Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Шамирзаев, Тимур Сезгирович

• Шамирзаев, Тимур Сезгирович
• доктор физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Шамирзаев, Тимур Сезгирович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Энергетический спектр гетероструктур на основе бинарных соединений А3-В5

1.1. Методы расчета энергетического спектра гетероструктур

1.2. Результаты расчетов и их обсуждение

1.2.1. Гетероструктуры на основе 1пАэ

1.2.2. Гетероструктуры на основе 1пБЬ

1.2.3. Гетероструктуры на основе СаБЬ

1.2.4. Гетероструктуры на основе 1пР и СаАэ

1.2.5. Гетероструктуры на основе А1БЬ

1.2.6. Обсуждение полученных результатов

1.3. Основные результаты и выводы к главе 1 40 ГЛАВА 2. Формирование квантовых ям в гетеросистемах

1пАз/А1Аз и СаАг/СаР

2.1. Структура и энергетический спектр квантовых ям в гетеросистеме 1пАз/А1Аз

2.1.1. Энергетический спектр квантовых ям,

сформированных в гетеросистеме 1пАз/А1Аз

2.1.2. Синтез структур с квантовыми ямами в гетеросистеме 1пАэ/А1Аз и условия проведения экспериментов

2.1.3. Экспериментальные результаты

2.2. Структура и энергетический спектр квантовых ям в гетеросистеме СаАг/СаР

2.2.1. Синтез структур с квантовыми ямами в гетеросистеме СаАэ/СаР

2.2.2. Энергетический спектр квантовых ям,

сформированных в гетеросистеме СаАэ/СаР

2.3. Основные результаты и выводы к главе 2 77 ГЛАВА 3. Формирование квантовых точек в гетеросистемах

InAs/AlAs, GaSb/AlAs, GaAs/GaP и GaSb/GaP

3.1. Квантовые точки в гетеросистеме InAs/AlAs

3.1.1. Синтез гетероструктур с квантовыми точками 80 InAs/AlAs

3.1.2. Стационарная и нестационарная ФЛ InAs/AlAs КТ

3.1.3. Модели, предлагавшиеся в литературе для объяснения длительной кинетики ФЛ в структурах с КТ InAs/AlAs

3.1.4. Описание длительной кинетики ФЛ в структурах с КТ InAs/AlAs в рамках модели, учитывающей тонкую структуру уровней экситона 8 б

3.1.5. Структура и энергетический спектр квантовых точек

в гетеросистеме InAs/AlAs

3.1.6. Описание ФЛ КТ, сформированных в гетеросистеме InAs/AlAs с учетом энергетического спектра

3.2. Квантовые точки в гетеросистеме GaSb/AlAs

3.3. Квантовые точки в гетеросистеме GaAs/GaP

3.3.1.Синтез структур и методы их исследования

3.3.2. Структура КТ в гетеросистеме GaAs/GaP 142 3.2.3.Энергетический спектр КТ в гетеросистеме GaAs/GaP

3.4. Квантовые точки в гетеросистеме GaSb/GaP

3.4.1. Структура КТ в гетеросистеме GaSb/GaP

3.4.2. Энергетический спектр КТ в гетеросистеме GaSb/GaP

3.5. Основные результаты и выводы к главе 3 171 Глава 4. Динамика электронных возбуждений в ансамблях квантовых точек первого рода с непрямой запрещенной зоной 175 4.1. Захват неравновесных носителей заряда в квантовые точки (In, Al) As/AlAs

4.1.1. Стационарная ФЛ структур с КТ (1п, А1) Аэ/А1Аз и 1пАз/СаАз при низких температурах

4.1.2. Стационарная и нестационарная ФЛ структур с КТ (1п,А1)/А1Аз при различных температурах

4.2. Динамика рекомбинации экситонов в ансамблях КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной

4.2.1. Исследуемые структуры и условия проведения экспериментов

4.2.2. Стационарная ФЛ квантовых точек (1п,А1)Аэ/МАг

4.2.3. Динамика ФЛ КТ (1п, А1) Аэ/МАг при различных уровнях возбуждения

4.2.4. Распределение времен жизни экситонов в ансамбле

КТ (1п,А1)Аз/А1Аз

4.2.5. Влияние структуры гетерограницы (I п, А1) Аэ / А1Аэ

на время жизни экситонов в КТ

4.3. Влияние междуточеных переходов на рекомбинацию экситонов в ансамблях (1п,А1)Аз/А1Аз КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной

4.4. Основные результаты и выводы к главе 4 236 Глава 5. Спиновая релаксация экситонов в КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной

5.1. Определение g - факторов электрона, дырки и экситона в

КТ (1п,А1)Аз/А1Аз

5.1.1. Г-Х смешивание электронных состояний в КТ

(1п,А1)Аэ/А1Аэ

5.1.2. Комбинационное рассеяние света с переворотом спина в (1п,А1)Аз/А1Аб КТ с Г-Х смешиванием электронных состояний 24

5.2. Спиновая релаксация экситонов в КТ (1п,А1)Аз/А1Аг

5.2.1 Исследуемые образцы и условия эксперимента

5.2.2 Механизмы спиновой релаксации экситонов в КТ

5.2.3 Методика получения информации о временах спиновой релаксации в ансамблях КТ с дисперсией времен жизни экситона

5.2.4. Спиновая релаксация отрицательно заряженных экситонов в КТ

5.2.5. Спиновая релаксация нейтральных экситонов в КТ 272 5.3. Основные результаты и выводы к главе 5 276 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 278 Список публикаций по теме диссертации 283 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной»

ВВЕДЕНИЕ

Развитие эпитаксиальных технологий роста привело к созданию полупроводниковых гетероструктур: квантовых ям (КЯ), сверхрешеток (СР) , квантовых проволок (КП) и квантовых точек (КТ) - объектов с новыми, не существующими в природе электронными и оптическими свойствами. Использование этих объектов не только открыло широкие возможности для создания новых полупроводниковых приборов, но и позволило проводить исследования многочисленных физических явлений фундаментального характера, поскольку процессы энергетической, спиновой релаксации и рекомбинации электронных возбуждений происходят в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах иначе, чем в объёмных полупроводниках [1-4].

Причины изменения поведения электронных возбуждений в гетероструктурах можно разделить на: (1) общие для всех полупроводниковых гетероструктур одинаковой размерности (например, появление дискретного спектра энергетических уровней электронов и дырок в КТ, радикально изменяющего процесс энергетической релаксации носителей заряда, из-за ограничений на неупругое рассеяние, которые отсутствуют в структурах более высокой размерности [3,4]) и (2) связанные с особенностями формирования энергетического спектра, реализующегося в конкретном типе полупроводниковых гетероструктур любой размерности (например, пространственное разделение электронов и дырок между различными слоями в КЯ, СР, КП и КТ второго рода [2] ) . Управление энергетическим спектром осуществляется выбором составляющих гетероструктуру полупроводниковых материалов с разным взаимным расположением краев зон и размерным квантованием носителей заряда, т.е. выбором толщины слоев для КЯ и СР, размера и формы для КТ.

Огромное число работ было посвящено изучению: (1) полупроводниковых гетероструктур второго рода, в которых электроны

и дырки разделяются в реальном пространстве между слоями различных полупроводников с состоянием дырки в Г минимуме валентной зоны и основные состоянием электрона, принадлежащим: (а) X или L минимуму зоны проводимости (таких как, например, CP GaAs/AlAs [2,5], КТ Ge/Si [4,5]), или (б) Г минимуму зоны проводимости (например, КЯ GaAs/GaSb [6,7] и InSb/InAs [8]); (2) прямозонных полупроводниковых гетероструктур первого рода, в которых оба носителя заряда (и электрон, и дырка) локализованы в одном из составляющих структуру полупроводников с основным состоянием электрона, принадлежащим Г минимуму зоны проводимости (например, КЯ GaAs/AlGaAs [2] и КТ InAs/GaAs [2,4]).

К моменту начала исследования практически отсутствовали работы, посвященные получению и изучению еще одного возможного класса полупроводниковых гетероструктур: первого рода с непрямой запрещенной зоной и изучению поведения электронных возбуждений в таких объектах. До последнего времени свойства низкоразмерных структур первого рода, построенных на основе непрямозонных полупроводников, главным образом, нанокристаллов Ge и Si, изучались только в аморфных диэлектрических матрицах (таких как, например, Si02 или Si3N4 [9,10]), с высокой концентрацией дефектов решетки, сильно взаимодействующих с электронными возбуждениями в полупроводниковых нанокристаллах. Настоящая диссертационная работа восполняет этот пробел.

Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной могут быть удобными объектами для анализа физических процессов, изучение которых в других типах полупроводниковых гетероструктур затруднено. Характерным примером такого процесса является спиновая релаксация экситонов в КТ. В теоретических работах [11,12] было показано, что сильная локализация в КТ приводит к подавлению механизмов,

определяющих переворот спина свободно двигающихся электронных возбуждений (электронов, дырок и экситонов), таких как механизмы Эллиота-Яфета и Дьяконова-Переля. Согласно расчетам, характерные времена спиновой релаксации носителей заряда и экситонов в КТ при низких температурах и в слабых магнитных полях лежат в миллисекундном диапазоне времен [11]. При изучении времен спиновой релаксации экситонов необходимо учитывать тот факт, что время жизни экситона в КТ ограничено, временем его рекомбинации. В хорошо изученных прямозонных полупроводниковых КТ первого рода характерные времена рекомбинации экситона лежат в наносекундном диапазоне [2] . Подавление основных механизмов спиновой релаксации приводит к тому, что время жизни спиновых состояний экситонов в прямозонных КТ становится на несколько порядков величины больше, чем время жизни экситона [13,14].

Для экспериментального изучения спиновой релаксации экситонов в КТ требуются полупроводниковые гетероструктуры, обеспечивающие время жизни экситона, сравнимое со временем жизни его спинового состояния.

В полупроводниковых КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной разность квазиимпульсов электрона и дырки, существенно превышает величину импульса фотона, испускаемого при рекомбинации экситона построенного из этих носителей заряда. Закон сохранения квазиимпульса накладывает ограничения на рекомбинацию экситонов в таких КТ, увеличивая времена их жизни до значений, сравнимых с теоретически рассчитанными временами спиновой релаксации. Таким образом, непрямозонные КТ первого рода являются перспективным объектом для экспериментального изучения процессов спиновой релаксации экситонов в нульмерных системах.

Цель работы заключалась в определении фундаментальных закономерностей рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в новом классе полупроводниковых гетероструктур - КЯ и КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной.

Для достижения цели необходимо было решить следующие основные задачи:

1) Обосновать существование гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной.

2) Синтезировать КТ и КЯ первого рода с непрямой запрещенной зоной. Научиться управлять атомной структурой и, соответственно, энергетическим спектром электронных возбуждений гетероструктур с КЯ и КТ в процессе роста и послеростовых обработок.

3) Экспериментально исследовать закономерности некогерентной динамики энергетической релаксации и рекомбинации электронных возбуждений в КЯ и КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной.

4) Экспериментально исследовать закономерности спиновой релаксации экситонов в КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной. Определить доминирующие механизмы спиновой релаксации.

Объекты и методы исследования. Объектом исследования являются полупроводниковые гетероструктуры, построенные на основе бинарных соединений А3-В5. Структуры с квантовыми ямами и квантовыми точками в гетеросистемах 1пАз/А1Аз, СаЗЬ/А1Аз, СаАз/СаР и СаБЬ/СаР, выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) . Для анализа атомной структуры КЯ и КТ применялись (1) метод дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО), позволяющий отслеживать изменения структуры в процессе

роста, и (2) методы просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и комбинационного рассеяния света (КРС), дающие информацию об уже выращенных структурах. Энергетический спектр ВСЯ и КТ, процессы захвата носителей заряда в КЯ и КТ, рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в КТ исследовались методами стационарной и нестационарной фото-(ФЛ) и

магнитофотолюминесценции. g - факторы локализованных в КТ электронов, дырок и экситонов определялись методом резонансного комбинационного рассеяния света с переворотом спина (РКРС).

Научная новизна работы. Все основные экспериментальные и расчетные результаты диссертационной работы получены впервые. Научная новизна конкретных результатов состоит в следующем:

1. Проведены систематические теоретические расчеты энергетического спектра псевдоморфно напряженных КЯ, построенных на основе бинарных арсенидов, фосфидов и антимонидов А3-В5. Показано, что формирования непрямозонных КЯ первого рода можно ожидать в гетеросистемах на основе полупроводниковых соединений А3-В5 таких как 1пАз/СаР, 1пАэ/А1Р, 1пАз/А1Аб, 1пЗЬ/А13Ь, 1пБЬ/СаР, 1пЗЬ/А1Р, 1пЗЬ/А1Аз, СаЗЬ/СаР, СаЗЬ/А1Р, СаЗЬ/А1Аз, А13Ь/А1Аз;

2. Экспериментально обосновано существование нового класса гетероструктур с не изучавшемся ранее типом энергетического спектра - КТ и КЯ первого рода с непрямой запрещенной зоной. Установлены условия синтеза непрямозонных гетероструктур первого рода с основным электронным состоянием, принадлежащим: X (для псевдоморфно напряженных гетероструктур 1пАз/А1Аз

СаЗЬ/А1АБ) и Ь (для гетероструктур СаАэ/СаР и СаБЬ/СаР с полной релаксацией механических напряжений) минимумам зоны проводимости. Экспериментально установлено, что полная релаксация механических напряжений в КТ 6аАз/СаР и СаБЬ/СаР обусловлена введением в плоскость гетерограницы КТ/матрица сетки ломеровских дислокаций несоответствия. Показано, что введение ломеровских дислокаций не приводит к появлению в КТ центров безызлучательной рекомбинации.

