Теоретический анализ и экспериментальное исследование функционирования сверхвысокочастотных интегральных схем на арсениде галлия при воздействии радиационных и электромагнитных излучений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.05, доктор технических наук Громов, Дмитрий Викторович

• Громов, Дмитрий Викторович
• доктор технических наук
• 2001

Оглавление диссертации доктор технических наук Громов, Дмитрий Викторович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ РАДИАЦИОННЫХ И ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ЭФФЕКТОВ

В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ.

1.1. Радиационное дефектообразование в арсениде галлия.

1.1.1. Электропроводность арсенида галлия, содержащего изолированные эффекты.

1.1.2. Влияние областей скопления дефектов на электрические свойства арсенида галлия.

1.1.3. Радиационное изменение времени жизни носителей заряда в арсениде галлия.

1.2. Ионизационные и микродозиметрические эффекты.

1.3. Взаимодействие СВЧ и лазерного излучений с арсенидом галлия.

1.3.1. Особенности воздействия мощного импульсного СВЧ излучения.

1.3.2. Взаимодействие лазерного излучения с полупроводниковым материалом на физическом уровне описания.

1.4. Выводы.

ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ В ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ

И ДИОДНЫХ СТРУКТУРАХ НА АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ.

2.1. Радиационные эффекты в пассивных элементах интегральных схем(микрополосковые линии).

2.2. Влияние излучений на характеристики диодных структур. 68 2. 2.1. р-п-переходы.

2.2.2. Диоды с барьером Шоттки.

2.2.3. Резонансно-туннельные диоды.

2.3. Сравнение диодных структур по радиационной стойкости.

2.4. Выводы.

ГЛАВА 3. АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ

СТРУКТУРЫ.

3.1. Радиационные эффекты в полевых транзисторах с затвором Шоттки.

3.1.1. Особенности полевых транзисторов на арсениде галлия.

3.1.2. Остаточные радиационные эффекты в полевых транзисторах.

3.1.3. Переходные ионизационные эффекты в полевых транзисторах.

3.1.4. Воздействие мощного импульсного СВЧ излучения на GaAs полевые транзисторы.

3.2. Особенности радиационного поведения гетероселективных полевых транзисторных структур (ГСПТ).

3.2.1. Ос.таточные радиационные эффекты в ГСПТ.

3.2.2. Переходные радиационные эффекты в ГСПТ.

3.3. Выводы.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ И ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ЭФФЕКТОВ

В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ СВЧ ДИАПАЗОНА.

4.1. Особенности проектирования и радиационного поведения интегральных схем СВЧ диапазона.

4.2. Интегральные схемы смесителей.

4.3. СВЧ усилители на полевых транзисторах.

4. 4. Генераторы СВЧ диапазона.

4.5. Выводы.

ГЛАВА 5. РАДИАЦИОННЫЕ И ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ЦИФРОВЫХ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ.

5.1. Конструктивно-технологические и схемотехнические особенности цифровых интегральных схем(ЦИС).

5.2. Остаточные радиационные эффекты в ЦИС.

5.3. Моделирование переходных радиационных эффектов в ЦИС.

5.4. Исследование воздействия мощного импульсного СВЧ-излучения на &акз цифровые интегральные схемы.

5.5. Выводы.

ГЛАВА 6. МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ СТОЙКОСТИ Gaks ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

К ВОЗДЕЙСТВИЮ ИЗЛУЧЕНИЙ.

6.1. Конструктивно-технологические методы повышения радиационной стойкости СаАэ ИМС.

6.1.1. Методика контроля СаАБ структур, содержащих границу раздела полупроводник-полуизолирующая подложка.

6.1.2. Методы снижения чувствительности характеристик полевых транзисторов к воздействию ионизирующих излучений.

6.2. Схемотехнические методы повышения стойкости аакв интегральных схем.

6.3. Оценка предельных возможностей приборов и ИС на арсениде галлия по радиационной стойкости.

6.4. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Теоретический анализ и экспериментальное исследование функционирования сверхвысокочастотных интегральных схем на арсениде галлия при воздействии радиационных и электромагнитных излучений»

Общая характеристика диссертации

Диссертация посвящена решению научной проблемы - РАЗРАБОТКЕ РАСЧЕТНО-ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ МЕТОДОВ И СРЕДСТВ ОЦЕНКИ И ОБЕСПЕЧЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ И ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ СТОЙКОСТИ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, позволяющей решить важную народнохозяйственную задачу определения и обеспечения стойкости перспективной элементной базы устройств вычислительной техники и систем управления объектов специального назначения(в том числе военной техники) при улучшении технико-экономических и эксплуатационных характеристик.

Актуальность проблемы. Полупроводниковые приборы (ПП) и интегральные схемы (ИС) на основе арсенида галлия занимают существенное место в элементной базе современных устройств вычислительной техники и систем управления специального назначения, к которым предъявляются требования по стойкости к воздействию ионизирующих излучений (ИИ). В настоящее время по оценкам специалистов до 20 % современной элементной базы приходится на долю СаАэ и полупроводниковых соединений на его основе.

Основными преимуществами арсенида галлия по сравнению с кремнием являются повышенные значения подвижности носителей заряда и их максимальной дрейфовой скорости, что позволяет расширить диапазон рабочих частот элементной базы в СВЧ область и понизить напряжение питания ИС. Наличие широкой запрещенной зоны в СаАэ позволяет получать подложки в хорошими изоляционными свойствами, что позволяет формировать на них элементы ИС без дополнительных процессов, обеспечивающих их изоляцию друг от друга.

Из-за своих свойств арсенид галлия с 1989-1990 годов занял одно из первых мест в перечне военных "критических технологий", одобренных Конгрессом США и обеспечивающих решение главных задач строительства вооруженных сил, устремленных к долговременному превосходству американского ВВТ в зонах потенциальных конфликтов. При разработке перечня " критических технологий" американские специалисты исходили из необходимости достижения выделенных 12-ти долгосрочных целей военно-технической политики. При этом для успешной реализации каждой из них предполагается обязательное использование "критической технологии" под номером 1 - "Полупроводниковые материалы и микроэлектронные схемы" [1].

Основные ассигнования на разработку арсенид-галлиевой технологии в течение 1987-1990 годов поступали от руководства стратегической оборонной инициативы (СОИ) США в объемах от 20 до 35 млн.долл. в год. Задел по этой технологии позволил к 1993 году получить ряд рекордных результатов , которые не реализуются на кремнии [1-10].

Это позволяет повысить эффективность внедрения арсенидгаллие-вых схем в аппаратуру специального назначения и обеспечить улучшение их характеристик для

- бортовых спутниковых процессоров - увеличить быстродействие с 75-100 млн. до 560 млн. оп/с;

- радиотехнических систем повысить рабочие частоты до 100 ГГц при сохранении требуемых параметров по чувствительности;

- высокоточных управляемых ракет - получить высокую скорость вычислений при низкой мощности потребления;

- процессоров бортовых РЛС - увеличить дальность действия на 45% и уменьшить частоту ложного опознавания целей;

- вычислительных устройств военных систем - уменьшить время цикла блоков управления в 4-5 раз;

- адаптивных систем обработки импульсов - повысить вероятность обнаружения импульсов в условиях помех;

- аппаратуры цифровой радиосвязи - увеличить скорость обработки сигналов.

Широкое применение элементной базы на основе арсенида галлия в радиоэлектронной аппаратуре космического и наземного базирования, а также в объектах вооружения и военной техники(ОВВТ) вызывает необходимость обеспечения ее работоспособности в условиях воздействия дестабилизирующих факторов, в том числе при воздействии ионизирующих изучений. Требования к радиационной стойкости элементной базы и аппаратуры военного назначения регламентируются комплексами стандартов "Климат-7" и "Мороз-6".

Взаимодействие ионизирующих излучений с ПП и ИС сопровождается целым комплексом радиационных эффектов. Под радиационным эффектом понимают явление, состоящее в изменении параметров, характеристик и свойств объекта в результате воздействия ИИ. Радиационные эффекты, связанные со смещением атомов вещества, называют эффектами смещения, а процессы, обусловленные ионизацией и возбуждением атомов вещества, ионизационными [И]. В ряде случаев эффекты, связанные со смещением атомов и образованием дефектов кристаллической структуры материала, определяют как остаточные. Эффекты связанные с кратковременным взаимодействием ионизирующего излучения с полупроводниковой структурой(гамма-импульс ЯВ, воздействие ЭМИ и отдельных заряженных частиц) называются в ряде случаев переходными.

При рассмотрении радиационных эффектов в современной полупроводниковой элементной базе следует отметить существенное влияние на характеристики ПП и ИС ионизирующих излучений ядерного взрыва (ЯВ), обладающих высокой проникающей способностью и интенсивностью [12]. Особенностью ЯВ как источника ИИ является чрезвычайно высокая плотность потоков быстрых нейтронов и энергии импульсов мгновенного гамма- излучения. Эти составляющие ИИ ЯВ распространяются на большие расстояния, проникают сквозь корпуса объектов и создают в активных объемах ПП и ИС эффекты, соответствующие интегральному флюенсу нейтронов 1016 нейтр/см2 и мощности поглощенной дозы до 1011 Гр/с.

На борту космических аппаратов(КА) влияние на характеристики радиоэлектронной аппаратуры(РЭА) оказывают в основном два вида радиационных эффектов, первый из которых связан с воздействием высо-коэнергетичных электронов и протонов радиационных поясов Земли, а второй определяется влиянием отдельных заряженных частиц высокой энергии[13]. Дозовые эффекты от воздействия электронов характеризуются поглощенной дозой и для современных КА со сроком активного существования на орбите 5-10 лет требования по стойкости для этой группы эффектов составляют 104.105 рад. Эффекты одиночных сбоев при воздействием тяжелых заряженных частиц(ТЗЧ) определяются сечением сбоев и для современных и перспективных КА это значение■лежит в диапазоне 10"5.106 сбой бит/сутки.

Для ядерных энергетических установок, радиационное воздействие которых характеризуется в основном ионизирующим излучением гамма-квантов, требования по стойкости близки по своим значениям к случаю воздействия электронов радиационных поясов Земли.

В силу того, что рабочие частоты элементной базы на основе арсенида галлия находятся в гигагерцовом диапазоне длин волн, помимо традиционных типов радиационных воздействий, является актуальным оценка стойкости СаАэ полупроводниковых приборов и интегральных микросхем в воздействию мощного импульсного СВЧ-излучения, рассматриваемого в качестве одного из типов оружия на новых физических принципах(ОНФП)[14]. Разработка подобного типа оружия у предполагаемого противника в рамках возобновляемой в настоящее время системы ПРО, является серьезной предпосылкой для разработки расчетных и экспериментальных методик оценки стойкости современной полупроводниковой элементной базы к данному виду воздействия. Разрабатываемые источники мощного импульсного СВЧ-излучения характеризуются следующими параметрами: длина волны излучения - от 1 ГГц до 100 ГГц, длительность импульса 1.100 мкс , частота повторения импульсов - до единиц кГц. Импульсная мощность генераторов этого типа сегодня достигает сотен МВт. Кроме того, источником импульсного СВЧ излучения является ЯВ в результате вторичных эффектов воздействия которого в РЭА формируются электрические перегрузки, способные привести к временным или катастрофическим отказам объекта в целом.

