Особенности структуры и физических свойств вторичного литого поликристаллического кремния и его n+-p структур при внешних воздействиях тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Сидиков Васиджан Тургунович

• Сидиков Васиджан Тургунович
• кандидат наук
• 2018

Оглавление диссертации кандидат наук Сидиков Васиджан Тургунович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

Введение

1.1. Физические процессы на межзёренных границах поликристаллического полупроводника

1.2. Примесные тепло- и термовольтаические эффекты в полупроводниках

1.3. Преобразователи тепловой энергии на основе полупроводниковых структур

1.4. Постановка задачи исследования

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Методы и установки для измерения основных электрофизических параметров кремниевых образцов и структур

2.2. Методы и установки для исследования фото- и термоэлектрических характеристик

2.3.Установка для измерения глубины залегания р-п-перехода

2.4.Установка для создания просветляющих покрытий из оксида кремния...46 ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ВТОРИЧНОГО ЛИТОГО ПО ЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ (ВЛПК) И ВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ И ЛОКАЛЬНОЙ ОСВЕЩЕННОСТИ НА ЕГО

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

3.1. Микроструктура и морфология межзёренных границ на ВЛПК

3.2. Структура и электрические свойства двух соприкасающихся зерен поликристаллического кремния

3.3. Температурные зависимости основных электрофизических параметров поликристаллического кремния различной модификации

3.3.1. Температурная зависимость удельного сопротивления

3.3.2. Температурная зависимость подвижности носителей заряда

3.3.3. Температурная зависимость концентрации носителей заряда

3.4.Влияние локальной освещенности поверхности на электрофизические

свойства ВЛПК

3.5. Выводы по главе

ГЛАВА 4. ТЕПЛОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В МОНО- И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ КРЕМНИЕВЫХ К+-Р-СТРУКТУРАХ

4.1. Влияние температуры на некоторые свойства п+-р-структур на

основе ВЛПК

4.2. Поведение темнового тока п+-р-структуры из монокристаллического кремния, легированной щелочными металлами и облученной электронами при повышенных температурах

4.3. Преобразователи тепловой энергии на основе ВЛПК

4.4. Исследование свойств компонентов синтеза технического кремния

для производства преобразователей солнечной и тепловой энергии

4.5. Выводы по главе

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Список опубликованных работ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности структуры и физических свойств вторичного литого поликристаллического кремния и его n+-p структур при внешних воздействиях»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Одной из характерных особенностей современного развития человечества является быстрый рост энергопотребления. Однако ограниченность запасов топливных энергоресурсов и нарастающие трудности решения экологических проблем, связанные с развитием энергетики, приводят к необходимости поиска новых, нетрадиционных методов производства энергии, среди которых одним из наиболее перспективных является фотоэлектрический метод преобразования солнечной энергии в электрическую с использованием солнечных элементов (СЭ), чему способствует экологическая чистота и неистощимость этого источника электроэнергии [1].

Широкому развитию наземной фотоэнергетики в значительной степени препятствуют сезонная и среднесуточная неравномерность поступления солнечной энергии на Землю и низкая плотность излучения на поверхности Земли. Для выработки заметной электрической мощности необходимо собирать солнечное излучение с больших площадей, покрывая их дорогими полупроводниковыми СЭ. Стоимость получаемой таким образом электроэнергии в несколько раз превышает стоимость электроэнергии, вырабатываемой традиционными методами.

Из всей стоимости производимой в настоящее время кремниевых СЭ до 60 % приходится на исходный материал для изготовления фотоэлектрического преобразователя- электронного монокристаллического кремния (МК) или поликристаллического кремния (ПК) высокой чистоты. Поэтому для широкомасштабного производства СЭ, солнечных модулей и фотоэлектрических станций на его основе существенное значение приобретает снижение стоимости кристаллического кремния высокой чистоты и улучшение его эксплуатационных свойств.

Не меньший интерес проявляется в последнее время к преобразованию нефотоактивной части солнечного излучения, а также геотермального тепла и тепла нагретых тел, имеющих гораздо меньший масштаб практического

применения термоэлектрическим и тепловольтаическим методами путем создания преобразователей тепловой энергии (ПТЭ) на основе поликристаллического кремния и технического кремния (ТК).

Одним из наиболее радикальных путей решения проблемы создания солнечных элементов и преобразователей тепловой энергии было бы использование поликристаллического кремния, получаемого методом литья из отходов производства изделий электронной техники (ИЭТ) и металлургии кремния.

Ранее [2] сообщалось о получении и исследовании электрофизических свойств вторичного литого поликристаллического кремния указанным путем на Ленинабадском комбинате редких металлов и солнечных элементов на его основе в АО «Алмос» Согдийской области Таджикистана.

Недостаточная изученность структуры и межзёренных границ образцов вторичного литого поликристаллического кремния (ВЛПК), неясность вопроса о влиянии внешних факторов на выходные параметры ВЛПК и п+-р-структур на его основе, отсутствие непосредственного обнаружения тепло- и термовольтаических эффектов в этих структурных образованиях, отсутствие готовых ПТЭ, непосредственно изготовленных из таких материалов и обусловливает актуальность исследований в этом направлении.

Целью настоящей работы является исследование состава и электрофизических свойств ВЛПК и п+-р-структур на его основе, в том числе, при внешних воздействиях и изучение возможности создания преобразователей тепловой энергии на основе ВЛПК и ТК, а также их сочетаний.

Для достижения указанной цели в диссертации ставятся и решаются следующие задачи:

-изучение морфологии и микроструктуры границ зерен ПК, механизмов зарождения межзёренных границ и влияния атомов примеси на их свойства; -исследование температурных зависимостей удельного сопротивления, подвижности и концентрации носителей заряда (НЗ) в ВЛПК в широком интервале;

-оценка влияния локальной освещенности на температурные зависимости фототока ВЛПК п+-р-структур;

-выборка объекта и исследование влияния температуры на характеристики п+-р-структур на основе ВЛПК;

-исследование температурной зависимости темнового тока МК п+-р- структур, дополнительно легированных щелочными металлами ионной имплантацией и электронным облучением;

-изучение возможностей создания преобразователей тепловой энергии на основе ВЛПК.

Научная новизна работы заключается в том, что: -впервые проведено рентгеноспектральное исследование химического состава и микроструктуры образцов ВЛПК и показано, что размер зерен лежит в интервале 100^300 мкм, шероховатые поверхностные образования сложной формы имеют размер 1^10 мкм, а между ними обнаружены микропустоты до 10 мкм;

-установлено, что зерна ПК состоят из атомов кремния, а микроскопические шероховатости на его поверхности состоят из атомов примесей различных химических соединений с градиентом концентрации, направленным от центра образца к поверхности;

-разработан способ нанесения просветляющих покрытий из оксида кремния, который в перспективе может быть использован при создании слоя окислов на поверхность стыкуемых зерен кремния;

-обнаружена ярко выраженная корреляция температурных изменений удельного сопротивления, подвижности и концентрации носителей тока в ВЛПК при темновых условиях и при локальных засветках, снятых на п+-р ВЛПК-структурах;

-выявлен тепловольтаический эффект, возникающий вследствие генерации носителей тока при поглощении субзонных фотонов с участием глубоких энергетических уровней;

-показана тенденция усиления тепловольтаического эффекта на изо-

типных образцах из микрозернистых ВЛПК и технического кремния, а также их сочетаний.

Положения, выносимые на защиту:

-минимальный объем и минимальная площадь монокристаллического кремния и поликристаллического п+-р-структуры, при которых стабильно проявляются примесные вольтаические эффекты;

-интервал температур, в котором проявляется сложный спектр глубоких уровней ВЛПК, обусловленных зарядовыми состояниями на границах зерен;

-корреляция пиков и провалов температурных зависимостей удельного сопротивления, подвижности и концентрации носителей зарядов исходного ВЛПК при температуре, близкой к 430оС;

- температуры пиков и провалов на кривых зависимостей удельного сопротивления, подвижности и концентрации носителей заряда исходного ВЛПК при нагреве и на температурных зависимостях фототока при локальном освещении и темнового тока, снятых на п+-р-структурах ВЛПК;

-ПТВ- и ПТФВ-эффекты на ВЛПК и п+-р-структурах на его основе; -рост эффективности преобразователей тепловой энергии по мере минимизации размеров зерен на изотипных образцах из микрозернистых ВЛПК и ТК, а также их сочетаний.

