Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода: λ = 1.3-1.55 мкм тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Пихтин, Никита Александрович

• Пихтин, Никита Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Пихтин, Никита Александрович

ведение. шва 1 Гетероструктуры в системе твердых растворов Тп-Са-АБ-Р и приборы на их основе.

1Л Краткая характеристика системы ЫваАзРЛпР.

1.2 Инжекционные гетеролазеры на основе квантоворазмерных двойных гетероструктур раздельного ограничения ЫваАзРЯпР.

1.3 Мезаполосковая конструкция лазерных диодов на основе соединений ЫСаАзРЛпР.

1.4 Электрически перестраиваемые лазерные диоды ЫваАзРЯпР.

1.5 Излучательные характеристики и особенности конструкции суперлюминесцентных диодов на основе твердых растворов 1п-Са-А8-Р и АЬва-Аз.

1.5.1 Принцип работы супер люминесцентного диода.

1.5.2 Основные конструкции суперлюминесцентных диодов.

1.5.3 Особенности ватт - амперных характеристик супер люминесцентных диодов.

1.6 Выводы по обзору литературы. гава 2 Экспериментальное и теоретическое исследование электрических и оптических свойств гетеролазеров на основе Ш-ва-Аз-Р гетероструктур вплоть до высоких уровней накачки.

2.1 Экспериментальное и теоретическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик

РО ДГС ЫваАБР лазеров.

2.2 Исследования особенностей спектральных характеристик гетеролазеров на основе 1п-Оа-А8-Р гетероструктур вплоть до высоких уровней накачки. гава 3 Перестраиваемый одномодовый ЫОаАэРЯпР (X = 1.55 мкм) гетеролазер, созданный на базе двухсекционной мезаполосковой конструкции.

3.1 Технологические особенности изготовления двухсекционного мезаполоскового Фабри-Перо гетеролазера ЫСаАэРЯпР (X = 1.55 мкм).

3.2 Теоретическая оценка возможного диапазона перестройки длины волны в двухсекционном

Фабри-Перо гетеролазере МСаАзРЛпР (X = 1.55 мкм).

3.3 Исследование излучательных характеристик перестраиваемого двухсекционного мезаполоскового одномодового Фабри-Перо гетеролазера

ЫваАзРЯпР ( А, = 1.55 мкм). гава 4 Суперлюминесцентные диоды на основе 1п-Са-А8-Р твердых растворов, излучающие в диапазоне длин волн 1.3-1.55 мкм.

4.1 Определение оптимальной конструкции суперлюминесцентных диодов ЫСаАэРЯпР.

4.1.1 Суперлюминесцентные диоды мезаполосковой конструкции с наклонным полосковым контактом.

4.1.2 Суперлюминесцентные диоды двухсекционной мезаполосковой конструкции с наклонным полоском.

4.2 Оптимизация параметров ЫОаАзРЯпР гетероструктуры для суперлюминесцентных диодов и исследование их электрических и оптических характеристик. шпочение. тгература.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода: λ = 1.3-1.55 мкм»

В последние годы полупроводниковые гетеролазеры находят все большее применение в различных областях науки и техники. Инжекционные гетеролазеры на основе твердых растворов ЫСаАзРЛпР, излучающие в диапазоне длин волн 1300-1550 нм, являются оптимальными источниками излучения для волоконно-оптических линий связи (ВО Л С). Квантоворазмерная двойная гетероструктура раздельного ограничения (КР РО ДГС) ЫваАзРЯпР позволяет получать надежные высокоэффективные лазерные диоды, обладающие низким пороговым током, высокой внутренней и внешней квантовой эффективностью и высокой выходной оптической мощностью. Однако для применений в лазерной спектроскопии, волоконно-оптических гироскопах, оптических системах со спектральным уплотнением необходимы диоды со специфическими выходными характеристиками, такими, как широкий спектр излучения, возможность перестройки длины волны. Это требует внесение изменений в конструкцию лазерного диода и оптимизацию параметров гетероструктуры для конкретного типа приборов. Несмотря на огромное число работ, посвященных исследованию и оптимизации параметров КР РО ДГС ЫваАзРЛпР гетеролазеров, некоторые особенности электрических и оптических свойств гетероструктур в системе ¡п-Са-АБ-Р твердых растворов остаются до настоящего времени недостаточно изученными.

