Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Хмельницкий, Роман Абрамович

• Хмельницкий, Роман Абрамович
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Хмельницкий, Роман Абрамович

Глава 1. Литературный обзор

1.1. Природа радиационного повреждения алмаза при ионной имплантации и моделирование методом Монте-Карло

1.2. Результаты исследований комбинационного рассеяния радиационно-поврежденных слоев в алмазе

1.3. Результаты исследований электрической проводимости ионно-имплантированного алмаза

1.4. Результаты исследований резерфордовского обратного рассеяния имплантированных слоев в алмазе

1.5. Микроструктура радиационно-поврежденных слоев в алмазе

1.6. Вспухание материала

Глава 2. Радиационное повреждение алмаза при ионной имплантации и графитизация '

2.1. Экспериментальный подход

2.1.1. Образцы

2.1.2. Экспериментальные методики

2.2. Критерии оценки радиационного повреждения алмаза при ионной имплантации

2.3. Оптическое поглощение и вспухание алмаза при ионной имплантации

2.3.1. Оптическое поглощение

2.3.2. Вспухание материала

2.3.3. Зависимость радиационного, повреждения от дозы имплантации

2.3.4. Зависимость радиационного повреждения от температуры имплантации

2.4. Отжиг ионно-имплантированного алмаза

2.4.1. Трансформации радиационных дефектов при отжиге

2.4.2. Отжиг материала с радиационным повреждением выше критического и графитизация

2.4.3. Оптическая интерференция

2.4.4. Вспухание над графитизированным слоем

2.4.5. Графитизация поликристаллических пленок

2.4.6. Промежуточные выводы

Глава 3. Свойства и применение графитизированных слоев в алмазе

3.1. Эллипсометрическое исследование графитизированных слоев

3.1.1. Метод спектральной оллипсометрии

3.1.2. Результаты оллипсометрических измерений

3.1.3. Оптические свойства графитизированных слоев

3.2. Плотность графитизированного материала и его свойства

3.2.1. Плотность графитизированного материала

3.2.2. Электрические свойства графитизированного материала

3.2.3. Замечания о свойствах графитизированного материала

3.3. Применение графитизированных слоев

3.3.1. Термодатчик

3.3.2. Диод Шоттки

Глава 4. Особенности графитизации при имплантации изотопов водорода

4.1. Имплантация дейтерия

4.1.1 Отжиг алмаза, имплантированного D

4.1.2. Высокотемпературный отжиг и феномен островковой графитизации

4.2. Имплантация водорода

4.2.1. Графитизация и блистеринг

4.2.2. Высокотемпературный отжиг имплантированного водородом алмаза

4.2.3. Изучение графитизированных островков

4.2.4. Поиск С-Н связей

4.2.5. Изучение пузырей

4.3. Сравнение результатов имплантации Не+, D+ и i t

Глава 5. Заключение

5.1. Направленность работы

5.2. Результаты (защищаемые положения)

5.2.1. Описание радиационного повреждения алмаза при ионной имплантации с помощью оптического пропускания и вспухания

5.2.2. Свойства графитизированного материала

5.2.3. Особенности имплантации изотопов водорода

5.2.4. Блистеринг и изучение пузырей

5.3. Публикации

5.4. Благодарности

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации»