Практическая значимость работы подтверждается тем, что: -применение ПТВ-эффекта, вызывающего появление тока в п+-р структурах за счет поглощения субзонных фотонов, позволит повысить КПД од-нопереходных СЭ;

-приборное воплощение ПТВ-эффекта позволит создать принципиально новые типы преобразователей энергии, в том числе с использованием дешевого кремнийсодержащего сырья, легко утилизировать не подлежащие восстановлению порошкообразные кремниевые отходы производств металлургии моно- и поликремния;

-ПТВ-эффект может быть использован в сфере микро- и оптоэлектро-

ники, когда в определенных температурных диапазонах локальная засветка отдельных микрообластей ПК-структуры может служить спусковым механизмом разряда аккумулированного заряда на границах зерен;

-результаты по ПТВ-эффекту могут быть с успехом применены при исследованиях и разработках по созданию кремниевых преобразователей тепловой энергии;

-предлагаемый способ создания просветляющих покрытий из оксида кремния был применён в мелкосерийном производстве СЭ и может быть рекомендован как способ создания окисных слоев ПТЭ;

- созданная аналитическая база запасов жильного кварца и антрацита может быть использована при создании собственного кремниевого производства в Республике Таджикистан.

Достоверность полученных результатов подтверждается использованием стандартных экспериментальных методик, хорошей воспроизводимостью результатов при испытании большого количества образцов, хорошим согласием полученных экспериментальных результатов с данными других авторов.

Личный вклад автора состоит в поиске и анализе литературных данных, подготовке объектов исследования, их обработке, обсуждении полученных результатов, формулировании основных выводов, подготовке материалов к публикации, а также в руководстве работой при внедрении результатов в производство.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на: Международной научно-практической конференции «Исследование возобновляемых источников энергии в Центральной Азии» (г. Душанбе, сентябрь 2009г.); Международной конференции «Возобновляемая энергия в Центральной Азии: создание экономической устойчивости для решения социально-экономических проблем» (г. Душанбе, ноябрь 2009г.); Международном научном симпозиуме «Возобновляемые источники энергии: проблемы и перспективы» (г. Худжанд, май 2011 г.); II Междуна-

родном научном симпозиуме «Возобновляема энергия и энергосберегающие технологии» (г. Худжанд, май 2012 г.); Республиканской научно-практической конференции «Экономика и перспективы развития возобновляемых источников энергии в Республике Таджикистан» (г. Худжанд, 2015 г.) и научно-теоретических семинарах факультета телекоммуникации и информационных технологий и факультета физики и техники ХГУ им. академика Б.Гафурова.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав основного текста и заключения. Работа изложена на 137 страницах компьютерного текста, включая 42 рисунка, 2 таблицы. Список цитируемой литературы состоит из 151 наименования.

Ключевые слова: полупроводник, вторично-литой поликристаллический кремний, примесь, концентрация, межзёренная граница, вольтаический эффект, термо-ЭДС, заряд, кварцит, антрацит.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР Введение

Высокая стоимость солнечных элементов (СЭ) из монокристаллического кремния (МК) обусловливает перспективность использования поликристаллического кремния (ПК), однако выпуск СЭ на основе ПК связан с увеличением производства сырцового кремния, поскольку существующий объём полностью подвергается металлургическому переделу в МК для обеспечения производства изделии электронной техники (ИЭТ).

Тем не менее, серийный выпуск СЭ на основе ПК можно организовать вовлечением в выпуск ПК всех видов отходов производств сырцового и монокристаллического кремния, а также ИЭТ. С этой целью в 1990-1992 гг. было разработано и организовано производство вторичного литого поликристаллического кремния (ВЛПК) из привозного сырья-отходов производства сырцового монокристаллического кремния и ИЭТ на Ленинабадском комбинате редких металлов (Чайрух-Даррон) и СЭ на его основе на заводе « Ал-мос» г. Худжанд Республики Таджикистан при участии СКТБ Института электроники АН Республики Узбекистан. Об этом впервые было сообщено в работе [2], где подробно изложена технология производства ВЛПК и СЭ на его основе, определены исходные элементы для получения ВЛПК и приведены первые полученные результаты.

В работе [4] сравниваются эффективность пассивации рекомбинацион-ной активности образцов ПК, изготовленных различными методами, в том числе ВЛПК, показано, что ионы водорода эффективно пассивируют границы зерен и скопления дислокаций, в особенности линейные дислокации. Поддаются пассивации также примеси переходных металлов, ответственных за снижение времени жизни носителей заряда как в зернах, так и на их границах.

В работе [5] с целью повышения рентабельности производства СЭ на основе ВЛПК обсуждаются причины разброса характеристик СЭ, изготовленных в едином цикле на основе ВЛПК и зависимость к.п.д. СЭ от размера

11

исходных пластин из этого материала. Другие параметры и свойства СЭ из ВЛПК, в том числе, его поведение при освещении концентрированным солнечным излучением (КСИ) исследованы в [6], где сообщается об обнаруженном впервые эффекте сверхлинейного роста тока короткого замыкания уже при уровне фотовозбуждения 4 ^ 5 крат.

Электрические, фото-, тепло и термоэлектрические, механические и другие свойства преобразователей солнечной и тепловой энергии, изготовленных на основе ПК, объясняются микроструктурой и морфологией межзё-ренных границ. Проведено множество исследований [7,8], где показано, что микроструктура и морфология сильно зависят от технологии получения ПК, от свойств атомов остаточных или специально веденных примесей, а также от процессов их сегрегации. Поэтому подробное изучение структуры межзё-ренных границ, влияния технологических факторов, атомов примесей, определение путей управления ими в настоящее время считается одной из приоритетных задач науки, имеющих прямой выход в производство полупроводниковых приборов. Исследование свойств высокоэффективных теплофо-товольтаических (ТФВ) систем для преобразования нефотоактивной части солнечного излучения, тепла и теплового излучения нагретых тел в электрическую энергию считается одним из главных направлений фото-и теплоэнергетики на основе ПК [9^11], интерес к которой возродился в последнее время с новой силой из-за успехов в разработке и применении полупроводниковых фотовольтаических (ФВ) систем в составе СЭ, преобразователей тепловой энергии (ПТЭ).

1.1. Физические процессы на межзёренных границах поликристаллического полупроводника

Кристалл кремния имеет темно-серый металлический цвет, а его кристаллическая решетка схожа с кристаллической решеткой алмаза. Параметры его решетки 0,54 нм, межатомные расстояния 0,23 нм, а плотность составляет 2330 кг/м3. Его обычно легируют атомами пятивалентного фосфора и трех-

валентного бора.

Некоторые атомы кремния вследствие теплового колебания могут покинуть свое место, в результате чего в кристаллической решетке образуются пары -вакансии и междоузельные атомы. Лишний междоузельный атом, стремясь к поверхности кристалла, может увеличивать объем кристалла. В этом случае свободное место, образованное в кристаллической решетке, называется дефектом Шотки. В некоторых случаях свободное место, находясь в связи с атомом, находящимся между узлами кристаллической решетки, приводит к образованию дефектов Френкеля.

При введении примесей в кристаллическую решетку в зависимости от их локализации появляются дефекты двух видов. Если атом примеси, расположенный в узле кристаллической решетки, образует определенный энергетический уровень в запрещенной зоне, то расположенный между узлами атом примеси не образует энергетический уровень. Однако это может ощутимо влиять на свойства полупроводника. Если атомы сдвинуты вдоль определенной оси или в параллельном направлении к нему, то такой дефект называется крученной или винтообразной дислокацией, если же сдвинут вдоль прямой линии, то называется линейной дислокацией. Эти дефекты оказывают ощутимое влияние на механические и электрофизические свойства кристалла. В частности, дислокации для носителей заряда могут быть центром распределения, а также появления новых носителей зарядов, то есть проявляют себя в качестве доноров или акцепторов электронов.