Чувствительность полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на основе арсенида галлия к радиационным и электромагнитным факторам существенно зависят от параметров воздействий и особенностей самой элементной базы.

С учетом отсутствия возможности проведения натурных испытаний решение этой проблемы на ранних этапах привело к разработке серии установок с достаточной степенью адекватности моделирующих радиационных и электромагнитных воздействий.

Однако решение перечисленных задач традиционными методами на основе испытаний изделий на моделирующих установках (МУ) связано с чрезмерными временными и финансовыми затратами. В частности, относительно невысокие производительность и доступность большинства МУ не позволяют осуществить необходимый для получения статистически достоверных результатов объем испытаний, условия проведения испытаний (дистанционный характер измерений и высокий уровень помех) не обеспечивают необходимой точности результатов, установки во многих случаях не реализуют заданных параметров электромагнитных и радиационных факторов (по составу и диапазону изменения параметров) . Поэтому актуальной является разработка новых высокоэффективных методов оценки, прогнозирования, диагностирования и обеспечения стойкости полупроводниковых изделий на основе арсенида галлия к электромагнитным и радиационным воздействиям.

Эффективное решение указанных проблем представляется возможным на основе оптимального сочетания экспериментальных исследований и корректных расчетных методов оценки и прогнозирования радиационной стойкости элементной базы.

Расчетно - экспериментальные методы оценки и прогнозирования радиационной стойкости основаны на определении детерминированных эффектов, наблюдаемых в ПП и ИС при воздействии ионизирующих и электромагнитных излучений, и разработке на этой основе методов расчетного моделирования характеристик элементной базы с учетом дестабилизирующих факторов.

Использование методов моделирования и прогнозирования на основе анализа доминирующих эффектов позволяет дополнить исследования стойкости ПП и ИС эффективными имитационными методами, основанными на применении имитирующих воздействий различной физической природы, вызывающие в элементной базе эффекты, состав и характеристики которых адекватны доминирующим эффектам, возникающим в реальных условиях эксплуатации при воздействии радиационных факторов.

Имитационные методы основаны на применении для испытаний лазерных, рентгеновских, изотопных, электромагнитных и других имитаторов, параметры которых подбираются таким образом, что обеспечивается идентичный характер доминирующих эффектов по сравнению с МУ и соответствующей радиационной обстановкой.

Таким образом, суть расчетно-экспериментальных методов определения показателей стойкости ПП и ИС на основе арсенида галлия к воздействию радиационных факторов заключается в использовании системы эффективных расчетных методов и экспериментальных методов определения доминирующих эффектов в элементной базе при радиационных и электромагнитных воздействиях. При этом использование имитационных методов воздействия обеспечивает существенное сокращение объема испытаний на МУ при сохранении необходимой достоверности результатов.

Поэтому в настоящее время существует актуальная научная проблема, которая заключается в разработке методов и средств расчет-но-экспериментального моделирования воздействия ионизирующих и электромагнитных излучений на полупроводниковые приборы и интегральные схемы на основе арсенида галлия, направленных на решение важной народнохозяйственной задачи определения и обеспечения радиационной и электромагнитной стойкости перспективной элементной базы устройств вычислительной техники и систем управления объектов специального назначения(в том числе военной техники) при существенном сокращении затрат на стадии испытаний.

Решению этих вопросов, а именно моделированию доминирующих радиационных эффектов в арсенидгаллиевых ПП и ИС при воздействии ионизирующих и электромагнитных излучений, разработке расчет-но-экспериментальных методов прогнозирования стойкости ПП и ИС, разработке методов повышения стойкости Gakз элементной базы с целью обеспечения заданных уровней, созданию и внедрению имитационных методов моделирования - посвящены исследования, проводившиеся с 1979 по 2000 год, итогом которых и является данная диссертация.

Состояние исследований по проблеме.

Исследованиям в области расчетного и экспериментального моделирования воздействия ионизирующих и электромагнитных излучений на характеристики элементной базы на основе кремния посвящено значительное число работ как российских, так и зарубежных авторов, результаты которых отражены в большом количестве монографий, статей и докладов на конференциях и, в частности, докторских диссертаций в которых рассмотрены вопросы влияния ионизирующих и электромагнитных излучений в современной кремниевой элементной базе[15,16].

Анализу радиационных и электромагнитных эффектов в полупроводниковых приборах и интегральных схем на арсениде галлия посвящено меньшее количество работ.

При этом анализ существующих данных, моделей и программ численного моделирования показал, что они не могут стать основой для разработки комплексной и законченной системы расчетно-эксперимен-тальных методов моделирования воздействия ионизирующих и электромагнитных излучений на арсенидгаллиевые ПП и ИС по следующим основным причинам:

- отсутствие единого подхода к проблеме анализа и оценки деградации характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем на Ga.ks при воздействии ионизирующих и электромагнитных излучений;

- отличие в экспериментальных данных по стойкости, полученных для отечественных и зарубежных арсенидгаллиевых микросхем;

- введение некорректных соотношений для составляющих ионизационных токов в СаАэ полевых транзисторов для учета радиационного воздействия в широко известной автоматизированной системе проектирования для интегральных схем Р8Р1СЕ, что ставит под сомнение правильность существовавшего подхода к методам испытаний, моделирования и проектирования стойкой элементной базы на арсениде галлия;

- отсутствие обоснованных требований к параметрам имитаторов ионизирующего и электромагнитного воздействия с учетом обеспечения адекватности для широкого класса ПП и ИС на основе арсенида галлия;

Отмеченные выше недостатки существующих подходов к решению проблемы, а также отсутствие моделей, программ и методик не позволяет эффективно и достоверно применять расчетно-экспериментальные методы моделирования воздействия радиационных и электромагнитных излучений на характеристики арсенидгаллиевых ПП и ИС для определения показателей стойкости рассматриваемой перспективной элементной базы устройств вычислительной техники и систем управления объектов специального назначения.

Целью диссертации является разработка методов и средств рас-четно-экспериментального моделирования воздействия ионизирующих и электромагнитных излучений на арсенидгаллиевые ПП и ИС, что позволит решить важную народнохозяйственную задачу определения и обеспечения стойкости перспективной сверхвысокочастотной элементной базы устройств вычислительной техники и систем управления объектов специального назначения (в том числе военной техники) при существенном сокращении затрат на стадии испытаний.

Поставленная цель достигается путем решения следующих задач:

- определение доминирующих механизмов изменения электрофизических параметров арсенида галлия при воздействии ионизирующих и электромагнитных излучений;

- создание моделей воздействия ионизирующих излучений на пассивные элементы и диодные структуры твердотельных СВЧ интегральных схем на арсениде галлия;

- разработка комплекса физико-топологических моделей полевых транзисторов с коротким каналом и гетероселективных полевых транзисторов с учетом остаточных и переходных радиационных эффектов, а также воздействия мощного импульсного СВЧ-излучения;

- создание методов расчета деградации характеристик СВЧ интегральных схем с использованием эквивалентных схем полупроводниковых приборов с учетом радиационных эффектов;

- разработка расчетно-экспериментальных методов определения показателей стойкости цифровых интегральных схем на арсениде галлия к воздействию ионизирующих излучений и мощного импульсного СВЧ-излучения;

- создание методов, базовых методик и аппаратных средств для имитационного моделирования доминирующих механизмов воздействия импульсных ИИ и мощного импульсного СВЧ-излучения на ПП и ИС на основе арсенида галлия;

- разработка методов повышения стойкости полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе арсенида галлия с целью обеспечения заданных требований по стойкости к воздействию ионизирующих и электромагнитных излучений.

Научная новизна и значимость диссертации заключается в следующем.

Определены доминирующие механизмы деградации электро-физичес-ких параметров арсенида галлия при воздействии ионизирующих излучений и мощных импульсных СВЧ-излучений.

Разработан комплекс физико-топологических и электрических моделей воздействия ионизирующих излучений на пассивные элементы твердотельной СВЧ-электроники, диоды с барьером Шоттки и резонансно-туннельные диодные структуры.

Созданы электро-физические модели полевых транзисторов с коротким каналом, двухзатворных и гетероселективных полевых транзисторов с учетом радиационных эффектов и воздействия мощного импульсного СВЧ-излучения. На базе этих моделей разработаны методы расчета деградации частотных и шумовых характеристик полевых транзисторов на основе электрических эквивалентных схем. Модели реализованы в виде программ численного моделирования и позволяют рассчитывать значения параметров матрицы рассеяния и шумовых волн при радиационном воздействии с помощью которых определяются усилительные и шумовые свойства приборов.

Разработаны расчетные методы определения показателей стойкости СВЧ интегральных схем смесителей, усилителей и генераторов на основе электрофизических моделей и электрических эквивалентных схем активных СаАэ элементов с учетом радиационных эффектов.

С использованием полученных в диссертации моделей активных Gaks элементов на основе интегрированных систем моделирования РБРЮЕ и ЭЛАИС предложены методы расчета характеристик цифровых интегральных схем с учетом остаточных и переходных радиационных эффектов, проведено моделирование ячейки памяти на СаАэ ПТШ при попадании в нее отдельной заряженной частицы с учетом топологии и физической структуры ячейки.

Разработаны конструктивно-технологические и схемотехнические методы повышения радиационной стойкости базовых СаАэ полупроводниковых приборов и интегральных микросхем с целью обеспечения заданных уровней показателей стойкости для данного типа элементной базы.

Определены методические основы проведения лазерных и импульсных СВЧ имитационных испытаний арсенидгаллиевых ПП и ИС, позволившие существенно повысить эффективность проведения экспериментов и сократить обьем и продолжительность испытаний на МУ. Определена область применимости лазерных имитационных методов, что позволило рекомендовать данные методы в качестве необходимого этапа при проведении испытаний ПП и ИС на стойкость к импульсным ИИ по объемным ионизационным эффектам и электрическим перегрузкам.

Практическая значимость диссертации заключается в следующем.

Результаты диссертации реализованы в процессе определения основных направлений развития элементной базы в "Программе вооружения . до 2000 г.", Решении Государственной Комиссии Совета Министров СССР от 31 июля 1985 г. N 248, Решении Научно-технического совета Государственной военно-промышленной комиссии Кабинета Министров СССР от 8 июля 1991 г. N 12(876), Комплексных целевых программах "Малахит-22", "Военная наноэлектроника" и "ИЭТ СВЧ-2005".

Разработаны, апробированы и внедрены на базовых предприятиях и организациях МО РФ методики испытаний различных перспективных арсенидгаллиевых ПП и ИС на моделирующих установках и лабораторных имитаторах, учитывающие особенности исследуемой элементной базы, позволяющие увеличить оперативность испытаний и повысить точность экспериментальных результатов.

Проведена серия испытаний различных типовых СаАэ ПП и ИС на воздействие ионизирующих и электромагнитных излучений, подтвердившая эффективность разработанных расчетно-экспериментальных методов определения показателей стойкости анализируемой элементной базы для различных типов радиационных воздействий.

