Ближний порядок и межатомное взаимодействие в аморфных неметаллических пленках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Попова, Ирина Александровна

• Попова, Ирина Александровна
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Попова, Ирина Александровна

ВВЕДЕНИЕ

1. БЛИЖНИЙ ПОРЯДОК И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ

МЕТОДЫ ЕГО ИССЛЕДОВАНИЯ

1.1. Общие представления о ближнем порядке и межатомном взаимодействии в твердом теле

1.2. Две тенденции в понятии структуры аморфных веществ . II

1.3. Электронографический метод исследования структуры аморфных пленок. Функция радиального распределения атомов и ее интерпретация

1.4. Метод обработки экспериментальных кривых интенсивности рассеяния электронов без предварительного учета фона

1.4.1. Определение интерференционной функции в относительных единицах

1.4.2. Методы нормирования интерференционной функции

1.4.3. Эффект обрыва, ложные максимумы, их влияние на кривые радиального распределения атомов и способы учета

1.4.4. Определение межатомных расстояний, координационных чисел, средних квадратичных смещений атомов и характеристической температуры Дебая

2. ЭЛЕКТРОНОГРАФИЧЕСКПЕ ИССЛЕДОВАНИЕ БЛИЖНЕГО ПОРЯДКА В АМОРФНЫХ ПЛЕНКАХ ОКИСЛОВ АЛКМПМЯ, ТАНТАЛА, НИОБИЯ

2.1. Способы приготовления и область использования пленок ai2o^ ,Та2о5и иъ2о5 . Общие сведения о физико-химических свойствах

2.2. Кристаллические модификации ai2o3, Та2о5 и

2.3. Общие замечания о структуре аморфных пленок

А1203, Та205 И т>

2.4. Определение интерференционной функции по экспериментальным кривым рассеяния электронов

2.5. Расчеты кривых радиального распределения атомов, координационных чисел, средних квадратичных смещений атомов

2.6. Вычисление характеристической температуры Дебая, углов и энергий связей

2.7. Построение функции некогерентного фона

2.8. Исследования кинетики старения аморфных пленок

2.9. Выводы

3. ЭЛЕКТРОНОГРАФИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК МОНОАРСЕНИДА И МОНОФОСФИДА КРЕМНИЯ

3.1. Общие сведения о физических свойствах. Способы изготовления и области использования

3.2. Кристаллические модификации пленок SiAg usip

3.3. Изучение ближнего порядка в аморфных слоях SiAs и S1P по электронографическим данным

3.3.1. Общий подход к исследованию структуры нморфных полупроводников

3.3.2. Определение интерференционной функции по экспериментальным кривым рассеяния электронов

3.3.3. Расчет параметров ближнего порядка и термодинамических характеристик

3.4. Рентгеноэлектронные исследования структуры аморфных пленок SiAs и siP

3.5. К классификации аморфных пленок соединений группы А^В^

3.6. Выводы

4. МОДЕЛИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО

4.1. Общий подход к моделированию аморфных структур

4.2. Метод Монте-Карло и его применение к моделированию структуры аморфных веществ

4.3. Учет связей мевду атомами одного сорта

4.4. Выбор исходных данных

4.5. Введение полицентральной модели и коррекция краевого эффекта

4.6. Статистика химических связей и критерий достоверности сконструированных моделей

4.7. Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Ближний порядок и межатомное взаимодействие в аморфных неметаллических пленках»

