Получение и исследование физико-химических свойств термоэлектрических материалов на основе Bi2 B3VI и Sb2 B3VI (BVI- Se,Te) с заданным распределением примесей тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Акрамова Рухшона Ятимовна

• Акрамова Рухшона Ятимовна
• кандидат наук
• 2019

Оглавление диссертации кандидат наук Акрамова Рухшона Ятимовна

Введение

Глава I. Литературный обзор. Полупроводниковые соединения Av2B3^1(A — Bi,Sb, В — Se, Те)--перспективные материалы электронной техники

1.1. Место Bi2Bll(Bvl — Se, Те) и Sb2Bll(Bvl — Se, Те) в ряду соединений А^В^1. Перспективы применения

1.2. Формулировка научного направления. Постановка задач исследования

Глава II. Экспериментальные методы исследования физических свойств соединения А^В^1 (А — Bi,Sb, В — Se, Те)

2.1. Термодинамические свойства

2.2.Электрофизические и теплофизические методы исследования

2.2.1.Электропроводность и термо-э.д.с

2.2.2. Эффект Холла

2.3.Теплопроводность

Глава III. Синтез и исследование физико-химических свойств монокристаллов соединений Bi2B:и Sb2B3^I(BVI — Se,Te)

3.1. Особенности взаимодействия и характер фазовых равновесий в системах Bi2B\l и Sb2ß3^1 (BVI — Se, Те)

3.2. Особенности структуры и характер химических связей в Bi2B3^1 и Sb2BV(Bvl — Se, Те)

3.3. Синтез и выращивание кристаллов Bi2B:иБЬ2В3^1 (BVI — Se, Те)

3.4. Термодинамические свойства Bi2BVI и Sb2B3^I(BVI — Se, Те)

3.5. Электрофизические и теплофизические свойстваВ12В3^1 и Sb2BV(Bvl —Se, Те)

3.5. 1. Коэффициенты электропроводности, Холла и термо-э.д.с

В12В\1 и БЬ2В%'(ВУ1 -Бе, Те)

3.5.2. Теплопроводность В12В\1 и БЬ2В3(1(ВУ1 - Бе, Те)

Выводы к главе III

Глава IV. Исследование влияния легирования на электрические свойства соединений В12ВУ1 и БЬ2ВУ1(ВУ1 - Бе, Те)

4.1. Растворимость легирующих элементов и построение микродиаграмм ВиВУ и БЬ2ВГ(ВУ1 -Бе,Те)

4.2. Исследование влияния легирования на электрофизические свойства соединений В^В^и Sb2BзI(BVI - Se,Те)

Выводы к главе IV

Общие выводы по работе

Рекомендации

Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и исследование физико-химических свойств термоэлектрических материалов на основе Bi2 B3VI и Sb2 B3VI (BVI- Se,Te) с заданным распределением примесей»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Одним из интенсивно-развивающихся направлений физики твердого тела, в особенности физики полупроводников, является поиск и исследование новых термоэлектрических материалов, демонстрирующих уникальные электрофизические, термоэлектрические, термодинамические, оптические и др. свойства. Использование таких материалов в высокотехнологических отраслях науки и техники позволяет создавать приборы нового поколения, обладающие более высокими по сравнению с существующими характеристиками. К таким перспективным полупроводниковым материалам относится класс узкозоных полупроводников с инвертированной запрещенной зоной. В этой области наиболее перспективными и подходящими соединениями с точки зрения практического применения являются соединения типа ыВ и БЬВ (Ви - Бе, Те).

В последнее время важное значение приобретают преобразователи энергии на основе легированных полупроводниковых материалов. Для создания соответствующих приборов необходимы материалы с высокой термоэлектрической добротностью в широком температурном интервале. К числу таких материалов относятся соответствующим образом легированные соединения типаВ12ВV и БЬВ (Вп - Бе, Те), которые успешно применяется в качестве положительных ветвей термогенераторов. Основные требования, определяющие высокую термоэлектрическую эффективность материалов, были сформулированы ещё на заре 20 века А.Ф.Иоффе [1].

Основные энергетические характеристики термоэлектрических устройств (перепад температуры в термобатареях, холодильный коэффициент термостатов, кондиционеров и холодильников, термоэлектрогенераторов) определяются их термоэлектрической эффективностью 2 [2]:

/ап /+ /ар / /1Ч

% = (-П---тг) ■ Т , (1)

(Хп /°п )У2 + (Хп Г

где а -коэффициент термо-э.д.с.,ст -электропроводность, /- теплопроводность,

Т- абсолютная температура. Индексы п и р относятся к отрицательной и по-

4

ложительной ветвям термоэлемента.

При повышении 2 энергетические характеристики устройств улучшаются. Величины а, а и %, в свою очередь, зависят от основных физических параметров веществ, таких, как теплопроводность решетки %р, подвижность

и и эффективная масса носителей заряда^*, причем в первом приближении эти параметры входят в выражение для 2 в виде комплексов / (т */ то для электронов и дырок (/ - подвижность невырожденных носителей). При смешанной проводимости величина 2 существенно зависит также от ширины запрещенной зоны и отношения параметров / (т */ та У1. Максимальной величине 2 соответствует определенная концентрация носителей заряда, достигаемая введением легирующих примесей или же смещением стехиометриче-ского состава материала.

Величина 2 прямо пропорциональна электропроводности и обратно пропорциональна теплопроводности [3]. Подвижность определяется рассеянием носителей на температурных флуктуациях периодического потенциала в кристаллической решетке. Изменение потенциала наиболее сильно выражено в ионных кристаллах, где чередуются атомы с положительными и отрицательными зарядами. Ковалентная связь в кристалле положительно влияет на подвижность, т.к. в таком кристалле сильно выражена межатомная связь благодаря менее выраженным температурным флуктуациям потенциала кристаллической решетки. Поскольку величина теплопроводности находится в знаменателе выражения, то важно получать минимальные значения, при этом не ухудшив электрическую проводимость.

Величина теплопроводности материала напрямую зависит от частоты тепловых колебаний решетки. Здесь применима аналогия с резонатором-с ростом массы резонатора уменьшается частота колебаний. Для достижения низких значений теплопроводности выгодны атомы с большим порядковым номером. Так же уменьшению частоты колебаний способствует слабая упругая межатомная связь.