По этой причине полностью устранить все радиационные дефекты при отжиге не удается изза высокой температуры Дебая алмаза ( 2000 К [3,4]). Остаточные дефекты влияют на электрические свойства имплантированного материала.Заметное влияние на свойства алмаза оказывают примеси. Известно, что в природных кристаллах обнаруживаются практически все элементы таблицы Менделеева [5]. Однако растворимость большинства элементов в алмазе очень невелика и они присутствуют лишь в небольшой концентрации. Лишь два элемента могут содержаться в алмазе в больших концентрациях. Это азот и бор. Примесь бора придает алмазу голубой цвет и, занимая одиночное замещающее положение, является акцептором, обеспечивая свойства полупроводника р-типа. Такие кристаллы (по общепринятой классификации тип ПЬ [6]) встречаются изредка в месторождениях Южной Африки или могут быть искусственно синтезированы. Азот является в алмазе основной примесью и оказывает преобладающее влияние на его свойства. Кристаллы с низким содержанием азота (менее 10 см") классифицируются как Па, являются самыми чистыми и встречаются редко. Кристаллы, где азот занимает одиночное замещающее положение, классифицируются как lb и встречаются среди природных очень редко. Зато синтетические алмазы почти все принадлежат к этому типу. В природных алмазах азот обычно образует комплексы (тип 1а). Чаще всего он встречается в виде двух (тип 1аА) или большого числа соседних замещающих атомов (тип 1аВ). Может он также образовывать и более сложные агрегаты вплоть до целых атомных плоскостей, так называемых platelets. Концентрация примесного азота в алмазе может достигать единиц %. Основным методом определения формы азотных дефектов и их концентрации является ИК поглощение.При радиационном повреждении алмаза азот может вступать во взаимодействие с радиационными дефектами и, прежде всего, вакансиями. При этом образуются азотно-вакансионные комплексы, которые ярко проявляются в оптическом поглощении и люминесценции [7]. Такое взаимодействие может оказывать влияние на трансформацию радиационных дефектов в процессе повреждения и отжига. Однако данная работа посвящена исследованию явлений при ионной имплантации с большими дозами. В этом случае исходные концентрации точечных дефектов столь велики (до десятков %), что это взаимодействие не оказывает существенное влияние на исследуемые явления.При больших дозах имплантации возникает угроза графитизации слоев алмаза с наибольшим радиационным повреждением. Графитизация - это трансформация алмаза, где атомы связаны sp3 связями, в материал, где, как в графите, атомы связаны sp2 связями. С одной стороны, это явление кладёт некоторый предел применению ионной имплантации в алмазе, а с другой - открывает возможности использования заглублённых и поверхностных графитизированных слоев в качестве пассивных и активных элементов алмазной электроники. Материал в таких слоях очень напоминает по свойствам графит — поглощает свет и хорошо проводит ток, хотя вопрос о микроструктуре этого вещества сейчас находится в стадии изучения. Во всяком случае, от первоначальных представлений, что это просто поликристаллический графит, пришлось отказаться по результатам рентгеновских исследований и рамановской спектроскопии.Данная работа посвящена исследованию радиационного повреждения и графитизации алмаза при имплантации преимущественно лёгких ионов и последующем отжиге. Почему именно лёгких? С одной стороны, при имплантации легких ионов можно получить глубоко лежащие графитизированные слои, что важно в практических задачах. С другой стороны, в этом случае вносится наименьшее радиационное повреждение. Кроме того, имплантация изотопов водорода дает результаты, заметно отличающиеся от предсказаний теории и от того, что следовало ожидать из экстраполяции опыта имплантации более тяжелых ионов.Прежде всего, бросается в глаза, что в случае имплантации изотопов водорода и последующем отжиге графитизация наступает при сравнительно небольших дозах имплантации, по сравнению с тем, что можно было бы ожидать, а при последующем отжиге наблюдаются уникальные явления островковой графитизации, разрастания графитизации и блистеринга.В настоящей работе ставится цель экспериментально исследовать природу радиационного повреждения алмаза, процессы трансформации дефектов и формирования графитизированного материала.В рамках работы стоят следующие задачи: 1. Исследовать радиационное повреждение алмаза при ионной имплантации методами оптического пропускания и измерения вспухания; 2. Проследить процесс отжига радиационных дефектов и установить закономерности формирования графитизированных слоев; 3. Исследовать оптические и другие свойства графитизированных слоев; 4. Описать и изучить явления, возникающие при отжиге алмаза, имплантированного изотопами водорода; 5. Исследовать явление блистеринга в алмазе.Методы измерения оптического пропускания и вспухания уже отчасти применялись при изучении радиационного повреждения алмаза, но далеко не во всех диапазонах повреждения и температур отжига. Мы же увидим, что они не только несут комплексную информацию о природе радиационного повреждения на разных стадиях отжига, но и позволяют простым и неразрушающим способом количественно оценить его степень, что важно в практических задачах.Свойства графитизированных слоев совершенно не исследованы. Известно было буквально только то, что они поглощают свет, пропускают ток и химически близки к графиту и это все. Между тем, этот интересный физический объект может найти и отчасти уже находит многообещающие практические применения. % ', Уникальные явления, возникающие при имплантации изотопов водорода, впервые подробно описаны нами. Раскрытие их загадочной природы может выступить в качестве катализатора понимания радиационного повреждения алмаза вообще. А любопытное явление блистеринга, совершенно до сих пор не исследованное, возможно имеет практические перспективы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Хмельницкий, Роман Абрамович

