Импульсные процессы в электронных и оптоэлектронных полупроводниковых структурах, работающих в режиме большого сигнала на СВЧ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Вайтекунас Фердинандас

• Вайтекунас Фердинандас
• кандидат наук
• 2015

Оглавление диссертации кандидат наук Вайтекунас Фердинандас

Оглавление

Общая характеристика работы........................................................... 5

Глава 1.

ЭЛЕКТРОНИКА И ГЕНЕРАЦИЯ ИМПУЛЬСНЫХ КОЛЕБАНИЙ С ВЫСОКОЙ И СВЕРХВЫСОКОЙ ЧАСТОТОЙ ПОВТОРЕНИЯ

1.1. Генерация импульсов с частотой повторения до сотен мегагерц..............21

1.2. Полупроводниковая электроника и генерация электрических импульсов со сверхвысокой частотой повторения................................................................25

1.3. Полупроводниковые лазеры для формирования и генерации импульсов света в диапазоне СВЧ............................................................................................31

1.4. Генерация импульсов на СВЧ и быстродействие систем электроники.....35

1.4.1. Сверхбыстродействующая полупроводниковая электроника.........35

1.4.2. Генерация импульсных колебаний на СВЧ................................38

1.4.3. Тактовая частота, быстродействие вычислительных устройств и эффективность оптических систем передачи цифровой информации ... .45

1.4.4. Современное состояние генерации импульсных колебаний и методы определяющие быстродействие электронных систем...........................52

1.5. Постановка задачи ..........................................................................54

1.6. Для выполнения поставленной задачи, необходимо решить...................56

Глава 2.

ПЕРЕХОДНЫЕ И ИМПУЛЬСНЫЕ ПРОЦЕССЫ В БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

2.1. Переходные процессы................................................................................. 58

2.1.1.Включение транзистора............................................................................59

2.1.2.Выключение транзистора......................................................................68

2.2. Импульсный процесс и метод переноса для его анализа.......................71

2.2.1. Импульсный процесс и характеристика, метод переноса...............72

2.2.2. Расчет импульсного процесса в транзисторе на СВЧ.........................81

2.2.3. Амплитудные спектры гармоник импульсных колебаний на СВЧ ....86

2.3. Импульсные транзисторы......................................................................89

2.4. Методы измерения импульсно-частотных параметров.............................. 91

2.5. Формирователи импульсов со сверхвысокой частотой повторения.............95

2.6. Основные результаты и выводы.........................................................96

Глава 3.

МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ И АНАЛИЗ ИМПУЛЬСНЫХ ПРОЦЕССОВ В ТРАНЗИСТОРАХ

3.1. Единая математическая модель...................................................................97

3.2. Численное решение системы уравнений единой модели...........................103

3.3. Переходные процессы в полевом транзисторе Шоттки..............................112

3.4. Импульсные процессы при переключении ПТЗШ......................................113

3.5. В канале ПТЗШ пульсирующий домен сильного поля..............................116

3.6. Характеристики импульсного полевого транзистора...................................117

3.7. Формирование импульсных колебаний.........................................................118

3.8. Импульсные процессы в разных структурах электроники........................118

3.9. Основные результаты и выводы....................................................................120

Глава 4.

ИМПУЛЬСНЫЕ ПРОЦЕССЫ В TRAPATT ДИОДЕ В РЕЖИМЕ ГЕНЕРАЦИИ ИМПУЛЬСНЫХ КОЛЕБАНЙ

4.1. Математическая модель для анализа импульсных процессов...................122

4.2. Анализ импульсных процессов в TRAPATT диодах..............................127

4.3. Генерация импульсных колебаний.....................................................138

4.4. Переходные процессы...................................................................144

4.5. Метод расчета процессов в генераторе на TRAPATT диоде ...................147

4.6. Генераторы импульсных колебаний.......................................................151

4.7. Основные результаты и выводы........................................................152

Глава 5.

ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В СТРУКТУРАХ СО СВЕРХРЕШЕТКАМИ И В КЛАСТЕРНЫХ ОБРАЗОВАНИЯХ

5.1. Быстродействие туннельных р-п переходов.................................................154

5.2. Сверхрешетки, их быстродействие и функциональные возможности.....158

5.3. Переключение кластерных сверхрешоток.....................................................162

5.4. Основные результаты и выводы....................................................................165

Глава 6

ИМПУЛЬСНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРАХ НА СВЧ

6.1. Модели для анализа работы инжекционных лазеров на СВЧ......................167

6.2. Импедансы и модуляционная характеристика инжекционных лазеров в широком диапазоне СВЧ........................................................................................170

6.3. Согласование лазера с волноводом в широкой полосе СВЧ.......................177

6.4. Методы экспериментального исследования лазеров на СВЧ...................183

6.5. Субгармонический резонанс в инжекционных лазерах...............................186

6.6. Инжекционный лазер в системе с внешним резонатором............................191

6.6.1. Генерация самоподдерживающихся пульсаций и импульсов света.. 191

6.6.2. Режим активной синхронизации мод..................................................197

6.6.3. Лазеры в режиме генерации импульсов..............................................201

6.7. Оптический виброизмеритель и источник световых колебаний..............203

6. 8. Основные результаты и выводы.....................................................204

Глава 7

ИМПУЛЬСНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА И СИНХРО - ФОТОННАЯ ИНЖЕКЦИЯ

7. 1. Синхро-фотонная электроника.....................................................................207

7. 1. 1. Синхро-фотонный процесс в ПП элементах .............................207

7. 1.2. Синхро-фотонные транзисторы.........................................................209

7. 1. 3. Синхро-фотонные лавинно-пролетные диоды...............................210

7. 1.4. Синхро-фотонная инжекция в гетеролазер.......................................216

7. 1.5. Модуляция лазера электрическими и оптическими сигналами......220

7. 2. Импульсная электроника и характерные ее особенности.....................222

7.3. Быстродействие 1111 элементов и генерация импульсных колебаний .......227

7. 4. Основные результаты и выводы.....................................................230

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.........................................233

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ И ЦИТИРОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ . 236 - 280

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Импульсные процессы в электронных и оптоэлектронных полупроводниковых структурах, работающих в режиме большого сигнала на СВЧ»

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность темы диссертации. Изучение принципов и способов генерации колебаний с предельной частотой повторения является одной из актуальных проблем радиофизики. Это направление охватывает и методы генерации видеоимпульсов с максимальной частотой повторения на СВЧ. Для проведения такого исследования необходим анализ импульсных процессов в нелинейных элементах, работающих в волноводной среде. Поэтому исследование генерации импульсов на СВЧ задача комплексная.

В научных публикациях по импульсной тематике абсолютное количество работ относится к методам формирования импульсов с минимальной длительностью фронта в пико-фемто секундах. Методы генерации импульсов с максимальной предельной частотой повторения как самостоятельная задача комплексно не рассмотрена. Это две одинаково актуальные, но по методам исследования и по элементной базе совершенно разные проблемы.

Релаксаторы способны работать до ста или больше мегагерц. Их быстродействие ограничивают ЯСЬ образования в цепях обратной связи. Высокую частоту повторения начато исследовть в 1957-1961 годах. В Вильнюсском НИИ радиоизмерительных приборов ставилась хадача достичь частоту повторения 1 ГГц (1961-1963 г.). В США и СССР исследовось группирование сгустков электронов в клистронах и на лампах бегущей волны с коаксиальным коллектором. Были разработаны линии с нелинейными параметрами для формирования ударных волн и системы на вакуумной СВЧ электронике как ограничители. Тогда достигнута частота повторения импульсов 0,3^0,7 ГГц. Их форма отличалась от прямоугольной и она не удовлетворяла требованиям аппаратуры метрологии.

В монографии Л. А. Моругина и Г. В. Глебовича „Наносекундная импульсная техника" (1964 г.) показано формирование импульсов на полупроводниковых (ПП) диодах с накоплением заряда (ДНЗ), туннельных диодах (ТД), четырехслойных п-р-п-р структурах с Б-образной ВАХ. Начато освоение ПП электроники на СВЧ.

С появлением высокочастотных ПП диодов и транзисторов, развитие этой тематики нацелилось к определению, какими способами и на таких элементах возможна генерация импульсных колебаний с частотами повторения в диапазоне СВЧ и какая может быть форма колебаний, их временные параметры и амплитуда.

Начальная стадия исследований предельной частоты повторения импульсов показала, что основой методов генерации электрических или световых импульсных колебаний на СВЧ является ПП элемент с четко выраженными импульсными свойствами. Схемное решение здесь вторично и оно подбирается под элемент.

Так для исследования генерации импульсов на СВЧ необходим комплексный анализ отдельных задачь из физики полупроводников и электроники, радиофизики. В ходе настоящей работы в 1975-80 годы была составлена программа, состоящая из пяти частей:

1 - по научным публикациям и экспериментальным исследованиям сделать отбор ПП структур с физическими эффектами, способными работать в диапазоне СВЧ в режиме большого сигнала с пикосекундными временами переключения;

2 - создать математические модели и методы расчета для анализа импульсных процессов в различных Ш1 элементах, работающих на разных принципах в режиме большого сигнала и их структуры созданы из разных 1111 материалов;

3 - разработать способы и стенды для экспериментального исследования импульсных процессов с пикосекундным разрешением на СВЧ в безкорпусных или корпусированных 1111 структурах электроники и оптоэлектроники;

4 - разработать способы и устройства для экспериментального исследования различных методов формирования или генерации электрических и световых импульсных колебаний с гигагерцовой частотой повторения;

5 - предложить оригинальные структуры электроники и оптоэлектроники, которые способны работать на СВЧ с пикосекундными временами переключения.

Первый этап работ показал, что задача радиофизики - генерация видеоимпульсов на СВЧ решается на основе физики полупроводников, электроники и математического моделирования импульсных процессов в ПП кристаллах, работающих в волноводных системах. По этой программе исследованы биполярные и полевые транзисторы, лавинно-пролетные и туннельные диоды, сверхрешетки, ПП лазеры, встроенные в коаксиальные или полосковые линии. В ПП элемент в режиме большого сигнала подается амплитуда управляющего наростающего тока, который переводит его из состояния отсечки в режим насыщения. При выключении протекает обратный ход процесса.

С освоением изготовления ПП лазеров (1979-1981г.), начато исследование методов формирования или генерации импульсов света со сверхвысокой частотой повторения. Была выдвинута задача - провести сравнительный анализ методов формирования или генерации электрических и световых импульсных колебаний и сделать их оценку. Генерация максимальной частоты повторения импульсов кроме научного познания в радиофизике, актуальна и в разных областях технического применения. Цифровые системы имеют постоянно расширяющуюся практическую потребность. Перечислим актуальные ее направления.

1. Наличие научной базы методов генерации электрических или световых импульсных колебаний на СВЧ является основой для разработки источников сверхвысокочастотной импульсной метрологии, которая нужна для развития многих актуальных областей технического применения и ее прогресса.

2. Метрологические источники электрических или световых импульсных колебаний прямоугольной формы с частотой повторения от относительно низких частот до 3-5 ГГц и с заданной амплитудой являются основой при

разработке и аттестации ГШ элементов и сверхбыстродействующих импульсных устройств.

3. При быстрой обработке информации в компьютерах и вычислительных комплексах элементная база работает с тактовыми частотами до 2-3 ГГц.

4. Системы волоконной связи с применением импульсного кодирования сигналов работают с максимальной скоростью до ста Гб/с.

5. Освоено и далее развивается вещание радио и телевидения в цифровом коде.

С 1981 г. для исследования генерации импульсов на базе ПП лазеров с двойной гетероструктурой сделан анализ их работы в волноводном тракте. Полученные данные позволили оценить максимальную импульсную работоспособность структур, различные их типы сравнить между собою и выявить специфические особенности каждого из них, сделать рекомендации для улучшения импульсных свойств и их работы на СВЧ в промышленностью осваевымых ПП лазерах.

Актуальной и нерешенной проблемой было укорочение длительности переходного процесса при включении полупроводниковых элементов. Предложен способ укорочения такого процесса в разных элементах ПП электроники и оптоэлектроники. Суть его в том, что в лазер или иную структуру во время переключения синхронно с электронами инжектируется сгусток - импульс фтонов. Это синхронная фотоинжекция, которая может быть применена для любого ПП прибора при наличии доступа к его кристаллу через специальное окно в его корпусе. Так предложена и создана синхро-фотонная электроника или синхрофотоника. Освоено опытное изготовление ЛПД с окном в корпусе.

Предложены структуры импульсных биполярных и полевых транзисторов, ТЯАРАТТ диодов, структур со сверхрешеткой, инжекционного лазера. Они обладают четкими импульсными свойствами, увеличенным быстродействием и стали основой при определении напрввления Импульсной

электроники. Также разработаны формирователи субнаносекундных единичных перепадов напряжения или тока, предложены новые методы измерения граничной частоты разных элементов на СВЧ, измерители временных и других параметров ПП структур.

Разработанные математические модели и проведенный аназиз импульсных процессов в отобранных ПП элементах позволил сделать сопоставление и сравнительную оценку разных методов генерации импульсных колебаний на СВЧ. Это актуально при выборе метода генерации на существующей элементной базе для конкретной цели. Для подтверждения разработанной теории, на транзисторах показана генерация импульсов с частотой повторения до 1,2 ГГц, на арсенид-галлиевом полевом транзисторе с барьером Шоттки получен фронт 40 пс до 2 ГГц, на TRAPATT диодах частота импульсов 0,8-^3 ГГц с амплитудой 70-И25 В. На инжекционном лазере достигнута частота от 0,3 до 2 ГГц и длительность пульсов 0,8 пс в пакете. На нжекционных лазерах в режиме субгармонического резонанса получена частота повторения импульсов до 3,5 ГГц.

Степень разработанности темы. В США и СССР в 1957-1961 г. начаты поиски методов генерации импульсов с частотой повторения до 1 ГГц. Работы базировались на вакуумной СВЧ электронике и на распределенные нелинейные системы. Развитие СВЧ электроники на ПП (1973-1978 г.) вело к исследованию их работы в импульсном режиме и возможности генерации импульсов в диапазоне СВЧ. В СССР к 1985 г. были разработаны импульсные генераторы измерительные с частотой повторения до 1 ГГц, а к 1990 г. до 2 ГГц. Тогда в США уровень разработок был аналогичным. К настоящему времени промышленность США производит генераторы измерительные с частотой повторения до 2 - 3,35 ГГц. В 2011 г. на процессоре со спец. архитектурой и в криогенной среде был достигнут мировой рекорд тактовой частоты F= 8,429 ГГц (США).

Цели и задачи. Цель диссертации - исследовать и на ПП элементах разработать методы генерации электрических и световых импульсных

колебаний со сверхвысокой предельной частотой повторения и создать теорию генерации таких колебаний. Для достижения этой цели необходимо решить задачи:

- в отобранных элементах ПП СВЧ электроники и оптоэлектроники теоретически и экспериментально исследовать имульсные процессы с субнаносекундным - пикосекундным разрешением во времени;

- разработать математические модели и алгоритмы, методы расчета для анализа импульсных процессов в ПП элементах с различной структурой на разных материалах и работающих на разных физических принципах;

- предложить и разработать методы экспериментального исследования импульсных процессов с пикосекундным разрешением в 1111 структурах, работающих на СВЧ;

- на СВЧ исследовать и определить условия оптимального согласования 1111 элемента - кристалла со схемой в коаксиальном или полосковом волноводе;

- исследовать и сформулировать физические принципы импульсной электроники и разработать основы синхрофотоники на разных ПП элементах;

- предложить оригинальные 1111 структуры импульсной электроники;

- создать теоретическую и экспериментальную научную базу для разработки измерительных и другого назначения источников электрических и световых импульсных колебаний с предельной сверхвысокой частотой повторения.

Научная новизна.

1. На основании классических методов рассчета разработаны математические модели и применены для анализа импульсных процессов, протекающих в разных структурах ПП электроники во время генерации электрических или световых импульсных колебаний со сверхвысокой частотой повторения. Перечислим их:

- единая двумерная математическая модель, основанная на системе уравнений непрерывности, Пуассона, электронного и дырочного токов и др.

