Электронный парамагнитный резонанс собственных и примесных дефектов в нейтронно-облученном карбиде кремния с природным и измененным изотопным составом тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Музафарова, Марина Викторовна

• Музафарова, Марина Викторовна
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Музафарова, Марина Викторовна

1! Введение.

I. Радиоспектроскопические исследования дефектов в кристаллах карбида кремния (обзор литературы).

1.1. Структура кристалла карбида кремния.

1.2. Дефекты в кристаллах карбида кремния.

1.3. Вакансии кремния.

1.3.1. Отрицательно заряженная вакансия кремния (VsD.Ю

1.3.2. Нейтральная вакансия кремния (Vs,°).

1 АФренкелевские пары.

1.5. Вакансии углерода.

1.5.1. Положительно заряженная вакансия углерода (Vc+).

1.5.2. Отрицательно заряженная вакансия углерода (Ус~).

1.6. Дивакансии.

1.7. Дефектные комплексы.

1.7.1. Дефектные комплексы в кристаллах кремния.

1.7.2. Дефектные комплексы в кристаллах карбида кремния.

1.8. N-V дефект.

J 1.8.1. Л-V дефект в алмазе.

1.8.2. N-Vдефект в карбиде кремния.

1.9. Доноры и акцепторы в кристаллах карбида кремния.

1.10. Цели работы.

II. Приготовление образцов и методика эксперимента.

2.1. Приготовление образцов.

2.1.1. Приготовление образцов 6H-SiC для исследования высокотемпературных дефектов.

2.1.2. Приготовление образцов 6H-SiC и 4H-SiC с измененным изотопным составом.

2.2. Методика эксперимента.

III. ЭПР высокотемпературных дефектов в 6H-SiC.

3.1. Экспериментальные результаты.

3.2. Дефектные комплексы.

3.2.1. Спектры ЭПР dc-la и tlc-lb.

3.2.2. Спектры ЭПР dc-2 и dc-З.

3.2.3. Фоточувствителышй спектр ЭПР dc-4.

1 3.2.4. Обсуждение моделей центров dc-la, dc-lb, dc-2, dc-3.

3.3. N- Vдефект.

IV. ЭПР мелких доноров и акцепторов в кристаллах карбида кремния и кремния с измененным изотопным составом.

4.1. Доноры азота в SiC.

4.2. Акцепторы бора в SiC.

4.3. Мелкие доноры фосфора и мышьяка в кремнии 30Si.

4.4. Обсуждение результатов.

4.5. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронный парамагнитный резонанс собственных и примесных дефектов в нейтронно-облученном карбиде кремния с природным и измененным изотопным составом»

Настоящая работа посвящена изучению высокотемпературных дефектов и пространственного распределения плотности волновой функции неспаренных электронов мелких доноров азота N и мелких акцепторов бора В в широкозонном полупроводнике - карбиде кремния (SiC) методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР).

Карбид кремния является перспективным материалом опто- и микроэлектроники. Постоянный интерес к карбиду кремния SiC связан с возможностью создания электронных и оптоэлектронных приборов, работающих в экстремальных условиях: при высоких температурах, высоких мощностях и повышенных уровнях радиации. Именно большая энергия связи Si-C делает SiC устойчивым к высоким температурам, агрессивным средам и воздействию ионизирующего облучения.

Несмотря на прогресс в исследовании карбида кремния, существуют и некоторые нерешенные проблемы. Для карбида кремния важной является проблема направленного легирования кристаллов примесями для создания полуизолирующих слоев этих материалов.

Для создания приборов на основе SiC необходимо надежное установление природы собственных и примесных дефектов и их комплексов, а также понимание процессов их создания и разрушения. Все это стимулировало исследования, посвященные изучению дефектов в SiC. Особое значение для кристаллов карбида кремния имеют дефекты, стабильные при высоких температурах отжига. Такие высокотемпературные дефекты могут иметь различные зарядовые состояния, создавать глубокие уровни в запрещенной зоне и, следовательно, существенно влиять на электрические свойства материала.

Электронный парамагнитный резонанс является одним из основных методов исследования микроструктуры собственных и примесных дефектов в полупроводниках. Использование этого метода позволяло обнаружить парамагнитный дефект в полупроводнике, провести его химическую идентификацию, однозначно установить структуру дефекта, его симметрию и окружение. Метод ЭПР позволил получить широкую информацию об электронной структуре дефекта. При этом такая методика позволила экспериментально регистрировать плотность волновой функции неспаренных электронов. Не менее важным достоинством метода ЭПР является возможность контроля за дефектами и примесными центрами, а также за их трансформацией в процессе отжига полупроводниковых материалов с целью оптимизации процесса легирования этих материалов.

