Моделирование атомной структуры тонких аморфных конденсатов фосфидов цинка и кадмия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Лесовой, Михаил Васильевич

• Лесовой, Михаил Васильевич
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Лесовой, Михаил Васильевич

Введение

1. Основные понятия и уравнения дифракционных методов анализа атомной структуры некристаллических материалов.

1.1. Понятие ближнего порядка.

1.2. Когерентное рассеяние некристаллическими материалами.

1.2.1. Функция радиального распределения атомной плотности для системы из атомов одного сорта.

1.2.2. Функция радиального распределения для систем, состоящих из атомов разного сорта.

1.3. Анализ функций радиального распределения электронной плотности методом расчета парциальных функций межатомных расстояний.

1.4. Метод расчета парциальных функций межатомных расстояний для интерпретации электронографического эксперимента.

1.5. Выводы.

2. Получение и методика электронографических исследований тонких пленок фосфидов цинка и кадмия.

2.1. Получение конденсатов фосфидов цинка и кадмия с использованием импульсного лазерного испарения.

2.2. Контроль микроструктуры и стехиометрии пленок

2.3. По луче гае экспериментальных интенсивностей рассеяния электронов

2.3.1. Приготовление объектов для электронографических исследований.

2.3.2. Регистрация интенсивности электронов, рассеянных некристаллическими веществами.

2.4. Обработка экспериментальных кривых рассеяния электронов.

2.4.1. Нормировка по значениям интенсивности при больших углах рассеяния.

2.4.2. Нормировка Вайнштейна.

2.4.3. Нормировка Крог-Моэ-Нормана.

2.4.4. Учет фона и нормировка экспериментальной интенсивности.

2.4.5. Нормировка интерференционной функции по зависимости координационного числа от температурного фактора.

2.5. Выводы.

3. Общие закономерности в структуре кристаллических фаз соединений систем цинк-фосфор, кадмий-фосфор. Расчет парциальных функций межатомных расстояний для сложных структур.

3.1. Кристаллическая структура С(1зР2 и ZnзP2.

3.2. Структура тетрагональных дифосфидов цинка и кадмия.

3.3. Кристаллическая структура ромбического дифосфида и тетрафосфида кадмия.

3.4. Структура соединения Сс^Рю.

3.5. Алгоритм расчета из кристаллографических данных парциальных функций межатомных расстояний для сложных структур.

3.6. Выводы.

4. Экспериментальные результаты, моделирование атомной структуры аморфных конденсатов фосфидов цинка и кадмия.

4.1. Апробация разработанной методики анализа ФРРАП.

4.2. Основные характеристики моделей структуры некристаллических веществ.

4.3. Фрагментарная модель структуры аморфных материалов с преимущественно ковалентным типом связи; ее практическая реализация.'.

4.4. Экспериментальные результаты по электронографическому анализу тонкопленочных конденсатов фосфидов цинка и кадмия .:.

4.4.1. Структура аморфных конденсатов фосфидов цинка.

4.4.2. Структура аморфных конденсатов полифосфидов кадмия.

4.5. Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование атомной структуры тонких аморфных конденсатов фосфидов цинка и кадмия»

Актуальность темы. Изучение атомной структуры некристаллических (аморфных) твердых тел необходимо для установления взаимосвязи условий формирования аморфных слоев со свойствами, так как физические и физико-химические свойства непосредственно зависят от типа и расположения атомов. Приоритетный характер этих исследований обусловлен необходимостью выявления роли ближнего атомного порядка в формировании электрических и оптических свойств твердых тел. Для этого требуется, прежде всего, установление связи между структурными характеристиками некристаллических материалов и их макроскопическими свойствами. Установление этой связи позволит не только понимать природу свойств, но и послужит основой при разработке новых методов получения аморфных материалов с необходимым комплексом физико-химических свойств.

Однако, при изучении атомной структуры аморфных материалов возникают проблемы, связанные с получением информации о положении атомов из-за отсутствия дальнего порядка.

