Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Кушхов, Аскер Русланович

• Кушхов, Аскер Русланович
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Кушхов, Аскер Русланович

Введение.

Глава 1. Перспективные способы обработки поверхности подложек полупроводников.

1.1. Характеристика способов травления.

1.2. Особенности процессов травления полупроводниковых соединений с использованием газоразрядной плазмы.

1.3. Влияние состава плазмы на процесс травления.

1.4. Травление в плазме высокой плотности.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники»

Актуальность темы: Полупроводниковые соединения группы AmBv прочно заняли свое место в твердотельной электронике. Область применения этих материалов чрезвычайно широка: от дискретных диодов до приборов на гетеропереходах. В частности, следует отметить, что именно применение этого ряда соединений и твердых растворов на их основе позволило достичь значительного прогресса в разработке и производстве широкого спектра све-тоизлучающих диодов.

Одной из многочисленных проблем в технологии создания твердотель

A III-T.V ных электронных устройств на основе соединении А В является поиск эффективных способов обработки и травления поверхности монокристаллов, которые обеспечивали бы требуемое качество поверхности (минимальную микрошероховатость и дефектность), неизменность химического состава поверхности перед формированием очередного слоя гетероструктуры и возможность управления этими характеристиками.

Как известно, основной задачей в этой области является повышение разрешающей способности, которое в первую очередь, определяется показателем анизотропии процесса травления. Помимо этого при травлении должны быть обеспечены: высокая селективность, низкий уровень загрязнения поверхности материала и искажения получаемого рельефа за счет эффектов переосаждения, обратного рассеяния и диффузии, воспроизводимость по скоростям травления материалов от цикла к циклу, высокая равномерность и производительность, а также должно отсутствовать деградирующее влияние на свойства и размеры защитных масок и электрофизические параметры обрабатываемых структур. В значительной мере, этим требованиям удовлетворяют процессы вакуумно-плазменного травления материалов, в которых используются энергетические и химически активные частицы, образующиеся в плазме газового разряда низкого давления.

В настоящее время известно много работ по плазмохимическому травлению монокристаллических подложек из GaAs и InP, но в них в основном рассматривается химизм процессов взаимодействия хлор- и фторсодержащих компонентов и весьма ограничено количество работ по исследованию характеристик поверхности, включая ее морфологию, химический состав и электрофизические свойства, после плазмохимического воздействия.

В связи с выше отмеченным, является актуальным изучение особенностей влияния химически активной газоразрядной плазмы на поверхностные характеристики подложек арсенида галлия и фосфида индия в процессе плазмохимического травления.

Цель работы состояла в установлении возможности управляемого изменения химического состава и свойств поверхности монокристаллического GaAs и InP при ионно - стимулируемом плазмохимическом и реактивном ионно-лучевом травлении применительно к изделиям твердотельной электроники.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Показано, что дополнительное воздействие ионами низкой энергии (до 300 эВ) при плазмохимическом травлении монокристаллических подложек GaAs и InP в среде на основе ССЦ и C2F3CI3 позволяет управляемо изменять свойства обрабатываемой поверхности: химический состав, морфологию и электрофизические свойства.

2. Показано, что при реактивном ионно-лучевом травлении GaAs и InP в среде C2F3CI3 с энергией ионов до 1000 эВ обеспечивается более высокая (до 2 раз) скорость удаления поверхностного слоя при сохранении неизменным химического состава по сравнению с исходным. Процесс травления протекает в кинетическом режиме при температуре до 873 К и диффузионном - выше 873 К.

3. Показана возможность уменьшения содержания О2 и С в 3-5 раз в приповерхностных слоях GaAs и InP, при сохранении соотношения As/Ga по сравнению с исходным и достижения 14 класса шероховатости при реактивном ионно-лучевом травлении в среде C2F3CI3+O2 с энергией бомбардирующих поверхность ионов 30СК400 эВ.

4. Обнаружено образование дефектов в приповерхностном слое монокристаллов GaAs на глубине 5(Ж)0 нм при ионно-стимулируемом травлении в среде на основе ССЦ и C2F3CI3 с кислородом, которые восстанавливаются при отжиге 573-К573 К.

