Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga)As/GaAs гетероструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Муманис Халид

• Муманис Халид
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Муманис Халид

Содержание

Введение

Глава I. Напряженные гетеросистемы с квантовыми ямами

(1п,Са)А8/СаА8 и их свойства

1.1. Напряженные гетеросистемы (1п,Оа)Аз/ОаА8, зонная структура и методы их изготовления

1.1.1. Методы изготовления напряженных гетероструктур (1п,Оа)А8/ОаАз

1.1.2. Зонная структура ЬгОаАз/ОаАБ

1.2. Диамагнитные экситоны в гетеросисгеме (1п,Оа)А8/ОаЛ8

1.3. Квантовые ямы и оптические свойства (1п,Оа)Аз/ОаА8

1.3.1. Квантовые ямы в (1п,Оа)Аб/ваАэ

1.3.2. Оптические свойства (1п,Оа)А8/ОаА8

1.4. Эффект "кулоновской ямы" и эффекты деформации

1.4.1. Эффект "кулоновской ямы"

1.4.2. Эффекты деформации

Глава II. Техника экспериментального исследования

ПЛ. Образцы квантово-размерных гетероструктур ГпОаАз/СаАз, применение рентгеновских измерений для определения их параметров

и кристаллического совершенства

II. 1.1. Рентгено дифракционный метод исследования

эпитаксиальных структур

И. 1.2. Результаты рентгеновских измерений

II. 1.3. Методика определения параметров квантово-размерных

гетероструктур 1пОаАз/ОаА8

11.2. Экспериментальная установка для исследования оптических и магнитооптических свойств при низких температурах

11.3. Методика обработки оптических и магнитооптических данных и расчета энергетических спектров

И.3.1. Получение спектров поглощения из спектров пропускания

II.3.2. Контурный анализ и обработка спектров на ЭВМ

Глава III. Экспериментальные результаты

III. 1. Спектры оптического поглощения InGaAs/GaAs в диапазоне составов х=0.03-й).25 и в диапазоне толщин квантово-размерново слоя Lz=Зч-Юнм

111.2. Магнитооптическое поглощение в структурах InGaAs/GaAs

111.3. Веерные диаграммы экситонных переходов легкой и тяжелой дырок

Глава IV. Анализ результатов: тяжелые дырки. Циклотронная масса тяжелых дырок в системе InGaAs/GaAs

IV. 1. Модель бесконечно глубокой потенциальной ямы

IV.2. Массы подзон размерного квантования с учетом туннелирования легких дырок при деформации пленки в системе InGaAs/GaAs

IV. 3. Уровни Ландау электронов и тяжелых дырок, расчет эффективных масс, энергетических зазоров

Глава V. Анализ результатов: легкие дырки. Эффект "кулоновской ямы"

V.I. Экситонная структура спектров поглощения и магнитопоглощения в близи перехода тип I-тип II

V.2. Аномальное поведение экситонов на легких дырках и восстановление реальной формы "кулоновской ямы" в системе InGaAs/GaAs

V.2.1. Оценка ширины "кулоновской ямы"

V.2.2. Осцилляторные уровни кулоновской ямы

Заключение

Список литературы

Приложение

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga)As/GaAs гетероструктур»

ВВЕДЕНИЕ

Развитие современной науки и техники, требующей создания широкой номенклатуры полупроводниковых приборов с определенными параметрами, вызывает необходимость всестороннего изучения свойств полупроводниковых материалов. С другой стороны, успешное развитие теории твердого тела не может быть осуществлено без комплексного исследования зависимости этих свойств как от особенностей внутреннего строения веществ, так и от всевозможных внешних воздействий.

Среди основных методов изучения свойств полупроводниковых кристаллов одно из первых мест принадлежит оптическим методам. Оптические исследования с большой точностью позволяют определить многие параметры внутреннего строения кристаллов, качественные и количественные характеристики влияния на свойства полупроводников внешних полей и воздействий. Как показала практика подобных исследований, особенно плодотворными оказались низкотемпературные оптические методы.

Оптическая спектроскопия полупроводников, основанная на исследовании взаимодействия света с кристаллами, сыграла основную роль в развитии представлений о строении и уровнях энергии собственных состояний вещества. Методы оптической спектроскопии оказались незаменимыми при изучении края собственного поглощения полупроводников. Исследование энергетического положения спектральных линий и их формы дает важную информацию о структуре энергетических зон и энергетических состояний носителей тока в полупроводниках.

