Многочастотные взаимодействия во входных СВЧ устройствах радиоприёмного тракта с учётом собственных шумов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.03, кандидат наук Аверина, Лариса Ивановна

• Аверина, Лариса Ивановна
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Аверина, Лариса Ивановна

ОГЛАВЛЕНИЕ

Список используемых сокращений

Введение

Глава 1. Структурное описание нелинейных свойств твердотельных СВЧ элементов

1.1 Нелинейные характеристики гетероструктурного полевого транзистора в пассивном и активном режимах

1.1.1 Представление полевого транзистора на структурном уровне

1.1.2 Эмпирические зависимости для характеристик полевого транзистора в активном режиме

1.1.3 Характеристики несмещённого по стоку полевого транзистора

1.2 Нелинейные характеристики биполярного транзистора с гетеропереходом

1.2.1 Представление биполярного транзистора на структурном уровне

1.2.2 Эмпирические зависимости для характеристик биполярного транзистора

1.3 Нелинейные характеристики диода с барьером Шоттки в прямом и инверсном режимах

Глава 2. Методы определения параметров линейных и нелинейных характеристик полупроводниковых СВЧ элементов

2.1 Определение параметров модели гетероструктурного полевого транзистора

2.1.1 Аналитический метод определения линейных параметров полевого транзистора

2.1.2 Методика определения коэффициентов разложения нелинейных характеристик полевого транзистора

2.2 Определение параметров модели биполярного транзистора с гетеропереходом

2.2.1 Аналитический метод определения линейных параметров биполярного транзистора

2.2.2 Методика определения коэффициентов разложения нелинейных

характеристик биполярного транзистора

2.3 Методы определение линейных и нелинейных параметров диода с барьером Шоттки

Глава 3. Теоретический анализ многочастотных нелинейных эффектов в твердотельных СВЧ устройствах на основе стационарных рядов Вольтер-ры

3.1 Параметры электромагнитной совместимости приёмного тракта

3.1.1 Общая структура радиоприёмных устройств

3.1.2 Интермодуляция

3.1.3 Блокирование

3.2 Метод стационарных рядов Вольтерры

3.3 Нелинейные преобразования многочастотных сигналов в избирательных цепях

3.3.1 Теоретический анализ формирования нелинейных продуктов третьего порядка во входных перестраиваемых фильтрах

3.3.2 Уменьшение интермодуляционных искажений в перестраиваемом полосовом фильтре

3.4 Многочастотные взаимодействия во входных малошумящих транзисторных СВЧ усилителях

3.4.1 Теоретический анализ процесса взаимодействия многочастотных сигналов в режиме несущественной нелинейности в СВЧ усилителе на гетероструктурном полевом транзисторе

3.4.2 Теоретический анализ формирования многочастотных взаимодействий третьего порядка в СВЧ усилителе на биполярном транзисторе с гетеропереходом

3.4.3 Многочастотные характеристики малошумящих транзисторных СВЧ усилителей

Глава 4. Теоретический анализ нелинейного взаимодействия многочастотных сигналов в параметрических полупроводниковых СВЧ устройствах на основе нестационарных рядов Вольтерры

4.1 Методы анализа параметрических динамических систем

4.1.1 Метод конверсионных матриц

4.1.2 Метод нестационарных рядов Вольтерры

4.2 Многочастотное взаимодействие сигналов в СВЧ полупроводниковых параметрических усилителях

4.2.1 Теоретический анализ формирования интермодуляционных продуктов третьего порядка в параметрических усилителях

4.2.2 Многочастотные характеристики ППУ

4.3 Нелинейные преобразования многочастотных сигналов в СВЧ смесителях

4.3.1 Учёт двумерной зависимости тока стока полевого транзистора при анализе интермодуляционных характеристик пассивного смесителя

4.3.2 Теоретический анализ многочастотных взаимодействий третьего порядка в смесителях на транзисторах

4.3.3 Многочастотные характеристики твердотельных СВЧ смесителей

4.4 Теоретический анализ формирования интермодуляционных продуктов во входном радиоприёмном тракте и оптимизация его структуры

Глава 5. Источники собственных шумов и описание шумовых свойств полупроводниковых СВЧ элементов

5.1 Математические методы описания шумов в электронных устройствах

5.1.1 Статистические характеристики шумовых процессов

5.1.2 Физическая природа собственных шумов полупроводниковых элементов

5.1.3 Шум в параметрических устройствах

5.2 Структурное представление собственных шумов твердотельных СВЧ элементов

5.2.1 Методы представления источников собственного шума полупроводниковых элементов на структурном уровне

5.2.2 Шумовая модель диода при прямом и обратном смещении

5.2.3 Шумовая модель биполярного транзистора

5.2.4 Шумовая модель полевого транзистора в активном и пассивном режимах

5.3 Коэффициент шума радиоприёмного устройства

5.3.1 Коэффициент шума транзисторных СВЧ усилителей

5.3.2 Методика расчёта коэффициента шума параметрических СВЧ устройств

5.3.3 Влияние различных параметров СВЧ устройств на их коэффициент шума

Глава 6. Шумовые характеристики транзисторных СВЧ усилителей при многочастотном воздействии

6.1 Теоретический анализ нелинейного взаимодействия интенсивной сосредоточенной помехи с собственным шумом транзисторного усилителя

6.2 Анализ усиления сигнала на фоне внешних шумов в режиме несущественной нелинейности усилителя

6.3 Изменение коэффициента шума входного транзисторного СВЧ усилителя при воздействии интенсивной помехи

6.4 Влияние режима работы МШУ на его шумовые характеристики в присутствии помехи

Заключение

Библиографический список использованных источников

Список используемых сокращений

РЭС - радиоэлектронные средства;

СВЧ - сверхвысокие частоты;

ЭМС - электромагнитная совместимость;

РПУ - радиоприемное устройство;

МШУ - малошумящий усилитель;

ЭС - эквивалентная схема;

УПЧ - усилитель промежуточной частоты;

НЕМТ — полевой транзистор с высокой подвижностью электронов;

НВТ - биполярный транзистор с гетеропереходом;

ВАХ - вольт-амперная характеристика;

ВКХ - вольт-кулоновская характеристика;

ППУ - полупроводниковый параметрический усилитель;

ЭМО - электромагнитная обстановка;

САПР - системы автоматизированного проектирования;

ППРЧ — псевдослучайная перестройка рабочей частоты;

ПУ - параметрический усилитель.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Многочастотные взаимодействия во входных СВЧ устройствах радиоприёмного тракта с учётом собственных шумов»

Введение

Диссертационная работа посвящена исследованию и развитию методов моделирования и анализа многочастотных процессов нелинейного взаимодействия с учётом собственных шумов во входных устройствах радиоприёмников сверхвысокочастотного (СВЧ) диапазона, построенных на базе различных полупроводниковых элементов, и приложению этих методов к решению практически важных задач электромагнитной совместимости (ЭМС).

Актуальность темы. Анализ многочастотных взаимодействий в нелинейных системах, как с сосредоточенными, так и с распределёнными параметрами занимает важное место в современных радиофизических исследо-

*

ваниях. К ним, в частности, можно отнести транзисторные усилители СВЧ диапазона и преобразователи частоты на различных полупроводниковых элементах, получившие в настоящее время наибольшее распространение. Эти устройства широко применяются в современной аппаратуре радиолокации, радиосвязи, радионавигации и телевидения. Поэтому различные задачи, связанные с многочастотным взаимодействием в данных устройствах, довольно содержательны, разнообразны и сводятся к поиску путей уменьшения нежелательных последствий нелинейных эффектов. Постоянно возрастающие требования к показателям качества передачи, приёма и обработки информации в современных радиокомплексах в связи с использованием многопозиционных сигналов со многими поднесущими, увеличением частотных диапазонов также стимулируют интенсивную деятельность в этом направлении. К тому же резкое увеличение количества радиосредств обострило проблему электромагнитной совместимости [1-7], что повысило интерес к многочастотным явлениям.

Проблема обеспечения электромагнитной совместимости является актуальной из-за несовершенства технических характеристик радиоэлектронных средств (РЭС) и их сосредоточения на ограниченной территории. Одним из решений этой важной проблемы является снижение восприимчиво-

7

сти к радиопомехам приёмных трактов [1-3]. В настоящее время на входе приёмных СВЧ систем используют малошумящие усилители (МШУ) - транзисторные, параметрические - и смесители или преобразователи частоты на диодах, биполярных и полевых транзисторах [4-8], выполненные в виде отдельных самостоятельных блоков. Наиболее широкое распространение получили малошумящие транзисторные усилители. Преимуществом этих приборов, особенно гетероструктурных, является достаточно большой коэффициента усиления и довольно низкий коэффициент шума как в сантиметровом, так и в миллиметровом диапазоне волн [9-11]. Полупроводниковые параметрические усилители (ППУ) используются в основном в наземных системах спутниковой связи и прослушивания галактики. Что касается преобразователей частоты, то выбор нелинейного полупроводникового элемента, на котором строится устройство, определяется заданными значениями коэффициента передачи, коэффициента шума, энергетических затрат, а также уровнем допустимых нелинейных продуктов на его выходе [12-15]. Моделированию и расчету параметров полупроводниковых СВЧ усилителей и смесителей, а также исследованию их характеристик, на сегодняшний день посвящено достаточно большое количество публикаций. Однако большинство работ связано либо с улучшением параметров этих устройств, которые обеспечивают выполнение функций усиления и преобразования частоты слабого сигнала, либо со схемотехническими проблемами. Таким образом, проблема разработки научных основ моделирования и анализа многочастотных и шумовых процессов в нелинейных полупроводниковых радиоприёмных устройствах, создания методик расчёта их основных параметров ЭМС является актуальной.

При моделировании на структурном уровне полупроводниковые элементы представляется в виде эквивалентных схем (ЭС) с сосредоточенными параметрами, учитывающих их нелинейные и шумовые свойства. К сожалению, существующие эмпирические зависимости для нелинейных характеристик транзисторов и диодов не всегда позволяют достоверно проанализиро-

8

вать такие явления, как интермодуляция [25-29]. Поэтому актуальным является разработка и выбор функциональных нелинейных зависимостей для характеристик различных полупроводниковых элементов, адекватно описывающих их работу в режиме несущественной нелинейности, а также развитие и разработка методик определения линейных, нелинейных и шумовых параметров выбранных моделей.

Для анализа многочастотных взаимодействий и оптимизации работы устройств в помеховой обстановке необходимо иметь математические модели, строго описывающих нелинейные эффекты в избирательных цепях, СВЧ усилителях и смесителях на основе различных полупроводниковых элементов. Для построения таких моделей в данной работе использован метод функциональных рядов Вольтерры, предложенный в работах Н. Винера и развитый трудами Б. М. Богдановича, Ю. Л. Хотунцева, Е. А. Волкова, С. Мааса, Д. Педро [16-20] и других исследователей, который определяет явную связь отклика и входного воздействия через ядра п-го порядка. Причём, если устройство описывается нелинейной зависимостью, то ядра являются стационарными, если нелинейно-параметрической, то ядра будут нестационарны. Выбор метода обусловлен тем, что он является аналитическим и позволяет наглядно показать вклад как прямых, так и повторных нелинейных взаимодействий в формирование нелинейного эффекта в целом.

Значительное увеличение количества радиосредств, их комплексирова-ние при размещении на ограниченных площадях (корабль, самолёт, ракета и др.), требует поиска конкретных путей значительного увеличения динамического диапазона радиоприёмной техники. При этом актуальной задачей является как исследование возможных конструктивных усовершенствований устройств, так и разработка способов адаптации преселектора, МШУ и смесителей за счёт изменения режимов работы, позволяющих реализовать возможность совместной работы радиосредств в сложной электромагнитной обстановке.

Если верхняя граница динамического диапазона радиоприёмного тракта определяется уровнем допустимых нелинейных искажений на его выходе, то нижняя его граница определяется чувствительностью устройства, которая в свою очередь зависит от коэффициента шума. Коэффициент шума входного устройства, как известно, определяется как собственными шумами усилителя, так и собственными шумами смесителя [21-24]. Собственные шумы в полупроводниковых элементах имеют разную физическую природу и статистические характеристики. К тому же смеситель исходно является нелинейным устройством, а усилитель становится таковым при воздействии мощной помехи. Поэтому актуальной является задача теоретического анализа нелинейного взаимодействия интенсивной сосредоточенной помехи с собственными шумами транзисторного усилителя, разработки методики расчёта двухсигнального коэффициента шума усилителей, а также анализа шумовых характеристик усилителей и смесителей при изменении условий функционирования.

Незавершённость исследований рассматриваемой тематики подтверждается большим количеством публикаций и видным местом, которое занимает данная проблема в научных программах и конференциях. Поэтому актуальным является проведение целенаправленного теоретического и экспериментального исследования, позволяющего всесторонне проанализировать многочастотные процессы взаимодействий в полупроводниковых устройствах с учётом собственных шумов и разработать более совершенные входные тракты СВЧ радиоприёмников.

Целью диссертационной работы является развитие методов моделирования и анализа многочастотных процессов нелинейного взаимодействия с учётом собственных шумов во входных устройствах радиоприёмников СВЧ диапазона, построенных на базе различных полупроводниковых элементов, и применение этих методов для разработки устройств с расширенным динамическим диапазоном.

Основные задачи диссертации вытекают непосредственно из ее цели:

10

- разработка нелинейных эмпирических зависимостей вольт-амперных (ВАХ) и вольт-кулоновских (ВКХ) характеристик биполярного транзистора с гетеропереходом и диода с барьером Шоттки для анализа слабо нелинейных эффектов; выбор оптимальной эмпирической модели гетероструктур-ного полевого транзистора, адекватно описывающей его работу в активном и пассивном режимах;

- разработка и реализация аналитических методик определения линейных и нелинейных параметров моделей полевого и биполярного транзисторов и диода из экспериментальных данных;

- построение математических моделей на основе стационарных рядов Воль-терры для теоретического анализа многочастотных взаимодействий в нелинейных динамических СВЧ устройствах, позволяющих проанализировать вклад прямых и повторных взаимодействий в общий нелинейный эффект третьего порядка;

- построение математических моделей на основе нестационарных рядов Вольтерры для теоретического анализа многочастотных взаимодействий в нелинейно-параметрических динамических СВЧ устройствах;

- исследование влияния различных схемных параметров полупроводниковых СВЧ устройств на их нелинейные многочастотные характеристики с целью расширения динамического диапазона радиоприёмника;

- разработка методики расчёта коэффициента шума параметрических СВЧ устройств, учитывающей корреляцию источников собственных шумов;

- построение математических моделей для теоретического анализа нелинейного взаимодействия помехи с собственными и внешними шумами транзисторных СВЧ усилителей;

- исследование влияния различных схемных параметров полупроводниковых СВЧ устройств на их шумовые характеристики с целью увеличения чувствительности приёмного тракта.