Основные результаты работы были доложены на:

- 3-м Международном симпозиуме по алмазным пленкам, С-Петербург, Россия, 16-19 июня 1996 г.

- Международной конференции "Алмазы в технике и электронике", Москва, Россия, 26-28 мая 1998 г.

- 6-й Международной конференции "New Diamond Science and Technology", Претория, ЮАР, 31 августа-4 сентября 1998 г.

- Всероссийской конференции " Алмаз в технике и электронике", Москва, Россия, июнь 2000 г.

- Всероссийской конференции " Алмаз в технике и электронике", Москва, Россия, 1213 сентября 2001 г.

- 5-й международной конференции "Взаимодействие излучений с твердым телом", Минск, Беларусь, 6-9 октября 2003 г.

- 5-й международной конференции "Ion implantation and other applications of ions and. electrons", Казимеж Дольны, Польша, 14-17 июня 2004 г.

По материалам работы опубликованы следующие работы:

1. R.A. Khmelnitsky, V.A. Dravin, A.A. Gippius. Optical studies of graphitized layers in ion-implanted diamond. J. Chem. Vap. Depos., 1996, v. 5, p. 86-90.

2. Т.И. Галкина, А.И. Шарков, А.Ю. Клоков, М.М. Бонч-Осмоловский, Р.А. Хмельницкий, В.А. Дравин, А.А. Гиппиус. Заглубленный имплантированный слой в алмазе как источник баллистических фононов при гелиевых температурах. Письма в ЖЭТФ, т. 64, в. 4, с. 270272, 1996.

3. А.А. Gippius, R.A. Khmelnitsky, V.A. Dravin, S.D. Tkachenko. Formation and characterization of graphitized layers in ion-implanted diamond. Diamond and Related Materials, 1999, v. 8, pp. 1631-1634.

4. A.A. Gippius, R.A. Khmelnitsky, V.A. Dravin, A.V. Khomich. Defect-induced graphitisation in diamond implanted with light ions. Physica B, 308-310 (2001), pp. 573-576.

5. Клоков А.Ю., Шарков A.M., Галкина Т.И., Хмельницкий P.A., Дравин В.А., Гиппиус А.А. Болометрический приемник, встроенный в объем алмаза. Письма в Журнал Технической Физики, 2001, 27(14), 21-24.

6. A.I. Sharkov, T.I. Galkina, A.Yu. Klokov, R.A. Khmelnitskii, V.A. Dravin, A.A. Gippius. Fastspeed bolometric detector based on graphitized layer buried into a diamond bulk. Vacuum, 2002, vol. 68, pp. 263-267.

7. A.A. Gippius, R.A. Khmelnitsky, V.A. Dravin, A.V. Khomich. Diamond-graphite transformation induced by light ions implantation. Diamond and Related Material, 2003,12 (1011), pp. 538-541.

