Особенности взаимодействий заряженных частиц и ионизирующих излучений с ориентированными кристаллами и полупроводниковыми структурами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Кумахов, Адиль Мухадинович

• Кумахов, Адиль Мухадинович
• доктор физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Кумахов, Адиль Мухадинович

Введение.

1. ПРОХОЖДЕНИЕ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ ЧЕРЕЗ КРИСТАЛЛЫ В РЕЖИМЕ КАНАЛИРОВАНИЯ.

1.1. Основные представления классической теории каналирования

1.2. Потенциалы взаимодействия.

1.3. Эффект пространственного перераспределения потока заряженных частиц.

1.4. Энергетические потери каналированных частиц.

1.5. Многократное рассеяние.

1.6. Применение эффекта каналирования в физике твердого тела.

1.7. Численные методы в физике ориентационных эффектов.

1.8. Деканалирование.

1.9. Радиационные повреждения, возникающие при облучении кристаллов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности взаимодействий заряженных частиц и ионизирующих излучений с ориентированными кристаллами и полупроводниковыми структурами»

Актуальность темы. Интерес к проблеме взаимодействия пучков заряженных частиц и ионизирующих излучений с твердыми телами связан с обнаружением ряда новых эффектов при их взаимодействиях с ориентированными и неориентированными кристаллами. К наиболее известным относятся эффекты каналирования ионов и излучения релятивистских каналированных лептонов, а в последнее время - эффект каналирования рентгеновских квантов в микрокапиллярах. Эти достижения, в частности, легли в основу создания капиллярной технологии для рентгеновской и нейтронной оптики скользящего отражения. В то же время интенсивно развиваются и традиционные направления, связанные с использованием ионных пучков для имплантации, определением профиля радиационных нарушений, возникающих при ионном легировании, диагностикой местоположения примесных атомов в кристаллической решетке и т.д.

Среди известных методов внедрения примесных атомов внутрь твердого тела ионное легирование (ионная имплантация) является одним из наиболее универсальных. Он имеет ряд важных преимуществ перед другими: процесс внедрения происходит при достаточно низких температурах, что существенно при последующем отжиге образца; позволяет вводить в образцы дозированное количество любой примеси, гарантируя чистоту процесса легирования; изменяя угол падения пучка, можно регулировать глубину залегания внедренных атомов и т.д. Это позволяет создавать сложные и в то же время компактные электронные устройства и полупроводниковые структуры, получение которых другими способами практически невозможно. В последнее время ионная имплантация нашла новые перспективные направления. Так, например, с ее помощью можно изменять магнитные свойства и синтезировать новые сверхпроводящие материалы, управлять работой выхода, адгезией и трением, и т.д.

Концентрация и местоположение примесных атомов в кристаллической решетке оказывают существенное влияние на электрические, оптические и механические свойства полупроводников. Взаимодействуя с атомами мишени, внедряемые в кристаллическую решетку ионы создают дефекты, что позволяет целенаправленно изменять характеристики полупроводниковых структур. Поэтому принципиально важно знать местоположение и профиль распределения дефектов. Этим обусловлено интенсивное развитие лучевых методов определения местоположения дефектов и внедренных атомов.

Наиболее эффективным при определении положения атомов примесей в кристаллической решетке является метод, основанный на особенностях направленного движения заряженных частиц вдоль плотноупакованных атомных рядов и плоскостей - метод каналирования. Он позволяет получить количественные сведения о местоположении атомов при концентрациях вплоть до сотых долей атомного процента, тогда как рентгеноструктурный анализ, методы внутреннего трения, электронного парамагнитного резонанса, нейтронографии эффективны лишь при достаточно большой дозе облучения, и при этом они (за исключением нейтронографии) дают, как правило, косвенные сведения.

Необходимую информацию о местоположении и концентрации внедренных атомов можно получить, зная выход ядерных реакций и пространственное распределение потока каналированных частиц в кристаллической решетке. Аналитически рассчитать пространственное распределение потока практически невозможно, поэтому разработка численных методов его вычисления является задачей первостепенной важности.

В экспериментальном плане эти же задачи можно решать, используя метод обратного рассеяния. Подавление обратного рассеяния на атомах, находящихся в узлах решетки (почти на два порядка) позволяет отделить друг от друга рассеяние на несмещенных и смещенных из-за радиационных нарушений атомах. Эксперименты по обратному рассеянию дают возможность выявить, являются ли примесные атомы замещающими, или же они занимают междоузельные положения, а также достаточно точно определить местоположение как внедренных атомов, так и атомов матрицы, смещенных в междоузельные положения под действием излучения. Выход обратного рассеяния из-за деканалирования, вызванного рассеянием на смещенных атомах решетки, перекрывается с выходом, вызванным обратным рассеянием на несмещенных атомах. Следовательно, рассеяние частиц обусловлено не только смещенными атомами или примесями, внедренными в междоузлия, но также рассеянием на электронах и, в особенности, на ионах решетки, отклоненных из положения равновесия вследствие тепловых колебаний. Это приводит к различным вкладам в деканалирование первичного пучка.

В связи с этим оптимальный выбор условий проведения экспериментов и технологических режимов с использованием пучков ускоренных ионов невозможен без детальных сведений об основных характеристиках их взаимодействия с кристаллами. В частности, для успешного применения метода обратного рассеяния легких ионов необходимы точные данные по пространственному распределению потока, деканалированию частиц вследствие многократного рассеяния на электронах и тепловых колебаниях и кратного - на смещенных и внедренных атомах. Эти процессы приводят к сильной зависимости выхода различных реакций от глубины проникновения частиц в кристалл, при этом очень важную роль в соответствующих ориентационных эффектах играет глубина, на которой частица выходит из канала - длина деканалирования.

В целом решение соответствующих задач актуально для ионной имплантации, физики каналирования и излучения при каналировании, а также для создания радиационно-стойких полупроводниковых структур.

Целью работы является дальнейшее развитие теории каналирования и метода обратного рассеяния легких ионов для повышения точности получаемой информации о радиационных нарушениях в кристаллах; установление особенностей эффектов каналирования и излучения релятивистских частиц в толстых кристаллах различного химического состава; исследование влияния радиации на полупроводниковые материалы и структуры с целью повышения их радиационной стойкости. В соответствии с указанной целью в диссертации ставились следующие основные задачи:

1. Разработать численный метод исследования динамики заряженных частиц в режиме каналирования, основанный на непрерывной модели потенциалов атомных цепочек и плоскостей.

2. Численно исследовать деканалирование на совершенном и радиационно-поврежденном кристалле, и на этой основе усовершенствовать методику обработки экспериментальных спектров обратного рассеяния.

3. Развить физическую модель и разработать алгоритм расчета эволюции энергетического распределения пучка релятивистских частиц при плоскостном каналировании в толстых кристаллах, учитывающие особенности непрерывных потенциалов и излучения релятивистских электронов и позитронов при каналировании в одно - и многоатомных кристаллах.

4. Установить взаимосвязь изменения электрофизических параметров структур металл - диэлектрик - полупроводник с зарядовым состоянием физических областей исследуемых структур и определить пути совершенствования и оптимизации конструкции биполярных полупроводниковых структур с целью повышения их радиационной стойкости.

5. Выявить особенности механических и электрофизических свойств облученных пленочных материалов и эффективность использования ионной имплантации для управления электрофизическими свойствами тонкопленочных гетерокомпозиций.

Научная новизна. Построена физическая модель и разработан оригинальный компьютерный метод исследования прохождения заряженных частиц через кристаллы в условиях каналирования, вошедший в литературу под названием метода «укрупненных столкновений». Он основан на учете корреляций столкновений частицы с атомами в узлах кристаллической решетки. Суть его состоит в вычислении траектории частицы в суммарном непрерывном потенциале атомных цепочек и плоскостей с учетом многократного рассеяния на электронах и колебаниях ядер без использования приближения статистического равновесия, существенно ограничивающего возможности аналитической теории.

