Оптические свойства и электронная структура кристаллов групп AvBviCvii и AvI3 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.01, кандидат физико-математических наук Пестерев, Евгений Валерьевич

• Пестерев, Евгений Валерьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Пестерев, Евгений Валерьевич

Введение

Глава 1. Литературный обзор

§1.1. Кристаллическая структура, физические свойства и химическая связь соединений групп AVB 'CVI1 и АУ1з

§1.2. Способы получения кристаллов групп AVBVICVI1 и Ау1з

§1.3. Оптические свойства в области края собственного поглощения кристаллов групп AVBVICVH и АЧ

§1.4. Экситонные состояния ВПз

§1.5. Экспериментально измеренные спектры кристаллов групп AVBVICV и АУ1з в области широкой энергии.

§ 1.6. Расчеты зон кристаллов группы AvBvlCvn

§1.7. Расчеты зон кристаллов группы Ау1з

Выводы. Постановка задачи

Глава 2. Методики расчетов

§2.1. Фундаментальные оптические функции

§2.2. Метод расчета оптических функций по спектрам отражения

§2.3. Метод расчета оптических функций по спектрам ъг или -Ims

§2.4. Метод разложение интегральных спектров zj на компоненты с помощью объединенных диаграмм Арганда

§2.5. Метод разложение интегральных спектров -Ime"1 на компоненты с помощью объединенных диаграмм Арганда

§2.6. Метод оптимизации контуров при разложении интегральных спектров 82 и -Ims'

Выводы

Глава 3. Моделирование спектров оптических функций и электронная структура кристалла SbSI

§3.1. Расчеты полных комплексов фундаментальных оптических функций кристалла SbSI для поляризаций Е||с и ELc при 93К в области 1-4 эВ. Их обсуждение

§3.2. Расчеты полных комплексов фундаментальных оптических функций кристалла SbSI для поляризаций Е||с, Е||Ь и ELc при 273К в области 1-4 эВ. Их обсуждение

§3.3. Расчеты полных комплексов фундаментальных оптических функций кристалла SbSI для поляризаций Е||с, Е||Ь и ELc при 300К в области 1-4 эВ и в неполяризованном свете в области 4-40 эВ. Их обсуждение

§3.4. Влияние температуры и поляризации на оптические функции кристалла SbSI

§3.5. Разложение спектров диэлектрической проницаемости 82(E) и характеристических потерь электронов -Ime"1 кристалла SbSI для поляризаций Е||с и ELc при 93К в области 1-4 эВ на элементарные компоненты. Определение основных параметров компонент

§3.6. Разложение спектров диэлектрической проницаемости 82(E) и характеристических потерь электронов -Ime"1 кристалла SbSI для поляризаций Е||с, Е||Ь и ELc при 273К в области 1-4 эВ на элементарные компоненты. Определение основных параметров компонент

§3.7. Разложение спектров диэлектрической проницаемости ег(Е) и характеристических потерь электронов -Ime"1 кристалла SbSI для поляризаций Е||с, Е||Ь и EJc при 300К в области 1-4 эВ и в неполяризованном свете в области 4-40 эВ на элементарные компоненты. Определение основных параметров компонент

§3.8. Влияние температуры и поляризации на компоненты разложения интегральных оптических функций кристалла SbSI.

§3.9. Сравнение полученных результатов с известными теоретическими расчетами

Выводы

Глава 4. Моделирование спектров оптических функций и электронная структура кристалла SbSel

§4.1. Расчеты полных комплексов фундаментальных оптических функций кристалла SbSel для поляризаций Е||с и Е±с при 110К в области 0-5 эВ. Их обсуждение

§4.2. Расчеты полных комплексов фундаментальных оптических функций кристалла SbSel для поляризаций Е||с и ELc при 300К в области 0-5 эВ и в неполяризованном свете в области 5-12 эВ. Их обсуждение

§4.3. Влияние температуры и поляризации на оптические функции кристалла SbSel

§4.4. Разложение спектров диэлектрической проницаемости 82(E) и характеристических потерь электронов -Ime"1 кристалла SbSel для поляризаций Е||с и ELc при 110К в области 0-5 эВ на элементарные компоненты. Определение основных параметров компонент

§4.5. Разложение спектров диэлектрической проницаемости ег(Е) и характеристических потерь электронов -Ime"1 кристалла SbSel для поляризаций Е||с и ELc при 300К в области 0-5 эВ и в неполяризованном свете в области 5-12 эВ на элементарные компоненты. Определение основных параметров компонент

§4.6. Влияние температуры и поляризации на компоненты разложения интегральных оптических функций кристалла SbSel

§4.7. Сравнение полученных результатов с известными теоретическими расчетами

Выводы

Глава 5. Моделирование спектров оптических функций и электронная структура кристалла BiSel

§5.1. Расчеты полных комплексов фундаментальных оптических функций кристалла BiSel для поляризаций Е||с и ELc при 110К в области 1-4.5 эВ. Их обсуждение

§5.2. Расчеты полных комплексов фундаментальных оптических функций кристалла BiSel для поляризаций Е||с и ELc при 300К в области 0-4.5 эВ и в неполяризованном свете в области 4.5-12 эВ. Их обсуждение

§5.3. Расчеты полных комплексов фундаментальных оптических функций кристалла BiSel для поляризаций Е||а, Е||Ь и Е||с при 300К в области 1-5 эВ. Их обсуждение