Актуальность темы» В настоящее время изучению структуры аморфных материалов уделяется большое внимание. Это обусловлено главным образом двумя обстоятельствами. Во-первых, использование аморфных веществ в приборах с принципиально новыми возможностями синтеза схем управления, усиления, запоминания, как вычислительных сред с переменной структурой и особенно в связи с перспективой применения их в оптоэлектронике и радиационной технике. Во-вторых, вопрос о микроструктуре некристаллических материалов один из самБк крупных неразрешенных вопросов физики твердого тела. Поэтому экспериментальные исследования ближнего порядка и характера межатомного взаимодействия имеют определяющее значение для выявления и понимания общих закономерностей, которым подчиняются некристаллические вещества, выяснения их природы и новых возможностей использования в технике. Для определения структуры ближнего порядка наиболее эффективными являются дифракционные методы, методы рентгеновской эмиссионной и электронной спектроскопии, а также ИК-спектроскопии, С применением указанных методов связаны значительные успехи в изучении атомного порядка, межатомного взаимодействия и построении количественных моделей. Однако эти методы при исследовании аморфных материалов требуют дальнейшего совершенствования как в экспериментальном отношении, так и при обработке и интерпретации результатов. Поэтому использование в нашей работе методов дифракции электронов (в качестве основного экспериментального метода), рентгеновской и ИК-спектроскошш (для подтверждения некоторых данных о характере межатомного взаимодействия в полупроводниковых и диэлектрических пленках) является актуальным в методическом плане.Цель настоящей работы получение прямых данных о структуре ближнего порядка и характере межатомного взаимодействия аморфных диэлектрических и полупроводниковых пленок и установление закономерностей их структурообразования, Для достижения этой цели были решены следующие задачи. 1) Определение координационных чисел и наиболее вероятных межатомных расстояний, средних квадратичных смещений атомов, усредненных углов связей и характеристических температур Дебая для аморфных пленок оксидов алюминия, тантала, ниобия и моноарсенида и монофосфида кремния. 2) Установление модели ближнего окружения и выяснение характера межатомного взаимодействия. 3) Оценка достоверности моделей. Научная новизна. Впервые электронографическим методом произведено систематическое исследование структуры ближнего пордцка аморфных пленок оксидов алюминия, тантала, ниобия и моноарсенида и монофосфида кремния с получением экспериментальной интенсивности рассеянных электронов в широком интервале регистрации углов рассеяния. Особое внимание уделено достоверной оценке параметров ближнего порядка по экспериментальным кривым функции радиального распределения атомом (ФРРА). Впервые сделаны выводы о характере ближнего порядка при переходе из кристаллического состояния в аморфное для всех исследованных материалов и об их изоструктурности определенным кристаллическим модификациям. Произведена классификация аморфных соединений группы по сходству координации ближайших соседей, Осуществлен топологический подход к пониманию структурообразования аморфных пленок использованием моделирования структур по Монте-Карло. Показана возможность значительно расширить информацию о ближнем порядке, даваемую дифракцией электронов.Предложен новый способ моделированиярименением полицентральной модели атомов с учетом краевого эффекта, что дает возможность определить координаты атомов, значения длин и углов межатомных связей, рассчитать плотности их распределения. Разработан метод оценки достоверности структурных моделей по модам функции распределения энергии деформации длин и углов связей. Установлен кластерный характер структуры аморфных неметалдичес1шх пленок. Научная и практическая ценность. Выбор в качестве объектов исследования аморфных пленок оксидов алюминия, тантала, ниобия и моноарсенида и монофосфида кремния обусловлен разнообразием присущих им свойств; сочетание сравнительно высокой термической и химической стойкости со значительными тепловыми, электрическими и оптоэлектронными свойствами. Указанные материалы в аморфном состоянии применяются как пассивные и активные элементы в различных областях приборостроения. Б целом практическое использование исследованных материалов,особенно аморфных оксидов вентильных металлов, значительно опережает научное понимание их природы из-за сложности и разнообразия структур. По-прежнему не решена полностью задача о физико-химии межатомного взаимодействия и его связи со структурой ближнего порядка. Поэтому полученные результаты по исследованию ближнего порядка имеют важное значение для понимания и углубления представлений о структуре и характере межатомных взаимодействий исследованных соединений. Последний существен при построении теории аморфного состояния, общей теории неупорядоченных систем, а также решения коренной проблемы современного материаловедения создания новых материалов с необходимыми характеристшсами. Полученные результаты могут быть использованы при создании пленочных активных и пассивных элементов микросхем на основе этих соединений. Практический интерес представляет также предложенный метод расчета пространственной структурной модели по Монте-Карло, который может быть применен для моделирования структуры любого бинарного аморфного соединения. Выводы, сделанные на основе исследования ближнего порядка аморфных пленок окисла алюминия в процессе их старения, были рекомендованы в практической работе некоторых лабораторий Н И И ШГЙКОВД (г.Ленинград). Положения, выносимые на защиту: 1. Результаты по определению параметров ближнего порядка аморфных пленок окисдов алюминия, тантала, ниобия и моноарсенида и монофосфида кремния. 2. Характер ближнего порядка и межатомного взаимодействия в исследованных соединениях. 3. Пространственные структурные модели аморфных неметаллических пленок, полученные методом Монте-Карло. 4. Способ оценки достоверности моделей по фушщиям распределения энергии деформащш длин и углов связей.I. БЛИЖНИЙ ПОРЯДОК И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ЕГО ИССЛЕДОВАНИЯ В АМОРФНЫХ ПЛЕШКАХ I.I, Понятия ближнего порядка и межатомного взаимодействия в твердом теле В твердом теле всегда возникают коррелящи между атомами, расположенными в соседних узлах решетки, причем атому данного типа может быть энергетически выгодно находиться в окружении атомов другой, а не той же саюй природы. При этом в системе появляется некоторая степень ближнего порядка. Для количественного описания этого эффекта надо найти величины N полное число связей типа А В, т.