Методы исследования. В работе использованы методы линейного и нелинейного анализа, математического и компьютерного моделирования, мето-

ды теории электрических цепей и сигналов, численные и статистические методы расчета и анализа.

Научная новизна работы определяется развитием методов моделирования и анализа нелинейных многочастотных взаимодействий с учётом собственных шумов во входных радиоприёмных устройствах СВЧ диапазона, построенных на базе различных полупроводниковых элементов. Научная новизна, в частности, заключается в следующем:

1. Разработаны эмпирические зависимости вольт-амперных характеристик биполярного транзистора и диода для анализа слабо нелинейных эффектов. При этом в качестве основы предлагается выбирать аппроксимирующие функции для зависимостей производной крутизны транзистора и производной проводимости диода от приложенных напряжений. Предложена эмпирическая модель вольт-кулоновской характеристики диода с барьером Шоттки, позволяющая адекватно описывать поведение ёмкости варикапа и её производных как при отрицательных, так и при положительных смещениях.

2. Разработаны аналитические методики и выведены основные соотношения для определения коэффициентов разложения нелинейных характеристик биполярного и полевого транзисторов и диода на основе экспериментальных измерений.

3. На основе стационарных и нестационарных рядов Вольтерры с использованием метода нелинейных токов построены математические модели, позволяющие проанализировать формирование нелинейных продуктов третьего порядка в перестраиваемых полосовых фильтрах, транзисторных и параметрических усилителях, смесителях.

4. С помощью данных моделей показан вклад повторных взаимодействий в конечный нелинейный эффект, объяснено существование минимумов в интермодуляционных характеристиках данных устройств и явление перехода от антиблокирования к блокированию.

5. На основе конверсионных матриц и теории циклически стационарных шумов разработана методика и выведены основные соотношения для расчёта коэффициента шума параметрических полупроводниковых СВЧ устройств, учитывающая корреляцию источников собственных шумов.

6. На основе стационарных рядов Вольтерры построены математические модели для теоретического анализа нелинейного взаимодействия помехи с собственными и внешними шумами транзисторных СВЧ усилителей.

7. С помощью разработанных моделей проанализировано поведение каждого шумового источника как биполярного, так и полевого транзисторов в присутствии интенсивной помехи.

8. Исследовано влияния различных схемных параметров полупроводниковых СВЧ устройств на их многочастотные и шумовые характеристики.

Достоверность результатов диссертации. Достоверность теоретических результатов обеспечивается строгостью математических моделей, корректностью упрощающих допущений, сходимостью вычислительных процессов к искомым решениям, выполнимостью предельных переходов к известным решениям, соответствием результатов расчёта эксперименту.

Достоверность экспериментальных результатов обеспечена применением аттестованной измерительной аппаратуры, обработкой экспериментальных данных современными численными методами.

Практическая значимость работы. Разработанные эмпирические зависимости для твердотельных элементов могут применяться при расчёте нелинейных многочастотных характеристик входных модулей радиоприемных устройств. Предложенные методы определения параметров будут полезны при формировании адекватных моделей транзисторов и диодов, а также СВЧ устройств на их основе.

Для перестраиваемых полосовых фильтров предложенные способы уменьшения интермодуляционных искажений позволят выбрать необходимый диапазон управляющих напряжений и схемы включения варикапов исходя из допустимых уровней нелинейных искажений на выходе фильтра и

увеличения количества элементов его схемы. Результаты, полученные в работе, определяют подходы по выбору режима работы по постоянному току транзисторных СВЧ усилителей для улучшения их характеристик электромагнитной совместимости. Проведённые исследования параметрических устройств - трёх типов смесителей и параметрического усилителя - позволяют выбрать их режим работы по постоянному току и уровень подаваемого гетеродина с целью улучшения нелинейных многочастотных и шумовых характеристик. Из-за учёта взаимного влияния каскадов радиоприемного тракта усилитель-смеситель при выборе элементной базы можно улучшить ЭМС характеристики тракта за счет компенсации интермодуляционных составляющих.

Предложенные методики расчёта коэффициента шума параметрических устройств и двухсигнального коэффициента шума транзисторных усилителей позволят разработчикам радиоэлектронных средств проектировать устройства с заданными характеристиками.

Прикладные задачи, решённые на основе разработанных моделей и алгоритмов, представляют самостоятельный научный и практический интерес с точки зрения совершенствования радиоэлектронной аппаратуры при использовании в сложной электромагнитной обстановке.

Полученные результаты использовались в учебном процессе кафедры электроники ВГУ, в федеральных целевых программах «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы (ГК №2 14.740.11.1081, соглашение № 14.В37.21.0620), «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технического комплекса России на 2007-2013 годы» (ГК № 14.514.11.4079), а также в ряде серийно выпускаемых приёмовозбудителей с цифровой обработкой сигналов в ОАО «Концерн «Созвездие».

Основные положения, выносимые на защиту: 1. Эмпирические зависимости для вольт-амперных и вольт-кулоновских характеристик диода и биполярного транзистора, позволяющие адекватно

14

описывать нелинейные многочастотные взаимодействия в устройствах на их основе.

2. Аналитические методики определения коэффициентов разложения нелинейных характеристик биполярного и полевого транзисторов и диода на основе экспериментальных данных.

3. Математические модели и результаты теоретического анализа многочастотных взаимодействий в СВЧ усилителях и смесителях на основе стационарных и нестационарных рядов Вольтерры.

4. Методика расчёта коэффициента шума параметрических полупроводниковых СВЧ устройств, учитывающая корреляцию источников собственных шумов, на основе конверсионных матриц и теории циклически стационарных шумов.

5. Математические модели и результаты теоретического анализа нелинейного взаимодействия сосредоточенной помехи с собственными и внешними шумами транзисторных СВЧ усилителей.

6. Совокупность теоретических и экспериментальных исследований влияния схемных параметров и режима работы по постоянному току перестраиваемых полосовых фильтров, СВЧ усилителей и смесителей, построенных на базе различных полупроводниковых элементов, на их многочастотные и шумовые характеристики.

Состояние исследуемой проблемы. В настоящее время из-за постоянно возрастающего количества радиосредств резко увеличивается загрузка радиодиапазона. Несмотря на то, что осваиваются новые сверхвысокочастотные диапазоны, возрастает также процесс использования уже освоенных диапазонов. При этом увеличивается и количество непреднамеренных электромагнитных помех [30, 31]. Поэтому даже при обычных условиях функционирования относительное изменение уровней полезных и помеховых сигналов на входе радиоприёмника может составлять 90-100дБ. А когда радиоэлектронное средство работает в условиях экстремальной электромагнитной

обстановки (ЭМО), изменение уровней может достигать 140-160дБ и более

15

[32]. В области военного применения проблема осложняется еще и тем, что противник может создавать помехи преднамеренно. Поэтому должна ещё более повышаться надежность радиоприемных устройств и их способность принимать сигнал при воздействии помех различных типов. Особое внимание проблемам электромагнитной совместимости также уделяется при разработке измерительных приемников, которые используются для целей радиоконтроля. Эти приёмники должны эффективно работать при более жёстких ограничениях, чем обычные связные приемники [33]. Так при идеальных условиях станциям радиоконтроля при наблюдении за состоянием радиочастотного спектра не должны мешать близко расположенные радиопередатчики, высоковольтные линии электропередачи, радиорелейные линии и т.д. Однако в реальных случаях эти условия не выполняются, и приемники для радиоконтроля работают в присутствии сильных помех. Таким образом, усложнение электромагнитной обстановки требует повышенного внимания к восприимчивости к помехам радиоприёмных устройств [34, 35]. Любое радиоэлектронное средство нельзя считать качественным, если при наличии помех даже допустимого уровня оно перестаёт выполнять свое назначение. Поэтому приёмное устройство не удовлетворяет требованиям электромагнитной совместимости, то остальные показатели качества работы теряют своё значение, так как это устройство не сможет обеспечить прием полезного сигнала.

Решение проблемы обеспечения ЭМС РЭС должно осуществляться на основе системного подхода, когда ещё на стадии разработки устройства целенаправленно закладывается его свойство работать совместно с другими средствами. Причём это относится как к отдельным элементам радиотракта, так и к радиоаппаратуре в целом. В области исследования приёмных систем существуют монографии [23, 30, 36, 37], которые определяют пути совершенствования приёмного тракта. Достаточно большое число работ посвящено отдельному исследованию входных цепей [38, 39], так как они являются

наиболее уязвимой частью при воздействии мощных помех. Основными не-

16

линейными устройствами входного тракта являются СВЧ усилители и смесители. Исследование нелинейных многочастотных эффектов в них является важной задачей, так как помехозащищённость приёмника в целом зависит от их характеристик электромагнитной совместимости.

Во входных приёмниках СВЧ диапазона широко используются малошу-мящие усилители, которые конструктивно выполнены в виде отдельных функциональных блоков и имеют свой набор параметров и характеристик [40, 41], аналогично тому, который имеет приёмное устройство [42]. В настоящее время в качестве малошумящих усилителей в СВЧ диапазоне получили наибольшее распространение транзисторные усилители, в частности усилители на гетероструктурных полевых транзисторах и биполярных транзисторах с гетеропереходом. Они обладают достаточно высоким коэффициентом усиления и низким коэффициентом шума как в сантиметровом, так и в миллиметровом диапазонах. В последние годы появилось значительное число публикаций [43-48], которые посвящены различным аспектам функционирования СВЧ усилителей на современных транзисторах в нелинейных режимах работы. Однако исследованию их ЭМС характеристик уделено недостаточное внимание. Из других типов твердотельных усилителей там, где необходимо получить высокую чувствительность, используются параметрические усилители.

Одним из основных устройств входных цепей СВЧ приёмного тракта являются преобразователи частоты или смесители, которые в настоящее время строятся на основе различных полупроводниковых элементов. Прогресс в области телекоммуникационных систем увеличивает требования и к смесителям. Особенно это касается таких параметров как рабочая частота, ширина полосы пропускания, коэффициенты преобразования и шума, динамический диапазон по различным нелинейным эффектам [49, 50]. Преобразователь частоты обычно является последним устройством в аналоговой части приемной системы, поэтому его линейность является доминирующей при определении

динамического диапазона приемника. Однако нелинейные эффекты внутрен-

17

не присущи смесителю, так как его задача осуществлять преобразование частоты. Нелинейные многочастотные взаимодействия в смесителях являются достаточно сложными для анализа, так как на его выходе, кроме полезной составляющей, возникает большое количество продуктов на комбинационных частотах, взаимный уровень которых зависит как от схемы устройства, так и от количества входных сигналов, их амплитуд и соотношения частот.

На сегодняшний день в большинстве публикаций рассматриваются общие принципы построения смесителей, их моделирование и расчёт параметров. Так в работах [5, 13, 51] исследуются вопросы схемотехнического построения смесителей на основе гетероструктурных приборов, приводится сравнительный анализ разных типов смесителей. В статьях [6, 8, 14, 15] обсуждаются аспекты разработки и анализа широкополосных активных смесителей на основе биполярных транзисторов для различных современных полупроводниковых структур. В работах [52-59] анализируются проблемы, которые возникают в смесителях, работающих при отсечке или в ключевом режиме, то есть в режиме существенной нелинейности. При этом проводится анализ экспериментально полученных интермодуляционных продуктов. Таким образом, различного рода задачи нелинейных многочастотных взаимодействий, возникающих в смесителях на основе различных полупроводниковых структур, требуют дополнительных исследований.

Для расчёта многочастотных характеристик СВЧ усилителей и смесителей в настоящее время наиболее часто используется либо метод гармонического баланса [60, 61], либо метод стационарных и нестационарных рядов Вольтерры [62-65]. Анализ с помощью метода гармонического баланса позволяет достаточно" корректно исследовать одночастотные характеристики СВЧ устройств в режиме существенной нелинейности. Однако при многочастотном воздействии расчёт данным методом усложняется и значительно увеличиваются вычислительные затраты, особенно при анализе интермодуляционных искажений. Метод рядов Вольтерры наиболее пригоден для анализа схем со слабой нелинейностью, то есть для расчёта многочастотных

18

взаимодействий до третьего порядка включительно. Данный метод обладает значительно большей точностью и скоростью в сравнении с методом гармонического баланса. Также его хорошо интегрировать в распространённые методы анализа линейных схем и конверсионных матриц [62].При этом он позволяет одновременно оптимизировать нелинейные эффекты и коэффициенты передачи и отражения. К тому же, разделяя прямые и повторные взаимодействия, метод рядов Вольтерры даёт возможность проанализировать вклад каждого нелинейного продукта в общий эффект. Поэтому этот метод можно считать оптимальным для анализа многочастотных взаимодействий в устройствах с несущественной нелинейностью.

Однако для работы данного метода, необходимы соответствующие функциональные зависимости для характеристик полупроводниковых элементов, в частности транзисторов и диодов, которые будут адекватно описывать не только их ВАХ и ВКХ, но и зависимости их высших производных. В основном имеющиеся достаточно сложные модели биполярных транзисторов и диодов описывают их работу при больших входных воздействиях (в режиме существенной нелинейности) и не могут адекватно описать такие явления, как интермодуляция [25]. К тому же данные эмпирические зависимости содержат большое количество подбираемых параметров, за счёт чего снижается точность расчетов. Поэтому необходимо разработать эмпирические зависимости для нелинейных характеристик этих элементов, позволяющие описывать их работу в режимах с несущественной нелинейностью. В дальнейшем эти модели могут быть внедрены в некоторые САПР СВЧ устройств, например ADS, AWR [66, 67]. Что касается полевых транзисторов, то для них к настоящему времени разработано довольно большое количество эмпирических зависимостей для тока стока и заряда под затвором [6874] и некоторые из них пригодны для анализа слабо нелинейных эффектов [71-74]. Однако они не всегда адекватно описывают работу элемента при нулевом смещении на стоке, не учитывая к тому же двумерную зависимость

Заключение диссертации по теме «Радиофизика», Аверина, Лариса Ивановна

Заключение

Таким образом, в работе проведён комплекс теоретических и экспериментальных исследований, направленных на улучшение характеристик электромагнитной совместимости входных трактов приёмников СВЧ диапазона.