3. Показано, что вероятность излучательной рекомбинации экситонов, идущей в КТ с непрямой запрещенной зоной за счет упругого рассеяния разницы между квазиимпульсом экситона и импульсом фотона на гетерогранице КТ/матрица, определяется гладкостью локализующего экситон потенциала. Гладкость потенциала задается толщиной слоя твердого раствора переменного состава, формирующегося на гетерогранице КТ/матрица. Получены прямые экспериментальные доказательства, того, что время излучательной рекомбинации экситона может управляемо изменяется от нескольких десятков наносекунд в КТ 1пА1Аз/А1Аэ с резкой гетерограницей КТ/матрица (образующейся в процессе самоорганизации КТ) до десятков микросекунд в КТ с гетерограницей КТ/матрица, «размытой» в процессе высокотемпературного послеростового отжига.

4. Прямым оптическим методом - комбинационным рассеянием света с переворотом спина определены компоненты тензора g факторов тяжелой дырки, электрона и экситона в непрямозонных КТ 1пА1Аз/А1Аз первого рода с Г - X смешиванием электронных состояний.

5. Изучена спиновая релаксация экситонов, локализованных в (1п,А1)Аб/А1Аз КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной. Определены зависимости времени спиновой релаксации Тх от магнитного поля (Тх ~ В~5) и температуры (Тх ~ Г-1) . Получены прямые экспериментальные доказательства микросекундных времен жизни спиновой поляризации экситонов в КТ. Установлено, что доминирующим механизмом спиновой релаксации локализованных в КТ экситонов является спин-решеточная релаксация с участием одного акустического фонона.

Основная научная значимость работы заключается в фундаментальном характере исследованных явлений и установленных закономерностей. Научные выводы носят общий характер, не ограничиваются объектами, непосредственно исследованными в работе, а относятся к целому классу полупроводниковых гетероструктур - КЯ и КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной.

Практическая значимость работы заключается в следующем:

1) Разработан метод управления вероятностью излучательной рекомбинации экситона Ге в КТ с непрямой запрещенной зоной. Изменение вероятности рекомбинации экситона достигается за счет изменения толщины слоя твёрдого раствора переменного состава, формирующегося на гетерогранице КТ/матрица в процессе кратковременного высокотемпературного послеростового отжига. Для КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной, сформированных в гетеросистеме А1Аз/А1Аб изменение температуры одноминутного отжига в диапазоне 700 - 900 °С позволяет

варьировать время жизни экситона (т = 1/Ге) от десятков наносекунд до десятков микросекунд.

2) Разработан метод определения времени спиновой релаксации

экситона т3 в ансамблях экситонов с дисперсией времен жизни ах) . Время т3 находится путем подгонки экспериментально измеренной динамики циркулярной поляризации ФЛ ансамбля экситонов расчетной зависимостью, полученной посредством

свёртки распределения времен жизни экситонов - 6(1) с функцией

рсЦ,т,т1) =-----, которая определяется динамикои

заселенности состояний экситона с различными проекциями спина

лир и А}от •

3) Проведенные исследования закладывают основу для разработки новых устройств спиновой электроники - элементов памяти на основе экситонных состояний в КТ.

В результате проведенных исследований развито новое научное направление - физика экситонных состояний в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной.

Достоверность и надежность результатов обеспечивается тщательной проработкой инженерно-технического обеспечения экспериментов, проведением тестовых измерений, проверкой экспериментов на воспроизводимость, сопоставлением с результатами других авторов. Результаты исследований опубликованы в авторитетных реферируемых журналах и докладывались на различных семинарах, конференциях и симпозиумах. Некоторые ключевые результаты были воспроизведены в зарубежных лабораториях.

На завдсту выносятся следующее научные положения:

1. Новый тип полупроводниковых гетероструктур - КЯ и КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной формируется на основе бинарных полупроводниковых соединений А3-В5 : 1пАз/А1Аз, СаЭЬ/МАз, СаБЬ/СаР, СаАз/СаР.

2. Излучательная рекомбинация экситонов, локализованных в самоорганизованных КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной, идет без испускания фонона за счет упругого рассеяния разницы между квазиимпульсом экситона и импульсом фотона на гетерогранице КТ/матрица. Время излучательной рекомбинации (от десятков наносекунд до десятков микросекунд) определяется гладкостью локализующего экситон потенциала, зависящей от толщины слоя твердого раствора переменного состава на гетерогранице КТ/матрица.

3. Чувствительность темпа рекомбинации экситонов в плотных (>10и см-2) массивах КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной, к появлению локализованных в отдельных КТ (<5% от общего количества КГ в ансамбле) дефектов - центров безызлучательной рекомбинации - обусловлена высокой вероятностью переноса долгоживущих экситонов между смежными КТ по диполь-диполь ному механизму Фёрстера.

4. Смешивание состояний электронов, принадлежащих Г и X долинам зоны проводимости в КТ первого рода, позволяет использовать резонансный оптический метод - комбинационное рассеяние света с переворотом спина - для определения g факторов электрона, находящегося в X долине зоны проводимости и экситона, составленного из такого электрона и тяжелой дырки.

5. В про дол ь ных магнитных полях 3-10 Тл при температурах < 30 К доминирующим механизмом спиновой релаксации локализованных в (In,Al) As/AlAs КТ нейтральных и отрицательно заряженных экситонов является спин-решеточная релаксация с

испусканием/поглощением одного акустического фонона.

Апробация работы. Основные результаты диссертации были представлены на: 11,12,13,15,16,17,18,19,20 Международных симпозиумах «Nanostructures: physics and Technology», (С.Петербург-2003, 2004, 2005, Новосибирск-2007, Владивосток 2008, Минск-2009, С.Петербург-2010, Екатеринбург-2011, Нижний-Новгород-2012); Международной конференции "Современные проблемы физики и высокие технологии" (Томск,2003); Совещаниях НАНОФОТОНИКА-2003, 2004, (Нижний Новгород, 2003, 2004); 11th International Conference on Narrow Gap Semiconductors, (Buffalo, USA, 2003); Конференции Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9) (Кемерово, 2004); 8th Korea-Russia International Symposium on Science and Technology KORUS 2004 (Tomsk, Russia, 2004); 27,29,30,31 International Conferences on the Physics of Semiconductors (USA - 2004, Brazil-2008, S.Korea-2010, Zurich-2012); 9,10,11,12,13 Международных школах-семинарах по люминесценции и лазерной физике ЛЛФ-2004, ЛЛФ-2006, ЛЛФ-2008, ЛЛФ-2010, ЛЛФ-2012 (Иркутск - 2004,2006,2008,2010,2012); The International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals (Japan - 2005); VII,VIII, IX,X Российских конференциях по физике полупроводников, (Москва 2005, Екатеринбург 2007, Новосибирск-Томск 2009, Нижний Новгород 2011); IV и V Республиканских конференциях по Физической электронике. (Ташкент, Узбекистан, 2005,2009); 4,5,6,7 International Conference on Semiconductor Quantum Dots (France -

2006, Korea-2008, UK-2010, USA-2012) ; Международных симпозиумах «Нанофизика и наноэлектроника»-2006, 2010, 2011, 2012 (Нижний Новгород - 2006, 2010, 2011,2012); 10,12 International Conference on the Optics of Excitons in Confined Systems. (Italy

2007, France 2011); Workshop "Trends in nanomechanics and nanoengineering" (Krasnoyarsk-2009) ; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (Vladivostok 2011), а также обсуждались на семинарах в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Публикации. По материалам диссертации опубликована глава в книге и 42 печатных работы в научных журналах и трудах конференций.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, списка работ автора из 43 наименований и списка цитированной литературы из 265 наименований. Объем диссертации 329 страниц, включая 84 рисунка и 4 таблицы.

В первой главе обсуждается возможность создания

полупроводниковых гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной на основе бинарных полупроводниковых соединений А3-В5 и использования этих структур для анализа физических процессов, изучение которых в других типах полупроводниковых гетероструктур затруднено. Примером такого процесса является спиновая релаксация экситонов в КТ, для экспериментального изучения которого, требуются

полупроводниковые гетероструктуры, обеспечивающие длительное время жизни экситона в КТ, сравнимое и/или большее, чем время

жизни его спинового состояния. Вторая глава посвящена получению и исследованию полупроводниковых гетероструктур, в которых ожидалось формирование КЯ первого рода с непрямой запрещенной зоной. В первом разделе главы приводятся результаты исследования атомной структуры и энергетического спектра КЯ 1пАб/А1Аз. Второй раздел главы посвящен изучению

энергетического спектра КЯ, сформированных в гетеросистеме ОаАз/СаР. В третьей главе приводятся результаты исследования КТ, в которых, в соответствие с расчетами, может реализоваться энергетический спектр первого рода с непрямой запрещенной зоной. Основное внимание уделено КТ, сформированных в гетеросистеме 1пАз/А1Аз, изучению которых посвящен первый раздел главы. Во втором, третьем и четвертом разделах главы приведены результаты исследования атомной и энергетической структуры КТ сформированных в гетеросистемах СаБЬ/А1Аз, СаАэ/СаР, СаБЬ/ОаР, соответственно. Четвертая глава посвящена изучению некогерентной динамики электронов, дырок и экситонов, в КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной. Основные результаты были получены при изучении структур с КТ (1п,А1)Аз/А1Аз. Первый раздел главы посвящен изучению захвата в (1п,А1)/А1Аз КТ носителей заряда, генерированных в матрице А1Аэ при нерезонансном возбуждении. Во втором разделе анализируется форма кривой затухания и длительность неэкспоненциальной кинетики рекомбинации экситонов в ансамблях (1п,А1)Аз/А1Аз КТ. Неэкспоненциальность затухания экситонной ФЛ в ансамбле КТ связана с тем, что мы наблюдаем сумму большого количества моноэкспоненциальных кинетик от экситонов, излучающих на одной длине волны, но локализованных в КТ различного размера и состава, с разными временами излучательной рекомбинации.

Поэтому форма кривой затухания I (Ь) определяется распределением

Предложено феноменологическое распределение времен жизни

у = а +1, позволяющее описать кривую затухания экситонной ФЛ с известным наклоном ос всего одним параметром т0, который характеризует наиболее вероятное время жизни экситонов в массиве КТ. Экспериментальные кривые прекрасно описываются в динамическом диапазоне изменения интенсивности ФЛ на 5 порядков величины. Показано, что максимум распределения С{х) определяется главным образом степенью размытости гетерограницы КТ/матрица. В то время как изменение характерного размера КТ в массиве при одинаковой степени размытости гетерограницы влияет на распределение времен жизни экситонов гораздо слабее.

В третьем разделе описаны результаты исследования влияния дефектов кристаллической решетки, центров безызлучательной рекомбинации, на рекомбинацию локализованных в (1п,А1)Аз/А1Аз КТ экситонов в ансамблях с высокой (>10п см~2) плотностью КТ. Установлено, что высокая чувствительность ФЛ к наличию дефектов связана с перетеканием локализованных в КТ долгоживущих экситонов в содержащие центры безызлучательной рекомбинации кластеры с дислокациями путем серии последовательных безылучательных (по механизму Фёрстера) перескоков экситонов между смежными КТ. Пятая глава посвящена изучению спиновой релаксации нейтральных и заряженных экситонов в КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной. Спиновая релаксация изучалась посредством измерения динамики степени наведенной магнитным

времен жизни экситонов 6(1) по ансамблю КТ:

экситонов по ансамблю КТ:

где С - константа, а

полем циркулярной поляризации (рс) экситонной ФЛ. Энергии экситонных состояний с различными проекциями спина в магнитном поле определяются величинами и знаками g факторов, поэтому первый раздел главы был посвящен определению g факторов электрона, дырки и экситона локализованных в КТ (1п,А1)Аб/А1Аз. Результаты прямых экспериментальных измерений времени спиновой релаксации долгоживущих экситонов в ансамбле (1п, А1) Аз/А1Аз КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной и анализ механизмов спиновой релаксации приводятся во втором разделе главы. В заключении приводятся основные результаты и выводы настоящей работы. Описан личный вклад автора.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Шамирзаев, Тимур Сезгирович

278 Заключение

В результате проведенных в работе исследований продемонстрировано существование нового класса полупроводниковых гетероструктур - КЯ и КТ первого рода с непрямой запрещенной зоной. В этом новом классе низкоразмерных объектов изучена некогерентная динамика электронных возбуждений и определены фундаментальные закономерности спиновой релаксации и рекомбинации экситонов.

По совокупности полученных в работе результатов и сделанных на их основе выводов развито новое научное направление - физика экситонных состояний в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной.