е. число соседних узлов решетки, занятых атомами разного сорта и сравнить ею с тем, что получилось бы при случайном расцределении атомов. Для определения параметра порядка надо использовать некоторые статистические представления i Д Так, предельная вероятность найти в большом кристалле связь типа А В дается выражением: P=tmi\/m), (1.1) где y Z H полное число связей между W узлами, каждый из которых имеет Z соседей. Если бы атомы А и В могли независимо занимать каждый узел с вероятностями Сд и С то правая часть равенства 1Л составила бы ЦС, Таким образом, параметр корреляоди между ближайшими соседями в данном случае оцределяется как разность Из физических соображений ясно, что аффект локального упорядочения не должен ограничиваться только ближайшими соседями. Рассмотрим, например, два узла в решетке, находящиеся на расстоянии друг от друга. Для описания отклонений от полного беспорядка введем функцию распределения глвСК) Она дает нам вклад всех пар узлов с расстояними R причем один узел занят атомом А а другой атомом В* Соответственно определяется корреляционная функция. более общего вида: Следует ожидать, что она будет спадать до нуля при увеличении расстояния к Дюбая аналитическая теория корреляционных функций должна основываться на общих принодпах статистической механики. Чтобы выражение (1,5 имело смысл, надо взять среднее по ансамблю, составленному из квазибесконечного числа копий рассматриваемой системы. Далее надо воспользоваться какой-нибудь из эргодйческих теорем и приравнять результат усреднения по ансамблю среднему по времени или по пространству для данного макроскопического образца. Чтобы описать межатомные взаимодействия допустим, например, что парам атомов АА, АВ и ВВ отвечают соотвественно энергии Ед( L и Е Тогда полная энергия системы запишется в виде При этом число пар каждого типа ограничено соотношениями где Мд есть полное число атомов А в бинарном соединении, а координационное число. Таким образом, Введем величину б р равную +1 или -I в завиоимооти от того, занят ли данный узел атомом типа А или В, Отсюда вытекает дальнейшее соотношение: Соответственно для энергии получаем Таким образом, ближний порядок в бинарном соединении будет определяться выражением типа "обменного интеграла", поэтому Так, если J О то атомы данного сорта стремятся объединиться в кластеры» С другой стороны, при 3 О наблюдается тенденция к образованию пар неодинаковых атомов. Однако, если энергия, необходимая для замещения атома А атомом В, не зависит от состояния ближайших соседей, т.е, если сцраведливы равенства то величина J обращается в нуль. При этом система оказывается совершенно неупорядоченной..2. Две тенденции в понятии структуры аморфных веществ Традиционно существуют два направления в понятиях о структуре аморфных неорганических соединений: теория кристаллитов J и теория неупорядоченной сетки 4,5,0,? К настоящему времени состояние этих теорий достигло такого уровня, что не стало большого различия между ними, Обсуадение исторического развития обеих тенденций можно найти в обзорах 8 9 Сейчас принято, что простые аморфные соединения не содержат отдельных кристаллитов, а в современной теории кристаллитов структура аморфных стекол рассматривается как имеющая отклонения до степени ближнего порядка. Более упорядоченные области образуют кристаллиты, где атомное расположение приближается к строению соответствующих кристаллических веществ, они связаны областями, где степень упорядоченности ниже. Средние линейные размеры каадого кристаллита порядка 0,1 0,2 нм. Для многокомпонентных систем кристаллитная теория также ведет к группировке и неоднообразноглу пространственному распределению индивидуальных составляющих частей. Теория Хоземанна iOl полагает, что стекло состоит из паракристаллитов, настолько искаженных, что дальний порядок полностью отсутствует. Согласно теории случайной сетки j аморфные стекла состоят из протяженной беспорядочной сетки, не имеющей ни симметрии, ни периодичности, каадая составляющая часть многокомпонентной системы равномерно распределена по всей структуре (рис, 1.1 В отдельных решетках видоизмененные катионы случайно оседают в дырках близко к отрицательно заряженным несвязанным атомам кислорода (или их эквивалентам в неоксидных системах). Основными структурными единицами, из которых строится решетка стекла, являются однако такие же, как и в эвивалентных кристаллитах. ЗаТеоретические модели структуры стекол лк а кристаллическая структура 6 теория кристаллитов (?V5 A 5* в теория случайных сеток г смешанная теория Рис. I.I.хариасен/dl/ предложил следующие эмпирические законы для возможности образования оксидом стекла с внутренней энергией, сравнимой с энергией кристаллитов: I) атом кислорода не должен быть связан более, чем с двумя образующими сетку катионами; 2) координационное число окружающих кислород катионов должно быть невелико 3 или 4); 3) кислородный многогранник может иметь общ е углы, но не ребра и грани; 4) для трехмерных сеток хотя бы три угла каждого многогранника должны быть общими. Критика теории неупорядоченной сетки заключается в том, что правило 4-совсем не обязательная предпосылка для образования стекла; это подтверждается существованием так называемого "инвертного" стекла (рис. 1 Л и других, основанных на нитратах, сульфатах, карбонатах, галогенидных стеклах. В любой беспорядочной сетке, образованной с такими же граничными условиями, что и для Si Од существуют границы, отклоняющиеся от локального порядка. Следовательно, существенное различие между сеточной теорией и теорией кристаллитов заключается в величине этих отклонений, особенно в области 0,1 10 нм, Объединение этих двух тенденодй в подходе к структуре аморфных стекол можно найти в 9 Автор обращает внимание на то, что большое число систем, составляющих стекло, имеют в качестве основного (иногда единственного) компонента материал, который существует в двух и более полиморфических фазах, которые различаются свободной энергией образования. Полиморфизм наблюдается не только в хорошо изученной 2 но и в Ti 0 селене, сере, C d Рл и др. Подчеркивается также, что при некоторой температуре соединения составляющие его атомы образуют сгустки кластеры, являющиеся зачаточным ядром всех возможных полиморфов; существенным фактором для стеклообразования являются условия, при которых может быть установлена непрерывная структура между разнородными сгустками, оставляя большинство границ сгустков не связан1шми, хотя система в целом и будет представлять собой "закрытое твердое тело". Таким фактором служит появление А В неупорядоченных связей (в системе, состоящей из А и В сгустков), которые могли бы затруднять и в конечном счете подавлять А-А или В-В эпитаксиальные контакты (являющиеся условием сокращения поверхностной свободной энергии). Интересно заключение автора о том, что границы