1. Предложены эмпирические зависимости для тока коллектора биполярного транзистора, в том числе и с гетеропереходом, и тока диода, имеющие непрерывные конечные высшие производные и позволяющие достоверно рассчитывать многочастотные характеристики устройств на их основе. Модифицирована эмпирическая зависимость для барьерного заряда путём введения сглаживающей функции, что позволяет адекватно описывать поведение ёмкости варикапа и её производных, как для отрицательных, так и для положительных смещений. Установлено, что для достоверного расчёта слабо нелинейных эффектов в устройствах на основе гетероструктурных полевых транзисторов в качестве эмпирических зависимостей для аппроксимации тока стока и заряда под затвором необходимо выбирать модели Angelov и Pedro. При определении параметров данных эмпирических соотношений в качестве дополнительного условия необходимо контролировать поведение высших производных нелинейной зависимости.

2. Рассмотрены и программно реализованы аналитические методы определения линейных параметров моделей полупроводниковых элементов из экспериментально измеренных S-параметров. Разработаны методики и выведены соотношения, позволяющие достоверно определять параметры модели Вольтерры полевого и биполярного транзисторов, а также диода при прямом и обратном смещении на основе нелинейных высокочастотных измерений. Проведенное моделирование реальных элементов и сравнительный анализ теоретических и экспериментальных многочастотных характеристик устройств на их основе доказали работоспособность рассмотренных и разработанных методик.

3. На основе метода нелинейных токов с использованием аппарата стационарных рядов Вольтерры построены математические модели, позволяю-

343

щие проанализировать нелинейные многочастотные взаимодействия третьего порядка во входных избирательных цепях и транзисторных СВЧ усилителях. При этом показано, что для достижения минимума интермодуляционного продукта в СВЧ усилителе на биполярном транзисторе необходимо применять оптимальное входное сопротивление и режим работы по постоянному току, рассчитанные с помощью выведенных соотношений.

4. Разработанные способы уменьшения интермодуляционных искажений в перестраиваемых полосовых фильтрах путем выбора оптимального диапазона изменения управляющего напряжения, а также с помощью последовательного соединения нескольких пар варикапов и с использованием диодов в цепях управляющих напряжений позволили улучшить многочастотные характеристики фильтров на 20-25дБ. Показано, что за счёт выбора режима работы по постоянному току и входного импеданса транзисторных СВЧ усилителей можно расширить их динамический диапазон по интермодуляции на 45дБ.

5. На основе метода нелинейных токов с использованием аппарата конверсионных матриц и нестационарных рядов Вольтерры построены математические модели, позволяют проанализировать формирование нелинейных многочастотных продуктов третьего порядка в СВЧ параметрических усилителях и смесителях, показав вклад как прямых, так и повторных нелинейных взаимодействий в формирование многочастотного эффекта в целом. Также доказано, что для получения количественно и качественно более точного результата при расчёте многочастотных взаимодействий в резистивном смесителе необходимо раскладывать нелинейную зависимость тока стока транзистора в двумерный ряд Тейлора.

6. Установлено, что путём подбора амплитуды накачки (или напряжения смещения на варикапе) при заданном напряжении смещения (или амплитуде накачки) можно расширить динамический диапазон полупроводникового параметрического усилителя на 3-4дБ. Показано, что для трёх типов смесителей - диодного балансного, пассивного на полевом транзисторе и активного

344

на биполярном транзисторе с гетеропереходом - за счёт выбора режима работы по постоянному току и уровня подаваемого гетеродина можно улучшить их многочастотные нелинейные характеристики на 5-12дБ.

7. Выведенные соотношения для интермодуляционных продуктов, образующихся во входном радиоприёмном тракте усилитель-смеситель, позволяют найти условия для их минимизации. С помощью компьютерного и натурного экспериментов показана возможность компенсации интермодуляционных составляющих в тракте малошумящий усилитель - двойной балансный диодный смеситель за счёт выбора оптимального коэффициента усиления МШУ и уровня гетеродина смесителя. При этом возможное уменьшение интермодуляционного продукта третьего порядка на выходе тракта составляет порядка 20-26 дБ.

8. Синтезированы шумовые модели диода, полевого и биполярного транзисторов, позволяющие рассчитывать шумовые характеристики различных СВЧ полупроводниковых устройств как в линейном, так и в нелинейном режимах. Установлено, что при расчёте коэффициента шума усилителя на полевом транзисторе в СВЧ диапазоне необходимо учитывать индуцированные шумы затвора, а также их корреляцию с шумами канала. Также доказано, что при расчёте коэффициента шума усилителя на биполярном транзисторе в СВЧ диапазоне необходимо учитывать корреляцию источников дробового шума в цепи базы и коллектора. При этом показано, что коэффициент корреляции является частотно зависимой величиной и увеличивается с ростом частоты.

9. Разработана методика и выведены основные соотношения на основе конверсионных матриц и теории циклически стационарных шумов, позволяющие рассчитывать коэффициента шума параметрических полупроводниковых СВЧ устройств с учётом корреляции источников собственных шумов.

10. Проведено исследование влияния различных параметров СВЧ устройств на их шумовые параметры и коэффициент шума, что позволяет указать пути оптимизации их передаточных и шумовых характеристик.

11. Разработана методика анализа нелинейного взаимодействия мощной гармонической помехи с собственным шумом транзисторного СВЧ усилителя и выведены соотношения, позволяющие рассчитывать шумовые характеристики устройства в нелинейном режиме. В результате анализа установлено, что составляющие собственного шума как в усилителях на полевых, так и на биполярных транзисторах, образованные различными шумовыми источниками, под действием интенсивной помехи изменяются различным образом, причём отличным от изменения мощности сигнала. Данные результаты могут быть использованы для расчёта чувствительности приёмника при наличии интенсивных помех.

12. Показано, что при изменении режима работы СВЧ усилителя по постоянному току изменяются не только коэффициенты подавления различных источников собственных шумов, но и их весовые коэффициенты. Всё это приводит к изменению двухсигнального коэффициента шума устройства.

Итогом диссертационной работы явилось решение достаточно крупной научной проблемы радиофизики и электроники СВЧ, связанной с разработкой методов комплексного моделирования, теоретического и экспериментального исследования входных трактов приёмников СВЧ диапазона, с точки зрения электромагнитной совместимости. Выполнение основной цели потребовало решения сопутствующих задач, имеющих самостоятельное значение. Материалы диссертации активно используются в учебном и научном процессе кафедры электроники ВГУ, где и выполнена данная диссертация, а также в ряде серийно выпускаемых в «ОАО Концерн «Созвездие» приёмовозбуди-телей с цифровой обработкой сигналов. Она явилась обобщением работ автора, выполненных в период с 1990 по 2013 гг.

В заключении хочу выразить глубокую благодарность научному коллективу сотрудников кафедры электроники, с которым мне посчастливилось работать все эти годы. Благодарю Бобрешова A.M., Алгазинова Э.К., Мымри-

кову H.H., Нестеренко Ю.Н., Сбитнева Ю.П., Ускова Г.К., Хрипушина A.B., Тагиева A.B., Шутова В.Д. за постоянное участие в проведении научных исследований в области электромагнитной совместимости входных устройств СВЧ приёмника, частью которых явилась данная диссертация.

Выражаю глубокую признательность сотрудникам ОАО «Концерн «Созвездие» Королькову М.А., Исаеву A.B., Шапошниковой Ж.В. за поддержку научных исследований, создание образцов полупроводниковых входных устройств и проведение экспериментальных измерений.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Аверина, Лариса Ивановна, 2013 год

Библиографический список использованной литературы

1. Владимиров В.И. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и систем / В.И. Владимиров, A. JI. Докторов, Ф. В. Елизаров. -М.: Радио и связь, 1985. - 272с.

2. Петровский В.И. ЭМС радиоэлектронных средств / В. И. Петровский, Ю. Е. Седельников. - М.: Радио и связь, 1986. - 216с.

3. Бабанов Ю.Н. Проблема взаимных помех при совместной работе радиосистем: Учебн.пособие / Ю. Н. Бабанов, А. В. Силин. - ГГУД975.

4. Белов JI.A. Преобразователи частоты / JI.A. Белов // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, технология, бизнес. - 2004. - №2. - С.44-50.

5. Deng K.L. Broad-band monolithic GaAs-based HEMT diode mixers / K. L. Deng, et al. // Asia-Pacific Microwave Conference. - 2000. - pp.1135 -1138.

6. Osafune K. 20-GHz 5-dB-gain analog multipliers with AlGaAs/GaAs HBT's / K. Osafune K., Y. Yamauchi // IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. -1994. - Vol. 42, No. 3, pp. 518-520.

7. Brone J. Wideband Mixers Hit High Intercept Points / J. Brone // Micro-wPuiave & RF Journal. -2005. - No. 9. - pp.98-104.

8. Kobayashi K. A DC-20 GHz InP HBT balanced analog multiplier for highdata-rate direct-digital modulation and fiber-optic receiver applications / K. Kobayashi, et al. // IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. - 2000. - Vol. 48, No. 2, pp. 194-202.

9. Higashisaka A. 20-Ghz band monolithic GaAs FET low-noise amplifier / A. Higashisaka, T. Mizuda // IEEE IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. Vol. 29.- 1981.-No. l.-pp. 1-6.

10. Watkins E.T. A 60 Ghz GaAs FET Amplifier / E.T. Watkins et el. // MTT-S Digest. - 1982,-p.145-147.

11. Ohata K. 6 to 18 Ghz GaAs FET amplifier with 3 dB noise figure // Microwave J., Vol.31. - 1988.-No. 1. - p. 172-174.

12. Белкин M.E. Особенности построения резистивных смесителей диапазона крайне высоких частот / М.Е. Белкин, Л.М. Белкин // Электронная техника. Серия Полупроводниковые приборы. - 2010. - №1, С.98-104.

13. Hwang Y. А 78-114 GHz monolithic subharmonically pumped GaAs-based HEMT diode mixer / Y. Hwang, et al. // IEEE Microwave and Wireless Components Letters. - 2002. - V. 12, No.6, pp.209-211.

14.

15.

16,

17,

18,

19,

20,

21,

22,

23,

24

25

26

27

28

Tom К. J. Analysis and Design of Wide-Band SiGe HBT Active Mixers / K.J. Tom, V. Krozer // IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. - 2005. -Vol.53, No.7, pp.2389-2397.

Glenn J. 12 GHz Gilbert mixers using a manufacturable Si/SiGe epitaxial-base bipolar technology / J. Glenn, et al. // IEEE Bipolor/BiCMOS Circuit Tech. Meeting. - 1995. - pp. 186-189.

Хотунцев Ю.Л. Полупроводниковые СВЧ устройства: Анализ и синтез / Ю.Л. Хотунцев. - М.: Связь, 1978. - 256с.

Волков Е.А. Нелинейные характеристики электрических устройств: Методы расчёта / Е.А. Волков. - М.: УМК МПС России, 2000. - 239с. Богданович Б.М. Нелинейные искажения в приёмно-усилительных устройствах / Б.М. Богданович. - М.: Связь, 1980. - 280с. Maas S. Nonlinear Microwave and RF Circuits / S. Maas // Artech House, Norwood, MA. - 2003. - 582p.

Pedro J.C. Intermodulation Distortion in Microwave and Wireless Circuits / J.C. Pedro, N.B. Carvalho // Artech House, Norwood, MA. - 2003. - 432p. Голубев B.H. Эффективная избирательность радиоприёмных устройств /

B.Н. Голубев. - М.: Радио и связь, 1978. - 240с.

Алмазов-Долженко К.И. Коэффициент шума и его измерение на СВЧ / К.И. Алмазов-Долженко. - М.: Научный мир, 2000. - 240с. Голубев В.Н. Оптимизация главного тракта приёма радиоприёмного устройства / В.Н. Голубев. - М.: Радио и связь, 1982. - 144с. Белоусов А.П. Коэффициент шума / А.П. Белоусов, Ю.А. Каменецкий. -М.: Радио и связь, 1981. - 112с.

Gummel Н.К. An integrated charge control model of bipolar transistors / H. K. Gummel, H.C. Poon // Bell Syst. Tech. J. - 1970. - Vol.49, pp.827-850. McAndrew C. VBIC95: An improved vertical, 1С bipolar transistor model /

C. McAndrew // in Proceeding of the 1995 BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Minneapolis. - 1995. - pp. 170-177.

Stubing H. A compact physical large-signal model for high-speed bipolar transistors at high current densities - part I: one-dimensional model / H. Stubing, H.M. Rein // IEEE Trans. Electron Devices. - 1987. - Vol.34, pp. 17411751.

Rein H.M. A compact physical large-signal model for high-speed bipolar transistors at high current densities - part II: two-dimensional model and ex-

perimental results / H.M. Rein, M. Schroter // IEEE Trans. Electron Devices. - 1987.-Vol.34, pp. 1752-1761.

29. De Graaff H.C. New formulation of the current and charge relation in bipolar transistor modeling for CACD purposes / H.C. De Graaff, W.J. Kloosterman // IEEE Trans. Electron Devices. - 1985. - Vol.32, pp.2415-2419.

30. Князев А.Д. Элементы теории и практики обеспечения электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств / А.Д. Князев. - М.: Радио и связь, 1984. - 336с.

31. Калашников Н.И. Основы расчёта электромагнитной совместимости систем связи через ИСЗ / Н. И. Калашников. - М.: Связь, 1970. -160с.

32. Богданович Б.М. Радиоприёмные устройства с большим динамическим диапазоном / Б.М. Богданович. -М.: Радио и связь, 1984. - 176с.

33. Зубарев Ю.Б. Стандартизация функциональных и технических характеристик оборудования радиоконтроля / Ю.Б.Зубарев и др. // Электросвязь. -1999. - №9.-С.5-9.

34. Челышев В.Д. Приемные радиоцентры: Основы теории и расчета высокочастотных трактов. / В.Д. Челышев - М.: Связь, 1975. - 264 с.