Разработаны установки для испытаний на стойкость к импульсным ионизирующим и СВЧ излучениям, включающие в себя лазерный имитатор и СВЧ-генераторы, а также узлы и блоки технических средств для обеспечения испытаний.

Результаты диссертации использованы на практике при разработке и обеспечении стойкости Сакз ИС серий 6500 на предприятии "НИИ-МЭ и завод Микрон". Методики, разработанные в ходе выполнения диссертации, применялись для контроля и обеспечения стойкости изделий предприятий НПО "Светлана", ГНИИ "Пульсар", ИРЭ РАН, внедрены в ЭНПО СПЭЛС при разработке нового поколения лабораторных имитаторов. Методика контроля и отбора СВЧ полевых транзисторов на основе лазерного имитатора внедрена на предприятии "Исток". Результаты диссертации использованы при подготовке двух РТМ МПСС и МО РФ.

Результаты диссертации использованы в МИФИ при постановке учебных курсов "Радио и СВЧ электроника", "Основы радиотехники", "Физика полупроводниковых приборов, "Экстремальная электроника", а также были использованы при подготовке лабораторного практикума по курсу "Организация микропроцессорных систем".

На защиту выносятся следующие положения.

1. Методология определения доминирующих механизмов деградации электро-физических параметров арсенида галлия при воздействии ионизирующих излучений и мощных импульсных СВЧ-излучений, позволяющая определить параметры моделей Gaks ПП и ИС более высокого уровня.

2. Конструктивно-технологические и схемотехнические методы повышения радиационной стойкости СаАэ полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, направленные на обеспечение заданных уровней показателей стойкости полупроводниковой элементной базы.

3. Комплекс физико-топологических и электрических моделей воздействия ионизирующих и электромагнитных излучений на различные элементы арсенидгаллиевых ПП и ИС, учитывающий эффекты короткого канала, процессы на границе раздела полупроводник-полуизолирующая подложка, термодинамические и нелинейные эффекты при воздействии мощных электромагнитных излучений и др., что позволяет обеспечить необходимую точность расчетно-экспериментальных методов моделирования.

4. Методики имитационного моделирования импульсного воздействия ионизирующего излучения с помощью лазерного источника и рекомендации по обеспечению адекватности моделирования переходных ионизационных эффектов с использованием данного метода.

5. Методики испытаний перспективных арсенидгаллиевых ПП и ИС на моделирующих установках и лабораторных имитаторах, учитывающие особенности исследуемой элементной базы, позволяющие увеличить оперативность испытаний и повысить точность экспериментальных результатов.

6. Результаты применения расчетно-экспериментальных методов определения стойкости перспективных арсенидгаллиевых ПП и ИС к воздействию ионизирующих и электромагнитных излучений, подтвердившие достоверность предложенных моделей и методов на широком классе полупроводниковых изделий.

Апробация и публикации.

Материалы, изложенные в диссертации, докладывались на 3-х Международных, 11 Всесоюзных и Всероссийских, 10 региональных, межотраслевых и отраслевых конференциях, совещаниях и семинарах, в том числе: на Втором Межотраслевом совещании "Вопросы исследования стойкости комплектующих элементов, аппаратуры и изделий действию ионизирующего и электромагнитного излучения ядерного взрыва", г. Москва, 1979 г.; на Всесоюзной научно-технической конференции "Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки", г. Киев, 1975 г.; на Всесоюзной научно-технической конференции "Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки", г. Одесса, 1978 г.; на 5 региональном научно-техническом семинаре " Элементы приемно-усилительных устройств", г. Таганрог, 1978 г,; на IX Всесоюзной межвузовской конференции по электронике СВЧ, г. Киев, 1979 г.; на Всесоюзной научно-технической конференции "Развитие и внедрение новой техники радиоприемных устройств", г. Горький, 1981 г.;; на Всесоюзном совещании- семинаре "Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах ИС", г. Гурзуф, 1983 г.; на II Межотраслевом совещании "Проблемы создания полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, устойчивых к воздействию внешних факторов, для особонадежной радиоэлектронной аппаратуры". г. Душанбе, 1984 г.; на II Всесоюзной конференции " Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов", г. Кишинев, 1986г.; на III Межотраслевом семинаре "Методы исследования и прогнозирования работоспособности элементов и схем РЭА в условиях воздействия радиационных и нетрадиационных факторов", г. Лыткарино, 1986 г.; на III отраслевой конференции МПСС "Обеспечение радиационной стойкости АПОИ, электрорадиоизделий и материалов", г. Минск, 1986 г.; на I Всесоюзном совещании "Ускорители заряженных частиц и радиационная физика", г. Москва, 1987 г.; на Всесоюзной научно-технической конференции "Интегральная электроника СВЧ", г. Красноярск, 1988 г.; на отраслевой конференции "Современные радиоприемные усилительные устройства", г. Москва, 1989 г.; на IY межотраслевом совещании-семинаре "Проблемы создания полупроводниковых приборов и интегральных схем, устойчивых к ВВФ", г. Винница, 1989 г.; на I Всесоюзной конференции по физическим основам твердотельной электроники, г. Ленинград, 1989 г.; на IY межотраслевое совещание-семинар по проблемам создания п/п и интегральных микросхем, устойчивых к ВВФ, г. Москва, 1989 г.; на Всесоюзной научно-технической конференции "Проблемы обеспечения высокой надежности микроэлектронной аппаратуры", г. Запорожье, 1990 г.; на I Всесоюзной конференции "Обеспечение радиационной стойкости РЭА", г.Челябинск-70, 1990 г.; на V межотраслевом семинаре "Проблемы создания полупроводниковых приборов ИС и РЭА на их основе стойких к ВВФ", г. Петрозаводск, 1991 г.; на Международной конференции по ядерным и космическим радиационным эффектам (1994 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference - NSREC'94), 1994; на III Европейской конференции по радиации и ее влиянию на элементы и системы (3th European Conf. on Radiations and Its Effects on Components and Systems - RADECS'95), Аркашон, 1995 г.; на IV Европейской конференции по радиации и ее влиянию на элементы и системы (4th European Conf. on Radiations and Its Effects on Components and Systems - RADECS'97), Канны, 1997 г.; на Российской научной конференции "Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость-98", г. Лыткарино МО, 1998 г.; на Российской научной конференции "Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость-99", г. Лыткарино МО, 1999 г.; на Российской научной конференции "Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость-2000", г. Лыткарино МО, 2000 г.

Основные результаты диссертации отражены более чем в 110 научных трудах, из которых 70 опубликованы, в том числе: 1 монография, 1 справочник, 2 РТМ, 32 статьи, 7 авторских свидетельства и 3 патента РФ. Пять работ опубликованы без соавторов.

Список основных работ приведен в конце диссертации.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка литературы и приложений. Содержит 445 страницы печатного текста (включая приложения), 37 таблиц и библиографию, включающую 257 наименований.

Заключение диссертации по теме «Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления», Громов, Дмитрий Викторович

6.4. Выводы

1. Разработан метод контроля и отбраковки структур с повышенной стойкостью к воздействию импульсного ионизирующего излучения, связанный с использованием импульсного лазерного излучения с определенной длины волны, регистрацией фотоотклика и сравнение его характеристик с эталонными.

2. Предложены конструктивно-технологические методы повышения стойкости элементной базы, основанные на оптимальном выборе электрофизических и топологических параметров структур и позволяющие в 3.10 раз повышать уровни радиационной стойкости ОакБ ИС.

3. Показано, что повышения радиационной стойкости Ga.ks ИС для выбранного типа подложки можно частично достичь введением в запрещенную зону глубоких уровней, компенсирующих встроенный заряд акцепторных центров (Сг3+), или уменьшающих время жизни неравновесных носителей. Этого можно достичь за счет введения радиационных дефектов.

4. Предложен схемотехнический метод повышения радиационной стойкости, связанный с оптимальным выбором параметров согласующих цепей с учетом деградации параметров активных элементов ИС, который может использоваться в интегральных схемах смесителей и усилителей СВЧ диапазона. Эффективность предложенного метода повышения радиационной стойкости ИС СВЧ экспериментально подтверждена исследованиями радиационного изменения параметров смесителей на СаАБ диодах Шоттки и усилителя на основе арсенидгаллиевых ПТ.

5. Разработаны схемотехнические методы повышения стойкости ИС на арсениде галлия за счет изменения режима работы активных элементов по постоянному току в процессе облучения(параметрический метод).

6. Установлено, что для снижения уровня бессбойной работы при импульсном воздействии ИИ можно рекомендовать использование контакта к донной области подложки и токопроводящий клей для крепления. При необходимости снижения 1;пр, эффективным является поверхностный охранный электрод расположенный в непосредственной близости от "критического" активного элемента. Необходимо отметить, что данный метод практически не отражается на электрических характеристиках схемы.

7. Снижение чувствительности к воздействию отдельных заряженных частиц ЗУПВ на основе арсенида галлия может быть достигнуто путем введения резистивной развязки между инверторами ячейки памяти, как это делается в кремниевых КМДП запоминающего устройства (ЗУ). Однако данный метод менее эффективен в арсенидгаллиевых ЗУ, чем в кремниевых КМДП схемах.

8. В целом на основании анализа вышеприведенных данных установлено, что:

- с точки зрения остаточных радиационных эффектов, вызванных облучением, арсенидгаллиевые ИС не имеют преимущества перед кремниевыми;

- по стойкости к дозовым эффектам схемы на арсениде галлия превосходят кремниевые ИС;

- схемы на СаАэ имеют большую верхнюю границу диапазона значений критической мощности дозы при воздействии импульсного ионизирующего излучения(при условии обеспечения мер по снижению чувствительности к данному радиационному воздействию);

- по чувствительности к воздействию отдельных заряженных частиц схемы на арсениде галлия занимают промежуточное положение между кремниевыми биполярными схемами и КМДП на диэлектрике;

- современные технологии позволяют получить следующие уровни стойкости СаАз ИС: Фн кр = 1015нейтр/см2; Бкр = 105 Гр; Р^ кр = 109 Гр/с; Ек кр = 10 "6 сбой/(бит•сут).

- использование перспективных технологических и схемотехнических методов способствует повышению уровня стойкости по остаточным эффектам до значений 5-1015нейтр/см2 и 106 Гр, а для импульсных воздействий до 5-Ю9 Гр/с.

- элементная база на основе арсенида галлия и других соединений А3В5 является перспективной с точки зрения стойкости к комплексному воздействию ионизирующих излучений.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основным научным результатом диссертации является теоретическая разработка и решение научной проблемы - разработка методов и средств расчетно-экспериментального моделирования воздействия ионизирующих и электромагнитных излучений на сверхвысокочастотные ПП и ИС на основе арсенида галлия, что позволило решить важную народнохозяйственную задачу определения и обеспечения радиационной стойкости перспективной элементной базы устройств вычислительной техники и систем управления объектов специального назначения(в том числе военной техники) при улучшении технико-экономических и эксплуатационных характеристик.