Основные результаты и выводы работы:

экспериментально обосновано существование нового класса гетероструктур с не изучавшемся ранее типом энергетического спектра - КТ и КЯ первого рода с непрямой запрещенной зоной. Проведены теоретические расчеты энергетического спектра псевдоморфно напряженных КЯ, построенных на основе бинарных арсенидов, фосфидов и антимонидов А3-В5, показавшие, что формирования непрямозонных гетероструктур первого рода можно ожидать в системах 1пАз/СаР, 1пАз/А1Р, 1пАз/А1Аз, Гп8Ь/А13Ь, 1пБЬ/СаР, 1пЭЬ/А1Р, 1пЗЬ/А1Аз, СаБЬ/СаР, СаАг/СаР, СаЗЬ/А1Р, СаЗЬ/А1Аз, А1БЬ/А1Аз. Появление непрямой запрещенной зоны в гетероструктурах первого рода, построенных из исходно прямозонных полупроводников 1пАэ, 1пБЬ, СаБЬ и СаАэ в широкозонных матрицах, обусловлено: (а) уменьшением энергии электронов в X минимуме зоны проводимости за счет гидростатической компоненты напряжения и/или (б) размерным

квантованием. В последнем случае при уменьшении толщины КЯ (размера КТ) энергия электронного состояния в Г минимуме зоны проводимости увеличивается быстрее, чем в X {Ь) минимуме. В результате при определенных размерах КЯ и КТ (зависящих от гетеросистемы) энергия электронного состояния в Г минимуме начинает превышать энергию электронного состояния в X {Ь) минимуме зоны проводимости КЯ и КТ. Кроме того, непрямая запрещенная зона в гетероструктурах первого рода образуется при сильном перемешивании материалов КЯ и КТ матрицы. - развиты методики получения КТ с новым типом энергетического спектра в гетеросистемах 1пАз/А1Аз, СаЗЬ/А1Аз, установлено влияние условий роста на атомную структуру и энергетический спектр таких гетероструктур: (1) Показано, что псевдоморфно напряженные 1пхА1х_хАз КТ, сформированные методом молекулярно-лучевой эпитаксии в гетеросистеме 1пАз/А1Аз, обладают энергетическим спектром первого рода. Непрямозонные КТ с электронным состоянием, принадлежащим Хху минимуму зоны проводимости, образуются (а) при низких температурах эпитаксии (< 480°С) и малых временах формирования КТ (< 10 с) , (б) при высоких температурах (> 520°С) и больших временах формирования

КТ (~ 120 с) . В первом случае непрямая запрещенная зона образуется вследствие размерного квантования в формирующихся при этих условиях КТ малого размера (диаметр основания КТ <7 нм) , во втором - из-за сильного перемешивания материалов КТ и матрицы. В ансамблях КТ, сформированных при температурах эпитаксии 480 - 520°С и временах формирования 10 - 120 с, прямозонные и непрямозонные квантовые точки сосуществуют. (2) Псевдоморфно напряженные КТ СахА11_хЗЬуАз1_у, сформированные в гетеросистеме СаБЬ/А1Аз, обладают энергетическим спектром

первого рода с основным электронным состоянием, принадлежащим непрямому X минимуму зоны проводимости при температурах эпитаксии 420 - 450 °С и временах формирования ^ 10 с. Увеличение времени формирования КТ до значений ^ 60 с приводит к изменению рода энергетического спектра с первого на второй. Изменение рода энергетического спектра обусловлено уменьшением доли ЭЬ в составе твердого раствора до значений у < 0.25. - определены закономерности некогерентной динамики электронных возбуждений в непрямозонных (1п, А1) Аг/А1Аз КТ первого рода: (1) Излучательная рекомбинации экситонов в непрямозонных КТ первого рода идет за счет упругого рассеяния, разницы между квазиимпульсом экситона и импульсом фотона на гетерогранице КТ/матрица. Время рекомбинации уменьшается с увеличением «гладкости» локализующего экситон потенциала от десятков наносекунд до десятков микросекунд. «Гладкость» локализующего потенциала определяется толщиной слоя твёрдого раствора переменного состава, формирующегося на гетерогранице КТ/матрица. (2) Неэкспоненциальность динамики экситонной ФЛ в ансамблях непрямозонных КТ первого рода обусловлена вкладом экситонов, излучающих на одной длине волны, но локализованных

в КТ с разными временами излучательной рекомбинации т. Предложено феноменологическое распределение времен

рекомбинации экситонов по ансамблю КТ С(т) = (С/тг)е~т , где С -константа, у=а+\ (где а наклон кривой затухания), а т0 характеризует наиболее вероятное время жизни экситонов в ансамбле КТ, позволяющее описать неэкспоненциальную динамику экситонной ФЛ ансамбля КТ в динамическом диапазоне изменения интенсивности 5 порядков величины. (3) Микросекундные времена рекомбинации экситонов в непрямозонных КТ первого рода

приводят в плотных ансамблях таких КТ к высокой вероятности переходов экситонов между смежными КТ по диполь-дипольному механизму Фёрстера. Характерное расстояние для эффективного переноса экситонов между КТ, сформированными в гетеросистеме 1пАз/А1Аз, не превышает 13 нм. - определены фундаментальные закономерности спиновой релаксации экситонов в непрямозонных (1п, А1) Аг/А1Аз КТ первого рода: Найдены зависимости времени спиновой релаксации локализованных

в КТ экситонов от магнитного поля т3 (В)~£Г5 и температуры т8(Г)-Г1. Установлен доминирующий механизм спиновой релаксации локализованных в КТ нейтральных и отрицательно заряженных экситонов - спинрешеточная релаксация с участием одного акустического фонона. Получены прямые экспериментальные доказательства микросекундных (до 55 мкс) времен жизни спиновой поляризации экситонов в КТ. Прямым оптическим методом - комбинационным рассеянием света с переворотом спина - определены компоненты тензора g факторов тяжелой дырки, электрона и экситона в КТ 1пА1Аз/А1Аз первого рода с непрямой запрещенной зоной. Показано, что резонансное оптическое возбуждение непрямых экситонов идет за счет смешивания состояний электронов, принадлежащих Г и X долинам зоны проводимости в КТ.

Диссертационная работа является результатом исследований, проведенных автором в период с 2001 по 2012 гг., выполнена в Институте физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского Отделения РАН и соответствует тематике исследований, проводимых в Институте. Личный вклад автора заключается в постановке задач исследований, выборе основных методов исследований, подготовке и проведении экспериментов, анализе и интерпретации

экспериментальных данных, разработке моделей и подготовке публикаций по материалам исследований. В работах, опубликованных в соавторстве, автору принадлежат результаты, которые вошли в сформулированные защищаемые положения и выводы. В процессе выполнения настоящего исследования под научным руководством автора Д.С. Абрамкиным подготовлена диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.

Мне хотелось бы персонально поблагодарить А.М.Гилинского, К.С.Журавлева, Л.С.Брагинского, А.В.Ненашева, С.П.Мощенко, В.Ф.Сапегу, В.Л.Коренева, Д.Р.Яковлева, Е.А.Жукова,

С.И.Чикичева, J.Debus, D.Dunker за тесное сотрудничество и

плодотворные обсуждения, М.А. Путято, А.И.Торопова,

A.К.Бакарова, А.К.Калагина, Д.В.Дмитриева, В.В.Преображенского и Б.Р.Семягина за возможность исследования выращенных ими методом МЛЭ образцов с КЯ и КТ, А.К.Гутаковского за измерения структур в просвечивающем электронном микроскопе, С.Б.Эренбурга, за измерения спектров EXAFS, А.Ф.Коломыс и

B.В.Стрельчука за измерение .структур методом комбинационного рассеяния света, сотрудников лаборатории № 37 за повседневную помощь и поддержку, а также за обсуждение работы на семинарах.

Выражаю искреннюю признательность всем коллегам по своей работе в Институте физики полупроводников, только благодаря постоянному плодотворному взаимодействию с которыми и могла состояться эта работа.

Я благодарен за финансовую поддержку Российскому фонду фундаментальных исследований, Президиуму СО РАН и Немецкому физическому обществу (DFG).

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Шамирзаев, Тимур Сезгирович, 2012 год

Цитированная литература

1. Алферов Ж. И. Двойные гетероструктуры: концепция и применение в физике, электронике и технологии / Успехи Физических Наук. - 2002. - Т. 172,№9. - С. 1068-1086.

2. Tsu R. Superlattice to Nanoelectronics / R.Tsu.- Amsterdam: Elsevier, 2005. - 325 p.

3. Bimberg D. Quantum dot heterostructures / D. Bimberg, M. Grundmann, N. N. Ledentsov. - Toronto: John Wiley & Sons, 2001. - 328 p.

4. Yoffe A.D. Semiconductor quantum dots and related systems: electronic, optical, luminescence and related properties of low dimensional systems / Advances in Physics. - 2001. -Vol. 50,N. 1. - P. 1-208.

5. van Kesteren H. W. Order of the X conduction-band valleys in type-II GaAs/AlAs quantum wells / H. W. van Kesteren, E. C. Cosman, P. Dawson, K. J. Moore, С. T. Foxon.// Phys. Rev. B. - 1989. - Vol. 39. - P. 13426-13433.

6. Suzuki K. Structural and optical properties of type II GaSb/GaAs self-assembled quantum dots grown by molecular beam epitaxy /К. Suzuki, R. A. Hogg, Y. Arakawa // J. Appl. Phys. - 1999. - Vol. 85. - P. 8349-8352.

7. Hatami F. Carrier dynamics in type-II GaSb/GaAs quantum dots / F. Hatami, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, F. Heinrichsdorff, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov.// Phys. Rev. B. - 1998. - Vol. 57. - P. 4635-4641.

8. Yeap G. H. Type-II InAsxSbi_x/InAs quantum dots for midinfrared applications: Effect of morphology and composition on electronic and optical properties / G. H.

Yeap, S. I. Rybchenko, I. E. Itskevich, S. K. Haywood // Phys. Rev. B. - 2009. - V.79. - P. 075305-1-6.

9. Kovalev D. Porous Si anisotropy from photoluminescence polarization/ D. Kovalev M. Ben Chorin, J. Diener, F. Koch, Al. L. Efros, M. Rosen, N. A. Gippius, S.G. Tikhodeev // Appl. Phys. Lett. - 1995. - Vol. 67.N.11. - P. 1585-1587.

10. Wang M. Photoluminescence of Si-rich silicon nitride: Defect-related states and silicon nanoclusters /М. Wang, D. Li, Z. Yuan, D. Yang, D. Que // Appl. Phys. Lett. - 2007. -Vol. 90,N.13. - P. 131903-1-3.

11. Khaetskii A.V. Spin relaxation in semiconductor quantum dots

/ A.V. Khaetskii, Yu.V. Nazarov. // Phys. Rev. B. - 2000. -Vol.61. - P.12639-12642.

12. Khaetskii A.V. Spin-flip transitions between Zeeman sublevels in semiconductor quantum dots / A.V. Khaetskii, Yu.V. Nazarov // Phys. Rev. B. - 2001. - Vol. 64. - P. 125316-1-6.

13. Gammon D. Homogeneous linewidths in the optical spectrum of a single gallium arsenide quantum dot / D. Gammon, E. Snow, B.V. Shanabrook, D. Katzer, D. Park.// Science. - 1996. -Vol. 273. - P. 87-90.

14. Paillard M. Spin Relaxation Quenching in Semiconductor Quantum Dots / M. Paillard, X. Marie, P. Renucci, T. Amand, A. Jbeli, J. M. Gérard // Phys. Rev. Lett. - 2001. - Vol. 86. - P.1634-1637.

15. Wang Y. Carrier capture at the Si02-Si interface: A physical model / Y. Wang, K. P. Cheung // Appl. Phys. Lett. - 2007. -Vol. 91,N. 11. - P. 113509-1-3.

16. Zhuravlev K.S. Mechanism of photoluminescence of Si nanocrystals fabricated in a Si02 matrix /K.S. Zhuravlev, A.

M. Gilinsky, A.Yu. Kobitsky // Appl. Phys. Lett. -1996. -Vol. 73,N.20. - P. 2962-2964.

17. Шамирзаев T.С. Фотолюминесценция возбуждения нанокристаллов кремния в матрице Si02 / Т.С. Шамирзаев, Е.Н. Вандышев, К.С. Журавлев, Е.А.Раджабов // Труды IX-го Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" 25 - 29 марта 2005 г., Нижний Новгород. -Т.2. - С. 423-424

18. Pankratov V. Si nanocrystals embedded in Si02 : Optical

studies in the vacuum ultraviolet range / V. Pankratov, V. Osinniy, A. Kotlov, A. Nylandsted Larsen, B. Bech Nielsen // Phys. Rev. B. - 2011. - Vol. 83. - P. 045308-1-5.

19. de Boer W. D. A. M. Self-trapped exciton state in Si

nanocrystals revealed by induced absorption / W. D. A. M. de Boer, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, H. Zhang, W. J. Buma, A. N. Poddubny, A. A. Prokofiev, I. N. Yassievich // Phys. Rev. B. - 2012. - Vol. 85. - P. 161409(R)-1-5.

20. Luppi E. Excitons in silicon nanocrystallites: The nature

of luminescence /Е. Luppi, F. Iori, R. Magri, 0. Pulci, S. Ossicini, E. Degoli, V. Olevano // Phys. Rev. B. - 2007. -Vol. 75. - P. 033303-1-4.

21. Van de Walle C. G. Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory // Phys. Rev. B. - 1989. - Vol. 39. - P. 1871-1883.

22. Stroppa A. Composition and strain dependence of band offsets at metamorphicInxGai-xAs/InyAli-yAs heterostructures / A. Stroppa, M. Peressi // Phys. Rev. В - 2005. - Vol. 71. -P. 205303-1-10.

23. Wei S. H. Predicted band-gap pressure coefficients of all diamond and zinc-blende semiconductors : Chemical trends /

S. H. Wei, A. Zunger // Phys.Rev. B. - 1999. - Vol. 60. -P. 5404-5411.

24. Muñoz M. C. X-point deformation potentials of III-V semiconductors in a tight-binding approach /M. C. Muñoz, G. Armelles. // Phys. Rev. B. - 1993. - Vol. 48. - P. 28392842.

25. Vurgaftman I. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys / I. Vurgaftman, J. R. Meyer L. R. Ram-Mohan // J.Appl.Phys. - 2001. - Vol. 89,N. 11. - P. 5815-5875.

26. Semiconductor Optics and Transport Phenomena / edited by W. Schafer and M. Wegener -Berlin: Springer, 2002. - 495 p.

27. Boykin T.B. Improved fits of the effective masses at r in the spin-orbit, second-nearest-neighbor sp3s* model: Results from analytic expressions / Phys. Rev. B. - 1997. -Vol. 56. - P. 9613-9618.