Впервые сведения об атомном строении межзёренных границ приведены Розенхайманом и Хамфри [12]. По их мнению, граничные поверхности двух соприкасающихся зерен могут состоять из структур, схожих с аморфными. Несмотря на то, что эта модель считается устаревшей, она широко применяется при объяснении свойств межзёренных границ. Например, эта модель применена при изучении свойств многокомпонентных и термообра-ботанных порошков [13]. Замечено, что поверхность таких структур находится в аморфном состоянии.

Харгривз и Хилс первыми предложили модель периодического строения граничной поверхности соприкасающихся зерен [14]. Согласно этой модели, межзёренные границы, то есть пространство между соприкасающимися зернами или соседними кристалликами, состоят из атомных плоскостей. Затем Мотт высказал мысль об островной модели [15], а Бюргерс первым ввел идею о том, что межзёренные границы состоят из дислокаций [16]. Эти идеи доказаны на основании результатов исследования химического разъедания пористых дислокаций [17]. Позже его идея со стороны Броэндона и других [18] развивалась в соответствии с узлами решетки Боллманна и обобщенной О-модели решетки [19]. Шобер и Баллуффи, наблюдая решеточные дефекты межзёрен-ных границ с большими углами, экспериментально доказали правоту идеи Боллманна [20].

Исследования по дифракции электронов [21] и рентгеновских лучей [22] показывают, что поверхности межзёренных границ имеют кристаллографическое строение. Кристаллографическое распределение расположенных на поверхности межзёренных границ атомов различных примесей имеет очень высокую плотность решетки. Картину атомов межзёренных границ первым основательно изучил Хористра [23,24]. Он для атомов межзёренных границ применил форму тетраэдра. Позже Саттон и Витек, развивая эту концепцию, смоделировали на ЭВМ кубическое строение решетки металлов. В настоящее время экспериментально полученные результаты изучаются на основании таких моделей. Обычно при изучении структуры межзёренных границ используют результаты по строению зерен или структуре поверхностных слоёв кристалла.

Сохраненные остаточные или специально введенные примеси в процессе кристаллизации могут разрывать связи кремния или образовывать соединения различных форм. Например, самым часто встречаемым элементом считается кислород. На рис.1.1 изображена схема кристаллографической локализации атомов кислорода и кремния на поверхности кристалла.

Атомы кислорода, разрывая связи атомов кремния, располагаются на

Рис.1.1. Схема расположения атомов кремния и кислорода на поверхности кристалла [25].

узлах кристаллической решетки. В зависимости от количества атомов кислорода и из их способности образовывать соединения с атомами кремния, на поверхности кристалла могут образоваться различные по геометрии кристаллографические структуры [25].

В работе [25^27] выяснено, что под действием кислорода на поверхности кристалла кремния связи Si-Si, разрываясь, образуют соединение Si-O-Si или связи еще более сложной формы. Формирование или исчезновение таких связей зависит от внешних факторов. Например, термообработка соединения SiOx в вакууме при температуре 300^600 оС может приводить к образованию различных дефектов [28,29]. При температуре термообработки >1100 оС дефекты удаляются от поверхности кристалла, в результате чего поверхностные слои переходят из аморфного состояния в кристаллическое, на поверхности появляются центры Pb.

На рис. 1.2 изображено атомное строение поверхностных слоев кристалла кремния, состоящих из атомов кремния, кислорода и фосфора и дефекта. Пятивалентный фосфор одновременно с кремнием, а также с помощью пятого валентного электрона, может соединиться с одним кислородом. Однако в связи с неустойчивостью связь кислород-фосфор раскрывается [25] и, разрывая связь Si-Si, образует новую связь Si-O-Si [26]. В результате образования разорванной связи пятой валентностью атома фосфора возможно его соединение с вакансией или соединение с кремнием, находящимся между

а) 6)

Рис. 1.2. Атомное строение из трех примесей и дефекта в поверхностном слое кристалла.

узлами кристаллической решетки (рис.1.2). Кремний, в свою очередь, тоже может восстановить свою разорванную связь. Разорванные связи такого вида приводят к образованию различных дефектов на поверхности кристалла. Эти дефекты служат для носителей заряда рекомбинационными центрами (ловушками).

В результате внешних воздействий по типу кислорода атомы азота, гелия, аргона и других газов или специально внедренные атомы примесей тоже сильно влияют на атомное строение поверхности кристалла кремния [28^33]. Изменение атомного строения кристалла приводит к отрыву дефектов, исчезновению или появлению дефектов нового вида. Например, при выходе из объема на поверхность атомы щелочных металлов, соединяясь с кислородом или вакансией, могут образовывать кристаллографические строения разного вида, например, кубической формы [31,32].

Под влиянием примесей изменения кристаллографического строения приводят к появлению поверхностных состояний границ. Периодичность атомов двух соприкасающихся кристалликов повторяет периодичность строения межзёренных границ. В свободном состоянии поверхность межзёрен-ных границ является периодичной, её можно представить как периодичное строение областей с распределенными линейными дефектами. Образование атомарных строений в таких сложных геометрических формах примесей в

межзёренных границах объясняется сегрегацией сохраненных остаточных или специально внедренных примесей в процессе кристаллизации.

Как известно, сегрегация- это неравномерное распределение атомов примесей в кристалле. Она происходит по причинам различного распределения примесей в промежутке между твердым состоянием и жидким состоянием в процессе кристаллизации, при отделении примесей от твердой фазы в процессе охлаждения или нагрева [8].

Несмотря на все процессы очищения, неуправляемые химические элементы (О, С, В, As, Sb и др.) в составе ТК приводят к его загрязнению. При этом скорость кристаллизации и геометрические характеристики ощутимо влияют на эффект очищения. Например, в процессе подготовки литья ПК в различных состояниях (газообразном или жидком) специально введенные или остаточные атомы примесей перемещаются из центров кристаллизации соединения к поверхности литья [34]. В результате неравномерное распределение (сегрегация) атомов примесей приводит к образованию на поверхности кристалла дефектов сложной формы.

Неравномерное распределение атомов примесей бывает различным в зависимости от способа получения ПК, от вида остаточных или специально введенных атомов примесей, а также от внешних условий. Ниже рассмотрим некоторые результаты, полученные при изучении сегрегации остаточных примесных атомов в процессе кристаллизации.

Сегрегация примесей в соответствии с технологией получения ПК различна и приводит к появлению на поверхности межзёренных границ различного вида шероховатостей [9,10,13]. Рентгеноспектральная характеристика отчетливо показывает, что остаточные или специально введенные атомы примесей в составе первоначального сырья сохраняются в областях межзёренных границ. Их количество по мере удаления от центра ядра кристаллика к поверхности растёт, в то время как в этом направлении наблюдается падение концентрации атомов кремния. Процесс кристаллизации зависит от процесса сегрегации примесей.

В процессе кристаллизации атомы примесей, сегрегируясь по поверхности, образуют различные соединения и комплексы. Например, атомы кислорода, разрывая связи между атомами кремния, располагаются в узлах кристаллической решетки. Они образуют на поверхности кристалла кристаллографические соединения различной геометрической формы [25^28, 30^32]. Аналогично, в процессе сегрегации атомы железа Fe, переходя через слои оксида SiО2 , на поверхности образуют различные силициды [38^46]. В составе первоначального сырья атомы специально введенных щелочных металлов тоже в результате перехода из объема на поверхность [31,32], соединяясь с атомами кислорода, образуют оксиды типа Lix-ОУ, №х-Оу и Кх-Оу или комплексы с вакансиями Lix-Vy, №Х-Уу и Кх-Уу [32,47,48]. Под действием внешней среды в поверхностном слое растет их концентрация [31,49,50]. Например, на поверхности кремния, обработанного в магнитном поле, концентрация атомов натрия возрастает в 3,8 раз, а на кремнии, обработанном сначала в магнитном поле, затем выдержанном в вакууме - в 7,8 раз. На поверхности кремния, обработанного точно в такой последовательности, выявлено возрастание концентрации атомов калия соответственно в ~2,2 и ~4,8 раз. Сегрегация примесей в межзёренных границах способствует образованию в них микропустот.