Основным теоретическим результатом диссертации является создание расчетно-экспериментальных методов моделирования воздействия ионизирующих и электромагнитных излучений на СаАэ полупроводниковые приборы и интегральные схемы с использованием методов исследовательских испытаний на базе моделирующих установок и лабораторных имитаторов, что позволило в несколько раз повысить эффективность оценки и прогнозирования радиационной стойкости элементной базы при существенном сокращении трудоемкости испытаний.

Частные теоретические результаты, полученные по теме диссертации:

1. Определены доминирующие механизмы деградации электрофизических параметров арсенида галлия при воздействии ионизирующих излучений и мощных импульсных СВЧ-излучений. Выбор доминирующих механизмов основан на результатах анализа влияния на электрофизические параметры арсенида галлия эффектов смещения, вызванных облучением нейтронов, протонов, электронов и гамма-квантов, ионизационных эффектов при воздействии импульсного у - излучения ЯВ и отдельных заряженных частиц, а также электрических перегрузок при воздействии мощного импульсного СВЧ-излучения. Выбор производился также с учетом особенностей элементной базы на основе арсенида галлия.

2. Разработан комплекс физико-топологических и электрических моделей воздействия ионизирующих излучений на пассивные элементы твердотельной СВЧ-электроники, диоды с барьером Шоттки и резонансно-туннельные диодные структуры. Модели физико-топологического уровня реализованы в виде численных процедур и аналитических соотношений. Модели электрического уровня ориентированы на применение эквивалентных схем с учетом радиационных зависимостей их элементов. Среди пассивных элементов СаАэ ИС основное внимание уделено анализу радиационного изменения характеристик микрополосковых линий, которые широко используются для согласования комплексных сопротивлений активных элементов схем. Показано, что радиационные эффекты смещения не оказывают существенного влияния на характеристики МПЛ. При импульсном воздействии ионизирующих излучений наибольшую радиационную чувствительность имеют МПЛ, сформированные по полупроводниковой (монолитной) технологии. Моделирование характеристик диодов с барьером Шоттки и резонансно-туннельных диодов с учетом радиационных эффектов проведено с привлечением основных механизмов токопереноса через диодную структуру. Определены радиационные зависимости частотных и шумовых параметров приборов. Проведен сравнительный анализ стойкости к воздействию радиации всех диодных структур на основе арсенида галлия.

3. Созданы электро-физические модели полевых транзисторов с коротким каналом, двухзатворных и гетероселективных полевых транзисторов с учетом радиационных эффектов и воздействия мощного импульсного СВЧ-излучения. На базе этих моделей разработаны методы расчета деградации частотных и шумовых характеристик полевых транзисторов на основе электрических эквивалентных схем. Модели реализованы в виде программ численного моделирования и позволяют рассчитывать значения параметров матрицы рассеяния и шумовых волн при радиационном воздействии с помощью которых определяются усилительные и шумовые свойства приборов. Определено, что на показатели стойкости полевых транзисторов с затвором Шоттки существенное влияние оказывает геометрия затвора, а также процессы перезарядки глубоких энергетических уровней на границе раздела канал-полуизолирующая подложка. Разработана модель двухзатворного полевого транзистора с учетом эффектов смещения. Радиационное изменение частотных и шумовых характеристик транзисторов предложено определять с использованием параметров матрицы рассеяния и шумовых волн. С использованием разработанной модели показано, что на характеристики гетероселективных полевых транзисторов существенное внимание оказывают глубокие энергетические уровни вводимые в материал при технологических операциях и радиационных воздействиях. Разработана модель полевого транзистора с затвором Шоттки, адаптированная для воздействия мощного импульсного СВЧ-излучения на основе электрической эквивалентной схемы прибора. Определены наиболее чувствительные к воздействию элементы и проведен анализ их изменения от мощности СВЧ-излучения. Показано, что для оценки катастрофических отказов в ПТШ может быть использована модернизированная модель Вунша-Белла.

4. Разработаны расчетные методы определения показателей стойкости СВЧ интегральных схем смесителей, усилителей и генераторов на основе электрофизических моделей и электрических эквивалентных схем активных ОаКз элементов с учетом радиационных эффектов. С использованием разработанных методов проведен расчет радиационного изменения узкополосного и широкополосного балансных схем смесителей на диодах с барьером Шоттки. Основной причиной деградации характеристик схем при облучении является рассогласование диодов Шоттки и входных цепей, что связано с уменьшением комплексной проводимости диода. Используя расчетные и экспериментальные значения Б- и т- параметров полевых транзисторов с учетом их радиационного изменения, проведен расчет деградации коэффициента усиления и коэффициента шума однокаскадных и многокаскадных усилителей на полевых транзисторах. Проведено экспериментальное исследование переходных эффектов в серийно выпускаемом усилителе "Меморандум". Показано, что ионизационная реакция определяется изменением проводимости транзисторов, входящих в состав усилителя, при воздействии импульсного ионизирующего излучения. Деградация характеристик ма-лошумящего усилителя при воздействии мощного импульсного СВЧ излучения также определяется деградацией параметров полевого транзистора, а условия катастрофического отказа связаны с вторичным тепловым пробоем и могут быть оценены с использованием модели Вун-ша-Белла. Структурный анализ структуры транзистора в схеме СВЧ-усилителя, проведенный с помощью электронного микроскопа, показал, что пробой в основном наблюдается в промежутке затвор-исток транзистора и определяется процессами в локальных областях структуры.

5. С использованием разработанных моделей активных СаАв элементов на основе интегрированных систем моделирования РБР1СЕ и ЭЛАИС предложены методы расчета характеристик цифровых интегральных микросхем с учетом остаточных и переходных радиационных эффектов. На примере расчета деградации характеристик логических элементов серии 6500 и базовых матричных кристаллов серии 6501 и сравнения с полученными экспериментальными данными показана достоверность разработанных моделей и подходов. Проведено моделирование ячейки памяти на ПТШ при попадании в нее отдельной заряженной частицы с учетом топологии и физической структуры ячейки. Проведено экспериментальное исследование радиационного изменения параметров логических и триггерных элементов серии 6500 при воздействии мощного импульсного СВЧ-излучения. Анализ полученных результатов показал, что , как и в случае воздействия импульса ионизирующего излучения, наблюдаются две стадии восстановления логических уров-ней-быстрая и медленная, что указывает на сходный характер процессов, протекающих в схеме. Катастрофический отказ определяется токовым вторичным пробоем с образованием перемычек в областях затвор-сток и затвор исток транзистора.

6. Разработаны конструктивно-технологические и схемотехнические методы повышения радиационной стойкости базовых СаАэ полупроводниковых приборов и интегральных микросхем с целью обеспечения заданных уровней показателей стойкости для данного типа элементной базы. Разработан метод отбора и отбраковки подложек арсенида галлия для изготовления ПП и ИС, основанный на контроле договременной стадии ионизационной реакции при воздействии импульсного лазерного излучения. С помощью процедуры оптимального выбора физико-топологических параметров активных приборов с учетом доминирующих радиационных эффектов разработан конструктивно-технологический метод снижения радиационной чувствительности к воздействию ионизирующих излучений. Разработаны схемотехнические методы повышения стойкости ИС на основе параметрического способа, связанного с обеспечением изменения электрического режима элементов ИС при воздействии радиации, а также способа, основанного на оптимальном выборе параметров согласующих цепей СВЧ ИС с учетом деградации параметров активных элементов в процессе облучения.

7. Разработаны методические основы проведения лазерных и импульсных СВЧ имитационных испытаний арсенидгаллиевых ПП и ИС, позволившие существенно повысить эффективность проведения экспериментов и сократить объем и продолжительность испытаний на МУ. Определена область применимости лазерных имитационных методов, что позволило рекомендовать данные методы в качестве необходимого этапа при проведении испытаний ПП и ИС на стойкость к импульсным ИИ по объемным ионизационным эффектам и электрическим перегрузкам.

Основным практическим результатом диссертации является разработка научно-методического обеспечения методов расчетно-экспери-ментального моделирования, оценки и обеспечения уровней стойкости перспективных полупроводниковых приборов и интегральных схем к воздействию ионизирующих и электромагнитных излучений.

Частные практические результаты:

1. Разработаны, апробированы и внедрены на базовых предприятиях и организациях МО РФ методики испытаний различных перспективных арсенидгаллиевых ПП и ИС на моделирующих установках и лабораторных имитаторах, учитывающие особенности исследуемой элементной базы, позволяющие увеличить оперативность испытаний и повысить точность экспериментальных результатов.

2. Проведена серия испытаний различных типовых представителей СаАв ПП и ИС на воздействие ионизирующих и электромагнитных излучений, подтвердившая эффективность разработанных расчетно-экспери-ментальных методов определения показателей стойкости анализируемой элементной базы для различных типов радиационных воздействий.

3. Разработаны установки для испытаний на стойкость к импульсным ионизирующему и СВЧ излучениям, включающие в себя лазерный имитатор и СВЧ-генераторы, а также узлы и блоки технических средств для обеспечения испытаний.

4. Проведена серия сравнительных испытаний широкого класса арсенидгаллиевых ПП и ИС на лазерных имитаторах и моделирующих установках, подтвердившая достоверность разработанных моделей и методик.

5. Результаты диссертации использованы в МИФИ при постановке учебных курсов "Радио и СВЧ электроника", "Основы радиотехники", "Физика полупроводниковых приборов, "Экстремальная электроника", а также были использованы при подготовке лабораторного практикума по курсу "Организация микропроцессорных систем".

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Громов, Дмитрий Викторович, 2001 год

1. Сершевский В., Черков С. "Критические технологии" в военно-технической политике США // Зарубежное военное обозрение.-1991.- N 4,- С. 11-17.

2. Шендл Д. Техника и технология в 1992г. покорение новых высот // Электроника, - 1993,- N 3,- С. 11-16,110.

3. Тобайс Н. Крупномасштабная военная программа внедрения ар-сенид галлиевых ИС // Электроника,- 1989.-N 13,- С. 7-9.

4. Цифровая обработка информации на основе быстродействующих БИС / С.А.Гамкрелидзе , A.B. Завьялов ,П.П. Мальцев , В.Г.Соколов М.: Энергоатомиздат, 1988. - 135 с.

5. Мальцев П.П. Области применения полевых транзисторов на основе арсенида галлия // Полевые транзисторы и их применение/ Под ред. А.И. Игнатова М.: Радио и связь, 1984,- С. 142-146.

6. Бернард К. Реальные перспективы технологии арсенид-галлие-вых цифровых ИС // Электроника.- 1988.- т. 61,- N 12-13.- С. 24-30.

7. Старосельский В.И., Суэтинов В.И. Сверхскоростные арсе-нид-галлиевые интегральные схемы на полевых транзисторах с затвором Шоттки // Зарубежная радиоэлектроника.-1988.- N7,- С.42-55.

8. Старосельский В.И. Оценка достижимых скоростных и энергетических характеристик цифровых БИС на основе арсенида галлия// Микроэлектроника, 1987,- Т. 16. N5.- С. 436-443.

9. Леонард М. Новейшие достижения технологии арсенид галлиевых ИС // Электроника.- 1989.N 21,- С. 8-11.