для анализа импульсных процессов в различных ПП элементах из разных материалов с произвольной их геометрией и с различным распределением легирующих примесей;

- единая физическая эквивалентная схема транзистора и математическая модель на основе теории цепей, учитывающая физические эффекты и процессы в структуре, работающей в импульсном режиме малого или большого сигнала при управлении генератором тока или напряжения и разном способе включения, с наличием RCL образований и их учете;

- математическая модель TRAPATT диода и метод расчета - синтеза параметров генерации импульсных колебаний со сверхвысокой частотой повторения на таком диоде, работающем в коаксиальном резонаторе;

- математическая модель генерации лазера в режиме активной синхронизации мод, которая учитывает многократное отражение светового потока во внутреннем резонаторе лазера в процессе формирования импульсов света на СВЧ;

2. Моделирование процесса включения п-р-п транзистора с различным расположением контактов выявило условия, при которых в поперечном сечении структуры расширяется поток переносимых носителей. Этот эффект при выключении затягивается их рассасывание и увеличивается длительность переходного процесса. В транзисторе с проницаемой базой расширение потока носителей отсутствует

3. Предложен прототип импульсного транзистора - структура с проницаемой базой, в которой форма и расположение электродов при переключении обеспечивают однородное поперечное распределение электрического поля и потока носителей;

4. Установлено пять факторов, которые определяют максимальное быстродействие 1111 структур:

- 1 - в режиме малого сигнала в конкретной рабочей точке минимальное время переноса носителей tnep через структуру выражается обратной величиной граничной частоты fT;

- 2 - в режиме большого сигнала во время переключения импульсной структуры от нулевого тока I = 0 до насыщения I = 0,91макс, время переноса носителей tncp через структуру изменяется вдоль линии нагрузки ВАХ по закону fT(i,u) - поля и при максимальном токе оно достигает свое минимальное значение tMHH;

- 3 - в процессе переключения коэффициент усиления возрастает;

- 4 - инжектирующий эмиттер или исток и электроны собирающий коллектор или сток расположены один против другого так, чтобы в каждый момент процесса включения все начинающие дрейфовать электроны пролетали межэлектродное пространство за одинаковый и минимальный промежуток времени;

- 5 - оптимальное согласование параметров ПП кристалла и схемы с волновым сопротивлением волновода, в котором он задействован.

5. В канале полевого транзистора с затвором Шоттки на InP, теоретически обнаружен подвижный пульсирующий домен сильного поля, который возбуждает колебания тока с периодом 3-4 пс. Наличие домена определяется шириной участка ОДП материала элемента.

6. Найдено место начала ударной ионизации в TRAPATT структуре и определено условие его развития. Во время включения диода, величина тока зависит от концентрации носителей в активной области и тока диффузии через N+N или Р+Р переход в базу. Крутизна профиля легирования перехода определяет величину этого тока. При достаточной его величине в конце базы, когда дрейфовая скорость носителей в этом месте достигает насыщение, начинается ударная ионизация и развивается лавина. Крутизну N+N или Р+Р перехода предложено включить в перечень параметр TRAPATT диода.

7. В структурах со сверхрешоткой с разным законом изменения периодичности потенциальных ям и барьеров выявлено условие увеличения усиления мощности, изменения длины волны излучения света и задержка.

8. Условие в элементе формировать импульсы с максимальной частотой повторения.

9. Предложена синхрофотоникна. Во время включения элемента электроники или оптоэлектроники, синхронно с инжекцией электронов в него инжектируется импульс фотонов, который резко увеличивает их концентрацию или фото ток и так сокращает длительность переходного процесса. Синхрофотоны также устраняют выброс на фронте импульса света, увеличивают частоту повторения генерируемых импульсов, модулируют колебания. Диоды становятся четырехполюсниками, транзисторы имеют два управляющие входы.

10. Предложены структуры биполярных транзисторов, TRAPATT диодов, структур со сверхрешеткой, инжекционного лазера и ПП приборов синхрофотоники с окном в корпусе для ввода синхрофотонов. Структуры этих приборов составляют основу направления Импульсной электроники.

11. Разработаны на разной физической основе действующие источники электрических и световых импульсных колебаний с частотой повторения до 2-3,5 ГГц и выше, также способы и стенды измерения параметров элементной базы импульсной электроники на СВЧ.

Теоретическая и практическая значимость работы. Созданы математические модели и алгоритмы, предложены методы расчета. На их основе теоретически исследованы импульсные процессы в различных ПП элементах электроники и оптоэлектроники, сформулированы ключевые положения для разработки методов генерации и источников импульсных колебаний с предельной сверхвысокой частотой повторения. Предложено научное направление Импульсной электроники, включая синхрофотонику и определены основные его положения. Разработаны методы измерения импульсных и частотных параметров ПП элементов, также стенды, работающие с пикосекундым разрешением на частотах до 3-5 ГГц. Осуществлено практическое применение теории и результатов экспериментальных исследований в развитии импульсной 1111 элементной базы и на ее основе в разработке метрологических импульсных генераторов (

Г5-85 до F= 1 ГГц, 1985 г. и Г5-96 до F=2 ГГц, 1990 г.) в промышленном исполнении.

Методология и методы исследования. Для исследования отобраны ПП кристаллы СВЧ электроники, работающие на разных физических эффектах, но с выраженным протекающим импульсным процессом. Для оценки их импульсной работоспособности на сверхвысоких частотах теоретически путем использования строгого математического моделирования проведен сравнительный анализ. Применены разработанные оригинальные методы экспериментального исследования, которые выполнены на позициях современных научных представлений о физике процессов переноса носителей заряда и фотонов в на различных принципах работающих ПП структурах. Эксперименты проведены на новейшей аттестованной измерительной аппаратуре и получено полное подтверждение разработанной теории генерации импульсных колебаний на СВЧ.

Положения выносимые на защиту.

1. Математические модели, методы расчета и анализа импульсных процессов, расчета параметров и характеристик ПП элементов электроники и оптоэлектроники, работающих в режиме генерации импульсных колебаний со сверхвысокой частотой повторения.

2. Математическое моделирование импульсных процессов в различных 1111 структурах, проведенное единой математической моделью и сравнительный анализ их импульсных свойств при работе на СВЧ.

3. Способы измерения импульсных и частотных параметров биполярных и полевых транзисторов, TRAPATT диодов, структур на туннельном эффекте, 1111 лазеров. Это граничная частота fT, электрофизические и геометрические параметры областей базы и коллекторного р-п перехода транзистора, их барьерные и диффузионные емкости, длительности световых импульсов по автокорреляционной методике с фемтосекундным разрешением. Метод формирования спектров с заданной высокоравномерной огибающей для

измерения частотных характеристик. Условия, обеспечивающие однозначность измерения переходной характеристики (ПХ) транзистора.

4. В полевом транзисторе с затвором Шоттки и микронным каналом, при его переключении напряжением большой амплитуды, скорость переноса электронов становится близкой к дрейфовой скорости насыщения и переходной процесс составляет время пролета электронами подзатворной части структуры. Это время не зависит от подвижности электронов в ПП материале канала в слабом поле, концентрации легирующей примеси и величины коэффициента диффузии.

5. Переходной процесс вюноченя TRAPATT диода разделен на пять фаз, имеющих разный тип колебаний - пульсации на СВЧ, генерацию IMPATT колебаний с переходом в колебания другого типа с изменяющейся регулярностью. Тип высокочастотных колебаний имеет зависимость от крутизны профиля легирования перехода в конце базы. Переходной процесс длится 15-25 не.

6. Предложены структуры со сверхрешеткой с постепенным расширением потенциальных барьеров и сужением потенциальных ям, с периодическим секционированием этих барьеров и ям. В таких сверхрешетках при выполнении резонансового туннелирования увеличивается рабочее напряжение, ток и тем самым их быстродействие. Расширяются оптоэлектронные функциональные свойства и возможности.

7. Модуль комплексного сопротивления р-n гетероперехода инжекционного лазера на участке сверхвысоких частот в несколько гигагерц становится меньше всех остальных сопротивлений структуры. Импеданс лазера уменьшается до минимального предела и перестает зависеть от тока смещения. Согласование лазера с волноводом на этих частотах при помощи элемента с диссипативными составляющими приводит к возникновению потерь СВЧ мощности, которые больше тех, которые могут создаваться за счет отражения без наличия такого согласующего элемента.

8. Способ синхрофотонной инжекции сокращает время переключения ПП лазеров и различных элементов ПП электроники. Гасятся релаксационные колебания на оптической ПХ. При помощи экспериментально выполненной синхронной подсветке кристалла биполярного или полевого транзисторов без наличия специального окна в корпусе, получено сокращение переходных процессов на три порядка или в несколько раз, соответственно. В TRAPATT диодах со специально встроенным окном в их корпусе, переходной процесс включения генерации сокращен до 1-2 не, а частота генерации возросла на 20-25 % до 3,5-4 ГГц, длительность импульсных колебаний сократилась до 100-50 пс.

9. Исследованные и разработанные методы генерации электрических и световых импульсов с частотой повторения до 3,5-4 ГГц и выше, создали теоретически и экспериментально обоснованную научную базу для разработки метрологических источников импульсных колебаний, предназначенных для тестирования ПП элементов Импульсной электроники на СВЧ, других целей.

Степень достоверности и апробация результатов. Основные результаты диссертации применены в ходе выполнения НИР, ОКР по разработке измерительных импульсных генераторов в Вильнюсском НИИ радио измерительных рпиборов и на ведущих предприятиях электроники и Ъптоэлектроники в СССР, где осваивали выпуск элементной базы импульсной электроники. Это НИИ ПОЛЮС, КБ объединения ЭРА, НИИ ВЕНТА. 10 отчетов НИР Вильнюсского у-та с рецензиями (науч. рук. Ф. Вайтекунас) включено в Каталог НИОКР РФ (2010 г.). Предложены элементы электроники и оптоэлектроники, способы и устройства для измерения их параметров, способы генерации импульсных колебаний на СВЧ, которые защищены авторскими свидетельствами СССР.

Результаты и материалы по теме диссертации аппробированы в 180 научных публикациях, включая 37 статей в ведущих российских и зарубежных журналах, (из них 14 в журналах, определенных Высшей

аттестационной комиссией РФ), 20-и авторских свидетельствах СССР и 32-х статьях в трудах или сборниках всесоюзных, республиканских и зарубежных конференций. Среди них 28 статей в журналах или в трудах конференйий по физике. В том числе 9 статей в Литовском физическом журнале. 91 тезис докладов на н.-т. конференциях. Общий объем публикаций по теме диссертации около 380 м.п. страниц. Основные результаты работы были представлены и обсуждались на международных, всесоюзных и республиканских научно-технических конференциях и семинарах, в том числе:

— на Физическом факультете Вильнюсского университета и Национальной конференции Литвы по физике (1973-2013), в Вильнюсском НИИ радиоизмерительных приборов (1975-1991), в НИИ „Полюс" (19821991, Москва), в ОКБ при заводе „ЭРА" (1979-1991, Москва), на координационном совете по волоконно-оптическим системам связи в Москве (-1988-1992) ;

— на Республиканских н-т конф. — по радиоэлектронике (1976, Каунас; 1977, Вильнюс); — по радиоизмерениям (1976, Вильнюс; 1978, Каунас); молодых ученых (1976, Вильнюс); — „Генерирование, формирование и применение импульсных сигналов" (1-ая, 1978; 2-ая, 1980; 3-ая, 1984; 4-ая, 1987, Вильнюс); - „Физическая электроника" (1979; 1983; 1984; 1985; 1986; 1987, Каунас); — „Управление технологическими процессами микроэлектроники" (1980, Каунас); — „Технологические процессы производства интегральных схем"(1981, Каунас); — по спектроскопии и квантовой электронике (8-ая, 1987, Паланга); — „Усовершенствование технологических процессов производства, их механизация, автоматизация и внедрение результатов" (1988, Каунас); — „Физика полупроводниковых лазеров"(1989, Вильнюс); — „Lietuvos nacionaline fizikos konferencija "(38-oji, 2009; 39-ji, 2011, Vilnius);

— на Всесоюзных н-т конф. — молодых ученых и специалистов отрасли связи ( 1-ая, 1976, Москва); — по микроэлектронике (8-ая, 1978, Москва; 10-ая, 1982 Таганрог; 12-ая, 1987, Тбилиси); — по электронике сверхвысоких частот (9-ая, 1979, Киев); — „Осциллографические методы измерений" (1975; 1979; 1986, Вильнюс); —„Теория и техника сложных сигналов" (1979, Минск); — „Интегральная электроника СВЧ"(1982, Новгород); — „Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах" (3-ая, 1982, Одесса); — по микроэлектронике СВЧ (10-ая,1983, Минск); — симпозиум „Плазма и неустойчивости в полупроводниках" (5-ый, 1983; 6-ой, 1986, Вильнюс); — „Световые системы связи и передачи информации " (4-ая, 1984, Москва); — по физике полупроводников (10-ая, 1983, Минск); —„Электроника СВЧ"(11-ая, 1986, Ордженикидзе); — 6-ое совещание по исследованию арсенида галлия (1987, Томск); — по ВОСС (5-ая, 1988, Москва); — „Проблемы совершенствования устройств и методов приема, передачи и обработки информации (1988, Москва); — „Волоконно-оптические системы передачи" (5-ая, 1988, Москва); — „Оптические устройства в энергосистемах" (1988, Севастополь); — „Физические проблемы оптической связи"(1-ая, 1990; 2-ая, 1991, Севастополь);

— на Международных н-т конф. — по проблемам информационной техники, теоретической электротехнике, физике и технике полупроводниковых проборов (32-ая, 1987; 35-ая, 1990, Ильменау, ГДР ; 40-ая, 1995; 43-ая, 1998, Ильменау, ФРГ); — по микроволнам „MIKON" (8-ая, 1988, Гданск; 11-ая, 1996, Варшава); — на Координационном совете Соц. стран по физическим проблемам оптоэлектроники (1989, Баку); — Proc. of 2nd Int. Symp. On Recent Advances in Micr. Technology „ISRAMT'89" (1989, Beijing, China); — Proc. of Association for the Advancement of Modeling and Simulation techniques in Enterprises International 92 Geneva Conference (1992, Geneva); The 10-th Nordic Symposium on Computer Simulation (1996, Tallinn).

Личное участие соискателя в получении результатов. Автором диссертации сделана постановка общей задачи и отдельных ее частей,

составлены программы для предложенного направления исследований методов генерации импульсных колебаний на СВЧ и выполнения конкретных ее этапов, решения теоретических задач и проведения расчетов, экспериментальных исследований и измерений, в написании статей, тезисов и представлении материалов на конференциях, оформлении заявок на изобретения. Отдельные конкретные задачи выполняли аспиранты, их было 8. Автором предложен и самолично разработан Метод переноса для анализа импульсных процессов на СВЧ в структурах ПП электроники, так же предложены и сформулированы положения синхрофотонной инжекции и импульсной электроники, способ измерения граничной частоты и др. Обобщены результаты всего направления.

Структура и объем диссертации. Диссертация изложена на 280 страниц и состоит из общей характеристики работы, семи глав, основных результатов и выводов, списка цитированной литературы из 271 наименования, списка научных работ соискателя, включающего 89 наименований. С тезисами имеются 182 публикации. В диссертации 11 таблиц и 138 рисунков.

Содержание работы. Во введении обоснована актуальность темы диссертации, показана ее научная новизна и значимость, сформулированы цели и задачи работы, приведены положения, выносимые на защиту, а так же представлены сведения о структуре и содержании работы. 1 глава содержит обзор этапов перехода от вакуумной к ПП электронике и оптоэлектронике, ее развитие для работы в импульсном режиме на СВЧ. Представлены первые поисковые НИР в США и СССР для достижения частоты генерации импульсных колебаний до 1 ГГц. Рассмотрены современные методы генерации импульсов и быстродействие импульсных электронных систем. В других 6 главах исследованы субнано - пико секундные переходные и импульсные процессы, СВЧ характеристики биполярных и полевых транзисторов, TRAPATT диодов, быстродействие туннельных диодов и сверхрешеток, работа полупроводниковых лазеров на СВЧ и импульсная электроника, включающая синхрофотонные элементы,. На исследованных элементах разработаны методы

генерации импульсных колебаний и экспериментально на стендах достигнуты частоты повторения до 2 - 4 ГГц, что сравнимо с зарубежными результатами. К существенным результатом диссертации следует причислить использование ее научных выводов и рекомендаций при промышленной разработке измерительных импульсных генераторов, работающих до 1 ГГц (Г5-85) и 2 ГГц (Г5-96). В то время такой результат был на уровне США. Сделано заключение всего научного направления работы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Вайтекунас Фердинандас

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Исследована физика импульсных процессов в различных электронных и фотонных ПП-ых структурах, создана теория генерации импульсных колебаний на СВЧ. Она экспериментально подтверждена на разработанных стендах, которые на разной элементной базе формируют - генерируют электрические и световые импульсные колебания с частотой повторения до 3-4 ГГц.

2. Генерация импульсных колебаний со сверхвысокой частотой повторения основана на способности физического эффекта в ПП-ом кристалле за десятые доли полупериода колебания на СВЧ переключать плотность потока носителей с нулевого уровня до насыщения и их переносе с высокой скоростью или скоростью достигающую насыщение. При этом обязателен с тем же быстродействием обратный - зеркальный ход процессов.

3. С момента включения базового физического эффекта в биполярном или полевом транзисторе, плотность тока ростет от нуля до насыщения и закон изменения Гт(1к,ик) - поля вдоль линии нагрузки в семействе ВАХ определяет скорость и время переноса носителей. Максимальный ток на нагрузке создает амплитуду колебаний.

4. 1111-ые элементы работают на базовых физических эффектах переключения и переноса. Исследованы - потенциальные барьеры (эмиттерный р-п переход, барьер Шоттки), ударная ионизация с лавинным размножением носителей (ТКАРАТТ диоды), резонансное туннелирование (сверхрешетки), генерация фотонов ( ДГС лазеры), сторонняя инжекция в синхрофотонике. По отбору и с физическим его обоснованием определено направление Импульсной электроники, включающей синхрофотонику.

