Получение кристаллов новых сверхпроводящих, сегнетоэлектрических и родственных фаз оксидных систем, изучение их структуры и свойств тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, доктор технических наук Буш, Александр Андреевич

• Буш, Александр Андреевич
• доктор технических наук
• 2006

Оглавление диссертации доктор технических наук Буш, Александр Андреевич

ВВЕДЕНИЕ . .И

Глава 1. СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И

РОДСТВЕННЫЕ ВЕЩЕСТВА

1.1. Сверхпроводящие вещества

1.1.1. Классификация сверхпроводников по их составу и структуре

1.1.2. Прогресс в повышении СП критических параметров

1.1.3. Особенности структуры и свойств оксидных НТСП

1.1.3.1. Сверхпроводящие оксиды ТЮ„ ЫЬО* и \Ох

1.1.32. Сверхпроводимость ЦД^./^ со структурой шпинели

1.1.3.3. Сверхпроводящие оксиды со структурой перовскита

1.1.3.4. Сверхпроводящие XV- (Мо-, Яе-, V-) оксидные бронзы

1.1.3.5. Сверхпроводящие оксиды со структурой пирохлора

1.1.3.6. Сверхпроводящие ниобаты

1.1.3.7. Сверхпроводимость NaxCo02•^>H

1.1.4. Высокотемпературные сверхпроводники

1.1.4.1. Открытие высокотемпературной сверхпроводимости

1.1.4.2. Структурная классификация ВТСП фаз

1.1.5. Возможности практического использования ВТСП, проблема «слабых связей» в ВТСП и пути ее решения

1.2. Сегнетоэлектрические и родственные вещества

1.2.1. Полярные кристаллы, сегнегоэлектрики, особенности их структуры и свойств

1.2.2. Основные классы сегнетоэлектрических соединений

1.2.3. Родственные к сегнетоэлектрикам вещества

1.2.4. Использование сегнетоэлектриков в технике

1.3. Анализ литературных данных и постановка задач исследований

Глава 2. ПОЛУЧЕНИЕ ОБРАЗЦОВ И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1. Получение образцов

2.1.1. Исходные реактивы

2.1.2. Синтез керамики

2.1.3. Раствор-расплавная кристаллизация

2.1.4. Метод бестигельной зонной плавки

2.1.5. Метод Чохральского

2.1.6. Гидротермальный синтез

2.1.7. Приготовление образцов для электрофизических исследований

2.2. Рентгеноспектральные исследования

2.3. Рентгенографические исследования

2.4. Термограв1ме1])ические исследования

2.5. Магнитные измерения

2.6. Измерения удельного электрического сопротивления

2.7. Диэлектрические измерения

2.8. Пьезоэлектрические исследования

2.9. Пироэлектрические исследования

2.9.1. Квазистатический метод

2.9.2. Динамический метод .^.

2.10. Изучение генерации второй гармоники .'

2.10. Другие исследования

Глава 3. R-123 И РЬ-СОДЕРЖАЩИЕ ВТСП, А ТАКЖЕ РОДСТВЕННЫЕ

ИМ ФАЗЫ

3.1. Фазовые соотношения в системах R^CVBaO-CuOi+g, R=Y, Lu, La, структура и свойства образующихся в них соединений

3.1.1. Фазовые соотношения в системах R203-Ba0-Cu0)+s, R=Y, Lu, La

3.1.2. Содержание кислорода в фазе Y

3.1.3. Выращивание монокристаллов и их химический анализ

3.1.4. Рентгеноструктурные исследования кристаллов УВагСизО^

3.1.5. Рентгеноструктурные исследования кристаллов РгВаг^иДОзО^

3.2. Получение и свойства образцов фазы Pb2Sr2(Cao,5Y0?5)Cu3Og+

3.3. Сверхпроводящие кристаллы состава (Yo,54Ca0>46)Sr2Cu2(Pbo,75Cuo,25)0>,

3.3.1. Синтез, рентгеновский и РСМ анализы кристаллов

3.3.2. Магнитные измерения

3.3.3. Семейство СП фаз (Ml,M2)M32Cu2(M4,M5)0„ Ml, М2 =Y, Са, R, M3=Ba,Sr,M3,M4 = Cu,Pb,Tl

3.4. Монокристаллы фаз, сопутствующих при кристаллизации СП купратам

3.4.1. Получение кристаллов, их рентгеновский и РСМ анализы

3.4.2. Кристаллы (А^А'^нСигА, А = Sr, Ca, Ва, А' = Y, La, Bi

3.4.3. Кристаллы фазы Y2BaCu

3.4.4. Кристаллы YjBaiPtCÜOg

3.4.5. Кристаллы Y2Ba3Cu2PtO,о

3.4.6. Кристаллы Ва2СизС 3.4.7. Крийалдал (eao,86Sro,u)Cu02, (Sr,*Ca*)Cu02, (Sr,.xCe>2CiiOi BaCu

3.4.8. Кристаллы (Ba,Sr)Al

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение кристаллов новых сверхпроводящих, сегнетоэлектрических и родственных фаз оксидных систем, изучение их структуры и свойств»

5.2.3.2. Изучение влияния на поперечные ВАХ величины продольного тока 186

5.2.3.3. Обсуждение управляющих характеристик кроссотрона .186

5.2.4. Использование полученных образцов ВТСП и сопутствующих их фаз в научных и прикладных исследованиях .198

Основные результаты и выводы по главе 5 .190

Глава 6. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ОКСИДНЫХ СИСТЕМ, ВЫЯВЛЕНИЕ НОВЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И РОДСТВЕННЫХ, ПОЛУЧЕНИЕ И ИЗУЧЕНИЕ ИХ КРИСТАЛЛОВ .195

6.1. Диаграмма состояний системы РЬ0-Мп203, выращивание и изучение монокристаллов Pb3Mn60i3 .195

6.1.1. Построение фазовой диаграммы системы, ее особенности .195

6.1.2. Выращивание кристаллов фазы РЬМпгОу .198

6.1.3. Свойства кристаллов РЬМпгОу .198

6.2. Фазовая диаграмма системы Pb0-Sb203 в присутствии кислорода воздуха, получение монокристаллов фаз этой системы .200

6.2.1. Фазовая диагр&Ум&^Штемы, ее особенности .202

6.2.2. Фазы системы и их основные характеристики .202

6.2.3. Получение кристаллов РЬгвЬгО? со структурой типа веберита и их полярные свойства .205

6.3. Изучение кристаллов фаз системы Pb0-Ge02 и родственных им фаз .209

6.3.1. Кристаллы фаз систем Pb0-Ge02 и PbO-SiOi (литературные данные) .209

6.3.2. Уточнение фазовой диаграммы системы РЬО-веОг .210

6.3.3. Выращивание и изучение кристаллов PbGe^ .212

6.3.3.1. Получение кристаллов .212

6.3.3.2. Кристаллическая структура 1.214

6.3.3.3. Результаты диэлектрических и пироэлектрических измерений . 216

6.3.3.4. Пьезоэлектрические измерения .217

6.3.3.5. Нелинейно-оптические свойства кристаллов PbGe^ .217

6.3.3.6. Заключение .221

6.3.4. Диэлектрические и пироэлектрические исследования кристаллов Pb3Ge05 221

6.3.4.1. Выращивание кристаллов, их рентгеновский и РСМ анализы . 221

6.3.4.2. Диэлектрические и пироэлектрические свойства .222

6.3.5. Кристаллы фаз системы Pb0-Si02 .224

6.3.5.1. Получение образцов .224

6.3.5.2. Рентгенографические и ИК спектроскопические исследования .225

6.3.5.3. Диэлектрические исследования .228

6.3.5.4. Сопоставление фаз систем Pb0-Si02 и РЬСМЗеОг .229

6.3.6. Выращивание и исследование монокристаллов МРЬв^езС^з, М - Ва, Cd,

Zn со структурой барисилита и Pb3Bi2(Ge04)3 со структурой апатита .230

6.3.6.1. Выращивание монокристаллов .231

6.3.6.2. Результаты диэлектрических и пироэлектрических измерений . 233

6.4. Кристаллы фаз систем Bi203-Ge02 и Bi203-Si02 .234

6.4.1. Выращивание и исследование монокристаллов Bi2GeC>5 и Bi2Si05 .235

6.4.1.1. Выращивание кристаллов .235

6.4.1.2. Рентгеновский &йё£из кристаллов и их ИК спектры .236

6.4.1.3. Изучение температурных зависимостей ГВГ .237

6.4.1.4. Диэлектрические и пироэлектрические измерения .237

6.4.1.5. Рентгеноструктурное исследование германата висмута Bi2Ge05 . 239

6.4.1.5.1. Методика эксперимента и их результаты .239

6.4.1.5.2. Анализ кристаллической структуры .242

6.4.1.6. Кристаллы новой фазы Bi4V20i i системы Bi203-V205 .244

6.4.1.6.1. Получение образцов .244 кйхша'.г

6.4.1.6.2. Рентгеновский анализ и ИК-спектры .245

6.4.1.6.3. Кристаллы ВЦУгОц - основа семейства новых материалов BIMEVOX 246

6.4.2. Кристаллы Bi2Ge309 .,.246

6.4.3. Обсуждение результатов изучения кристаллов систем Bi203-Ge02 и Bi203-Si02 .247

6.5. Кристаллы фаз системы Bi203-V205 . .248

6.5.1. Литературные данные о фазах системы Bi203-V205 .248

6.5.2. Получение кристаллов .249

6.5.3. Результаты рентгенографических исследований .251

6.5.4. Особенности температурных зависимостей ГВГ .253

6.6. Выращивание и пироэлектрические свойства монокристаллов BiFe03 .256

6.6.1. Выращивание монокристаллов .256

6.6.2. Результаты диэлектрических и пироэлектрических измерений и их об суждение .258

6.7. Кислородно-тетраэдрические кристаллы АХ2О4 (А=Ва, Sr, Х=А1, Ga): получение, свойства и особенности фазовых переходов .261

6.7.1. Выращивание монокристаллов .261

6.7.2. Рентенодифракционные исследования .262

6.7.3. Генерация второй оптической гармоники .263

6.7.4. Электрофизические свойства .264

6.7.5. Обсуждение результатов .267

Основные результаты и выводы по главе 6 .267

Глава 7. ИЗУЧЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

СИНТЕЗА НА СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕ-СКИХ И РОДСТВЕННЫХ ФАЗ; ПОЛУЧЕНИЕ И ИЗУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ НОВЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ .275

7.1. Сегнетоэлектрические кристаллы Pb5Ge30| 1 .275

7.1.1. Выращивание кристаллов Pb5Ge30] i .276

7.1.2. PMC А и РФА кристаллов .279

7.1.3. Диэлектрические исследования Pb5Ge30i 1 .280

7.1.3.1. Результат^ Щвйёйфических измерений .280

7.1.3.2. Влияние на диэлектрические свойства разных факторов .282

7.1.3.3. Природа низкотемпературных диэлектрических аномалий .287 л r* „ (лШкк?- „, л л

7.1.4. Свойства сегнетоэлектрических кристаллов РЬ5иезОц, выращенных методом гидротермального синтеза .289

7.1.4.1. Результаты диэлектрических и пироэлектрических измерений .289

7.1.4.2. Заключение .291

7.1.5. Основные результаты диэлектрических исследований кристаллов

Pb5Ge3On .v.;.292

7.2. Сегнетоэлектрические кристаллы I^GerO^ .293

7.2.1. Выращивание кристаллов .293

7.2.2. Диэлектрические свойства .294

7.2.3. Пироэлектрические свойства .295

7.2.4. Обсуждение результатов .298

7.3. Кристаллы со структутрой минерала силленита Bii2Ge02o и B112S1O20 и минерала эвлитина ВцОезОи и Sb4Ge30)2 .299

7.3.1. Получение монокристаллов .299

7.3.2. Рентгенографические исследования .299

7.3.3. Диэлектрические исследования .301

7.4. Сегнетоэлектрические кристаллы твердых растворов Pbs^ei.^Si^Oi 1 .

7.4.1. Выращивание кристаллов, результаты их РФА и РСМА .303

7.4.2. Диэлектрические измерения .304

7.4.2.1. Экспериментальные результаты .304

7.4.2.2. Температурно-частотная зависимость сопротивления .310

7.4.2.3. Температурная зависимость пирокоэффиицента .310

7.4.3. Анализ и обсуждение результатов .310

7.4.3.1. Эффективная точка Кюри кристаллов твердых растворов .310

7.4.3.2. Особенности температурных и концентрационных зависимостей диэлектрических свойств твердых растворов .311

7.4.4. Теплоемкость сегаеггоэЛёктрических кристаллов системы Pbs(Ge|.xSix)30| 1 313

7.4.4.1. Экспериментальные результаты .313

7.4.4.2. Анализ и обсуждение результатов .315

7.5. Твердые растворы в системах PbGe409-MGe409, М=Ва, Sr и BaGe409-SiGe409 316

7.5.1. Получение образцов .317

7.5.2. Рентгенографические и рентгеноспектральные исследования .318

7.5.3. Диэлектрические, пьезо- и пироэлектрические измерения .321

7.5.4. Заключение .323

7.6. Выращивание и исследование кристаллов твердых растворов Bi2(Gei.xSix)05 324

7.6.1. Выращивание кристаллов .324

7.6.2. Рештеновский||^^|кристаллов .,.325

7.6.3. Изучение температурных зависимостей ГВГ .325

7.7. Исследование систем Bi4V20irBi2Ge05, Bi4V20irBi2W06 и Bi2Ge0rBi2W06 326

7.7.1. Получение образцов .326

7.7.2. Рентгеновский и РСМ- анализы .327

7.7.3. Кристаллы Bi4Geo,9Vi,iOio3 .329

7.7.3.1. Получение кристаллов ВЦСЗео^УиОщ, их рентгеновский и 329 РСМ анализы .

7.7.3.2. Высокотемпературные рентгеновские исследования BUGe^VijOio^ 330

7.7.3.3. Диэлектрические измерения кристаллов B^Geo^VijOio^ .

7.7.3.4. Заключение .

7.8. Образцы системы (l-x)BiFe03-*SrFe0y .332

Основные результаты и выводы по главе 7 .333

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ .339

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК .344

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Эффективное развитие фундаментальной науки и техники во многом базируется на использовании кристаллов новых фаз, обладающих особыми . физическими свойствами - сверхпроводящими (СП), магнитными, суперионной проводимостью, сегнетоэлектрическими и др. Исследовательские работы, направленные на выявление, получение и изучение таких кристаллов остаются актуальными, они весьма активно ведутся во всем мире. В их результате, в последние десятилетия были открыты новые купраты, проявляющие высокотемпературную сверхпроводимость (ВТСП), манганита с эффектом колоссального магнитосопротивления, сегнетомагнит-ные вещества с гигантскими магнитоэлектрическим и магнитоем костным эффектами и др. Выявленные новые фазы играют важную роль в научно- техническом прогрессе, их открытие выдвигает работы по выращиванию и исследованию кристаллов купратов, манганитов и других оксидных фаз в ряд наиболее актуальных задач современного материаловедения. Дальнейшее расширение круга фаз с особыми физическими свойствами, изучение их структуры и свойств будет, очевидно, способствовать созданию научных основ синтеза веществ с заданными физическими свойствами, получению новых материалов, перспективных для применений в электронной технике.

В этой связи, тема диссертационной работы, посвященная разработке и исследованию физико-химических и физико-технологических принципов получения кристаллов новых и слабоизученных фаз оксидных систем В120з-8Ю-СаО-СиО14б, РЬСИЗеОг-ЗЮг, В120з-Се02-У205, и др. со СП, сегнетоэлектрическими и родственными свойствами, изучению их структуры, свойств и возможностей практического использования, является актуальной. Ранее было установлено, что ряд фаз указанных систем обладает особыми физическими свойствами, некоторые из них уже нашли применение в электронной технике. Однако во многих случаях свойства фаз были изучены слабо, что связано, главным образом, с нерешенными проблемами выращивания их монокристаллов. Поэтому имеется необходимость в проведении работ, направленных на получение достаточно крупных и качественных кристаллов рассматриваемых фаз и твердых растворов на их основе, на более детальные исследования структурных, электрических, магнитных, диэлектрических, пироэлектрических, нелинейно-оптических и других характеристик полученных кристаллов, на обобщение результатов подобных исследований.

Исследования по диссертационной работе проводились в рамках: Государственной научно-технической программы ГКНТ «Высокотемпературная сверхпроводимость (проекш №479, №90049, №92008,1989-1994 гг.); грантов РФФИ №98-02-16842, №9902-17186, №02-02-17798, №05-02-16794 (1998-2007 г.) по разделу 02-206 «Сегнетоэлектрики и ди^к^ики»; программы Минобрнауки РФ «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники» (раздел «Материалы для электронной техники» подпрограммы «Электроника»), по проводимым в МИРЭА плановым госбюджетным НИР по теме «Новые материалы с особыми физическими свойствами: получение, структура, свойства и возможности практического применения в электронике и информатике» и др., 1987-2007 гг.

Цель работы и задачи исследований. Целью работы являлась разработка и исследование физико-химических и физико-технологических принципов синтеза кристаллов новых и слабоизученных фаз оксидных систем со СП, сегнетоэлекгрическими и родственными свойствами, перспективными для применений в электронной технике, выращивание кристаллов таких фаз, изучение их структуры и свойств. Основными задачами исследований, проводимых для достижения поставленной цели, являлись: а) физико-химические исследования соответствующих оксидных систем, построение и уточнение их фазовых диаграмм; б) физико-химическое и физико-технологическое обоснование выбора оптимальных методов и технологических режимов (состава шихты, температурных режимов, скорости роста и др.) синтеза монокристаллов фаз рассматриваемых оксидных систем, разработка методов получения и выращивание соответствующих монокристаллов; в) комплексные исследования особенностей кристаллической структуры и физических свойств (электрических, магнитных, диэлектрических, пьезоэлектрических, пироэлектрических, термического расширения и др.) выращенных кристаллов, направленные на выявление новых фаз оксидных систем со сверхпроводящими, сегнетоэлек-трическими и родственными свойствами; г) изучение влияния на свойства кристаллов метода их получения, различных технологических параметров (состава шихты, температурного режима, скорости роста, послеростовой термообработки кристаллов, дефектности структуры, тиме^нж^фаз и других факторов; д) синтез и исследование кристаллов новых твердых'на основе сегнетоэлекгрических и родственных фаз; е) определение возможносгей практического использования изученных кристаллов; ж) анализ и обобщение полученных данных о структуре и свойствах кристаллов, раскрытие закономерностей связей составчпруктура-микроструктура-свойства для рассматриваемых фаз, использование их для совершенствования технологии получения кристаллов, для раскрытия природа возникновения особых физических свойств в полученных и изученных кристаллах.

Объекты и методы исследований. Объектами исследований данной работы служили монокристаллические, керамические и текстурированные образцы новых и слабоизученных фаз оксидных систем: ЕИ2Оз-8гО-СаО-СиО, +6, ЛгОз-ВаО-СиО^, Я=У, Ьа, Ьи, РЬ(Х}е02-8Ю2, В1203-У205, РЬ0-Мп203, РЮ-вЬзОз, 8Ю-Ва0-А1203 и некоторых других. Такой выбор обусловлен наличием ряда факторов, благоприятствующих возникновению в этих фазах 'сверхпроводящего или сегнетоэлектрического состояния (вхождение в состав систем катионов меди, способных находиться в разных валентных

I 3+ ^ | 21 2 состояниях - Си , Си , Си ; катионов РЬ , В1 , 8Ь с неподеленной парой бе -электронов, обладающих повышенной поляризуемостью; наличие в кристаллических структурах фаз систем аценгричных структурных элементов типа [Х04]п", Х=Се, 81, V и др.); недостаточной их изученностью и перспективностью для применений в электронной технике. При решении поставленных в диссертации задач использовались современные методы синтеза образцов, изучения их структуры и свойств (методы бестигельной зонной плавки, раствор-расплавной кристаллизации, термогравиметрического, рентгеноструктурного, рентгеноспектрального анализов, диэлектрических, пьезоэлектрических, пироэлектрических, магнитных и других исследований).