8. Т.И. Галкина, А.Ю. Клоков, А.И. Шарков, A.A. Гиппиус, Р.А. Хмельницкий, В.А. Дравин. «Алмазный детектор», заявка на изобретение № 2001130160/28(032348) от 09.11.2001, положительное решение от 13.01.2003.

9. R.A. Khmelnitskiy, E.V. Zavedeev, A.V. Khomich, A.V. Gooskov, A.A. Gippius. Blistering in diamond implanted with hydrogen ions. Vacuum, 78 (2005), 273-279.

10. A.V. Khomich, R.A. Khmelnitskiy, V.V. Kononenko, E.V. Zavedeev, S.M. Pimenov, V.G. Ralchenko, V.I. Konov. Comparison of laser and thermal annealing of diamonds implanted with deuterium. Vacuum, 78 (2005), 577-582.

11. A.V. Khomich, V.I. Kovalev, E.V. Zavedeev, R.A. Khmelnitskiy, A.A. Gippius. Spectroscopic ellipsometry study of buried graphitized layers in the ion-implanted diamond. Vacuum, 78 (2005), 583-587.

12. A.B. Хомич, Р.А. Хмельницкий, В.А. Дравин, A.A. Гиппиус, Е.В. Заведеев, И.И. Власов. Радиационное повреждение в алмазах при имплантации гелия. Физика твердого тела, 2007, т. 49, вып. 9, с. 1585-1589.

5.4. Благодарности

Выражаю признательность моему научному руководителю профессору, д.ф.-м.н. А. А. Гиппиусу за направляющие усилия и плодотворное обсуждение результатов работы. Выражаю благодарность

- н. с. В. А. Дравину за проведение имплантаций;

- к.ф.-м.н. А. В. Хомичу за оптические измерения и постоянное творческое взаимодействие;

- аспиранту Е. В. Заведееву за профилометрические измерения;

- к.ф.-м.н В. Г. Ральченко за предоставление поликристаллических образцов;

- к.ф.-м.н И. И. Власову за измерения комбинационного рассеяния и электронное облучение образцов;

- к.ф.-м.н О. Е. Омельяновскому за низкотемпературные электрические и магнитные измерения;

- оптику Черкашину А. И. за резку, шлифовку и полировку образцов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Хмельницкий, Роман Абрамович, 2008 год

1. Д.Ф. Федосеев, H.B. Новиков, A.C. Вишневский, И.Г. Теремецкая. Алмаз. Справочник. Наукова думка. 1981.

2. Properties of Diamond /Ed. by J.E.Field — London: Acad, press, 1979

3. Орлов Ю.JI. Минералогия алмаза. М. 1984

4. Природные и синтетические алмазы. Г.Б. Бокий, Г.Н. Безруков, Ю.А. Клюев, A.M. Налетов, В.И. Непша. М. 1986

5. Вавилов B.C., Гиппиус А.А., Конорова Е.А. Электрические и оптические процессы в алмазе. М. 1985

6. Дж. Мейер, JI. Эриксон, Дж. Дэвис. Ионное легирование полупроводников. М. 1973

7. J. Koike, D.M. Parkin, Т.Е. Mitchell. Displacement threshold energy for type Ha diamond. Appl. Phys. Lett. 60(1992) 1450

8. E. Friedland, J.P.F. Sellschop. Temperature dependence of critical damage energies in diamond. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B. 191 (2002) 17-21

9. D.V. Morgan. Channeling. Wiley, N.Y., 1973

10. S.J. Breuer, P.R. Briddon. Ab initio investigation of the native defects in diamonds and self-diffusion. Phys. Rev. B. 51, 6984, (1995)

11. D.J. Twitchen, M.E. Newton, J.M. Baker, O.D. Tucker, T.R. Antony, W.F. Banholzer. Electron-paramagnetic-resonance measurements on the di-<001>-split interstitial center (Rl) in diamond. Phys. Rev. B. 54, 6988, (1996)

12. Campbell, В., Choudhury, W., Mainwood, A., Newton, M., Davies, G. Lattice damage caused by the irradiation of diamond. Nucl. Istrum. Meth. Phys. Res. B, vol.476, no.3 (2002) p.680-685

13. M. E. Newton, B. A. Campbell, D. J. Twitchen, J. M. Baker, T. R. Anthony. Recombination-enhanced diffusion of self-interstitial atoms and vacancy-interstitial recombination in diamond. Diamond and Related Materials. 11 (2002), 618.

