Особенности процессов образования радиационных дефектов в полупроводниковых материалах IV группы и нитридах III группы с мелкими примесями тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Емцев, Константин Вадимович

• Емцев, Константин Вадимович
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Емцев, Константин Вадимович

Введение.

Глава 1 Собственные точечные дефекты и их комплексы с мелкими легирующими примесями в полупроводниковых материалах (обзор).

§1.1 Образование точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах при упругом смещении регулярных атомов под действием быстрых электронов и гамма-лучей.

Пороговая энергия упругого смещения атомов кристаллической решетки.

§ 1.2 Пары Френкеля как первичные радиационные дефекты. Аннигиляция и разделение пар Френкеля при облучении и отжиге. Вакансии и собственные междоузельные атомы. а) Собственный междоузельный атом. б) Вакансия.

§ 1.3 Экспериментальное и теоретическое изучение комплексов собственных точечных дефектов с мелкими примесями в полупроводниках 1Угруппы и нитридах III группы. а) Комплекс «вакансия-примесный атом IIIгруппы». б) Комплекс «вакансия-изовалентный примесный атом IVгруппы». в) Комплекс «вакансия-примесный атом Vгруппы». г) Примесные междоузельные атомы и комплексы с их участием.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности процессов образования радиационных дефектов в полупроводниковых материалах IV группы и нитридах III группы с мелкими примесями»

Актуальность темы

Облучение кристаллических твердых тел ядерными частицами, энергия которых достаточна для упругого смещения регулярных атомов из узлов решетки, представляет собой самый распространенный и контролируемый способ образования дефектов структуры и изменения их концентрации. Практическое значение таких работ очевидно. На основе полученной информации совершенствуются технологические процессы изготовления радиационно-устойчивых материалов и разрабатываются технологические приемы целенаправленного изменения их электрических и оптических свойств за счет введения дефектов радиационного происхождения при строго дозированном облучении. Научный аспект радиационных исследований кристаллических твердых тел заключается в более глубоком понимании природы и сущности фундаментальных процессов в реальных кристаллах.

Среди исследованных полупроводниковых материалов указанные вопросы удалось в основном разрешить только для кремния, для которого детальные исследования структуры радиационных дефектов с помощью электронного парамагнитного резонанса, были дополнены данными электрических, оптических, фотоэлектрических и других измерений. Однако до сих пор радиационные эксперименты проводились в основном на слабо и умеренно легированном кремнии с концентрацией носителей заряда до 1017 см"3. Природа и поведение точечных дефектов в сильно легированных материалах мало изучены, хотя в настоящее время интерес к этой проблеме резко возрос в связи с новыми потребностями производства полупроводниковых приборов.

К сожалению, несмотря на большой объем выполненных работ, вопрос о механизмах образования, энергетических спектрах и природе дефектов в германии остается во многих отношениях открытыми, а моделирование радиационных процессов обычно проводится на основе представлений об идентифицированных в кремнии точечных дефектов. Поэтому актуальным является вопрос об исследовании радиационных дефектов в германии, исходя из вновь возникшего интереса электронной промышленности к этому полупроводнику и его сплавов с кремнием. Как и следовало ожидать, главное внимание исследователей привлечено к взаимодействию собственных дефектов с мелкими примесными центрами III и V групп, \ поскольку последние являются основными легирующими примесями в кремнии и германии.

В последние годы огромный всплеск интереса к исследованию прямозонных нитридов III группы, таким как нитрид галлия и нитрид индия, обусловлен их перспективным использованием в оптоэлектронике. Однако анализ имеющейся литературы показывает, что информация о свойствах собственных точечных дефектов в этих материалах скудна и противоречива, а радиационные эксперименты на этих материалах крайне малочисленны. Поэтому накопление экспериментальных данных, относящихся к свойствам точечных дефектов в нитридах III группы и составляющих основу для технологического использования радиационных дефектов с мелкими легирующими примесями, представляется крайне актуальным.

Целью данной работы являлось изучение процессов образования и отжига радиационных дефектов главным образом в сильно легированных полупроводниковых материалах IV группы и нитридах III группы с мелкими легирующими примесями.