Важная проблема, которой посвящена часть диссертационной работы, состоит в исследовании высокотемпературных дефектных комплексов, образующихся в кристаллах карбида кремния 6H-SiC после сильного облучения нейтронами и последующего высокотемпературного отжига. В кристаллах карбида кремния, подвергнутых большим дозам облучения нейтронами (до 10 см") и последующему отжигу в зависимости от температуры отжига могут наблюдаться кластеры с размерами от 10-20 им до 200-400 нм. При этом в кристаллах SiC после отжига практически полностью восстанавливаются свойства кристаллов до облучения (электрические и оптические свойства, параметры решетки). Особый интерес в этой связи представляет собой возможность образования нанокристаллов (квантовых точек) кремния или углерода (например, алмаза или молекул типа фуллерена) внутри SiC, что может привести к изменению зонной структуры кремния и углерода в этих наноструктурах и возможности их использования для приборов оптоэлектроники.

Концентрация и тип дефектов в кристалле зависят прежде всего от таких параметров облучения, как соотношение между быстрыми и медленными нейтронами и температуры, а также температуры облучения. ЭПР является чрезвычайно полезным при выборе оптимального режима нейтронного легирования с точки зрения минимального выхода радиационных дефектов, характеризующихся высокой температурной стабильностью, и, следовательно, требующих высоких температур для их отжига. Перед нами стояла задача исследовать методом ЭПР образцы 6II-SiC, облученные нейтронами (до 1021 см'2) и отожженные при высоких температурах (1500° - 2000°С) и определить структуру высокотемпературных дефектов.

Для выяснения структуры дефектов основную роль играют сверхтонкие (СТ) взаимодействия неспаренного электрона дефекта с магнитными моментами ядер. Так как содержание изотопов 29Si и 13С с ядерными магнитными моментами является низким, особое место в подобных исследованиях занимает изучение кристаллов SiC с измененным изотопным составом, что и составило часть диссертационной работы. При этом такая методика позволила экспериментально зондировать плотность волновой функции несиаренных электронов.

Обогащение кристаллов одним из изотопов приводит к изменению СТ взаимодействий в кристалле и в случае неразрешенных линий ЭПР к соответствующему изменению ширины линии. Уменьшение содержания в кристалле изотопов с ненулевыми ядерными моментами приводит к заметному сужению сигналов ЭПР. В последнее время такие исследования вызывают большой интерес в связи с многочисленными и вполне естественными предложениями использовать подобные системы, а именно мелкие доноры в кристаллах Si, Ge, SiGc, SiC, для создания элементной базы при разработке квантовых компьютеров. При этом уменьшение концентрации ядер с магнитными моментами важно для замедления релаксационных спиновых процессов в этих системах.

Наша задача состояла в исследовании кристаллов 4H-SiC и 6H-SiC с измененным изотопным составом Si и С. Необходимо было изучить структуру дефектов и пространственное распределение волновой функции неспаренных электронов дефектов, включая мелкие доноры и акцепторы.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. В кристаллах карбида кремния, облученных большими дозами нейтронов (1020-Ю21 см"2) и подверженных высокотемпературному отжигу, обнаружен ряд новых парамагнитных центров, стабильных при высокой температуре и представляющих собой многодефектные комплексы.

2. В кристаллах 6H-SiC, облученных нейтронами (до 1021 см"2) и отожженных при температуре 1500°С, которая является оптимальной для отжига приборных структур на основе SiC, впервые наблюдались пять новых парамагнитных дефектов. Для центра с S = 1/2 предложена модель в виде комплекса F^-iFc, состоящего из вакансии кремния Г<>„ окруженной тремя вакансиями углерода Ус и имеющего низкотемпературную и высокотемпературную фазы с разной степенью локализации неспаренных электронов. Для центра с S = 1 предложена модель в виде позиции "расщепленного междоузлия" углерода (С2) si (split interstitial), или в виде комплекса (CjJsrS'c, состоящего из позиции "расщепленного междоузлия" углерода (CjJsi и дефекта перестановки кремния Sic. Предложенные модели согласуются с теоретическими расчетами.