5. В режиме генерации импульсов, 1111 кристалл элемента работает в волноводе для ТЕМ волн. Сформированный импульс свою форму в волноводе сохраняет неискаженной, если гармоники его спектра укладываются в полосе частот до критической частоты волновода - до высших типов диспергирующих волн (Ни). Импульсы света из ДГС лазера в световод передаются с минимальным рассеиванием.

6. Разработаны математические модели и методы расчета:

- единая двумерная модель на системе уравнений непрерывности, Пуассона, токов и др. Учтитывается геометрия ПП-ой структуры, концентрация примесей, профили легирования, расположение контактов, свойства материалов;

- одномерная модель на системе аналогичных уравнений с учетм ионизации и лавинного размножения носителей, фотоноинжекции в TRAPATT диодах;

- система интегро-дифференциальных уравнений на основе теории цепей для анализа переходных процессов по разработанной эквивалентной схеме СВЧ транзистора;

- метод переноса для расчета импульсного процесса в транзисторе или другом 1111-ом элементе и формируемых импульсов, их частоты повторения и других параметров;

метод расчета генерации импульсов на TRAPATT диоде при синтезе данных резонатора, учете параметров диода и генерируемых импульсов;

- метод расчета формы генерируемых импульсов света в ДГС лазере, работающем с внешним резонатором при учете многократного их отражения от граней в активной среде излучателя;

- в ПП элементе условие формирования импульсные колебания с максимальной частотой повторения, зависящее от параметров его структуры.

7. Предложены, разработаны и экспериментально исследованы:

- методы генерации электрических и световых импульсных колебаний на различных отобранных элементах и получена частота повторения до 3 - 4 ГГц;

- способ измерения времени переноса носителей через структуру или граничной частоты fT 1111-го элемента на СВЧ при помощи измерительных линий;

- оптоэлектронный способ определения электрофизических и геометрических параметров области базы и коллекторного р-п перехода структуры транзистора;

- резонансный способ измерения барьерных и диффузионных емкостей;

- измерение длительности импульсов света по автокорреляционной методике;

- метод формирования высокоравномерных неограниченных по числу гармоник спектров с малым пикфактором сигнала. Получена полоса 0 - 0,8 ГГц.

8. ПХ-ка транзистора однозначна, когда он переключается единичным перепадом большого сигнала из источника напряжения и ток от нуля нарастает до насыщения при фиксации способа включения с ОЭ, ОБ, ОК или ОИ, 03, ОС.

9. ПХ-ка полевого транзистора на Si или GaAs с микронным каналом и с затвором Шоттки сравнима с временем переноса электронов в подзатворной части структуры на скорости близкой к насыщению. В структурах на InP создается пульсирующий домен и он влияет на изменение формы и длительности ПХ-ки.

10. В канале полевого транзистора на InP с затвором Шоттки теоретически обнаружены во время переключения циркулирующие домены сильного поля. Они возбуждаются, передвигаясь разрушаются и создают СВЧ колебания.

11. В конце базы TRAPATT диода у N+N или Р*Р перехода, где создается минимальное наличие свободных носителей и напряженность поля достаточна для дрейфовой скорости насыщения, начинается ударная ионизация и развитие лавинного процесса. Это зависит от крутизны профиля легирования перехода и через него диффузии носителей в базу диода.

12. Переходной процесс включения TRAPATT диода длится до 15-25 не;

13. В структуре со сверхрешеткой закон чередования широких потенциальных барьеров и узких потенциальных ям определяет ток, напряжение и быстродействие. Секционирование широких - узких - широких потенциальных ям определяет длину волны излучаемого импульса света, создает его задержку, фото умножение и др.

14. На СВЧ есть участки частот, где модуль комплексного сопротивления р-п гетероперехода ДГС лазера становится меньше всех сопротивлений его структуры. Импеданс лазера перестает зависеть от тока смещения. Согласование лазера с СВЧ трактом приводит к поглощению большой СВЧ мощности.

15. Предложена синхрофотоника. Во время перехода лазера из спонтанного в индуцированное излучение, инжекция импульса фотонов из стороннего лазера в основной, сокращает длительность ПП-са и гасит выброс на вершине импульса.

16. В биполярном или полевом транзисторе, синхрофотоника переходной процесс сокращает на порядок. В TRAPATT диодах с окном в корпусе для впрыска фотонов, переходной процесс сократился от 25 не до 1-2 не, частота повторения импульсов повысилась на 20-25 %.

17. Теоретичнски и экспериментально показано приближение к пределу физической реализуемости максимальной частоты повторения генерируемых электрических импульсных колебаний на базе импульсной электроники, работающей на электронах. Выше этого предела частоту импульсов способна формировать или генерировать 1111 лазерная электроника.

18 . Результаты исследований внедрены в Вильнюсском НИИРИП-е в разработки измерительных импульсных генераторов: электрические Г5-85 с F= 1

ГГц и Г5-96 с F= 2 ГГц, света Г05 до F= 0,35 ГГц, рефлектометры ОР5. Сотрудничая с НИИ ПОЛЮС исследованы импульсные свойства 1111 лазеров на СВЧ, которые назначались для генерации импульсов. В КБ объединения ЭРА изготовлены синхрофотонные TRAPATT диоды с окном в корпусе. Для НИИ ВЕНТА исследованы способы согласования кристаллов с их корпусами в ИС на СВЧ для передачи гигабитовой тактовой частоты.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Вайтекунас Фердинандас, 2015 год

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ И ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

Статьи, вошедшие в Перечень изданий, рекомендованных ВАК РФ

1-1. Ф.К. Вайтекунас, Ю.Б. Вишняускас, Ч.И. Павасарис. Формирователи импульсов с высокой частотой повторения. Приборы и техника эксперимента. 1, 100-102 (1976).

2-2. Е.С. Бугаец, Ф.К. Вайтекунас. Формирователь М-последовательности со сверхвысокой тактовой частотой. Радиотехника. 33 (8), 97-98 (1978).

3-3. Ф.К. Вайтекунас, К.В. Суткус. Температурная зависимость быстродействия туннельных р-п переходов. Электронная техника. Серия полупроводниковые приборы. 1, 3-6 (1979).

4-4. Ф. Вайтекунас, В. Жалкаускас, Г. Казакявичене. Влияние параметров структуры и паразитных элементов полевого транзистора на форму и длительность его переходной характеристики. Электронная техника. Серия 2, Полупроводниковые приборы. М., 2, 54-61 (1982).

5-5. Ф. Вайтекунас, Ю. Вишняускас, С. Куршялис. Субгармоническое возбуждение инжекционных лазеров. Квантовая электроника. 10 (2), 447^149 (1983).

6-6. Ф.К. Вайтекунас, В.Н. Богомолов, К.В. Суткус, А.И. Задорожный, Т.М. Павлова. Эффекты переключения в кластерных кристаллах на основе теллура в цеолите. Физика-техника полупроводников. Москва, 17 (4), 650-655 (1983).

7-7. Ф.К. Вайтекунас, В.Н. Богомолов, К.В. Суткус, А.И. Задорожный, Т.М. Павлова, Г.Ю. Яшин. Определение времени установления токового режима в районе М-образных всплесков ВАХ кластерного кристалла. Физика твердого тела. Москва, 25 (11), 3448-3450 (1983).

8-8. Ф.К. Вайтекунас, Ю.Б. Вишняускас, М.В. Мейлунас. Влияние крутизны профиля легирования области на процесс образования и рассасывания плазмы в кремниевых ТРАПАТТ диодах. Электронная техника. Серия электроника СВЧ. М., 1 (361), 34-37 (1984).

9-9. Ф.К. Вайтекунас, Ю.Б. Вишняускас, М.Ю. Филатов, Ю.З. Данюшевский, Г.Э. Шименас. Исследование оптической модуляции генератора на лавинных диодах. Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. М., 6 (366), 14-19 (1984).

10-10. Ф. Вайтекунас, С. Куршялис. Синхронная модуляция полупроводникового лазера синусоидальным током и светом. Изв. ВУЗ-ов СССР. Радиоэлектроника. Киев, 28 (12), 66-68 (1985).

11-11. Ф. Вайтекунас, В. Жалкаускас, Г. Казакявичене. Переходной процесс в полевом транзисторе с затвором в виде барьера Шоттки. Электронная техника, серия 2. Полупроводниковые приборы. Москва, 6 (179), 35-42 (1985).

12-12. Ф.К. Вайтекунас, Ю.Б. Вишняускас, М.Ю. Филатов, Г.Э. Шименас. Управление колебаниями ЛПД при помощи постоянного оптического излучения. Электронная техника. Серия 1, Электроника СВЧ. Москва, 8 (392), 11-19 (1986).

13-13. Ф.К. Вайтекунас, В.И. Жалкаускас, Г.П. Казакявичене. Исследование двумерных математических моделей полевого транзистора с затвором Шоттки. Электронная техника, серия 2. Полупроводниковые приборы. Москва, 1 (180), 815 (1986).

14-14. А. Гальванаускас, Ф. Вайтекунас, А. Кроткус, К. Суткус. Пикосекундное оптоэлектронное переключение при помощи полупроводникового инжекционного лазера. Квантовая электроника. 16 (5), 1057-1060 (1989).

Статьи в других изданиях

15-1. Ф.К. Вайтекунас, Е.С. Бугаец, А.И. Мамаев. Двоичное кодирование как способ формирования спектра импульса. Техника средств связи. Серия радиоизмерительная техника. Москва. 3, 13-19 (1976).

16-2. Ф.К. Вайтекунас, A.M. Власкин, Ч.И. Павасарис. Искажение импульсов в схеме переключателя тока на транзисторах. Техника средств связи. Серия радиоизмерительная техника. Москва. 3 (9), 74—78 (1977).

17-3. Ф.К. Вайтекунас, КВ. Суткус. Температурная зависимость быстродействия туннельных диодов. Техника средств связи. Серия радиоизмерительная техника. Москва, 3, 70-73 (1977).

18-4. Ф.К. Вайтекунас, Ч.И. Павасарис. Формирование импульсов с высокой частотой повторения на переключателе тока. Техника средств связи. Серия радиоизмерительная техника. Москва, 3 (15), 65-69 (1978).

19-5. Ф.К. Вайтекунас, Ч.И. Павасарис. Экспериментальное исследование искажения формы скачкообразного сигнала в транзисторном ключе. Техника средств связи. Серия радиоизмерительная техника. Москва. 3 (15), 70-78 (1978).

20-6. Ф.К. Вайтекунас, Е.С. Бугаец. Повышение быстродействия формирователей М-последовательностей. Радиоэлектроника. Научные труды ВУЗ Лит. ССР, 14, 208-212 (1978).

21-7. Ф.К. Вайтекунас, Ю.Б. Вишняускас, Ч. Мачюлайтис, П. Мишкинис. Индуктивные свойства Ge п-р-переходов при вторичном пробое. Литовский физический сборник. XVIII (2), 219-225 (1978).

22-8. Ф.К. Вайтекунас, Ю.Б. Вишняускас. Генерирование импульсов различной формы TRAPATT диоде. Техника средств связи. Серия радиоизмерительная техника. Москва, 3 (21), 87-90 (1979).

23-9. Е.С. Бугаец, Ф.К. Вайтекунас, JI.JI. Сакалаускас. Формирование ступенчатых многоуровневых псевдослучайных сигналов с равномерным спектром нижних частот. ЦООНТИ „ЭКОС", Техника средств связи. Серия радиоизмерительная техника 3 (28), 1-9, (1980).

24-10. Ф.К. Вайтекунас, А.М. Власкин, Ч.И. Павасарис, С.К. Куршялис. Импульсно-формирующие свойства переключателей тока в субнаносекундном диапазоне. Техника средств связи. Серия радиоизмерительная техника. Москва, 1 (33), 78-82(1981).

25-11. Ф.К. Вайтекунас, Ю.Б. Вишняускас, Ш.Л. Камальдинов, М.Ю. Филатов, Г.Э. Шименас. Анализ внешней цепи генератора импульсов на ТРАПАТТ-диоде. Техника средств связи. Серия радиоизмерительная техника. Москва, 3 (35), 11-17(1981).

26-12. F. Vaitiekunas, J. Vysniauskas. Différences of plasma formation and extraction in p+nn+ and n+pp+ silicon TRAPATT structures. Electronics Letters. V. 17 (21), 822-824 (1981).

27-13. Ф. Вайтекунас, Г. Дземида, Ю. Вишняускас, Г. Валинчюс, Д. Юзефович, В. Курченко, О. Кузякин, Н. Филатов. Решение задач оптимального проектирования и выбора значений параметров модели с использованием пакета прикладных МИНИМУМ. Теория оптимальных решений. (Изд. ИМК АН Лит. ССР, Вильнюс, 1984) 10, 77-97.

28-14. Ф.К. Вайтекунас. Быстропротекающие импульсные процессы в полупроводниковых структурах. Литовский физический сборник. 2, 239-240 (1986).

29-15. Ф.К. Вайтекунас, С.К. Куршялис, Г.Ф. Вайтекунас. Теоретическое исследование модуляции гетеролазеров синхронными импульсами тока и света. ЦНИИ „Электроника". Электронная техника, серия Лазерная техника и оптоэлектроника. 1,46-50 (1987).

30-16. Ф. Вайтекунас, Г. Бараускас, О. Василец, Ю. Вишняускас, М. Мейлунас. Численное моделирование работы полупроводниковых диодных структур. Алгоритмы и программы. (Фонд алгоритмов Вычислительного центра ВГУ, объем 0,45 печ. листа. Вильнюс, 1987), 5, 9.

31-17. Ф. Вайтекунас, Ю. Вишняускас, Г. Шименас, А. Ваглис. Влияние инфракрасного излучения на параметры импульсов ТРАРАТТ генератора. Литовский физический сборник. 28 (1), 121-122 (1988).

32-18. Ф. Вайтекунас, С. Куршялис. Импедансы лазеров на двойной гетер о структуре в СВЧ диапазоне. Литовский физический сборник. 28 (I), 95-96 (1988).

33-19. Ф. Вайтекунас, С. Куршялис, С. Стасявичюс. Субгармонический резонанс в инжекционных лазерах. Литовский физический сборник. 30 (6), 732741 (1990).

34-20. Ф. Вайтекунас, Г. Казакявичене, В. Жалкаускас. Ганновский домен в полевом транзисторе с затвором ПГоттки. Литовский физический сборник. 2, 238242 (1991).

35-21. Ф. Вайтекунас, М.В. Зверков, В.П. Коняев, С.К. Куршялис, В.Д. Курносов. Импедансы инжекционных лазеров в СВЧ диапазоне. Литовский физический сборник. 31 (4), 393^104 (1991).

36-22. Ф. Вайтекунас, С. Куршялис. Согласование инжекционного лазера с СВЧ линией передачи. Литовский физический сборник. 31 (6), 441-452 (1991).

37-23. Ф. Вайтекунас, В. Жалкаускас, Г. Казакявичене. Динамика электронов в канале полевого транзистора с затвором Шоттки при его переключении перепадом напряжения или тока. Литовский физический сборник. 32 (4), 578-588 (1992).

Авторские свидетельства на изобретения

38-1. А. с. СССР № 543957. Функциональный генератор / Ф. К. Вайтекунас, Ч. И. Павасарис. - „Бюллетень изобретений". - 1977, № 3.

39-2. А. с. СССР № 664288. Формирователь прямоугольных импульсов / Ф. К. Вайтекунас, Ч. И. Павасарис. - „Бюллетень изобретений". - 1979, № 19.

40-3. А. с. СССР № 790200. Двухсторонний ограничитель импульсов / Ф. К. Вайтекунас, Ч. И. Павасарис. - „Бюллетень изобретений". - 1980, № 47.

41-4. А. с. СССР № 815857. Генератор электрических колебаний / Ф. К. Вайтекунас, Ю. Б. Вишняускас. - „Бюллетень изобретений". - 1980, № 11.

42-5. А. с. СССР № 842643. Устройство для измерения граничной частоты транзисторов / Ф. К. Вайтекунас, Ч. И. Павасарис. - „Бюллетень изобретений". -1981, №24.

43-6. А. с. СССР № 843156. Генератор электрических колебаний / Ф. К. Вайтекунас, Ю. Б. Вишняускас. - „Бюллетень изобретений". - 1981, № 24.

44-7. А. с. СССР № 880197. Биполярный транзистор / Ф. К. Вайтекунас, Ч. И. Павасарис.- 1980.

45-8. А. с. СССР № 907786. Устройство для одностороннего ограничения сигналов/ Ф. К. Вайтекунас, Ч. И. Павасарис.-„Бюллетень изобрет.".- 1982, № 7.

46-9.А. с. СССР № 972974. Полупроводниковый прибор со сверхрешеткой / Ф. К. Вайтекунас, К. В. Суткус.- 1982.

47-10.А. с. СССР № 1017129. ТЯАРАТТ диод / Ф. К. Вайтекунас, Ю. Б. Вишняускас.- 1983.

48-11.А. с. СССР № 1083329. Генератор электрических колебаний / Ф. К. Вайтекунас, Ю. Б. Вишняускас. - „Бюллетень изобретений". - 1984, № 12.