При обсуждении оптических, фотоэлектрических и других свойств кристаллов широко используется представление об экситонах. Изучение оптических спектров экситонов позволяет получать уникальную информацию об энергетической структуре кристаллов. Кроме того,

экситонные состояния весьма восприимчивы к внешним воздействиям, что лежит в основе разнообразных чувствительных методов, применяющихся для исследования полупроводников.

Основным объектом для оптических исследований, описанных в данной диссертации, послужили полупроводниковые гетероструктуры в системе ГпСаАз/ОаАз. Оптические свойства соединений А3В5 неизменно вызывают большой интерес у исследователей. Интерес к данным материалам объясняется их широким использованием в современной нано - и оптоэлектронике. Широкие пределы изменения параметров кристаллической

"5 с

решетки и ширины запрещенной зоны твердых растворов А В позволяют создавать оптоэлектронные приборы, работающие во всей видимой и ближней ИК-областях спектра и являющиеся основными рабочими элементами в системах оптической передачи, записи и воспроизведения информации.

С научной точки зрения монокристаллы А3В5 представляют собой также очень интересный объект для экспериментальных и теоретических исследований. Это классические модельные объекты исследования электронных свойств прямозонных кристаллов, на которых были впервые обнаружены и изучены многие фундаментальные свойства экситонных состояний. Благодаря высокому совершенству кристаллической решетки эти кристаллы выделяются также четкостью проявления эффектов.

Настоящая работа посвящена исследованию оптических свойств, связанных с экситонными состояниями в гетероструктурах с квантовыми ямами (1п,Оа)АзЛлаА8 . Особое внимание уделено магнитооптическим явлениям, касающимся поведения диамагнитных экситонов. Сравнение экспериментальных спектров с расчетными энергиями и силами осциллятора различных экситонных состояний вблизи перехода тип I - тип II позволит нам предложить модель трансформации оптических свойств при превращении глубокой гетероструктуры типа II в гетероструктуру первого

типа. Такая трансформация сопровождается изменением характера оптических переходов в экситонные состояния от пространственно непрямых к прямым. Модель позволяет еще и ряд других деталей энергетического спектра этой перспективной гетероструктуры

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и приложение. Первая глава носит обзорный характер, в ней представлены теоретические и экспериментальные данные по исследованию магнитооптических свойств экситонной системы, определена терминология, и описываются общие свойства экситона, также как и диамагнитного экситона. Рассматриваются проблемы, связанные с анализом спектров диамагнитного экситона при промежуточных магнитных полях. Обсуждаются процессы, происходящие в квантово-размерной гетероструктуре (множественные квантовые ямы), при поглощении света, в том числе и при приложении магнитного поля. Приводятся известные данные, касающиеся параметров экситона и зонных параметров ГпОаАз/ОаАБ.

Во второй главе дано описание методики эксперимента, приведена блок-схема экспериментальной установки для оптических и магнитооптических измерений, содержатся сведения об изучаемых структурах. Приведено подробное описание методики определения состава и геометрических размеров структур с помощью рентгеновских измерений. Определяется способ получения спектров оптической плотности и затем -поглощения из экспериментально измеренных спектров пропускания, анализируются погрешности вычислений, а также детали контурной обработки линий.

В третьей главе изложены экспериментальные результаты с подробным описанием существенных деталей измеренных спектров. Указывается на различие спектров, полученных при измерениях на разных образцах и в различных геометриях измерений.

В четвертой главе подробно обсуждено влияние гофрировки и деформации на поведение масс в подзонах гетероструктур типа 1пОаА8/ОаА8, вычисляется циклотронная масса тяжелых дырок и ее зависимость от состава. Определены уровни Ландау электронов и тяжелых дырок, и приведены полученные значения эффективных масс и энергетических зазоров.

В пятой главе проведен анализ оптических и магнитооптических данных, касающихся легких дырок. В первом параграфе описана экситонная структура спектров поглощения и магнитопоглощения пленок 1пОаАз/ОаАз в близи перехода тип 1-тип II. Во втором параграфе, обсуждается аномальное поведение экситонов на легких дырках в напряженных гетероструктурах ГпОаАз/ОаАз, и приводятся результаты магнитооптического эксперимента. Выполняется восстановление реальной формы "кулоновской ямы" в системе ТпСаАз/СаАя.