В этой связи тема работы, направленная на изучение особенностей электрических и оптических свойств КР гетероструктур в системе 1п-Оа-А8-Р твердых растворов с целью создания на их основе мощного широкополосного суперлюминесцентного диода и перестраиваемого одномодового Фабри-Перо гетеролазера (X = 1.3 - 1.55 мкм), является актуальной как с научной, так и с практической точек зрения.

Основная цель работы заключалась в исследовании особенностей электрических и оптических свойств гетероструктур раздельного ограничения с тонкими активными областями на основе твердых растворов 1п-Оа-А8-Р, создании на их основе перестраиваемого одномодового Фабри-Перо гетеролазера двухсекционной конструкции и мощного широкополосного су пер люминесцентного диода (Х= 1.3 - 1.55 мкм).

Для выполнения поставленной цели решались следующие основные задачи:

1. Экспериментальное и теоретическое исследование электрических и оптических свойств двойных гетероструктур раздельного ограничения с тонкими активными областями на основе твердых растворов Ы-ва-Аб-Р при высоких уровнях накачки.

2. Разработка технологии и изготовление двухсекционного мезаполоскового одномодового Фабри-Перо гетеролазера на основе РО ДГС ЫваАвРЯпР (X = 1.3 - 1.55 мкм).

3. Исследование излучательных характеристик перестраиваемого одномодового [пСаА^РЯпР (к = 1.55 мкм) гетеролазера, созданного на базе двухсекционной мезаполосковой конструкции.

4. Проведение исследований по оптимизации параметров двухсекционного мезаполоскового ШваАвРЯпР лазерного диода для получения мощного широкополосного суперлюминесцентного излучения (А, = 1.3 - 1.55 мкм). Исследование излучательных характеристик полученных суперлюминесцентных диодов.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые: 1. Проведены комплексные исследования особенностей ватт-амперных и спектральных характеристик лазерных диодов на основе квантоворазмерных двойных гетероструктур раздельного ограничения ЫСаАвРЛпР при высоких уровней электрической накачки (до 60 кА/см2).

2. Детально исследованы причины аномального падения дифференциальной квантовой эффективности при уменьшении длины резонатора лазерного диода и сублинейности ватт-амперных характеристик при больших плотностях тока.

3. Предложен метод измерения профиля усиления в гетероструктуре с использованием двухсекционной конструкции лазерного диода.

4. Теоретически определен возможный диапазон перестройки длины волны излучения в двухсекционном Фабри-Перо гетеролазере с использованием предложенного метода измерения и расчета профиля усиления и экспериментально показана электрическая перестройка длины волны в двухсекционной мезаполосковой конструкции Фабри-Перо лазерного диода.

5. Определены параметры гетероструктуры на основе ЫСаАэРЛпР твердых растворов, используемой для получения мощного высокоэффективного широкополосного суперлюминесцентного излучения (X = 1.3 - 1.55 мкм).

Практическая ценность работы заключается в следующем:

1. Установлено, что лазерные диоды на основе гетероструктур в системе четверных твердых растворов ¡п-ва-Аз-Р, выращенных модифицированным методом жидкофазной эпитаксии, обладают аномально широкими спектрами генерации и спонтанного излучения. Сделан вывод о возможности использования таких структур в широкополосных источниках излучения и для перестройки длины волны излучения в широком спектральном диапазоне.

2. Разработана двухсекционная конструкция мезаполоскового одномодового Фабри-Перо гетеролазера на основе ТпСаАвРЛиР (к =

1.3 - 1.55 мкм) двойной гетероструктуры раздельного ограничения.

3. Реализована электрическая перестройка длины волны в двухсекционном мезаполосковом одномодовом Фабри-Перо гетеролазере в широком спектральном диапазоне.

4. Разработана конструкция суперлюминесцентного диода на базе мезаполоскового одномодового ЫваАзРЯпР (X = 1.3 - 1.55 мкм) лазерного диода.

Совокупность представленных в диссертации экспериментальных и теоретических данных позволяет сформулировать следующие основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Микрофлуктуации состава твердых растворов ЫваАзР, выращенных модифицированным методом жидкофазной эпитаксии, приводят к аномально широким спектрам спонтанного излучения и генерации в квантоворазмерных ЫСаАзРЯпР лазерах раздельного ограничения.