Степень новизны полученных результатов. В работе получен целый ряд новых научных результатов, наиболее важными и интересными из них являются следующие:

1. Получены новые данные по фазовым диаграммам оксидных систем В1203-8Ю-Са0-Си01+6, ЯА-БаО-СиОнь Ьа, Ьи, РЬО-СеОг8Ю2, ВЬ03-0е02-8Ю2-У205, РЮ-Мп203, РЬ0-8Ь203: определены области гомогенности Вь содержащих ВТСП фаз; построены схемы фазовых соотношений в системах К203-Ва0-Си0ц$; определена зависимость содержания кислорода в фазе УВа2 Си3Оу от температуры обжига; впервые построены фазовые диаграммы РЬ0-Мп203, РЬ0-8Ь203; уточнен химический состав ряда фаз, выявлены новые фазы (В148г4СаСи30), - Вь4413, В14У20ц, РЬбЗЬгОц, РЬ^ЬгО?, РЬэ+^ЬгС^); определены концентрационные области существования ряда новых твердых растворов (РЬ5(Ое,БОзОц, (РЬ,Ва,8г)Се409, В12(Се,Х)Оя Х= Б!, V, В12(У,\У)0„ В12,У,0„ (Ш^еО,).

2. Определены и оптимизированы условия кристаллизации и выращены монокристаллы более 60 различных фаз рассматриваемых оксидных систем, а также новых твер

•V 'М •У.1., • дых растворов на их основе, при этом методика выращивания кристаллов многих фаз была разработана впервые (Ш-4413,1^x65, ХКЗе, 81, В14У20ц, В12.хУхОу, РЬз+^ЬгО»^, РЬб8Ь20ц, РЬгЯЬгСЬ, АХ2О4, А=Ва, Бг, Х= А1, (За), усовершенствована технология получения монокристаллов ряда фаз (Вь2201, Вь2212, РЬМпгОД

3. Развита технология получения методом бестигельной зонной плавки высокотек-стурированных образцов В1-содержащих ВТСП фаз с высокими критическими параметрами, в том числе ВТСП образцов с заданным по длине профилем текстурирования.

4. Получены новые или уточненные данные о структурных характеристиках ряда

НЬ!,\ фйЛ {) синтезированных фаз: определено атомно- кристаллическое строение фаз УВа2СизОу, у=6,9, 6,7, 6,4, РгВа2(СиЛ1)зОу, ВЬ^СаСизОу РЬвеД, В^веС^, и др.; дана струюур-ная интерпретация возникновения дефектов упаковки слоев в В1-4413; установлено структурное родство фаз В12Х05, Х= ве, 81, ВЦУ^ОедеОш^ с висмут- содержащими соединениями со слоистыми перовскитоподобными структурами; определены особенности термического расширения кристаллических решеток Вь содержащих ВТСП фаз, позволившие оптимизировать их термообработку.

5. Получены новые данные о сверхпроводящих, электрических, диэлектрических, пьезоэлектрических, пироэлектрических, нелинейных оптических и других свойствах синтезированных кристаллов, изучено влияние на них температуры, состава, термической обработки, различных технологических факторов. а) Изучено влияние на СП характеристики У-123 и Вьсодержащих ВТСП фаз вариаций состава, дефектное™ структуры, термообработки. б) На основе комплексных исследований структуры и свойств полученных кристаллов, выявлены новые ВТСП (В148г4СаСизОу, (У,Са)8г2Си2(РЬ,Си)Оу) и сегне-тоэлектрические (В12Х05, Х=Ое, 81, В14У20ц, В1|>78У0,22Оу, В18У20)7, РЬ28Ь207, АХ204, А=Ва, 8г, Х=А1, ва) фазы; обнаружены высокие пьезоэлектрическая, пироэлектрическая и нелинейная оптическая активности кристаллов у-РЬСе409, высокая ионная проводимость фазы ВЦУгОп, явившейся родоначальницей семейства новых суперионных проводн^нр^^^1ЕУОХ (В14(У,Ме)2Оу) с рекордно высокой при 500700 К кислородной проводимостью. в) Установлено, что на диэлектрические свойства твердых растворов РЬ5(Ое1 х8^зОц - РОвО, относящихся к классу сегнетоэлекгриков- полупроводников, оказывает существенное влияние динамика процессов локализации зарядов на дефектных уровнях. Учет этого влияния позволил раскрыть физическую природу наблюдаемых в этих кристаллах низкотемпературных диэлектрических аномалий, возникновения в них релак-сорного поведения, немонотонностей концентрационных зависимостей их свойств. г) Впервые изучены температурные зависимости молярной теплоемкости СР(Т) РвЮ, определена формула, описывающая экспериментальные зависимости СР(Т) линейной комбинацией дебаевской и эйнштейновской функций. д) Впервые определены особенности температурных зависимостей пирокоэф-фициента ряда кристаллов (РЬз^е^ОзОц, (РЬ,Ва,8г)Се409, РЬ30е05, ЕН2(Се,81)05, 1л20е7015, В1БеОз, ВаА12С>4, 8гА12С>4, Ва0а204), при этом обнаружено аномальное температурное поведение пирокоэффициента кристаллов 1л20е70|5 и ВаА1204, из-меняющеего в них при Т=ТГ<ТС свой знак. е) На анизотропных слоистых СП структурах при Т<ТС изучено влияние параллельного слоям тока (1ц) иа транспортные свойства в перпендикулярном слоям направлении. Выявлено явление подавления трехмерного СП состояния кристалла при определенной величине 1ц<1с и локализации СП в изолированных слоях (эффект 30-20 кроссовера). На основе этого явления разработан сверхпроводящий переключающий элемент нового типа (кроссогрон).

Основные научные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Результаты построения или уточнения фазовых диаграмм ряда оксидных систем: определение концентрационных областей гомогенности ВТСП фаз системы В120з

8гО-СаО-СиС>14& влияния на них образования ориентационных фаз межсрастаний; поранен строение схем фазовых соотношений в системах Я20з -ВаО-СиО^ Я=У, Ьа, Ьи; определение зависимости содержания кислорода в ВТСП фазе У-123 от температуры обжига; построение фазовых диаграмм систем РЬ0-Мп203, РЬ0-8Ьг03; уточнение химического состава ряда фаз; выявление новых фаз ВЬ^СаСизОу, ВЦУ2Оц, РЬбБЬгОп, РЬ48Ь2С>9, РЬз^ЬгО»^; определение концентрационных областей существования твердых расгворов РЬ5(Се,&)3Оп, (РЬЗа,8гХЗе4(>9, ВЬ(<Зе,81)0„ (Ш,8г)РеО, и др.).

2. Разработанные методики выращивания монокристаллов новых фаз и фаз, которые ранее были получены только в поликристаллическом состоянии (Вь4413, В12Х05, Х=ве, й, РЬ^зОп, ВЬ.хУхО,, ВиУ20,„ РЬ68Ь20„, РЬ28Ь207, АХ204, А=Ва, вг, Х= А1, Оа), кристаллов новых твердых растворов (В^С^ХХЭу, Х= в!, V, (МЬ,РЬ)Се409, М=Ва, §1^Щ&)0е409 и др.); совершенствование технологии получения монокристаллов ряда фаз (Вь2201, В1-2212, РЬМп20>,).

3. Технологию получения методом бестигельной зонной плавки высокотек-стурированных образцов Вьсодержащих ВТСП фаз с высокими критическими параметрами и технологию получения ВТСП образцов с заданным по их длине профилем степени текстурирования.

4. Результаты определения или уточнения атомно-кристаллической структуры ряда фаз методами рентгеновской дифрактометрии: В148г4СаСи30)„ УВагСизОу, у=6,9,6,7,6,4, РгВа2(Си,А1)зОл а- и р-форм РЬ0е409, В12Се05, У2ВаСи05 и др. на. -:;

5. Результаты комплексных исследований сверхпроводящих, электрических, магнитных, диэлектрических, пьезоэлектрических, пироэлектрических, нелинейных оптических и других свойств синтезированных кристаллов: а) Данные о влиянии на СП характеристики У-123 и В1-содержащих ВТСП фаз вариаций состава, дефектности структуры, термической обработки. б) Выводы о наличии сверхпроводящих свойств у В148г4СаСизО>, (У,Са)8г2Си2(РЬ,Си)0), о наличии сегнетоэлектрических или родственных свойств у ряда выращенных и изученных кристаллов (В^Х05, Х=ЧЗе, 81, ВцУ20ц, В18У20)7, В1178У0г22Оу, . V.'.

РЬ28Ь207, АХгО^ А=Ва, 8г, ва и др.). Выявление высоких пьезоэлектрической, пироэлектрической и нелинейной оптической активностей кристаллов у-РЮе4С>9. в) Объяснение наблюдаемых особенностей диэлектрических и электропроводящих свойств сегнетоэлектрических кристаллов Рв80, возникновения в системе релаксорного поведения и немоногонностей концентрационных зависимостей их свойств динамикой процессов локализации зарядов на дефектных уровнях. г) Новые данные об особенностях температурных зависимостей пирокоэффи-циента ряда кристаллов РЬ5(Ое,81)зОц, (РЬ,Ва,8г)Ое4С>9, РЬ30е05, В12(Ое,81)05, и2Се7015, ВаА1204,8гА^0|^Оа2О4. д) Результаты экспериментальных испытаний, подтверждающих перспективность использования высок<лйс1^ри|^ванных ВТСП образцов в качестве сильнотоковых СП элементов; ВТСП образцов с заданным по длине профилем текстуры для защиты контактов сильнотоковых элементов; для создания СП переключателей нового типа (кроссо-тронов), работающих на управляемом переключении из трехмерного анизотропного в двумерное СП состояние.

Практическая значимость работы. Технологические разработки диссертационной работы по определению условий кристаллизации ряда рассматриваемых оксидных фаз, по получению зонной плавкой высокотекстурированных ВТСП образцов с высокими критическими параметрами, цо управляемому текстурированию имеют практическую значимость для выращивания монокристаллов сверхпроводящих, сегнетоэлекгрических и родственных фаз, перспективных для использования в электронной технике, для создания высокотоковых ВТСП элементов, для защиты их контактов от перегрева и отгора-ния, для создания СП переключающих элементов нового типа (кроссотронов). Практическую ценность имеет установление связей между СП, диэлектрическими и другими характеристиками полученных образцов и условиями их синтеза. Технологические аспекты получения ряда сверхпроводящих и сегнетоэлекгрических кристаллов, а также возможности их использования защищены 19 авторскими свидетельствами и патентами.

Важное научное и пращическое значение имеет выявление ряда новых сверхпроводящих, сегнетоэлекгрических и родственных фаз с перспективными для использования свойствами. Эти фазы могут стать родоначальниками новых сверхпроводящих или сегнетоэлекгрических семейств, расширяя круг материалов, перспективных для применений в электронной технике. Они могут использоваться в качестве новых активных элементов различных датчиков и устройств. В частности, заметный практический интерес представляют высокая пироэлектрическая активность кристаллов РЬ5((Зе,81)зОп и у-РЫЗе^, высокие пьезоэлектрические и нелинейные оптические характеристики у-РЫЗе409. На основе выявленной нами фазы ВЦУгОц создано семейство материалов В1-МЕУОХ с рекордно высокой кислородной проводимостью.

Совокупность экспериментальных данных, полученных при комплексном исследовании структуры, СП, диэлектрических, пьезо- и пироэлектрических, нелинейных оптических свойств выращенных кристаллов представляет интерес для выявления факторов, благоприятствующих возникновению особых физических свойств в новых фазах оксидных систем, дня выясненшобйфх закономерностей их кристаллохимии, для построения теоретических моделей ВТСП, сегнетоэлектрических явлений, для развития научных основ синтеза материалов с заданными свойствами. Эти данные могут использоваться при разработке новых материалов для электронной техники, а также в качестве справочного материала. Результаты исследований ряда сегнетоэлектрических и родственных кристаллов включены в базу данных «КРИСТАЛЛ» по веществам с особыми акусго-, электро- и нелинейно-оптическими свойствами (http://crvstal .imet-db.ru/ru/intro. asp). Рентгенографические данные по 23 соединениям помещены в порошковую базу Международного центра дифракционных ттщ^СОО - JCPDS PDF-2 и могут использоваться как справочный материал при рентгенофазовом анализе и построении фазовых диаграмм.

Синтезированные и охарактеризованные в процессе выполнения настоящей работы образцы использовались при проведении фундаментальных научных и прикладных исследований в ряде ведущих научных и научно-производственных организаций страны (Физико-техническом институте РАН им. А.Ф. Иоффе, Институте кристаллографии РАН, ИАЭ им. И.В. Курчатова, физическом факультете МГУ им. МБ. Ломоносова, ИРЭ РАН, ИОНХ РАН им. Н.С. Курнакова, Институте физики твердого тела РАН (Черноголовка), Научно- исследовательском физико- химическом институге им. Л .Я. Карпова, Томском политехническом институте, Обнинском институте атомной энергетики, Институте полупроводников УАН (г. Киев), Уральском заводе химических реактивов (г. В. Пышма, Свердловской обл.)). При этом получен ряд приоритетных результатов. По результатам исследований опубликованы совместные статьи.

Результаты работы используются в учебном процессе МИРЭА при чтении курсов лекций «Сверхпроводящие материалы» и «Материалы активных диэлектриков», при написании учебных пособий по указанным курсам (А.А. Буш. Технология керамических материалов, особенности получения керамики ВТСП фазы УВагСизО?^. 2000, МИРЭА, 79 е.; А.А. Буш. Пироэлектрический эффект и его применения. 2005, МИРЭА, 214 е.).

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на научных конференциях, симпозиумах, совещаниях, школах и семинарах различного ранга, в том числе на: V, VI Intern. Conf. on Ferroelectricity (США - 1981, Япония - 1985); 2-ой Всес. конф. по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов (Звенигород -1983); 2-ой Всес. конф. «Получение и применение сег-нето- и пьезоэлектрических материалов в народном хозяйстве» (Москва - 1984); X, XI, XV, XVII Всес. (Всерос.) конф. по физике сегнетоэлектриков (Минск -1982, Черновцы -1986, Ростов на Дону -1999, Пенза - 2005); Всес. конф. «Актуальные проблемы получения и применения сегаето- и пьезоэлектрических материалов « их роль в ускорении научно-технического прогресса» (Москва - 1987); 1-м Рабочем совещании по проблемам высокотемпературной сверхпроводимости (Свердловск - 1987); I, П, Ш Всес. конф. по высокотемпературной сверхпроводимости (Харьков -1988,1991, Киев - 1989); 1-м Всес. совещании по проблемам диагностики материалов ВТСП (Черноголовка - 1989); 5-м Всес. совещании по кристаллохимии неорганических и координационных соединений (Владивосток - 1989); 12th European Crystallogr. Meeting (Москва - 1989); Всес. конф. «Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов» (г. Александров -1990); Intern. Conf. on High Temperature Superconductivity and Localisation Phenomena (Москва - 1991); Europ. workshop on HTSC singie crystals: growth and physical properties (Харьков - 1991); 1-й Межгос. конф. «Материаловедение высокотемпературных сверхпроводников» (Харьков - 1993); Межгос. конф. по текстурированным ВТСП материалам (Моск^ец-1993); IV Int. Workshop on Chemistry and Technology of High- Temperature Superconductors (Москва - 1995); 9th European Meeting on Ferroelectricity (Прага - 1999); Moscow Int. Symposium on Magnetism (Москва - 1999,2002); 8th European Magnetic Materials and Applications Conference (Киев - 2000); Всерос. конф. по магнитоэлектрическим взаимодействиям в кристаллах (Великий Новгород - 2001); IV Межд. научно- технич. конф. «Электроника и информатика 2002» (Москва - 2002); X, XI Национальных конф. по росту кри

•(' sinclf сталлов (Москва - 2002, 2004); Межд. научно-практич. конф. «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения». INTERMATIC (Москва - 2003,2004).

Личный вклад автора. Определение направлений и задач исследований, методическая проработка, планирование и проведение основных экспериментов по выращиванию монокристаллов методами раствор-расплавной кристаллизации и бестигельной зонной плавки, рентгенографическим, термогравиметрическим, диэлектрическим, пьезо- и пироэлектрическим исследованиям кристаллов, по анализу и обобщению полученных результатов выполнены лично автором. Выращивание кристаллов методом гидротер

-vnU" (Mi' мального синтеза осуществлялось в лаборатории «Кристаллизация из высокогемпературных растворов» ИК РАН под руководством JI.H. Демьянец и в лаборатории гидротермального синтеза ВНИИСИМС под руководством A.A. Марьина. Выращивание кристаллов методом Чохральского проводилось на кафедре «Химия и технология выращивания кристаллов» РХТУ под руководством М.В. Провоторова. Рентгеноспектральный микроанализ образцов проводился с участием ЮБ. Титова (МИРЭА); исследования ГВГ лазерного излучения выполнены совместно со С.Ю. Стефановичем (НИФХИ им. ЛЯ. Карпова); рентгеноструктурный анализ 1фисташюв Bi2Ge05, Y-123, Pr-123, Bi-4413 осуществлен в соавторстве с Н.В. Ранневым и С.А. Ивановым (НИФХИ им. ЛЯ. Карпова), В.М. Ионовым (МИРЭА), Ю.Ф. Смолиным и A.A. Левиным (Институт химии силикатов РАН). л I» К. ili\h

Публикации. Основные результаты, вошедшие в диссертацию, опубликованы в 114 работах, в том числе 19 авторских свидетельствах об изобретении и заявках на патент. Список основных публикаций приведен в конце автореферата в хронологическом порядке.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, семи глав, раздела, в котором изложены основные результаты и выводы, а также списка цитированной литературы в количестве 541 наименований. Общий объем диссертации составляет 383 страниц, включающих 173 рисунков и 27 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Буш, Александр Андреевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ РАБОТЫ

В результате выполненных исследований выявлены новые фазы с сверхпроводящими, сегнетоэлектрическими и родственными свойствами, перспективными для практических применений, разработаны физико-химические и физико-технологические принцими физическими свойствами, получены новые данные о составе, структуре, свойствах и их взаимосвязи для материалов новых классов соединений, о влиянии на их свойства различных факторов - вариаций состава, дефектности структуры, термообработки и др.

