Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Яценко, Сергей Олегович

• Яценко, Сергей Олегович
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Яценко, Сергей Олегович

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВАХ. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И СВОЙСТВА

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКИХ ПЛЕНОК

1Л .Особенности сегнетоэлектричества в тонком слое

1.2. Методы получения сегнетоэлектрических тонких пленок

1.3.Технологии получения и диэлектрические свойства тонких пленок титаната свинца

ГЛАВА II. ЛАЗЕРНОЕ ОКСИДИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ И ТИТАНА В СРЕДНЕМ И БЛИЖНЕМ ИК-

ДИАПАЗОНЕ

2.1.Основные экспериментальные результаты по лазерно-термическому оксидированию кремния

2.2.ОСНОВНЫЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ПО ЛАЗЕРНО-СТИМУЛИРОВАННОМУ ОКСИДИРОВАНИЮ ТИТАНА В БЛИЖНЕМ ИК-ДИАПАЗОНЕ

2.3. СТАЦИОНАРНОЕ КИНЕТИЧЕСКОЕ УРАВНЕНИЕ ЛАЗЕРНО-СТИМУЛИРОВАННОГО ОКСИДИРОВАНИЯ ТИТАНА

2.4. СТРУКТУРА ПЛЕНОК ОКСИДА ТИТАНА, ПОЛУЧЕННЫХ

ЛАЗЕРНО- СТИМУЛИРОВАННЫМ ОКСИДИРОВАНИЕМ

2.5.Основные экспериментальные результаты и их

обработка

ГЛАВА III.МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ СЛОЕВ

ТИТАНАТА СВИНЦА И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ СТРУКТУРЫ И ФАЗОВОГО СОСТАВА

3.1.Синтез пленок титаната свинца на подложках из монокристаллического кремния

3.2.Синтез пленок титаната свинца на подложках из поликристаллического титана

ГЛАВА IV. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК

ТИТАНАТА СВИНЦА

4.1,Осцилографический метод исследования петель

гистерезиса

4.2.Температурная зависимость диэлектрической

проницаемости

4.3.Зависимость коэрцитивного поля пленок от

толщины

4.4.Формирование доменной структуры в сегнето-электрических пленках

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы.

Существуют новые требования современной техники, которые не могут быть удовлетворены использованием только объемных сегнетоэлектриков. Таковыми являются: миниатюризация устройств, снижение их энергоемкости, повышение чувствительности и быстродействия элементов при одновременном уменьшении управляющих полей, и ряд других. Интерес к сег-нетоэлектрическим пленкам не является только утилитарным. Проблема сегнетоэлектричества в тонком слое - это часть общей проблемы исследования свойств вещества в квазидвумерном состоянии. Известны тонкопленочные технологии, некоторые из которых пригодны для синтеза сегнетоэлектрических тонких пленок. В настоящее время наиболее распространенными методами являются магнетронное или лазерное распыление с использованием в качестве мишеней объемных сегнетоэлектриков (керамики) и металлоорганический синтез (золь-гель технология) на различные подложки. Это довольно дорогостоящие методы, требующие специального сложного оборудования, при этом с не всегда воспроизводимыми результатами.

Сегнетоэлектрические материалы в тонкопленочном состоянии изучены значительно меньше, чем в виде объемных образцов, что связано и с особенностями тонкопленочных технологий, и с особенностями систем с определяющей ролью поверхности, к которым относятся гетерогенные тонкопленочные структуры (необходимо отметить, что любое вещество в виде тонкой пленки можно синтезировать и исследовать только в составе довольно сложной гетеросистемы, включающей подложку, систему контак-

тов, пассивирующих покрытий и др.). Поэтому свойства сегнето-электриков в тонких системах неразрывно связаны со свойствами других элементов гетероструктуры и зависят от них в существенно большей степени, чем для объемных систем.

Целью работы является получение тонких сегнетоэлектриче-ских пленок титаната свинца и исследование их свойств.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие основные задачи:

- исследование процессов формирования оксидных пленок на поверхности кремния и титана;

- разработка нового метода синтеза пленок титаната свинца;

- исследование состава и структуры полученных пленок;

- экспериментальное изучение диэлектрических свойств пленок титаната свинца;

- теоретическое изучение доменной структуры в пленочных сегнетоэлектриках.

