Особенности магнитных, магнитоупругих, электрических, гальваномагнитных и оптических свойств La1-x Sr x MnO3 и Eu1-x A xMnO3 (A=Ca, Sr), вызванные сильным s-d обменом тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.11, кандидат физико-математических наук Демин, Роман Владимирович

• Демин, Роман Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Демин, Роман Владимирович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1 .ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1 .Кристаллическая структура манганитов.

2.Магнитные и электрические свойства манганитов.

3.Оптические свойства манганитов.

4.Тепловое расширение и магнитострикция в

Ьао^о.отСаоззМпОз.

5.Электронное разделение фаз. б.Свойства тонких пленок Ьа1х8гхМпОз (В = Ва, 8г).

Глава 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ.

1 .Измерение намагниченности.

1.1 .Баллистический метод.

1.2.Вибрационный магнитометр.

2.Измерение парамагнитной восприимчивости.

3.Измерение электросопротивления.

4.Измерение магнитострикции и теплового расширения . 46 5.Определение спектров поглощения методом диффузного отражения.

5.1 .Соотношение Крамерса - Кронига и применимость его к диффузному отражению.

5.2.Описание установки для измерения коэффициента диффузного отражения.

5.3 .Численная обработка спектров диффузного отражения. б.Получение образцов.

Глава 3.ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ

ОБСУЖДЕНИЕ

1 .Магнитные и электрические свойства Ьаих8гхМпОз.

2.Магнитострикция и тепловое расширение Ьа1.х8гхМпОз

3.Оптические свойства Ьа1х8гхМпОз.

4.Магнитные и электрические свойства системы Еи1ХАхМп03(А=Са, Бг; х=0, 0.3).

5.Магнитные и электрические свойства тонких пленок Ьа!х8гхМп03.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности магнитных, магнитоупругих, электрических, гальваномагнитных и оптических свойств La1-x Sr x MnO3 и Eu1-x A xMnO3 (A=Ca, Sr), вызванные сильным s-d обменом»

Исследователи всего мира уделяют большое внимание материалам с колоссальным магнитосопротивлением. Такие материалы могут быть использованы в микроэлектронике. Например, для надежного хранения информации, создания головок магнитной записи, датчиков и т.д. Основные работы в этой области ведутся в двух направлениях : 1) исследование многослойных магнитных пленок и гранулированных магнитных систем ; 2) исследование веществ, относящихся к классу магнитных полупроводников (МП), т.е. веществ с ярко выраженным магнитным порядком и полупроводниковым характером проводимости. Чтобы показать различие магни-тосопротивления в магнитных полупроводниках и магнитных пленках в работе [1] были предложены термины: для первых - колоссальное магнитосопротивление (KMC), а для вторых - гигантское магнитосопротивление (ГМС).

Типичной многослойной системой является чередующиеся слои FM материала, например Fe или Со, и слои нормального металла Си .Толщина этих слоев порядка периода осцилляции РККИ взаимодействия. Вследствие этого, намагниченности соседних магнитных слоев противоположно направлены. Отрицательное магнитосопротивление возникает из-за того, что магнитное поле ориентирует моменты слоев вдоль поля, это облегчает переход носителей заряда между слоями. Магнитосопротивление в этих материалах насыщается в поле порядка десятых тесла. Наибольшее значение 8Н- [р(Н)-р(0)]/р(Н) было найдено в пленках Fe-Cr при 4.2 К в поле Н = 6 Т : оно составляет -150% [2].

В магнитных полупроводниках достигается колоссальное магнитосопротивление (KMC), на много порядков превосходящее эту величину у многослойных пленок, и эти полупроводники могут работать при комнатных температурах. Однако поле, необходимое для достижения уменьшения сопротивления, сравнимого с многослойными системами, намного больше. Например, в тонких пленках Ьа0.67Сао.ззМпОу получены значения относительного магнито-сопротивления 8Н, достигающие - 127000% при 77 К и - 1300 % при комнатной температуре [3]. Но это не предел того, что может быть достигнуто в сильнолегированных полупроводниках. В антиферромагнитном полупроводнике EuSe при гелиевых температурах KMC достигает значения он~ Но и в системе La-Ca-Mn-0 магнитосопротивление при низких температурах 57 К может достигать внушительных значений -108 % [5].