§5.4. Влияние температуры и поляризации на оптические функции кристалла BiSel

§5.5. Разложение спектров диэлектрической проницаемости 82(E) и характеристических потерь электронов -Ime"1 кристалла BiSel для поляризаций Е||с и ELc при 110К в области 1-4.5 эВ на элементарные компоненты. Определение основных параметров компонент

§5.6. Разложение спектров диэлектрической проницаемости 82(E) и характеристических потерь электронов -Ime"1 кристалла BiSel для поляризаций Е||с и ELc при 300К в области 1-4.5 эВ и в неполяризованном свете в области 4.5-12 эВ на элементарные компоненты. Определение основных параметров компонент

§5.7. Разложение спектров диэлектрической проницаемости 82(E) и характеристических потерь электронов -Ime"1 кристалла BiSel для поляризаций Е||а, Е||Ь и Е||с при 300К в области 1-5 эВ на элементарные компоненты. Определение основных параметров компонент

§5.8. Влияние температуры и поляризации на компоненты разложения интегральных оптических функций кристалла BiSel

Выводы

Глава 6. Моделирование спектров оптических функций и электронная структура кристалла BiTel

§6.1. Расчет полного комплекса фундаментальных оптических функций кристалла BiTel при поляризации ELc и температуре 300К в области 0-12 эВ. Его обсуждение

§6.2. Разложение спектров диэлектрической проницаемости 82(E) и характеристических потерь электронов -Ime"1 кристалла BiTel на элементарные компоненты. Определение основных параметров компонент

§6.3. Сопоставление компонент разложения ег(Е) в зависимости от соединения

Выводы

Глава 7. Моделирование спектров оптических функций и электронная структура кристаллов AI3 (А - Bi, Sb, As)

§7.1. Расчеты полных комплексов фундаментальных оптических функций кристалла Bib для поляризации ELc при температурах 6, 77 и 286К в области 1-6 эВ. Их обсуждение

§7.2. Расчеты полных комплексов фундаментальных оптических функций кристалла Bib для поляризаций Е||с и ELc при температуре 300К в области 1-5 эВ. Их обсуждение

§7.3. Влияние температуры и поляризации на оптические функции кристалла ВЩ

§7.4. Разложение спектров диэлектрической проницаемости ег(Е) и характеристических потерь электронов -Ime"1 кристалла Bil3 для поляризации ELc при температурах 6, 77 и 286К на элементарные компоненты. Определение основных параметров компонент

§7.5. Разложение спектров диэлектрической проницаемости 62(E) и характеристических потерь электронов -Ime"1 кристалла Bib для поляризаций Е||с и ELc при температуре 300К на элементарные компоненты. Определение основных параметров компонент

§7.6. Влияние температуры и поляризации на компоненты разложения интегральных оптических функций кристалла Bib •

§7.7. Расчеты полных комплексов фундаментальных оптических функций кристаллов Sbb и Asb для поляризации EJc при комнатной температуре в области 0-9 эВ. Их обсуждение

§7.8. Разложение спектров диэлектрической проницаемости ег(Е) и характеристических потерь электронов -Ims"1 кристаллов БЫз и Asb на элементарные компоненты. Определение основных параметров компонент

§7.9. Влияние катиона на компоненты разложения интегральных оптических функций кристаллов группы AI3.

§7.10. Сравнение полученных результатов с известными теоретическими расчетами

Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптические свойства и электронная структура кристаллов групп AvBviCvii и AvI3»

Физика твердого тела является одним из главных направлений развития теоретической и прикладной физики, что вызвано интенсивным внедрением ее достижений в промышленность и науку. Современное состояние и перспективы развития научно-технического прогресса существенно зависят от практического использования (наряду с макроскопическими) микроскопических и квантовых свойств конденсированных систем и глубоких разработок фундаментальных проблем. Эффективность прикладного применения соединений зависит от степени их всестороннего изучения различными физическими и химическими методами как экспериментально, так и теоретически. В этой связи исследования энергетической структуры, определение ее параметров (энергий, полуширин, вероятностей переходов, ширин валентных и свободных зон, их взаиморасположение, ширина запрещенной зоны и т.д.) - одно из важнейших направлений в физике твердого тела. Указанные характеристики необходимы для построения моделей, с помощью которых удается объяснять физические и химические свойства вещества, а также предсказывать их новые особенности. Эти данные важны для создания теоретического фундамента при решении задачи получения новых материалов с заранее заданными свойствами.

Для понимания механизмов электронных процессов в кристаллах, а также целенаправленного синтеза на основе изоморфных аналогов тройных соединений и их твердых растворов важным является построение количественной энергетической схемы данных соединений. В этом плане наиболее информативными и удобными являются методы оптической спектроскопии в широкой области фундаментального поглощения с использованием синхротронного излучения при различных поляризациях зондирующего излучения в широком интервале температур.

Существует несколько экспериментальных методов для определения оптических функций вещества: 1) измерение спектральной зависимости коэффициента отражения в широкой области спектра и последующее применение соотношений Крамерса-Кронига; 2) измерение коэффициента пропускания и отражения при нормальном угле падения и последующий расчет остальных функций (такие измерения возможны лишь в узкой области края фундаментального поглощения); 3) измерение эллиптичности отраженного поляризованного света при наклонном угле падения (метод работает только в узкой области спектра); 4) измерение коэффициента отражения при наклонном падении поляризованного света метод работает в узкой области спектра); 5) измерение показателя преломления методом призмы (метод работает только в области прозрачности вещества).

