Технология и исследование конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Панкрашкин, Алексей Владимирович

• Панкрашкин, Алексей Владимирович
• кандидат технических наук
• 2002

Оглавление диссертации кандидат технических наук Панкрашкин, Алексей Владимирович

Перечень условных обозначений и сокращений

Введение

1. Сегнетоэлектрические пленки для тонкопленочных структур различного назначения

1.1. Сегнетоэлектрики и их основные свойства

1.2. Сегнетоэлектрические пленки: методы получения и свойства

1.3. Многослойные структуры с сегнетоэлектриками для различных применений

Выводы и постановка задачи

2. Материалы, технология получения тонких пленок для многослойных структур и методы их исследования

2.1. Подложки, пленочные металлические и полупроводниковые электроды для многослойных структур с цирконатом-титанатом свинца

2.2. Технология получения пленок различных материалов для тонкопленочных структур

2.2.1. Осаждение нижнего и верхнего платиновых электродов

2.2.2. Формирование сегнетоэлектрических пленок цирконататитаната свинца

2.2.3. Получение полупроводниковых пленок диоксида олова

2.3. Методы исследования тонких пленок и структур на их основе

2.3.1. Структурные методы исследования

2.3.2. Оптический метод контроля однофазности пленок ЦТС

2.3.3. Измерения вольт-фарадных характеристик и диэлектрического гистерезиса

2.3.4. Метод модулирования интенсивности лазерного излучения 81 Выводы

ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ

1А - ток анода

Стах, Cmin - емкость конденсаторной структуры с сегнетоэлектрической пленкой ЦТС в состоянии обогащения и обеднения в полупроводниковой пленке соответственно

Ес - коэрцитивное поле

Кф - коэффициент формы полупроводникового резистора

Ка- кратность изменения проводимости полупроводникового резистора

Кс - кратность изменения емкости конденсаторной структуры

ТПОдл - температура подложки

Тк - температура Кюри

Ps - спонтанная поляризация

Р0 - остаточная поляризация рлг - парциальное давление аргона ро2 - парциальное давление кислорода рлт-02 - давление газовой смеси кислорода и аргона в рабочем объеме

Rs - поверхностное сопротивление

UM - напряжение на мишени

Vocaam - скорость осаждения dC3 - толщина сегнетоэлектрика don3 - толщина области пространственного заряда tgd - тангенс диэлектрических потерь

8 -толщина полупроводниковой пленки - диэлектрическая проницаемость епп - диэлектрическая проницаемость полупроводника сэ - диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика

So =8,85'10" Ф/м - диэлектрическая постоянная <ps - поверхностный потенциал и - подвижность носителей заряда в полупроводнике п - концентрация носителей заряда в полупроводниковой пленке

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Технология и исследование конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца»

Использование принципа физической интеграции динамических неодно-родностей, лежащего в основе функциональной электроники, открывает новые перспективы в создании элементов и устройств электронной техники [1]. Среди материалов, обеспечивающих развитие данного направления, видное место занимают сегнетоэлектрики, уникальные свойства которых, обусловленные диэлектрическими, пироэлектрическими, оптическими и пьезоэлектрическими эффектами в одной континуальной среде, делают реальным создание на их основе различных элементов и устройств: от элементов памяти, сохраняющих информацию при отключении питания, до датчиков различного назначения с адаптивными характеристиками [2-4]. Использование сегнетоэлектриков в составе многослойных структур, например, при непосредственном контакте с полупроводниками, существенно расширяет их функциональные возможности [35]. Так, в запоминающих устройствах на основе структур сегнетоэлектрик-полупроводник (СЭ-ПП) с электрической или оптической записью информации обеспечивается ее неразрушающее считывание, а в датчиках температуры возможно управление их термочувствительностью импульсами поляризующего электрического поля [5-8].

Наличие двух и более устойчивых состояний поляризованности сегнето-электрика, которые могут быть изменены под действием электрического поля, позволяют создавать не только репрограммируемые устройства, работающие в двоичной системе, но и многоуровневые запоминающие и адаптивные устройства [3-5]. В поляризованном состоянии сегнетоэлектрики широко используются для создания пироэлектрических и пьезоэлектрических преобразователей [916]. Электрооптические, фоторефрактивные эффекты в сегнетоэлектрических кристаллах и электрооптической керамике уже нашли широкое применение в оптоэлектронных устройствах [4,17-21].

Анализ развития современной интегральной электроники свидетельствует, что при достигнутом уровне интеграции все сильнее проявляются физические и технологические ограничения [1]. Это заставляет искать новые принципы построения микроэлектронных устройств, новые материалы для их реализации, среди которых сегнетоэлектрики по своим параметрам и возможностям могут успешно исполнять роль активной среды нового поколения электроники. Однако элементы и устройства на объемных монокристаллических или керамических сегнетоэлектриках не могут удовлетворить требованиям микроминиатюризации, снижению энергоемкости, повышению чувствительности и быстродействия при одновременном уменьшении управляющих напряжений. Кроме того, использование объемных материалов существенно ухудшает эксплуатационные характеристики сегнетоэлектрических элементов и не позволяет технологически интегрировать их в состав микросхем [22,23].

В настоящее время началось широкое практическое использование тонких сегнетоэлектрических пленок (СЭП) в интегральных микросхемах, что нашло отражение в появлении нового термина: интегрированные сегнетоэлектрики (Integrated Ferroelectrics) [24,25]. Уникальные возможности СЭП стали основой для значительного улучшения характеристик существующих типов приборов, а также создания целого ряда принципиально новых микроэлектронных устройств [26-28].

Однако, несмотря на значительное количество работ в этой области, проблему создания тонкопленочных структур с СЭП, в том числе конденсаторных структур, удовлетворяющих требованиям технологической совместимости, воспроизводимости, получения качественных пленок и границ раздела, нельзя считать решенной. В частности, явно недостаточно исследованы особенности получения отдельных слоев и их влияние на характеристики структур, возможности получения самополяризованных СЭП, дефекты в СЭП, границы раздела тонкопленочных структур на их основе.