KMC в манганитах лантана имеет максимум в районе точки Кюри Тс, поэтому наиболее перспективны в техническом плане составы с Тс в области комнатных температур. В настоящее время уже созданы на основе этих материалов магнитные сенсоры. Группа исследователей Автономного университета Барселоны продемонстрировала, что даже при скромных возможностях толстых пленок La2/3Sri/3Mn03 (изменение сопротивления на 1.2% в поле 1 кЭ) оказывается достаточно для изготовления прототипа сенсора. На пленке Ьаг/зБгшМпОз толщиной 10 мкм на подложке А1203 была процарапана скальпелем мостиковая схема. Подложку обратной стороной наклеивали на постоянный магнит (феррит), создававший магнитное поле 550 Э. Движение объекта из магнитомягкого материала вдоль одного из пленочных сопротивлений моста вызывало искажение магнитных силовых линий у поверхности пленки, что приводило к разбалансу моста. Пространственное разрешение составляло до 500 мкВ/мм. Чувствительность оставалась достаточно высокой при удалении сенсора на 1 - 3.5 мм от перемещаемого объекта.

Сенсор позволял различать объекты различной формы, отслеживать движение одновременно четырех различных объектов ( с использованием Фурье - преобразования сигнала), распознавать движения объекта.

Манганиты могут найти интересное применение, не связанное непосредственно с KMC. Большое значение dR/dT в области точки Кюри позволяет использовать тонкие пленки манганитов в качестве болометров. В китайском университете Гонконга на подложке NdGaC>2 литографически изготовлялись из пленки Ьа2/зСа1/зМпОз мостики шириной 0.5 - 1 мм и длиной 1см. Оптический показатель поглощения этих пленок достаточно высок в широком диапазоне длин волн - 105 см"1. Для измерения болометрического эффекта использовалось излучение He-Ne лазера (633 нм, 7 мвт). При токе 50 мкА и частоте 74 ГЦ наблюдался болометрический отклик с амплитудой до 50-100 мкВ.

В связи с возможностью широкого технического применения этих материалов актуально исследовать их свойства с целью создания новых материалов с точками Кюри в районе комнатной температуры, так как максимум KMC наблюдается в районе точки Кюри, поэтому необходимо разобраться с причиной возникновения этого явления.

Несмотря на усиленное изучение этих материалов, природа KMC в них до сих пор не ясна. Дело в том, что по сравнению с обычными магнитными полупроводниками (монохалькогенидами европия и халькогенидными шпинелями), в которых наблюдается гигантское магнитосопротивление, заключающееся в подавлении магнитным полем пика сопротивления в районе точки Кюри, в ман-ганитах картина усложняется присутствием эффекта Яна-Теллера и относительной мягкостью решетки, проявляющейся в зависимости типа ее структуры от магнитного поля, давления и температуры. Для объяснения ферромагнетизма в этих материалах Зинером была предложена модель двойного обмена [6]. Однако, как показано в теоретической работе[7], двойной обмен не объясняет KMC. Поэтому ряд исследователей выдвинули другие объяснения KMC в этих материалах: это переход от двойного обмена Зинера к проводимости поляронного типа выше Тс, которая возникает из-за сильного электрон-фононного взаимодействия. Электрон-фононное взаимодействие возникает здесь вследствие эффекта Яна-Теллера. Другие авторы связывают KMC с плавлением зарядовоупорядочен-ного состояния. Однако, во многих материалах наблюдается эффект Яна-Теллера и зарядовое упорядочение, но в них отсутствует KMC. Также эти теории не объясняют тот факт, что KMC имеет место в районе Тс.

В обычных магнитных полупроводниках гигантское магни-тосопротивление было объяснено существованием в них магнитно-двухфазного состояния, впервые предложенного Нагаевым [8], [9], [10 ], [11]. Это магнитно-двухфазное состояние возникает в АФМ полупроводниках за счет того, что энергия носителей заряда минимальна при ФМ порядке (из-за энергии s-d обмена). Поэтому носителям заряда энергетически выгодно локализоваться около примеси и поддерживать вокруг нее ферромагнитный порядок. Эти области у Нагаева получили название ферронов. Здесь возможно две ситуации: когда ферромагнитные капли находятся в антиферромагнитной матрице и когда антиферромагнитные капли находятся в ферромагнитной матрице. Первое состояние является изолирующим, а второе - проводящим.