В заключении диссертации сформулированы основные результаты выполненных исследований.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Напряженные гетероструктуры 1пхОа1.хА8/ОаАз на подложке ОаАэ являются гетеросистемами смешанного типа (тип I для электронов и тяжелой дырки, тип II для электронов и легкой дырки) для всего диапазона устойчивых составов 0<х<0.25. Вершина зоны легких дырок в слое ямы (1пОаАз) во всем этом диапазоне ниже барьера, максимальное заглубление при х=0.05-^-0.20 составляет 5-^7мэВ;

2. Несмотря на реализацию гетероперехода II для легкой дырки, оптические переходы в экситонные состояния не становятся пространственно непрямыми, но остаются прямыми, и происходят из осцилляторных состояний кулоновской ямы, которая образуется за счет кулоновского притяжения легких дырок к электрону, локализованному в яме;

3. Наиболее интенсивные линии переходов легкой дырки являются

дублетом, принадлежащим переходам с осцилляторных уровней п=0 и п=2 кулоновской ямы. Переходы с кулоновской ямы не формируют типичной веерной диаграммы в сильном магнитном поле В, положения максимумов слабо зависят от В;

4. В отличие от легких дырок, поведение экситонов с тяжелой дыркой вполне типично для магнитоэкситонов (ДЭ). Первоначальный диамагнитный сдвиг, пропорциональный квадрату магнитного поля, при достижении условия сильного поля сменяется линейным, характерным для уровней Ландау (диамагнитного экситбна). Расчет энергий связи позволяет реконструировать положения переходов между подзонами Ландау и рассчитать приведенные массы электрона и дырки, а также точное положение квантово-размерных уровней;

5. Эффективные массы тяжелых дырок в ямах напряженных гетероструктур (1п,Оа)А8/ОаА8 не составляют величины ~(у1+у)"1т0, но приближаются к ~(у1-2уу1Шо, характерному для объемного материала, что связано с "уходом" легких дырок из ямы;

6. Высота кулоновской ямы У0=14-г19мэВ, оценена непосредственно из эксперимента, изменятся от 0 при х=0 до максимального теоретического значения при х=0.05 и остается таковой до х<0.25. В лучших образцах возможно наблюдение до шести осцилляторных уровней.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Муманис Халид, 1999 год

Список литературы

'Под редакцией Л.Ченга и К.Плога, молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, издательство "Мир" 1989.

2 К. Lizuka, М. Hasobe, A. Nomura, Т. Suzuki. Superlattices and Microstructures, V.6,N.l, pp.l3-15 (1989).

3 Никитин Л.П., Русанов И.Б., Сейсян Р.П. и др. ФТП, 1982, т. 16, стр. 1377

4 Cardona М., Christerisen N.E., Fasol G, Phys. Rev.B, 1988, V.38, N.3, p. 18061827

5 Gilleo M.A., Bailey P.T, Hill D.E., Phys. Rev, V.174, p.898 (1969)

6 Luttinger J.M, Kohn W, Phys. Rev, V.97, p.869 (1955)

7 K.Hess, D.Bimberg, N.Lipari, J.U.Fishbach, M.Altarelli, Proc. 13th Int. Conf. Phys. Semicond, Rome, Italy (ed. By F.G.Fumi), 142

8 D.Bimberg, In: Advances in Solid State Physics, ed. By J.Treusch (Vieweg/Pergamon, Braunschweig), v.XVII, 195 (1977).

9 J.P.Reithmaier, R.Hoger, and H.Riechert, A.Heberle, G.Abstreiter, and G.Weimann. Appl. Phys. Lett. Vol.56, N.6, 1990.

10 M.P.C.M.Krijn. Semicond. Sci. Technol. 6, 27 (1991)

11 K.H.Goetz, D.Bimberg, H.Jurgensen, J.Selders, A.V.Solmonov, G.F.Glinskij, M.Razeghi. J. Appl. Phys. Vol.54, 4543, 1983.

12 Никитин Л.П, Русанов И.Б, Сейсян Р.П, Язева Т.В. ФТТ, Т.24, В.11, стр.3453-3456 (1982).

13 Канская Л.М, Кохановский С.И, Сейсян Р.П. ФТТ, Т. 17, В.4, стр.718-720 (1983).