Объект и методики исследования

Выбор объекта исследования обусловлен тем, что классический сегнетоэлектрик ВаТЮз в пленочном состоянии, а также различные , композиции на его основе из технологических соображений, удобнее заменять одним из его аналогов РЬТЮз. Пленки сегнетоэлектрического титаната свинца получали путем многоступенчатого отжига гетероструктур Pb/Ti или Si/Pb/Ti в атмосфере кислорода. Фазовый состав исследуемых пленок определялся с помощью диффрактометра ДРОН-ЗМ. Диэлектрические измерения проводились по модернизированной схеме Сойера-Тауэра, а

также на других установках, позволяющих изучать сегнетоэлек-тричество в тонких слоях.

Новизна основных положений и выводов работы состоит в том, что:

- предложен новый способ получения пленок титаната свинца, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами на металлических и полупроводниковых подложках прямым синтезом из исходных компонентов.

- показано, что варьируя условия синтеза и комбинацию исходных элементов пленки можно получать конечную фазу, обладающую в зависимости от состава и технологии диэлектрическими, сегнетоэлектрическими или полупроводниковыми свойствами.

- показано, что полученные пленки обладают толщинными и температурными зависимостями коэрцитивного поля, характерными для сегнетоэлектриков.

- проведен теоретический анализ параметров доменной структуры в зависимости от условий формирования пленки.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Новый способ формирования тонких пленок, основанный на многоступенчатом отжиге в атмосфере кислорода комбинации исходных компонентов на металлической или полупроводниковой подложках, позволяющий получать слои титаната свинца с выраженными сегнетоэлектрическими свойствами.

2.Результаты анализа фазового состава синтезированных пленок титаната свинца с помощью рентгеновской диффрактогра-фии, показывающие, что наиболее выраженными сегнетоэлек-

трическими свойствами обладают пленки, имеющие фазовый состав близкий к стехиометрическому РЬТЮз с небольшой (до 10 %) примесью фазы РЬТлзОу.

3.Механизм формирования оксидных слоев титана, кремния и свинца, служащих основой для синтеза сегнетоэлектрических пленок, заключающийся в последовательном массопереносе компонентов исходных структур с последующим их взаимодействием. Экспериментальное подтверждение того, что вариация условий синтеза и соотношения исходных компонентов позволяет формировать тонкие слои на основе титаната свинца с заданными электрофизическими свойствами.

4. Результаты исследования сегнетоэлектрических свойств синтезированных пленок титаната свинца на подложках из монокристаллического кремния и поликристаллического титана. Тол-щинные и температурные зависимости коэрцитивного поля, определяемые по петле диэлектрического гистерезиса близки к характерным для сегнетоэлектриков. Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры пленок титаната свинца имеет ярко выраженный рост вблизи Тс.

5.Аналитические зависимости периода доменной структуры от геометрии, диэлектрических свойств, проводимости слоев гетеро-структуры, включающей РЬТЮ3.

Научная и практическая значимость работы заключается в том, что впервые предложен и экспериментально реализован способ формирования тонких пленок титаната свинца, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами, на основе прямого синтеза из исходных компонентов. Определены оптимальные условия многоступенчатого отжига исходных структур в атмосфере кислорода,

позволяющие получать тонкие пленки с заданными свойствами с достаточной степенью воспроизводимости. Относительная простота и дешевизна получения синтезированных пленок позволяет рассматривать их как перспективный объект при использовании в микроэлектронике.

Апробация работы.

Основные результаты работы были доложены и обсуждены на III и VI региональных конференциях «Проблемы химии и химической технологии» (г. Воронеж, 1995, 1998 гг.), Всероссийской научно-технической конференции «Современная электротехнология в машиностроении» (г.Тула, 1997г.), IV международной конференции «Физика и технология тонких пленок» (г.Ивано-Франковск, 1997г.), Международной конференции «Electroceramics VI» (Montreux, Switherland, 1998 г.).

Публикации и вклад автора По теме диссертации опубликовано 7 печатных работ. Автором получены все объекты исследования, основные экспериментальные и теоретические результаты.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав, выводов и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 115 страницах машинописного текста, иллюстрирована 17 рисунками. Библиография содержит 102 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Яценко, Сергей Олегович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1.Разработан и экспериментально реализован новый способ получения титаната свинца из комбинации исходных компонентов с последующим многоступенчатым отжигом в кислородсодержащей атмосфере, позволяющий воспроизводимо синтезировать сегнетоэлектриче-ские пленки толщиной 100-1000 нм на металлических подложках.