1. Методами рентгенографии, термогравиметрии, РСМА проведены физико-химические и кристаллохимические исследования в оксидных системах ЯгОз-ВаО-СиОцз, Я=У, Ьа, Ьи, В120з-8Ю-Са0-Си01+8, РЫХЗеОгЗДь В1203-0е02-8Ю2, В1203-У205, РЬО-Мп20з, РЬО^ЬгОз, при этом:

- построены схемы фазовых соотношений систем К2Оз-ВаО-СиОц-8, Я = У, Ьа, Ьи; установлено, что содержание кислорода у в фазе УВа2СизОу может, в зависимости от температуры обжига Т^, изменяться в широких пределах - 6,0<у<7,0, определены зависимости ХТап); ф), Ь(у), с(у), Тс(и);

- для Вьсодержащих ВТСП фаз получены новые данные об областях гомогенности, показано, что основные вклады в них вносят взаимные замещения атомов в структурных позициях и образование дефектов упаковки слоев структуры, определены величины указанных вкладов;

- установлено, что в системе В120з-8Ю-Са0-Си01+8 в широких концентрационных пределах образуются слоистые перовскитоподобные фазы, структуры которых представляются как ориентационные межсрастания слоев структур различных перовскито-подобных фаз данной системы. Предложена новая, расширенная формула гомологического ряда Вь содержащих ВТСП фаз, учитывающая образование новых ВТСП фаз;

- впервые построены фазовые диаграммы систем РЬ0-Мп203, РЬ0-8Ьг05;

- уточнены химические составы кристаллов ряда фаз, выявлены новые фазы Вь^СаСизОу, ВцУгО,,, РЬ^О,,, РЬ48Ь209, РЬз+АО»*, РЬ^ЬА;

- определены концентрационные пределы существования твердых растворов в системах РЬ^Ое^ад^^ЙЙЙ^гХЗеЛ РЬц^е^ОзОп, В12(Се,Х)0„ Х=81, V, W,

2. Методами раствффайплавной кристаллизации, бестигельной зонной плавки, Чохральского, гидротермального синтеза или изотермической рекристаллизации осуществлен синтез монокристаллов более 60 различных сверхпроводящих, сегнетоэлектриче-ских и родственных фаз рассматриваемых оксидных систем и твердых растворов на их основе: B^Sr.Ca^aOiA, п=0, % 3,4,6, сс^ъ&ьСФ?, R- Y, La, Рг, Nd,Sm,Eu,Gd, Dy, Но, Er, Tm, Lu, Pb^Ca^o^O,, (Y<wCao;ÄCu2(lV75CU(ü5X)^ Bi17Sr16Cu70^ Bi2Sr3Cu20j, Bi4SrgCu5qy, Bi2Cu04, BiUSr.Ca)/)^ (Ca0#Sr0>14)CuO2, (8г,Са)мСцм04ь CuO, Pb5(Ge,Si)30n, a-, ßr, ßr, Y-PbGe4C>9, (Pb,Ba,SrX3e409, MPbsiGe^^ с M - Ва, Cd, Zn, Bi3Pb2(Ge04)3, Li2Ge7015, PtbSijOy, PbjSiO^ Pb„Si30,7, Bi4(Ge,Si)jO,2, Sb4(Ge04)3,

•W Hf-piM'H.

BiI2(Ge,SiX)2o, Bi2Ge309, ВДОеДХ^ X=Si, V, W, BfeCV.W)^ Bi2.xV,0>, *=0,18, 0,22, 0,27, Bi8V2017, (Bi,Sr)FeO„ РЬз+ÄCW, PbeSbAi, PbjSbjO?, PbMn20^ AX2O4, X=Ba, Sr, X=A1, Ga, (Ba,Sr)Al204. При этом:

- осуществлен подбор оптимальных методов и условий выращивания монокристаллов рассматриваемых фаз, включая разные их полиморфные формы и твердые растворы на их основе. Методика выращивания кристаллов ряда фаз и твердых растворов (Bi-4413, Bi2(Ge,Xi)0„ X=Si, V, PbMn20^ Pb6Sb20n, AX204, A=Ba, Sr, X=A1, Ga) разработана при этом впервые;

4 ' ' v ' ' '' '

- развита методика получения бестигельной зонной плавкой высокотекстуриро-ванных образцов В i-содержащих ВТСП фаз. Результаты технологических разработок позволили воспроизводимо получать высокотекстурированные образцы Bi-2212 в виде слитков диаметром 8-10 мм и длиной 50-70 мм с анизотропией свойств, приближающейся к анизотропии монокристаллов, и со СП характеристиками, близкими к максимальным для данной фазы (Тс=90-95 К, jc(4,2 К)=10 А/см2, )lll К>=5-103 А/см2);

- разработана технология получения зонной плавкой и синтезированы ВТСП образцы с заданным по длине слитка профилем текстуры (управляемое текстуриро-вание), что может в некоторых случаях повысить эффективность использования сильнотоковых ВТСП элементов в технических устройствах.

3. Методами РСтА получены новые или уточненные данные о кристаллических структурах ряда синтезированных фаз: Bi4Sr4CaCu30y, Y-123, Pr-123, Bi2(Ge,Sip5, FbGe«»,, Bi4V20,b Bi2(Ge,\0Oy, Bi^V/V r=0,18, 0,22, 0,27, BigVA?, Fb^O^ РЬз+^ЬгО^, PböSt^On и др. В частности, определено атомно- кристаллическое строение фаз В1-4413, У-123, Рг-123, В12(3е05, У2ВаСи05 и др.; установлено, что кристаллическая структура В ¡4413 характеризуется высоким содержанием дефектов упаковки ее слоев, дана структурная интерпретация возникновения таких дефектов; установлена структурная близость фаз В12Х05, Х=Се, с Вь содержащими слоистыми синтезировать образцы нШшрйы ВЦУгбц, твердых растворов В^ОеДОО,, и др.

4. Выполнены комплексные исследования электрических, магнитных, проводящих, диэлектрических, пьезоэлектрических, пироэлектрических, ГВГ свойств синтезированных кристаллов, влияния на них температуры, технологических факторов, состава, термической обработки. Получены новые данные об особенностях физических свойств синтезированных кристаллов и новых возможностях их применения. В частности:

- получены данные о влиянии вариаций состава, дефектности структуры, термической обработки образцов Вь содержащих и У-123 ВТСП фаз на их СП характеристики;

- изучено термическое расширение Вйюдержащих ВТСП фаз в области 90-1000 К, обнаружены аномальные изменения их структурных параметров в области 500-700 К, на основе результатов изучения термического расширения Внюдержащих ВТСП фаз определен режим их послеростового обжига, существенно повышающий СП характеристики;

- выявлены, синтезированы и изучены кристаллы новых ВТСП фаз - В1-4413 с Тс=85 К и (Уо,54Сао,4б)8г2Си2(РЬо,75Сио,25Х)у с Тс=40 К;

- получены экспериментальные подтверждения предложенных нами возможностей использования высокотекстурированных ВТСП образцов: а) в качестве токовводов НТСП устройств; б) для защиты контактов высокотоковых элементов от отгорания (при задании определенного профиля текстуры); в) переключающих элементов нового типа (кроссотронов), работа которых основана на использовании анизотропии образцов, позволяющей продольным электрическим током переводить квазидвумерную СП слоистую структуру из трехмерного анизотропного в двумерное состояние с прерыванием СП рабочего тока в перпендикулярном слоям направлении;

- изучено влияние на наблюдаемые в сегнетоэлектрических кристаллах РЬ5(0е,8Г)з011 при Т<ТС низкотемпературные диэлектрические аномалии различных факторов - частоты измерительного поля, метода выращивания кристаллов, степени монодоменизации кристаллов, обжига их при разных температурах в различных газовых средах, отклонеЙЙ^Шс^ава от стехиометрии, толщины кристаллов и других.

Установлено, что эти диэлектрические аномалии имеют релаксационный характер, они связаны с динамикой процессов локализации зарядов на дефектных уровнях. Показано, что немонотонность концентрационных зависимостей диэлектрических и пироэлектрических характеристик и возникновение в системе релаксорного поведения связаны с изменением положения эффекпорой точки Кюри относительно тем- впервые изучены и проинтерпретированы температурные зависимости молярной теплоемкости кристаллов PGSO;

- впервые изучены температурные зависимости пирокоэффициента кристаллов Pb5(Ge,Si)30i,, (Pb,Ba,SrXje409, Pb3Ge05, Bi2(Ge,Si)05, Li2Ge70,5, BiFe03, BaAl204, SrAl204. ОбнфУясЙШ'аномальное поведение температурных зависимостей пирокоэффициента Li2Ge7015 и ВаА1204 - при 178 К и 203 К соответственно коэффициенты изменяют знак, плавно проходя через нулевое значение;

- в результате целенаправленных исследований были выявлены сегнетоэлектриче-ские свойства у фаз Bi2X05, X=Ge, Si, ВЦУгО,,, Bi^Vo^O,, Bi8V20i7, P^S^Cb, AX204, A = Ba, Sr, X=A1, Ga. Выявленные высокие пьезоэлектрическая, пироэлектрическая и нелинейная оптическая активности кристаллов у-формы PbGe4Og выдвигают их в ряд новых перспективных материалов для электронной техники. Фаза Bi4V20n явилась родоначальницей важного с практической точки зрения семейства суперионных проводников - BIMEVOX (Вц(У,ШЗгЬу) с рекордно высокой кислородной проводимостью.

Совокупность полученных при выполнении настоящей диссертационной работы данных о взаимосвязи условий синтеза, состава, структуры и свойств изученных кристаллов позволяет заключить, что для успешного продвижения работ по выявлению и синтезу кристаллов новых фаз со сверхпроводящими, сегнетоэлектриче-скими и родственными свойствами изучение технологических аспектов получения, структурного строения и свойств кристаллов следует рассматривать как единую комплексную проблему. Изучение и учет при синтезе не только идеальной, но и реальной структуры кристаллов со всеми ее дефектами дает возможность вести целенаправленный поиск новых кристаллов с заранее указанными свойствами и совершенствовать процессы их синтеза, используя различные приемы управления их составом и реальной структурой. К результатам, наиболее ярко иллюстрирующим справдливость этого заключения, относятся, в частности, следующие: а). Зависимость содержания кислорода в ВТСП фазе YBa2Cu2Oy от условий получения образцов, существенное влияние содержание кислорода в фазе на ее структурные и электрические (в том числе и сверхпроводящие) характеристики; б). Склонность ЕИ-содержащих ВТСП фаз к образованию различных фаз межсрастаний, включения которых в их структуры являются характерными . „Ш.--- ''■■ структурных дефектов зависит от условий получения образцов, оно оказывает .К Л>. ' влияние на их сверхпроводящие характеристики; в). Сильная зависимость плотности критического тока сверхпроводящих образцов ВТСП фаз от особенностей их микроструктуры, связанных со слоистым характером структуры ВТСП фаз; г). Наличие заметных областей гомогенности Вьсодержащих ВТСП фаз по металлическим компонентам, влияние вариаций состава этих фаз по области гомогенности на их структурные и сверхпроводящие характеристики; д). Результаты сравнительных диэлектрических исследований изосгруктурных фаз РЫЗеД^, Ваве^ 8Юе409, а также фаз систем РЬСМЗеОг и РЬО^СЬ, указывающие на важную роль для возникнойейкя сегнетоэлекгрических свойств наличия в составе структуры фазы высокополяризуемых структурных элементов; е). Данные структурного анализа фазы В120е05, позволившие установить структурное родство этой фазы с висмут-содержащими соединениями со слоитыми перовскитоподобными структурами, предсказать образование новых фаз и твердых растворов, получить их в виде кристаллов и керамики; ж). Установленное влияние динамики процессов локализации зарядов на дефектных центрах в сегнетоэлекгрических кристаллах РЬ5(Ое,80зО11 на их диэлектрические, пироэлектрические и другие свойства, усиление этого влияния при приближении точки Кюри к области термолокализации зарядов, приводящее к немонотонным концентрационным зависимостям.

7.5.4. Заключение

Таким образом, рентгенографические и рентгеноспектральные исследования позволяют заключить, что введение ВаО или 8Ю в шихту (1-х)РЬОхМ040еС>2, М=Ва, 8г стабилизирует а-форму РЬве^; в кристаллах а-РЬ0е409 замещения ато-'■¿рЩ'УЬ «шц^'Шшш.^ не превышают лах ВаОе^р» и $г0е409 возможны ограниченные замещения атомов Ва или $г атомами РЬ до -40 ат.%; между фазами Ва0е409 и 8Юе409 образуются неограниченные ряды твердых растворов.

Учитывая изоструктурность кристаллов а-РЬ0е409, ВаСе4 О9 и 8Юе409, а также рыхлость в структурах этих кристаллов М-кислородных полиэдров, М=РЬ, Ва, 8г (п.6.3.3.2, [371, 536]), ограниченность области образования твердых растворов а-(РЬ].хМх)Ое4 О9, М=Ва, 8г и образование двух изоструктурньгх кристаллических фаз - а-РЬ0е409 и (Ма1уРЬу)0е409 при охлаждении расплавов (РЬ1.хМх)0е409 являются весьма неожиданными экспериментальными фактами. Причинами такого фазового расслоения твердых растворов, кроме различий ионных радиусов РЪ2+ и Ва2+, 8г2+, в значительной степени явМс^ся, очевидно, также и заметные различия между электронными поляризуемостями ионов РЬ2+ с одной стороны и Ва2+, 8г*+ - с другой.

Выделенность фазы а-РЬ0е409 в ряду изоструктурньгх кристаллов МОе4С>9 с М=8г, РЬ, Ва, проявляющаяся в нерасположенности кристаллической решетки этой фазы к замещению РЬ на Ва и 8г, в наличии в ней фазового перехода при 140 К и пироэлектрического эффекта, связана, по всей видимости, с высокой поляризуемостью катионов РЬ2+, обусловленной присутствием в их электронной оболочке непо-деленной пары бе2 электронов, проявляющей стереохимическую активность.

Резкое, скачкообраЗЙбеиуМеньшение величины е при фазовом переходе в кристаллах а-РЮе409 свидетельствует, очевидно, о том, что при этом фазовом переходе происходит отключение ориентационной поляризации некоторых дипольных структурных единиц. В качестве них в кристаллах а-РЫЗе409 могут, по всей видимости, выступать ионы РЬ2+, обладающие значительным электрическим дипольным моментом за счет асимметричности распределения в пространстве электронной плотности их непо-деленной пары электронов. Отсутствие подобного рода диполей в структурах 8Юе409 и Ваве^ является, очевидно, причиной того, что в этих кристаллах фазовый переход не наблюдается и спонтанная поляризация в них отсутствует.

7.6. Выращивание и исследование кристаллов твердых растворов В12(Се1.х8ц)05

7.6.1. Выращивание кристаллов ''Г ^Мц^ЗВ^цршвй^е' яфвкзгкяы»лизации в условиях медленного охлаждения расплавов, подобных описанным выше (см. п. 6.4.1) условиям выращивания кристаллов В12Х05, Х=Ое, Б!.

Для кристаллизации использовалась шихта, представляющая собой тщательно гомогенизированные смеси оксидов В1203, 8Ю2 и веОг, взятые в пропорциях, отвечающих формуле В120з'(1 -х^О^хОеОг с 0<х<1. Плавление осуществлялось в платиновых тиглях емкостью 100 мл. Расплавы охлаждались от 1300-1500 К до -1000 К со скоростью 40 град/ч. В зависимости от того, какова была максимальная температура расплава, кристаллизация, в соответствии с [449], приводила к получению кристаллов фазы 1/1 или смеси фаз Вц(81,Се)3012, В^^веХ^ и В12(81,0е)05. Образование кристаллов только твердых растворов В12(81,0е)05 наблюдалось при кристаллизации из температурной зоны, соответствующей зоне В по [449]. В этом случае закристаллизованные расплавы представляли собой поликристаллическую массу серого цвета, из которой можно было выделить монокристаллы В12(0е1х81х)05.

Монокристаллы В^^Ое^^Оз прозрачны, бесцветны, имели тонкопластинчатый габитус, обладали весьма слабо выраженной спайностью. Характерные формы роста кристаллов - хорошо развитые пинакоиды {100}, являющиеся большими поверхностями пластин. Размеры кристаллов достигали 0,4x2x4 мм3.

7.6.2. Рентгеновский анализ кристаллов

Рентгенограммы кристаллов, выделенных из расплавов В1203 ( 1 -х)8Ю2дг0е02 сходны с рентгенограммами кристаллов В120е05 и В128Ю5, что указывает на изо-структурность этих кристаллов. По положению рефлексов (600), (020) и (002) определены параметры ромбической элементарной ячейки кристаллов. Полученные зависимости размеров элементарной ячейки от состава (рис. 7.35) свидетельствуют об образовании неограниченных рядов твердых растворов между ВЬ8Ю5 и В120е05.

В1реО, —юМОе В^ ,ии

Рис. 7.35. Рис. 7.36.

Рис. 7,35. Параметры ромбической элементарной ячейки а (1), Ь (2), с (3) и температура фазового перехода в центросимметричное состояние (4) для кристаллов твердых растворов В12(811.х0ех)05 Рис. 736. Температурные зависимости интенсивности сигнала ГВГ для кристаллов твердых растворов В12(811.хОехр5:1 - х=0; 2 - 0,2; 3 - 0,4; 4 - 0,6; 5-1

7.6.3. Изучение температурных зависимостей ГВГ

Кристаллы всех составов генерируют сигнал ГВГ, интенсивность которого составляет при комнатной температуре (1-5)12щ(8ЙЭ2) (рис. 7.36). При повышении температуры в области 450-550 К наблюдается уменьшение Ьт до величин (0,2-0,5>12в)(8Ю2). Поскольку при изучении диэлектрических свойств твердых растворов на зависимостях б(Т) и ^¡5(Т) в области 400-600 К не наблюдается никаких аномалий, отмеченное уменьшение Ьш, связано, по всей видимости, с нарушением при этих температурах условий фазового синхронизма для процесса ГВГ в кристаллах. При дальнейшем повышении температуры для всех составов, за исюпоче- нием В^в^ и В!;!^^«/)* наблюдается дальнейшее уменьшение Ь® до значений, харак- терных для центросимметричных кристаллов (12в,<12<0(81О2У20). Температуры, при которых происходит практическое исчезновение сигнала ГВГ, приняты нами за точки фазового перехода кристаллов твердых растворов в центросимметричное состояние. Интенсивность сигнала ГВГ от кристаллов твердых растворов с высокой концентрацией атомов (Зе (0,8<&<1) с ростом температуры до 1000 К меняется мало и остается не меньше 0,51^,(8102), что свидетельствует об их нецентросимметричности во всей изученной области температур (300-1000 К). Температуры фазовых переходов кристаллов с х>0,8 лежат, по всей видимости, выше 1000 К Зависимость температуры фазового перехода г кристаллов твердых растворов от их состава приведена на рис. 7.35. Как видно из рис. 7.35 и

736, увеличению в кристаллах концентрации атомов <3е соответствует монотонное смещение

• к * л; к . к тешературы фазового перехода со скоростью град&т.%Ое в сторону высоких температур.

- V * ' ' > . , . • Ч. - - ? Л ?

7.7. Исследование систем ВцУгОп^СеО* ВЦУАгВДОД и В|2Се05-В|2\У06

Кристаллы соединений Bi2WOб, ВЬвеС^ и ВЦУгОп характеризуются подобными друг другу структурами с близкими размерами псевдотетрагональных элементарных ячеек, поэтому можно было ожидать, что между ними в заметных концентрационных областях образуются твердые растворы с изотопными ВСПС структурами. Так как большинство кристаллов семейства ВСПС обладают сегнетоэлектрическими или родственными свойствами вплоть до высоких температур, такие свойства должны обнаруживаться и у предполагаемых твердых растворах. Для выявления новых высокотемпературных сегнетоэлектриков, выяснения структурных причин возникновения полярных фазовых переходов представляло интерес изучить фазообразование в системах ВЦ(Св1. хУхЪ Оки* (I), Вн(УиЖ)Отх (П) И В12(Ое1.х\Ух)Об+х (III), 0<*<1, осуществить синтез и исследование кристаллов, образующихся в системах твердых растворов.