В своё время А.Ф.Иоффе высказал предположение, что наиболее эффективными термоэлектрическими материалами могут быть твердые растворы соединенийВ12Бе3, В12Те3, БЬ2Бе3, Б>Ь2Те3 [1]. К настоящему времени имеется множество работ, в которых изучены термоэлектрические свойства этих материалов и твердых растворов на их основе, например, [1-11]. Б.М. Гольцма-ном и др. был синтезирован и исследован термоэлектрический материал для п-ветви термоэлемента на основе В12Те3 - В12Бе3. Лучшие термоэлектрические свойства в этом ряду проявляет твердый раствор состава 80 мол. % В12Те3 +20 мол.% В12Бе3 [2]. С другой стороны, твердые растворы В12Бе3 - В12Те3, и Бв2Те3 -Бв2Бе3 становятся основными материалами для охлаждающихся термоэлементов. Соединения группы БЬ2Те3, В12Бе3, В12Те3 изоморфны, кристаллизируются в ромбоэдрической решетке, обладают слоистой структурой типа тетраэдр с пятнадцатислойной упаковкой. Соединения БЬ2Бе3 также изоморфны, но

кристаллизуются в орторомбическую решетку с четырьмя молекулами в элементарной ячейке. Химические связи в нём имеют частично ковалентный и частично металлический характер.

Соединение В12Те3 является низкотемпературным материалом, за что и находит наибольшее применение в промышленности [3]. Наиболее эффективными и коммерчески востребованными низкотемпературными материалами остаются халькогениды висмута и сурьмы. Они могут быть использованы как для охлаждения, так и для преобразования низкопотенциального «бросового» тепла [4]. Б.М. Гольцманами др.была предложена модель зонной структуры этого соединения. В настоящее время в качестве основных материалов для термоэлектрических охлаждающих устройств и термогенераторов, работающих при температурах ниже 300-350оС используются твердые растворы В12Те3 - В12Бе3 и В12Те3 - Бв2Те3.

Другим основным параметром термоэлектрических материалов является энергетический уровень (полоса), определяющий многие их физико-химические свойства. По его дисперсии можно заранее предвидеть принци-

пиальные возможности реализации определенных свойств и применения в полупроводниковой электронике.

Наряду со сравнительно простыми веществами (БЪ) давно используются и сложные неорганические материалы при создании термогенераторов ( В12Те3 - $62Те3), видиконов ЗЬ2Бе3 и фотосопротивлений ( В128еъ).

В настоящее время быстрое развитие получают те области науки, которые определяют перспективы развития электронной и вычислительной техники. В числе основных фундаментальных исследований особое место занимают разработки, способствующие развитию электротехники, радиоэлектроники, автоматики, вычислительной техники и ряда смежных отраслей науки и техники. В этой связи первостепенной задачей ученых является синтезирование новых полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе с заранее заданными свойствами.

Наиболее перспективными, с этой точки зрения, материалами радиоэлектроники являются бинарные соединения и твёрдые растворы для производства термогенераторов ( 8Ъ28е3 - $,ЪТеъ, В1гТеъ - $,ЪТеъ, В1г£е3 - $ЪгТеъ), видиконов (£Ъ2&3, ), фотосопротивлений (В12 8е3), имеющие эффективное сочетание физико-химических, электрофизических и термоэлектрических свойств.

Объекты исследования. Исходным объектом исследования был выбран компонент Вь00, который после дополнительной очистки дистилляцией и многократной зонной перекристаллизации содержал не менее 99,999% Bi и Sb марки Су-00 чистотой 99,999%. Для синтеза использовали селен марки ОС-19-5 (99,999% Se) и теллур марки ТА-! (99,9%Те).

Цель работы заключалась в исследовании термоэлектрических, теп-лофизических и термодинамических свойств, а также закономерностей поведения коэффициентов электропроводности, термоэлектродвижущей силы и Холла полупроводниковых соединений типа Л\вV (Л¥ - В1, БЪ, вп - Бе, Те) при высоких температурах.

Для достижения поставленной цели были сформулированы следующее задачи:

-разработка и создание установки для выращивания монокристаллов ВгВ и БЬВ (Вп - Бе, Те) методами Бриджмена, Чохральского и зонной плавки;

-исследование фазовых равновесий в системах ВгВ и Б^В^ (Ви - Бе,Те) с целью поиска новых полупроводниковых соединений технического назначения;

-определение оптимальных условий синтеза монокристаллов бинарных соединений В12В^ и БЬВ (Ви - Бе, Те);

-исследование физико-химических, электрических и термодинамических свойств монокристаллов соединений В12В% и БЬВ (Ви - Бе,Те) в широком интервале температур;

-исследование влияния легирования на электрофизические и термоэлектрические свойства соединений В12ВV и БЬВ (Вп - Бе, Те);

-определение областей практического применения соединений В^В^ и БЬВ (Ви - Бе, Те) в электронной технике.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней впервые: -проведено комплексное исследование широкого круга физико-химических, термоэлектрических и термодинамических свойств бинарных соединений ВгВ и БЬВ (Ви - Бе,Те) в широком интервале температур;

-установлены условия фазовых равновесий в системах В12В% и БЬ2В13Г (Вп - Бе,Те);

-доказано существование индивидуальности соединений типа Л^БV и показано, что в системе ВгВ и БЬ2ВV (Вп - Бе,Те) образуется непрерывный ряд твердых растворов с определёнными типами кристаллической структуры и пространственной группой;

-разработаны разновидности методов Бриджмена, Чохральского и перекристаллизации, позволяющие получать монокристаллы соединений типа

Л2 В3 ;

-определены составляющие и установлены пределы экспоненциального закона температурной зависимости теплоемкости соединений Л^в^ ,по которым рассчитаны температурные зависимости термодинамических функций этих соединений;

-установлены вклады электронной, биполярной и молярной составляющих теплопроводности бинарных соединений В12ВV и БЪ2ВV (Вп - Бе,Те) в общую теплопроводность в широком интервале температур;

-рассчитаны температурные зависимости коэффициента термоэлектрической добротности (эффективности) соединений В^В^ и Б^В^

(Ви - Бе,Те) и сформулированы предложения об их практическом применении;

-выявлено, что легированием соединений ВгВ и БЪВ В - Бе,Те) можно регулировать их электрофизические свойства путем компенсации носителей заряда;

Практическая значимость работы подтверждается тем, что полученные в работе фазовые диаграммы, комплекс термодинамических, тепло- и электрофизических параметров бинарных полупроводниковых соединений позволяют осуществлять направленный синтез кристаллов, необходимых для производства высокоэффективных термоэлектрических материалов. Теоретические выводы работы могут быть использованы при чтении специальных курсов по физике конденсированного состояния и физике полупроводников.