2.Предложен механизм формирования оксидных пленок свинца, титана и кремния, основанный на массопе-реносе катионов и анионов во встречных направлениях во внутреннем электрическом поле, возникающем на границе раздела сред. Образование оксидов происходит в переходных слоях, локализованных как на внешней, так и на внутренней границах гетеросистемы металл-оксид-кислород.

3.На.основе анализа механизмов формирования оксидных слоев титана, кремния и свинца с последующим их твердофазным взаимодействием показано, что варьируя условия синтеза и соотношение исходных компонентов можно формировать тонкие слои на основе титаната свинца с заранее заданными электрофизическими свойствами (сегнетоэлектрическими, металлическими, диэлектрическими и полупроводниковыми).

4.Экспериментально изучены диэлектрические свойства титаната свинца на подложках из монокристаллического кремния и поликристаллического титана. Исследованные зависимости коэрцитивного поля от толщины пленки и температуры подтверждают наличие сегнето-электрических свойств у синтезированных образцов.

5.Теоретически рассчитана равновесная ширина доменной структуры в тонкопленочных гетеросистемах, содержащих сегнетоэлектрик, в зависимости от проводимости контактирующих слоев.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Яценко, Сергей Олегович, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1.Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы.-М.: Мир, 1965. 555с.

2.Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах.М..Наука, 1995. 304с.

3.Дудкевич В.П., Фесенко Е.Г. Физика сегнетоэлектрических пленок. Ростовский университет, 1979. 189с.

4.Томашпольский Ю.Я. Пленочные сегнетоэлектри-ки. М.:Радио и связь, 1984.192с.

5.Кенциг В. Сегнетоэлектрики и анти-сегнетоэлектрики. М.: ИЛ, 1960. 234с.

6. Демьянов В.В., Соловьев С.П. Механизм динамической поляризации сегнетоэлектриков типа BaTi03 в области фазовых переходов // Изв. АН СССР. Сер.физ., 1969.Т.33.№2.С.235-245.

7.Slack J.R., Burfoot J.С. Electrical properties of flash evaporated ferroelectric ВаТЮз thin films // J.Phys C.,1971.V.4.p.898-909.

8.Вендик О.Г., Зубко С.П., Тер-Мартиросян Л.Т. Корреляционные эффекты в сегнетоэлектрическом тонкопленочном конденсаторе // ФТТ, 1996. Т38. № 12. С.3654.

9.Wang Y.G., Zhong W.L., Zhong P.L. Surfase and size effects on ferroelectric films with domain structures // Phys.Rev.B., 1995. 51. № 8.- P.5311-5314.

Ю.Томашпольский Ю.Я., Севостьянов М.А. Сегне-тоэлектрические зародыши в титанате бария // ФТТ, 1974. Т. 16. №9. С. 2689-2692.

11.Park J.K.,Granneman W.W.Thin ferroelectric films of BaTi03 on doped silicon // Ferroelectrics, 1976.V. 10. P.217-220.

12.Томашпольский Ю.Я., Севостьянов М.А. Сегне-тоэлектрические вакуумные конденсаты титаната бария тоньше 1000 А// ФТТ, 1972. Т.14. №9. С.2686-2688.

13.Tomashpolski Yu. Ya., Sevostianov М.А. Ferroelectric vacuum deposits of complex oxide type structure// Ferroelectrics, 1974.V.7. N° 1-4, P.257-258.

14.Tomashpolski Yu. Ya., Sevostianov M.A. «Size» phenomena in ferroelectric vacuum deposits // Ferroelectrics, 1976. V.13. p.415-417.

15.Томашпольский Ю.Я., Платонов Г.Л. Сегнето-электрические пленки сложных окислов металлов// М.:Металлургия, 1978.-200с.

16. Xu Y., McKenzie J.D. // Integr. Ferroel., 1992.V.1.№1.P.17-42.

17.Swartz S.L., Wood U.E. // Cond.Matter News.,1992. V. 1.№5.P.4-11.

18.Sheppard Laurel.M. Advances in processing of ferroelectric thin films // Amer.Ceram..Soc.Bull, 1992. V.71. №1. P.85-87,91-95.

19.Лурье M.C. Тонкие сегнетоэлектрические пленки Pb(Ti,Zr,Sn)03 // ДАН СССР, 1959. Т.128. №73.