Л | Л

3. В кристаллах карбида кремния 6H-SiC, облученных нейтронами (до 10 см') и отожженных при температуре 2000°С, обнаружен положительно заряженный дефект в триплетном состоянии, состоящий из вакансии кремния Кд и атома азота Nc, замещающего атом углерода в соседней позиции, ориентированной вдоль оси с (N-У дефект). В спектрах ЭПР нового центра наблюдается СТ взаимодействие с одним атомом азота, а параметры тонкой структуры близки к соответствующим параметрам известного N-V дефекта в алмазе, для которого впервые наблюдался магнитный резонанс как на одиночном дефекте.

4. Распределение плотности волновой функции донорного электрона в SiC существенно зависит от политипа: в 4H-SiC неспаренный электрон локализован, главным образом, на s- и /?-орбиталях 57, тогда как в 6II-SiC электрон преимущественно локализован на s-орбиталях С, что обусловлено различиями в зонной структуре обоих политипов и положением минимумов в зоне проводимости.

5. Для доноров N в ^-позиции зарегистрирована изотропная СТ структура от взаимодействия с одним атомом Si и четырьмя (пятью) атомами С, что обусловлено большой глубиной уровней и более локализованной волновой функцией неспаренного электрона по сравнению с донором Nn гексагональной позиции.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Во введении кратко обоснованы актуальность темы диссертационной работы, указана научная новизна и практическая значимость, изложены основные положения, выносимые на защиту. В первой главе дан обзор литературы по радиоспектроскопическим исследованиям дефектов в кристаллах карбида кремния и сформулированы цели диссертационной работы. Вторая глава содержит сведения о методах выращивания кристаллов карбида кремния, которые использовались в настоящей работе, и описана техника эксперимента. В третьей главе изложены результаты исследований ЭПР высокотемпературных дефектов в 611-SiC. Четвертая глава посвящена исследованию пространственного распределения волновой функции мелких доноров и акцепторов в кристаллах карбида кремния и кремния с использованием кристаллов с измененным изотопным составом Si и С. В заключении сформулированы основные результаты работы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Музафарова, Марина Викторовна

4.5. Выводы

Таким образом, методом ЭПР исследованы мелкие доноры N и мелкие акцепторы В в кристаллах SiC и мелкие доноры Р и As в кристаллах кремния с измененным изотопным составом Si и С. В результате изменения содержания изотопов 29Si и 13С, имеющих ненулевые магнитные моменты, произошли существенные изменения в спектрах ЭПР мелких доноров N и мелких акцепторов В в SiC, а также мелких доноров Р и As в кремнии. Получена информация о пространственном распределении волновых функций мелких доноров и акцепторов в указанных материалах. Па основании данных исследований и ранее опубликованных исследований методом ДЭЯР показано, что пространственное распределение донорного электрона в SiC существенно зависит от политипа и кристаллографического положения. Так, в политипе 4H-SiC неспаренный электрон распределен главным образом па s- и /?-орбиталях Si, тогда как в политипе бН-SiC неспаренный электрон преимущественно локализован на .s-орбиталях С. При этом имеется существенное отличие в распределении электрона для донора N в гексагональной позиции, характеризующейся мелким уровнем близким к уровню, полученному для этого материала в приближении теории ЭМ, и для донора, занимающего А-позицию. В последнем случае глубина донорного уровня существенно превышает глубину уровня, полученного в приближении теории ЭМ, и в спектре ЭПР зарегистрирована СТ структура от сравнительно сильного взаимодействия с двумя первыми координационными сферами Si и С, которые благодаря исследованию кристаллов с измененным изотопным составом однозначно идентифицированы. То есть, вблизи N, занимающего А-позицию, приближение теории ЭМ нарушается, более того предполагается, что структура донора и распределение донорного электрона становятся низкосимметричными и, как результат, наличие сравнительно большой изотропной спиновой плотности на одном атоме Si, расположенном на с оси вблизи N, находящегося в соседней углеродной позиции.

