ultraviolet detectors // J. Electron. Mater. 1999. V. 28. No. 3. P. 240-245.

378. Shalish I., Kronik L., Segal G., Shapira Y., Zamir S., Meyler В., Salzman J. Grain-boundary-controlled transport in GaN layers // Phys. Rev. B. 2000. V. 61. No. 23. P.15373-15376.

379. Ivanov P.A., Mynbaeva M.G., Saddow S.E. Effective carrier concentration in porous silicon carbide // Semicond. Sci. Technol. 2004. V. 19. No. 3. PP. 319-322.

380. Казакова Л.П., Мынбаева М.Г., Мынбаев К.Д. Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом карбиде кремния // ФТП. 2004. Т. 38. В. 9. С. 11181120.

381. Seifert O.P., Kirfel O., Munzel M., Hirsch M.T., Parisi J., Kelly M., Ambacher O., Stutzmann M. Interface effects on the persistent photoconductivity in thin GaN and AlGaN films // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1999. V. 4S1. Art. G5.5.

382. Guo X.Y., Williamson T.L., Bohn P.W. Enhanced ultraviolet photoconductivity in porous GaN prepared by metal-assisted electroless etching // Solid State Commun. 2006. V. 140. No. 3-4. PP. 159-162.

383. Bourret A. Compliant substrates: a review on the concept, techniques and mechanisms // Appl. Surf. Sci. 2000. V. 164. No. PP. 3-14.

384. Bommena R. Fulk C., Zhao J., Lee T.S., Sivanathan S, Brueck S.R.J., Hersee S.D. Cadmium telluride growth on patterned substrates for mercury cadmium telluride infrared detectors // J. Electron. Mater. 2005. V. 34. No. 6. PP. 704-709.

385. Fareed R.S.Q., Adivarahan V., Chen C.Q., Rai S., Koukstis E., Yang J.W., Asif Khan M., Caissie J., Molnar R.J. Air-bridged lateral growth of crack-free Alo.24Gao.76N on highly relaxed porous GaN // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. No. 5. PP. 696-698.

386. Yun F., Reshchikov M.A., He L., Morko? H., Inoki C.K., Kuan T.S. Growth of GaN films on porous SiC substrate by molecular-beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. No. 22. PP. 4142-4144.

387. Yun F., Dogan S., Moon Y.T., Fu Y., Xu J., Johnstone D., Morko? H., Characterization of MOCVD grown GaN on porous SiC templates // phys. stat. sol. (c). 2005. V. 2. No. 7. PP. 2087-2090.

388. Sagar A., Lee C.D., Feenstra R., Inoki C.K., Kuan T.S. Plasma-assisted molecular beam epitaxy of GaN on porous SiC substrates with varying porosity // J. Vac. Sci. Technol. B. 2003. V. 21. No. 4. PP. 1812-1817.

389. Inoki C.K., Kuan T.S., Lee C.D., Sagar A., Feenstra R.M., Koleske D.D., Diaz D.J., Bohn P.W., Aldesida I. Growth of GaN on porous SiC and GaN substrates // J. Electron. Mater. 2003. V. 32. No. 8. PP. 855-860.

390. Jeong J.K., Kim H.J., Seo H.C., Kim H.J., Yoon E., Hwang C.S., Kim HJ. Improvement in the crystalline quality of epitaxial GaN films grown by MOCVD by adopting porous 4H-SiC substrate // Electrochem. Sol-State Lett. 2004. V. 7. No. 4. PP. C43-C45.

391. Sato N., Sakaguchi K., Yamagata K., Fujiyama Y., Nakayama J., Yonehara T. Advanced quality in epitaxial layer transfer by bond and etch-back of porous Si // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. Part 1. No. 2B. PP. 973-977.

392. Usami N., Kutsukake K., Nakajima K., Amtablian S., Fave A., Lemiti M. Control of strain status in SiGe thin film by epitaxial growth on Si with buried porous layer // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. No. 3. Art. 031915.

393. Вакуленко A.A., Кукушкин C.A. Кинетика хрупкого разрушения упругих тел// ФТТ. 1998. Т. 40. № 7. С. 1259-1263.

394. Бетехтин В.И., Кадомцев А.Г. Эволюция микроскопических трещин и пор в нагруженных твердых телах // ФТТ. 2005. Т. 47. В. 5. С. 801-807.

395. Albrecht М., Nikitina I.P., Nikolaev А.Е., Melnik Yu.V., Dmitriev V.A., Strunk H.P. Dislocation reduction in A1N and GaN bulk crystals grown by HVPE // phys. stat. sol. (a). 1999. V. 176. No. 1. PP. 453-458.