Достоверность полученных результатов подтверждается использованием общепринятых физических методик, сертифицированного оборудования, воспроизводимостью результатов в широком диапазоне внешних условий, хорошим качественным и количественным соответствием результатов с данными других авторов.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на: международной научно-теоретической конференции «Физика конденсированного состояния и экологических систем». ФТИ им. С.У. Умарова АН РТ (Душанбе,2006); научно-теоретической конференции «Современные проблемы физики конденсированных сред». Таджикский государственный национальный университет (Душанбе, 2007); У1-й международной научно-теоретической конференции «Физико-химические основы получения и исследования комплекса свойств полупроводниковых, композиционных и диэлектрических материалов». Кулябский государственный университет им. Абуабдуллох Рудаки (Куляб, 2014).

Публикации. Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 10 научных трудах, в том числе 7 в изданиях из Перечня ВАК РФ.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав, выводов, списка литературы из 102 наименований и 1 приложения. Диссертация изложена на 139 страницах, содержит 61 рисунков и 39 таблиц.

Ключевые слова: термоэлектрический материал, кристалл, электропроводность, теплопроводность, добротность, теплоёмкость, стехиометрия, фаза, структура, легирование.

ГЛАВА I. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ А%В1\АУ -ВЬ, БЪ, ВУ1 - Бе, Те) -ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ 1.1. Место В12В\1(ВУ1 - Бе, Те) и 5Ь2В\1(ВУ1 - Бе, Те) в ряду

соединений А^В^1. Перспективы применения Основными физическими свойствами полупроводниковых материалов, которые определяют главные параметры изделий из них и сферы их применения, являются электропроводность, коэффициент термо-э.д.с., постоянная Холла, теплопроводность, плотность, вязкость, теплоемкость и ряд других. Многие из этих свойств являются высокочувствительными к изменениям структуры и характера химической связи в материале. Поэтому анализ поведения этих свойств есть прямой путь к определению структурных и химических превращений в материале под внешним воздействием.

Например, в полупроводниках в твердой фазе наиболее чувствительным к изменению характера химической связи параметром является электропроводность о [5]

о = пе^, (2)

где «-концентрация носителей заряда, ¡л-их подвижность, е-заряд электрона.

В полупроводниках при изменении характера химической связи подв-нешним воздействием, например, температуры, в первую очередь изменяется концентрация носителей заряда, следовательно, меняется и электропроводность. Отсюда вытекает, что электропроводность является структурно-чувствительной характеристикой материала.

Другим важным структурно-чувствительным параметром полупроводников является коэффициент Холла. Между электропроводностью и коэффициентом Холла существует такая же корелляция, как и между электропроводностью и коэффициентом термо-э.д.с, поскольку электропроводность в общем случае есть произведение концентрации носителей на их подвижность. С другой стороны, коэффициент Холла связан с концентрацией и зарядом

носителей соотношением [5]

1

ЯН=А-, (3)

п пе 47

1

Откуда п= А^——. (4)

Подвижность же носителей заряда связана с коэффициентом Холла соотношением

(5)

Эффект Холла в полупроводниках обычно измеряется для определения концентрации носителей заряда, что совместно с измерениями электропроводности дает возможность определить подвижность носителей.

Теплопроводность и коэффициент термоэлектрической эффективности являются одними из важнейших характеристик истинно полупроводников. Электроны в металлах и полупроводниках переносят не только электрический ток, но и выравнивают в них температуру, увеличивая теплопроводность основной решетки. Переходя в равновесие с окружающей средой, электроны одновременно обладают более высокой температурой и энергией. Переходя в область более низких температур, электроны вносят добавочную энергию, тем самым повышая её температуру. Количество переносимого при этом тепла dQ пропорциональна градиенту температуры йТ/йх ,площади сечения теплового потока dS и времени dt:

dQ=x^dSdt, (6)

где х - коэффициент теплопроводности.

Теплопроводность в полупроводниках состоит из двух слагаемых:/Р -теплопроводности, обусловленной тепловым движением молекул или фоно-нами и/эл-теплопроводности, обусловленной движением свободных зарядов. Основные представления относительно Хр были высказаны Борном и Деба-ем, обобщены квантово-механически Пейерлсом [1] и экспериментально подтверждены Эйкеном [1]. Согласно Дебая, фононную часть теплопроводности можно представить в виде

*р = 3 сдХ , (7)

где с-теплоемкость, -групповая скорость распространения тепловых волн, близкая к скорости звука, Л-средняя длина свободного пробега фононов.

В полупроводниках большое значение имеет электронная часть теплопроводности Хэл, связанная с электропроводностью а по закону Видемана-Франца [1]:

К2

Хэл = 72 АТа, (8)

гдеА = п2/3в случае полного вырождения и А = (г + 2) в случае классической статистики, где гесть показатель степени в зависимости длины свободного пробега от кинетической энергии.

В последнее время возрос интерес к методам непосредственного преобразования тепловой энергии в электрическую энергию, среди которых наиболее перспективным является термоэлектрический метод. Существуют теоретические предпосылки для получения достаточно высоких термоэлектрических характеристик в твердой и жидкой фазах. Общие возможности теоретических методов прогноза основных свойств полупроводников приводят к необходимости экспериментального изучения параметров, определяющих термоэлектрическую эффективность полупроводниковых материалов [1-11].

С другой стороны, теплопроводность (или коэффициент теплопроводности) является именно той характеристикой, которая и определяет т.н. «добротность» полупроводникового материала. Теоретический же анализ явлений переноса, в том числе и теплопроводности, в полупроводниках сложного состава крайне затруднен, поэтому единственно надежным способом исследования этих процессов является эксперимент.

Широкое экспериментальное изучение коэффициентов термо-э.д.с. и теплопроводности полупроводников обусловлено следующими причинами. Данные по термо-э.д.с. совместно с данными по электропроводности дают возможность делать некоторые дополнительные выводы об изменении структуры ближнего порядка и характера химической связи исследуемых соедине-

ний. С другой стороны, по знаку термо-э.д.с. определяют знак носителей заряда, а значит и тип проводимости. Оба эти коэффициента, несомненно, являются основными термоэлектрическими характеристиками эффективности термоматериалов.

Существенный интерес в последнее время проявляется к бинарным, тройным и более сложным полупроводниковым материалам, например, твёрдым растворам состава Вг2Те3 - В12Бе3 и Бв2Те3 - В12Те3, обладающим целым рядом уникальных, по сравнению с элементарными полупроводниками, свойствами. Твердые растворы Вг2Те3 - В12Бе3 и Бв2Те3 - Вг2Те3 широко используются при создании термоэлектрических охлаждающих устройств (эффект Пель-тье), работающих в области температур 150-350 К.