49-12.А. с. СССР № 1099794. Полупроводниковый прибор для инфракрасного излучения / Ф. К. Вайтекунас, К. В. Суткус, В. И. Жалкаускас.- 1984.

50-13.А. с. СССР № 1123480. Биполярный транзистор / Ф. К. Вайтекунас, Ч. И. Павасарис.- 1984.

51-14.А. с. СССР № 1140654. Полупроводниковое СВЧ оптоэлектронное устройство / Ф. К. Вайтекунас, Ю. Б. Вишняускас, М. Ю. Филатов, В. А. Фомичев. Г. Т. Пак, Е. А. Белановский.- 1984.

52-15А. с. СССР № 1141965. Способ формирования импульсного оптического сигнала и устройство для его осуществления / Ф. К. Вайтекунас, С. К. Куршялис.-1984.

53-16.А. с. СССР № 1336903. Способ возбуждения электрических колебаний в TRAPATT генераторе с использованием лазера и устройство для его осуществления / Ф. К. Вайтекунас, Ю. Б. Вишняускас, Г. Э. Шименас.- 1987.

54-17.А. с. СССР № 1367701. Устройство для измерения постоянной времени накопления неосновных носителей заряда в транзисторе / Ф. К. Вайтекунас, Ч. И. Павасарис.- 1986.

55-18.А. с. СССР № 1450067. Способ возбуждения генератора на TRAPATT-дноде и устройство для его осуществления / Ф. К. Вайтекунас, Ю. Б. Вишняускас, Г. Э. Шименас. - „Бюллетень изобретений". - 1988.

56-19. А. с. СССР № 1558196. Способ формирования амплитудно-модулированного оптического сигнала и устройство для его реализации / Ф. К. Вайтекунас, С. К. Куршялис.- 1989.

57-20.А. с. СССР № 1579393. Инжекционный полупроводниковый лазер / Ф.

К. Вайтекунас, К. В. Суткус.- 1990.

Примечание. Авторские свидетельства с правом доступа к ним хранятся в Центре Патентной технической информации Литовы в г. Вильнюс 01144, ул. Sv. Ignoto 6 // Е. mail.: [e-mail]

Материалы и труды научно-технических конференций

58-1*. Ф.К. Вайтекунас, Е.С. Бугаец. Исследование спектра ограниченного во времени ^^ видеоимпульса. Осциллографические методы измерений (Материалы

Всесоюз. конф., Вильнюс, 1975), 100-103.

59-2*. Ф.К. Вайтекунас, К.В.Суткус, А. Анбиндерис, Я. Шнейдерис. Исследование импульсных свойств туннельных диодов при низких температурах. Радиоизмерительная техника (Материалы Респ. конф. Вильнюс, 1976), 75-79.

60-3*. Ф.К. Вайтекунас, Ю.Б. Вишняускас, Ч.В. Мачюлайтис. Зависимость времени задержки германиевых s-диодов от параметров импульса тока. Вопросы

физики, электроники и технологии твердых тел. (Материалы Респуб. конф. молодых ученых, Вильнюс, 1976) 43^14.

61-4:i:. Ф.К. Вайтекунас, Ю.Б. Вишняускас. Применение ЛПД для генерации импульсов с частотой следования 1-2 ГГц. Генерирование, формирование и применение импульсных сигналов. (Материалы 1 Республ. н.-т. конф., Вильнюс, 1978) 1,114-118.

62-5*. Ф.К. Вайтекунас, A.M. Власкин, A.A. Волгин, И.А. Шмидт. Методы генерирования и формирования импульсных сигналов с высокой частотой следования. Генерирование, формирование и применение импульсных сигналов. (Материалы 1 Республ. н.-т. конф., Вильнюс, 1978) 9-14.

63-6*. Ф.К. Вайтекунас, Ч.И. Павасарис, A.M. Власкин, A.A. Волгин. Особенности работы СВЧ-транзисторов в импульсном режиме. Генерирование, формирование и применение импульсных сигналов. (Материалы 1 Республ. н.-т. конф., Вильнюс, 1978) 85-88.

64-7*. Ф.К. Вайтекунас, Ч.И. Павасарис, В.И. Жалкаускас. Измерение fT СВЧ транзисторов. Генерирование, формирование и применение импульсных сигналов. (Материалы 1 Республ. н.-т. конф., Вильнюс, 1978) 93-96.

65-8*. Ф.К. Вайтекунас, Ч.И. Павасарис. Исследование работы транзистора в импульсном режиме. Осциллографические методы измерений. ЭКОС, Сборник статей (Материалы III Всесоюзн. конф., М., 1979), 441-448.

66-9*. Ф.К. Вайтекунас, Ч.И. Павасарис, С. К. Куршялис, А. Г. Киселев. Исследование импульсных свойств транзисторов Шоттки. Осциллографические методы измерений. (Материалы III Всесоюзн. конф., М., 1979), 448-454.

67-10*. Ф.К. Вайтекунас, К.В. Суткус. Исследование быстродействия периодических структур со сверхрешеткой. Осциллографические методы измерений. (Материалы III Всесоюзн. конф., М., 1979), 454-459.

68-11*. Ф. Вайтекунас, С. Куршялис, В. Латинис. Исследование субгармонического резонанса в лазерах на двойной гетероструктуре. Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах. (Материалы III Всесоюзной конференции, Одесса, 1982), 70-72.

69-12*. Ф. Вайтекунас, В. Жалкаускас, А.Власкин, Г. Казакявичене. Теоретическое исследование переходных процессов в структуре полевого транзистора с затвором Шоттки. Генерирование, формирование и применение импульсных сигналов. (Материалы III отрасл. н.-т. конф., Вильнюс, 1984), 19-21.

70-13*. Ф. Вайтекунас, В. Жалкаускас, Г. Казакявичене. Зависимости малосигнальных параметров полевых транзисторов от режима их работы. Генерирование, формирование и применение импульсных сигналов. (Материалы III отрасл. н.-т. конф., Вильнюс, 1984), 21-23.

71-14*. Ф.К. Вайтекунас, Ч.И. Павасарис, A.M. Власкин. Оптоэлектронный способ уменьшения длительности переходного процесса включения транзисторов. Генерирование, формирование и применение импульсных сигналов. (Материалы

III отрасл. н.-т. конф., Вильнюс, 1984), 23-25.

72-15*. Ф.К. Вайтекунас, Ч.И. Павасарис, Г.П. Казакявичене. Зависимость граничной частоты транзисторной структуры от ее физико-технологических параметров в режиме управления напряжением. Генерирование, формирование и применение импульсных сигналов. (Материалы III отрасл. н.-т. конф., Вильнюс, 1984), 25-28.

73-16*. Ф.К. Вайтекунас, Ю.Б. Вишняускас, В.И. Жалкаускас, Г.П. Казакявичене. Моделирование процессов переноса заряда в полупроводниковых приборах на основе кремния и арсенида галлия. Проб, информ. тех. теорет. электротех. физики и техн. полупровод, приборов. (Материалы 32 междунар. науч. коллоквиума, ГДР, Ильменау, 1987), 261-264.

74-17*. Ф.К. Вайтекунас. Полупроводниковые приборы и структуры для генерации пикосекундных электрических и оптических импульсных колебаний. Генерирование, формирование и применение импульсных сигналов. (Материалы

IV Республ. н.-т. конф. Вильнюс, 1987). 69-78.

75-18*. Ф. Вайтекунас, Ю. Вишняускас, Г. Шименас. Оптическое управление генерацией колебаний на IMPATT и ТРАРАТТ диодах. VIII Микроволновая конференция „МИКОН-88". (Гданск, 1988.1), 278-283.

76-19*. Ф.К. Вайтекунас, Г.П. Казакявичене, В.И. Жалкаускас. Колебания ганновского домена в полевом транзисторе с затвором Шотки. В кн.: VI всесоюзн. совещания по исследованию арсенида галлия (Сборник трудов, 2, Томск, 1987), 93-94.

77-20*. Р.К. Баранаускас, Ф.К. Вайтекунас, С.К. Куршялис. Измерение статических и динамических параметров с применением ЭВМ. Физика полупроводниковых лазеров. (Респ. научн. конф. - Вильнюс, 1989), 166-169.

78-21*. Ф.К. Вайтекунас, С.К. Куршялис. Оценка полосы частот и допуска согласования лазера с СВЧ линией. Физика полупроводниковых лазеров (Респ. научн. конф. - Вильнюс, 1989), 162-165.

79-22*. Г.Э. Шименас, Ф.К. Вайтекунас, В.П. Коняев. Формирователь пикосекундных оптических импульсов на полупроводниковом лазере. Физика полупроводниковых лазеров (Респ. научн. конф. - Вильнюс, 1989), 170-174.

80-23*. Ф.К. Вайтекунас, Д.З. Гарбузов, A.B. Овчинников, К.В. Суткус, И.С. Тарасов. Генерация самоподдерживающихся пульсаций излучения в инжекционных лазерах с квантоворазмерной активной областью. Физика полупроводниковых лазеров (Респ. научн. конф. - Вильнюс, 1989), 175-178.

81-24*. S. Kurseiis, К. Sutkus, G. Simenas, F. Vaitiekönas. Ultrashort Optical Pulse Generators for Communication Lines. Proc. of 2nd Int. Symp. on Recent Advances in Micr. Technology. (ISRAMT'89 Beijing, China, 1989), 21-24.

82-25*. F. Vaitiekönas, G. Kazakeviciene, V. Zalkauskas. Modeling of Carier Transport Processes in Semiconductor Structures. 35 Internationales Wissen schattliches Kolloqium (Technische Hochshule. Ilmenau, DDR. 1990). 5, 22-24.

83-26*. F. Vaitiekönas, G. Kazakeviciene, E. Kazakevicius. Mathematical Modeling of Transient Effects in Field and Bipolar Transistors. 40 Internationales Wissenschaftliches Kolloquium. (Ilmenau, Thüringen, Deutschland, 1995) band 3, 387390.

__V

84-27*. F. Vaitiekönas, G. Kazakeviciene, M. Kazakeviciöte, V. Zalkauskas. Modelling of transient effects in the transistors with permeable gate. XI International Microwave Conference, MIKON-96. (Warsaw, Poland, 1996). Vol. 1,310-312.

85-28*. Vaitiekunas F., Kurselis S. Injection Laser Impedance and Its Matching with the Microwave Signal Source. 43 Internationales Wissenschaftliches Kolloquium. (Ilmenau, Deutschland, 1998) 392-397.

86-29*. F. Vaitiekunas. The physical effects and processes, excitation impuis oscillations in microwaves / 38th Lithuania National conference of physics. (Vilnius, 2009).-P. 130.

87-30*. F. Vaitiekunas. Radiophyisics and Electronics. Genesis, Maturity, Expansion,/38th Lithuania National conference of physics. (Vilnius, 2009). - P. 259.

88-31*. F. Vaitiekunas. Impuls characteristics of electronic structures / 39th Lithuania National conference of physics. (Vilnius, 2011). - P. 127.

89-32*. F. Vaitiekunas. Impuls electronic/39th Lithuania National conference of physics. (Vilnius, 2011). - P. 128.

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

Глава 1

1.1. Bay Z., Grisamore N. T. // IRE Transactions on Electronic Computers. 1956. EC5, Nr. 3. P. 121; 1956. Nr. 4. P. 213.

1.2. Изыскание и разработка методов генерирования ультракоротких импульсов и методика их использования для радиотехнических измерений. Научно-технический отчет ЦНИИ МРТП. Горький, 1956.

1.3. Селезнев П. С. Некоторые итоги работы по исследованию методов генерирования ультракоротких импульсов. Труды ЦНИИ МРТП. Горький, 1957. Вып. 1. С. 3.

1.4. Глебович Г. В., Моругин Л. А. Формирование импульсов наносекундной длительности. М.: Советское радио, 1958. С. 237.

1.5. Моругин Л. А., Глебович Г. В. Наносекундная импульсная техника. М.: Советское радио, 1964. С. 623.

1.6. Cornetet N. H., Josenhans, J. G. Trans. IRE, v. ED-8, 1961, № 6. P. 464.

1.7. Катаев И. Г. Ударные электромагнитные волны. М.: Советское радио, 1963.

1.8. Каже А. В., Латинис В., Вайтекунас Ф. Исследование возможности генерирования импульсов с частотой повторения до 1000 МГц. Отчет по НИР «Зашелка», ВНИИРИП, 1961-1963.

1.9. Сушков А. Д., Вендик И. Б. Электронный генератор наносекундных импульсов. А. с. СССР № 166381, 1962.

1.10. Каже А. В., Латинис В., Вайтекунас Ф. Отчет по НИР «Тропа». ВНИИРИП, 1964.

1.11. Доронкин Е. Ф., Воскресенский В. В. Транзисторные генераторы импульсов. М.: Связь, 1965. С. 238.

1.12. James J. R., Bradley D. J. Transistor frequency response. Graphical presentation of fT. Electron. Technology. 1961. C. 80-82.

1.13. Файзулаев Б. H. Переходные процессы в транзисторных каскадах. М.: Связь, 1968. С. 248.

1.14. Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия, 1973. С. 608.

1.15. Кремниевые планарные транзисторы. Под ред. Федотова Я. М. М.: Советское радио, 1973. С. 335.

1.16. Агаханян Т. М. Основы транзисторной электроники. М.: Энергия, 1974. С. 256.

1.17. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ. Под ред. Хауэса М., Моргана Д. М.: Мир, 1979. С. 444.

1.18.Викулин И. М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1980. С. 296.

1.19. Куракин С. В. Электронные СВЧ приборы. М.: Радио и связь, 1981. С.

271.

1.20. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир. Книга 1, 1984. С.

455.

1.21. Пожела Ю., Юцене В. Физика сверхбыстродействующих транзисторов. Вильнюс, Мокслас, 1985. С. 110.

1.22. Мелешко Е. А. Наносекундная электроника в экспериментальной физике. М.: Энергоатомиздат, 1987. С. 215.

1.23. Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс, Мокслас, 1989. С. 262.

1.24. Тутов H. М., Глебов Б. А., Чарыков Н. А. Полупроводниковые приборы. Под ред. Лабунцова В. А. М.: Энергоатомиздат, 1990. С. 575.

1.25. Schroder D. К. Semikonduktor material and device characterization. Wiley interscience, IEEE PRESS, Arizona State University, USA. 2005. P. 779.

1.26. Мелешко E. А. Быстродействующая импульсная электроника. M.: Физматлит, 2007. С. 317.

1.27. Федотов Я. А., Щука А. А. Альтернативы развития микроэлектроники // Сб. статей: Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. М.: Радио и связь, 1989. Вып. 10. С. 22-40.

1.28. Шарма Б. Л., Пурохит Р. К. Полупроводниковые гетеропереходы. Под ред. Ю. В. Гуляева. М.: Советское радио, 1979. С. 227.

1.29. Носов Ю. Р. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме. М.: Наука, 1968. С. 263.

1.30. Баум А. К. (отв. редактор), Билинский И. Я., Зазнова H. Е., Эрглис У. Ю. Туннельные диоды в вычислительной технике. Рига, Зинатне, 1969. С. 396.

1.31. Левинштейн M. Е., Пожела Ю. К., Шур М. С. Эффект Ганна. Под ред. Рывкина. М.: Советское радио, 1975. С. 287.

1.32. Shockley W. Electrons and Holes in semiconductors . D. Van Norstrand. Princeton, N. J., 1950.

1.33. Шокли В. Теория электронных полупроводников. Перевод с английского. М.: Иностр. литература, 1953.

1.34. Moll J. L. Proc. I. R. E. Vol. 42, Nr. 12,1954. P. 1773-1783.

1.35. Агаханян T. M. Электронные ключи и нелинейные импульсные усилители. М.: Советсвое радио, 1965.

1.36. Beafoy R., Sparkes J. J. The junction transistor as a charge controlled device. A. T. E. Journal, 1957, Oct. V. 13.

1.37. Абдюханов М. А., Берестовский Г. Н., Кузьмин В. А. О расчете процессов в полупроводниковых триодах методом заряда // Радиотехника и электроника. 1960. № 3. С. 450^59.

1.38. Швейкин В. И. Импульсный метод определений параметров дрейфовых триодов // Радиотехника и электроника. 1961. Т. 4. № 6.

1.39. Недолужко И. Т., Качанов И. JI. Расчет переходных процессов в полупроводниковых триодах методом заряда. В кН. Полупроводниковые приборы и их применение. М.: Советское радио. 1965. Вып. 13.

1.40. Yamada Y., Shimojoh N. More Accurate 2D-Particle Simulation of Switching Operations in Submicron GaAs MESFET's Using an Ensemble Monte Carlo Technique // Procedings of the Sixth International NASECODE Conference. Dublin, 1989. P. 278-283.

1.41. Fedirko V. A., Boltar К. O., Lappushkin I. Yu. Linear Cascade Circuit analysis with Monte Carlo Simulation of Integrated// Procedings of the Sixth International NASECODE Conference. Dublin, 1989. P. 209-213.

1.42. Weinzierl S., Krusius J. P. Investigation of Lateral Effects on Electron Launching in Graded AlGaAs-GaAs Heterostructure Devices Using Two-Dimensional Self-Consistent Monte Carlo Method // Procedings of the Sixth International NASECODE Conference. Dublin, 1989. P. 434-440.