14 S.H.Pan, H.Shen, F.H.Pollak, Z.Hang, W.Zhuang, Q.Xu, A.P.Roth, R.A.Masult, C.Lacelle, D.Morris. Fishery В Vol.38, N.5, p.3375, 1988.

15 G.N.Aliev, N.V.Luk'yanova, R.P.Seisyan. Phys. Solid State, 1996, V.38, N 4, pp.590-594. ФТТ, 1996, T.38 , N.4, C.1067-1075.

16 Pidgeon С., Groves S., Feinleib J. Solid State Communication. V.5, N.2, pp.677-689(1967).

17 Halpern J., Lax B. J. Phys: A. Chem. Solids, V.26, pp.911 (1965).

18 Reine M., Aggarval R., Lax B. Sol. St. Commun. V.5, N.l, pp.35-39 (1970).

19 Ogg N.R., Proc. Phys. Soc. 89, 431 (1966)

20 Wannier G. Phys. Rev., v.52, p. 191 (1937).

21 Mott N.F. Trans. Faraday Soc., v.34, p.500 (1938).

22 Loudon R. Amer. J. Phys., v.27, p.649 (1959).

Абдуллаев M.A., Гореленок A.T., Кохановский С.И., Макушенко Ю.М., Пуляевский Д.В., Сейсян Р.П., Штенгель К.Э. ФТП 1989, Т.23, В.2, стр.201206.

24 Dolopolskii V. P., Seisyan R.P., Efros AI. L. Phys. Solids State B88, K177 (1978).

25 Pidgeon C. R., Brown R. N. Phys. Rev., v.146, p.575 (1966).

26 Reine M., Aggarwal R. L.; Lax B. Phys. Rev., v.B5, p.3033 (1972).

27 Aggarwal R. L. In: Semicond. A Semimet. V.9, p.151 (1973).

28 E. M. Лифшиц, Л. M. Питаевкий. Москва "Наука", стр.271 (1978).

29 Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Москва "Мир", стр.19, т.27 (1985).

30 G. Bastard, J. Lumin. 30, 488 (1985).

31 G. Bastrad, Phys. Rev. B24, 5693 (1981); B25, 7594 (1982).

32 Y. Takahashi, S. Owa, S.S. Капо, K. Mukari, S. Fukatsu, Y. Shiraki, R. Ito. Appl. Phys. Lett., V.60, N.2, pp.213-215 (1992).

33 См. Обзор электр. Св-в 2D системы в T.Ando, A.B.Fowler, F.Stern, Rev. Mod. Phys. 54,437(1982).

34 M. Shinada, S. Sugano, J. Phys. Soc. Jpn.21, 1936 (1966).

35 F. Stern, W. E. Howard, Phys. Rev. 163, 816 (1967).

36 R.L.S. Devine, W.T. Moore. Journal of Applied Physics, V62, Iss. 9, pp.39994001 (1987).

37 Т.Е. Vaneck, W.S.C. Chang, P. Chu, H.H. Wieder. Appl. Phys. Lett., V49, Iss. 3, pp.135-136 (1986).

381.J. Fritz, R.M. Biefeld, B.L. Doyle, T.J. Drummond, G.C. Osbourn. Appl. Phys. Lett. V48, Iss. 23, pp.1606-1608 (1986)

39 Т.Е. Vaneck, W.S.C. Chang, P. Chu, H.H. Wieder. Journal of the Optical Society of America A-Optics and Image Science. V3, Iss. 13, pp. P82-P83 (1986).

40 M.K. Chin, S. Niki, H.H. Wieder, W.S.C. Chang. Electronics Letters, V.28, N.12, pp. 1085-1087(1992).

41 W. Trezeciakowski, A.P. Roth. Superlattices and Microstructures, V.6, N.3, pp.315-318 (1989).

42 E.A. Fitzgerald, D.G. Ast, P.D. Kirchner, G.D. Pettit. Journal of Applied Physics, V63, Iss.3, pp.693-703 (1988)

43 Р.П.Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов. М. Наука (1984).

44 Зейтц Ф. Современная теория твердого тела- М. JI. Гостехиздат, 1949, стр.612.

45 R.P.Seisyan, A.V.Kavokin, S.I.Kokhanovskii, A.I.Nesvizhskii, M.E.Sasin, M.A.Sinitsin, B.S.Yavich. Semicond. Sci.& Technol. 10, 611(1995).