35. Бобков A.M. Реальная избирательность радиоприёмных трактов в сложной помеховой обстановке / A.M. Бобков. - Санкт-Петербург: Из-во ЛЭТИ, 2001. -216с.

36. Грибов Э.Б. Нелинейные явления в приёмопередающем тракте аппаратуры связи на транзисторах / Э. Б. Грибов. - М.: Связь, 1971. - 264с.

37. Палшков В. В. Оптимальные высокочастотные тракты радиоприёмников / В.В. Палшков. -М.: Радио и связь, 1981. - 144с.

38. Бокк О.Ф. Входной тракт радиоприёмных устройств / О.Ф. Бокк, Э.Н. Родионов, В.П. Чернолихова. - Воронеж: «Концерн «Созвездие», 2010. -178с.

39. Борисов В.И. Оценка избирательности современных приёмных устройств при одном мешающем сигнале на входе / В.И. Борисов // Радиотехника, Т.36. - 1981. -№8. -с.85-90.

40. Алгазинов Э.К. Входные усилители СВЧ в свете требований электромагнитной совместимости / Э. К. Алгазинов, В.И. Мноян // Радиотехника,- 1985,- № 8,- С.3-13.

41. Отраслевой стандарт РМ 11.332.517-83. - М.: Базовый отдел стандартизации. - 1983. - 39с.

42. ГОСТ 23611-79. Совместимость радиоэлектронных средств электромагнитная. Термины и определения.

43. Geddada Н.М. Robust derivative superposition method for linearising broadband LNAs / H.M. Geddada, J.W. Park, J. Silva-Martinez // Electronics Letters, Vol.45. - 2009. - No.9. - pp.435-438.

44. Thorsell M. Extending the best linear approximation to characterize the nonlinear distortion in GaN HEMTs / M. Thorsell, K. Andersson, G. Pailloncy // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Vol.59. - 2011. - No. 12. - pp.3087-3094.

45. Srinidhi E.R. Volterra-series-based distortion analysis for optimization of out-of-band terminations in GaN HEMT devices / E.R. Srinidhi, R. Ma, G. Kompa // IEEE Electron Device Letters, Vol.29. - 2008. - No.l. - pp.24-27.

46. Guillot F. Analysis of the intermodulation distortion and nonlinearity of common-base SiGeC HBTs / F. Guillot, P. Garcia, M. Mouis // IEEE Intern. Conference on Electronics, Circuits and Systems. - 2006. - pp.664-667.

47. Park Y. The analysis of UWB HBT LNA for its noise, linearity, and minimum group delay variation / Y. Park, C.H. Lee, J.D. Cressler // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Vol.54. - 2006. - No.4. - pp. 16871697.

48. Ranjan M. Distortion analysis of ultra-wideband OFDM receiver front-ends / M. Ranjan, L.E. Larson // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Vol.54. - 2006. - No. 12. - pp.4422-4431.

49. Brone J. Wideband Mixers Hit High Intercept Points / J. Brone // Microwave & RF Journal. -2005. - No. 9, pp.98-104.

50. Lei M.F. Design and analysis of miniature W-band MMIC subharmonically pumped resistive mixer/ M.F. Lei et al. // IEEE MTT-s Int. Microwave Symp. -2004. - Vol.1 - pp.235-238.

51. Belkin M. E., Belkin L. M. Singularities of GaAs Microwave High Electron Mobility Transistor (HEMT) Modeling in Passive Regime / M.E.Belkin, L.M. Belkin // Fifth International Conference ICFM-2009 Digests, Crimea, Parten-it, Oct. 5-10, 2009, pp.108-112.

52. Rohde U.L. Key Components of Modern Receiver Design / U. L. Rohde // QST, May 1994, pp.29-31 (pt. 1), June 1994, pp. 27-31 (pt. 2), Julyl994, pp. 42-45 (pt. 3).

53. Barrie G. The Micromixer: A Highly Linear Variant of the Gilbert Mixer Using a Bisymmetric Class-AB Input Stage / G.Barrie // IEEE Journal of Solid-

State Circuits. - 1997. - Vol.32, No.9 - pp.1412-1423.

54. Kim Y. Linearized mixer using predistortion technique / Kim Y., Lee S. // IEEE Microwave Wireless Component Letter. - June 2002. - Vol.12 - pp.204205.

55. Johansen T. Analysis and Design of Wide-Band SiGe HBT Active Mixers / T. Johansen at al. // IEEE Trans. Microwave Theory Techn. - 2005. - Vol.53, No.7-pp.23 89-2396.

56. Au-Yeung C. IMD Reduction in CMOS Double-Balanced Mixer Using Multibias Dual-Gate Transistors / C. Au-Yeung, K. Cheng // IEEE Trans. Microwave Theory Techn. - 2006. - Vol.54, No.l - pp.4-9.

57. Otaka S. A +10-dBm IIP3 SiGe Mixer with IM3 Cancellation Technique / S. Otaka at al. // IEEE Journal of Solid-State Circuits. - 2004. - Vol.39, No.l2 -pp.2333-2341.

58. Kim J. Intermodulation Analysis of Dual-Gate FET Mixers / J. Kim, Y. Kwon // IEEE Trans. Microwave Theory Techn. - 2002. - Vol.50, No. - pp. 15441555.

59. Terrovitis M.T. Intermodulation Distortion in Current-Commutating CMOS Mixers / M.T. Terrovitis, R.G. Meyer // IEEE Journal of Solid-State Circuits. -2000.-Vol.35, No. 10-pp. 1461-1473.

60. Гупта К. Машинное проектирование СВЧ-устройств / К. Гупта, Р. Кардж, Р. Чадха. Пер. с англ. - М.: Радио и связь, 1987. - 432с.

61. Влах И. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем. Пер. с англ. - М.: Радио и связь, 1988. - 560с.

62. Maas S. Microwave Mixers / S. Maas // Artech House, Norwood, MA. -1993.-375p.

63. Garsia J.A. Time-Varying Volterra-Series Analysis of Spectral Regrowth and Noise Power Ratio in FET Mixers / J.A. Garcia at al. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. - 2001. - Vol.49, No.3 - pp.545-549.

64. Yuan T. Distortion Analysis of Periodically Switched Nonlinear Circuits Using Time-varying Volterra Series / T. Yuan, A. Opal // IEEE Trans. Circuits and Systems. - 2001. - Vol.48, No.6 - pp.726-738.

65. Theodoratos G. Calculating Distortion in Active CMOS Mixers Using Volterra Series / G. Theodoratos at al. // IEEE International Symposium: Circuits and Systems, 11 September, 2006. - pp.3-7.

66. ADS 2009: Using Circuit Simulators / Agilent Technologies, Stevens Creek Blvd., Santa Clara. - 2009. - 273p.

67. Разевиг В.Д. Проектирование СВЧ-устройств с помощью Microwave Office / В.Д. Разевиг, Ю.В. Потапов, А.А. Курушин. - 2003. - М.: COJTOH-пресс. - 492с.

68. Curtice W.R. A nonlinear GaAs FET model for use in the design of output circuits for power amplifier / W.R. Curtice, M. Ettenberg // IEEE Trans. On Microwave Theory and Tech., Vol. MTT-33. - 1985. -No.12 -p.1383-1394.

69. Materka A. Computer calculation of large-signal GaAs FET amplifier characteristics / A. Materka, T. Kacprzak // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techn., Vol. MTT-33. - 1985. -No.2 - p. 129-135.

70. Statz H. GaAs FET Device and Circuit Simulation in SPICE / H. Statz, P. Newman, I. W. Smith, R.A. Pucel, H.A. Haus // IEEE Trans. On Electron Devices, Vol. ED-34. - 1987. - No.2 - p. 160-169.

71. Maas S.A. Modeling MESFET's for intermodulation analysis of mixers and amplifiers / S.A. Maas, D. Neilson // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techn, Vol. 38. - 1990. -No.12. - p.1964-1971.

72. Parker A.E. A Realistic large-signal MESFET model for SPICE / A.E. Parker, D.J. Skellern // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techn, Vol. 45. -1997. -No.9. -p.1563-1571.

73. Angelov I. A new empirical nonlinear model for HEMT and MESFET devices / I. Angelov, H. Zirath, N. Rorsman // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 40. - 1992. - No. 12. - P.2258-2266.

74. Cabral P.M. Nonlinear Device Model of Microwave Power GaN HEMTs for High Power-Amplifier Design / P.M. Cabral, J.C. Pedro, N.B.Carvalho // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 52. - 2004. - No. 11. -P.2585-2592.

75. Dambrine G. A New Method for Determining the FET Small-Signal Equivalent Circuit / G. Dambrine, A. Cappy, F. Heliodore, E.Playez // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 36. - 1988. - No. 7. - P.l 151-1159.

76. Berroth M. High frequency equivalent circuit of GaAs FET's for large signal applications / M. Berroth, R. Bosch // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 39. - 1991. - No. 2. - P.224-229.

77. Berroth M. Broad-band determination of FET small-signal equivalent circuit / M. Berroth,. R. Bosch // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 38,- 1990.-No. 7. - P.891-895.

78. Bousnina S. Direct parameter-extraction method for HBT small-signal model / S. Bousnina et all // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 50. -2002. -No.2.-P.529-536.

79. Degachi L. Systematic and rigorous extraction method of HBT small-signal model parameters / L. Degachi, F. M. Ghannouchi // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 55. - 2006. - No.2. - P.682-688.

80. Oudir A. Direct extraction method of HBT equivalent-circuit elements relying exclusively on S-parameters measured at normal bias conditions / A. Oudir, M. Mahdouani, R. Bourguiga // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 59.-2011. - No.8. - P. 1973-1982.

81. Коколов А.А. Методика построения малосигнальной модели СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов / А.А. Коколов, Л.И. Бабак // Доклады ТУСУРа, часть 2. - 2010. - №2. - с. 153-156.

82. Shirakawa К. An approach to determining an equivalent circuit for HEMT's / K. Shirakawa et al. // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 43. - 1995. - No.3. - P.499-503.

83. Ban L.O. Analytical extraction of extrinsic and intrinsic FET parameters / L.O. Ban, Z. Zhong, L. Mook-Seng // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 57. - 2009. - No.5. - P.254-261.

84. Trew R.J. A parameter extraction technique for heterojunction bipolar transistor / R.J. Trew, U.K. Mishra, W.L. Pribble // Proc. IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, Long Beach, CA. - 1989. - p.897-900.

85. Taher H. Extraction of small-signal equivalent circuit model parameters for Si/SiGe HBT using S-parameters measurements and one geometrical information / H. Taher, D. Schreurs, B. Nauwelaers // Int. J. Electron. Commun. -2006. - p.567-572.

86. Sotoodeh M. Stepping toward standard methods of small-signal parameter extraction for HBT's / M. Sotoodeh et al. // IEEE Trans. On Electron Devices, Vol.47. - 2000. - No.6. - p. 1139-1150.

87. Букингем M. Шумы в электронных приборах и системах / М.Букингем, пер. с англ. под ред. В.Н.Губанкова - М.: Мир, 1986. - 398с.

88. Ко W. Analytical Analysis of Noise Figures in FET Resistive Mixers / W. Ко, Y. Kwon // Electronics Letters. - 1999. - Vol.35, No. 14 - pp.1169-1170.

89. Xavier B. The Measured and Predicted Noise Figure GaAs Heteroj unction Bipolar Transistor Mixer/ B. Xavier, C. Aitchison // IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, 8-11 June, 1997. - pp. 135-138.

90. Rizzoli V. Computer Aided Noise Analysis of MESFET and HEMT Mixers/ V. Rizzoli, F. Mastri, C. Cecchetti // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. -1989. - Vol.37, No.9 -pp.1401-1410.

91. Geens A. Noise figure measurements on nonlinear devices / A. Geens, Y. Ro-lain // IEEE Trans. On Instrumentation and Measurement, Vol.50. - 2001. -No.4. -pp.971-975.

92. Lavrador P.M. Evaluation of Signal-to-Noise and distortion ratio degradation in nonlinear systems / P.M. Lavrador, N.B. Carvalho, J.C. Pedro // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Vol.52. - 2004. - No.3. -pp.813-822.

93. Escotte L. Noise behavior of microwave amplifiers operating under nonlinear conditions / L. Escotte et al. // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Vol.52. - 2005. - No. 12. - pp.3704-3711.

94. Бокк О.Ф. Коэффициент шума транзисторного каскада при воздействии большого сигнала / О.Ф. Бокк // Радиотехника, т.35. - 1980. - №5. — с. 1215.

95. Lee S. The influence of transistor nonlinearities on noise properties / S. Lee, K.J. Webb // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Vol.53. -2005.-No.4. -pp.1314-1320.

96. Kondoh H. An accurate FET Modelling from measured S-parameters/ H. Kondoh // IEEE MTT-S Int. Microwave Symposium Digest, New York. -1986,- pp.377-380.

97. Jastrzebski A.K. Non-linear MESFET Modelling / A.K. Jastrzebski // 17th Eur. Microwave Conf., Rome: Conf. Proc. - Tunbeidge Wells. - 1987. -pp.599-604.

98. Miller J.E. Investigation of GaAs MESFET Small-signal Equivalent circuits for use in a Cell Library / J.E. Miller // 19th Eur. Microwave Conf., London, 4-7 Sept.: Conf. Proc.- Tunbeidge Wells. - 1989. - pp.991-996.

99. Platzker A. Large-signal GaAs FET Amplifier CAD Program / A. Platzker, Y. Tajima // IEEE MTT-S Int. Microwave Symposium Digest - 1982. - pp.450452.

100. Willing A.H. A Technique for Predicting Large-Signal Performance of a GaAs MESFET / A.H. Willing, C. Rausher, P. Santis // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. - 1978,-Vol.26.-No. 12.-p. 1017- 1023.

101. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления / Пер. с англ., Под ред. Д.В.Ди Лоренцо, Д.Д. Канделу-ола. - М.: Радио и связь, 1988.- 496с.

102. Ван дер Зил А. Шум. Источники. Описание. Измерение / Пер. с англ., Под ред. А.К. Нарышкина. - М.: Сов.радио. - 1973. - 225с.

103. Pucel R. Signal and Noise Properties of GaAs Microwave Field-effect Transistors / R. Pucel, H. Haus, H. Statz // Advances in Electronics and Electron Physics. - 1975,- Vol.38. - pp. 195-265.

