Поляризационные процессы в слоях аморфного оксида алюминия, полученного методом молекулярного наслаивания тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Борисова, Татьяна Михайловна

• Борисова, Татьяна Михайловна
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Борисова, Татьяна Михайловна

Содержание

Введение

Глава 1 Электрофизические свойства аморфного оксида алюминия (обзор литературы)

1.1. Структурные особенности кристаллических и аморфных модификаций оксида алюминия

1.1.1. Структурные особенности кристаллических модификаций

оксида алюминия

1.1.2. Строение пленок аморфного оксида алюминия,

полученного разными способами

1.2. Электрофизические свойства аморфных пленок оксида алюминия

1.3. Метод молекулярного наслаивания выращивания тонких пленок

1.3.1. Особенности метода молекулярного наслаивания

1.3.2. Нанесение пленок оксида алюминия методом

молекулярного наслаивания

1.4. Выводы из обзора литературы и постановка задач исследования

Глава 2 Методика эксперимента

2.1. Метод диэлектрической спектроскопии исследования

свойств материалов

2.2. Схема экспериментальной установки и принцип работы диэлектрического спектрометра

2.3. Описание образцов и определение элементного состава оксидного слоя МДП - структур

Глава 3 Поляризационные свойства слоев аморфного оксида алюминия

3.1. Диэлектрическая релаксация в тонких слоях

аморфного оксида алюминия

3.1.1. Температур но - частотная зависимость составляющих комплексной диэлектрической проницаемости

3.1.2. Перенос заряда в аморфных пленках оксида алюминия на переменном токе

3.1.3. Вольт - амперные характеристики структур 57 / А12От, / А1

3.2. Влияние технологического фактора на диэлектрические свойства аморфных слоев оксида алюминия, полученных методом МН

3.2.1. Влияние условий синтеза (тип реагента) на диэлектрические свойства аморфных слоев оксида алюминия

3.2.2. Влияние толщины оксидного слоя на диэлектрический отклик МДП — структур на основе аморфных слоев оксида алюминия

3.3. Выводы по главе 3

Заключение

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Поляризационные процессы в слоях аморфного оксида алюминия, полученного методом молекулярного наслаивания»

Введение

Расширение круга применяемых в микроэлектронике полупроводниковых структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) требует получения для них качественных диэлектрических слоев при относительно низких температурах, позволяющих избежать деградации поверхности полупроводника. С этой точки зрения перспективными являются слои оксида алюминия А12Оз, синтезируемые методом молекулярного наслаивания (МЫ) (известного за рубежом как atomic layer epitaxy (эпитаксия атомных слоев) (ALE) или atomic layer deposition (осаждение атомных слоев) (ALD). Данный материал имеет высокое значение диэлектрической проницаемости (е = 10) и является кандидатом для замены подзатворного Si02 (е = 3.9) в МДП транзисторах [1]. Помимо этого, пленки Л12Оз имеют малые токи утечки по сравнению с Hf02 (также широко применяющегося в транзисторах).

Конденсаторные структуры с пленками Al203 могут быть использованы в качестве сенсоров влажности емкостного типа, имеющих достаточно высокие чувствительность и быстродействие [2]. Перспективным является использование аморфного оксида алюминия и в качестве блокирующего слоя во ФЛЭШ элементах памяти. Работа данных устройств основана на локализации заряда на квантовых точках, и в настоящее время изготовляются преимущественно на базе нитрида кремния [3].

Существует целый ряд методов, позволяющих синтезировать оксид алюминия, в том числе молекулярное наслаивание, анодное (электрохимическое) оксидирование, осаждение из газовой фазы, золь-гель технологии и т.д. Однако синтез методом молекулярного наслаивания, в отличие от других методов нанесения, протекает не в результате хаотичного межатомного, межмолекулярного взаимодействия реагентов, а путем переноса и закрепления

определенных структурных единиц на заранее подготовленной поверхности в соответствии с программой синтеза, тем самым, позволяя осуществлять конструирование материалов с заданными свойствами. Микроструктура синтезированных пленок сильно зависит от большого числа технологических параметров: используемых прекурсоров, температуры подложки, скорости роста пленки, толщины синтезируемой пленки.

До настоящего времени, к сожалению, уделялось мало внимания изучению диэлектрических характеристик аморфных слоев А1203, полученных методом МН. Исследования такого рода необходимы для установления корреляции между особенностями поляризационных процессов и технологическими режимами получения этих слоев, что необходимо при определении надежности работы полупроводниковых систем и электронных устройств на их основе.

Целью данного исследования явилось установление закономерностей поляризационных процессов и их корреляции с условиями синтеза в аморфных слоях оксида алюминия А12Оз, полученных методом АЬО.

Для достижения этой цели были поставлены следующие задачи:

1. Изучить структурные особенности слоев аморфного оксида алюминия методом электронной микроскопии в связи с условиями их синтеза.

2. Изучить закономерности поляризационных явлений в слоях аморфного оксида алюминия, полученного методом АЬО, в широком интервале температур и частот.

3. Исследовать влияние технологических факторов на поляризационные явления и перенос заряда в данных слоях.

4. Провести интерпретацию полученных результатов в рамках адекватных им существующих модельных представлений.

5. Определить параметры поляризационных процессов в исследуемых образцах, ключевых с точки зрения их использования для диагностики структурных особенностей изучаемых составов.

Научная новизна. В отличие от выполненных ранее исследований поляризационных свойств слоев оксида алюминия, полученных методом молекулярного наслаивания, где главным образом изучалась проводимость на постоянном токе, в настоящей работе предпринято исследование поляризационных явлений в динамическом режиме с учетом влияния технологических факторов. В результате получены следующие новые научные результаты:

• Установлены закономерности дисперсии составляющих комплексных диэлектрической проницаемости и проводимости слоев оксида алюминия, в различных и широко изменяющихся внешних условиях, которые свидетельствуют о влиянии внешних факторов на поляризационные явления.

• Установлено влияние технологических условий синтеза на протекающие в слоях оксида алюминия поляризационные явления. Определены ответственные за наблюдаемые закономерности факторы и процессы, к числу которых относятся изменения в строении изучаемых материалов (изменение типа и длины связей).

Основные положения, выносимые на защиту:

1. В тонких слоях аморфного оксида алюминия, помещаемых в переменное электрическое поле, протекают поляризационные процессы, являющиеся результатом проявления механизмов дипольно-релаксационной поляризации, и прыжкового механизма переноса заряда.

2. Обнаруженные особенности протекания поляризационных процессов обусловлены влиянием технологических факторов на структурные особенности исследуемых слоев, а именно применением различных реагентов при

синтезе пленок, а также увеличением их толщины при создании МДП-структур.

3. Чувствительность диэлектрических параметров к условиям синтеза аморфных слоев оксида алюминия информативна и может быть использована для технической диагностики изучаемого материала.

Теоретическая значимость работы. Полученные экспериментальные результаты исследования поляризационных свойств слоев оксида алюминия, полученных методом молекулярного наслаивания, вносят вклад в физику электронных явлений в аморфных полупроводниках и в разработку теоретических основ технологии получения аморфных слоев с необходимыми функциональными свойствами для устройств электроники и оптоэлектроники.

Практическая значимость работы. В рамках выполненной работы получены новые данные, касающихся влияния условий синтеза аморфных слоев оксида алюминия, на их диэлектрические свойства. Эти результаты являются основой для составления научно-технических рекомендаций по практическому использованию изученного материала.