Предложены эффективные методы моделирования динамики релятивистских электронов и позитронов, позволяющие проследить эволюцию пучка в ориентированных толстых кристаллах и выяснить особенности излучения при каналировании в кристаллах различного химического состава.

Разработана модель деканалирования ионов в совершенных и радиационно поврежденных кристаллах, учитывающая многократное рассеяние на электронах, тепловых колебаниях, а также однократное рассеяние частиц на большие углы дефектами, занимающими в кристаллической решетке определенные положения.

Установлены новые физико-химические возможности управления свойствами тонких пленок полупроводников (в частности кремния) и границ раздела гетерокомпозиций на его основе.

Практическая значимость. Разработанный метод исследования прохождения заряженных частиц через кристаллы в режиме каналирования обеспечивает возможность определения пространственного распределения потока частиц на небольших глубинах проникновения и функции деканалирования ионов на примесях и дефектах в зависимости от их местоположения в решетке и глубины залегания. Использование полученных в работе параметров распределения потока и функции деканалирования дает возможность значительно сократить объем экспериментальных исследований при разработке субмикронной технологии производства приборов микроэлектроники. Разработанная модель деканалирования может быть использована для повышения эффективности и точности метода обратного рассеяния. Это дает возможность целенаправленно изменять свойства тонких слоев в необходимом направлении, а также прогнозировать возможные изменения свойств кристаллов и сплавов, находящихся под воздействием ионизирующего излучения.

Установленные теоретические и экспериментальные закономерности изменения свойств тонких полупроводниковых пленок кремния, соединений InP, GaAs и параметров гетерокомпозиций на их основе открывают дополнительные пути их применения при разработке новых и оптимизации существующих технологических процессов при создании изделий микроэлектроники, а также устройств преобразования энергии с улучшенными характеристиками.

Конкретные результаты исследования нашли применения:

1. Разработана ионно - плазменная технология вскрытия контактных площадок при минимальном (<0,1 мкм) отклонении линейных размеров в межслойном диэлектрике толщиной до 0,4 мкм при создании структур с использованием оксида кремния и аморфного кремния. Результаты внедрены в СКБ «Элькор»(г. Нальчик).

2. Разработан технологический маршрут изготовления биполярных транзисторных п-р-п структур с самосовмещенными активными элементами при использовании слоя микро - и поликристаллического кремния в качестве резистора и ионно - стимулированного размерного травления, что обеспечивает повышенную селективность травления и минимальное отклонение (<0,1 мкм). Результаты внедрены в СКБ "Элькор".

Полученные экспериментальные и теоретические результаты используются в учебном процессе при чтении лекций и проведении лабораторных занятий по дисциплинам специальностей: 010400 - физика; 200100 - микроэлектроника и твердотельная электроника; 014100 -микроэлектроника и полупроводниковые приборы и направлений 510400-физика; 550700 - электроника и микроэлектроника; 552800-информатика и вычислительная техника в Кабардино - Балкарском государственном университете.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Теория эффекта каналирования на малых глубинах, позволяющая определить глубину установления статистического равновесия и функцию распределения частиц в зависимости от их энергии, угла влета, начальной угловой расходимости пучка, глубины проникновения и т.д.

2. Модель деканалирования ионов в радиационно поврежденных кристаллах, учитывающая малоугловое многократное и однократное рассеяние на примесных и смещенных атомах.

3. Оригинальный метод обработки спектров обратного рассеяния протонов и альфа-частиц, позволяющий получить более корректную информацию о распределении примесей на основе экспериментальных данных по обратному рассеянию легких ионов.

4. Модификация метода «укрупненных столкновений» для исследования динамики и излучения релятивистских частиц в толстых ориентированных кристаллах, и на этой основе - анализ особенностей излучения электронов и позитронов при плоскостном каналировании в ионных кристаллах. В частности, установлено, что спектры излучения релятивистских электронов в каналах, образованных плоскостями с разным знаком заряда ионов, могут иметь два или один более широкий максимум.

5. Результаты экспериментального исследования диэлектрических пленок с пониженной чувствительностью к воздействию радиации; новые технологические маршруты получения биполярных полупроводниковых структур, обладающих повышенной радиационной стойкостью.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Кумахов, Адиль Мухадинович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработана теория каналирования на малых глубинах, где еще не устанавливается статистическое равновесное распределение потока и разработан метод моделирования процесса прохождения заряженных частиц через кристаллы в режимах плоскостного и аксиального каналирования, позволяющий учитывать многократное рассеяние на электронах, ядрах матрицы и кратное рассеяние на дефектах и примесях с учетом реальных параметров пучка.

2. Исследовано пространственное распределение потока частиц при плоскостном каналировании для разных углов влета и значений энергий с учетом начальной угловой расходимости пучка. На определенных глубинах вблизи поверхности кристалла наблюдаются максимумы в распределении потока, что необходимо учитывать при анализе результатов экспериментов по обратному рассеянию и ядерным реакциям на примесях, занимающих определенное положение в кристаллической решетке. С учетом упорядоченности атомных плоскостей определены характерные глубины установления статистического равновесия, т.е. глубины, начиная с которых возможно статистическое описание каналирования.

3. Установлено, что пространственное перераспределение потока каналированных частиц сопровождается формированием максимумов по поперечному сечению канала: в случае нормального падения пучка имеет место увеличение в центре канала, а при наклонном падении пучка возрастание потока наблюдается в периферийной части канала. Осцилляции потока частиц в канале, полученные с помощью математического моделирования, быстрее затухают с ростом глубины проникновения по сравнению с результатами приближенной аналитической теории. Период осцилляции потока по глубине зависит от степени ангармонизма непрерывного потенциала, что дает возможность уточнять модели потенциалов атомных цепочек и плоскостей.

4. Разработана модель деканалирования ионов в совершенных и радиационно поврежденных кристаллах, учитывающая многократное малоугловое рассеяние, а также однократное рассеяние ионов на большие углы дефектами, распределенными неоднородно по глубине. В рамках этой модели проведена обработка известных из литературы экспериментальных данных по обратному рассеянию. Полученные результаты показывают, что предложенная модель деканалирования позволяет определить профиль радиационных нарушений с достаточно большой точностью.

5. Разработан эффективный численный алгоритм для моделирования функции распределения релятивистских частиц по поперечным энергиям при каналировании в толстых кристаллах, существенно сокращающий время счета и позволяющий исследовать динамику пучка для больших глубин проникновения, на основе которого проведены расчеты функции распределения электронов по поперечным энергиям с глубиной для канала (111) кристалла алмаза. Показано, что начиная с глубин 50 мкм устанавливается форма распределения электронов по поперечным энергиям, характеризующаяся максимумом при нулевой поперечной энергии. Увеличение угла падения частиц на кристалл до 23 критических углов каналирования не взывает существенных изменений в форме функции распределения. На основе предложенного метода проведены расчеты спектральных характеристик излучения электронов с энергией 1 ГэВ при ориентированном движении в щелочно-галоидных кристаллах. Выявлено, что в каналах, образованных чередованием атомных плоскостей с разным знаком заряда ионов, в спектрах излучения каналированных частиц наблюдается два максимума, за счет чего возрастает общая ширина спектра на половине интенсивности основного максимума.

6. Экспериментально установлено, что в результате исследования зарядовых процессов в диэлектрическом слое и на границе раздела кремний - диэлектрик при радиационной обработке исследуемых структур с помощью электронного гамма-излучения проявляются эффекты накопления положительного заряда в диэлектрике и рост плотности поверхностных состояний. Воздействие электронного облучения на гетероструктуру приводит к образованию поверхностных электроактивных центров и разрыву напряженных связей между атомами как в объеме диэлектрика, так и вблизи границы раздела диэлектрик-полупроводник с образованием пары электрон-дырка. Атом кислорода образует ловушечный уровень донорного типа, на котором локализованы дырки, атом Si - нейтрального акцепторного уровня. Плотность объемного заряда растет, достигая насыщения при потоке 10 8-10 9 рад.