46 A.V.Kavokin, S.I.Kokhanovskii, A.I.Nesvizhskii, M.E.Sasin, R.P.Seisyan, A.P.Egorov, A.V.Zhukov, V.M.Ustinov. Fiz. Tekh. Poluprov. 1997 [S emiconductor s].

47 Al.L.Efros. Fiz. Tekh. Poluprov. 20, 128 (1986) [Sov. Phys. Semicond. 20 808 (1986)].

48 X.M. Fang, X.C. Shen, H.Q. Hou, W. Feng, J.M. Zhou, F. Koch. Surf. Sei., 228, 351 (1990).

49 Y.S. Huang, H. Qiang, F.H. Pollak, G.D. Pettit, P.D. Kirchner, J.M. Woodall, H. Stiagier, L.B. Sorensen. J. Appl. Phys., 70, 7537 (1991).

50 A.V.Kavokin, M.A.Kaliteevski, S.V.Goupalov, J.D.Berger, O.Lyngnes, H.M.Gibbs, G.Khitrova, A.Ribayrol, A.Bellabchara, P.Lefebvre, D.Coquillat, J.P.Lascarav. Phys.Rev. В 54, R11078 (1996).

51 A.B. Кавокин, А.И. Несвижский, Р.П. Сейсян. ФТП, 27, 977(1993).

52 P.L. Gourley, L.R. Dawson, I.J.Fritz. Appl. Phys. Lett. V52, Iss. 5, pp.377-379 (1988).

53 Г. Л. Бир, Г. E. Пикус. Москва "Наука". Главная редакция физика-математической литературы, 1972.

54 D.J. Arent, G.Borghs, J.DeBoeck, K.Deneffe, C.Van Hoof. Journal of the electrochemical Society. V.135, Iss.8, pp.C378-379 (1988).

55 D.J.Arent, S. Nilsson, H.P. Meier, Y.D. Galeuchet, W. Walter. Appl. Phys. Lett., V55, N25, pp.2611-2613 (1989).

56 K.H. Chang, P.K. Bhattacharya, R. Gibala. Journal of Applied Physics, V66, N.7, pp2993-2998 (1989).

57 H. Dai, S. Janz, R. Normandin, J. Nielsen, F. Chatenoud, R. Williams. IEEE Photonics Technology Letters, V.4, N.8, pp.820-823 (1992).

58 D.J.Arent, K.Deneffe, C.Van Hoof, J.De Boeck, and G.Borghs. J.Appl.Phys. V.66,N.4, 1989.

59 J.W.Matthews and A.E.Blakeslee. J.Cryst.27, 118, 1974.

60 G. Ji, T.S. Henderson, D. Huang, H. Morkoc, U.K. Reddy, H. Unlu. Journal of Vacuum Science and Technology B-Microelectronics Processing and Phenomena, V5, Iss. 5, pp.1346-1352 (1987).

61 J.Y.Marzin, M.N.Charasse and B.Sermage. Phys.Rev.B, 31, p.8298, 1985.

62 Y.S.Huang, H.Qiang, F.H.Pollak, G.D.Pettit, P.D.Kirchener, J.M.Woodall, H.stiager, L.B.Sorensen. J.Appl.Phys. Vol.70, N12, p.7537-7542, 1991.

63 D.J.Arent, K.Deneffe, C.Van Hoof, J.De Boeck, R.Mertens, G.Borghs. Band structure engineering in semiconductor microstructures Series B. Phys.Vol.189, 1988.