1.43. Brennan K. F. Numerical Modeling of Nonlinear Effects in Two and Three Terminal Semiconductor Devices: Applications to APDs and NEMTs // Procedings of the Sixth International NASECODE Conference. Dublin, 1989. P. 184-195.

1.44. Hughes D., Abram R. A., Kelsall R. W. In Investigation of Graded and Uniform Base GexSii_x HBT's Using a Monte Carlo Simulation // IEEE Transactions on Electron Devices. 1995. Vol. 42, Nr. 2. P. 201-207

1.45. Ghosh В., Wang X., Register L., Banerjec S. K., et al. Monte Carlo Stude of Germanium n- and p MOSFET's // IEEE Transactions on Electron Devices. 2005. Vol. 52, Nr. 4. P. 547-553.

1.46. Поляков И. В. Экспериментальное исследование формирования крутых перепадов напряжения в линиях передачи с туннельными диодами // Радиотехника и электроника. 1971. Т. 16. С. 340-347.

1.47. Каммингс А. Д. Импульсный генератор на туннельном диоде для работы при температуре жидкого гелия // Обзор экспериментальных приборов // 1965. Т. 35, № 10. С. 1503-1504.

1.48. Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors // IBM J. Res. Dev. 1970. Vol. 14. P. 61.

1.49. Dohler G. H. A new mechanism for negative differential conductivity in superlattices // Phys St. Sol. 1972. Vol. B52. P. 79.

1.50. Романов Ю. А. Периодические полупроводниковые структуры из сверхтонких слоев // ФТП, 1975. Т. 5. С. 1434.

1.51. Дюк К. Б. Теория туннельного перехода в системе металл-барьер-металл. Туннельные явления в твердых телах. Под ред. Бурштейна Э., Лундквиста С. М.: Мир. 1973.

1.52. Шик А. Я. Сверхрешетки - периодические полупроводниковые структуры // ФТП. 1974. Т. 8. С. 1841.

1.53. Эсаки Л. Путешествие в страну туннелирования. Успехи физических наук. 1975. Т. 116, вып. 4.

1.54. Богомолов В. Н., Задорожный А. И., Павлова Т. М. и др. N- и S-образные вольтамперные характеристики кластерной сверхрешетки теллура в цеолите типа X // Письма в ЖЭТФ. 1980. Т. 31, № 7. С. 406-409.

1.55. Богомолов В. Н., Задорожный А. И., Павлова Т. М. Периодичность всплесков тока на вольтамперной характеристике кластерного кристалла на основе теллура// ФТП. 1981. Т. 15, № 10. С. 2029-2031.

1.56. Аронов В. Л., Федотов Я. А. Испытание и исследование полупроводниковых приборов. М.: Высш. Школа, 1975. С. 325.

1.57.Hyde F. J., Price Т. Е. Measurement of the high-frequency base resistance and collector capacitance of drift transistor // J. Of Electron, and Control. 1959. Vol. 6, Nr. 4. P. 347-355.

1.58. Берд, Джулити, Ли, Филипс. Сверхбыстродействующие интегральные логические схемы на токовых переключателях// Электроника. 1968. Nr. 21. С. 2432.

1.59. U. S. Pat. Off. 3502911 (USA). Circuitfor converting sinusoidal signals into symmetrical square wave signals // H. R. Lehman. Pat., 1970.

1.60. Kohn E. GaAs Me SFET for digital application// Solid State Electronics. 1977. Vol. 20, Nr. 1. C. 29-33.

1.61. Валиев К. А., Кравченко Л. И., Орликовский Ф. Ф. и др. Интегральные схемы на полевых транзисторах с затвором Шоттки в арсениде галлия // Микроэлектроника. 1976. Т. 5, в. 5. С. 387-392.

1.62. Evans W. J. Circuits for hige-efficiency avalanche-diode oscillators // IEEE Trans. MTT. 1969. Vol. 17, Nr. 12. P. 1060-1067.

1.63. Алферов Ж. И., Казаринов Р. Ф. А. с. № 181737, 1963. Б. И., 1975, № 14.

1.64. Кремер Г. Предполагаемый класс гетеропереходных инжекционных ОКГ//ТИИЭР, 1963. Т. 51, № 12. С. 1754.

1.65. Алферов Ж. И., Андреев В. М., Корольков В. И. и др. // Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе n-AlxGai_x As-p-GaAs. // ФТП, 1968. 2, № 10. С. 1545.

1.66. Носов Ю. Р. Оптоэлектроника. М.: Советское радио, 1977. С. 231.

1.67. Карих Е. Д. Исследование полной проводимости гетеролазеров с полосковым контактом при обратном смещении // Изв. Вузов MB и ССО СССР. Физика. 1983. № 11. С. 52-56.

1.68. Грунда И.И., Мереуце А. 3., Пузин И. Б. и др. Излучательные и электрические характеристики одномодовых кванторазмерных AlGaAs лазеров, полученных методом НЖЭ // Письма в ЖТФ. 1990. 16, № 15. С. 60-64.

1.69. Offsey S. D., Schaff W. J., Tasker P. J., at al. Optical and microwave performance of GaAs-AlGaAs and strained layer InGaAs-GaAs-AlGaAs graded inde[ separate confinement heterostructure single Quantum well lasers // IEEE Photon. Technol. Lett. 1990. 2, Nr. 1. P. 9-11.

1.70. Елисеев П. Г. Введение в физику инжекционных лазеров. М.: Наука. 1983.

1.71. Olsansky R., Hill P., Lanzisera V., Povazinik W. Universal relationship between resonant frequency and damping rate of 1,3 |nm InGaAsP semiconductor lasers // Applied Physics Letters. 1987. 50, Nr. 11. P. 653-655.

1.72. Su С. В., Lanzisera V., Olsansky R., at al. 15 GHz direct modulation bandwidth of vapour-phase regrown 1.3 jum InGaAsP buried-heterostructure lasers under cw operation at room temperature // Electron. Lett. 1985. 21, Nr. 13. P. 577-579.

1.73. Tucker R. S., pope D. J. Circuit modeling of the effect of diffusion in damping in a narrow-stripe semiconductor laser // IEEE J. Quantum Electron. 1983. QE-19, Nr. 7. P. 1179-1183.

1.74. Фано P. M. Теоретические ограничения полосы согласования произвольных импедансов. Перевод с англ. М.: Сов. радио. 1985.

1.75. Ермакович М. М., Залогин Н. Ф., Маковская Т. В., Субель Е. Ф. Анализ сверхширокополосных цепей согласования // Техника средств связи. 1985. № 3. С. 36^11.

1.76. Scrifes D. R., Streifer W., Durnham R. D. High-speed laser modulation with integrated-optic injection // 3-rd Int. Conf. Integrated Opt. And Optical Fiber Communicatins. San-Francisco. 1981. P. 18-20.

1.77. Dyment J. C., Chik K. D. Supression of semiconductor laser pulsations using optical feetback from a fibear // J. Appl. Phys. 1980. 51, Nr. 10. P. 5252-5256.

1.78. Van de Capele J. P., Baets R., Lagasse P. E. Multilogitudinal-mode model for cleaved coupled-cavity lasers // IEE Proc. Optoelectronics. 1986. J. 134, Nr. 1. P. 5564.

1.79. Но P. Т., Glasser L. A., Ippen E. P., Haus H. A. Picosecond pulse generation with a CW GaAlAs laser diode // Applied Physics Letters. 1978. Vol. 33, Nr. 3. P. 241242.

1.80. Бессонов Ю. JI., Богатов А. П., Васильев П.П., и др. Генерация пикосекундных импульсов в инжекционном лазере с внешним селективным элементом //Квантовая электроника. 1982. Т. 9. С. 2323-2326.

1.81. Ippen E. P., Elinberger D. J., Dixon R. W. Picosecond pulse generation by passive mode locking of diode lasers // Appl. Physics Letters. 1980. Vol. 37, Nr. 3. P. 267-269.

1.82. Haus A. H. Mode locked semiconductor diode lasers // Ultrashort laser pulses discuss. 1980. Vol. AZ98, Nr. 1439. P. 257-266.

1.83. Kuwahara H., Sasaki M., Tokoyo N. Efficient coupling from semiconductor lasers into single-mode fibers with tapered hemispherical ends // Applied Optics. 1980. Vol. 19, Nr. 15. P. 2578-2583.

1.84. Tusker R. S., Korotky S. K., Eisenstein G., at al. 20 GHz active mod locking of a 1,55 m InGaAs P laser // Electronics Letters. 1985. Vol. 21, Nr. 6. P. 239-240.

1.85. Salathe R. P. Diode lasers coupled to external resonators // Applied Physics. 1979. Vol.20. Nr. l.P. 1-18.

1.86. Vasilev. P. P., Morozov V. N., Popov Y. M., Sergeev A. G. Subpicosecond pulse generation by a tandem-type AlGaAs DH laser with colliding pulse mode locking // IEEE J. Of Quantum Electronics. 1986. Vol. 22, Nr. 1. P. 149-152.

1.87. Arakawa Y., Yariv. A. Enhanced modulation performance and reducd Quantum noise in Quantum well lasers // Conf. Lasers and Electro-Opt., Baltimore, Md. 1985. Dig. Techn. Pap., Washington, D. C. 1985. P. 90-92.

1.88. Uomi K., Mishima Т., Chinone N. Ultrahigh relaxation oscillation frequensy (up to 30 GHz) of highly p-doped GaAs/GaAlAs multiple Quantum well lasers // Appl. Physics Letters. 1987. Vol. 51, Nr. 2, P. 78-80.

1.89. Arakawa Y., Sogawa Т., Niskioka M., at al. Picosecond pulse generation (1,8 ps) in a Quantum well laser by a gain switching method // Appl. Physics Letters. 1987. Vol. 51, Nr. 17. P. 1295-1297.

1.90. Гергель B.A., Гуляев Ю.В., Зеленый А.П., Якупов М.Н. Сверхскоростной электронный дрейф в полевых полупроводниковых структурах с секционированным каналом // ФТП, 2004, том 38, вып. 2. С. 237.

1.91. Brennan К. Theory of modern electronic semiconductor devices//2002. P. 450 // http://www.lavoisier.fr/livre/notice.asp7ouvrage

1.92. Bart V Van Zeghbroeck. Principles of Semiconductor Devices and Heterojunctions. 2009. P. 450 //http://www.amazon.com/Principles-Semiconductor-Devices-Heterojunctions-Zeghbroeck/dp/0130409049

1.93. Van.Zeghbroeck B. Principles of Semiconductor Devices. 2011// http://ecee.colorado.edu/~bart/book/welcome.htm

1.94. Yanqing Wu, Yu-ming Lin, Ageeth A. Bol, Keith A. Jenkins, Fengnian Xia, Damon B. Farmer, Yu Zhu. High-frequency, scaled graphene transistors on diamondlike carbon. Japanese Table of Contents. Volume 472 Number 7341. 2012. P. 5 -30//http:// www.torna.do/High-frequency-scaled-graphene-transistors-on-diamond-like-carbon

1.95. Jyotsna Chauhan, Jing Guo. Assessment of High-Frequency Performance Limits of Graphene Field-Effect Transistors. University of Florida, Gainesville. 2011// http://arxiv.Org/ftp/arxiv/papers/l 102/1102.1457.pdf

1.96. Новости компании Intel. 2013. С. 8 //http://www.compress.ru

1.97. Bipolar RF Transistors With 25-GHz Transition Frequency Provide Exceptional Dynamic Performance in Low- and Medium-Current Applications // Vishay Semiconductor GmbH. 2002. // http://www.ferret.com.au/c/Braemac/Bipolar-RF-transistors-with-25GHz-transition-frequency-n684584

1.98. Peter Frey. Bipolar RF Transistors With 25-GHz Transition Frequency Provide Exceptional Dynamic Performance in Low- and Medium-Current Applications. Vishay Semiconductor GmbH. UK //E-mail: [e-mail]// 2012. P. 2.

1.99. Yuriy A. Romanov, Lev G. Mourokh, Norman J. M. Horing. Negative high-frequency differential conductivity in semiconductor superlattices. 2008. P. 5//http://www.publication/1837907//Negative high-frequency differential conductivity in semiconductor superlattices

1.100. Anatoly Ignatov. Excitation of relaxation oscillations in a semiconductor superlattice by incident waves: efficient terahertz harmonics generation. Nizhny Novgorod, Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences. 2010://http://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/1012/1012.2723.pdf

1.101. Michael Barbier. Transport properties of nanostructures and superlattices on single-layer and bilayer graphene. Proefschrift voorgelegd tot het behalen van de graad van doctor University of Antverpen. Promotor F. M. Peeters. 2012// http://www.cmt.ua.ac. be /ua/MichaelBarbier.pdf

1.102. J. Arbey Rodr'iguez. Structural and electronic properties of RuN/GaN superlattices. 2012. P. 41-45//http://www.scielo.org.mx/pdf/rmf/v58nl/v58nla6.pdf

1.103. Sang Joon Lee, Duck Hwan Oh, Kyung Hae Kim, Chang Seok Han. Light Emitting Diode Having Barrier Layer Of Superlattice Structure - Patent 8093583. Seoul Opto Device Co., Ltd. 2012 //http://www.google.com/patents/US20100059735

1.104. Philip Scrutton, Marc Sorel, David C. Hutchings, J. Stewart Aitchison, and A. S. Helmy. Characterizing Bandgap Gratings in GaAs : AlAs Superlattice Structures Using Interface Phonons. IEEE Photonics Technology Letters, V. 19, No. 9. 2007. P. 677//http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=http

1.105. Benjamin Ingo Stahl. Microwave-pumped semiconductor-superlattice parametric oscillator: a new subterahertz and terahertz radiation source. Dissertation, University of Regensburg. 2008. P. 81//http://epub.uni-regensburg.de/10777/l/BIStahl Diss.pdf

1.106. Исследование импульсных свойств новых элементов оптической и сверхвысокочастотной электроники для формирования импульсных сигналов с высокой частотой повторения/ Руководитель Вайтекунас Ф. // Вильнюс, гос. унт, 1982. С. 210. RUNIOKR.INFO - каталог научно-исслед. работ// http://www. runiokr. Info/issledovanie-impulsnyh-svoystv-novyh-elementov-opticheskoy-i-sverhv-chastotnoy-elektroniki-dlya-formirovaniya-impulsnyh-signalov-s-vysokoy-chastotoy.html

1.107. Исследование импульсных свойств ОЭП и полупроводниковых структур для формирования импульсных сигналов с высокой частотой повторения/ Руководитель Вайтекунас Ф. // Вильнюс, гос. ун-т, 1982. С. 173. RUNIOKR.INFO - каталог научно-исследовательских работ// http://www. runiokr.info/issledovanie-impulsnyh-svoystv-oep-i-poluprovodnikovyh struktur-dlya-formirovaniya-impulsnyh-signalov-s-vysokoy-chastotoy-povtoreniya.html

1.108. Исследование импульсно-частотных свойств оптоэлектронных элементов для формирования импульсных оптических и электрических сигналов с высокой частотой повторения/ Руководитель Вайтекунас Ф. // Вильнюс, гос. ун-т, 1984. С. 151. ШЖЮКк.ЮТО - каталог научно-исследовательских работ//Ьйр://\¥\¥\у.гипюкг. info/issledovanie-impulsno-chastotnyh-svoystv-ор1ое1ек1гоппуЬ-е1етеп1оу-61уа-&пшгоуап1уа-1шри15пуЬ-ор11с11е5к111-1-elektricheskih-signalov-s-vysokoy-chastotoy.html

1.109. Разработка макета ГЛПД с оптической модуляцией/ Руководитель Вайтекунас Ф. // Вильнюс, гос. ун-т, 1984. С. 108. КиМОКЯ.ШРО - каталог научно-исследовательских работ//1Ш:р://\у\у\¥. гишокглп£о/пюкг/га7гаЬо1ка-таке1а-glpd-s-opticheskoy-modulyatsiey.html

1.110. Исследование методов генерации пикосекундных импульсов на полупроводниковых приборах/ Рук. Вайтекунас Ф. // Вильнюс, гос. ун-т, 1985. С. 62. ЯиШОКК.ШРО - каталог научно-исследовательских работ//Ы1:р://\у\у\у. ruшokr.info/issledovanie-metodov-generatsii-pikosekundnyh -нприЬоу

1.111. Исследование влияния оптического воздействия на СВЧ-параметры ЛКД (лавинно-ключевого диода) / Руководитель Вайтекунас Ф. // Вильнюс, гос. ун-т, 1985. С. 84. ЯиМОКИ.ШРО - каталог научно-исследовательских работ// http://www.шmokrлnfo/issledovanie-vliyaniya-opHcheskogo-vozdeystviya-na-svch-parametry-Ikd-laviIШO-klyuchevogo-dioda.html

1.112. Исследование предельных возможностей нелинейных импульсных устройств на кристаллах СВЧ-транзисторов/ Руководитель Вайтекунас Ф. // Вильнюс, гос. ун-т, 1985. С. 209. ИиМОКЯ.ШРО - каталог научно-исследовательских работ //http://www.runiokr.info/niokr/issledovanie-predelnyh-vozmozhnostey-neИneynyh-iшpulsnyh-ustroystv-na-kristallah-svch

1.113. Исследование импульсно-частотных свойств полупроводниковых приборов для формирования электрических и оптических пикосекундных импульсов/ Руководитель Вайтекунас Ф. // Вильнюс, гос. ун-т, 1987. С. 167. RUNIOKR.INFO - каталог научно-исследовательских pa6oT//http://www. raniokr.info/issledovanie-metodov-generatsii-pikosekundnyh-impulsov-na-poluprovodnikovyh-priborah.html

1.114. Исследование частотных свойств полупроводниковых структур и разработка конструкции СВЧ-цепей корпуса передающего и приемного модулей световодных систем передачи аналоговых сигналов/ Руководитель Вайтекунас Ф. // Вильнюс, гос. ун-т, 1988. С. 379. RUNIOKR.INFO - каталог научно-исследовательских pa6oT//http://www.runiokr.info/issledovanie-chastotnyh-svoystv-poluprovodnikovyh-struktur-i-razrabotka-konstruktsii-svch-tsepey-korpusa-peredayuschego-i-priemnogo-moduley-svetovodnyh.html

1.115. Исследование импульсных процессов в полупроводниковых структурах для генерации пикосекундных оптических и электрических импульсов со сверхвысокой частотой повторения/ Руководитель Вайтекунас Ф. // Вильнюс, гос. ун-т, 1989. С. 296. RUNIOKR.INFO - каталог научно-исследовательских работ //http://www.runiokr.info/issledovanie-impulsnyh-protsessov-v-poluprovodnikovyh-strukturah-dlya-generatsii-pikosekundnyh-opticheskih-i-elektricheskih-impulsov-so-sverhvysokoy-chastotoy.html

1.116. Specifications Pulse Generators. Agilent Technologies Company //http://www. home, agilent.com //pulse-generator-products//2013. P. 22.