Результаты работы используются в учебном процессе при подготовке студентов, магистрантов и аспирантов на факультете физики РГПУ им. Герцена, обучающихся по магистерским программам в области физики конденсированного состояния вещества.

Связь темы с планом научных работ. Диссертационная работа являлась частью научных исследований лаборатории физики неупорядоченных полупроводников НИИ физики РГПУ им. А.И. Герцена и проводилась в рамках прикладных исследований по государственному заданию Министерства образования и науки Российской Федерации:

1. № 50/12-ГЗП «Синтез и исследование электрофизических свойств но-вых наноструктурированных композиционных материалов, перспективных для использования в микро- и оптоэлектронике».

2. № 43/13-ГЗП «Синтез, диэлектрическое и структурное исследование новых функциональных наноматериалов на основе органических и неорганических полимерных систем».

Результаты данного исследования были отмечены Дипломом III степени на Всероссийском молодежном конкурсе научно - исследовательских работ по фундаментальной и прикладной физике, проведенном в 2012 году Министерством образования и науки РФ на базе МГТУ им. Н. Э. Баумана (Москва, июль 2012 г.).

Достоверность и научная обоснованность обеспечивались комплексным характером исследования, корректностью использованных экспериментальных методик и воспроизводимостью результатов проведенных измерений, применением современных методов математической обработки данных, сопоставлением экспериментальных результатов с литературными данными.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих международных и всероссийских научных конференциях: «XII Всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и на-ноэлектронике» (Санкт - Петербург, 2010 г.); XII Международной конференции «Диэлектрики - 2011» (Санкт - Петербург, 2011 г.); Международной научно-практической конференции «Научные исследования современности. Выпуск 3» (Украина, Киев, 2011 г.); XII Всероссийском молодежном школе-семинаре по проблемам физики конденсированного состояния (Екатеринбург, 2011 г.); VIII Международной конференции «Аморфные и микрокри-

сталлические полупроводники - AMS VIII» (Санкт - Петербург, 2012 г.); Всероссийском молодежном конкурсе научно - исследовательских работ по фундаментальной и прикладной физике 2012 г. (Москва, 2012 г.) и научных семинарах НИИ Физики Российского государственного педагогического университета имени А. И. Герцена.

Публикации. По результатам исследования опубликовано 11 печатных работ, в том числе, 3 статьи в российских и зарубежных реферируемых журналах, 8 - в трудах всероссийских и международных научных конференций.

Личный вклад автора состоит в том, что ею получена основная часть экспериментальных результатов, проведена их интерпретация и подготовка к представлению. В опубликованных работах участвовала в постановке задач и обсуждении полученных результатов. Содержание основных положений, выносимых на защиту, раскрыто в 11 публикациях (из них 3 публикации в реферируемых журналах).

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 3 глав, заключения и списка литературы. В работе 131 страниц сквозной нумерации, 36 рисунков, 6 таблиц, список литературы включает 120 наименований.

Глава 1 Электрофизические свойства аморфного оксида алюминия (обзор литературы)

1.1. Структурные особенности кристаллических и аморфных модификаций оксида алюминия

1.1.1. Структурные особенности кристаллических модификаций

оксида алюминия

Оксид алюминия образует целый ряд кристаллических модификаций (а -, у -, щ - и др.), а также существует в аморфном состоянии [4, 5]. Известны две формы координации атомов кислорода около атома алюминия - тетраэд-рическая форма и октаэдрическая форма. Все кристаллические модификации А12Оз представляют собой смесь некоторого количества октаэдров и тетраэдров. Аморфную структуру оксида алюминия образуют также октаэдры и тетраэдры, которые могут содержаться в любых соотношениях [6] (как правило, число тетраэдров больше), соединенные в вершинах кислородными мостиками. При этом, они составляют беспорядочную пространственную атомную сетку из шестичленных колец и цепочек [7]. Связи внутри полиэдров возникают в результате перекрытия и гибридизации 5 - и р - орбиталей. Существенное увеличение расщепления АЕ в аморфном А1гО3 связано с уменьшением эффективного заряда в сфере А1. Направленность этих связей и их высокая энергия делают структурные группы достаточно жесткими. Плотность окси-

да алюминия, в зависимости от модификации, изменяется в пределах 3.5-4.0 г/см3 [8]. В ряде работ плотность аморфного оксида алюминия (корунт) при-

Л

нимается равной 3.97 г/см [9]. Для уплотнения аморфных пленок полученных методом молекулярного наслаивания используется отжиг. В ранних работах было установлено, что отжиг приводит к переходу аморфного А1203 в кристаллическую фазу у - А1203.

Наиболее распространенной и практически важной кристаллической модификацией оксида алюминия является корунд а - А1203, имеющий ромбоэдрическую кристаллическую структуру [10]. В структуре корунда атомы кислорода образуют неискаженную гексагональную плотную упаковку, а атомы алюминия располагаются симметрично в октаэдрических пустотах. Таким образом, каждый атом алюминия окружен 6 атомами кислорода, т. е. находится в октаэдрическом окружении (октаэдре), а атом кислорода окружен 4 атомами алюминия [11]. Другая модификация - у - А1203 является важным и распространенным материалом, который имеет кубическую структуру типа шпинели, но при некоторых условиях обнаруживает тетрагональную структуру [10]. Для данного соединения характерно соотношение тетраэдров и октаэдров 62.5 : 37.5 [12, 13]. Элементарная ячейка - моноклинная [12, 14].

В статье [15] методами, основанными на плотности функционала, исследовались изменения, происходящие в электронной структуре и диэлектрической константы полиморфных представителей оксида алюминия: устойчивой а - А1203 и три метастабильные фазы оксида алюминия к, 0 и у -А1203 (рисунок 1.1). Установлено, что расчетные значения ширины запрещенной зоны, находятся в соотношении а> к > в > у (Её = 6.72 эВ а - А1203, Еъ = 5.492 эВ к - А12Оъ, Е% = 4.40 эВ у - А12Оъ, Её = 5.04 эВ в - А12Оъ). Данная закономерность объясняется на основе электростатических потенциалов в конкретных узлах решетки; в то время как катионы, занявшие четырёхгранные участки объясняют понижение действительной части проводимости в

метастабильном оксиде алюминия, уменьшение ширины запрещенной зоны связаны с наличием вакансий вблизи валентной зоне у - А120^.

В работе [16] методом ортогонализованных линейных комбинаций атомных орбиталей (ОЛКАО) рассчитаны спектры энергетических потерь для кристаллической модификации в - А12Оз, для которой смесь тетраэдров и октаэдров получена в соотношении 50:50, элементарная ячейка - моноклинная.

Рисунок 1.1 - Элементарные ячейки А120^, изучаемых в работе: а -(гексагональная) а - А1203, б - к- А12Оз (орторомбическая), с - у - А12Оз (триклинная), и д - в - А1203 (моноклинная). Светлые и темные (в красном и фиолетовом цвете), сферы указывают атомы кислорода и алюминия,

соответственно [15]

1.1.2. Строение пленок аморфного оксида алюминия, полученного разными способами

Структура аморфного вещества с атомной точки зрения аналогична структуре жидкости. Поэтому аморфное тело можно рассматривать как переохлажденную жидкость. Аморфную структуру характеризуют следующие главные (структурные) характеристики: макроскопическая изотропность, наличие ближнего порядка и отсутствие дальнего порядка в расположении атомов. Аморфная структура имеет сложную субкристаллическую структуру, состоящую из микрокристаллических включений оксида. Размеры таких микрокристаллитов могут составлять от нескольких микрон до десятков ангстрем [17]. Понимание характеристик оксида в целом требует принимать во внимание этот кристаллоструктурный фактор. По сравнению с кристаллом оксида алюминия его аморфная структура, является более сложным объектом, физические свойства которого недостаточно изучены.