2. Падение дифференциальной квантовой эффективности в ЫСаАзРЛпР лазерах раздельного ограничения при больших уровнях накачки связано с возрастанием концентрации неравновесных носителей в волноводе и утечкой носителей вр-эмиттер.

3. В двухсекционном мезаполосковом одномодовом Фабри-Перо гетеролазере, созданном на базе ЫваАзРЛпР двойной гетероструктуры раздельного ограничения с тонкой активной областью и аномально широким спектром усиления, возможна электрическая перестройка длины волны излучения путем изменения соотношения величин токов накачки секций.

4. Использование ЫОаАэР лазерной гетероструктуры с аномально широким спектром усиления в лазерном диоде с косым мезаполоском и поглощающей секцией позволяет получать мощное широкополосное суперлюминесцентное излучение.

5. Использование напряженной ТпОаАзРЯпОаАзЯпР гетероструктуры

раздельного ограничения с несколькими квантовыми ямами и высоким коэффициентом оптического ограничения волновода позволяет увеличить мощность и эффективность суперлюминесцентных диодов.

Приоритет результатов

Представленные в диссертации результаты исследования перестройки длины волны излучения в двухсекционной конструкции Фабри-Перо гетеролазера на основе InGaAsP/InP гетероструктуры с широким профилем усиления получены впервые. Достигнутые выходные оптические характеристики (величина мощности и полуширина спектра суперлюминесцентного излучения) суперлюминесцентного диода в разработанной конструкции на основе InGaAsP/InP гетероструктур (X = 1.55 мкм) являются рекордными значениями в мире на данный момент.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на 1st International Fiber-Optic and Telecommunication Conference (ISFOC '91), 1991, Leningrad, USSR, на 2ой Международной конференции "Nanostructures: physics and technology" (С-Петербург, июнь 1996), на 2-ой Всероссийской Конференции по физике полупроводников, 26.026.03.1996, г.Зеленогорск, С.Петербург и 5ой Международной конференции "Nanostructures: physics and technology" (С.-Петербург, июнь 1999), а также на научных семинарах лаборатории "Полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей" ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН.

Публикации

По результатам исследований опубликовано всего 39 научных работ, из них 10 непосредственно по теме диссертационной работы. Список этих работ приведен в заключении по диссертации. Ссылки на эти работы в тексте диссертации отмечены цифрами со звездочкой.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитированной литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Пихтин, Никита Александрович

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Двойные гетероструктуры раздельного ограничения с тонкими активными областями на основе ЫСаАэР твердых растворов, выращенные модифицированным методом жидкофазной эпитаксии, обладают аномально широкими спектрами спонтанного излучения и генерации. Установлена корреляция между аномально широким спектром генерации и неоднородным уширением спектра излучения в ЫСаАзРЛпР твердых растворах, связанного с микрофлуктуациями состава в области несмешиваемости. Сделан вывод о возможности использования таких структур в широкополосных источниках излучения и для перестройки длины волны излучения в широком спектральном диапазоне.

2. Поглощение на свободных носителях дает относительно небольшой вклад в наблюдаемое падение эффективности излучения в ЫваАзРЯпР лазерных диодах при высоких плотностях тока накачки. Развита теоретическая модель, объясняющая падение дифференциальной эффективности возрастанием концентрации неравновесных носителей в волноводе за порогом генерации и ростом утечки носителей в р-эмиттер. Модель хорошо согласуется с экспериментом.

3. В двухсекционном мезаполосковом одномодовом Фабри-Перо гетеролазере, созданном на базе ЫваАзРЛпР (X = 1.55 мкм) двойной гетероструктуры раздельного ограничения с аномально широким спектром усиления получена электрическая перестройка длины волны генерации в диапазоне 12 нм при сохранении постоянной выходной оптической мощности.

4. Определены оптимальные параметры конструкции Фабри-Перо лазерного диода на основе КР РО ДГС InGaAsP/InP для получения максимальной мощности одномодового широкополосного суперлюминесцентного излучения - угол наклона косого мезаполоска 10°, ширина мезаполоска 5 мкм, длина накачивающей секции 1000 мкм, длина поглощающей секции 300 мкм.