Изотропная структура для доноров N в А-позициях, вызванная СТ взаимодействием с одним атомом Si, которая наблюдается непосредственно в спектрах ЭПР, составляет 41 МГц (спиновая плотность 0.89 %) и 26.9 МГц (0.6 %) в кристаллах 4H-SiC и бН-SiC, соответственно. Изотропное СТ расщепление от взаимодействия с четырьмя-иятыо атомами С, которое также наблюдается непосредственно в спектрах ЭПР этих доноров (проявляется в кристаллах с обедненным содержанием изотопа 29Si благодаря сужению линий ЭПР), составляет 16.8 МГц (0.44 %) и 14 МГц (0.37%) в кристаллах 4H-SiC и 611-SiC, соответственно. Отношение спиновых плотностей на одном атоме Si для политипов 4H-SiC и бН-SiC, равное 1.5, совпадает с соответствующим отношением спиновых плотностей на атоме N, то есть структура центров N в А-позициях в 4H-SiC и бН-SiC является качественно одинаковой и один атом Si находится в ближайшей позиции по отношению к атому N, при этом плотность волновой функции при переходе от N к Si уменьшается примерно в 3 раза. Отношение спиновых плотностей на каждом из ближайших атомов С для политипов 4H-SiC и 6Н-SiC, равное 1.2, уже значительно меньше, чем соответствующее отношение спиновых плотностей на атоме N, то есть эти атомы занимают более удаленные позиции по отношению к N. Таким образом, результаты настоящей работы подтверждают общепринятое утверждение, что Nb А-позициях замещает С.

Суммарная локализация неспаренного электрона на центральном атоме N и первой сфере из четырех Si (в предположении, что локализация на остальных трех ближайших атомах Si будет такая же, как для одного атома, СТ структура для которого видна в ЭПР) будет составлять 6.4%, плюс 2.2%, которые электрон находится на предполагаемых пяти атомах С второй сферы. Другими словами, в сумме спиновая плотность в пределах первых двух координационных сфер составляет примерно 8.5%. Для бН-SiC это будут 4.24% и 1.85% соответственно и в сумме 6.1%. Эти величины следует добавить к тем, которые для А-позиций N были получены в результате исследований методом ДЭЯР в работе [53], и которые, согласно новым данным, соответствуют СТ взаимодействиям относящимся к координационным сферам, начиная со второй-третьей сферы.

Низкосимметричная структура реализуется для мелких акцепторов В вблизи примеси [52], при этом неспаренный электрон в исследованных политипах SiC распределен, главным образом, на атомах С. Уменьшение содержания изотопа 29Si практически не изменило ширины линий ЭПР мелких акцепторов В, что подтверждает этот вывод.

Уменьшение содержания изотопа 29Si привело к существенному сужению линий ЭПР мелких доноров Р и As в кремнии и, как следствие, увеличению интенсивности сигналов ЭПР, а также к сильному удлинению времени спин-решеточной релаксации Т\. В кремнии, обогащенном изотопом 30Si и имеющем обедненное содержание изотопа 29Si, время Т\ для мелких доноров Р и As значительно. В результате появилась возможность изучать эти спектры селективно, оптически возбуждая определенную область кристалла и укорачивая время Т\ из-за взаимодействия с носителями и тем самым предотвращая насыщение сигнала ЭПР, что позволяет регистрировать спектры ЭПР только в указанной области. Последнее обстоятельство может быть полезно при разработке материалов для квантовых компьютеров.

Суммируем основные результаты.

1. Методом ЭПР исследованы мелкие доноры N и мелкие акцепторы В в кристаллах SiC и мелкие доноры Р и As в кристаллах кремния с измененным изотопным составом Si и С.

2. В результате изменения содержания изотопов 29Si и ,3С, имеющих ненулевые магнитные моменты, происходят существенные изменения в спектрах ЭПР мелких доноров N и мелких акцепторов В в SiC, а также мелких допоров Р и As в кремнии.

3. Распределение спиновой плотности на ядрах С и Si отличается для двух политипов 4H-SIC и бН-SiC, что обусловлено различиями в зонной структуре обоих политипов и положением минимумов в зоне проводимости.

4. Установлено, что в политипе 4H-SiC неспаренный электрон распределен главным образом на s и р орбиталях Si, тогда как в политипе бН-SiC неспаренный электрон преимущественно локализован на 5 орбиталях С.

5. Для доноров N в А-позиции зарегистрирована изотропная СТ структура от взаимодействия с одним атомом Si и четырьмя (пятью) атомами С, что обусловлено большой глубиной уровней и более локализованной волновой функцией неспаренного электрона по сравнению с донором N в гексагональной позиции.

Заключенно

Суммируем основные результаты:

1. В кристаллах карбида кремния, облученных большими дозами нейтронов (1020 —1021 см'2) и подверженных высокотемпературному отжигу (1500°С - 2000°С), обнаружен ряд новых парамагнитных центров, стабильных при высоких температурах и представляющих собой многодефектные комплексы.