Большинство упоминаемых в литературе аморфных образцов синтезированные анодным оксидированием или радиочастотным осаждением, имеют значение длины связи А1 - О между 1.8 и 1.9 А, и значение координационного числа (к.ч.) А1 между 4.1 и 4.8. Что касается координационного числа, следует предполагать, что пропорция многогранников числа тетраэдров (АЮ4) и октаэдров (АЮ6) зависит от метода синтеза.

Слои аморфной пленки А1203 полученные анодированием алюминий в растворе кислоты [ 18] могут быть разделен на два типа. Первый тип - пористый слой ("внешний"), полученный в растворе кислоты, который позволяет частичное растворение А/203 (например, серная кислота). Второй - непорис-

тые, однородные внутренние тонкие слои ("барьер"), сформированный в растворах, которые не диссоциируют оксид алюминия (например, борат натрия).

Авторами [19] проведено электронографическое изучение пленки, полученной анодным окислением в электролите борной кислоте. Координаты пиков суммарных парных корреляционных функций (СПКФ) оказались равными 175, 275 и 320 им. Первая отвечает парам А1 - О, вторая - О - О и третья -AI - Al. В работе Поповой И.А. [20] были исследованы такие же пленки толщиной 5 нм при максимальном векторе рассеяния К = 185 нм"1. Координаты пиков суммарной СПКФ оказались равными 182, 310 и 420 пм. Средние к.ч. z(Al - О) = 6 и z(0 - Al) = 4 [21]. Таким образом, практически все атомы алюминия находились в октаэдрическом окружении.

В работе [22] приводятся результаты измерения рентгеновских и нейтронных спектров дифракции аморфных пленок оксида алюминия в образцах, подготовленных анодированием алюминиевой фольги. Авторы совместили рентген и нейтронные статические спектры дифракции, которые представляют полную парную функцию корреляции. Согласно их оценке, длина связи Al - О - 1.8 Â и Al число координации 4.1. Распределение координационных чисел оказалось Al - О 3 (20 %), 4 (56 %), и 5 (22 %). Таким образом, согласно этим результатам большинство атомов - тетраэдрически координированы. Предполагаемое расстояние между соседними самыми близкими атомами Al - Al около 3.2 À и координация 6, расстояние между соседними самыми близкими атомами О - О около 2.8 Â, угол связи Al - О - Al в тетраэдрах - 125 Предположительно диаметр пор в образцах приблизительно 140 А на расстоянии в среднем 340 À.

Авторы [23] исследовали методом молекулярной динамики (MD) структурные свойств аморфного А1203 полученного методом анодного окисления, используя парный потенциал. Моделирование позволило подробно исследовать структурные свойства аморфного оксида алюминия на микро-

скопическом уровне и определить отношения ближнего порядка. Моделирование показало, что аморфная структура главным образом состоит из тетра-эдрического расположения ЛЮ4, связанного с каждым другим углом. Распределение угла связи А1 - О - А1 достигало максимума при 120 что определяет ячейку с большинством трех - и четырехкратными кольцами, где тройные кольца являются плоскими, а четырехкратные кольца представляют более сложную структуру. Результаты показывают качественно схожие черты структуры жидкого оксида алюминия, и выше точки плавления и для переохлажденной жидкости. Полученные расчеты для аморфных структур показали общие черты со структурой поверхности у - глинозема при комнатной температуре. Результаты МО для систем с тремя различными плотностями 3.0,

Л

3.175 и 3.3 г/см , показывают увеличению числа координации элементарной ячейки с увеличением плотности, соответственно, увеличение чисел сверхко-ординированных многогранников (АЮ5, АЮв). Этот факт предполагает, что экспериментально полученные тетраэдрические и октаэдрические координации аморфного оксида алюминия, соответствуют различным плотностям образцов. Отмечается, что изменение числа координации А1 - О происходит из -за аморфно - аморфный фазовых переходов, который наиболее вероятно имеют место при более высоких плотностях.

В статье [24] приводятся результаты исследования методами рентгенографии и просвечивающей электронной микроскопии изменений атомной структуры и морфологии анодного оксида алюминия (АОА) пористого типа, отделенных от металлической подложки, при термическом воздействии в диапазоне температур Т= 113-1113 К. Исследуемые пористые АОА сформированы анодированием алюминия в растворе 3 % Н2С204 имели толщину 80 мкм [25]. Показано, что преобразования при нагреве Т < 973 К ограничиваются упорядочением катионной подрешетки АОА с сохранением её рентге-ноаморфности и типа взаимной координации А1 и О. Кристаллизация проис-

ходит в температурном интервале Т ~ 973 - 1113 К, к моменту её завершения состав АОА соответствует структурности фаз у - А120з и ó - А1203. Регулярное ячеистое строение сохраняется после отжига вплоть до Т~ 1223 К. Кристаллизация чистого аморфного А1203 развиваться быстрее, чем обогащенного анионами электролита.

Авторами работы [26] получена новая форма аморфного оксида алюминия в виде полых трубок длиной до 4 - 6 см и диаметром от 20 - 40 до 250 - 300 мкм, за счет нагревания в токе газа (водород, гелий, воздух) при нормальном давлении частично гидролизованного А1С1Ъ. Общая масса трубок, которые удавалось получить в одном опыте, составила 0.1-2 мг. Дифракто-грамма образца, а также данные локальной дифракции электронов свидетельствуют о том, что материал трубок аморфен. Отмечается, что дифрактограм-ма, полученная после выдерживания материала трубок при 900 °С в течение 2 ч, отвечает фазе а - А1203. Данные микроанализа, позволили установить, что трубки состоят, главным образом, из кислорода и алюминия, но содержат и небольшую (2 - 4%) примесь хлора, а в материале трубок по спектрам ядерного магнитного резонанса (ЯМР) атомы Al обладают октаэдрическим окружением атомами кислорода. В процессах формирования макротрубок, по данным ЯМР (21А1) - спектроскопии, участвуют только микрочастицы оксида алюминия, в котором атомы алюминия имеют октаэдрическое окружение. Другой тип оксида алюминия, не участвовавший в формировании трубчатых частиц и характеризующийся тетраэдрической координацией, был обнаружен в материале, оставшемся в лодочке.

Из разнообразия методов приготовления тонких пленок особое место занимает метод молекулярного наслаивания (МН), известный за рубежом как atomic layer epitaxy (эпитаксия атомных слоев) (ALE) или atomic layer deposition (осаждение атомных слоев) (ALD).