При изучении многих теоретических и экспериментальных особенностей твердых тел и их применений большую роль играют оптические функции: коэффициенты поглощения ц, отражения R, показатели преломления п и поглощения к, мнимая 82 и действительная 8i части диэлектрической проницаемости £, характеристические потери электронов для объемных -Ime"1 и поверхностных -Im(l+£)"' плазмонов, эффективная диэлектрическая постоянная 8eff, эффективное число валентных электронов neff, участвующих в переходах до данной энергий Е, фаза отраженной волны 0 и др. Эти функции взаимосвязаны друг с другом интегральными или сравнительно простыми аналитическими соотношениями, но каждая из них имеет самостоятельное значение. Однако экспериментально одновременно удается получить только одну или две из этих функций. Поэтому особую актуальность приобретает необходимость расчета по известным спектрам всего комплекса оптических функций.

Другая, возможно более важная задача оптики и спектроскопии твердых тел состоит в установлении полного набора оптических переходов и их параметров. Известно, что оптические функции являются интегральными, то есть представляют собой результат наложений вкладов всех переходов в электронной структуре. Естественно, возникает необходимость выделения полосы каждого перехода из суммарной кривой. Однако отсутствие математической теории однозначного разложения интегральной функции на элементарные составляющие накладывает серьезные ограничения и заставляет использовать большие упрощения. Общепринятым является представление интегральной кривой диэлектрической проницаемости как суммы вкладов невзаимодействующих симметричных лоренцевских осцилляторов. Каждый такой осциллятор характеризуется тремя параметрами: энергией максимума Ej, полушириной Г) и высотой Ij полосы перехода. Обычно, для определения тонкой структуры спектров ег берется определенное число N лоренцевских компонент по числу максимумов в интегральной кривой и путем перебора подгоняются параметры осцилляторов. Таким образом, всего имеется 3N подгоночных параметров. В то же время, не все оптические переходы структурно проявляются в суммарной кривой. В общем случае, для широкой области энергии собственного поглощения полосы многочисленных переходов сильно перекрываются благодаря сравнительно большой их полуширине вплоть до структурного исчезновения некоторых из них в интегральной измеряемой кривой. То есть уже по числу компонент существует большой произвол. В результате такого воспроизведения можно получить лишь случайное совпадение параметров осцилляторов с истинными данными.

В данной работе для решения этой задачи применен метод с использованием объединенных диаграмм Арганда [1, 2], который позволяет без подгоночных параметров разложить кривую ег на лоренцевские осцилляторы, а также определить их параметры.

Тройные соединения типа SbSI обладают рядом специфических свойств (наличие фазовых переходов, пьезо- и сегнетосвойства и др.) Благодаря таким особенностям может быть интересно практическое применение данных материалов в качестве различных оптических датчиков, зондов и др. В то же время, ввиду их сильной анизотропии и сложных решеток зонная структура этих соединений изучена сравнительно слабо. Для понимания механизмов электронных процессов в этих кристаллах важным является получение полных комплексов фундаментальных оптических функций и выделение элементарных компонент, составляющих интегральные кривые, с определением их параметров. Все это дает существенно более полную информацию для более детальных исследований и теоретических расчетов.

В связи с изложенным, цель работы состояла в следующем:

1. получить модельные полные комплексы фундаментальных оптических функций кристаллов SbSI, SbSel, BiSel, BiTel, ВП3, Sb^, ASI3 no известным экспериментальным спектрам R(E) [3-12]; сравнить результаты расчетов по данным R(E) разных работ, т.е. решить первую фундаментальную задачу спектроскопии,

2. сопоставить спектры функций различных кристаллов; выявить общие закономерности и особенности оптических спектров в зависимости от катиона,

3. разложить интегральные спектры 82 и -Ime'1 на элементарные компоненты и определить параметры этих компонент, т.е. решить вторую фундаментальную задачу спектроскопии,

4. сопоставить полученные спектры с известными теоретическими расчетами.

Научная новизна

1. В данной работе впервые были получены модельные полные комплексы фундаментальных оптических функций для кристаллов SbSI, SbSel, BiSel, BiTel, ВП3, Sbl3, Asb. Выполнено сравнение результатов расчетов по данным R(E) разных экспериментальных работ.

2. Впервые выполнено разложение интегральных спектров диэлектрической проницаемости и характеристических потерь данных материалов на элементарные компоненты методом диаграмм Арганда без подгоночных параметров. Определены параметры компонент.

Тем самым решены две фундаментальные задачи спектроскопии.

Научная и практическая ценность

1. Получены полные комплексы фундаментальных оптических функций кристаллов, что составляет существенно более полную информацию об оптических свойствах и электронной структуре.

2. В интегральных спектрах полосы отдельных переходов сильно перекрываются. В данной работе беспараметрическим методом выполнено разложение интегральных спектров на элементарные составляющие,. определены их параметры. Это позволяет повысить точность идентификации отдельных переходов и теоретических расчетов зонной структуры.

3. Выполнен анализ влияния на спектры оптических функций изменения катиона, произведено сравнение данных, рассчитанных по экспериментальным спектрам разных работ. Выполнено сопоставление полученных данных с известными теоретическими расчетами.