7. Показано, что снижение влияния радиационных эффектов на параметры полупроводниковых структур может быть достигнуто за счет оптимизации топологии элементов ИМС. Для снижения влияния положительного заряда на работу ИМС изолирующий оксид целесообразно удалить от активных областей приборов на расстояние не менее 5-6 мкм. Это позволяет предотвратить как появление паразитных каналов в пленке изолирующего оксида, так и снизить влияние поверхностных состояний.

8. Разработана технология вскрытия контактных площадок при создании транзисторных п-р-п структур с самосовмещенными активными элементами, обеспечивающая минимальное отклонение линейных размеров (0,1 мкм). Определены способы повышения радиационной стойкости МДП-структур на основе кремния. На опытных образцах тензочувствительных датчиков, тонкопленочных устройств регистрации тепловых потоков и термоэлектрических преобразователей показана возможность уменьшения деградации их параметров и повышения чувствительности в 2-3 раза.

Заключение

Установлены основные закономерности генерации радиационных центров в МДП структурах, подверженных облучению потоком ускоренных электронов. Доминирующими по концентрации радиационными центрами в исследованных n-эпитаксиальных структурах при их облучении электронами до интегрального потока Ф=5*10!5 см-2являются А и Е- центры. Скорости введения радиационных центров в интегральных структурах с изоляцией р-п переходом и боковой диэлектрической изоляцией элементов постоянны вплоть до потоков Ф = 5 • 1015 см~г. Дальнейшее увеличение плотности потока электронов (Ф>10'л см'2) обнаруживает аномальное поведение скорости введения дивакансий для структур с изоляцией элементов р-n переходом, которое выражается в незначительном возрастании скорости введения дивакансий относительно других центров. При этом концентрация дивакансий становится больше концентрации А-центров.

Показано, что скорость введения и температура отжига Е-центров увеличиваются с ростом концентрации легирующей примеси, а характеристики А-цнтров при этом практически не изменяются.

Показано, что скорость введения и температура отжига Е-центров увеличиваются с ростом концентрации легирующей примеси, а характеристики А-цнтров при этом практически не изменяются.

Разработана конструкция и технология формирования полупроводниковых интегральных структур методом само и сверхсовмещения, обеспечивающего создание радиационно-стойких базовых эмиттерных областей транзистора. Параметры полученных биполярных транзисторов на 25-30% выше по всем показателям, чем по стандартной технологии.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Кумахов, Адиль Мухадинович, 2004 год

1. Линдхард И. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц // УФН. 1969/ Т 99. Вып. 2. С. 249-296.

2. Gemmel D.S. Channeling and related effects in the motion of charged particles through crystals // Rev. of Mod. Phys. 1974. Vol. 47. P. 129-223.

3. Кумахов M.A. Пространственное перераспределение потока заряженных частиц в кристаллической решетке // УФН. 1975. Т. 115. Вып. 3. С. 427460.

4. Gibson W.M. Particle channeling principles and applications, a brief personal review // In. Interaction of energetic charged particles with solids. Brookhaven national laboratory. Upton. N. Y. 1973. P. 331-403.

5. Wedell. R. Electromagnetic Radiation of Relativistic Positrons and Electrons during Axial and Planar channeling in Monocrystals // Phys. Stat. Sol. b. 1980. Vol. 11 l.C. 12-49.

6. Лейман К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. М. Атомиздат. 1979. 296 с.

7. Кумахов М.А., Комаров Ф.Ф. Энергетические потери и пробеги ионов в твердых телах. Минск. БГУ. 1979. 320 с.

8. Кумахов М.А., Ширмер Г. Атомные столкновения в кристаллах. М. Атомиздат. 1980. 192 с.

9. Шипатов Э.Т. Каналирование ионов. Ростов на Дону: РГУ. 1986. 144с.

10. Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А.Ташлыков И.С. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Минск. БГУ. 1987. 256с.

11. Рябов В.А. Эффект каналирования. М. Энергоатомиздат. 1994. 235с.

12. Калашников Е.Г., Шипатов Э.Т. Ядерная физика твердого тела. Ульяновск.2000. 505с.

13. Robinson М.Т., Oen O.S. The channeling of energetic atoms in crystal lattices // Appl. Phys. Lett. 1963. Vol. 2. №2. P. 30-32.

14. Robinson M.T., Oen O.S. Computer studies of the slowing down of energetic atoms in crystals // Phys. Rev. 1963. Vol. 132. P. 2385-2398.

15. Nelson R.S., Tompson M.W. Focused collisions sequences in aluminium // Phil. Mag. 1963. Vol. 8. №80. P. 1677-1680.

16. Lutz H., Sizman R. Super ranges of fast ions in copper single crystals // Phys. Lett. 1963.Vol. 5. №2. P. 113-114.

17. Piercy G.R., Brown F., Davies J. A., Mc Cargo M. Experimental evidence for the increase of heavy ion ranges by channeling in crystalline structure // Phys. Rev. Lett. 1963. Vol. 10. №3. P. 399-400.

18. Davies J.A., Denhartog J., Ericsson L., Mayer J. W. Ion implantation of silicon. I. Atom location and lattice disorder by means of 1.0 MeV helium ion scattering // Canad. J. Phys. 1967. Vol. 45. №12. P. 4053-4071.

19. Westmoveland J.E., Mayer J.W., Eisen F.H., Welch B. Analysis of disorder distributions in boron implanted silicon // Rad. Eff. 1970. Vol. 6. P. 161-174.

20. Feldman L.C., Rodgers T.W. Resulting from Ion Bombardment of silicon single crystals // J. Appl. Phys. 1970. Vol. 41. P. 3776-3781.

21. Bogh E. Rutherford scattering of protons in the surface layers of a tungsten single crystal. Phys // Rev. Lett. 1967. Vol. 19. №2. P. 61-63.

22. Томпсон M. Каналирование частиц в кристаллах // УФН. 1969. Т. 99. Вып. 2. С. 297-317.

23. Erikson L., Davies J.A., Dernhartog J., Matzke H.J., Whitton J.L. Proton and alpha-particle channeling as a tool for locating foreign atoms in crystals // Can. Nucl. Technol. 1966. Vol. 5. №6. P. 40-43.

24. Кумахов M.A. Вопросы теории ионного легирования // Препринт МГУ JI-122178. Ч. II. М. МГУ. 1970. 32с.

25. Kumakhov M.A. A theory of flux peaking effect in channeling // Rad. Eff. 1972. Vol. 15. P. 85-96.

26. Lervig P., Lindhard I., Nielsen V. Quantal treatment of directional effects for energetic charged particles in crystal lattices // Nucl. Phys. 1970. Vol. A96. P. 481-490.

27. Каган Ю., Кононец Ю. В. Теория эффекта каналирования // ЖЭТФ. 1970. Т. 58. №1. С. 226-254.

28. Каган Ю. Кононец Ю.В. Теория эффекта каналирования. Влияние неупругих столкновений // ЖЭТФ. 1973. Т. 64. №3. С. 1042-1064.

29. Каган Ю., Кононец Ю.В. Теория эффекта каналирования. Энергетические потери быстрых частиц // ЖЭТФ. 1974. Т. 66. №5. С. 1653-1711.

30. Newton C.S., Chadderton L.J. Comments on the scattering of charged particles by single I // The General. Case. Rad. Eff. 1971. Vol. 10. №239. P. 33-42.

31. De Wames K.E., Hall W.F., Lehman G.M. Mass. dependence of the angular distribution of charged particles emission from crystals // Phys. Rev. 1968.Vol. 174. P. 392-401.

32. Ахиезер А.И., Болдышев В.Ф., Шульга Н.Ф. Теория упругого рассеяния и тормозного излучения быстрых заряженных частиц в кристаллах // ФЭЧАЯ. 1979. Т. 10. №1. С. 51-89.