В работе [27] исследован эффект высокотемпературной электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) на пленках А12От, толщиной 20 нм, нанесенных на подложку кремния р - типа, ориентации (100), с сопротивлением 10 Ом см, с помощью метода атомного наслаивания (Atomic Layer Deposition, ALD) из триметилалюминия А1(СН3)3 и паров воды Н20. По данным дифракции электронов установлено, что пленки A12Oj, являются аморфными. Установлено, что эффект ЭСД значительно усиливается при нагреве. Обнаружен эффект разрушения пленки до появления чистого алюминия электронным пучком при нагреве подложки, процесс сопровождается формированием островков, а также по данным электронной оже - спектроскопии (ЭОС) областей практически чистой поверхности кремния при достижении некоторой дозы облучения. Показано, что вне облученной области даже при нагреве до 700 °С и отжиге в течение 90 минут пленка А1203 толщиной 20 нм остается сплошной. Исследовано влияние энергии пучка первичных электронов на эффект ЭСД для пленки А12От, толщиной 20 нм на кремнии и установлено, что скорость процесса зависит от энергии электронов в диапазоне 1000-2500 эВ, в то время как при энергии электронов 200 эВ ЭСД практически не наблюдается.

Структурные особенности аморфных пленок, полученных методом ALD, были исследованы в работе [28]. Исследовались аморфные пленки А12Оз полученные на кремниевых подложках р - Si (100) методом ALD. В качестве прекурсоров применялся триметилалюминия (ТМА, А1{СН3)3), в качестве источника металла и изопропиловый спирт (IPA, (СНз)2СНОН), в качестве источника кислорода, при температуре 250 °С. Скорость осаждения равна 0.8 А/цикл, что меньше чем при использовании водяного пара (1 А/цикл) вместо IPA. АСМ (атомно — силовая микроскопия) полученных пленок оксида алюминия толщиной 80 А показала, что они являются сплошными и состав пленки соответствует А120з, с неровностью поверхности около 3.5 А.

Использование основанного на углероде оксидного прекурсора, позволило получить безуглеродистые пленки (остаточное содержание углерода в пленках было ниже предела чувствительности масс - спектроскопии) со стехиометрией близкой А12Оз, А1 / О = 2:3.1. Методами ТЕМ (микроскопия электронов отдачи), ХР8 (рентгеновкая фотоэлектронная спектроскопия) и ХИТ) (дифракции ретгеновских лучей) обнаружено, что после отжига пленок при 800 °С в течение 5 мин на границе А120^!51 формируется граничный слой Б1А1хОу и БЮХ, толщина которого увеличивается при окисление в атмосфере 02, он же влияет на толщину оксидного слоя. У осажденных пленок, не подвергавшихся отжигу, граничный слой в приграничной области А1203 / 57 не наблюдался. Отмечается, что применение вместо 1РА воды (Н20) приводит к формированию граничного слоя Б1А1хОу и БЮК толщиной 12 А (без отжига). Толщина оксидного слоя БЮ2 составила 30 А после отжига в аргоне. Во время отжига неизбежны потери диэлектрической постоянной, которые минимизируются использованием 1РА. Были измерены вольт - амперные и вольт -фарадные характеристики пленок до и после отжига на частоте 1 МГц на конденсаторной структуре металл - оксид - полупроводник (МОП) /7//4/20з/£7 (толщина Рг 1000 А с диаметром на поверхности А12Оъ 160 мкм). Диэлектрическая постоянная пленок отожженных в аргоне оказалась равной 11, в то время как для пленок, отожженных в атмосфере кислорода, получилось значение - 9. Оказалось, что чем толще интерфейсный слой, тем ниже значение диэлектрической постоянной. Плотность тока утечки на 1 МВ/см уменьшается от ~ 10~6 А/см2 до 5-10"8 А/см2 и Г10"8 А/см2 после отжига в аргоне и в атмосфере 02, соответственно. Уменьшение тока утечки вызвано уплотнением пленки А1203. Вне зависимости от отжига, напряжение пробоя диэлектрика оказалось > 7 МВ/см.

Авторы [29] синтезировали пленки А1203 атомным слоевым осаждением (АЬЭ) при низких температурах (33 - 177 °С) в реакторе проточного типа при переменном подведении Л/(СЯ3)3 (триметилалюминия [ТМА]) и воды

Н20. Толщина пленок А1203 выращенных последовательностью 300 циклов реакций ALD увеличилась от 332 нм при 33 °С до 401 нм при 125 °С, затем незначительно уменьшилась до 375 при 177 °С, темпы роста пленки 1.11, 1.34 и 1.25 Á/цикл, соответственно. Толщина интерфейсного слоя Si02 между Al2Oi/Si составляла 13 ± 2 А. Низкотемпературные пленки Al203 ALD могут покрыть нагретые хрупкие подложки, такие как органические, полимерные, или биологические материалы. Исследовалась также зависимость свойств низкотемпературных пленок А1203 от температуры роста. Пленки наносились на кремниевые подложки (п - Si) (100) и датчики кварцевого микробаланса кристалла (QCM). Установлено, что плотности пленок А1203 уменьшаются с понижением температуры осаждения: плотность пленок 3.06

3 ^

г/см при 177 °С и 2.46 г/см при 33 °С. Изображения атомно-силовой микроскопии (AFM) показали, что А1203 пленки, выращенные методом ALD при низких температурах были очень гладкими с мощностью при которой может работать (RMS - Rated Maximum Sinusoidal - мощность, при которой усилитель или динамик может работать в течение одного часа с реальным музыкальным сигналом без физического повреждения. Обычно на 20—25 % выше мощности DIN.) неровность составляла 4 ± 1 А. Ток утечки и вольт - фарад-ные измерения показали хороший электрический свойства низкотемпературных пленок А12Оъ ALD, ток утечки <10-7 нА/см2 при напряжении 5 В для пленок синтезированных при 33 °С. Критическое поле пробоя уменьшилось немного с понижением температуры роста: от 4.4 МВ/см при 177 °С до 3.7 МВ/см при 33 °С. Диэлектрическая постоянная во всем температурном диапазоне составили в среднем е = 7.7 ± 0.4. Показатель преломления п пленок определяли методом спектральной эллипсометрии, обнаружено незначительное уменьшение п с понижением температуры: п = 1.60 при 177 °С, п= 1.52 при 33 °С. Элементный анализ пленок, полученный с использованием спектрометра отражения, показал наличие водорода (Н %), концентрация которо-

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Борисова, Татьяна Михайловна, 2014 год

Список литературы

1. Пасынков В.В., Сорокин B.C. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин. - М.: Высшая школа, 1986. - 368 с.

2. Тетельбаум, Д. И. Свойства наноструктур А1203:пс - Si, сформированных путем ионной имплантации кремния в сапфир и аморфные пленки оксида алюминия / Д. И.Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. В. Ершов, Е. А. Питиримова, С. М. Планкина, В. Н. Смирнов, А. И. Ковалев, R. Turan, S. Yerci, Т. G. Finstad, S. Foss // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51. -Вып. 2.-С. 385 -392.

3. Перевалов, Т. В. Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью / Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180. - № 6. - С. 587 - 603.

4. Калужский, H.A. Алюминия оксид / Н. А. Калужский, Ю. А. Волохов // Химическая энциклопедия. - Т. 1 / И. JI. Кнунянц, Н. С. Зефиров, H.H. Кулов и др. - М.: Советская энциклопедия, 1988. - С. 118 - 119.

5. Kaiyun Jiang Al202 Thin Films: Relation between Structural Evolution, Mechanical Properties, and Stability: Materials Chemistry Dissertation / Kaiyun Jiang. - Shaker Verlag, 2011. - №14 - 127 p.

6. Брытов, И. А. Рентгеноспектральное исследование электронного строения окислов кремния и алюминия / И. А.Брытов, Ю. Н. Ромащенко // ФТТ. -1978.-Т. 20.-С. 664.