Основными методами исследования структуры аморфных веществ являются дифракционные, среди которых наиболее широкое развитие получил традиционный метод рентгеноструктурного анализа. Данный метод позволяет получать информацию только о структурных параметрах, усредненных по большому объему, а экспериментальная кривая интенсивности дифрагированных лучей имеет слабо выраженную структуру, что снижает достоверность полученной информации. Поэтому важное значение для расшифровки деталей строения аморфных материалов приобретают высокоразрешающие методы структурного анализа с использованием дифракции электронов, которые несут информацию о существенно меньшем объеме. Несмотря на значительное развитие этих методов и на первые обнадеживающие результаты, достигнутые с их помощью, получить надежную информацию о структуре 5 аморфных веществ, в первую очередь из-за недостаточной точности и ограниченности области измерений, пока не удается. Поэтому в настоящее время широкое распространение получили методы моделирования атомной структуры аморфных систем. Важнейшими критериями адекватности модели строению реальной системы является степень совпадения расчетных и опытных данных.

Решение многих практических задач современной микроэлектроники связано с поиском необходимых материалов и совершенствованием технологии получения качественных тонкопленочных структур. К числу сравнительно новых и малоизученных следует отнести полупроводники группы АПВУ и, в частности, соединения системы кадмий-фосфор и цинк-фосфор. Фосфиды цинка и кадмия нашли применение в квантовой электронике, полупроводниковых лазерах и фотоприемниках, светодиодах, модуляторах и переключателях, удлинителях лазерных импульсов.

На базе соединений системы АПВУ организовано серийное производство оптических устройств, приемников тепловых потоков, измерительных электропреобразователей и др. Zn■i?2 является перспективных материалом для использования в оптоэлектронике (для изготовления широкополосных фотодетекторов, индикаторов поляризации света) и в солнечной энергетике для солнечных ячеек.

Соединения систем Zn-P и Сё-Р имеют различные сложные кристаллические структуры, что определяет разнообразие их свойств. Поэтому исследование особенностей атомного строения конденсатов соединений системы Z^l-F и С(1-Р в сопоставлении с физико-химическими свойствами позволяет не только определить и расширить возможные области их практического использования, но и выявить общие закономерности изменения свойств в зависимости от структуры и типа химической связи.

Недостаточная изученность структуры тонкопленочных конденсатов соединений систем Zn-P и Сс1-Р во многом объясняется сложностью техноло6 гии их получения и анализа структуры из-за наличия в их составе легколетучих элементов.

В настоящей работе основным экспериментальным методом исследования атомной структуры тонких пленок является метод дифракции электронов высоких энергий.

Таким образом, разработка методики анализа структуры тонкопленочных аморфных конденсатов и технологии их получения актуальны как в научном, так и практическом отношениях.

Цель работы и задачи исследования.

Целью данной работы являлась разработка методики анализа данных электронографических исследований и построение моделей атомной структуры аморфных тонких пленок фосфидов цинка и кадмия на основе структурных фрагментов кристаллических соединений исследуемых двойных систем, а также получение экспериментальных интенсивностей рассеяния электронов для тонких слоев, содержащих легколетучие элементы.

В диссертации поставлены и решены следующие задачи:

1. Проведен анализ существующих методов обработки и интерпретации данных по дифракции электронов высоких энергий аморфными объектами.

2. Разработана методика построения функций пар атомов для анализа функций радиального распределения атомной плотности (ФРРАП), полученных из электронографического эксперимента.

3. Составлен комплекс программ и рассчитаны парциальные межатомные функции для существующих кристаллических фаз фосфидов цинка и кадмия.

4. Получены однородные аморфные тонкие пленки фосфидов цинка и кадмия методом импульсного лазерного испарения и конденсации в вакууме.

5. Определены условия и получены экспериментальные интенсивности рассеяния электронов тонких пленок, содержащих легколетучие элементы. 7

6. Путем сопоставления теоретических ФРРАП с экспериментальными предложены фрагментарные модели атомной структуры для полупроводниковых пленок фосфидов цинка и кадмия с преимущественно ковалентным типом связи.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования были выбраны аморфные конденсаты, полученные импульсным лазерным распылением в режиме свободной генерации поликристаллических мишеней соединений систем Zn-P и Сс1-Р в вакуумной камере. Толщину объектов варьировали от 20 до 100 нм.

Выбор этих материалов обусловлен их физическими и физико-химическими свойствами, а технология получения - воспроизводимостью состава слоев, содержащих легколетучий элемент.