10. Microwave Integrated Circuits/edited by Y.Konlshi.-N. Y.:Marcel Dekker Inc., 1991,- 602 p.

11. И. ГОСТ 18298-79. Стойкость аппаратуры, комплектующих элементов и материалов радиационная. Термины и определения. М.: Изд-во стандартов, 1979. - 4 с.

12. Физика ядерного взрыва: В 2 т. Том.1. Развитие взрыва/МО РФ. ЦФТИ. М.: Наука. Физматлит, 1997. - 528 с.

13. Модель космического пространства(модель космоса-82): в 3 т. / Под ред. академика С.Н.Вернова.- М.: Издательство московского университета, 1983. Зт.

14. Панов В.В., Саркисьян А.П. Некоторые аспекты проблемы создания СВЧ-средств функционального поражения//Зарубежная радиоэлектроника, 1993.- N 10.- С. 18-29.

15. Скоробогатов П.К. Расчетно-экспериментальное моделирование воздействия импульсных гамма рентгеновского излучений на кремниевые полупроводниковые приборы и интегральные схемы: Дис. докт. техн. наук. -М. : МИФИ, 1999.- 401 с.

16. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах,- М.:Атомиздат,1969.-269с.

17. Rickets L.W. Fundamentals of Nuclear Hardening of Electronic Equipment. N.Y.: Wiley - Interscience, 1972. - 548 p.

18. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники/В. М. Кулаков, Е. А. Ладыгин, В. И. Шаховцев и др.- М.:Советское радио, 1980.-232с.

19. Коноплева Р.Ф., Литвинов В.Л., Ухин Н.А. Особенности радиационного повреждения попупроводников частицами высоких энергий. -М.:Энергоатомиздат,1971. -126с.

20. Винецкий В.Л.,Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. -Киев,1979. -230с.

21. Аствацатурьян Е.Р.,Громов Д.В.,Ломако В.М. Радиационные эффекты в приборах и схемах на арсениде галлия.- Минск:Университетское, 1992.-219с.

22. Kalma А.Н., Berger R.A. Electrical properties of electron-irradiated GaAs//IEEE Trans. 1972,- Vol. NS-19, N 6,- P. 209-214.

23. Ильющенко Т.И.,Ломако В.М. Влияние облучения электронами и быстрыми нейтронами на электрические свойства GaAsZ/Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, 1972,- С.161-162.

24. Stein Н.J.Electrical studies of low-temperature neutro-nand electron-irradiated epitaxial n-type GaAs//J. Appl. Phys.-1969.- Vol. 40, N 13,- P. 5300-5307.

25. Аствацатурьян E.P., Громов Д.В., ЕлесинВ.В. Радиационные эффекты в GaAs-полупроводниоквых приборах и интегральных схемах//

26. Зарубежная электронная техника,- 1988.- N 1 (320).- С.48-83.

27. Effects of 3 MeV proton Irradiation on the exitonic lifetime in gallium arsenide/S.M.Khanna, S.Charbonneau, P.G.Plva et all// IEEE Trans. 1998. Vol. NS-45, N 6. - P. 2430 - 2435.

28. Parenteau M.,Carlone C.,Morris D. Time-resolved spectroscopy of irradiated n-GaAs// IEEE Trans.- 1997. Vol.NS-44, N6. -P.1848-1855.

29. Photolumlnescence study of gallium arsenide irradiated with 15 MeV alpha particles/L.Sellami, M.Aubin, C.Aktik et all//IEEE Trans.- 1999. Vol. NS-46, N 6. P. 1603 - 1607.

30. Агаханян Т.M.,Аствацатурьян Е. P., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах.- М.:Энергоатомиздат, 1989. 253 с.

31. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники.-М.:Физматгиз. 1963. 264 с.

32. Horkins М.А.,Srour J.R. Chage collection measurments on GaAs devices fabricated on semiinsulating substrate//IEEE Trans.-1983. Vol. NS-30, N 6,- P. 4457-4463.

33. Галкин Г.Н. Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения//Труды ФИАН им. П.Н.Лебедева. 1981. Т. 128. - С. 3 - 64.

34. Чернышев А.А., Чепиженко А.3., Борисов Ю.Л. Перемежающиеся и устойчивые отказы в цифровых интегральных микросхемах при воздействии ионизирующего излучения//3арубежная электронная техника.-1986. N 7(302).- С.3-157.

35. Steeples К.,Saunders I.J. Damage ranges for implanted hydrogen isotopes in gallium arsenide// IEEE Trans.- 1983. Vol.NS-30, N 6. P.4087-4089.

36. Гассанов Л.Г. Твердотельные устройства СВЧ в технике связи. М.: Радио и связь. 1988. - 288 с.

37. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн.1. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 456 с.

38. Антипин В.В. Полупроводниковые приборы, интегральные микросхемы и устройства на их основе в условиях воздействия мощного импульсного СВЧ излучения:Дис. канд. техн. наук.-М., 1996,- 254 с.

39. Мырова Л.0., Чепиженко А.З. Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениям. М.: Радио и связь. 1988. - 296 с.

40. Ашмонтас С.П., Олексас А.П. Исследование разогрева электронов СВЧ электрическим полем в диодах Шоттки//Полупроводниковые приборы с барьером Шотки,- Киев, 1979,- С.32-35.

41. Образцов Н.С. Теплофизические аспекты надежности микроэлектронных устройств//Тепло и массообмен в технологии и эксплуатации электронных и микроэлектронных систем.- Минск. 1989. ч.2.- С. 98-103.

42. Reduction of long-term transient response In Ion Implanted GaAs FETs//W.T.Anderson , M. Simons , E.E. King et all//IEEE Trans.- 1982. Vol. NS-29, N 6,- P.1533-1538.

43. Kocot C., Stolter C.A. Backgating in GaAs MESFETs// IEEE Trans.- 1982, Vol. ED-29, N7.-P.1059-1064.

44. Грехов И.В.,Сережкин Ю.И. Лавинный пробой р-n перехода в полупроводниках. Л.: Энергия, 1980. -152 с.

45. Wunch D., Bell R. Determination of thresold failurt levels semiconductor diods and transistors due to pulse volta-ge//IEEE Trans.- 1968, Vol. NS-15, N 6.- P. 244-259.

46. Tasca D.M. Pulse power failure modes in semiconductor// IEEE Trans. 1970, Vol. NS-17, N 6,- P. 364-372.

47. Archipov V.I., Astvatsaturyen E.R. et al. Stationary and nonstatinary spatial temperature distribution in semiconductors cause by pulse voltages// Int. J. Electronics.- 1983, Vol. 55, N 3.- P. 395-403.

48. Козлов H.A., Нечаев A.M., Синкевич В.Ф. Тепловое шунтирование в структуре мощных МДП транзисторов//Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы,- 1984. Вып.1(167).- С.29-379.

49. Нечаев A.M.,Рубаха Е.А., Синкевич В.Ф. Тепловое шунтиро-рование в транзисторных структурах с неоднородностью// Радиотехника и электроника.- 1981.- т.26, N 8.- С. 1773-1782.

50. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках/Пер. с англ.; Под ред. Ж.И.Алферова, В. С. Вавилова. М.: Мир, 1973. - 456 с.

51. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников.- М.: Высшая школа, 1975. 296 с.

52. Bertolotti М. Physical Process in Laser-Materials Interaction/NATO Adv. St. Inst., Ser.B: Physics, V.84, Plenum Press, N.Y., 1983.

53. Skorobogatov P.K., Nikiforov A. Y. Dose Rate Laser Simulation Tests Adequacy: Shadowing and High Intensity Effects Analysis //IEEE Trans. 1996. Vol. NS-43, N 6. - P. 3115-3121.

54. Оптические свойства полупроводников(полупроводниковые соединения AIi:Bv)/nep. с англ.; Под ред. Е.Ф.Гросса. -М.: Мир,1970. -396 с.

55. Арсенид галлия, получение и свойства/Под ред. Ф.П.Кеса-манлы и Д.Н.Наследова.- М.: Наука, 1973- 395 с.

56. Никифоров А.Ю.,Телец В.А.,Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС.- М.: Радио и связь. 1994. 164 с.

57. Блинов Л.М., Вавилов B.C., Галкин Г.Н. Концентрация носителей заряда в полупроводнике, освещенном оптическим квантовым ге-нератором//ФТТ. 1967. Т. 9, N 3. - С. 854 - 858.

58. Данилин В.Н.,Кушниренко А.И., Петров Г.В. Аналоговые полупроводниковые интегральные схемы СВЧ.- М.: Радио и связь, 1985. 193 с.

59. Петров Г.В.Толстой А.И. Линейные балансные СВЧ усилители. М.:Радио и связь,1983.-176с.

60. ChaffinR.J. Microwave Semiconductor Devices: Fundamentals and Radiation Effects.- N.Y.: John Wiley, 1973. 387 p.

61. Gamma ray radiation effects on MMICs elements/K.Aono , O.Ishihara , K. Nishitani et al.//GaAs 1С Symposium technical digest 1984 IEEE GaAs Symp. Record.- P.139-142.

62. Brown S.C. Basic Data of Plasma Physics.- Cambridge:MIT Press, Mass., 1966.-453 p.

63. Громов Д.В., Полевич С.А. Радиационные эффекты в интегральных схемах СВЧ-диапазона//Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-98": Тез. докл. Росс, научн. конф., г.Лыткари-но, 2-4 июня 1998 г. - М.: СПЭЛС-НИИП, 1998. - С. 83-84.

64. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.Н. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах.- Минск:Наука, 1978.-242с.

65. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979. - 250 с.

66. Переходные ионизационные эффекты в цифровых интегральных микросхемах/Е.Р.Аствацатурьян, А.В.Раткин, П.К.Скоробогатов, А.И.Чумаков//Зарубежная электронная техника. 1983,- N 9(267).-С. 36-72.

67. McLean F.B., Olldhan T.R. Chage funneling in n-and p-tipe substrates//IEEE Trans.- 1982. Vol. NS-29, N 11.- P.2018-2023.

68. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник,- Киев:Наукова думка, 1974.-221с.

69. Стриха В.И., Бузанева Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение).- М.:Сов радио, 1974.-248 с.

70. Родерик Э.Х. Контакт металл-полупровдник. М.:Радио и связь, 1982.-112с.

71. Borrego J.M., Gutmann R.J. Changees In Au-GaAs Schottky barrier diodes with low neutron fluence//Appl. Phys. Lett.- 1976. Vol.28, N 3,- P. 280-282.

72. Borrego J.M., Gutmann R.J., Ashok S. Neutron radiation effects In gold and aluminum GaAs Schottky diodes//IEEE Trans.-1976. Vol. NS-23, N 5,- P.1671-1678.

73. Ashok S., Borrego J.M., Gutmann R.J. Gamma Irradiation insensitivity of GaAs Schottky diodes// IEEE Trans.- 1978. Vol. NS-25, N 4,- P. 999-1000.

74. Crowell C.R., Sze S.M. Current transport In metal-semiconductor barriers//Solid-State Electron.- 1966. Vol.9, N5,-P.1035-1048.

75. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупровдниках /Пер. с англ.; Под ред. Г.С.Пекаря.- М.Мир, 1977.-562с.