2. В карбиде кремния бН-SiC, облученном нейтронами с большой дозой облучения и отожженном при 1500°С, идентифицированы и исследованы пять новых сигналов с электронными спинами S= 1/2 и S = 1 и аксиальной симметрией вдоль оси кристалла с.

3. Особенность всех обнаруженных сигналов - сильное СТ взаимодействие с большим количеством (до двенадцати) эквивалентных атомов Si (С) в решетке SiC.

4. Предложены модели наблюдаемых дефектов: для центров с S= 1/2 в виде комплекса Vsr3Vc, состоящего из вакансии кремния окруженной тремя вакансиями углерода Ус, и имеющего низкотемпературную и высокотемпературную фазы с разной степенью локатизации неспаренных электронов; для центра с S = 1 в виде позиции "расщепленного междоузлия" углерода (C2)si или комплекса (C^srSici, состоящего из позиции "расщепленного междоузлия" (Сг)si и дефекта перестановки кремния Sic

5. В карбиде кремния 6H-SiC, облученном нейтронами с большой дозой облучения и отожженном при 2000°С, идентифицирован и исследован положительно заряженный дефект Nc-Vsi с S = \, состоящий из вакансии кремния Vs, и атома азота Nc, замещающего атом углерода в соседней позиции, ориентированной вдоль оси с.

6. Исследованы мелкие доноры азота и мелкие акцепторы бора в кристаллах SiC и мелкие доноры фосфора и мышьяка в кристаллах кремния с измененным изотопным составом Si и С. Получена информация о пространственном распределении волновых функций мелких доноров и акцепторов в указанных материалах.

7. Установлено, что пространственное распределение донорного электрона в SiC существенно зависит от политипа. В политипе 4II-SiC неспаренный электрон распределен главным образом на s- и р-орбитатях кремния, тогда как в политипе 611-SiC неспаренный электрон преимущественно локализован на 5-орбиталях углерода.

8. Для доноров N в ^-позиции зарегистрирована изотропная СТ структура от взаимодействия с одним атомом Si и четырьмя (пятью) атомами С, что обусловлено большой глубиной уровней и более локализованной волновой функцией неспаренного электрона по сравнению с донором N в гексагональной позиции.

В заключение мне хотелось бы выразить искреннюю признательность и огромную благодарность всем моим наставникам и коллегам, оказавшим помощь и участие при выполнении настоящей работы. В первую очередь хотелось бы поблагодарить моих научных руководителей П.Г. Баранова и С.Г. Кошшкова за их направляющее руководство и постановку целей и задач. Неоценимую помощь в течение всей моей научной деятельности оказал И.В. Ильин. Считаю, что данная работа вряд ли получилась бы столь насыщенной экспериментальными результатами, если бы не обилие предоставленных образцов, выращенных Е.Н. Моховым и его коллегами, а также криогенной жидкости, любезно предоставленной B.J1. Преображенским. Также выражаю искреннюю благодарность всем вместе и индивидуально сотрудникам лаборатории "Микроволновой спектроскопии кристаллов" и моим коллегам Л.Г. Бадаляну, Н.Г. Романову, В.А. Храмцову, Р.А. Бабунцу, Г.Р. Асатряиу и С.И. Голощапову за полезные рекомендации, моральную поддержку и участие при проведении экспериментов.

103

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Музафарова, Марина Викторовна, 2005 год

1. G. Watkins, in Deep Centres in Semiconductors, edited by S.T. Pantelides (Gordon and Breach, New York, 1986), p. 147.

2. L.A. de S. Balona and J.H.N. Loubser, J. Phys. C: Solid St. Phys. 3,2344 (1970).

3. N.M. Pavlov, M.I. Iglitsyn, M.G. Kosaganova, and V.N. Solomatin, Sov. Phys. Semicond. 9, 845 (1975).

4. V.S. Vainer, and V.A. Il'in, Soviet Physics: Solid State 23,2126 (1981).

5. J. Schneider and K. Maier, Physica В 185, 199 (1993).

6. M. Kunzer, Thesis Universitat Freiburg i. Brsg, 1995.

7. T. Wimbauer, B.K. Meyer, A. Hofstaetter, A. Scharmann, and H. Overhof, Phys. Rev. В 56, 7384 (1997).

8. E. Sormann, N.T. Son, W.M. Chen, O. Kordina, C. Hallin, and E. Janzen, Phys. Rev. В 61, 2613 (2000).

9. Mt. Wagner, B. Magnusson, W.M. Chen, E. Janzen, E. Sormann, C. Hallin, and J.L. Lindstrom, Physical Review В 62,16555 (2000).