Задачи работы:

- провести сравнительное изучение скорости образования первичных и вторичных радиационных дефектов в сильно легированном кремнии п- и /?-типа при облучении быстрыми электронами при двух температурах Т= 4,2 К и 300 К, а также сопоставить сечения образования электрически активных дефектов с расчетным сечением образования первичных радиационных дефектов (пар Френкеля);

- провести сравнительное исследование высокотемпературных процессов отжига радиационных дефектов в сильно легированном кремнии «-типа с различными мелкими примесями V группы;

- провести сравнительное изучение процессов образования радиационных дефектов в германии с различными мелкими примесями V группы под действием гамма-облучения 60Со;

- использовать облучение нитрида галлия и нитрида индия ядерными частицами для получения первичной информации о свойствах образующихся радиационных дефектов.

Научная новизна

1. Установлено, что использование данных по изменению удельной электропроводности для определения абсолютных изменений концентрации носителей заряда в вырожденном кремнии при облучении быстрыми электронами и в процессе отжига сильно искажает последние, так как основное предположение о неизменности подвижности носителей заряда при относительно малом изменении электропроводности облученных вырожденных материалов (даже в пределах нескольких процентов) оказывается неверным. В действительности, ошибка может достигать 50%. В случае вырожденных материалов необходимы прямые электрические измерения концентрации электронов и дырок методом эффекта Холла.

2. Определены сечения образования электрически активных дефектов в вырожденном кремнии п- и р-типа, облученных быстрыми электронами с энергией 2,5 МэВ при Т= 4,2 К и

300 К. Сравнение полученных экспериментальных данных с расчетными сечениями образования первичных дефектов (пар Френкеля) позволило пересмотреть существующие модельные представления об электрической активности пар Френкеля в кремнии.

3. Выявлены особенности отжига радиационных дефектов в сильно легированном кремнии «-типа с мелкими примесями V группы по сравнению с процессами отжига радиационных дефектов в материалах с низким уровнем легирования, в которых доминирующими дефектами являются ^-центры (акцепторный комплекс «вакансия -примесный атом V группы»). Эти особенности указывают на формирование в сильно легированном материале комплексов, включающих в свой состав вакансию и несколько примесных атомов.

4. Детальное исследование процессов образования и отжига дефектов в германии п-типа с мелкими примесями V группы, подвергнутом гамма-облучению 60Со и последующему изохронному отжигу, позволило определить свойства акцепторных центров радиационного происхождения, содержащих примесные атомы V группы. По своим свойствам указанные дефекты идентифицированы как комплексы «вакансия - примесный атом V группы», атомная структура которых аналогична ^-центрам в кремнии.

5. Показано, что электрические параметры нитрида галлия и-типа с мелкой примесью кремния при радиационном воздействии изменяются за счет образования глубоких акцепторов, которые сопоставляются вакансиям в подрешетке галлия. Однако этот процесс компенсации электронной проводимости в облученном л-GaN при комнатной температуре в значительной мере смягчается одновременным образованием неглубоких доноров радиационного происхождения ~ Ее - 70 мэВ. Последние отнесены к вакансиям в подрешетке азота. Установлено также, что мелкая примесь кремния в л-GaN не взаимодействует с собственными точечными дефектами, и ее концентрация остается неизменной при облучении и отжиге нитрида галлия.

6. Установлено, что облучение пленок вырожденного нитрида индия и-типа протонами с энергией 150 кэВ приводит к интенсивному образованию радиационных дефектов с мелкими донорными состояниями, в результате чего концентрация носителей заряда в облученном n-InN может превысить исходную концентрацию на порядок величины и более. Кинетика образования указанных дефектов, их электрические свойства, а также процесс отжига позволяют отнести эти дефекты к вакансиям в подрешетке азота, стабильными при комнатной температуре.

Практическая значимость

Результаты диссертационной работы по точечным радиационным дефектам в кремнии и германии вносят существенный вклад в современные представления о природе и свойствах первичных и вторичных радиационных дефектов в ковалентных полупроводниках IV группы, в частности в проблему образования комплексов с мелкими легирующими примесями. Выявленные особенности комплексов с несколькими примесными атомами, образующихся в сильно легированном кремнии, в частности их высокая термическая устойчивость, должны учитываться при выращивании таких кристаллов. Новые данные о точечных дефектах в нитриде галлия и индия позволяют по-новому взглянуть на проблемы использования радиационных дефектов в указанных материалах и их твердых растворах и могут быть практически применены при «холодном легировании» дефектами радиационного происхождения.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всероссийских и международных конференциях:

- International conference on shallow level centers in semiconductors, Warsaw, Poland, 2002.

- 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Bologna, Italy, 2004.

- 23rd International conference on defects in semiconductors, Japan, 2005.