Научная новизна. На основе теории Финбака-Уоррена развита эффективная методика расчета парциальных функций межатомных расстояний (ПФМР), примененная для интерпретации ФРРАП из электронографического эксперимента, используя которую автором впервые:

- проведены исследования ближнего порядка аморфных пленок фосфидов цинка и кадмия, содержащих легколетучие элементы, с использованием современной методики получения экспериментальной интенсивности рассеянных электронов и интерпретации ФРРАП;

- проведены расчеты ПФМР нескольких координационных сфер соединений систем Zn-V и Сё-Р со сложными кристаллическими структурами;

- использован метод анализа ФРРАП, рассчитанных из экспериментальной интенсивности рассеянных электронов, позволивший исключить влияние обрыва экспериментальных данных в области больших углов рассеяния;

- предложен способ моделирования атомной структуры тонких пленок с преимущественно ковалентным типом связи; 8

- показано, что в рамках фрагментарной модели атомная структура аморфных пленок конгруэнтно плавящихся соединений состоит, в основном, из фрагментов, имеющих ближний порядок распыляемых соединений.

Достоверность результатов. Достоверность экспериментальных результатов основывается на хорошо апробированных высокоразрешающих методиках дифракции электронов, просвечивающей электронной микроскопии, рентгеноспектрального анализа тонкопленочных объектов большого ряда систем.

Личный вклад автора. Автором проведены экспериментальные исследования по дифракции электронов на некристаллических объектах. Разработана и реализована в виде комплекса программ методика анализа ФРРАП из элек-тронографического эксперимента. Совместно с сотрудниками кафедры экспериментальной физики Воронежского госуниверситета найдены технологические режимы конденсации аморфных пленок.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на V Всесоюзном координационном совещании по полупроводниковым соединениям AnBv (Душанбе, 1982 г.), IV Совещании-семинаре по современным проблемам и методике преподавания кристаллохимии "Современные проблемы кристаллохимии" (Калинин, 1983 г.), Семинаре "Новые достижения в области фосфидов и фосфорсодержащих сплавов" (Киев, 1983 г.), VI Всесоюзном координационном совещании "Материаловедение полупроводниковых соединений группы AnBv" (Каменец-Подольский, 1984 г.), IV Всесоюзном совещании по кристаллохимии неорганических и координационных соединений (Бухара, 1986 г.), VII Всесоюзном координационном совещании "Материаловедение полупроводниковых соединений группы AnBv" (Воронеж, 1987 г.), XIII Всесоюзной конференции по электронной микроскопии (Сумы, 1987 г.), Всесоюзного совещания "Дифракционные методы в химии" (Суздаль, 1988 г.), Семинаре "Фосфиды-87" (Алма-Ата, 1987 г.), II сессии по 9 проблемам прикладной кристаллохимии (Воронеж, 1989 г.), XII European crystallographic meeting (Москва, 1989 г.), VIII Всесоюзном координационном совещании "Материаловедение полупроводниковых соединений группы A B (Черновцы, 1990 г.), Сессии секции кристаллохимии по проблемам фундаментальной кристаллохимии (Новосибирск, 1990 г.), 1 Всесоюзном симпозиуме "Методы дифракции электронов в исследовании структуры вещества" (Москва, 1991 г.), VI Научно-техническом семинаре по фосфору "Фосфор Украины-93" (Львов, 1993 г.), International conference "Powder Diffraction and Crystal Chemistry" (St. Petersburg, 1994 г.), Международной конференции по электротехническим материалам и компонентам (Крым, 1995 г.), Семинаре "Рентгеновские и электронные спектры химических соединений" (Воронеж, 1996 г.), Национальной кристаллохимической конференции (Черноголовка, 1998 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликованы 22 научные работы.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, 4-х глав, заключения, выводов, списка литературы из 117 наименований. Изложена на 141 страницах, включающих 53 рисунка и 11 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Лесовой, Михаил Васильевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Методами дифракции быстрых электронов, просвечивающей электронной микроскопии, масс-спектроскопии, рентгеноспектрального анализа проведены исследования элементного состава и атомной структуры аморфных пленок, образующихся при лазерном распылении поликристаллических мишеней соединений систем Cd-P и Zn-P на моно- и поликристаллические подложки.

2. Разработан метод анализа ФРРАП, полученных из экспериментальной интенсивности рассеянных электронов, основанный на построении функций пар атомов. Определены условия его применимости. Показано, что использование данного метода позволяет исключить влияние ошибок из-за эффекта обрыва экспериментальной интенсивности со стороны больших значений дифракционных углов.

3. Отработана методика регистрации экспериментальных интенсивно-стей рассеяния электронов, не приводящая к структурным изменениям в аморфных слоях, содержащих легколетучий компонент, в процессе электро-нографических исследований. Получены экспериментальные интенсивности для пленок системы Zn-P и Cd-P методом непосредственной регистрации с использованием электростатического фильтра для отсева неупруго рассеянных электронов.