Целью данной работы является разработка технологии и исследование свойств сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца Pb(ZrxTiix)03 (ЦТС) и многослойных конденсаторных структур на их основе, а так же возможности их применения в качестве пироэлектрических приемников ИК излучения и дозиметров УФ излучения.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ:

1. Разработана двухстадийная технология формирования однофазных перов-скитовых пленок ЦТС разного состава, включающая ВЧ-магнетронное распыление керамических мишеней на подложку при температуре не более 200°С и последующую высокотемпературную обработку при температурах, не превышающих 600°С.

2. Показано, что получение стабильных нижних платиновых электродов с низкой шероховатостью поверхности возможно за счет введения углерода в пленку в процессе ее осаждения или использования подслоя титана. Применение стабильных легированных углеродом пленок платины с шероховатостью поверхности не более 15-20 нм позволило получить однофазные пленки ЦТС субмикронной толщины со структурой перовскита.

3. Исследовано влияние подложки и нижнего платинового электрода на структуру и свойства пленок цирконата-титаната свинца. Предложены технологические режимы, позволяющие формировать на разных подложках пленки плагины и ЦТС различного структурного совершенства (от мелкодисперсных до тек-стурированных и моноблочных) с разными электрофизическими свойствами.

4. Для объяснения смещения и изменения формы петель гистерезиса (Р-Е) и вольт-фарадных (C-V) характеристик пленок ЦТС разного состава предложена модель, которая учитывает как кристаллиты, занимающие всю толщину пленки, так и кристаллиты меньшего размера с межзеренными границами, ориентированными параллельно поверхности подложки. Эти границы служат барьером для зарядов, мигрирующих по толщине пленок с избытком оксида свинца, и препятствуют формированию самополяризованного состояния.

5. С помощью метода модуляции интенсивности лазерного излучения было показано, что поляризация пленок ЦТС, полученных распылением мишеней с избытком оксида свинца, неоднородна по толщине и смещена в сторону нижнего электрода тонкопленочного сегнетоэлектрического конденсатора.

6. Показано, что механизм самополяризации пленок ЦТС, полученных распылением мишеней с избытком оксида свинца, связан с захватом электронов на локализованные состояния нижнего интерфейса структуры в процессе охлаждения после термообработки и с поляризацией зарядом этих электронов пленки цирконата-титаната свинца при температуре ниже температуры Кюри. Предполагается, что такой механизм самополяризации сегнетоэлектрической пленки может носить универсальный характер.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ работы состоит в следующем:

1. Использование керамических мишеней с избытком свинца позволило получить самополяризованные пленки ЦТС, а так же снизить температуру формирования перовскитовой сегнетоэлектрической фазы до 520°С.

2. На основе поляризованных и самополяризованных пленок цирконата

2 ^ титаната свинца с пирокоэффициентами 24.28 нКл/см К и 5.8 нКл/см~К, соответственно, разработаны и технически реализованы варианты многослойных конденсаторных структур для пироэлектрических датчиков и линеек, выполненных на ситалловых и кремниевых подложках, в том числе, на мембранах с использованием тонких слоев Si02, Si3N4 и A1N.

3. Разработана технология получения полупроводниковых пленок диоксида олова (Sn02.x) с поверхностным сопротивлением 2. 10 кОм и толщиной 60. 120 нм, использование которых обеспечивает электрическое управление емкостью или проводимостью тонкопленочных структур СЭ-ПП конденсаторного и резисторного типов, соответственно. Показано, что полупроводниковые пленки Sn02.x позволяют создавать тонкопленочные фоторезисторы с памятью, чувствительные в диапазоне 310-360 нм. На основе структуры Р1-ЦТС-8п02.х разработан и технически реализован макетный образец портативного дозиметра УФ излучения.

4. Результаты работы использованы при выполнении грантов Минобразования России (грант по фундаментальным исследованиям в области естественных наук, 1998-2000 гг.; грант № ЕОО-3.4-350, 2001-2002 гг.; грант № Э00-3.0-16, 2001 г.) и проекта ФЦП «Интеграция» (1998-2001 гг.).

ОСНОВНЫЕ НАУЧНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ, выносимые на защиту:

1. Развитый микрорельеф поверхности нижнего платинового электрода затрудняет процесс формирования перовскитовой фазы в пленках ЦТС. Уменьшение микрорельефа поверхности платиновых пленок может быть достигнуто за счет легирования пленки платины углеродом в процессе ее осаждения или использования подслоя титана. Минимизация микрорельефа нижнего Pt электрода позволяет формировать однофазные перовскитовые пленки цирконата-титаната свинца субмикронной толщины.

2. В пленках цирконата-титаната свинца, полученных распылением керамических мишеней с избытком свинца, при формировании перовскитовой фазы на интерфейсах и в межкристаллитных промежутках происходит выделение избыточного оксида свинца, которое приводит к образованию кислородных вакансий и и-типу проводимости пленок ЦТС. Отрицательный заряд электронов, локализованный на границе с нижним электродом, является причиной самополяризации пленок цирконата-титаната свинца.

3. Для фоточувствительных тонкопленочных структур сегнетоэлектрик-полупроводник резисторного типа велико влияние шунтирующих емкостей, образованных электродами и пленкой цирконата-титаната свинца, что приводит к сильной частотной зависимости сопротивления и снижению быстродействия по считыванию. Использование таких структур целесообразно при работе на постоянном токе, например, для дозиметров УФ излучения.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях, симпозиумах, семинарах и школах: Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика -98", Зеленоград, 20-22 апреля, 1998 г.; 1-ой, 3-ой и 4-ой научных молодежных школах (Санкт-Петербург, 23-25 ноября 1998 г., 17-21 ноября 2000 г., 17-21 ноября 2001 г.); ежегодных Научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ "ЛЭТИ" (1999, 2001 и 2002 гг.); Всероссийском симпозиуме с участием ученых из стран СНГ «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 5-9 июля 1998 г; X Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике», Ярославль, 1999 г.; XV Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (ВКС- XV) г.Ростов-на-Дону, 14-18 сентября 1999 г.; Международном семинаре «Российские технологии в индустрии»: Физические, химические и биологические сенсоры, Санкт-Петербург, 29-31 мая 2000 г.; Всероссийской конференции с международным участием. Сенсор 2000 (Сенсоры и микросистемы), Санкт-Петербург, 21-23 июня 2000 г.; Международной конференции «Физика диэлектриков» (Диэлек-трики-2000), Санкт-Петербург, 17-22 сентября 2000 г.; 56-ой научно-технической конференции, посвященной Дню радио, Санкт-Петербург, апрель 2001 г.; 12-ом Международном симпозиуме "Тонкие пленки в электронике", г. Харьков, 23-27 апреля 2001 г.; The 10th International Meeting on Ferroelectricity. September 3-7, 2001, Madrid, Spain; Dresdner Sensor-Symposium, December 10-12, 2001, Dresden, Germany; 7-th International Conference on Infrared Sensors & Systems (IRSS-2002), 14-16 May 2002, Erfurt, Germany; International Joint Conference on the Applications of Ferroelec-trics 2002 (IFFF 2002), May 28 - June 1, 2002, Nara, Japan; 7th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectrics (RCBJSF-7), June 24-28, 2002, St.-Petersburg, Russia; International conference "Sensors & systems", June 24-27, 2002, St.-Petersburg, Russia; XVI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (ВКС- XVI-2002), г. Тверь, 17-21 сентября 2002 г.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Панкрашкин, Алексей Владимирович