33. Andersen J U., Augustyniak W.M., Uggerhoy E. Channeling of protons // Phys. Rev. 1971.Vol. 83. № 3 P. 507-515.

34. Рябов В.А. Квантовая теория неупругого рассеяния каналированных частиц // ЖЭТФ. 1974. Т. 67. №1. С. 150-160.

35. Рябов В. А. Деканалирование. Теория и эксперимент // Тезисы докладов XXIX Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М. МГУ. 1989. С. 20.

36. Коршунов Ф.П., Лазарь А.П // Тезисы докладов XXXI Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М. МГУ. 2001. С. 36.

37. Бор Н. Прохождение атомных частиц через вещество. М.ИЛ. 1950. 248 с.

38. Фирсов О.Б. Вычисление потенциала взаимодействия атомов // ЖЭТФ. 1957. Т. 33. №6. С. 696-704.

39. Born М and Mayer J. Е. // Z. Physik. 1932. Vol. 75. № 1.

40. Nielsen K.O. Electromagnetically Enriched Isotopes and Mass Spectrometry. New York. 1956. 68 p.

41. Moliere G. Teorie der streung schneller Geladenen Teilchen I. Einzelstren und am Abgeschirmten Koulomb Feld // Z. Naturforsch. Bd 2a. P. 133-141.

42. Cszavinsky P. Approximate variational solution of the Thomas-Fermi Equation for atoms //Phys. Rev. 1968. Vol. 166. P. 53-56.

43. Dedkov G. V. // Rad. Eff. 1983. № 3-4. P. 271-288.

44. Дедков Г.В. Межатомные потенциалы в радиационной физике // УФН. 1995.№8.-С. 919-953.

45. Кумахов М.А. Пространственное перераспределение потока частиц при каналировании//ДАН СССР. 1971.Т. 196. №6. С. 1300-1304.

46. Белошицкий В.В., Кумахов М.А. Критерий применимости статистического подхода к теории ориентационных эффектов // Труды IV Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М. МГУ. 1973. С. 98-102.

47. Van Vliet D. On the spatial distribution of channeling ions // Rad. Eff. 1971. Vol. 10. P. 145-149.

48. Beloshitsky V.V., Kumakhov M.A., Muralev V.A. Multiple scattering of channaling ions in crystals. I. Axial channeling // Rad. Eff. 1972. Vol. 13. P. 13-18.

49. Piecraux S.T., Brown W.L., Gibson W.M. Ion channeling studies of epitaxial layers // Phys. Rev. 1972. Vol. 20. №2. 91-93.

50. Andersen J.U., Andersen O., Davies J.A., Uggerhoy E. The use of channeling effect techniqueses to locate interstitial foreign atoms in silicon // Rad. Eff. 1971.Vol. 7. №1-2. P. 25-34.

51. Kumakhov M.A. Increase of the yield in channeling // Phys. Lett. 1970. Vol. 32. № 7. P. 538-539.

52. Кумахов M.A. О возможности точного определения местоположения примесного атома с помощью каналирования // ДАН СССР. 1972. Т. 203. № 4. С. 794-798.

53. Белошицкий В.В., Кумахов М.А. Исследование эффекта пространственного перераспределения потока заряженных частиц в кристалле // Труды IV Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М. МГУ. 1973. С. 20-23.

54. Alexander R.B., Dearnaley G., Morgan D.V., Poate J. M. The interpretation to channeling ion measurements for foreign atom location // Phys. Lett. 1970. Vol. 32. №5.P. 365-366.

55. Kumakhov M. A. Double peak in channeling experiments. // Phys. Lett. 1972. Vol. 39A. №3. P.191-192.

56. Mazoldi P. Flux peaking-Latiece location // Material characterization using ion beams. 1978. P. 429-453.

57. Davies J.A. Recent range measurements of energetic atoms in solids //Abstract of paper. Res. Group. U. K. Atomic Energy Author.1964. № AERE-R-4694. P. 1-15.

58. Beloshitsky V.V. and Trikalinos Ch.G. Passage and Radiation of relativistic channeling particles // Rad. Eff. 1981. 56. P. 71-76.

59. Белошицкий B.B., Кумахов M.A. Ориентационные эффекты при прохождении заряженных частиц в двумерной решетке атомных цепочек кристалла//ФТТ. 1973. Т. 15. С. 1588-1592.

60. Kumakhov М.А., Wedell R. Theory of channeling at small depths II // Rad. Eff. 1976. Vol. 30. № 1. P. 1-10.

61. Morgan D.V., Van Vliet D. Computer calculations applied to channeling //Atomic collision phenomena in solids. 1970. P. 476-500.

62. Barrett J.H. Monte Carlo Channeling Calculations // Phys. Rev. 1971.Vol. B3. №5. P. 1527-1547.

63. Chu W.K., Bourland P.D., Wany K.H., Powers D. Range and dE/dx of C, N, O, F and Ne in Be and С from 500 KeV to 2 MeV // Phys. Rev. 1968.Vol. 175. №2. P. 342-353.

64. Битенский H.C., Гурвич Л.Г. О наступлении статистического равновесия при каналировании // Тезисы докладов VIII Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М. МГУ. 1976. С. 18-19.

65. Barrett J.H. Breakdown of the scattering-Equilibrium Hypothesis in Channeling // Phys. Rev. Lett. 1973. Vol. 31. P. 1542-1545.

66. Кадменский А. Г., Тулинов А. Ф. Распределение частиц в осевом канале // Труды VI Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М. МГУ. 1975. С. 36-44.

67. Appleton B.R., Erginsoy С., Gibson W.M. Channeling Effects in the Energy Loss of 3-11 MeV. Protons in Silicon and Germanium single crystals // Phys. Rev. 1967. Vol. 161. № 1. P. 330-349.

68. Nelsen R. S. The observation of atomic collisions in crystaline solids // North-Holland Publishing Сотр. Amsterdam. 1968. P. 61-69.

69. Eisen F.H., Uggerhoj Е. Experimental investigation of the energy and depth dependence of flux peaking // Rad. Eff. 1972. Vol. 12. № 3-4. P 233-240.

70. Стародубцев С.В., Романов A.M. Прохождение заряженных частиц через вещество. Ташкент. ФАН. 1970. 379 с.

71. Lindhard I. Slowing-down of ions // Proc. Roy. Soc. London. 1969.Vol. A311. № 1504. P. 11-19.

72. Фирсов О.Б. Качественная трактовка средней энергии возбуждения электронов при атомных столкновениях // ЖЭТФ. 1959.Т. 36. №12. С. 1517-1523.

73. Lindhard I., Sharff М., Shiott Н.Е. Range concepts and heavy ion ranges //Mat. Phys. Medd. Danid. Selsk. 1963. Vol. 33. № 14. P. 1-42.

74. Теплова Я.А., Николаев B.C., Дмитриев И.С., Фатеева Л.И. Торможение многозарядных ионов в твердых и газообразных средах // ЖЭТФ. 1962. Т. 42. №1. С. 44-60.

75. Bernhard F., Muller-Jahreis U., Pockstroh G., Schwabe S. Stopping cross sections of Li+ ions with energies from 30 to 100 KeV in various target materials //Phys. Stat. Sol. 1969. Vol. 35. № 1. P. 285-289.

76. Apel P., Muller-Jahreis U., Rokstron G. On the Z2-Dependence of Electronic Cross Section // Phys. Stat. Sol. (a) 1970. Vol. 3. № 1. P. k 173-k 177.

77. Оцуки Ё.-Х. Взаимодействие заряженных частиц с твердыми телами. М. Мир. 1985.277 с.

78. Ohtsuki Y. H. Abnormal stopping power of proton and ion channeling // Phys. Stat. Sol. (b) 1972. Vol. 51. P. к 19-k 21.