В работе [51] теоретически изучены полная энергия примесей углерода и кислорода и их взаимодействие с дефектами. Согласно результатам этого исследования, в составе кремния углерод может превратиться в дефект, а кислород может быть примесью. На рис.1.3 приводится растворимость различных примесей в кристалле кремния и их коэффициенты диффузии.

Рассмотрим твёрдый раствор фосфора и кислорода в кремнии. Растворимость фосфора в кремнии выше, чем у кислорода. В процессе взаимного влияния примесей энергия одной связи фосфора и кислорода Р-О составляет 0,7 эВ, что меньше энергии связи кремния с фосфором P-2Si [22]. Наряду с образованием соединения Р^, пятая валентность может образовать соединение с кислородом, находящимся между узлами кристаллической решетки. Однако эта связь очень неустойчива. Кислород, освободившись от фосфора,

Рис. 1.3. Растворимость и коэффициенты диффузии различных элементов в кристалле кремния.

По причине того, что, во- первых, энергия связи фосфор-кислород выше энергии связи кремний-кислород и, во-вторых, благодаря большему коэффициенту диффузии кислорода по сравнению с фосфором, кислород диффундирует в сторону поверхности легко и быстро. На поверхности кристалла кремния он образует соединение оксида кремния различной формы [27^31,33]. В этом случае энергия связи Si-O, равняясь 4,6 эВ, является достаточным для разрыва связи Si-Si с энергией 2,3 эВ. Также фосфор в процессе диффузии на поверхность, образуя соединения с различными вакансиями (рис. 1.2 б), сегрегирует на границу кристалла кремния и оксида кремния. Например, в работе [25] в кристаллографических направлениях (110) обнаружен рост зерен ПК при сегрегации фосфора. В результате сегрегации примесей изменяется кристаллографическое строение кристалла и это изменение ощутимо влияет на собственные параметры поликристаллического полупроводника (ПП), на электрофизические, фотоэлектрические и другие свойства СЭ и ПТЭ, изготовленных на его основе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Сидиков Васиджан Тургунович, 2018 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1.Стребков Д.С. Роль солнечней энергии в энергетике будущего [Текст]/ Д.С Стребков // Энергетическая политика, 2005.-№2.-С.27-36.

2.Абдурахманов Б.М. Технология производства литого поликристаллического кремния и солнечных элементов на его основе [Текст]/ Б.М. Абдурахма-нов, Т.Х.Ачилов, А.Л.Кадыров, Ш.Т.Касымов, М.С.Саидов, В.Я. Таджиев, М. Халиков, С. Хошимов, О.И. Чечетка // Гелиотехника, 1992.-№4.-С.8-14.

3.Саидов М.С. Примесный тепловольтаический эффект границ зерен поликристаллического кремниевого солнечного элемента [Текст]/ М.С. Саидов, Б.М. Абдурахманов, Л.О.Олимов // Гелиотехника, 2007.-№4.-С.8-13.

4. Абдурахманов Б.М. Сравнительный анализ водородной пассивации солнечных элементов изготовленных на основе поликристаллического кремния различных видов [Текст] / Б.М.Абдурахманов, Р.Р Билялов, М.С. Саидов, А.Л. Кадыров // Гелиотехника, 1994.-№5.-С.3-8.

5. Абдурахманов Б.М. Пути повышения рентабельности производство солнечных элементов на основе литого поликристаллического кремния [Текст]/ Б.М.Абдурахманов, А.Л. Кадыров, М. Умаров // Ученые записки ХГУ им. Б.Гафурова, 2002.-№5.- С.12-19.

6. Абдурахманов Б.М. Эффект сверхлинейного роста тока короткого замыкания от уровня излучения на солнечных элементах из поликристаллического кремния [Текст]/ Б.М.Абдурахманов, А.Л. Кадыров // Тезисы докладов международной конференции, посвещенной 40-летию ФТИ им.С.У.Умарова АН РТ. Душанбе 5-6 октября, 2004.-С.5-7.

7. Казмерского Л.Л. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки: Физика и применения: Пер. с англ. Под ред. Л.Л.Казмерского // М.: Мир, 1983.304 с.

8. Харбек Г.Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения: Пер. с англ. Под ред. Г.Харбек // М.:Мир, 1989.-295 с.

9. Coutts T.J. A review of progress in thermophotovoltaic generation of electricity [Text]/ T.J. Coutts //Renewable and Sustainable Energy Reviews 3 (1999).P.77-

184. Pergamon.

10.Yugami H. Photoelectric converters of thermal and concentrated solar radiation [Text]/ H. Yugami, H. Sai, K. Nakamura et.al. // Proc. 28th IEEE PVSC (Alaska, USA, 2000).

11.Tobias J. The choice of impurities for the photovoltaic effect. [Text]/ J. Tobias, A. Lugue //IEEE, Trans. Electron. Dev., 49, 2024 (2002)

12.Rosenhaim W. The Tenacity, Deformation and Facture of Soft Steel at High[Text]/ W.Rosenhaim. J.C.W.Humphrey //Iron Steel., 1913, 87, 219.

13. Brederoo P. Elektron Microscopy [Text]/ Ed. P.Brederoo and G.Boom. Ruhle. // Leiden, 1980, p. 366.

14.Hargreaves F. Crystallografy and Crystal Defects.[Text]/ F.Hargreaves. R.J.Hills. //Journ.Inst.Metalls, 1929, 41, 237.

15.Mott N.E. Report of a Conference on Strength of Solids [Text]/ N.E.Mott. // Physical.Soc, London, 1948, 60, 391.

16.Burgers J.M. Estimation of Boundary Torque and Surface Energy A nisotropy. [Text]/ J.M.Burgers. // Proc. Ned. Akad v. Wet Amsterdam, 1939, 42, 293.

17.Vogel F.L. Observations of dislocations in lineage boundaries in germanium. [Text]/ F.L.Vogel, W.G.Pfann, H.E.Corey, E.E.Thomas. // Phys.Rev.,1950, 90,489.

18.Brandon D.G. A field ion microscope study of atomic configuration of grain boundaries. [Text]/ D.G.Brandon, B.Ralpf, S.Ranganathan, M.S.Wald. // Ac-taMetall, 1964, 12, 813.

19.Bollmann W. Crystal defects and crystalline interfaces [Text]/ W.Bollmann, // Springer, Berlin, 1970.

20.Schober T. Relationships between elementary interface mechanisms and mechanical behaviors of materials. [Text]/ T.Schober, R.W.Ballufi. // Phil.Mag., 1971, 24, 187, P.165-180.

21.Carter C.B. Diffraction effects and images from inclined boundaries in poly-crystalline thin foils. [Text]/ C.B.Carter. A.M.Donald, S.S.Sass. // Phil.Mag., 1979, A39, P.533-49.

22.Sass S.S. The dislocation structure of small angle boundaries. [Text]/ S.S.Sass, T.Y.Tan, R.W.Ballufi. // Phil.Mag., 1975, 31, 559..

23.Honstra J. Models of grain boundaries in the diamond lattice. I. Tilt about (110). [Text]/ J.Honstra. // Physics, 1959, 25, 409-22.

24.Honstra J. Models of grain boundaries in the diamond lattice. II. Tilt about (001). [Text]/ J.Honstra. // Physics, 1960, 26, 198.

25.Заводинский В.Г. Компьютерное изучение механизмов сегрегации фосфора на границе Si02/Si(100) [Текст]/ В.Г. Заводинский // Физика и техника полупроводников, 2000.-Т. 34.-№3.-С.302-305.

26. Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Матюшкин И.В. Математическое моделирование кинетики высокотемпературного окисления кремния пограничного слоя в системе Si-Si02 [Текст]/Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев, И.В.Матюшкин // Физика и техника полупроводников, 2003.-Т.37.- №1.-С.44-49.

27.Гинденко А.А. Влияние кислорода на структуру и электронные свойства нанокристаллов кремния Sin (n=5,6,10,18) [Текст]/ А.А. Гинденко, В.Г. Заводинский // Физика и техника полупроводников, 2008.-Т.42.-№7.-С.817-822.