Результаты исследования вольт-фарадных характеристик структур Pt-ЦТС-Sn02-x-Pt представлены на рис.4.4. Сравнение вольт-фарадных характеристик структур Pt4],TC-Pt (рис.3.10, г) и Pt^TC-Sn02x -Pt (рис.4.3), снятых на частоте 1 МГц, свидетельствует, что введение Sn02x позволяет получить управляемые конденсаторы с памятью, сохраняющие информацию при отключении питания. Изменение емкости при переключении пленки ЦТС в структуре Pt^TC-Sn02x-Pt обусловлена наличием или отсутствием в полупроводниковой пленке области обедненной носителями заряда (Cmin и Стах, соответственно). Использование пленок ЦТС толщиной 0,4 мкм позволяет снизить значение управляющих напряжений до 4-6 В [116,117].

Однако, изменение емкости при переключении пленки ЦТС не превышало 1,5, что затрудняет использование конденсаторных структур как элементов с электрической и оптической записью информации. Использование резисторной структуры, в которой на поверхности пленки ЦТС сформирован тонкопленочный резистор с пленкой Sn02x, позволило существенно повысить эффективность электрического управления. Кратность изменения сопротивления при переключении пленки ЦТС достигала 20. Следует отметить, что представленная конструкция обладает низким быстродействием по считыванию и поэтому не представляет интереса, как элемент памяти сохраняющий информацию при отключении питания. Поэтому, данные структуры были использованы в качестве приемников УФ излучения с памятью, способных непосредственно измерять дозу УФ излучения [119-121].

Часть работы по структурам СЭ-ПП для дозиметра УФ излучения проводилась в рамках гранта Министерства Образования РФ для молодых ученых с участием зарубежных партнеров 2001 года. В институте твердотельной электроники Дрезденского технического университета структуры были помещены в корпус Т08, а контакты разварены с помощью установки термокомпрессии золотыми выводами. Толщина пленок ЦТС в структурах составляла составляла 0,4-1 мкм. Конструкция дозиметра фоторезисторного типа на кремниевой подложке представлена на рис.4.4 [119-121].

Известно, что избыточное солнечное УФ излучение вызывает различные болезни глаз, кожи и т.д. Поэтому определение допустимой дозы УФ излучения - достаточно актуальная проблема и полученные структуры были использованы для создания макетных образцов дозиметров УФ-излучения. Высокая фоточувствительность и остаточная фотопроводимость имеют место только в состоянии обеднения в полупроводниковой пленке Sn02-X, которое обеспечивается подачей отрицательного потенциала на нижний электрод структуры. УФ излучение поглощается в пленке Sn02.x, в ней генерируются носители заряда, которые разделяются полем, обусловленным поверхностным зарядом остаточной поляризации ЦТС. По мере накопления дозы излучения концентрация дырок вблизи границы раздела СЭ-ПП увеличивается, а высота рекомбинационного барьера уменьшается (рис.4.5). Очевидно, что диапазон измеряемой дозы ограничен, что связано с необходимостью сохранения рекомбинационного барьера. Дозиметр УФ излучения работает в непрерывном режиме без источника питания. После завершения измерения дозы УФ датчик следует вернуть в исходное состояние путем двукратного переключения СЭП, переводящего полупровод ник сначала в состояние обогащения (снятие рекомбинационного барьера для неравновесных носителей), а затем в начальное состояние обеднения.

При освещении полупроводниковой пленки Sn02-x, находящейся в состоянии обеднения, в пределах допустимой дозы происходит экранирование неравновесными дырками отрицательного поверхностного заряда пленки ЦТС, что будет приводить к значительному снижению потенциального барьера на границе раздела ЦТС и Sn02-x и увеличению проводимости тонкопленочного резистора. Поэтому, необходимо оценить величину допустимой дозы облучения, при которой сохраняется эффект остаточной фотопрводимости.

Расчет допустимой дозы УФ-облучения проводилось следующим образом. Время релаксации т неосновных носителей заряда определяется высотой потенциального барьера, величина которого зависит то величины плотности заряда экранирующих дырок. При освещении число генерированных дырок может быть записано следующим образом:

Р = g-t, (4-1) где g - скорость генерации; t - время освещения.

Скорость генерации определяются следующим выражением: g = T,.(l-R)® (4.2) h • v где Г| - квантовый выход, определяющий число пар носителей заряда, образуемых одним поглощенным квантом; R - коэффициент отражения; Ф - величина потока, проникающего в полупроводник и вызывающая генерацию электронно-дырочных пар; v - частота падающего потока; h - постоянная Планка.

Коэффициент отражения:

R = f Л2 п -1 п п + 1 п )

4.3) где пп- показатель преломления полупроводниковой пленки Sn02, пп -1.96 [89].

O = O0[l-exp(-adnjJ, (4.4) где Ф0 - величина падающего потока на полупроводниковую пленку; a 0.15-104 см"1 - коэффициент поглощения Sn02, который определяется по краю поглощения [89].

Согласно (4.1), (4.2) и (4.4), при v =cU, X =0,34 мкм - длина волны, соответствующая области собственного поглощения Sn02-x имеем:

ФЛ = р • h • с

0 г| • (l — R)• l-exp(-a-d )

-X-t

4.5)

Искомая доза освещения D: D = ®0-tр • h • с Л

1-R).