28. New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties

// http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InSb/bandstr.html

29. Pettersson H. Electronic structure of self-assembled InAs

quantum dots in InP: An anisotropic quantum-dot system /H. Pettersson, R. J. Warburton, J. P. Kotthaus, N. Carlsson, W. Seifert, M.-E. Pistol, L. Samuelson // Phys. Rev. B. -1999. - Vol. 60. - P. R11289-R11292.

30. Yano M. MolecularDbeamDepitaxial growth and optical analysis

of InAs/AlSb straineddlayer superlattices / M. Yano, M. Okuizumi, Y. Iwai, M. lnoue // J. Appl. Phys. - 1993. -Vol. 74,N.12. - P. 7472-7480.

31. Ivchenko E. L. Lateral optical anisotropy of type-II

interfaces in the tight-binding approach/ E. L. Ivchenko,

M. O. Nestoklon. // Phys. Rev. B. - 2004. - Vol. 70. - P. 235332-1-11.

32. He L. Prediction of an Excitonic Ground State in InAs/InSb Quantum Dots / L. He, G. Bester, A. Zunger. // Phys. Rev. Lett. - 2005. - Vol. 94. - P. 016801-1-4.

33. Rorison J.M. Excitons in type-II quantum-dot systems: A comparison of the GaAs/AlAs and InAs/GaSb systems / Phys. Rev. B. - 1993. - Vol. 48. - P. 4643-4649.

34. Magri R. Effects of interfacial atomic segregation and intermixing on the electronic properties of InAs/GaSb superlattices / R. Magri, A. Zunger // Phys. Rev. B. -2002. - Vol. 65. - P. 165302-1-18.

35. Prieto J. A. Strain-Induced Quenching of Optical Transitions

in Capped Self-Assembled Quantum Dot Structures / J. A. Prieto, G. Armelles, T. Utzmeier, F. Briones, J. C. Ferrer, F. Peiro, A. Cornet, J. R. Morante. // Phys. Rev. Lett. -1998. - Vol. 80. - P. 1094-1097.

36. Glaser E. R. Photoluminescence studies of selfDassembled InSb, GaSb, and AlSb quantum dot heterostructures / E. R. Glaser, B. R. Bennett, B. V. Shanabrook, R. Magno // Appl. Phys. Lett. - 1996. - Vol. 68,N.25. - P. 3614-3616.

37. Rybchenko S.I. Conduction-band crossover induced by misfit strain in InSb/GaSb self-assembled quantum dots / S.I. Rybchenko, R. Gupta, K. T. Lai, I. E. Itskevich, S. K. Haywood, V. Tasco, N. Deguffroy, A. N. Baranov, E. Tournie // Phys. Rev. B. 2007. - Vol. 76. - P. 193309-1-4.

38. Wang T. Transition from direct to indirect band structure induced by the AlSb layer inserted in the GaSb/AlSb quantum well / T. Wang, F.Kieseling, A. Forchel // Phys. Rev. B. -1998. - Vol. 58. - P. 3594-3596.

39. Gorïi A. R. Electronic structure of self-assembled InP/GaP quantum dots from high-pressure photoluminescence / A. R. Goni, C. Kristukat, F. Hatami, S. Dreftler, W. T. Masselink, C. Thomsen // Phys. Rev. B. - 2003. - Vol. 67. - P. 0753061-5.

40. Arriaga J. Electronic structure of strained GaAs/GaP (001) superlattices /J. Arriaga, M. C. Munoz, V. R. Velasco, F. Garca-Moliner // Phys. Rev. B. - 1991. - Vol. 43. - P. 9626-9634.

41. Recio M. Optical properties of GaAs/GaP strainedDlayer

superlattices / M. Recio, G. Armelles, J. Meléndez, F. Briones // J. Appl. Phys. - 1990. - Vol. 67,N.4. - P. 20442050.

42. Katnani A.D. Microscopic study of semiconductor

heterojunctions : Photoemission measurement of the valance-band discontinuity and of the potential barriers/ A.D. Katnani, G. Margaritondo // Phys. Rev. B. - 1983. - Vol. 28. - P. 1944-1956.

43. Dandrea R. J. First-principles study of intervalley mixing:

Ultrathin GaAs/GaP superlattices/ R. J. Dandrea, A. Zunger // Phys. Rev. B. - 1991. - Vol. 43. - P. 8962-8989.

44. Gourley P. L. Quantum size effects in GaAs/GaAsxPl-x

strainedDlayer superlattices /P. L. Gourley, R. M. Biefeld // Appl. Phys. Lett. - 1984. - Vol. 45,N.7. - P.749-751.

45. Davis M. E. GaAs-GaP Heteroj unctions /M. E. Davis, G.

Zeidenbergs, R. L. Anderson // Phys. Status Solidi. - 1969. - Vol.34. - P. 385-393.

46. Arriaga J. Electronic structure of strained-layer AlAs/InAs

(001) superlattices / J. Arriaga, G. Armelles, M. C. Muoz,

J. M. Rodrguez, P. Castrillo, M. Recio, V. R. Velasco, F. Briones, F. Garca-Moliner // Phys. Rev. B. - 1991. - Vol. 43. - P. 2050-2057.

47. Wei S.-H. Calculated natural band offsets of all II-VI and III—V semiconductors: Chemical trends and the role of cation d orbitals / S.-H. Wei, A. Zunger // Appl. Phys. Lett. - 1998. - Vol. 72,N.16. - P. 2011-2013.

48. Li Shu-Ping An average-bond-energy method used for bandoffset calculation for a strained heterojunction / Shu-Ping Li, Ren-Zhi Wang, Yong-Mei Zheng, Shu-Hui Cai, Guo-Min He // J. Phys.: Condens. Matter. - 2000. - Vol. 12,N.35. -P. 7759-7770.

49. Ohler C. Band offsets at heavily strained III - V interfaces / C. Ohler, A. Förster, J. Moers, C. Daniels, H. Lüth. // J. Phys. D: Appl. Phys. - 1997. - Vol. 30,N.10. -P. 1436-1441.

50. Ke S. Valence-band offsets and band tailoring in compound strained-layer superlattices / S. Ke, R. Wang, M. Huang // Phys. Rev. B. - 1994. - Vol. 49. - P. 10495-10501.

51. Ledentsov N. N. Optical spectroscopic studies of InAs layer

transformation on GaAs surfaces / N. N. Ledentsov, P. D. Wang, C. M. Sotomayor Torres, A. Yu. Egorov, M. V. Maximov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, P.S. Kop'ev // Phys. Rev. B. -1994. - Vol. 50. - P. 12171-12174.

52. Alonso M. I. Optical investigation of the electronic structure of single ultrathin InAs layers grown pseudomorphically on (100) and (311)A GaAs substrates / M. I. Alonso, M. Ilg, K. H. Ploog // Phys. Rev. B. - 1994. -Vol. 50. - P. 1628-1635.

53. Belousov M. V. Energy levels and exciton oscillator strength in submonolayer InAs-GaAs heterostructures / M. V. Belousov, N. N. Ledentsov, M. V. Maximov, P. D. Wang, I. N. Yasievich, N. N. Faleev, I. A. Kozin, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, and C. M. Sotomayor Torres // Phys. Rev. B. - 1995. - Vol. 51. - P. 14346-14351.

54. Yuan Z. L. Two-dimensional excitonic emission in InAs

submonolayers / Z. L. Yuan, Z. Y. Xu, B. Z. Zheng, J. Z. Xu, S. S. Li, Weikun Ge, Y. Wang, J. Wang, L. L. Chang, P. D. Wang, C. M. Sotomayor Torres, N. N. Ledentsov // Phys. Rev. B. - 1996. - Vol. 54. - P. 16919-16924.

55. Tran C. A. Origin of sharp lines in photoluminescence emission from submonolayers of InAs in GaAs / C. A. Tran, R. A. Ares, V. A. Karasyuk, S. P. Watkins, G. Letourneau, R. Leonelli // Phys. Rev. B. - 1997. - Vol. 55. - P. 46334638.

56. Brandt 0. Structural and optical properties of (100) InAs single-monolayer quantum wells in bulklike GaAs grown by molecular-beam epitaxy / O. Brandt, L. Tapfer, R. Cingolani, K. Ploog, M. Hohenstein, F.Phillipp // Phys. Rev. B. - 1990. - Vol. 41. - P. 12599-12606.

57. Cingolani R. Exciton localization in submonolayer InAs/GaAs

multiple quantum wells / R. Cingolani, 0. Brandt, L. Tapfer, G. Scamarcio, G. C. La Rocca, K. Ploog // Phys. Rev. B. - 1990. - Vol. 42. - P.3209-3212.

58. Sato M. InAs monomolecular plane in GaAs grown by flowDrate modulation epitaxy / M. Sato, Y. Horikoshi // J. Appl. Phys. - 1989. - Vol. 66,N.2. - P. 851-855.

59. Cingolani R. X-ray standing wave and high-resolution x-ray diffraction study of the GaAs/InAs/GaAs(100)

heterointerface / R. Cingolani, L. Tapfer, S. Logomarsino, J. C. Boulliard, A. Taccoen, B. Capelle, M. Ilg, 0. Brandt, K. Ploog // Phys. Rev. B. - 1993. - Vol. 48. - P. 11496 -11499.

60. Brandt 0. Heavy- and light-hole character of optical transitions in InAs/GaAs single-monolayer quantum wells / 0. Brandt, H. Lage, K. Ploog // Phys. Rev. B. - 1992. -Vol. 45. - P. 4217-4220.

61. Ledentsov N. N. Radiative states in type-II GaSb/GaAs

quantum wells / N. N. Ledentsov, J. Bohrer, M. Beer, F. Heinrichsdorff, M. Grundmann, D. Bimberg, S. V. Ivanov, B. Ya. Meltser, S. V. Shaposhnikov, I. N. Yassievich, N. N. Faleev, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov // Phys. Rev. B. -1995. - Vol. 52. - P. 14058-14066.

62. Li G. H. Photoluminescence from strained InAs monolayers in GaAs under pressure / G. H. Li, A.R.Goni, C.Abraham, K. Syassen, P.V.Santos, A.Canterero, 0. Brandt, K. Ploog // Phys. Rev. B. - 1994. - Vol. 50. - P. 1575-1581.

63. Baerticevic Z. Perturbation potential produced by a monolayer of InAs on GaAs(100) / Z. Baerticevic, P. Vargas, M. Pacheco, D. Altbir // Phys. Rev. B. - 2003. - Vol. 68. -P. 155306-1-5.

64. Tit N. Electronic structure of GaAs with an InAs (001)

monolayer / N. Tit, M. Peressi. // Phys. Rev. B. - 1995. -Vol. 52. - P. 10776-10779.

65. Iotti R.C. Tight-binding approach to excitons bound to

monolayer impurity planes: Strong radiative properties of InAs in GaAs / R.C. Iotti, L. C. Andreani, M. Di Ventra // Phys. Rev. B. - 1998. - Vol. 57. - P. R15072-R15075.

66. Gupta J.A. Layer perfection in ultrathin InAs quantum wells

in GaAs(001) / J.A. Gupta, S. P. Watkins, E. D. Crozier, J. C. Woicik, D. A. Harrison, D. T. Jiang, I. J. Pickering, B.

A. Karlin // Phys. Rev. B. - 2000. - Vol. 61. - P. 20732084.

67. Brubach J. Carrier capture in ultrathin InAs/GaAs quantum wells / J. Brubach, A.Yu. Silov, J. E. M. Haverkort, W. van der Vleuten, J. H. Wolter // Phys. Rev. B. - 2000. - Vol. 61. - P. 16833-16840.

68. Paki P. Exciton resonances in ultrathin InAs/InP quantum wells / P. Paki, R. Leonelli, L. Isnard, R. A. Masut // Appl. Phys. Lett. - 1999. - Vol. 74,N.10. - P. 1445-1447.

69. Shitinkov N. Electronic states of ultrathin InAs/InP (001) quantum wells: A tight-binding study of the effects of band offset, strain, and intermixing / N. Shitinkov, P. Desjardins, R. A. Masut // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 66. - P. 195303-1-8.

70. Urayama J. Temperature-dependent carrier dynamics in self-assembled InGaAs quantum dots /J. Urayama T. B. Norris, H. Jiang, J. Singh, P. Bhattacharya // Appl. Phys. Lett. -2002. - Vol. 80,N. 12. - P. 2162-2164.

71. Yang W. Effect of carrier emission and retrapping on

luminescence time decays in InAs/GaAs quantum dots / W. Yang, R. R. Lowe-Webb, H. Lee, P. C. Sercel // Phys. Rev.

B. - 1997. - Vol. 56. - P.13314-13320.

72. Offermans P. Formation of InAs wetting layers studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy / P. Offemans, P. M. Koenraad, R. Notzel, J. H. Wolter, K. Pierz // Appl. Phys. Lett. - 2005. - Vol. 87,N.ll. - P. 111903-1-3.

73. Young Q. K. Improvement of X * 5 ym quantum cascade lasers by blocking barriers in the active regions / Q. K. Yang, C. Mann, F. Fuchs, R. Kiefer, K. Kohler, N. Rollbiihler, H. Schneider, and J. Wagner // Appl. Phys. Lett. - 2002. -Vol. 80,N. 12. - P. 2048-2050.

74. Tribuzy C. V.-B. Femtosecond pump-probe spectroscopy of intersubband relaxation dynamics in narrow InGaAs/AlAsSb quantum well structures / C. V.-B. Tribuzy, S. Ohser, S. Winnerl, J. Grenzer, H. Schneider, M. Helm, J. Neuhaus, T. Dekorsy, K. Biermann, H. Kunzel // Appl. Phys. Lett. -2006. - Vol. 89,N. 17. - P. 171104-1-3.