4. Установлено, что при лазерном распылении в вакууме соединений систем Cd-P и Zn-P в режиме свободной генерации с энергией излучения 160 дм, длительностью импульса 0,8 мс, плотностью мощности излучения Ю10-1 1 2

10" Вт/м на неподогреваемой подложке конденсируются аморфные слои, не содержащие свободный фосфор.

5. Показано, что для некристаллических тонких пленок, полученных лазерным распылением поликристаллических мишеней соединений систем Cd-Р и Zn-P, атомная структура может быть представлена в виде фрагментов с

132 ближним порядком соответствующим кристаллическим фазам, существующим в исследуемой системе.

6. Установлено, что для пленок, полученных распылением конгруэнтно плавящихся соединений, основное содержание фрагментов соответствует распыляемым соединениям. Количество других фрагментов системы не превышает 15 %. Для этих пленок уширение края оптического поглощения происходит, в основном, за счет аморфизации структуры.

7. Кристаллизация аморфных пленок в вакууме под действием электронного луча приводит к образованию микрокристаллов наиболее стабильной фазы системы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенных исследований предложена и обоснована фрагментарная модель атомной структуры аморфных пленок полифосфидов цинка и кадмия. Наличие количественных структурных характеристик исследованных материалов позволит в дальнейшем провести ряд теоретических расчетов электронных и физических свойств данного вещества, необходимых как для развития физики некристаллических систем, так и для анализа перспективы и возможности их использования в приборах электронной техники.

Разработанная на примере полифосфидов методика моделирования структуры позволит применять электронографический метод исследования для изучения структуры других тонкопленочных объектов.

133

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Лесовой, Михаил Васильевич, 2000 год

1. P.Debye, Verh.d.Dentsch. Phys. Ges., - 1913.- 15, 678.

2. F.Zernicke, I.A.Prins, Zs.f.Phys. 1927. - Bd. 41, 184.

3. W.H. Zachariasen, Phys. Rev. 1941. - 59, 207.

4. Zachariasen W.H. The Atomic Arrangement in Glass. J. Amer. Chem. Soc., 1932, v. 54, N 10, P. 3841-3851.

5. Джеймс P. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. М., ИЛ, 1950,417 с.

6. Warren В.Е., Krutter Н., Morningstar О. Fourier Analysis of X-Ray Patterns of vitreous Si02 and B203. J. Amer. Ceramic. Soc., 1936, v. 19, P. 202-206.

7. Вайнштейн Б.К. К теории метода радиального распределения // Кристаллография. 1957. - Т. 2, вып. 1. - С. 29.

8. Дворянкин В.Ф. и др. О зависимости интегральных характеристик распределения потенциала в атомах от атомного номера // Кристаллография. 1964. - Т. 9, вып. 5. - С. 730.

9. Hosemann R., Baghi S.N. Direct Analysis of Diffraction by Matter. North-Holland, Publ. Сотр. Amsterdam, 1962.

10. Hosemann R., Lenem K., Krebs H. Der Abbrucheffekt ubd sein Einfbez auf die Atomverteilunfskurven von amorphen Stoffen und Flusigkeiten. Z. Phys. Neuc Folge. - 1967. - Bd. 41., S. 121-153.

11. Стецив Я.И. Определение координационных чисел и среднеквадратичных смещений по кривым радиального распределения // Кристаллографияю 1973ю -Т. 18, вып. 3. - С. 484.

12. Стецив Я.И., Набитович И.В. и др. Новый способ определения нормирующего множителя // Кристаллография. 1973. - Т. 18, вып. 2. - С. 257.

13. Алешина Л.А., Фофанов А.Д., Шиврин О.Н. Структура термически напыленных пленок окисла вольфрама W03 // ДАН СССР. 1982ю - Т. 267, № 3. - С. 596-598.

14. Олевский С.С., Сергеев М.С., Толстихина А.Л. и др. Структура ближнего атомного порядка аморфных пленок W03 // ДАН СССР. 1984. - Т. 275, № 6. - С. 1415-1419.