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Попова, Ирина Александровна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Впервые электронографически исследована структура ближнего порядка аморфных оксидов алюминия, тантала и ниобия, моноарсе-нвда и монофосфида кремния в широком интервале экспериментальной регистрации углов рассеяния ( S — 200 нм"^). По кривым функций радиального распределения атомов (ФРРА) рассчитаны кратчайшие межатомные расстояния, координационные числа, средние квадратичные отклонения атомов, величины усредненных валентных углов, статистическая характеристической температура Дебая.

2. Установлен характер ближнего порядка аморфных пленок исследованных соединений и произведено сравнение с соответствующими кристаллическими аналогами. Доказано сходство аморфных: окисла алюминия с -модификацией, окисла тантала с J> -модификацией и окисла ниобия с Y -модификацией.

3. На основе электронографических и рентгеноэлектронных данных показано, что характер ближнего порядка аморфных полупроводниковых пленок соединений группы £ отличается от кристаллического при сохранении тетраэдрической координации атомов; межатомные расстояния уменьшаются ( ~ на 2%), координационное число анионообразователя увеличивается ( ~ на 15%). Слоевая структура сохраняется только в малых областях за счет раздвижения слоев и вращения их относительно друг друга.

4. Оценка энергий межатомного взаимодействия Е , Ьвв и Е^ в приближении "квазихимической" аппроксимации по параметрам ближнего порядка и известным термодинамическим характеристикам показывает, что за счет существования ближнего порядка в аморфных соединениях на основе преимущественного окружения разносортными атомами ^^-^(Е^Еы^для пленок оксидов алюминия, тантала, ниобия и для полупроводниковых пленок моноарсенида и монофосфида кремния.

5. Методами электронной дифракции и ИК-спектроскопии исследована кинетика процесса старения структуры пленок аморфного оксида алюминия в стандартных условиях в течение 2500 часов. Показано, что диэлектрические свойства пленок ухудшаются за счет постепенного разрушения связей и водородных связей при устойчивом сохранении межатомных расстояний и координационных чисел.

6. Предложен новый способ моделирования структуры аморфных пленок по Монте-Карло применением полицентральной модели атомов и введением функции учета краевого эффекта. Этот способ позволяет определить значения длин и углов межатомных связей, найти плотности их распределения и может быть применен для моделирования структуры любого аморфного бинарного соединения. Теоретические ФРРА, рассчитанные по модельным данным, совпадают с экспериментальными ФРРА, полученными из дифракции электронов с точностью до 10$.

7. Построены пространственные модели структуры аморфных пленок оксидов типа АОП и полупроводниковых соединения группы A'V6V В пределах одной-двух координационных сфер наблвдаются области упорядоченного расположения атомов с корреляцией ближнего порядка, представляющие собой неоднородные кластеры. Они составляют пространственные сетки структурных единиц-полиэдров. Кластерная модель структуры аморфных пленок согласуется с экспериментально полученным пиком в малоугловой области на кривых интенсивности рассеянных электронов.

8. Разработан метод оценки достоверности структурных моделей по модам суммарных функций распределения энергии деформации длин ■и углов связей (РЭДС). Установлено, что РЭДС имеют вид функций распределения Пирсона {ь (jfi} с различными П для разного типа исследованных материалов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Попова, Ирина Александровна, 1984 год

1. Жбанов А.И. Квантово-электронная теория аморяных проводников. - М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1963. - 250 с.