Целью данной диссертации является получение экспериментальных фактов, объясняющихся магнитно-двухфазным состоянием и тем самым подтверждающих существование его в мангани-тах, которое является причиной KMC в них. Для этого были проведены следующие исследования: а ) впервые были изучены магнитострикционные свойства и тепловое расширение Lai.xSrxMn03, где были обнаружены аномалии магнитострикции и теплового расширения в районе точки Кюри; б) с целью обнаружения красного сдвига ширины запрещенной зоны, характерного для традиционных магнитных полупроводников и являющегося основанием для существования магнитно-двухфазного состояния, были исследованы оптические свойства LaixSrxMn03 и обнаружен гигантский красный сдвиг края поглощения в части этих составов; в) впервые исследовались магнитные и электрические свойства Eui.xAxMn03 ( где A =Sr, Са), и было найдено, что эти составы имеют электрические и магнитные свойства, характерные для магнитно-двухфазного состояния; г) в диссертации также изучены электрические и магнитные свойства эпитаксиальных пленок LaixSrxMn03 и показано, что они укладываются в рамки магнитно-двухфазного состояния, для пленки с х = 0.23 был обнаружен максимум KMC при комнатной температуре, что важно для технического применения.

Диссертация состоит из введения и трех глав. В первой главе дается обзор литературных данных о магнитных, электрических, оптических, магнитострикционных свойствах и теплового расширения манганитов. Здесь также приводится описание ферронной теории. Вторая глава посвящена экспериментальным методикам и математической обработке экспериментальных результатов. В третьей главе приводятся результаты исследования магнитных, электрических, оптических, магнитострикционных свойств и тепло

Заключение диссертации по теме «Физика магнитных явлений», Демин, Роман Владимирович

выводы

1. Обнаружено, что край поглощения, определенный из спектров диффузного отражения перовскита LaixSrxMn03, смещается в сторону более низких энергий с понижением температуры от точки Кюри, равной 155 К, до 141 К на гигантскую величину -0.4 эВ. Наличие указанного красного сдвига ширины запрещенной зоны, обусловленного сдвигом верха валентной зоны, делает возможным существование магнитно-двухфазного состояния, вызванного сильным s-d обменом, в системе LaixSrxMn03.

2. Впервые для монокристалла LaixSrxMn03 с х = 0.3 наблюдались гигантская магнитострикция, достигающая 700-10"6 при 4.2 К, для состава с х = 0.3 и пик абсолютной величины отрицательной объемной магнитострикции в районе точки Кюри, сопровождавшийся избыточным тепловым расширением. Для состава с х = 0.1 объемная магнитострикция отрицательна и не имеет особенностей в районе Тс. Поведение объемной магнитострикции и теплового расширения, а также колоссальное магнитосопротив-ление и тот факт, что парамагнитная точка Кюри ниже температуры Кюри для х = 0.2 и 0.3 в указанной системе, объяснены существованием в ней магнитно-двухфазного состояния - изолирующего в составе с х = 0.1 и проводящего в составах с х = 0.2 и 0.3.

3. Обнаружено, что у керамик Eui.xAxMn03 (А = Са, Sr; х = 0; 0.3) низкотемпературные магнитные свойства зависят от термомагнитной истории образца. Температура максимума начальной восприимчивости Tn не зависит от частоты переменного магнитного поля, в котором измерена восприимчивость. Изотермы намагниченности представляют собой суперпозицию линейной части, характерной для антиферромагнетиков и спонтанной намагниченности. Обнаружены гигантские максимумы электросопротивления (Рмах~Ю8 Ом-см) и магнитосопротивления в районе Тм для составов с х = 0.3: так под действием поля 120 кЭ электросопротивление падает на четыре порядка, а температура максимума р увеличивается в два раза. Намагниченность зависит от условий охлаждения вплоть до максимальных полей измерения Н = 45кЭ. Парамагнитная точка Кюри у составов с х = 0.3 намного выше, чем у состава с х = 0. Перечисленные особенности магнитных и электрических свойств объяснены существованием в данной системе изолирующего магнитно-двухфазного состояния.