75. Ridley B.K. Anatomy of the transferred-electron effect in Ilimv semiconductors / J. Appl. Phys. - 1977. - Vol. 48,N.2. - P. 754-764.

76. Numeral Data and Functional Relationships in Science and Technology / edited by O. Madelung, H. Weiss, and M.Schulz, Landolt-Bornstein - Heidelberg: Springer, 1982. - New Series Vol.17 Pt.

77. Adachi S. Band gaps and refractive indices of AlGaAsSb, GalnAsSb, and InPAsSb: Key properties for a variety of the 2-4 ym optoelectronic device applications //J. Appl. Phys. - 1987. - V. 61,N. 10. - P. 4869-4876.

78. Handbook Series on Semiconductor Parameters / edited by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur - Singapore: World Scientific. - 1996. - Vols. 1 and 2.

79. Muraki K. Surface segregation of In atoms during molecular beam epitaxy and its influence on the energy levels in InGaAs/GaAs quantum wells / K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, R. Ito. // Appl. Phys. Lett. - 1992. - Vol. 61,N.5. - P. 557-559.

80. Мигаль В.П. Молекулярно-лучевая эпитаксия модулированных

структур GaAs /Мигаль В.П., Лубышев Д.И., Преображенский В.В, Овсюк В.Н., Семягин Б.Р., Стенин С.И.// Электр. Промышленность.- 1989. - №6. - С. 6-8.

81. Pavesi L. Photoluminescence of AlxGax_xAs alloys /L. Pavesi, M. Guzzi. // J. Appl. Phys. - 1994. - Vol. 75,N.10. - P. 4779-4842.

82. Bajaj K.K. Use of excitons in materials characterization of

semiconductor systems / Material. Sci. Engineering B. -2001. - Vol. 79,N.3. - P. 203-243.

83. Jahn U. Exciton localization, photoluminescence spectra, and interface roughness in thin quantum wells / U.Jahn, S. H. Kwok, M. Ramsteiner, R. Hey, H. T. Grahn, E. Runge // Phys. Rev. B. - 1996. - Vol. 54. - P. 2733-2738.

84. Martelli F. Exciton localization by potential fluctuations at the interface of InGaAs/GaAs quantum wells / F. Martelli, A. Polimeni, A.Patane, M. Capizzi, P. Borri, M. Gurioli, M. Colocci, A. Bosacchi, S. Franchi // Phys. Rev. B. - 1996. - Vol. 53. - P. 7421-7425.

85. Zhuravlev K.S. Evidence for interlayer donor-acceptor recombination in type II GaAs/AlAs superlattices /K.S. Zhuravlev, D.A.Petrakov, A.M. Gilinsky, T.S.Shamirzaev, V.V. Preobrazhenskii, B.R.Semyagin, M.A. Putyato // Superlattices and microstructures. - 2000. - V. 28,N.2. -P. 105-110.

86. Koguchi N. Growth of GaAs Epitaxial Microcrystals on an S-

Terminated GaAs Substrate by Successive Irradiation of Ga and As Molecular Beams/ N. Koguchi, K. Ishige // Jpn. J. Appl. Phys. - 1993. - V. 32. - P. 2052-2058.

87. Hatami F. Radiative recombination in type II GaSb/GaAs quantum dots / F. Hatami, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, J. Bôhrer, F. Heinrichsdorff, M. Beer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Gôsele, J. Heydenreich, U. Richter, S. V. Ivanov, B. Ya. Meltser, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov // Appl. Phys. Lett. - 1995. - Vol. 67,N.5. - P. 656-658.

88. Brieley S.K. Quantitative characterization of modulation-doped strained quantum wells through line-shape analysis of room-temperature photoluminescence spectra / J. Appl. Phys. - 1993. - Vol. 74,N.4. - P. 2760-2767.

89. Braginsky L.S. Kinetics of exciton photoluminescence in type-II semiconductor superlattices / L.S. Braginsky, M.Yu. Zaharov, A.M. Gilinsky, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, K.S. Zhuravlev // Phys. Rev. B. - 2001. - Vol. 63. P. 195305-1-10.

90. Citrin D.S. Disorder-induced radiative decay of excitons in

type-I indirect-gap quantum wells / Phys. Rev. B. - 1995. -Vol. 51. - P. 2608-2611.

91. Minami F. Localized indirect excitons in a short-period GaAs/AlAs superlattice / F. Minami, K. Hirata, K. Era, T. Yao, Y. Masumoto // Phys. Rev. B. - 1987. - Vol. 36. - P. 2875-2878.

92. Klein M. V. Exponential distribution of the radiative decay

rates induced by alloy scattering in an indirect-gap semiconductor / M. V. Klein, M. D. Sturge, E. Cohen // Phys. Rev. B. - 1982. - Vol. 25. - P. 4331-4333.

93. Krivorotov I. N. Exciton transport and nonradiative decay in semiconductor nanostructures / I. N. Krivorotov, T. Chang, G. D. Gilliland, L. P. Fu, K. K. Bajaj, D. J.

Wolford // Phys. Rev. B. - 1998. - Vol. 58. - P. 1068710691.

94. Dawson P. Nature of the lowest confined electron state in GaAs/AlAs type II quantum wells as a function of AlAs thickness /Р. Dawson, С. T. Foxon, H. W. van Kesteren. // Semicond. Sci. Technol. - 1990. - Vol. 5,N.l. - P. 54-59.

95. Osbourn G.C. A GaAsxPi_x/GaP strained-layer superlattice /G. C. Osbourn, R. M. Biefeld and P. L. Gourley // Appl. Phys. Lett. - 1982. - V. 41,N.2. - P. 172-174.

96. Ghahramani Ed. Full-band-structure calculation of £-»2 (со) and

X-"(2) (-2to;co,go) for (GaAs) J (GaP)n (n=l,2) superlattices on GaAs(OOl) substrates/Ed. Ghahramani, J. E. Sipe // Phys. Rev. B. - 1992. - V. 46. - P. 1831-1834.

97. Castrillo P. Optical phonons of strained GaAs/GaP quantum wells studied by Raman spectroscopy /Р. Castrillo, G. Armelles, J. P. Silveira, F. Briones, J. Barbolla// Appl. Phys. Lett. - 1997. - V. 71,N.10. - P. 1353-1355.

98. Montazeri M. Direct Measure of Strain and Electronic Structure in GaAs/GaP Core-Shell Nanowires / M. Montazeri, M. Fickenscher, L. M. Smith, H. E. Jackson, J. Yarrison-Rice, J. H. Kang, Q. Gao, H. Hoe Tan, C. Jagadish, Y. Guo, J. Zou, M. Pistol, С. E. Pryor // Nano Lett. - 2010. - V. 10,N.3. - P. 880-886.

99. Svensson C.P.T. Epitaxially grown GaP/GaAsx-xPx/GaP double heterostructure nanowires for optical applications /С. P. T. Svensson, W. Seifert, M. W. Larsson, L. R. Wallenberg, J. Stangl, G. Bauer, L. Samuel son // Nanotechnology. -2005. - V. 16,N. 6. - P. 936-939.

100. Леденцов, H. H. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры (Обзор) / Н Н. Леденцов, В. М.

Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д. Бимберг // Физика и техника полупроводников. - 1998.- Т. 32,№4. - С. 385-410.

101. Lee U.H. Visible photoluminescence from self-assembled InAs quantum dots embedded in AlAs cladding layers / U. H. Lee, D. Lee, H. G. Lee, S. K. Noh, J. Y. Leem, H. J. Lee // Appl. Phys. Lett. - 1999. - Vol. 74,N.ll. - P. 1597-1599.

102. Garcia J. M. Electronic states tuning of InAs self-assembled quantum dots / J. M. Garcia, T. Mankad, P. 0. Holtz, P. J. Wellman, P. M. Petroff // Appl. Phys. Lett. -1998. - Vol. 72,N.24. - P. 3172-3174.

103. Ballet P. Control of size and density of InAs/(Al,Ga)As self-organized islands / P. Ballet, J. B. Smathers, H. Yang, C. L. Workman, G. J. Salamo // J. Appl. Phys. - 2001. - Vol. 90,N. 1. - P. 481-487.

104. Dawson P. Microsecond carrier recombination times in InAs/AlAs quantum dots / P. Dawson, Z. Ma, K. Pierz, E. O. Gobel // Appl. Phys. Lett. - 2002. - Vol. 81,N.13. - P. 2349-2351.

105. Dawson P. Spectroscopy and recombination dynamics of InAs/AlAs quantum dots /Р. Dawson, E. 0. Gobel, K. Pierz // J. Appl. Phys. - 2005. - Vol. 98,N.l. - P. 013541-1-6.

106. Fu H. Excitonic exchange splitting in bulk semiconductors / H. Fu, Lin-Wang Wang, A. Zunger // Phys. Rev B. - 1999. -Vol. 59. - P. 5568-5574.

107. Efros Al. L. Band-edge exciton in quantum dots of semiconductors with a degenerate valence band: Dark and bright exciton states / Al. L. Efros, M. Rosen, M. Kuno, M. Nirmal, D. J. Norris, M. Bawendi // Phys. Rev. B. - 1996. -Vol. 54. - P. 4843-4856.

108. Calcott P. D. J. Identification of radiative transitions in

highly porous silicon / P. D. J. Calcott, K. J. Nash, L. T. Canham, M. J. Kane, D. Brumhead // J. Phys.: Condens. Matter. - 1993. - Vol. 5,N.7. - P. L91-L98.

109. Гупалов С. В. Тонкая структура экситонных уровней в нанокристаллах CdSe / С. В. Гупалов, Е. JI. Ивченко // Физика твердого тела. - 2000. - Т. 42,№11. - С. 1976-1984.

110. Goupalov S.V. Electron—hole long-range exchange interaction

in semiconductor quantum dots / S.V. Goupalov, E.L. Ivchenko // J. Cryst. Growth. - 1998. - Vol. 184/185. - P. 393-397.

111. Bayer M. Fine structure of neutral and charged excitons in

self-assembled In(Ga)As/(Al)GaAs quantum dots / M. Bayer, G. Ortner, 0. Stern, A. Kuther, A. Gorbunov, A. Forchel, P. Hawrylak, S. Fafard, K. Hinzer, T. L. Reinecke, S. N. Walck, J. P. Reithmaier, F. Klopf, F. Schafer // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 65. - P. 195315-1-23.

112. Offermans P. Atomic-scale structure and photoluminescence of InAs quantum dots in GaAs and AlAs / P. Offermans, P. M. Koenraad, J. H. Wolter, K. Pierz, M. Roy, P. A. Maksym // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 72. - P. 165332-1-6.

113. Williamson A. J. Indirect Band Gaps in Quantum Dots Made from Direct-Gap Bulk Materials / A. J. Williamson, A. Franceschetti, H. Fu, L. W. Wang, A. Zunger // J. Electron. Mater. - 1999. - Vol. 28,N.5. - P. 414-425.

114. Sarkar D. Phonons in InAs^AlAs single quantum dots observed by optical emission / D. Sarkar, H. P. van der Meulen, J. M. Calleja, J. M. Becker, R. J. Haug, K. Pierz // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 71. - P. 081302(R)-1-4.

115. Martini S. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs(001) substrates / S. Martini, A. A. Quivy, T. E. Lamas, and E.

C. F. da Silva // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 72. - P. 153304-1-4.

116. Rosenauer A. Structural and chemical investigation of Ino.6Gao.4As Stranski-Krastanow layers buried in GaAs by transmission electron microscopy / A. Rosenauer, W. Oberst,

D. Litvinov, D. Gerthsen, A. Forster, R. Schmidt // Phys. Rev. B. - 2000. - Vol. 61. - P. 8276-8288.

117. Rosenauer A. Quantification of segregation and mass transport in InxGax_xAs/GaAs Stranski-Krastanow layers / A. Rosenauer, D. Gerthsen, D. Van Dyck, M. Arzberger, G. Böhm, G. Abstreiter // Phys. Rev. B. - 2001. - Vol. 64.

- P. 245334-1-15.

118. Litvinov D. Transmission electron microscopy investigation of segregation and critical floating-layer content of indium for island formation in InxGai_xAs / D. Litvinov, D. Gerthsen, A. Rosenauer, M. Schowalter, T. Passow, P. Feinaugle, M. Hetterich // Phys. Rev. B. - 2006. - Vol. 74.

- P. 165306-1-8.

119. Schowalter M. Investigation of In segregation in InAs/AlAs quantum-well structures / M. Schowalter, A. Rosenauer, D. Gerthsen, M. Arzberger, M.Bichler, G. Abstreiter // Appl. Phys. Lett. - 2001. - Vol. 79,N.26. - P. 4426-4428.

120. Liao X.Z. Indium Segregation and Enrichment in Coherent InxGai_xAs/GaAs Quantum Dots /X. Z. Liao, J. Zou, D. J. H. Cockayne, R. Leon, C. Lobo // Phys. Rev. Lett. - 1999. -Vol. 82. - P. 5148-5151.

121. Liu N. Nonuniform Composition Profile in Ino.5Gao.5As Alloy Quantum Dots / N. Liu, J. Tersoff, 0. Baklenov, A. L. Holmes, Jr., C. K. Shih // Phys. Rev. Lett. - 2000. - Vol. 84. - P. 334-337.

122. Lemaitre A. Composition profiling of InAs^GaAs quantum dots

/ A. Lemaitre, G. Patriarche, and F. Glas // Appl. Phys. Lett. - 2004. - Vol. 85,N.17. - P. 3717-3719.