14. G. Davies, H. Smith, H. Kanda. Self-interstitial in diamond. Phys. Rev. В. V. 62, n. 3 (2000) 1528-1531

15. G. Davies, S.C. Lawson, A.T. Collins, A. Mainwood, S.J. Sharp. Vacancy-related centers in diamond. Phys. Rev. В. V. 46, n. 20 (1992) 13157-13170

16. J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Solids. Pergamon. N.Y.1985

17. Prins J.F.J. Ballistic self-annealing during ion implantation. J. Phys. D: Appl. Phys. 34 (2001) 3003-30

18. R.A. Khmelnitskiy, V.A. Dravin, A.A. Gippius. Optical Studies of Graphitized Layers in Ion-Implanted Diamond. J. Chem. Vapor Depos. 5 (1996) 121.

19. G. Braunstein, R. Kalish. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. 182-183, 691 (1981)

20. S. Sato, M. Iwaki. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 32, 145 (1988)

21. J.F. Prins. Rad. Eff. Lett. 76, 79 (1983)

22. J.W. Steeds, T.J. Davis, S.J. Charles, J.M. Hayes, J.E. Butler. 3H luminescence in electron-irradiated diamond samples and its relationship to self-interstitials. Diamond and Related Materials. 8 (1999) 1847-1852

23. Sullivan P.A., Baragiola R.A. Ion beam induced luminescence in natural diamond. Journal of Applied Physics, vol. 76, no. 8, 10/1994, p. 4847-4852

24. И.М. Дремин, O.B. Иванов, B.A. Нечитайло, H.M. Соболевский, A.B. Субботин, В.П. Шевелько. Каскады атомных смещений в твердом теле. Динамическая стадия. ЖЭТФ, 125 (2004)

25. N. Wada, P.J. Gaczi, S.A. Solin. J. Non-Cryst. Solids 35-36, 543 (1980)

26. M. S. Dresselhaus, R. Kalish. Ion Implantation in Diamond, Graphite and Related Materias. 1992.

27. C.Z. Wang, K.M. Ho. Phys. Rev. Lett. 71, 1184 (1993)

28. J.O. Orwa, K.W. Nugent, D.N. Jamieson, S. Prawer. Raman investigation of damage caused byideep ion implantation in diamond. Phys. Rev. B, v. 62, n. 9, Sept. 2000.

29. S. Yugo, T. Kimura. Jpn. J. Appl. Phys. 22, 1738 (1983)

30. D. McCulloch, S. Prawer, D. Sengupta: in Surface Chemistry and Beam-Solid Interactions, ed. by H. Atwater, D. Lowndes. MRS Proc. 201, 301 (1990)

31. Vavilov V.S., Krasnopevtsev V.V., Milyutin Yu.V., Gorodetsky A.E., Zakharov A.P. Radiat. Eff. 22, 141 (1974)

32. S. Prawer, R. Kalish. Ion-beam-induced transformation of diamond. Phys. Rev. В., v. 51 (1995), n. 22, p.15711-15722

33. J.F. Prins. С'-damaged diamond: electrical measurements after rapid thermal annealing to 500°C. Diamond and Related Materials. 10 (2001) 463-468

34. Kalish. R., Reznik. A., Nugent. K.W., Prawer. S. The nature of damage in ion-implanted and annealed diamond. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B. 148, n. 1-4, (1999) 626-633