- XXXVI Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва, 2006 г.

- XVI Международное совещание "Радиационная физика твердого тела". Севастополь, 2006 г.

- Workshop on defects relevant to engineering advanced silicon-based devices, Crete, Greece, 2006.

- Всероссийская конференция «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», Нижний Новгород, 2006 г.

- XXXVII Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 2007.

Материалы диссертации проходили регулярную апробацию на семинарах СПбГПУ.

Публикации

По материалам диссертации автором опубликовано 10 работ.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. Список литературы содержит 95 наименований. Отдельно приведен список публикаций автора по теме диссертации из 10 наименований. Объем диссертации составляет 123 страницы, в том числе 40 рисунков и 5 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Емцев, Константин Вадимович

Заключение

В настоящей работе был проведен цикл экспериментальных исследований радиационных дефектов в различных полупроводниковых материалах, широко используемых в настоящее время при производстве электронных приборов; среди них ковалентные полупроводники IV группы (кремний и германий) и нитриды III группы (нитрид галлия и нитрид индия). При этом основное внимание было уделено квазихимическим реакциям между собственными точечными дефектами и легирующими примесями, которые, как правило, представлены мелкими примесными центрами. Исследованные полупроводниковые материалы позволяют показать различные типы поведения мелких донорных примесей во взаимодействии с собственными точечными дефектами при облучении: эффективное взаимодействие и образование комплексов акцепторного типа (одновременно с потерей мелких донорных состояний легирующей примеси) в кремнии и германии, отсутствие какого-либо взаимодействия (при наличии простой компенсации мелких донорных состояний легирующей примеси глубокими акцепторами радиационного происхождения) в нитриде галлия и эффективное «легирование» мелкими донорными центрами за счет образования собственных точечных дефектов в нитриде индия, при котором концентрация таких радиационных дефектов может намного превысить исходную концентрацию доноров. Ниже кратко сформулированы основные научные результаты работы.

1. Результаты, полученные при исследовании процессов образования первичных и вторичных радиационных дефектов в сильно легированном и вырожденном кремнии, подвергнутом облучению быстрыми электронами с энергией 2,5 МэВ при двух температурах - Г ~ 4 К и Г ~ 300 К, привели к пересмотру существующих представлений о парах Френкеля. Совместный анализ полученных результатов с известными данными по удалению носителей заряда в аналогичном материале при электронном облучении с более низкой энергией, а также с данными по диффузному рассеянию рентгеновских лучей радиационными дефектами позволили сделать вывод о том, что пары Френкеля как первичные дефекты электрически нейтральны в материале «-типа. Их разделение на компоненты происходит в температурном интервале Т=80 - 100 К. Напротив, в материале р-типа первичные дефекты положительно заряжены. Их разделение на компоненты не имеет резко выраженной стадии вследствие высокой подвижности собственных междоузельных атомов при криогенных температурах. Сопоставление наблюдаемой скорости генерации первичных дефектов в сильно легированном кремнии с расчетной скоростью генерации пар Френкеля в рамках простой модели упругого смещения регулярных атомов при рассеянии быстрых электронов дает возможность оценить пороговую энергию смещения между 20 эВ и

30 эВ. Изучение процессов высокотемпературного отжига точечных дефектов в сильно легированном облученном кремнии «-типа указало на эффективность взаимодействия диффундирующих ^-центров с мелкой донорной примесью V группы и формирование термически более устойчивых вакансионных комплексов с двумя примесными атомами.

2. Детальное изучение процессов взаимодействия собственных точечных дефектов с мелкими примесями V группы в гамма-облученном «-Ge позволило идентифицировать вакансионные комплексы с участием этих примесных атомов и проследить закономерности в изменении их свойств в зависимости от химической природы мелкой донорной примеси.

3. Установлено, что при облучении «-GaN быстрыми электронами с энергией 900 кэВ, а также в процессе отжига до Г=700 К примесные атомы кремния не взаимодействуют с собственными точечными дефектами. Все наблюдаемые изменения электрических параметров материала при таком радиационном воздействии связаны в основном с поведением и свойствами вакансий в подрешетках азота и галлия.