7.7.1. Получение образцов

Образцы систем (I), (П) и (Ш) синтезировали в платиновых тиглях из расплавов смесей оксидов, взятых в пропорциях, отвечающих формулам: В1203(1-хХ^еСЬл^Оз, 2ВЬ0з*(1-х)У205'2х\\ГОз, 2ВЬ03-2(1-х) 0е02 хУ205 соответственно. Расплавы после выдержки при максимальной температуре 1200°С в течение 2-4 ч охлаждали со скоростью 2 град/мин до 600°С, а затем до комнатной температуры в выключенной печи. Закристаллизованные расплавы представляли собой конгломераты кристаллов, из которых можно было выделить монокристаллы пластинчатого габитуса размерами до (0,1-0,5)х2х2 мм. Большие поверхности кристаллов параллельны кристаллографическим плоскостям (001) (в кристаллографическойусшашвке, где ось с является псевдотетрагональной осью). Окраска кристаллов изменяется непрерывно с изменением их концентрации, причем кристаллы крайних составов ВЬСдеСЬ - бесцветные, В12\У06 - желтые, В^УгОп - бурые. jj. у

5,45 '« ' 1 ^'

1 ' '.

0,5 0 W A

16,516,3 15,7 a) ' 6)

Рис. 131. Зависимости размеров элементарной ячейки кристаллов систем Bi4(Gei.xVx)2 Oiofx (a), Bi4(Vi-xWx^On+x (б), Bi^Gei.xWxX)^ (в) от заданной в шихте их концентрации

7.7.2. Рентгеновский и РСМ- анализы

Фазовый состав закристаллизованных расплавов и параметры элементарной ячейки кристаллов определяли дифрактометрическими и рентгенгониометрическими исследованиями методами порошка, качания и Вейссенберга. При этом учитывали данные по рентгенограммам порошков кристаллов Bi2GeOj, ВцУгОц и Bi2W06 [165,538].

Кристаллы системы Bi4V20n-Bi2Ge05 (I). Установлено, что образцы системы (I) содержат кристаллы твердых растворов, изотипных с ВСПС, кристаллы BL|(Ge,V)30i2 со структурой эвлитина (при 0<г<0,75) и следы неотождествленных нами фаз, количество которых уменьшалось с уменьшением в образцах концентрации Ge. Отметим, что в этой системе, аналогично системам Bi203-Si02 (GeO^ (см. 6.4.1.1, а также [449]), фазовый состав закристаллизованного расплава зависел от максимальной температуры расплава и изменялся от фаз со структурой эвлитина до фаз со структурой типа ВСПС, что связано с метастабильностью фазы Bi2Ge05. В результате отжига образцов при 750-820°С в течение 1,5-2 ч в них слегка увеличивалось содержание Ge- эвлитина.

На рис. 7.37, а приведены зависимости параметров элементарной ячейки кристаллов, образующихся в системе (I) твердых растворов, от задаваемой в шихте концентрации (без учета сверхструктуры, см. ниже). Определение параметров а, Ь и с проведено по результатам прецизионных измерений положений рефлексов (200), (020) и (006) на рентгенограмме порошка. Кристаллы с 0,45<хг<0,5 при комнатной температуре тетрагональные, при остальных концентрациях - ромбические.

Кристаллы системы BLiViOii-BbWOö (П). РФА и определение параметров элементарной ячейки кристаллов системы (II) показали, что при х<0,2 или х>0,9 они однофазны (см. рис. 7.37, б). В этих областях образцы представляют собой ' твердые растворы чсщ-^l'f^^f?^ ч соершешм -(B14V2O11 или Bi2W06), причем при увеличении х от О до 0,2 или его уменьшении от 1 до 0,9 параметры а и b сближаются по величине. В области 0,2<х<0,9 существует смесь твердых растворов; элементарные ячейки этих кристаллов имеют тетрагональную симметрию, их параметры не зависят от концентрации.

Кристаллы системы Bi2Ge05-Bi2W06 (III). В этой системе имеет место фа-зообразование, аналогичное фазообразованию в системе II. При х<0,25 и х>0,85 основной фазой в образцах является твердый раствор на основе Bi2Ge05 или Bi2W06 соответственно с ромбической симметрией элементарной ячейки (рис. 7.37,в). При промежуточных концентрациях образуется смесь ромбических твердых растворов.

Сверхструктура кристаллов. Для кристаллов системы (I) при х>0,5 характерно наличие сверхструктуры, размеры сверхструктурной элементарной ячейки а, b и с связаны с размерами субструктуной элементарной ячейки а^ Ь0 и с0 соотношениями: а-Зйо, b~3b0 и с~с0. В системе (II) для составов, близких к ВЦУгОц, также характерно наличия подобной сверхструктуры. Заключение о наличии и характере сверхструктуры сделаны на основе наблюдения на рентгенограммах качания слоевых линий со слабыми интенсивностями рефлексов (сверхструктурных рефлексов).

Результаты РСМА. Результаты РСМА кристаллов рассматриваемых систем представлены в табл. 7.4. В системе I рост концентрации V вызывает монотонное увеличение концентрации V в кристаллах. В системе (И) для некоторых составов наблюдалось смещение концентраций элементов в кристаллах по сравнению со стехиометриче-ским составом в сторону увеличения количества ванадия на 4-8 % и уменьшение содержания висмута. Недостаток Bi может быть связан с летучестью Bi2C>3 при высоких температурах. Кристаллы системы (II), полученные из шихты с концентрацией вольфрама от 18 до 85%, имекшшшвнный состав по сравнению с заданным в шихте. Часть кристаллов обогащена, а часть обеднена вольфрамом; это интервал неоднофазности.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Буш, Александр Андреевич, 2006 год

1. J.F. Schooley, W.R. Hoster, M.L. Cohen. Superconductivity in semiconducting SrTi03. Phys. Rev. Lett. 1964. V.12. Nol7. P.474-475.

2. C.J. Raub, A.R. Sweedler, M.A. Jensen at. al. Superconductivity of Sodium Tungsten

3. J.P. Reraeika, Т.Н. Geballe, B.f. Matthias et. al. Superconductivity in hexagonal tungsten bronzes. Phys. Lett. 1967. V.24A. P.565-566.

4. A.W. Sleight, T.A. Bither, P.E. Bierstedt. Superconducting oxides of ihenium and molybdenum with tungsten bronze type structures. Solid State Commun. 1969. V.7, No2. P.299-300.

5. Металловедение сверхпроводящих материалов. /Е.М. Савицкий, В.В. Барон, Ю.В. Ефимов и др. М.: Наука. 1969. 265 с.

6. В.Б. Зенкевич, В.В. Сычев. Магнитные системы на сверхпроводниках. М.: Наука. 1972.260 с.

7. Дж. Уильяме. Сверхпроводимость и ее применение в технике. М.: Мир. 1973.296 с.' • ни. ; ■

8. D.C. Johnston, Н. Prakash, W.H. Zachariasen, R. Viswanthan. High temperature superconducitivity in the lithium-titanium-oxygen ternary system. Mat Res. Bull. 1973. V.8. No7. P.777-784.

9. A.M. Okaz, P.H. Keeson. Specific heat and magnetization of the superconducting monoxides: NbO and ТЮ. Phys. Rev. 1975. V. 12B. Nol 1. P.4917-4928.

10. A.W. Sleight, J.L. Gillson, P.E. Bierstedt. High-temperature superconductivity in the BaPbi.xBix03. Solid State Commun. 1975. V.17. Nol. P.27-28.

11. Jl.H. Булаевский. Сверхпроводимость и электронные свойства слоистых соединений. УФН. 1975. Т.116. №3. С.449-483.

12. Сверхпроводящие машины и устройства. Сб. статей. Под. ред. С. Фонера и Б. Шварца. М.: Мир. 1977.763 с.

13. С.В. Вонсовский, Ю.А. Изюмов, Э.З. Курмаев. Сверхпроводимость переходных металлов, их сплавов и соединений. М.: Наука. 1977.283 с.

14. Физико-химические основы получения сверхпроводящих материалов. / Е.М. Савицкий, Ю.В. Ефимов, Я. Кружляк и др. М.: Металлургия. 1981.480 с.

15. Т. Sakai, G.-Y. Adachi, J. Shiokawa. Electrical properties of rare earth diboridicaibides (R2B2C2-type layer compounds). J. Less Common Metals. 1982. V.84. P.107-114.

16. B.A. Финкель. Структура^сйерхпроводящих соединений. M.: Металлургия. 1983.104 с.

17. В. Chevalier, P. Lejay, J. Etourneau, P. Hagenmuller. Superconducting and magnetic properties of ternary siHcideso&pome rare earth-noble metal (Rh or Ir)-silicon systems. Mat. Res. Bull. 1983. V.18. P.315-330.

18. А.И. Буздин, JI.H. Булаевский. Органические сверхпроводники. УФН. 1984. T.I44. J63- С.415«437. >;,■ , ,ь

19. Е.М. Савицкий, Ю.В. Ефимов, К. Рауб, X. Кхан. Сверхпроводимость сплавов благородных металлов. М.: Металлургия. 1985.230 с.

20. В. Reveau. Numerous structures of oxides can be build from the Re03-type framework. Proc. Indian. Natn. Sci. Acad. 1986. V.52. Nol. P.67-101.

21. G.V.S. Rao. Structure and superconductivity in ternary systems of compounds. Proc. Indian. Natn. Sci. Acad. 1986. V.52. Nol. P.292-310.

22. J.G. Bednorz, K.A. Muller. Possible high Tc superconductivity in Ba-La-Cu-0 system. Z. Phys. 1986. V.64B. Nol. P.189-193.

23. C.W. Chu, P.H. Hor, R.L. Meng et. al. Evidence for superconductivity above 40 К in the La-Ba-Cu-0 compound system. Phys. Rev. Lett. 1987. V.58. No4. P.405-407.

24. S.I. Uchida, H. Tagaki, K. Kitazawa, S. Tanaka. High-Tc superconductivity of La-Ba-Cu-O-Oxides. Jpn. J. Appl. Phys. 1987. V.26. P.L1-L2.

25. H. Tagaki, S.I. Uchida, K. Kitazawa, S. Tanaka. High-Tc superconductivity of La-Ba-Cu-O-Oxides. II. Specification of the Superconducting Phase. Jpn. J. Appl. Phys. 1987. V.26. P.L.123-L124.

26. C.W. Chu, P.H. Hor, R.L. Meng et. al. Superconductivity at 52,5 К in the lanthanum-barium-copper-oxide system. Science. 1987. V.235. No4788. P.567-569.

27. M.K. Wu, J.R. Ashburn, (Ц. Torng et. al. Superconductivity at 93 К in a New Mixed Phase Y-Ba-Cu-0 Compound System at Ambient Pressure. Phys. Rev. Lett. 1987. V.58. No9. P.908-910.

28. RJ. Cava, B. Batlogg, R.B. van Dover et at'Bulk superconductivity at 91К in single-phase oxygen-deficient perovskite Ba2YCu3^>M. Phys. Rev. Lett. 1987. V.58. Nol6. P.1676-1679.

29. Р.Н. Ногг, R.L. Meng, Y.O. Wang et. al. Superconductivity above 90 К in the squire planar compound system. Phys. Rev. Lett. 1987. V.58. N0I8. P.1891-1893.

30. P.M. Grant, R.B. Beyers, E.M. Engler et. al. Superconductivity above 90 К in the compound YBa2Cu3Ox: Structural, transport, and magnetic properties. Phys. Rev. 1987.

31. Y Lé Page, W.Ri McKinnon, J.M. Tarascon et al. Room-temperature structure of the 90 К bulk superconductor YBa2Cu308.x. Phys. Rev. 1987. V.35B. P.7245-7248.

32. J. Akimitsu, A. Yamazaki, H. Sawa, H. Fujiki. Superconductivity in the Bi-Sr-Cu-0 system. Jpn. J. Appl. Phys. 1987. V.26. Pt.2. Nol2. P.L2080-L2081.

33. C. Michel, M. Hervieu, M.M. Borel et. al. Superconductivity in the Bi-Sr-Cu-0 system. Z. Phys. 1987. V.68Bv No4. P.421 -423.

34. W.X. Zhong, B. Chevalier, J. Etourneau, P. Hagenmuller. Crystal structure and superconductivity of new ternary MTGe germanides (M = Ti, Zr, Hf and T = Ru, Os, Rh, Ir). Mat. Res. Bull. 1987. V.22. No3. P.331-336.

35. H. Maeda, Y. Tanaka, M. Fukutomi, T. Asano. A new high Tc oxide superconductor without a rare eath element. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. No2. P.L209-L210.

36. M. Takano, J. Takada, K. Oda et. al. High-Tc Phase Promoted and Stabilized in the Bi, Pb-Sr-Ca-Cu-0 System. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. N06. P.L1041-L1043.

37. И.Э. Грабой, A.P. Кауль, A.P. Метлин. Химия и технология высокотемператург>. : M.J +. Уных сверхпроводников. «Хймйя твердого тела». Т.6 (Итоги науки и техники ВИНИТИ АН СССР). М.: 1988. Т.6. Изд-во ВИНИТИ. 142 с.

38. Высокотемпературные сверхпроводники. Пер. с англ. /Под ред. Д. Нельсона. М. Уиттинхема и Т. Джоржа. М.: Мир. 1988.400 с.

39. R.J. Cava, В. Batlogg, J.J. Kraejewski et. al. Superconductivity near 70 К in a new family of layered copper oxides. Nature. 1988. V.336. № 6196. P.211-214.

40. R.J. Cava, B. Batlogg, J.J. Krajewski et. al. Supercondyctivity near 30 К without copper: the Вао,4Ко)4ВЮз. Nature. 1988. V.332. P.814-816.

41. Z.Z. Sheng, A.M. Hermann. Superconductivity in the rare-earth-free Tl-Ba-Cu-0 system above liquid-nitrogen temperature. Nature. 1988. V.332. No6159. P.55-58; Balk superconductivity at 120 К in the Tl-Ca/Ba-Cu-O. Nature. 1988. V.332. P.138-139.

42. S.S.P. Paikin, V.Y. Lee, E.M. Engler et. al. Bulk Superconductivity at 125 К in45 . H. Inokudii. New Organic Superconductors. Angew. Chem. 1988. Nr. 12. P. 1817-1821.

43. R.J. Cava, B. Batlogg, G.P. Espinosa et. al. Superconductivity at 3,5 К in BaPb0>74Sb0^O3: why is Tc so low? Nature. 1989. V.339. P.291-293.

44. H. Sawa, K. Obara, J. Akimitsu et al. A new family of of superconducting copper oxides (ЬпьхСе^СВаьуЬпуЬСизО,^ (Ln: Nd, Sm, Eu). J. Phys. Soc. Jpn. 1989. V.58, P.2252-2255.

45. M.A. Subramanian, J.GopaJakrishnan, C.C. Torardi et. al. Superconductivity near liqi'v hiuid nitrogen temperature in the Pb-Sr-R-Ca-Cu-0 system (R=Y or rare earth). Physica. 1989. V.157C. Nol. P.124-130.

46. Y. Tokura, T. Arima, H. Takagi et. al. New double-sheet copper oxide compounds with BiO or TIO bilayers. Nature. 1989. V.342. No6252. P.890-893.

47. T. Rouillon, J. Provost, M. Hervieu et. al. Superconductivity up to 100 К in lead cuprates: A new superconductor Pbo^Sry YoiCa^CuA-* Physica. 1989. V.159C. No2. P.201-209.

48. K. Ivon, M. Francois. Crystal structures of high-Tc oxides. The years 1987 and 1988. Z. Phys. 1989. V.76B. No4. P.413-444.

49. Физико-химические й технологические проблемы создания материалов с высокотемпературной сверхпроводимостью (Сборник статей). Журнал Всесоюзного химического общества им. Д.И. Менделеева. 1989. Т.34. №4. С.433-558.

50. М. Hervrieu, С. Michel, В. Reveau. Structures and Microstructures in the Bismuth and Tal-lium superconductors. J. Less. Common. Metals. 1989. V.150. Nol. P.59-69.

51. Г.П. Швейкин, B.A. Губанов, A.A. Фотиев и др. Электронная структура и физико-химические свойства высокотемпературных сверхпроводников. М.: Наука. 1990.240 с.

52. M.J. Geselbracht, Т.J. Richardson, А.М. Stacy. Superconductivity in the layered compound LixNb02. Nature. 1990. V.345. P.324-326.iЧехии

53. R.J. Cava, B. Batlogg, RB. van Dover et. al. Superconductivuty at 60 К in La2. xSrxCaCu2Oz. Nature. 1990. V.345. P.602-604.

54. R.J. Cava, B. Batlogg, J.J. Kraewski et. al. Old and New Oxides Superconducrors. J.1.ss-Common Metals. 1990. V. 164-165. P.749-759.

55. B. Reveau, C. Michel, M. Hevrieu eL al. What about Structure and Nonstoichiometry in Superconductive Layered Cuprates? J. Solid State Chem. 1990. V.85. No2. P.181-201.

56. Высокотемпературная сверхпроводимость: фундаментальные и прикладные ис-^ с^врово^^м. Сву 1. Щ Ле-нингр. отделение. 1990.686 с.

57. Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников. Сб. статей. Под ред. Д.М. Гинзберга. М.: Мир. 1990. 543 с.

58. J. Akimitsu, J. Amano, Н. Sawa et. al. A new Non-Cu-oxide Superconductor: (Sri. xLnx)Nb206.y (Ln: La, Nd, Pr, Ce). Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V.30. No7A. P.LI 155-L1156.

59. A.W. Sleight. Synthesis of oxide superconductors. Physics Today. 1991. No6. P.24-30.

60. A.F. Hebard, M.J. Rosseinsky, R.C. Haddon et. al. Superconductivity at 18 К in potassium-doped Сбо. Nature. 1991. V.350. P.600-601.

61. K. Tanigaki, T.W. Ebbesen, S. Saito et. al. Superconductivity at 33 К in CsxRbyC6o. Nature. 1991. V.352. P.222-223.

62. S.K. Kelly, C.-C. Chen, Q.M. Lieber. Superconductivity at 30 К caesium-doped C^. Nature. 1991. V.352. P.223-225.

63. J.M. Williams, H.H. Wang, K.D. Carlson et. al. New High-Tc Benchmarks for Organic and Fullerene Superconductors. Physica. 1991. V.185C-189C. P.355-359.

64. G.Er.Y. Miyamoto, F. Kanamaru, S. Kikkawa. Superconductivity in the infinite-layer compound Sr|.xLaxCu02 prepared under high pressure. Physica. 1991. V.181C. Nol/3. P.206-208.

65. B.JI. Гинзбург. Изучение сверхпроводимости (краткая история и перспективы на бедующее). СФХТ. 1992. Т.5. №1. С.1-18.

66. Z. Hiroi, М. Azuma, M. N^kapo. Structure and supercoductivity of the infinite-layer compound (CaiySry)|.xCu62-z. Physica. 1993. V.208C. No3/4. P.286-296.

67. Y. Yao, W. Xu, X. Zhou et. Al. Superconductivity and microstructure of infinite-layerd (Sr,Nd)Cu02 prepared under high pressure. Physica. 1993. V.210C. Nol/2. P.80-86.

68. C.N.R. Rao, R. Nagarajan, R. Vijayraghavan. Synthesis of cuprate superconductors. Suprcond. Sci. 1993. V.3. P. 1-22.

69. S.N. Putilin, E.V. Antipov, O. Chmaissem, M. Marezio. Superconductivity at 94 К in HgBa2Cu04+8. Nature (London). 1993. V.362. P.226-228.

70. A. Schilling, M. Cantoni, J.D. Guo, H.R. Ott. Superconductivity above 130 К in the Hg-Ba-Ca-Cu-0 system. Nature. 1993. V.363. P.56-58.

71. Z.J. Huang, R.L. Meng, X.D. Qiu et. al., Superconductivity, structure and resistivity in HgBa2Ca2Cu308+6. Physica. 1993. V.217C. Nol-2. P.l-5.