20.Яманака С. Сегнетоэлектрические тонкие пленки, полученные осаждением путем электрофореза // Дэнки гаккай дзасси,1958. Т.78. С.908-912.

21.Воеводский А.С., Остроумов В.В. Электрофоре-тическое осаждения титаната стронция // Коллоидный журнал, 1963. №25. С.392-397.

22.Feldman С.Formation of thin films of BaTi03 by evaporation // Rev.Sci.Instr., 1955. №26. C.463-465.

23.Muller E.K.,Nicholson B.J. The vapor deposition of ВаТЮз by a grain-by-grain evaporated method // Electro-chem. techn.,1963. №1. C.158-163.

24.Томашпольский Ю.Я., Княшкина A.H. Электро-нографическое исследование аморфных конденсатов титаната бария.// Изв.АН СССР. Сер. Неорг. Матер.,1973. №9. С.248-252.

25.Вербицкая Т.Н., Соколова Л.С., Семенов Г.А. Исследование процесса формирования тонких сегнето-электрических пленок на основе титаната бария , полученных испарением в вакууме. // Физика и химия твердого тела, 1972. Вып.2. С.96-100.

26.Sekine Е., Toyoda Н. Experimental study of evaporated ВаТЮ3 films // Rev.Electr.Commun.Lab., 1962. V.10. P.457-501.

27.Томашпольский Ю.Я. и др. Структура вакуумных конденсатов титаната стронция // Кристаллография,1975. Т.20. С.194-196.

28.Томашпольский Ю.Я., Пентегова М.В. Сегнето-электрическое поведение вакуумных конденсатов гер-маната свинца // ФТТ, 1975. №15. С.1943-1947.

29.Feuersanger А.Е., etc. Preparation and properties of thin barium titanate films // J.Electrochem.Soc. Д964. №11. P.1387-1390.

30.Peng C.J., Krupanidhi S.B. Eximer laser ablated de-pozition of ferroelectric lead germanat thin films // Thin solid films, 1992. V.219.№l-2. P.162-169.

31.Maffei N., Krupanidhi S.B. Electrical characteristics of eximer laser ablated bismut titanate films on silicon // J.Appl.Phys., 1992. V.72. № 8. P.3617-3621.

32. Kalisz L. Deposition of Thin ВаТЮз Films by Means of Sputtering //Acta Phys. Polonica, 1968.V. 33.P. 381-385.

33.Булгаков H. А. и др. Структура и некоторые диэлектрические свойства тонких пленок титаната стронция, полученных методом катодного распыления//Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1973. №9. С.1833-1837.

34. Марголин А. М. и др. Структура и свойства пленок титаната бария, полученных методом катодного - распыления // Изв. АН СССР. Сер. Физ, 1971. № 35, С.1947-1952.

35. Shintani Y., Tada 0. Preparation of Thin BaTi03 Films by dc Diode Sputtering //J. AppL Phys., 1970.V. 41.P. 2376-2380.

36. Foster N. F. The deposition .and piezoelectric

chara.cteristics of sputtered lithium niobate films // J. Appl. Phys., 1969. V. 40.P. 420-424.

37.Foster N. F. Composition and Structure of Sputtered Films of Ferroelectric Niobates // J. Vac. Sci. and Technol., 1971. V.8. P. 251-255.

38.Пратт И. Технология толстых и тонких пленок. М.1972. С.73-82.

39.Балашова Е.В., Гольцман Б.М., Ефимова Т.П. и др. Ориентированный рост пленок SrTi03 при ВЧ-магнетронном распылении // ФТТ, 1993.Т.35. №2.С.442-445.

40.Гольцман Б.М., Дедык А.И. Диэлектрические свойства тонких пленок SrTi03 и Sro.sBao.sTiC^ // ФТТ, 1996. №8.С.2493.

41.Гольцман Б.М., Зайцева Н.В., Крецер Ю.Л., Ле-манов В.В., Шаплыгина Т.А. Некоторые особенности формирования пленок SrTi03 и Sro.sBao.5Ti03 // ФТТ, 1995. №12.С.3723.

42.Seung-Hee Nam, Ho-Gi Kim. Electrical properties of the SrTi03 thin films prepared by radio frequency magnetron sp.utterinng // Ferroelectrics, 1994. V. 152. P.79-84.