В целом, полученные данные представляют существенный вклад в расширение информации об электронной структуре рассмотренных кристаллов. Создают принципиально новую обширную базу для более детального изучения оптических свойств и электронной структуры, а также совершенствования с П ш теоретических расчётов тройных соединений группы А В С и группы Bib.

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы экспериментальной физики», Пестерев, Евгений Валерьевич

Основные результаты и выводы

1. Впервые получены спектры комплексов фундаментальных оптических функций кристаллов группы AVBVICVI1: восемь наборов для SbSI в области 0 - 4 и 4 -40 эВ для трех температур (93, 273 и ЗООК) и трех поляризаций (Е||с, Е||Ь и E-Lc); четыре набора для SbSel в области 0 - 12 эВ для двух температур (300 и 110К) и двух поляризаций (Е||с, ELc); семь наборов для BiSel в области 0 - 5 эВ для двух температур (110К и ЗООК) и четырех поляризаций (Е||а, Е||Ь, Е||с и EJc); полный комплекс фундаментальных оптических функций кристалла BiTel при поляризации E-Lc и температуре ЗООК в области 0 - 12 эВ.

2. Впервые получены спектры комплексов фундаментальных оптических функций кристаллов группы Avb: пять наборов для ВИз в области 0 - 6 эВ для четырех температур (6, 77, 286 и ЗООК) и двух поляризаций (Е||с, E-Lc); полный комплекс фундаментальных оптических функций кристаллов Asb при поляризации E-Lc и температуре ЗООК в области 0-5 эВ; полный комплекс фундаментальных оптических функций кристаллов Sbb при поляризации E-Lc и температуре ЗООК в области 0 - 9 эВ.

3. Впервые интегральные спектры диэлектрической проницаемости и характеристических потерь электронов кристаллов групп AVBVICVU и Avb для всех значений поляризаций и температур разложены на элементарные компоненты (10 для SbSI, 17 для SbSel, 20 для BiSel, 13 для BiTel, 20 для Bil3, 14 для Sbb, 9 для Asl3). Определены основные параметры (энергия Ej, полуширина Hj, амплитуда I,,площадь Si, сила осциллятора fi) каждой компоненты.

4. Для каждого материала выполнено сравнение структуры спектров оптических функций и компонент разложения интегральных кривых в зависимости от температуры и поляризации. Выполнено сравнение спектров и компонент разложения бинарных иодидов друг с другом для изучения зависимости их поведения от катиона. Установлено, что:

• для всех кристаллов наиболее выражена структура (большее количество максимумов, они интенсивнее и резче выражены) при поляризации параллельно оптической оси с;

• наибольшей интенсивностью обладают спектры при поляризации Е||с, а спектры при поляризации ELc менее интенсивны; в случаях, когда измерялось отражения кристаллов при поляризациях Е||с, Е||Ь и Е||а, интенсивность спектров всех оптических функций уменьшается от поляризации Е||с к поляризации Е||а через Е||Ь;

• для всех кристаллов спектры, соответствующие более высокой температуре, имеют менее выраженную структуру (меньше максимумов, они менее интенсивны и более широкие), и меньшую интенсивность, чем спектры, соответствующие более низкой температуре;

• для всех кристаллов при увеличении температуры полуширины компонент разложения интегральных кривых увеличиваются, амплитуды уменьшаются, а площади примерно сохраняют свои значения на прежнем уровне;

• наибольшие полуширина, амплитуда и площадь большинства компонент разложения 82 достигается в поляризации Е||с, а наименьшая в поляризации Е±с или Е||а (если рассчитаны комплексы в поляризациях ЕЦс, Е||Ь и ЕЦа). Компоненты разложения характеристических потерь характеризуются обратным соотношением амплитуд и площадей (больше для EJLc или Е||а, меньше для Е||с);

• для всех кристаллов положения компонент разложения характеристических потерь находятся при больших значения энергии, чем положения соответствующих им компонент разложения диэлектрической проницаемости (так называемое положительное продольно-поперечное смещение);

• положения компонент разложения интегральных кривых, соответствующие кристаллу с более тяжелым катионом (например, Bib), находятся при меньших значениях энергии, чем положения, соответствующих им компонент разложения кристаллов с менее тяжелым катионом (Sbb).

5. Выполнено сравнение энергий компонент разложения 82 различных тройных соединений в зависимости от параметра решетки. Предсказаны энергии необнаруженных компонент полос переходов. Использованный метод впервые позволяет наиболее корректно сопоставлять энергии возможных аналогов междузонных переходов.

6. Выполнено сравнение полученных результатов с теоретическими расчетами зонной структуры (три для SbSI, по одному для SbSel и Bib). По упрощенной схеме переходов между почти параллельными зонами нами были

-265определены наиболее вероятные энергии переходов для каждого теоретического расчета, и сопоставлены с максимумами интегральных экспериментальных спектров. Данные теоретические расчеты носят предварительный характер из-за упрощенностей методов расчета, неучета экситонов и релятивистских эффектов, недостаточно широкой области энергии. Зафиксированы существенные расхождения теоретических расчетов ег с полученными нами экспериментально-расчетными данными. Учет релятивистских поправок, несомненно, существенно изменит структуру зон, обусловленных р-состояниями компонент. Установлен один из известных теоретических расчетов зон SbSI, наиболее совпадающий с экспериментальными данными.