4. Радиационные эксперименты на вырожденных образцах нитрида индия «-типа (с исходной концентрацией электронов в диапазоне от 1018 см"3 до Ю20 см"3), облученных протонами с энергией 150 кэВ, показали, что при облучении образуются дефекты с мелкими донорными состояниями, концентрация которых линейно растет с дозой облучения во всем диапазоне доз от 1014 см'2 до 1016 см"2. Установлено, что концентрация этих радиационных дефектов с мелкими донорными состояниями в относительно чистых образцах «-InN может быть увеличена на два - три порядка величины. Таким образом, электрические параметры облученного материала полностью определяются электрическими свойствами мелких донорных центров радиационного происхождения, которые идентифицируются как вакансии в подрешетке азота, неподвижные до Т~ 500 К.

Публикации автора

1. V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, K.V. Emtsev, D.S. Poloskin, G.A. Oganesyan, V.V. Kozlovskii, E.E. Haller. Shallow donor centers in gallium nitrides. // Phys. Stat. Sol. (c). 2003. V. 0, No 2, P. 601-604.

2. V.P. Markevich, I.D. Hawkins, A.R. Peaker, K.V. Emtsev, V.V. Emtsev, V.V. Litvinov, L.I. Murin, L. Dobaczewski. Vacancy-donor atom pairs in Ge crystals doped with P, As, Sb, and Bi. // Phys. Rev. B. 2004. V. 70, No. 23, P. 235213.

3. B.B. Козловский, K.B. Емцев, В.Ю. Давыдов, B.B. Емцев, А.А. Клочихин, Г.А. Оганесян. Образование дефектов в n-InN, подвергнутом облучению протонами и быстрыми электронами. Тезисы докладов VII российской конференции по физике полупроводников, Москва (Звенигород), ФИАН им. П.Н. Лебедева, 2005. С. 290.

4. V.V. Kozlovskii, E.V. Bogdanova, V.V. Emtsev, K.V. Emtsev, A.A. Lebedev. Direct experimental comparison of the effects of electron irradiation on the charge carrier removal rate in n-type silicon and silicon carbide. //Mater. Sci. Forum.(Trans Tech Publications, Switzerland-Germany-UK-USA). 2005. V.483-485. P.385-388.

5. K.B. Емцев, B.B. Козловский, B.B. Емцев, В.Ю. Давыдов, Д.С. Полоскин, Г.А. Оганесян. Легирование n-GaN радиационными дефектами. // Труды XVI Международного совещания "Радиационная физика твердого тела". Севастополь. 2006.

6. К.В. Емцев, В.В. Козловский. Легирование широкозонных полупроводников радиационными дефектами. // Научно-технические ведомости СПбГТУ. 2006. № 3. С. 156161.

7. V.V. Emtsev, P. Ehrhart, K.V. Emtsev, D.S. Poloskin, U. Dedek. Defect production in heavily doped n-Si irradiated with fast electrons at cryogenic temperatures. //Physica B. 2006. V. 376-377. P. 173-176.

8. B.B. Козловский, B.B. Емцев, K.B. Емцев, В.Ю. Давыдов, Г.А. Оганесян. Радиационное дефектообразование в нитриде индия под действием заряженных частиц. Тезисы докладов XXXVI Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва. 2006. Изд. МГУ. С. 144.

9. V.V. Emtsev, P. Ehrhart, D.S. Poloskin, K.V. Emtsev. Comparative studies of defect production in heavily doped silicon under fast electron irradiation at different temperatures.// J. Mater Sci: Mater Electron. 2007. V.18. P. 711-714.

10. K.B. Емцев, B.B. Козловский, B.B. Емцев, В. Ю. Давыдов, Г.А. Оганесян, Д.С. Полоскин. Особенности процессов вторичного радиационного дефектообразования в полупроводниковых материалах IV группы и нитридах III группы, легированных мелкими примесями. Тезисы докладов XXXVII Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва. 2007. Изд. МГУ. С. 115.

Благодарность

Автор выражает искреннюю благодарность своему научному руководителю доктору физ.-мат. наук проф. В.В. Козловскому за предложенную тему диссертационной работы, а также за постоянное внимание во время выполнения всех экспериментов и подготовки диссертации к защите.

Особую благодарность автор хотел бы выразить зав. кафедрой экспериментальной физики доктору физ.-мат наук проф. В.К. Иванову за предоставленную возможность работы на кафедре в период аспирантуры, а также сотрудникам кафедры за доброжелательное отношение и помощь в работе.