С каждым годом требования к эксплуатационным характеристикам термоэлектрических материалов (ТЭМ) всё больше ужесточаются. Необходимо увеличение не только термоэлектрической эффективности продукции, но и их механической прочности с использованием экономически доступных технологий [6].

В начале 21 века появилось множество работ, в которых исследованы термоэлектрические свойства различных экзотических наноструктур: систем с квантовыми точками (0D), квантовыми нитями и проволоками (Ш), плоскослоистые структуры с квантовыми ямами (2D) [7]. Однако те высокие значения термоэлектрической добротности, лучшие результаты исследований по этим материалов до настоящего времени не удалось воспроизвести ни в одной лаборатории мира. Технология получения таких структур остается очень дорогостоящей. Поэтому надежными и перспективными термоэлектрическими наноструктурами до сих пор остаются объемные нанокристаллические материалы, которые содержат нанозерна и другие структурные наноразмер-ные элементы [8].

В работе[9] была исследована зависимость термоэлектрических свойств наноструктурированного объемного материала (В1, БЬ\Те в зависимости

от состава и температуры SPS-спекания ТSPS. Было обнаружено, что твердый раствор т0блБЬ1г6Теъ, спеченный при 450-500°С, имеет термоэлектрическую эффективность 27=1,25^1,28. Зависимость термоэлектрических свойств от температуры спекания ТSPS выше 400°С коррелирует с изменением тонкой структуры материала, которая определяется перераспределением донор-ных точечных дефектов вакансионного типа в процессе повторной рекристаллизации. Установлено, что точечные структурные дефекты вносят существенный вклад в формирование термоэлектрических свойств нанострукту-рированного материала. Судонг Парк [10] обнаружил, что соединения В12ВV

и БЬВ (Ви - Бе, Те) являются лучшими термоэлементами для термогенераторов.

Одним из основных параметров термоэлектриков является их удельное электрическое сопротивление р или удельная электропроводность о = 1/р. В термоэлементах, как правило, используются полупроводники, удельная электропроводность которых зависит от легирующих примесей, температуры, давления, освещения [11]. Электрические свойства ВцВ^ и БЬВ (Ви - Бе,Те) изучены и приведены в работе многих исследователей [12-22]. Так, в [12,13] изучены электрофизические свойства халькогенидов висмута и сурьмы в широком интервале температур. В [12] исследованы электропроводность, эффект Холла и термо-э.д.с. селенида висмута в интервале от комнатной температуры до 600-700°К, а в отдельных случаях от температуры жидкого воздуха до 700°К. Отмечено, что для селенида висмута В12Бе3 как абсолютные значения проводимости, постоянной Холла и термо-э.д.с, так и их температурные зависимости существенно не менялись в том случае, когда образцы готовились с небольшими добавками висмута В1 или селена Бе к сте-хиометрическому составу. Также исследованы электропроводность, эффект Холла и термо-э.д.с. теллурида висмута Вг2Теъ в интервале температур от комнатной до 600-700°К. Высокую проводимость и концентрацию носителей

тока, которые наблюдались во всех образцах теллурида висмута В12Теъ (неза-

15

висимо от способа приготовления образцов и от чистоты исходных материалов) уже при комнатной температуре, а также металлическую проводимость в широком интервале температур, так же как и в случае селенида висмута ВЬ2Бе3, можно объяснить наличием электронов проводимости, связанных со слоями атомов висмута в монокристаллах этого соединения.

В качестве первого этапа исследования распределения примесей в Вг2Те3 был изучен стехиометрический состав этого соединения, изготовленного из исходных материалов различной чистоты [13]. Было показано, что значение коэффициента термо-э.д.с. и электропроводность сильно зависят от чистоты материалов. Из-за большого количества примесей в исходных висмуте и теллуре не удалось установить корреляцию между примесями и термоэлектрическими свойствами соединения. Поэтому было приготовлено несколько партий образцов Вг2Те3 из материалов высокой чистоты. Применение чистых материалов дает возможность получать стехиометрический Вг2Те3 р-типа с высокой термо-э.д.с. Однако на поведение о и а это существенного влияния не оказало. При идеальном собирании величина контактного сопротивления, создаваемого пайкой, для наиболее распространенных в термоэлектричестве припоев не превышает 910-7Омсм2. С учетом коэффициента собирания металлического электрода для рассмотренных припоев и ТЭМ электрическое контактное сопротивление получается не более 2.0 10-4 Ом см2 [13]. Полученные результаты показывают, что как исходный кристалл Вг2Те3, так и все полученные тонкие пленки обладают ^-типом проводимости и не содержат других фаз [14].

Электрофизические свойства соединений В12Бе3, Вг2Те3, Бе2Те3 были изучены Ф.Дж. Манджоном и др. [15]. Для интерпретации аномального роста эффекта Холла с температурой и зависимости параметров зонной структуры от концентрации носителей заряда в р-Вг2Те3 было предположено наличие

дополнительной под зоны с большой эффективной массой дырок т*р « 2,4т0, расположенной ниже верхней под зоны на ~20шеУ. Аналогичная си-

туация, по-видимому, имеет место и в Бв2Те3. В [16] исследованы температурные зависимости (Т=0,5^300К) удельного сопротивления в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям и эффект Холла в монокристаллах В12Бе3, В12Те3, Бе2Те3 (Н<80кЭ, Т=0,5^4,2К). Показано, что при замене в соединении Вг2Те3 атомов Те атомами Se, а также атомов Ы на атомы 8Ь анизотропия проводимости значительно повышается, главным образом за счёт увеличения удельного сопротивления в направлении перпендикулярном слоям. Данные по электропроводности в монокристаллахВ12Бе3, Вг2Те3, Бв2Те3 указывают на незначительную анизотропию проводимости в этих кристаллах, что свойственно слоистым соединениям.