2. Займан Дж. М. Модели беспорядка. М.: Мир, 1982. - 591 с.3*.Coleman M.V., Thomas D.I.D. The Structure of Amorphous

3. Silicon Film.- Phys. Stat. Sol., 1967, v.24, p.KIII-KII5.

4. Shevchik N.I., Paul W. The Structure of Amorphous Ge.

5. J. Non-Cryst. Solids, 1972, v.7, p.381.5V Polk D.E. Structure Model of Amorphous Si and Ge.

6. J. Non-Cryst. Solids, 1971, v.5, N5, p.365-376.6.-Ichikawa T. Electron Diffraction Study on Structure of

7. Amorphous Tellurium.- J. Phys. Soc. Japan, 1972, v.33, p.1729. 7vBartch G.E.A., Bromme H., Just T. Radial Distribution of

8. Glassy Tellurium Silicon Alloise.-J.Non-Cryst.Sol.,1975,18,65-75.8., Leadbetter A.J., Wright A.C. Diffraction Studies of Glass

9. Structure.- J. Non-Cryst. Solids, 1972, v.6, N7, p.37.

10. Goodman C.H.L. Strained Mixed-Claster Model for Glass

11. Structure.- Nature, 1975, v.257, p.370-372.

12. Warren B.E., Krutter H., Morningstar 0. Fourier Analysisof X-Ray Patterns of vitreous Si02 and B20^.- J. Amer. Ceramic.1. Soc., 1936, v.I9, p.202.1.. Татаринова Л.й. Структура аморфных веществ. М.: Наука,1972. 104 с.

13. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. - 622 с.

14. Джеймс Р. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. М.: ИЛ, 1950. - 572 с.

15. Вайнштейн Б.К. Структурная электронография. М.: Изд-во АН СССР, 1956. - 314 с.

16. Уоррен Б.Е. Рентгеновские исследования структуры стекол. -Кристаллография, 1971, т.16, вып.6, с.1264.

17. Harris R.L., Wood R.E., Ritter H.L. The Structure of Liquid Aluminum Chlorid.-J.Amer.Chem.Soc., 1951, v.73, N7.

18. Скрышевский А.Ф. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел. М.: Высшая школа, 1980. - 328 с.

19. Пустыльник Е.И. Статистичнские методы анализа и обработки наблюдений. М.: Наука, 1968. - 288 с.

20. Лашко А.С. К вопросу о применении интегрального анализа при определении структуры жидкостей. В кн.: Вопросы физики металлов и металловедения. - Изд-во АН УССР,1*Гие0 , 1959, с.39-44.

21. Стецив Я.И. Некоторые вопросы методики электронографиче-ских исследований ближнего порядка в аморфных веществах. Дисс. на соиск.уч.степ.к.ф.-м.н., Львов, ЛГУ, 1968.

22. Вайнштейн Б.К. Кристаллография, 1956, т.1, с.495; 1957, т.2, Я I.

23. Boersch Н. und Miessner. Ein hochempfindlicher Gegenfeld-Energieanal^sator fur Elektronen.-Zs Phya.,1962,Bd.168,s.298-304.

24. Boerach H., Miesaner H., Raith W. Untersuchungen zur WinkelabhSngigkeit des 14,7 eV- Energieverlustes von Elektronen in Aluminium.- Za Phys., 1962, Bd.l68, a.404-410.

25. Попова И.А., Стецив Я.Н., Андрейко A.M. Структура аморфных анодных окислов алюминия. В кн.: Материалы УШ Всесоюзной научн.-техн.конф. по электрохимич.технологии. - Казань: Изд-во КХТИ, 1977, с.95.

26. Попова И.А., Бывших Д.М. Моделирование структуры анодных пленок на алюминии, танталз, ниобии. В кн.: Физико-химия гетерогенных систем. -Воронеж: Изд-во В1У, 1984, с.133-136.

27. Андриевский А.И., Набитович К.Д., Волощук Л.В. Об одном способе учета фона при электронографических исследованиях структуры аморфных веществ. Кристаллография, 1962, т.7, № 3, с.350-352.

28. Kambe К. Intenaitatmeasung mittelsehneller Elektronen durch den Leitungseffekt von CdS und Anwendung bei der Elektro-nenbeugung am amorpher Germanium. Z. Naturforachg, 1963, Bd.I7a, a.499-505.

29. Попова И.А., Чернышев В.В., Угай Я.А. Структурные особенности анодных окислов тантала. В кн.: Физико-химия полупроводникового материаловедения. - Воронеж: Изд-во В1У, 1979, с.78-85.