5. Установлено, что ионно-стимулируемое плазмохимическое травление GaAs в среде C2F3CI3+O2+AJ при энергии бомбардирующих поверхность ионов в 120-150 эВ обеспечивает высоту барьера Шоттки в структурах Al/GaAs (n-типа) и Al/Ti/GaAs (n-типа) соответственно на уровне 0.90-^0.93 и 0.754-0.80 эВ.

Практическая значимость:

1. Разработана методика определения межфазной энергии в системе подложка (GaAs и InP) - сплавов на основе In и Ga путем измерения краевого угла смачивания при температуре до 1273 К и методика зондовых измерений в реальном процессе для определения функции радиального распределения электронов по энергии.

2. Разработан и предложен для практического применения совмещенный в едином технологическом цикле способ создания диодов Шоттки со структурой Ti/Al/GaAs, Al/GaAs и WNx/GaAs с использованием реактивного ионно-лучевого травления GaAs в среде C2F3CI3 (энергия ионов до

1 о о 1

1000 эВ, плотность потока ионов (4-6)-10 см" -с' ).

3. Определены режимы ионно-стимулируемого травления GaAs в среде на основе ССЦ и C2F3CI3, обеспечивающие сохранение соотношения компонент As/Ga близком к единице, практическое отсутствие вводимых ионной бомбардировкой дефектов и 14 класс шероховатости поверхности.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Использование преимущественного проявления одного или совокупности эффектов (стимулирование гетерогенных химических реакций; распыление, дефектообразование) при воздействии ионами низкой энергии (до 1000 эВ), позволяющее обеспечить улучшение физико-химических характеристик поверхности, низкую шероховатость, практическую неизменность химического состава поверхностного слоя подложек арсени-да галлия и фосфида индия.

2. Ионно-стимулируемое плазмохимическое травление GaAs в среде на основе C2F3CI3 приводит к улучшению морфологии поверхности и повышению селективности травления структур фоторезист - GaAs и ЭЮг-GaAs.

3. Отрицательное смещение потенциала подложки GaAs до 300 В при плазмохимическом травлении в среде на основе CCI4 и C2F3CI3 в сочетании с термическим отжигом в интервале 573-^673 К обеспечивает малый разброс значений напряжений в прямом и обратном направлениях, высоту потенциального барьера в интервале 0.90-Ю.93 эВ в гетероструктурах Al/GaAs полученных в едином технологическом цикле.

Апробация работы: Основные результаты диссертации отражены в публикациях и докладывались на 3-ей и 4-ой Международных научных конференциях "Химия твердого тела и современные микро-и нанотехнологии" (Кисловодск, 2002г., 2004г.), 5-ой Международной конференции "Электромеханика, электротехнологии и электроматериаловедение" (крым, Алушта, 2003г.).

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Кушхов, Аскер Русланович

9. Результаты исследования позволили изготовить опытные партии диодов Шоттки с применением как ионно-стимулируемого плазмохимического травления, так реактивного ионно-лучевого травления (среда C2F3CI3+O2), совмещенного в едином вакуумном цикле с металлизацией из А1 и Ti/Al. Высота барьера составляла 0.75+0.80 эВ, фактор идеальности 1.05+1.10. Применение реактивного ионно-лучевого травления GaAs совмещенного с нанесением ионным распылением нитрида вольфрама позволило создать термостабильный диод Шоттки до температуры 1123 К и временем нагрева до 30 минут.

Заключение

Области практического применения ионно-стимулируемых процессов травления GaAs и InP определяются, прежде всего, уровнем достигнутых в работе результатов. Установленная возможность травления поверхности монокристаллических GaAs и InP с использованием ионно-стимулируемых плазмохимических и реактивных ионно-лучевых процессов позволяет существенно улучшить физико-химические характеристики поверхности, получить ее низкую шероховатость, практическую неизменность химического состава приповерхностного слоя по сравнению с исходным. Различным сочетанием технологических приемов достигается достаточно низкая дефектность обрабатываемого материала.

Методами планирования эксперимента оптимизирован процесс плазмохимического травления, по крайне мере, по его скорости. Полученные экспериментальные результаты дают возможность осуществлять оптимизацию и по другим характеристикам поверхности подложек.

Рассмотрена практическая возможность повышения параметров диодов Шоттки в результате использования ионно-стимулируемого плазмохимического травления подложек GaAs перед нанесением контактов. Подтверждены экспериментальные результаты исследований, что в случае плазмохимического травления в среде на основе C2F3CI3 бомбардирующие поверхность ионы не должны превышать энергию в 150 эВ. Достигнутая высота барьера составляет 0.90-Ю.93 эВ.