10. H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, G. Battistig, and I. Vickridge, Phys. Rev. В 62, 10126 (2000).

11. H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, L. Henry, and M.F. Barthe, Phys. Rev. В 62, 10841 (2000).

12. P.G. Baranov, E.N. Mokhov, S.B. Orlinskii, J. Schmidt, Physica B, 308-310, 680 (2001).

13. S.B. Orlinskii, J. Schmidt, E.N. Mokhov, and P.G. Baranov, Phys. Rev. В 67, 125207 (2003).

14. J. Isoya, H. Kanda, Y. Uchida, S.C. Lawson, S. Yamasaki, H. Itoh and Y. Morita, Phys. Rev. Ii 45, 1436(1992).

15. N.T. Son, P.I I. Hai, and E. Janzen, Materials Science Forum, Trans Tech Publications, Switzerland, Vols. 353-356, pp. 499-504 (2001).

16. N. T. Son, P. N. Hai, and E. Janzen, Phys. Rev. В 63,201201(R) (2001).

17. N. T. Son, B. Magnusson, and E. Janzen, Appl. Phys. Lett. 81,3945 (2002).

18. V.Ya. Bratus', I.N. Makeeva, S.M. Okulov, T.L. Pctrenko, T.T. Petrcnko and H.J. von Bardeleben, Materials Science Forum, Tran. Tech. Publications, Switzerland, Vols. 353-356, 517(2001).

19. V. Ya. Bratus, I. N. Makeeva, S. M. Okulov, T. L. Petrenko, Т. T. Petrenko, H. J. von Bardeleben, Physica В 308-310, 621 (2001).

20. N.T. Son, P.N. Hai, and E. Janzen, Phys. Rev. Lett. 87,045502 (2001).

21. N. T. Son, B. Magnusson, Z. Zolnai, Л. Ellison, and E. Janzen, Mater. Sci. Forum vol. 457-460,437 (2003).

22. T. Umeda, J. Isoya, N. Morishita, T. Ohshima, T. Kamiya, Phys. Rev. В 69, R121201 (2004).

23. Mt. Wagner, N.Q. Thinh, N.T. Son, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, C. Hallin, W.M. Chen, and E. Janzen, Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsnkuba, Japan Mater. Sci. Forum 389-393, 501 (2002).

24. Mt. Wagner, N. Q. Thinh, N. T. Son, W. M. Chen, E. Janzen, P. G. Baranov, E. N. Mokhov, C. Hallin, and J. L. Lindstrom, Phys. Rev. В 66, 155214 (2002).

25. Th. Lingner, S. Greulich-Weber , J.-M. Spaeth, U. Gerstmann, E. Rauls, Z. Hajnal, Th. Frauenheim, H. Overhof, Phys. Rev. В 64,245212 (2001).

26. V.V. Konovalov, M.E. Zvanut, and J. van Tol, Phys. Rev. В 68, 012102 (2003).

27. F.P. Larkin and A.M. Stoneham, J. Phys. С 3, LI 12 (1970).

28. P. Deak, J. Miro, A. Gali, L. Udvardi, and H. Overhof, Appl. Phys. Lett. 75,2103 (1999).

29. L.Torpo, R.M. Nieminen, K.E. Laasonen, and S. Poykko, appl. Phys. Lett. 74, 221 (1999).

30. A. Zywietz, J. Furthmuller, and F. Bechstedt, Phys. rev. В 59, 15166 (1999).

31. Young-Hoon Lee and James W. Corbett, Phys. Rev. В 8, 2810 (1973); Young-IIoon Lee and James W. Corbett, Phys. Rev. В 9,4351 (1974).

32. J.L. Hastings, S.K. Estreicher, and P.A. Fedders, Phys. Rev. B, 56, 10215 (1997).

33. W.E. Carlos et al„ Bull. Am. Phys. Soc. 48, (2003) p. 1322.

34. D.A. Redman, S. Brown, R.H. Sands, and S.R. Rand, Phys. Rev. Lett. 67, 3420 (1991).

35. T.E.M. Staab, A. Sieck, M. Haugk, M.J. Puska, Th. Frauenheim, and H.S. Leipner, Phys. Rev. В 65, 115210 (2002).

36. K.K. Shvarts, Y.A. Ekmanis, Radiation and photostimulated processes in inorganic materials, ed. by V.M. Tuchkevich, Riga, 363 (1981).