7. Gutierrez, G. Atomistic simulation of densified amorphous alumina / G. Gutierrez // Revista Mexicana de Física. - 2002. - V. 48. - S 3. - P. 60 - 62.

8. Брытов. И. А. Электронные состояния в окислах по ультрамягким рентгеновским спектрам / И. А. Брытов, Ю. Н. Ромащенко // Аппаратура и методы рентгеновского анализа. - 1977. - сб. №19. - С. 168 - 178.

9. Физические величины: справочник / А. П. Бабичев, Н. А. Бабушкина, А. М. Братковский и др.; под. ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мейлихова. — М.: Энергоатомиздат, 1991. - 1232 с.

10. Gonzalo Gutierrez, Theoretical structure determination of у - Al203 / Gonzalo Gutierrez, Adrian Taga, Borje Johansson // Physical Review B. -2001. - V. 65.-Xo 1.-P. 012101 -1-4.

11. Wyckoff, R. W. G. Crystal Structures / R. W. G. Wyckoff// Interscience Publishers. - 1964. - V. 2. - P. 359 - 421.

12. Ching, W.Y. Ab initio study of the physical properties of у - Al2Oy. Lattice dynamics, bulk properties, electronic structure, bonding, optical properties, and ELNES/XANES spectra / W. Y. Ching, L. Ouyang, P. Rulis, Hongzhi Yao // Physical Review B. - 2008. - V. 78. - P. 014106 - 1 - 4.

13. Menéndez - Proupin, E. Electronic properties of bulk у - Al203 / E. Menéndez - Proupin, G. Gutiérrez // Physical Review B. - 2005 - V. 72. - №3 -035116- 1 -9.

14. B.A. Гриценко, И.Е. Тысченко, В.П. Попов, Т.В. Перевалов, Диэлектрики в наноэлектронике / [В.А. Гриценко, И.Е. Тысченко, В.П. Попов, Т.В. Перевалов]; отв. Ред. A.JI. Асеев; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников им. А.В Ржанова СО РАН, - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2010. - 258 с. (117-126).

15.Choong - Ki Lee Comparative study of electronic structures and dielectric properties of alumina polymorphs by first - principles methods / Choong - Ki Lee, Eunae Cho, Hyo - Sug Lee, Kwang Soo Seol, and Seungwu Han // Physical Review B. - 2007. - V. 76. - P. 245110- 1 - 7.

16.Kimoto, K. Coordination and interface analysis of atomic-layer-deposition А12Оъ on 5/(001) using energy - loss near - edge structure / K. Kimoto, Y.

Matsui, Т. Nabatame, Т. Yasuda, Т. Mizoguchi, I. Tanaka // Appl. Phys. Lett. -2003,-V. 83.-№21 - P. 24 (4306).

17.Марголин, В. И. Физические основы микроэлектроники: учебник для студ. высш. учеб. Заведений / В. И. Марголин, В. А. Жабрев, В. А. Тупик.

- М.: Издательский центр «Академия», 2008. - 400 с.

18.Young, L. Anodic Alumina Films / L. Young - London and New York: Academic Press, 1961. - 285 p.

19. A. M. Jones. Physical Chemistry. Glasses, 16, 992 (1975).

20. Попова, И.А. Электронографическое исследование структуры аморфных пленок А1203 / И.А. Попова // Изв. АН СССР. Неорганические материалы.

- 1978. - Т. 14. - № 10. - С. 1934 - 1936.

21.Попова И. А. Ближний порядок и межатомное взаимодействие в аморфных неметаллических пленках: диссертация : диссертация кандидата физ.

- мат. наук: 01.04.07 / Попова Ирина Александровна. - Воронеж, 2007. -153 с.

22.Lamparter, P. Structure of amorphous А1203/ P. Lamparter, R. Kniep // Physica B. - 1997. - V. 405. - P. 234 - 236.

23.Gutierrez, G. Molecular dynamics study of structural properties of amorphous Al203 / G. Gutierrez, B. Johansson // Physical Review B. - 2002. - V. 65. - P. 104202 - 1 - 6.

24.Яковлева, H. M. Термически индуцированные фазовые превращения в нанопористых оксидах алюминия / Н. М. Яковлева, А. Н. Яковлев, Е. А. Чупахина // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2006. - Т. 8. -№ 1.-С. 69-74.

25.Яковлева Н.М. Структурно-морфологические закономерности формирования нанопористых оксидов алюминия: диссертация доктор физ. - мат. наук: 01.04.07 / Яковлева Наталья Михайловна. - Петрозаводск, 2003. -362 с.

26. Бердоносов, С. С. Новая изящно текстуированная форма аморфного оксида алюминия в виде полых макротрубок / С. С. Бердоносов, С. Б. Баронов, Ю. В. Кузьмичева, Д. Г. Бердоносова, И. В. Мелихов // Вестник Московского Университета. - Химия. - 2002. - Т. 43. - № 1. - С. 64 - 67.

27.Иванченко, М.В. Усиление электронно - стимулированной десорбции от аморфных пленок оксида алюминия на кремнии при повышении температуры подложки / М.В. Иванченко, В.А. Гриценко, A.B. Непомнящий, A.A. Саранин // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82. - Вып. 5. - С. 115

- 119.

28.Woo - Seok Jeon, Atomic Layer Deposition of Al203 Thin Films Using Trime-thylaluminum and Isopropyl Alcohol / Woo - Seok Jeon, Sung Yang, Choon-soo Lee, Sang - Won Kanga // Journal of The Electrochemical Society. - 2002.

- V. 149. - № 6. - P. C306 - C310.

29.Groner, M. D. Low - Temperature Al203 Atomic Layer Deposition / M. D. Groner, F. H. Fabreguette, J. W. Elam, S. M. George // Chem. Mater. - 2004. -V. 16.-P. 639-645.

30. Сазонов, С. Г. Зарядовые свойства слоев оксида алюминия, синтезированных медом молекулярного наслаивания / С. Г. Сазонов, 3. И. Зулуев,

B. Е. Дрозд, И. О. Никифорова // Письма в ЖТХ. - 1998. - Т. 24. - Вып. 13.-С. 58 -63.

31. Дрозд, В. Е. Исследование зарядовых свойств МДП гетероструктур на основе оксида алюминия / В.Е. Дрозд, И.О. Никифорова // II Всероссийская конференция: Многомасштабное моделирование процессов и структур в нанотехнологиях (ММПСИ 2009). - 27 - 29 мая 2009. - М.: Санкт -Петербургский государственный университет, химический факультет. -

C. 149-151.

32. Перевалов, Т. В. Электронная структура объема и дефектов в а - А1203 / Т. В. Перевалов, А. В. Шапошников, В. А. Гриценко // Известия РГПУ им. А.И. Герцена. - Физика. - 2009. - № 79. С. 164-172.

33.Перевалов, Т. В. Электронная структура а - А^Оу. ab initio моделирование и сравнение с экспериментом / Т. В. Перевалов, А. В. Шапошников, В. А. Гриценко, X. Вонг, Ж. X. Хан, Ч. В. Ким // Письма в ПЖТФ. - Т. 85. -Вып. З.-С. 197-201.

34.Новиков, Ю. Н. Перенос заряда в оксиде алюминия: многофононный механизм ионизации ловушек / Ю. Н. Новиков, А. В. Вишняков, В. А. Гриценко, К. А. Насыров. // Известия РГПУ им. А.И. Герцена. - Физика. -2010.-№ 122.-С. 46-52.