35. Prins, J.F., Deny, Т.Е. Radiation defects and their annealing behaviour in ion-implanted diamonds. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, v. 166-167, (2000) p. 364-373

36. J.F. Prins. Nucl. Insrum. Meth. B. 80/81 (1993) 1433

37. F.F. Morehead, Jr and B.L. Crowder. Radiat. Eff. 6,27 (1970)

38. J.F. Prins. Graphitization and related variable-range-hopping conduction in ion-implanted diamond. J. Phys. D: Appl. Phys. 34 (2001) 2089-2096

39. E. Baskin, A. Reznik, D. Saada, J. Adler, R. Kalish. Model for the defect-related electrical conductivity in ion-damaged diamond. Phys. Rev. В, V. 64, 224110 (2001)

40. G. Ramos, B.M.U. Scherzer. Radiation damage, trapping release of deuterium in diamond and HOPG-graphite. Nucl. Istrum. Meth. Phys. Res. B, v. 174 (2001) 329-336

41. G. Braunstein, A. Talmi, R. Kalish, T. Bernstein, R. Baserman. Rad. Eff. 48, 139 (1980)

42. G. Braunstein, R. Kalish. J. Appl. Phys. 54, 2106 (1983)

43. P.F. Lai, S. Prawer, L.A. Bursill. Recovery of diamond after irradiation at high energy and annealing. Diamond and Related Materials. 10 (2001), 82.

44. D.C. Hunt, D.J. Twitchen, M.E. Newton, J.M. Baker, T.R. Antony, W.F. Banholzer. Identification of the neutral carbon <100>-split interstitial in diamond Phys. Rev. B, 61 (2000) 3863

45. J.F. Prins, Т.Е. Derry, J.P.F. Sellschop. Volume expansion of diamond during ion implantation. Phys. Rev. В. V. 34, n. 12, 8870-8874 (1984)

46. S.K. Sharma, H.K. Mao, P.M. Bell, and J. A. Xu. J. Measurement of Stress in Diamond Anvils with Micro-Raman Spectroscopy. J. Raman Spec. 16, 5 (1985) 350-352

47. B. Liu, G.S. Sandhu, N.R. Parikh, M.L. Swanson. Nucl. Istrum. Meth. Phys. Res. B, v. 45 (1990) 420

48. A Uedono, К Mori, N Morishita, H Itoh, S Tanigawa, S Fujii, S Shikata. Annealing behaviours of defects in electron-irradiated diamond probed by positron annihilation. J. Phys.: Condens. Matter 11 (1999) 4925-4934.

49. A.H. Бехтерев, Б.М. Золотарев. Оптико-механическая промышленность. 12 (1986) 41. 54. J. М. Zhang, Р. С. Eklund, J. Mater. Res. 2, No. 6, (Nov/Dec 1987) 860.

50. P. Gonon, S. Prawer, D.N. Jamieson, K.W. Nugent. Radiation hardness of policrystalline diamond. Diamond and Related Materials. 6(1997) 314-319

51. P. Аззам, H. Башара. Элчипсометрия и поляризованный свет. М., 1981

52. Kovalev V.I., Kuznetsov P.I., Jitov V.A., Zakharov L.Yu., Rukovishnikov A.I., Khomich A.V., Yakushcheva G.G., Gaponenko S.V. J. Appl. Spectr. 2002;69:258-267.

53. Palik E. In: Handbook of optical constants of solids. Boston. MA: Academic Press, 1991, pp. 171172.

54. Gippius A.A., Khmelnitsky R.A., Dravin У.А., Khomich A.V. Diamond-graphite transformation induced by light ions implantation. Diam. & Rel. Materials 2003;12:538-541.

55. D.A.G. Bruggeman. Ann. Phys., 5, 636 (1935)

56. J. M. Zhang, P. С. Eklund. Optical transmission of compounds. J. Mater. Res.,vol. 2, No. 6, Nov/Dec 1987

57. A. Reznik, V. Richter, R. Kalish. The re-arrangement of broken bonds in damaged diamond: graphitization versus annealing back to diamond. Diamond and Related Materials, 7(1998) 317321.