15. Wakken В.Е. X-ray diffraction. Mass., 1969.

16. Mossi R.L., Warren В.Е. The Structure of Vitreous Si02. J. Appl. cryst. - 1969. - V. 2, N 1. - P. 164-170.134

17. Mozzi R.L., Warren B.E. The Structure of Vitreous Boron Oxide. J. Appl. cryst. -1970.-V. 3,N. 2.-P. 251-258.

18. Norman N. The Fourier Transform Method for Normalizing Intesities // Acta cryst. -1957. -V. 10, N 6. P. 370.

19. Уоррен Б.Е., Авербах Б. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей // Современные методы исследования в металловедении. М.: Гостехиздат, 1958.

20. Уоррен Б.Е. Рентгеновские исследования структуры стекол // Кристаллография. 1971. - Т. 16, вып. 6. - С. 1264-1273.

21. Татаринова Л.И. Структура аморфных веществ. М.: Наука, 1972. - 104 с.

22. В.Ф. Дворянкин, Г.Г. Дворянкина, В.Н. Коломийчук, Ф.А. Брусенцев. О зависимости интегральных характеристик распределения потенциала в атомах от атомного номера // Кристаллография. 1964. - Т. 9, вып.5. - С. 730-734.

23. Л.И. Татаринова. Структура твердых аморфных и жидких веществ. М., "Наука", 1983. С. 150.

24. К.Б. Алейникова, М.В. Лесовой, Ю.Н. Перин. Фрагментарная модель структуры аморфных пленок многокомпонентных полупроводников // ДАН. 1993. - Т. 329, №3.-С. 308-310.

25. Горбунов О.Б., Суров Ю.И., Тотокин В.П. и др. // Получение и свойства тонких пленок. Киев: Наук, думка, 1981. - С. 52.

26. Маренкин С.Ф., Лазарев В.Б., Саныгин В.П. Физико-химия и материаловедение двойных полупроводниковых соединений элементов II и V подгрупп // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1985. - Т. 21, № 5. - С. 721-729.

27. В.Б. Лазарев, В.Я. Шевченко, Я.Х. Гринберг, В.В. Соболев. Полупроводниковые соединения группы АИВУ. М.: Наука, 1978. - С. 256.

28. Nasledov O.N., Shevchenko V.Vd. Semiconducting AnBv Compounds // Phys. stat. sol. (a). 1973. - V. 15, N 1. - P. 9-38.

29. Kalicinska-Karut J., Pruchnik L., Lukasczewicz K. The stoichiometree Formula and Space Group of Cadmium Phosphtide Cd7Pi0 // Roc. Chem. Ann. Soc. Chim. 1971. -V. 45.-P. 1991-1992.

30. Макухин B.H., Савельев B.A. Лазерные методы получения и обработки тонких пленок. Зарубежная радиоэлектроника. 1977. - № 1. - С. 30-51.

31. Днепровский В.Г., Банков В.Н. Получение тонкопленочных слоев в вакууме с помощью излучения оптического квантового генератора. Зарубежная радиоэлектроника. 1978. - № 9. - С. 133-142.135

32. Поглощение лазерного излучения и разрушение полупроводников. A.A. Гринберг, Р.Ф. Мехтиев, С.М. Рыбкин и др. // Физика твердого тела. 1967. - Т. 9, № 5. - С. 1390-1397.

33. Лазеры в технологии. Под редакцией М.Ф. Стельмаха. Москва, изд. Энергия. -1975.-216 с.

34. Справочник по лазерной технике. Киев, изд. Техника. 1978. - 288 с.

35. Солодуха A.M., Жуков О.Н., Лесовой М.В. Структура тонких пленок триоксида вольфрама, полученных лазерным испарением // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1983. - Т. 19, № 12. - С. 2053-2055.

36. Лесовой М.В., Алейникова К.Б., Кашкаров В.М., Солодуха A.M. Получение и исследование структуры тонких слоев дифосфида цинка // Изв. АН СССР, Неорганические материалы. 1986. - Т. 22, № 5. - С. 713-715.

37. Бродски М. Аморфные полупроводники. М., Мир. 1982. - С. 98.

38. Keil Е„ Zeitler Е., Sinn W. // Z. Natur forsch.,а. 1960. - Bd. 15. - S. 1031.

39. A.C. Авилов, A.B. Григорьев, В.А. Кобыляков, A.B. Винник, C.B. Орехов. Автоматический электронный дифрактометр на базе отечественного ЭМР-102 // Тезисы докладов на XIII Всесоюзной конференции по электронной микроскопии. Москва, 1987. - С. 11.