7. Полученные результаты содержат новую, существенно более обширную информацию для рассмотрения оптических свойств и электронной структуры кристаллов типа AVBVICVI1 и АУ1з, и для совершенствования теоретических расчетов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Пестерев, Евгений Валерьевич, 2005 год

1. Соболев В.В., Немошкаленко В.В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников. Киев: Наукова думка. 1988. 423 с.

2. Соболев В.В., Алексеева С.А., Донецких В.И. Расчеты оптических функций полупроводников по соотношениям Крамерса-Кронига. Кишинев: Штиинца. 1976. 123 с.

3. Komatsu Т., Kaifu Y. Optical Properties of Bismuth Tri-Iodide Single Crystals. I. Interband Transitions // J. Phys. Soc. Japan. 1976. V. 40. N. 4. pp. 1062-1068.

4. Берча Д.М., Сливка В.Ю., Соболев B.B., Сырбу Н.Н., Туряница И.Д., Чепур Д.В. Зонная структура кристаллов типа SbSI. Полупроводниковая электроника. Ужгород. Издательство УжГУ. 1971. с. 42-52.

5. Mamedov A.M., Aliev А.О., Kasunov B.M., Efendiev Sh.M. The optical properties of SbSI//Ferroelectrics. 1988. V 83(1). pp. 157-159.

6. Жичкус К., Аудзионис А., Аудзионене JI., Батарунас И., Стасюкинас А., Шилейка А. Оптические свойства кристаллов SbSel // Лит. физ. сборник. 1983. Т. XXIII. в. I.e. 87-92.

7. Жичкус К., Аудзионис А., Батарунас И., Стасюкинас А., Шилейка А. Оптические свойства и зонная структура монокристаллов BiSel // Лит. физ. сборник. 1984. Т. XXIV. в. 1. с. 44-49.

8. Берча Д.М., Заячковский М.П., Колосюк В.Н. Отражение, магнитоотражение кристаллов n-BiSel // ФТП. 1974. Т. 8. в. 5. с. 1106-1109.

9. Борец А.Н., Сливка В.Ю., Ковач Д.Ш., Пуга Г.Д. Спектры отражения и особенности зонной структуры слоистого полупроводника BiTel // ФТП. 1975. Т. 9. в. 7. с. 1351-1357.

10. Fujita М., Nakagawa Н., Kashino А„ Fukui К., Miyanaga Т., Watanabe М. Reflection Spectra of Pb Halides and Bib in the 5d Core Exciton Region // UVSOR-20. p. 46-47.

11. Ващенко В.И., Воробьев В.Г., Попов Ю.В., Соболев В.В., Тимофеев В.Б. Спектры фундаментального отражения монокристаллов Bil3, Sbb и Asb // Неорг. мат. 1971. Т. VII. в. 3. с. 523-524.

12. Jellison G.E., Ramey J.O., Boatner L.A. Optical Functions of Bib as Measured by Generalized Ellipsometry // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. N. 15. pp. 9718-9721.

13. Фридкин B.M. Сегнетоэлектрики-полупроводники. M.: Наука. 1976. 408 с.

14. Kikuchi A., Oka Y., Sawaguchi E. Crystal Structure Determination of SbSI // J. Phys. Soc. Japan. 1967. V. 23. N. 2. pp. 337-354.

15. Герзанич Е.И., Фридкин B.M. Сегнетоэлектрики типа AVBVICVU. М.: Наука. 1982. 227 с.

16. Берна Д.М., Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю., Туряница И.Д. Сложные халькогениды и халькогалогениды. Львов: Вища школа. 1983. 180 с.

17. Лисица М.П., Моцный Ф.В. Свойства трехйодистого висмута при обычном и лазерном возбуждении // Квантовая электроника. 1979. Т. 17. с. 26-45.

18. Dich N.T., Lostak P., Horak J. Preparation and Basic Physical Properties of BiTel Single Crystals // Czech J. Phys. 1978. V. B28. pp. 1297-1303.

19. Saski Y. Photoconductivity of ferroelectric photoconductor SbSI // Jap. J. Appl. Phys., 1964. V.3. N.9. pp. 558-560.

20. Mori Т., Tamura H. Preparation of ferroelectric SbSI Single crystals // J. Phys. Soc. Japan. 1964. V.19. N.7. p. 1247.

21. Masuda Yu., Sakata K., Hasedawa S. Growth and some electrical properties of orientated fibriform crystal of SbSI // Jap. Journ. Phys. 1969. V.8. N.6. pp. 692699.

22. Chepur D.V., Bercha D.M., Turyanitsa I.D., Slivka V. Yu. Peculiarities of the Energy Spectrum and Edge Absorption in the Chain Compounds AVBVICVI1 // Phys. Stat. Sol. 1968. V. 30. pp. 461-468.

23. Фридкин B.M., Герзанич Е.И., Грошик И.И., Ляховицкая В.А. Край поглощения в сегнетоэлектриках-полупроводниках SbSBr, BiSBr, SbSI // Письма в ред. ЖЭТФ. 1966. Т. IV. в. 6. с. 201-205.

24. Kern R. An Electro-Optical and Electromechanical effect in SbSI // Phys. Chem. Solids. 1962. V. 23. pp. 249-253.

25. Герзанич Е.И., Борец A.H., Ковач Д.Ш. Непрямые переходы и поглощение в средней ИК области спектра в кристаллах SbSI // Опт. и спектроск. 1972. Т. XXXII. в. 6. с. 1141-1147.