79. Комаров Ф.Ф., Кумахов M.A. Сечение ионизации в модифицированной теории Фирсова // ЖТФ. 1973. Т. 43. №7. С. 1329-1336.

80. Кумахов М. А Энергетические потери каналированных частиц // Труды III Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М. МГУ. 1972. С. 41-53.

81. Appleton B.R., Erginsoy С., Gibson W.M. Channeling of protons in cristalls at temperature above and below the ferroelectric Curie point // Phys. Rev. 1972. Vol. В 6. № 5. P. 1613-1635.

82. Штернхеймер Р. Взаимодействие излучения с веществом. Принципы и методы регистрации элементарных частиц. М. ИЛ. 1963. 273 с.

83. Moliere G. Teorie der strenung schneller Geladener Teilchen II. Mehrfach und Veilfachstrenung // Z. Naturforsch. 1948. Bd. 3a. P. 78-86.

84. Goudsmit S., Sanderson J.L. Multiple Scattering of Electrons // Phys. Rev. 1940. Vol. 57. P. 24-30.

85. Nigam B.P., Sundareson M.K., Wu Та-You. Theory of Multiple Scattering: Second Born work // Phys. Rev. 1959. Vol. 115. №3. p. 491-502.

86. Mayer L. Plural and multiple scattering of low energy heavy particles in solids // Phys. Stat. Sol. (в). 1971. Vol. 44. № 2. P. 253-267.

87. Белошицкий B.B., Кумахов M.A. Многократное рассеяние каналированных ионов в кристаллах // ЖЭТФ. 1972.Т. 62. Вып. 3. С. 1143-1155.

88. Белошицкий В.В., Кумахов М.А. Многократное рассеяние каналированных ионов в кристалле. Плоскостное каналированя // ДАН СССР. 1973. Т. 212. № 4. С. 846-849.

89. Bonderup E., Hvelplung P. Stopping power and energy straggling for switt protons // Phys. Rev. A. Gen. Phys. 1971.Vol. 4. № 2. P. 562-569.

90. Clarck G.T., Morgan D.V., Poate J.M. // In Atomic Collisio s. Phenomena in Solids eds. D. W. Palmes, et. al. //N. Holland. 1970. 389 p.

91. Kitagava M., Ohtsuki Y. H. Modified dechanneling theory and diffusion coefficient//Phys. Rev. Solid. State. 1973. Vol. 8. № 7. P. 3117-3123.

92. Базылев B.A., Глебов В.И., Денисов Э.И., Кумахов М.А., Хлебников А. С., Циноев В.Г.Рентгеновское черенковское излучение: теория и эксперимент // ЖЭТФ. 1981. Т. 81. Вып. 5. С. 1664-1680.

93. Гуманский Г.А., Кумахов М.А., Ташлыков И.С. О влиянии закалки на деканалирование //Труды VII Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М. МГУ. 1976. С. 247-251.

94. Walker R.S., Tompson D.A. and Poehman S.W. A semi empirical method of applying the dechanneling correction in the extraction of disorder distribution // Rad. Eff. 1977. Vol. 34. P. 157-161.

95. Matsunami N. Dechanneling and modification of particle distribution by lattice deffects // J. Phys. Soc. Japan. 1975. Vol. 38. №3. P. 848-854.

96. Ведринский P.B., Мамаев Л.К., Шипатов Э.Т. Каналирование ионов гелия в с-доменом монокристалле титаната бария // Труды VII Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М. МГУ. 1977. С. 205-211.

97. Davies J.A. The use of channeling for low temperature radiation damage in semiconductors and metals // Труды VI Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М. МГУ. 1975. С. 294-311.

98. Булгаков Ю.В., Кумахов М.А. Пространственное распределение радиационных дефектов в материалах, облученных потоками частиц с падающей спектральной характеристикой // Тезисы докладов научной конференции. М. МГУ. 1968. С. 28.

99. Brice D. К. Spatial distribution of Energy deposited into atomic process in ion-implanted silicon // Rad. Eff. 1970. Vol. 6. № 1. P. 77-87.

100. Sanders J. B. On the spatial distribution of recoil atoms created in a collision cascade in crystalline material // Physika. 1969. Vol. 41. P. 353-367.

101. Мамаев Д.К., Попов B.C., Шипатов Э.Т. Применение метода обратного рассеяния протонов для анализа радиационных дефектов в ионных кристаллах // Атомная энергия. 1975. Т. 39. № 2. С. 98-102.

102. Pokhil G.P., Rudnev A.S., Sirotinin E.J., Tulinov A.F. Energy losses of protons moving in the planar channel // Rad. Eff. 1976. Vol. 30. №1. P. 167173.

103. Каминский M. Атомные и ионные столкновения на поверхности металла. М. Мир. 1967.

104. Tompson D.A., Barber H.D., Mackintosh S. The determination of surface contamination on silicon by large angle ion scattering // Appl. Phys. Lett. 1969. Vol. 14. № 3. P. 102-106.

105. Gibson J.B., Goland A.N., Vinieyard G.N. Dynamics of radiation damage // Phys. Rev. 1960. Vol. 120. № 4. P. 1229-1253.

106. Yoshida M. Distribution of intestinal and vacancies by and incident fast neutron // J. Phys. Soc. Japan. 1961. Vol. 16. № 1. P. 44-50.

107. Ковалева E.A., Шипатов Э.Т. Математическое моделирование процесса ион-атомных столкновений в кристаллах и его приложение для структурных исследований // Изв. Вузов. Физика. Деп. в ВИНИТИ. 1981. №4769-80. 49с.

108. Bontemps A., Fontenille J. Computer simulations of axial channeling in monoatomic and diatomic crystals. Multistring model and its application to foreign atom location // Phys. Rev. 1978. Vol. В 18. P. 6302-6315.

109. Ryabov V. A. Monte-Carlo calculations of blocking effect. // Phys. Stat. Sol. 1972. Vol. 49. № 2. P. 467-471.

110. Кадменский А.Г., Тулинов А.Ф. Рассеяние быстрых заряженных частиц цепочкой атомов // Труды IV Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М. МГУ. 1973. С. 46-69.

111. Ishitani Т., Shimizu M. and Murata К. Monte-Carlo simulation on scattering of bombarded ions in solids // J. Journal of Appl. Phys. 1972. Vol. 11. № 2. P. 125-133.

112. Desalvo A. and Rosa R. Multiple scattering and central limit theorem Monte-Carlo Approach//Phys. Stat. Sol. (b). 1975. Vol. 69. P. 71-78.

113. Yamamura Y., Ohtsuki Y.H. Computer Studies on Radiation of axially-channeling electrons // Rad. Eff. 1981.Vol. 56. P. 61-66.

114. Wedell R., Ignatiev S. Computer Simulation of the Dechanneling of axially Channeling electrons in Single-string approximation. Rad. Eff. 1981. Vol. 56. P. 61-66.

115. Буренков А. Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов M. А., Темкин M. М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Минск. БГУ. 1980. 351 с.

116. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А. Темкин М.М., Кумахов A.M., Сохов М.З., Жукова Т. И. Распределение пробегов ускоренных ионов. Мишени Al, Ti, V, Сг // Препринт ИАЭ. 3590/11. М. 1982. 58 с.

117. Буренков А. Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М.А., Темкин М. М., Кумахов A.M., Жукова Т.И. Распределение пробегов ускоренных ионов. Мишени Fe,Co, Ni, Zn // Препринт ИАЭ. 3591/ 11. М. 1982. 60 с.

118. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М., Кумахов А. М., Сохов М.З., Жукова Т. И. Распределение пробегов ускоренных ионов. Мишени Mo, Ag, Та // Препринт ИАЭ. 3592/ 11. М. 1982. 60 с.

119. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М., Кумахов А. М., Сохов М.З., Жукова Т.И. Распределение пробегов ускоренных ионов. Мишени Pb, Bi, U // Препринт ИАЭ. 3593/11. М. 1982. 58 с.