40. A.C. Авилов. Изучение структуры аморфных веществ методами дифракции электронов и электронной микроскопии // Тезисы докладов на XIII Всесоюзной конференции по электронной микроскопии. Москва, 1987. - С. 224.

41. Филипович В.Н. К теории рассеяния рентгеновских лучей в газах, жидкостях, аморфных твердых тел, поликристаллах. I. II. ЖЭТФ, 1955, т. 25, вып. 9, С. 1604-1638.

42. Waser J., Schomaker V. The Fourier Inversion of Diffraction Data. Rev. Mod. Phys., 1953, v. 25, N 3. - P. 671-690.

43. Finbak C. Acta chem. scand., 1949, v. 3, p. 1279-1293.

44. Радченко И.В. Структура жидких металлов. Успехи физ. наук, 1975, т. 61, вып. 2. - С. 249-276.

45. Moscinski J. Radial density function of liquid obtaied from the terminated neutron diffraction data scaling by the Krogh Moe-Norman-Vainshtain. Acta Phys. Polon., 1972, v. A41,N4, p. 453-469.

46. Вайнштейн Б.К. Структурная электронография. М., Изд-во АН СССР, 1956. -314 с.

47. Вайнштейн Б.К. Нормировка рядов Фурье электронной плотности. ДАН СССР. - 1953, т. 83. - С. 821-823.

48. Krough-Moe J. A Method for Converting Experimental X-ray Intensities to an Absolute Scale. Acta Crystall. - V. 9, N 10. - P. 951-953.

49. Norman N. The Fourier Transform Method for Normalizing Intensities. Acta Crystall., 1957, v. 10, part 5, p. 370-373.

50. А.Ф. Скрышевский. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел. М.: Высшая школа. - 1980. - 328 с.

51. Warren В.Е., Mozzi R.L. The termination effect for amorphous patterns // Appl. Cryst. 1975. - V. 8, N 3. - P. 674-677.

52. Richter H., Breitling G„ Herre F. Naturwiss., 1957. - Bd. 44. - S. 109.

53. Rodriguez S.E., Pings C.C. J. Chem. Phys. - 1956. - V. 42. - P. 2435.

54. Яхин B.C., Воробьев Ю.Н., Юрьев Г.С., Богатырев B.JI. Рентгеноструктурное исследование некристаллических материалов. Сообщение I. Расчет функции радиального распределения на основе функции дифракционной интенсивности. -Деп. ВИНИТИ, № 1197-74, 19 с.

55. И.Д. Набитович и др. Определение когерентной интенсивности и интенсивности фона по экспериментальной кривой рассеяния электронов // Кристаллография. 1967. - Т. 12, вып. 4. - С. 584.137

56. Васин О.И., Гладышева Г.И., Дагман Э.Е. // Кристаллография. 1983. - Т. 28, вып. 3. - С. 11.

57. Лазарев В.Б., Шевченко В.Я., Гринберг Я.Х., Соболев В.В. Полупроводниковые соединения группы A!IBv. 1978. - M., Изд. "Наука". - 73 с.

58. Schnering H.G.V. Strukturelemente in Polyphosphiden. Nachr. Chem. Techn. -1973. -N 19. - P. 440-442.

59. Horn J. Crystal Structure and Absolute Configuration of CdP2 // Bull. De L'Academie Polon des Sci. Sre. sci. chim. 1969. - V. 17, N 2. - P. 69-74.

60. Битюцкая Л.А., Алейникова К.Б., Буровицкий Ю.В., Угай Я.А., Сыноров В.Ф. Фазовые превращения в ZnP2 // Тезисы "V Всесоюзной конференции по химической связи в полупроводниках и полуметаллах". 1974. - Минск, Изв. АН Бел. ССР. - С. 96.

61. Kkebs H., Muller К.-Н. Zurn G. Darstellung und Structur des CdP4 // Z. anorg. allg. Chem. 1956. - B. 285. -S. 15-28.

62. В.Б. Лазарев, В.Я. Шевченко, С.Ф. Маренкин, С.Е. Козлов. Получение монокристаллов фосфидов цинка и кадмия. В кн. Получение, свойства и применение фосфидов. 1977, Изд. "Наукова думка", Киев. - С. 22-24.

63. Лазарев В.Б., Гринберг Я.Х., Маренкин С.Ф., Самиев С.Х. Исследование р-Т-х фазовой диаграммы системы Cd-P и термодинамические свойства фосфидов кадмия. 1979. - Изв. АН СССР, Неорганические материалы. - Т. 15 (7). - С. 1149.