30. Leonhardt R., Richter Н. und Roasteutscher W. Elektro-nenbeugungsunterauchungen zur Struktur diinner n ichtkristalliner Schichten. Z. Physik, 1961, Bd.l65, s.121-150.

31. Гингрич Н.С. Успехи химии, 1946, т.15, №3, с.297.

32. Richter Н., Breitling G. Struktur des amorphen Germaniums und Siliciums.- Z. Naturforachg, 1958, Bd.I3a, s.985-996.

33. Угай Я.А., Попова И.А., Котлярская Н.С. Эффективные сечения упругого и неупругого рассеяния электронов от аморфных пленок. В кн.: Полупроводниковые материалы и тонкие пленки на их поверхности. -Воронеж: Изд-во ВГУ, 1982, с,139-144.

34. Grigorovici R. Short-range Order in Amorphous Semiconductors.- J. Non-Cryst. Solids, 1969, v.I, p.303-325.

35. Колесова В.А. Инфракрасные спектры поглощения силикатов, содержащих алюминий, и некоторых кристаллических алюминов. Оптика и спектроскопия, 1959, т.6, с.38-44.

36. Joffe A.F., Redel A.R. Non-crystalline Amorphous and Liquid Electronic Semiconductors.-Progr.Semic.,I960,v.4,118,p.237.

37. Boersch H. Gegenfeldfilter fiir Elektronenbeugung und Elektronenmikroskopie.- Zs Phys.,1953, Bd.I34, s.156-164.

38. Нэгиши Т., Куниока С. Дэнки гаккай Ромбунан (Труды Японского института радиоинженеров), 1976, T.96-A, 1 7, с.295-301.

39. Chu T.L.,Kunioka A., Keim R.w. Электрические свойства SiAs , выращенного из расплава. Solid State Electronics, Pergamon Press, 1971, v.14, N12, p.I239-I263.

40. Попова И.А., Бывших Д.М. Моделирование структуры анодных пленок на алюминии, тантале, ниобии. В кн.: Физико-химия гетерогенных систем. - Воронеж: Изд-во ВГУ, 1984, с.133-136.

41. Z. Naturforschg., 1958, Bd.I3a, s.874-885.

42. Breitling G., Handtmann D., Richter H. Verschiedenceverfahren zur Untersuchung der Struktur geschmalzener Metalle.-Zs. Physik, 1964, Bd.I78, s.294-318.

43. Sugawara T. False Details in the Atomic Distribution Curves and their Discrimination.- Sci Rep.Res. Inst. Tonoku Univ., 1951, v.3Ay Ю9.

44. Richter H. Atomanordnung in festen amorfen Stoffen.-Fortschritte der Physik, I960, Bd.8, s.493-527.

45. Kaplow R., Strong S.L., Averbach B,L, Radial Density Functions for Liquid Mercury and Lead.-Phys,Rev.,1965, 138, 5A, 336.

46. Радченко'И.В., Шестаковский Ф.К. Модельное изучение жидкого состояния. В кн.: Строение и физические свойства вещества в жидком состоянии. - Киев: Изд-во К1У, 1954.

47. Стецив Я.И. Определение средних квадратичных смещений атомов. ФТТ, 1975, т.17, № I, с.118.

48. Prins J.A. Diffration of Electrons in Amorphous and Crystalline Antimony.-Nature, 1933, v,I3I, N3317, p.760-76l.

49. Prins J.A. Amorphous Sb.- Nature, 1935, v.136, p.299.

50. Wadston T. Crystalline Structure of orthorhombic SiP.

51. Chem. Commun., 1979, N7, p.1-4.

52. Ing S.W., Runicki a., Kelm R.W. Solid State Electronics,

53. Pergamon Press, 1971, v.14, N12, p.I239-I263.

54. Лебедев А.А. Изв.АН СССР, сер.физ., 1940, т.4, с.584.

55. Домашевская ЭЛ., Угай Я.А., Мирошниченко С.Н., Алфеева М.С., Никонов Н.Ф. Изучение и исследование свойств аморфных пленок Sip И siAs . Изв.АН СССР: Неорг»матер., 1974, тЛО, № 4, с.731-732.

56. Bewilogua L. Uber die inkohSrente Strenung der Rontgen-strahlen.- Physik. Zeitschr., 1931, XXXII, s.740-744.

57. УгайЯ.А., Мирошниченко C.H., Домашевская ЭЛ., Василевская М.А. Получение и исследование некоторых свойств Sip • -Изв.АН СССР: Неорг.матер., 1973, т.9, № I, с.7-9.

58. Ley L., Kowalczyk S., Pollak R. and Shirley D.A. X-Ray Photoemission Spectra of Crystalline and Amorphous Si and Ge Valence Bands.- Phys. Rev. Lett., 1972, v.29, N14.