123. Quinn P. D. Composition profiles of InAs-GaAs quantum dots determined by medium-energy ion scattering / P. D. Quinn, N. R. Wilson, S. A. Hatfield, C. F. McConville, G. R. Bell, T. C. Q. Noakes, P. Bailey, S. Al-Harthi, F. Gard // Appl. Phys. Lett. - 2005. - Vol. 87,N.15. - P. 153110-1-3.

124. Walther T. Nature of the Stranski-Krastanow Transition during Epitaxy of InGaAs on GaAs / T. Walther, A. G. Cullis, D. J. Norris, M. Hopkinson // Phys. Rev. Lett. -2001. - Vol. 86. - P. 2381-2384.

125. Wang P. Direct measurement of composition of buried quantum

dots using aberration-corrected scanning transmission electron microscopy /P. Wang, A. L. Bleloch, M. Falke, P. J. Goodhew, J. Ng, M. Missous // Appl. Phys. Lett. - Vol. 89,N.7. - P. 072111-1-3.

126. Passow T. Systematic investigation into the influence of growth conditions on InAs/GaAs quantum dot properties / T. Passow, S. Li, P. Feinaugle, T. Vallaitis, J. Leuthold, D. Litvinov, D. Gerthsen, M. Hetterich // J. Appl. Phys. -2007. - Vol. 102,N.7. - P. 073511 -1-9.

127. Ibanez J. Raman scattering in InAs/(AlGa)As self-assembled quantum dots: Evidence of A1 intermixing / J. Ibanez, R. Cusco, L. Artus, M. Henini, A. Pat'ane, L. Eaves // Appl. Phys. Lett. - 2006. - Vol. 88,N.14. - P. 141905-1-3.

128. Inorganic Crystal Structure Database (FIZ Karlsruhe, Germany http://icsd.fiz-karlsruhe.de/). Collection Code 43360.

129. Черкашин H. А. Управление параметрами массивов квантовых точек InAs-GaAs в режиме роста Странского-Крастанова / Н. А. Черкашин, М. В. Максимов, А. Г. Макаров, В. А. Щукин, В. М. Устинов, Н. В. Луковская, Ю. Г. Мусихин, Г. Э. Цырлин, Н. А. Берт, Ж. И. Алферов, Н. Н. Леденцов, Д. Бимберг // ФТП. - 2003. - Т. 37,№7. - С.890-895.

130. Ferdos F. Influence of initial GaAs and AlAs cap layers on InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy / F. Ferdos, S. Wang, Y. Wei, M. Sadeghi, Q. Zhao, A. Larsson // J. Cryst. Growth. - 2003. - Vol. 251,N.1-4. - P. 145-149.

131. Park S. Formation of ultrahigh-density InAs/AlAs quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition / S. Park, J. Tatebayashi, Y. Arakawa // Appl. Phys. Lett. - 2004. -Vol. 84,N. 11. - P. 1877-1879.

132. Pierz K. Influence of the size of self-assembled InAs/AlAs

quantum dots on photoluminescence and resonant tunneling / K. Pierz, Z. Ma, I. Hapke-Wurst, U. Keyser, U. Zeitler, R. Haug // Physica E. - 2002. - Vol. 13,N.2-4. - P. 761-764.

133. Joyce P. B. Effect of growth rate on the size, composition, and optical properties of InAs/GaAs quantum dots grown by molecular-beam epitaxy / P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, T. S. Jones, S. Malik, D. Childs, R. Murray // Phys. Rev. B. - 2000. - Vol. 62. - P. 10891-10895.

134. Songmuang R. Photoluminescence investigation of low-temperature capped self-assembled InAs/GaAs quantum dots / R. Songmuang, S. Kiravittaya, M. Sawadsaringkarn, S.

Panyakeow, O. Schmidt // J. Cryst. Growth. - 2003. - Vol. 251,N.1-4. - P. 166-171.

135. Dubrovskii V. G. Kinetics of the initial stage of coherent island formation in heteroepitaxial systems / V. G. Dubrovskii, G. E. Cirlin, V. M. Ustinov // Phys. Rev. B. -2003. - Vol. 68. - P. 075409-1-9.

136. Pierz K. Kinetically limited quantum dot formation on AlAs

(100) surfaces / K. Pierz, Z. Ma, U. F. Keyser, R. J. Haug // J. Cryst. Growth. - 2003. - Vol. 249,N.3-4. - P. 477482.

137. Heyn C. Desorption of InAs quantum dots / C. Heyn, W. Hansen // J. Cryst. Growth. - 2003. - Vol. 251,N. 1-4. - P. 218-222.

138. Malik S. Tuning self-assembled InAs quantum dots by rapid thermal annealing / S. Malik, C. Roberts, R. Murray, M. Pate // Appl. Phys. Lett. - 1997. - Vol. 71,N.14. - P. 1987-1989.

139. Fafard S. Manipulating the energy levels of semiconductor quantum dots /S. Fafard, Z. R. Wasilewski, C. Ni. Allen, D. Picard, M. Spanner, J. P. McCaffrey, P. G. Piva // Phys. Rev. B. - 1999. - Vol. 59. - P. 15368-15373.

140. Le Ru E. C. Temperature and excitation density dependence of the photoluminescence from annealed InAs/GaAs quantum dots /E. C. Le Ru, J. Fack, R. Murray // Phys. Rev. B. -2003. - Vol. 67. - P. 245318-1-12.

141. Jung S. I. Bandgap engineering of self-assembled InAs quantum dots with a thin AlAs barrier / S. I. Jung, J. J. Yoon, H. J. Park, Y. M. Park, M. H. Jeon, J. Y. Leem, C. M. Lee, E. T. Cho, J. I. Lee, J. S. Kim, J. S. Son, J. S. Kim,

D. Y. Lee, I. K. Han // Physica E. - 2005. - Vol. 26. - P. 100-104.

142. Gunawan O. Electronics states of interdiffused quantum dots

/ 0. Gunawan, H. S. Djie, B. S. Ooi // Phys. Rev. B. -2005. - Vol. 71. - P. 205319-1-10.

143. Leon R. Tunable intersublevel transitions in self-forming semiconductor quantum dots / R. Leon, S. Fafard, P. G. Piva, S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber // Phys. Rev. B. -1998. - Vol. 58. - P. R4262-R4265.

144. Kane 0. E. Band Structure of Indium Antimonide / J. Phys. Chem. Solids. - 1957. - Vol. 1. - P. 249-261.

145. Milekhin A.G. Interface phonons in InAs and AlAs quantum dot structures / A. G. Milekhin, A. I. Toropov, A. K. Bakarov, D. A. Tenne, G. Zanelatto, J. C. Galzerani, S. Schulze, D. R. T. Zahn // Phys. Rev. B. - 2004. - Vol. 70.

- P. 085314-1-5.

146. Biasiol G. Surface compositional gradients of InAs/GaAs quantum dots / G. Biasiol, S. Heun, G. B. Golinelli, A. Locatelli, T. 0. Mentes, F. Z. Guo, C. Hofer, C. Teichert, L. Sorba // Appl. Phys. Lett. - 2005. - Vol. 87,N.22. - P. 223106-1-3.

147. Itskevich I. E. Energy levels in self-assembled InAs/GaAs quantum dots above the pressure-induced r-X crossover/ I.

E. Itskevich, S. G. Lyapin, I. A. Troyan, P. C. Klipstein, L.Eaves, P. C. Main, M. Henini // Phys. Rev. B. - 1998.

- Vol. 58. - P. R4250-R4253.

148. Kuo M.C. Photoluminescence studies of type-II diluted magnetic semiconductor ZnMnTe/ZnSe quantum dots / M. C. Kuo, J. S. Hsu, J. L. Shen, K. C. Chiu, W. C. Fan, Y. C. Lin, C. H. Chia, W. C. Chou, M. Yasar, R. Mallory, A.

Petrou, H. Luo // Appl. Phys. Lett. - 2006. - Vol. 89,N.26.

- P. 263111-1-3.

149. Blome P.G. Temperature-dependent linewidth of single InP/GaxIn!_xP quantum dots: Interaction with surrounding charge configurations / P. G. Blome, M. Wenderoth, M. Hiibner, R. G. Ulbrich, J. Porsche, F. Scholz // Phys. Rev. B. - 2000. - Vol. 61. - P. 8382-8387.

150. Empedocles S.A. Photoluminescence Spectroscopy of Single CdSe Nanocrystallite Quantum Dots / S. A. Empedocles, D. J. Norris, M. G. Bawendi // Phys. Rev. Lett. - 1996. - Vol. 77. - P. 3873-7876.

151. Sychugov I. Narrow Luminescence Linewidth of a Silicon Quantum Dot / I. Sychugov, R. Juhasz, J. Valenta, J. Linnros // Phys. Rev. Lett. - 2005. - Vol. 94. - P. 0874051-4.

152. Raymond S. Excited-state radiative lifetimes in self-assembled quantum dots obtained from state-filling spectroscopy / S. Raymond, X. Guo, J. L. Merz, S. Fafard // Phys. Rev. B. - 1999. - Vol. 59.

- P. 7624-7631.

153. Dekel E. Cascade - evolution and radiative recombination of quantum dot multiexcitons studied by time-resolved spectroscopy / E. Dekel, D. V. Regelman, D. Gershoni, E. Ehrenfreund, W. V. Schoenfeld, P. M. Petroff // Phys. Rev. B. - 2000. -Vol. 62. - P. 11038-11045.

154. D.V. Regelman Semiconductor Quantum Dot: A Quantum Light Source of Multicolor Photons with Tunable Statistics /D. V. Regelman, U. Mizrahi, D. Gershoni, E. Ehrenfreund, W. V. Schoenfeld, P. M. Petroff

// Phys. Rev. Lett. - 2001. - Vol. 87. - P. 2574011-4 .

155. Lomascolo M. Dominance of charged excitons in single-quantum-dot photoluminescence spectra / M. Lomascolo, A. Vergine, T. K. Johal, R. Rinaldi, A. Passaseo, R. Cingol ani, S. Patane, M. Labardi, M. Allegrini, F. Troiani, E. Molinari // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 66. - P. 041302(R)-1-4.

156. Schliwa A. Few-particle energies versus geometry and composition of InxGai_xAs/GaAs self-organized quantum dots / A. Schliwa, M. Winkelnkemper, D. Bimberg //

r-

Phys. Rev. B. - 2009. - Vol. 79. - P. 075443-1-14.

157. Osovsky R. Continuous-Wave Pumping of Multiexciton Bands in the Photoluminescence Spectrum of a Single CdTe-CdSe Core-Shell Colloidal Quantum Dot / R. Osovsky, D. Cheskis, V. Kloper, A.Sashchiuk, M. Kroner, E. Lifshitz // Phys. Rev. Lett. - 2009. -Vol. 102. - P. 197401-1-4.

158. Stangl J. Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures / J. Stangl, V. Holy, G. Bauer // Rev. Mod. Phys. - 2004. - Vol. 76. - P. 725-783.

159. Fu Y. Photoluminescence of an assembly of size-distributed self-assembled InAs quantum dots / Y. Fu, F. Ferdos, M. Sadeghi, S. M. Wang, A. Larsson // J. Appl. Phys. - 2002. - Vol. 92,N.6. - P. 30893092 .

160. Bennett B. R. Molecular beam epitaxial growth of InSb, GaSb, and AlSb nanometer-scale dots on GaAs /B.R.

Bennett, R. Magno, and B. V. Shanabrook // Appl. Phys. Lett. - 1996. - Vol. 68,N.4. - P. 505-507.

161. Nomura T. Structure of GaAs heteroepitaxial layer grown on GaP(OOl) by molecular beam epitaxy / T. Nomura, K. Murakami, K. Ishikawa, M. Miyao, T. Yamaguchi, A. Sasaki, M. Hagino // Surface Science.

- 1991. - Vol. 242,N.1-3. - P. 166-170.

162. Ohlsson B.J. Anisotropic GaAs island phase grown on flat GaP: A Stranski-Krastanow-formed corrugated surface / B.J. Ohlsson, M. S. Miller, A. Gustafsson, M.-E. Pistol // J. Appl. Phys. - 2001. - Vol. 89,N. 10. - P. 5726-5730.

163. Cerdeira F. Stress-induced shifts of first-order Raman frequencies of diamond- and Zinc-Blende-type semiconductors / F. Cerdeira, C.J. Buchnenauer, F.H. Pollak, M. Cardona //Phys. Rev. B. - 1972. - Vol. 5.

- P. 580-593.

164. Armelles G. Strain and phonon shifts in GaAsi_xPx alloys /G. Armelles, M.J.Sanjuán, L.González, Y. González // Appl. Phys. Lett. - 1996. - Vol. 68,N. 13. - P. 1805-1807.

165. Pistol M.-E. Quantum-well structures of direct-band-gap GaAsi_xPx/GaAs studied by photoluminescence and Raman spectroscopy /M.-E. Pistol, X. Liu // Phys. Rev. B. - 1992. - Vol. 45. - P. 4312-4319.

166. Chen K.M. Critical nuclei shapes in the stress-driven 2D-to-3D transition / K.M. Chen, D.E. Jesson, S.J. Pennycook, T. Thundat, R. J. Warmack // Phys. Rev. B. - 1997. - Vol. 56. - P. R1700-R1703.

167. Price G.L. Critical-tickness and growth-mode transitions in highly strained InxGai_xAs. films // Phys. Rev. Lett. - 1991. - Vol.66. - P. 469-472.

168. Snyder C.W. Kinetically controlled critical thickness for coherent islanding and thick highly strained psendomorphic films of InxGai_xAs on GaAs(100) / C.W. Snyder, J.F. Mansfield, B.G. Orr // Phys. Rev. B. - 1992. - Vol. 46. - P. 9551-9554.