64 R.L.S.Devine and W.T.Moore. Solid State Communications, Vol.65, N.3, pp. 177-179, 1988.

65 D.N.Mirlin, V.F.Sapega, A.A.Sirenko, and M.Cardona, and K.Ploog. Semiconductors Vol.27, N.6, 1993.

66 N.G.Anderson, Y.C.Lo and R.M.Kolbas. Materials Research Society Symposum Procedures Vol.77, 1987.

67 M. Sato, Y. Horikoshi. Japanese Journal of Applied Physics Part2-Letters, V27, Iss.l 1, pp.2192-2194 (1988).

68 M.Quillec, L.Goldstein, G.LeRoux, J.Burgeat, and J.Primot. J. Appl. Phys. 55, 2904 (1984).

69 R.L.S. Devine, W.T. Moore. Solid State Communications, V65, Iss.l, pp. 19-21 (1988).

70 Hua and all. Appl.Phys.Lett. Vol.53, N.12, 1988.

71 L.J.Fritz, B.L.Doyle, T.J.Drummond, R.M.Biefield, and G.C.Osborn, Appl. Phys. Lett. 48, 1606(1986).

72 J.Menedez, a. Pinczuk, D.J.Werder, S.K.Sputz, R.C.Miller, D.L.Silvco, and A.Y.Cho, Phys. Rev. B36, 8165 (1987).

73 R. Grey, J.P.R. David, P.A. Claxton, J. Woodhead, F.G. Sanz. Journal of Applied Physics, V.66, N.2, pp.975-977 (1989).

74 T. Anan, K. Nishi, S. Sugou. Appl. Phys. Lett., V.60, N.25, pp3159-3161 (1992).

75 W.Potz and D.K.Ferry, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1006 (1986).

76 F.H.Pollak and M.Cardona, Phys. Rev. 172, 816 (1968).

77 T.P. Pearsall, F.H.Pollak, J.C.Bean, and R.Hull, Phys. Rev. B33, 6821 (1986) and references therein.

78 J.Y.Marzin, in Heterojunctions and Semiconductor Superlattices, edited by G.Allan, G.Bastard, N.Boccara, M.Lannoo, and M.Voos (Springer, Berlin, 1986), p.161.

*7Q

Landolt-Bornstein, Numerical Data and Functional Relationsships in Science and Technology, New Series, edited by K.H.Hellwege, Vol. 17a, (Springer, Berlin, 1982).

80 C.T.Liu, S.Y.Lin, D.C.Tsui, H.Lee, and D.Ackley, Appl. Phys. Lett. 53, 2510 (1988).

81 S.Adachi, J. Appl. Phys. 53, 8775 (1982).

82 D. Lancefield, W. Batty, C.G. Crooks, E.P. Oreilly, A.R. Adams, K.P. Homewood, G. Sundaram, R.J. Nicholas, M. Emeny, C.R. Whitehouse. Surface Science, V.229, N.l-3, pp. 122-125 (1990).

83 S. Fujita, T. Uemura, M. Tabuchi, Y. Takeda, A. Sasaki, S. Noda, Y. Nakaoka. Journal of Crystal Growth, V.95, N.l-4, pp.224-227 (1989).

84 J.W.Matthews and A.E.Blakeslee, J.Cryst. Growth 32, 216 (1976)

85 J.M.Gerard, J.Y.Marzin and J.Primot. Journal de Physique, C5-169, Colloques C5, supplement au N11, T.48 (1987).

86 Y.C. Chen, P.K. Bhattacharya, J. Singh. Journal of Vacuum Science and Technology B-Microelectronics Processing and Phenomena, V.10, N.2, pp.769771 (1992).

87 H.Onda, H.Uenohara, F.aakoyoma and K.Iga. Japanese Journal of Appl. Phys., Vol27, N3,438-439 (1988).

88 P.Auvray, M.Baudet, A.Regreny, A.Poudoulec and B.Guenais. Journal de Physique, Colloque C5, 105-108 (1987).

89 A.Chomette, B.Deveaud, A.Regreny and G.Bastard. Phys. Rev. Lett. 57, 1464 (1986).

90 P.F.Fewster, Curling - Composition and lattice - mismatch measurement of thin semiconductor layers by X - ray diffraction - J.Appl.Phys. 62(1987), p.4154

91 D.K.Bowen. B.K.Tanner, - New methods for accurate comparison of lattice parameters, - Advances in X-ray Analysis, 37(1994), p. 123

92 L.Goldstein, M.Quillec, K.Rao, P.Henoc, J.M.Masson and J.Y.Marzin. International Conference on Epitaxial Growth, Perpignan 1982; J. Phys. (Paris) 12, C5, 201 (1982).

93 M.C.Joncour, M.N.Charasse and J.Burgeat.J. Appl. Phys. Vol.58, N9, 33733376 (1985).

94 Сена JI.А. Единицы измерения физических величин и их размерности. 2-е издание, перераб., М.: Наука, 1977.