Объяснение такой анизотропии проводимости, несоответствующей анизотропии эффективных масс носителей заряда, возможно лишь с учётом реальной кристаллической структуры соединений. Так, в [17] исследовано влияние анизотропии термоэлектрического материала на электропроводность и решеточную теплопроводность соединений В12Бе3, Вг2Те3, Бв2Те3 и их контактирующих частиц. Известны попытки повысить добротность за счет расширения круга элементов периодической системы в составах твердых растворов на основе Вг2Те3 или путем легирования теллурида висмута элементами третьей и четвертой группы [18-19]. Можно констатировать, что достигнуты существенные успехи в увеличении термоэлектрической добротности в наноструктурах. Изготовление объемных наноструктурированных термоэлектриков на основе твердых растворов Вг2Те3 - Бв2Те3 путем механоактива-ционной обработки исходных кристаллических материалов с последующим горячим прессованием или искровым плазменным спеканием представляет собой достаточно дешевый способ получения материалов с улучшенной термоэлектрической добротностью.

Существующие экспериментальные и теоретические результаты подтверждают, что в наноструктурированных объемных термоэлектриках добротность действительно возрастает по сравнению с добротностью исходных

кристаллических материалов. Экспериментальное подтверждение роста термоэлектрической добротности и наглядные физические механизмы ее увеличения также свидетельствуют в пользу перспективности использования наноструктур. Увеличение термоэлектрической добротности означает расширение областей рационального применения термоэлектрической генерации энергии и термоэлектрического охлаждения, что, в конечном итоге, приводит к уменьшению техногенной нагрузки на окружающую среду [20]. В [21] Воронин определил термодинамические свойства фаз методом электродвижущих сил [21]. Соединение В12 Бе3 является термоэлектрическим преобразователем п-типа с концентрацией носителей зарядов электронов 8-1017см-3. Коэффициент Зеебека изменяется от 60 мкВ/К при 7К до 190 мкВ/К при 300 К. При 300К теплопроводность составляет порядка 1,55 Вт/(К-м). Сопротивление изменяется примерно от 0,4 мОм-см при ~0К до 2 мОм-см при 300 К. Термоэлектрическая добротность 2Т также повышается с ростом температуры, достигая около 0,1 при 300 К [22]. Легирование Вг2Те3 редкоземельными элементами приводит к существенному увеличению термоэлектрической добротности: 7Т~0,9 для соединения В^ 9Ьи01Те3 и 7Т~0,7 дляВ\ 9ТЩ\Те3 по

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Акрамова Рухшона Ятимовна, 2019 год

Литература.

1. А. Ф. Иоффе. Полупроводниковые термоэлементы // М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1960.-187с.

2. Б. М. Гольцман, В. А. Кудинов, И. А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2 Te3 // М.: «Наука», 1972.-320с.

3. Воронин А. И. Физические основы получения анизотропных твердых растворов халькогенидов висмута и сурьмы модифицированным методом Бриджмена и формирования термоэлементов на их основе // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук . Москва, 2017.-171с.

4. Мельников А.А. Влияние температурных режимов спекания на структуру и свойства спиннингованного термоэлектрического материала Bi0 5Sb15Te3 //

Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, Москва, 2017.-135с.

5. С.К.Каримов. Физика и химия бинарных полупроводниковых халькогенидов таллия // Душанбе: «Дониш»,1998.-357с.

6.Табачкова Н.Ю.Структурные изменения в поликристаллических термоэлектрических твердых растворах халькогенидов Bi и Sb в зависимости от условий их получения и обработки // Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Москва, 2004.-29с.

7. Z.Li, G.L.Zhao1, P.Zhang, S.Guo, J.Tang. Thermoelectric Performance of Micro Nano-Structured Bismuth-Antimony-Telluride Bulk from Low Cost Mechanical Alloying // Materials Sciences and Applications, 2012.-№3.-РР.833-837.

8.Л.П.Булат. Термоэлектричество-вчера, сегодня, завтра. К 85-летию Института холода и биотехнологий Университета ИТМО. Обзор истории развития // Холодная техника, 2016.-№4.-С. 14-18.

9.И.А.Драбкин, В.В.Каратаев и др.Термоэлектрические свойства материала на основе (Bi, Sb)2 Te3, полученного методом искрового плазменного спекания. // Материалыэлектроннойтехники,2012.-№3.-С. 18-21.

10. Sudong Park and Byungki Ryu. Hybrid -Density Functional Theory Study on Band Structures of Tetrad mite-Bi2Te3, Sb2Te3 Bi2Se3 and Sb2Se3 // Thermoelectric

Conversion Research Center, Korea Electrotechnology Research Institute (KERI), Changwon 51543, Republic of Korea Thermoelectric Materials, 2017.-11с.

11. Булат Л.П., Бузин Е.В. Термоэлектрическиеохлаждающие устройства: Метод.указания для студентов спец. 070200 "Техника и физика низких температур". СПб.: СПБГУН и ПТ, 2001.-41 с.

12. Вихор Л.Н., Горский П.В.Электрическое сопротивление контакта термоэлектрический материал-металл // Термоэлектричество, 2015.-№2.-С. 17-25.

13. С.Каримов. Получение термоэлектрических материалов на основе Bi2 Te3

и твердого раствора Bi2Te3 - Sb2Te3 с заданным распределением примесей. // Известия АН Тадж. ССР. Отд. физ.-мат., тех. и хим. нак,1966.-№3(21).-С.3-18

14. О.Мустяца, В. Лисин, И.Коваленко. Про змину электропроводности дея-ких халькогенидов за температур плавления. Вюник Львiвського ушвер-ситету. Серiя хiмiчна, 2016.-Вип. 57.-ч.2.-с.582-587.

15. F.J.Manjonetal.High-pressure studies of topological insulators Bi2Se3, Bi2Te3 and Sb2Te3. // Phys. Status Solidi. Part B, 2013.V.-250.-No.4.-PP.669-676.

16. Н.А. Абдуллаев, С.Ш. Кахрамонов и др. Электрические и гальваномагнитные эффекты в монокристаллах группы AVBV // Fizika, -2007, Cild XII-

№ 4, с.16-21.

17. Горский П.В., Михальченко В.П.Влияние анизотропии термоэлектрического материала на электропроводность и решеточную теплопроводность его контактирующих частиц. // Термоэлектричество. Международный научный журнал, 2013.-№3.-C.5-11.

18. В.А.Кутасов, Л.Н.Лукьянова. Термоэлектрические свойства многокомпонентных растворов на основе халькогенидов висмута и сурьмы-типа в области примесной и смешанной проводимости. // Физика твёрдого тела, 2006.-Т.48.-Вып.12.-С.2164-2169.

19. Lingling Guo.Characterization of bismuth telluride two-dimensional nano-sheets for thermoelectric applications // A dissertation submitted in partial fulfillment of the requirements for the degree of Doctor of Philosophy in the Department of Chemical and Biological Engineering in the Graduate. Alabama, 2015.-111p.