169. Faith F.J. The effect of nitrogen pressure during molecular beam epitaxy growth of InAsN quantum dots / F.J. Faith, S.F. Yoon, E.A. Fitzgerald //, Nanotechnology - 2008. - Vol.19. - P. 455608-1-6.

170. LeGoues F.K. Relaxation mechanism of 'Ge islands/Si(001) at low temperature / F.K. LeGoues, J. Tersoff, M. C. Reuter, M. Hammar, R. Tromp // Appl. Phys. Lett. - 1995. - Vol. 67,N.16. - P. 23172319.

171. Leon R. Self-forming InAs/GaP quantum dots by direct island growth /R. Leon, C. Lobo, T. P. Chin, J. M. Woodall, S. Fafard, S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, M. A. Stevens Kalceff // Appl. Phys. Lett. - 1998. -Vol. 72,N. 11. - P. 1356-1358.

172. Wink A.T. Low temperature luminescence in GaP at very low exitation densities / A.T. Wink, A.J. Bosman, J.A. van der Does de Bye, R.C. Peters // Solid State Commun. - 1969. - Vol. 7. - P. 14751481.

173. Hunchinson P.W. Defect structure of degraded GaAlAs-GaAs double heterojunction lasers /P.W. Hunchinson,

P. S. Dobson // Philos. Mag. - 1975. - Vol. 32,N.4.

- P. 745-754.

174. Lang D.V. Nonradiative Recombination at Deep Levels in GaAs and GaP by Lattice-Relaxation Multiphonon Emission / D.V. Lang, C.H. Henry // Phys. Rev. Lett.

- 1975. - Vol. 35. - P. 1525-1528.

175. Hino T. Characterization of threading dislocations in GaN epitaxial layers / T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, M. Ikeda // Appl. Phys. Lett. - 2000. - Vol. 76,N.23. - P. 34213423 .

176. Gerthsen D. Structure of the (100) GaAs on GaP interface / D. Gerthsen, F. A. Ponce, G. B. Anderson, H. F. Chung // J. Vac. Sci. Technol. B. -1988. - Vol. 6,N.4. - P. 1310-1314.

177. Kazzi S. El GaSb/GaP compliant interface for high electron mobility AlSb/InAs heterostructures on (001) GaP / S. El Kazzi, L. Desplanque, C. Coinon, Y. Wang, P. Ruterana, X. Wallart // Appl. Phys. Lett. - 2010. - Vol. 97,N. 19. - P.192111-1-3.

178. Wang Y. Investigation of the anisotropic strain relaxation in GaSb islands on GaP / Y. Wang, P. Ruterana, H. P. Lei, J. Chen, S. Kret, S. El Kazzi, L. Desplanque, X. Wallart // J. Appl. Phys. - 2011.

- Vol. 110,N.4. - P.043509-1-8.

179. Balslev I. Effect of Uniaxial Stress and Doping on the One-Phonon Raman Spectrum of GaP // Physica status solidi (b) . - 1974. - Vol. 61,N.l. - P.207-213 .

18 0. Хирш П. Электронная микроскопия тонких кристаллов / П.Хирш, А.Хови, Р.Николсон, Д.Пэшли, М.Уэлан // М.: Мир, 1968 (пер. с англ). 574с.

181. Болховитянов Ю.Б. Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур / Ю.Б. Болховитянов, О.П.Пчеляков, С.И.Чикичев // Успехи физических наук. - 2001. - Т. 171,№7. - С. 689-715.

182. Ван дер Мерве Дж. X. Несоответствие кристаллических решеток и силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложками. //В кн. : Монокристаллические пленки. М.: Мир, 1966, с.172-201.

183. Hornstra J. Dislocation in diamond lattice // J. Phys. Chem. Solids. - 1958. - Vol. 5. - P. 129-141.

184. Bourret A. Core structure of the Lomer dislocation in germanium and silicon / A. Bourret, J. Desseaux, A. Renault // Phil. Mag. A. - 1982. - Vol. 45. - P. 1-20 .

185. Vila A. Atomic core structure of lomer dislocation at GaAs(001)/Si interface / A. Vila, A. Cornet, J. R. Morante, P. Ruterana, M. Loubradou, R. Bonnet, Y. González, L. González // Philosophical magazine. A: Physics of condensed matter. Defects and mechanical properties. - 1995. - Vol. 71. - P. 85-103.

186. Stirman J. N. Atomic-scale imaging of asymmetric Lomer dislocation cores at the Ge/Si(001) heterointer f ace / J. N. Stirman, P. A. Crozier, D. J. Smith, F. Phillipp, G. Brill, S. Sivananthan //

Appl. Phys. Lett. - 2004. - Vol. 84,N.14. - P. 25301-3.

187. Siegert J. Carrier dynamics in modulation-doped InAs/GaAs

quantum dots / J. Siegert, S. Marcinkevicius, Q. X. Zhao // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 72. - P. 085316-1-7.

188. Ohnesorge B. Rapid carrier relaxation in self-assembled InxGai_xAs/GaAs quantum dots / B. Ohnesorge, M. Albrecht, J. Oshinowo, A. Forchel, Y. Arakawa // Phys. Rev. B. - 1996. -Vol. 54. - P. 11532-11538.

189. Narvaez G. Carrier relaxation mechanisms in self-assembled

(In,Ga)As/GaAs quantum dots: Efficient P->S Auger relaxation of electrons / G. A. Narvaez, G. Bester, A. Zunger // Phys. Rev. B. - 2006. - Vol. 74. - P. 075403-1-7.

190. Piwonski T. Carrier capture dynamics of InAs/GaAs quantum dots / T. Piwonski, I. O' Driscoll, J. Houlihan, G. Huyet, R.J. Manning, A. V. Uskov // Appl. Phys. Lett. - 2007. -Vol. 90,N.12. - P. 122108-1-3.

191. Toda Y. Efficient Carrier Relaxation Mechanism in InGaAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots Based on the Existence of Continuum States / Y. Toda, 0. Moriwaki, M. Nishioka, Y. Arakawa // Phys. Rev. Lett. - 1999. - Vol. 82. - P. 4114-4117.

192. Bogaart E. W. Role of the continuum background for carrier

relaxation in InAs quantum dots / E. W. Bogaart, J. E. M. Haverkort, T. Mano, T. van Lippen, R. Notzel, J. H. Wolter // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 72. - P.195301-1-7.

193. Moskalenko E. S. Effect of an additional infrared excitation on the luminescence efficiency of a single InAs/GaAs quantum dot / E. S. Moskalenko, V. Donchev, K. F. Karlsson, P. 0. Holtz, B. Monemar, W. V. Schoenfeld, J. M.

Garcia , P. M. Petroff // Phys. Rev. B. - 2003. - Vol. 68. - P. 155317-1-14.

194. Mazur Yu. I. Spectroscopy of sub-wetting layer states in InAs/GaAs quantum dot bi-layer systems / Yu. I. Mazur, Zh. M. Wang, H. Kissel, Z. Ya. Zhuchenko, M. P. Lisitsa, G. G. Tarasov, G. J. Salamo // Semicond. Sci. Technol. - 2007. -Vol. 22,N.2. - P. 86-96.

195. Uskov A .V. Auger carrier capture kinetics in self-assembled quantum dot structures / A. V. Uskov, J. Mclnerney, F. Adler, H. Schweizer, M. H. Pilkuhn // Appl. Phys. Lett. - 1998. - Vol. 72,N.l. - P. 58-60.

196. Deppe D. G. Quantum dimensionality, entropy, and the modulation response of quantum dot lasers / D. G. Deppe, D. L. Huffaker // Appl. Phys. Lett. - 2000. - Vol. 77,N.21. -P. 3325-3327.

197. Matthews D. R. Dynamics of the Wetting-Layer-Quantum-Dot Interaction in InGaAs Self-Assembled Systems/ D. R. Matthews, H. D. Summers, P. M. Smowton, P. Blood, P. Rees, M. Hopkinson // IEEE J. Quantum Electron. - 2005. - Vol. 41,N.3. - P. 344-350.

198. Markussen T. Influence of wetting-layer wave functions on phonon-mediated carrier capture into self-assembled quantum dots / T. Markussen, P. Kristensen, B. Tromborg, T. W. Berg, J. M0rk // Phys. Rev. B. - 2006. - Vol. 74. - P. 195342-1-6.

199. Ding F. Carrier channels of multimodal-sized quantum dots: A surface-mediated adatom migration picture / F. Ding, Y. H. Chen, C. G. Tang, B. Xu, Z. G. Wang // Phys. Rev. B. -2007. - Vol. 76. - P. 125404-1-7.

200. Fafard S. Selective excitation of the photoluminescence and

the energy levels of ultrasmall InGaAs/GaAs quantum dots / S. Fafard, D. Leonard, J. L. Merz, P. M. Petroff // Appl. Phys. Lett. - 1994. - Vol. 65,N.ll. - P. 1388-1390.

201. Muller T. Ultrafast intraband spectroscopy of electron capture and relaxation in InAs/GaAs quantum dots / T. Muller, F. F. Schrey, G. Strasser, K. Unterrainer // Appl. Phys. Lett. - 2003. - P. 83,N.17. - P. 3572-3574.

202. Raymond S. Experimental determination of Auger capture

coefficients in self-assembled quantum dots / S. Raymond, K. Hinzer, S. Fafard, J. L. Merz // Phys. Rev. B. - 2000. - Vol. 61. - P. R16331-R16334.

203. Polimeni A. Temperature dependence of the optical properties of InAs/AlyGai_yAs self-organized quantum dots / A. Polimeni, A. Patanè, M. Henini, L. Eaves, P. C. Main // Phys. Rev. B. - 1999. - Vol. 59. - P. 5064-5068.

204. Naritsuka S. Oxygen incorporation mechanism in AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy / S. Naritsuka, 0. Kobayashi, K. Mitsuda, T. Nishinaga // J. Cryst. Growth. -2003. - Vol. 254,N.3-4. - P. 310-315.

205. Verzelen 0. Energy relaxation in quantum dots / 0. Verzelen, G. Bastard, R. Ferreira // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 66. - P. 081308R-1-4.

206. A. F. van Driel, G. Allan, C. Delerue, P. Lodahl, W. L. Vos, and D. Vanmaekelbergh, Phys. Rev. Lett. 95, 236804 (2005).

207. Berstermann T. Systematic study of carrier correlations in the electron-hole recombination dynamics of quantum dots / T. Berstermann, T. Auer, H. Kurtze, M. Schwab, D. R. Yakovlev, M. Bayer, J. Wiersig, C. Gies, F. Jahnke, D.

Reuter, A. D. Wieck // Phys. Rev. B. - 2007. - Vol. 76. -P. 165318-1-8.

208. Zwiller V. Time-resolved studies of single semiconductor quantum dots / V. Zwiller, M.-E. Pistol, D. Hessman, R. Cederstrôm, W. Seifert, and L. Samuelson // Phys. Rev. B. -1999. - Vol. 59. - P. 5021-5025.

209. van Driel A. F. Statistical analysis of time-resolved emission from ensembles of semiconductor quantum dots: Interpretation of exponential decay models/ A. F. van Driel, I. S. Nikolaev, P. Vergeer, P. Lodahl, D. Vanmaekelbergh, W. L. Vos // Phys. Rev. B. - 2007. - Vol. 75. - P. 035329-1-8.

210. Placidi E. InAs/GaAs (001) epitaxy: kinetic effects in the

two-dimensional to three-dimensional transition /E. Placidi, F. Arciprete, M. Fanfoni, F. Patella, E. Orsini, and A. Balzarotti // J. Phys. Condens. Matter. - 2007. -Vol. 19,N.22. - P. 225006-1-21.

211. Panat R. Evolution of surface waviness in thin films via volume and surface diffusion /R. Panat, K. J. Hsia, and D. G. Cahill // J. Appl. Phys. - 2005. - Vol.97,N.l. -P.013521-7.

212. Heyn Ch. Ga/In-intermixing and segregation during InAs quantum dot formation/ Ch. Heyn, W. Hansen // J. Cryst. Growth. - 2003. - Vol. 251,N. 1-4. - P. 140-144.

213. Monemar B. Some optical properties of the AlxGai_xAs alloys system /B. Monemar, K. K. Shih, and G. D. Pettit // J. Appl. Phys. - 1976. - Vol. 47,N. 6. - P. 2604-2613.

214. Casey H. C. Concentration dependence of the absorption coefficient for n- and p-type GaAs between 1.3 and 1.6 eV /

H. C. Casey, D. D. Sell, and K. W. Wecht, J. Appl. Phys. -1975. - Vol. 46,N.1. - P. 250-257.

215. Phillips J. C. Stretched exponential relaxation in molecular and electronic glasses // Rep. Prog. Phys. -1996.

- Vol. 59. - P. 1133-1207.

216. Lee M. Fluorescence quenching and lifetime distributions of

single molecules on glass surfaces / M. Lee, J. Kim, J. Tang, R. M. Hochstrasser // Chem. Phys. Lett. - 2002. -Vol. 359,N.5-6. - P. 412-419.

217. Siemiarczuk A. Comparison of the Maximum Entropy and Exponential Series Methods for the Recovery of Distributions of Lifetimes from Fluorescence Lifetime Data / A. Siemiarczuk, B. D. Wagner, W. R. Ware // J. Phys. Chem. - 1990. - Vol. 94. - P. 1661-1666.

218. Kapitonov A. M. Luminescence Properties of Thiol-Stabilized

CdTe Nanocrystals / A. M. Kapitonov, A. P. Stupak, S. V. Gaponenko, E. P. Petrov, A. L. Rogach, A. Eychmulller // J. Phys. Chem. - 1999. - Vol. 103. - P. 10109-10113.