26. Зейналлы А.Х., Агасиев А.А., Эфендиев Ш.М. Прямые "разрешенные" переходы в SbSI // ФТП. 1974. Т. 8. в. 1. с. 197-199.

27. Зейналлы А.Х., Мамедов A.M., Эфендиев Ш.М. О крае поглощения сегнетополупроводника SbSI // ФТП. 1973. Т. 7. в. 2. с. 383-385.

28. Беляев А.Д., Сливка В.Ю., Чепур Д.В. Оптическое поглощение и фотопроводимость кристаллов SbSel и BiSCl // Укр. физ. журн. 1968. Т. 13. в. I.e. 162-164.

29. Герзанич Е.И. О форме края собственного поглощения в SbSBr и зависимости его от температуры и гидростатического давления. Полупроводниковая электроника. Ужгород. Издательство УжГУ. 1971. с. 59-61.

30. Kamimura Н., Shapiro S.M., Balkanski М. Notes on Absorption Band Edge of SbSI // Physics Letters. 1970. V. 33A. N. 5. pp. 277-278.

31. Заметин В.И., Якубовский M.A., Рабкин Jl.M. Аномалии края поглощения при фазовых переходах // ФТТ. 1979. Т. 21. в. 2. с. 491-498.

32. Tubbs M.R. The Optical Properties and Chemical Decomposition of Halides with Layer Structures // Phys. Stat. Sol. (b). 1972. V. 49. pp. 11-50.

33. Evans B.L. Optical Properties of Antimony Tri-Iodide // Royal Soc. A. 1963. V. 276. pp. 136-148.

34. Ващенко В.И., Тимофеев В.Б. Спектры поглощения и непрямые оптические переходы в монокристаллах Bib // ФТТ. 1967. Т. 9. в. 6. с. 1577-1581.

35. Komatsu Т., Kaifu Y. Optical Properties of Bismuth Tri-Iodide Single Crystals. II. Intrinsic Absorption Edge // J. Phys. Soc. Japan. 1976. V. 40. N. 5. pp. 13771382.

36. Лисица М.П., Моцный Ф.В., Терехова С.Ф. Прямые экситоны в слоистых монокристаллах трехйодистого висмута // Укр. физ. журн. 1977. Т. 22. в. 5. с. 1484-1490.

37. Shinada М., Sugano S. Interband Optical Transitions in Extremely Anisotropic Semiconductors. 1. Bound and Unbound Exciton Absorption // J. Phys. Soc. Jap. 1966. 21. N10. pp. 1936-1946

38. Давыдов A.C. Теория молекулярных экситонов. M.: Наука. 1968. 296 с

39. Brothers A.D., Wieliczka D.M. Temperature and Hydrostatic Pressure Measurements of the Exciton Peaks in Bil3 and Sbl3 // Phys. Stat. Sol. (b). 1977. V. 80. pp. 201-206.

40. Kowalczyk S.P., Ley L., McFeely F.R., Shirley D.A. A High-Resolution X-Ray Photoemission Study of the Total Valence-Band Densities of States of GaSe and Bil3 // Sol. Stat. Commun. 1975 V. 17. N. 4. pp. 463-467.

41. Берча Д.М., Герзанич Е.И., Небола И.И. Зонная структура SbSI. Ужгород: Винити. 1981.26 с.

42. Хасабов А.Г., Никифоров И.Я. Зонная структура сегнетоэлектрика-полупроводника SbSI // Известия АН СССР. 1970. Т. XXXIV. в. 12. с. 24802484.

43. Никифоров И.Я., Хасабов А.Г. Плотность электронных состояний и оптические свойства SbSI // ФТТ. 1971. Т. 13. в. 12. с. 3589-3591.

44. Fong C.Y., Petroff Y., Kohn S., Shen Y.R. Wavelength Modulation Spectra of SbSI and its Electronic Band Structure // Sol. Stat. Commun. 1974. V. 14. N. 8. pp. 681-685.

45. Alward J.F., Fong C.Y., El-Batanouny M., Wooten F. Electronic and Optical Properties of SbSBr, SbSI and SbSel // Sol. Stat. Commun. 1978. V. 25. N. 2. pp. 307-310.

46. Nako K., Balkanski M. Electronic Band Structures of SbSI in the Para- and Ferroelectric Phases // Phys. Rev. B. 1973. V. 8. N. 12. pp. 5759-5780.

47. Берча Д.М., Небола И.И., Берча И.В. Межцепочечные корреляции и энергетический спектр в цепочечных кристаллах // ФТТ. 1978. Т. 20. в. 5. с. 1320-1325.

48. Ковалев О.В. Неприводимые и индуцированные представления и копредставления Федоровских групп. М.: Наука. 1986. 367 с.

49. Филипс Дж. Оптические спектры твердых тел в области собственного поглощения. М.: Мир. 1968. 176 с.

50. Schluter М., Cohen M.L., Kohn S.E., Fong C.Y. Electronic Structure of Bil3. Phys. Stat. Sol. (b). 1976. V. 78. pp. 737-747.

51. Сивухин Д.В. Общий курс физики. М.: Наука. 1980. 752 с.

52. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука. 1978. 616 с.