20. Д.Л.Байдаков. Электрические свойства и локальное окружение атомов в медьсодержащих халькогенидных пленках, полученных методом химического нанесения // Известия Санкт-Петербургской лесотехнической академии. Химическая переработка древесины. Биотехнология, 2015.-Вып.212.-С.211-223.

21. Воронин М.В. Определение термодинамических свойств фаз (минералов) в системах Ag - Se, Ag - Sb, Ag - Sb - S, Ag - Bi - S методом электродвижущих сил // Диссертация на соискание ученой степени кандидата хим. наук. Черноголовка, 2014.-116с.

22. М.А.Щурова, О.В.Андреев, А.В.Кузнецова. Электрофизические свойства сплавов Bi2_xSe3_x ■ XSmSe как n-типа термоэлектрического преобразователя // Вестник Тюменского государственного университета. Серия химия, 2013.-№5.-С.93-100.

23.Япрынцев М.Н.Влияние легирования редкоземельными элементами и микроструктуры на электрофизические свойства теллурида висмута // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Белгород, 2017.-157с.

24. Шеров П.Н., Мухидиннов Х., Шведков Е.И.Исследование электрических свойств монокристаллов ßi2 Te3, легированного ванадием и туллием // Неорганические материалы, 1992.-Т.28.-№3.-С.518-520.

25. А.П.Алиев, С.Ш. Кахрамонов, А.Ш. Кахрамонов. Влияние самоинтер-каляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi2 Te3 (Cu) в процессе их хранения // Материалы электроники, 2016.-№2.-С. 49-52.

26. Кудряшов А.А.Влияние легирования на термоэлектрические свойства и эффект Шубникова-де Гааза твердых растворов теллуридов и селенидов висмута и сурьмы // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Москва, 2016.-101 с.

27. Ш.Мавлонов, Г.Б.Абдуллаев, А.Башалиев, А.Кулиев, И.Керимов. О некоторых свойствах монокристаллов теллурида сурьмы // Доклады АН. Азер. ССР, 1961.-Т.17.-№5.-С.375-379.

28. П.Шеров, С.Каримов, Ш.Мавлонов. Сегрегация серебра при выращивании монокристаллов БЬ2Теъ из расплава // Доклады АН Тадж. ССР,1970.-Т.13.-№2.-С. 19-21.

29. С.К. Каримов, Ш.Мавлонов, П.Шеров. Электрические свойства теллурида сурьмы, легированного серебром. // Известия АН Тадж. ССР. Отд. физ.- мат., геолого-минерал. и хим. наук, 1970.-№3(37).-С.20-25.

30. П.Шеров, Ш. Мавлонов, С. Каримов. Поведение примесей, олова в монокристаллах БЬ2Теъ// Изв АН Тадж. ССР. Неорганические материалы.1973, №9.-С.1637-1639.

31. Е.А.Гуриева, К.Кахроманов и др. Теплопроводность твердых растворов на основе теллурита висмута // Известия АН Туркменской ССР. Серия физико-технических, химических геологических наук, 1965.-№4.-С. 100-102.

32.А.В.Антипов и др.Термодинамическое описание системы Вi - Бе// Инс-титутобщей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской АН. Москва, 2000.-21с.

33. О.Б.Яценко, И.Г.Чудотворцев, М.К.Шаров. Основы физики и химии полупроводников. Часть II. Учебное пособие для вузов // Издательско- полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2007.- 51с.

34. А.С.Пашинкин, М.С.Михайлова. Анализ термодинамических функций твердого теллурида висмута // Известия ВУЗов. Электроника, 2015.-Т.20.-№ 2.-С. 198-200.

35. Миронов Р.Е. Моделирование и исследование теплофизических параметров материалов и структур на основе теллурида висмута и разработка термоэлектрических насосов для преобразования низкопотенциальной тепловой энергии // Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата тех. наук. Москва, 2013.-30с.

36. Л.П.Булат, Л.В.Бочков, И.А.Нефедовa, Р.Ахыска. Наноструктурирование как способ повышения эффективности термоэлектриков //Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, 2014.-№4 (92).-С.48-56.

37. Rue Liu, Xing Tan. Enhanced Thermoelectric Performanceofthe DopedSb2Te3 Bi2Se3-xTex Bulks by Self- Propagating High- Temperature Synthesis //Crystals, 2017.-V.7.-P.257.

38.Marcus Scheele, Niels Oeschler at all. ZT Enhancement in Solution-Grown Sb(2_xу BixTe3 Nanoplatelets // Acsnano. Published online June 24, vol. 4, № 7, 2010, 4283-4291.

39. С.В.Айрапетянц, Б.А.Ефимова. Термоэлектрические свойства и характер связей системы Bi2Te3 + Sb2Te3// Журнал технической физики, 1958.-Т.28.-Вып. 8.-С. 1769-1774.

40. Г.В. Кокош, С.С. Синани. Термоэлектрические свойства сплавов псевдобинарной системы SbTe3 - Bi2Te3//Физика твёрдого тела, 1960.-Т.2.-Вып.6.-С.1118-1124.

41 . Г.Н. Гордякова, С.С. Синани. Термоэлектрические свойства теллурида висмута с легирующими добавками // Журнал технической физики, 1958.-Т.28.- Вып.5.-С.977-980.

42. А.Д. Голецкая, В.А.Кутасов, Е.А.Попова. Получение и исследование термоэлектрических материалов на основе Bi - Sb - Te// Физика твёрдого тела, 1961.-Т.3.-Вып. 10.-С.3002-3008.

43.В.В.Соболев. Структура энергетических зон полупроводниковых материалов типа . //Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1966.-Т.2.-№1.-С.55-60.

44. Ш.Мавлонов, П.Шеров. Исследование температурной зависимости анизотропии кинетических коэффициентов монокристаллов теллурида сурьмы // Тезисы докладовШ всесоюзной конференции «Термодинамика и материаловедение полупроводников». Т.2. Москва, 1986.-С.150.

45.Гайдукова В.С., Ерофеев Р.С., Овечкина В.Н.Особенности энергетического спектра твердых растворов в системе БЬТе - В^Те3 // Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1981.-Т.17.-№2.-С.244-247.

46. Каримов С.К. Полупроводниковые халькогениды таллия // М.: Метал-лургиздат, 1982.-127с.

47. Каримов С.К. Физико-химические основы получения, легирования и свойства полупроводниковых халькогенидов таллия в твердой и жидкой фазах // Автореферат диссертация на соискание учёной степени доктора хим. наук. Москва, 1987. 50с.