28.Братусь В.Я. Структурные превращения и образование нанокристаллитов кремния в пленках Si0x [Текст]/ В.Я. Братусь, В.А. Юхимчук, Л.И. Бережин-ский, М.Я. Валах, И.И. Ворона, И.З. Индутный, Т.Т. Петренко, П.Е Шепелявый, И.Б. Янчук// Физика и техника полупроводников, 2001.-Т.35.-№7.-С.854-860.

29. Shigeki Imai. Formation of (111) nanotwin lamellae hillocks in polycryctalline silicon thin films caused by deposition of silicon dioxide layer[Text]/ Imai Shigeki, Fujimoto Masayuki. //Appl. Phys. Lett., 2006.-V.88.-P.021912.

30.Банишев А.Ф. Влияние внешней атмосферы и типа газа на генерацию дефектов и разрушение поверхности кремния при воздействии лазерных импульсов [Текст]/ А.Ф.Банишев, В.С.Голубев, А.Ю. Крамнев // Журнал технической физики, 2004.-Т.74.- №8.-С.81-85.

31.Макара В.А. Вызванные действием магнитного поля изменения примесного состава и микротвердости приповерхностных слоев кристаллов кремния

[Текст]/В.А. Макара , М.Ф.Васильев , Л.П. Мтебленко,О.В. Коплак., А.Н. Курилюк, Ю.Л. Кобзарь,С.Н. Науменко // Физика и техника полупроводников, 2008.-Т.42.-№9.-С.1061-1064.

32.Король В.М. Диффузия имплантированного натрия в кислородном кремнии [Текст]/В.М.Король, С.А. Веденяпин, А.В. Застовной, В.И. Овчинников // Физика и техника полупроводников, 2008.-Т.42.-№9.-С. 1140-1144.

33.Болотов В.В. Изменение состояние атомов фосфора в решетке кремния при взаимодействии с радиационными дефектами [Текст]/В.В. Болотов, Г.Н. Камаев, Л.С. Смирнов. // Физика и техника полупроводников, 2002.-Т.36.-№4.-С.385-388.

34. Сборник статей [Текст]/ Кристаллизация тонких пленок // Ташкент: ФАН, 1970.- С.85-91.

35. Абдурахманов Б.М. Микроструктура межзёренных границ в поликристаллическом кремнии и её влияние на перенос носителей заряда [Текст]/ Б.М.Абдурахманов, Л.О. Олимов, Ф.С. Абдураззаков // Физическая инженерия поверхности, 2010.-Т.8.-№1.- С.72-76.

36. Олимов Л.О. Влияние межзёренных границ на перенос носителей заряда в поликристаллическом кремнии [Текст]/Л.О. Олимов, Ф.С. Абдураззаков // Узбекский физический журнал, 2005.-№3.-С.231-233.

37.Олимов Л.О. Исследование структуры и электрофизические свойства межзёренных границ поликристаллического кремния [Текст]/ Л.О. Олимов // Узбекский физический журнал, 2007.-№5-6.-С.361-365.

38.Галкин Н.Г. Формирование, кристаллическая структура и свойства кремния со встроенными нанокристаллитами дисилицида железа на подложках Si (100) [Текст]/Н.Г. Галкин, Д.Л. Горошко, В.О. Полярный, Е.А. Чусовитин, А.К.Гутаковский, А.В.Латышев, Й.Кханг // Физика и техника полупроводников, 2007.-Т.41.-№9.-С.1085-1092.

39. Suemasu T. Influence of Si growth temperature for embedding P-FeSi, and resultant strain in P-FeSi, on light emission from p-Si/ P-FeSi, particles/n-Si light-

emission diodes[Text]/ T. Suemasu, Y.Negishi, К. F.Takakura, Hasegawa // Appl. Phys. Lett., 2001.- V.79.-P.1804.

40.Wang L. Reactive deposition epitaxial growth temperature of P-FeSi2 film jn Si (111) in situ observation by reflective high energy electron diffraction[Text]/ L.Wang, C. Lin, Q. Shen, X. Lin, R. Ni, S. Zou //Appl. Phus. Lett., 1995.-V.66.-P.3453.

41.Балашев В.В. Влияние дефектов тонкого слоя оксида кремния на процессы силицидообразования в системе Fe/Si02/Si(001) [Текст]/В.В. Балашев, В.В. Коробцов, Т.А. Писаренко ,Е.А. Чусовитин // Физика твёрдого тела, 2009.-Т.51.-№3.-С.565-571.

42. Muneyuki Naito. Solid phase crystallization of amorphous Fe-Si layers synthesized by ion implantation[Text]/ Naito Muneyuki, Ishimaru Manabu, Hirotsu Yo-shihiko, A Valdez James, E. Kurt. Sickafus.//Appl. Phys. Lett., 2006.-V.88.-P.251904.

43.Гомоюнова М.Ю. Взаимодействие атомов железа с поверхностью кремния, покрытого слоем естественного окисла [Текст]/М.Ю. Гомоюнова, И.И. Пронин, В.Н. Петров , А.Н. Титков // Журнал технической физики, 2009.-Т.79.-№8.-С.124-128.

44.Корольков В.П. Получение силицидов никеля методом выжигания пленки металла в поликремневую пленку [Текст]/В.П. Корольков, А.Н. Юрков, А.Р. Микертумянц // Прикладная физика, 1999.-№3.-С.67-72.

45. Гомоюнова М.В. Взаимодействие атомов железа с поверхностью окисленного кремния [Текст]/М.Ф. Гомоюнова, Д.Е Мфлыгин, И.И. Пронин // Журнал технической физики, 2006.-Т.76.-№9.-С.136-139.

46. Buonassisi T. Impact of metal silicide precipitate dissolution during rapid thermal processing of multicrystalline silicon solar cells[Text]/ T. Buonassisi, A.A. Istratov, S.Peters, C. Dallif, J. Isemberg, S.T. Buonassisi Riepe, W.Warta, R.Schindler , G. Willeke, Z. Cai, B.Lai, E.R.Weber // Appl. Phys. Lett., 2005.-V.87.-P.12918.

47.ВавиловВ.С. Дефекты в кремнии и на его поверхности [Текст]/ В.С.Вавилов, В.Ф. Киселев ,Б.Н. Мукашев // М.:, Наука, Физматлит, 1990.260 с.

48.Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии [Текст]/ К. Рейви //М.: Мир, 1984.-475 с.

49.Дмитриев С.Г. Распределение подвижных ионов в тонких пленках диэлектрика вблизи границы диэлектрик-полупроводник [Текст]/С.Г.Дмитриев, Ю.В. Маркин//Физика и техника полупроводников, 2000.-Т.34.-№8.-С.970-975.

50.Островский И.В. Стимулированное ультразвуком низкотемпературное перераспределение примесей в кремнии [Текст]/И.В.Островский, А.Б. Надточий, А.А. Подолян // Физика и техника полупроводников, 2002. -№36 (4).-С.389-391.

51. Пономарев К.В., Теоретический анализ распределения примесей в кристаллическом кремнии [Текст]/ К.В.Пономарев, П.А.Коржавый, Ю.Х. Веки-лов // Физика и техника полупроводников, 1997.-Т.39.-№8.-С.1384-1389.

52.Keevers M.J. Efficiency improvements of silicon solar cells by the impurity photovoltaic effect. [Text]/ M.J. Keevers, M.A. Green // J. Appl. Phys. 1994, V.75, №8. P. 4022-4033.

53.Lugue A. Increasing the efficiency of ideal solar cells by foton insuced transitions at intermediate levels. [Text]/A. Lugue, A. Martin // Phys. Rev. Lett. V. 78. # 26. 1997, P. 5014-17.

54.Beaucarne G. The impurity photovoltaic (IPV) effect in wide-band gap semiconductors: an opportunity for very high-efficiency solar cells? [Text]/ G. Beau-carne, A.S. Brown, M.J. Keevers et.al./ Prog. Photovolt. Res. Appl. 2002. 10: 34555. Saidov M.S. Concentrated semiconductor solid solution of compounds and

possibility of realization of in-band-cascade devices. [Текст]/ M.S. Saidov // Geliotekhnika, 2000, № 1, С. 3-9.