64. Goodyear I., Steigmaun G.A. The Crystal Structure of a-CdP2 // Acta Cryst. 1969. -V. B25. - P. 2371-2374.

65. Е.И. Завалишин, К.Б. Алейникова, H.C. Работкина, А.В. Арсенов. Кристаллическая структура Cd7Pio // Журн. структурной химии. 1979. - Т. 20, № 1. - С. 146148.

66. Алейникова К.Б., Лесовой М.В., Перин Ю.Н. Фрагментарная модель атомной структуры многокомпонентных аморфных материалов с преимущественно ко-валентным типом связи// Известия АН. Серия физическая. 1993. - Т. 57, № 2. -С. 85-90.

67. Алейникова К.Б., Лесовой М.В., Перин Ю.Н. Атомная структура тонких аморфных пленок арсенидов кадмия // Тезисы докладов VIII Всесоюзного координационного совещания "Материаловедение полупроводниковых соединений группы AnBv". Черновцы, 1990. - С. 4.

68. Zdanowicz W., Wojakowshi A. Some Optical Properties of CdP2 // Phys. stat. sol. -1965. V. 10. - P. K93-K97.138

69. Kischio W. Halbleitendes Cadmium und Zinkdiphosphid 11Z. Naturforch. - 1966. -B. 21a.-S. 1733-1734.

70. Беликов A.M., Лесовой M.B., Алейникова К.Б., Блувштейн И.М. Кристаллохимия фосфидов цинка и кадмия в аморфном состоянии // Тезисы докладов IV Всесоюзного совещания по кристаллохимии неорганических и координационных соединений. Бухара, 1986. - С. 121.

71. Zeller H.R., Beyeler U.U. Electrochromism and local order in amorphous W03 // Appl. Phys. 1977. - V. 13, N 13. - P. 231-237.

72. Алешина Л.А., Луговская Л.А. Рентгеноструктурное исследование анодных аморфных окислов вольфрама // Кристаллография. 1997. - Т. 42, № 2. - С. 343349.

73. Loopstra В.О., Boldrini P. Neutron diffraction investigation of W03 // Acta Cryst. B. 1966.-V. 21, N l.-P. 158.

74. Раманс Г.М., Патмалниекс A.A. Структура и морфология аморфных пленок триоксида вольфрама и молибдена // Электрохромизм. Рига. 1987. - С. 67-82.

75. Falaras P., Froelicher М., Froment М., Hugot U., Goff A. Electron Microscopy and Raman Spectroscopy of Anodically formed Tungsten Oxide Films // J. Microscop., Spectroscop. Electr. 1984. - V. 9. - P. 39-45.

76. Kawaminami M., Hirose T. Structural Phase Transitions of Tungsten Trioxide WO3 // Sci. Rep. Kagosima Univ. 1978. - N 27. - P. 77-96.

77. Кукуев В.И., Лесовой М.В., Власов Д А., Малыгин М.В., Домашевская Э.П., Томашпольский Ю.Я. Конденсация пленок сложного состава в шлюзовом устройстве электронного микроскопа // Приборы и техника эксперимента. 1994. -№4.-С. 178-180. .

78. Кукуев В.И., Тутов Е.А., Лесовой М.В., Домашевская Э.П. Изменения ближнего атомного порядка в пленках a-W03 в процессе окрашивания, адсорбции воды и в результате старения // Кристаллография. 1988. - Т. 33, вып. 6. - С. 15511552.

79. Shiojiri М., Migano Т., Kaito С. Structure and crystallization of very thin amorphous W03 films // Jpn. J. Appl. Phys. 1978. - V. 17. - P. 567.

80. Филлипченко В.Я., Финкельштейн C.X., Суров Ю.И. Особенности фазового и структурного состояния электрохромных слоев W03 // Изв. АН СССР, Неорганические материалы. 1980. - Т. 16, № 9. - С. 1687.

81. Szymanski J.T., Roberts А.С. The Crystal Structure of Tungstite W03 H20 // Can. Min. 1984.-V. 22.-P. 681-688.139

82. Coleman M.V., Thomas D.I.D. The Structure of Amorphous Silicon Film. Phys. Stat. Sol., 1967, v. 24, p. K111-K115.

83. Ichikawa T. Electron Diffraction Study on Structure of Amorphous Tellurium. J. Phys. Soc. Japan, 1972, v. 33, p. 1729.