1 - expl- a • d п/J

4.6)

Величина поверхностного потенциала может меняться от 1,2 В до 0,2 В, то есть на 83%, поэтому при освещении структуры СЭ-ПП эффективный заряд сегне-тоэлектрической пленки должен меняться от некоторого максимального значения до минимальной величины. Тогда плотность заряда экранирующих дырок можно определить следующим образом:

Зэкр=р. q = 0.83. (VQssj

Окончательное выражение для дозы освещения:

0.83-(р -Q )■ h• с

V s ss /

4.7)

D = <D0.t=

4.8) л 1п -Л п п +1 v п у

1 - expl- a • d

X ■ q

Полученная необходимая D составляет около 103 Дж/м". Для оценки полученного значения дозы освещения необходимо сравнить его с экспериментальными данными.

Ксеноновая дуговая лампа в комбинации со стандартным 300 нм полосовым фильтром или ртутная лампа с мощностью 66 мВт, применялись нами как источник УФ излучения. Полосовой фильтр использовался для более точного соответствия спектральной области с CIE87 спектром (спектральная чувствительность человеческой кожи) [118]. Минимум эритемной дозы для дозиметра (1MED - доза УФ излучения В-диапазона, равная, например, в Германии 250 Дж/м2, вызывающая ожог кожи) был определен для II типа человеческой кожи с помощью УФ полосового дозиметра «SUN-TO-SEE». В нашем случае доза в 1 MED набиралась дозиметром после освещения в течение 60 минут от ртутной лампы или в течение 20 минут от ксеноновой лампы с фильтром. Полосовой фильтр на 300 нм использовался для более точного соответствия спектральной области с CIE87 спектром (спектральная чувствительность человеческой кожи).

Измерение сопротивления полупроводникового резистора R1 позволяет определять поглощенную дозу УФ излучения. Предварительно осуществлялась тренировка образца переменным полем с частотой 50 Гц и амплитудой 10В в течение 30 минут. Затем образец поляризовался напряжением 10В для создания режима обеднения в полупроводниковой пленке. Далее производилось освещение структуры.

При подаче периодических импульсов света проводилось измерение Ri при освещении в течение 20 минут через 2.5 минуты после включения источника. Затем 20 минут образец находился в темноте и осуществлялось измерение сопротивления. После этого вновь подавались периодические импульсы в течение того же времени, и снималась зависимость R(t). Полученный результат представлен на рис.4.6. Из этого рисунка видно, что изменение сопротивления на отдельных участках происходит по экспоненциальному закону. В первые несколько минут освещения, генерируется большое количество носителей заряда в полупроводниковой пленке, что приводило к сильному снижению сопротивления. В приповерхностной области Sn02.x электрическое поле слабое, а в области пространственного заряда сильное. Поэтому в области пространственного заряда генерированные светом носители заряда намного быстрее разделяются полем поверхностного заряда остаточной поляризации и доходят до границы структуры сегнетоэлектрик-полупроводник, чем тот же процесс происходит в приповерхностной области Sn02-x.

При генерировании большого числа электронно-дырочных пар в приповерхностной области полупроводника из-за слабого разделения и большого времени дрейфа дырок к границе раздела СЭ-ПП начинается сильная рекомбинация неосновных носителей заряда, приводящая к увеличению сопротивления. Именно по этой причине при освещении более 5 минут уже не происходит резкого снижения сопротивления. В этом случае число частиц, экранирующих поляризационный заряд остаточной поляризации, и число рекомбинированных частиц примерно одинаково. После окончания освещения наблюдалось увеличение сопротивления, которое связано с преобладанием процесса рекомбинации неосновных носителей заряда. Одновременно идет процесс разделения неосновных носителей полем поверхностного заряда остаточной поляризации, который в определенный момент времени начнет преобладать над рекомбинацией. Это приведет к уменьшению сопротивления. Далее данный процесс повторяется при подаче следующих импульсов света.

При достижении дозы в 1 MED сопротивление дозиметра R1 менялось более чем в десять раз от 110 кОм до 10 кОм (рис.4.6). Полученные значения R, в зависимости от дозы представлены в таблице 4.1. По этим результатам можно сделать вывод о наличие эффективного оптического управления проводимостью данной структуры [120,121].

Для обоснования теоретического результата, полученного при расчете дозы освещения, необходимо обратиться к экспериментальным данным. Дозиметр УФ излучения освещался ксеноновой лампой и снималась зависимость комплексного сопротивления от частоты и времени при УФ освещении, представленная на рис.4.7. Изменение комплексного сопротивления резисторов проводились с использованием НР4274А LCR-метра в институте твердотельной электроники Дрезденского технического университета.

Из зависимости представленной на рис.4.7 можно отметить, что при освещении структуры СЭ-ПП в течение 160 минут потенциальный барьер не снят полностью. Освещение в течение 160 минут соответствует дозе в 2000 Дж/м". Теоретический же расчет показал, что дозы освещения, равной 103 Дж/м", достаточно, чтобы практически полностью снять потенциальный барьер. Таким образом, экспериментальные значения фоточувствительности структур СЭ-ПП на порядок ниже, чем было получено с помощью теоретических вычислений. t, мин.

Рис.4.6. Зависимость сопротивления структуры сегнетоэлектрик-полупро-водник.

Заключение

На основании проведенной работы сформулированы следующие основные результаты и выводы по работе.

1. На основании анализа современных методов получения СЭП, выбран и реализован двухстадийный метод формирования пленок ЦТС, включающий ВЧ маг-нетронное распыление керамических мишеней на подложки и последующую термообработку осажденных пленок, который позволяет получать пленки ЦТС при температурах 520-600°С на разных подложках.

2. Отработаны технологические режимы получения нижнего платинового электрода тонкопленочных структур методом ионно-плазменного распыления на различные диэлектрические подложки, позволяющие формировать пленки платины разного структурного совершенства - от мелкодисперсных до текстурированных.