Применение реактивного ионно-лучевого травления GaAs, совмещенного в едином вакуумном цикле с металлизацей поверхности позволило достичь значения фактора идеальности на уровне 1.05-5-1.10, а высота барьера 0.75-Ю.80 эВ.

Проведены опытные серии получения диодов Шоттки для самосовмещенной технологии формирования элементов быстродействующих интегральных схем. Применялся процесс реактивного ионно-лучевого травления подложек GaAs в среде C2F3CI3 с последующим осаждением пленок нитрида вольфрама ионно-лучевым распылением мишени в среде азота. Высота барьера Шоттки достигала 0.84 эВ, коэффициент идеальности 1.04. После отжига до 1123 К в течении 30 минут указанные параметры практически не изменились.

Результаты по ионно-стимулируемому травлению GaAs и InP могут быть использованы и для получения эпитаксиальных гетероструктур GaAs на InP и создания различных транзисторных структур.

134

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Кушхов, Аскер Русланович, 2004 год

1. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых структур //

2. ФТП. 1998. т.32. №1.С.З-78.

3. Сушков В.П. Светодиоды и лазеры "-это "СиЛа" // Светодиоды и ла-i зеры. Оптоэлектроника и широкозонные полупроводники 2002. №1-2.1. С.4.

4. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка материалов // М.: Радио и связь. 1986.С.262.

5. Плазменная технология в производстве СБИС // Под ред. Н.Айнсбрука, Д. Брауна.-М.: Мир. 1987.С.469.

6. Данилин Б.С., Киреев В.Ю., Назаров Д.А. Реактивное ионное травление // обз. по ЭТ. Сер. 3. Микроэлектроника. 1984. Вып. 1 (1010).С.71.

7. В.Ю.Киреев, Б.С.Данилин, В.И.Кузнецов. Плазмохимическое и ион-но-химическое травление микроструктур // М.: Радио и связь. 1983.С.127.

8. Ковалев А.Н. Полевые транзисторы на AlGaN/GaN структурах // М.: Микрон-принт. 2001.С.72.

9. Ковалев А.Н. Современные направления и проблемы создания поле-1 вых транзисторов // Изв. Вуз. Материалы электронной техники. 2002.2.С.4-14.

10. Новикова Э.М., Кузнецов Г.Д., Ершова С.А. Роль кислорода в процессе плазмохимического травления InP // Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1985. Т. 21. №8.С.1268.

11. S. M. Scholz, С. Setzera, К. Jacobi, F. Schabert and J. P. Rabe Thermal etching of GaAs(l 13) // surfaces Journal of Materials Science Materials in Electronics 9.1998.P. 115-119.

12. D.R. Flower, G. Pineau des Forets, D. Field and P.W. May The structure of MHD shocks in molecular outflows: grain sputtering and SiO formation // Mon. Not. R. Astron. Soc. 280.1996.P.447-457.

13. D. Field, P.W. May, G. Pineau des Forets, and D.R. Flower Sputtering of the Refractory Cores of Interstellar Grains // Mon. Not. R. Astron. Soc. 285.1997.P.839-846.

14. P.W. May, G. Pineau des Forets, D.R. Flower, D. Field, N.L. Allan and J.A. Purton Sputtering of Grains in C-Type Shocks // Mon. Not. R. Astron. Soc. 318. 2000.P.809-816.

15. Полак JI.С. и др. Теоретическая и прикладная плазмохимия // М.: Наука. 1975.С.345.

16. Ермаков О.Н., Сушков В.П. Полупроводниковые знакосинтезирую-щие индикаторы.-М.:Радио и связь. 1990.С.240.

17. Nakamura S High-power GaN p-n junction blue-light-emitting diodes // Annu.Rev.Mater.Sci. 1998. V.28.P. 125-152.

18. Nakamura S. Quantum semiconductor structures //J.Elecktron.mater, 1988. V.27.P.160-165.

19. Mukai Т., Narimatsu H., Nakamura S.Group III nitride semicjnductors compounds // Jap. J.Appl.Phys., 1998.V.37.P.298-302.