35.Determination of interface energy band diagram between (100)5*/ and mixed Al - Hf oxides using internal electron photoemission / Afanas'ev V. V., Stesmans A., Tsai W. // Appl. Phys. Lett. - 2003. - V. 82. - 245. - Режим доступа: http://dx.doi.org/! 0.1063/1.1532550 . - 3 pages.

36. Nasyrov, K. A. Two - bands charge transport in silicon nitride due to phonon-assisted trap ionization / K. A. Nasyrov, V. A. Gritsenko, Yu. N. Novikov, E.H. Lee, S. Y. Yoon, C. W. Kim // J. Appl. Phys. - 2004. - V. 96. - № 8. - P. 4293 - 4296.

37.Борисенко, B.E. Наноэлектроника - основа информационных систем XXI века / B.E. Борисенко // Соросовский Образовательный Журнал. - 1997. -№2.-С. 100 - 104.

38.Аверьянов, Е. Е. Справочник по анодированию: учебное пособие / Е. Е. Аверьянов. - М.: Машиностроение, 1988. - 224 с.

39.Мошников, В. А. Золь - гель - технология наноструктурированных материалов / В. А. Мошников, О. А. Шилова // Нанотехнология: Физика, процессы, диагностика, приборы; под ред. В. В. Лучинина, Ю. М. Таирова. -М.: Физматлит, 2006. - С. 205 - 249.

40.Смирнов, В. И. Физико-химические основы технологии электронных средств: учебное пособие / В. И. Смирнов. — Ульяновск: УлГТУ, 2005.— 112 с.

41.Т. Suntola, M.J. Antson. Finland Patent. - 1977. - № 51742.

42.Puurunen, R. Surface chemistry of atomic layer deposition: a case study for the trimethylaluminum / water process / R. Puurunen // Journal of Applied Physics. - 2005. - V. 97. - С 121301-121352.

43.Spagnola, J. C. Atomic Layer Deposition on Fiber Forming Polymers and Nonwoven Fiber Structures: A dissertation submitted to the Graduate Faculty of North Carolina State University in partial fulfillment of the requirements for the degree of Doctor of Philosophy / Spagnola Joserh Charles - Materials Science and Engineering, Raleigh, North Carolina, 2010.-388 p.

44. № 3 (3725), 22 февраля 2006 года / Санкт-Петербургский Университет / http://www.spbumag.nw.ru/2006/03/17.shtml - 10.11.2009.

45.Suntola, Т., Antson, J. Method for Producing Compound Thin Films. U.S. Patent № 4,058,430, Issued Nov. 25, 1977 (15 November 1977).

46.Малыгин, А. А. От химических реакций на поверхности твердых тел к нанотехнологии молекулярного наслаивания / А. А. Малыгин // Известия Санкт-Петербургского государственного технологического института (технического университета). - 2007. - №1. - Т. 27. - С. 14 - 24.

47.Малков, А. А. Термические превращения в структуре А1203 - ТЮ2 с различной технологической предысторией / А. А. Малков, Н. В. Захарова, С. А. Морозов, А. А. Малыгин // Известия Санкт Петербургского государственного технологического института (технического университета). -2008. - № 3. - Т. 29. - С. 57 - 63.

48.Малыгин, А. А. Технология молекулярного наслаивания и некоторые области ее применения / А. А. Малыгин // ЖПХ. - 1996. - Т. 69. - № 10. - С. 1585 - 1593.

49.Семикина, Т.В. Атомное послойное осаждение как нанотехнологический метод для получения функциональных материалов (обзор) / Т. В. Семи-кина // Ученые записки Таврического национального университета имени

В.И. Вернадского. - Серия «Физика». - 2009. - Т. 22 (61). - № 1. - С. 116 -126.

50.Смирнов, В. И. Физико - химические основы технологии электронных средств: учебное пособие / В. И. Смирнов. - Ульяновск: УлГТУ, 2005. -112 с.

51.Алесковский, В.Б. Химия надмолекулярных соединений: учебное пособие / В. Б. Алесковский. - СПб.: Изд - во С. - Петербург, ун - та, 1996. - 256 с.

52.Фролов, Ю. Г. Курс коллоидной химии: поверхностные явления и дисперсные системы / Ю. Г. Фролов. - М.: Химия, 1989. - 464 с.

53.Лифшиц, В. Г. Поверхностные фазы и выращивание микроэлектронных структур на кремнии / В. Г. Лифшиц // Соросовский Образовательный Журнал.- 1997.-№2.-С. 107- 115.

54.Puurunen, R. L. Correlation between growth-per-cycle and the surface hydrox-yl group concentration in the atomic layer deposition of aluminum oxide from trimethylaluminum and water / R. L. Puurunen // Appl. Surf. Sci. - 2005 - V. 245.-P. 6- 10.

55.Ritala, M. Handbook of thin film materials: In 2 vol. / M. Ritala, M. Leskela, H. Editor Nalwa - New York: Academic Press, 2002. - V. 1: Deposition and processing of thin films. - Chapter 2: Atomic layer deposition. - 103 p.

56.Atomic Layer Deposition / Cambridge Nano Tech. - 2009. - Режим доступа: http: //www.cambridgenanotech.com/ald- 10.11.2009.

57.Толстой, В.П. Реакции ионного наслаивания: применение в нанотехноло-гии / В. П. Толстой // Успехи химии. - 2006. - № 2. - С. 183 - 199.

58.Barabasi, A.L. Fractal concepts in surface growth / A. L. Barabasi, H. E. Stanley. - Cambridge University Press, 1995. - 388 p.

59.Ritala, M. Atomic layer epitaxy - a valuable tool for nanotechnology? / M. Ritala, M. Leskela // Nanotechnology. - 1999. - V. 10. - P. 19 - 24.

60.Puurunen, R. L. Successive reactions of gaseous trimethylaluminium and ammonia on porous alumina / R. L. Puurunen, M. Lindblad, A. Root, А. О. I. Krause // Phys. Chem. Chem. Phys. - 2001. - V. 3. - P. 1093 - 1102.

61.Ritala, M. Leskela, M., in Handbook of Thin Film Materials, ed. Nalwa, H.S., - Academic Press, New York, 2002. - V. 1. - P. 103 - 159.

62.Алесковский, В. Б. Химия надмолекулярных соединений: учеб.пособие / В. Б. Алесковский. - Спб: Изд - во С. - Петербург, ун - та, 1996. - 256 с.

63.Conley, Jr. Atomic Layer Deposition of Hafnium Oxide Using Anhydrous Hafnium Nitrate / Jr. Conley, J.F. Ono, Y. Zhuang, W. Tweet, D.J. Gao, W. Mohammed S.K., Solanki, // Electrochem. Solid - State Lett. - 2002. - V. 5. -P. 57 - 59.

64.Suntola, T. Thirty Years of ALD. An Invited Talk at AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2004) / T. Suntola // University of Helsinki: Helsinki, Finland. - 2004. - August 16 - 18, - (oral presentation).

65.Puurunen, R. L. Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for the trimethylaluminum/water process / R. L. Puurunen // J. Appl. Phys. - 2005. -V. 97.-P. 121301 - 121352.