56.Saidov M.S. Possible impurity voltaic effects in semiconductors [Тех^/ M.S. Saidov M.S. // Geliotekhnika, 2003.-№3.-С.3-6.

57.Саидов М.С. Возможность осуществления примесного термофотовольта--ического эффекта [Текст]/ М.С Саидов.// Гелиотехника, 2006.-№3.-С.3-8.

58.Саидов М.С. Особенности и перспективы использования примесного тепловольтаического эффекта полупроводниковых структур[Текст]/ М.С. Саидов // Гелиотехника, 2007.-№4.-С.3-6.

59.Thurmond C.D. Calculation of multicomponent phase diagrams and their use for alloy development and improvement of processing technology [Text]/ C.D. Thurmond // J. Electrochem. Soc. 1975. 122. 1133.

60.Саидов М.С. Примесные вольтаические эффекты и термофотовольтаика [Текст]/ М.С. Саидов // Гелиотехника, 2008.-№1.-С.6-11.

61.Саидов М.С. Примесный термофотовольтаический эффект границ зерен технического кремния [Текст]/М.С. Саидов , А.С. Саидов , Ш.Н. Усмонов // Гелиотехника, 2008.- №1.-С.15-17.

62.Саидов А.С. Тепловольтаические свойства солнечно-плавленого технического кремния [Текст]/А.С. Саидов, А.А. Абакумов, М.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков // Гелиотехника, 2007.-№4.-С.102-104.

63.Абдурахманов Б.М. Тепловольтаические свойства кремниевых солнечных элементов, подвергнутых электронному облучению [Текст]/Б.М. Абдурах-манов, Л.О. Олимов, Ф.С. Абдураззаков, З.Н. Аладьина// Гелиотехника, 2010,-№ 2, С. 85-86.

64.Саидов М.С. Классификация примесных вольтаических эффектов в полупроводниках и примесная вольтаика [Текст]/М.С.Саидов// Гелиотехника, 2009.-№2.-С.3-10.

65.Зи С. Физика полупроводниковых приборов [Текст]/ С. Зи // М.: Мир, 1984.-Т.1.-С.26.

66.Saidov M.S. Concentrated semiconductor solid solution of compounds and possibility of realization of in-band-cascade devices. [Text]/ M.S. Saidov // Applied Solar Energy «Geliotekhnika», 2000. V.36. N1.P.1-7.

67.Saidov M. S. Possible impurity voltaic effects in semiconductors. [Text]/ M.S. Saidov // Applied Solar Energy «Geliotekhnika», 2003. V.39. N 3. P.1-4.

68.Saidov M. S. The effect of concentrated solar radiation on the impurity photovoltaic effect. [Text]/M.S. Saidov// Applied Solar Energy «Geliotekhnika», 2006.V.42. N 2. P.11-13.

69.Saidov M. S. Possibility of impurity thermophotoelectric effect [Text]/ M.S. Saidov // Applied Solar Energy «Geliotekhnika», 2006. V.42. N 3. P.1-4.

70. Саидов М.С. Соединения концентрированных полупроводниковых твердых растворов и возможность их реализации в многопереходных приборах [Текст] / М.С. Саидов // Гелиотехника, 2000, № 1, С. 3-9.

71.Кутлимуратов А. Фототепловольтаический эффект примесей Si2 в арсенид галлиевом солнечном элементе [Текст]/А. Кутлимуратов ,М.С. Саидов, А.С. Саидов, Ш.Н. Усмонов ,К.Т. Холиков//Гелиотехника, 2006.-№3.-С.8-12.

72.Саидов М.С. Влияние концентрированного солнечного излучения на примесный фотовольтаический эффект [Текст]/ М.С. Саидов// Гелиотехника, 2006.-№2.-С. 10-12.

73.Саидов М.С. Возможность осуществления примесного термофотоэлектрического эффекта [Текст]/ М.С. Саидов //Гелиотехника, 2006.-№ 3.-С.8-12.

74.Абакумов A.A. Эффективная диффузионная длина носителей тока в поликристаллическом кремнии, полученном в солнечной печи [Текст]/ А.А. Абакумов, Р.А. Захидов, В.В. Харченко // Гелиотехника, 1997.-№3.-С.78-82.

75.Саидов А.С. Солнечно-радиационная плавка металлургического кремния [Текст]/А.С. Саидов , А.А. Абакумов,М.С. Саидов // Гелиотехника, 2003.-№1.-С.96-97.

76.Абдурахманов Б.М. Кремниевые эпитаксиально-диффузионные фотоэлектрические преобразователи типа p+-n-n+ [Текст]/Б.М.Абдурахманов, В.А. Кириченко, А.В.Романовский // Гелиотехника, 1982.-№2.-С.3-12.

77.Воробьев В.И. Методы исследования полупроводников [Текст]/ В.И.Воробьев, Ю.В.Добровольский, В.Н.Стриха // Киев: Наукова думка, 1988.-232 с.

78.Колтун М.М. Селективные оптические поверхности преобразователей солнечной энергии [Текст]/М.М. Колтун // М.: Наука, 1979.-215 с.

79.Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов [Текст]/М.М. Колтун // М.: Наука, 1985.-280 с.

80.Абдурахманов Б.М. Исследование поликристаллических структур кремния для солнечных элементов методом тока, индуцированного световым лучом [Текст]/ Б.М. Абдурахманов, Р. Алиев ,В.Н. Чирва, М.С. Саидов, Л.О. Олимов //Гелиотехника, 1966.-№6.-С.42-46.

81.Шопен В.И. Способ формирования электрического контакта на кремниевой заготовке [Текст]/ В.И. Шопен ,Б.М. Абдурахманов// Предварительный патент РУз № 3864, Приоритет от 19.12.95.

82. Абдуллаев Г.Б. Кремниевые солнечные элементы с просветляющими слоями из оксида и нитрида кремния [Текст]/ Г.Б Абдуллаев, М.Я Бакиров., Н.А. Сафаров // Гелиотехника, 1993.-№1.-С.75-77.

83.Абдуллаев Г.Б. Кремниевые солнечные элементы с просветляющими слоями из Та2С5 [Текст]/ Г.Б Абдуллаев, М.Я Бакиров, Н.А. Сафаров // Гелиотехника, 1992.-№5.- С. 11.

84.Колтун М.М. Солнечные элементы [Текст]/ М.М Колтун // М.: Наука, 1987.-192 с.

85.Zhao J., Green М.А. Optimized antireflection coatings for high-efficiency Si solar cells[Text]/ J. Zhao, М.А. Green // IEEE Trans. Elec. Devices, 1991.-V.38.-№8.-PP. 1925-1934.

86.Кадыров А.Л. Электрофизические свойства солнечных элементов на основе литого поликристаллического кремния [Текст]/А.Л.Кадыров, М.Умаров // Реферативный сборник неопубликованных работ НПИ Центра РТ. Выпуск 2.-№97 (1531) от 24.10.2002 г.

87.Кадыров А.Л. Исследование электрофизических свойств вторичного литого поликристаллического кремния и солнечных элементов на его основе [Текст]/ А.Л. Кадыров // Автореферат дисс. канд. физ.-мат. наук. Худжанд, 2002.-24 с.

88.Саидов М.С. Возможность осуществления примесного фотовольтаическо-го эффекта [Текст]/ М.С. Саидов, Р.Р. Билялов, Р.Э. Мухамадиев, В.П. Чирва //Гелиотехника, 1987.-№6.-С.18-20.

89.Зайнабидинов С.З. Получение поликристаллических пластин из кремниевого порошка [Текст]/ С.З. Зайнабидинов, Б.М.Абдурахманов, Р.Алиев, Л.О. Олимов, Э.Мухтаров // Гелиотехника, 2005.-№3.-С.79-83. 90. Беляева А.И. Границы раздела слоев и шероховатость в многослойной кремниевой структуре [Текст]/ А.И. Беляева , А.А. Галуза , С.Н. Коломиец // Физика и техника полупроводников, 2004.-Т.38.-№9.-С.1050-1055. 91 .Petritz R.L. [Text]/ Theory of an Experiment for Measuring the Mobility and Density Carriers in the Space-Charge Region of a Semiconductor Surface. // Phys. Rev., 1958. 110, 1254.