Автор благодарен научным сотрудникам и техническому персоналу Лаборатории неравновесных процессов в полупроводниках Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН, НИИ ядерной физики СПб ГПУ, исследовательской группы и профессору А.Р. Пикеру в Университете г. Манчестера (Англия) и сотрудникам группы д-ра П. Эрхарта (Ядерный исследовательский центр, Юлих, Германия) за помощь при выполнении радиационных экспериментов и проведении электрических измерений, а также за участие в обсуждении полученных результатов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Емцев, Константин Вадимович, 2006 год

1. MacKinley W.A., Feshbach H. The Coulomb scattering of relativistic electrons by nuclei // Phys. Rev.- 1948 - v.74 - pp.1759-1763

2. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория поля. М., Наука, 1967

3. Стародубцев С.В., Романов A.M. Взаимодействие гамма-излучения с веществом. Ташкент, ФАН УзССР,1964

4. Evans R.D. The atomic nucleus. New York, McGraw Hill,1955

5. Davisson C.M., Evans R.D. Gamma-ray absorption coefficients // Rev.Mod.Phys. 1952 -v.24-N24-pp.79-107

6. Абдуллаев А., Витовский H.A., Машовец T.B. О величине сечения процесса образования пары Френкеля в полупроводниках при облучении гамма-лучами // ФТП 1974 - т.8 - в.11 - сс.2206-2206

7. Галаванов В.В. Смещение атомов в твердом теле под действием гамма-лучей // ФТТ 1959-т. 1 - в.З - сс.432-441

8. Corbett J.W., Bourgoin J.C. Defect creation in semiconductors. In: Point Defects in Solids, eds by Crawford J.H., Jr. and Slifkin L.M. (Semiconductors and Molecular Crystals, vol. 2), New York, London, Plenum Press 1975 - pp. 1-161

9. Физические процессы в облученнх полупроводниках, под ред. Смирнова Л.С., Новосибирск, Наука, 1977

10. Точечные дефекты в твердых телах. Сб.статей, пер. с англ. М. Мир, 1979

11. Витовский Н.А., Мустафакулов Д., Чекмарева А.П. О величине пороговой энергии смещения атомов в полупроводниках// ФТП 1977 - т. 11- в.9 - сс. 1747-1753

12. Kohn W. Bombardment damage of Ge crystals by fast electrons // Phys. Rev.-1954 v.94 -N5 - pp.1409 (A)

13. Hemment P.Z.F., Stevens P.R.S. Study of the anisotropy of radiation damage rates in n-type silicon // J. Appl. Phys.-1969 v.40 - N12 - pp.4893-4901

14. Brown W.L., Augustiniak W.M. Energy, orientation and temperature dependence of defect formation in electron irradiation of n-type Ge // J. Appl. Phys.-1959-v.30-N8-pp. 1300-1309

15. Haddad I.N., Banbury P.C. Energy dependence of anisotropy of defect production in electron irradiated diamond-type crystals: I. Experimental measurements on n- and p-type silicon // Phil. Mag.-l966-v. 14-N130-pp.829-840

16. Lindsay D.J.C., Bunbury P.C. Electron irradiation damage studies in indium arsenide // Conf.Ser.N16. London and Bristol. The Institute of Physics-1973-pp.34-41

17. Eisen F.M., Bickel P.W. Electron damage threshols in InSb // Phys. Rev.-1959-v.l 15-N2-pp.345-346

18. Bauerlein R. Messung der Energie zur Verlagerung eines Gitteratoms durch Elektronenstoss in A3B5 Verbindungen // Zeitschr. for Phys.-1963-Bd.l76-H.4-S.498-509

19. Thommen K. Energy and orientation dependence of electron-irradiation-induced damage in undoped GaSb // Phys. Rev.-1959-v.l 15-N3-pp.938-945'

20. Emtsev V.V., Mashovets T.V., Mikhnovich V.V., Vitovskii N.A. Frenkel pairs in silicon and germanium // Rad. Eff. and Rad. Def. in Solids-1989-vols 111-112-pp.99-l 18.

21. Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы // ФТП-1989-т.23-в.1-СС.-184-185

22. Михнович В.В., Емцев В.В., Машовец Т.В., Витовский Н.А. Зависимость эффективности аннигиляции гомогенных пар Френкеля в кристаллах от интенсивности облучения // ФТТ-1989-т.31-в.З-сс.306-308

23. Емцев В.В., Машовец Т.В., Михнович В.В. Аннигиляция пар Френкеля в полупроводниках // ФТП-1993-т.27-в.4-сс.708-712

24. MacKay J.W., Klontz Е.Е. Low-temperature annealing studies in Ge // J. Appl. Phys.-1959-v.30-N8-pp. 1269-1274

25. MacKay J.W. Defect benavior-annealing and migration // In: "Action des rayonnements sur les composants a semiconducteurs", Toulouse, France, 1967 pp.A2-A15