53. Кизель В.А. Отражение света. М.: Наука. 1973. 352 с.

54. Бассани Ф., Парравичини Дж.П. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. М.: Наука. 1982. 392 с.

55. Altarelli М., Smith D.Y. Superconvergence and sum rules for the optical constant: Physical meaning, comparison with experiment, and generalization // Phys. Rev. B. 1974. V.9. N.4. pp. 1290-1298.

56. Smith D.Y. Superconvergence and sum rules for the optical constant: Natural and magneto-optical activity//Phys. Rev. B. 1976. V.13. N.12. pp. 5303-5315.

57. Фэн Г. Фотон-электронное взаимодействие в кристаллах в отсутствие внешних полей. М.: Мир. 1969. 128 с.

58. Тимошкин А.Н., Соболев В.Вал., Соболев В.В. Спектры характеристических потерь электронов дихалькогенидов молибдена // ФТТ. 2000. т.42 в.1 С. 37-39.

59. Efendiev Sh.M., Grandolfo M., Ranghiasci C., Vecchia P. Band-Gap Photoreflectance Spectra of SbSI Near the Phase-Transition Temperature. Istituto Superiore Di Sanita. 1977. 12 p.

60. Берна Д.М., Берна И.В., Сливка В.Ю., Туряница И.Д., Чепур Д.В. Изменение симметрии кристаллов типа SbSI при фазовом переходе второго рода// ФТТ. 1969. Т. 11. в. 6. с. 1677-1680.

61. Johannes R., Haas W. Temperature Dependence of the Refractive Index nc in SBSI Through the Ferroelectric-Paraelectric Transition // Appl. Opt. 1967. V. 6. N. 6. pp. 1059-1061.

62. Герзанич Е.И., Брызгалов И.А., Ракчеев А.Д., Ляховицкая В.А. Оптические постоянные монокристаллов SbSI // Кристаллография, 1968. Т. 13. в. 5. с. 898-899.

63. Efendief S.M., Zeynalli А.Н. Thermoreflectance Spectra of the Ferroelectric Phase of Semiconducting SbSI // Sol. Stat. Commun. 1976. V. 18. N. 2. pp. 167169.

64. Zickus K., Audzijonis A., Batarunas J., Sileika A. The Fundamental Absorption Edge Tail of Ferroelectric SbSI // Phys. Stat. Sol. (b). 1984. V. 125. pp. 645-651.

65. Соболев B.B., Турышев M.B., Ляховицкая В.А. Аномальная температурная зависимость оптических переходов в области фазовых переходов в SbSI // ФТТ. 1981. Т. 23. в. 8. с. 2463-2465.

66. Соболев В.В., Турышев М.В. Оптические межзонные переходы сульфойодида сурьмы в области фазового перехода // Укр. физ. журн. 1985. Т. 30. в. 6. с. 859-861.

67. Заметин В.И., Якубовский М.А. Аномалии края поглощения в SbSI // ФТТ. 1983. Т. 25. в. I.e. 254-257.

68. Юркевич В.Э., Ролов Б.Н. Термодинамическая теория сегнетополупроводниковых твердых растворов. Полупроводники сегнетоэлектрики. Ростов на Дону. Издательство РГУ. 1973. с. 61-66.

69. Хасабов А.Г., Грекова И.В. Интегралы перекрывания и потенциалы Маделунга некоторых полупроводников сегнетоэлектриков. Полупроводники - сегнетоэлектрики. Ростов на Дону. Издательство РГУ. 1973. с. 85-89.

70. Солдатов А.В., Гусатинский А.Н. Строение энергетических полос SbSI и BiSI // ФТП. 1983. Т. 17. в. 10. с. 1906-1908.

71. Zickus К., Audzijonis A. The Exponential Optical Absorption Edge Tail of SbSel and BiSel //Phys. Stat. Sol. (b). 1984. N. 121. pp. K51-K53.

72. Пуга Г.Д., Борец A.H., Чепур Д.В. Эффекты слоистости теллуроиодида висмута в спектрах ИК поглощения // ФТП. 1974. Т. 8. в. 6. с. 1153-1156.

73. Lostak P., Horak J., Vasko A., Dich N.T. Optical Properties of BiTel Crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1980. V. 59. pp. 311-316.

74. Борец A.H., Шпеник О.Б. Исследование зонной структуры полупроводников по спектрам прохождения электронов низких энергий // Письма в ЖТФ. 1975. Т. 1. в. 6. с. 292-296.

75. Xu Z.C., Fong C.Y., Wooten F., Yeh Y. Reflectance Ellipsometry Studies of the Ternary Chalcohalides SbSI, SbSel and BiSI near Room Temperature // Ferroelectrics. 1984. V. 56. pp. 187-202.

76. Беляев А.Д., Миселюк Е.Г., Сливка В.Ю., Туряница И.Д., Чепур Д.В. Об определении параметров решетки и точек Кюри твердых растворов соединений типа AVBVICV" // Укр. физ. журн. 1970. Т. 15. в. 3. с. 499-502.

77. Nejezchleb К., Tuijanica I.D., Horak J. Herstellung Von Kristallen Des Antimon(III)-Selenidojodids, Ihre Spektraldurchlassigkeit Und Photoleitfahigkeit // Coll. Czech. Chem. Commun. 1968. V. 33. pp. 674-682.