43.Лурье M.C., Васильева E.И.,Игнатьева И.В. Сег-нетоэлектрические пленки с прямоугольной петлей гистерезиса // Изв.АН СССР.Сер.Физ., 1960.Т.24.С. 13761379.

44.1shida M.,Matsunami Н. Electro-optic effects of PLZT thin films// Appl.Phys.Lett. 1977. V.31. №1.P.433-434.

45. Okada A. Some electrical and optical properties of ferroelectric lead-zirconate-lead-titanate thin films // J.Appl.Phys., 1977. V.48. №7. P.2905-2909.

46. Okada A.Electrical properties of ferroelectric lead-zirconate-lead-titanate thin films and their composition analysis by Auger-electron spectroscopy // J.Appl.Phys., 1978. V.49. №8. P.4495-4499.

47.Castellano R.N., Feinstein L.G.Ion-beam deposition of thin films of ferroelectric lead zirconate-titanate (PZT) // J.Appl.Phys. 1979. V.50. №6. P.4406-4411.

48.Афанасьев В.П., Каптелов Е.Ю., Крамар Г.П.,Пронин И.П., Шаплыгина Т.А. Формирование и исследование свойств пленок цирконата-титаната свинца на диэлектрических подложках с подслоем платины

" // ФТТ, 1994.Т.36. № 6. С.1657.

49.Бородин В.З., Гах С.Г.// Изв.АН СССР. Сер. Физ., 1984.Т.48. №6. С.1081-1085.

50.Леманов В.В., Мосина Г.П., Сорокин Л.М. Структура поверхностных слоев сегнетоэлектрических тонких пленок цирконата - титаната свинца // ФТТ, 1996. Т.3.8. № 10. С.3108.

5 l.A.H.Carm, В.А. Tuttle, D.H. Daughety etc.// J.Amer.Ceram., 1991. V.74. №6. P.1455.

52.Применение металлоорганических соединений для получения неорганических покрытий и материалов./ Под ред.Разуваева Г.А.:М..Наука ,1986. 255с.

53.Ярмаркин В.К., Зайцева Н.В., Штельмах С.В., Моторный А.В. Структура и свойства тонких пленок

PbZrTi03, полученных золь-гель методом // ФТТ, 1995.Т.37. №2. С.324-336.

54.Tredgold R.H. Spase charge conduction in solids // Amsterdam: Elsevier, 1966. P.21-26.

55.Vorotilov K.A., Yanovskaya M.I., Dorohova O.A. //Integr.Ferr., 1993.V.3. №1. P.33-49.

56.Phillips Nicolas J.Sol-gel derived lead titanate films // J.Non-Cryst.Solids, 1992. № 147. P.285-290.

57.Tandon R.P., Raman V., Ajay K.Arora, Hans V.K. Fabrication and characterisation of copper containing lead titanate films prepared by sol-gel method // Ferroelec-trics, 1994. V. 152. P.151-156.

58.Maeda M., Ishida H. Preparation and properties of PbTi03 films by sol-gel processing // Jap.J.Appl.Phys.Pfl. 1993. 32.№ 9B. P.4136-4140.

59.Tabata Hitoshi. Preparated of PbTi03 thin films by an eximer laser ablation tehnique with second laser irradiation // Jap.J.Appl.Phys.Pf 1-1992-31, №9B. P.2968-2970.

60.0kuyama M., Asano J., Imai T. Preparation of PbTi03 thin films on Si By ArF excimer laser ablation // Jap.J.Appl.Phys.Pfl., 1993. 32.№ 9B. P.4107-4110.

61.Tanaka H., Tabata H., Kawai T. Dominante factors for formation of perovskite PbTi03 films using excimer laser ablation // Jap.J.Appl.Phys.Pf2., 1994. 33.Kç 3B. P.L451-454.

62.Ferroelectric properties of lead titanate films deposited by low pressure chemical vapor deposition // J.Electrochem. Soc.,1992. 139. №9. P.2559-2562.

63.Dormans G.J.M., Van Veldhoven P.J., De Keijser M. Composition-control growth of PbTiC>3 on SrTi03 by organometallic chemical vapour deposition // J.Crvst.Growth. 1992. V.123. № 3-4. P.537-544.

64.Bai G.R., Chang H.L.M., Kim H.K. Epitaxy-induced phase on near-stoichiometry PbTiC>3 films prepared by metallorganic chemical vapor deposition // Appl.Phys.Lett., 1992. V.61.№ 4. P.408-410.