20. Metzger R.A. Compound Simiconductor // New York Hress. 1995.V.1.P.26-28.

21. Nakamura S. High qulity InGaN films grown jn GaN films // Ann.Rev.Mater.Sci. 1998.V.28.P. 125-152.

22. Tamargo M.C. Large area ion beam assisted etching of GaAs with yigh etch rates fnd controlled anisotropy // Absr.B.IX Intern, on II-VI Compounds (II-VI, 99).-Kyoto (Jap.). 1999.P.9.

23. Miller T.J., Baude P.F., Haugen G.M. et al // Absr.B. VIII Intern, on II-VI Compounds (II-VI, 97).-Grenoble (Fr.).1997.P.42.

24. Богданкевич O.B. Особенности эмиссии электронов //Квантовая электрон. 1994.Т.21. №21.С.1013-1079.

25. Мартынов В.Н., Уласюк В.Н., Намм А.В. и др. Излучательные процессы в А3В5 // Изв. РАН Неорган, материалы. 1989.Т.25.№11.С.18381845.

26. Мартынов В.Н., Волкова Е.С., Тоцина Т.С. Рекомбинационные явления в гетероструктурах на основе соединений А3В5 // Изв.вузов. Материалы электронной техники. 1998. №1.С.70-74.

27. Басов Н.Г., Дианов Е.М., Козловский В.И. и др. Взаимосвязь квантол ;вого выхода с химическим составом соединений А В // Квантовая электрон. 1995. Т.22. №8.С.756-757.

28. Ермаков О.Н., Чукичев М.В. Эффективность знакосинтезирующих индикаторов // Изв. вузов. Серия Физическая. 1985. №9.С.37-40.

29. Katz J., Bar-Chaim N., Chen P.C., margalit S., Ury I., Wilt D., Yust M. and Yariv A. A monolithic integration of GaAs/GaAlAs bipolar transistor and heterostructure laser // Appl.Phys.Lett.l980.V.37.N.2.P.211-213.

30. Arai Y., Sakuta M. and K. Sakai. GaAs light Emitting Device with light-Activated Negative Resistance //J. Appl.Phys.l970.V.9.P.853-854.

31. Алферов Ж.И., Корольков В.И., Никитин В.Г., Третьяков Д.Н. Твердотельный преобразователь инфракрасного излучения // ФТП. 1971 .Т.5.вып.8.С. 1503-1507.

32. Киреев В.Ю., Данилин Б.С., Кузнецов В.И. Плазмохимическое и ион-но-химическое травление микроструктур. М.: Радио и связь. 1983.С.126.

33. Coburn J.W., Winters G.F. Chemical reactions of gases initioned ions and electrons //J. Appl. Phys. 1979.V. 50.№5.P.3189.

34. Burton R. H., Hollien G. L. Marchut L., Abys S., Smoiinsky G. Etching of gallium arsenide and indium phosphide in of discharges through mixtures of trichlorofluoro-methane and oxyden // J. Appl. Phys. 1983.V.51 All. P.6663.

35. Арсенид галлия в микроэлектронике // Под ред. Н. Айнсбрука, У.Уиссмена. М.: Мир. 1988.С.170

36. Donnelly V.M., Flam D.F., Temperature Dependence of InP and GaAs etching in a chlorine plasma // J. Electrochem. Soc. 1982.V. 129.№11.P.2533.

37. Burton K.H., Hollien G.Z., Smolensky G. Etching of GaAs and InP in rf discharges through mixtures of trichlorofluoromethane and oxyden // J. Appl. Phys. 1983.V.54. №11.P.663.

38. Schultes K., Chistodoulidis A. Studies by the electron cyclotron resonance (ECK) technique the chlorine containing molecules // J. Chem. Phys. 1975. V. 59.№8.P.354.

39. Clark D. J., Fok T. Surface modification of InP by plasma techniques using hydrogen and oxygen // Thin Solid Films. 1981.V. 78.№ 2.P.271.

40. Кузнецов Г.Д. В Ионно-плазменное получение и обработка материалов // В кн.: Научные шк. МИСиС.-М.:МИСиС. 1997.С.251-256.

41. G.J.Sonek, J.U. Ballantyne Reactive ion etching of GaAs using BC13 // J.Vac.Scl. technol. B2(4). oct/dec. 1984.

42. Кузнецов Г. Д., Ершова С. А., Миронов А. С., Аранович Г. Л. Изменение рельефа-поверхности монокристаллического кремния при плазмохимическом травлений // Электронная техника. Материалы, 1986. Сер. 6. Вып. 5(178).С.53.