37. A.A. Sitnikova, E.N. Mokhov, and E.I. Radovanova, phys. stat. sol. (a) 135, K45 (1993).

38. E.N. Mokhov, E.I. Radovanova and Л.Л. Sitnikova, Springer Proceeding in Physics, Vol. 56, Amorphous and Crystalline Silicon Carbide III, Editors: G.L. Harris, M.G. Spencer, and C.Y. Yang, Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1992, pp. 231-234.

39. R.N. Kyutt, A.A. Lepneva, G.A. Lomakina, E.N. Mokhov, A.S. Tregubova, M.M. Shcheglov, and G.F. Yuldashev, Sov. Phys. Solid State 30, 1500 (1988) Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 30,2606 (1988).

40. A.I. Girka, A.D. Mokrushin, E.N. Mokhov, V.M. Osadchiev, S.V. Svirida, and A.V. Shishkin, Sov. Phys. JETP 70,322 (1990) Zh. Eksp. Teor. Fiz. 97, 578 (1990).

41. L. Henry, M.-F. Barthe, C. Corbel, P. Desgardin, G. Blondiaux, S. Arpiainen, and L. Liszkay, Phys. Rev. В 67, 115210 (2003).

42. H.N. Loubser and J.A. van Wyk, Diamond Res. 11 (1977).

43. Xing-Fei He, N.B. Manson, and P.T.H. Fisk, Phys. Rev. В 47 (14), pp. 8809-8815 (1993).

44. B.A. Ильин, Исследование точечных термических дефектов в монокристаллах карбида кремния методом ЭПР, Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. Наук, Ленинград, 1981.

45. L. Patrick, W.J. Choyke, Phys. Rev. В 5, 3259 (1972).

46. W.J. Choyke, in: Radiation Effects in Semiconductors, 1976. -Conf. Ser. 31, Bristol and London: the Institute of Physics, 1977, pp. 58-69.

47. A.van Duijn-Arnold, J. Mol, R. Verberk, J. Schmidt, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, Phys. Rev. В 60, 15829(1999).

48. A. v. Duijn-Arnold, R. Zondervan, J. Schmidt, P.G. Baranov, and E.N. Mokhov, Phys. Rev. В 64, 085206 (2001).

49. Masri, Surface Science Reports 48, pp. 1-51 (2002)

50. Yu.A.Vodakov, E.N.Mokhov, G.Ramm, A.D.Roenkov, Krist und Techn. 14, 729 (1979).

51. O.N. Godisov, A.K. Kaliteevskii, V.I. Korolev, B.Y. Ber, V.Y. Davydov, M.A. Kaliteevskii, P.S. Kop'ev, Semiconductors 35, 877 (2001).

52. V.G. Grachev, Zh. Eksp. Teor. Phys. 92,1834 (1987) Sov. Phys. JETP 65, 7029 (1987).

53. I.V. Ilyin, M.V. Nluzafarova, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, S.B. Orlinskii, J. Schmidt, Physica В 340-342, 128 (2003).

54. G.D. Watkins and J.W. Corbett, Phys. Rev. 134, Л1359 (1964); 138, Л543 (1965).

55. J.R. Morton and K.F. Preston, J. Magn. Reson. 30, 577 (1978).

56. J.L. Hastings, S.K. Estreicher, and Р.Л. Fedders, Phys. Rev. B, 56, 10215 (1997

57. Л. Gali, P. Deak, P. Ordejon, N. T. Son, E. Janzen, W. J. Choyke, Phys. Rev. В 68, 125201 (2003).

58. Л. Mattausch, M. Bockstendte, and O. Pankratov, Phys. Rev. В 69, 045322 (2004).

59. E. Raus et al., Physica B, vols.340-342, p.184 (2003).

60. A.Gruber, A. Drabenstedt, C. Tietz, L. Fleury, J. Wrachtrup, C. von Borczyskowski: Science 276 (1997), p. 2012 and references therein.

61. W. Kohn and J.M. Luttinger, Phys. Rev. 97, 1721 (1955); Phys. Rev. 98, 915 (1955).

62. A.F. Kip, C. Kittel, R.A. Levy, and A.M. Portis, Phys. Rev. 91, 1066 (1953).

63. П.Г. Баранов, Ю.П. Вещунов, Н.Г. Романов, Письма в ЖЭТФ 32, 3 (1980) P.G. Baranov, Yu.P. Veshchunov, N.G. Romanov, JETP Lett. 32, 1 (1980).].