104. Rhyne G.W. Generalized power series analysis of intermodulation distortion in a MESFET amplifier: simulation and experiment / G.W. Rhyne, M.B. Steer // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. - 1987. - Vol.35, No. 12. -pp.1248-1255.

105. Law C.L. Prediction of wideband power performance of MESFET devices using the Volterra series representation / C.L. Law, C.S. Aitchison // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, New York. - 1986,- pp.487-489.

106. Шварц Н.З. Усилители СВЧ на полевых транзисторах / Н.З. Шварц - М.: Радио и связь, 1987. - 200с.

107. Емцев П.А. Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов / П.А. Емцев // Функциональная микроэлектроника. - 2003. -№6 - С.20-26.

108. Коколов А.А. Обзор математических моделей СВЧ полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов / А.А. Коколов, Ф.И. Шеерман, Л.И. Бабак // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. - 2010. - №2 (22), часть 1. - с. 118-123.

109. Maas S. Fixing the Curtice FET model / S. Maas // Microwave Journal. -2002,- March -P.5-8.

110. Kacprzak T. Compact dc model of GaAs FET's for large-signal computer calculation / T. Kacprzak, A. Materka // IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. SC-18.- 1983.-No.2-p.211-213.

111. McCamant A.J. An improved GaAs MESFET model for SPICE / A.J. McCamant, G.D. McCormack, D.H. Smith // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techn, Vol. 38. - 1990. - No.6 - p.822-824.

112. Angelov I. Extensions of the Chalmers Nonlinear HEMT and MESFET Model /1. Angelov, L. Bengtsson, M. Garcia // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 44. - 1996. - No. 10. - P.1664-1673.

113. Garcia J.A. Characterizing the Gate-to-Source Nonlinear Capacitor Role on GaAs FET IMD Performance / J. A. Garcia et al. // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 46. - 1998. - No. 12. - P.2344-2355.

114. Scheinberg N. An accurate MESFET model for linear and microwave circuit design / N. Scheinberg, R.J. Bayruns, P.W. Wallace, R.Goyal // IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 24. - 1989. - No. 12. - P.532-539.

115. Scheinberg N. A capacitance model for GaAs MESFET's / N. Scheinberg, E.Chisholm // IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 26. - 1991. - No. 10. - P.1467-1470.

116. Curtice W.R. A MESFET model for use in the design of GaAS integrated circuits / W.R. Curtice // IEEE Trans. On Microwave Theory and Tech., Vol. MTT-28. - 1980. - No.5 -p.448-456.

117. Rodriguez-Tellez J. Improved junction capacitance model for the GaAs MESFET / J. Rodriguez-Tellez, K. Mezher, M. Al-Daas // IEEE Trans. On Electron Devices, Vol. 40. - 1993. - No. 11 - p.2083-2085.

118. Rodriguez-Tellez J. Computationally efficient and accurate capacitance model for the GaAs MESFET for microwave nonlinear circuit design / J. Rodri-guez-Tellez, K. Mezher, M. Al-Daas // IEEE Trans. On Computer-Aided Design of Integ. Circuits and Systems, Vol. 13. - 1994. - No. 12 - p. 1489-1497.

119. Garcia J.A. Accurate Nonlinear Resistive FET Modeling for IMD Calculations / J.A. Garcia et al. // 28th European Mocrowave Conference Proc., Amsterdam. - 1998. - pp.763-766.

120. Yhland K. A Symmetrical Nonlinear HFET/MESFET Model Suitable for Intermodulation Analysis of Amplifiers and Resistive Mixers / K.Yhland // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. - 2000. - Vol.48, No.l. - pp. 1522.

121. Garcia J.A. Resistive FET Mixer Conversion Loss and IMD Optimization by Selective Drain Bias / J.A.Garcia, J.C.Pedro // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. - 1999. - Vol.47, No. 12. - pp.2382 - 2392.

122. Virk R.S. Modeling MESFETs for Intermodulation Analysis of Resistive FET Mixers/ R.S.Virk, S.A. Maas // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest. -1995. -pp.1247-1250.

123. Teeter D. Comparison of hybrid Pi and Tee HBT circuit topologies and their relationship to large signal modeling / D.Teeter, W.Curtice // IEEE MTT-S Digest. - 1997,-p.375-378.

124. Kim W. The effects of Cbc on the linearity of AlGaAs/GaAs power HBTs / W. Kim, et al. // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques.

- 2001. - Vol.49. - №7. - p.1270 - 1276.

125.Joonwoo Lee. Intermodulation mechanism and linearization of AlGaAs/GaAs HBT's / Joonwoo Lee at al // IEEE transactions on microwave theory and techniques. - 1997. - vol.45/ - №12. - p. 2065 - 2072.

126. Li J.C. Predictive modeling of InGaP/GaAs HBT noise parameters from DC and S-parameter data for wireless power amplifier design / J. C. Li, P. J. Zampardi and V. Pho // International conference on compound semiconductor.-2003.

127. Kim W. Analysis of nonlinear behavior of power HBTs / W. Kim, et al. // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. - 2002. - Vol.50.

- №7. - p. 1714- 1722.

128. De Graaff H.C. Experience with the new compact MEXTRAM model for bipolar transistors / H.C. de Graaff, W.J. Kloosterman, J.A. Geelen, A.M. Kool-en // in Proc. IEEE Bipolar Circuits Technol. Meeting. - 1989. - p.70-73.

129. De Graaff H.C. Modeling of the collector epilayer of bipolar transistor in the MEXTRAM model / H.C. de Graaff, W.J. Kloosterman // IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 42. - 1995. - No.2 - p.274-282.

130. De Vreede L. Advanced modeling of distortion effects in bipolar transistors using the MEXTRAM model / L. de Vreede // IEEE J. Solid-State Circuits, Vol. 31. - 1996. -No.l. -p.l 14-121.

131. Schroter M. Staying current with HICUM / M. Schroter // IEEE Circuits Devices Mag., Vol. 18. - 2002. -No.3. - p.16-25.

132. Stubing H. A compact physical large-signal model for high-speed bipolar transistors at high current densities - Part I: One-dimensional model / H. Stubing, H.-M. Rein // IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 34. - 1987. -No.8. -p.1741-1751.

133. Rein H.-M. A compact physical large-signal model for high-speed bipolar transistors at high current densities - Part II: Two-dimensional model and experimental results / H.-M. Rein, M. Schroter // IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 34,- 1987.-No.8.-p.1752-1761.

134. Mc Andrew C.C. VBIC95, the vertical bipolar intercompany model / C.C. Mc Andrew // IEEE J. Solid-State Circuits, Vol. 31. - 1996. - No.10. - p.1476-1483.

135. Anholt R. Electrical and Thermal characterization of MESFETs, HEMTs and HBTs / R. Anholt. - Artech House, Boston. - 1995.

136. Anholt R. HBT model extractor for SPICE and harmonic balance simulation / R. Anholt et al. // IEEE MTT-S Digest. - 1994. - p. 1257-1260.

137. HBT model equations [Online] http://hbt.ucsd.edu

138. Angelov I. An empirical HBT large signal model for CAD /1. Angelov, K. Choumei, A. Inoue // Int. J. RF and Microwave CAE, Vol.13 - 2003. - No.6. - p.518-533.

139. Angelov I. Modeling of multi-finger SiGe HBTs and the error metrics of the large signal model performances /1. Angelov et al.// Proc. Integrated Nonlinear Microwave and Millimeter-wave Circuits, Int. Workshop, Aveiro, Prtugal. -2006.- p.72-75.

140. Мовшович M.E. Полупроводниковые преобразователи частоты / M.E. Мовшович. - JI.: Энергия, 1974. - 336с.

141. Аверина Л. И. ЭМС характеристики СВЧ смесителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом/ Л. И. Аверина, И. С. Свиридов, Ж. В. Шапошникова // Сборник докладов 10-й Российской научно-технической конференции по электромагнитной совместимости технических средств и электромагнитной безопасности: ЭМС-2008. - СПб., 2008. - С. 295-298.

142. Antognetti P. Semiconductor Device Modeling with SPICE / P. Antognetti, G. Massobrio. - New York: McGraw-Hill, 1993. - 480p.

143. Poon H.C. Modeling of emitter capacitance / H.C. Poon, H.K. Gummel // Proc. IEEE, Vol. 57,- 1969.-No. 12. - p.2181-2182.

144. Liou J.J. Forward-voltage capacitance and thickness of p-n junction space charge regions / J.J. Liou, F.A. Lindholm, J.S. Park // IEEE Trans. Electron Dev., Vol. ED-34. - 1987. -No.7. - p.1571-1579.

145. Van Halen P. A new semiconductor junction diode space charge layer capacitance model / P. Van Halen // in Proc. IEEE BCTN. - 1988. - p. 168-171.

146. McAndrew C.C. A C-continuous depletion capacitance model / C.C. McAn-drew, B.K. Bhattacharyya, O. Wing // IEEE Trans. On Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, Vol. 12. - 1993. - No.6. -p.825-828.

147. Camacho-Penalosa C. Modelling Frequency Dependencies of Output Impedance of a Microwave MESFET at Low Frequencies / C. Camacho-Penalosa, C. Aitchinson // Electronic Letters. - 1985. - Vol.21, No.6 - pp.528-529.

148. Fernandez T. Extracting a Bias-dependent Large Signal MESFET Model from

359

Pulsed I/V Measurements / T. Fernandez, et al. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. - 1996. - Vol.44, No.3 - pp.372-378.

149. White P.M. Improved equivalent circuit for determination of MESFET and HEMT parasitic capacitances from 'coldFET' measurements / P.M. White, R. M. Healy // IEEE Microwave Guided Wave Lett., Vol.3. - 1993. - No.12. -P.453-454.

150. Pedro J.C. Accurate Simulation of GaAs MESFET's Intermodulation Distortion Using a New Drain-Source Current Model / J. C. Pedro, J. Perez // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 42. - 1994. - No.l. - P.25-33.

151. Garcia J.A. Characterizing the Gate-to-Source Nonlinear Capacitor Role on GaAs FET IMD Performance / J. A. Garcia et all // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 46. - 1998. - No.12. - P.2344-2355.

152. Costa D. Direct extraction of the AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors small-signal equivalent circuit / D. Costa, W.L. Liu, J.S. Harris // IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 38. - 1991. - No. 9. - P.2018-2024.

153. Lee S. A new parameter extraction technique small-signal equivalent circuit of polysilicon emitter bipolar transistors / S. Lee, B.R. Ryum, S.W. Kang // IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 41. - 1994. - No. 2. - P.233-238.

154. Li B. Basic expressions and approximations in small-signal parameter extraction for HBT's / B. Li, S. Parsad // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 47. - 1999. - No.5. - P.534-539.

155. Tseng H.C. A pure analytic method for direct extraction of collector-up HBTs small-signal parameters / H. C. Tseng, J. H. Chou // IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 51.-2004.-No. 12. - P.1972-1977.

156. Gobert Y. A physical, yet simple, small-signal equivalent circuit for the het-erojunction bipolar transistor / Y. Gobert, P. J. Tasker, K. H. Bachem // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 45. - 1997. - No.l. - P. 149-153.

157. Yang T. R. SiGe HBT's small-signal Pi modeling / T. R. Yang, M. L. Tsai, C. L. Ho, R. Hu // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., Vol. 55. -2007. - No.7. - P.1417-1424.

158. Degachi L. An augmented small-signal HBT model with its analytical based parameter extraction technique / L. Degachi, F. M. Ghannouchi // IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 55. - 2008. - No.4. - P.968-997.

159. Lee S. Parameter extraction technique for HBT equivalent circuit cutoff mode measurement / S. Lee, A. Gopinath // IEEE Trans. Microwave Theory and Tech., Vol. 40. - 1992. - No.3 -P.574-577.

160. Wei J. Direct extraction of equivalent circuit parameters for heterojunction bipolar transistor / C.-J. Wei, J. C. M. Huang // IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 43. - 1995. - No. 9. - P.2035-2039.

161. Norde H. A modified forward I-V plot for Schottky diodes with high series resistance / H. Norde // J. Appl. Phys., Vol. 50. - 1979. - No. 7. - P.5052-5053.

162. Missous M. New way of plotting current/voltage characteristics of Schottky diodes / M. Missous, E.H. Rhoderick // Electron. Lett., Vol. 22. - 1986. - No. 6. - P.477-478.

163. Lee T.C. A systematic approach to the measurement of ideality factor, series resistance and barrier height for Schottky diodes / T.C. Lee, S. Fung, C.D. Beling, H.L. Au // J. Appl. Phys., Vol. 72. - 1992. - No. 11. - P.4739-4742.

164. Cibils R.M. Forward I-V plot for nonideal Schottky diodes with high series resistance / R.M. Cibils, R.H. Buitrado // J. Appl. Phys., Vol. 58. - 1985. -No. 7. - P.1075-1077.

165. Cheung S.K. Extraction of Schottky diode parameters from forward current-voltage characteristics / S.K. Cheung, N.W. Cheung // J. Appl. Phys., Vol. 49.

- 1979. - No. 7. - P.85-87.

166. Gromov D. Modified method for the calculation of real Schottky-diode parameters / D. Gromov, V. Pugachevich // Appl. Phys. A, Solids Surf., Vol. 59.

- 1994.-No. 5,-P.331-333.

167. Werner J.H. Schottky barrier and pn-junction I/V plots - Small signal evaluation / J.H. Werner // Appl. Phys. A, Solids Surf, Vol. 47. - 1988. - No. 3. -P.291-300.

168. Steiner K. Capacitance-Voltage Measurements on Schottky diodes with Poor Ohmic Contacts / K. Steiner // IEEE Trans. On Instrum. And Measur, Vol. 42,- 1993. - No. 1. -P.39-^3.

169. Zhu Y. Correlation between current-voltage and capacitance-voltage characteristics of Schottky barrier diodes / Y. Zhu, Y. Ishimaru, N. Takahashi // IEEE Trans. On Electron Dev., Vol. 45. - 1998. - No. 9. - P.2032-2036.

170. Wang C.D. Accurate electrical characterization of forward ac behavior of real semiconductor diode: giant negative capacitance and nonlinear interfacial layer / C.D. Wang, C.Y. Zhu, G.Y. Zhang // IEEE Trans. On Electron Dev., Vol. 50. - 2003. - No. 4. - P. 1145-1148.