43. Gottosho R., Smolinsky G. Carbon Tetrachloride plasma etching of GaAs and InP // J. Appl. Phys. 1982.V.53. №8.P.5908

44. Burton R. H., Smoiinsky G. CC14 and CI2 plasma etching of III—V semiconductors and the role of added 02 // Solid State Sci. and Technol., 1982. V.129. № 7.P.1599.

45. Smolinsky G., Chang R. Plasma etching III—V compound semiconductor materials-and their oxides // J. Vac. Sci. Technol., 1981.V.18.№ l.P. 12.

46. Smolinsky G., Gottscho, Abys S. Time-dependent etching of GaAs and InP with CC4 or HCl-plasmas // J. Appl. Phys., 1983.V.54.№ 6.P.35.

47. Ю.В. Кирилов, Д.В. Ситанов, В.И. Светцов Роль ионов и УФ- излучения в процессе плазмохимического травления арсенида галлия // Школа плазмохимии для молодых ученых России и стран СНГ, Ивановский ГХТУ 2002.С.95.

48. Термодинамические константы веществ. Справочник // Под. ред. Глушко Г.А. М.: Наука Т. 1-4.1971-1977.

49. Справочник химика // под. ред. Никольского Б.П. Т. 1. М.: Химия, 1979.С.642.5 8.Основные свойства неорганических фторидов. Справочник // Под.ред. Галкина Н.П. М.: Атомиздат. 1976.С.215.

50. Рабинович В. А., Хавин 3. Я. Краткий химический справочник. JL: Химия. 1978.С.393.1

51. Рябов С. Н., Кутолин С. А., Бойкин Н. И. Физико-химические особенности процессов плазмохимического травления // Электронная техника. Технология, организация производств и оборудования. 1981. Вып. 20.С.844.

52. Кузнецов Г.Д., Новикова Э.М., Журавлев А.В. Скорость плазмохимического травления арсенида галлия в средах на основе C2F3CI3 и СС14. Неорганические материалы 1988 - 24.№5.С.719.

53. М.В. Stern, P.F. Liao Reactive ion etching of GaAs and InP using SiCl4 // J.Vac.Scl. Technol. Bl(4), oct/dec. 1983.

54. Burton R.H., Smolinsky G. CC14 and Cl2 plasma etching of III-IV semiconductors and the role of added 02 // Solid State Sci. and Technol. 1982. V. 129.№7.P.1599.

55. Новикова Э. M., Кузнецов Г. Д., Ершова С. А., Бабайцева М Роль кислорода в процессе плазмохимического травления InP // Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1985. т. 21. № 8.С.1268.

56. Овчинников Н.Л., Светцов В.И., Ефремов A.M. Плазмохимическое травление арсенида галлия в плазме смесей хлора с азотом, кислородом и водородом // Школа плазмохимии для молодых ученых России и стран СНГ, Ивановский ГХТУ 2002,С.93

57. Нап J., Не Li, Robert L. Comporisons of GaAs, tungsten and photoresist etch rates fhd GaAs surfaces using RIE CF4, CF4+N2 and SF6+N2 // IEEE Circuits and Devices. 1994. V. 10.P. 18-23.

58. Pearton S.J. GaN and Related Materials // Amsterdam: Gordon and Breach Sci.Publ., 1997.

59. Туманов Ю.Н. Низкотемпературная плазма и высокочастотные электромагнитные поля в процессах получения материалов для ядерной энергетики//М.: Энергоатомиздат. 1989.С.279.

60. Shul R.J. In: GaN and Related Materials // II.-New York: Gordon and Breach, 1998.P.275-278.

61. Shul R.J., McClellan G.B., Pearton S.J. et al. // Electron. Lett. 1996. V.32.P.1408.

62. Ren F., Pearton S.J., Shul R.J., Han J. Plazma assisted etching InAs // Electron. Mater. 1998. V.27.P. 175.

63. Eddy C.R., Molhar Jr.B. Group III nitride semiconductor compounds // Ibid. 1999. V.28.P.314.

64. Кузнецов Г.Д., Новикова Э.М., Журавлева A.B. Скорость плазмохимического травления арсенида галлия в средах на основе C2F3C13 // Неорган. Материалы. 1988.Т.24. №5.С. 74-77.