84. Сб. докладов Всесоюзного семинара "Новые идеи в физике стекла". 1987. -Москва. - 83 с.

85. Кукуев В.И., Тутов Е.А., Лесовой М.В., Комолова Л.Ф., Шевцова Н.Ф., Разумовская И.В. Поверхностные состояния и заряд в МДП-структуре с пленкой триоксида вольфрама // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. - Т. 11. -С. 87-92.

86. Л.А. Алешина, Е.А. Никитин, А.Д. Фофанов. Ближний порядок в аморфных окислах алюминия // Кристаллография. 1997. - Т. 42, № 5. - С. 906-912.

87. A.Paola, F. Quarto, С. Sunsert // J. Electrochem. Soc. 1978. - V. 125, N 8. - P. 1344-1347.

88. Alechina L.A., Malinenko V.P., Phouphanov A.D., Yakovleva N.M. // J. Non-Cryst. Sol. 1986. - V. 87. - P. 350.

89. З.Г. Пинскер. Дифракция электронов. Изв-во АН СССР, 1949. С.21.

90. Авилов A.C., Пармон B.C. К вопросу об учете несистематических многоволновых взаимодействий при дифракции электронов // Кристаллография. 1983. - Т. 28, вып. 2. - С. 383-384.

91. Алейникова К.Б., Лесовой М.В., Лукин А.Н. Получение и структура тонких аморфных слоев дифосфида кадмия // Тезисы докладов V Всесоюзного координационного совещания по полупроводниковым соединениям AnBv. Душанбе, 1982. - С. 91.

92. Алейникова К.Б., Лесовой М.В., Солодуха A.M. Получение и структура пленок Zn3P2 // Тезисы докладов VI Всесоюзного координационного совещания "Материаловедение полупроводниковых соединений группы AnBv. Каменец-Подольский, 1984. - С.35.140

93. Aleinikova К.В., Lesovoi M.V., Perin Yu.N. Crystal-chemical model of amorphous state in thin II-V semiconductors films // Twelfth European crystallographic meeting, vol.2. Moscow, 1989. - C. 28.

94. С.Е. Длигач, А.Н. Натепров, В.Н. Стамов. Получение и свойства пленок фосфида кадмия // Тезисы докладов VIII Всесоюзного координационного совеща2 5ния "Материаловедение полупроводниковых соединений группы А В ". 1990.- Черновцы. С. 8.

95. Sobolev V.V., Syrbu N.N., Suchkevich T.N. Energy Band Structure of the Tetragonal Crystals ZnP2 and CdP2 // Phys. stat. sol. (в). 1971. - V. 43. - P.73-81.

96. Китайгородский A.И. Рентгеноструктурный анализ мелкокристаллических и аморфных тел. М.-Л., Изд-во Технико-теоретический лит., 1952. 588 с.

97. Домашевская Э.П., У гай Я. А. Рентгеноэлектронные исследования природы химической связи в полупроводниковых соединениях типа А'В5, АПВ5, А3В5,141

98. А4В5 по сдвигам внутренних уровней // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. -1975. Вып. 4. - С. 49-53.

99. Алейникова К.Б., Кашкаров В.М., Лесовой М.В. Ближний атомный порядок и эмиссионные Ь2.з-спектры фосфора тонких пленок фосфидов цинка // Тезисы докладов семинара "Рентгеновские и электронные спектры химических соединений". Воронеж, 1996. - С. 61.

100. В.Б. Лазарев, М.Х. Гринберг, С.Ф. Маренкин, С.Х. Самиев. Исследование Р-Т-X фазовой диаграммы системы Cd-P и термодинамические свойства фосфидов кадмия // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1979. - Т. 15, № 7. - С. 11491154.

101. Smolyarenko Е.М., Trukhan V.M. and Bologa A.P. Piase Diagram of the ZnP2 -CdP2 System // Phys. Stat. Sol. 1985. - V. 91. - P. kl01-kl02.

102. Алейникова К.Б., Лесовой М.В., Перин Ю.Н. Анализ среднего порядка в двух-компонентных аморфных полупроводниках // Тезисы докладов национальной кристаллической конференции. Черноголовка, 1998, 41. - С. 132.

103. Falaras P., Floelicher M., Froment M. et al. // J. Microscop. Spectroscop. Electr. -1984. V. 9, p. 39.

104. Свергун Д.И., Фейгин Л.A. Рентгеновское и нейтронное малоугловое рассеяние. М.: Наука, 1986. С.280.142