3. Установлена связь между морфологией поверхности платиновых электродов и технологическими режимами их получения. Для подавления эффекта рекристаллизации платины при термообработке и минимизации поверхностного рельефа платиновых пленок предложено проводить их легирование углеродом в процессе осаждения за счет использования газовой смеси аргона с метаном. Легированные углеродом пленки платины, осажденные при температурах 300°С или 550°С, имели средний размер шероховатости поверхности около 1520 нм, причем морфология поверхности оставалась стабильной даже после длительной термообработки на воздухе при температуре 700°С. Показано, что использование титанового адгезионного подслоя также снижает средний размер шероховатости поверхности платинового электрода вследствие диффузии титана в платиновую пленку.

4. Методами электронографического и рентгенографического анализа исследовано влияние диэлектрических подложек (MgO, сапфир, поликор, ситалл) на структуру и свойства нижнего платинового электрода и пленок ЦТС. Впервые показано, что многослойные структуры с однофазными пленками ЦТС могут быть получены на ситалловых подложках. Изучение процесса формирования

ПСКФ в аморфных пленках ЦТС разной толщины на ситалловых подложках показало, что получение однофазных субмикронных пленок ЦТС при температуре термообработки 600°С возможно только при использовании нижнего платинового электрода с средним размером шероховатости поверхности, не превышающим 15-20 нм.

5. Пленки ЦТС, полученные распылением стехиометрических мишеней на кремниевые и ситалловые подложки, после термообработки характеризуются значениями остаточной поляризованности 15-20 мкКл/см и коэрцитивного поля 45-60 кВ/см, что позволяет использовать их для создания устройств, использующих эффект переключения поляризации, в том числе для структур СЭ-ПП. Эти пленки имеют размытый фазовый переход, высокие значения диэлектрической проницаемости.

6. Использование керамических мишеней ЦТС с избытком оксида свинца позволило получить самополяризованные пленки ЦТС, характеризующиеся значениями пироэлектрического коэффициента, достигавшими 8 нКл/см~К, а также снизить температуру формирования ПСКФ до 520°С.

7. Результаты комплексных исследований распределения элементного состава и поляризации по толщине пленок ЦТС, Р-Е и C-V характеристик конденсаторных структур с различными пленками ЦТС позволили развить представления возникновении самополяризованного состояния в пленках ЦТС. Показана роль интерфейсов в образовании самополяризованного состояния в пленках ЦТС, полученных распылением мишеней с избытком свинца, причем механизм самополяризации связан с захватом электронов на локализованные состояния нижнего интерфейса структуры в процессе охлаждения после термообработки и с поляризацией зарядом этих электронов пленки ЦТС при температуре ниже температуры Кюри.

8. Для объяснения смещения и изменения формы Р-Е и C-V характеристик пленок ЦТС разного состава предложена модель, которая учитывает как кристаллиты, занимающие всю толщину пленки, так и кристаллиты меньшего размера с межзеренными границами, ориентированными параллельно поверхности подложки. Эти границы служат барьером для зарядов, мигрирующих по толщине пленок с избытком оксида свинца, и препятствуют формированию самополяризованного состояния, а также приводят к неоднородности параметров пленки по площади поверхности.

9. С помощью метода модулирования интенсивности лазерного излучения было показано, что поляризация пленок ЦТС, полученных распылением мишеней с избытком оксида свинца, неоднородно по толщине и смещено в сторону нижнего электрода тонкопленочного сегнетоэлектрического конденсатора.

10. На основе поляризованных и самополяризованных пленок ЦТС с пироэлек

2 2 трическим коэффициентом равным 24.28 нКл/см К и 5.8 нКл/см К, соответственно, разработаны и технически реализованы варианты многослойных конденсаторных структур для пироэлектрических датчиков и линеек, выполненных на ситалловых и кремниевых подложках, а также на мембранах, сформированных в кремниевых пластинах, с использованием слоев Si02, Si3N4 и A1N.

11. С учетом проблемы технологической совместимости обоснована последовательность формирования структур СЭ-ПП. Разработана технология формирования полупроводниковых пленок диоксида олова с поверхностным сопротивлением 2. 10 кОм и толщиной 60. 120 нм, использование которых обеспечивает электрическое управление емкостью или проводимостью тонкопленочных структур СЭ-ПП конденсаторного и резисторного типов, соответственно.

12. Впервые исследовано воздействии оптического излучения на характеристики тонкопленочных структур СЭ-ПП. Показано, что полупроводниковые пленки диоксида олова позволяют создавать тонкопленочные фоторезисторы с памятью, чувствительные в диапазоне 310-360 нм, на основе которых разработан и технически реализован макетный образец портативного дозиметра УФ излучения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Панкрашкин, Алексей Владимирович, 2002 год

1. Кравченко А.Ф. Физические основы функциональной электроники: Учебное пособие. - Новосибирск: Изд. Новосиб.ун-та, 2000. - 444 с.

2. Физика сегнетоэлектрических явлений / Г.А.Смоленский, В.А.Боков, В.А.Исупов, Н.Н.Крайник, Р.Е.Пасынков, А.И.Соколов, Н.К.Юшин. Л.: Наука, 1985.-396 с.

3. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применение. М.: Мир, 1981.- 526 с.

4. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981.- 736 с.

5. Афанасьев В.П. , Пронин И.П. , Соснин А.В. Сегнетоэлектрические пленки для многослойных структур на диэлектрических подложках. Киев , 1996.

6. Afanasjev V.P., Kramar G.P., Minina E.V. The functional possibilities of ferroelectric-semiconductor structure. //Ferroelectrics. -1988. V.87. - P.197-204.

7. Afanasjev V.P., Kramar G.P. Multilayer ferroelectric semiconductor structures for controlled sensors with memory. // Ferroelectrics. -1993. - V.143. - P.299-304.

8. Афанасьев В.П., Крамар Г.П., Соснин А.В. Физические процессы в структурах сегнетоэлектрик-полупроводник при оптическом и тепловом воздействии. Киев: Препринт МЦ «Ин-т прикладной оптики» НАНУ, 1998. -74 с.

9. Новик В.К., Гаврилова Н.Д., Фельдман Н.Б. Пироэлектрические преобразователи. М.: Сов. Радио, 1979. - 176 с.

10. Кременчугский Л.С., Ройцина О.В. Пироэлектрические приемники излучения. Киев: Наук, думка, 1979. - 383 с.