26. Stein H.J., Vook F.L. Electrical studies of electron-irradiated n-type Si: Impurity and irradiation-temperature dependence // Phys. Rev.-1967 v. 163 - N3 - pp.790-800

27. Whan R.E. Investigation of oxygen-defect interaction between 25 and 700 К in irradiated germanium // Phys. Rev.-1965 v. 140 - N2A - pp.690-698

28. Wertheim G.K. Temperature dependent defect production in bombardment of semiconductors // Phys. Rev.-1959 v -115 - N3 - pp.568-569

29. Емцев В.В., Клингер П.М., Машовец Т.В., Миразизян К.М. Влияние условий электронного облучения на скорость образования А-центров в п-кремнии // ФТП-1990 т.24 - в.7- сс.1209-1212

30. Емцев В.В., Клингер П.М., Миразизян К.М. Зависимость скорости образования вторичных дефектов в p-Si от интенсивности электронного облучения // ФТП т.25 -в.З - сс.561-563

31. MacKay J.W., Klontz Е.Е. Effects of defect charge state on radiation damage in semiconductors // In: "Radiation effects in semiconductors", ed by Vook F.L., Plenum Press, New York, 1968 pp. 175-185

32. Meese J.M. Low-temperature recovery of irradiation defects in n-type germanium // Phys. Rev.-1974 v.9 - N10 - pp.4373-4391

33. Watkins G.D. EPR studies of the lattice vacancy and low-temperature damage processes in silicon, In: Lattice defects in semiconductors, Inst. Phys. Conf. Series No23, London and Bristol, 1974-pp. 1-22

34. Sivo L.L., Klontz E.E. Studies of radiation damage in degeneration silicon irradiated at low temperatures // Phys. Rev. 1969 - v. 178 - N3 - pp. 1264-1273

35. Bausch St., Zillgen H., Ehrhart P. Frenkel defects in low temperature e~ irradiated Ge and Si investigated by X-ray diffraction // Mater. Sci. Forum Vols - 1995 - vv.l96-201-pp.l 141-1146

36. Ehrhart P., Zillgen H. Vacancies and interstitial atoms in e~ irradiated germanium // Appl. Phys.- 1999-v.85 -N7 - pp.3503-3511

37. Емцев В.В., Машовец Т.В., Назарян Е.Х, Метастабильные пары Френкеля в кремнии //ФТП-1982 т.16 - в.4 - сс.687-691

38. Дабагян А.В., Емцев В.В. Отжиг метастабильных пар Френкеля, образующихся в германии n-типа при низкотемпературном гамма-облучении // ФТП 1988 - т.22 - в.4 - сс.747-750

39. Емцев В.В., Машовец Т.В., Полоскин Д.С. Проявление пар Френкеля в р-германии при низкотемпературном гамма облучении // ФТП 1991 - т.25 - в.2 - сс.191-196

40. Емцев В.В., Машовец Т.В., Михнович В.В. Пары Френкеля в германии и кремнии // ФТП 1992-т.26-в.1 -сс.22-44

41. Emtsev V.V. Point defects in germanium: Reliable and questionable data in radiation experiments // Mater. Sci. in Semicond. Proces. 2006 - v.9 - pp.580-588

42. Watkins G.D. Lattice defects in II-VI compounds // Inst.Phys.Conf.Ser. -1977 -N31 -pp.95-111

43. Watkins G.D., Rong F., Barry W.A., Donegan J.F. Optically detected magnetic resonance of zinc interstitials and Frenkel pairs in ZnSe // MRS 1987 Fall Meeting Symposia, Defects in Electronic Materials, MRS Proceedings- 1987 pp. 234-245

44. Watkins G.D. Intrinsic point defects in semiconductors In: "Materials science and technology" ed by Cahn R.W., Haasen P.,Kramer EJ. WILEY-VCH Verlag GmbH&Co Germany 2005 - v.4/5 - pp.105-141

45. Look D.C., Reynolds D.C., Hemsky J.W., Sizelove J.R., Jones R.L., Molnar R.J. Defect donor and acceptor in GaN // Phys.Rev.Lett. 1997 - v.79 - N12 -pp.2273-2276