48. Каримов С.К. Физико-химические основы получения, легирование и свойства полупроводниковых халькогенидов таллия в твердой и жидкой фазы. Докторск. Дисс., МИЭТ, 1987, 669с.с.иил.

49. Каримов С.К. Физика и химия тройных и более сложных алмазоподоб-ных полупроводниковых халькогенидов таллия // Душанбе:Дониш, 1999.-362с.

50. С. Гафоров. Исследование эффекта Холла в расплавах полупроводников с различным характером взаимодействия. // Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Москва, МИЭТ,1982.-31с.

51. С.К.Каримов, С. Гафоров. Физика полупроводников и диэлектриков // Куляб: Сада , 2012.-307с. с. илл.

52. Каримов С. К. Линейное расширение, теплоемкость и термодинамические

свойства СйТ12ТеА // Теплофизика высоких температур,1979.-Т.17.-№4.-С.735-739.

53. Каримов С.К. Термические расширения, теплоемкости и термодинамические свойства соединений СйБ2 С^ (Б - Т1, С - Бе, Те) //Тезисы докл. всесоюз.

конф. «Термодинамики полупроводникового материаловедения». Москва, МИЭТ, 1979.-С.94-95.

54. Каримов С.К. Физика и химия полупроводниковых фосфидохаль-когенидов таллия // Душанбе: Дониш, 2001.-274 с. с илл.

55. Каримов С.К. Коэффициенты Холла и термо-э.д.с. соединения СёТ12ТеАв твердом и жидком состояниях // Известия АН СССР. Неорганическиематери-алы, 1979.-т.15.- №3.-С.424-426.

56. Хансен М., Андерко Е. Структура бинарных сплавов. Перевод с англ. // М.: Металлургиздат, 1962.-т.1- 608с. с.илл.; т.2.-880с. с.илл.

57. В.А.Оболочник. Селениды //М.: Металлург, 1972.-162с. с. илл

58. С.К.Каримов, Р.Я.Акрамова. Особенности структуры и характера химической связи в Б12БV и БЬБ Б - Бе, Те) // Вестник Таджикского национального университета. Серия естественных наук, 2017.-№1/4.-С.121-127.

59. В.М.Глазов, Ю.В. Ятманов. Рентгенографическое исследование структуры промежуточных фаз, образующихся в системе Б1 - Бе // Тезисы докладов Ш-Всесоюзной конференции«Термодинамика и материаловедение полупроводников». Т.1. Москва, 1986.-С.252-253.

60. В.Б.Боледзюк, З.Д.Ковалюк и др.Структурные характеристики и магнитные свойства монокристаллов А^Б^, интеркалированных кобальтом // Журнал технической физики, 2015.-Т.85.-Вып. 11.-С.86-90.

61. Е.А.Алешина, Е.Д. Демидова и др. Масспектрометрическое исследование системы Б1 - Те // Тезисы докладов III Всесоюзной конференции «Термодинамика и материаловедение полупроводников». Т.1. Москва, 1986.-С.91-92.

62. В.М.Глазов, А.Л.Ломов. О положение висмута и сурьмы в электрохимическом ряду напряжений элементов // Тезисы докладов III Всесоюзной

конференции «Термодинамика и материаловедение полупроводников». Т.1. Москва, 1986.-С. 102-103.

63. Ф.И.Васенин, П.Ф.Коновалов. Ионизационное рентгеноструктурное исследование теллурида висмута // Журнал технической физики, 1957.-Т.27.-Вып.7.-С. 1406-1414.

64. Криворучко С. П.Кристаллизация изотропных термоэлектрических сплавов (Sb, Bi )2 Te3 дырочного типа проводимости закалкой жидкого состояния // Диссертация на соискание ученой степени кандидата тех. наук. Сухумский Физико-Технический Институт(http:// www.era-sfti.ru/kristal.html).

65. Абдуллаев Н.А., Кахраманов К.Ш. и др.Формирование диссипативных нанообъектов между квинтетными пакетами кристаллов типа AV2BV3 <примесь> // Материалы IX международной научно-технической конференции «Микро-и нанотехнологии в электронике». Нальчик, 29 мая-3 июня 2017.-С.113-118.

66. Haijun Zhang, Chao-Xing Liu, Xiao-Liang Qi-Topological insulators in Bi 2 Se3, Bi 2Te3 and Sb2Te3 with a single Dirac cone on the surface // Macmillan Publishers Limited. All rights reserved, 2009.-РР.438-442.

67.John J. Carey. The electronic structure of the antimony chalcogenide series: Prospects for optoelectronic applications // Preprint submitted to Journal of Solid State Chemistry February 14, 2014.-24 p.

68. R.0. ismayilova, S.Z.Cafarova, C.§. Abdinov. Bi 2Te3 asasinda bazi u?qat bark mahlullarin istilikke?iriciliyi // Fizika, 2008.-Gild XIV/-№3.-C.41-43.

69. S. M. Patil, S. N.Gavale at all.XPS characterization and opto-structural study of chemically deposited Sb (III) doped Bi2(Tel-xSex)3 thin films // ArchivesofPhy-sicsResearch, 2012.-No.3 (3).-PP.245-257.

70.РогачеваЕ.И., БудникА.В. и др.Структура тонких пленок p -Bi2Te3, полученных термическим испарением в вакууме из одного источника//Термо-электричество. Международный научный журнал, 2015.-№2.-С.5-16.

71. Драбкин И.А., Освенский В.Б. и др.Анизотропия термоэлектрических свойств наноструктурированного материала р-типа на основе (Sb, Bi)2 Te3 // Термоэлектричество. Международный научный журнал, 2013.-№3.-С.31-37.

72. Byungki Ryu, Bong-Seo Kim. Prediction of the Band Structures of Bi2Te3 -

related Binary and Sb/Se-doped // Ternary Thermoelectric Materials. Republic of Korea. 2016.-19с.

73. O.B.Sokolov, S.Ya. Skipidarov, N.I.Duvankov.-The Variation of the Equilibrium of Chemical Reactions in the Process of Bi2Te3, Sb2Se3, Sb2Te3. Crystal Growing //J. Crystal Growth, 2002.-V.236.-PP.181-190.

74. R.9. îsmayilova, S.Z. Cafarova, C.§. Abdinov.-Bi 2Te3 asasinda baziuçqat bark mahlullarin istilikkeçiriciliyi //Fizika, 2008.-Gild XIV.-№3.-C.41-43.