5. Использование напряженной InGaAsP/InGaAs/InP гетероструктуры раздельного ограничения с десятью квантовыми ямами и высоким коэффициентом оптического ограничения волновода в конструкции диода с наклонным на 10° мезаполоском шириной 4.5 мкм позволило достичь рекордной постоянной оптической мощности 60 мВт одномодового суперлюминесцентного излучения (X = 1.55 мкм) при полуширине спектра излучения 30 нм, глубине модуляции спектра 8 %, постоянном токе накачки 800 мА. Порог усиления составил 1.5 кА/см2.

6. На базе InGaAsP/InP двойной гетероструктуры раздельного ограничения с широким профилем усиления созданы супер люминесцентные диоды, обладающие рекордно широким спектром излучения (65 нм по полуширине) и низкой глубиной модуляции (< 1 %) спектра. Выходная оптическая мощность составляла 40 мВт (X = 1.3 мкм) и 30 мВт (X = 1.55 мкм).

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1.* D.Z.Garbuzov, S.E.Goncharov, Yu.Y.Ilyin, A.V.Ovchinnikov, N.A.Pikhtin, I.S.Tarasov. "1W CW separate confinement InGaAsP/InP (A=1.3|im) laser and their coupling with optical fibers", Proceed, of 1st International Fiber-Optic and Telecommunication Conference (ISFOC '91), 1991, Leningrad, USSR, v.l, pp.144-149.

-1222.* И.Э.Беришев, Д.З.Гарбузов, С.Е.Гончаров, Ю.В.Ильин, Э.У.Рафаилов, А.В.Михайлов, Н.А.Пихтин, А.В.Овчинников, И.С.Тарасов "Оптический модуль на базе квантоворазмерного InGaAsP/InP лазера ваттного диапазона (А,= 1.3 мкм)", Письма в Ж.Т.Ф., 1990г., т. 16, вып.21, стр.35-41.

3.* Д.З.Гарбузов, А.В.Овчинников, Н.А.Пихтин, З.Н.Соколова, И.С.Тарасов, В.Б.Халфин. "Экспериментальное и теоретическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик РО ДГС InGaAsP/InP (1=1.3мкм) лазеров", ФТП, 1991, т.25, вып.5, сс. 928-933.

4.* Н.А.Пихтин, И.С.Тарасов, М.А.Иванов "Особенности спектральных характеристик мощных инжекционных гетеролазеров на основе InGaAsP четверных твердых растворов.", ФТП, 1994, т.28, вып.11, стр. 1983-1990.

5.* N.A.Pikhtin, A.Yu.Leshko, A.Y.Lyutetskiy, V.B.Khalfin, N.V.Shuvalova, Yu.V.Ilyin, I.S.Tarasov, "Two - section InGaAsP/InP (A,= 1.55 jum) Fabry-Perot laser diode with 12 nm tuning range", Proceed, of Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, 24-28 June 1996, pp.351-353.

6.* Н.А.Берт, Л.С.Вавилова, И.П.Ипатова, В.А.Капитонов,

A.В.Мурашова, Н.А.Пихтин, А.А.Ситникова, И.С.Тарасов,

B.А.Щукин "Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP структуры с модулированным составом" ФТП, 1999, т.ЗЗ, вып.5, стр.544-548.

7.* И.С.Тарасов, М.А.Иванов, А.В.Мурашова, А.Ю.Лешко, А.В.Лютецкий, Н.А.Пихтин, Н.А.Берт, Ж.И.Алферов "Самоупорядоченные InGaAsP наноструктуры", 2-ая Всероссийская

Конференция по физике полупроводников, 26.02-6.03 1996, г.Зеленогорск, С.Петербург, 1996, т.1, с.46.

8.* Н.А.Пихтин, А.Ю.Лешко, А.В.Лютецкий, В.Б.Халфин, Н.В.Шувалова, Ю.В.Ильин, И.С.Тарасов "Двухсекционный InGaAsP/InP (А,= 1.55 мкм) Фабри-Перо лазер с 12 нм диапазоном перестройки длины волны", Письма в ЖТФ, 1997, т.23, вып.6, сс.Ю-15.

9.* N.A.Pikhtin, A.Yu.Leshko, A.V.Lutetskiy, S.A.Shuravin, A.L.Stankevich, N.V.Fetisova, I.S.Tarasov, "High power broadband singlelobe InGaAsP/InP superluminescent diode", Proceed, of Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, 14-18 June 1999, pp.150-153.