78. Берча Д.М., Заячковский М.П. Электрические и термоэлектрические свойства кристаллов BiSel и зонная структура // ФТТ. 1972. Т. 14. в. 3. с. 897-899.

79. Берча Д.М., Небола И.И., Берча И.В. Теоретико-групповой подход к изучению связанных с сильной анизотропией особенностей энергетического и фононного спектров цепочечных и слоистых кристаллов. Ужгород: ВИНИТИ. 1976. 20 с.

80. Хасабов А.Г., Никифоров И.Я. Оптические свойства и зонная структура полупроводников сегнетоэлектриков. Полупроводники сегнетоэлектрики. Ростов на Дону. Издательство РГУ. 1973. с. 79-84.

81. Zickus К., Audzijonis A., Batarunas J., Lazauskas V. Chemical Bond Approach to the Dielectric Constant of SbSI // Sol. Stat. Commun. 1986. V. 60. N. 2. pp. 143-145.

82. Ващенко В.И., Колосюк B.H., Ващенко Г.А. Спектры поглощения и оптические переходы в монокристаллах Asb Н ФТТ. 1972. Т. 14. в. 12. с. 3665-3668.

83. Evans B.L. Optical Properties of Bismuth Tri-Iodide I I Proc. Roy. Soc. A. 1966. V. 289. pp. 275-286.

84. Белоцкий Д.П., Лапшин В.Ф., Бойчук Р.Ф., Новальковский Н.П. Система Sb2Se3-SbI3 // Неорг. мат. 1972. Т. VIII. в. 3. с. 572-574.

85. Белоцкий Д.П., Лапшин В.Ф., Бойчук Р.Ф. Система Bi2Se3-Bil3 // Неорг. мат. 1971. Т. VII. в. 11. с. 1936-1938.

86. Лисица М.П., Моцный Ф.В. Обнаружение квазиповерхностных экситонов по спектрам отражения слоистых монокристаллов Bib Н Письма в ЖЭТФ. 1984. Т. 40. в. 10. с. 434-437.

87. Крылова Н.О., Шехмаметьев Р.И., Гургенбеков М.Ю. Непрямые переходы и оптический спектр кристаллов Bib при низких температурах // Опт. и спекроск. 1975. Т. XXXVIII. в. 5. с. 947-951.

88. Лисица М.П., Гудыменко Л.Ф., Моцный Ф.В., Блецкан Д.И. Низкотемпературные спектры поглощения и отражения монокристаллов Bib // ФТТ. 1974. Т. 16. в. 7. с. 1965-1973.

89. Шмандий В.М., Милославский В.К. Экситон-фононное взаимодействие в слоистом полупроводнике Bib Н Укр. физ. журн. 1981. Т. 26. в. I.e. 96-101.

90. Шмандий В.М., Милославский В.К., Муссил В.В. Влияние экситон-фононного взаимодействия на оптические постоянные и эффект фарадея в Bib // ФТТ. 1979. Т. 21. в. 8. с. 2409-2414.

91. Вирко С.В., Лисица М.П., Моцный Ф.В. Обнаружение гиперболических экситонов в слоистом полупроводнике Bib // ФТТ. 2000. Т. 42. в. 9. с. 15791581.

92. Kaifu Y., Komatsu Т., Aikami Т. Optical Properties of Bib Single Crystals // II Nuovo Cimento. V. 38B. N. 2. pp. 449-458.

93. Ikari Т., Shigetomi S., Koga Y., Nishimura H., Yayama H., Tomokiyo A. Low-Temperature PhotoAcoustic Spectra of Bib Single Crystals // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. N. 2. pp. 886-890.

94. Schluter M., Cohen M.L. Valence-band density of states and chemical bonding for several non-transition-metal layer compounds: SnSe2, Pbb, Bib, and GaSe // Phys. Rev. B. 1976. V. 14. N. 2. pp. 424-431.

95. Милославский B.K., Шмандий B.M. Влияние анизотропии на электронный спектр Bib Н Неорг. мат. 1984. Т. 20. в. 8. с. 1362-1366.

96. Трифонов В.А. Физико-химические исследования иодидов и сульфоиодидов сурьмы и висмута. Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук, М., 1975. 14 с.

97. Туряница И.Д., Коперлес Б.М. Исследование области стеклообразования в системе Sb-S-I // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1973. т.9. №5. сс. 851852.

98. Туряница И.Д., Сливка В.Ю., Козманко И.И., Коперлес Б.М., Чепур Д.В. Диаграммы состояния систем Sbl3-Sb2Se3, SbSI-SbSel. Полупроводниковая электроника. Ужгород. Издательство УжГУ. 1971. с. 201-203.

99. Берна Д.М., Заячковский М.П., Сливка В.Ю., Ловга И.В., Туряница И.Д., Чепур Д.В. Эффект пьезосопротивления в кристаллах SbSel. Полупроводниковая электроника. Ужгород. Издательство УжГУ. 1971. с. 53-58

100. Cohen M.L., Heine V. // Sol. Stat. Phys. 1970. V.24. p.37

101. Harbeke G. Absorption Edge in Ferroelectric SbSI Under Electric Fields // J. Phys. Chem. Solids. 1963. V.24. pp. 957-963.

102. Komatsu Т., Kaifii Y., Karasawa Т., Iida T. Stacking Fault and Surface Effects on Exciton Spectra in Layered Metal Halides // Physica 99B. 1980. pp. 318-322