59. Shevchik N.J. Similarities in Structures of Amorphous InAs and Ge.- Phys. Rev. Lett.,1973, v.31, N20, p.I245-I248.67.

60. Weaire D.,Thorpe M. Electronic Properties of an Amorphous Solid. I. A Simple Tight Binding Theory.- Phys, Rev., 1971, B4, N8, p.2508.

61. Дель Ока С.Дж., Пулфри Д.П., Янг Л. Анодные окисные пленки. В кн.: Физика тонких пленок, т.6. - М.: Мир, 1973.

62. Одынец JI.JI. Физика окисных пленок. Петрозаводск: Изд-во ПСУ, 1979. - 79 с.

63. Белевцев А.Т. Микроминиатюризация радиоэлектронной аппаратуры. М.-Л.: Энергия, 1965. - 256 с.

64. Шнаревич Е.И. и др. Диэлектрики интегральных схем. М.: Энергия, 1975.

65. Корзо В.Ф. и др. Пленки из элементоорганических соединений в радиоэлектронике. М.: Энергия, 1973. - 190 с.

66. Glinterschulse , Betz Н. Neue Untersuchungen ii ber die elektrolytische Ventilwirkung.-Zs.Phys., 1931, Bd.68, s.I45.

67. Burgers W.G., Classen A., Zernike J. Uber die cheraische Uatur der Oxydschichten, welche sich bei afrodischer Polarisation auf den Metallen Aluminium,'Zirkon, Titan und Tantal bilden.

68. Z. Phys., 1932, Bd.74, s.593-603.

69. Verwey E.J.W. The Structure of the Electrolitical Oxyde Layer on Aluminum. Z. Cryst., 1935, v.91, p.317.

70. Данков П.Д., Игнатов Д.В., Шишаков И.А. Электронографиче-ские исследования окисных и гидроокисных пленок на металлах. М.: Изд-во АН СССР, 1953.

71. Угай Я.А. Общая химия. М.: Высшая школа, 1977. - 408 с.

72. Юнг Л. Анодные оксидные пленки. Л.: Энергия, 1967.

73. Угай Я.А.,Попова И.А. Ближний порядок и характер межатомных связей в некоторых пниктогенидах и оксидах. В кн.: Физико-хи-мия полупроводникового материаловедения. - Воронеж: Изд-во ВГУ, 1978, с.59-62.

74. Zachariasen W.H. The Atomic Arrangement in Glass.-J. Amer. Chem. Soc., 1932, v.54, n10, p.384I-385I.

75. Vermilyea D.A. Advances in Electrochem.,1963, v.3, N5.

76. Стильбанс Л.С. Ближний и дальний порядок в ферромагнитныхтелах. КЭТФ, 1930 , т.9, с.432-438.

77. Мюллер Р.А, Химические особенности полимерных стеклообра-зующих веществ и природа стеклообразования. В кн.: Стеклообразное состояние. - М.-Л.: Изд-во АН СССР, I960, с.61.

78. Пепкаля Т. Очерки кристаллохимии. Л.: Химия, 1974. -118 с.

79. Ovshinsky S.R., Adler D. Lokal Structure Bonding and Electronic properties of Covalent Amorphous Semiconductors. -Contemp. Phys., 1978, v.19, N2, р.Ю9т12б.

80. Плясова Л.Т., Кефели Л.М. Кинетика и катализ, 1965, т.6, № 6, C.I080.

81. Vermilyea D.A. J. Electrochem. Soc., 1955, v.102,p.207.

82. Elson R., Pried S.,Sellers P., Zachariasen W.H.-J. Amer.Chem. Soc,, 1950, v.72, p.5791.

83. Попова И.А. Средний порядок в аморфных siAs и siP .

84. В кн.: Тезисы докладов Всесоюзного симпозиума "Электронная микроскопия и электронография в исследовании образования, структуры исвойств твердых тел". Звенигород. М.: Изд-во АН СССР, 1983,с.53»

85. Алешина Л.А., Малиненко В.П., Фирсова Н.М., Фофанов А.Д. Ближний порядок в аморфных окисных пленках тантала и ниобия. -Деп. ВИНИТИ, № 1557-77 ДЕЛ.

86. Renninger A,L., Rechtin M.D., Averbach B.L. Monte-Carlo Models of Atomic Arrangements in Arsenic-Selenium Glasses.

87. J. Non-Cryst. Solids, 1974, v.16, N1, p.I-14

88. Середа T.M. Исследования структуры аморфных пленок алюминия на основе общей теории рассеивания. Автореф. канд.дис. М.: Изд-во МГУ, 1953.97 .Rechtin M.D., Renninger A.L., Averbach B.L. Monte-Carlo

89. Models of Amorphous Materials. J. Non - Cryst. Sol., 1974, v.I5, p.74-82.

90. Козлов B.M., Крикис Ю.Ю. Моделирование структуры халько-генидных стекол методом Монте-Карло. Изв.АН Лат.ССР, серия: физ. и техн.н., 1978, № 6, с.45-49.