Ю.*Н.А.Пихтин, Ю.В.Ильин, А.Ю.Лешко, А.В.Лютецкий, А.Л.Станкевич, И.С.Тарасов, Н.В.Фетисова "Мощный широкополосный одномодовый InGaAsP/InP суперлюминесцентный диод", Письма в ЖТФ, 1999, т.25, вып.15, сс. 16-22.

В заключение автор хотел бы выразить глубокую благодарность научному руководителю И.С.Тарасову за повседневное руководство, внимание и полезное обсуждение результатов работы; сотрудникам А.В.Лютецкому, Н.В.Фетисовой, А.Ю.Лешко, А.Л.Станкевичу, Ю.В.Ильину, при непосредственном участии и помощи которых были выполнены исследования; В.Б.Халфину и З.Н.Соколовой за помощь в проведении теоретических расчетов; сотрудникам технологических групп Н.Д.Ильинской, Л.С.Вавиловой, Е.А.Третьяковой, Т.Н.Дрокиной, Е.И.Кухаревой, Н.Ф.Кадощук, Т.А.Налет, И.Н.Арсентьеву за огромную работу по изготовлению гетероструктур; а также проф. А.Н.Пихтину за плодотворные дискуссии, стимулировавшие проведение научных исследований и написания диссертации.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Пихтин, Никита Александрович, 2000 год

1. Х.Кейси, М.Паниш "Лазеры на гетероструктурах", М., Мир, 1987.

2. M.Horiguchi, H.Osanai, "Spectral losses of low-OH-content Optical Fibers" Elecrtonic Letters, 1976, v. 12, p.310.

3. E.Desurvire "Erbium doped optical amplifiers", Photon.Technol.Lett., 1989, N.l, p.293.

4. E.Kuphal, A.Pockev "LPE Growth of High Purity InP and InGaAsP", J.of Crystal Growth, 1982, v.58, N.l, p.133.

5. K.Kozmierski, P.Hirtz, J.Ricardi, H.Razeghi, B.Cremoux "Validation of MOCYD InGaAsP/InP laser fabrication technology steps by photoluminescence imaging method", Int.Symposium of Defect Recognition and Image Processingin III-V compound, 1985, France.

6. W.T.Tsang, F.K.Reinhart, J.A.Ditzenberger "Molecular beam epitaxy grown 1.3 цт InGaAsP/InP double heterostructure lasers", Electronic Letters, 1982, v,18,p.785.

7. B.Cremoux, P.Hirtz, J.Ricardi "On the presence of solid immiscibility domain in the InGaAsP phase diagram", Ins.Phys.Conf.Ser., 1981, N.56.

8. J.Kinashita, H.Okuda, Y.Yematsu, "Preserving InP surface corrugation for 1.3 jum InGaAsP/InP DFB lasers from thermal deformation during LPE process", Electronic Letters, 1983, v.19, N.6, p.215.

9. R.J.Nelson, "Near-equilibrium LPE growth of low threshold current density InGaAsP (1=1.35 |um) DH lasers", Appl.Phys.Lett., 1979, v.35, N.9, p.654.

10. А.В.Овчинников "Разработка жидкофазной технологии изготовления InGaAsP/InP 1.3 мкм) структур (для ВОЛ С) со сверхтонкими активными областями", Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.наук, Ленинград, 1988.

11. Д.З.Гарбузов, Е.В.Журавкевич, А.Л.Тер-Мартиросян, А.В.Овчинников, В.П.Чалый, В.Б.Халфин, "Влияние вращения расплавов при жидкофазной эпитаксии на движущуюся подложку", ЖТФ, 1989, т.59, N.1, с.49.

12. Bert N.A., Gorelenok А.Т., Dzigasov A.G., Konnikov S.G., Popova T.B., Tibilov V.K, "Epitaxial growth of InGaAsP Solid Solutions Lattice-Natched to InP", Journal of Crystal Growth, 1981, v.52, pp.716-721.

13. Garbuzov D.Z., Berishev I.E., Il'in Yu.V., Il'inskaya N.D., Ovchinnikov A.V, Pikhtin N.A., Tarasov I.S "High-power buried heterostructure InGaAsP/InP laser diodes produced by an improved regrowth process", J. Appl. Phys.,1992, v.72, N.l, pp.319-321.

14. T.L.McDevitt, S.Mahajan, D.E.Laughlin W.A.Bonner, V.G.Keramidas "Two-dimensional phase separation in InGaAsP epitaxial layers", Phys.Rev.B., 1992, v.45, N.12, p.6614.