58. T.I.Galkina, A.I.Sharkov, A.Yu.Klokov, R.A.Khmelnitsky, V.A.Dravin and A.A.Gippius. Nonequilibriwn acoustic phonons in diamond: generation, scattering, reflection. Physica В., 1999, vol.263-264, pp.730-732.

59. Клоков А.Ю., Шарков A.M., Галкина Т.И., Хмельницкий P.A., Дравин В.А., Гиппиус А.А. Болометрический приемник, встроенный в объем алмаза. Письма в Журнал Технической Физики, 2001, 27(14), 21-24

60. Т.И. Галкина, А.Ю. Клоков, А.И. Шарков, А.А. Гиппиус, Р.А. Хмельницкий, В.А. Дравин. «Алмазный детектор», заявка на изобретение № 2001130160/28(032348) от 09.11.2001, положительное решение от 13.01.2003

61. Sellschop J.P.F., Madia С.С.Р., Annegarn H.J. Nucl. Istrum. Meth., v. 168 (1980), p. 529

62. V. Ralchenko, A. Khomich, R. Khmelnitskii, A. Vlasov. Hydrogen incorporation in CVD diamond films. Hydrogen Materials Science and Chemistry of Metal Hydrides, 2002, pp. 203-212

63. A. Khomich, V. Ralchenko, L. Nistor, I. Vlasov, R. Khmelnitskiy. Optical Properties and Defect Structure of CVD Diamond Films Annealed at 900-1600 °C. Phys. Stat. Sol. (a) 181 (2000)

64. Q.-Y. Tong, K. Gutjahr, S. Hopfe, U. Gosele, T.-H. Lee. Layer splitting process in hydrogen-implanted Si, Ge, SiC and diamond substrates. Appl. Phys. Lett. 70 (11) March 1997, p. 1390.

65. В. В. Козловский, В. А. Козлов, В. H. Ломасов. Модифицирование полупроводников пучками протонов. ФТП, 2000, том 34, вып. 2, стр. 129.

66. S.Zh. Tokmoldin, B.N. Mukashev. Defects agglomeration in the vicinity of hydrogen-related vacancy-type complexes in proton-implanted silicon. Physica B, 308-310 (2001) 167-170

67. A. V. Khomich, V. G. Ralchenko, A. V. Vlasov, R. A. Khmelnitskiy, 1.1. Vlasov, V. I. Konnov. Effect of high temperature annealing on optical and thermal properties of CVD diamond. Diam. and Rel. Mat. 10(2001), 546.

68. E. Sideras-Hadat, S.H. Conell, J.P.F. Sellschop, I.Z. Machi, D. Rebuli, R.D. Maclear, B.P. Doyle. Hydrogen and oxygen chemistry and dynamics in diamond studied by nuclear microscopic techniques. Nucl. Instr. and Meth. В 181 (2001) 419-425.

69. M.Seal, Graphitization and plastic deformation of diamond, Nature, v. 182 (1958) 1264-126797

70. A.C. Вольмир. Гибкие пластинки и оболочки. М. 1956.

71. С.П. Тимошенко. Пластинки и оболочки. М. Гостехиздат, 1948.

72. С. Saguy, С. Cytermann, В. Fizgeer, V. Richter, Y. Avigal, N. Moriya, R. Kalish, В. Mathieu, А. Deneuville. Diffusion of hydrogen in undoped, p-type and n-type doped diamond. Diamond and Related Materials. 12 (2003), 623-631.

73. S.P. Mehandru, A.B. Anderson, J. Mater. Res. 9 (1994) 383-395.

74. P.R. Briddon, R. Jones, G.M.S. Lister. Hydrogen in diamond. J. Phys. С 21 (1988) LI027.