66.Haussman, D. M. Atomic Layer Deposition of Metal Oxide Thin Films: doctoral dissertation: Chemistry / Hausmann Dennis Michael. - Harvard University, Cambridge, Massachusets, 2002. - 175 p.

67.Ахадов, Я. Ю. Диэлектрические свойства чистых жидкостей: справочник / Я. Ю. Ахадов, Гос. ком. стандартов Совета Министров СССР. - М. : Изд-во стандартов, 1972 . -412 с.

68.Кастро, Р.А. Исследование процессов переноса и накопления заряда в слоях As2Se3, полученных разными методами / Р. А. Кастро, В. А. Бордов-ский, Г. И. Грабко // Физика и химия стекла. - 2009. - Т. 35.- № 1. - С. 5457.

69.Кастро, P.A. Диэлектрические свойства модифицированных слоев As2Se3(Bi)x / Р. А. Кастро, Н. И. Анисимова, В. А. Бордовский, Г. И Грабко // ФТТ. - 2009. - Т. 51. - № 6. - С. 1062-1064.

70.Кастро, P.A. Процессы зарядообразования в аморфных слоях As2Se3 легированных висмутом / Р. А. Кастро, В. А. Бордовский, Г. И. Грабко // Сборник материалов Всероссийской научно-практической конференции «Физические явления в конденсированном состоянии вещества». Чита. -22-24 июня 2009. - С. 111-115.

71.Кастро, P.A. Исследование влияния изменения структуры на энергетический спектр релаксаторов разупорядоченной халькогенидной полупроводниковой системы As-Se / Р. А. Кастро, Н. И. Анисимова, В. А. Бордовский, Г. И. Грабко, Т. В.Татуревич // Известия Российского государственного университета им. А.И. Герцена. - 2011. -№ 138. - С. 52-57.

72.Кастро, P.A. Исследование диэлектрических процессов в аморфных пленках (As2Se3)uxBix / Р. А. Кастро, Г. И. Грабко // ФТП. - 2011. - Т.45. - № 5.-С. 622-624.

73.Кастро, P.A. Исследование структуры аморфной полупроводниковой системы As-Se релаксационными методами / Р. А.Кастро, В. А. Бордовский, Г. И. Грабко, Т. В.Татуревич // ФТП. - 2011. - Т .45. - № 12. - С. 16461651.

74.Анисимова, Н.И. Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе тонких слоев триселенида мышьяка, модифицированных висмутом / Н. И. Анисимова, В. А. Бордовский, Г. И. Грабко, Р. А. Кастро // ФТП. - 2010. - Т. 44. -№ 8. - С. 1038-1041.

75.Кастро, P.A. Релаксационные явления в слоях As2Se3(Bi)x / Р. А. Кастро, Г. И. Грабко // Физика и химия стекла. - 2010. - Т. 36. - № 5. - С. 711-716.

76.Афанасьев В.П., Кастро P.A., Петров A.A., Соколова И.М., Чигирев Д.А. Низкочастотная диэлектрическая спектроскопия покрытий на основе эпоксидных композитов / В. П. Афанасьев, Р. А. Кастро, А. А. Петров, И.

М. Соколова, Д. А. Чигирев // Тезисы Докладов XXI Всероссийского совещания по температуроустойчивым функциональным покрытиям. Санкт-Петербург. - 26-28 апреля 2010 г. - С. 80-81.

77.Abreu, С. М. Comparative study of passive films of different stainless steels developed on alkaline medium / С. M. Abreu, M. J. Cristobal, R. Losada, X. R. Novoa, G. Репа, M. C. Perez // Electrochim. Acta. - 2004. - V. 49. - P. 3049 -3056.

78.Barsoukov, E. Impedance spectroscopy: theory, experiment and application: Second Edition / E. Barsoukov, J. R. Macdonald. - N. Y.: Willey, 2005. - 595 P-

79.Kramer, F. Dielectric spectroscopy - yesterday, today and tomorrow / F. Kramer // J. Non - Cryst. Solids. - 2002. - V. 305. - P. 1 - 9.

80.Стойнов, 3. Б. Электрохимический импеданс / 3. Б. Стойнов, Б. М. Графов, Б. Савова - Стойнова, В. В. Елкин. - М.: Наука, 1991. - 336 с.

81.Вендик, И.Б. Релаксационная модель динамических механических и диэлектрических характеристик полимерных материалов / И. Б.Вендик, О. Г.Вендик, В. П.Афанасьев, И. М.Соколова, Д. А.Чигирев, Р. А. Кастро // Материалы XII межд. конф. «Диэлектрики 2011». СПб. - 2011. - Т. 1. - С. 216-219.

82.Кастро, Р. А. Низкочастотная диэлектрическая спектроскопия тетразол-содержащих полимеров / Р. А. Кастро, В. А. Бордовский, Е. Н. Лушин, М. С. Литвинова // Материалы Всероссийского инновационного форума «Современные тенденции химической технологии и теплоэнергетического комплекса (технологии XXI века)». Бийск. - 2-4 июня 2011 г. - С. 9497.

83.Macdonald, D. D. Reflections on the history of electrochemical impedance spectroscopy / D. D. Macdonald // Electrochim. Acta. - 2006. - V. 51. - P. 1376- 1388.

84.Соколов, А. А. Андрей Александрович Изучение электронного и атомного строения межфазовых границ и нанослоев диэлектриков, синтезированных на кремнии: автореф. дис. на соискание ученой степени канд. физ. -мат. наук: 01.04.07 / Соколов Андрей Александрович. - Санкт-Петербург, 2010. - с.

85.Сазонов С.Г., Дрозд В.Е., Зулуев З.Н., Никифорова О.Е. // Материалы международной научно-технической конференции «Диэлектрики-97» СПб, 1997, с. 66-68

86.Борисова, Т.М. Сканирующая электронная микроскопия некристаллических пленок оксида алюминия, синтезированных методом молекулярного наслаивания / Т. М. Борисова, Р. А. Кастро // Сборник трудов VIII международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники - AMS VIII». Санкт-Петрбург, - 2-5 июля 2012. - С. 95-96.

87.Gosset, L. G. Interface and material characterization of thin А12Оъ layers deposited by ALD using TMA / H20 / L. G. Gosset, J. - F. Damlencourt, O. Renault, D. Rouchon, Ph. Holliger, A. Ermolieff, I. Trimaille, J. - J. Ganem, F. Martin, M. - N. Semeria // Journal of Non - Crystalline Solids, Section 2: ALCVD of high - k dielectrics - deposition and characterization. - 2002. - V. 303. - P. 17 - 23. - Режим доступа: www.elsevier.com/locate/inoncrysol.

88.Сазонов, С. Г. Зарядовые свойства слоев оксида алюминия, синтезированных методом молекулярного наслаивания / С.Г. Сазонов, З.Н. Зулуев,

B.Е. Дрозд, И.О. Никифорова / Письма в ЖТФ. - 1998. - Т. 24. - № 13. -

C. 58 - 63.

89.Поплавко, Ю. М. Физика активных диэлектриков: учебное пособие / Ю. М. Поплавко, J1. П. Переверзева, И. П. Раевский ; под ред. проф. В. П. Сахненко. - Ростов н / Д: Изд - во ЮФУ, 2009. - 480 с.

90.Jakschik, S. Cristallization behavior of thin ALD - A1203 films / Stefan Jak-schik, Uwe Schroeder, Thomas Hecht, Martin Gutshce, Harald Seidl, Johann W. Bartha // Thin solid films. - 2003. - V. 425 - P. 216 - 220.