15. M.Ihikawa, I.J.Murgatroyd, T.Ijichi, N.Matsumoto, A.Nakai, S.Kashiwa, J.Cryst.Growth, 1988, v.93, p.370.

16. I.P.Ipatova, Y.G.Malyshkin, V.A.Shchukin. "On spinodal decomposition in elastically anisotropic epitaxial films of III-V semiconductor alloys", J.Appl.Phys., 1993, v.74, p.7198.

17. I.Mito, M.Kitamura, K.Kobayashi, S.Murata, "InGaAsP Double-channel planar buried heterostructure laser diode with effective carrier confinement", J. of Lightwave Technology, 1983, v.LT-1, N.l, p.195.

18. Беришев И.Э., Бородицкий М.П., Горбачев А.Ю., Ильин Ю.В., Ильинская Н.Д., Лившиц Д.А., Станкевич А.Л., Рафаилов Э.У., "Одномодовые InGaAsP РО ДГС лазеры с тонким волноволом ( X =0.8 ,Х = 1.3 мкм)", Письма в ЖТФ 1994. т. 20, вып.7, стр.41-46.

19. Garbuzov D.Z., Goncharov S.E., Il'in Yu.V, Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Ovchinnikov A.V, "1W CW separate confinement InGaAsP/InP (A=1.3 jum) laser and their coupling with optical fibers.", ISFOC 25-29 March, 1991, Leningrad, USSR, v.l, ррЛ44-149.

20. P.J.A.Thijs, L.F.Tiemeijer, J.J.M.Binsma, T.vanDongen, "Progress in long-wavelength strained-layer InGaAs(P) quantum-well semiconductorlasers and Amplifiers" IEEE Journal of Quantum Electronics, 1994, v.30 N.2, p.477.

21. M.Yamamoto, N.Yamamoto, and J.Nakano, IEEE Journal of Quantum Electronics, 1994, v.30, N.2, p.554.

22. M.Kito, N.Otsuka, M.Ishino, and Y.Matsui IEEE Journal of Quantum Electronics, 1996, v.32 N.l, p.38.

23. S.Seki, H.Oohashi, H.Sugiura, T.Hirono, and K.Yokoyama, IEEE Journal of Quantum Electronics, 1996, V.32N.8, p.1478.

24. H.Temkin, D.Cobbenz, R.A.Logan, J.P.van der Zici, T.Tanbun-Eh, R.D.Yadvish, and A.M.Sergent, Appl.Phys.Lett, 1993, v.82, N.19, p.2402.

25. K.Petermann "Laser diode modulation and noise", Kluwer Academic Publishers, 1988, p.36.

26. М.А.Бородицкий, А.Е.Дулькин, И.В.Кочнев, Д.А.Лившиц, Н.О.Соколова, Э.У.Рафаилов, И.С.Тарасов, Ю.М.Шерняков, Б.С.Явич." Мощные одномодовые InGaAsP/GaAs лазеры ( X = 0.98 мкм ), выращенные МОГФЭ методом", Письма в ЖТФ, 1994, т.20, вып. 6, стр. 62-66.

27. М.А.Иванов, Ю.В.Ильин, Н.Д.Ильинская, Ю.А.Корсакова, А.Ю.Лешко, А.В.Лунёв, А.В.Лютецкий, А.В.Мурашова, Н.А.Пихтин, И.С.Тарасов. "Полосковые одномодовые InGaAsP/InP лазеры излучающие на длине волны 1.55 мкм", Письма в ЖТФ, 1995, в.21, с.70-75.

28. Голикова Е.Г., Горбылев В.А., Ильин Ю.В., Курешов В.А., Лешко

29. A.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Симаков

30. B.А.Тарасов И.С., Третьякова Е.А., Фетисова Н.В. "Мезаполосковые одномодовые РО ДГС nGaAsP лазеры, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений", Письма в ЖТФ, 2000, т.26, вып.7, с. 57-63.

31. T.L.Koch, U.Koren "Semiconductor lasers for coherent optical fiber communication", J.Lightwave Technilogy, 1990, v.8, p.274-293.