65. Словецкий Д.И. Механизмы химический реакций в неравновесной плазме.-М.: Наука, 1980.С.432.

66. Технология СБИС. Пер. с англ. // Под ред. С. Зи в 2-х книгах.-М.: Мир, 1986.

67. S. J. Pearton, J. W. Lee, E. S. Lambers, J. R. Mileham and C. R. Aber-nathy, W. S. Hobson and F. Ren, R. J. Shul. J High Microwave Power ECR

68. Etching of III-V Semiconductors in СН4/Н2/АГ // Vac. Sci. Technol. 1996. В 14, 118.P.602-606

69. J. W. Lee, J. Hong and S. J. Pearton Etching of InP AT >l|im/min. in Cl2/Ar Plasma Chemistries // University of Florida, Gainesville FL 32611, Appl. Phys. Lett. 68 847 (1996)

70. F. Ren, W. S. Hobson, J. M. Kuo, J. R. Lothian and J. Lopata, S. J. Pearton and J. A. Caballero Electron Cyclotron Resonance Plasma Etching of InP and Related Materials in BC13 // Solid-state Electronics, 39 696 (1996)

71. J. W. Lee and S. J. Pearton Investigation of Masking Materials for High Ion Density Cl2/Ar Plasma Etching of GaAs // Semicond. Sci. Technol. 11 812(1996)

72. W. Lee, J. Hong, E. S. Lambers, C. R. Abernathy and S. J. Pearton, W. S. Hobson and F. Ren, J. Cl2-Based Dry Etching of GaAs, AlGaAs and GaP // JElectrochem. Soc. 143 2010 (1996)

73. J. W. Lee, R. V. Crockett and S. J. Pearton Comparison of Masking Materials for High Microwave Power CIVH2/Ar Etching of III-V Semiconductors // J. Vac. Sci. Technol. В 14 May/June (1996)

74. F. Ren, J. R. Lothian, J. M. Kuo, W. S. Hobson and J. Lopata, J. A. Caballero and S. J. Pearton, M. W. Cole BC13/N2 Dry Etching of InP, InAlP and InGaP // J. Vac. Sci. Technol. В 14 May/June (1996)

75. M.H. Ludwig, J. Menninger, R.E. Hummel, and A. Augustin Position and Temperature-Dependent Optical Properties of Spark-Processed Si // Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 2542.

76. Zhu Z., Kurtz E., Arai K. et al. Dry etching jf through substrate via holes for GaAs MMICs // Phys. status solidi.l997.V.202.P.827-833.

77. Жуховицкий А.А., Шварцман JI.А. Физическая химия // M.: Металлургия. 1976.С.543.

78. Попель С.И., Есин О.А., Никитин Ю.Н. Графический метод расчета, применимый к каплям различного диаметра // Докл. АН СССР, 1952. т.83. №2.С.253.

79. Becher P. Interaction parameter calculations from contacted angle data I I J. Colloid and Interface Sci. 1977. V. 59.№3.P. 429.

80. Рипан P., Честяну И. Неорганическая химия // Т. 1. М.: Мир, 1972.С.573 .

81. Новикова Э. М., Ершова С. А., Васильев М. Г. Смачивание индием поверхности фосфида индия // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1983. т. 19. № 9.С. 1419.

82. Иванов Ю.А., Лебедев Ю.А., Полак Л.С. Методы контактной диагностики в неравновесной плазмохимии // М.: Наука, 1981.С.301.

83. Овсянникова А.А., Энгелыпт B.C., Лебедев Ю.А. и др. Диагностика низкотемпературной плазмы // Новосибирск: Наука, 1994.С.99.

84. Faist J., Capasso F., Sivco D.L. et al. Orientation dependet reactive ion etching of GaAs in SiCl4 // Appl.Phys.Lett.l997.V.68.P.3680.

85. Соколовский К.А., Новикова Э.М., Ершова С.А. Исследование поверхностных свойств в системах GaAs(ZnSe) Ga(Sn) // Ж. физ. химии,1979.т.53.№6.С.1868.

86. Fujita S., Matsuda У., Sasaki А. // ap.J.Appl.Phys.l984.V.23.P.L360-L364.

87. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.И., Никитин В.Г. и Яко-венко А.А. р-п-р-п-структуры на основе GaAs и твердых растворов AlxGal-xAs // ФТП.1970.Т.4.Вып.З.С.578-581.