92. Вайнштейн И.А. О применимости эмпирического соотношения Варшни для температурной зависимости ширины запрещенной зоны [Текст]/ И.А. Вайнштейн, А.Ф. Зацепин , В.С. Кортов // Физика твёрдого тела, 1999.-Т.41.-№6.-С.994.

19 ^

93.Ottaviani G.I. High purity Si (Na=10 cm- ) time of flight technique [Text]/ G.I. Ottaviani, C. Reggiani, F. Canali, Nava and A.A. Quaranta. //Phys. Rev. B12, 1975.-V.8.-PP.3315-3322.

94.Logan R.A. High purity Si (Na=1014cm-3) Holl effect [Text]/ R.A. Logan and J. Peters //J. Appl. Phys., 1960.-№31.1.-РР.122-124.

95.Morin F.J. Na=2,4-1016cm-3 Nd=2,3-1015cm-3 Holl effect [Text]/ F.J. Morin and J.P. Maita //Phys. Rev., 1954.-V. 96.1.-PP.28-35.

96. Гридчин В.А. Рассеяние носителей заряда на границах кристаллитов в пленках поликристаллического кремния [Текст]/В.А.Гридчин, В.М.Любимский, А.Г.Моисеев // Физика и техника полупроводников, 2005.-T.39.-№2.-C208-213.

97.Гридчин В.А. Влияние импульсного токового отжига на электрофизические характеристики поликристаллического кремния р-типа [Текст]/В.А.

Гридчин, В.М.Любимский// Физика и техника полупроводников, 2005.-Т.39.-№2.-С.192-196.

98.Гридчин В.А. Нелинейность пьезорезистивного эффекта в пленках поликристаллического кремния [Текст]/ В.А Гридчин // Физика и техника полупроводников, 2003.-Т. 38.-№2.-С.179-185.

99.Гридчин В.А. Пьзорезистивление в пленках поликристаллического кремния р-типа [Текст]/ В.А Гридчин, В.М. Любимский // Физика и техника полупроводников, 2004.- Т.38.-№8.-С.1013-1017.

100.Любимский В.М. Модель проводимости поликристаллического кремния р-типа, учитывающая растекания тока в кристаллах [Текст]/В.М. Любимский // Физика и техника полупроводников, 2006.-Т.40.-№3.-С.307-313.

101.Ryosuke Matsubara. Analisis of barrier height at crystalline domain boundary and in-domain mobility in hentacene polycrystalline films on Si02 [Text]/ Ry-osuke Matsubara, Noboru Ohashi, Masatoshi Sakai, Kazuhiro Kudo and Masakazu Nakamura //Appl. Phys. Lett., 2008.- V.92.-P.242108.

102.Woong Choi. Dependence of carrier mobility on grain mosaic spreed in (001) oriented film grown on polycrystalline substrated [Text]/ Choi Woong, Matias Vladimir, Lee Jung-Kim and A.T. Findicoglu //Appl.Phes.Lett. 87, 152104 (2005).

103.Агафонова Е.А. Влияние термического окисления на перенос носителей заряда в наноструктурированном кремнии [Текст]/ Е.А.Агафонова, М.Н. Мартышев, П.А.Форш, В.Ю.Тимошенко, П.К.Кашкаров //ФТП, 2010, т. 44, вып. 3, С. 367-371.

104.Yongling Ren. Modeling the charge decay mechanism in nitrogen-rich silicon nitrid films [Text]/ Yongling Ren, Klaus J., Weber and Natalita M. Nursam. //Appl.Phys. Lett. 98, 122909 (2011).

105.Shobha Kanta Lamichhane. Thermal Induced Structural Conductivity in LPCVD Polysilicon Film on Silicon Nitrid/Si02 Capped (100) Silicon [Text]/ Kanta Lamichhane Shobha and Akhtar Jamil //Nepal Journal of Science and Technology 10 (2009) 115-119.

10бАгафонов Е.Н. Определение концентрации глубоких центров в диодах Шотки с высоким барьером при нестационарной спектроскопии глубоких уровней ^кст]/ Е.НАгафонов, A.H.Георгибиани, Л.С.Лепнев //ФTП, 2002, т. 36, вып. 6, С. 693-б9б.

107.Заставной A.В. Взаимодействие лития с радиационными дефектами в кремнии [Гекст]/ AB. Заставной //ФШ, 19S9.-T.23.-№°2.-C369-372.

108.Дощанов K.M. Tеория переноса заряда в поликристаллических полупроводниках с глубокими примесными центрами ^кст]/ K.M.Дощанов, A.И. ^йфман, A.M.Смоляк // ФTП, 1998.-t.32.-№o6.-c690-696.

109.Masakl Taklhara. Study of mínorlty carrier dlffuslon length ln multlcrystalllne slllcon solar cells uslng photoasslsted Kelvln probe force microscopy [Text]/ Taklhara Masakl, Takahash Takujl l and Ujlhara Toru Ujlhara //Appl.Phys.Lett. 95, 19190S (2009).

110.Aбдурахманов БМ. Некоторые особенности генерации носителей тока в нагреваемых тонких пластинах, выполненных из вторичного литого поликристаллического кремния [^кст]/ БМ. Aбдурахманов, Л.О. Олимов, Ш. ^чканов, A.Л.Kадыров, Ж.У.Жураев // Mатериалы II международного научного симпозиума «Возобновляемая энергия и энергосберегающие технологии». Худжанд, 2012, 17-19 мая.-С.55-б3.

111Арипов Х.Л. Солнечные элементы с распределенными параметрами. Вольтамперные характеристики при равномерном и неравномерном освещении [^кст]/ Х.ЛАрипов, В.Д.Румянцев //Гелиотехника, 1983.-№4.-С.6-10. 112.Tепляков A.И. Перенос и распределение излучения в гелиоустановках с зеркальными концентраторами [^кст]/ A.H Tепляков /Преобразователи солнечной энергии на полупроводниках //M.: Наука, 1968.-С. 135-1б0. 113Ашуров M.X. Изотипный преобразователь тепловой энергии на основе микрозернистого кремния [^кст]/ M.X. Aшуров, Б.M. Aбдурахманов, M.M. Aдилов, Х.Б. Aшуров //Доклады ДН Республики Tаджикистан, 2010.-№3.-С. 45-4S.

114. Термоэлектрические материалы и преобразователи. Пер. с. англ. Под ред. Карчевского А.И. [Текст]/ А. И. Карчевский // М.: Мир, 1964.-351 с.

115.Тауц Я. Фото и термоэлектрические явления в полупроводниках [Текст]/ Я. Тауц // М.: ИЛ. 1962.

116.Балмуш И.И. Барьерная термоэдс на р-п-переходе [Текст]/ И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян //ФТП, 1995.-Т.29.-С. 1796-1799.

117.Гаджиалиев М.М. Термоэдс полупроводникового р-п-гетероперехода [Текст]/ М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов // ФТП, 2003.-Т.37.-С.1334.

118. Абдурахманов Б.М. Проблемы и перспективы кремниевого производства в Центральной Азии. [Текст]/ Б.М. Абдурахманов, М.Х. Ашуров, Х.Б. Ашуров, А.Л. Кадыров, М.Ш. Курбанов, Б.Л. Оксенгендлер // Худжанд: Изд-во ХГУ «Нури маърифат», 2016.-419 с.

119.Кадыров А.Л. Исследование электрофизических свойств вторичного литого поликристаллического кремния и солнечных элементов на его основе [Текст]/ А.Л. Кадыров // Дисс. канд. физ.-мат. наук, ХГУ им.ак. Б.Гафурова. -Худжанд, 2002, -147с.

120.0лимов Л.О. Влияние щелочных металлов на электронные свойства меж-

зёренных границ в объеме поликристаллического кремния [Текст]/ Л.О.