11. Пироэлектрический эффект и его практические применения / В.Ф.Косоротов, Л.С.Кременчугский, В.Б.Самойлов, Л.В.Щедрина; под ред. Л.С.Кременчугского. Киев: Наук, думка, 1989. - 224 с.

12. Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. Основные свойства и применение в электронике. М.: Радио и связь, 1989. - 288 с.

13. Яффе Б., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. М.: Мир, 1974. -288 с.

14. Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков. М.: Энергия, 1976. - 336 с.

15. Малов В.В. Пьезорезонансные датчики. М.: Энергоатомиздат, 1989. -272 с.

16. Джагупов Р.Г., Ерофеев А.А. Пьезокерамические элементы в приборостроении и автоматике. М.: Машиностроение, Ленингр. отд., 1986. - 256 с.

17. Кузьминов Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. М.: Наука, 1982. - 400 с.

18. Кузьминов Ю.С. Электрооптический и нелинейнооптический кристалл ниобата лития. М.: Наука, 1987. - 264 с.

19. Завадский Э.А., Ищук В.М. Метастабильные состояния в сегнетоэлектри-ках. Киев: Наук, думка, 1987. - 256 с.

20. Пространственные модуляторы света / А.А.Васильев, Д.А.Касасент, И.Н.Компанеец, А.В.Парфенов. М.: Радио и связь, 1987. - 320 с.

21. Сихарулидзе Д.Г., Чилия Г.С. Преобразователи изображений типа МДП -электрооптический материал. М.: Радио и связь, 1986. - 112 с.

22. Тонкие сегнетоэлектрические пленки для функциональной твердотельной электроники / С.В.Бирюков, Ю.И.Головко, В.П.Дудкевич и др. // Электронная промышленность. 1983. - № 8. - С.47-53.

23. Косцов Э.Г. Тонкопленочные пироэлектрические приемники излучения // Микроэлектроника и полупроводниковые приборы: Сб. статей. Вып. 10. -М.: Радио и связь, 1989. - С.51-66.

24. Paz de Araujo С.A., Taylor G.W. Integrated ferroelectrics. // Ferroelectrics. -1991. -V.116. -P.215-228.

25. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. /А.С.Валеев, Б.Н.Дягилев, А.А.Львович и др. // Электронная промышленность. 1994. -№ 6. - С.75-79.

26. Petrrovsky V.I., Sigov A.S., Vorotilov К.А. Microelectronic applications of ferroelectric films. // Integrated Ferroelectrics 1993. - V.3. - P.59-68.

27. Scott J.F., Paz de Araujo C.A., Mc.Millan L.D., Yoshimori H., Watanabe H., Minara Т., Azuma M., Ueda Т., Ueda D., Kano G. Ferroelectric thin films in integrated microelectronic devices. //Ferroelectrics™ 1992. V.133. - P.47-61.

28. Scott J.F. The physics of ferroelectric ceramic thin films for memory applications. // Ferroelectrics Review. 1998. - V.l. -P.1-129.

29. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М., Мир 1965.

30. Пасынков В.В., Сорокин B.C. Материалы электронной техники. -М., ВШ , 1986.

31. Томашпольский Ю.Я.,Платонов Г.Л. Сегнетоэлектрические пленки сложных окислов металлов. Киев , Наукова думка , 1982.

32. Томашпольский Ю.Я. Пленочные сегнетоэлектрики. Киев, Наукова думка, 1984.

33. N.N.Bolshakova Characteristics of pyroelectric materials for pyrovidicon targets.- Mat.Res.Soc.Symp.Proc., Vol.240,1995.

34. Wu S.Y. A new ferroelectric memory device, metal 1 ferroelectric semiconductor- transistor. // IEEE Trans. Electron Devices. - 1974. - V.ED-21, N 8. -P.499-504.

35. Krupanidhi S.B. Recent advances in the deposition of ferroelectric thin films. // Integrated Ferroelectrics. 1992. - V.l. - P. 161-180.

36. Castellano R.N., Feinstein L.G. Ionbeam deposition of thin films of ferroelectric lead zirconate titanate (PZT). // J.Appl.Phys. 1979. - V.50, N 6. - P.4406-4411.

37. Ни H., Kumar V., Krupanidhi S.B. Multiionbeam reactive sputter deposition of ferroelectric Pb(Zr,Ti)03 thin films. // Appl.Phys. 1992. - V.71, N 1. - P. 15091512.

38. Ogasawara M., Shimizu M., Shiosaki Т., Preparation of oxide thin films by laser ablation. // Jpn.J.Appl.Phys. 1992. -V.31, N 9B. - P.2971-2974.

39. Yi G., Wu Z., Sayer M. Preparation of Pb(Zr,Ti)03 thin films by solgel processing: electrical, optical and electrooptic properties. // J.Appl.Phys. 1988. - V.64, N 5. - P.2717-2724.

40. Dey S.K., Zulleg R. Integrated solgel PZT thinfilms on Pt, Si and GaAs for nonvolatile memory applications. // Ferroectrics. 1990. - V.108. - P.37-46.

41. Shi L., Krupanidhi S.B., Haertling G.H. Development of ferroelectric PbZrxTi,. x03 thin films by metalloorganic decomposition process and rapid thermal annealing. // Integrated Ferroelectrics. 1992. - V.l. -P.l 11-127.

42. Miki H., Ohji Y. Uniform ultrathin Pb(Zr,Ti)03 thin filmsformed by metalor-ganic chemical vapor deposition and their electrical characteristics. // Jap.J.Appl.Phys. 1994. - V.33,N9B. - P. 5143-5146.

43. G. Suchaneck, R. Ohler, P. Padmini, Th.Sandrer Self-polarization control of RF-Sputtered PZT-films // Ferroelectrics, 1999,Vol.205, pp.102-112.

44. E.Sviridov, I.Sem, V.Alyoshin Sputtering of self-polarization PZT films// Mat.Res.Soc.Symp.Proc., Vol.361, 1995.

45. S.K. Dey, J.J. Lee, IEEE Trans, Electron. Devices 39 (1992) 1607.

46. K. Sumi, H. Qiu, H. Kamei, S. Moriya, M. Murai, M. Shimada, T. Nishiwaki, K. Takei, S. Miyashita, M. Hashimoto, Thin Solid Films 330 (1998) 183-189.