32. R.A.Soref, J.P.Lorenzo " Electronic wavelength tuning in laser diodes", 1986, v.22,p.873.

33. T.Wolf, S.Illek, J.Rieger, B.Borchet, M.-C.Amann " Extended continuous tuning range (over 10 nm) of tunable twin-guide lasers", Tech.Dig.Conf. Lasers and Electro-Optics, Anaheim, CA,1994, p.CWB-1.

34. H.Imai, Y.Kotaki, M.Matsuda, Y.Kuwahara, H.Ishikawa "Wavelength tunable DBR-laser with wide tuning range", Proceedings CLEO'88, 1988, v. 1, p.47.

35. L.D.Zhu, B.Z.Zheng, Z.X.Xu, G.A.B.Feak "Optical Gain in GaAs/GaAlAs Graded Index Separate Confinement Single-Quantum-Well

36. Heterostructures", IEEE Journal of Quantum Electronics, 1989, v.25, N.6, pp.1171-1179.

37. M.Oeberg, S.Nillson, T.Klinga, P.Ojala "A three-electrode DBR laser with 22 nm wavelength tuning range", IEEE Photon.Technology Letters, 1991, v.PTL-3, p.299-301.

38. S.Illek, W.Thulke, M.-C.Amann"Codirectionally coupled twin-guide laser diodes for broadband electronic wavelength tuning", Electronic Letters, 1991, v.27,p.2207.

39. K.Y.Lau "Broad wavelength tunability in gain-levered quantum well semiconductor lasers", Appl.Phys.Lett., 1990, v.57, N.25, pp.2632-2634.

40. K.Bohm, P.Russer, E.Weidel and R.Ulrich "Low-noise fiber optic rotation sensing", 1981, Opt.Lett., v.6, p.64.

41. K.Bohm, K.Petermann, E.Weidel and R.Ulrich "Low-drift fiber gyro using a superluminescent diode", Electron.Lett., 1981, v.17, p.352.

42. W.K.Burns, C.L.Chen, R.P.Moeller "Fiber-optic gyroscopes with broad band sources", J.Lightwave Technol.,, 1983, v.LT-1, p.98.

43. Унгер Г.Г. "Оптическая связь". M., "Связь", 1979.

44. G.A.Alphonse, D.B.Gilbert, M.G.Harvey, M.Ettenberg "High-Power Superluminescent Diodes", IEEE Journal of Quantum Electronics, 1988, v.24, N.12, pp.2454-2457.

45. N.S.K.Kwong, K.Y.Lau and N.Bar-Chaim "High-Power High-Efficiency GaAIAs Superluminescent Diodes with An Internal Absorber For Lasing Suppression", IEEE Journal of Quantum Electronics, 1989, v.25, N.4, pp.696-704.

46. N.S.K.Kwong, and N.Bar-Chaim "High-Power 1.3)iim Superluminescent Diode", Appl.Phys.Lett., 1989, v.54, N.4, pp.298-300.

47. H.Nagai, Y.Noguchi, S.Sudo "High-Power High-Efficiency 1.3|iim Superluminescent Diode With A Burried Bent Absorbing Guide Structure" Appl.Phys.Lett., 1989, v.54, N.18, pp.1719-1721.

48. B.D.Patterson, J.E.Epler, B.Graf, H.W.Lehmann, H.C.Sigg "A Superluminescent Diode At 1.3jum With Very Low Spectral Modulation" IEEE Journal of Quantum Electronics, 1994, v.30, N.3, pp.703-711.

49. Л.Н.Курбатов, С.С.Шахиджанов, Л.В.Быстрова, В.В.Крапухин, С.И.Колоненкова "Исследование суперлюминесценции диода из арсенида галлия", ФТП, 1970, т.4, вып.11, сс.2025-2031.

50. T.Takayama, O.Imafuji, Y. Kouchi, M.Yuri, A.Yoshikawa, K.Itoh "100-mW High Power Angled-Stripe Superluminescent Diodes With New Real Refractive-Index-Guided Self-Aligned Structure", IEEE Journal of Quantum Electronics, 1996, v.32, N.l 1, pp.1981-1986.

51. I.P.Kaminow, G.Eisenstein, L.W.Stulz "Measurement of Modal Reflectivity of an Antireflection Coating on a Superluminescent Diode", IEEE Journal of Quantum Electronics, 1983, v.19, N.4, pp.493-495.

52. Y.Noguchi, H.Yasaka, O.Mikami, H.Nagai "High-Power Broad-Band InGaAsP Superluminescent Diode Emitting At 1.5 |im", J.Appl.Phys., 1990, v.67, N.5, pp.2665-2667.