Олимов // ДАН Республики Узбекистан, 2008.-№3.-С.36-39.

121 .Заставной А.В. Взаимодействие лития с радиационным дефектами в

кремнии [Текст]/ А.В. Заставной, В.М. Король // ФТП, 1989.-Т.23.-№2.-

С.369-372.

122.Абдурахманов Б.М. Модули и элементы солнечных фотоэлектрических станций с концентрацией излучения [Текст]/ Б.М. Абдурахманов, С.Г. Байдаков, В.И. Соловейчик, В.П. Чирва // Ташкент: Фан, 1993.-200 с.

123.Abdurakhanov B.M. Electrophysical P roperties of solar Polycrystalline Silicon and its n+-p structures at Elevated Temperatures [Text]/ B.M. Abdurakhanov, L.O. Olimov, Saidov M.S.//ISSN 0003-701X, Applied Solar Energy, 2008.- V.44.-№1.-PP.46-52.

124.Каминский В.В. Возникновение электродвижущей сил при изменение

валентности ионов самария в процессе фазового перехода в монокристаллах SmS [Текст]/В.В. Каминский, С.М. Соловьев // ФТТ, 2001.-Т.43.-№№3.-С.423-426.

125.Саидов А.С. Термоэлектретные свойства технического кремния [Текст]/ А.С. Саидов //Препринт Р-9-681, ИЯФ АН РУз. Ташкент.-8 с.

126.Саидов А.С. Особенности свойств поликристаллического кремния, полученного шестикратной переплавкой на солнечной печи и процессы самоорганизации глубоких примесей в нем [Текст]/ А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, А.А. Абакумов // Препринт Р-9-683, ИЯФ АН РУз. Ташкент, 2008.-18 с.

127.Ашуров М.Х. Перспективы развития исследований и технологий производства кремния для солнечной энергетики в Республике Узбекистан [Текст]/ М.Х. Ашуров, Б.М. Абдурахманов, К.П. Абдурахманов, Х.Б. Ашуров// Гелиотехника, 2010.-№2.-С.3-9.

128. Ашуров Х. Восстановление кремния из кремнеземных минералов методом прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере [Текст]/ Х. Ашуров, Б.М. Абдурахманов, Ускенбаев // Ташкент, ДАН РУз., 2009.-№5.-С. 27-29.

129.Абдурахманов Б.М. Разработка и исследование кремниевых изотипных, одно и многопереходных тепловольтаических преобразователей энергии [Текст]/ Б.М. Абдурахманов, М.М. Адилов, М.Х. Ашуров, Х.Б. Ашуров, Б.Л. Оксенгендлер. Препринт 3-8-693, ИЯФ АН РУз. Ташкент, 2010.

130.Каминский В.В. Термовольтаические эффекты в поликристаллическом SmS [Текст]/ В.В. Каминский, В.А. Дидик, М.М. Казанин //Письма в ЖТФ, 2009.-Т.36.№21.-С.553-557.

131.Антипов Б.Л. Материалы электронной техники:3адачи и вопросы Под ред. Терехова В.А. [Текст]/ Б.Л. Антипов, В.С. Сорокин, В.А. Терехов // М.: Высшая школа,1990.-208 с.

132.Безруких П.П. Возобновляемая энергетика: вчера, сегодня, завтра [Текст]/ П.П. Безруких // М.: Электрические станции, 2005.-№2.-С.35-47.

133.Безруких П.П. Состояние и тенденции развития нетрадиционных возобновляемых источников энергии [Текст]/ П.П. Безруких. //Электроника, 2003.-№4.-С.3-13.

134.Стребков Д.С. Фотоэлектричество - проблемы и перспективы [Текст]/ Д.С. Стребков, А.Б. Пинов // Возобновляемая энергия. Ежекв. Инф. Бюлл., 1997.-№1.-С.21,22, 43-46.

135. Кузьмина В.Г. Минералы жильного кварца [Текст]/ Под ред. В.Г. Кузьмин, Б.Н. Кравц // М.: Недра, 1990.

136.Мухамадиев П.А. Освоение угольных месторождений Таджикистана: прошлое и настоящее [Текст]/ П.А. Мухамадиев, В.С Лучников // Горный журнал. Спецвыпуск «Цветные металлы», 2003.-С.19-23.

137.Ясаманов Н.А. Сырьевая база кремния для новейших технологий. [Текст]/ Н.А. Ясаманов // Отечественная геология, 1999.-№1.-С.19-24.

138.Ясаманов Н.А. Новый подход к определению МСБ кварца для производства чистого кремния [Текст]/ Н.А. Ясаманов, В.А. Юрьев // Разведка недр, 2000.-№3-4.-С.17-21.

Список публикаций по теме диссертации

1.Сидиков В.Т. Новые перспективы развития солнечной фотоэнергетики Таджикистана [Текст]/ А.Л. Кадыров // Материалы Международной конференции «Возобновляемая энергия в Центральной Азии: создание экономической устойчивости для решения социально-экономических проблем». Душанбе, 911 ноября 2009.-С.21-23.

2.Сидиков В.Т. Некоторые свойства планарных преобразователей тепловой энергии на основе вторичного литого поликристаллического кремния [Текст] / Ф.С. Абдураззаков, Б.М. Абдурахманов, З.Н. Аладьина, С.З. Зайнабидинов, А.Л. Кадыров, Л.О. Олимов // Материалы международного научного симпозиума «Возобновляемые источники энергии: проблемы и перспективы». Худжанд, 24-26 мая, 2011.-С.13-18.

3.Сидиков В.Т. Оптимизация конструкции фотоэлектрического генератора водорода [Текст]/ Б.М. Абдурахманов, Б.Р. Кутлимуротов, Ш.И. Клычев, М.И. Осьмаков, Е.М. Сахаров, А.Л. Кадыров, З.Х. Исмоилов // Материалы II международного научного симпозиума «Возобновляемая энергия и энергосберегающие технологии». Худжанд 17-19 мая, 2012.-С.47-54.

4.Сидиков В.Т. Некоторые электрофизические свойства вторичного литого поликристаллического кремния и его п-р-структур при повышенных температурах [Текст]/ Б.М. Абдурахманов, А.Л. Кадыров, Л.О. Олимов // Ученые записки ХГУ им. ак. Б. Гафурова, 2012.-№4 (23).-С.92-99.

5.Сидиков В.Т. О проявлении примесных тепловольтаического и теплофото-вольтаического эффектов в поли- и монокристаллических кремниевых п+-р структурах [Текст]/ Ф.С. Абдураззаков, Б.М. Абдурахманов, А.Л. Кадыров, Л.О. Олимов // Кишоварз, 2012.-№4.-С.55-57.

6.Сидиков В.Т. Влияние температуры на некоторые свойства вторичного ли-

+ + +

того поликристаллического кремния и п -р и п -р-р структур на основе вторичного литого поликристаллического кремния [Текст]/ Ф.С. Абдураззаков, С.З. Зайнабидинов, Б.М. Абдурахманов, Л.О. Олимов, З.Н. Аладьина, А.Л. Кадыров // Вестник Таджикского национального университета. Серия естественных наук, 2013.-№1/2 (106).-С.131-135.

7.Сидиков В.Т. Полупроводниковые преобразователи тепловой энергии [Текст]/ А.Л. Кадыров, Б.М. Абдурахманов, М.М. Адилов, Б.Л. Оксенгендлер // Вестник Таджикского национального университета. Серия естественных наук, 2015.-№1/3 (164).-С.82-88.

8.Сидиков В.Т. Структура двух соприкасающихся зерен поликристаллического кремния и их электрические свойства [Текст]/ Б.М. Абдурахманов, А.Л. Кадыров, Л.О. Олимов //Материалы Республиканской научно-практической конференции «Экономика и перспективы развития возобновляемых источников энергии в Республике Таджикистан». Худжанд, 12-13 ноября, 2015.-С.28-32.

9.Сидиков В.Т. Новый способ создания просветляющих покрытий из оксида кремния [Текст]/ А.Л. Кадыров // Ученые записки ХГУ им. ак. Б.Гафурова, 2017.-№1(40 ).-С.207-213.