120. Morita К., Itoh N. Dechenneling of protons from axial and planar channels of germanium crystals // Jorn. of Phys. Soc. Japan. 1971. Vol. 30. P. 1430-1438.

121. Кощеев В.П. К теории движения каналированных частиц в пространстве поперечных энергий. // Труды XXXI Международной конференции пофизике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М. МГУ. 2001.С.30.

122. Кудряшов Н.А., Петровский С.В., Стриханов М.Н. // ЖТФ. 1989.Т.59.В.4 С.68-73.

123. Кощеев В.П. Теория объемного захвата частиц в режим каналирования // Письма в ЖТФ.2002.Т.28. В.8. С.24-27.

124. Martynenko Yu. Atomic collision phenomena in solids Amsterdam 1970. P. 400.

125. Kumakhov M.A. Some problems of the ion channeling theory // Report of the Int. Conf. in Gausdala. DAI. 1971.

126. Кумахов M.A., Муралев В.А. Пространственное распределение дефектов в кристалле, облученном быстрыми ионами // ФТТ. Т. 6. 1972. С. 49-53.

127. Вавилов B.C., Ухин И.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М. Наука. 1969.

128. Томпсон М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. М. Мир. 1971.367 с.

129. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М. Высш. шк. 1984. 320 с.

130. Броудай И., Мюррей Дж. Физические основы микротехнологии. М. Мир. 1986. 496 с.

131. Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов Д.С. Действие излучений на полупроводники М. Наука. 1988. 192 с.

132. Комаров Ф. Ф. Ионная имплантация в металлы // М. Металлургия. 1990. 216 с.

133. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М. Радио и связь. 1991.528 138 с.

134. Быковский Ю.А., Неволин В.Н., Фоминский В.О. Ионная и лазерная имплантация металлических материалов. М. Энергоатомиздат.1991.236 с.

135. Вавилов B.C., Челядинский А.Р. Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния // УФН. 1997. Т. 135. № 3. С. 347-358.t 145. Шипатов Э.Т. Методы ионной диагностики поверхности твердых тел итонких пленок. Ульяновск. 1999. 216с.

136. Gibbons J.F., Johnson W.S.,Mylroie S.W. Projected range statistics. -Stroudsburg. Pennsylvania 1975.

137. Chou S. Ph. D. // Thesis Stanf. University. 1971.

138. De Wit J.G. et al. // In Proc. 2nd Intern. Conf. on Ion implantation. Eds. I. Ruge and J. Gravl. New-York. 1971. P. 39.

139. Swenson M. L. et al // In Radiat in Semicond. Eds. Corbett J. W. and Watkins G. D. New-York. 1997. P. 359.

140. Дирнли Д., Нортроп Д. Действие излучений на полупроводниковые ядерные счетчики М. Мир. 1966.

141. Булгаков Ю.В., Кумахов М.А. Пространственное распределение радиационных дефектов в материалах, облученных моноэнергичными пучками ионов // ФТП. Т. 2. 1968. С. 1603-1608.

142. Павлов П.В., Зорин Е.Н., Тетельбаум Д.И, Попов Ю.С. // ФТТ. 1964. С. 22-29.

143. Brice D. К. // Rad. Eff. Vol. 6. 1970. P. 77.

144. Sigmund. P, Sanders J. B. // In Proc. Intern. Couf. on Application of Ion Beams to Semicond. Technology ed. p. Glotin. France. 1967. P. 215.

145. Kinchin G., R. Pease. // Rep. Prog. Phys. 1955. Vol. 18. № 1.

146. Seitz F., Hurrisson W.// Phys. Rev.1955. Vol. 98. P. 1530.

147. Крылов H. С. Работы по обоснованию статистической физики. M. JI. АН СССР. 1950.

148. Белошицкий В.В., Кумахов М.А. Критерий применимости статистического подхода в теории ориентационных эффектов // ФТТ. Т. 15. 1973. С. 1588-1592.

149. Ведель Р., Кумахов М.А. Энергетический спектр каналированных частиц // В сб. Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Киев. 1974.

150. Armstrong D. D. et al. // Rad. Eff. 12. 1972. P. 143.

151. Белошицкий В.В., Ведель Р., Кумахов A.M. Расчет пространственного распределения потока заряженных частиц в кристалле // Тезисы докладов VII Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М. МГУ. 1975. С. 12.

152. Белошицкий В.В., Ведель Р., Кумахов A.M. Расчет пространственного распределения потока заряженных частиц в кристалле // Труды VII Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М. МГУ. 1976. С. 23-28.

153. Dedkov G.V., Kumakhov A.M., Sokhov M.Z. The study of the flux-peaking effect of the planar channeling of protons in silicon by computer simulation // Rad. Eff. 1983. Vol. 71. P. 261-269.

154. Апшев С.Ж., Дедков Г.В., Кумахов A.M. Исследование процесса прохождения быстрых заряженных частиц через кристаллическую решетку // Отчет о НИР. Кабардино-Балкарский госуниверситет (КБГУ) № ГР. 81055349. Инв.№03840015319 1983. 39 с.

155. Апшев С.Ж., Дедков Г.В., Кумахов A.M. Исследование взаимодействия каналированных частиц с монокристаллами // Отчет о НИР. Кабардино-Балкарский госуниверситет (КБГУ) № ГР. 01840061545. Инв. №02840015916. 1984.46 с.

156. Кумахов A.M., Мустафаев Г.А. Эволюция распределения каналированных частиц по поперечным энергиям с глубиной проникновения // 6-ой Межотраслевой семинар "Радиационные процессы в электронике". М. 1994. С. 47-48.

157. Кумахов A.M. Пространственное распределение потока каналированных частиц в кремнии // Препринт Института Рентгеновской оптики. ИРО-3433/01. М. 2003.42 с.

158. Боголюбов Н.Н., Митропольский Ю.А. Асимптотические методы в теории нелинейных колебаний. М. Наука. 1974. 503 с.

159. Форсайт Д.Ж., Малькольм М., Моулер К. Машинные методы математических вычислений. М. Мир. 1980. 280 с.

160. Ведель Р., Кумахов M.A. Теория эффекта каналирования на малых глубинах // Труды VII Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М. МГУ. 1976. С. 11-22.

161. Кумахов A.M., Сохов М.З. Плоскостное каналирование релятивистских позитронов в кристалле кремния // Сб. «Поверхностные явления на границах конденсированных фаз». Нальчик. 1983. С. 107-112.

162. Кумахов М.А., Мустафаев Г.А. Эволюция потока релятивистских позитронов в кристалле кремния // Вестник Дагестанского научного центра РАН. Махачкала. 2001. №14. С.82-86.

163. Кумахов A.M., Мустафаев Г.А. Энергетическое распределение каналированных позитронов в кристалле кремния // Международный научно-технический семинар «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М. 1998. С.68-71.

164. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М. Мир. 1973. 166 с.

165. Вопросы радиационной технологии полупроводников // Под ред. JI.C. Смирнова. Новосибирск. Наука. 1980. 294 с.

166. Шипатов Э.Т. Методы ионной диагностики поверхности твердых тел и тонких пленок. Ульяновск. 1999. 216 с.

167. Шипатов Э.Т. Имплантация ионов в полупроводники. Ульяновск. 1999. 200 с.

168. Калашников Е.Т., Шипатов Э.Т. Ядерная физика твердого тела. Ульяновск. 2000. 505с.

169. Белошицкий В.В., Ведель Р., Кумахов A.M. Расчет функции деканалирования ионов для дефектного кристалла методом Монте-Карло // Краткие содержания докладов XVI Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике. Махачкала. 1976. С. 27-28.

170. Белошицкий В.В., Кумахов A.M. Расчет функции деканалирования для дефектного кристалла // Труды VIII Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М. МГУ. 1976. С. 15-18.

171. Белошицкий В.В., Кумахов A.M. Определение профиля дефектов в кремнии методом машинного моделирования // Сб. «Физика межфазных явлений». Нальчик. 1978. С. 58-61.