65.Hirai T., Goto T. Preparation of tetragonal perovskite single phase PbTi03 film using an improved metal-organic chemical vapor deposition method alternately introducing Pb and Ti precursors // Jap.J.Appl.Phys.Pfl. 1993. 32. № 9B. P.4078-4081.

66.Funakudo H., Hioki T.Film chickness dependence of dielectric property and crystal structure of PbTiC>3 film prepared on Pf/ SiC>2/ Si substrate by metal organic chemical vapor deposition // Jap.J.Appl.Phys.Pfl. 1993. 32. № 9B. P.4175-4178.

67.Kanno I., Kamada T., Hayashi S. Ferroelectric PbTi03 thin films prepared by multi-ion-beam sputter and ion-assisted deposition // Jap.J.Appl.Phys.Pf2. 1993. 32. № 7A. P.L950-L953.

68.Qu B.D., Zhang W., Wang K.M. Ion-beam-assisted deposition of ferroelectric ibTi03 films // J.Appl.Phys., 1993. 74.№ 4. P.2896-2899.

69.Hayamizu Shunichi .Preparated of РЬТЮз thin films by reactive ionized cluster beam deposition // Jap.J.Appl.Phys.Pf 1., 1992. 31. №9B. P.2975-2977.

70.Ueno Satoshi. Preparated of PbTi03 films utilizing self-control mechanism of stoichiometric composition in dual-beam vacuum evaporation method // Jap.J.Appl.Phys.Pf 1-1992. 31. №9B. P.2982-2984.

71.Свиридов E.B., Мухортов B.M., Головко Ю.И., Захарченко И.П., Дудкевич В.П., Фесенко Е.Г. Гетеро-эпитаксиальные сегнетоэлектрические пленки РЬТЮ3 , полученные ВЧ-катодным распылением // Письма в ЖТФ, 1983. Т.9. №3. С.163-165.

72.Sangsub Kim, Youngmin Kang, Sunggi Baik .Sputter deposition of ferroelectric PbTi03 thin films // Ferroelec-trics, 1994. V. 152. P.1-6.

73.Николаев В.И., Ваганова О.Ю., Томашпольский Ю.Я. Синтез пленок PbTi03 раздельным испарением металлов // Неорганические материалы, 1997.Т.33. № 7. С.858-859.

74.Moshizuki S., Mihara Т., Kimura S., Ishida Т.Preparated of PbTi03 thin films by reactive coevapora-tion// J.Vac.Soc.Jap., 1992. 35.№3. P.260-262.

75.Maiva H., Ichinose N., Okazaki K. Crystalline structrure of PbTi03 thin films by multiple cathode sputtering // Jap.J.Appl.Phys.Pfl.,1992. 31.№9B. P.3029-3032.

76.Li C.C., Desn S.S. Processing of PbTi03 thin films. I.In situ investigation of formation kinetics // J.Vac.Sci.and Technol.A. 1996. 14.№ 1. P.1-6.

11.2

77.New generation of oxide target for the deposition of ferroelectric thin films by sputtering / Descamps M., Remiens D., Chabal L., Jaber В., Thiery B.// Appl.Phys.Lett. 1995. 66. №6. P.685-687.

78.Fabrication of lead titanate thin films by laser ablation with alternate deposiyion of lead oxide and titanium oxide precursors / Funacoshi H., Fumoto K., Okuyama M., Hamakawa Y.// Jap.J.Appl.Phys.Pfl. 1994. 33.№ 9B. P.5262-5264.

79.Calzada M.L., Carmona F., Sirera R., Jimenes B.Synthesis of lead titanate films by a sol-gel method // Ferroelectrics, 1994. V.152. P.19-24.

80.Chae Ryong Cho, Min Su Jang, Se Young Jeong, Ho Jong Kim, Ji Hyun Ro.The study on the ferroelectric ATi03 (A=Ba, Pb) thin films fabricated by sol-gel processing // Ferroelectrics, 1994. V.152. P.37-42.

81.Jia Q.X., Chang L.H., Anderson W.A. Interactions between ferroelectric BaTi03 and Si // Electron. Mater. 1994. 23.№6. P.551-556.

82.Ховив A.M., Миттова И.Я., Дубов С.И. Нетермическое влияние лазерного излучения среднего и ближнего ИК-диапазонов на оксидирование кремния // ЖТФ. 1996. Т.57. N7. С.151-156.