91.Argall, F. Dielectric properties of thin films of aluminium oxide and silicon oxide / F. Argali, A. K. Jonscher // Thin Solid Films. - 1968. - V. 2. - P. 185 -210.

92.Борисова,Т. M. Диэлектрическая релаксация в МДП - структурах на основе оксида алюминия / Т. М. Борисова, Р. А. Кастро // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. Естественные и точные науки. Физика. - 2012. - №144. - С. 45-51.

93.Леонова, Т. М. Поляризационные свойства тонких пленов оксида алюминия, синтезированных методом молекулярного наслаивания / Т. М. Леонова, Р. А. Кастро // Двенадцатая всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой оп-то - и наноэлектронике. Тезисы докладов. СПб.: Изд - во Политехнического университета. - 25 - 29 октября 2010 г. - С. 21.

94.Kremer, К. Broadband dielectric spectroscopy / Kremer К., Schonhals А. (Eds.). - Berlin Heidelberg: Springer, 2003. - 729 c.

95.Борисова, T. M. Прыжковая проводимость в тонких слоях аморфного оксида алюминия А120з / Т. М. Борисова, Р. А. Кастро // Журнал «Естественные и технические науки» и издательство «Спутник +». Теория и практика в физико - математических науках: Материалы III Международной научно - практической конференции (13.02.2012). - М.: Изд - во «Спутник +». - 2012. - С. 19 - 26.

96.Борисова, Т. М. Перенос заряда в тонких слоях аморфного А1203, полученных методом молекулярного наслаивания / Т. М. Борисова, Р. А. Кастро // Труды Всероссийского молодежного конкурса научно - исследовательских работ по фундаментальной и прикладной физике. Москва. -2012.-4.2.-С. 83-87.

97.Borisova, Т. М. Mechanism of charge transport in Si / Al203 / Al structures / T. M. Borisova, R. A. Castro // Journal of Physics: Conference Series (J. Phys.: Conf. Ser.).-2013,-№461.-p. 012017 - 1 -5.

98.НШ, R. M. Hopping conduction in amorphous Solids / R. M. Hill // Phil. Mag. - 1971.-V. 24.-P. 1307- 1323.

99.MOTT, H. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт, Э. Дэвис. - М.: Мир, 1974. - Т. 1. 472 с.

100. Pollak, М. Frequency dependence of conductivity in amorphous solids / M. Pollak // Phil. Mag. - 1971. - V. 23. - P. 519 - 542.

101. Корзо, В.Ф. Аморфные полупроводники / В. Ф. Корзо // Зарубежная радиоэлектроника. - 1971. - Т. 24. -№ 3. - С. 244 - 276.

102. Балашова, Е.В. Диэлектрическая проницаемость и проводимость пленок триглицинсульфата на подложках Al / Si02 и а - Л1203 / Е. В. Балашова, Б. Б. Кричевцов, В. В. Леманов // ФТТ. - 2010. - Т. 52. - № 1. - С. 119123.

103. Choong - Ki Lee, Comparative study of electronic structures and dielectric properties of alumina polymorphs by first-principles methods / Choong - Ki Lee, Eunae Cho, Hyo-Sug Lee, Kwang Soo Seol, Seungwu Han // Physical review. - 2007. - № 76. - C. 245110 - 1 - 7.

104. Новиков, Ю.Н. Многофононный механизм ионизации ловушек в А1203: эксперимент и численное моделирование / Ю. Н. Новиков, В. А. Гриценко, К. А. Насыров // Письма в ЖЭТФ. - 2009. - Т. 89. - Вып. 10. - С. 599 -602.

105. Лебедев, М.С. Тонкопленочные композиции на основе диоксида гафния и оксида алюминия: синтез и характеризация : автореф. дис. на соискание ученой степени канд. хим. наук : 02.00.04 / Лебедев Михаил Сергеевич. - Новосибирск, 2010, - 20 с.

106. Ламперт, М. Инжекционные токи в твердых телах / М. Ламперт, П. Марк. - М.: Мир, 1973.-416 с.

107. Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт. - М.: Мир, 1982. - 652 с.

108. Лазарев В.Б. Электропроводность оксидных систем и пленочных структур / В.Б. Лазарев, В.Г. Красов, И.С. Шаплыгин. - М.: Наука, 1979. -168 с.

109. Frenkel, Ya. I. On pre - breakdown phenomena in insulators and electronic semi-conductors / Ya. I. Frenkel // Phys. Rev. - 1938. - V. 54. - P. 647 - 648.

110. Murgatroyd, P. N. Theory of space - charge - limited current enhanced by Frenkel effect / P. N. Murgatroyd // J. Phys. D: Appl. Phys. - 1970. - V. 3. - № 2. - P. 151-156.

111. Борисова, T.M. Влияние режима синтеза оксидного слоя на диэлектрические свойства структур SilAl203IAl / Т. М. Борисова, Р. А. Кастро // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. Естественные и точные науки. Физика. - 2013. - № 154. -С. 53-64.

112. Борисова, Т.М. Исследование диэлектрических свойств тонких пленок оксида алюминия, выращенных методом молекулярного наслаивания / Т. М. Борисова, Р. А. Кастро // Труды Московского физико-технического института.-2013.-Т. 5.-№ 1.-С. 21-24.

113. Борисова ,Т. М. Влияние условий синтеза на диэлектрические свойства МДП - структур на основе оксида алюминия / Т. М. Борисова, Р. А. Кастро // Сборник материалов международной научно - практической конференции "Научные исследования современности. Выпуск 3". Украина, Киев.-25 октября 2011.-С. 127-131.

114. Борисова, Т.М. Влияние толщины оксидного слоя на диэлектрические свойства МДП - структур на основе оксида алюминия / Т. М. Борисова, Р. А. Кастро // XII Всероссийская молодёжная школа - семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества СПФКС-12. Екате-ренбург. - 2011. - С. 158.

115. Ahmed Farag, I. S. Study of dielectric properties of a-alumina doped with MnO, CdO and MoO /1. S. Ahmed Farag, I. K. Battisha, M. M. El-Rafaay // Indian Journal of Pure & Applied Physics. - 2005. - № 43. - C. 446 - 458.

116. Yakovleva, N. M. Structure and Properties of Anodic Aluminum Oxide Films Produced in HN03 Solutions / N. M. Yakovleva, L. Anicai, A. N. Ya-kovlev, L. Dima, E. Ya. Khanina, E. A.Chupakhina // Inorganic Materials. -2003. - T. 39. - № 1. - C. 50 - 56.

117. Борисова, T. M. Диэлектрические свойства МДП - структур на основе оксида алюминия / Т. М. Борисова, Р. А. Кастро // Материалы XII международной конференции " Диэлектрики-2011". Санкт-Петербург. - 23-26 мая2011.-С. 356-359.

118. Davis, Е.А. Conduction in non - crystalline systems. V. Conductivity, optical absorption and photoconductivity in amorphous semiconductors / E. A. Davis, N. F. Mott // Phil. Mag. - 1970. - V. 22. - № 179. - P. 903 - 922.

119. Hill, R.M. Hopping conduction in amorphous Solids / R. M. Hill // Phil. Mag. - 1971.-V. 24.-P. 1307 - 1323.

120. Орешкин, П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков: учебное пособие / Орешкин, П.Т. - М.: Высш. школа, 1977. - 448 с.