1.117. Pulse Generators Specifications. Company Picosecond Pulse Labs- PSPL// http://www.picosecond.eom/product//2013. P. 10.

1.118. Г5-78 -генератор импyльcoв//http://www.elizpribor.ru/ products/7/2013.

1.119. Г5-85 -генератор импyльcoв//http://www.elizpribor.ru/products/ // 2013.

1.120. Г5-69 -генератор импyльcoв//http://www.profkip-гus.ru/geneгatori-impulsov.

1.121. Генераторы сигналов специальной формы TABOR ELECTRONICS Ltd. // http: //www.taborelec.com/page.asp?page_name=about_employment&over//2013.

1.122. High Frequency Radiofrequency Puise Generator. University of St Andrews

//www.universitytechnology.com/opportunity/150/high-frequency radiofrequency -ulse-generator//2006. P. 2.

1.123. 86100 DCA Wideband Sampling Oscilloscopes// http://www. home. gilent.com/en/ /86100-dca-wideband-sampling-oscilloscop

1.124. Пивак A.B. Генераторы испытательных импульсов компании 'icosecond Puise Labs. Подробные технические характеристики прибора, компания „ПРИНЦИП", ЗАО «ПриСТ», 2013. С. 4. // http://it-sk.ru/about/

1.125. Губанов В. П., Климов А. И., Ковальчук О. Б., Конев В. Ю., Ростов В. В. Наносекундный генератор Ганна трехсантиметрового диапазона// Приборы и техника эксперимента. 2010. - N 5. - С. 95-98.

1.126. Никифоров М.Г., Балдыгин В.А., Лисицын В.П. Разработка и исследование методов и устройств формирования пико- и наносекундных электромагнитных импульсов с большой частотой повторения и мощностью до 100 ГВт // Высоковольтный научно-исследовательский центр - филиал ГУП "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". 2003. С. 17.

1.127. Мошкунов С. И. Разработка, создание и исследование генераторов высоковольтных наносекундных импульсов на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором. Автореферат диссертации доктора наук/У Санкт-Петербург. 2011.С. 233.

1.128. Быстров Р. П., Черепенин В. А. Теоретическое обоснование возможностей применения метода генерации мощных наносекундных импульсов электромагнитного излучения при создании радиолокационных систем электронной борьбы для поражения объектов//ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН//

Журнал радиоэлектроники. N4. 2010. С. 10.

1.129. Галдецкий А. В. О генерации сверхкоротких видеоимпульсов сгруппированным электронным пучком // "СВЧ-техника и телеком, технологии", международ. Крым, микроволновая конф., КрыМиКо'. Материалы конф. 2 т. 2007. — С. 137-138. http://sevntn.com.ua/cgi-bin/irbis64r

1.130. Галдецкий А. В., Королев А. Н., Мамонтов А. В., Морозов О. А., Симонов К. Г. Устройство для генерирования электрических импульсов напряжения //Патентообладатель: ФГУП "Науч. -производ. пред. "Исток" // 2010.

1.131. Орлов А. В. Импульсные измерительные генераторы с автокоррекцией мощности. Диссертация кандидата наук. Стерлитамак, 2010. С. 165//http://www. disser.com/content/impulsnye-izmeritelnye-generatory-s-avtokorrektsiei-moshchnosti

1.132. Жерлицын А. Г., Бутаков JI. Д., Косицын В. С., Толмачев В. И., Шиян В. П. Импульсный сверхвысокочастотный генератор // Приборы и техника эксперимента. 2012. № 3. С. 97-99.

1.133. Файкин В.В., Кабисов Р.К., Бецкий О.В. Наносекундные СВЧ- и КВЧ-импульсы с большой пиковой мощностью: экспериментальное исследование и перспективы использования в онкологии // Биомедицинские технологии и радиоэлектроника. 2003. - № 8. - С.69-76.

1.134. Ульрих Шумахер. Полупроводниковая электроника/ Издат.: www.infineon. Сот.Мюнхен, 2004// http://knigi.blll.org/apparatura/7book =Mj QOMTAwMQ

1.135. Рогова А. История развития вычислительной техники: Гомель // http://works.tarefer.rU//2003. С. 20.

1.136. Тактовая частота. М. : MediaMarkt// http://market.mediamarkt.ru // 2013.

1.137. Трутнева Л.И., Севодина Г.И. Прикладная информатика в экономике. Бийск: Изд. Алтайского гос. техн. уни-та. им. И. И. Ползунова // http://rudocs.exdat.com/docs/index-36671 .html // 2008. С. 211.

1.138. Квятковский А. Процессоры для ноутбуков//ТехноПортал/Л1ир:// technoportal. ua/articles/encyclopaedia/7949.html//2013. С. 6.

1.139. Серик А. Частота процессора: тактовая максимальная// http://fb.ru// article/32033/chastota-protsessora-taktovaya-maksimalnaya// 2012. С.2.

1.140. Makinen S., McLachlan В., Hardman P., Schradin A., Solotko S. AMD FX разогнан до 8,429 ГГц — новый мировой рекорд частоты процессора. Новости индустрии Hi-Tech. Источник: AMD // http://www.ixbt.com/news/hard/ index.s html//2011. С. 5.

1.141. Влияние частоты процессора и количества его ядер на скорость работы антивирусных средств//http://habrahabr.ru/post/138525//2012. С. 1.

1.142. Карабуто A. Intel Pentium 4 3,00 ГГц и чипсет 875Р (Canterwood) для двухканальной памяти DDR400//http://www.ferra.ru/ru/system/s25198// 30.04.2003. С. 27.

1.143. Частота процессора (многоядерность)//Ъир:/Луе it.net/ index.php/ zhelezo/ protsessory// 2013. С. 4.

1.144. Intel двухъядерный процессор Atom 'Clovertrail+' //http://phones.hot-price. ru/article-Intel-anonsiruet-dvuhjadernyj-processor-Atom-Clovertrailplus.html//2013. C. 3 .

1.145. Шехурин С. TSMC показала чипсет на Cortex-A9 с частотой 3,1 ГГц // http://www.mobiledevice.ru/cortex-a9-3-l-ggc-tsmc-chipset // 2012. С. 2.

1.146. Шаталин И. Qualcomm и NVIDIA анонсировали новые чипсеты. "TelecomDaily'7/http://www.tdaily.ru/news/top-novosti //2013. С. 2 .

1.147. Царев М.В. Генерация и регистрация терагерцового излучения ультрокороткими лазерными импульсами. Н.-Новгород. : Нижегородский госуниверситет. 2011. С. 75. http://www.unn.ru/books/met files/terahertz.pdf

1.148. Кукушкин В. А. Разработка методов усиления, генерации и управления инфракрасным и терагерцовым излучением на основе нелинейных и резонансных

эффектов в полупроводниках и полупроводниковых гетер о структурах. Автореферат диссертации доктора физико-математических наук. Нижний Новгород, 2011. С. 38.: http://www.referun.com/n/razrabotka-metodov-usileniya-generatsii-i-upravleniya-infrakrasnym-i-teragertsovym-izlucheniem-na-osnove-nelineynyh-i-rez

1.149. Климов К. И. Технология изготовления и исследование одночастотных полупроводниковых лазеров с волоконно-брэгговской решеткой. Автореферат кандидатской диссертации. Москва. 2005. С. 20//http: //tekhnosfera.com/tehnologiya-izgotovleniya-i-issledovanie-odnochastotnyh-poluprovodnikovyh-lazerov-s-volokonno-breggovskoy-reshetkoy

1.150. Бахтин М.А., Козлов С.А. Управление параметрами терагерцовой последовательности световых импульсов . Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики. Научно-технический вестник, выпуск 34. Санкт-Петербург. 2006. С. 22. http://archive.c-tt.ru/content

/

1.151. Дураев В.П., Васильев С.А., Медведков О.И., Неделин Е.Т. Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры с волоконно-брегговской решеткой. 2011. С.6 .// http://www.dls.gpi.ru/ eng/sem/7/ 4Duraev.pdf//

1.152. Дураев В. П., Медведев С. В. Перестраиваемые полупроводниковые лазеры для передачи информации. Москва, ЗАО «Новая лазерная технология». Обозрение прикладной и промышленной математики. Т. 19, Вып. 4. 2012. С.2. http://www. tvp.ru /conferen/vsppml3/orgl220.pdf

1.153. Sang Joon Lee, Duck Hwan Oh, Kyung Hae Kim, Chang Seok Han. Light Emitting Diode Having Barrier Layer Of Superlattice Structure - Patent 8093583. Seoul Opto Device Co., Ltd. 2012 // http://www.google.com/patents/US20100059735

1.154. Волоконные брэгговские pem-kh//www.teralink.ru//do=stech2//2001.C. 3.

1.155. Andre Girard. Технология и тестирование систем WDM. Брэгговские решетки. Перевод Телеком Транспорт, 2001// http://www.teralink.ru// do=stech 1 &id=571.

156. Волновые мультиплексоры. Системы WDM/DWDM. 2012. С. 32.//http:// archive.c-tt.ru/content/?fl=486&sn=329

1.157. Некучаев А., Юсупалиев У. Комбинированная передача по ВОЛС: //www.nestor.minsk.by/sr/2003/08/30802.html// 2003. С. 9.

1.158. Итоговая конференция «Информационно-телекоммуникационные технологии: положение на сегодняшний день и пути дальнейшего развития». Секция «Технологии обработки, хранения, передачи и защиты информации» (часть 2). 2007//http://www.strf.ru/ science.aspx

1.159. Цыбин M. Пропускная способность оптических волокон. Балтийский государственный технический университет. С-Петербург. 2013. С. 2.// http: //laser-portal.ru/content 833//

1.160. 100-гигабитный Ethernet//http://ru.wikipedia.org/wiki/l 00-Ethernet// 2013.С. 8.

1.161. 186 гигабит в секунду: новый рекорд скорости передачи данных. CNews.ru: Лента новостей //www.cnews.ru/news/line/print. shtml//2011/12/19/ 469450//С. 2. 15.В.

1.162. Новый рекорд скорости передачи данных: 339 гигабит в секунду //www. xakep.ru /post/59726// 2012. С. 2 .

1.163. 339 гигабит в секунду, или 4 миллиона гигабит в день. "Научная Россия". Murom.ru//2012. C.l//http://ru.wikipedia.org/wiki/100-Ethernet

1.164. Д. Г. Павельев и др. Физика и техника полупроводников// Т. 46, вып. 1.2012. С. 125-129.

Глава 2

2.1. Мелешко Е.А. Быстродействующая импульсная электроника. - М.: Физматлит, 2007. 317 с.

2.2. Спиридонов Н.С. Время пролета носителей и максимальная частота усиления дрейфового транзистора // Изв. ВУЗов СССР, сер. Радиоэлектроника. -1972. - Т. 15, № 1. - С. 22-28.

2.3. Кремниевые планарные транзисторы / В.Г. Колесников, В.И. Никишин, В.Ф. Сыноров и др / Под ред. Я.А. Федотова. - М.: Сов. Радио, 1973, 336 с.

2.4. Kerr J.A., Slatter J.A.G., Vinton D. An fT anomaly // Electron. Lett. - 1973. -V.9, Nr. 15.-P. 338-339.

2.5. Kerr J.A., Berz F. The effect of emitter doping gradient on fT in microwave bipolar transistors // IEEE Trans, on Electron Devices. - 1975. - V. ED-22, Nr. 1. - P. 15-20.

2.6. Beale J.R.A., Slatter J.A.G. The fT of bipolar tranzistors with thin lightly doped bases // Solid-State Electron. - 1976. - V. 19, Nr. 7. - P. 549-556.

2.7. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ / Под ред. М. Хауэса, Д. Моргана / Перевод с англ. - М.: Мир, 1979, 448 с.

2.8. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / Перевод с английского. -М.: Мир, 1984, 455 с.

2.9. Пожела Ю., Юцене В. Физика сверхбыстродействующих транзисторов / Вильнюс: Мокслас, 1985, 110 с.

2.10. Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов: Монография / АН Лит. ССР. Ин-т физики полупроводников / Вильнюс: Мокслас, 1989, 261 с.

2.11. Poon Н.С., Gummel Н.К. High injection in epitaxial transistors // IEEE Trans, on Electron Devices. - 1969. - Vol. ED-16, Nr. 5. - P. 455-457.

2.12. James J.R., Bradley D.J. Transistor frequency response. Graphical presentation of fT // Electron. Technology. - 1961. - P. 80-82.

2.13. Kirk C.T. A theory of transistor Cut-Off frequency (fT) fall-off at hish current denaity // IRE Trans. Electron Devices. - 1962. - Vol. ED-9, Nr. 2. - P. 164174.

2.14. Rey G. Transistor cutoff frequency falloff at high currents // Solid-State Electron. - 1971. - V. 14, Nr. 12. - P. 1333-1336.

2.15. Спиридонов H.C. Зависимость граничной частоты усиления дрейфового транзистора от уровня инжекции // Радиотехн. и электрон. - 1972. - Т. 17, № 11. -С. 2414-2416.

2.16. Sinha Т., Choudhury N.K.D., Biswas А.К., е.а. Effects of mobility gradation on Excess Cartier distribution & Cut-off frequency of a diffused base transistor at different injection levels // Indian I of Pure & Applied Physics. Calvutta. - 1974. - V. 12, Nr. 10.-P. 680-684.

2.17. Kumar R., Hunter L.P. Prediction of fT and hfe at high collector currents // IEEE Trans, on Electron Devices. - 1975. - V. ED-22, Nr. 11. - P. 1031-1037.

2.18. Kuno Н/J/ Rise and fall time calculations of junction transistors // IEEE Trans, on Electron Devices. - 1964. - Vol. ED-11, Nr. 4. - P. 213.

2.19. Файзулаев Б.Н. Переходные процессы в транзисторных каскадах / 2-е изд., доп.- М.: Связь, 1968, 248 с.

2.20. Дерменжи П.Г., Евсеев Ю.А. О переходном процессе включения триодной структуры / В кн.: Полупров. приб. и их примене. - М., 1970. - Вып. 24. - С. 59-69.

2.21. Гаврилов Г.К. Переходные процессы в транзисторе и методы расчета импульсных схем/ - М.: Связь, 1971, 159 с.

2.22. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. / изд. 3-е. - М.: Энергия, 1973, 608 с.

2.23. Пауль Р. Транзисторы. Физические основы и свойства / Пер. с немецкого под ред. И.А. Палехова. М.: Сов. Радио, 1973, 504 с.

2.24. Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники . - М.: Энергия, 1974, 256 с.

2.25. Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов . - 2-е изд., Киев: Техшка, 1975, 360 с.

2.26. Польский Б.С., Римшаис Я.С. Численное моделирование переходных процессов в биполярных полупроводниковых приборах // Изв. АН Лат. ССР, сер. физ. и техн. Наук. - 1978. - № 4. - С. 70-78.

2.27. Тутов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков H.A. Полупроводниковые приборы . -М.: Энергоатомиздат, 1990, 575 с.

2.28. Доронкин Е.Ф., Воскресенский В.В. Транзисторные генераторы импульсов . - М.: Связь, 1965, 238 с.

2.29. Носов Ю. Р. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме. - М.: Наука, 1968, 264 с.