83. Угай Я.А., Ховив A.M., Анохин В.З. Кинетическое уравнение многостадийного процесса термического оксиления кремния // Доклады АН СССР. 1982. Т.266. N5. С.1188-1190.

84. Boyd I.W., Wilson J.I.В., West J.L. Laser-induced oxidation of silicon // Thin Solid Films. 1981. V.83. N 2. P.173-176.

85. Угай Я.А.,Ховив A.M.,Барсукова Л.В. Кинетическое уравнение термического и лазернотермического оксидирования кремния // ДАН СССР. 1988. Т.288. С.1041-1043.

86. Ховив A.M. , Назаренко И.Н., Дубов С.И. Особенности кинетики окисления кремния при воздействии лазерного излучения среднего ИК-диапазона.// ЖФХ.1995 т.69. N4. С.759-760.

87. Угай Я.А., Ховив A.M., Назаренко И.Н., Дубов С.И.Увеличение скорости окисления при воздействии на кремний лазерного излучения // ЖФХ. 1986, Т.60, Вып.6, С.1554-1556.

88. Ховив А,М., Миттова И.Я. Дубов С.И. Влияние лазерного излучения среднего ИК-диапазона на формирование гетероструктуры кремни-оксид кремния// Неорганические мат. 1995. Т.41. N2. С.276-277.

89. Угай Я.А., Анохин В.З., Ховив A.M., Миттова И.Я. Обобщенная кинетика термической пассивации полупроводников. // Кинетика и катализ, 1983. Вып.4. С.781-788.

90.Сидоркин А.С., Ховив A.M. Лазерно-стимулированное оксидирование поликристаллической меди// 1995.ФТТ. N8. С.2520-2522.

91. Ховив A.M., Барсукова Л.3 ,Анохин В.З. Термическое и лазерно-терцическое окисление титана в ин-

тервале температур 773-973К// Неорг. материалы, т.28. N5. 1992. С.1019-1021.

92. Угай Я.А., Ховив A.M., Анохин В.З., Миттова И.Я. Электромиграция кислородсодержащих ионов при термическом окислении кремния.- Доклады АН СССР. 1982. Т.267. N1. С.144-147.

93.Ховив A.M. Лазерный метод формирования оксидных пленок на поверхности проводящих твердых тел. Воронеж: Изд-во ВГАУ. 1997. 89 с.

94.Ховив A.M., Барсукова Л.В., Яценко С.О. Лазерное оксидирование поликристаллического титана в среднем и ближнем ИК-диапазоне // Неорг.матер.,1998. Т34. №5. С.891-896.

95. Ховив A.M., Яценко С.О. Лазерно-стимулированное формирование оксидных пленок на поверхности кремния , титана и меди // Современная электротехнология в машиностроении: Труды Всероссийской научн.-техн. конф.Тула, 1997.С. 190-194.

96.Сигов A.C. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике // Соросовский образовательный журнал, 1996.№10.С.83-91.

97.A.M.Ховив., A.C. Сидоркин, С.О.Яценко, О.Б.Яценко. Получение пленок титаната свинца, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами // Неорг. матер., 1998.Т.34.№ 4.С.462-463.

98.A.M.Khoviv, A.S.Sidorkin, S.O. Yatsenko, O.B. Yatsenko. Obtaning of the films of lead titanate posting

ferroelectric properties // Abstract Int. Conf. «Electroceramics VI», Montreux, Switherland, 1998. P.38.

99.Шур В.Я., Румянцев Е.А., Макаров С.Д.Кинетика переключения поляризации в сегнетоэлектриках конечных размеров // ФТТ.1995.Т.37.№6.С.1687-1692.

ЮО.Даринский Б.М., Лазарев А.П., Сидоркин А.С. Образование доменной структуры в сегнетоэластическом образце со свободной поверхностью // Изв.АН СССР. Сер.Физ. Т.53. №7.1989.С.1276-1279.

ИН.Даринский Б.М., Лазарев А.П., Сидоркин А.С. Формирование доменной структуры в сегнетоэлектриче-ских пленках со свободными носителями заряда // Кристаллография .Т.36. №3. 1991.С.757-758.

102.Дикштейн И.Е., Тарасенко В.В. Зарождение доменной структуры в пленке сегнетоэлектрика на массивной подложке в окрестности фазового перехода // ФТТ. 1988. Т.30. №1. С.200-204.