47. Foster N.F. The deposition and piezoelectric characteristics of sputtered lithium niobate films. // J.Appl.Phys. 40 (1969) 420-423.

48. Kholkin A.L., Brooks K.G., Taylor D.V., Hiboux S., Setter N. Self-polarization effect in Pb(Zr,Ti)03 thin films. // Integrated Ferroelectrics, 22 (1998) 525-533.

49. Kobune M., Ishito H., Mineshige A., Fujii S., Takayama R., Tomozawa A. Relationship between pyroelectric properties and electrode sized in

50. Pb,La)(Zr,Ti)03 (PLZT) thin films. // Jpn.J.Appl.Phys., 37 , part I, №9B (1998) 5154-5157.

51. Bell J.M., Knight P.C., Johnston G.R. Ferroelectric-electrode interactions // Ferroelectric thin films: synthesis and basic properties. Edited by C. Paz de Araujo, J.F.Scott, G.W.Taylor. (1996) P.93-133.

52. Polla D.L. Microelectromechanical systems based ferroelectric thin films. // Microelectronic Engineering. 1995 V.29. P.51-58

53. Whatmore R.W. Ferroelectrics, microsystems and nanotechnology. // Ferroelec-trics. 1999.V.225. P.179-192.

54. Jenkins D.F., Clegg W.W., Velu G., Cattan E., Remiens D. The characterization of PZT films of different orientations for MEMS applications. // Ferroelectrics. 1999. V.224. P.259-266.

55. Lee J., Ramesh R. Imprint of (Pb,La)(Zr,Ti)03 thin films with various crystalline qualities. // Appl.Phys.Lett. 68, №4 (1996) 484-486.

56. Suchaneck G., Kohler R., Padmini P., Sandner Т., Frey J., Gerlach G., // Surface and Coatings Technology. 1999. V.116-119. P.1238-1243.

57. Bruchhaus R., Pitzer D., Schreiter M., Wersing W. Optimized PZT thin films for pyroelectric IR detector arrays. // Journal of Electroceramics. (1999) V.3, №2 P.151-162.

58. Fujisawa H., Nakashima S., Kaibara K., Shimizu M., Niu H. Size effects of epitaxial and poly crystalline Pb(Zr,Ti)03 thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition. // Jpn.J.Appl.Phys., 38, (1999) part I, №.9B, 5392-5396.

59. Lee E.G., Park J.S., Lee J.K., Lee J.G. Influence of annealing on the ferroelectric properties of Pt/Pb(Zr,Ti)03/Pt thin film capacitors. // Thin Solid Films. 310 (1997) 327-331.

60. Dimos D., Warren W.L., Sinclair M.B., Tuttle B.A., Schwatrz R.W. Photoin-duced hysteresis changes in optical storage in (Pb,La)(Zr,Ti)03 thin films and ceramics. // J.Appl.Phys. (1994) V.76, №7, p.4305-4315.

61. Warren W.L., Tuttle В.A., Dimos D., Pike G.E., Al-Shareef H.N., Ramesh R., Evans J.T. Imprint in Ferroelectric Capacitors. // Jpn.J.Appl.Phys. (1996) V.35 Part 1, №2B, P. 1521-1524.

62. Dat R., Lichtenwalner D.J., Auciello O., Kingon A.I. Imprint testing of ferroelectric capacitors used for non-volatile memories. // Integrated Ferroelectrics V.5. (1994) p.275-286.

63. Lee E.G., Lee J.K., Kim J-Y, Lee, J.G., Jang H.M., Kim S.J. Zr/Ti ratio dependence of the deformation in the hysteresis loop of Pb(Zr,Ti)03 thin films. // J. of Mater. Sci. Lett. 18, 2025-2028 (1999).

64. Okamura S., Miyata S., Mizutani Y., Nishida Т., Shiosalci T. Conspicuous voltage shift of D-E hysteresis loop and asymmetric depolarization in Pb-based ferroelectric thin films. // Jpn.J.Appl.Phys., 38, part I, №.9B, 5364-5367 (1999).

65. Abe K., Komatsu S., Yanase N., Sano K., Kamakubo T. Asymmetric ferroelec-tricity and anomalous current conduction in heteroepitaxial ВаТЮз thin films. // Jpn.J.Appl.Phys. 36, part I, №.9B (1997) 5846-5853.

66. Etzold K.F., Roy R.A., Saenger K.L. Electrical and mechanical properties PZT-films// Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 1990. - v.200. - p.297-302.

67. Improved switching endurans of lead zirconate-titonate capacitor for nonvolatile memory applications. I.K. Nair, L.E. Sanchers, S.Y. Wuet et al.// Integrated Ferroelectrics. 1992. - v.2. - p. 133-145.

68. Watanabe H., Minara Т., Paz de Araujo C.A. Device effects of various Zr/Ti ratios of PZT thinfilms prepared by solgel method. // Integrated Ferroelectrics.-1992 ,-V.l.-P.293-304.

69. R.Kohler, N.Neumann Pyroelectric devices based on sputtered PZT thin films// Integrated Ferroelectrics, 1997, Vol.34.

70. R. Kohler , G.Gerlach and P.Padmini Ceramic and polymer thin films in pyroelectric sensor .// Journal of the korean physical society, Vol. 32, 1998, pp. 1744-1746.

71. M. Kohli, A. Seifert, P.Muralt Poling of pyroelectric thin films // Integrated Ferroelectrics, 1998, Vol.22 , pp. 453-463.

72. Wensheng Wang, Zhiming Chen , Masatoshi Adachi and Akira Kawabata Preparation of Zr-rich Pb(Zr x Ti l-x)03 thin films and their properties . // Integrated Ferroelectrics, 1998 , Vol.20 , pp. 191-203.

73. Sinharoy S., Buhay H. BaMgF4 thiln films development and proccessing for ferroelectric fets. // Integrated Ferroelectrics. 1993. - v.3. - p.217-223.

74. Хеймен P.M., Хейлмейр Г.Х. Сегнетоэлектрический полевой прибор// ТИИЭР. -1966. т.54, №10. - с.30-38.