4. Изучение магнитных и электрических свойств эпитаксиальных пленок Ьа1х8гхМпОз показало, что эти свойства сильно зависят от материала подложки. Так оказалось, что близкие по составу пленки с х = 0.15, 0.16, выращенные на подложках из монокристаллических пластин (001) 7г02(У203) со структурой флкфита и (001) ЬаАЮз со структурой перовскита, соответственно, сильно различаются магнитными и электрическими свойствами. У пленки на флкфитной подложке в цепочках О-Мп-О имеются углы, равные 19.5°, 70.5° и 90°, что делает двойной обмен Зинера в ней невозможным, а в пленке на перовскитной подложке эти углы близки к 180°.Этим и объясняются различия их свойств.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Демин, Роман Владимирович, 2000 год

1. S. Jin, М. McCormack, Т.Н. Tiefel, R.A. Fastnacht, R. Ramesh Colossal magnetoresistance in La-Ca-Mn-0 ferromagnetic thin films (invited) Science, 1994, Vol. 76, №10, p. 6929

2. Fullerton E. Appl. Phys. Lett., 1993, Vol.63, p.1699

3. S. Jin, Т.Н. Tiefel, M. McCormack, R.A. Fastnacht, R. Ramesh, L.H. Chen Thousandfold change in resistivity magnetoresistive La-Ca-Mn-O films. J. Appl. Phys., 1994, Vol.264, №15, p.413

4. Y. Shapira, S. Foner, N.F. Oliveira, T.B. Reed Resistivity and Hall effect of

5. EuSe in Field up 150 kOe Phys. Rev. B, 1974, Vol.10, №10, p.4765tli

6. Gong G. et al., in 40 Annual Conference Magnetism and magnetic Materials. Abstracts (Phyladelphia, Pennsylvania 1995) p.20

7. Clarence Zener Interaction between the d-shells in the transition metals. II. Ferromagnetic compounds of manganeze whiz perovskite structure Phys. Rev., 1951, Vol.84, №3, p.403

8. A.J. Mills, P.B. Littlewood, B.I Shraiman Double exchange alone does not explain the resistivity of Ьа^ГхМпОз Phys. Rev. Lett., 1995, Vol.74, №25, p. 5144

9. Нагаев Э.Л. Основное состояние и аномальный магнитный момент электронов проводимости в антиферромагнитном полупроводнике. -Письма в ЖЭТФ, 1967, т.6, №1, с.484

10. Нагаев Э.Л. Ферромагнитные микрообласти в полупроводниковом антиферромагнетике. ЖЭТФ, 1968, т.54, №1, с.228

11. Ю.Нагаев Э.Л Неоднородное ферро-антиферромагнитное состояние магнитных полупроводников. Письма в ЖЭТФ, 1972, т. 16, №20, с.558

12. П.Кашин В.А., Нагаев Э.Л Неоднородное состояние антиферромагнитных и магнитоэкситонных полупроводников. ЖЭТФ, 1974, т. 66, №6, с.2105

13. С. Крупичка Физика ферритов и родственных им магнитных окислов. -М.: Мир 1976.

14. А.Р. Ramires Colossal magnetoresistance. J. Phys., Condensed Matter, 1997, Vol.9, №l,p.8171

15. Троянчук И.О. ЖЭТФ, 1992, т.102, стр.251

16. John В. Goodenough Theory of the role of covalence in the perovskite -type manganites (La, M(II))Mn03. Phys. Rev., 1955, Vol.100, №15, p.564

17. Urushibara A. Phys. Rev. B, 1995, Vol.51, p.14103

18. E.O. Wollan, W.C. Koehler Neutron diffraction of the series of perovskite -type compound (l-x)la, xCa.Mn037. Phys. Rev., 1955, Vol.100, №15, p.564

19. Jonker G.H., Van Santen J.H. Physica, 1950, Vol.16, p.337

20. Г.С. Кринчик, E.A. Ганынина, А.Ю. Трифонов Магнитооптические свойства свинцсодержащих марганцевых перовскитов. ФТТ, т.ЗЗ, №5, стр.1607

21. А. Апапе, С. Dupas, К. Le Dong, J.P. Renard, P.Veilet, A.M. De Leon, Guevara, F. Millot , L. Pinsard, A. Revcolevschi Transport properties and magnetic behavior of Lai.xSrxMn03 single crystals. J. Phys.: Condensed Matter, 1995,vol.7, №35, p.7015

22. И.О. Троянчук, A.B. Зубец, Е.Ф. Шаповалова Магнитные свойства не- t/ стехеометрических ортоманганитов AxMn03+y (A-La,Eu). Неорганические материалы, 1997, т.ЗЗ, №12, стр.1512

23. Tomioka Y. et al., Phys. Rev. Lett., 1996, Vol.53, p.R1689

24. Нагаев Э.Л. Манганиты лантана и другие магнитные полупроводники с гигантским магнитосопротивлением. УФН, 1996,т. 166, №8, стр.833