171. Liew Y.H. Large-signal diode modeling - an alternative parameter-extraction technique / Y.H. Liew, J. Joe // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techn., Vol. 53. - 2005. - No. 8. - P.2633-2638.

172. Aazou S. Schottky diode parameters extraction using two different methods / S. Aazou, E.M. Assid // in Proc. Int. Microelectron. Conf., Dec. - 2009. -P.240-243.

173. Kiuru T. Schottky diode series resistance and thermal resistance extraction from S-parameter and temperature controlled I-V measurements/ T. Kiuru et. all // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techn., Vol. 59. - 2011. - No. 8. - P.2108-2116.

174. Ван-Трис Г. Синтез оптимальных нелинейных систем управления / Г. Ван-Трис. -М.: Мир, 1964. - 170с.

175. Винер Н. Нелинейные задачи в теории случайных процессов / Н. Винер. - М.: Из-во иностранной литературы, 1961. - 159с.

176. Buisman К. "Distortion-Free" Varactor Diode Topologies for RF Adaptivity / K. Buisman et al. // IEEE MTT-S Int. Dig., Long Beach, С A - Jun. 2005. - P. 389-392.

177. Аверина Л.И. Уменьшение интермодуляционных искажений в перестраиваемых полосовых фильтрах / Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, А.В. Исаев // Сб. трудов 16 междунар. н.-т.конф. «Радиолокация, навигация, связь».-Воронеж-2010.-Т. 1.-С. 493-498.

178. Huang С. А 67 dBm OIP3 Multistacked Junction Varactor / С. Huang et al. // IEEE Microwave and Wireless Components Letters - November 2008. - Vol. 18.-№ 11.-P. 749-751.

179. Buisman K. Varactor Topologies for RF Adaptivity with Improved Power Handling and Linearity / K. Buisman et al. // IEEE MTT-S Int. Dig., Honolulu, Ш - Jun. 2007. - P. 319-322.

180. Бобрешов A.M. Интермодуляционные искажения в перестраиваемых полосовых фильтрах / A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина, А.В. Исаев // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика. - Воронеж - 2010. - №. 2. - С. 11-16.

181. Аверина Л. И. Моделирование резистивного смесителя в нелинейном режиме / Л. И. Аверина, А. М. Бобрешов, Ж. В. Шапошникова // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - Т. 13, 2010. - №4. -С. 51-56.

182. Стратонович Т.П. Принципы адаптивного приёма / Г.П. Стратонович -

362

М.: Сов. Радио. - 1973. - 143 с.

183. Репин В.Г. Статистический синтез при априорной неопределённости и адаптации информационных систем / В.Г. Репин, Г.П. Тартаковский -М.: Сов. радио, 1977.-432 с.

184. Веселов Г.И. Микроэлектронные устройства СВЧ: Учеб. Пособие для радиотехнических специальностей вузов / Г.И. Веселов, Е.Н. Егоров, Ю.Н. Алехин и др. - М.: Высшая школа. - 1988. - 280 с.

185. Перцов С.В. Параметрические усилители / С.В. Перцов. - Госэнергоиз-дат,- 1962. -58с.

186. Грабовски К. Параметрические усилители и преобразователи с емкостным диодом / К. Грабовски. Пер. с польского, под ред. М. Е. Герцен-штейна. - М.: Советское радио. - 1974. - 304 с.

187.Хотунцев Ю.Л. Параметрические СВЧ-устройства / Ю.Л. Хотунцев. -М.: Связь. - 1978.-258 с.

188. Farug A. A large-signal theory for broad-band frequency converters using abrupt junction varactor diodes / A. Farug, P.M. Glayton // IEEE Trans. MTT -25.- 1977.-N2.-p. 127-136.

189. Шарапов Ю.И. Преобразование частоты Fnq = Fr- Fc при Fr > Fc и постоянной частоте гетеродина без заданных комбинационных составляющих / Ю.И. Шарапов // Радиотехника. - 1997. - № 12. - С.79-83.

190. Шарапов Ю.И. Сравнительные характеристики разностных видов преобразования частоты / Ю.И. Шарапов // Радиотехника. - 1986. - №8. -С.66—70.

191. Trask С. A Linearized Active Mixer / С. Trask // Proceedings RF Design 98, San Jose, California, October 1998. - 1998. - p. 13-23.

192. Sullivan P.J. Active Doubly Balanced Mixers for CMOS RFICs / P.J. Sullivan, H.K. Walter // Microwave Journal, October 1997. - 1997. - p.22-38.

193. Рэд Э.Т. Схемотехника радиоприемников. Практическое пособие. / Э.Т. Рэд // - М.: Мир. - 1989. - 236 с.

194. Rice S.O. Mathematical analysis of random noise / S.O. Rice // Bell Syst. Tech. J. - 1944. - Vol.23 - pp.282-332.

195. Rice S.O. Mathematical analysis of random noise / S.O. Rice // Bell Syst. Tech. J. - 1945. - Vol.24 - pp.46-156.

196. Johnson J. B. Thermal agitation of electricity in conductors / J.B. Johnson // Phys. Rev. - 1928. - Vol.32 - pp.97-109.

197. Nyquist H. Thermal agitation in conductors / H. Nyquist // Phys. Rev. - 1927.

363

-Vol.29-pp.614-616.

198. Feldmann P. Cyclostationary noise analysis of large RF circuits with multitone excitations / P. Feldmann et al. // IEEE Journal of Solid-State Circuits -1998. - Vol.33, No.3 - pp.324-336.

199. Dragone C. Analysis of Thermal and Shot Noise in Pumped Resistive Diodes / C. Dragone // Bell Syst. Tech. J. - 1968. - pp. 1883-1902.

200. Thevenin L. Sur un nouveau theorem delectricite dynamique / L. Thevenin // Comptes Rend. Acad. Sei, Paris - 1883. - pp. 159-161.

201. Becking A.G. The Noise Factor of Four-terminal networks / A.G. Becking et al. // Phillips Res. Rep. - 1955. - No. 10 - pp.349-357.

202. Held D.N. Conversion Loss and Noise of Microwave and Millimeter-Wave Mixers / D.N.Held, A.R.Kerr // IEEE Trans. Microwave Theory Tech, MTT-26, 1978. -P.49-52.

203. Escotte L. Noise Modeling of Microwave Heterojunction Bipolar Transistor / L. Escotte et al. // IEEE Trans. Electron Devices. - 1995. - Vol.42, No.5 -pp.883-889.

204. Niu G. A Unified Approach to RF and Microwave Noise Parameter Modeling in Bipolar Transistor / G. Niu // IEEE Trans. Electron Devices. - 2001. -Vol.48, No.l 1 - pp.2568-2574.

205. Xia K. Frequency and Bias-Dependent Modeling of Correlated Base and Collector Current RF Noise in SiGe HBTs Using Quasi-Static Equivalent Circuit / K. Xia et al. // IEEE Trans. Electron Devices. - 2006. - Vol.53, No.3 -pp.515-522.

206. Xavier B. Noise Figure & Associated Conversion Gain of a GaAs HBT Mixer / B. Xavier // IEEE MTT-S International Microwave Symposium. - 1997. -pp.1010-1014.

207. A. van der Ziel. Thermal noise in field effect transistor / A. van der Ziel // Proc. IRE, Vol. 50. - 1962. - p.1808-1812.

208. A. van der Ziel. Gate noise in field effect transistors at moderately high frequencies / A. van der Ziel // Proc. IRE, Vol. 51. - 1963. -p.461-467.

209. Pucel R. A. Signal and noise properties of Gallium Arsenide microwave field-effect transistors / R.A. Pucel, H.A. Haus, H. Statz // In: Adv. Electronics and Electron Physics, Vol.38. - 1975. - p. 195-265.

210. Pucel R. A. Noise characteristics of Gallium Arsenide field-effect transistors / R.A. Pucel, H.A. Haus, H. Statz // IEEE Trans. On Electron Devices, Vol.ED-21. - 1974. - No.9. - p.549-562.

211. Pucel R. A. Noise performance of Gallium Arsenide field-effect transistors / R.A. Pucel, D.J. Masse, C.F. Krumm // IEEE J. of Solid-State Circuits, Vol.SC-11. - 1976. - No.2. - p.243-255.

212. Cappy A. Noise modeling in submicrometer-gate two-dimensional electron-gas field-effect transistors / Cappy A., et al. // IEEE Trans. On Electron Devices, Vol. ED-32. - 1985. - No. 12. - p.2787-2796.

213. Brookes T. M. The noise properties of high electron mobility transistors / T. M. Brookes // IEEE Trans. On Electron Devices, Vol.ED-33. - 1986. -No.l.

- p.52-57.

214. Ando Y. DC, small-signal and noise modeling for two-dimensional electron gas field-effect transistors based on accurate charge-control characteristics / Y. Ando, T. Itoh // IEEE Trans. On Electron Devices, Vol.37. - 1990. - No.l.

- p.67-78.

215. Kang I. H. Accurate noise modeling of HEMT for low-noise applications / I.H. Kang, S.C. Kim, W. Bahng // Microelectronics 25th Int. Conf. - 2006. -p.294-297.

216. Pospieszalski M. W. Modeling of noise parameters of MESFET's and MOD-FET's and their frequency and temperature dependence / M.W. Pospieszalski // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Vol.37. - 1989. -No.9. -p.1340-1350.

217. Klepser B. H. Analytical bias dependent noise model for InP HEMT's / B.H. Klepser // IEEE Trans. On Electron Devices, Vol.42. - 1995. - No.ll. -p.1882-1889.

218. Klapproth L. A bias dependent HEMT noise model / L. Klapproth, A. Schaefer, G. Boeck // IEEE MTT-S Digest, Vol.2. - 1997. - p.881-884.

219. Cappy A. Noise modeling and measurement techniques / A. Cappy // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Vol.36. - 1988. - No.l. - p.l-10.

220. Dambrine G. A new method for on wafer noise measurement / G. Dambrine, et al. // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Vol.41. - 1993. -No.3. - p.375-381.

221. Lazaro A. Direct extraction of all four transistor noise parameters from noise figure measurements / A. Lazaro, et al. // Electron. Letters, Vol.34. - 1998. -No.3. -p.289-291.

222. Rudolph M. Direct extraction of FET noise models from noise figure measurements / M. Rudolph, et al. // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Vol.50. - 2002. -No.2. - p.461-464.

223. Lee S. Intrinsic noise equivalent-circuit parameters for AlGaN/GaN HEMTs / S. Lee, et al. // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Vol.51. - 2003. - No.5. - p. 1567-1577.

224. Rothe H. Theory of noisy fourpoles / H. Rothe, W. Dahlke // Proc. IRE, Vol. 44.- 1956.-p.811-818.

225. Won K. Analytical analysis of noise figure in FET resistive mixers / K. Won, Y. Kwon // Electronics Letters. - 1999. - Vol.35, No. 14 - pp.1169-1170.

226. Алмазов-Долженко К.И. Коэффициент шума и его измерение на СВЧ / К.И. Алмазов-Долженко. - М.: Научный мир, 2000. - 240с.

227. Белоусов А.П. Коэффициент шума / А.П. Белоусов, Ю.А. Каменецкий. -М.: Радио и связь, 1981. - 112с.

228. Клич С.М. Проектирование СВЧ устройств радиолокационных приёмников / С.М. Клич. - М.: Сов. Радио, 1973.-320с.

229. Заварин Т.Д. Радиоприёмные устройства / Т.Д. Заварин, В.А. Мартынов, Б.Ф. Фёдоров. -М.: Воениздат, 1973. -423с.

230. Смогилёв К.А. Радиоприёмники СВЧ / К.А. Смогилёв, И.В. Вознесенский, J1.A. Филиппов. - М.: Воениздат, 1967. - 556с.

231. Friiss Н.Т. Noise figure of radio receivers / H.T. Friis // Proc. IRE. - 1944. -No.32-pp.419-423.

232. Niu G. Noise in SiGe HBT RF technology: physics, modeling, and circuit implications / G. Niu // Proceedings of the IEEE. - 2005. - vol. 93. - №9. -p. 1583 - 1597.

233. Алгазинов Э.К. Входные усилители СВЧ в свете требований электромагнитной совместимости / Э.К. Алгазинов, В.И. Мноян // Радиотехника. - 1985. -N 8. -с.3-13.

234. Алгазинов Э.К. Характеристики входного СВЧ-усилителя, влияющие на помехозащищённость приёмной системы / Э.К. Алгазинов, В.И. Мноян // Электронная техника. Сер.Электроника СВЧ. - 1981. - Вып. 2(326). -с.3-7.

235. Ахманов С.А. Введение в статистическую радиофизику и оптику / С.А. Ахманов, Ю.Е. Дьяков, А.С. Чиркин. - М.: Наука. - 1981. - 640с.

236. Современная радиолокация / Под.ред. Ю.В. Кобзарева. - М.: Советское радио. - 1969. - 704с.

237. Защита от радиопомех / Под ред. Максимова M.B. - М.: Советское радио. - 1976. - 496с.

238. Кремер И.Я. Модулирующие помехи и приём радиосигналов / И.Я. Кре-мер, В.И. Владимиров, В.И. Карпухин - М.: Советское радио. - 1978. -480с.

239. Крейнгель Н.С. Шумовые параметры радиоприёмных устройств / Н. С. Крейнгель - Л.: Энергия. - 1969. - 168с.

240. Чистяков H.H. Радиоприёмные устройства / H. Н. Чистяков - М.: Советское радио. - 1978. - 275с.

241. Кукарин C.B. Электронные СВЧ приборы / С. В. Кукарин - М.: Радио и связь. - 1981. -272с.

242. Уайт Д. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и непреднамеренные помехи / Д. Уайт // Пер. с англ., Под ред. А.И.Сапгира. Комментарии А.Д.Князева. - М.: Советское радио - 1977. -348с.

243. Педак A.M. Справочник по основам радиолокационной техники / А. М. Педак и др. // Под ред. Дружинина В.В. - М.: Воениздат. - 1967. - 768с.

244. Отраслевой стандарт РМ 11.332.517-83,- М.: Базовый отдел стандартизации. - 1983. - 39с.