219. Nikolaev I. S. Strongly nonexponential time-resolved

fluorescence of quantum-dot ensembles in three-dimensional photonic crystals / I. S. Nikolaev, P. Lodahl, A. F. van Driel, A. F. Koenderink, W. L. Vos // Phys. Rev. B. - 2007.

- Vol. 75. - P. 115302-1-5.

220. Vallée R. A. L. Nonexponential decay of spontaneous emission from an ensemble of molecules in photonic crystals / R. A. L. Vallée, K. Baert, B. Kolaric, M. Van der Auweraer, K. Clays // Phys. Rev. B. - 2007. - Vol. 76. - P. 045113-1-9.

221. Теоретическая физика. Том 5. .Статистическая физика. Часть1. Ландау Л.Д. и Лифшиц Е.М. 3-е изд., испр. - М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. - 1976. - 584 с. (т. V).

222. Altieri P. Competition in the carrier capture between

I

InGaAs/AlGaAs quantum dots and deep point defects / P. Altieri, M. Gurioli, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, P. Frigeri, S. Franchi // Eur. Phys. J. B. - 2002.- Vol. 28,N.2. - P. 157-161.

223. Zaitsev S. V. Vertically Coupled Quantum Dot Lasers: First Device Oriented Structures with High Internal Quantum Efficiency / S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, V. I. Kopchatov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, N. N. Ledentsov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, A. 0. Kosogov, Zh. I. Alferov // Jap. J. Appl. Phys. - 1997.- Vol.36. -P.4219-4220.

224. Sobolev M. M. Hole and electron traps in the InGaAs/GaAs heterostructures with quantum dots / M. M. Sobolev, I. V. Kochnev, V. M. Lantratov, N. A. Cherkashin, V. V. Emtsev // Physica B. - 1999. - Vol. 273-274. - P. 959-962.

225. Walther C. Characterization of electron trap states due to

InAs quantum dots in GaAs / C. Walther, J. Bollmann, H. Kissel, H. Kirsme, W. Neumann, W. T. Masselink // Appl. Phys. Lett. - 2000. - Vol. 76,N.20. - P. 2916-2918.

226. Mazurenko D. A. Enhancement of luminescence intensity induced by 1.06 pm excitation in InAs/GaAs quantum dots / D. A. Mazurenko, A. V. Scherbakov, A. V. Akimov, A. J. Kent, M. Henini // Semicond. Sei. Technol. - 1999. - Vol. 14,N. 12. - P. 1132-1135.

227. Krispin P. Deep and shallow electronic states at ultrathin

InAs insertions in GaAs investigated by capacitance

spectroscopy / P. Krispin, J.-L. Lazzari, H. Kostial // J. Appl. Phys. - 1998. - Vol. 84,N.11. - P. 6135-6140.

228. Guffarth F. Radiation hardness of InGaAs/GaAs quantum dots

/ F. Guffarth, R. Heitz, M. Geller, C. Kapteyn, H. Born, R. Sellin, A. Hoffmann, D. Bimberg, N. A. Sobolev, M. C. Carmo // Appl. Phys. Lett. - 2003. - Vol. 82,N.12. - P.1941-1943.

229. Максимов M. В. Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками / М. В. Максимов, Д. С. Сизов, А. Г. Макаров, И. Н. Каяндер, JI. В. Асрян, А. Е. Жуков, В. М. Устинов, Н. А. Черкашин, Н. А. Берт, Н. Н. Леденцов, D.Bimberg // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т. 38,Вып.10. - С. 1245-1250.

230. Gerard J. М. InAs quantum boxes: Highly efficient radiative

traps for light emitting devices on Si / J. M. Gerard, 0. Cabrol, B. Sermage // Appl. Phys. Lett. -1996. - Vol. 68,N.22. - P. 3123-3125.

231. Шамирзаев Т.С. Фотолкминесценция квантовых точек германия,

выращенных в кремнии на субмонослое Si02 /Т.С. Шамирзаев, М.С. Сексенбаев, К. С. Журавлев, А.И. Никифоров, В. В. Ульянов, О.П. Пчеляков // Физика твердого тела. - 2005. -Т. 47,В.1. - С. 80-82.

232. Tackeuchi A. Time-Resolved Study of Carrier Transfer among

InAs/GaAs Multi-Coupled Quantum Dots / A. Tackeuchi, Y. Nakata, S. Muto, Y. Sugiyama, T. Usuki, Y. Nishikawa, N. Yokoyama, 0. Wada // Jpn. J. Appl. Phys. Part.2. - 1995. -Vol. 34. - P. L1439-L1441.

233. Huffaker D. L. Electron and hole tunneling in a moderate density quantum dot ensemble with shallow confinement

potentials / D. L. Huffaker, D. G. Deppe // Appl. Phys. Lett. - 1998. - Vol. 73,N.3. - P. 366-368.

234. Heitz R. Excitation transfer in self-organized asymmetric quantum dot pairs / R. Heitz, I. Mukhametzhanov, P. Chen, A. Madhukar // Phys. Rev. B. - 1998. - Vol. 58. - P. R10151-R10154.

235. Tackeuchi A. Dynamics of carrier tunneling between vertically aligned double quantum dots / A. Tackeuchi, T. Kuroda, K. Mase, Y. Nakata, N. Yokoyama // Phys. Rev. B. -2000. - Vol. 62. - P. 1568-1571.

236. Kagan C. R. Long-range resonance transfer of electronic excitations in close-packed CdSe quantum-dot solids / C. R. Kagan, C. B. Murray, M. G. Bawendi // Phys. Rev. B. - 1996. - Vol. 54. - P. 8633-8643.

237. Robinson H. D. Observation of excitation transfer among neighboring quantum dots / H. D. Robinson, B. B. Goldberg, J. L. Merz // Phys. Rev. B. - 2001. - Vol. 64. - P. 0753081-7.

238. Crooker S. A. Spectrally Resolved Dynamics of Energy Transfer in Quantum-Dot Assemblies: Towards Engineered Energy Flows in Artificial Materials / S. A. Crooker, J. A. Hollingsworth, S. Tretiak, V. I. Klimov // Phys. Rev. Lett. - 2002. - Vol. 89. - P. 186802-1-4.

239. Tomm J. W. Transient luminescence of dense InAs/GaAs quantum dot arrays / J. W. Tomm, T. Elsaesser, Yu. I. Mazur, H. Kissel, G. G. Tarasov, Z. Ya. Zhuchenko, W. T. Masselink // Phys. Rev. B. - 2003. - Vol. 67. - P. 0453261-8.

240. de Sales F. V. Indications of amplified spontaneous emission in the energy transfer between InAs self-assembled

quantum dots / F. V. de Sales, S. W. da Silva, J. M. R. Cruz, A. F. G. Monte, M. A. G. Soler, P. C. Morais, M. J. da Silva, A. A. Quivy // Phys. Rev. B. - 2004. - Vol. 70. -P. 235318-1-5.

241. Parasoandolo G. Long-range radiative interaction between semiconductor quantum dots / G. Parascandolo, V. Savona // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 71. - P. 045335-1-10.

242. Govorov A. O. Spin and energy transfer in nanocrystals without tunneling // Phys. Rev. B. - 2003. - V.68. - P. 075315-1-6.

243. Lan S. Capture, relaxation, and recombination in two-dimensional quantum-dot superlattices / S. Lan, K. Akahane, H.-Z. Song, Y. Okada, M. Kawabe, T. Nishimura, 0. Wada // Phys. Rev. B. - 2000. - Vol. 61. - P. 16847-16853.

244. Förster Th. Zwischenmolekulare Energiewanderung und Fluoreszenz // Annalen der Physik - 1948. - V. 437. - P. 55-75.

245. Оптическая ориентация. Современные проблемы науки о конденсированных средах, под ред. Б.П.Захарчени и Ф.Майера. Л.: Наука, 1989. - 408 с.

246. Sirenko A. A. Spin-flip and acoustic-phonon Raman scattering in CdS nanocrystals / A. A. Sirenko, V.l. Belitsky, T. Ruf, M. Cardona, A.I. Ekimov, C. Trallero-Giner // Phys. Rev. B. - 1998. - Vol. 58. - P.2077-2087.

247. Sapega V.F. Spin-flip Raman scattering in GaAs/AlxGai_xAl multiple quantum wells/ V.F. Sapega, M. Cardona, K. Ploog, E.L. Ivchenko, D.N. Mirlin // Phys. Rev. B. - 1992. - Vol. 45. - P. 4320-4326.

248. Halsall M.P. Spin-flip Raman scattering in CdTe/Cdx_xMnxTe multiple quantum wells: A model system for the study of

electron-donor binding in semiconductor heterostructures / M.P. Halsall, S.V. Railson, D. Wolverson, J.J. Davies, B. Lunn, D.E. Ashenford // Phys. Rev. B. - 1994. - Vol. 50. -P. 11755-11763.

249. Sirenko A. A. Resonant spin-flip Raman scattering and localized exciton luminescence in submonolayer InAs-GaAs structures / A.A. Sirenko, T. Ruf, N.N. Ledentsov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov // Solid State Commun. - 1996. - Vol. 97. - P. 169-174.

250. Sirenko A.A. Electron and hole g factors measured by spinflip Raman scattering in CdTe/Cdi_xMgxTe single quantum wells / A.A. Sirenko, T. Ruf, M. Cardona, D.R. Yakovlev, W. Ossau, A. Waag, G. Landwehr // Phys. Rev. B. - 1997. - Vol. 56. - P. 2114-2119.

251. Skolnick M. S. Phonon coupling and X-T mixing in GaAs-AlAs short-period superlattices / M. S. Skolnick, G. W. Smith, I. L. Spain, C. R. Whitehouse, D. C. Herbert, D. M. Whittaker, and L. J. Reed // Phys. Rev. B. - 1989. - Vol. 39. - P. 11191-11194.

252. Meynadier M.-H. Indirect-Direct Anticrossing in GaAs-AlAs Superlattices Induced by an Electric Field: Evidence of r-X Mixing / M.-H. Meynadier, R. E. Nahory, J. M. Worlock, M. C. Tamargo, J. L. de Miguel, M. D. Sturge // Phys. Rev. Lett. - 1988. - Vol. 60. - P. 1338-1341.

253. Fu Y. Valley mixing in GaAs/AlAs multilayer structures in the effective-mass method / Y. Fu, M. Willander, E. L. Ivchenko, and A. A. Kiselev // Phys. Rev. B. - 1993. - Vol. 47. - P. 13498-13507.

254. Goupalov S.V. Fine structure of localized exciton levels in

quantum wells / S.V. Goupalov, E.L. Ivchenko, A.V. Kavokin

// J. Exp. and Theor. Phys. - 1998. - Vol. 86. - P. 388394.

255. Крейн Г. g-фактор электрона // Успехи физических наук. -1968. - Т.96. - С. 153-167.

256. Young С. F. Electron paramagnetic resonance of conduction-band electrons in silicon / C. F. Young, E. H. Poindexter, G. J. Gerardi, W. L. Warren, and D. J. Keeble // Phys. Rev. B. - 1997. - Vol. 55. - P. 16245-16248.

257. Vdovin E. E. Spin splitting of X-valley-related donor impurity states in an AlAs barrier / E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, L. Eaves, M. Henini, and G. Hill. // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 71. - P. 195320-1-6.

258. van Kesteren H. W. Fine structure of excitons in type-II GaAs/AlAs quantum wells / H. W. van Kesteren, E. C. Cosman, W. A.' J. A. van der Poel, С. T. Foxon // Phys. Rev. B. -1990. - Vol. 41. - P. 5283-5292.

259. Roth L. M. Theory of Optical Magneto-Absorption Effects in Semiconductors / L. M. Roth, B. Lax, and S. Zwerdling // Phys. Rev. - 1959. - Vol. 114. - P. 90-104.

260. Fraj N. Band structures of AlAs, GaP, and SiGe alloys: A 30 kxp model / N. Fraj, I. Saidi, S. Ben Radhia, and K. Boujdaria // J. Appl. Phys. - 2007. - Vol. 102,N.5. - P. 053703-1-6.

261. Baron F. A. Manipulating the L-valley electron g factor in

Si-Ge heterostructures / F. A. Baron, A. A. Kiselev, H. D. Robinson, K. W. Kim, K. L. Wang, and E. Yablonovitch // Phys. Rev. B. - 2003. - Vol. 68. - P. 195306-1-10.

262. Yugova I. A. Universal behavior of the electron g factor in

GaAs/AlxGai_xAs quantum wells / I. A. Yugova, A. Greilich, D. R. Yakovlev, A. A. Kiselev, M. Bayer, V. V. Petrov, Yu.

K. Dolgikh, D. Reuter, and A. D. Wieck // Phys. Rev. B. -2007. - Vol. 75. - P. 245302-1-9.

263. Keller D. Heating of the magnetic ion system in (Zn,Mn)Se/(Zn,Be)Se semimagnetic quantum wells by means of photoexcitation / D. Keller, D. R. Yakovlev, B. König, W. Ossau, Th. Gruber, A. Waag, L. W. Molenkamp, A. V. Scherbakov // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol.65. - P. 0353131-9.

264. Trif M. Relaxation of Hole Spins in Quantum Dots via Two-Phonon Processes / M. Trif, P. Simon, D. Loss // Phys. Rev. Lett. - 2009. - Vol. 103. - P. 106601-1-4.

265. Lü C. Hole spin relaxation in semiconductor quantum dots / C. Lü, J. L. Cheng, M. W. Wu // Phys. Rev. B. - 2005. -Vol. 71. - P. 075308-1-10.