25. Saitoh Т. Et al. Phys. Rev. В, 1995, Vol.51, p.13942

26. M.F. Hundley, J.J. Neumeir Thermoelectric power of LaixCaxMn03+5: inadequacy of the nominal Mn3+/Mn4+ valence approach. Phys. Rev. B, 1997, Vol.55, №17, p.15111

27. Ju H.L. et al., Phys. Rev. B, 1995, Vol.51, p.6143

28. Р. Snhiffer, A.P. Ramires, W. Bao, Cheong S-W Low temperature magnetoresistance and the magnetic phase diagram of Ьа1„хСахМпОз Phys. Rev. Lett., 1995, Vol.75, №18, p.3336

29. Hwang H. Y. et. al., Phys. Rev. Lett., 1996, Vol.77, p.2041

30. Alers G.B. et al., Appl. Phys. Lett., 1996, Vol.68, p.3644

31. J.H.Jung, K.H. Kim, D.J. Eom, T.W. Noh, E.J. Choi, Jaejun Yu, Y.S. Kwon, Y. Chung Determination of electronic band structures of СаМпОз and LaMn03 using optical-conductivity analyses. Phys. Rev. B, 1997, Vol.55, №23, p. 15489

32. J.H.Jung, K.H. Kim, T.W. Noh, E.J. Choi, Jaejun Yu Midgap states of La^ xCaxMn03: Doping-dependent optical-conductivity studies. Phys. Rev. B, 1998, Vol.57, №18, p.Rl 1043

33. Y. Okimoto, T. Katsufuji, T. Ishikawa, T. Arima, Y. Tokura Variation of electronic structure in Lai.xSrxMn03 (0 < x < 0.3) as investigated by optical conductivity spectra. Phys. Rev. B, 1997, Vol.55, №7, p.4206

34. Y. Moritomo, A. Machida, K. Matsuda, M. Ichida, A. Nacamura Magnetization-dependent behaviors of interband tranzition between the exchange-split bands in doped manganite films. Phys. Rev. B, 1997, Vol.56, №9, p.5088

35. Itoh M. et. al., Phys. Rev. B, 1995, Vol.52, p.12522

36. Radaelly P. et al., Phys. Rev. Lett., 1995, Vol.75, p.4488

37. Нагаев Э.Л. Физика магнитных полупроводников (М.: Наука, 1979 г.)

38. Нагаев Э.Л. Разделение фаз в высокотемпературных сверхпроводниках и родственных им магнитных материалах УФН, 1995, т. 165, №5, стр.529

39. G. Harbeke, Н. Pinch Magneto absorption in single-crystal semiconducting ferromagnetic spinels. Phys. Rev. Lett., 1966, vol.17, №21, p. 1090iL

40. Ramsh R. et al., in 40 Annual Conference Magnetism and magnetic Materials. Abstracts (Phyladelphia, Pennsylvania 1995) p. 196ij.

41. Krishnan K., Modak A., Lucas G. in 40 Annual Conference Magnetism and magnetic Materials. Abstracts (Phyladelphia, Pennsylvania 1995) p. 164

42. H.L. Ju, C. Kwon, Qi. Li., R.L. Greene, T. Venkatesan, Giant magnetoresistance in LaixSrxMnOz films near room temperature. Appl. Phys. Lett., 1994, Vol.65, №16, p.2108

43. A. Gupta, T.R. McGuire, P.R. Duncombe, M. Rupp, J.Z. Sun, W.J. Gallagher, Gang Xiao Growth and giant magnetoresistance properties of La deficient LaxMn03.8 (0.67 < x < 1) films - Appl. Phys. Lett., 1995, Vol.67, №23, p.3494

44. Lofland S. et al., Phys. Rev. В., 1995, Vol.52, p.15058

45. R.K. Ahrenrkiel Modified Kramers-Kronig analysis of optical spectra -Journal of the optical society of America, 1971, Vol.61, №12, p. 1651

46. Л.И. Королева, P.B. Демин, A.M. Балбашов. Аномалии магнитострик-ции и теплового расширения в районе точки Кюри соединения Lao.7Sro.3Mn03 со структурой перовскита. Письма в ЖЭТФ, т.65, №6, с.449-453 (1997).