72. C.W. Сйц» L. Gao. F. Chco et, al. ^uperconçtactivity above 150 К in HgBa2Ca2Cu30M athigh pressures. Nature. 1993. V.365. P.3323-325.

73. A.A. Фотиев, Б.В. Слободан, B.A. Фотиев. Химия и технология высокотемпературных сверхпроводников. Екатеринбург: УрО РАН. 1994.491 с.

74. R.J. Cava, H. Takagi, В. Batlogg et. al. Superconductivity at 23 К in yttrium palladium boride carbide. Nature. 1994. V.367. P. 146-148.

75. R.J. Cava, H. Takagi, H.W. Zandbergrn et. al. Superconductivity in the quoternary in-termetallic compouds LnNi2B^C, Nature. 1994. V.367. P.252-253.

76. R.J. Cava, B. Batlogg, T. Siergist et. al. Superconductivity in RPt2B2C. Phys. Rev. 1994. V.49B. No 17. P. 12384-12387.

77. V.A. Gasparov, GK. Strukova, S.S. Khassanov. Superconductivity above 20 К in barium-niobium-oxide compounds. Письма в ЖЭТФ. 1994. T.60. №6. C.425-428.

78. X.-J. Wu, A. Adschi, C.-Q. Jin et. al. Novel homologous series of superconducting copper oxides, Cu-12(n-l)n. Physica. 1994. V.223C. No3/4. P.243-248.

79. P. Dai, B.C. Chakoumakos, G.F. Sun et al. Synthesis and Neutron Powder Diffraction Study of the Superconductor HgBa2Ca2Cu30^ by T1 Substitution. Physica. 1995.V.243C. P.201-206.

80. H.M. Плакида. Высокотемпературные сверхпроводники. M.: Международная программа образования. 1996. 288 с.

81. S.M. Kazakov, С. Chaillout, P. Bordet et. al. Discovery of a second family of bismuth-oxide-based superconductors. Nature. 1997. V.390. P. 148-150.

82. B. Batlogg. Cuprate Superconductors: Science beyond high Tc. Solid State Commun. 1998. V.107.Noll. P.639-647.

83. J. Oro-Sole, M.T. Caldes, M.R. Palacin et. al. Lithium intercalation chemistry, micro; с! pU L О1.structure and superconductivity in zirconium and hafiiium nitride halides. Solid State Scit ence. 2000. V.2. Nol. P.77-85.

84. K. Ahn, R.K. Kremer, Hj. Mattausch, A. Simon. Superconductivity in layered lanthanum carbide halides: (X,X'=C1, Br, I). J. Alloys and Compounds. 2000.

85. J. Nagamatsu, N. Nakagawa, T. Muranaka et. al. Superconductivity at 39 К in magnesium diboride. Nature. 2001. V.410. P.63-64.

86. T. He, Q. Huang, A. P. Ramirez et. al. Superconductivity in the non-oxide perovskite MgCNi3. Nature. 2001. V.411. P.54-56.

87. C. Buzea, T. Yamashita. Review of the superconducting properties of MgB2. Supercond. Sci. Technol. 2001. V.14. P.R115-R146.

88. H. Sakai, K. Yoshimura, H. Ohno et. al. Superconductivity in pyrochlore oxide, Cd2Re2(>7. J. Phys. C: 2001. V.13. P.L785-L790.

89. T. Silver, A.V. Pan, M. Ionescu et. al. Developments in high temperature superconductivity. Annu. Rep. Prog. Chem. Cect. C. 2002. V.98. P.323-373.

90. R.J. Cava, H.W. Zandbergen, B. Barlogg et. al. Superconductivity in lanthanum nickel boro-nitride. Nature. 2002. V.372. P.245-247.

91. H.W. Zandbergen, J. Jansen, R.J. Cavai et. al. Structure of the 13-K supeconductor La3Ni2B2N3. Nature. 2002. V.372. P.759-761.

92. J.L. Sarrao, L.A. Morales, J.D. Thompson et. al. Plutonium-based superconductivity with a transition temperature above 18 K. Nature. 2002. V.420. No6913. P.297-299.

93. K. Takada, H. Sakurai, E. Takayama-Muromashi et. al. Superconductivity in two-dimensional Co02 layers. Nature. 2003. V.422. P.53-55.

94. P. Bordet., E.M. Kopnin, A. Sato et. al. Structure analysis of superconducting Au-1212 cuprate. Supercond. Sci. Technol. 2003. V.16. P.685-689.

95. С.Г. Овчинников. Экзотическая сверхпроводимость и магнетизм в рутенатах. УФН. 2003. Т. 173. №1. С.27-50.

96. И.С Щадлыгин, Б.ПЩ В.Б, Лазарев. Получение и свойства соединений , L1Î2CUO4 (Ln La, Рг, Nd, Sm, Eu, Gd) и некоторых их твердых растворов. Ж. неор-ганич. Химии. 1979. Т.24. ДЬ6. С.1478-1485.

97. B. Aurivillius. Mixed bismuth oxides with layer lattices. I. Structure type of CaBi2B209. Arkiv Kemi. 1949. Bd.l. No54. P.463-471; The structure of Bi2Nb05F and isomorphous compounds. Arkiv Kemi. 1952. Bd.5. No4. P.39-47.

98. P. Chaudhari, J. Manhart, D.Dimos et. al. Direct Measurtmrnt of the Superconducting Properties of Single Grain Boudaries in YiBa2Cu307^. Phys. Rev. Lett. 1988. V.60. No 16. P.1653-1655.

99. D. Dimos, P. Chaudhari, J. Mannhart. Superconducting transport properties of grain boundaries in YBa2Cu307 bicrystals. Phys. Rev. 1990. V.41B. No7. P.4038-4049.

100. D. Larbalestier. Critical current and magnet applications of high-Tc superconductors. Physics Today. 1991. N06. P.74-82.

101. R. Flukijor, B. Hensel, A. Jaremie et. al. Processing of classical and high-Tc superconducting wires. Appl. Supercond. 1993. V.l. No3-6. P.709-723.

102. Л.Д. Никулин, BJL Филькин, A.K. Шиков. Сверхпроводящие композитные материалы. Ж. Всесоюзн. химич. общества им. ДИ. Менделеева. 1989. Т.34. №4. С.519-527. 112.S. Jin. Processing techniques for bulk High-Tc. JOM. 1991. V.43. P.7-12.

103. J. Luo, X.P. Jiang, H.M. Chow et. al. Grain alignment and transport properties of Bi2Sr2CaCu20g grown by laser-heated floating zone melting. IEEE Trans. Magn. 1991. V.27. No2. P. 1499-1502.

104. Y. Yamada, T. Graf, E. Seibt, R. Flukiger. Phase formation and melt textured growth of (Bi,Pb)-Sr-Ca-Cu-0. lEÉÉÏràns. Magn. 1991. V.27. No2. P.1495-1498.

105. M. Murakami, T. Oyama, H. Fujimoto et al. Meh proccesing of bulk high Tc superconduetors and their applicatip^pjSfTrans. Magn. 1991. V.27. No2. P.1479-1486.

106. C. Aguillon, D. G. McCartney, P. Regnier et. al. Very high critical current in a long YBa2Cu307^ single crystalline rod. J. Appl. Phys. 1991. V.69. Nol2. P.8261-8264.

107. E.H. Chia, G.R. Patel. High temperature superconductivity: update of progress in wireполучения ВТСП материалов из расплавов. Неорганич. Материалы. 1993.129. №1. С.3-17. 119. И.В. Курчатов. Сегнетоэлекгрики. Л.-М.: Гос. Техн. Теоретич. Изд. 1933.104 с.

108. А. Исупов и др. Сегнетоэлекгрики и антисегне

109. И.С. Желудев. Основы сегнетоэлектричества. М.: Атомиздат. 1973.472 с.

110. В.М. Фридкин. Сегнетоэлекгрики-полупроводники. М.: Наука. 1976.408 с.

111. М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлекгрики и родственные им материалы. М.: Мир. 1981.736 с.

112. Ю.Н. Веневцев, В.В. Гагулин, В.Н. Любимов. Сегнетомагнетики. М.: Наука. 1982.226 с.

113. В.Ф. Косоротов, Л.С. Кременчугский, В.Б. Самойлов, Л.В. Щедрина Пироэлектрический эффект и его практические применения. Киев.: Наукова думка. 1989.224 с.-><л . yj i

114. Г.Г. Гурзадян, В.Г. Дмитриев, Д.Н. Никогосян. Нелинейно-оптические 1фисталлы. Свойства и применение в квантовой электронике. М:. Радио и связь. 1991.160 с.

115. Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука. Физматлит. 1995.305 с.

116. А.К. Tagantsev, V.O. Sherman, K.F. Astafiev et. al. Ferroelectric Materials for Microwave Tunable Applications. J. Electroceramics. 2003. V.ll. P.5-66.manufacturing Wireioumai IirtemaiionaL Söot I992»FJ3S*141.

117. M. Dawber, К. М. Rabe, J. F. Scott. Physics of thin-film ferroelectric oxides. Rev. Modem Phys. 2005. V.77. No4. P. 1083-1130.

118. J. Valasek. Piezo-Electric and Allied Phenomena in Rochelle Salt Phys. Rev. 1921. V.17. No6. P.475-481.

119. Б.М. Вул, И.М. Гольдман. Диэлектрическая проницаемость титанатов металлов второй группы. ДАН СССР. 1945. Т.46. С.154-157; Б. Вул. Диэлектрическая проницаемость титаната бария при низких температурах. ЖЭТФ. 1945. Т.15. №12. С.735-738.

120. Е.С. Subbarao. Ferroelectricity in Bi4Ti3012 and Its Solid Solution. Phys. Rev. 1961. V.122. No3. P.804-807.

121. E.C. Subbarao. A Family of Ferroelectric bithmuth compounds. J. Phys. Chem. Solids. 1962. V.23. P.665-676.

122. C.A. Paz de Araujo, J.D. Cuchiaro, L D. McMillan et. al. Fatigue-Free Ferroelectric Capacitors with Platinum Electrodes. Nature. 1995. V.374. P.627-629.

123. R.G. Shannon. Revised Effective Ionic Radii and Systematic Studies of Interatomic Distances in Halids and Chalcogenides. Acta Cryst. 1976. V.32A. P.751-767.

124. К. Aizu. Possible Spesies of "Ferroelastic" Crystals and of Simulteneously Ferroelectric and Ferroelastic Crystals. J. Phys. Soc. Japan. 1969. V.27. No2. P.387-395.

125. K. Aizu. Possible Species of Ferromagnetic, Ferromagnetic, and Ferroelastic Crystals. Phys. Rev. 1970. V.2B. No3. P.754-772.

126. K. Aizu. Second Order Ferroic State Shifts. J. Phys. Soc. Japan. 1973. V.34. Nol. P.121-128.

127. R.E. Newham, L.E.Cross. Symmetry of secondary ferroics. I. Mat. Res. Bull. 1974. V.9. P.927-934; R E. NewhamrL.E.Cross. Symmetry of secondary ferroics. II. Mat. Res. Bull. 1974. V.9. P.1021-1031.

128. Р. Toledano, J.-C. Toledano. Order-parameter symmetries for the phase transitions of nonmagnetic secondary andhighewDrder ferroics. Phys. Rev. 1977. V.16B. Nol. P.386-407.

129. Г.А. Смоленский, А.И. Аграновская. Диэлектрическая поляризация и потери некоторых соединений сложного состава. ЖТФ. 1958. Т.28. №7. С. 1491-1493.

130. Г.А. Смоленский, В.А. Исупов, А.И. Аграновская, С.Н. Попов. Сегнетоэлектри-ки с размытым фазовым переходом. ФТТ. 1960. Т.2. С.2906-2911.

131. L.E. Cross. Relaxor ferroelectric. Ferroelectrics. 1987. V.76. P.241-267.

132. R Blinc, J. DolinSek, A. GregoroviC et. al. Local Polarization Distribution and EdwardsAnderson Older Parameter of RtfaKor Ferroelectrics. Phys. Rev. Lett. 1999. V.83. P.424-427.

133. E.V. Colla, L.K. Chao, M. B. Weissman. Barkhausen Noise in a Relaxor Ferroelectric. Phys. Rev. Lett. 2002. V.88.017601 (4 pages).

134. A.E. Glazounov, A.K. Tagantsev, Phenomenological Model of Dynamic Nonlinear Response of Relaxor Ferroelectrics. Phys. Rev. Lett. 2000. V.85. P.2192-2195.

135. V. Westphal, W. Kleemann, M.D. Glinchuk. Diffuse phase transitions and random-field-induced domain states of the "relaxor" ferroelectric PbMgI/3Nb2/303. Phys. Rev. Lett. 1992. V.68. P.847-850.

136. W. Kleemann. Random-field induced antiferromagnetic, ferroelectric and structural domain states. Int. J. 1993. V.7B. P.2469-2507.

137. Р.Ф. Мамин. Влияние термозаполнения ловушек на устойчивость структурных фаз в полупроводниках. Письма в ЖЭТФ. 1993. Т.58. №7. С.534-537.

138. Р.Ф. Мамин. К теории фазовых переходов в релаксорах. ФТТ. 2001. Т.43. №7. С. 1262-1267.

139. А.М. Balbashov, S.K. Egorov. Apparatus for growth of single crystals of oxide compounds by floating zone melting with radiation heating. J. Cryst. Growth. 1981. V.52. P.498-504.

140. A.M. Balbashov, S.G. Karabashev, A.S. Nygmatulin. Floating zone melting preparation ofYBa2Cu307.x, УВагСщОв.* and Bi2Sr2CaCu208+s high-Tc superconductor. Progr. High. Temp. Supercond P.95-106.

141. T.M. Туркина, П.П. Федотов, Б.П. Соколов. Устойчивость плоского фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов твердых растворов M|.XRXF2+X (где М=Са, Sr, Ва; R редкоземельный элемент из расплава). Кристаллография. 1986. Т.31. №1. С.146-152.

142. M.J. Cima, X.P. Jiang, H.M. Chow et. al. Influence of growth parameters on microstructure of directionally solidified Bi2Sr2CaCu20y. J. Mater. Res. 1990. V.5. No5. P.1834-1849.

143. T.B. Панченко, М.Д. Волнянский, В.Г. Моня, В.М. Дуда. Дефекты и переполяризация кристаллов Pb5Ge30n. ФТТ. 1977. Т.19. №8. С.1238-1244., 163. Гидротермальной синтез и выращивание монокристалдов. Под. ps|. А.Н. Лоба- , f ^"Wк:Наука. 1982.243с. ^ - f V

144. А.А. Марьин. Синтез соединений со структурой типа силленита в гидротермальной аппаратуре. В сб.: Проблемы эксперимента в твердофазной и гидротермальной аппаратуре высокого давления. М.: Наука. 1982. С. 214.

145. Powder Diffraction files of the International Centre for Diffraction Data (ICDD). 1999.

146. А.Г. Капышев. Поиск новых соединений и твердых растворов типа перовскита, исследование их структуры и диэлектрических свойств. Дисс. на соискание уч. ст. канд. техн. наук. М.: Моск. ин-т радиотехн. электроники и автоматики. 1975.124 с.

147. А.А. Zhukov, A. A. Bush, I.V. Gladyshev et. al. Studies of single crystals in the Bi-Ca-Sr-Cu-0 system by the diamagnetic shielding method. Z. Phys. 1990. V.78B. P.195-198.. v-i>vyu.;

148. Ю.В. Воробьев, B.H. Добровольский, В.И. Стриха. Методы исследования полупроводников. Киев. Вища школа. 1988.232 с.

149. A.M. Туричин. Электрические измерения неэлектрических величин. М.: Энергия. 1966. С.52-61.

150. S.K. Kurtz, Т.Т. Репу. A powder technique for the evaluation of nonlinear optical materials. J. Appl. Phys. 1968. V.39. No8. P.3798-3813.

151. Г.А. Ильинский Определение плотности минералов. Л.: Недра. 1975.120 с.

152. В.И. Николаев, B.C. Русаков. Мессбауэровские исследования ферритов. М.: Изд. МГУ. 1985.224 с.

153. К. Опо, К. Nakage, M. Ito et. al. Phase equilibrium Diagram in the Ternary System Y203-Ba0-Cu0. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. No6. P.L1065-L1067.

154. T. Asclage, K. Keefer. Liquidus relations in Y-Ba-Cu oxides. J. Mater. Res. 1989. V.6. No6. P.1271-1291.

155. B. Morosin, D.S. Ginley, P.F. Hlava et. al. Structural and compositional characterization of polycrystals and single crystals in the Bi- and Tl-superconductor systems: Crystal structure of TlCaBa2Cu207. Physica. 1988. V.152C. No5. P.413-423.

156. J.K. Liang, Y.L. Zhang, J.Q. Huang et. al. Crystal structure and superconductivity of TlBa2CaCu2065. Z. Phys. 1988. V.73B. Nol. P.9-13.

157. A.K. Ganguli, K.S. Nanjundaswamy and C.N.R. Rao. Tli-xPbxCa 8ггСи207: Another 1122 high-Tc superconductor. Physica. 1988. V.156C. No5. P.788-790.

158. T. Manako, Y. Shimakawa, Y. Kubo et. al. Non- superconducting TlBa2YCu207 with a new crystal structure resembling superconducting YBa2Cu307. Physica. 1988. V.156C. No2. P.315-318.

159. W.L. Lechter, M.S. Osofsky, R.J. Soulen et. al. Bulk superconductivity above 100 К in the Tl-Sr-Ca-Cu system. Solid State Commun. 1988. V.68. No6. P.519-521.

160. Данькр и^, Исследование системы Pb-Sr

161. Y,Ca-Cu-0. Там же. С253-254.

162. T. Nagashima, M. Watahiki, Y. Fukai. Improving Superconducting Characteristics of Tl-Sr-Ca-Cu-0 by Doping with Pb and/or Rare-Earth Elements. Jpn. J. Appl. Phys. 1989. V.28. Pt.2. No6. P.L930-L933i:;

163. S. Li, M. Greenblatt. Preparation and superconducting properties of (Tl,Bi)Sr2CaCu2Oy. Physica. 1989. V.157C. No2. P.365-369.

164. D.M. Leeuw, C.A.H.A. Mutsaers, C. Langereis et. al. Compounds and phase compartibili-ties in the system Y203-Ba0-Cu0 at 950°C. Physica. 1988. V.152C. Nol. P.39-49.

165. R.M. Hazen, C.T. Prewitt, R.J. Angel et. al. Superconductivity in the high-Tc Bi-Ca-Sr-Cu-0 system: Phase identification. Phys. Rev. Lett. 1988. V.60. No 12. P.l 174-1177.

166. Jl.H. Днмьянец, А.Б. Быков, O.K. Мельников. Выращивание монокристаллов высокотемпературных сверхпроводниеов в системах La-Sr-Cu-O, Y-Ba-Cu-O, Bi-Sr-Ca-Cu-O. Сб. Рост кристаллов. Труды ИКАН. 1991. Т.19. С.165-193.

167. T. Komatsu, О. Tanaka, К. Matusita et. al. On the Reactions of Quenched BaYCuO Powders with Various Materials. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27, Pt.2. No6. P.L1025-L1028.

168. A. Ono, T. Tanaka, H. Nozaki, Y. Ishizawa. Superconductivity in Ba2(i.x)Sr2xYCu307. y. Jpn. J. Appl. Phys. 1987. V.26. Pt.2. No.10. P.L1687-L1689.

169. T. Uzumaki, K. Yamanaka, A. Tanaka et al. Sr Substitution Effect in Ba-Y-Cu-0 System. Jap. J. Ceram. Soc. 1988. V.96. No4. P.517-520.