76. Crowell C.R., Sze S.M. Electron-optical-phonon scattering in the emitter and collector barriers of semiconductor-metal-semiconductor structures//Solid-State Electron.- 1965. Vol.9, N 4,-P.979-983.

77. Crowell C.R., Sze S.M. Quantum mechanical reflactin at metal-semiconductor barriers// J. Appl. Phys.- 1966. Vol.37, N 11.- P. 2683-2689.

78. Петров Г.В., Плешко А.Д. Влияние неосновных носителей на частотные характеристики диодов с барьером Шоттки//Ядерная электроника/Под ред. Т. М. Агаханяна. М.: Атомиздат, 1979. Вып. 2.- С. 85-90.

79. Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники. М.:Энергия, 1974.-193с.

80. Петров Г.В., Громов Д.В., Еленский В.Г. Радиационные дефекты в СВЧ полупроводниковых приборах на основе арсенида галлия// Зарубежная радиоэлектроника.-1980. N11.- С.64-77.

81. Стрэттон Р. Туннелирование в выпрямителях с барьером Шоттки//Туннельные явления в твердых телах /Пер. с англ.; Под ред. В.И.Переля.- М.:Мир, 1973. С.106-124, С.187-198.

82. Король А.Н., Шека Д.И. Туннельный резонансный ток с участием глубоких уровней в диодах Шоттки//Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки.- Киев, 1979. С.123-128.

83. Исследование влияния электронного облучения на характеристики диодов с барьером Шоттки на арсениде галлия//А.П.Вяткин ,А.В. Дубинин , Н.К.Максимова и др/ Физика и техника полупроводников,- 1981. Т. 15. Вып. 3,- С. 484-489.

84. Конакова Р.В., Тхорик Ю.А., Шаховцов В.И. Влияние у-облу-чения на электрические характеристики диодных структур на основе арсенида галлия и AlxGa^хAs/ Журнал технической физики,- 1981. Т. 51, N 4,- С. 805-810.

85. Влияние ^-облучения на ВАХ гетеропереходов Ge-GaAs и диодов с барьером Шоттки Au-Cr-GaAs//P. В. Конакова , Ю. А. Тхорик , В.И. Шаховцов и др./ Укр.физ.журнал.- 1979. Т.24, N 9,- С.1308-1312.

86. Ejimanya J.I. Current-voltage characteristics of proton-bombard Au-GaAs contacts// Solid-State Electron.- 1986. Vol.29, N 3.- P. 841-844.

87. Ashok S., Borrego J.M., Gutmann R.J. Radiation effects in GaAs MIS Schottky barrier diodes// IEEE Trans.- 1978. Vol. NS-25, N 5,- P. 1473-1478.

88. Borrego J.M., Gutmann R.J. Change in Au-GaAs Schottkybarrier diodes with low neutron fluence//Appl. Phys. Lett.- 1976. Vol.28, N 2,- P. 280-282.

89. Borrego J.M., Gutmann R.J.,Ashok S. Neutron radiation effects in gold and aluminum GaAs Schottky diodes// IEEE Trans.1976. Vol. NS-23, N 5.- P.1671-1678.

90. Ashok S., Borrego J.M., Gutmann R.J. Current transport in GaAs Schottky barrier diodes subject to high neutron fluen-ce//J. Appl. Phys. 1980. Vol.51, N 5.- P. 1076-1084.

91. Teylor P.D., Morgan D.V. The effects of radiation damage on the properties of Ni-nGaAs Schottky diodes-I, II// Solid-State Electron.- 1976. Vol.19, N2.- P. 473-488.

92. Teylor P.D., Morgan D.V. The effects of radiation damage on the properties of Ni-nGaAs Schottky diodes-III// Solid-State Electron.- 1976. Vol.19, N 10- P. 935-938.

93. Ван дер Зил А. Шумы при измерениях /Пер. с англ.; Под ред. А.К.Нарышкина. М. :Мир, 1979.-292 с.

94. Cowley A.M., Zettler R.A. Shot noise in silicon Schottky barrier diodes//IEEE Trans.- 1968. Vol. ED-15, N 3,- P.761-769.

95. Бюлер В. Расчетные кривые для предсказания изменений удельного сопротивления кремния, вызванных облучением быстрыми нейтронами// ТИИЭР,- 1968. Т.56, N 10,- С.111-113.

96. Гончаров М.А., Седлецкий В.Б., Коротков К. С. Анализ и проектирование ГИС широкополосных диодных балансных смесителей СВЧ диапазона// Техника средств связи. Сер. Радиоизмер. техника.1977. Вып.6 (10).- С.51-60.

97. Петров Г.В., Седлецкий В.Б. Расчет согласующих цепей для микрополосковых смесителей СВЧ диапазона//Ядерная электроника/Под ред. Т.М.Агаханяна.- М.: Атомиздат, 1978. Вып. 7.- С. 25-32.

98. Characteristics of SEV current transients and collected Chage in GaAs and Si devicesa//Z.Shanfield , V.V.Noriwaki , W.M.Didby et al.- IEEE Trans.- 1985. Vol. NS-32, N 11.-P.4104-4109.

99. Hopkins M.A., Srour J.R.Chage collection measurments on GaAs devices fabricated on semiinsulating substrate//IEEE Trans.-1984. Vol. NS-31, N 6.- P. 1116-1120.

100. Тагер А.С. Размерные квантовые эффекты в субмикронных полупроводниковых структурах и перспектива их применения в электронике СВЧ// Электронная техника, сер. Электроника СВЧ. 1987, вып.9(403), С. 21-34.

101. Исследование направлений применения резонансно-туннельного диода в интегральных схемах СВЧ-диапазона//А.М.Георгиевский, Д. В. Громов, К.В.Дудинов и др.//Микроэлектроника.- 1996, Т. 25. N 4,- С. 249-258.

102. Tsu R., Esaki L. Tunneling in a finite superlattice// Appl.Phys.Lett.- 1973.Vol.22, No 11. P.2354-2361.

103. Chang L.L., Esaki L., Tsu R. Resonant tunneling in semiconductor double barriers-Appl. Phys. Lett.-1974. Vol.23. No 12.-P.3211-3220.

104. Ionization and displacement damage irradiation studies of quantum devices:resonant tunneling diodes and two-demensional electron gas transistors/R.Wilkins, S. Shojah-Ardalan, W.P.Kirk// et all//IEEE Trans.- 1999. Vol. NS-46, N 6. P. 1702 - 1707.

105. Арсенид галлия в микроэлектронике./Под ред. Н.Айнспрука. пер с англ.; под ред. В. Н. Мордковича. М.: Мир, 1988.-543 с.

106. Полевые транзисторы на арсениде галлия/Под ред. Д.В.Ди Лоренцо. М.: Радио и связь, 1988.- 495 с.

107. McNichols I.L., Zuleeg R. Improved fast neutron tolerance of GaAs JFET operating in the hotelectron range//IEEE Trans.-1971. Vol. NS-13. N 1,- P. 110-113.

108. Zuleeg R.,Lehovec K. Neutron degradation of ion-implanted and uniformly doped enhancment mode GaAs JFETs// IEEE Trans.-1978. Vol. NS-25. N 5.- P.1444-1449.

109. Zuleeg R.,Notthoff J.K. Radiatin effects in enhancement mode GaAs junction field effect transistors// IEEE Trans. 1977. Vol. NS-24. N 11.- P.2305-2308.

110. Zuleeg R.,Lehovec K. Radiatin effects in GaAs junction field effect transistors//IEEE Trans.- 1980. Vol. NS-27. N 5.-P.1343-1354.

111. Sugeta Т.,Ida M.,Uchida M. Microwave performance of GaAs Schottky barrier gate FETs// Rev. Electron. Commun. Lab.- 1975. Vol. 23. N 6.- P. 1182-1192.

112. Старосельский В.И. Статические характеристики полевоготранзистора с затвором Шоттки на основе арсенида галлия//Микроэ-лектроника,- 1982. Т. И. N 3,- С. 208-212.

113. Moghe S.B.,Gutmann R.J.,Borrego J.M. Radiation effects on power GaAs MESFET ampllflers//IEEE Trans. 1981. Vol. NS-29. N 1,- P. 101-103.

114. Влияние изменения параметров на характеристики полевых транзисторов с затвором Шоттки//Н.И.Григорьев, Д.В. Громов, Г.В. Петров, А.И.Толстой/Радиотехника.- 1978. T33.N 7- С.82-84

115. Валиев К.А.,Пашинцев Ю.И. .Петров Г.В. Применение контакта металл-полупроводник в электронике. М.:Радио и связь.1981.-246с.

116. Громов Д.В., Петров Г.В., Толстой А.И. Измерение S-napa-метров СВЧ транзисторов на измерительных линиях// Вопросы радиоэлектроники. Сер.Радиоизмерительная техника- 1974.вып.5.- С.25-31.

117. Громов Д.В., Петров Г.В., Толстой А.И. Простые методы измерения S-параметров СВЧ транзисторов// Радиотехника.-1976.- N 9. С. 73-76.

118. Fukui Н. Optimal noise figure of microwave GaAs MES-FETS//IEEE Trans.- 1979. Vol. ED-26. N 4- P.1032-1037.

119. Gutmann R.J.,Borrego J.M. Degradation of GaAs MESFETs in radiation environments// IEEE Trans.- 1980. Vol. R-29. N 1.-P.232-236.

120. Borrego J.M., Gutmann R.J., Moghe S.B. Radiatin effects on signal and noise characteristics of GaAs MESFETs//IEEE Trans.-1979. Vol. NS-26. N 12,- P.5092-5099.

121. Щепеткин Ф.В. Предельное значение шумового числа транзисторного усилителя СВЧ//Изв. Вузов. Сер. Радиоэлектроника,- 1971. Т. 14, N 5,- С. 577-580.

122. Петров Г.В, Толстой А. И. Измерение шумовых параметров СВЧ транзисторов//Ядерная электроника/Под ред. Т. М. Агаханяна.- М.: Атомиздат, 1980. Вып. П. С. 62-66.

123. Березиков С.А. Анализ характеристик полевого транзистора с затвором Шоттки// Электронные приборы и схемы для экспериментальной физики/Под ред.Т.М.Агаханяна М.:Атомиздат, 1983. Вып. 2.-С.34-40.

124. Behle A.F.,Zuleeg R. Fast neutron tolerance of GaAs JFETs operating in the hot electron range//IEEE Trans.- 1972.Vol. ED-18. N4.- P. 993-995.

125. McNicols J.L.,Ginel W.S. Predicted effects of neutron irradiation on GaAs JFETS//IEEE Trans.- 1970. Vol.NS-17. N 6,-P.52-54.

126. Громов Д.В., Петров Г.В., Соловьев А.И. Влияние проникающей радиации на характеристики GaAs полевых транзисторов с затвором Шоттки// Специальная электроника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы.-1979.- вып.1(33).- С. 89-93.

127. Громов Д.В., Пронин С.А., Толстой А.И. Моделирование субмикронных полевых транзисторов с учетом изменения электрофизических параметров/УСовременные радиоприемные усилительные устройства: Тез.докладов научно-технической конференции Москва, 1989.-С.35.