53. M.-C.Amann, J.Boeck "High-efficiency superluminescent diodes for optical-fibre transmission", Electronic Letters, 1979, v.15, N.2, p.41-42.

54. Dan Botez "Effective refractive index and first-order-mode cutoff conditions in InGaAsP/InP laser structures", IEEE Journal of Quantum Electronics, 1982, v. 18, N.5, pp.865-870.

55. Ch.Holtman, P.-A.Besse, H.Melchior "High power superluminescent diodes for 1.3 jum wavelengths", Electronic Letters, 1996, v.32, N.18, p.1705-1706.

56. Ж.И.Алферов, М.А.Иванов, Ю.В.Ильин, А.В.Лютецкий, Н.А.Пихтин, И.С.Тарасов "О селекции поперечных мод в InGaAsP лазерах с диэлектрическими покрытиями зеркал", Письма в ЖТФ, 1995, т.21, вып.З, стр.64-69.

57. Гарбузов Д.З., Беришев И.Э., Ильин Ю.В., Ильинская Н.Д., Овчинников А.В, Пихтин Н.А., Тарасов И.С., "Зарощенные одномодовые непрерывные InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения (А,= 1.3мкм.)", Письма в Ж.Т.Ф., 1991, т.17, стр.17-21.

58. Y.Nambu, A.Tomita "Spectral hole burning and carrier-heating effect on the transient optical nonlinearity of highly-carrier injected semiconductors", IEEE Journal of Quantum Electronics, 1994, v.30, N.9, pp. 1981-1994.

59. K.L.Hall, G.Lenz, E.P.Ippen, U.Koren, G.Raydon "Carrier-heating and spectral hole burning in strained-layer quantum well laser amplifiers at 1.5 jum", Appl.Phys.Lett., 1992, v.61, N.21, pp.2512-2514.

60. K.Petermann "Laser diode modualtion and noise", Kluwer Academic Publishers, Holland, 1988, p.59.

61. M.P.Kesler, C.S.Harder, E.E.Latta "Carrier heating in AlGaAs single quantum well laser diodes", Appl.Phys.Lett., 1991, v.59, N.22, pp.27752777.

62. F.H.Peters, D.T.Cassidy "Scattering, absorption and anomalous spectral tuning of 1.3 |um semiconductor diode lasers", J.Appl.Phys., 1992, v.71, N.9, pp.4140-4144.

63. D.T.Cassidy, F.H.Peters,"Spontaneous emission, scattering, and the spectral properties of semiconductor diode lasers", IEEE Journal of Quantum Electronics, 1992, v.28, N.4, pp.785-791.

64. Вавилова JI.C., Иванова A.B., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Пихтин Н.А., Тарасов И.С., Арсентьев И.Н., Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Фалеев Н.Н., "Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP", ФТП, 1998, т. 32, вып. 6, стр. 658-662.

65. Берт Н.А., Вавилова Л.С., Ипатова И.П., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Пихтин Н.А., Ситникова А.А., Тарасов И.С., Щукин В.А. "Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP-структуры с модулированным составом", ФТП, 1999, т. 33, вып. 5, стр.544-548.

66. C.H.Henry, R.A.Logan F.R.Merrit "Measurement of gain and absorption spectra in AlGaAs buried heterostructure lasers", J.Appl.Phys., 1980, v.51, N.6, pp.3042-3050.

67. Д.З.Гарбузов, В.П.Евтихиев, С.Ю.Карпов, З.Н.Соколова, В.Б.Халфин., "Расчет пороговых токов для InGaAsP/InP и-133

68. GaAsP/GaAs ДГС лазеров с раздельным ограничением", ФТП, 1985, т.19, вып.З, с.449-455.

69. Д.З.Гарбузов, В.В.Агаев, З.Н.Соколова, В.Б.Халфин, В.П.Чалый "Рекомбинационные процессы в InGaAsP/InP ДГС с X =1- 1.5 мкм", ФТП, 1984, т.18, вып.6, с.1069-1076.

70. Y.Zhao, W.Han, J.Song, X.Li, Y.Liu, D.Gao, G.Du "Spontaneous emission factor for semiconductor superluminescent diodes", J.of Applied Physics, 1999, v.85, N.8, pp.3945-3948.