91. Аморфные полупроводники: Пер. с англ ./Под ред.М.Бродски. М.: Мир, 1962. - 419 с.

92. Tajima S., Baba N., Shimura М. Einfluss von Anionen und Inhibitoren auf Primaren WachstumsvorgSnge der Anodchen Oxid-schichten auf Aluminium.- Electrochimica Acta,1967,v.12,p.955.

93. Polk D.E., Boudreax D.S. Tetrahedrally Coordinated Random Network Structure.-Phys.Rev.Let.,1973,v.31, N2, p.65-92. Ю4. Metropolis N., Rosenblutch A.W., Rosenblutch M.N.,

94. Teller A.H. Equation of State Calculations by Fast Computing Mashines.- J. Chem. Phys., 1953, v.21, N6, p.1087- 1092.105* Dorsey G.A. Measurement of Thin Oxide Films on Aluminum Substrates. Plating, 1973, N1, p.35-72.

95. Dorsey g.a. Характеристика анодных оксией алюминия. Ч.1. Образование пленок в кислотных электролитах для анодирования. J.Electrochem. Soc., 1966, v.113, N2, p.169-172.

96. Jones A.M. Local Atomic Arrangement in Amorphous Aluminum Oxid.- Phys. Chem. Glasses, 1975, v.16, N6.

97. Dignam M.J. Conduction Properties of Valve Metal-Oxid System. I. A New Theory. J. Electrochem. Soc., 1965, v.112, p.722-729.

98. Будим Н.И. и др. Структура анодных пленок на алюминии, образованных в борнокислом электролите при высоких нацряжениях. -Электронная техника, сер.5, 1977, вып.5 (24), с.10.

99. НО. Попова И.А. Электронографическое исследование структуры аморфных пленок. Изв. АН СССР: Неорганические материалы, 1978, т.14, № 10, с.1934-1936.

100. Набитович И.Д., Стецив Я.И., Андрейко A.M. Применение вращающегося сектора при измерениях интенсивности рассеяния электронов. Приборы и техника эксперимента, 1976, № 3, с.313.

101. Стецив Я.И. Новый способ определения нормирующего множителя при электронографических исследованиях структуры аморфных веществ. Кристаллография, 1973, т.18, с.257-262.

102. Стецив Я.И. Определение координационных чисел и средних квадратичных смещений по кривым радиального распределения. Кристаллография, 1973, т.18, № 3, с.484-486.

103. Стецив Я.И. Физическая электроника, 1975, II, с.42»115» Попова И.А. Использование Фурье-анализа кривых рассеяниядля исследования структуры аморфных слоев окиси алюминия. В кн.:

104. Материаловедение (физика и химия конденсированных сред). Воронеж: Изд-во ВПИ, 1978, с.3-8.

105. Горогодская JUT. Сравнительная характеристика структур гидроокислов и окислов алюминия. В кн.: Конституция и свойства минералов. - Киев: Наукова думка, 1970, № 4, с.25.

106. Белов В.Т., Копылова Е.А. ИК спектры анодного окисда алюминия, полученного в растворах разных электролитов. Ж. неорг.хи-мии, 1979, т.24, вып. 2, с.291-297.

107. О'Sullian I.,Hockey I.A., Wood G.C. Infra-Red Spectro-scopie Study of Anodic Alumina Films. Trans. Faraday Soc., 1969, v.65, p.535.

108. Dorsey g.a. Некоторые данные относительно двойственной структуры анодного барьерного слоя окиси алюминия.

109. J. Electrochem. Soc., 1969, v.116, p.466-471.

110. Киця В.П., Попова И.А., Стрельникова Н.Ф. Исследование изменения структуры анодных оксидных пленок на алюминии в процессе старения методом инфракрасной спектроскопии. Электронная техника, сер.5, 1973, № 2 (31), с.99-101.

111. Попова И.А,, Киця В.П., Стрельникова Н.Ф. Старение диэлектрических окисных пленок на алюминии. В кн.: Тезисы Всесоюзной конференции "Физика диэлектриков и перспективы ее развития". Т.Ш. Л.: Изд-во ЛПИ, 1973, с.90.

112. Попова И.А. Изучение ближнего порядка в аморфных анодно-оксидных пленках на алюминии, В кн.: Материаловедение (Физика и химия конденсированных сред). - Воронеж: Изд-во ВПИ, 1976,с.84-89.

113. Автор считает своим приятным долгом выразить благодарность доценту Львовского ордена Ленина политехнического института СТЕВДБУ Ярославу Ивановичу за помощь и внимание к работе.