95 Sell D.D., Stokowski S.F., Dingle R., Dilorenzo J.V.; Phys. Rev., v.83, 4568 (1973).

96 Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М. Наука, стр.368 (1977).

97 K.H.Goetz, D.Bimberg, H.Jur, J.Selders, A.V.Solomonov, G.F.Glinskii, M.Razeghi, and J J.Robin. J. Appl. Phys. 54, 4543 (1983).

98 Y.T.Leu, F.A.Thiel, H.Scheiber, B.I.Miller, and J.Bachmann, J. Electron Matter. 8, 663 (1979).

99 R.E.Nahorey, M.A.Pollack, W.D.Johnston Jr and R.L.Barns, Appl. Phys. Lett.33, 659 (1978).

100 G.N.Aliev, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, M.R.Vladimirova, V.N.Bessolov, H.Gibbs and G Khitrova. Compd. Semicond. 155, 169 (1996).

101 Landoldt-Boernstein. Band-22 Halbleiter, III/22a. Springer-Verlag. Berlin, Heidelberg (1987).

102 N.D.Il'inskaya, S.I.Kokhanovskii, and R.P.Seisyan, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 108 (1993) [Semiconductors 27,57 (1993)].

103 L.G.Gerchikov and A.V.Subashiev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 27, 446-458 (1993) [Semiconductors 27(3), (1993)].

104 U.D. Venkateswaran, L.J. Cui, M. Li, B.A. Weinstein, K. Elcess, C.G. Fonstad, C. Mailhiot. Appl. Phys. Lett., V.56, N.3, pp.286-288 (1990).

105 Л.Г.Герчиков, А.В.Субашиев. ФТП, 25, 231 (1991).

106 A.M.Cohen, G.E.Marques. Phys. Rev. B. 41, 1060 (1990).

107 D.L.Smith, C.Mailhiot. Rev. Mod. Phys., 62, 173 (1990).

108 J.N.Shulman, Y.C.Chang. Phys. Rev. B, 36, 6574 (1986).

109 М.И.Дьяонов, А.В.Хаецкий. ЖЭТФ, 82, 1584 (1982).

110 L.G.Gerchikov, A.V.Subashiev. Phys. St. Sol. (b), 160, 443 (1990).

111 Г.Я.Бир, Г.Е.Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, 584. М. (1972).

112 N.F.Johnson, H.Ehrenreich, K.C.Hass. Phys. Rev. Lett., 59, 2352 (1987)

113 M.P.C.M.Krijin. Semicond. Sc. Tech., 4, 121 (1989)

114 Kh. Moumanis, R.P. Seisyan, S.I. Kokhanovskii, M.E. Sasin. EMRS Spring Meeting in Strasbourg, June 1-4, рр.РЗО, 1999, Busies Thin Solid, Elsevier (to be published).

115 H.Q. Hou, Y. Segawa, J.M. Zhou, Y.Aoyagi, S. Namba. Solid State Communications, V.70, Nil, pp.997-1000 (1989).

116 Гельмонт Б.Л., Сейсян Р.П., Эфрос.Ал.Л., Варфоломеев А.В. ФТП, 1977, Т.11,В.1 Стр.238-248.

117 O.Akimito, H.Hasegawa. J.Phys. Soc. Japan, 22, 181 (1967).

118 Kh. Moumanis, R.P. Seisyan, S.I. Kokhanovskii, M.E. Sasin. Physics and Technology (International Symposium). St.Petersburg, June 14-18, p.382, 1999.

119 Y.T.Dai, J.L.Shen, Y.F.chen, S.Z.Chang and S.C.Lee. Chinese Journal of Physics, Vol.36, N.l (1998).

120 Райх М.Э., Эфрос. Ал.Л. ФТТ. 1988.Т.30, В.6, Стр.1708-1716.

121 Seisyan R.P, Zakharchenya B.P. Diamagnetic exciton spectroscopy of semiconductors. In: Landau Level Spectroscopy, chapter 7, ed. By Rashba E.I., landwehr. G.

122 S.I. Kokhanovskii, Yu.M.Makushenko, R.P.Seisyan, Al.L.Efros, T.V.Yazeva and M.A.Abdullaev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 25, 493 (1991) [Sov. Phys. Semiconductors 25, 298 (1991)].

1 пл

A.Klochikhin, A.Reznitskii, L.Tenishev, S.Permogorov, S.Ivanov, S.Sorokin, Kh.Moumanis, R.Seisyan, C.Klingshirn, Pis'ma ZhETF, to be published.