245. Алгазинов Э.К. Коэффициент шума приёмника при наличии помех / Э.К. Алгазинов, A.M. Бобрешов // Радиотехника. - 1980. - N6. - с.35-36.

246. Алгазинов Э.К. Моделирование работы транзисторных СВЧ усилителей в нелинейном режиме / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов // Всероссийская конференция "Информационные технологии и системы": Тез. докл., 16-19 окт. 1995г.- 1995,- С.88.

247. Алгазинов Э.К. Анализ устойчивости транзисторных СВЧ усилителей в нелинейном режиме / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр. Второй Всерос. научно-техн.конф. с междунар.участием, Дивномор-ское, 10-15 сент. 1995г.- 1995,- С.89.

248. Методика расчёта коэффициента шума транзисторного СВЧ усилителя в нелинейном режиме / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, H.H. Мымрикова // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр. Второй Всерос.научно-техн.конф. с междунар.участием, Дивноморское, 10-15 сент. 1995г.- 1995.- С.90.

249. Алгазинов Э.К. Влияние помех на шумовые параметры входных транзисторных каскадов приёмников СВЧ / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов // Научно-техническая конференция "Направления развития систем и средств связи", 23-25 апреля 1996г. - 1996.- Т.З. - С. 11631165.

250. Алгазинов Э.К. Коррекция режимов работы транзисторного усилителя в присутствии помех / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов // Научно-техническая конференция "Направления развития систем и средств связи", 23-25 апреля 1996г. - 1996.- Т.З.- С. 1166-1168.

251. Алгазинов Э.К. Частотные характеристики шумовых параметров транзисторных усилителей в присутствии помех / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр.3-й Всерос.науч.-техн.конф. с между-нар.участием, Дивноморское, 8-13 сент.1996г.- 1996.- С.114.

252. Алгазинов Э.К. Оптимизация режима работы транзисторного каскада при наличии помех / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр.3-й Всерос.науч.-техн.конф. с междунар.участием, Дивноморское, 813 сент. 1996г.- 1996.- С. 105-107.

253. Алгазинов Э.К. Изменение шумов в усилителе на полевом транзисторе в нелинейном режиме / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов // Радиотехника и электроника. - 1996. - т.41, N11.- С. 1386-1389.

254. Расчёт нелинейной модели полевого СВЧ транзистора на основе его электрофизических параметров / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, A.B. Дыбой // "Антенно-фидерные устройства, системы и средства радиосвязи", (Воронеж-май-97): Сб.тр.Ш Междунар.науч,-техн.конф. - 1997.- Т.2.- С.301-306.

255. Алгазинов Э.К. Нелинейные режимы в транзисторных усилителях и способы их оптимизации / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов // "Антенно-фидерные устройства, системы и средства радиосвязи", (Воронеж-май-97): Сб.тр.Ш Междунар.науч.-техн.конф. - 1997.- Т.2.-С.307-313.

256. Алгазинов Э.К. Влияние режима работы транзисторного СВЧ усилителя на его чувствительность при наличии помех / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов // Актуальные проблемы твердотельной электро-

ники и микроэлектроники: Тр.4-й Всерос.науч.-техн.конф. с между-нар.участием, Дивноморское, 7-12 сент.1997г.- 1997.- С.72.

257. Аверина Л.И. Изменение собственных шумов СВЧ усилителя на ПТШ в режиме насыщения при интенсивном внешнем воздействии// Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр.4-й Всерос.науч.-техн.конф. с междунар.участием, Дивноморское, 7-12 сент. 1997г.- 1997.-С.74.

258. Автоматизированное моделирование нелинейных и шумовых свойств полевого СВЧ-транзистора с затвором Шоттки / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, A.B. Дыбой // Электроника и информатика-97: 2 Всерос. науч.-техн.конф. с междунар. участием (Зеленоград, 25-26 но-яб. 1997г.): Тез.докл. - 1997. - Ч. 1. - С.248.

259. Автоматизированная система определения параметров нелинейной модели полевого СВЧ-транзистора для анализа и синтеза усилителей на его основе / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, A.B. Дыбой // 3 Международный симпозиум по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии: Сб.науч.докл., 23-27 июня 1997г.- 1997.4.2.- С.194-197.

260. Алгазинов Э.К. Улучшение параметров ЭМС входного транзисторного усилителя с учётом его устойчивости / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов // 3 Международный симпозиум по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии: Сб.науч.докл., 23-27 июня 1997г.- 1997.- 4.2.- С.198-201.

261. Исследование зависимости нелинейных характеристик входных мало-шумящих усилителей от конструктивных параметров GaAs полевого транзистора с затвором Шотки / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, A.B. Дыбой // IV международная научно-техническая конференция "Радиолокация, навигация и связь", 26-28 мая 1998г. -1998.- Т.З.-С.1248-1252.

262. Алгазинов Э.К. Проблемы проектирования транзисторных СВЧ усилителей с учётом работы их в нелинейном режиме / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов // IV международная научно-техническая конференция "Радиолокация, навигация и связь", 26-28 мая 1998г. -1998.-Т.З.- С.1253-1257.

263. Алгазинов Э.К. Повышение эффективности работы входного усилителя в присутствии помех / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов //

369

IV международная научно-техническая конференция "Радиолокация, навигация и связь", 26-28 мая 1998г. -1998.- Т.З.- С.1258-1264.

264. Аверина Л.И.. Влияние конструктивных параметров GaAs полевого транзистора с затвором Шоттки на нелинейные характеристики входных малошумящих усилителей / Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, А.В. Дыбой // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр.Пятой Всерос.науч.-техн.конф. с междунар.участием, Дивномор-ское, 6-11 сент. 1998г.- 1998.-С.112.

265. Влияние электрофизических и геометрических параметров GaAs полевого транзистора с затвором Шотки на нелинейные характеристики входных малошумящих усилителей / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, А.В. Дыбой // Известия вузов. Электроника. - 1998. - № 6 - С.63-66.

266. Аверина Л.И. Влияние паразитных сопротивлений полевого транзистора на нелинейные характеристики усилителя на его основе// Радиолокация, навигация и связь: V международная научно-техническая конференция, 20-23 апреля 1999г. - 1999. - Т.З - С.1474 -1476.

267. Алгазинов Э.К. Коррекция режима работы усилителя на полевом транзисторе при наличии помех / Э.К. Алгазинов, A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина // Электронная техника. Сер. 1, СВЧ-техника. - 1999. - Вып.2(474). - С.36-38.

268. Алгазинов Э.К. Разработка программных средств для расчёта ЭМС характеристик / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, А.И. Лопатин // Радиолокация, навигация и связь: VI международная научно-техническая конференция, 25-27 апреля 2000г. - 2000. - Т.З - С. 1779-1783.

269. Характеристики нелинейного взаимодействия помехи и собственного шума в усилителе на полевом транзисторе с двумя затворами Шотки / Л.И. Аверина, Э.К. Алгазинов, A.M. Бобрешов, М.А. Кравец // Радиолокация, навигация и связь: VI международная научно-техническая конференция, 25-27 апреля 2000г. - 2000. - Т.З - С. 1791-1795.

270. Бобрешов A.M. Исследование границы линейности МШУ на НЕМТ-транзисторе в зависимости от режима его работы характеристик / A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина, А.И. Лопатин // Радиолокация, навигация и связь: VI международная научно-техническая конференция, 25-27 апреля 2000г. - 2000. - Т.З - С.1796-1800.

271. Аверина JI.И. Определение параметров модели полевого транзистора из экспериментальных данных // Радиолокация, навигация и связь: VI международная научно-техническая конференция, 25-27 апреля 2000г. -2000. - Т.З - С.1975-1981.

272. Алгазинов Э.К. Определение S-параметров твердотельного прибора в нелинейном режиме работы / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, A.M. Боб-решов // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. - 2000. -Т.43, N6. - С.33-36.

273. Алгазинов Э.К. Пакет программ для расчёта ЭМС характеристик / Э.К. Алгазинов, Л.И. Аверина, А.И. Лопатин // Информационные технологии в моделировании и управлении: Tp.II Междунар.науч.-практ.конф, 2022 июня 2000г. - 2000. - С.34-36.

274. Чувствительность приёмного устройства с входным усилителем на ДЗПТШ в присутствии помехи / Л.И. Аверина, Э.К. Алгазинов, A.M. Бобрешов, М.А. Кравец // // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр.Седьмой междунар.науч.-техн.конф, Дивноморское, Россия, 17-22 сент.2000г,- 2000.- С. 119-121.

275. Изменение шумов в усилителе на НЕМТ-транзисторе в нелинейном режиме / Л.И. Аверина, Э.К. Алгазинов, A.M. Бобрешов, А.И. Лопатин // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр.Седьмой междунар.науч.-техн.конф, Дивноморское, Россия, 17-22 сент.2000г,- 2000. - С. 122-124.

276. Бобрешов A.M. Шумовые свойства усилителя на НЕМТ-транзисторе / A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина, А.И. Лопатин // Сборник докладов Шестой Российской научно-технической конференции «Электромагнитная совместимость технических средств и биологических объектов». - 2000. - С.300-307.

277. Аверина Л.И. Анализ нелинейных характеристик усилителя на полевом транзисторе с учётом паразитных сопротивлений / Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. - 2000. -Т.43, N9. -С.78-80.

278. Бобрешов A.M. Влияние зависимости параметров модели НЕМТ-транзистора от режима его работы на границу линейности малошумяще-го усилителя / A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина, А.И. Лопатин // Беспроводные системы телекоммуникаций:Междунар.конф,26-27 сент.2000 г,г.Воронеж:Материалы конф.- 2000. - С. 165-171.

279. Шумовые свойства усилителя на НЕМТ-транзисторе в нелинейном режиме / Э.К. Алтазинов, A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина, А.И. Лопатин // Известия ВУЗов. Электроника,- 2001.- № 2.- С. 66 - 70.

280. Бобрешов А. М. Влияние напряжений затвора и стока в модели НЕМТ-транзистора на границу линейности малошумящего усилителя / A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина, А.И. Лопатин // Известия ВУЗов. Электроника.- 2001.-№1.-С. 64-69.

281. Аверина Л. И. Моделирование малошумящего усилителя на НЕМТ-транзисторе в нелинейном режиме его работы / Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, А.И. Лопатин // Теория и техника радиосвязи.- 2001.- №1.- С. 51-55.

282. Бобрешов А. М. Моделирование малошумящего усилителя на НЕМТ-транзисторе / A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина, А.И. Лопатин // Вестник Воронежского университета. Серия: Физика. Математика.- 2001.- №1.-С. 11-24.

283. Алгазинов Э.К. Характеристики нелинейного взаимодействия помехи и собственного шума в транзисторном усилителе / Э. К. Алгазинов, A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина // Электронная техника. Сер. СВЧ-техника. -2001. - Вып. 1(477) - С. 17-20.

284. Бобрешов А. М. Изменение шумов в усилителе на двухзатворном НЕМТ транзисторе в нелинейном режиме / A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина, А.И. Лопатин // Радиолокация, навигация и связь: VII международная научно-техническая конференция, 24-26 апреля 2001г. - 2001. - Т.З - С. 1783 -1790.

285. Аверина Л.И. Нелинейное моделирование полевого транзистора в системе схемотехнического СВЧ проектирования Ansoft Serenade / Л.И. Аверина, Т.К. Усков // Радиолокация, навигация и связь: VIII международная научно-техническая конференция, 2002г. - 2002. - Т.З.- С. 2162 -2167.

286. Bobreshov А. М. The Influence of Dependence of HEMT's Model Parameters on Gate and Drain Voltages on Upper Boundary of LNA's Linearity / A.M.Bobreshov, L.I.Averina, A.I.Lopatin // Computers and Electrical Engineering. - 2002. - V.28, N6. - P.643-648.

287. Аверина Л.И. Изменение уровня собственных шумов в транзисторном усилителе при воздействии на его вход интенсивной помехи / Л.И. Аверина, A.B. Хрипушин // Радиолокация, навигация и связь: IX междуна-

372

родная научно-техническая конференция, 22-24 апреля 2003г. - 2003. -Т.1.- С.445 - 451.

288. Аверина Л.И. Характеристики нелинейного взаимодействия помехи и шума в многокаскадном усилителе / Л.И. Аверина, Бобрешов A.M., Зверев A.M. // Радиолокация, навигация и связь: IX международная научно-техническая конференция, 22-24 апреля 2003г. - 2003. - Т.1. - С.452 -456.

289. Аверина Л.И. Определение параметров нелинейных моделей полевого транзистора в системе схемотехнического СВЧ проектирования Microwave Office / Л.И. Аверина, Г.К. Усков // Радиолокация, навигация и связь: IX международная научно-техническая конференция, 22-24 апреля 2003г. - 2003. - Т.1.- С.457 -465.

290. Аверина Л.И. Применение метода рядов Вольтерра для расчёта эффектов блокирования и интермодуляции в существенно нелинейном режиме / Л.И. Аверина, H.H. Мымрикова, О.И. Протопопов // Радиолокация, навигация и связь: IX международная научно-техническая конференция, 22-24 апреля 2003г. - 2003. - Т.1.- С.486 - 494.

291. Влияние параметров нелинейной модели полевого транзистора Materka на ЭМС характеристики усилителя / Л.И. Аверина, Э.К. Алгазинов, A.M. Бобрешов, A.M. Зверев, Г.К. Усков // V Международный симпозиума по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии: ЭМС-2003, 16-19 сент. 2003г.: Сб.науч.докл. - 2003. - С.244-247.

292. Аверина Л.И. Влияние нелинейных элементов модели полевого транзистора на характеристики помехозащищённости усилителя / Л.И. Аверина, A.B. Хрипушин // Радиолокация, навигация и связь: X международная научно-техническая конференция, 13-15 апреля 2004г. - 2004. - Т.1.-с.479 - 486.

293. Нелинейное моделирование усилителей на полевых транзисторах в СВЧ диапазоне / Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, М.А. Корольков, Г.К. Усков // Радиолокация, навигация и связь: X международная научно-техническая конференция, 13-15 апреля 2004г. - 2004. - Т.1.- с.449 - 455.