2.30. Schroder D. К. Semikonduktor material and device characterization // Wiley interscience, IEEE PRESS, Arizona State University, USA. 2005. P. 779.

2.31. Агаханян T.M. Переходная и частотно-фазовая характеристики коэффициента передачи тока дрейфового триода //Радиотехника. - 1959. -т. 14, № 12.-С. 38-43.

2.32. Абдюханов М. А. , Берестовский Г. Н., Кузьмин В. А. О расчете процессов в полупроводниковых триодах методом заряда // Радиотехн. и электрон. - 1960. - № 3. - С. 450-459.

2.33. Недолужко И. Т., Каганов И. Л. Расчет переходных процессов в полупроводниковых триодах методом заряда / В кн.: Полупров. приб. и их примене. Под ред. Федотова Я. А. - М. Сов. Радио. 1965. - Вып. 13.

2.34. Moll J. L. Large - signal transient response of junction transistor // Proc. IRE. - 1954. - Vol. 42, Nr. 12. - P. 1773-1783.

2.35. 86100 DCA Wideband Sampling Oscilloscopes// http://www. home. agilent.com/en/ /861 OO-dca-wideband-sampling-oscilloscop

2.36. Makinen S., McLachlan В., Hardman P., Schradin A., Solotko S. AMD FX разогнан до 8,429 ГГц — новый мировой рекорд частоты процессора. Новости индустрии Hi-Tech. Источник: AMD // http://www.ixbt.com/news/ hard/ index, shtml//201 l.C. 5.

2.37. Ефимов И. Е. Радиочастотные линии передачи// М.: Советское радио, 1964. С. 600.

Глава 3

3.1. Shockley W. A unipolar field-effect transistor // Proc. IEEE. - 1952. - V. 40, N. 11.-P 1365-1376.

3.2. Шокли В. Теория электронных приборов. - М.: Издат. иностранной литературы, 1953, 353 с.

3.3. Gummel Н. К. A self-cobsistent interive scheme foro ne dimensional structure under nonisothermal conditions // IEEE Trans. 1964. V. ED-11, N. 10. P. 455-465.

3.4. Loeb H. W., Andrew R., Love W. Application of two 2-Dimensional Solutions of the Shockley-Poisson Equation to Inversion-Layer M.O.S.T. Devices // Electron. Lett. - 1968. V. 4. - P. 352-354.

3.5. Kennedy D. P., O'Brien R. R. Computer aided two dimensional matematical analysis of a planar type junction field effect transistor. - IBM J. Res. Development 1969, vol. 13. N 11. -P. 662-674.

3.6. Reiser M. A two-dimensional Numerical FET model for DC, AS and large-signal analysis // IEEE Trans. ED. - 1973, V. 20, N 1. - P. 35^15.

3.7. Slotboom J. W. Computer aided-two-dimensional analysis of bipolar tranzistor // IEEE Trans. - 1973. V. ED-20, N 8. - P. 669-679.

3.8. Mock M. S. A two-dimensional mathematical model of insulated-gate fieldgain of a bipolar transistor // Solid State Electronics. - 1973. - V. 16, N 11. - P. 1251-1259.

3.9. Hockney R. W., Warriner R. A. Reiser M. Two-dimensional particle models in semiconductor device analysis // Electron. Lett. - 1974. V. 10, N 23. - P. 484.

3.10. Афонцев С. А., Кунилов В. А., Пашинцев Ю. И., Петров Г. В. Модель полевого транзистора с затвором Шоттки, основанная на числовом решении двумерных уравнений переноса // Микроэлектроника. - 1977. - Т. 6, вып. 2. - С. 179-183.

3.11. Wada Т., Frey J. Physical basis of short-channel MESFET operation // IEEE J.Solid-State Circuits. - 1979. N 14. - P. 398^12.

3.12. Yamaguchi K. Field-depent mobility model for two-dimensional numerical analysis of MOSFET's // IEEE trans. ED. - 1979.V. 26, N 7. - P. 1068-1074.

3.13. Миргородский Ю. H., Руденко А. А. Алгоритм расчета статических и импульсных характеристик полевых транзисторов с затвором Шоттки // В кН.: Микроэлектроника и полупроводниковые приборы, под ред. А. А. Васенкова и Я. А. Федотова. - 1983. Вып. 7. - С. 263-267.

3.14. Мартынов Я. Б. Двумерная численная модель для расчета статических и высокочастотных характеристик полевого транзистора с затвором Шоттки // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. - 1984. - Вып. 4. - С. 30-36.

3.15. Anderson S. F., Current К. W., Forbes L. Assesing GaAs hige-speed-switching JFET device models: 1 - Versus, 2 - dimensional analysis // Proc. IEEE. -1979.-V. 67, n 3. - P. 435.

3.16. Grubin H. L., McHugh T. M. Hot electron transport effects in field effect transistors // Solid-State Electronics. - 1978. - V. 21, N 1. - P. 69-73.

3.17. Grubin H. L., Ferry D. K., Gleason R. K. Spontaneaus oscillations in galium arsenide field effect transistors // Solid-State Electronics. - 1980. V. 23, N 2. - P. 157172.

3.18. Grabin H. L. Switching characteristics of nonlinear field-effect transistors: Gallium-arsenide versus silicon // IEEE trans. MTT. - 1980. V. 28, N 5. - P. 442-448.

3.19. Wada T., Frey J. Physical basis of short channel MESFET Operation // IEEE trans. ED. - 1979. V. 26, N 4. - P. 476^190.

3.20. Ino M., Ohmori M., Intrinsic response time of normally off MESFET's of GaAs, Si and InP // IEEE trans. MTT. - 1980. V. 28, N 5. - P. 456-459.

3.21. Егудин А. Б., Чкалова О. В., Еленский В. Г. Мощные СВЧ полевые транзисторы с барьером Шоттки // Зарубежная радиоэлектроника. - 1980. - № 10. - С. 28-48.

3.22. Faweett W., Hill G. Temperature dependence of the velocity - field characteristic of electron in InP // Electron.Lett. - 1975. V. 11, N 4. - P. 80-81.

3.23. Ruch J. G., Kino G. S. Transport properties of GaAs // Phys. Rev. - 1968. V.174, N3.-P. 921-31.

3.24. Pozela J., Reklaitis A. Diffusion coefficient of hot elektrons in GaAs // Solid State Comun. - 1978. - V. 27, N 11. - P. 1073-1077.

3.25. Hill G., Robson P. N., Fawcett W. Diffusion and the power densety fluctuation for electron in InP by Monte-Carlo methods // J. Appl. Phys. - 1979. V. 50, N 1, P. 356-360.

3.26. Sharfetter D. L., Gummel H. K. Large-signal analysis of a silicion read diode oscillator// IEEE trans. ED. - 1969. V. 16, N 1. - P. 64-77.

3.27. Reiser M. Large-scale numerical simulation in semiconductor devices modeling // Comput. Methods Appl. Mech. And Eng. - 1972. V. 1. - P. 17-39.

dimensional transistor // IEEE Trans. - 1974. V. ED-21. N 7. - P. 403^109.

3.29. Баннов H. А., Рижый В. И., Елизарова Т. Г., Николаев Е. С, Численное моделирование нестационарных электронных кинетических процессов в двумерных полупроводниковых структурах // Препринт ИПМ им. М. В. Келдыша АН СССР. - 1986. - № 44; 36. - С. 1-35.

3.30. Миллер Д. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов / Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1989.

3.31. Moglestue С. Monte Carlo particle modeling of local heating in n-type GaAs FET//IEEProc/- 1981. V. 128, N4.-P. 131.

3.32. Awano Y., Tomizawa K., Hashizume N. Principles of operation of short-channel GaAs FET determined by Monte Carlo method // IEEE trans. ED. - 1987. V. 31, N4.-P. 448-452.

3.33. Томидзава К., Хосидзуме P. Применение метода частиц для моделирования субмикронных приборов с гетеропереходами / В кН.: Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Пер. с англ.- М.: Радио и связь, 1989,116-130 с.

3.34. Husain A., Chamberlain G. Three-Dimensional Simulation of MOSFET's // IEEE Tran. Electron Dev. - 1982. V. ED-29. - P.631.

3.35. Shigyo N., Konaka M., Dang M. Three-Dimensional Simulation of Inverse Narrow-Channel Effect // Electron.Lett. - 1982. V. 18. - P. 274-275.

Глава 4

4.1. Тагер А.С., Мельников А.И., Кобельков Г.П., Цебиев A.M. Генерация и усиление радиоволн сантиметрового и миллиметрового диапазона с помощью полупроводникового диода в области положительного наклона его статической вольт-амперной характеристики /Диплом на открытие № 24, приоритет 27.Х.1959.

4.2. Johnson R.L., DeLoach B.CJr., Cohen B.G. A silicon diode oscillator // Bell Syst. Techn. J. 1965. V. 44. Nr. 2. P. 369-372.

4.3. Тагер A.C. Лавинно-пролетный диод и его применение в технике СВЧ // Успехи физ. наук. 1966. Т. 90. № 4.

4.4. Read W.T. A proposed gigh-frequency negatyve resistance diode // Bell Syst. Techn. J. 1958. V. 37, Nr. 2. P. 401^146.

4.5. Prager H.J., Chang K.K.N., Weisbrod S. High-power, high-efficiency silicon avalanche diodes at ultra high frequencies // Proc. IEEE, 1967. V. 55, Nr. 4. P. 586-7.

4.6. Johnston R.L., Scharfetter D.L. Bartelint D.L. High-efficiency oscillations in germanium avalanche diodes below the transit-time frequency // Proc. IEEE. 1968. V. 56. Nr. 9. P. 1611-1613.

4.7. Cottam M.G., Geraghty S.R. Theoretical anglysis and computer simulation of double sided n+-n-p-p+ TRAPATT diode structures / Eur. Microwave Conf. Proc. Brussels. 1973. V. 1. P. 185-188.

4.8. Cottam M.G. Theory for power output and efficiency of silicon TRAPATT oscillators // Elektron. Lett. 1970. V. 6. Nr. 12. P. 384-385.

4.9. Scharfetter D.L., Gummell H.K. Large signal anglysis of a silicon Read diode oscillator // IEEE Trans, on Electron Devices. 1969. V. 16. Nr. 1. P. 64-77.

4.10. Голант Е.И., Тагер A.C. Расчет высокоэффективных гомо- и гетероструктур ЛПД // Электронная техника. Сер. I. Электроника СВЧ. 1982.

Вып. 9. С. 31-36.

4.11. Scharfetter D.L. Power-frequency characteristics of the TRAPATT diode mode of high efficiency power generation in germanium and silicon avalanche diodes // The Bell System Techn. J. 1970. V. 49. Nr. 5. P. 799-826.

4.12. Okamoto H., Ikeda M. Measurement of the elektron drift velocity in avalanching GaAs diodes // IEEE Trans. Elektron devices. 1976. V. 23. Nr. 3. P. -374.

4.13. Sze S.M., Gibbons G. Avalanche breakdown voltages of abrupt and lineary graded p-n junctions in Ge, Si, GaAs, and GaP // Appl. Phys. Lett. 1966. V. 8. Nr. 5. P. 111-113.

4.14. Carroll J.E., Farrington J.G. Short-pulse modulation of gallium-arsenide laseis with TRAPATT diodes // Elektron. Lett. 1973. V. 9. Nr. 9. P. 166-167.

4.15. Bartelint D.J., Persky S. Diffusion of electrons in silicon transverse to a high electric field // Applied Physics Lett. 1970. V. 16. Nr. 5. P. 191-194.

4.16. Banali C., Jacoboni C., Ottaviani G. et al. High-field diffusion of electrons in silicon // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 27. Nr. 5. P. 278-280.

4.17. Matsumura M., Abe H. Computer simulation of anomalous-mode oscillation in silicon avalanche diodes // IEEE Trans. MTT. 1970. V. 18. Nr. 11. P. 975-977.

4.18. Blakey P.A. Computer simulation of charge generation in TRAPATTS // Elektron. Lett. 1977. V. 13. Nr. 15. P. 434-435.

4.19. Lee C.A., Frey J.Comparison of plazma formation in n+p and p+n TRAPATT diodes // Electron. Lett. 1973. V. 9. Nr. 14. P. 318-320.

4.20. Frey J., Lee C.A. Plazma injection and efficiency in N+P and P+N TRAPATT diodes / Proc. 4th Biennial Cornell Elec. Eng. Conf. Ithaca. 1973. V. 4. P. 401^107.

4.21. Bogan Z., Frey J. Startup transients and differences between P+N and N"^ structures as determined by an analysis of TRAPATT diode-circuit interactions / IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. N.Y. 1975. P. 96-97.

4.22. Evans W.J. Circuits for high-efficiency avalanche-diode oscillators // IEEE Trans. MTT. 1969. V. 17. Nr. 12. P. 1060-1067.

4.23. Evans W.J., Seidel T.E., Scharfetter D.L. A novel TRAPATT oscillator design // Proc. IEEE. 1970. V. 58. Nr. 8. P. 1294-1295.

4.24. Caroll J.E. Analytic theory for the Evans circuit for avalanche diodes // IEEE Trans. MTT. 1970. V. 18. Nr. 11. P. 977-979.

4.25. Evans W.J. Computer experiments on TRAPATT diodes // IEEE Trans. MTT. 1970. V. 18. Nr. 11. P. 862-871.

4.26. Kawamoto H. Gigaherts-Rate 100-V pulse generator // IEEE J. Solid-state Circuits. 1973. V. 8. Nr. 1. P. 63-66.

4.26. Kawamoto H. Gigaherts-Rate 100-V pulse generator // IEEE J. Solid-state Circuits. 1973. V. 8. Nr. 1. P. 63-66.

4.27. Yu S.P., Tantraporn W. Device physics of a new TRAPATT oscillator // IEEE Trans. Electron Devices. 1975. V. 22. Nr. 3. P. 140-145.

4.28. Mackintosh I.W., Royds R.J. An analysis of a TRAPATT oscillator circuit / Proc. European Microwave Conf. Stokholm. 1971. V. 1. P. A9/3:l-A9/3:4.

4.29. Carroll J.E., Crede R.H. A computer simulation of TRAPATT circuits // Int. J. Electronics. 1972. V. 32. Nr. 3. P. 273-296.

4.30. Evans W.J., Scharfetter D.L. Characterization of avalanche diode TRAPATT oscillators // IEEE Trans. Electron Devices. 1970. V. 17. Nr. 5. P. 397-404.

4.31. De Loach B.C., Scharfetter D.L. Device physics of TRAPATT oscillators // IEEE Trans, on Elektron Devices. 1970. V. 17. Nr. 1. P. 9-21.

4.32. Kawamoto H. Antiparallel operation of multiple high-efficiency avalanche diodes//IEEE J. Solid-State Circuits. 1972. V. 7. Nr. 1. P. 10-15.

4.33. Cripps S.C., Carroll J.E. Double-diode trapatt pulse generator with applications to avalanche-diode research // Proc. IEE. 1975. V. 122. Nr. 11. P. 1187.

4.32. Carroll J.E. The use of negative inductance and related concepts in the synthesis of TRAPATT circuits / Proc. European Microwave Conf. Stokholm. 1971.V. 1. P. A8/4:l-A8/4:4.

4.33. ПГалтянис В., Дземида Г. Анализ структуры оптимизационных задач с использованием аппроксимации характеристик. Сб. Теория оптимальных решений. Вильнюс. 1982. Вып. 8. С. 124-138.

4.34. Сибирцев JI.C., Вальд-Перлов В.М., Вейц В.В. Лавинно-пролетные диоды сантиметрового диапазона длин волн // Обзоры по электронной технике. Сер. I. Электроника СВЧ. 1988. Вып. 13. С. 1-60.

Глава 5

5.1. Григорьева В.Е., Малькин Г.М., Ивин А.Л. Зависимость характеристик быстродействующих генманиевых туннельных диодов от температуры //Вопросы радиоэлектроники. Сер. РТ. 1972. Вып. 1. С. 48.

5.2. Meyerhofer D., Brown G.A., Sommers H.S. Degenerate Germanium. I Tunnel, Excess and Thermal Current in Tunnel Diodes // Phys. Rev. 126. 4. 1962. P. 1329.

5.3. Григорьев B.E., Малкии Г.М. Формирование быстродействующих туннельных р-n переходов // Вопросы радиоэлектроники. Сер. РТ. 1973. ВыпЛ.С. 15.

5.4. Kane Е.О. Theory of Tunneling // J. Appl. Phys. Vol. 32.1. 1961. P. 83.

5.5. Фистуль В.И. Сильнолегированные полупроводники // Наука. М. 1967. С.

415.

5.6. Маделунг О. Физика полупроводникового соединений элементов III и V групп//Мир. 1967.

5.7. Алфеев В.Н. Радиотехника низких температур // Советское радио. 1966.

5.8. Голованов В.В., Наследов Д.Н., Филипченко A.A. О температурной зависимости эффективной массы электронов в антимониде индия // ФТТ. Т. 7. 1965.

5.9. Dingle R., Stornier H.L., Gossard A.C. et al. Electron Mobilities in Modulation-Doped Semiconductor Heterojunction Superlattices //Appl. Phys. Lett. 33. 1978. P. 665.