128. Demarina N. V.,Obolensky S.V. Simulation of Radiation Effects in GaAs MESFET.//Microelectronics Reabiali-ty.-1999.-Vol.39.-P.1247-1263.

129. Dose rate and total dose dependence of low frequency noise performance, I-V curves and sidegating for GaAs MESFETs/D.M.Hi-emstra, A.A.Kizeevi, L.Z.Hou et all//IEEE Trans. 1998. Vol. NS-45, N 6. - P. 2616 - 2623.

130. Аваев H.А.Наумов Ю. E. Элементы сверхбольших интегральных схем.- М.:Радио и связь. 1986.-242 с.

131. Влияние облучения электронами на статические характеристики двухзатворного полевого транзистора//Д.В.Громов, Н.Н.Фомин, В.В.Фриск, Храмов А. В./Радиотехника 1990. N 7,- С. 28-30.

132. Flesher L.D. Gate charge collection and induced drain current in GaAs FETS//IEEE Trans. 1985. Vol.NS-32. N 12.-P.4110-4114.

133. Zuleeg R.,Notthoff J.K. Channel and substrate current in GaAs FETs due to ionizing radiation//IEEE Trans.- 1983. Vol.NS-30. N 12,- P. 4151-4156.

134. Stoichiometry controlled compensation in liquid encapsulated Czochralski GaAs//D.E.Holms, R.T.Chen, K.R.Elliot, C.G.Kirk-patrik/ Appl. Phys. lett.- 1982. Vol. 40. N 1.- P. 46-48.

135. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.:Радио и связь. 198 с.

136. Flesher L.D. Transient radiation effects in GaAs devices: bulk conduction and channel modulation phenomena in D-MESFET, E-JFEET and n+- SI- n+ structures//IEEE Trans.- 1984. Vol. NS-31. N6. P. 1502-1507.

137. Itoh T.,Yanai H. Stability of performance and interfacial problems in GaAs MESFETS//IEEE Trans.- 1980. Vol.ED-27. N 4.-P.1037-1045.

138. Long-term transient radiation resistant GaAs FETs// W.T.Anderson, M.Simons, E.E.King et al. IEEE Electron. Dev. Lett.-1982. Vol. ED-3. N 3,- P. 248-250.

139. Anderson W.Т., Simons M., Tseng W.F. Long- term transient radiation response of GaAs FETs fabricated on A1GaAs buffer la-yer//IEEE Trans.- 1986. Vol. NS-33. N 6/- P. 1442-1446.

140. Simons M., King E.E. Long- term radiation transients in GaAs FETS//IEEE Trans.- 1976. Vol. NS-26. N 6.- P. 5080-5086.

141. Transient radiation study of GaAs metal-semiconductor field-effect transistor implanted in Cr-doped and undoped substra-tes//M. Simons, E. E. King, W. T. Anderson, et al./J.Appl. Phys.-1981. Vol. 52. N 12.- P. 6630-6636.

142. Degradation in GaAs FETs resulting from alpha particle irradiation//W.T.Anderson, A.B.Campbell, A.R.Knudson et al/ IEEE Trans.- 1984. Vol. NS-33. N 6,- P.1124-1127.

143. Аствацатурьян E.P., Громов Д.В., Елесин В.В. Модель долговременной релаксации фототока в GaAs структурах с затвором Шоттки// Микроэлекроника.- 1989. вып.5. С.434-438

144. Chage collection in GaAs test strueture//P.J.McNulty , W.Alber-Kader, A.B.Campbel et al./IEEE Trans.- 1984. Vol. NS-31. N 6.- P. 1128-1131.

145. A mechanism for radiation indused degradation in GaAs field - effect transistors//F.A.Buot, W.Anderson, A.Chistou et al/ J. Appl. Phys. - 1985. Vol. 57. N 2.- P. 581-590.

146. Деградация малошумящих полевых транзисторов в затвором

147. Шоттки на арсениде галлия при воздействии мощных импульсных микроволновых помех//В. В. Антипин, Д. В. Громов, В. А.Годовицын, А.А.Раваев и др./Радиотехника,- 1994. N 8,- С.34-38.

148. Изменение параметров малошумящего усилителя при воздействии мощных импульсных помех.//В.В.Антипин, Д.В.Громов, В.А.Годовицын и др. / Радиотехника.- 1991. N 8,- С. 18-20.

149. Telliez S., Braslle J.P., Samana N. MESFET Destruction Model and Experimental Validation. // Proc. Fouth European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems(RA-DECS-97),Sept. 15-19, 1997, Palm Beach, Cannes, France. -P.170-173.

150. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы/В.В.Антипин, Д. В. Громов , В.А.Годовицын и др.// Зарубежная радиоэлектроника.- 1995, вып. 1,- С. 37-53.

151. Механизмы отказов и надежность транзисторов на арсениде галлия// А. М. Нечаев, Е. А. Рубаха, В.Ф. Синкевич и др. / Обзоры по электронной технике. сер.2. Полупроводниковые приборы.-1981. вып. 2(778).- С. 3-34.

152. Whalen J.J., Calcatera M.С., Thorn M.L. Microwave nanosecond pulse burnout properties of GaAs MESFETs//IEEE Trans.- 1979., Vol. MTT-27. N 12,- P. 1026-1031.

153. Whalen J.J., Kemerley R.T., Rastefano E. X-band burnout characteristics of GaAs MESFETs// IEEE Trans.- 1982. Vol. MTT-32. N 12,- P. 2206-2211.

154. Finlay H.J., Roberts B.D. Conf. Improverments in recever RF burnout characteristics of GaAs MESFETs:Proc. 12 th European Microwave Conf. 13-17 Sept. 1982. Helsinki. Finland.- P. 121-126.

155. Dormer L., James D.S. A study of high power pulsed characteristics of lower noise GaAs MESFETs//IEEE Trans.- 1981. Vol. MTT-29. N 12,- P. 1298-1310.

156. A GaAs FET model for large-signal performence of GaAs MESFETS//D.L.Peterson et al./IEEE Trans.-1984.Vol. MTT-32. N3.-P.276-281.

157. A technigue for predicting large signal performance of GaAs MESFETS//H.A.Willing et al./ IEEE Trans.- 1978. Vol. MTT-26. N 12.- P.1017-1023.

158. Микроэлектронные устройства СВЧ/Под ред. Г.И. Веселова. -М.: Высшая школа, 1988. 280 с.

159. Materka A., Kacprzak V. Computer calculation of large-signal GaAs FET amplifier characteristics//IEEE Trans.- 1985. Vol. MTT-33. N 2.- P.129-135.

160. Гунта К. и др. Машинное проектирование СВЧ устройств. -М.: Радио и связь, 1987, 432 с.

161. Влах И., Сингхал К. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем. М.: Радио и связь, 1988, - 560 с.

162. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991,- 632 с.

163. Wang C.L. Modeling of the DX=center trapping effect on a HEMT using a depletion approximation/Sol.- state electr.- 1989. Vol.32 N 8,- P. 669-673,

164. Impact of high energy particles on InGaP/InGaAs pseudomorphic HEMTs/H. Ohyama, E. Simoen, S. Kuroda et all//IEEE Trans.- 1998. Vol. NS-45, N 6. P. 2861 - 2866.

165. Громов Д.В. Исследование переходных ионизационных эффектов в GaAs структурах лазерными методамию//Известия вузов.Электроника. 1998. N 2,- С. 85-90.

166. Петров Г.В.,Седлецкий В.Б. Интегральные схемы диодных смесителей СВЧ диапазона//Зарубежная электронная техника. 1975. N 19,- С. 3-38.

167. Расчет широкополосных СВЧ-усилителей на транзисторах/^. С. Голь дман, Д.В.Громов, Г.В.Петров и др. /Ядерная электроника/ Под ред.Т.М.Агаханяна М.:Атомиздат, вып.6. 1976.- С.44-51.

168. Контакт металл-полупроводник и его использование в полупроводниковых приборах и устройствах на их основе//С.А.Афонцев, Д.В.Громов, Г.В.Петров и др./Ядерная электроника/ Под ред.Т.М. Агаханяна М.:Атомиздат, вып.8.1978.-С.20-53

169. Линейные усилители СВЧ диапазона на биполярных и полевых транзисторах//Д.С.Гольдман, Д. В. Громов, Г.В. Петров и др.// Зарубежная радиоэлектроника.-1977.- N1.- С.99-126.

170. Громов Д.В., Петров Г.В., Толстой А.И. Вопросы применения полевых транзисторов с затвором Шоттки в линейных СВЧ усилителях// Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки: Тез. докл. Всесо-юз. науч. техн.конференции.- Киев, 1975.- С. 38.

171. Аствацатурьян Е.Р., Громов Д.В. Радиационная стойкость интегральных схем СВЧ диапазона на GaAs полупроводниковых приборах// СВАНТ, сер. Физика радиационных воздействий на РЭА.- 1986.-вып. З.*г С. 32-37.

172. Громов Д.В., Елесин В.В., Пронин С.А. Радиационные эффекты в СВЧ интегральных схемах на основе арсенида галлия// Интегральная электроника СВЧ: Тез.докладов Всесоюзной научно-технической конференции. Красноярск, 1988,- С. 71.

173. Громов Д.В. Влияние радиационного облучения на харктерис-тики полевых транзисторов с затвором Шоттки и ГИС СВЧ усилителей на их основе// Специальная электроника. Сер.2. Полупроводниковые приборы.-1979,- вып.2(34). С.96-99.

174. Громов Д.В. Исследование характеристик ГИС СВЧ усилителей на полевых транзисторах с затвором Шоттки с радиационными дефектами: Тез.докладов IX Всесоюзной межвузовской конференции по электронике СВЧ, Киев, 1979,- С. 94.

175. Щепеткин Ф.В.,Данич Ю.С. Шумовые свойства транзисторного усилителя дециметрового диапазона//Электросвязь.- 1973,- N 2.-С.60-65.

176. Effect of gamma Irradiation on GaAs MMICS//D. M. Kadowaki , V. Mitsui, T.Takebe et al./ GaAs 1С Symp. Techn. Dig. 1982,- P. 83-86.

177. Gamma ray radiation effects on MMICs elements//K.Aono , 0. Ishihara, R.Nishitani et al. / GaAs 1С Symp. Techn. Dig. 1984. -P. 139-142.

178. GaAs MMIC technology radiation effects//W.T.Anderson , M.Simons, A. Christou, J.Beal/ IEEE Trans.- 1985. Vol. NS-32. N 6.-P. 4040-4045.

179. Anderson W.T., Binary S.C. Transient radiation effects at X-band in GaAs FETs and ICS//IEEE Trans. -1983. Vol. NS-30, N 6.-P. 4205-4208.

180. Переходные радиационные эффекты в аналоговых ИМС СВЧ диапазона. /Д. В. Громов, О.Н. Гонек, Ю. Б.Коркин и др. / Специальная электроника.Сер.2. Электронные приборы.- 1990,- вып.1 (55).-С.45-52.

181. Автогенераторы СВЧ диапазона на полевых транзисторах с затвором Шоттки//Г. В. Петров, А.И.Толстой, А.В.Храмов/Зарубежная радиоэлектроника, 1980,- N 7. - С. 38-54.