88. W. Lee, S. J. Pearton, R. R. Stradtmann and C. R. Abernathy, W. S. Hobson and F. Ren Damage Introduction in InGaP and AlGaAs by Electron Cyclotron Resonance Ar Plasmas // J. MRS Spring 1996, San Francisco April 1996

89. S. J. Pearton(l), R. J. Shul(2), G. F. McLane(3) and C. Constantine(4) Reactive Ion Etching of III-V Nitrides // Invited talk at Top Workshop on III-V Nitrides, Nagoya, Japan Sept. 1995 (to appear in Solid State Electron.)

90. J. W. Lee, S. J. Pearton, E. S. Lambers, J. R. Mileham and C. R. Abernathy, W. S. Hobson and F. Ren High Microwave Power ECR Etching of

91. I-V Semiconductors in СНДЬ/Ат // Proc. SOTAPOCS XXIV, Electrochem. Soc. Meeting, LA May 1996, ECS Vol. 96-2, 03 (1996).

92. F. Ren(l), W. S. Hobson(l), J. R. Lothian(l), J. Lopata(l), J. A. Cabal-lero(2), J. W. Lee(2), S. J. Pearton(2) and M. W. Cole(3) AFM Analysis of ECR Dry-Etched InGaP, AllnP and AlGaP // 1995 Fall MRS Meeting, Boston, Dec. 1995

93. Korostelin Yu.V., Kozlovsky V.I., Nasibov A.S. et al. // J.Ciyst.Growth. 1996.V.51.P.51-56.

94. Ury I., Lau K.Y., Bar-Chaim N. and Yariv A. Very high frequency GaAlAs laser field-effect transistor monolithic integrated circuit // Appl.Phys.Lett. 1982. V.41 .№.2.P. 126-128.

95. Morkos H. Wide Band Gap Nitrides and Devices Berlin: Springer Ver-lag, 1998.

96. Nakamura Sh., Fasol G. The Blue Laser Diode GaN based Light Emitters and Lasers // Heidelberg: Springer Verlag, 1997.

97. Абрамов B.C., Никифоров С.Г., Соболь П.А., Сушков В.П. Свойства зеленых и синих InGaN-светодиодов // Светодиоды и лазеры. 2002. №1-2.С.42-44.

98. Adesida I. In: Properties, Processing and Application of GaN and Related Semiconductors // EMIS Data Rev. №23 London: INSPEC; IEE, 1999.N

99. Kuznetsov G., Delain V. The use of ion effects upon surface in deposition and etching of thin films and coating // Surf. And Coatings Techn. 1992. V.54/55.P51-54.

100. Лучинин B.B., Лютецкая И.Г., Сазанов А.П. Ионное травление тонкопленочных гетерокомпозиций // Изв. вузов. Электроника. 1999. №3.C.3-13.

101. Lee Н.С., Abe Т., Zaw Min Aung. Et al. // Absr. В. IX Intern. Conf. on II-VI Compounds (II-VI, 99).-Kyoto (Jap.), 1999.P.125.

102. Ш.Рамушина E.M., Скопина В.И., Танклевская E.M. Светодиоды и лазеры//2002. №1-2.С. 93.

103. Уиллордсон Р., Бир А. Оптические свойства полупроводниковых соединений типа А3В5 // М.: Мир, 1970,С.273.

104. Hall R.N. Solubility of III-V compound semiconductors in column III liquids // J. Electrochem. Soc. 1963.V.110. №5.P.585.

105. Соколовский К. А., Новикова Э. M., Ершова С. А. Исследование поверхностных свойств в системах GaAs(ZnSe) — GaSe // Ж. физ. химии. 1979. т. 53. № 6,С.1868.

106. Pankove J.I., Moustaka T.D. In: Gallium Nitride I-San Diego: Acad. Press, 1997.

107. Кузнецов Г.Д., Ходос Ю.А. Влияние ионного воздействия на скорость роста и химический состав водород и хлорсодержащих аморфных слоев кремния // Электрон, техника, сер.6 (материалы). 1985. Вып.1.С.42-45.

108. V J Law and G А С Jones Chloromethane-based reactive ion etching of GaAs and InP // Semicond. Sci. Technol. 7. 1992.P.281-283