396. Romano L.T., Krusor B.S., Molnar R.J. Structure of GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. No. 16. PP. 2283-2285.

397. Mathis S.K., Romanov A.E., Chen L.F., Beltz G.E., Pompe W., Speck J.S. Modeling of threading dislocation reduction in growing GaN layers // J. Cryst. Growth. 2001. V. 231. No. 3. PP. 371-390.

398. Mynbaeva M.G., Melnik Yu.V., Kryganovskii A.K., Mynbaev K.D. Wet chemical etching of GaN in H3PO4 with A1 ions // Electrochem. and Solid-State Letters. 1999. V.2.No. 8. PP. 430-433.

399. Sverdlov B.N., Martin G.A., Morko? H., Smith D.J. Formation of threading defects in GaN wurtzite films grown on nonisomorhic substrates // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. No. 14. PP. 2063-2065.

400. Lei Т., Ludwig K.F. Jr., Moustakas T.D. Heteroepitaxy, polymorphism, and faulting tin GaN thin films on silicon and sapphire substrates // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. No. 7. PP. 4430-4437.

401. Николин Б.И. Многослойные структуры и политипизм в металлических сплавах. Киев: Наукова Думка, 1984.240 с.

402. Paterson M.S. X-Ray diffraction by face-centered cubic crystals with deformation faults // J. Appl. Phys. 1952. V. 23. No. 8. PP. 805-811.

403. Berliner R., Werner S.A. Effect of stacking faults on diffraction: the structure of lithium metal // Phys. Rev. B. 1986. V. 34. No. 6. PP. 3586-3603.

404. Estevez-Rams E., Martinez J., Penton-Madrigal A., Lora-Serrano R. Direct solution of the diffraction pattern of a crystal with planar faulting // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. Art. 054109.

405. Wu X.H., Fini P., Tarsa E.J., Heying В., Keller S., Mishra U.K., DenBaars S.P., Speck J.S. Dislocation generation in GaN heteroepitaxy // J. Cryst. Growth. 1998. V. 189-190. PP. 231-243.

406. Molina S.I., Sánchez A.M., Pacheco F.J., García R., Sánchez-García M.A., Sánchez F.J., Calleja E. The effect of Si doping on the defect structure of GaN/AlN/Si(l 11) // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. No. 22. PP. 3362-3364.

407. Hugosson H.W., Jansson U., Johansson В., Eriksson O. Restricting dislocation movement in transition metal carbides by phase stability tuning // Science. 2001. V. 293. No. 5539. PP. 2434-2437.

408. Karpov S.Yu., Makarov Yu.N. Dislocation effect on light emission efficiency in gallium nitride // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. No. 25. PP. 4721-4723.

409. Yonenaga I., Makino H., Itoh S., Goto T. Photoluminescence properties of GaN with dislocations induced by plastic deformation // J. Electron. Mater. 2006. V. 35. No. 4. PP. 717-721.

410. Козловский B.B. Модифицирование полупроводников пучками протонов. СПб., Наука, 2003. 268 с.

411. Fang Z.-Q., Look D.C., Polenta L. Dislocation-related electron capture behaviour of traps in n-type GaN // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. V. 14. No. 9. PP. 1306113068.

412. Nakamura S., Fasol G. The Blue Laser Diode. Berlin: Springer, 1997. P. 177.

413. Casey H.C., Jr., Muth J., Krishnankutty S., Zavada J.M. Dominance of tunneling current and band filling in InGaN/AlGaN double heterostructure blue light-emitting diodes //Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. No. 20. PP. 2867-2869.

414. Mynbaeva M., Bazhenov N., Mynbaev K., Evstropov V., Saddow S.E., Koshka Y., Melnik Y. Photoconductivity in porous GaN layers // phys. stat. sol. (b). 2001. V. 228. No. 2. PP. 589-592.

415. Mynbaev K.D., Mynbaeva M.G., Onushkin G.A. Photoconduction in porous GaN/SiC structures // Materials of the 27th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe. 2003. Furigen, Switzerland. P.l 1-12.

416. Мынбаев К., Онушкин Г., Ледяев О., Мынбаева М. Оптические исследования пористых структур GaN/SiC и композиций GaN/пористый SiC // Сб. материалов V Междунар. сем. «Карбид кремния и родственные материалы». 2005. В. Новгород, Россия. С. 61-62.

417. Мынбаева М.Г., Константинов О.В., Мынбаев К.Д., Романов А.Е., Ситникова А.А. Механизм релаксации напряжений несоответствия при