170. Y. Takeda, R. Kanno, K. Ina et al. The Synthesis and Properties of YBaSrCu3Oy. Powder and powder Mat. 1988. V.35. No5. P.349-352.

171. Y. Shimakawa, J. Tabuchi, A. Ochi et al. Effect of Variation in Composition on Electrical and Chemical Properties of YBa2Cu307^. J. Ceram. Soc. Japan. 1988. V.96. No4. P.497-500.

172. D.J. Li, H. Shibahara, J.P. Zhang et. al. Synthesis and structure of copper- and yttrium-rich YBa2Cu307-* superconductors. Physica, 1988. V.156C. No2. P.201-207.

173. E.M. McCanon, M A Subramanian, J.C. Calabrese, R.L. Harlow. The incommensuratestructure of (Sr,4.xCax)Cu2404i (0<*~8). Mat. Res. Bull. 1988. V.23. No9. P.l 155-1165.

174. T. Siegrist, L.F. Schneemeyer, S.A. Sunshine, J.V. Waszazak. A new layered cuprate strucrure-type, (A,.xA'x)14Cu2404|. Mat. Res. Bull. 1988. V.23. NolO. P.1429-1438.

175. H. Kitaguchi M. Ohno, M. Kachi, et. al. Equilibrium phase diagram for the La203

176. D.M. <fe Leeuw, C.A.H. Ä. Mutsaeß, G.PJ. Geeleo et al. Compounds and phase compatibilities in the system Y2C>3-(BaO)-SiO-CuO at 950°C. Physica. 1988. V.152C. No5. P.508-512.

177. Y. Ikeda, Y. Oue, K. Inaba et al. YO^-BaO-SrO-CuO System. Powder and powder Mat. 1988. V.35. No5. P.329-331.

178. J. Hahn, T.O. Mason, S.-J. Hwu, K.R. Poeppelmeier. Solid State Phase Chemistry in the Superconducting Systems; Y-Ba-Cu-0 and La-Sr-Cu-O. Chemtronics. 1987. V.2. No9. P.126-129.

179. C. Michel, B. Reveau Les oxides A2BaCu05 (A=Y, Sm, Eu, Gd, Ho, Er,Yb). J. Solid State Chem. 1982. V.45. Nol. P.73-80.

180. T. Shishido, Y. Saito, T., Fukuda et. al. Sintering and Characterization of Er2Ba2CuMPt<,,908 Compacts. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. Pt.2. NolO. P.L1926-L1928.

181. G. Calestani, C. Rizzoli, G.D. Andreetti. Synthesis and crystal structure of Y2Ba3Cu2PtO,0. Solid State Commun. 1988. Y.66. No2. P.223-226.

182. M. Hjorth. Crystal Structure of Y2(Ba,Sr)2SrCu2PtOl0. Acta Chem. Scand. 1988. V.42A. NolO. P.727-730.

183. R. Kipka, Hk. Muller-Buschbaum. Zur Kenntnis von Ba2Cu304Cl2. Z. anorg. allg. Chem. 1976. V.419. Nol. P.58-62.

184. T. Taske, Hk. Muller-Buschbaum. Zum Kenntnis von Ca2Cu03 und SrCu02. Z. Anorg. Allg. Chem. 1970. Bd.379B. H.3. S.234-241.

185. T. Teske, Hk. Muller-Buschbaum. Zur Kenntnis von Sr2Cu03. Z. anorg. allg. Chem. 1979. V.371. No5/6. S.325-332.

186. H.N. Migeon, F. Jeannot, M. Zanne, J. Aubry. Preparation et etude d'un oxyde de bar-ium-cuivre BaCu02. ReV. ChM Mineral. 1976. V.13. No5. P.440-445.

187. Thin Films with Controlled c-Axis Lattice Spâfaings by Multitarget Sputtering. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. Pt.2. NolO. P.L1883-L1886.

188. C.N.R. Rao, R. Vijayaraghavan, L. Ganapathi, S.V. Bhat Bi2xPbx(Ca, SrViCXCW« (n=l, 2,3, and 4) family of superconductors. J. Solid State Chem. 1989. V.79. Nol. P.177-188.

189. H. Wang, X.Wang, S. Shang et. al. Possible presence of2234 phase with Tc(zero) of 95 K in a Bi-Pb-Sb-Sr-Ca-Cu-0 ceramic. Appl. Phys. Lett. 1990. V.57. No7. P.710-711.

190. Y. Nakayama, I. Tsukada, K. Uchinokura. Superconductivity of Bi2Sr2Ca„iCu/I0>, (n=2,3,4, and 5) thin films prepared in situ by molecular-beam epitaxy technique. J. Appl. Phys. 1991. V.70. No8. P.4371-4377.

191. M. Kanai, T. Kawai, S. Kawai. Atomic Layer Control of SrCuO* and Layer-By. U- V t ■ '1.yer Growth of Bi2Sr2CviCu„02fff4 (n=l to 5) on SrTiC>3 (100) by Laser Molecular-Beam-Epitaxy. Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V.31. No3B. P.L331-L333.

192. K. Moroishi, A. Inoue, K. Matsuzaki, T. Masumoto. New oxide superconductors in the Sr-Bi-Cu-0 system. J. Mater. Sei. 1989. V.24. No3. P.906-910.

193. J.P. Franck, J. Jung, W.A. Miner, M.A.-K. Mohamed. Superconductivity in bismuth-strontium-copper oxides. Phys. Rev. 1988. V.38B. Nol. P.754-756.

194. C.C. Torardi, M-A- Subiamanian, J.C. Calabrese et. al. Structures of the superconducting oxides Tl2Ba2Cu06 and Bi2Sr2CuC>6. Phys. Rev. 1988. V.38B. Nol. P.225-231.i KdVVii

195. K. Sugiyama, Y. Wäsedä, K.Moroishi, et. al. Structual Study for a New Superconducting Phase in the Bi-Sr-Cu-0 System. Z. Naturforsch. 1988. V.43a. No6. P.517-520.

196. H. Sawa, H. Fujiki, K. Tomimoto, J. Akimitsu. Crystal Substructure of the Bi-Sr-Cu-O System. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. Pt.2. No5. P.L830-L832.

197. H. Fujiki, M. Sano, К. Tomimoto et. al. Long Period Structures in the Bi-Sr-Cu-0 System. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. Pt.2. N06. P.L1044-L1046.

198. M. Onoda, M. Sato. Superlattice structure of superconducting Bi-Sr-Cu-0 system.

199. Solid State Commun. 1988. V.67. N08. P.799-804.. • .■••■■•.,• . . : ■ ¿«A 4 v v «. '.' '.y <r rt. un ■ ^ y* ' « 1 . . a, . « , , .-f y шу kTImK I К IVwIMMI1 rit К 1 ' пНИйПшГО fit" Я1 У\ T||njRf|t(CC.Af1 йЧищ/УЛЪ/1 ItîliînrtSiYtfTÊ

200. P. Strobel, K. Kelleher, F. Holtzbertg, T. Worthington. Crystal growth and characterization of the superconducting phase in the Bi-Sr-Cu-0 system. Physica. 1988. V.156C, No3. P.434-440.

201. G. Burns, P. Strobel, G. V. Chandrashekhar et. al. Raman-active phpnons in the high-temperature superconductors and results in Bi2Sr2Cu06- Phys. Rev. 1989. V.39B. No4. P.2245-2250. '

202. J.Q. Li, C. Chen, D.Y. Yang et. al. Modulated structure of the superconducting compounds Bi2Sr2Can-iCunOy with n=l and 2. Z. Phys. 1989. V.74B. No2. P.165-172.

203. Bi-Sr-Ca-Cu-0 System. Там же. 1989. V.28. No4. P.L602-L605.. . . li. : ( '237A. Saggio, K. Sujata, J: Hahn et. al. Partial Bi-Sr-Cu-0 Subsolidus Diagram at 800°C with and without Lithium Carbonate. J. Am. Ceram. Soc. 1989. V.72. No5. P.849-853.

204. Y. Ikeda, H. Ito, Sh. Shimomura et. al. Phases and their relations in the Bi-Sr-Cu-0 System. Physica. 1989. V.159C. Nol-2, P.93-104.

205. W.A. Groen, H.W. Zandbergen. A study of Bi2Sr2-xLaxCu06+8 with X-ray powder and electron diffraction. Solid State Commun. 1988. V.68. No6. P.527-529.

206. T. Kijima, J. Tanaka, Y. Bando. Superconductivity in the Bi-Sr-La-Cu-0 System. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. Pt.2. No.6. P.L1035-L1037.

207. T. Den, A. Yamazaki, J. Akimitsu. The Superconductivity in the Bi-Sr-Ln-Cu-0 System (Ln=Pr, Nd and La). Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. Pt.2. No9. P.L1620-L1622.

208. Y. Takemura, M. Hongo, K. Wakaizumi et. al. A New Bismuth-Containing Cuprate, Bi2LaCaCu06.5+y, as an Insulator Phase of Superconductor Bi2Sr2Cu06+y. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. Pt.2. NolO. P.L1864-L1865.

209. T. Den, J. Akimitsu. Superconductivity in the Bi2Sr3.xLnxCu20y System and the Excess of Hole Concentration in Bi2Sr2CanCui+nOy (n=0 and 1). Jpn. J. Appl. Phys. 1989. V.28. Pt.2. No2. P.L193-L196.

210. W. Bauhofer, Hj. Mattausch, R.K. Kremer et. al. Superconductivity in the system Bi2Sr2. xLaxCuO^: Hole formation by (LaO)+. Phys. Rev. 1989. V.39B. NolO. P.7244-7247.

211. M.A. Subramanian, A.R. Strzelecki, J. Gopalakrishnan and A.W. Sleight. Superconductor-to-insulator transition in the Bi2Sr3-xYxCu208+y system. J. Solid State Chem. 1988. V.77. P. 196-199.

212. W. Urland, F. Tletz. Superconductivity in the Bi-Sr-Mg-Cu-0 system. Mat. Res. Bui. 1989. V.24. No4. P.489492.

213. J.M. Tarascon, P.F. Miceli, P. Barboux et. al. Structure and magnetic properties of nonsuperconducting doped Co and Fe Bi2Sr2Cui.xMxOy phases. Phys. Rev. 1989. V.39B. Nol6. P. 11587-11598.•-,4 /.;.'

214. Y. Takemura, M. Hongo, Sh. Yamazaki. The Effect of Pb Substitution on the Bi-Sr-Cu-0 Superconductor. Jpn. J. Appl. Phys. 1989. V.28. Pt.2. No6. P.L916-L919.

215. A. Maeda, Y. Kato, T. Shibauchi et. al. Tetragonal-to-Orthorhombic Transition and

216. Disappearance of Superconductivity in the Pb-Doped Bi2Sr2CuOy System. Jpn. J. Appl. Phys. 1989. V.28. Pt.2. No9. P.L1549-L1551.

217. R. Guillermo, P. Confiant, J.-C. Boivin, D. Thomas. Le diagramme des phases solides du systeme Bi203-Sr0. Revue de Chimie minerale. 1978. T.15. No2. P.153-159.

218. S.K. Blover, C. Greaves. A neutron diffraction study of Cao,i76Bio,8240it4i2. Mat. Res. Bull. -1988. V.23. No5. P.765-772.

219. C.-L. Lee, J.-J. Chen, W.-J. Wen et. al. Equilibrium phase relations in the Bi-Ca-Sr-Cu-0 system at 850 and900°C. J. Mater. Res. 1990. V.5. No7. P. 1403-1408.

220. R. Horyn, I. Filatov, J. Ziaja, M. Wolcyrz. Phase relations in the Bi203-Sr0-Cu0 system at 800 degrees С. Supercond. Sci. Technol. 1990. V.3. P.347-355.

221. Б.В. Слободин, A.A. Фотирв, H.А. Пахомова. Система Ca0-Bi203-Cu0. Журнал неорганич. химии. 1991. Т.36. №2. С.510-512.

222. J. Gopalakrishnan. Synthesis and structure of some interesting oxides of bismuth. Proc. Indian Acad. Sci. (Chem. Sci.). 1986. V.96. N06. P.449-458.

223. Y. Matsui, H. Maeda, Y. Tanaka, S. Horiuchi. Possible model of the modulated structure in high-Tc superconductor in the Bi-Sr-Ca-Cu-0 system revealed by high-resolution electron microscopy. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. No3. P.L372-L375.

224. K. Kawaguchi, S. Sasaki, H. Mukaida, M. Nakao. X-Ray Diffraction Study of a High-Tc Bi-Ca-Sr-Cu-0 Superconductor Having Incommensurate Superstructure. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. Pt.2. Noé:¥.LÎ015-L1017.

225. Y. Matsui, H. Maeda, Y. Tanaka et. al. Twins and intergrowth defects in high-Tc Bi-Sr-Ca-Cu-0 superconductor examined by the high-electron microscopy. Jpn. J. Appl. Phys. Pt.2.1988. V.27. No5. P.L827-L829.

226. Y. Matsui, S. Takegawa, H. Nozaki et. al. High-resolution elecyron microscopy of intergrowth and modulated structure in 110 К superconductor Bi2(Sr,Ca)4Cu3Oy. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. Pt.2. No7. P.L 1241-LI244.

227. M. Yoshida. Lattice Stability of the Bi4(Sri.yCay)6Cu40x Structure under the Change of Sr-Ca Ratio. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. Pt.2. Nol 1. P.L2044-L2047.

228. S. Amelinckx, G. van Tendeloo, B.W. Zandbergen, J. van Landuyt. Electron microscopic studies of high Tc superconductors. J. Less-Common Metals. 1989. V.150. Nol. P.71-94.

229. M. Gasgnier, M.-O. Ruault. Electron microscopy of the new high Tc superconductor Bi-Ca-Sr-Cu-O: Crystallographic properties between 15 and 1000 K. Materials Science and Engineering B. 1989. V.2. No4. P.287-296.

230. H. Takenaka, K. Kamigaki, H. Terauchi, A. Katui. X-Ray Study on Low-Temperature Behavior of an Incommensurate Superstructure in the New High-Tc Superconductor Bi2Sr2Ca,Cu208+6. J. Phys. Soc. Japan. 1989. V.58. No.3. P.775-778.

231. C. Patterson, P.D. Hatton, R.J. Neimes et. al. An X-ray diffraction study of the incommensurate modulations in single crystal Bi2Sr2CaCu20r Supercond. Sci. Technol. 1990. V.3. No6. P.297-301.

232. Y. Matsui, Sh. Takekawa, Sh. Horiushi et. al. High-Resolution Electron Microscopy of Modulated Structures aid Defects in Bi-Sr-Ca-Cu-0 Sperconductors Prapered by Various Procedures. J. Electron. Microsc. 1990. V.39. No6. P.223-230.

233. H.W. Zandbergen, W*A, Groen, A. Smit, G. van Tendeloo. Structure and properties of (Bi,Pb)2Sr2(Ca,Y)Cu2CW Physica. 1990. V.168C. No3/4. P.426-449,

234. V. Petricek, Y. Gao, P. Coppens. X-ray analysis of the incommensurate modulation1. А ( 1:14in the 2:2:1:2 Bi-Sr-Ca-Cu-0 superconductor including the oxygen atoms. Phys. Rev. 1990. V.42B. Nol, P.387-392.

235. P. Bordet, J.J. Capponi, C. Chaillout et. al. A note on the symmetry and Bi valence of the superconductor Bi2Sr2Ca,Cu208. Physica. 1988. V.156C. Nol. P.189-192.

236. C.C. Torardi, J.B. Parise, M.A. Subramanisn et. al. Oxegen nonstoichiometric in copper-oxide based superconductors and related systems: structure of nonsuperconducting Bi2Sr3.xYxCu208+y (x~0,6-1,0). Physica. 1989. V.157C. Nol. P.l 15-123.

237. A.A. Левин, Ю.И.Смолин, Ю.Ф. Шепелев и др. Строение и сверхпроводящие свойства монокристаллов Bi2Sr2CaCu20g+x. ФТТ. 1993. Т.35. №7. С.2170-2178.

238. A. Sequeira, J.V. Yakhumi, R.M.Iyer et.al. Novel structural features of Pb-stabilised Bi-2223 high-Tc phase from neutron-diffraction study. Physica. 1990. V.167C. No3-4. P.291-296.

239. G. Miehe, T. Vogt, H. Fuwss, M. Wilhelm. Localisation of excess oxygen in the high-Tc 2223-phase В^РЬо.зБгг.оСа^Сиз.оОкн-в by neutron powder diffraction. Physica. 1990. V.171C. No3-4. P.339-343.

240. Y.D. Mo, T.Z. Cheng, H.F. Fan et. al. Structural features of the incommensurate modulation in the Pb-doped Bi-2223 high-Tc phase revealed by direct-method electron diffraction analysis. Supercond. Sci. Technol. 1992. V.5. No2. P.69-72.

241. P. Goodman, S. Bulcock, P.Miller, Z. Przelozny. On the search for a stable BiPbSrCaCuO 2223 polytype. Physica. 1992. V.190. No3. P.277-284.

242. P.M. De Wolf, T. Jansçen, A. Jansser. The superspace Groups for Incommensurate Crystal Structures with a One Dimensional Modulation. Acta Crystallogr. 1981. V.37A. P.625-636.

243. H. Budin, O. Eibl, P. Pongratz, P. Skalicky. Disorder in the BiO sublattice ofv'i iv i

244. H. Niu, N. Fukushima, K. Ando. Effect of Oxygen content and Sr/Ca Ratio on Superconducting Properies in Bi2Sr2.xCai.xCu208+5. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. No8. P.L1442-L1444.

245. R.G. Buckley, J.L. Talion,'LW. M. Brown et. al. The influence of oxygen on the physical properties of the superconducting series Bi2)i(CaxSri-x)It+iCun+4+8. Physica. 1988. V.156C. No4. P.629-634.

246. J.L. Talion, R.G. Buckley, P.W. Gilberd, M.R. Presland. Single-phase Pb-substituted Bi2+yCan-1 Sr2Cun02n+4+g, n=2 and 3: Structure, Tc and effects of oxygen stoichiometry. -Physica. 1989. V.158C. Nol, 2. P.247-254.

247. A.K. Sarkar, B. Kumar, I. Maartense, T. L. Peterson. The effects of long-term annealing on superconducting properties in the Bi-Sr-Ca-Cu-0 system. J. Appl. Phys. 1989. V.65. No6. P.2392-2397. M

248. W. Urland, F. Tietz. Dependence of Tc on hole concentration in Bi2Sr3-xCaxCu208+8. Solid State Commun. 1989. V.69. NolO. P.995-997.

249. V.28. Pt.2. No3. P.L371-L372.

250. H. Nagano, R. Liang, Y. Matsunaga et. al. Evidence of Sr-Dificiency in Bi2Sr2. aCaiCu208 Preparation of Stoichiometric Semiconducting Bi2Sr2CaiCu208. Jpn. J. Appl. Phys. 1989. V.28. No3. P.L364-L367.

251. T. Ishwia. ^«sis^vity Zere of QuenchedBi2Sr2CaGu20x at Afcwe 90 K. Jph J. Appl. Phys. 1989. V.28. No4. P.L573-L575. 4 ' '

252. A. Ono, Sh. Sueno, F.P. Okamura. Preparation and Properties of Single Crystals of the High-Tc Oxide Superconductor in the Bi-Sr-Ca-Cu-0 System. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. Pt.2. No5. P.L786-L789.

253. A. Moto, A. Morimoto, T. Shimizu. Structural Analysis on Tc Variation of Bi2Sr2. xCal+xCu208+y. Jpn. J. Appl. Phys. 1989. V.28. Pt.2. No7. P.L1144-L1147.