294. Аверина Л.И. Применение функциональных рядов Вольтерра для анализа нелинейных многочастотных характеристик полупроводникового параметрического усилителя / Л.И. Аверина, A.B. Тагиев, И.С. Свиридов // Радиолокация, навигация и связь: XII Международная научно-

техническая конференция, г.Воронеж, 18-20 апреля 2006г. - Воронеж, 2006.- Т.2.-С.1186- 1194.

295. Аверина Л.И. Влияние конструктивных параметров НВТ транзистора на его нелинейные характеристики / Л.И. Аверина, A.B. Исаев, Ж.В. Шапошникова // Радиолокация, навигация и связь: XII Международная научно-техническая конференция, г.Воронеж, 18-20 апреля 2006г. - Воронеж, 2006.- Т.2.- С. 1195 - 1204.

296. Аверина Л.И. Сравнительный анализ нелинейных моделей полевого транзистора, используемых в САПР / Л.И. Аверина, Д.В. Цицилин, Л.М. Филипцова // Радиолокация, навигация и связь: XII Международная научно-техническая конференция, г.Воронеж, 18-20 апреля 2006г. - Воронеж, 2006. - Т.2.- С.1205 - 1213.

297. Аверина Л.И. Нелинейные характеристики биполярных СВЧ транзисторов с гетеропереходом / Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, A.B. Хрипушин // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Труды 10-й международ.науч.конф. и школы-семинара, Дивномор-ское, 24-29 сент. 2006г. - Таганрог, 2006. - 4.2 - С. 191-193.

298. Аверина Л.И. Влияние конструктивных параметров и режима по постоянному току AlGaAs/GaAs биполярных транзисторов с гетеропереходом на нелинейные характеристики входных усилителей / Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, A.B. Хрипушин // Вестник Воронежского гос. Ун-та. Серия: Физика. Математика.- Воронеж, 2006,- №2,- С. 14-18.

299. Определение параметров структурных моделей транзистора по экспериментальным данным / A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина, Т.К. Усков, И.С. Коровченко // Вестник Воронежского гос. Ун-та. Серия: Физика. Математика.- Воронеж, 2006.- №2.- с. 19-23.

300. Аверина Л.И. Методика анализа нелинейных эффектов в полупроводниковых параметрических устройствах / Л.И. Аверина, A.B. Тагиев, И.С. Свиридов // Радиолокация, навигация, связь : XIII Междунар. науч. -техн. конф., г. Воронеж, 17-19 апр. 2007 г. - Воронеж, 2007. - Т.2. - С. 1379- 1383.

301. Аверина Л.И., Бобрешов A.M., Хрипушин A.B. Нелинейное поведение усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом / Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, A.B. Хрипушин // Радиолокация, навигация, связь : XIII Междунар. науч. - техн. конф., г. Воронеж, 17-19 апр. 2007 г. - Воронеж, 2007. - Т.2. - С. 1511 - 1517.

302. Аверина JI.И. Сравнительный анализ современных гетеропереходных биполярных транзисторов на основе AlGaAs/GaAs, InGaP/GaAs, InGaAs/InP и Si/SiGe / Л.И. Аверина, Д.В. Цицилин, А.И. Курашов // Радиолокация, навигация, связь : XIII Междунар. науч. - техн. конф, г. Воронеж, 17-19 апр. 2007 г. -Воронеж, 2007. - Т.2.- С. 1518- 1526.

303. Аверина Л.И. Влияние режима работы усилителя на гетеропереходном биполярном транзисторе на его нелинейные характеристики / Л.И. Аверина, A.B. Исаев, М.А. Корольков, A.B. Хрипушин // Радиолокация, навигация, связь : XIII Междунар. науч. - техн. конф, г. Воронеж, 17-19 апр. 2007 г. - Воронеж, 2007. - Т.2. - С. 1527 - 1534.

304. Бобрешов A.M. Влияние интенсивной помехи на шумовые характеристики СВЧ усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом / A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина, A.B. Хрипушин // 7-й Международный симпозиум по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии: тр. симп, 26-29 июня 2007 г. СПб, 2007. - С. 260 - 263.

305. Бобрешов А. М. Изменение собственного шума усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом в нелинейном режиме / A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина, A.B. Хрипушин, Д.А. Макаренко // Известия вузов. Электроника. - 2007. - №4. - С. 15-20.

306. Бобрешов А. М. Оптимизация конструктивных параметров биполярного транзистора с гетеропереходом с целью улучшения помехозащищённости СВЧ усилителя / A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина, A.B. Хрипушин // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2007. - Т. 10, №2. - С. 76 - 80.

307. Бобрешов A.M. Методика исследования характеристик ЭМС НВТ / A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина, A.B. Хрипушин // Физика и технические приложения волновых процессов: VI Междунар. науч. - техн. конф, 17-21 сент. 2007 г.: тр. конф. - Казань, 2007. - С. 224 - 225.

308. Аверина Л.И. Характеристики помехозащищённости параметрических СВЧ усилителей / Л.И. Аверина, A.B. Тагиев // Физика и технические приложения волновых процессов: VI Междунар. науч. - техн. конф, 1721 сент. 2007 г.: тр. конф. - Казань, 2007. - С. 226 - 227.

309. Аверина Л.И. Модификация метода рядов Вольтерры для нелинейного анализа СВЧ усилителей при больших входных воздействиях / Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, A.B. Тагиев, В.Ю. Дорошенко // Радиолока-

ция, навигация, связь : XIV Междунар. науч. - техн. конф., г. Воронеж, 15-17 апр. 2008 г. - Воронеж, 2008. - Т.2.- С. 1362 - 1366.

310. Аверина Л.И. Влияние температуры на характеристики биполярного транзистора с гетеропереходом / Л.И. Аверина, А.М, Бобрешов, А.И. Курашов, Ж.В. Шапошникова // Радиолокация, навигация, связь : XIV Междунар. науч. - техн. конф., г. Воронеж, 15-17 апр. 2008 г. - Воронеж, 2008. - Т.2. - С. 1475 - 1482.

311. Бобрешов A.M. Модификация рядов Вольтерры для анализа характеристик ЭМС смесителей / A.M. Бобрешов, Л.И. Аверина, Ж.В. Шапошникова // Физика и технические приложения волновых процессов: VII Междунар. науч. - техн. конф., посвящ. 150-летию со дня рождения A.C. Попова, 15-21 сент. 2008 г.: тр. конф. - Самара, 2008. - С. 236-237.

312. Аверина Л.И. Многочастотный анализ СВЧ усилителей при больших входных воздействиях / Л.И. Аверина, A.B. Тагиев, A.B. Исаев // Сборник докладов 10-й Российской научно-технической конференции по электромагнитной совместимости технических средств и электромагнитной безопасности: ЭМС-2008. - СПб., 2008. - С. 298 - 302.

313. Аверина Л. И. Влияние температуры на характеристики биполярного транзистора с гетеропереходом / Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, А.И. Курашов // Известия вузов. Радиоэлектроника. - 2008. - Т.51, №12. - С. 26 - 34.

314. Аверина Л. И. Анализ нелинейных эффектов и расчёт характеристик ЭМС СВЧ усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом / Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, A.B. Хрипушин // Известия вузов. Радиоэлектроника. - 2009. - Т.52, №4. - С. 38 -45.

315. Аверина Л. И. Применение метода рядов Вольтерры для многочастотного анализа СВЧ усилителей при больших входных воздействиях / Л.И. Аверина, A.B. Тагиев, A.B. Исаев // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. -2009. - Т. 12, №1.- С. 58 - 62.

316. Аверина Л.И. Влияние нелинейных свойств МШУ на характеристики OFDM-систем радиосвязи/ Л.И. Аверина, А.И. Курашов, Ж.В. Шапошникова // Радиолокация, навигация, связь : XV Междунар. науч. - техн. конф., г. Воронеж, 14-16 апр. 2009 г. - Воронеж, 2009. - Т.2. - С.902-910.

317. Аверина Л.И. Уменьшение нелинейных эффектов во входном радиоприёмном тракте/ Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, A.B. Исаев // Радиолока-

ция, навигация, связь : XV Междунар. науч. - техн. конф, г. Воронеж, 14-16 апр. 2009 г.-Воронеж, 2009. - Т.2.- С.971 - 976.

318. Аверина Л.И. Линеаризация усилителей СВЧ диапазона/ Л.И. Аверина, Ю.П. Сбитнев, В.Д. Шутов// Радиолокация, навигация, связь: XV Междунар. науч. - техн. конф, г. Воронеж, 14-16 апр. 2009 г. - Воронеж, 2009.-Т.1.-С.591 -596.

319. Аверина Л.И. Методы уменьшения нелинейных продуктов многокаскадных усилителей СВЧ диапазона/ Л.И. Аверина, Ю.П. Сбитнев, В.Д. Шутов // 8-й Международный симпозиум по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии: тр. симп, 16-19 июня 2009 г. -СПб, 2009. - С.274-277.

320. Аверина Л.И. Характеристики электромагнитной совместимости СВЧ смесителей/ Л.И. Аверина, Ж.В. Шапошникова // 8-й Международный симпозиум по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии: тр. симп, 16-19 июня 2009 г. - СПб, 2009. - С.294-297.

321. Аверина Л.И. Многочастотные характеристики СВЧ смесителей/ Л.И. Аверина, Ж.В. Шапошникова // Теория и техника радиосвязи. - 2009. -№2. - С. 85-90.

322. Бобрешов А.М. Уменьшение интермодуляционных искажений во входном радиоприёмном тракте/ А.М. Бобрешов, Л.И. Аверина, A.B. Исаев // Физика и технические приложения волновых процессов: VIII Междунар. науч.-техн. конф, 15-18 сент. 2009 г.-СПб, 2009. - С. 177-178.

323. Аверина Л.И. Анализ нелинейных эффектов в полупроводниковом параметрическом усилителе/ Л.И. Аверина, A.B. Тагиев, Д.В. Глущенко // Физика и технические приложения волновых процессов: VIII Междунар. науч.-техн. конф, 15-18 сент. 2009 г. - СПб, 2009. - С. 175-176.

324. Аверина Л.И. Нелинейные характеристики пассивного смесителя на полевом транзисторе/ Л.И. Аверина, Ж.В. Шапошникова, В.Ю. Дорошенко // Радиолокация, навигация, связь: XVI Междунар. науч. - техн. конф, г. Воронеж, 14-16 апр. 2010 г. - Воронеж, 2010. - Т.1.- С.434-440.

325. Аверина Л.И. Коэффициент шума полупроводникового параметрического усилителя/ Л.И. Аверина [и др]// Радиолокация, навигация, связь: XVI Междунар. науч. - техн. конф, г. Воронеж, 14-16 апр. 2010 г. - Воронеж, 2010. - Т.1. - С..528 - 534.

326. Аверина Л. И. Применение аппарата нестационарных рядов Вольтерра для многочастотного анализа полупроводникового параметрического

■ч

усилителя/ Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, H.H. Мымрикова, A.B. Таги-ев, Д.В. Глущенко// Известия вузов. Радиоэлектроника. - Т.53, 2010. -№10.-С. 50- 56.

327. Аверина Л. И. Уменьшение интермодуляционных искажений во входном радиоприёмном тракте/ Л.И. Аверина, A.M. Бобрешов, A.B. Исаев, Г.К. Усков // Известия вузов. Радиоэлектроника. - Т.53, 2010. - №12. - С. 40-45.

328. Аверина Л.И. Коэффициент шума СВЧ смесителей / Л.И. Аверина, Ж.В. Шапошникова // Радиолокация, навигация, связь : XVII Междунар. науч. - техн. конф., г. Воронеж, 12-14 апр. 2011 г. - Воронеж, 2011.- Т.1.-С.577-584.

329. Аверина Л. И. Шумовые характеристики СВЧ смесителей / Л. И. Аверина, А. М. Бобрешов, Ж. В. Шапошникова // Вестник Воронежского университета. Серия: Физика. Математика. - Воронеж, 2011. - №1. - С.5-11.

330. Аверина Л. И. Нелинейное моделирование и интермодуляционные характеристики СВЧ смесителей / Л.И. Аверина // Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. - 2011. - №5 - С.100-107.

331. Аверина Л.И. Методика определения параметров модели Вольтерра ге-тероструктурного СВЧ полевого транзистора / Л.И. Аверина // Радиолокация, навигация, связь: XVIII Междунар. науч. - техн. конф., г. Воронеж, 17-19 апр. 2012 г. - Воронеж, 2012.- Т.1.-С.1338-1346.

332. Аверина Л.И. Нелинейное моделирование GaN НЕМТ для проектирования СВЧ усилителей мощности / Л.И. Аверина, Д.А. Бессонов, P.A. Ры-балкин // Радиолокация, навигация, связь: XVIII Междунар. науч. - техн. конф., г. Воронеж, 17-19 апр. 2012 г. - Воронеж, 2012,- Т. 1.-С. 1330-1337.

333. Аверина Л. И. Экстракция параметров моделей гетероструктурного полевого транзистора / Л. И. Аверина и др. // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика. - Воронеж,

2012. - №1. - С.5-12.

334. Аверина Л.И. Алгоритмы экстракции структурных моделей гетеропере-ходного полевого транзистора / Л.И. Аверина, Д.А. Бессонов, P.A. Ры-балкин // Физика и технические приложения волновых процессов: Тр. XI Междунар. науч.-техн. конф., 26-28 сент. 2012 г. - Екатеринбург, 2012. -С. 173-174.

335. Аверина Л. И. Бесструктурное моделирование усилителей мощности с учётом инерционных свойств / Л.И. Аверина, В.Д. Шутов, P.A. Рыбал-кин // Известия вузов. Радиоэлектроника. - Т.56, 2013. - №1. - С. 50 - 57.

336. Аверина Л.И. Теоретический анализ нелинейных многочастотных эффектов в СВЧ усилителе мощности на основе полевого транзистора / Л.И. Аверина, Д.А. Бессонов // Радиолокация, навигация, связь: XIX Междунар. науч. - техн. конф, г. Воронеж, 16-18 апр. 2013 г. - Воронеж, 2013,- Т.2.-С.1225-1231.

337. Аверина Л.И Сравнительный анализ бесструктурных инерционных моделей усилителей мощности / Л.И. Аверина, В.Д. Шутов, Бугров О.В. // Радиолокация, навигация, связь: XIX Междунар. науч. - техн. конф, г. Воронеж, 16-18 апр. 2013 г.-Воронеж, 2013.-Т.2.-С.1232-1238.