172. Белошицкий В.В. Кумахов A.M. Использование метода Монте-Карло для обработки экспериментов по обратному рассеянию // Труды X Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М. МГУ. 1979. С. 86-88.

173. Кумахов A.M. Обработка экспериментов по обратному рассеянию методом Монте-Карло // В сб. Физика межфазных явлений. Нальчик. 1980. С. 119-122.

174. Кумахов A.M. Мустафаев Г.А. Деканалирование протонов в кристалле кремния // 5 Межотраслевой семинар "Проблемы создания полупроводниковых приборов". М. 1991.С. 67-68.

175. Кумахов A.M. Мустафаев Г.А. Деканалирование тяжелых частиц в кремнии // 6-ой Межотраслевой семинар "Радиационные процессы в электронике". М. 1994. С.49-50.

176. Yamazaki Т., Takasaki М., Kashioka S. Simulation on Multiple scattering of charged particles Using Monte Carlo Method // J. Phys. Soc. Japan. 1974. Vol. 37. № 2. P. 454-459.

177. Ермаков C.M. Метод Монте-Карло и смежные вопросы. М. Наука. 1975. 471 с.

178. Beloshitsky V.V., Kumakhov М.А., Muralev V.A. Multiple Scattering of channeling ions in crystals. II. Planar channeling // Rad. Eff. 1973. Vol. 20. P. 95-105.

179. Harrison D.E., Gay W.L., Effron H.M. Algorithm for the calculation of the classical equations of motion of an TV-body system // J. Mat. Phys. 1969. Vol. 10. P. 1179-1184.

180. Готт Ю.В. Взаимодействие частиц с веществом в плазменных исследованиях. М. Атомиздат. 1978. 272 с.

181. Bogh Е., Hogild P. and Stensaard I. Spatial distribution of defects in ion bom barded silicon and germanium // Radiat. Eff. 1971. Vol. 7. P. 115-121.

182. Ericsson L., Davies J.A. Deutron and helium ion channeling in uranium dioxide // Arc. Fys. 1968. Vol 39. P. 439-450

183. Gemmell D.S., Mikkelson R.C. Channeling of protons in thin BaTi03 crystals at temperature above and below the Ferroelectric Curie point // Phys. Rev. 1972. Vol. B6. P.1613-1635.

184. Miyagawa S., Morita K., Matsunami N. et al. Proton dechanneling in alkali halide mixed crystals // Radiat. Eff. 1972. Vol. 13. P. 271-276.

185. Roth S., Sizmann R. Proton channeling in NaCl. Simulation of channeling and X-ray excitation // Radiat. Eff. 1973. Vol. 20. P.43-53.

186. Ведринский P.B., Мамаев Л.К., Шипатов Э.Т. Каналирование ионов гелия в сегнетоэлектрических монокристаллах титаната бария и титаната свинца // Изв. вузов. Физика. Деп. ВИНИТИ. 1979. № 7732-79.

187. Ведринский Р.В., Мамаев А.К. Шипатов Э.Т. Влияние поляризации титаната свинца на каналирование ионов Не+// ФТТ. 1978. Т. 20. С. 37083710.

188. Дедков Г.В., Кумахов A.M., Тегаев Р.И. О детектировании релятивистских частиц и гамма-квантов с высоким угловым разрешением // Письма в ЖТФ. Т. 11. № 17. С. 1064-1068.

189. Дедков Г.В. Насипов А.Ж. Особенности потенциалов быстрых частиц с ионными кристаллами // Изв. вузов. Физика. 1985. Деп. ВИНИТИ № 6228 -85.

190. Saiton К. Measurement and simulation of planar channeling of protons in CaF2 and BaF2 //J. Phiz. Jap. 1985. Vol. 54. P. 152-161.

191. Дедков Г.В. Насипов А.Ж. Особенности взаимодействия заряженных частиц с ориентированными кристаллами типа NaCl и CaF2. //Тезисы докладов XVII Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М. МГУ. 1987. С.55.

192. Смирнов Б.М. Асимптотические методы в теории атомных столкновений М. Атомиздат. 1974. 230с.

193. Doyle Р.А., Tiirner P.S. Relativistic scattering from-factors of X-rays and electrons calculated with Hartree-Fock wave function // Acta crystallogr. 1968. Vol. 24A. P. 390-397.

194. Datz S., Fearick R.W., Park H. et al. Observation of channeling radiation from channeling electrons // Phis. Lett. 1983. Vol. A96. P. 314-318.

195. Кумахов A.M., Дедков Г.В. Особенности излучения релятивистских электронов при плоскостном каналировании в щелочно-галоидных кристаллах // Перспективные материалы. М. 2003. №3. С. 101-103.

196. Ronda A. Glachant. A. Impoved surface nitridation of Si02 thin films in low ammonia pressures // Appl. Phys. 1971. Vol. 42. P. 11-23.

197. Lamb D.R., Badcock F.R. Analysis of the temperature rise in MOS diodes caused by ionic migration // Int. J. Electron. 1968. Vol. 24. P. 11-23.

198. Дулиш Л.К., Ребров B.H., Федорович Ю.В. Электронное приборостроение. М. Энергия. 1968. Вып. 4. С. 45.

199. Swargop В. Schaffer P.S. Conduction in silicon nitride and silicon nitrideoxde films // J. Phys. 1970. Vol. 3. P. 803.

200. Корзо В.Ф. К теории зависимости электрической прочности твердого диэлектрика от толщины // Известия вузов СССР. Физика. 1968. № 5. С.138-142.

201. Кумахов A.M., Мустафаев Г.А. Системотехнические методы повышения надежности БИС СБИС // 5-я Международная научно-техническая конференция «актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». Таганрог. 1996. С.73-77.

202. Кумахов A.M., Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш. Травление поликремния без учета линейных размеров // Международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». Таганрог. 1999.С.105-107.

203. Физические процессы в облученных полупроводниках // Под ред. Л.С.Смирнова. Новосибирск: Наука. 1977. 255 с.

204. Кумахов A.M., Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Воздействие ионизирующего излучения на цифровые КНОП ИС //

205. Международный научно-технический семинар «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.2001.С.73-76.

206. Мустафаев Г.А., Кумахов A.M., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Влияние электронного облучения на полупроводниковые гетерокомпозиции // Международная конференция «Радиационная физика твердого тела». М.2002. С. 89-93.

207. Гаев Д.С., Кумахов A.M., Тешев Р.Ш., Панченко В.А., Кармоков A.M. К технологии гетерирования полупроводниковых структур методом импульсной имплантации с лазерным источником ионов // Известия ВУЗов. Северо-Кавказский регион. Новочеркасск.2003.С.47-59.

208. Корзо В.Ф. К теории зависимости электрической прочности твердого диэлектрика от толщины // Известия вузов СССР. Физика. 1968. № 5. С.138-142.

209. Казакевич Л.А., Кузнецов В.И., Луганов П.Ф. Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии // ФТП. 1988. № 3. С. 499-502.

210. Колковский И.И. Влияние ростовых микродефектов на образование радиационных дефектов в кремнии // ФТП 1987. № 5. С. 959-961.

211. Тахмазиди Г.А. Исследование глубоких центров в приповерхностных слоях п-кремния, облученного электронами // ФТП. 1985. № 4. С. 608610.

212. Болотов В.В., Карпов А.В., Стучинскчй В.Л. Влияние дрейфа вакансий в электрическом поле на формирование распределения радиационных дефектов вблизи границы раздела в кремнии // ФТП. 1988. № 1. С. 49-55.

213. Романов С.И., Смирнов JI.C. О взаимодействии точечных дефектов с границей раздела // ФТП. 1976 № 5. С. 876-881.

214. Вологдин Э.М., Жукова Г.А., Мордкович В.Н. Радиационное повреждение в приповерхностных областях кремния. 1973. № 4. С. 835836.