46. Chow K.H., Watkins G.D. Detection of interstitial Ga in GaN // Phys. Rev. Lett. 2000 -v.85-N13-pp.27612764

47. Yamaguchi T. Electronic states of interstitial atoms indiamond //J. Phys. Soc. Jap. 1963 -v.18-N6-p.923

48. Kauffer E., Pecheur P., Gerl M. Calculation of the energy levels of a neutral vacancy and of interstitials in silicon // J.Phys.C: Sol.St.Phys. -1976 v.9.- N12 -pp.2319-2330

49. Singhal S.P. Isolated interstitials in silicon // Phys. Rev. B 1971 - v.4 - N8 - pp.24972504

50. Watkins G.D., Messmer R.P., Weigel C., Peak D.V., Corbett J.W. Properties of the interstitial in the diamond-type lattice // Phys. Rev. Letts. 1971 - v.27 - N23 - pp.15731575

51. Mainwood A., Larkins F.P., Stoneham A.M. The structure and motion of the self-interstitial in diamond //Sol. St. Comm.- 1978-v.21 -N11/12-pp.1431-1433

52. Neugebauer J., Chris G. Van de Walle Atomic geometry and electronic structure of native defects in GaN // Phys. Rev.B 1994 - v.50 - N11 -pp.8067-8070

53. Boguslawski P., Briggs E.L., Bernholc J. Native defects in gallium nitride // Phys.Rev.B -1995-V.51 -N23 pp.17255-17258

54. Chris G Van de Walle, Neugebauer J. First-principles calculations for defects and impurities: Applications to Ill-nitrides // J. Appl. Phys. 2004 - v.95 - N8 - pp.3851-3879

55. Watkins G.D. Lattice vacancies and interstitials in silicon // Chinese J. Phys. 1977 - v. 15 - N2 - pp.92-101

56. Baraff G.A., Kane E.O., Schliiter M. Theory of the silicon vacancy: An Anderson negative-U system // Phys. Rev.В -1980 v.21 - N12 - pp.5662-5686

57. Masters B.J. Semi vacancy pair in crystalline silicon // Sol. St. Comm. 1971 - v. 9 -N4 -pp.283-285

58. Coutinho J., Jones R., Torres V.L.B., Barroso M., Oberg S., Briddon P.R. Electronic structure fnd Jahn-Teller instabilities in a single vacancy in Ge // J.Phys.:Condens.Matter -2005 v.17 - pp.521-527

59. Meyer B.K., Stadier W. Native defect indentification in II-VI materials // J.of Crystal Growth -1996 v.161 - pp.119-127

60. Емцев B.B., Машовец T.B. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках, под ред. Рывкина С.М., М., Радио и связь, 1981

61. Murin L.I., Lindstrom J.L., Svensson B.G., Markevich V.P., Peaker A.R., Londos C.A. Metastable VO2 complexes in silicon: experimental and theoretical modeling studies // Solid State Phenomena 2005 - v.v.108-109 - pp.223-228

62. Watkins G.D. EPR of a trapped vacancy in boron-doped silicon // Phys. Rev. В 1976 -v. 13 -N6 -pp2511-2517

63. Watkins G.D. Defects in irradiated silicon: Electron paramagnetic resonance and electron-nuclear-double-resonance of the aluminium -vacancy pair // Phys. Rev. 1967 - v.155 -N5 - pp.802-815

64. Васильева Е.Д., Емцев В.В., Машовец T.B. Взаимодействие галлия с собственными дефектами в германии при гамма-облучении // ФТП 1983 - т. 17 - в.1 - сс.35-39

65. Watkins G.D. A microscopic view of radiation damage in semiconductors using EPR as a probe // IEEE Trans. 1969 - v.NS-16 - N6 - pp. 13-18

66. Gotz W., Johnson N.M., Chen C., Liu H., Kuo C., Imler W. Activation energies of Si donors in GaN // Appl.Phys.Lett -1996 v.68 - N22 - pp.3144-3146

67. Look D.C., Molnar R.J. Degenerate layer at GaN/sapphire interface: Influence on Hall-effect measurements // Appl.Phys.Lett -1997 v.70 - N25 - pp.3377-3379

68. Look D.C., Sizelove J.R., Saarinen Electrical, optical, structural, and analytical properties of very pure GaN // Mat.Res.Symp.Proc. 2003 - v.743 - pp.Ll 0.1.1 -LI 0.1.18