254. W.A. Groen, D.M. Leeuw. Oxygen content, lattice constants and Tc of Bi2Sr2CaCu208+6. Physica. 1989. V.159C. P.417-421.

255. Z.C. Kang, O. Monnereau, F. Remy et. al. Relation between incommensurate modulation and Tc in Bi-Sr-Ca-Cu-0 superconductors. J. Phys, France. 1989. V.50. NolO. P.1227-1240.

256. C. Chen, J.Q. Li, Y.S. Yao et. al. Structural phase transitions of superconducting materials. Bii-jPhtSrCaQ^Oy (x=0,0,2). Solid State Commun. 1988. V.68. No8. P.749-752.

257. X.F. Zang, Y.F.Yan, K.K. Fung. In situ heating andphase transition of Bi2Sr2CaCu20g in transmission electron microscope. Phil. Mag. Lett. 1989. V.60. Nol. P.l 1-16.

258. A. Maeda, M. Hase, I. Tsukada et. al. Physical properties of Bi2Sr2Ca11.iCunOy (n=l, 2, 3). Phys. Rev. 1990. V.41B. NolO. P.6418-6534.

259. J.D. Jorgensen. Defects and superconductivity in the copper oxides. Physics Today. 1991. No6. P.34-40.

260. K. Numata, K. Mori, H. Yamamoto et. al. Metallurgical studies and optimization of sintering for the Bi-Sr-Ca-Cu-0 superconductors. J. Appl. Phys. 1988. V.64. Nol 1, P.6392-6395.

261. T. Kanai, T. Kumagai, A. Soeta et. al. Crystalline Structures and Superconducting Properties of Rapidly Quenched BiSrCaCu2Ox Ceramics. Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. Pt.2. No8. P.L1435-L1438,

262. T. Hatano, K. Aota, Sh. Ikeda et. al. Growth of the 2223 Phase in Leaded Bi-Sr-Ca-Cu-0 System. Jpn. J. Appl. Pliys. 1988. V.27. Pt.2. Nol 1. P.L2055-L2058.

263. S. Olivier, W.A. Groen, C. van der Beek, H.W. Zandbergen. On the solid solutions i the system Bi2Sr2Cai.xYxCu208+«, Bi2Sri.xLaxYCa208+8 and Bi2Sr2Yi.xCexCu208+8. Physica. 1989. V.157C. P.531-536.

264. Ch.P. Bean. Magnetization of High-Field Superconductors. Rev. Mod. Phys. 1964. V.36. Nol. P.31-39. . '

265. H.C. Montgomery. Method for Measuring Electrical Resistivity of Anisotropic Materials. J. Appl. Phys. 1971. V.42. No7. P.2971-2975.323 .Y. Iye. Anisotropic transport properties of high Tc oxides. Int. J. Modern Phys. 1989. V.3B. No3. P.367-388.

266. В.И. Иверонова, Г.П. Ревкевич Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: Изд-во МГУ. 1972. Гл. 8. Влияние дефектов упаковки на дифракционную картину. С.144-160.

267. A. Magneli. On Heterogeneous Crystalline Compounds, and the Phasoid Concept. Microsc. Microanal. Microstruct. 1990. V.l. No5/6. P.299-302.

268. И.А. Господарев, А.П. Исакова, А.И. Прохватилов и др. Особенности линейного расширения висмутовых ВТСП. Тез. докл. II ВсесОюз. конф. по высокотемпературнойсверхпроводимости. Киев. 1989. Т. 1П. Ин-т металлофизики АН УССР. С.204-205.

269. Б.Н. Беломестных, O.JI. Хасанов, АЛ.Буш, В.П. Сиротинкин. Термоупругое поведение кристаллов фазы Bi2Sr2CaCu208+8. СФХТ. 1990. Т.З. №2. С.221-224.

270. Н. Yusheng, X. Jiong, W. Jincang et. al. Experimental evidence for the lattice insta

271. W. Schnelle, Е. Braun, Н. Broicher et. al. Superconducting fluctuation in Bi2Sr2Ca2Cu3Ox. Physica. 1989. V.161C. No2. P.123-135.

272. C.K. Филатов, B.B. Семин, О.Ф. Вывенко и др.Деформация 1фисталличекой решетки керамики состава Bi-Ca-Sr-Cu-О при нагревании и термодесорбции летучих компонентов. Письма в ЖТФ. 1989. Т.15. No3. С.23-26.: .'.HiiVv !'f

273. К. Yvon, W. Jeitschko, E. Paithe. LAZY PULVERIX, a computer program, for calculating X-ray and neutron dif&action powder patterns. Appl. Ciyst. 1977. V.10. Nol. P.73-74.

274. A.M. Балбашов, E.A. Антонова, A.C. Нигматулин, С.Г. Карабашев. Направленная кристаллизация и свойства соединения Bi2Sr2CaCu2Ox. СФХТ. 1989. Т.2. №1. С.57-63.

275. П.А. Арсенеьв, В.О. Баврин, О.И. Коваль, Е.К. Копылова. Исследование тексту-рированных образцов Bi-содержащих ВТСП материалов. Высокотемпературная сверхпроводимость, Межотр. Научн.-технич. Сб. М.: ВИМИ. 1991. В.З. С.9-11.

276. Х.Р. Jiant, J.G. Huang,,Y. Yu et. al. The crystal growth of Y-Ba-Cu-0 by laser floating zone melting. Supercond. Sci. Technol. 1988. V.l. No2. P.102-106.

277. J. Zhang, X. Jiang, J. Huang et. al. A preliminary study of the solidification behaviour ofY-Ba-Cu-0 compounds. Supercond. Sci. Technol. 1988. V.l. No2. P.107-109.

278. Bi-Sr-Ca-Cu-0 compounds. J. Cryst. Growth. 1988. V.91. No3. P.282-286.

279. M.K. Malik, V.D. Nair A.R. Biswas et. al. Texture formation and enhanced critical currents in YBa2Cu307. Appl. Phys. Letters. 1988. V52. Nol8. P.1525-1527.

280. D.P. Hampshire, J. Seuntjens, L.D. Cooley, D.C. Larbalestier. Anomalous supprest, ->? •, , ■ ' i • ;; "bp. < • • r >

281. Appl. Phys. Letters. 1988. V.53.No9; P.814-S15.

282. K. Chen, B. Maheswaran, Y.P. Liu et. al. Critical current enhancement in field-oriented YBa2Cu307-i. App. Phys. Lett. 1989. V.55. No3. P.289-291.

283. L. Trouilleux, G. Dhalenne. A. Revcolevschi, P. Monod. Growth and anisotropic magnetic behaviour of aligned eutectic-type structures in the system La2-xSrxCu04-copper oxide. J. Crystal Growth. 1988. V.l. No3. P.268-273.

284. J. Seuntjens, X. Cai, D.C. Larbalestier. Preparation and Characterization of magnrtically textured Y and Dy 123 compounds. IEEE Trans. Magn. 1989. V. 25. No2. P.2021-2025.

285. Э. Иоон, И. Хейнмаа, А. Миллер и др. ЯМР ,70 и 63Си в ориентированном YBa2Cu307.x. Письма в ЖЭТФ. 1989. Т.50. №.6. С.296-299.

286. А.С. Капчерин, И.Я. Папиров, П.Я. Стоев и др. Методика анализа текстур с помощью функции рапределения зерен по ориентациям и исследование текстурообра-зования при прессовании порошков ВТСП. СФХТ. 1992. Т.5. № 1. С.113-118.

287. Д.А. Таранин, B.C. Филипов, A.T. Козаков и др. Об измерениях электрических характеристик ВТСП материалов. Проблемы ВТСП. Ростов-н/Д: Изд-во РГУ. 1990. Вып. 1.С.128-134.

288. А. Кемпбелл, Дж. Иветс. Критические токи в сверхпроводниках. М.: Мир. 1975.334 с.

289. Л.А. Гогава, Е.Г. Джапаридзе, А.Г. Канделаки и др. Низкоомные контакты к оксидному сверхпроводнику YBa2Cu307.y. СФХТ. 1991. Т.4. № 5. С.983-986.

290. О.А. Миронов, С.В. Чистяков, И.Ю. Скрылев и др. Локализация параметра порядка на сетке дислокаций несоответствия сверхпроводящих сверхрешеток РЬТе-PbS. Письма в ЖЭТФ. 1989. Т.50. №6, С.300-303.

291. R. Fastampa, М. Giura, R. Marcon, Е. Silva. 2D to 3D crossover in Bi-Sr-Ca-Cu-O: Comparison with synthetic multilayered superconductors. Phys. Rev. Lett. 1991. V.67. Nol3. P. 1795-1798.

292. Дж. Бремер. Сверхпроводящие устройства. М: Мир. 1964.240 с.

293. В.Н. Алфеев, П.А. Бахтин, А.А. Васенков и др. Под ред. В.Н. Алфеева. Интегральные схемы и микроэлектронные устройства на сверхпроводниках. М.: Радио и связь. 1985.232 с.

294. D.A. Buck. High Speed Cryotron. Patent USA. № 2936435.1960.367А.Ю. Волков. О возможности создания криотрона на основе сильно легированноговысокотемпературного сверхпроводника. Письма в ЖТФ. 1990. Т.16. №4. С.11-14.

295. К.К. Лихарев, Б.Т. Ульрих. Системы с джозефсоновскими контактами. M.: МГУ. 1978. С.447.

296. В.Г. Осипян. Висмутосодержащие сегнетоэлектрические соединения со слоистой перовскитоподобной структурой. В кн.: Структура и свойства сегнетоэлектриков. Рига: Изд-во Латв. ун-та им. П. Стучки. 1983. С.3-30.

297. Б.И. Альшин, Р.В. Зорин, Л.А. Дробышев, C.B. Степаншцев. Магнитные свойства монокристалла манганата свинца. Кристаллография. 1972. Т.17. №3. С.562-565.

298. Б.И. Альшин, Д.Н. Астров, Л.Н. Батуров. Магнитоэлектрический эффект в ман-ганате свинца. Письма в ЖЭТФ. 1975. Т.22. №9. С.444-446.

299. Б.И. Альшин, Д.Н. Астров, Л.Н. Батуров, Р.В. Зорин. Магнитные свойства кристаллов типа манганата свинца. ФТТ. 1976. Т. 18. №2. С.400-409.у mbj&py

300. ЕЛ. Роде. Кислородные соединения марганца. М.: Изд-во АН СССР. 1952.346 с.

301. Ю.Д. Третьяков. Термодинамика ферритов. Л.: «Химия». 1967.304 с.

302. H. Leroux. Metall, erz. Das Zusammenwirken der Oxyde Blei und des Antimons. 1924. V.21. P.421-426.

303. Г.Г. Уразов, Е.И. Сперанская. Взаимодействие окиси свинца с окислами сурьмы. Ж. неорганич. Химии. 1956. Т.1. №6. С.1418-1429.

304. Blei-Antimon-Oxyden im schmelzflussigen Zustande. 2. erz. metall. 1957! V.10. P.64-71.

305. E. Pelzel. Reaktionsgleichgewichte zwischen flussigem Blei und Metalloxyden. III. Zur Deutung des Oxydaitionsmaximums des Antimons bei der Bleiraffmation. Z. erz. metall. 1959. V.12. P.558-561.

306. K. Heinrich, F. Pawlek, K. Plieth. Metall-Schlacken-Gleichgewichete der Systeme Cu-Pb-As-O. Z. erz. Metal. 1961. V.14. P.520-526.

307. J. Gorlach, G. Herrmann. Untersuchungen zur Oxydation dlussiger Blei-Antimon-Legieungen. Z. erz. Metal. 1962. V.15. P.132-138.

308. J. Gerlach, U. Hennig, R. Kurz, F. Pawlek. Beitrag zur Kenntnis des Systems BleiAntimon-Sauerstoff. Metall. 1968. V.22. P. 15-24.

309. B.A. Извозчиков, O.A. Тимофеев. Фотопроводящие окислы свинца в электронике. 1977. JL: Энергия. 144 с,•V »IV I .

310. В.Г. Кузнецов, П.А Козьмин. О струкуре фазы состава Pb3Sb20g,47. Ж. неорган. Химии. 1953. Т.З. №10. С.2361-2365.

311. А. Magneli. A.Magneli. The ciystal structure of lead metaantimonate and izomor-phous Compound. Ark. Kemi. Min. Geol. 1941. V.15B. No3. P.l-6.

312. M. Baccurcda. Piroanmononiati di metalli bivalenti: Ca2Sb207, Cd2Sb207, Pb2Sb207. Gazz. Chim. Ital. 1936. V.66. No3. P.539-549.

313. G. Burchard, W. Rudorff. Zur frage nach aler Existenz eines Kubischen Pyrochlors Pb2Sb207. Z. annorg. und allgem. Chem. 1978. B.447. Nol. S.149-152.

314. J.-Y. Moisan, J. Pariiietier, J. Lucas. Antimoniates de cadmium et de plomb. Elude de quelques substitution. C. r. Acad. sei. C. 1970. T.271. No6. P.403-405.

315. M. Vlasse, J.-C. Massier, J.-P. Chaminade, M. Pouchard. Sur un nouveau type structural de formule A2B207. C. r. Acad. sei. C. 1974. T.278. No26. P. 1505-1507.

316. G. Desgardin, C. Robert, B. Raveau Influence de la nature des ions et sur l'evolution structural des weberites A2B207: les weberites Cd2xSrxSb207. Canad. J. Chem. 1976.1. V.54. Nol 1. P.1665-1671.

317. M.G. Tilloca, M. Peres, M. Jorba, F. Queyroux. Sur la structure du compose Ln3Nb07 pour les premier termes de la serie lanthanidique (Ln- La, Nd, Sm). C. r. Acad, sci. C. 1972. T.271. No2. P.134-135.

318. H. Iwasaki, K. Sugii, T. Yamada, N. Niizeki. 5PbO 3Ge02 crystal; a new ferroelectric. Appl. Phys. Lett. 1971. V.18. NolO. P.444-444.

319. S. Nanamatsu, H. Sugiyama, K. Doi, Y. Kondo. Ferroelectricity in Pb5Ge30n. J. Phys. Soc. Jap. 1971. V.31. No2. P.616-616.

320. H. Iwasaki, S. Miyazawa, H. Kiyomada et. al. Ferroelectric and optical properties of Pb5Ge30n and its isomorphous compound Pb5Ge2SiOn. J. Appl. Phys. 1972. V.43. No 12. P.4907-4915.

321. M.I. Kay, B.E.Newnham, R.W. Wolfe. The crystal structure of the ferroelectric phase of Pb5Ge3On. Ferroelectrics. 1975. V.9. Nol-2. P. 1-6.

322. Y. Iwata. Neutron Diffraction Study of the Structure of Paraelectric Phase of Pb5Ge30„. J. Phys. Soc. Japan. 1977. V.43. No3. P.961-967.

323. C.R. Jones, N. Show, A.W. Vere. Pyroelectric properties of lead germanate. Electronics Lett. 1972. V.8. Nol4. P.345-346.

324. R. Watton, C. Smith, G.R. Jones. Pyroelectric materials: operationn and performance in the pyroelectric camera tube. Ferroelectrics. 1976. V.14. Nol-4. P.719-721.

325. R.W. Whatmore. Pyroelectric devices and materials. Rep. Prog. Phys. 1986. V.49. P.1335-1386.

326. Electron Device Letters. IEEE. 2002. V.23. N06. P.339-341.

327. X. Yue, S. Mendricks, T. Nikolajsen et. al. Multiple phase grating in pure, Yb- and P-doped Pb5Ge3On after different thermal treatments. J. Appl. Phys. 1999. V.87. No3. P.l 186-1190.

328. S. Mendricks, X. Yue, R. Pankrath et. al. Dynamic properties of multiple grating formation in doped and thermally treated lead germanate. Appl. Phys.: Lasers and Optics. 1999. V.68. No5. P.887-891.

329. D.J. Lockwood, H.J. Hosea, W. Taylor. The complete Raman spectrum of paraelectric and ferroelectric lead germanate. J. Phys. 1980. V.13C. N08. P.1539-1553.

330. P.A. Fleuiy, K.B. Lyons. Central Peak Dynamics at the Ferroelectric Transition in Lead Germanate. Phys. Rev. Lett. 1976. V.37. N06. P.1088-1091.

331. B.F. Geller, A.S. Creamer, E.N. Bunting. The system: Pb0-Si02. J. Res. NBS US. 1934. V.13.No2. P.237-244.•" К 'V'

332. J.F. Argyle, F.A. Humell. Dilatometrie and X-ray data for lead compounds, I. J. Amer. Ceram. Soc. 1960. V.43. No9. P.452-457.

333. B.A. Исупов. Антисегнетоэлектрические свойства Pb4Si06. ФТТ. 1965. T.7. № 7. С. 2221-2223.

334. И.Г. Исмаилзаде, P.M. Исмаилов, Х.А. Эюбова, O.A. Мамедов. Влияние постоянного магнитного поля на температуру Кюри Pb3V20g и Pb4Si04. ФТТ. 1981. Т.23. №3. С. 940-943.

335. Gmelins Handbuch der Anorganishren Chemie. Blei Teil C3. System number 47, 1970, Verlag Chemie, GMBH. Weinheim/Bergstz. S.808-854.

336. K.A. Кракау, H.A. Вахрамеев. Диаграмма равновесной системы Pb0-Si02. Стекло и керамика. 1932. Т.8. №1. С.42-44.

337. X.F. McMurdie, E.N. Bunting. X-ray studies of compounds in the system Pb0-Si02. J. Res. NBS US. 1939. V.23. No4. P.543-547.

338. Л.Г. Березкина, Д.М. Чижиков. Рентгенографические исследования в системе Pb0-Si02. Ж. неорган. Химии. 1962. Т.7. №4. С.856-859.

339. M. Mydlar, H. Nowotny, K.J. Seifert. Untersuchungen im Dreistoff Pb0-Si02-Ge02. Monatsh. Chem. 1969. Bd.100. H.l. S.191-202.42?. X.W,Bil|ha«it Phasenufesuchngcn imSystemPbO-PbSiOf.Glastechn. Ben 1969. B.42. H.l2. S.498-505.

340. D. Berdeaux, J. Lajerowicz. Synthesies of the barisilite Pb3SÎ207. Bull. Soc. Franc. Minerai. Crystallogr. 1969. V.92. No3. P.383-385.

341. W. R. Ott, M.G. McLaren. Subsolidus Studies in the System Pb0-Si02. J. Amer. Ceram. Soc. 1970. V.53.No7. P.374-375.

342. Е.И. Богословская, E.B. Савина Термографическое и рентгенографическое изучение силикатов свинца В кн. научн. ip. НИИЦВЕТМЕТа М.: Химия. 1971. № 34. С.163-175.

343. А.Г. Власов, В.А. Флоринская. A.A. Венедиктов и др. Инфракрасные спектры неорганических стекол и кристаллов. Часть IV. JL: Химия. Ленингр. отд. 1972. С.126-221.s

344. R.M. Smart, F.P. Glasser. Compoud Formation and Phase Equilibria in the System Pb0-Si02. J. Amer. Ceram. Soc. 1974. V.57. No9. P.378-382.

345. J. Götz, D. Hoebbel, W.Z. Wieker. Die Kenstitution der Ailicatanionen im kristallinen 2Pb0 Si02. Anorg. Allgem. Chem. 1975. B.416. H.2. S.163-168; 1975. B.418. H.l. S.29-34.

346. H. Hasegawa, M. Shimada, F. Kanamani, M. Koizumi. The Cristallization ofPb5Si3Oii from the Glass in the Pb0-Si02 System. Bull. Chem. Soc. Jap. 1977. V.50. No2. P.529-530.