5.10. Tsu R. Challenges in nanoelectronics // Nanotechnology. 12 (4). 2001. P.

625.

5.11. Heinzelmann E. Nanotechnologie-Marktpotenzial für helle Köpfe // Techn. Rdsch. 94 (1-2). 2002. P. 22-23.

5.12. Lin S.Y., Tsai Y.J., Lee S.G. Comparison of InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector and GaAs/(AlGa)As superlattice infrared photodetector // J. Appl. Phys. Pt 2, 40 (12A). 2001. P. 1290.

5.13. Бирюлин П.И. Влияние продольных размеров туннельно-резонансного диода на его вольт-амперную характеристику // Электроника и информатика -XXI век. 3-я Международная научно-техническая конференция. Зеленоград. Изд.-во МИЭТ. 2000. С. 32.

5.14. Bursteinand Е., Lundqvist S. Tunneling Phenomena in solids // Plenum press N.Y. 1969.

5.15. Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices // Bell Laboratories. Interscience Publication, N.Y. 1981.

5.16. Левин В.Г., Вдовин Ю.А., Мямлин B.A. Курс теоретической физики // Наука. Т. II. 1971.

5.17. Tsu R., Esaki L. Tunneling in finite superlattice // Applied Physics Letters. Vol. 22. Nr. 11. 1973. P. 562.

5.18. Богомолов B.H., Задорожный А.И., Павлова T.M. и др. // Письма ЖТФ. 5. 1979. С. 1335.

5.19. Богомолов В.Н., Задорожный А.И., Павлова Т.М. и др. // Письма ЖТФ. 31. 1980. С. 1335.

5.20. Богомолов В.Н., Задорожный А.И., Павлова Т.М. // ФТП. 15. 1981. С. 2029.

5.21. Ridley В.К. // Proc. Phys. Sol. 82. 1963. P. 954.

5.22. Bryksin V.V., Firsov Yu.A. // Solid. St. Commun. 10. 1972. P. 471.

Глава 6

6.1. Карих Е.Д. Исследование полной проводимости гетеролазеров с полосковым контактом при обратном смещении // Известия вузов MB и ССО СССР. Физика. - 1983. -№11.- С.52-56.

6.2. Offsey S.D., Schaff W.J., Tasker P.J. et al. Optical and microwave performance of GaAs-AlGaAs and strained layer InGaAs- GaAs-AlGaAs graded index separate confinement heterostructure single quantum well lasers // IEEE Photon. Technol. Lett. 1990. - 2. Nr.l. - P.9-11.

6.3. Lee Tien-Pei. Recent advances in long wavelength semiconductor lasers for optical fiber communication // Proc. IEEE. - 1991. - 79. Nr.3. - P.256-276.

6.4. Agrawal Govind P. Modulation bandwidth of high-power single-mode semiconductor lasers: Effect of intraband gain saturation // Appl. Phys. Lett. - 1990. -57. Nr.l. - P.l-3.

6.5. Грунда И.И., Мереуце А.З., Пузин И.Б. и др. Излучательные и электрические характеристики одномодовых квантоворазмерных AIGaAs лазеров, полученных методом НЖЭ // Письма в ЖТФ. - 1990ю - 16. № 15. - С.60-64.

6.6. Olsansky R., Lanzisera V., Powazinik W. et al. Frequency response of 18 GHz vapor phase regrown BH lasers // Int. Semiconduct. Laser Conf. Program and Abstract Pap. - 1986.-P.176-177.

6.7. Su C.B., Olsansky R. Ultrahigh-frequency modulation of InGaAsP lasers // Integr. And Guided Wave Opt. Summ. Techn. Pap. - 1986. - P.8-9.

6.8. Olsansky R., Hill P., Lanzisera V. et al. Universal relationship between resonant frequency and damping rate of 1,3 pm InGaAsP semiconductor lasers // Top. Meet. Semicond. Lasers. - Albuquerque, N.H. 1987. - P.47-50.

6.9. Olsansky R., Hill P., Lanzisera V. et al. Universal relationship between resonant frequency and damping rate of 1,3 pm InGaAsP semiconductor lasers // Applied Physics Letters. - 1987. - 50. Nr.ll. - P.653-655.

6.10. Su C.B., Lanzisera V., Olsansky R. et al. High frequency modulation of InGaAsP lasers // Proc. IEEE. Corneli Conf. Adv. Cone. High Speed Semicond. Devices and Circuits. - 1984. - P.312-318.

6.11. Елисеев П.Г. Введение в физику инжекционных лазеров. - М.: Наука, 1983.

6.12. Полупроводниковые инжекционные лазеры. Динамика модуляции, спектры: Пер с англ. / Под ред. У.Тсанга. - М.: Радио и связь. 1990.

6.13. Lau K.Y., Yariv A. Ultra high speed semiconductor lasers // IEEE J. Quantum Electron. - 1985. - V.QE-21, Nr.25. - P.121-138.

6.14. Lau K.Y., Bar-Cjaim N., Ury I. et al. 11 GHz direct modulation bandwidth of GaAlAs window laser on semi-insulating substrate operating at room temperature // Applied Physics Letters. - 1984. - Y.45, Nr.4. - P.316-318.

6.15. Imai H. High-speed buried heterostructure InGaAsP/InP diode lasers // Proc. IEEE / Corneli Conf. Adv. Cone. High Speed Semicond. Devices and Circuits. - 1984. - P.40^2.

6.16. Su C.B., Lanzisera V. Ultrhigh-speed modulation of 1.3 pm InGaAsP diode lasers // IEEE J. Quantum Electron. - 1986. - V. QE-22, Nr.9. - P.1568-1578.

6.17.Tuckear R.S. High-speed modulation and switching in semiconductor lasers // SBMO International Microwave Symposium Proceedings. - Rio de Janeiro. 1987. -P.803-810.

6.18. Lee T.P. Effect of junction capacitance on the risetime of LED's and on the turn on delay of injection lasers // The Bell System Technical Journal. - 1975. - V.54, Nr.l. - P.53-68.

6.19. Su C.B., Lanzisera V., Powazinik W. et al. 12.5-GHz Direct modulation bandwidth of vapor phase regrown 1.3 p.m InGaAsP buried heterostructure lasers // Applied Physics Letters. - 1985. V.46, Nr.4. - P.344-346.

6.20. Tucker R.S., Pope D.J. Microwave circuit models of semiconductor injection lasers // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. - 1983. -V.MTT 31, Nr.3. - P.289-294.

6.21. Tucker R.S., Pope DJ. Circuit modeling of the effect of diffusion on damping in a narrow-stripe semiconductor laser // IEEE J. Quantum Electron. - 1983. - V.QE 19, Nr.7.-P. 1179-1183.

6.22. Bowers J.E. High speed semiconductor laser design and performance // Solid State Electronics. - 1987. - V.30, Nr.l. - P. 1-11.

6.23. Figuerca L., Slayman C.W., Yen H.-W. High-frequency characteristics of GaAlAs injection lasers // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. -1982. MTT-30, Nr.l0.-P.1706-1715.

6.24. Ng W.W., Craig R., Yen H.W. Dynamic characteristics of high speed p-substrate GalnAsP buried crescent lasers // Journal of Lightwave Technology. - 1989. -Nr.3. - P.560-567.

6.25. Andrekson P.A., Anderson P. Parasitic element influence on the wide-band electrical noise and modulation response of semiconductor lasers // IEEE J. Quantum Electron. - 1987. - V.QE-23, Nr.6. - P.1048-1053.

6.26. Suematsu Y., Hong T., Furuya K. Reduction of resonance-like peak in direct-modulation of injection laser due to carrier diffusion and external circuit // Nachrichtentechnik. - 1978. - V.31, Nr.2. - P. 127-128.

6.27. Дураев В.П., Калашников B.C., Коняев В.П. и др. СВЧ-модуляция инжекционных лвзеров // Радиотехника. 1988. - № 8. - С.46-50.

6.28. Маругин А.В., Харчев А.В. Исследование модуляционных характеристик инжекционных лазерных диодов // Радиотехника. 1986. - № 11. -С.89-92.

6.29. Kami te К., Yano M., Taenahashi T. at al. Analysis of the parasitic effective capacimtance of buried-heterostructure lasers // Electron. Lett. 1986. - V.22, Nr.8. -P.407-409.

6.30. Dumant J.M., Guillausseau Y., Monerie M. Small signal modulation of DH laser diodes: effect of the junction capacitance // Optics Communications. - 1980. -V.33, Nr.2.-P. 188-192.

6.31. Hakki B.W., Holbrook W.R., Gaw C.A. High-frequency impedance of proton bombarded injection lasers // Bell System Technical Journal. - 1982. - V.62, Nr.2. -P.463-475.

6.32. Hong W.H., So J.H., Park H.K. at al. Circuit models for frequency modulation response of semiconductor lasers // Electron. Lett. - 1989. - V.27, Nr.9. -P.591-592.

6.33. Ackley D.E. Equvalent circuit modeling and derivative characterization of 1.3 [im injection lasers // Electron. Lett. - 1987. - V.23, Nr.25. - P. 1354-1356.

6.34. Маттей Д.Л., Янг Л., Джонс Е.М.Т. Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи: Пер. с англ. - М.: Связь. 1972.

6.35. Черкин В.И., Олигов Г.А. Согласующая цепь для СВЧ интегральных схем // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. - 1984. - Вып. 1(361). -С.24.

6.36. Paoli T.L. Optical responce of a stripe-geometry junction laser to sinusoidal current modulation at 1.2 GHz // IEEE J. Quantum Electron. - 1981. - V.QE-17, Nr.5. -P.675-680.

6.37. Harth W., Siemsen D. Subharmonic resonance in the direct modulation of injection lasers // AEU. - 1974. - V.28, Nr.9. - P.391-392.

6.38. Siemsen D. Observation of inherent oscillations and subharmonic resonances in the light output of GaAs DH lasers // Int. J. Electronics. - 1978. - V.45, Nr.l. - P.63-70.

6.39. Tarucha S., Otsuka K. Response of semiconductor laser to deep sinusoidal injection current modulation // IEEE J. Quantum Electron. - 1981. - V.QE-17, Nr.5. P.810-816.

6.40. Russer P., Hilbrand H., Harth W. Parametric sideband amplification in injection lasers // Electron. Lett. - 1975. - V.l 1, Nr.4. - P.87-89.

6.41. Grothe H., Harth W., Russer P. Experimental investigation of parametric sideband amplification in injection lasers // Electron. Lett. - 1976. - V.l2, Nr.20. -P.522-524.

6.42. Васильев П.П., Морозов B.H. Теория генерации пикосекундных импульсов инжекционным лазером с внешним резонатором в режиме синхронизации мод // Квантовая электроника. - 1985. - Т.12, № 2. - С.331-338.

6.43. Мс Cumber D.E. Intensity fluctuations in the outpet of CW laser oscillator // Physics. Revue. - 1966. - T.141, Nr.l. - P.306-322.

6.44. Broom R.F. Self modulation at gigahertz frequencies of a diode laser coupled to an external cavity // Electronics letters. - 1969. - Vol.5, Nr.23. - P.571-572.

6.45. Lau K.Y., Yariv A. Self-susteined picosecond pulse generation in a GaAlAs laser at an electrically tunable repetition rate // 7 th Topical Meeting on Integrated and Guided-Wave Optics, Kissime, Fla. - 24-26 April, 1984. - P.WB3/l-Wb3/4.

6.46. Богатов А.П., Елисеев П.Г., Охотников О.Г. и др. Исследование непрерывного инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором // Труды ФИАНю - 1983. - Т.141. - С.62-88.

6.47. Broom R.F., Mohn Е., Risch Ch. et al. Microwave self-modulation of a diode laser coupled to an external resonator // IEEE Journal of Quantum Electronics. - 1970. -Vol.QE-6, Nr.6. - P.328-334.

6.48. Glasser L.A., Haus A.H. selflocking on modelocked semiconductor diode lasers: theory and experiment // IEEE/OSA Conf. Laser Engineering and Applicatrons.

- Washington D.C., 1979. - P.50-51.

6.49. Ho P.-T, Glasser L.A., Haus A.M. et al. Picosecond Phenomena // Proc. 1 st Int. Conf. - Berlin, 1978. - P.l 14-116.

6.50. Ho P.-T., Glasser L.A., Ippen E.P. et al. Picosecond pulse generation with a CW GaAlAs laser diode // Applied Physics Letters. - 1978. - Vol.33, Nr.3. - P.241.

6.51. Ito H., Yokoyama H., Inaba H. Bandwidth limited picoseconds optical pulse generation from actively modelocked AlGaAs diode laser // Electronics Letters. - 1980.

- Vol.16, Nr. 16. -P.620-621.

6.52. Бессонов Ю.Л., Богатов А.П., Васильев П.П. и др. Генерация пикосекундных импульсов в инжекционном лазере с внешним селективным элементом // Квантовая электроника. - 1982. - Т.9. - Сю2323-2326.

6.53. Баженов В.Ю., Елисеев П.Г., Пак Г.Т. и др. Бистабильный режим и спектральная перестройка в инжекционном лазере с внешним дисперсионным резонатором // Квантовая электроника. - 1981. - Т.8. - С.853.

6.54. Van der Ziel J.P., Mikulyak R.M. Mode locking of strip burned heterostructure (AlGa)As lasers using an external cavity // Journal of applied physics. -1980. - Vol.51, Nr.6. - P.3033-3037.

6.55. Богатов А.П., Васильев П.П., Морозов B.H. и др. Прямая регистрация пикосекундных импульсов инжекционного лазера с активной синхронизацией мод // Квантовая электроника. - 1983. - Т.10, № 10. - С.1957-1958.

6.56. Van der Ziel J.P., Tsang W.T., Logan P.A. et al. Subpicosecond pulses from passively mode locked GaAas buried optical guide semiconductor lasers // Applied Physics Letters. - 1981. - Vol.B9, Nr.7. - P.525-527.

6.57. Lau K.Y., Yariv A. Direct modulation and active mode locking of ultrahigh speed GaAlAs lasers at frequencies up to 18 GHz // Applied Physics Letters. - 1985. -Vol.46, Nr.4.-P.326-328.

6.58. Tucker R.S., Korotky S.K., Eisenstein G. et al. 20 GHz active mode locking of a 1,55 mic. InGaAsP laser // Electronics Letters. - 1985. - Vol.21, Nr.6. - P.239-.

6.59. Lundgvist S., Andersson Т., Eng S.T. Generation of tunable single-mode picosecond pulses from an AlGaAs semiconductor laser with grating feedback // Applied Physics Letters. - 1983. - Vol.43, Nr.8. - P.715-717.

6.60. Corzine S.W., Bowers J.E., Przybilek G. et al. Actively mode-locked GalnAsP laser with subpicosecond output // Applied Physics Letters. - 1988. - Vol.52, Nr.5. - P.348-350.

6.61. Eisenstein G., Tucker R.S., Kaminow I.P., Lec T.P., Burrus C.A. InGaAsP 1,3 pm optical amplifier-modulator integrated with a fibre-resonator mode-locked laser // Electronics Letters. - 1984. - Vol.20, Nr.15. - P.624-625.

6.62. Васильев П.П., Морозов B.P., Пак Г.Т. и др. Измерение частотного сдвига в пикосекундном импульсе инжекционного лазера с синхронизацией мод // Квантовая электроника. - 1985. - Т. 12, №6. - С. 1297-1299.

6.63. Eisenstein G., Tucker R.S., Korotky S.K. Active mode locking of an InGaAsP 1,55 pm laser in a fibre resonator with an integrated single-mode-fibre output // Electronics Letters. - 1985. - Vol.21, Nr.5. - P.173-175.

6.64. Margulis W., Osterberger V., Stoltz B. et al. An ultrafast differentiator and it suse in picosecond laser pulse measurement // Optics communications. - 1985. -Vol.54, Nr.3. - P.171-175.

6.65. Den Baars S.P., Beyeler C.A., Mariz A., Dapkus P.D. GaAs/AlGaAs Quantum well lasers with active regions grown by atomic layer epitaxy // Applied Physics Letters. - 1987. - Vol. 51, Nr. 19. - P. 1530-1532.

6.66. Гарбузов Д.З., Зайцев C.B., Колышкин В.И. и др, Мезаполосковые (А,=1,3 мкм) квантоворазмерные лазеры раздельного ограничения (/пор=380 А/см , Р=0,5 Вт, 7=18°С) // Письма в ЖТФ. - 1988. - Т.14, № 3. - С.241-246.

6.67. Uomi К., Chinone N., Ohtoshi Т. et al. High relaxation oscillation frequency (beyond 10 GHz) of GaAlAs multiquantum well lasers // Japanese Journal of Applied Physics. - 1985. - Pt.2, Vol.24, Nr.l. - P.L539-L541.

6.68. Литвинова M. H. Электрооптическая модуляция и преобразование монохроматического излучения в кристаллах ниобата лития // Дисскртация на

соискание ученой степени кандидата физико - математических наук. -Хабаровск. 2006. - С. 107. Глава 7

7.1. Мелешко Е. А. Быстродействующая импульсная электроника- М.: ФИЗМАТЛИТ. 2007. - С.317.