47. R.V. Demin, .1. Koroleva, A.M. Balbashov. Anomalies of, L magnetostriction and thermal expansion in La0.7Sr0 3MnO3. Phys. Lett. A, 1997, Vol.231, №21, p.279

48. R.V. Demin, L.I. Koroleva, A.M. Balbashov. Anomalies of magnetostriction and thermal expansion in La0.7Sr0.3MnO3. Booklet of Int. Conf. On Magnetism, Australia, 1997, Q3-13.

49. P.B. Демин, Л.И. Королева. Магнитно-двухфазное состояние в La0.7Sr0.3MnO3. Тез. докл. всеросс. научно-практ. конф "Оксиды. Физико-химические свойства и технология", Ектеринбург, 1998, с.145-146.

50. R.V.Demin, L.I. Koroleva, A.M. Balbashov. Anomalies of magnetostriction and thermal expansion in La0.7Sr0.3MnO3. J. Magn. & Magn. Mater., v. 177181, p.871-872 (1998).

51. A. Yanase, Т. Kasuya Mechanism of the anomalous properties of Eu chal-cogenides alloys. - J. Phys. Soc. Jpn., 1968, Vol.25, №4, p.1025

52. L.I. Koroleva, R.V. Demin. Anomalies of volume magnetostriction and thermal expansion in LaixSrxMn03, due to magnetic two-phase state. Physica B: Condensed Matter, v.259-261, p.816-817 (1999).

53. L.I. Koroleva, R.V. Demin. Anomalies of magnetostriction and thermal expansion in LaixSrxMn03 due to magnetic two-phase state. Abstr. of the Intern. Conf. on Strongly Correlated Electron Systems, Paris, France, 1998, p.297

54. L.I. Koroleva, R.V. Demin. Anomalies of volume magnetostriction and thermal expansion in LaixSrxMn03. Progr. and Abstr. of 7th European Magnetic Materials and Application Conference, Zaragoza, Spain, 1998, p. 166.

55. Р.В. Демин, Л.И. Королева, A.M. Балбашов. Гигантский красный сдвиг края поглощения в La0.9Sr0.iMnO3. Письма в ЖЭТФ, т.70, в.4, с.303-306 (1999).

56. А.И. Абрамович, Р.В. Демин, Л.И. Королева, А.В. Мичурин, А.Г. Смир-ницкая. Магнитно-двухфазное состояние в Eu!.xAxMn03 (А = Са, Sr). Письма в ЖЭТФ, т.69, №5, С. 375-380 (1999).

57. А.И. Абрамович, Р.В. Демин, Л.И. Королева, К.А. Маслов, Я.М. Муков-ский. Разделение магнитных фаз в Еи1хАхМпОз (А = Са, Sr) перовскитах. Тез.докл. междунар. научн. конф. "Магнитные материалы и их применение". Минск, Беларусь, 1998, с.80-81.

58. L.I. Koroleva, A.I. Abramovich, R.V. Demin, AV. Michurin. Experimental evidences of magnetic two-phase state in EuixAxMn03 (A = Ca, Sr) and Lai. xSrxMn03. Book of Abstr. Of Moscow Intern. Sympos. on Magnetism. Moscow, 1999, p.44-45.

59. L.I. Koroleva, A.I. Abramovich, R.V. Demin, AV. Michurin. Experimental evidences of magnetic two-phase state in Euj.xAxMn03 (A = Ca, Sr) and Lai. xSrxMn03. Proc. Of Moscow Intern. Sympos. on Magnetism (MSCM'99), 1999, parti, p. 147-150.

60. L.I. Koroleva, A.I. Abramovich, R.V. Demin, A.Y. Michurin. Magnetic two-phase state in Eui.xAxMn03 (A = Ca, Sr). Abstr. of Ll-st Yamada Conf. on Strongly Correlated Electron Systems, Nagano, Japan, 1999, p.l 11.

61. Meiklejohn W.H., Bean C.P. Phy. Rev., 1956, Vol.102, p.1413бЗ.О.Ю. Горбенко, P.B. Демин, A.P. Кауль, Л.И. Королева, P. Шимчак . Магнитные, электрические и кристаллографические свойства тонких пленок Lai.xSrxMn03. ФТТ, т.40, №11, с.290-294 (1998).

62. R.V. Demin, L.I. Koroleva, R. Szymczak, M. Baran. Magnetic two-phase state in thin LaixSrxMn03 film. Abstr. of XXII Intern. Conf. on Low Temp. Phys., Helsinki, Finland, 1999, p.227.