347. K.H. Brewer, W. Eysel. Mischkristalle und Phasenbeziehungen im System PbO-Si02-Ge02. Fortschr. Minéral. 1978. B.56. H.l. S.10-12.

348. T. Furukawa, S.A. Brawer, W.B.White. Raman and Infrared Spectroscopic Studies of the Crystalline Phases in the System Pb2Si04-PbSi03. J. Amer. Ceram. Soc. 1979. V.62. No7-8. P.351-356.

349. К. Hirota, Y.T. Hasegawa. Phase Relations in the System Pb0-PbSi03. Bull. Chem. Soc. Jap. 1981. V.54. No3. P.754-756.

350. M.L. Boucher, D.R. Peakor. The crystal Structure of Alamosite, PbSi03. Z. Kristal-logr. 1968. V.126B. Nol-6. S.98-111.

351. W. Peter, A.B. Hamikl 'Lf. îÇj^pler. Die kristallstrukture von blei-barisilit, Pb3Si207.

352. Z. Kristallogr. 1971. Bd.133. H.l-3. S.445-458.

353. J. Lajzerowicz. Etude.pär diffraction les rayons X et absorption infra-rouge de la barysilite, M Pb8 3Si207, et de composes isomorphes. Acta crystallogr. 1965. T.20. Nol-2. P.357-363.^"^^ll?*0"^j^^^01*1^ genpanai-,

354. MisehkristairPb2(Si,Ge)04- Äcfcbyk 19*0. V.36B. NolL Р.2539-Ш. 435. L.S. Dent Glasser, R.A. Howil, R.M. Smart. The Structure of Lead Orhosilicate 2Pb0Si02. Acta Crystallogr. 1981. V.37B. No2. P.303-306.

355. S. Yu. Stefanovich Second harmonic in reflection in material science of ferroelectrics. Europ. Conf. on Lasers and Electro-Optics (CLEO-Europe'94). Amsterdam. 1994. Ext.•Л {Ml nUI"1. Abstracts. P.249-250.

356. С.Ю. Стефанович Исследования в материаловедении сегнетоэлектриков с помощью второй гармоники «на отражение». Труды 2 Междунар. конф. "Реальная структура и свойства ацентричных 1фисталлов". Александров. ВНИСИМС. 1995. С.48-65.

357. С.А. Иванов, Н.В. Раннев, Б.М. Щедрин, Ю.Н. Веневцев. Кристаллическая структура антасегнетоэлекгрика Pb3Ge05. Докл. АН СССР. 1978. Т.289. №3. С.586-589.

358. H.H. Otto. Die Kristallstructur der ferroischen Verbidung Pb30|Ge04. Z. Kristallogr. 1979. V.149. P.227-240.

359. V.D. Salnikov, S.Yu. Stephanovitch, V.V. Chetchkin et al. Ferroelectric crystals in system Pb0-Ge02-Si02. Ferroelectrics. 1974. V.8. Nol-4. P.491-493.

360. Е.И. Казенас, Д.М. Чижиков. Давление и состав пара над окислами химических элементов. М.: Наука. 1976.342 с.

361. А.Н. Лазарев, Колебательные спектры и строение силикатов. Л.: Наука. 1968.347 с.

362. Е.И. Сперанская, A.A. Аршакуни. Система окись висмута двуокись германия.-Журн. неорган. Химии. 1964. Т.9. № 2. С.414-421.

363. Е.И. Сперанская, В.М. Скориков, Г.М. Сафронов, Г.Д. Миткина. Система В12Оз-Si02. Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1968. Т.4. №8. С. 1374-1375.

364. В. Aurivillius, C.-J. Lindblom, P. Stenson. The crystal structure of Bi2GeOs. Acta chem. scand. 1964. V.18. N06. P.1555.

365. R.J. Nitsche. Crydtal Growth and Electro-Optic effect of Bismuth Germanate Bi3(Ge03)4. Appl. Phys. 1965. V.36. N08. P.2358-2360.

366. Ю.С. Кузьминов, М.Г. Лифшиц, В.Д. Сальников. Выращивание и физико-химические свойства соединений Bii2Ge02o и Bi4(Ge04)3. Кристаллография. 1968. Т.14. № 2. С.363-365.

367. Г.М. Сафронов, В.Н. Батог, Ю.И. Красилов и др. Некоторые физико-химические свойства германатов и силикатов висмута силленит-типа. Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1970. Т.6. № 2. С.284-288.

368. В.Е. Aldrich, S.L. Hou, M.L. Havill. Electrical and optical properties of Bii2Si02o. -J. Appl. Phys. 1971. V.42. Nol. P.493-494.

369. D.P. Bortfeld, H.J. Meier. Refractive indeces and electrooptic coefficients of the eulit-ins BL,Ge30,2 and BL,Si3Ol2. Appl. Phys. 1972. V.43. P.5110-5111.

370. W. Rehwald, R. Widmer. Ciystal growth and elastic, piezoelectric, and ultrasonic properties of bismuth orthosilicate. J. Phys. Chem. Solids. 1973. V.34. Nol2. P.2269-2272.

371. A.J. Slobodnik, Jr., J.C. Sohares. Elastic, piezoelectric, and dielectric constants of Bii2GeO20. J. Appl. Phys. 1972. V.43. Nol. P.247-248.

372. W. Rehwald. Anamalous ultrasonic attanuation in Bii2Ge02o, Bii2Si02o and Bii2(Ge0,5Si0)5)O20. J Appl. Phys. 1973. V.44. No7. P.3017-3021.

373. M. Ohoe, A.W. Warner, A.E. Ballman. Elastic and piezoelectric characteristics bismuth germanium oxide, Bi)2Ge02o. IEEE Trans. Sonics and Ultrason. 1967. V.SU-14. No4. P. 165-169.

374. Б.Н. Литвин, Ю.В. Балдин, И.Е. Питовранова. Синтез и электрооптические свойства моногфисталлов Si-силленита. Кристаллография. 1968. Т.13. №6. С.1106-1108.

375. C.W.M. Timmermann, Н.О. Boen, G. Blasse. The Luminescence of Bi2Ge309. Solid

376. State Communs. 1982. V.42. No7. P.505-507.

377. M. Sekine, M. Ishii, Y. Miyazawa. Raman scattering in Bi2Ge309. Phys. Stat. sol. 1982. V.l 10b. P.kl41-kl44.

378. A.C.T. North, P.C. Phillips, F.S. Mathews. A semi-empirical method of absorption

379. Wti.Baur. The geometry of polyhedral distortions. Predictive relationships for the phosphate group. Acta Crystallogr. 1974. V.30B. P.l 195-1215.

380. P. Гилеспи, X. Харгиттаи. Модель оталкивания электронных пар валентной оболочки и строение молкул. 1992. М.: Мир. 296 с.

381. J. Galy, G. Meunier, S. Andersson, A. Astrom. Stereochimie des Elements Compotant des Paires NonLiees: Ge(II), As(III), Se(IV), Br(V), Sn(II), Sb(III), Te(IV),4 }

382. V), Xe(VI), T1(I), Pb(II), et Bi(III) (Oxides, Fluorures et Oxyfluorures). J. Solid State Chem. 1975. V.13. Nol-2. P.142-159.

383. Н.П. Смолянинов, И.Н. Беляев Фазовые равновесия в системе Bi203-V205-Pb0. Ж. неорган. Химии. 1963. Т.8. №5. С.1219-1222.

384. B.S. Roth, J.L. Waring Synthesys and stabilityof bismutotantalite, stibiotantalite and chemically similar AB04 compounds. Amer. Mineralogist 1963. V.18. Nol 1-12. P.1348-1356.

385. Я.Н. Блиновская, А.А. Фотиев. Система Bi203-V205. Ж. неорганич. Химии. 1987. Т.32. №1. С.254-256.

386. М. Touboul, С. Vachon. The Bi203-V205 system and crystal data about some bith-muth vanadates. Thermochimica Acta. 1988. V.133. P.61-66.

387. В.Г. Осипян, JI.M. Савченко, В.JI. Элбакян, Н.Б. Авакян. Висмут-ванадатные сегнетоэлектрики со слоистой структурой. Изв. АН СССР. Сер. Неорганич. материалы. 1987. Т.23. С.52Щ5;;

388. В.Н. Борисов, Ю.М. Поплавко, П.Б. Авакян, В.Г. Осипян. Фазовые переходы в ванадате висмута ВцУ20„. ФТТ. 1988. Т.ЗО. №5. С. 1560-1562.

389. В.Н. Борисов, В.М. Пашков, Ю.М. Поплавко и др. Диэлектрические спектры ванадата висмута ВмУ2Оп. Изв. АН СССР. Сер. физич. 1990. Т.54. №6. С.1221-1224.

390. K.B.R. Varma, G.N. Subbanna, T.N. Guru Row, C.N.R. Rao. Synthesis and characterization of layered bithmuth vanadates. J. Mater. Res. 1990. V.5. Nol 1. P.2718-2722.

391. J.D. Bierlein, A.W. Sleight. Ferroelasticity in BiV04. Solid State Commun. 1975. V. 16. Nol. P.69-70.

392. T. Sekiya, A. Tsuzuki, Y. Torii. Preparation and photoconduction of rapidly quenched films in the Bi203-lbM205 system (M=V, Nb and Та). Materials Research Bulletin. 1985. V.20. Nol 1. P.1383-1389.

393. W. Zhou. Defect fluorite-related superstructures in the Bi203-V205 system. J. Solid State Chem. 1988. V.76. P.290-300.

394. H.A. Harwig. Z. Anorg. Allg. Chem. On the structure of Bitmuthsesquioxide: the a, P, y, and 5-Phase. 1978. V.444. P.l51-166.

395. H.A. Harwig, J.W. Weenk. Phase Relations in Bitmuthsesquioxide. Z. Anorg. Allg. Chem. 1978. V.444. P.167-177.

396. F. Abraham, M.F. Debreuille-Gresse, G. Mairesse, G. Nowogrochi. Phase transitions and ionic conductivity in ВЦУ2Оц an oxide with a layered structure. Solid State Ionics. 1988. V.28-30. P.529-532.

397. P. Davidson, F. Marsaud, J.P. Bonnet, J.C. Launay. Structural study and electrical properties of the delta *-BGO phase (6Bi203-lGeC>2). Chem. Scripta. 1987. V.27. No3. P.407-410.

398. T. Takahashi, H. Iwahara, Y. Nagai. High oxide ion conduction in sintered Bi203 containing 8Ю, CaO or La203. J. Appl .Electrochem. 1972. V.2. P.97-104.

399. T.R. Teague, R. Gerson, W.T. Tames. Dielectric hysteresis in single crystal BiFeC>3. Solid State Commun. 1970. V.8. P.1073-1074.

400. C.Tabares-Munos, J.-P. Rivera, H. Schmidt. Ferroelectric domain, birefringerance and absorbtion of single crystals of BiFe03. Ferroelectrics. 1984. V.55. Nol-4. P.235-238.160. V.120. P.1949-1950.

401. H. Sakashita, H. Terauchi, N. Tunba, Y. Ishibashi. X-Ray Study on the Successive Phase Transitions in BaZnGe04. J. Phys. Soc. Japan. 1986. V.55. Nol 1. P.3918-3923.

402. D. Blum, J.C. Peuzin, J.H. Henry. MM'P04: A. new family of ferroic compounds. Ferroelectrics. 1984. V.61. No4. P.265-279.

403. W. Horkner, Hk. Muller-Buschbaum. Zur Kristallstruktur von BaAl204. Z. Anorg. Allg. Chcm. 1979. V.451. Nol, P.40-44.

404. В.П. Кобзарева, JI.H. Лыкова, Л.М. Ковба. Синтез и рентенографический агализ об-разцрв BaGa204. Вестник МГУ. 1975. №4. С.445447.

405. Л.М. Ковба, Л.Н. Лыкова, В.П. Кобзарева и др. Рентгенографические исследования керамических образцов BaGa204. ЖНХ. 1975. Т.20. В.9. С.1970-1973.

406. W. Eysel, R.W. Wolfe, R E. Newnham. Pb5(Ge,Si)3On Ferroelectrics. J. Amer. Ce-ram. Soc. 1973. V.56. No3. P.185-188.

407. B.T. Габриэлян, П.В. Ионов, K.A. Михайлина, O.A. Арикалов. Выращивание и некоторые физические свойства монокристаллов 5Pb0-3Ge02. Кристаллография. 1974. Т.19.№1.С.176-178.

408. В.В. Демьянов, В.Д. Сальников. Диэлектрический спектр кристаллов германата свинца. ФТТ. 1974. Т. 16. №12. С.3623-3627.

409. Е.В. Синяков, Е.Ф. Дудник, В.Г. Моня и др. Некоторые свойства кристаллов германата свинца. Изв.АНСССР. Сер. Физич. 1975. Т.39. №5. С.1025-1027.

410. L.E. Cross, T.W. Cline. Contributions to the dielectric response from charged domain walls in ferroelectric Pb5Ge3On. Ferroelectrics. 1976. V.ll. Nol-4. P.333-336.г1 i f л Л '

411. W Muller-Lierfieim, W. Gebhardt, Н.Н Otto, G. Busse. Hie phase transition in PbjGe3On and in the PbsGe^SiAi mixed crystal system. Ferroelectrics. 1978. V.20. P.299-301.

412. M. Polomska, M. Malinowski, H.H. Otto. Dielectric and electric study of•'•'» i >' v i

413. Pb5(Ge,Si)30ii single crystals. Phys. Stat. Sol. 1979. V.56a. Nol. P.335-339.

414. A. Mansingh, K.N. Srivastava, B. Singh. Effect of surface capacitaancee on thee dielectric behaviour of ferroelectric lead germanate. J. Appl. Phys. 1979. v.50. No6. P.4319-4323.

415. E.B. Синяков, B.B. Гене, АЛ. Крейчерек. Дюлекгрические свойства монокристаллов твердых растворов Pb5(Gei.xSix)0„. ФТТ. 1979. Т.21. №4. С.1223-1224.

416. В.Г. Моня, Е.В. Синяков, Н.В. Твердохлебов. Пироэффект и электретное состояние в монокристаллах германата свинца. В кн : Физика активных диэлектриков. Днепропетровск. Днепропетровск, ун т. 1980. с 3-12.

417. Y. Goto. Low frequencyy dielectric dispersion in ferroelectric Pb5Ge30n single crystals. J. Phys. Soc. Japan. 1981. V.50. No4. P.1241-1246.

418. А.А. Буш, Ю.Н. Веневцев. Новые данные по исследованию сегнетоэлектриче-ских кристаллов твердых растворов Pb5(Gei.xSix)30n. Кристаллография. 1981. Т.26. №2. С.349-355.

419. А.А. Буш, Ю.Н. Веневцев. Выращивание и некоторые свойства сегнетоэлектри-ческих кристаллов Pb5Ge3(0,F)n. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1981. Т. 17. №2. С.302-306.

420. К. Takagashi, S. Shirasaki, К. Takamatsu et. al. Pyroelectricity of preferably-oriented Pb5Ge3.xSixOu thick films prepared by the printing technique. Jpn. J. Appl. Phys. 1983. V.22. Supl. 22-2. P.73-76.

421. J.-H. Kim, J.-B. Kim, K.-S. B.-C. Lee et. al. An impedance relaxation of Pb5Ge30n single crystal. Solid State Commun. 1993. V.86. No4. P.257-260.

422. Н. Мотт, Э.Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. 1974. М.: Мир. 472 с.

423. В.В. Михневич, А.В. Микуленок, А.В. Мясоедов. Оптические свойства кристаллов германата свинца вблизи края фундаментального поглощения. ФТТ. 1985. Т.27.

424. Физика диэлектриков. М.: ИЛ. I960.251 с.

425. V.V. Daniel. Dielectric Relaxation. London and New York. Academic Press. 1967.269 c.

426. Y.N. Huang, Y.N. Wang, H.M. Shen. Internal friction and dielectric loss related to domain walls. Phys. Rev. 1992. V.46B. No6. P.3290-3295.

427. В.Я. Шур, Ю.А. Попов, H.B. Коровина. Связанное внутреннее поле в германате свинца. ФТТ. 1984. Т.26. №3. С.781-786.

428. М. Wada, A. Sawada, Y. Ishibashi. Ferroelectricity and soft mode in Li2Ge70|5 crystal. J. Phys. Soc. Japan. 1981. V.50. No6. P. 1811-1812.

429. M. Wada, Y. Ishibashi. Ferroelectric phase transition in Li2Ge70i5. J. Phys. Soc. Japan. 1983. V.52. Nol. P.193-199.

430. P. Preu, S. Haussuhl. Dielectric properties and phase transition in Li2Ge70i5. Sol. St. Commun. 1982. V.41. No8. P.627-630.

431. H. Vollenkle, A. Wittman, H. Nowotny. Die Kristallstruktur des Lithiumheptagerma-nats Li2Ge7015. Manatsh. Chemie. 1970. V.101. Nol. P.46-56.

432. A.K. Таганцев. Слабополярное сегнетоэлеюричество: диэлектрические свойства и возможная природа. Письма в ЖЭТФ. 1987. Т.45. №3. С. 352-355.

433. В.И. Пополитов, Г.Ф. Плахов, С.Ю. Стефанович и др. Синтез монокристаллов германата сурьмы, его структурные особенности и свойства. Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1981. Т.17. №10. С.1841-1847.

434. R. Sommer, N.K. Yushin, J J. van der Klink. Polar metastability and an electric-field-induced phase transition ^^Msirdered pefovskite РЬ(М&/3*Л)2/зрз. Phys. Rev. 1993. V.48B. Nol8. P.13230-13237.

435. G.A. Samara. The relaxatiotial properties of compositionaiiy disorded AB03 perovskites. J. Phys.: Condens. Matter. 2003. V.15. P.R367-R411.

436. Е. Gmelin, G. Burns;. Low temperature specific heat in ferroelectric (Pb,Ba)5Ge30n crystals. Phys. Rev. 1988. V.38B. Nol. P.442-444.

437. M. Борн, X. Кунь. Динамическая теория кристаллических решеток. М.: ИЛ. 1958.488 с.

438. Ч. Китгель. Введение в физику твердого тела. М.: Наука. 1978, 792 с.

439. W.N. Lawless. Specific heats of paraelectrics, ferroelectrics, and antiferroelectrics at low temperatures. Phys. Rev. 1976. V.14B. Nol. P. 134-139.

440. C.R. Robbins, A. Perloff, S. Block. Crystal Structure of BaGeGe309. and its Ralation to Benitoite. J. Research NBS US. 1970. V.70A. P.385-391.

441. C.R. Robbins, E.M. Levin.;Tetragermanates of Strontium, Lead, and Barium of Formula Type AB4O9. J. Research NBS US. 1961. V.65A. No2. P.127-131.

442. В.Г. Осипян, Д.А. Шитца, Э.Ж. Фрейденфельд. Процессы твердофазного синтеза слоистых соединений висмута. Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1982. №14. Вып.6. С.60-64.

443. Е.В. Синяков, Е.Ф. Дудник, В.В. Гене, Б.Н. Литвин. Д иэлектрические свойства и двойниковая структура монокристаллов Bi3GeVOQ. Кристаллография. 1976. Т.21. С.610-611.

444. Е.Л. Гальперин, Л.Я. Ермак, И.К. Колчин и др. Рентгенографическое исследование системы pi20rW03. ЖНХ. 1966. Т.П. С.2125-2132.

445. В.К. Яновский, В.И. Воронкова, АЛ. Александровский, В.А Д ьяков. Структура и свойства сегнетоэлеетрических кристаллов Bi2W06. ДАН СССР. 1975. Т.222. №1. С.94-95.