124 N.J.Pulsford, RJ.Nicholas, R.J.Warburton, M.J.Lawless, G.Duggan, K.J.Moore, K.Woodbridge and C.Roberts. Superlattices and Microstructures, Vol.9, N.4(1991).

125 P.Bigenwald and B. Gil, Solid State Commun. 91(1), 33 (1994). Phys. Semicond. 25, 140(1991)].

126 Y.S.Huang, H.Qiang, F.H.Pollak, G.D.Pettit, P.D.Kirchener, J.M.Woodall, H.stiager, L.B.Sorensen. J.Appl.Phys. Vol.70, N12, pp.7537-7542 (1991).

127 G.Ji, D.Huang, U.K.Reddy, T.S.Henderson, R.Houdre, and Markoc. J. Appl. Phys. 62 (8), 3366-3373 (1987).

128 D.J. Arent, K.Deneffe, C. Van Hoof, G. De Boeck, G. Bords. J. Appl. Phys, 66, 1739(1989).

129 L.P. Gor'kov and I.E. Dzyaloshinskii, Zh. Eksper. Teor. Fiz. 53, 717 (1967) [Sov. Phys. JETP 26, 449 (1967)].

130 Cardona M. and Christensen N E 1988, Phys. Rev. B37, 1011.

131 R.C.Miller, P.A.Kleinman, and A.C.Gossard. Phys. Rev. B29, 7085 (1984).

132 Van de Walle С G 1989 Phys. Rev. B39, 1871.

133 Л.Д. Ландау, E.M. Лифшиц. Квантовая механика (M, Наука, 1974).

134 A. Ribayrol, D. Coquillat, A.V. Kavokin, J.P. Lascaray, H.P. Zhou, C.M. Sottomayor-Torres, B. Lunn, D.E. Ashenford. Proc. 3-d Int. Conf. on Optics of Excitons in Confined Systems (Montpellier, France, 1993).

135 K.Shum, P.P.Ho, and R.R.Alfano. Phys. Rev. B33, 7259 (1986).

136 G. Peter, E. Delepotre, G. Bastard, J.M. Berroir, C. Delalande, B. Gil, J.M. Hong, L.L. Chang. J. Luminesc, 52, 147 (1992).

137 G. Peter, E. Delepotre, G. Bastard, J.M. Berroir, C. Delalande, B. Gil, J.M. Hong, L.L. Chang. Phys. Rev. B, 42, 5891 (1990).

138 G.N.Aliev, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, M.R.Vladimirova, H Gibbs and G Khitrova. Physica Status solidi (a), Vol. 164, No 1, November 16, 1997, pp. 193197.

139 S.I. Kokhanovskii, Kh. Moumanis, R.P. Seisyan, M.E. Sasin. Nanostructures : Physics and Technology (International Symposium). St.Petersburg, June 23-27, 1997, p.69.

140 Kh. Moumanis, R.P. Seisyan, M.E.Sasin, A.V. Kavokin, S.I. Kokhanovskii, Gibbs and G. Khitrova. ФТТ, 1998, том 40, выпуск 5, стр. 797. Phys. of the Solid State, V.40, N.5, p.731, May 1998.

141 K.J.Moore, G.Duggan, K.Woodbridge and C.Roberts. Phys. Rev. B41, 1905 (1990).

142 J.M.Gerard and J.Y.Marzin, Phys. Rev. B40, 6450 (1989).

143 S.I. Kokhanovskii, Kh. Moumanis, M.E. Sasin, R.P. Seisyan, A.V. Kavokin, H.M. Gibbs and G. Khitrova. Phys. Status solidi (a) (Procceedings issue of OECS-5), Vol. 164, No 1, p.67, November 1997.

144 N.J.Pulsford, M.J.Lawless, R.J.Nicholas, G.Duggan, K.J.Moore, C.Roberts, and K.Woodbridge. Superlattices and Microstructures, Vol.8, N.2 (1990).

145 G.Mo and C.C.Sung. Phys. Rev. B38, N3 (1988).

146 R.P.Seisyan, Kh. Moumanis, S.I. Kokhanovskii, M.E. Sasin, A.V. Kavokin, H.M. Gibbs and G. Khitrova. Phys. Rev. В (to be published).