182. Курокава К. Принудительная синхронизация твердотельных СВЧ генераторов//ТИИЭР.- 1973.- Т.61. N 10,- С. 12-41.

183. Храмов А.В. Проектирование монолитных интегральных схем транзисторных автогенераторов СВЧ диапазона//Электронная техника. 1984.-Сер. 10. ВЫП. 3.- С. 13-15.

184. Громов Д.В., Петров Г.В., Храмов А.В. Расчет шумов автогенераторов на полевых транзисторах с затвором Шоттки при воздействии нейтронного облучения//Специальная электроника. Сер.2. Полупроводниковые приборы.-1982.-Вып.2(40).- С.3-7.

185. Старосельский В.И. Оптимальное проектирование логических элементов арсенид-галлиевых БИС//Микроэлектроника.- 1985. Т. 14. N 5,- С. 371-380.

186. Zuleeg R. .Notthoff J.K., Troeger G.L. Double-Implanted GaAs complementary JFETS//IEEE Trans.- 1984,- Vol. EDL-5. N 1,- P. 21-23.

187. Новые микросхемы на GaAs серии K6500 для контрольно-измерительной аппаратуры/Л).Ф. Адамов, Л.Н.Кравченко, А.Н. Сапельников и др./Электронная промышленность. 1991,- N 1.- С. 47-52.

188. Кравченко Л.Н., Мальцев П.П., Сапельников А.Н. Цифровой базовый матричный кристалл на основе арсенида галлия // Науч. -техн. сб. Вопросы оборонной техники. Серия 17. Наука производству. М.- НИИТЭИ.- 1990,- Вып. 5,- С. 45-47.

189. Anderson W.Т., Binary Yr., Binary S.С. Radiation effects in GaAs devices and ICs//GaAs 1С Symp. Techn. Dig. 1983,- P. 316-319.

190. Simons M. Radiation effects in GaAs integrated circuits:a comparison with silicon//GaAs 1С Symp. Techn. Dig.- 1983,- P. 124-128.

191. Notthoff J.K. Radiation hardnes of 256-bit GaAs C-JFET RAM//IEEE Trans. 1985. Vol. NS-32. N 6. - P.4061-4064.

192. Long S.I.,Lee F.S., Ptllegriny A. Pulsed ionising radiation recovery caracteristics of MSI GaAs integrated circuits// IEEE Trans.- 1981. Vol. EDL-2. N 12.- P. 173-176.

193. The effects of transient radiation radiation on GaAs Shottky diode FET logic circuits// E.R.Walton, W.T.Anderson, R.Zucca et al.//IEEE Trans.- 1983.- Vol. NS-30. N 11,- P. 4178-4182.

194. Zuleeg R.,Notthoff J.K. Transient response of GaAs ICs toionising radiation//IEEE Trans.- 1979.- Vol. NS-26.- N 12,- P. 4744-4749.

195. Zuleeg R.Notthoff J.K.,Troeger G.L. Ionising radiation response of GaAs JFETs and DCFL circuits//IEEE Trans.- 1982. -Vol. NS-29. N 5.- P. 1656-1661.

196. Notthoff J.K.Zuleeg R., Troeger G.L. logic upset level of GaAs SRAMs for pulsed ionizing radiation//IEEE Trans.- 1983,

197. Vol. NS-30. N 6.- P. 4173-4177.

198. Елесин В.В.Моделирование переходных ионизационных эффектов в элементах ЦИМС на основе арсенида галлия:Дис. канд. техн. наук. -М.: МИФИ, 1993,- 242 с.

199. Громов Д.В., Елесин В.В.Мальцев П.П. Моделирование переходных ионизационных эффектов в элементах ЦИМС на основе GaAs// Фундаментальные поисковые исследования в интересах обороны страны. -1993,- вып. 77-78,- С. 34-40.

200. Gromov D.V., Elesin V.V. Transied radiation effects simulation in GaAs 1С elements/Proc. IEEE NSREC Conference.-1994.-P. 38.

201. Громов Д.В., Мальцев П.П. Радиационная стойкость интегральных схем // Научно-техн. сб. Вопросы оборонной техники. Серия 17. Наука производству. М. НИИТЭИ.- 1990,- Вып. 6 - с. 92-93.

202. Практикум по автоматизированному проектированию электронных схем/Под ред.А.Я.Архангельского. М.: МИФИ. 1984.- 80 с.

203. Радиационные эффекты в GaAs-полупроводниоквых приборах и интегральных схемах//Е.Р.Аствацатурьян, Д.В.Громов, В.В.Елесин и др.//Зарубежная электронная техника- 1988,- N 1 (320).- С.48-83

204. Влияние эффектов границы раздела канал-подложка на харк-теристики СВЧ полевых транзисторов/Д.В.Громов, В. В. Елесин, С.А. Курнаев/Интегральная электроника СВЧ: Тез.докладов Всесоюзной научно-технической конференции. Красноярск,- 1988.- С.41.

205. Single event upset measurements of GaAs E-JFET RAMS//P.Shapiro, A.B.Campbell, J.C.Ritter et al./IEEE Trans. -1983,- Vol. NS-30. N 6,- P. 4610-5612.

206. Zuleeg R.,Notthoff, J.K.Nichols D.K. SEV of complementary GaAs static RAMS due to heavy ions// IEEE Trans.- 1984.- Vol. NS-31.- N 3,- P. 1121-1123.

207. Weatherford T.R. .Hauser J.R. ,Diehl S.E. A study of single event in GaAs SRAMs//IEEE Trans. 1986. - Vol. NS-33. N 4. - P. 1590-1596.

208. Weatherford T.R.Hauser J.R.,Diehl S.E. Comparisuon ofsingle event vulnerability of GaAs SRAMs//IEEE Trans.- 1985,- Vol. NS-32. N 6,- P. 4171-4175.

209. Аствацатурьян Е.Р., Голотюк О.Н., Попов Ю. А. и др. Методы повышения радиационной стойкости электронных схем и устройств вычислительной техники. М.: МИФИ. 1986.- 88 с.

210. Чернышев Ю.А., Аббакумов И.С. Расчет и проектирование устройств ЭВМ с пассивным резервированием.-М.:Энергия.1979.-253 с.

211. SEU design consideration for MESFET's on LT GaAs/T.R.We-atherford, R.Radice, D.Eskins et al.//IEEE Trans. 1997. Vol. NS-44, N 6. - P. 2282 - 2289.

212. Significant reduction in the soft error susceptibility of GaAs MESFETs fabricated with a low temperature grown GaAs buffer layer/T.R.Weatherford, D.McMorrow, A.B.Campbell et al.//Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 67. - P. 703 - 710.

213. Способ отбраковки структур содержащих границу раздела полупроводник-полуизолирующая подложка: А.с.1609397 СССР МКИ3 /Е.Р.Аствацатурьян, Д.В.Громов, В.В.Елесин(СССР).-4с:ил.

214. Применение лазерных имитаторов для проведения физико-технического анализа изделий и структур микроэлектроники и на-ноэлектроники//С.А.Гамкрелидзе, Д.В.Громов, М. И.Критенко и др./Электронная промышленность.-1996.- N 2.- С. 20 23.

215. Полак Э. Численные методы оптимизации.- М.:Мир.1982. -348с.

216. Громов Д.В., Петров Г.В. Выбор оптимальной структуры полевого транзистора с затвором Шоттки с повышенной радиационной стойкостью//Специальная электроника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. -1981.- Вып.1(37).- С.81-84.

217. Громов Д.В., Петров Г.В. Выбор оптимальной структуры ма-лошумящего СВЧ полевого транзистора с затвором Шоттки//Техника средств связи, сер.Микроэлектронная аппаратура.-1982.- вып.1(3).-С. ¿BS .

218. Громов Д.В. Методы повышения радиационной стойкости ГИС СВЧ усилителей на транзисторах// Вопросы обеспечения радиационной стойкости оптических элементов фотоприемников и полупроводниковых приборов: Материалы семинара.- Москва, ЦНИИ, 1980.- С.80-83.

219. Громов Д.В. Оптимизация радиационной стойкости ГИС СВЧ усилителей на транзисторах// Специальная электроника. Сер.10. Микроэлектронные устройства.-1982.- вып.1 (11).- С.18-19.

220. СВЧ усилитель: A. c. 302489 СССР МКИ3 H03L7/00 /А.В.Алексеев, Д.В.Громов,В.В.Елесин(СССР)-5с:ил.

221. Свервысокочастотный синхронизированный автогенератор: A.c. 244807 СССР МКИ3 Н03Ь7/00/Д. В. Громов, Г.В.Петров, A.B. Храмов (СССР) . -5с: ил.

222. RS-триггер: А. с. 275778 СССР МКИ3 / Д.В.Громов, С.А.Пронин, А. И. Толстой и др. (СССР). -5с: ил.

223. Полупроводниковые запоминающие устройства с защитой на спецвоздействие: А. с. 282984 СССР МКИ3/Д.В.Громов,С.А. Пронин, А. И. Толстой и др.(СССР).-5с:ил.

224. Полупроводниковые запоминающие устройства с защитой от спецвоздействия: А. с. 297433 СССР МКИ3/Д.В.Громов,С.А. Пронин, А. И. Толстой и др.(СССР).-6с:ил.

225. Методика экспериментальных исследований эффектов воздействия мощного СВЧ-излучения на полупроводниковые изделия электронной техники(шифр "Безграничность-МРТИ-Э". М. : ЭНПО СПЭЛС-ЦФТИ МО, 1999. - 22 с.

226. РД В 319.03.30-98. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Порядок испытаний на импульсную электрическую прочность и требования к испытательному оборудованию. М. : МО РФ, 1998 г. - 14 с.

227. РД В 319.03.22-97. Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общие методики имитационных испытаний. М.: Изд-во 22ЦНИИИ МО, 1997. 32 с.

228. Громов Д.В., Полевич С.А., Мальцев П.П. Имитационное моделирование ионизационных эффектов в элементах на основе соединений А3В5.// Радиотехника и электроника,- 1999.- т.44, N 11.-С. 1-6.

229. Патент РФ на изобретение N 2112990 "Установка для испытания на радиационную стойкость" от 02.07. 1996 г./ Д.В.Громов, С.В.Ермолаев, А.Ю. Никифоров и др.

230. Патент РФ на изобретение N 2128349 "Установка для испытания на радиационную стойкость" от 27.03. 1999 г./ Д.В.Громов, С.В.Ермолаев, А.Ю. Никифоров и др.

231. Патент РФ на изобретение N 2139566 "Многопроцессорная система обработки данных" от 10.10. 1999 г. / C.B.Ганага, Д.В.Громов, А.Л.Зайцева и др.

232. Свидетельство РФ на полезную модель "Лазерная установка" от 20.02.2000 г. / С.В.Ермолаев, Д.В.Громов, А.Ю.Никифоров и др.

233. Установка для испытаний на радиационную стойкость: Заявка на патент РФ N 2112990 от 10.06.1998 г., RU 2112990 С1/С.В.Ермолаев, Д.В.Громов, П.К.Скоробогатов и др. (РФ). 16 с.