64. G. Feher, Phys. Rev. 114, 1219 (1959).

65. D.K. Wilson, Phys. Rev. 134, A265 (1964).

66. G. Feher, J.C. Hensel, and E.A. Gere, Phys. Rev. Lett. 5, 309 (1960).

67. H.H. Woodbury and G.W. Ludwig, Phys. Rev. 124, 1083 (1961).

68. А.Г. Зубатов, И.М. Заритский, C.H. Лукин, Е.Н. Мохов и В.Г. Степанов, ФТТ 27, 322 (1985) A.G. Zubatov, I.M. Zaritskii, S.N. Lukin, E.N. Mokhov, and V.G. Stepanov, Sov. Phys. Solid State 27, 197 (1985).

69. J.L. Ivey and R.L. Mieher, Phys. Rev. В 11, 849 (1975).

70. E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, W.C. Mitchel, Mat. Sci. Forum 433-436,499 (2003).

71. N.T. Son, J. Isoya, S. Yamasaki, and E. Janzen, Book of Abstracts of ECSCRM 2004, CNR Area della Ricerca, Bologna (Italy).

72. П.Г. Баранов, A.H. Ионов, И.В. Ильин, П.С. Копьев, Е.Н. Мохов, В.А. Храмцов, ФТТ, 45, 984 (2003).

73. S.Greulich-Weber, Phys.Stat.Sol.(a) 162, 95 (1997).

74. C.F. Young, К. Xie, Е.Н. Poindexter, G.J. Gerardi, and D.J. Keeble, Appl.Phys. Lett. 70, 1858 (1997).

75. G. Feher and E.A. Gere, Phys. Rev. 114,1245 (1959).

76. M.T. Bennenbroek, Л. Arnold, O.G. Polucktov, P.G. Baranov, and J. Schmidt, Phys. Rev. В 54, 11276(1996).

77. D.M. Hofmann, A. Hofstaetter, F. Leiter, H. Zhou, F. Henecker, B.K. Meyer, S.B. Orlinskii, J. Schmidt, and P.G. Baranov, Phys. Rev. Lett. 88, 045504 (2002).

78. H. Ovcrhof and U. Gerstmann, Phys. Rev. В 62, 12585 (2000).

79. G.D. Watkins and Frank S. Ham, Phys. Rev. В 1,4071 (1970).

80. E.I I. Калабухова, Закономерности температурного поведения донорных состояний в

81. SiC в кн. Радиоспектроскопия конденсированных сред, Гл. II, Киев, 157-176 (2000).

82. W.V. Smith, P.P. Sorokin, I.L. Gelles, and G.J. Lasher, Phys. Rev. 115, 1546 (1959).

83. Keith L. Brower, Phys. Rev. Lett. 44, 1627 (1980).

84. K. Murakami, H. Kuribayashi, and K. Masuda, Phys. Rev. В 38,1589 (1988).

85. R.P. Messmer and G.D. Watkins, Phys. Rev. В 7,2568 (1973).

86. G.G. DeLeo, W.B. Fowler, and G.D. Watkins, Phys. Rev. В 29, 3193 (1984).

87. S.T. Pantelides, W.A. Harrison, and F.Yndurain, Phys. Rev. В 34, 6038 (1986).

88. F.G. Anderson, Phys. Rev. В 39, 5392 (1989).

89. Сиисок публикации но теме диссертации

90. I.V. Ilyin, M.V. Muzafarova, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, S.B. Orlinskii, J. Schmidt, Multivacancy clusters in silicon carbide // Proc. of the 22nd International Conference on Defects in Semiconductors, Aarhus, Denmark, July 28-August 1,2003.

91. I.V. Ilyin, M.V. Muzafarova, E.N. Mokhov, P.G. Baranov, S.B. Orlinskii, J. Schmidt, Multivacancy clusters in silicon carbide // Physica В 340-342, pp.128 (2003).

92. И.В. Ильин, M.B. Музафарова, E.H. Мохов, П.Г. Баранов, Многовансионные комплексы в карбиде кремния // VI Российская конференция по физике полупроводников, Тезисы докладов, Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003г., сс. 461462.

93. I.V. Ilyin, M.V. Muzafarova, E.N. Mokhov, S.G. Konnikov, P.G.Baranov, High-Temperature Stable Multi-Defect Clusters in Neutron Irradiated Silicon Carbide: Electron Paramagnetic Resonance Study// Materials Science Forum, Vols. 483-485; pp. 489-492.