215. Скупов В.Д., Тетельбаум Д.Н. О влиянии упругих напряжений на трансформацию дефектов в полупроводниках // ФТП. 1987. № 8. С. 14951497.

216. Тахмазиди Г.А. Влияние химического направления собственного окисла на отжиг радиационных дефектов в полупроводниках // Микроэлектроника. 1987.М. № 4. С. 372-374.

217. Кучинский П.В., Ломако В.М., Петрушин А.П. Влияние сильного электрического поля на скорость введения в пространственное распределение радиационных дефектов в кремнии // Письма ЖЭТФ. -1985. № 5. С.309-311.

218. Бобрикова О.В., Стась В.Ф. Влияние электрического поля на накопление А-, Е-центров в кремнии // ФТП. 1988. № 1. С. 143-145.

219. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники // Под ред. Ладыгина Е.А. М. Сов. радио. 1980. 224с.

220. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. М. Физматгиз. 1963.264 с.236. .Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями // Под ред. В.И. Фистуля. М. Металлургия. 1987.232 с.

221. Chen J.W., Milnes A. G. Enegy levels in silicon // Annual Reviews of Material Sciences. 1980. № 10. P. 157-228.

222. Лугаков П.Ф., Лукъяница B.B., Шуша B.B. Особенности накопления радиационных эффектов в высокоомном кремнии//ФТП. 1986. Т.20.№ 10.

223. Кумахов A.M., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Радиационные дефекты и параметры полупроводниковых структур. Труды межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела". М. 1998. С. 663-665.

224. Кумахов A.M., Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш. Влияние импульсного ионизирующего излучения на полупроводниковые структуры и устройства на их основе // Вестник Дагестанского научного центра РАН. Махачкала. 2001. №12. С. 40-42.

225. Аствацатурян Е. Р. Методы повышения радиационной стойкости электронных схем и устройств вычислительной техники. М. 1986. 88 с.

226. Кумахов A.M., Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Влияние импульсного ионизирующего излучения на биполярные транзисторы // Труды 10 Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела". 2001. М. С. 496-498.

227. Мустафаев Г.А. Влияние внешних факторов на параметры интегральных структур // Вестник Кабардино-Балкарского госуниверситета. Серия Физико-математические науки Вып. 1. 1996. С. 226-230.

228. Литвиненко С.А., Митрафанов В.В., Соколов В.И. Внутренние напряжения в системе кремний- окисел и их влияние на образование пор в окисле // ЖТФ. 1981.Т. 51. Вып. 4. С. 828-830.

229. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Распределение заряда в тонких диэлектрических пленках при воздействии ионизирующих излучений // Труды Северо-Кавказского технического университета. Вып. 8. 2002. С. 81-88.

230. Кумахов A.M., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Радиационные дефектыи параметры полупроводниковых структур // Труды VIII межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела".1998. С.663-665.

231. Мустафаев Г.А. Кумахов A.M., Панченко В.А. Методы повышения радиационной стойкости приборов на основе кремния // Всероссийская научно- техническая конференция " Кремний-96". М. 1996. С. 122.

232. Кумахов A.M., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш. Влияние импульсного ионизирующего излучения на биполярные транзисторы // Труды X межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела". 2002. С. 496-498.

233. Мустафаев Г.А. Влияние внешних факторов на параметры интегральных структур // Вестник Кабардино-Балкарского госуниверситета. Серия Физико-математические науки. Вып.1. 1996. С. 226-230.

234. Кумахов A.M., Мустафаев А.Г., Мустафаев Г.А. Влияние облучения на характеристики стабилизаторов тока // Труды IX межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела». 1999. С. 1098-1099.

235. Раис Д. Создание высококачественных цифровых БИС и СБИС по технологии " Изопланар-5" // Электроника. Т. 52. 1979. №25. С.35-41.

236. Мустафаев Г.А., Кумахов A.M., Тешев.Р.Ш., Мустафаев А.Г. Кинетикаобразование плёнок Si02 // Сб. докладов 14 Международного симпозиума" Тонкие плёнки оптоэлектроники и электроники". Харьков. 2002. С. 88-90.

237. Учуваткин Г. Н., Кумахов А. М. О влиянии облучения на механические и фрикционные свойства металлов и сплавов // 6-ой Межотраслевой семинар "Радиационные процессы в электронике". М. 1994. С. 133-134.

238. Учуваткин Г.Н., Большакова С.С., Кумахов A.M. Исследование воздействия облучения на радиационную стойкость электрорадио элементов методом КРП // В кн. "Вопросы радиационной стойкости и надежности элементов радиоаппаратуры." 1989. С. 72-77.

239. Учуваткин Г.Н., Кумахов A.M., Мустафаев Г.А. О влиянии облучения на механические и фрикционные свойства металлов и сплавов // Вестник Кабардино-Балкарского отделения Академии технологических наук РФ. Серия Технология. 1998. Вып. 2 С.8-13.

240. Лохстрох Я. Приборы и схемы для БИС на биполярных транзисторах // ТИИЭР. Т. 62. 1981. №7. С.47-61.

241. Lee Sctall. // IEEEJ. Vol. 17. 1982. №5. P. 913-918.

242. Chu T.L., Szedon J.R., Lee C.H. Solid State Electronics. 1967. Vol. 10. P. 807.

243. Hu S.M., Keer D.R., Gregor L.V. // Appl. Phys. Lett. 1967. Vol. 10. № 3. P.97.

244. Зимин В.Н., Коробов И.В., Мартынов В.П., Павлов С.П. Влияние температуры выращивания нитрида кремния на свойство структуры А1-Si3N4- Si // ЭТ. Вып.4. Серия Микроэлектроника. 1968. С. 30-34.

245. Валиев К.А, Наумов Ю.Е. Проблемы создания элементной базы сверхвысокой степени интеграции для ЭВМ // Микроэлектроника. 1980. Т. 9. Вып. 6. С. 483-490.

246. Lehman H.S. // IBMJ. Research and Development. 1964. Vol. 8. С. 368.

247. Seraphim D. Brennermann A. // IBMJ. Research and Development. Vol. 8. C. 400.

248. Wieder A // Abstracts 18 Conf. on Solid State Dev. and Mat. 1986. P. 261.

249. Sanders T.J., Boarman J.W., Wood G.M. and Kasten A.J. A dielectrically isolated radiatoin hardened technology for LSI // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1980. NS-27.N6. P. 1716-1720.

250. Thomas J. Joung D. // IBMJ. Research and Development. 1964. Vol. 8. C. 386.

251. Навицкас Р.Б. Самоформирование микроструктур в технологии изготовления интегральных схем // Обзоры по электронной технике. Серия 3. Микроэлектроника. М. 1986.

252. Янушонс С.С. Применение метода самоформирования для получения планарных структур // Электронная промышленность. 1980. Вып. 1. С. 16-18.

253. Климашаускас К, Ю., Янушонс С.С. Самоформирование структур в технологии изготовления интегральных схем // Электронная промышленность. 1980. Вып. 1. С. 10-12.

254. Li G., Ning. Т. et. al // IEEE. Trans. 1987 Vol. ED- 34. № до. P. 324-328.

255. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов. M. Энергия. 1973. 400с

256. Мустафаев Г.А. Кумахов A.M. Разработка схемотехники ИС,обеспечивающих снижение ионзационных токов. // 6-я Всероссийская научно -техническая конференция "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники ". Таганрог. 1997. С.97-98.

257. Мустафаев Г.А. Кумахов A.M. Основные процессы, происходящие при воздействии ионизирующего излучения на полупроводниковые структуры и способы повышения их радиационной стойкости // Вестник Дагестанского научного центра РАН. 2001. №3. С. 122-125.

258. Кумахов A.M., Мустафаев Г.А. Способ изготовления полупроводникового прибора. Положительное решение по заявке на изобретение № 20021203993/28. Приоритет от 20.01.2004.t