75. Шмырева А.Н., Кирпатенко Л.Т., Исследование МДП структур типа ме-талл-сегнетоэлектрик-кремний. // Изв.КПИ: Сб.науч. тр. / Киевск. Поли-технич.институт. -Киев, 1987. вып.31. - с.74-76.

76. Ворошилов К.А., Петровский В.И., Федотов Я.А. Сегнетоэлектрические пленки в микроэлектронике. // Электронная техника. 1989. - вып.1. - с.7-11.

77. Вольтфарадные характеристики структур Al-Sn2P2S6 -Si/ Н.П.Проценко, Е.Д.Рогач, Э.А.Савченко и др. // ЖТФ. 1986. - т.56. - вып.11. - с.2274-2276.

78. Гистерезисные явления в структурах металл-сегнетоэлектрик-полупроводник на основе тонких пленок Sn2P2S6 / Д.Н. Санджиев, Н.А. Косоногов и др.//ЖТФ. 1990. - т60. -вып1. - с.196-199.

79. Wurtel p., Batra i.p.// Ferroelectrics. 1976. - v. 12. - p.55-61.

80. H.N.Al-Shareef, K.D.Gifford, S.H.Rou et.al. Electrodes for ferroelectric thin films //Integrated Ferroelectrics.- 1993.-V.3.- P.321-332.

81. Spierings G.A.C., Van Zon J.B.A., Larsen P.K., Klee M. Influence of platinum-based electrodes on the microstructure of sol-gel and MOD prepared lead zirconate titanate films. // Integ rated Ferroelectrics. 1993. - V.3. - P.283-292.

82. Bottom electrodes for integrated Pb(Zr,Ti)03 films. / Hren P.D.,Rou S.H.,A1-Shareef H.N. et al. // Integrated Ferroele ctrics. -1992. -V.2. P.311-325.

83. Maiwa H., Ishinose N., Okazaki K. Preparation and proper ties of Ru and Ru02 thin film electrodes for ferroelectric thin films.// Jap. J. Appl. Phys. 1994. -V.33, N9B. - P.5223-5226.

84. Preparation of Pb(Zr,Ti)03 thin films on Ir and Ir02 electrodes. / T.Nakamura, Y.Nakao, A.Kamisawa et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1994. - V.33, N 9B. -P.5207-5210.

85. Study of lowresistivity oxides on Pt/MgO. / P.Tiwari, X.D.Wu, S.R.Foltyn etal.//Philosophical Magazine B. -1994. V.69, N 6. - P.l 10l-l 110.

86. O. Auciello, K.D.Gif ford, D.J.Lichtenwalner et al. A review of composition-structure-property relationships for PZT-based heterostructure capacitors. // Integrated Ferroelectrics. 1995. - V.6. - P.173-187.

87. J.Lee, L.Johnson, A. Safari et al. Effects of crystalline quality and electrode material on fatigue in Pb(Zr,Ti)03 thin film capacitors // Appl. Phys. Lett. 1993. V.63, N 1. -P.2729.

88. Афанасьев В.П., Панова Я.И. Влияние потенциального рельефа сегнето-электрической подложки на свойства тонкой полупроводниковой плёнки // ФТП. 1978. - Т.12, вып.З. - С.575-577.

89. Микроструктура и физические свойства тонких пленок Sn02- / С. И.

90. Рембеза, Т. В. Свистова, Е. С. Рембеза и др. // ФТП. 2001 г., т.35, вып.7. - стр. 796-799.

91. В. Lang. Laser intensity modulation method (LIMM): Experimental techniques, theory and solution of the integral equation," Ferroelectrics 118, pp. 343-361, 1991.

92. Афанасьев В.П., Мосина Г.Н., Петров A.A., Пронин И.П., Сорокин JI.M., Тараканов Е.А. Особенности поведения конденсаторных структур на основе пленок цирконата-титаната свинца с избытком оксида свинца. // Письма в ЖТФ, 27, №11 (2001) 56-63.

93. Afanasjev V.P., Petrov А.А. , Pronin I.P., Tarakanov Е.А, Kaptelov. E.Ju., Graul. J. Polarization and self-polarization in PZT thin films. // J.Phys.: Condensed Matter, 13, №39, (2001) 8755-8763.

94. Пронин И.П., Каптелов Е.Ю., Тараканов Е.А., Афанасьев В.П. Влияние отжига на самополяризованное состояние в тонких сегнетоэлектрических пленках. // ФТТ, 44, № 7 (2002) .

95. Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. Высшая школа, М. 352 с (1993).

96. Луцкая О.Ф., Когновицкая Е.А. Модель собственных точечных дефектов в РЬО. //Неорганические материалы, 35, №3 (1999) 348-351.

97. Афанасьев В.П., Панкрашкин А.В., Проворов А.Б. Получение полупроводниковых пленок диоксида олова методом реактивного ионно-плазменного распыления. «Тонкие пленки в электронике» Материалы X Международного симпозиума. Часть 2. Ярославль, 1999. С.303-308.

98. Пронин И.П., Каптелов Е.Ю., Тараканов Е.А., Шаплыгина Т.А., Афанасьев

99. B.П., Панкрашкин А.В. Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната свинца. // ФТТ 2002.- Т.44, №4.1. C.739-744.

100. Панкрашкин А.В. Пироэлектрические приемники на основе тонких пленок ЦТС. // Научная молодежная школа по твердотельным датчикам. Тез. докл. Санкт-Петербург 23-25 ноября 1998 г. СПб.: ИПЦ СПбГЭТУ, 1998. -С.16.

101. G. Suchaneck, G. Gerlach. Ferroelectric-semiconductor UV-sensors // Phys.stat. sol.(a) 2001, 185, pp. 115-120.

102. Suchaneck G., Gerlach G., Afanasjev V. P., Pankrashkin A.V. Biological UV-Dosimeters based on ferroelectric-semiconductor thin film structures.- Abstracts and papers of the Dresdner Sensor-Symposium, December 10-12, 2001, Dresden, Germany. P. 162-165.

103. Afanasjev V.P., Pankrashkin A.V., Suchaneck G., Gerlach G. Ferroelectric-semiconductor thin film structures for biological UV-dose measurements // Proceeding of international conference "Sensors & systems", V.l. СПб.: Изд-во СПбГПУ, 2002. - С.52-56.