75. Prof. Dr. Stephan Schulz // Low-temperature Synthesis of Thermoelectric Materials by Thermal Decomposition of Tailor-made Precursors in Ionic Liquids // Priority Programme "Material Synthesis near Room Temperature" 2016.-2с.

76. И.С.Вирт, И.А.Рудыйидр.Свойства тонких пленок Sb2S3 и Sb2Se3, полученных методом импульсной лазерной абляции // Физика и техника полупроводников, 2013.-T47.-Bbin. 7.-C.997-1002.

77. Л.М.Павлова, Д.С.Гаев, Ю.Д.Халимов // Исследование объемных свойств расплавов в системах AIV - Se и AV - Se(AIV - Ge, Sn, Pb; AV - Sb, Bi) // Тезисы докладов III Всесоюзной конференции «Термодинамика и материаловедение полупроводников». Т.1. Москва, 1986.-С.174.

78. В.Дж. Пфанн. Зонная плавка. Перевод с английского В.А.Алексеева //М.: ГНТИ литературы по черной и цветной металлургии, 1960.-272с.

79. Шилкин А.И., Кулиев А.А. Установка для выращивания монокристаллов теллура методом выращивания из расплава // Приборы и техника эксперимента, 1961.-№5.-С. 172-174.

80. Стахира И.И.Выращивание монокристаллов In2Seпо методу Чохраль-ского // В сб. «Рост кристаллов». М.: Наука, 1965.-Т.6.-С.284-287.

81. И.А.Случинская. Основы материаловедения и технологии// Москва, 2002.-376с.

82. Каримов С.К., Кабутов К., Шеров П.Н., Акрамова Р.Я. Теплоемкость и некоторые термодинамические свойства соединения В^Впз (Вп - Бе,Те) // Материалы VIмеждународной научно-теоретической конференции «Физико-химические основы получения и исследования комплекса свойств полупроводниковых, композиционных и диэлектрических материалов». КГУ имени Абуабдулло Рудаки. Душанбе: Бухоро, 2014.-С.58-64.

83. С.К.Каримов, П.Н.Шеров, Р.Я. Акрамова. Тепловое расширение, теплоемкость и некоторые термодинамические свойства соединений Бв2ВV

(Вп - Бе, Те) // Вестник Таджикского национального университета. Серия естественных наук, 2014.-№1/1(126).-С.71-76.

84. Каримов С.К., Курбонов Х.М., Мавлонов Ш. Металлографические и рентгенографические изучения монокристаллов Н2 Те3 // Известия АН Тадж. ССР. Отд. физ.-мат., геол., хим. наук, 1968.-№2(28).-С. 12-17.

85. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М.Статистическая физика. Часть 1. Том 5// М.: Наука, 1964.-565 с.

86. С.К.Каримов. Получение и исследование электрофизических свойств монокристаллов теллурида таллия // Диссертация на соискание уч. степ. кандидата физ.-мат. наук. Львов, ЛГУ им. И.Франко, 1968.-52 с.

87. П.Н.Шеров, Р.Я.Акрамова, М.Улугходжаева.Температурная зависимость удельного сопротивления монокристаллов теллурида сурьмы, легированного туллием // Доклады АН Республики Таджикистан, 2007.-Т.50.-№6.-С.536-537.

88. Шеров П.Н., Кабутов К., Акрамова Р.Я. Электрические свойства анизотропных кристаллов теллурида сурьмы, легированных селеном и таллием // Материалы международной конференции по физике конденсированного состояния и экологических систем. Душанбе, АН РТ, Физико-технический институт им. С.У.Умарова, 2006.-С.20-30.

89. Шеров П. Н., Кабутов К., Акрамова Р.Я.Электрические свойства анизотропных кристаллов теллурида сурьмы, легированных таллием и селеном // Тезисы докладов научно-теоретической конференции «Современные проблемы физики конденсированных сред». ТГНУ, Душанбе, 2007.-С.72-74.

90. С.К.Каримов, Р.Я.Акрамова.Некоторые электрофизические свойства монокристаллов БЪгТе, легированного туллием, в зависимости от температуры. // Вестник Таджикского национального университета. Серия естественных наук,2017.-№1/3.-С. 123-129.

91. Регель А.Р., Глазов В.М.Периодический закон и физические свойства электронных расплавов // М.: Наука, 1978.-306 с.

92. Шокли В. Теория электронных полупроводников // М.: Изд-во И.-Л., 1968.-715 с.

93.Смит Р. Полупроводники // Изд-во И.-Л., 1962.-467 с.

94. С.К.Каримов, К.Кабутов., П.Н.Шеров, Р.Я.Акрамова.Теплопроводность и термоэлектрическая эффективность соединения В^ВИ (Ви - Бе,Те) //Вестник Таджикского национального университета. Серия естественных наук, 2015.-№1/5(188).-С. 123-127

95. С.К.Каримов, Р. Я.Акрамова. Теплопроводность и термоэлектрическая добротность соединений БЪ2Ви (Ви - Бе, Те) // Вестник Таджикского наци-наль-ного университета. Серия естественных наук,2015.-№1/4(168).-С.110-114.

96. Глазов В.М., Евсеев В.А., Павлов В.Г. Методы исследования термоэлектрических свойств полупроводников в жидком состоянии // Заводская лаборатория, 1966.-Т.32.-С.290-300.

97. Хрущов М.М., Беркович Е.С.Приборы ПМТ-2 и ПМТ-3 для исследования на микротвердость // М.: Изд-во АН СССР, 1960.-69 с.

98. Глазов В.М., Борисов В.А.Приспособление для автоматического нагру-жения образца при измерении микротвердости // Заводская лаборатория, 1960.-Т.26.-№12.-С. 1420-1422.

99. Глазов В.М., Вигдорович В.Н.Микротвердость металлов // М.: Метал-лургиздат, 1969.-248 с.

100. С.К.Каримов, К.Кабутов, П.Н.Шеров, Р.Я.Акрамова. Определение растворимости легирующих элементов в В12 Бе3 и В12Те3 методом микротвердости

и построение микродиаграммВг2Виз -примесь // Вестник Таджикского национального университета. Серия естественных наук, 2014.-№1/2(130).-С.91-97.

101.Кроль О.Я., Нашельский А.Я., Хлыстовская Л.Д. Методика покрытияк-варцевых изделий графитом // Заводская лаборатория, 1961.-Т.27.- №2.-С.177-178.

102.Каримов С.К. Основы физики и химии полупроводников. 2-ое издание // Душанбе:Дониш, 2002.-289 с.