69. Chadi D.J. Atomic origin of deep levels in p-type GaN: Theory // Appl.Phys.Lett -1997 -v.71 N20 - pp.2970-2971

70. Elkin E.L., Watkins G.D. Defects in irradiated silicon: electron paramgnetic resonance and electron-nuclear double resonance of the arsenic- and antimony-vacancy pair // Phys. Rev.- 1968 -v.174 -N3 pp.881-897

71. Kimerling L.C., De Angelis H.M., Diebold J.M. On the role of defect charge state in the stability of point defects in silicon // Sol. St. Comm. 1975 - v.16 -N1 - pp. 171-174

72. Evwaraye A.O. Electron-irradiation damage in anitimony-doped silicon // J. Appl.Phys. -1977-v.48 N5 - pp. 1840-1843

73. Saarinen K., Nissila J., Kauppinen H., Hakala M., Puska M.J., Hautojarvi P., Corbel C. Identification of vacancy-impurity complexes in highly n-type Si // Phys.Rev.Lett. 1999- v.82 N9 - pp.1883-1886

74. Ranki V., Saarinen K. Formation of vacancy-impurity complexes in highly As- and P-doped Si // Physica B 2003 - vv.340-342 - pp.765-768

75. Markevich V.P., Peaker A.R., Litvinov V.V., Emtsev V.V., Murin L.I. Electronic properties of antimony-vacancy complex in Ge crystals // J. Appl. Phys. 2004 - v.95 - N8 -pp.4078-4083

76. Watkins J.D. EPR studies of the lattice vacancy and low-temperature damage processes in silicon. In: Lattice defects in semiconductors, 1974, Conf. Ser. N23, London and Bristol, The Institute of Physics, 1975-pp. 1-22

77. Watkins J.D., Troxell J.R. Negative U-properties for point defects in silicon // Phys. Rev. Letts. 1980 - v.44 - N9 - pp.593-595

78. Watkins J.D. A microscopic view of radiation damage in semiconductors using EPR as a probe // IEEE Trans 1969 - v.NS-16 -N6 - pp. 13-18

79. Watkins J.D. A review of EPR studies in irradiated silicon. In: Effects des Rayonnements sur les Semiconductors, Paris, Dunod, 1964, pp.97-111

80. Kimmerling L.C. Defects states in electron-bombarded silicon: capacitance transient analyses. In: Radiation effects in semiconductors, 1976, Conf. Ser. N31, Bristol and London: The Institute of Physics, 1977, pp.221-230

81. Watkins J.D., Brower K.L. EPR observation of the isolated interstitial carbon atom in silicon // Phys. Rev. Letts. 1976 - v.36 - N22 - pp. 1329-1332

82. Stein H.J. Defects in silicon: concepts and correlations. In: Radiation effects in semiconductors. London, New York, Paris: Gordon and Breach Science Publishers, 1971, pp.125-139

83. Corbett J.W., Watkins J.D., Chrenko R.M., McDonald R.S. Defects in irradiated silicon. II Infrared absorption oftheSi-A center //Phys. Rev. 1961 - v. 121 -N4 - pp. 1015-1022

84. Markevich V.P., Hawkins I.D., Peaker A.R., Litvinov V.V., Murin L.I., Dobaczewski L., Lindstrom J.L. Electronic properties of vacancy-oxygen complex in Ge crystals // Appl.Phys.Letts. 2002 - v.81 - N10 - pp. 1821 -1823

85. Hemmerich J., Sassin W., Schilling W. Anlage zur Bestrahlung mit Electronen bei tiefen Temperaturen // Z. für Angewandte Phys.- 1970 Bd 29 - Nol - S.l-6

86. Кучис E.B. Методы исследования эффекта Холла, M.', Советское Радио, 1974, стр. 328

87. Dobaczewski L., Peaker A.R., Bonde Nielsen К. Laplace-transform deep-level spectroscopy. The technique and its applications to the study of point defects in semiconductors // J. Appl. Phys. v.96 - N9 - pp.4689-4728

88. Blakemore J.S. Semiconductor Statistics, Oxford: Pergamon, 1962

89. Monakhov E.V., Kuznetsov A.Yu., Svensson B.G. Vacancy-related deep levels in n-type Sii.xGex strained layers // Phys. Rev. В 2001 - v.63 - pp.2453221-2453227

90. Davydov D.V., Emtsev V.V., Lebedev A.A., Lundin W.V., Poloskin D.S., Shmidt N.M., Usikov A.S., Zavarin E.E. Electron traps in undoped GaN layers subjected to gammairradiation and annealing // Mater. Sei. Forum 2001 - vols. 353-356 - pp.799-802